JP2003126692A - 活性の高い、改質カーボン担持パラジウム触媒の合成方法 - Google Patents
活性の高い、改質カーボン担持パラジウム触媒の合成方法Info
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- JP2003126692A JP2003126692A JP2001332138A JP2001332138A JP2003126692A JP 2003126692 A JP2003126692 A JP 2003126692A JP 2001332138 A JP2001332138 A JP 2001332138A JP 2001332138 A JP2001332138 A JP 2001332138A JP 2003126692 A JP2003126692 A JP 2003126692A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ＣＦＣ−１２のＨＦＣ−３２への脱塩素水素化
に有用な改良された高活性カーボン担持パラジウム触媒
の合成方法を提供することである。いまひとつは、金属
酸化物、好ましくはアルミナのような三族金属酸化物に
よるカーボン改質方法を提供することである。 【解決手段】本発明は、活性炭にパラジウム前駆体及び
アルミニウム前駆体を同時に含浸することによる、活性
の高い改質カーボン担持パラジウム触媒の合成方法に関
する。このカーボン担持パラジウム触媒はジクロロジフ
ルオロメタンを脱塩素水素化し、ジフルオロメタンを形
成するのに有用である。
に有用な改良された高活性カーボン担持パラジウム触媒
の合成方法を提供することである。いまひとつは、金属
酸化物、好ましくはアルミナのような三族金属酸化物に
よるカーボン改質方法を提供することである。 【解決手段】本発明は、活性炭にパラジウム前駆体及び
アルミニウム前駆体を同時に含浸することによる、活性
の高い改質カーボン担持パラジウム触媒の合成方法に関
する。このカーボン担持パラジウム触媒はジクロロジフ
ルオロメタンを脱塩素水素化し、ジフルオロメタンを形
成するのに有用である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、活性の高い、カー
ボン担持パラジウム触媒の合成方法に関する。本発明の
方法により製造される触媒は、ジクロロジフルオロメタ
ンを脱塩素水素化してジフルオロメタンを製造するのに
有用である。
ボン担持パラジウム触媒の合成方法に関する。本発明の
方法により製造される触媒は、ジクロロジフルオロメタ
ンを脱塩素水素化してジフルオロメタンを製造するのに
有用である。
【０００２】
【従来の技術】脱塩素水素化は、水素の存在下において
塩素含有化合物、例えばクロロフルオロカーボン（ＣＦ
Ｃ）のようなクロロ有機物質からの塩素の除去が行われ
る工程である。気相におけるＣＦＣの脱塩素水素化には
パラジウム触媒が好ましい。冷媒として知られているジ
フルオロメタン（ＨＦＣ−３２）は蒸気相におけるパラ
ジウムベース触媒上でのジクロロジフルオロメタン（Ｃ
ＦＣ−１２）の脱塩素水素化の生成物である。ＣＦＣ−
１２の脱塩素水素化によるＨＦＣ−３２の選択的形成は
用いる触媒の特性、担体の選択及び製造方法に依存して
いる。
塩素含有化合物、例えばクロロフルオロカーボン（ＣＦ
Ｃ）のようなクロロ有機物質からの塩素の除去が行われ
る工程である。気相におけるＣＦＣの脱塩素水素化には
パラジウム触媒が好ましい。冷媒として知られているジ
フルオロメタン（ＨＦＣ−３２）は蒸気相におけるパラ
ジウムベース触媒上でのジクロロジフルオロメタン（Ｃ
ＦＣ−１２）の脱塩素水素化の生成物である。ＣＦＣ−
１２の脱塩素水素化によるＨＦＣ−３２の選択的形成は
用いる触媒の特性、担体の選択及び製造方法に依存して
いる。
【０００３】ＣＦＣ−１２の脱塩素水素化において有用
な触媒の製造のための多くの方法が当該分野において知
られている。日本特許出願No. 339182JP 0601731PCT
