JP2003126764A

JP2003126764A - 基板処理方法及び基板処理装置

Info

Publication number: JP2003126764A
Application number: JP2001329241A
Authority: JP
Inventors: Ryoji Kubo; 良治久保; Masaya Aoki; 賢哉青木; Hiroshi Nagata; 広永田; Masaya Shinozaki; 賢哉篠崎
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-10-26
Filing date: 2001-10-26
Publication date: 2003-05-07
Anticipated expiration: 2021-10-26
Also published as: JP3766968B2

Abstract

(57)【要約】【課題】平流し方式において被処理基板上の液の置換
を効率的かつ良好に行うこと。【解決手段】搬送路１１４上を水平姿勢で搬送される
基板Ｇの被処理面に対して、Ｖ型ノズル１６０がリンス
液Ｂを基板Ｇ上で搬送方向に対して斜め方向に流れるよ
うに供給することにより、前段の処理部から持ち込まれ
た基板Ｇ上の液Ａがリンス液Ｂの流れにより基板の横ま
たは側方へ掃き出される。より詳細には、基板Ｇ上の被
処理面を左右に二分し、左半分領域についてはＶ型ノズ
ル１６０の左ノズル部１６０Ｌにより液を左方へ流し、
右半分領域についてはＶ型ノズル１６０の右ノズル部１
６０Ｒにより液を右方へ流して、基板上の各部に存在し
ていた液Ａを側方へ効率良く掃き出す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板を水平
に搬送しながら基板に所定の処理を施す基板処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）
製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣ
Ｄ基板の大型化に有利に対応できる洗浄方法あるいは現
像方法として、搬送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷
設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を搬送しながら洗浄処
理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し
方式が注目されている。このような平流し方式は、基板
を回転運動させるスピンナ方式と較べて、基板の取扱い
や搬送系および駆動系の構成が簡単であり、ミストの発
生ないし基板への再付着が少ない等の利点がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】一般に、平流し方式の
洗浄処理装置では、ブラシスクラバやジェットスクラバ
等の洗浄手段と並べて下流側の搬送路上方にリンスノズ
ルを配置し、該リンスノズルよりその直下を通過する基
板に向けてリンス液を噴射して、基板上の汚れている液
をリンス液で置換するようにしている。しかしながら、
スピンナ方式と異なり、平流し方式では基板に遠心力が
働かないため、基板上から液を掃き出すのが難しく、置
換効率がよくないという問題がある。

【０００４】また、平流し方式の現像処理装置でも、現
像部の下流側に設けるリンス部ないし乾燥部において、
たとえばバブルリンス後に基板上の汚れている液を新し
いリンス液で置換することがあるが、上記と同様に置換
効率がよくない。本発明は、かかる従来の問題点に鑑み
てなされたものであって、平流し方式において被処理基
板上の液を効率的かつ良好に置換できるようにした基板
処理方法および基板処理装置を提供することを目的とす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の基板処理方法は、被処理基板上で第１の
液を第２の液に置換する基板処理方法において、前記基
板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送
し、前記基板の被処理面に対して前記第２の液を前記基
板上で搬送方向に対して斜めまたは横方向に流れるよう
に供給して、前記基板上から前記第１の液を前記第２の
液の流れる方向に掃き出す方法とした。

【０００６】また、本発明の基板処理装置は、被処理基
板をその被処理面が上を向く姿勢で水平方向に支持して
搬送するための搬送路と、第１の液が存在する前記搬送
路上の前記基板の被処理面に対して第２の液を前記基板
上で搬送方向に対して斜めまたは横方向に流れるように
供給する液供給手段とを有し、前記基板上で前記第１の
液を前記第２の液の流れる方向に掃き出して第２の液に
置換する構成とした。

【０００７】本発明では、基板上で第２の液を搬送方向
に対して斜めまたは横方向に流すことにより、第２の液
の流れによって基板上の第１の液（被置換液）を搬送方
向に対して基板の横または側方へ掃き出すことができ
る。

【０００８】本発明の一態様は、基板上で第２の液を基
板の進行に逆らう向きで左側または右側へ斜め方向に流
す方式である。かかる方式によれば、第２の液の流れに
より基板上の第１の液を掻き出すようにしてより確実か
つ効率的に基板の横または側方へ掃き出すことができ
る。

【０００９】上記態様の方式において、好ましくは、基
板上で、搬送方向と平行に設定された境界線より左側の
被処理面領域については第２の液を基板の進行に逆らう
向きで左側へ斜め方向に流し、該境界線より右側の被処
理面領域については第２の液を基板の進行に逆らう向き
で右側へ斜め方向に流すようにしてよい。このように、
基板上の被処理面を左右に二分し、それぞれの被処理面
領域について逆向きかつ外側斜め方向に第２の液を流す
ことにより、基板上の第１の液を各位置から近い方の基
板側方へ効率良く掃き出すことができる。

