JP2003124154A - シリコン基板の穴形成方法 - Google Patents
シリコン基板の穴形成方法Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工中の放熱性を向上し、形成された貫通孔
等の穴の開口周縁に形成された堆積物や穴の内壁面に付
着した飛散物を容易に清掃可能とし得るレーザ加工によ
るシリコン基板の穴形成方法を提供する。 【解決手段】 一面側にパターン１２，１２・・が形成
されたシリコン基板１０にレーザ光１８を照射して貫通
孔２０を形成する際に、該シリコン基板１０のパターン
形成面にSiO2膜１４を形成した後、SiO2膜１４の上面を
含むシリコン基板１０の全面に、SiO2膜１４と密着する
Niめっき皮膜１６を形成し、次いで、SiO2膜１４及びNi
めっき皮膜１６で覆われたシリコン基板１０の所定個所
にレーザ光１８を照射し、シリコン基板１０に貫通孔２
０を形成した後、貫通孔２０の開口周縁で且つNiめっき
皮膜１６上に堆積した堆積物２２を、Niめっき皮膜１６
を剥離して除去し、更に、貫通孔２０の内壁面に付着し
た付着物２０ａを、ＫＯＨ溶液により除去することを特
徴とする。
等の穴の開口周縁に形成された堆積物や穴の内壁面に付
着した飛散物を容易に清掃可能とし得るレーザ加工によ
るシリコン基板の穴形成方法を提供する。 【解決手段】 一面側にパターン１２，１２・・が形成
されたシリコン基板１０にレーザ光１８を照射して貫通
孔２０を形成する際に、該シリコン基板１０のパターン
形成面にSiO2膜１４を形成した後、SiO2膜１４の上面を
含むシリコン基板１０の全面に、SiO2膜１４と密着する
Niめっき皮膜１６を形成し、次いで、SiO2膜１４及びNi
めっき皮膜１６で覆われたシリコン基板１０の所定個所
にレーザ光１８を照射し、シリコン基板１０に貫通孔２
０を形成した後、貫通孔２０の開口周縁で且つNiめっき
皮膜１６上に堆積した堆積物２２を、Niめっき皮膜１６
を剥離して除去し、更に、貫通孔２０の内壁面に付着し
た付着物２０ａを、ＫＯＨ溶液により除去することを特
徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコン基板の穴形
成方法に関し、更に詳細には一面側にパターンが形成さ
れたシリコン基板にレーザ光を照射して貫通孔又は凹部
を形成するシリコン基板の穴形成方法に関する。
成方法に関し、更に詳細には一面側にパターンが形成さ
れたシリコン基板にレーザ光を照射して貫通孔又は凹部
を形成するシリコン基板の穴形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、小型化に伴
なって、パッケージ内に複数個の半導体チップを配置し
たマルチチップパッケージ（ＭＣＰ）とし、半導体装置
の高性能化と小型化とが図られている。特に、複数個の
半導体チップを厚み方向に積層した図８に示す三次元Ｍ
ＣＰは、複数個の半導体チップを平面方向に配設した二
次元ＭＣＰに比較して、電気機器の小型化の寄与が大き
いため、盛んに検討されている（特開２００１−９４０
３９、特開平１０−１６３４１１号公報等参照）。かか
る三次元ＭＣＰでは、積層した半導体チップを相互に電
気的に接続することを要するが、図８に示す様に、半導
体チップ１００，１００，１００を相互にヴィア１０２
で電気的に接続することが、半導体チップ１００，１０
０，１００を相互にワイヤで電気的に接続する場合に比
較して、集積効率、実装効率等を向上できる。ところ
で、図８に示す様に、半導体チップ１００，１００，１
００の相互をヴィア１０２で電気的に接続するには、半
導体チップ１００に貫通孔１０４を形成することが必要
である。従来、半導体チップ１００の様な、実質的にシ
リコンから成るシリコン基板にヴィア形成用の貫通孔等
の穴を形成する穴形成方法には、プラズマ加工を用いた
穴形成方法やレーザ加工を用いた穴形成方法がある。
なって、パッケージ内に複数個の半導体チップを配置し
たマルチチップパッケージ（ＭＣＰ）とし、半導体装置
の高性能化と小型化とが図られている。特に、複数個の
半導体チップを厚み方向に積層した図８に示す三次元Ｍ
ＣＰは、複数個の半導体チップを平面方向に配設した二
次元ＭＣＰに比較して、電気機器の小型化の寄与が大き
いため、盛んに検討されている（特開２００１−９４０
３９、特開平１０−１６３４１１号公報等参照）。かか
る三次元ＭＣＰでは、積層した半導体チップを相互に電
気的に接続することを要するが、図８に示す様に、半導
体チップ１００，１００，１００を相互にヴィア１０２
で電気的に接続することが、半導体チップ１００，１０
０，１００を相互にワイヤで電気的に接続する場合に比
較して、集積効率、実装効率等を向上できる。ところ
で、図８に示す様に、半導体チップ１００，１００，１
００の相互をヴィア１０２で電気的に接続するには、半
導体チップ１００に貫通孔１０４を形成することが必要
である。従来、半導体チップ１００の様な、実質的にシ
リコンから成るシリコン基板にヴィア形成用の貫通孔等
の穴を形成する穴形成方法には、プラズマ加工を用いた
穴形成方法やレーザ加工を用いた穴形成方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】かかる穴形成方法のう
ち、プラズマ加工による穴形成方法によれば、貫通孔等
の穴の内壁面等に付着している付着物が極めて少ない清
浄な穴をシリコン基板に形成できる。しかしながら、プ
ラズマ加工による穴形成方法は、貫通孔等の穴の形成コ
ストが高くなり、低コストでシリコン基板に穴を形成で
きる穴形成方法が要請されている。一方、レーザ加工に
よるシリコン基板の穴形成方法によれば、プラズマ加工
による穴形成方法に比較して、シリコン基板に低コスト
で貫通孔等の穴を形成できるが、清浄な貫通孔等の穴を
形成できない。つまり、レーザ加工によるシリコン基板
の穴形成方法では、図９に示す如く、ステージ２０２に
真空吸着されたシリコン基板２００に、レーザ光２０４
を照射すると、シリコン基板２００に形成される凹部２
０６ａが次第に深くなり、図１０に示す様に、遂には貫
通孔２０６がシリコン基板２００に形成される。この様
にして形成された貫通孔２０６には、そのレーザ２０４