は、80％のＣＦＣ−１２の転化率及び20％のＨＦＣ−３
２の収率でＨＦＣ−３２を製造するための脱塩素水素化
触媒としての活性炭上のパラジウムを用いる方法を開示
している。WO9617683は、パラジウム−白金／カーボン
触媒上での80％以上の選択率でＨＦＣ−３２を製造する
方法を開示している。脱塩素化水素化触媒として金属酸
化物又は金属フッ素化物（それぞれAl2O3又はAlF3)上に
担持されたパラジウムを開示している他の特許出願ENCS
M、Montpellier(CA. No. 119:94820t)を参照されたい。
酸化物担体の主要な欠点は、反応の間に形成されるＨＦ
／ＨＣｌに対する耐性を欠いていることである。ＨＦ／
ＨＣｌが副生成物であるこのような腐食性反応雰囲気で
は、触媒の酸性度が変化し、酸化物担体はヒドロキシ／
オキシドフッ素化物に転化し、活性を失う。フッ素化物
担体は副反応を触媒し、脱塩素水素化生成物の収率を低
下させる。また、フッ素化物担体の製造は反応体として
ＨＦを用いるために腐食性反応を含む。オランダのDelf
t大学の研究者によって出願された特許出願の方法は、
ＨＦＣ−３２への選択率が高い、高いＣＦＣ−１２転化
率を明らかにした。しかし、この方法は0.3〜0.5MPaの
圧力下で行われたと報告されている。米国特許第542652
号は、パラジウム又はIVB族金属カーバイドを含む触媒
の速い不活性化を開示している。同時係属インド特許出
願No.537/Del/99及び536/Del/99は、70％のＨＦＣ−３
２選択率及び68％の転化率でＣＦＣ−１２を脱塩素水素
化するための触媒として、カーボン被覆アルミナ上に担
持された高活性パラジウムの使用方法を開示している。
この方法の主要な欠点は、ＨＦＣ−３２への選択率が低
いもしくは転化率が低いこと又は操作条件が厳しいこと
である。
な触媒の製造のための多くの方法が当該分野において知
られている。日本特許出願No. 339182JP 0601731PCT
は、80％のＣＦＣ−１２の転化率及び20％のＨＦＣ−３
２の収率でＨＦＣ−３２を製造するための脱塩素水素化
触媒としての活性炭上のパラジウムを用いる方法を開示
している。WO9617683は、パラジウム−白金／カーボン
触媒上での80％以上の選択率でＨＦＣ−３２を製造する
方法を開示している。脱塩素化水素化触媒として金属酸
化物又は金属フッ素化物（それぞれAl2O3又はAlF3)上に
担持されたパラジウムを開示している他の特許出願ENCS
M、Montpellier(CA. No. 119:94820t)を参照されたい。
酸化物担体の主要な欠点は、反応の間に形成されるＨＦ
／ＨＣｌに対する耐性を欠いていることである。ＨＦ／
ＨＣｌが副生成物であるこのような腐食性反応雰囲気で
は、触媒の酸性度が変化し、酸化物担体はヒドロキシ／
オキシドフッ素化物に転化し、活性を失う。フッ素化物
担体は副反応を触媒し、脱塩素水素化生成物の収率を低
下させる。また、フッ素化物担体の製造は反応体として
ＨＦを用いるために腐食性反応を含む。オランダのDelf
t大学の研究者によって出願された特許出願の方法は、
ＨＦＣ−３２への選択率が高い、高いＣＦＣ−１２転化
率を明らかにした。しかし、この方法は0.3〜0.5MPaの
圧力下で行われたと報告されている。米国特許第542652
号は、パラジウム又はIVB族金属カーバイドを含む触媒
の速い不活性化を開示している。同時係属インド特許出
願No.537/Del/99及び536/Del/99は、70％のＨＦＣ−３
２選択率及び68％の転化率でＣＦＣ−１２を脱塩素水素
化するための触媒として、カーボン被覆アルミナ上に担
持された高活性パラジウムの使用方法を開示している。
この方法の主要な欠点は、ＨＦＣ−３２への選択率が低
いもしくは転化率が低いこと又は操作条件が厳しいこと
である。
【０００４】従って、上記の従来技術の欠点を克服す
る、新規もしくは改良された触媒を開発することが重要
である。
る、新規もしくは改良された触媒を開発することが重要
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主要な目的