【００１０】本発明の別の態様は、基板上で、搬送方向
と平行に設定された境界線より左側の被処理面領域につ
いては第２の液を左側へ横方向に流し、該境界線より右
側の被処理面領域については第２の液を右側へ横方向に
流す方式である。この態様の方式でも、基板上の第１の
液を各位置から近い方の基板側方へ効率良く掃き出すこ
とができる。

【００１１】本発明の別の態様は、基板上で、第２の液
を基板の一方の側端から他方の側端まで横断させるよう
に流す方式である。この態様の方式でも、第２の液の流
れによって基板上の第１の液を搬送方向に対して基板の
横または側方へ掃き出すことができる。この方式におい
て、好ましくは、基板の一方の側端部からの第２の液の
流れを増強するために、基板上の途中で新たな第２の液
の流れを追加して合流させるようにしてよい。

【００１２】また、本発明の各態様において、基板上で
第２の液の流れを所望の方向に整流するための流体を供
給することも有効である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な実施形態を説明する。

【００１４】図１に、本発明の現像処理装置を適用でき
る一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この
塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置
され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製
造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗
浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベー
ク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシス
テムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われ
る。

【００１５】この塗布現像処理システム１０は、中心部
に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置
し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーシ
ョン（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ
／Ｆ）１８とを配置している。

【００１６】カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、
システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを
多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセット
Ｃを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能
なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセ
ットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２と
を備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手
段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの
４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション
（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようにな
っている。

【００１７】プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、
システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向き
の一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまた
は工程の順に配置している。より詳細には、カセットス
テーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステー
ション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスライン
Ａには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６
と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを
横一列に配置している。一方、インタフェースステーシ
ョン（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／
Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２
の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロ
セス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置
している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０
が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとと
もに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、
両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。

【００１８】両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送
空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に
載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によって
ライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっ
ている。

【００１９】上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄
プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４
２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）
４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接す
る場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を
配置している。後述するように、スクラバ洗浄ユニット
（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送
またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送
しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すようになっている。

【００２０】洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第
１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心
部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数の
ユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に
示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４に
は、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、
脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およ
びアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積
み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０
は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの
受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段
ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユ
ニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，
６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下か
ら順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡し
を行うためのものである。

【００２１】図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直
方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能
な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に
回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送
体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または
伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有して
いる。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６
が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送
体７２を旋回駆動するための駆動部７８が垂直搬送体７
０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するため
の駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。
各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構
成されてよい。

【００２２】上記のように構成された搬送機構４６は、
高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部
（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可
能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板
Ｇを受け渡しできるようになっている。

【００２３】第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する
塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗
布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８
４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロ
セスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略す
るが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニッ
ト（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇ
を工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設
けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８
４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われ
るようになっている。

【００２４】塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第
２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同
様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に
縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後
尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロ
セスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（Ｔ
Ｂ）９２を設けている。

【００２５】図示省略するが、たとえば、プロセスライ
ンＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基
板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、そ
の上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）
がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラ
インＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に
基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、
その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねら
れ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。

【００２６】第２の熱的処理部３０における搬送機構９
０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれ
のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２
８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け
渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル
４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）
１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっ
ている。

【００２７】下流部のプロセスラインＢにおいて、現像
プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一
連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユ
ニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。

【００２８】現像プロセス部３２の下流側には脱色プロ
セス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置され
る。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線
（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ
線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。

【００２９】第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的
処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有し
ており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１０
０とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９
８，１０２を設けている。

【００３０】図示省略するが、たとえば、上流側の多段
ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット
（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の
加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ね
られてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１
０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却
用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が
１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニ
ット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。

【００３１】第３の熱的処理部３６における搬送機構１
００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパス
ユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット
（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユ
ニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション
（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだ
けでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板
Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。

【００３２】インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１
８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行う
ための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ス
テージ（ＢＵＦ）１０５、エクステンション・クーリン
グステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６および周辺装置１
１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１
０５には定置型のバッファカセット（図示せず）が置か
れる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ
・ＣＯＬ）１０６は、冷却機能を備えた基板受け渡し用
のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１
６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置
１１０はたとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露
光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよ
い。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえ
ば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や
各ユニット（ＢＵＦ）１０５、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０
６、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡し
を行えるようになっている。

【００３３】図３に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ
／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上
の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部
２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬
入する（ステップＳ1）。

【００３４】エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４
１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される
（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表
面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板
Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構
２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニッ
ト（ＳＣＲ）４２へ移される。

【００３５】スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２で
は、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送
により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送
しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の
汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基
板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後に
エアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。

【００３６】スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で
洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上
流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）５０に搬入される。

【００３７】第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは
搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニット
を回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット
（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５
４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップ
Ｓ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６
２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷
却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒ
ージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化
処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了
後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１
つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。
最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に
属するパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に移される。

【００３８】このように、第１の熱的処理部２６内で
は、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニ
ット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）
４８との間で任意に行き来できるようになっている。な
お、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の
基板搬送動作を行えるようになっている。

