JP2003124108A - 現像装置及び現像方法 - Google Patents
現像装置及び現像方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板表面に対して後端側から前端側へ供給ノ
ズルを移動させながら現像液を塗布する手法において、
基板表面の現像液膜に液流が形成するのを抑制して均一
性の高い現像を行うこと。 【解決手段】 現像液をその裏面側に通過させる通流孔
が設けられた液受け板を、その表面が基板表面を同じ高
さ位置にて基板の前端側に僅かな隙間をもって設けられ
る構成とし、供給ノズルを移動させながら現像液を塗布
する。この場合、基板の周縁部と供給ノズルとに跨る現
像液が液切れしたときの液の寄り戻しが低減され、基板
表面の現像液の流れ、波立ちが抑えられる。このため線
幅の均一性が高いレジストパターンが得られる。また本
発明では湾曲した吐出口が形成された供給ノズルを設け
た構成、あるいは液の寄り戻しを抑えるために基板表面
に沿って気流を形成する手段を設けた構成としても同様
の効果が得られる。
ズルを移動させながら現像液を塗布する手法において、
基板表面の現像液膜に液流が形成するのを抑制して均一
性の高い現像を行うこと。 【解決手段】 現像液をその裏面側に通過させる通流孔
が設けられた液受け板を、その表面が基板表面を同じ高
さ位置にて基板の前端側に僅かな隙間をもって設けられ
る構成とし、供給ノズルを移動させながら現像液を塗布
する。この場合、基板の周縁部と供給ノズルとに跨る現
像液が液切れしたときの液の寄り戻しが低減され、基板
表面の現像液の流れ、波立ちが抑えられる。このため線
幅の均一性が高いレジストパターンが得られる。また本
発明では湾曲した吐出口が形成された供給ノズルを設け
た構成、あるいは液の寄り戻しを抑えるために基板表面
に沿って気流を形成する手段を設けた構成としても同様
の効果が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジストが塗布さ
れ、露光処理が施された基板の表面に現像液を供給して
現像処理を行う現像装置及び現像方法に関する。
れ、露光処理が施された基板の表面に現像液を供給して
現像処理を行う現像装置及び現像方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造工程の一つであるフォ
トレジスト工程においては、例えば半導体ウェハ（以下
ウェハＷという）表面に形成された薄膜状にレジストを
塗布し、レジストを所定のパターンで露光し、現像して
マスクパターンを形成している。このような処理は、一
般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露
光装置を接続したシステムを用いて行われる。
トレジスト工程においては、例えば半導体ウェハ（以下
ウェハＷという）表面に形成された薄膜状にレジストを
塗布し、レジストを所定のパターンで露光し、現像して
マスクパターンを形成している。このような処理は、一
般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露
光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】露光後のウェハＷに対して、現像処理を行
う手法の一つとして、図１４に示すようにウェハＷの直
径に見合う長さに亘って吐出口が形成されたノズル１を
用い、このノズル１を、例えばスピンチャック１１に水
平に保持されたウェハＷの表面に対して、例えば１ｍｍ
程度浮かせた状態でウェハＷの後端側から前端側に移動
させながら、ノズル１の吐出口からウェハＷ表面に現像
液１２を液盛し、ウェハＷ表面全体に現像液１２の、例
えば１ｍｍ程度の液膜を形成する方法が実施、検討され
ている。
う手法の一つとして、図１４に示すようにウェハＷの直
径に見合う長さに亘って吐出口が形成されたノズル１を
用い、このノズル１を、例えばスピンチャック１１に水
平に保持されたウェハＷの表面に対して、例えば１ｍｍ
程度浮かせた状態でウェハＷの後端側から前端側に移動
させながら、ノズル１の吐出口からウェハＷ表面に現像
液１２を液盛し、ウェハＷ表面全体に現像液１２の、例