の照射側の開口周縁近傍には、レーザ光２０４の照射に
よってシリコン基板２００から飛散した飛散物が付着・
堆積して堆積物（レーザドロス）２０８が形成されてい
る。更に、飛散物は、貫通孔２０６の内壁及びステージ
２０２に載置したシリコン基板２００の載置面にも付着
している。
ち、プラズマ加工による穴形成方法によれば、貫通孔等
の穴の内壁面等に付着している付着物が極めて少ない清
浄な穴をシリコン基板に形成できる。しかしながら、プ
ラズマ加工による穴形成方法は、貫通孔等の穴の形成コ
ストが高くなり、低コストでシリコン基板に穴を形成で
きる穴形成方法が要請されている。一方、レーザ加工に
よるシリコン基板の穴形成方法によれば、プラズマ加工
による穴形成方法に比較して、シリコン基板に低コスト
で貫通孔等の穴を形成できるが、清浄な貫通孔等の穴を
形成できない。つまり、レーザ加工によるシリコン基板
の穴形成方法では、図９に示す如く、ステージ２０２に
真空吸着されたシリコン基板２００に、レーザ光２０４
を照射すると、シリコン基板２００に形成される凹部２
０６ａが次第に深くなり、図１０に示す様に、遂には貫
通孔２０６がシリコン基板２００に形成される。この様
にして形成された貫通孔２０６には、そのレーザ２０４
の照射側の開口周縁近傍には、レーザ光２０４の照射に
よってシリコン基板２００から飛散した飛散物が付着・
堆積して堆積物（レーザドロス）２０８が形成されてい
る。更に、飛散物は、貫通孔２０６の内壁及びステージ
２０２に載置したシリコン基板２００の載置面にも付着
している。
【０００４】かかるレーザドロス２０８や飛散物を放置
すると、後工程でシリコン基板２００から剥離し、異物
となって製品の信頼性等を低下させ易い。このレーザド
ロス２０８や飛散物は、苛性カリ(KOH)溶液でシリコン
基板２００を洗浄することによって除去可能ではある
が、苛性カリ(KOH)溶液での洗浄中に、シリコン基板２
００の一面側に形成したパターン２１０を損傷するおそ
れがある。また、レーザ光２０４の照射で貫通孔２０６
を形成すると、貫通孔２０６の形成中に、熱がシリコン
基板２００内に蓄熱されてパターン２１０が熱損傷を受
けるおそれもある。従って、従来は、レーザ加工による
シリコン基板の穴形成方法は、工業的に採用されていな
い。しかしながら、レーザ加工によるシリコン基板の穴
形成方法は、プラズマ加工による穴形成方法に比較し
て、シリコン基板に低コストで貫通孔等の穴を形成でき
るため、レーザ加工中のシリコン基板２００の放熱性を
向上でき、形成された貫通孔等の穴の開口周縁に形成さ
れたレーザドロス２０８や穴の内壁面に付着した飛散物
を容易に清掃できるならば、工業的に採用され易い。そ
こで、本発明の課題は、加工中の放熱性を向上し、形成
された貫通孔等の穴の開口周縁に形成された堆積物や穴
の内壁面に付着した飛散物を容易に清掃可能とし得るレ
ーザ加工によるシリコン基板の穴形成方法を提供するこ
とにある。
すると、後工程でシリコン基板２００から剥離し、異物
となって製品の信頼性等を低下させ易い。このレーザド
ロス２０８や飛散物は、苛性カリ(KOH)溶液でシリコン
基板２００を洗浄することによって除去可能ではある
が、苛性カリ(KOH)溶液での洗浄中に、シリコン基板２
００の一面側に形成したパターン２１０を損傷するおそ
れがある。また、レーザ光２０４の照射で貫通孔２０６
を形成すると、貫通孔２０６の形成中に、熱がシリコン
基板２００内に蓄熱されてパターン２１０が熱損傷を受
けるおそれもある。従って、従来は、レーザ加工による
シリコン基板の穴形成方法は、工業的に採用されていな
い。しかしながら、レーザ加工によるシリコン基板の穴
形成方法は、プラズマ加工による穴形成方法に比較し
て、シリコン基板に低コストで貫通孔等の穴を形成でき
るため、レーザ加工中のシリコン基板２００の放熱性を
向上でき、形成された貫通孔等の穴の開口周縁に形成さ
れたレーザドロス２０８や穴の内壁面に付着した飛散物
を容易に清掃できるならば、工業的に採用され易い。そ
こで、本発明の課題は、加工中の放熱性を向上し、形成
された貫通孔等の穴の開口周縁に形成された堆積物や穴
の内壁面に付着した飛散物を容易に清掃可能とし得るレ
ーザ加工によるシリコン基板の穴形成方法を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決すべく、シリコン基板２００のパターン形成面に、
苛性カリ溶液に対して安定な酸化ケイ素（SiO2）から成
る保護膜を形成し、この保護膜の上面を含むシリコン基
板２００の全面にニッケル（Ni）めっき皮膜を形成した
後、レーザ光２０４を照射して貫通孔２０６を形成し
た。その結果、レーザ加工中に熱によるパターン２１０
の損傷のおそれを解消できること、レーザ加工によって
形成した貫通孔２０６を容易に洗浄でき、清浄な貫通孔
２０６を形成できることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、一面側にパターンが形成されたシ
リコン基板にレーザ光を照射して貫通孔又は凹部を形成
する際に、該シリコン基板のパターン形成面に、前記パ
ターンを保護する保護膜を形成した後、前記保護膜の上
面を含むシリコン基板の全面に、前記保護膜と密着する
金属めっき皮膜を形成し、次いで、前記保護膜及び金属
めっき皮膜で覆われたシリコン基板の所定個所にレーザ
光を照射し、前記シリコン基板に貫通孔又は凹部を形成
した後、前記貫通孔又は凹部の開口周縁で且つ前記金属
めっき皮膜上に堆積した堆積物を、前記金属めっき皮膜
を剥離して除去し、更に、前記貫通孔又は凹部の内壁面
に付着した飛散物等の付着物を、前記保護膜を損傷する
ことのない除去液により除去することを特徴とするシリ
コン基板の穴形成方法にある。
解決すべく、シリコン基板２００のパターン形成面に、
苛性カリ溶液に対して安定な酸化ケイ素（SiO2）から成
る保護膜を形成し、この保護膜の上面を含むシリコン基
板２００の全面にニッケル（Ni）めっき皮膜を形成した
後、レーザ光２０４を照射して貫通孔２０６を形成し
た。その結果、レーザ加工中に熱によるパターン２１０
の損傷のおそれを解消できること、レーザ加工によって
形成した貫通孔２０６を容易に洗浄でき、清浄な貫通孔