【００３９】第１の熱的処理部２６で上記のような一連
の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段
ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）
６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布
ユニット（ＣＴ）８２へ移される。

【００４０】基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８
２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理
面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾
燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、
次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８
６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれ
る（ステップＳ8）。

【００４１】上記のようなレジスト塗布処理を受けた基
板Ｇは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４から隣の第２の
熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に
属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。

【００４２】第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬
送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを
回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット
（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１
つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受け
る（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット
（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで
冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流
側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡ
ＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェース
ステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・ク
ーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６へ受け渡さ
れる。

【００４３】インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１
８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリング
ステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６から周辺装置１１０
の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周
辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光
を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップ
Ｓ11）。

【００４４】露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所
定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光
を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースス
テーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ1
1）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥ
Ｒ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情
報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエ
クステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯ
Ｌ）１０６に戻される。インタフェースステーション
（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１
２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行わ
れる。

【００４５】プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６で
は、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエク
ステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）
１０６より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスライン
Ｂ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット
（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。

【００４６】現像プロセス部３２では、該多段ユニット
部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け
取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入す
る。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板Ｇはプロ
セスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、そ
の搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が
行われる（ステップＳ13）。

【００４７】現像プロセス部３２で現像処理を受けた基
板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこ
でｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。
脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上
流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）に受け渡される。

【００４８】第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、
基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱
ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポス
トベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇ
は、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクー
リング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこ
で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３
の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１０
０によって行われる。

【００４９】カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側で
は、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクー
リング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処
理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板
Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ
1）。

【００５０】この塗布現像処理システム１０において
は、たとえば洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニッ
ト（ＳＣＲ）４２に本発明を適用することができる。以
下、図４〜図１２を参照して本発明をスクラバ洗浄ユニ
ット（ＳＣＲ）４２に適用した実施形態を説明する。

【００５１】図４に、本発明の一実施形態によるスクラ
バ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の全体構成を示す。この
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２は、プロセスライ
ンＡに沿って水平方向（Ｘ方向）に搬送ローラ１１２を
敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を有し、この搬
送路１１４に沿って隔壁１１６を介して６つのブロック
またはモジュールＭ1〜Ｍ6を一列に連続配置してなる。

【００５２】これら６つのモジュールＭ1〜Ｍ6のうち、
最上流端に位置する１番目のモジュールＭ1は基板搬入
部を構成し、２番目のモジュールＭ2はスクラビング洗
浄処理部を構成し、３番目のモジュールＭ3はブロー洗
浄処理部を構成し、４番目のモジュールＭ4はリンス処
理部を構成し、５番目のモジュールＭ5は乾燥処理部を
構成し、６番目つまり最後尾のモジュールＭ6は基板搬
出部を構成している。

【００５３】基板搬入部Ｍ1には、上流側隣の基板搬送
機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを水平姿勢で受
け取って搬送路１１４上に移載するための昇降可能な複
数本のリフトピン１１８が設けられている。基板搬出部
Ｍ6にも、基板Ｇを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送
機構（図示せず）へ手渡すための昇降可能な複数本のリ
フトピン１２０が設けられている。

【００５４】スクラビング洗浄処理部Ｍ2には、搬送路
１１４に沿って上流側から順に薬液ノズル１２２、プレ
ウエット用の洗浄スプレー管１２４、スクラビング洗浄
用のロールブラシ１２６，１２８、洗い流し用の洗浄ス
プレー管１３０等が一列に配置されている。また、下流
側の端部または壁際には、隣室（Ｍ3）と雰囲気を遮断
するためのエアカーテン形成部またはエア吹出し部１３
２が設けられている。

【００５５】ブロー洗浄処理部Ｍ3には、たとえば２流
体ジェットノズルからなる洗浄ノズル１３４が搬送路１
１４を挟んで上下に（図示の例では一対）配置されると
ともに、下流側の隣室（Ｍ4）と雰囲気を遮断するため
のエアカーテン形成部１３６も設けられている。

【００５６】リンス処理部Ｍ4には、本実施形態のリン
スノズル１３８が配置されるとともに、下流側の隣室
（Ｍ5）と雰囲気を遮断するためのエアカーテン形成部
１４０も設けられている。

【００５７】乾燥処理部Ｍ5には、液切り用のエアーナ
イフ１４２が搬送路１１４を挟んで上下に（図示の例で
は二対）配置されている。

【００５８】処理部Ｍ2〜Ｍ5においては、搬送路１１４
の下に落ちた液を受け集めるためのパン１４４，１４
６，１４８，１５０がそれぞれ設けられている。各パン
１４４〜１５０の底に設けられた排液口には回収系統ま
たは排液系統の配管が接続されている。