えば１ｍｍ程度の液膜を形成する方法が実施、検討され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た手法では以下の様な課題がある。即ち、円形状である
ウェハＷにおいては、前記ノズル１が現像液１２を吐出
しながら、ウェハＷの直径部を越えて前端に向かって移
動する際、ノズル１の長さに対してウェハＷの有効領域
の長さが順次短くなることが問題となる。この場合ウェ
ハＷの周縁部のある部位で見ると、ノズル１の吐出圧が
現像液Ｄの自重程度と小さいことから、ノズル１が移動
してその部位から離れて行くときに、ウェハＷの周縁部
から離れた吐出口より吐出された現像液１２が直ぐに落
下せずに、既にウェハＷ表面に盛られた現像液１２と表
面張力で繋がったまま引張られた状態なる。更にノズル
１が前端に向かうにつれて、前記現像液１２は表面張力
で繋がった状態を維持できなくなり、ウェハＷ表面上に
塗布される部位と、塗布されない部位との間で液切れが
起こる。つまりウェハＷ表面と対向しないノズル１の吐
出口とウェハＷ周縁部との間で液が切れながらノズル１
は移動する。この液切れしたときの液の寄り戻し（引き
戻し）の力により、ウェハＷ表面に液盛された現像液１
２に、例えば周縁部から内側方向に向かう流れが生じ
る。特にウェハＷの前端においては、ノズル１がウェハ
Ｗ表面から離れるときの液の寄り戻しによる力は大き
く、液盛された現像液１２に波立ちが起こる場合があ
る。また本発明者らは、その結果として現像後に得られ
るマスクパターンに線幅精度の均一性が低下することを
把握している。
た手法では以下の様な課題がある。即ち、円形状である
ウェハＷにおいては、前記ノズル１が現像液１２を吐出
しながら、ウェハＷの直径部を越えて前端に向かって移
動する際、ノズル１の長さに対してウェハＷの有効領域
の長さが順次短くなることが問題となる。この場合ウェ
ハＷの周縁部のある部位で見ると、ノズル１の吐出圧が
現像液Ｄの自重程度と小さいことから、ノズル１が移動
してその部位から離れて行くときに、ウェハＷの周縁部
から離れた吐出口より吐出された現像液１２が直ぐに落
下せずに、既にウェハＷ表面に盛られた現像液１２と表
面張力で繋がったまま引張られた状態なる。更にノズル
１が前端に向かうにつれて、前記現像液１２は表面張力
で繋がった状態を維持できなくなり、ウェハＷ表面上に
塗布される部位と、塗布されない部位との間で液切れが
起こる。つまりウェハＷ表面と対向しないノズル１の吐
出口とウェハＷ周縁部との間で液が切れながらノズル１
は移動する。この液切れしたときの液の寄り戻し（引き
戻し）の力により、ウェハＷ表面に液盛された現像液１
２に、例えば周縁部から内側方向に向かう流れが生じ
る。特にウェハＷの前端においては、ノズル１がウェハ
Ｗ表面から離れるときの液の寄り戻しによる力は大き
く、液盛された現像液１２に波立ちが起こる場合があ
る。また本発明者らは、その結果として現像後に得られ
るマスクパターンに線幅精度の均一性が低下することを
把握している。
【０００５】上述の問題を解決するために、図１５に示
すようにウェハＷ周縁部での液切れをスムーズにするナ
イフリング１３をウェハＷの周縁に設ける手法がある
が、ノズル１から吐出する現像液１２は吐出圧がほぼ自
重程度に小さいので、ナイフリング１３の液切り面にお
いても液の表面張力が作用してスムーズな液切りが行わ
れない場合が懸念される。
すようにウェハＷ周縁部での液切れをスムーズにするナ
イフリング１３をウェハＷの周縁に設ける手法がある
が、ノズル１から吐出する現像液１２は吐出圧がほぼ自
重程度に小さいので、ナイフリング１３の液切り面にお
いても液の表面張力が作用してスムーズな液切りが行わ
れない場合が懸念される。
【０００６】本発明はこのような事情に基づきなされた
ものであり、その目的はレジストが塗布されて、露光処
理が施された基板を現像処理する場合において、基板表
面に液盛された現像液に流れおよび波立ちを形成しない
で、基板の表面に現像液を塗布することができ、これに
より線幅の均一性の高いマスクパターンを得ることので
きる技術を提供することにある。
ものであり、その目的はレジストが塗布されて、露光処
理が施された基板を現像処理する場合において、基板表
面に液盛された現像液に流れおよび波立ちを形成しない
で、基板の表面に現像液を塗布することができ、これに