は、ＣＦＣ−１２のＨＦＣ−３２への脱塩素水素化に有
用な改良された高活性カーボン担持パラジウム触媒の合
成方法を提供することである。本発明の他の目的は、金
属酸化物、好ましくはアルミナのようなIII族金属酸化
物によるカーボン改質方法を提供することである。
は、ＣＦＣ−１２のＨＦＣ−３２への脱塩素水素化に有
用な改良された高活性カーボン担持パラジウム触媒の合
成方法を提供することである。本発明の他の目的は、金
属酸化物、好ましくはアルミナのようなIII族金属酸化
物によるカーボン改質方法を提供することである。
【０００６】本発明のさらに他の目的は、触媒上の金属
酸化物及びパラジウム量の少ない改質カーボン担持パラ
ジウム触媒を提供することである。本発明の更なる目的
は、経済的でありかつ効率的である、ＣＦＣ−１２のＨ
ＦＣ−３２への脱塩素水素化用の触媒を提供することで
ある。
酸化物及びパラジウム量の少ない改質カーボン担持パラ
ジウム触媒を提供することである。本発明の更なる目的
は、経済的でありかつ効率的である、ＣＦＣ−１２のＨ
ＦＣ−３２への脱塩素水素化用の触媒を提供することで
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】安定な溶媒を用いる同時
含浸法によって、パラジウム前駆体と共に有機前駆体を
用いて少量のアルミニウムを添加することにより、活性
炭担体を改良することによる優れたＰｄベース脱塩素水
素化触媒の研究を続けた結果、ＣＦＣ−１２の転化率が
高くかつＨＦＣ−３２に対する選択率の高い優れた脱塩
素水素化触媒が得られた。
含浸法によって、パラジウム前駆体と共に有機前駆体を
用いて少量のアルミニウムを添加することにより、活性
炭担体を改良することによる優れたＰｄベース脱塩素水
素化触媒の研究を続けた結果、ＣＦＣ−１２の転化率が
高くかつＨＦＣ−３２に対する選択率の高い優れた脱塩
素水素化触媒が得られた。
【０００８】本発明は、活性炭にパラジウム前駆体とア
ルミニウム前駆体を同時に含浸させることを含む、活性
の高い、改質カーボン担持パラジウム触媒の合成方法を
提供する。
ルミニウム前駆体を同時に含浸させることを含む、活性
の高い、改質カーボン担持パラジウム触媒の合成方法を
提供する。
【０００９】本発明の一態様において、用いられるアル
ミニウム前駆体はアルミニウムの有機前駆体を含む。本
発明の他の態様において、用いられる有機アルミニウム
前駆体はアルミニウムイソプロポキシドを含む。
ミニウム前駆体はアルミニウムの有機前駆体を含む。本
発明の他の態様において、用いられる有機アルミニウム
前駆体はアルミニウムイソプロポキシドを含む。
【００１０】本発明の他の態様において、担体へのパラ
ジウム添加率はカーボン担体に対して２〜６wt％、好ま
しくは４wt％である。本発明の他の態様において、担体
へのアルミナ添加率は担体に対して１〜50wt％、好まし
くは５〜20wt％である。
ジウム添加率はカーボン担体に対して２〜６wt％、好ま
しくは４wt％である。本発明の他の態様において、担体
へのアルミナ添加率は担体に対して１〜50wt％、好まし
くは５〜20wt％である。
【００１１】本発明の他の態様において、担体の同時含
浸はテトラエチル水酸化アンモニウム水溶液の存在下で
行われる。本発明の他の態様において、ＣＦＣ−１２の
転化率は85％のオーダーであり、ＨＦＣ−３２への選択
率は大気圧において85％のオーダーである。
浸はテトラエチル水酸化アンモニウム水溶液の存在下で
行われる。本発明の他の態様において、ＣＦＣ−１２の
転化率は85％のオーダーであり、ＨＦＣ−３２への選択
率は大気圧において85％のオーダーである。
【００１２】
【発明の実施の形態】活性炭に付着させる有機前駆体で
あるアルミニウムイソプロポキシドを選択することによ
って、カーボン上にアルミニウムを高分散させることが
可能である。活性炭へのＰｄとＡｌ前駆体の同時含浸は
パラジウムとアルミニウムの間の相互作用を維持するた
めに行われる。これはＰｄ／ＣとＰｄ／Ａｌ2Ｏ3の組み