【００５９】ここで、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣ
Ｒ）４２における全体の動作および作用を説明する。基
板搬入部Ｍ1は、隣の基板搬送機構（図示せず）から基
板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１１４に移載または
搬入する。搬送路１１４を構成する搬送ローラ１１２
は、回転駆動シャフトや歯車等の伝動機構（図示せず）
を介して電気モータ（図示せず）の駆動力により前進方
向に回転している。したがって、搬送路１１２に載った
基板Ｇは直ちに隣のスクラビング洗浄処理部Ｍ2へ向け
て搬送される。通常、ＬＣＤ用の基板Ｇは長方形に形成
されており、その長辺方向が搬送方向と平行になる向き
で搬送路１１４上を搬送される。

【００６０】スクラビング洗浄処理部Ｍ2では、搬送路
１１４上を搬送される基板Ｇの上面（被処理面）に対し
て、最初に薬液ノズル１２２がたとえば酸またはアルカ
リ系の薬液を基板被処理面の全面に吹き付け、直後に洗
浄スプレー管１２４がプリウエット用の洗浄液たとえば
純水を吹き付ける。なお、図示しないが、搬送路１１４
の下方にも同様の薬液ノズルおよび洗浄スプレー管を配
置して、基板Ｇにも薬液やプレウエット液を吹き付けて
もよい。

【００６１】次いで、基板Ｇはロールブラシ１２６，１
２８の間を通り抜け、その際にロールブラシ１２６，１
２８が基板Ｇの被処理面および裏面上の異物（塵埃、破
片、汚染物等）をそれぞれ擦り取る。その直後に、洗浄
スプレー管１２４が基板Ｇの被処理面全体に洗浄液たと
えば純水を吹き付け、基板上に浮遊している異物を洗い
流す。

【００６２】スクラビング洗浄処理部Ｍ2を抜けると、
基板Ｇは次にブロー洗浄処理部Ｍ3に入る。ブロー洗浄
処理部Ｍ3では、上下の洗浄ノズル１３４が、加圧され
た洗浄液（たとえば純水）と加圧された気体（たとえば
窒素）とをノズル内で混合して粒状の液滴を生成し、生
成した液滴を基板Ｇの上下面に向けて噴射する。こうし
てガスが溶け込んだ洗浄液が基板Ｇの表面に衝突するこ
とで、基板表面に付着または残存している異物が除去さ
れる。

【００６３】ブロー洗浄処理部Ｍ3の次に基板Ｇはリン
ス処理部Ｍ4を通過する。リンス処理部Ｍ4では、搬送路
１１４上を水平姿勢で搬送される基板Ｇの被処理面に対
して、リンスノズル１３８がリンス液たとえば純水を基
板Ｇ上で搬送方向（Ｘ方向）に対して斜めまたは横方向
に流れるように供給する。これによって、ブロー洗浄処
理部Ｍ3から持ち込まれた基板Ｇ上の液（異物が浮遊し
ている液）がリンス液と一緒に流れて側方へ掃き出さ
れ、スムースにリンス液に置換される。なお、搬送路１
１４の下にも同型または別型のリンスノズル（図示せ
ず）を設けて、基板Ｇの下面（裏面）に向けてリンス液
を同様に当てることも可能である。

【００６４】リンス処理部Ｍ4の次に基板Ｇは乾燥処理
部Ｍ5に送られる。乾燥処理部Ｍ5では、搬送路１１４上
を水平姿勢で搬送される基板Ｇの上下面に対して、上下
のエアーナイフ１４２がナイフ状の鋭利な気体流たとえ
ばエアーを当てることにより、基板Ｇの全面からリンス
液が基板後方へ払い落とされる（液切りされる）。な
お、乾燥処理後に基板Ｇ上に水あかが部分的または局所
的に残るのを防止するために、エアーナイフ１４２の少
し上流側でプレウエット用のノズル（図示せず）よりた
とえば純水を基板Ｇの上面または全面に吹き付けるのが
好ましい。

【００６５】乾燥処理部Ｍ5で液切りされた基板Ｇはそ
のまま搬送路１１４に乗って基板搬出部Ｍ6に送られ
る。基板搬出部Ｍ6は、基板搬入部Ｍ1と同様の構成を有
しており、基板の受け渡し手順が搬入と搬出とで反対に
なるだけで基板搬入部Ｍ1と同様に動作する。つまり、
基板受け渡し用のリフトピン１２０を搬送路１１４より
も低い位置に待機させて基板Ｇが上流側（乾燥部Ｍ5）
から流れてくるのを待ち、基板Ｇがリフトピン１２０の
直上の所定位置に着いたならリフトピン１２０を上方へ
突き上げて基板Ｇを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送
機構（図示せず）へ渡す。

【００６６】次に、図５〜図１２につき、本実施形態の
リンス処理部Ｍ4に設けられるリンスノズル１３８の実
施例を説明する。

【００６７】図５に、第１の実施例によるリンスノズル
１３８を示す。このリンスノズル１３８は、“Ｖ”字ま
たは“く”字状に形成されたパイプからなるＶ型ノズル
１６０で構成されている。このＶ型ノズル１６０の頂部
または折曲部にはリンス液導入口１６２が設けられ、こ
のリンス液導入口１６２にリンス液供給管（図示せず）
が接続されている。Ｖ型ノズル１６０の頂部から左右斜
めに分岐する両翼ノズル部１６０Ｌ，１６０Ｒには軸方
向に一定の間隔で複数個の吐出口１６４が設けられてい
る。なお、この実施形態において「左」と「右」は搬送
方向（Ｘ方向）を向いて（基準として）定義している。