２０６を形成できることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、一面側にパターンが形成されたシ
リコン基板にレーザ光を照射して貫通孔又は凹部を形成
する際に、該シリコン基板のパターン形成面に、前記パ
ターンを保護する保護膜を形成した後、前記保護膜の上
面を含むシリコン基板の全面に、前記保護膜と密着する
金属めっき皮膜を形成し、次いで、前記保護膜及び金属
めっき皮膜で覆われたシリコン基板の所定個所にレーザ
光を照射し、前記シリコン基板に貫通孔又は凹部を形成
した後、前記貫通孔又は凹部の開口周縁で且つ前記金属
めっき皮膜上に堆積した堆積物を、前記金属めっき皮膜
を剥離して除去し、更に、前記貫通孔又は凹部の内壁面
に付着した飛散物等の付着物を、前記保護膜を損傷する
ことのない除去液により除去することを特徴とするシリ
コン基板の穴形成方法にある。
【０００６】かかる本発明において、保護膜として、酸
化ケイ素（SiO2）膜を形成することにより、保護膜を絶
縁膜としても利用でき、金属めっき皮膜として、ニッケ
ル（Ni）めっき皮膜を形成することにより、保護膜とし
ての酸化ケイ素（SiO2）膜との密着性を良好にできる。
更に、貫通孔又は凹部の内壁面に付着している付着物を
除去する除去液を、苛性カリ(KOH）溶液とすることによ
り、付着物を容易に除去できる。また、シリコン基板に
複数個の貫通孔又は凹部を順次レーザ光を照射して形成
する際に、先に形成した貫通孔又は凹部の形成中に発生
した熱の影響を実質的に受けないように、次の貫通孔又
は凹部を形成する位置又は時間間隔を調整することによ
り、シリコン基板内に蓄熱されることを防止できる。
化ケイ素（SiO2）膜を形成することにより、保護膜を絶
縁膜としても利用でき、金属めっき皮膜として、ニッケ
ル（Ni）めっき皮膜を形成することにより、保護膜とし
ての酸化ケイ素（SiO2）膜との密着性を良好にできる。
更に、貫通孔又は凹部の内壁面に付着している付着物を
除去する除去液を、苛性カリ(KOH）溶液とすることによ
り、付着物を容易に除去できる。また、シリコン基板に
複数個の貫通孔又は凹部を順次レーザ光を照射して形成
する際に、先に形成した貫通孔又は凹部の形成中に発生
した熱の影響を実質的に受けないように、次の貫通孔又
は凹部を形成する位置又は時間間隔を調整することによ
り、シリコン基板内に蓄熱されることを防止できる。
【０００７】かかる本発明においても、シリコン基板を
ステージに載置しレーザ光を照射して貫通孔を形成する
際に、前記貫通孔が貫通したとき、前記レーザ光のシリ
コン基板への照射によって発生した飛散物が前記ステー
ジの載置面に反射してシリコン基板に付着されるが、こ
の飛散物の反射防止手段が設けられているステージを用
いることにより、飛散物がステージの載置面に反射して
シリコン基板に付着されることを防止できる。更に、シ
リコン基板に複数個の通孔を形成した後、前記貫通孔の
各々にレーザ光を再度照射することにより、貫通孔に入
り込んだ飛散物を除去できる。また、シリコン基板に貫
通孔を形成する際に、パターンが形成されていない前記
シリコン基板の他面側からレーザ光を照射して貫通孔を
形成することにより、シリコン基板のパターン形成面側
に形成されるレーザドロスを少なくできる。
ステージに載置しレーザ光を照射して貫通孔を形成する
際に、前記貫通孔が貫通したとき、前記レーザ光のシリ
コン基板への照射によって発生した飛散物が前記ステー
ジの載置面に反射してシリコン基板に付着されるが、こ
の飛散物の反射防止手段が設けられているステージを用
いることにより、飛散物がステージの載置面に反射して
シリコン基板に付着されることを防止できる。更に、シ
リコン基板に複数個の通孔を形成した後、前記貫通孔の
各々にレーザ光を再度照射することにより、貫通孔に入
り込んだ飛散物を除去できる。また、シリコン基板に貫
通孔を形成する際に、パターンが形成されていない前記
シリコン基板の他面側からレーザ光を照射して貫通孔を
形成することにより、シリコン基板のパターン形成面側
に形成されるレーザドロスを少なくできる。
【０００８】本発明によれば、シリコン基板の全面に金
属めっき皮膜が形成された状態でレーザ加工を施すた
め、シリコン基板の放熱性を向上でき、レーザ加工中に
発生した熱をシリコン基板から速やかに放熱できる。こ
のため、レーザ加工中にシリコン基板に蓄熱されること
に因り、形成されたパターンが熱損傷を受けるおそれを
解消できる。更に、金属めっき皮膜をレーザ加工後に剥
離するため、レーザ加工中に貫通孔等の穴の開口周縁近
傍に形成された堆積物（レーザドロス）等を除去でき
る。また、シリコン基板のパターン形成面が、レーザ加
工中にシリコン基板に付着した付着物を除去する除去液
に対して安定な保護膜で保護されている。このため、レ
ーザ加工後に除去液でシリコン基板を洗浄して形成され
た貫通孔等の内壁面を清浄する場合にも、シリコン基板
に形成されたパターンが損傷されるおそれを解消でき
る。この様に、本発明によれば、レーザ加工中のシリコ
ン基板の放熱性を向上でき、レーザ加工によって形成さ
れた貫通孔等の開口周縁近傍に飛散物が付着・蓄積して
成るレーザドロスや貫通孔等の内壁面に付着した飛散物
を容易に清掃できるため、清浄な貫通孔等をレーザ加工
によって容易に形成できる。
属めっき皮膜が形成された状態でレーザ加工を施すた
め、シリコン基板の放熱性を向上でき、レーザ加工中に
発生した熱をシリコン基板から速やかに放熱できる。こ
のため、レーザ加工中にシリコン基板に蓄熱されること
に因り、形成されたパターンが熱損傷を受けるおそれを
解消できる。更に、金属めっき皮膜をレーザ加工後に剥
離するため、レーザ加工中に貫通孔等の穴の開口周縁近
傍に形成された堆積物（レーザドロス）等を除去でき
る。また、シリコン基板のパターン形成面が、レーザ加
工中にシリコン基板に付着した付着物を除去する除去液
に対して安定な保護膜で保護されている。このため、レ
ーザ加工後に除去液でシリコン基板を洗浄して形成され
た貫通孔等の内壁面を清浄する場合にも、シリコン基板
に形成されたパターンが損傷されるおそれを解消でき
る。この様に、本発明によれば、レーザ加工中のシリコ
ン基板の放熱性を向上でき、レーザ加工によって形成さ
れた貫通孔等の開口周縁近傍に飛散物が付着・蓄積して