合わせた特性を与える。付着の間のテトラエチル水酸化
アンモニウム水溶液の使用はＰｄＣｌ2とアルミニウム
イソプロポキシドの溶解性の問題を解決する。
あるアルミニウムイソプロポキシドを選択することによ
って、カーボン上にアルミニウムを高分散させることが
可能である。活性炭へのＰｄとＡｌ前駆体の同時含浸は
パラジウムとアルミニウムの間の相互作用を維持するた
めに行われる。これはＰｄ／ＣとＰｄ／Ａｌ2Ｏ3の組み
合わせた特性を与える。付着の間のテトラエチル水酸化
アンモニウム水溶液の使用はＰｄＣｌ2とアルミニウム
イソプロポキシドの溶解性の問題を解決する。
【００１３】本発明の方法より得られる触媒は、担体と
して市販の活性炭を用いて製造される。パラジウム添加
量は、活性炭に対して２〜６wt％、好ましくは４wt％に
維持される。触媒中のアルミナ含有量は、活性炭に対し
て１〜50wt％、好ましくは５〜20wt％に維持される。製
造された触媒は、金属形態のパラジウムを得るために反
応前にＨ2流体中で還元される。
して市販の活性炭を用いて製造される。パラジウム添加
量は、活性炭に対して２〜６wt％、好ましくは４wt％に
維持される。触媒中のアルミナ含有量は、活性炭に対し
て１〜50wt％、好ましくは５〜20wt％に維持される。製
造された触媒は、金属形態のパラジウムを得るために反
応前にＨ2流体中で還元される。
【００１４】触媒の活性は、ＴＣＤ／ＦＩＤを備えたガ
スクロマトグラフと連結した、パイレックス（登録商
標）ガラス製のオンライン連続フローミクロ反応器（内
径10mm、長さ250mm）において評価した。１gの触媒を、
反応器の中央の２つの石英ウールの間におく。反応器を
電気加熱炉に入れ、触媒の温度を、触媒層の近くのサー
モウェルに挿入したサーモカップルを介してＰＩＤ温度
プログラマーにより調節／監視する。反応器中の触媒を
200〜500℃、好ましくは300〜400℃の温度において４〜
６時間、水素流（30〜80cc/min）中で還元させる。反応
温度に達したら、必要な空間速度を維持するためにＣＦ
Ｃ−１２をＨ2及び不活性ガス、例えばＮ2とともに触媒
層に流す。反応器から出てくる生成物混合物に、まずア
ルカリを吹き込み、反応の間に形成したＨＦ又はＨＣｌ
を除去する。次いで0.5mlループを有する６口弁を介し
てガスクロマトグラフに通す。ＨＦ／ＨＣｌを含まない
生成物混合物を通常の間隔でガスクロマトグラフにより
分析する。
スクロマトグラフと連結した、パイレックス（登録商
標）ガラス製のオンライン連続フローミクロ反応器（内
径10mm、長さ250mm）において評価した。１gの触媒を、
反応器の中央の２つの石英ウールの間におく。反応器を
電気加熱炉に入れ、触媒の温度を、触媒層の近くのサー
モウェルに挿入したサーモカップルを介してＰＩＤ温度
プログラマーにより調節／監視する。反応器中の触媒を
200〜500℃、好ましくは300〜400℃の温度において４〜
６時間、水素流（30〜80cc/min）中で還元させる。反応
温度に達したら、必要な空間速度を維持するためにＣＦ
Ｃ−１２をＨ2及び不活性ガス、例えばＮ2とともに触媒
層に流す。反応器から出てくる生成物混合物に、まずア
ルカリを吹き込み、反応の間に形成したＨＦ又はＨＣｌ
を除去する。次いで0.5mlループを有する６口弁を介し
てガスクロマトグラフに通す。ＨＦ／ＨＣｌを含まない
生成物混合物を通常の間隔でガスクロマトグラフにより
分析する。
【００１５】活性炭にパラジウム及びアルミニウム前駆
体を付着させる前に、担体を熱い濃ＨＮＯ3、熱い脱イ
オン水、熱いアンモニア溶液、及び熱い脱イオン水で順
に数回処理して金属及び他の不純物を除去することによ
って精製する。ここで用いられるカーボン単体はM/s No
ritより得られる。この担体のＢＥＴ表面積は960m2/gで
あった。この担体は直径0.5mmの押出物であった。
体を付着させる前に、担体を熱い濃ＨＮＯ3、熱い脱イ
オン水、熱いアンモニア溶液、及び熱い脱イオン水で順
に数回処理して金属及び他の不純物を除去することによ
って精製する。ここで用いられるカーボン単体はM/s No