より線幅の均一性の高いマスクパターンを得ることので
きる技術を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の現像装置は、表
面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現
像する現像装置において、前記基板を水平に保持する基
板保持部と、基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上
の長さに亘って吐出口が形成され、前記基板に現像液を
供給するための供給ノズルと、この供給ノズルを基板の
後端側から前端側に亘って移動させる移動機構と、現像
液をその裏面側に通過させる通流孔が設けられると共
に、基板表面と同じか僅かに低い高さ位置にて、少なく
とも基板の前縁側に基板の前縁と僅かな離間距離をもっ
て設けられた液受け板と、を備えたことを特徴とする。
前記基板は例えば半導体ウェハであり、液受け板は供給
ノズルと平行な半導体ウェハの直径よりも前方側の周縁
を囲むように設けられる。また現像装置は例えば基板保
持部に保持された基板を囲むように昇降自在に設けられ
たカップを備え、液受け板はこのカップの上部周縁に設
けられた構成である。前記基板と液受け板の離間距離
は、例えば０．５ｍｍ〜３ｍｍに設定され、基板表面か
ら例えば０．３ｍｍ〜２．５ｍｍ低い位置に設けられ
る。更に液受け板は、基板の周縁に位置する側が高く、
離れるに従い低くなるように傾斜した構成としても良
い。
面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現
像する現像装置において、前記基板を水平に保持する基
板保持部と、基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上
の長さに亘って吐出口が形成され、前記基板に現像液を
供給するための供給ノズルと、この供給ノズルを基板の
後端側から前端側に亘って移動させる移動機構と、現像
液をその裏面側に通過させる通流孔が設けられると共
に、基板表面と同じか僅かに低い高さ位置にて、少なく
とも基板の前縁側に基板の前縁と僅かな離間距離をもっ
て設けられた液受け板と、を備えたことを特徴とする。
前記基板は例えば半導体ウェハであり、液受け板は供給
ノズルと平行な半導体ウェハの直径よりも前方側の周縁
を囲むように設けられる。また現像装置は例えば基板保
持部に保持された基板を囲むように昇降自在に設けられ
たカップを備え、液受け板はこのカップの上部周縁に設
けられた構成である。前記基板と液受け板の離間距離
は、例えば０．５ｍｍ〜３ｍｍに設定され、基板表面か
ら例えば０．３ｍｍ〜２．５ｍｍ低い位置に設けられ
る。更に液受け板は、基板の周縁に位置する側が高く、
離れるに従い低くなるように傾斜した構成としても良
い。
【０００８】また本発明の現像装置は、表面にレジスト
が塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像装
置において、前記基板を水平に保持する基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘っ
て吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するため
の供給ノズルと、この供給ノズルを基板の後端側から前
端側に亘って移動させる移動機構と、を備え、前記吐出
口は左右両側が中央部よりも後方側に位置するように湾
曲していることを特徴とする。
が塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像装
置において、前記基板を水平に保持する基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘っ
て吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するため
の供給ノズルと、この供給ノズルを基板の後端側から前
端側に亘って移動させる移動機構と、を備え、前記吐出
口は左右両側が中央部よりも後方側に位置するように湾
曲していることを特徴とする。
【０００９】更に本発明の現像装置は、表面にレジスト
が塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像装
置において、前記基板を水平に保持する基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘っ
て吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するため
の供給ノズルと、この供給ノズルを基板の後端側から前
端側に亘って移動させる移動機構と、基板上の現像液の
液流を抑制するために基板表面に沿って気流を形成する
ための気流形成手段と、を備えたことを特徴とする。前
記気流形成手段は、基板の周縁に沿って通気孔が配列さ
れると共に昇降自在に設けられた構成である。
が塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像装
置において、前記基板を水平に保持する基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘っ
て吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するため
の供給ノズルと、この供給ノズルを基板の後端側から前
端側に亘って移動させる移動機構と、基板上の現像液の
液流を抑制するために基板表面に沿って気流を形成する
ための気流形成手段と、を備えたことを特徴とする。前
記気流形成手段は、基板の周縁に沿って通気孔が配列さ
れると共に昇降自在に設けられた構成である。
【００１０】本発明によれば、現像液の供給ノズルが基
板の直径部から終端に現像液を塗布する際、供給ノズル
が基板から離れて行くときに、その表面張力により供給
ノズルと基板の周縁部とに跨る現像液の液切れによる液
の寄り戻しを抑制し、基板表面に液盛された現像液に流
れおよび波立ちを形成しないで、基板の表面に現像液を
供給することができ、これにより線幅の均一性の高いマ
スクパターンを得ることができる。
板の直径部から終端に現像液を塗布する際、供給ノズル
が基板から離れて行くときに、その表面張力により供給
ノズルと基板の周縁部とに跨る現像液の液切れによる液
の寄り戻しを抑制し、基板表面に液盛された現像液に流
れおよび波立ちを形成しないで、基板の表面に現像液を
供給することができ、これにより線幅の均一性の高いマ
スクパターンを得ることができる。
【００１１】また本発明の現像方法は、基板表面にレジ
ストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現
像方法において、前記基板を基板保持部に水平に保持す
る工程と、次いで通流孔が設けられた液受け板を、供給
ノズルの移動方向において少なくとも基板の前縁側に僅
かな離間距離をもってかつその表面と基板表面とが同じ
か僅かに低い高さになるように位置させる工程と、その
後基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘
って吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するた
めの供給ノズルを、基板の後端側から前端側に亘って移
動させながら現像液を吐出し、基板の外側に位置する吐
出口からの現像液を液受け板の通流孔を介して裏面側に
通過させながら基板表面に現像液を塗布する工程と、を
備えたことを特徴とする。また液受け板は、例えば基板
保持部に保持された基板を囲む昇降自在なカップの上部
周縁に設けられる。前記離間距離は基板と液受け板との
間に、例えば０．５ｍｍ〜３ｍｍの隙間をもって設定さ
れ、基板表面から例えば０．３ｍｍ〜２．５ｍｍ低い位
置に設けられる。更に液受け板は、基板の周縁に位置す
る側が高く、離れるに従い低くなるように傾斜した構成
としても良い。
ストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現
像方法において、前記基板を基板保持部に水平に保持す
る工程と、次いで通流孔が設けられた液受け板を、供給
ノズルの移動方向において少なくとも基板の前縁側に僅
かな離間距離をもってかつその表面と基板表面とが同じ
か僅かに低い高さになるように位置させる工程と、その