成るレーザドロスや貫通孔等の内壁面に付着した飛散物
を容易に清掃できるため、清浄な貫通孔等をレーザ加工
によって容易に形成できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明に係るシリコン基板の穴形
成方法の一例を図１に示す。図１に示す穴形成方法で
は、シリコン基板に貫通孔を形成する場合を示した。先
ず、シリコン基板１０のパターン１２，１２・・が形成
された一面側（パターン形成面）に、保護膜として酸化
ケイ素（SiO2）膜１４を形成する［図１（ａ）、
（ｂ）］。このSiO2膜１４は、シリコン基板１０（以
下、単に基板１０と称することがある）のパターン形成
面に、ＣＶＤ法やSiO2溶液をスピナー等で塗布する塗布
法により形成でき、その厚さは、パターン１２，１２・
・を覆うことのできる厚さとする。更に、シリコン基板
１０の他面側を研磨し、シリコン基板１０の厚さを５０
〜３００μｍ程度とした後、シリコン基板１０に形成し
たSiO2膜１４の上面及び基板１０の他面側を含む全面
に、ニッケル(Ni)めっき皮膜１６を形成する［図１
（ｃ）］。このNiめっき皮膜１６は、無電解Niめっきに
よって形成でき、必要に応じて電解Niめっきを施しても
よく、その厚さを０．１〜１．０μｍ程度とすることが
好ましい。
成方法の一例を図１に示す。図１に示す穴形成方法で
は、シリコン基板に貫通孔を形成する場合を示した。先
ず、シリコン基板１０のパターン１２，１２・・が形成
された一面側（パターン形成面）に、保護膜として酸化
ケイ素（SiO2）膜１４を形成する［図１（ａ）、
（ｂ）］。このSiO2膜１４は、シリコン基板１０（以
下、単に基板１０と称することがある）のパターン形成
面に、ＣＶＤ法やSiO2溶液をスピナー等で塗布する塗布
法により形成でき、その厚さは、パターン１２，１２・
・を覆うことのできる厚さとする。更に、シリコン基板
１０の他面側を研磨し、シリコン基板１０の厚さを５０
〜３００μｍ程度とした後、シリコン基板１０に形成し
たSiO2膜１４の上面及び基板１０の他面側を含む全面
に、ニッケル(Ni)めっき皮膜１６を形成する［図１
（ｃ）］。このNiめっき皮膜１６は、無電解Niめっきに
よって形成でき、必要に応じて電解Niめっきを施しても
よく、その厚さを０．１〜１．０μｍ程度とすることが
好ましい。
【００１０】次いで、パターン形成面に保護膜として形
成されたSiO2膜１４の上面を含む全面がNiめっき皮膜１
６で覆われた基板１０の一面側の所定個所に、レーザ光
１８を照射して凹部２０ａを形成する［図１（ｄ）］。
この際に、基板１０を、図９に示す様に、ステージ２０
２に真空吸着してレーザ光１８の照射を行い、レーザ光
１８としては、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ或いは炭
酸ガスレーザ等を使用できる。この様に、レーザ光１８
をシリコン基板１０の一面側に照射すると、シリコン基
板１０の照射部分は、その部分を形成していたＳｉがレ
ーザ光１８のエネルギーによって飛散され、凹部２０ａ
を形成する。引き続き、凹部２０ａの底面にレーザ光１
８の照射を続行すると、凹部２０ａの底部が抉られて凹
部２０ａの深さが次第に深くなる。一方、抉られた凹部
２０ａの底部を形成していたＳｉは、レーザ光１８のエ
ネルギーによって飛散されて飛散物となり、凹部２０ａ
の開口周縁近傍に付着・堆積して堆積物（レーザドロ
ス）２２を形成する。このレーザドロス２２は、凹部２
０ａの深さが深くなるに従って成長する。
成されたSiO2膜１４の上面を含む全面がNiめっき皮膜１
６で覆われた基板１０の一面側の所定個所に、レーザ光
１８を照射して凹部２０ａを形成する［図１（ｄ）］。
この際に、基板１０を、図９に示す様に、ステージ２０
２に真空吸着してレーザ光１８の照射を行い、レーザ光
１８としては、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ或いは炭
酸ガスレーザ等を使用できる。この様に、レーザ光１８
をシリコン基板１０の一面側に照射すると、シリコン基
板１０の照射部分は、その部分を形成していたＳｉがレ
ーザ光１８のエネルギーによって飛散され、凹部２０ａ
を形成する。引き続き、凹部２０ａの底面にレーザ光１
８の照射を続行すると、凹部２０ａの底部が抉られて凹
部２０ａの深さが次第に深くなる。一方、抉られた凹部
２０ａの底部を形成していたＳｉは、レーザ光１８のエ
ネルギーによって飛散されて飛散物となり、凹部２０ａ
の開口周縁近傍に付着・堆積して堆積物（レーザドロ
ス）２２を形成する。このレーザドロス２２は、凹部２
０ａの深さが深くなるに従って成長する。
【００１１】シリコン基板１０の一面側の同一個所にレ
ーザ光１８の照射を続行すると、凹部２０ａが次第に深
くなり、終には凹部２０ａの底部がレーザ光１８で破ら
れて貫通孔（スルーホール）２０を形成する［図１
（ｅ）］。この様に、貫通孔２０が形成されるまで連続
してレーザ光１８を照射することによって、基板１０が
昇温されるが、熱はNiめっき皮膜１６により速やかに放
熱されるため、パターン１１２，１２・・に大きな影響
を与える程、基板１０に蓄熱されることを回避できる。
また、形成された貫通孔２０の基板１０の一面側には、
貫通孔２０の開口周縁近傍にレーザドロス２２が形成さ
れており、基板１０の他面側にも、貫通孔２０の開口周
縁近傍に付着物２０ａが付着し、貫通孔２０の内壁面に
も、付着物２０ａが付着している。かかる付着物２０ａ
は、凹部２０ａの底部を形成していたＳｉがレーザ光１
８のエネルギーによって飛散されて飛散物となり、基板
１０の他面側及び貫通孔２０の内壁面に再付着したもの
である。
ーザ光１８の照射を続行すると、凹部２０ａが次第に深
くなり、終には凹部２０ａの底部がレーザ光１８で破ら
れて貫通孔（スルーホール）２０を形成する［図１
（ｅ）］。この様に、貫通孔２０が形成されるまで連続
してレーザ光１８を照射することによって、基板１０が
昇温されるが、熱はNiめっき皮膜１６により速やかに放
熱されるため、パターン１１２，１２・・に大きな影響
を与える程、基板１０に蓄熱されることを回避できる。
また、形成された貫通孔２０の基板１０の一面側には、
貫通孔２０の開口周縁近傍にレーザドロス２２が形成さ