ritより得られる。この担体のＢＥＴ表面積は960m2/gで
あった。この担体は直径0.5mmの押出物であった。
【００１６】Ｐｄ及びＡｌ2Ｏ3の添加量は低い。この触
媒は85％のオーダーのＣＦＣ−１２の転化率及びＨＦＣ
−３２への選択率を示した。活性炭は容易にかつ安価で
入手することができ、従って製造コストを低くすること
ができる。アルミナとパラジウムの両者の有利な特性及
びアルミナの付着を高める活性炭の特性が本発明の利点
である。
媒は85％のオーダーのＣＦＣ−１２の転化率及びＨＦＣ
−３２への選択率を示した。活性炭は容易にかつ安価で
入手することができ、従って製造コストを低くすること
ができる。アルミナとパラジウムの両者の有利な特性及
びアルミナの付着を高める活性炭の特性が本発明の利点
である。
【００１７】ここで本発明を以下の実施例を参考にして
さらに詳細に説明する。この実施例は本発明の範囲を制
限するものではない。
さらに詳細に説明する。この実施例は本発明の範囲を制
限するものではない。
【００１８】例１
パラジウム及びアルミニウム前駆体の添加の効果
例１(a)及び１(b)において、活性炭へのアルミニウムイ
ソプロポキシド及び塩化パラジウムの同時かつ段階含浸
を行った。
ソプロポキシド及び塩化パラジウムの同時かつ段階含浸
を行った。
【００１９】１(a)：アルミニウム及びパラジウム前駆
体の同時含浸 10gの活性炭を50mlのテトラエチル水酸化アンモニウム
中のアルミニウムイソプロポキシド(4.010g)及び塩化パ
ラジウム(0.68g)と同時に含浸させた。得られた混合物
をホットプレート上に乗せ、過剰の溶媒を除去した。こ
の材料を120℃の熱風オーブン中で12時間乾燥させた。
得られた触媒をＰｄ／ＡＣＣ−１(a)とした。
体の同時含浸 10gの活性炭を50mlのテトラエチル水酸化アンモニウム
中のアルミニウムイソプロポキシド(4.010g)及び塩化パ
ラジウム(0.68g)と同時に含浸させた。得られた混合物
をホットプレート上に乗せ、過剰の溶媒を除去した。こ
の材料を120℃の熱風オーブン中で12時間乾燥させた。
得られた触媒をＰｄ／ＡＣＣ−１(a)とした。
【００２０】
【表１】
【００２１】１(b)：アルミニウム及びパラジウム前駆
体の段階含浸 10gの活性炭を40mlのテトラエチル水酸化アンモニウム
溶液中のアルミニウムイソプロポキシド(4.010g)に含浸
し、次いで過剰の溶媒を蒸発させ、120℃で12時間乾燥
させた。この材料６gをＮ2流中で450℃において４時間
焼成した。この焼成した材料（焼成後3.8g)を10mlのテ
トラエチル水酸化アンモニウム溶液中の塩化パラジウム
(0.26g)で含浸した。ホットプレート上で加熱すること
によって過剰の溶媒を除去し、次いで120℃で12時間乾
燥させた。得られた触媒をＰｄ／ＡＣＣ−１(b)とし
た。
体の段階含浸 10gの活性炭を40mlのテトラエチル水酸化アンモニウム
溶液中のアルミニウムイソプロポキシド(4.010g)に含浸
し、次いで過剰の溶媒を蒸発させ、120℃で12時間乾燥
させた。この材料６gをＮ2流中で450℃において４時間
焼成した。この焼成した材料（焼成後3.8g)を10mlのテ
トラエチル水酸化アンモニウム溶液中の塩化パラジウム
(0.26g)で含浸した。ホットプレート上で加熱すること
によって過剰の溶媒を除去し、次いで120℃で12時間乾
燥させた。得られた触媒をＰｄ／ＡＣＣ−１(b)とし
た。
【００２２】
【表２】
【００２３】例２
アルミニウム前駆体の効果
活性に対するアルミニウム前駆体の効果を調べるため、
３種の前駆体、すなわちアルミニウムイソプロポキシ
ド、硝酸アルミニウムおよび塩化アルミニウムを用いた
（それぞれ例１(a)、例２(a)及び例２(b)）。Ｐｄ及び
Ａｌの添加は段階的に行った。
３種の前駆体、すなわちアルミニウムイソプロポキシ
ド、硝酸アルミニウムおよび塩化アルミニウムを用いた
（それぞれ例１(a)、例２(a)及び例２(b)）。Ｐｄ及び
Ａｌの添加は段階的に行った。
【００２４】２(a)：硝酸アルミニウム前駆体