後基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘
って吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するた
めの供給ノズルを、基板の後端側から前端側に亘って移
動させながら現像液を吐出し、基板の外側に位置する吐
出口からの現像液を液受け板の通流孔を介して裏面側に
通過させながら基板表面に現像液を塗布する工程と、を
備えたことを特徴とする。また液受け板は、例えば基板
保持部に保持された基板を囲む昇降自在なカップの上部
周縁に設けられる。前記離間距離は基板と液受け板との
間に、例えば０．５ｍｍ〜３ｍｍの隙間をもって設定さ
れ、基板表面から例えば０．３ｍｍ〜２．５ｍｍ低い位
置に設けられる。更に液受け板は、基板の周縁に位置す
る側が高く、離れるに従い低くなるように傾斜した構成
としても良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る現像装置の実施の形
態について、図１〜３に示す現像装置の概略図を用いて
説明する。この現像装置は、例えばウェハＷの裏面中心
部を吸引吸着し、ウェハＷを水平に保持する基板保持部
であるスピンチャック２を備え、このスピンチャック２
は主軸が駆動部２１に接続されており、回転および昇降
できる構成である。また現像処理の際、現像液および洗
浄液のミストが周囲に飛び散るのを防ぐための四角形状
の外カップ３１と円環状の内カップ３２が、ウェハＷを
囲う処理空間を形成するように設けられている。この処
理空間の底面は円形板３３および円形板３３の周縁に現
像液および洗浄液を回収するため空間である液受部３４
とで構成されており、現像液および洗浄液は液受部３４
底面に設けられた排出口３５を介して装置外に排出され
る。また円形板３３の周縁部には上端がウェハＷの裏面
に近接する断面山形のリング体３６が設けられている。
更に外カップ３１は昇降機構４により昇降可能な構成で
あり、内カップ３２は外カップ３１に連動して昇降可能
に構成される。
態について、図１〜３に示す現像装置の概略図を用いて
説明する。この現像装置は、例えばウェハＷの裏面中心
部を吸引吸着し、ウェハＷを水平に保持する基板保持部
であるスピンチャック２を備え、このスピンチャック２
は主軸が駆動部２１に接続されており、回転および昇降
できる構成である。また現像処理の際、現像液および洗
浄液のミストが周囲に飛び散るのを防ぐための四角形状
の外カップ３１と円環状の内カップ３２が、ウェハＷを
囲う処理空間を形成するように設けられている。この処
理空間の底面は円形板３３および円形板３３の周縁に現
像液および洗浄液を回収するため空間である液受部３４
とで構成されており、現像液および洗浄液は液受部３４
底面に設けられた排出口３５を介して装置外に排出され
る。また円形板３３の周縁部には上端がウェハＷの裏面
に近接する断面山形のリング体３６が設けられている。
更に外カップ３１は昇降機構４により昇降可能な構成で
あり、内カップ３２は外カップ３１に連動して昇降可能
に構成される。
【００１３】前記内カップ３２の上部にはスピンチャッ
ク２に保持されたウェハＷの外周縁を囲むように、例え
ばリング幅３０ｍｍ、厚さ１．５ｍｍのリング状の液受
け板３７が設けられ、液受け板３７の内周縁はウェハＷ
の周囲に液受け板３７が位置したときにウェハＷの外周
縁との間に、例えば０．５〜３ｍｍの隙間が形成される
ように設定される。この液受け板３７の取り付け構造に
ついては、例えば内カップ３２の内縁に段部を形成する
と共に、液受け板３７がこの段部に係合して内カップ３
２に保持されるように構成し、液受け板３７を交換でき
るようにすることが望ましい。また液受け板３７は、例
えば直径３ｍｍの通流孔３８が、例えば５ｍｍピッチで
千鳥配列あるいは正則配列に穿設され、この液受け板３
７の材質は、例えばＳＵＳ、セラミックスおよび樹脂か
ら選択されるもので構成される。本発明は上述の通流孔
３８の配列構成に限定されるものではなく、例えば同心
円状にスリット形状の開口部を設けるか、あるいはメッ
シュ形状の部材で液受け板３７を構成しても良い。
ク２に保持されたウェハＷの外周縁を囲むように、例え
ばリング幅３０ｍｍ、厚さ１．５ｍｍのリング状の液受
け板３７が設けられ、液受け板３７の内周縁はウェハＷ