れており、基板１０の他面側にも、貫通孔２０の開口周
縁近傍に付着物２０ａが付着し、貫通孔２０の内壁面に
も、付着物２０ａが付着している。かかる付着物２０ａ
は、凹部２０ａの底部を形成していたＳｉがレーザ光１
８のエネルギーによって飛散されて飛散物となり、基板
１０の他面側及び貫通孔２０の内壁面に再付着したもの
である。
【００１２】このレーザドロス２２や付着物２０ａを放
置しておくと、後工程で基板１０から剥離し、異物とな
って製品の信頼性等を低下させ易い。このため、SiO2膜
１４の上面を含む基板１０の全面を覆っているNiめっき
皮膜１６を剥離することにより、基板１０の一面側に形
成されたレーザドロス２２及び基板１０の他面側に付着
された付着物２０ａも除去できる［図１（ｆ）］。かか
るNiめっき皮膜１６の剥離は、通常使用されているNiめ
っき皮膜剥離用液を用いて行うことができる。また、貫
通孔２０の内壁面に付着している付着物２０ａは、Niめ
っき皮膜１６の剥離でも充分に除去できないため、付着
物２０ａの除去液、例えば苛性カリ（ＫＯＨ）溶液で除
去することにより、清浄な貫通孔２０を形成できる［図
１（ｇ）］。かかる除去液に基板１０を浸漬しても、パ
ターン１２，１２・・等は、保護膜としてのSiO2膜１４
により保護しているため、損傷を受けることはない。
尚、SiO2膜１４は、以後の工程で絶縁膜として利用でき
るため、剥離することは要しない。
置しておくと、後工程で基板１０から剥離し、異物とな
って製品の信頼性等を低下させ易い。このため、SiO2膜
１４の上面を含む基板１０の全面を覆っているNiめっき
皮膜１６を剥離することにより、基板１０の一面側に形
成されたレーザドロス２２及び基板１０の他面側に付着
された付着物２０ａも除去できる［図１（ｆ）］。かか
るNiめっき皮膜１６の剥離は、通常使用されているNiめ
っき皮膜剥離用液を用いて行うことができる。また、貫
通孔２０の内壁面に付着している付着物２０ａは、Niめ
っき皮膜１６の剥離でも充分に除去できないため、付着
物２０ａの除去液、例えば苛性カリ（ＫＯＨ）溶液で除
去することにより、清浄な貫通孔２０を形成できる［図
１（ｇ）］。かかる除去液に基板１０を浸漬しても、パ
ターン１２，１２・・等は、保護膜としてのSiO2膜１４
により保護しているため、損傷を受けることはない。
尚、SiO2膜１４は、以後の工程で絶縁膜として利用でき
るため、剥離することは要しない。
【００１３】この様にして基板１０に形成した清浄な貫
通孔２０をヴィアとするには、例えば貫通孔２０の内壁
面及びSiO2膜１４の表面を含む基板１０の全面に、SiO2
膜１４よりも薄いSiO2膜１４ａをＣＶＤ法等によって形
成する［図２（ａ）］。更に、SiO2膜１４ａの表面に無
電解銅めっきを施して銅薄膜３２ａを形成［図２
（ｂ）］した後、レジスト３４を塗布してパターニング
し、銅薄膜３２ａを給電層として電解銅めっきを施し、
貫通孔２０の内壁面及びシリコン基板１０の両面側の各
々に銅層３２を形成してスルーホールヴィア及びパター
ンを形成する［図２（ｃ）］。その後、レジスト３４を
除去して露出した銅薄膜３２ａをエッチング等によって
除去することにより、スルーホールヴィア及びパターン
が形成されたシリコン基板５０を得ることができる［図
２（ｄ）］。この様に、スルーホールヴィア及びパター
ンが形成された複数枚のシリコン基板５０ａ，５０ｂ
を、図３に示す様に、シリコン基板５０ａ，５０ｂ・・
相互間及び実装基板３６との間をはんだ又は金から成る
バンプ３４，３４・・によって電気的に接続しつつ積層
することによって、三次元マルチチップパッケージ（Ｍ
ＣＰ）を得ることができる。尚、図２においては、めっ
きでスルーホールヴィアを形成していたが、導電性ペー
ストを充填してヴィアを形成してもよい。
通孔２０をヴィアとするには、例えば貫通孔２０の内壁
面及びSiO2膜１４の表面を含む基板１０の全面に、SiO2
膜１４よりも薄いSiO2膜１４ａをＣＶＤ法等によって形
成する［図２（ａ）］。更に、SiO2膜１４ａの表面に無
電解銅めっきを施して銅薄膜３２ａを形成［図２
（ｂ）］した後、レジスト３４を塗布してパターニング
し、銅薄膜３２ａを給電層として電解銅めっきを施し、
貫通孔２０の内壁面及びシリコン基板１０の両面側の各
々に銅層３２を形成してスルーホールヴィア及びパター
ンを形成する［図２（ｃ）］。その後、レジスト３４を
除去して露出した銅薄膜３２ａをエッチング等によって
除去することにより、スルーホールヴィア及びパターン
が形成されたシリコン基板５０を得ることができる［図
２（ｄ）］。この様に、スルーホールヴィア及びパター
ンが形成された複数枚のシリコン基板５０ａ，５０ｂ
を、図３に示す様に、シリコン基板５０ａ，５０ｂ・・
相互間及び実装基板３６との間をはんだ又は金から成る
バンプ３４，３４・・によって電気的に接続しつつ積層
することによって、三次元マルチチップパッケージ（Ｍ
ＣＰ）を得ることができる。尚、図２においては、めっ
きでスルーホールヴィアを形成していたが、導電性ペー
ストを充填してヴィアを形成してもよい。
【００１４】図１（ａ）〜（ｇ）において、貫通孔２０
が貫通した際に、図１（ｅ）に示す様に、基板１０の他
面側にも、貫通孔２０の開口周縁近傍に付着物２０ａが
付着する。この現象は、基板１０を、図９に示す様に、
ステージ２０２に真空吸着してレーザ光１８を照射する
ことによって発生する。つまり、レーザ光１８によって
凹部２０ａの底部を基板１０の他面側に突き出して貫通
孔２０を形成した際に、レーザ光１８の凹部２０ａの底
部への照射によって発生した飛散物が、ステージ２０２
の載置面に反射して基板１０の他面側に付着するからで
ある。このため、基板１０を載置するステージとして、
飛散物の反射防止手段が設けられているステージを用い
ることによって、飛散物の基板１０の他面側への付着を
防止できる。この飛散物の反射防止手段が設けられてい
るステージとしては、例えば図４に示す様に、基板１０
に貫通孔２０を形成する個所に対応する部分に、空間部
２６が形成されたステージ２４を使用できる。かかる図
４に示すステージ２４に載置され、ステージ２４の空間
部２６に対応する基板１０の所定個所にレーザ光１８を
照射して貫通孔２０を形成する際に、凹部２０ａの底部