10gの活性炭を70mlのテトラエチル水酸化アンモニウム
中の硝酸アルミニウム(7.358g)及び塩化パラジウム(0.6
8g)と同時に含浸させた。得られた混合物をホットプレ
ート上に乗せ、過剰の溶媒を除去した。この材料を120
℃の熱風オーブン中で12時間乾燥させた。得られた触媒
をＰｄ／ＡＣＣ−２(a)とした。
中の硝酸アルミニウム(7.358g)及び塩化パラジウム(0.6
8g)と同時に含浸させた。得られた混合物をホットプレ
ート上に乗せ、過剰の溶媒を除去した。この材料を120
℃の熱風オーブン中で12時間乾燥させた。得られた触媒
をＰｄ／ＡＣＣ−２(a)とした。
【００２５】
【表３】
【００２６】２(b)：塩化アルミニウム前駆体
７gの活性炭を50mlのテトラエチル水酸化アンモニウム
中の塩化アルミニウム(1.83g)及び塩化パラジウム(0.47
8g)と同時に含浸させた。得られた混合物をホットプレ
ート上に乗せ、過剰の溶媒を除去した。この材料を120
℃の熱風オーブン中で12時間乾燥させた。得られた触媒
をＰｄ／ＡＣＣ−２(b)とした。
中の塩化アルミニウム(1.83g)及び塩化パラジウム(0.47
8g)と同時に含浸させた。得られた混合物をホットプレ
ート上に乗せ、過剰の溶媒を除去した。この材料を120
℃の熱風オーブン中で12時間乾燥させた。得られた触媒
をＰｄ／ＡＣＣ−２(b)とした。
【００２７】
【表４】
【００２８】例３
時間分析
Ｐｄ／ＡＣＣ−１(a)触媒を、Ｈ2／ＣＦＣ−１２＝８及
び4800/hのガス時間空間速度において、250℃でＣＦＣ
−１２の脱塩素水素化について連続的にテストを行っ
た。以下の表は様々な時間における結果を示している。
び4800/hのガス時間空間速度において、250℃でＣＦＣ
−１２の脱塩素水素化について連続的にテストを行っ
た。以下の表は様々な時間における結果を示している。
【００２９】
【表５】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 スリダラ チャドラ シェーカー
インド国，アンドラ プラディシュ，ハイ
デラバッド 500 007，インディアン イ
ンスティテュート オブ ケミカル テク
ノロジー
(72)発明者 カマラジュ シーサ ラマラオ
インド国，アンドラ プラディシュ，ハイ
デラバッド 500 007，インディアン イ
ンスティテュート オブ ケミカル テク
ノロジー
(72)発明者 ブリイ デイビッド ラジュ
インド国，アンドラ プラディシュ，ハイ
デラバッド 500 007，インディアン イ
ンスティテュート オブ ケミカル テク
ノロジー
(72)発明者 ビジャヤ コンダプラム ラガバン
インド国，アンドラ プラディシュ，ハイ
デラバッド 500 007，インディアン イ
ンスティテュート オブ ケミカル テク
ノロジー
Ｆターム(参考） 4G069 AA03 AA08 BA08A BA08B
BC16A BC16B BC72A BC72B
CB02 CB35 FB14 FB15
4H006 AA02 AC13 BA25 BA55 BC11
BE20
4H039 CA11 CD20
Claims (11)
- 【請求項１】 活性炭にパラジウム前駆体とアルミニウ
ム前駆体を同時に含浸させることを含む、活性の高い、
改質カーボン担持パラジウム触媒の合成方法。 - 【請求項２】 用いられるアルミニウム前駆体がアルミ
ニウムの有機前駆体を含む、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 用いられる有機アルミニウム前駆体がア
ルミニウムイソプロポキシドを含む、請求項２記載の方
法。 - 【請求項４】 用いられるパラジウム前駆体が塩化パラ
ジウムを含む、請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 担体へのパラジウム添加率がカーボン担
体に対して２〜６wt％である、請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 担体へのパラジウム添加率がカーボン担