の周囲に液受け板３７が位置したときにウェハＷの外周
縁との間に、例えば０．５〜３ｍｍの隙間が形成される
ように設定される。この液受け板３７の取り付け構造に
ついては、例えば内カップ３２の内縁に段部を形成する
と共に、液受け板３７がこの段部に係合して内カップ３
２に保持されるように構成し、液受け板３７を交換でき
るようにすることが望ましい。また液受け板３７は、例
えば直径３ｍｍの通流孔３８が、例えば５ｍｍピッチで
千鳥配列あるいは正則配列に穿設され、この液受け板３
７の材質は、例えばＳＵＳ、セラミックスおよび樹脂か
ら選択されるもので構成される。本発明は上述の通流孔
３８の配列構成に限定されるものではなく、例えば同心
円状にスリット形状の開口部を設けるか、あるいはメッ
シュ形状の部材で液受け板３７を構成しても良い。
【００１４】ウェハＷの表面に現像液を供給するための
供給ノズル５１は、内部に現像液の流路を備えた細長い
四角形状のノズル本体５２の下面長手方向に、ウェハＷ
の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さの吐出口５
３が設けられている。この吐出口５３は、例えばウェハ
Ｗの直径と同じ長さに多数の吐出孔が一列に配列された
構成でも良く、あるいはウェハＷの直径と同じ長さのス
リット形状の開口部を設けた構成としても良い。この供
給ノズル５１はアーム部５４を介して第１の移動機構５
５の移動部５６に接続されている。この第１の移動機構
５５は、ガイドレール６に沿って水平移動し、供給ノズ
ル５１がウエハＷの前端側から後端側に水平移動可能に
構成され、更に第１の移動機構５５は、例えばボールネ
ジ機構５７を備えており、供給ノズル５１が上下移動可
能に構成される。
供給ノズル５１は、内部に現像液の流路を備えた細長い
四角形状のノズル本体５２の下面長手方向に、ウェハＷ
の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さの吐出口５
３が設けられている。この吐出口５３は、例えばウェハ
Ｗの直径と同じ長さに多数の吐出孔が一列に配列された
構成でも良く、あるいはウェハＷの直径と同じ長さのス
リット形状の開口部を設けた構成としても良い。この供
給ノズル５１はアーム部５４を介して第１の移動機構５
５の移動部５６に接続されている。この第１の移動機構
５５は、ガイドレール６に沿って水平移動し、供給ノズ
ル５１がウエハＷの前端側から後端側に水平移動可能に
構成され、更に第１の移動機構５５は、例えばボールネ
ジ機構５７を備えており、供給ノズル５１が上下移動可
能に構成される。
【００１５】また現像後の洗浄工程において洗浄液、例
えば純水をウェハＷ表面に供給するための洗浄ノズル７
１は、第２の移動機構７２に接続されており、洗浄液の
吐出口７３がウェハＷの中心上に位置設定されるよう
に、ガイドレール６に沿って水平移動可能に構成されて
いる。なお上述の駆動部２１、昇降機構４、第１の移動
機構５５及び第２の移動機構７２は夫々制御部と接続さ
れており、例えば駆動部２１によるスピンチャック２の
昇降に応じて第１の移動機構５５による現像液の供給を
行うような、各部を連動させた動作制御が可能な構成で
ある。
えば純水をウェハＷ表面に供給するための洗浄ノズル７
１は、第２の移動機構７２に接続されており、洗浄液の
吐出口７３がウェハＷの中心上に位置設定されるよう
に、ガイドレール６に沿って水平移動可能に構成されて
いる。なお上述の駆動部２１、昇降機構４、第１の移動
機構５５及び第２の移動機構７２は夫々制御部と接続さ
れており、例えば駆動部２１によるスピンチャック２の
昇降に応じて第１の移動機構５５による現像液の供給を
行うような、各部を連動させた動作制御が可能な構成で
ある。
【００１６】次に上述の現像装置を用いた現像処理工程
について説明する。先ずスピンチャック２が外カップ３
１の上方まで上昇し、既に前工程でレジストが塗布さ
れ、露光処理が施されたウエハＷが図示しない搬送アー
ムからスピンチャック２に受け渡され、次いでスピンチ
ャック２はウェハＷの中心部を吸引吸着した状態で下降
し、ウェハＷに現像処理を行う設定位置、例えば図１の
実線で示す位置に設定される。この場合、液受け板３７
の内周縁とウェハＷの外周縁とが、例えば０．５〜３ｍ
ｍの離間距離をもってかつ液受け板３７表面とウェハ表