【００６８】図示のように、Ｖ型ノズル１６０は、各吐
出口１６４が基板の進行に逆らう向きで、好ましくは頂
部が搬送路１１４の幅方向中心部に位置し、左右ノズル
部１６０Ｌ，１６０Ｒがそれぞれ基板Ｇの左半分領域お
よび右半分領域をカバーするように、搬送路１１４の上
方（または下方）に水平に配置される。各吐出口１６４
は水平面に対して搬送路１１４側に所定の角度で向けら
れてよい。

【００６９】したがって、基板Ｇが搬送路１１４上でＶ
型ノズル１６０の直下を通過する際に、リンス液供給部
（図示せず）よりＶ型ノズル１６０にリンス液Ｂが圧送
され、各吐出口１６４より基板Ｇに向けてリンス液が吐
出または噴射される。そうすると、左ノズル部１６０Ｌ
の各吐出口１６４より吐出されたリンス液Ｂは基板Ｇ上
で矢印Ｌで模式的に示すように基板の進行に逆らう向き
で左斜め方向に流れ、右ノズル部１６０Ｒの各吐出口１
６４より吐出されたリンス液Ｂは基板Ｇ上で矢印Ｒで模
式的に示すように基板の進行に逆らう向きで右斜め方向
に流れる。

【００７０】この構成例では、Ｖ型ノズル１６０の中心
部にリンス液導入口を設けているため、左右ノズル部１
６０Ｌ，１６０Ｒの各々において基板中心部に近い吐出
口１６４ほど大きな圧力ないし流量でリンス液Ｂを吐出
する。こうして、前段の処理部（ブロー洗浄処理部Ｍ
3）から持ち込まれた基板Ｇ上の液ＡがＶ型ノズル１６
０の左右ノズル部１６０Ｌ，１６０Ｒより供給されるリ
ンス液Ｂの流れにより掻き出されるようにして基板被処
理面の左半分領域および右半分領域別に左側および右側
へ掃き出される。その結果、Ｖ型ノズル１６０の下流側
では基板Ｇ上にリンス液Ｂだけが残る。

【００７１】このように、この実施例では、搬送路１１
４上を水平姿勢で搬送される基板Ｇの被処理面に対し
て、Ｖ型ノズル１６０がリンス液Ｂを基板Ｇ上で搬送方
向に対して斜め方向に流れるように供給することによ
り、前段の処理部（Ｍ3）から持ち込まれた基板Ｇ上の
液Ａをリンス液Ｂの流れにより基板の横または側方へ掃
き出す（押し出す）ようにしたので、簡単かつ容易にリ
ンス液Ｂに置換することができる。

【００７２】さらに、この実施例では、基板Ｇ上の被処
理面を左右に二分し、左半分領域についてはＶ型ノズル
１６０の左ノズル部１６０Ｌにより液を左方へ流し、右
半分領域についてはＶ型ノズル１６０の右ノズル部１６
０Ｒにより液を右方へ流すようにしたので、基板上の各
部に存在していた旧液または被置換液Ａを側方へ効率良
く掃き出すことができる。しかも、Ｖ型ノズル１６０の
左右ノズル部１６０Ｌ，１６０Ｒにより基板Ｇ上でリン
ス液Ｂを基板の進行に逆らう向きに流すため、基板Ｇ上
の旧液または被置換液Ａを強制的に掻き出すようにして
一層効率的かつ良好に側方または横へ掃き出すことがで
きる。

【００７３】また、この実施例におけるＶ型のノズル１
６０は、搬送方向の所要スペースが小さくて済むため、
装置の小型化に有利である。

【００７４】この実施例では、基板Ｇ上の置換領域を左
右に分けるための境界線（搬送方向と平行でＶ型ノズル
１６０の中心部を通る線）を基板中心部に設定したが、
適宜左側または右側にオフセットさせることも可能であ
る。ノズル１６０のリンス液導入口は任意の箇所に任意
の数だけ設けることができる。

【００７５】また、この実施例において、基板Ｇ上の左
右領域境界線付近でも液の置換を確実に行うためには、
Ｖ型ノズル１６０において左右ノズル部１６０Ｌ，１６
０Ｒの頂部寄りの吐出口１６４，１６４を可及的に近づ
ける構成としてよい。あるいは、図６に示すように、ノ
ズル１６０の頂部にも吐出口１６４を設けて、この頂部
吐出口１６４から搬送方向と反対向きにリンス液Ｂを吐
出させる構成としてもよい。