がレーザ１８によって破られたとき、凹部２０ａ内の飛
散物はステージ２４の空間部２６内に吹出し、基板１０
の他面側に広がることを防止でき、基板１０の他面側に
飛散物が付着することを防止できる。
が貫通した際に、図１（ｅ）に示す様に、基板１０の他
面側にも、貫通孔２０の開口周縁近傍に付着物２０ａが
付着する。この現象は、基板１０を、図９に示す様に、
ステージ２０２に真空吸着してレーザ光１８を照射する
ことによって発生する。つまり、レーザ光１８によって
凹部２０ａの底部を基板１０の他面側に突き出して貫通
孔２０を形成した際に、レーザ光１８の凹部２０ａの底
部への照射によって発生した飛散物が、ステージ２０２
の載置面に反射して基板１０の他面側に付着するからで
ある。このため、基板１０を載置するステージとして、
飛散物の反射防止手段が設けられているステージを用い
ることによって、飛散物の基板１０の他面側への付着を
防止できる。この飛散物の反射防止手段が設けられてい
るステージとしては、例えば図４に示す様に、基板１０
に貫通孔２０を形成する個所に対応する部分に、空間部
２６が形成されたステージ２４を使用できる。かかる図
４に示すステージ２４に載置され、ステージ２４の空間
部２６に対応する基板１０の所定個所にレーザ光１８を
照射して貫通孔２０を形成する際に、凹部２０ａの底部
がレーザ１８によって破られたとき、凹部２０ａ内の飛
散物はステージ２４の空間部２６内に吹出し、基板１０
の他面側に広がることを防止でき、基板１０の他面側に
飛散物が付着することを防止できる。
【００１５】基板１０に複数個の貫通孔２０，２０・・
を形成する場合には、基板１０をステージ２４に沿って
移動する駆動部と、この駆動部を制御し、基板１０の貫
通孔２０を形成する個所とステージ２４の空間部２６と
を一致させるように、基板１０を移動する制御部とを具
備する飛散物の反射防止手段を設けることにより、基板
１０の他面側に飛散物が付着することを可及的に防止で
きる。この様に、基板１０の貫通孔２０を形成する個所
とステージ２４の空間部２６とが一致したとき、ステー
ジ２４に形成された小孔２５，２５・・内を減圧状態と
して基板１０をステージ２４に吸着し、次いで、レーザ
光１８を照射して貫通孔２０を形成する。ここで、基板
１０に複数個の貫通孔２０を形成する際に、既に貫通し
た貫通孔２０の近傍に新たな貫通孔２０を形成すると
き、レーザ光１８の照射で飛散した飛散物が既に貫通し
た貫通孔２０内に入り込むことがある。このため、全て
の貫通孔２０，２０・・を形成した後、再度、貫通孔２
０，２０・・の各々にレーザ光１８を照射することによ
り、貫通孔２０内に入り込んだ飛散物を除去でき、貫通
孔２０を形成した後の掃除を容易とすることができる。
を形成する場合には、基板１０をステージ２４に沿って
移動する駆動部と、この駆動部を制御し、基板１０の貫
通孔２０を形成する個所とステージ２４の空間部２６と
を一致させるように、基板１０を移動する制御部とを具
備する飛散物の反射防止手段を設けることにより、基板
１０の他面側に飛散物が付着することを可及的に防止で
きる。この様に、基板１０の貫通孔２０を形成する個所
とステージ２４の空間部２６とが一致したとき、ステー
ジ２４に形成された小孔２５，２５・・内を減圧状態と
して基板１０をステージ２４に吸着し、次いで、レーザ
光１８を照射して貫通孔２０を形成する。ここで、基板
１０に複数個の貫通孔２０を形成する際に、既に貫通し
た貫通孔２０の近傍に新たな貫通孔２０を形成すると
き、レーザ光１８の照射で飛散した飛散物が既に貫通し
た貫通孔２０内に入り込むことがある。このため、全て
の貫通孔２０，２０・・を形成した後、再度、貫通孔２
０，２０・・の各々にレーザ光１８を照射することによ
り、貫通孔２０内に入り込んだ飛散物を除去でき、貫通
孔２０を形成した後の掃除を容易とすることができる。
【００１６】また、複数個の貫通孔２０，２０・・をレ
ーザ光１８の照射で形成する場合、図５（ａ）に示す様
に、複数個の貫通孔２０，２０・・を一方から他方に順
次形成するとき［図５（ａ）の矢印の方向に、順次形成
するとき］は、基板１０がNiめっき皮膜１６で覆われて
放熱性が向上されていても、基板１０内に蓄熱されるこ
とがある。この場合には、図５（ｂ）に示す様に、例え
ば基板１０にN0.１の貫通孔２０をレーザ光１８の照射
で形成した後、N0.１の貫通孔２０を形成する際の熱の
影響を実質的に受けない個所に、N0.２の貫通孔２０を
形成する。この様に、先に形成した貫通孔２０の熱の影
響を実質的に受けない個所に、次の貫通孔２０を形成す
ることによって、基板１０に蓄熱することによる弊害を
防止できる。ここで、先に形成した貫通孔２０の熱の影
響を実質的に受ける個所に、次の貫通孔２０を形成する
ことを要する場合には、次の貫通孔２０の形成開始を遅
らせ、先に形成した貫通孔２０の熱が放熱されることを
待って、次の貫通孔２０を形成することが好ましい。
尚、図５（ａ）に示す点線は、N0.１の貫通孔２０を形
成する際の熱の影響を受ける範囲やN0.２の貫通孔２０
を形成する際の熱の影響を受ける範囲の境界を示す。
ーザ光１８の照射で形成する場合、図５（ａ）に示す様
に、複数個の貫通孔２０，２０・・を一方から他方に順
次形成するとき［図５（ａ）の矢印の方向に、順次形成
するとき］は、基板１０がNiめっき皮膜１６で覆われて
放熱性が向上されていても、基板１０内に蓄熱されるこ
とがある。この場合には、図５（ｂ）に示す様に、例え
ば基板１０にN0.１の貫通孔２０をレーザ光１８の照射
で形成した後、N0.１の貫通孔２０を形成する際の熱の
影響を実質的に受けない個所に、N0.２の貫通孔２０を
形成する。この様に、先に形成した貫通孔２０の熱の影
響を実質的に受けない個所に、次の貫通孔２０を形成す
ることによって、基板１０に蓄熱することによる弊害を
防止できる。ここで、先に形成した貫通孔２０の熱の影
響を実質的に受ける個所に、次の貫通孔２０を形成する
ことを要する場合には、次の貫通孔２０の形成開始を遅
らせ、先に形成した貫通孔２０の熱が放熱されることを
待って、次の貫通孔２０を形成することが好ましい。
尚、図５（ａ）に示す点線は、N0.１の貫通孔２０を形
成する際の熱の影響を受ける範囲やN0.２の貫通孔２０
を形成する際の熱の影響を受ける範囲の境界を示す。