面とが同じかあるいは僅かに低い高さ位置になるように
設定される。この場合、液受け板３７（液受け板３７表
面）はウェハＷ（ウェハＷ表面）よりも０．３〜２．５
ｍｍ低く設定するのが好ましい。続いて供給ノズル５１
が外カップ３１とウエハＷの周縁との間の走査開始位置
に水平移動され、更に供給ノズル５１は下降し、ウエハ
Ｗに対して現像液の供給を行う高さ、例えば吐出口５３
の先端面がウェハＷ表面から１ｍｍ程度高い位置に設定
される。
について説明する。先ずスピンチャック２が外カップ３
１の上方まで上昇し、既に前工程でレジストが塗布さ
れ、露光処理が施されたウエハＷが図示しない搬送アー
ムからスピンチャック２に受け渡され、次いでスピンチ
ャック２はウェハＷの中心部を吸引吸着した状態で下降
し、ウェハＷに現像処理を行う設定位置、例えば図１の
実線で示す位置に設定される。この場合、液受け板３７
の内周縁とウェハＷの外周縁とが、例えば０．５〜３ｍ
ｍの離間距離をもってかつ液受け板３７表面とウェハ表
面とが同じかあるいは僅かに低い高さ位置になるように
設定される。この場合、液受け板３７（液受け板３７表
面）はウェハＷ（ウェハＷ表面）よりも０．３〜２．５
ｍｍ低く設定するのが好ましい。続いて供給ノズル５１
が外カップ３１とウエハＷの周縁との間の走査開始位置
に水平移動され、更に供給ノズル５１は下降し、ウエハ
Ｗに対して現像液の供給を行う高さ、例えば吐出口５３
の先端面がウェハＷ表面から１ｍｍ程度高い位置に設定
される。
【００１７】続いて図４（ａ）（ｂ）に示すように、供
給ノズル５１の吐出口５３から現像液Ｄを吐出すると共
に、供給ノズル５１をウエハＷの後端側から、吐出口５
３の中心がウエハＷの中心上方を通過して前端側に向か
うように、例えば１００ｍｍ／ｓｅｃの速度で走査する
ことにより、現像液ＤがウェハＷおよび液受け板３７に
供給される。このときウェハＷ表面においては現像液Ｄ
が供給ノズル５１の先端面で押し広げられながら液盛さ
れ、例えば１ｍｍの厚さの液膜を形成する。一方液受け
板３７に供給された現像液Ｄは通流孔３８を介して下方
に流れ落ち、液受け部３４を介して排出口３５から排出
される。
給ノズル５１の吐出口５３から現像液Ｄを吐出すると共
に、供給ノズル５１をウエハＷの後端側から、吐出口５
３の中心がウエハＷの中心上方を通過して前端側に向か
うように、例えば１００ｍｍ／ｓｅｃの速度で走査する
ことにより、現像液ＤがウェハＷおよび液受け板３７に
供給される。このときウェハＷ表面においては現像液Ｄ
が供給ノズル５１の先端面で押し広げられながら液盛さ
れ、例えば１ｍｍの厚さの液膜を形成する。一方液受け
板３７に供給された現像液Ｄは通流孔３８を介して下方
に流れ落ち、液受け部３４を介して排出口３５から排出
される。
【００１８】現像液Ｄの液盛終了後、供給ノズル５１が
退避し、図４（ｃ）に示す状態を例えば５５秒間維持し
て静止現像が行われ、ウェハＷ表面のレジストの溶解性
部位が現像液Ｄに溶解してマスクパターンを形成する。
続いて外カップ３１が上昇し、この外カップ３１に連動
して内カップ３２および液受け板３７が上昇して内カッ
プ３２の傾斜面部をウェハＷの外周縁の側方に位置さ
せ、次いで洗浄液Ｒの吐出部７３がウエハＷの中心上方
に位置するように、洗浄ノズル７１が移動し、図４
（ｄ）に示すように洗浄ノズル７１から洗浄液Ｒをウエ
ハＷ中心部に供給すると共に、スピンチャック２を回転
させてウェハＷ表面に介在する現像液Ｄを遠心力により
ウエハＷの中心部から周縁部へ向かって洗浄液Ｒで置換
することにより現像液Ｄが洗い流される。更に図４
（ｅ）に示すようにスピンチャック２を回転させてスピ
ン乾燥を行い現像処理が終了する。このとき現像液Ｄと
洗浄液Ｒは液受部３４を介して排出口３５から排出され
る。
退避し、図４（ｃ）に示す状態を例えば５５秒間維持し
て静止現像が行われ、ウェハＷ表面のレジストの溶解性
部位が現像液Ｄに溶解してマスクパターンを形成する。
続いて外カップ３１が上昇し、この外カップ３１に連動
して内カップ３２および液受け板３７が上昇して内カッ
プ３２の傾斜面部をウェハＷの外周縁の側方に位置さ
せ、次いで洗浄液Ｒの吐出部７３がウエハＷの中心上方
に位置するように、洗浄ノズル７１が移動し、図４
（ｄ）に示すように洗浄ノズル７１から洗浄液Ｒをウエ