【００７６】また、図７に示すように、Ｖ型ノズル１６
０の左右分岐部１６０Ｌ，１６０Ｒにおいてリンス液吐
出部を軸方向に延びるスリット１６６で構成することも
可能である。また、上記した第１の実施例（図５〜図
７）の一変形例として、Ｖ型ノズル１６０の左右分岐部
１６０Ｌ，１６０Ｒを各々独立または分離したノズルと
して構成することもできる。

【００７７】図８に、第２の実施例によるリンスノズル
１３８を示す。このリンスノズル１３８は、搬送路の幅
方向中心部付近に、搬送方向に対してそれぞれほぼ直角
の左方向および右方向に向けて一対のノズル１６８，１
７０を並列に配置する。両ノズル１６８，１７０の吐出
口は多口型でもよくスリット型でもよい。両ノズル１６
８，１７０は配管（図示せず）を介してリンス液供給部
（図示せず）に接続されている。

【００７８】一方のノズル１６８はリンス液Ｂを搬送方
向に対してほぼ直角の左方向に吐出または噴射し、他方
のノズル１７０はリンス液Ｂを搬送方向に対してほぼ直
角の右方向に吐出する。これにより、基板Ｇ上の左半分
領域では、矢印Ｌで模式的に示すようにノズル１６８か
らのリンス液Ｂが基板中心部から基板上を横断するよう
に左方に流れ、このリンス液Ｂの流れにより各部の旧液
または被置換液Ａが左方へ掃き出される。他方、基板Ｇ
上の右半分領域では、矢印Ｒで模式的に示すようにノズ
ル１７０からのリンス液Ｂが基板中心部から基板上を横
断するように右方に流れ、このリンス液Ｂの流れにより
各部の被置換液Ａが右方へ掃き出される。こうして両ノ
ズル１６８，１７０の下流側では基板Ｇ上にリンス液Ｂ
だけが残る。

【００７９】両ノズル１６８，１７０の配置位置は任意
に変更または調整されてよい。特に、両ノズル１６８，
１７０を搬送路幅方向で適宜オフセットさせることで、
基板Ｇ上の左右領域境界線付近にもリンス液Ｂを十分に
施して良好な置換を行うことができる。

【００８０】あるいは、図９に示すように、左右に吐出
口１７２Ｌ，１７２Ｒを有する１つのノズル１７２から
リンス液Ｂを左右横方向に吐出させる構成も可能であ
る。この場合、ノズル１７２の真下を通過する基板中心
部にもリンス液Ｂを十分に施すために、左右吐出口１７
２Ｌ，１７２Ｒよりも上流側に設けられる中心吐出口１
７２Ｃより搬送方向と反対方向または基板面にほぼ垂直
な方向にリンス液Ｂを吐出させる構成が好ましい。

【００８１】このように、この第２の実施例では、搬送
路１１４上を水平姿勢で搬送される基板Ｇの被処理面に
対して、搬送方向に対してほぼ直角に左および／または
右を向いた吐出口を有するノズル（１６８，１７０）、
１７２がリンス液Ｂを基板Ｇ上で搬送方向に対して横方
向に流れるように供給することにより、前段の処理部
（Ｍ3）から持ち込まれた基板Ｇ上の被置換液Ａをリン
ス液Ｂの流れにより基板の横または側方へ掃き出すよう
にしたので、簡単かつ容易にリンス液Ｂに置換すること
ができる。

【００８２】さらに、この第２の実施例では、基板Ｇ上
の被処理面を搬送方向に対して左右に二分し、左半分領
域については左向きのノズル１６８またはノズル吐出口
１７２Ｌにより液を左方へ掃き出し、右半分領域につい
ては右向きのノズル１７０またはノズル吐出口１７２Ｒ
により液を右方へ掃き出すようにしたので、基板上の各
部に存在していた被置換液Ａを基板側方へ効率良く掃き
出すことができる。

【００８３】この第２の実施例でも、基板Ｇ上の被処理
面を左右に分ける境界線は、基板中心部付近に限られる
ものではなく、適宜左側または右側にオフセットさせる
ことができる。

【００８４】図１０に、第３の実施例によるリンスノズ
ル１３８を示す。このリンスノズル１３８は、搬送路１
１４を横断する方向に直列に配置された複数個たとえば
２つのノズル１７４，１７６で構成される。より詳細に
は、ノズル１７４は搬送路１１４の傍たとえば左側から
右方向にリンス液Ｂを噴射し、ノズル１７４より噴射さ
れたリンス液Ｂは基板Ｇの左端部に当たって基板Ｇ上を
右方へ横断するように流れる。ノズル１７６は搬送路１
１４の上方より右方向にリンス液Ｂを噴射し、ノズル１
７６より噴射されたリンス液Ｂは基板Ｇの基板中心部に
当たって、ノズル１７４側からのリンス液Ｂの流れに合
流して、基板Ｇ上を右方へ横断するように流れる。この
ように、基板Ｇを横断する方向で、上流側のノズル１７
４によるリンス液Ｂの流れに下流側のノズル１７６によ
るリンス液Ｂの流れを多重または合流させることで、リ
ンス液Ｂの流れを増強し、被置換液Ａの横断的な掃き出
しを良好に行うことができる。この実施例で直列配置さ
れるノズルは２個に限らず、３個以上でも可能である。