【００１７】図１、図４及び図５において、貫通孔２０
は、パターン１２，１２・・が形成された基板１０の一
面側にレーザ光１８を照射して形成している。このた
め、パターン１２，１２・・が形成された基板１０の一
面側には、レーザドロス２２が形成されており、付着物
２０ａが付着された基板１０の他面側に比較して汚れて
いる。この様に、基板１０の一面側に形成されたレーザ
ドロス２２は、Niめっき皮膜１６を剥離して除去してい
るが、レーザドロス２２を除去しても、レーザドロス２
２が形成された貫通孔２０の開口周縁近傍は、他の部分
よりも汚くなり易い。このため、図６（ａ）に示す様
に、パターン１２等が形成されていない基板１０の他面
側にレーザ光１８を照射して貫通孔２０を形成すること
によって、基板１０のパターン１２，１２・・が形成さ
れた一面側にレーザドロス２２を形成することなく、基
板１０に貫通孔２０を形成できる。また、パターン１２
等が形成されていない基板１０の他面側からレーザ光１
８を照射して貫通孔２０を形成することにより、基板１
０の一面側に形成されているパターン１２に対する熱の
影響も緩和できる。
は、パターン１２，１２・・が形成された基板１０の一
面側にレーザ光１８を照射して形成している。このた
め、パターン１２，１２・・が形成された基板１０の一
面側には、レーザドロス２２が形成されており、付着物
２０ａが付着された基板１０の他面側に比較して汚れて
いる。この様に、基板１０の一面側に形成されたレーザ
ドロス２２は、Niめっき皮膜１６を剥離して除去してい
るが、レーザドロス２２を除去しても、レーザドロス２
２が形成された貫通孔２０の開口周縁近傍は、他の部分
よりも汚くなり易い。このため、図６（ａ）に示す様
に、パターン１２等が形成されていない基板１０の他面
側にレーザ光１８を照射して貫通孔２０を形成すること
によって、基板１０のパターン１２，１２・・が形成さ
れた一面側にレーザドロス２２を形成することなく、基
板１０に貫通孔２０を形成できる。また、パターン１２
等が形成されていない基板１０の他面側からレーザ光１
８を照射して貫通孔２０を形成することにより、基板１
０の一面側に形成されているパターン１２に対する熱の
影響も緩和できる。
【００１８】図６（ａ）に示す様に、基板１０の他面側
からレーザ１８を照射し、基板１０の一面側の所定個所
に開口する貫通孔２０を形成するには、貫通孔２０を形
成する個所の位置決めを行う基板１０の他面側で行う必
要がある。このため、図６（ｂ）に示す様に、基板１０
から切り離される枠体部２８の所定個所に、基板１０の
一面側から位置決め用貫通孔３０ａ，３０ｂを形成して
おくことが好ましい。かかる位置決め用貫通孔３０ａ，
３０ｂを基準として、基板１０の他面側からでも、貫通
孔２０を形成すべき個所を、レーザ照射口の真下に位置
決めできるからである。図６（ａ）に示す様に、基板１
０の他面側からレーザ１８を照射し、基板１０の一面側
の所定個所に開口する貫通孔２０を形成する際にも、図
４に示す様に、基板１０に貫通孔２０を形成する個所に
対応する部分に、飛散物の反射防止手段としての空間部
２６が形成されたステージ２４を使用することが好まし
い。また、基板１０をステージ２４に沿って移動する駆
動部と、この駆動部を制御し、基板１０の貫通孔２０を
形成する個所とステージ２４の空間部２６とを一致させ
るように、基板１０を移動する制御部とを具備する飛散
物の反射防止手段を設けることにより、複数個の貫通孔
２０，２０・・を効率よく形成できる。
からレーザ１８を照射し、基板１０の一面側の所定個所
に開口する貫通孔２０を形成するには、貫通孔２０を形
成する個所の位置決めを行う基板１０の他面側で行う必
要がある。このため、図６（ｂ）に示す様に、基板１０
から切り離される枠体部２８の所定個所に、基板１０の
一面側から位置決め用貫通孔３０ａ，３０ｂを形成して
おくことが好ましい。かかる位置決め用貫通孔３０ａ，
３０ｂを基準として、基板１０の他面側からでも、貫通
孔２０を形成すべき個所を、レーザ照射口の真下に位置
決めできるからである。図６（ａ）に示す様に、基板１
０の他面側からレーザ１８を照射し、基板１０の一面側
の所定個所に開口する貫通孔２０を形成する際にも、図
４に示す様に、基板１０に貫通孔２０を形成する個所に
対応する部分に、飛散物の反射防止手段としての空間部
２６が形成されたステージ２４を使用することが好まし
い。また、基板１０をステージ２４に沿って移動する駆
動部と、この駆動部を制御し、基板１０の貫通孔２０を
形成する個所とステージ２４の空間部２６とを一致させ
るように、基板１０を移動する制御部とを具備する飛散
物の反射防止手段を設けることにより、複数個の貫通孔
２０，２０・・を効率よく形成できる。
【００１９】以上、説明してきた図１〜図６までは、貫
通孔２０を形成する場合について説明してきたが、基板
１０に凹部を形成する場合にも、本発明を適用できる。
つまり、図１（ｄ）に示す様に、基板１０の一面側にレ
ーザ光１８を照射し、所定深さの凹部２０ａを形成した
とき、レーザ光１８の照射を停止することにより、図７
（ａ）に示す様に、基板１０に凹部２０ａを形成でき
る。しかし、形成された凹部２０ａの開口周縁近傍に
は、レーザドロス２２が形成され、凹部２０ａの内壁面
及び底面には、付着物２２ａが付着している。このた
め、Niめっき皮膜１６を、Niめっき皮膜剥離用液に基板
１０を浸漬して剥離することにより、凹部２０ａの開口
周縁近傍に形成されたレーザドロス２２を除去できる
［図７（ｂ）］。更に、凹部２０ａの内壁面及び底面に
付着する付着物２０ａは、付着物２０ａの除去液、例え
ば苛性カリ（ＫＯＨ）溶液に基板１０を浸漬することに
より除去し、清浄な凹部２０ａを形成できる［図７
（ｃ）］。尚、図１〜図７に示す保護膜としてのSiO2膜
１４に代えて、ポリイミド膜等の樹脂膜を保護膜に形成
してもよい。
通孔２０を形成する場合について説明してきたが、基板
１０に凹部を形成する場合にも、本発明を適用できる。
つまり、図１（ｄ）に示す様に、基板１０の一面側にレ
ーザ光１８を照射し、所定深さの凹部２０ａを形成した
とき、レーザ光１８の照射を停止することにより、図７
（ａ）に示す様に、基板１０に凹部２０ａを形成でき
る。しかし、形成された凹部２０ａの開口周縁近傍に