体に対して４wt％である、請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 担体へのアルミナ添加率が担体に対して
１〜50wt％である、請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 担体へのアルミナ添加率が担体に対して
５〜20wt％である、請求項１記載の方法。 - 【請求項９】 担体の同時含浸がテトラエチル水酸化ア
ンモニウム水溶液の存在下で行われる、請求項１記載の
方法。 - 【請求項１０】 大気圧においてＣＦＣ−１２の転化率
が85％のオーダーであり、ＨＦＣ−３２への選択率が85
％のオーダーである、請求項１記載の方法。 - 【請求項１１】 ジクロロジフルオロメタンを脱塩素水
素化してジフルオロメタンを製造するためのカーボン担
持パラジウム触媒の使用。
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|---|---|---|---|
| JP2001332138A JP2003126692A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 活性の高い、改質カーボン担持パラジウム触媒の合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001332138A JP2003126692A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 活性の高い、改質カーボン担持パラジウム触媒の合成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003126692A true JP2003126692A (ja) | 2003-05-07 |
Family
ID=19147602
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001332138A Pending JP2003126692A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 活性の高い、改質カーボン担持パラジウム触媒の合成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003126692A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7230747B2 (en) | 2003-08-21 | 2007-06-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Hologram retention method |
| JP2013534529A (ja) * | 2010-07-01 | 2013-09-05 | ソルヴェイ・スペシャルティ・ポリマーズ・イタリー・エッセ・ピ・ア | トリフルオロエチレンの合成のための方法 |
-
2001
- 2001-10-30 JP JP2001332138A patent/JP2003126692A/ja active Pending
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| US7230747B2 (en) | 2003-08-21 | 2007-06-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Hologram retention method |
| JP2013534529A (ja) * | 2010-07-01 | 2013-09-05 | ソルヴェイ・スペシャルティ・ポリマーズ・イタリー・エッセ・ピ・ア | トリフルオロエチレンの合成のための方法 |
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