【００８５】図１１に、第４の実施例によるリンスノズ
ル１３８を示す。このリンスノズル１３８は、搬送路１
１４の傍たとえば左側から基板Ｇの被処理面に向けて右
方向にリンス液Ｂを噴射するノズル１７８と、ノズル１
７８により基板Ｇ上に形成されるリンス液Ｂの横断的な
流れに対して側方（搬送方向の上流および／または下流
側）から流体たとえばリンス液Ｂを当てるスプレー管型
ノズル１８０とで構成される。

【００８６】この構成においては、ノズル１８０により
基板Ｇ上に流体カーテンを形成することにより、ノズル
１７８側からのリンス液Ｂの流れを横方向に整流して
（広がりを防止して）、基板Ｇ上の被置換液Ａに対する
横方向の掃き出しを良好に行うことができる。しかも、
ノズル１７８と同一の液（リンス液Ｂ）をノズル１８０
より供給するので、ノズル１７８側からのリンス液Ｂの
流れを増強する効果も得られる。

【００８７】なお、ノズル１８０を片側だけに配置する
構成も可能である。また、ノズル１８０より吐出する流
体をガスたとえばエアーまたは窒素ガスとすることも可
能である。

【００８８】図１２に、第５の実施例によるリンスノズ
ル１３８を示す。このリンスノズル１３８は、基板Ｇを
斜めに横断するように搬送路１１４の上方に架けられる
スプレー管型ノズル１８２で構成される。このノズル１
８２の搬送方向とは反対側の側面には軸方向に一定間隔
で多数の吐出口１８４が設けられている。これらの吐出
口１８４は、基板Ｇの被処理面に向けて基板の進行と逆
らう向きで斜め方向（図示の例では左斜め方向）にリン
ス液Ｂを吐出または噴射する。各吐出口１８４より噴射
されたリンス液Ｂは基板Ｇ上で矢印Ｌで模式的に示すよ
うに基板の進行に逆らう向きで左斜め方向に流れる。こ
の場合、右端側にいくほど吐出口１８４の吐出圧力また
は流量を大きくするのが好ましく、ノズル１８２のリン
ス液導入口１８６を右端部に設けてよい。

【００８９】さらに、この実施例では、ノズル１８２の
右端部に搬送方向の下流側を向く１個または複数個の吐
出口１８８を設けている。この吐出口１８８より吐出さ
れるリンス液Ｂは、基板Ｇの右端部を横切って基板の外
へ流れて、基板右端部に残っている被置換液Ｂを右方へ
掃き出す。

【００９０】上記した実施形態における各部の構成は一
例であり、特にリンスノズル１３８だけでなくスクラバ
洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の他の部分においても種
々の変形が可能である。上記した実施形態では、搬送ロ
ーラ１１２を水平方向に敷設してなるコロ搬送型の搬送
路１１４を構成した。このようなコロ搬送型の搬送路で
は、各対向する一対の搬送ローラ１１２，１１２の中間
位置にも基板搬送用のローラを取り付けてもよい。ま
た、一定の間隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設
してなるベルト搬送型の搬送路も可能である。

【００９１】搬送路の途中で、たとえばリンス処理部Ｍ
4内で基板Ｇを傾斜状態で停止または搬送することも可
能である。その場合、本発明における液置換法に重力が
加味されることになる。

【００９２】上記した実施形態はスクラバ洗浄ユニット
または洗浄処理装置に係るものであったが、本発明は洗
浄処理装置以外の基板処理装置にも適用可能であり、た
とえば上記のような塗布現像処理システムにおいては現
像ユニット（ＤＥＶ）９４にも適用可能である。すなわ
ち、現像ユニット（ＤＥＶ）９４における搬送路上で現
像停止用リンス処理部より下流側の最終リンス部で上記
実施形態と同様の液置換処理を行うことができる。ま
た、本発明はリンス液以外にも任意の液の置換に適用可
能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限
るものではなく、処理中に液の置換を必要とする任意の
被処理基板が含まれる。

【００９３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板処理
装置によれば、平流し方式において被処理基板上の液を
効率的かつ良好に置換することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板処理装置の適用可能な塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。