は、レーザドロス２２が形成され、凹部２０ａの内壁面
及び底面には、付着物２２ａが付着している。このた
め、Niめっき皮膜１６を、Niめっき皮膜剥離用液に基板
１０を浸漬して剥離することにより、凹部２０ａの開口
周縁近傍に形成されたレーザドロス２２を除去できる
［図７（ｂ）］。更に、凹部２０ａの内壁面及び底面に
付着する付着物２０ａは、付着物２０ａの除去液、例え
ば苛性カリ（ＫＯＨ）溶液に基板１０を浸漬することに
より除去し、清浄な凹部２０ａを形成できる［図７
（ｃ）］。尚、図１〜図７に示す保護膜としてのSiO2膜
１４に代えて、ポリイミド膜等の樹脂膜を保護膜に形成
してもよい。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、レーザ光の照射で貫通
孔状や凹部状の穴をシリコン基板に形成する際に、加工
中のシリコン基板の放熱性を向上し、形成された貫通孔
等の穴の開口周縁に形成された堆積物や穴の内壁面に付
着した飛散物を容易に清掃し、清浄な貫通孔や凹部を形
成できる。その結果、シリコン基板に、プラズマ加工に
比較して安価なレーザ加工によって清浄な貫通孔や凹部
を形成でき、複数個の半導体チップを厚み方向に積層し
た、例えば三次元ＭＣＰ等を容易に形成できる。
孔状や凹部状の穴をシリコン基板に形成する際に、加工
中のシリコン基板の放熱性を向上し、形成された貫通孔
等の穴の開口周縁に形成された堆積物や穴の内壁面に付
着した飛散物を容易に清掃し、清浄な貫通孔や凹部を形
成できる。その結果、シリコン基板に、プラズマ加工に
比較して安価なレーザ加工によって清浄な貫通孔や凹部
を形成でき、複数個の半導体チップを厚み方向に積層し
た、例えば三次元ＭＣＰ等を容易に形成できる。
【図１】本発明に係るシリコン基板の穴形成方法のう
ち、シリコン基板に貫通孔を形成する形成方法を説明す
る工程図である。
ち、シリコン基板に貫通孔を形成する形成方法を説明す
る工程図である。
【図２】貫通孔が形成されたシリコン基板にスルーホー
ルヴィア及びパターンを形成する形成方法を説明する工
程図である。
ルヴィア及びパターンを形成する形成方法を説明する工
程図である。
【図３】スルーホールヴィア及びパターンが形成された
複数枚のシリコン基板を用いて形成した三次元ＭＣＰを
説明する部分断面図である。
複数枚のシリコン基板を用いて形成した三次元ＭＣＰを
説明する部分断面図である。
【図４】シリコン基板に貫通孔を形成する形成方法の他
の例を説明する説明図である。
の例を説明する説明図である。
【図５】本発明に係るシリコン基板に貫通孔を形成する
形成方法の他の例を説明する説明図である。
形成方法の他の例を説明する説明図である。
【図６】本発明に係るシリコン基板に貫通孔を形成する
形成方法の他の例を説明する説明図である。
形成方法の他の例を説明する説明図である。
【図７】本発明に係るシリコン基板の穴形成方法のう
ち、シリコン基板に凹部を形成する形成方法を説明する
工程図である。
ち、シリコン基板に凹部を形成する形成方法を説明する
工程図である。
【図８】三次元ＭＣＰの概略を説明する概略図である。
【図９】レーザ光の照射によりシリコン基板に貫通孔を
形成する従来方法を説明するための説明図である。
形成する従来方法を説明するための説明図である。
【図１０】図９に示す従来方法で形成した貫通孔の状態
を説明する説明図である。
を説明する説明図である。
１０ シリコン基板
１２ パターン
１４ SiO2膜（保護膜）
１６ Niめっき皮膜（金属めっき皮膜）
１８ レーザ光
２０ａ 凹部
２０ 貫通孔
２２ａ 付着物
２２ レーザドロス（堆積物）
２４ ステージ
２５ 小孔
２６ 空間部
３０ａ，３０ｂ 位置決め用貫通孔
Claims (8)
- 【請求項１】 一面側にパターンが形成されたシリコン
基板にレーザ光を照射して貫通孔又は凹部を形成する際
に、 該シリコン基板のパターン形成面に、前記パターンを保
護する保護膜を形成した後、前記保護膜の上面を含むシ
リコン基板の全面に、前記保護膜と密着する金属めっき
皮膜を形成し、 次いで、前記保護膜及び金属めっき皮膜で覆われたシリ
コン基板の所定個所にレーザ光を照射し、前記シリコン
基板に貫通孔又は凹部を形成した後、 前記貫通孔又は凹部の開口周縁で且つ前記金属めっき皮
膜上に堆積した堆積物を、前記金属めっき皮膜を剥離し
て除去し、 更に、前記貫通孔又は凹部の内壁面に付着した飛散物等
の付着物を、前記保護膜を損傷することのない除去液に
より除去することを特徴とするシリコン基板の穴形成方
法。 - 【請求項２】 保護膜を、酸化ケイ素（SiO2）膜とする
請求項１記載のシリコン基板の穴形成方法。 - 【請求項３】 金属めっき皮膜を、ニッケル（Ni）めっ
き皮膜とする請求項１又は請求項２記載のシリコン基板
の穴形成方法。 - 【請求項４】 貫通孔又は凹部の内壁面に付着している
付着物を除去する除去液を、苛性カリ(KOH）溶液とする
請求項１〜３のいずれか一項記載のシリコン基板の穴形
成方法。 - 【請求項５】 シリコン基板に複数個の貫通孔又は凹部
を順次レーザ光を照射して形成する際に、先に形成した
貫通孔又は凹部の形成中に発生した熱の影響を実質的に
受けないように、次の貫通孔又は凹部を形成する位置又
は時間間隔を調整する請求項１〜４のいずれか一項記載
のシリコン基板の穴形成方法。 - 【請求項６】 シリコン基板をステージに載置しレーザ
光を照射して貫通孔を形成する際に、前記貫通孔が貫通
したとき、前記レーザ光のシリコン基板への照射によっ
て発生した飛散物が前記ステージの載置面に反射してシ
リコン基板に付着されないように、前記飛散物の反射防
止手段が設けられているステージを用いる請求項１〜５
のいずれか一項記載のシリコン基板の穴形成方法。 - 【請求項７】 シリコン基板に複数個の貫通孔を形成し
た後、前記貫通孔の各々にレーザ光を再度照射する請求
項１〜６のいずれか一項記載のシリコン基板の穴形成方
法。 - 【請求項８】 シリコン基板に貫通孔を形成する際に、
パターンが形成されていない前記シリコン基板の他面側
からレーザ光を照射して貫通孔を形成する請求項１〜７
のいずれか一項記載のシリコン基板の穴形成方法。
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