【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部
の構成を示す側面図である。

【図３】上記塗布現像処理システムにおける処理の手順
を示すフローチャートである。

【図４】実施形態におけるスクラバ洗浄ユニットの全体
構成を示す正面図である。

【図５】第１の実施例におけるリンスノズルの構成を示
す平面図である。

【図６】第１の実施例の一変形例におけるリンスノズル
の構成を示す平面図である。

【図７】第１の実施例の一変形例におけるリンスノズル
の構成を示す平面図である。

【図８】第２の実施例におけるリンスノズルの構成を示
す平面図である。

【図９】第２の実施例の一変形例におけるリンスノズル
の構成を示す平面図である。

【図１０】第３の実施例におけるリンスノズルの構成を
示す平面図である。

【図１１】第４の実施例におけるリンスノズルの構成を
示す平面図である。

【図１２】第５の実施例におけるリンスノズルの構成を
示す平面図である。

【符号の説明】

１０塗布現像処理システム１６（Ｐ／Ｓ）プロセスステーション２４洗浄プロセス部４２スクラバ洗浄ユニット１１２搬送ローラ１１４搬送路Ｍ4 リンス処理部１３８リンスノズル１６０Ｖ型ノズル１６０Ｌ左ノズル部１６０Ｒ右ノズル部１６４吐出口１６６スリット（吐出部）１６８，１７０，１７２ノズル１７４，１７６，１７８ノズル１８０ノズル１８２ノズル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者永田広東京都港区赤坂五丁目３番６号ＴＢＳ放送センター東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者篠崎賢哉東京都港区赤坂五丁目３番６号ＴＢＳ放送センター東京エレクトロン株式会社内Ｆターム(参考） 2H088 FA21 FA23 FA25 FA30 HA01 MA20 2H090 JC07 JC19 3B201 AA02 AB14 AB44 BA02 BB88 BB90 BB93 BC01 CB15 CC01 CC12 CC15 4D075 AC07 AC09 AC13 AC72 AC74 AC93 BB65Z CA47 DA06 DB13 DC24 EA06 EA07 EA45 4F042 AA02 AA10 BA08 DA01 DF16 EB25

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基板上で第１の液を第２の液に置
換する基板処理方法において、前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に
搬送し、前記基板の被処理面に対して前記第２の液を前
記基板上で搬送方向に対して斜めまたは横方向に流れる
ように供給して、前記基板上から前記第１の液を前記第
２の液の流れる方向に掃き出す基板処理方法。
【請求項２】前記基板上で、前記第２の液を前記基板
の進行に逆らう向きで左側または右側へ斜め方向に流す
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】前記基板上で、搬送方向と平行に設定さ
れた境界線より左側の被処理面領域については前記第２
の液を前記基板の進行に逆らう向きで左側へ斜め方向に
流し、前記境界線より右側の被処理面領域については前
記第２の液を前記基板の進行に逆らう向きで右側へ斜め
方向に流す請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項４】前記基板上で、搬送方向と平行に設定さ
れた境界線より左側の被処理面領域については前記第２
の液を左側へ横方向に流し、前記境界線より右側の被処
理面領域については前記第２の液を右側へ横方向に流す
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項５】前記基板上で、前記第２の液を基板の一
方の側端部から他方の側端部まで横断させるように流す
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項６】前記基板の一方の側端部からの前記第２
の液の流れに対して、前記基板上の途中で新たな前記第
２の液の流れを追加する請求項２に記載の基板処理方
法。
【請求項７】前記基板上で前記第２の液の流れを所望
の方向に整流するための流体を供給する請求項１〜６の
いずれかに記載の基板処理方法。
【請求項８】被処理基板をその被処理面が上を向く姿
勢で水平方向に搬送するための搬送路と、第１の液が存在する前記搬送路上の前記基板の被処理面
に対して第２の液を前記基板上で搬送方向に対して斜め
または横方向に流れるように供給する液供給手段とを有
し、前記基板上で前記第１の液を前記第２の液の流れる方向
に掃き出して第２の液に置換する基板処理装置。
【請求項９】前記第２の液供給手段が、前記搬送路の
上方から前記基板の被処理面に向けて前記第２の液を基
板の進行に逆らう向きで搬送方向に対して斜め方向に噴
射するノズルを含む請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】前記液供給手段が、前記基板上の搬送
方向と平行に設定された境界線より左側の被処理面領域
に対して前記第２の液を前記基板の進行に逆らう向きで
左斜め方向に噴射して流す第１のノズル部と、前記基板
上の前記境界線より右側の被処理面領域に対して前記第
２の液を前記基板の進行に逆らう向きで右斜め方向に噴
射して流す第２のノズル部とを含む請求項８に記載の基
板処理装置。
【請求項１１】前記液供給手段が、前記基板上の搬送
方向と平行に設定された境界線より左側の被処理面領域
に対して前記第２の液を左側へ横方向に噴射して流す第
３のノズル部と、前記基板上の前記境界線より右側の被
処理面領域に対して前記第２の液を右側へ横方向に噴射
して流す第４のノズル部とを含む請求項８に記載の基板
処理装置。
【請求項１２】前記液供給手段が、前記搬送路の傍か
ら前記基板の被処理面に向けて前記第２の液を噴射する
第５のノズル部を含む請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１３】前記液供給手段が、前記第５のノズル
部から前記基板上に供給された前記第２の液の流れを増
強するために、前記搬送路の上方から前記基板の被処理
面に向けて前記第２の液を噴射して流す第６のノズル部
を含む請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】前記基板上で前記第２の液の流れを所
望の方向に整流するための流体を噴射する手段を有する
請求項８〜１３のいずれかに記載の基板処理装置。