ハＷ中心部に供給すると共に、スピンチャック２を回転
させてウェハＷ表面に介在する現像液Ｄを遠心力により
ウエハＷの中心部から周縁部へ向かって洗浄液Ｒで置換
することにより現像液Ｄが洗い流される。更に図４
（ｅ）に示すようにスピンチャック２を回転させてスピ
ン乾燥を行い現像処理が終了する。このとき現像液Ｄと
洗浄液Ｒは液受部３４を介して排出口３５から排出され
る。
【００１９】上述の実施の形態によれば、図５に模式的
に示すように供給ノズル５１が当該供給ノズル５１と平
行なウェハＷの直径部を越えて前端側に向かって走査す
る際、ウェハＷの周縁を越えたときにウェハＷ上の現像
液Ｄは吐出口５３の移動により外側に引張られるが、液
切れが起こる前に吐出口５３からの液は液受け板３７に
達して一旦隙間を跨いだ状態となり、その後自重により
隙間を落下していく。現像液Ｄの落下時にもウェハＷ側
の現像液Ｄの寄り戻しは僅かながら起こるが、液受け板
３７がない場合のような大きな寄り戻しは起こらないの
で、ウェハＷ上の現像液Ｄは落ち着いた状態となってい
る。この結果ウェハＷ表面にある現像液Ｄに流れ、波立
ちの形成が抑えられる。更に本発明者らは現像により得
られるマスクパターンの線幅の均一性が向上したことを
確認している。また液受け板３７をウェハＷ表面よりも
低く設定した場合においては、前記隙間を跨いだ現像液
Ｄが落下するときの僅かな寄り戻しを抑えることができ
ると共に、仮に液受け板３７上にある現像液にパーティ
クル付着していたとしても、僅かな寄り戻しによってパ
ーティクルをウェハＷ側に引き込んでしまうのを効果的
に抑制することができる。なお、液受け板３７を２．５
ｍｍよりも低く設定すると、前記隙間を現像液Ｄが跨い
だときにウェハＷ周縁部の現像液Ｄが液受け板３７に向
かって流れてしまう懸念がある。
に示すように供給ノズル５１が当該供給ノズル５１と平
行なウェハＷの直径部を越えて前端側に向かって走査す
る際、ウェハＷの周縁を越えたときにウェハＷ上の現像
液Ｄは吐出口５３の移動により外側に引張られるが、液
切れが起こる前に吐出口５３からの液は液受け板３７に
達して一旦隙間を跨いだ状態となり、その後自重により
隙間を落下していく。現像液Ｄの落下時にもウェハＷ側
の現像液Ｄの寄り戻しは僅かながら起こるが、液受け板
３７がない場合のような大きな寄り戻しは起こらないの
で、ウェハＷ上の現像液Ｄは落ち着いた状態となってい
る。この結果ウェハＷ表面にある現像液Ｄに流れ、波立
ちの形成が抑えられる。更に本発明者らは現像により得
られるマスクパターンの線幅の均一性が向上したことを
確認している。また液受け板３７をウェハＷ表面よりも
低く設定した場合においては、前記隙間を跨いだ現像液
Ｄが落下するときの僅かな寄り戻しを抑えることができ
ると共に、仮に液受け板３７上にある現像液にパーティ
クル付着していたとしても、僅かな寄り戻しによってパ
ーティクルをウェハＷ側に引き込んでしまうのを効果的
に抑制することができる。なお、液受け板３７を２．５
ｍｍよりも低く設定すると、前記隙間を現像液Ｄが跨い
だときにウェハＷ周縁部の現像液Ｄが液受け板３７に向
かって流れてしまう懸念がある。
【００２０】また、本発明の他の実施の形態を以下に説
明する。まず液受け板３７は上述したリング状に限られ
ず、例えば図６（ａ）に示すように、馬蹄形状の液受け
板３７をウェハＷの直径部から前端に対応する位置に設
けるようにしても良い。又は図６（ｂ）に示すように、
ウェハＷよりも僅かに大きいウェハＷと相似形の開口部
が設けられた四角形状の液受け板３７を設けるようにし
ても良い。あるいは図６（ｃ）に示すようにウェハＷの
直径部から前端の周縁部に対応する位置に、四角形状の
液受け板３７を設ける構成であっても良い。更に液受け
板３７は、ウェハＷ周縁側に位置する内周縁が高く、外
周縁向かうに従って低くなるように傾斜している構成と
しても良い。このような構成においても、上述の場合と
同様に液の寄り戻しの力が低減され、ウェハＷに液盛さ
れた現像液Ｄに流れ、波立ちが形成されるのが抑えられ
る。
明する。まず液受け板３７は上述したリング状に限られ
ず、例えば図６（ａ）に示すように、馬蹄形状の液受け
板３７をウェハＷの直径部から前端に対応する位置に設
けるようにしても良い。又は図６（ｂ）に示すように、
ウェハＷよりも僅かに大きいウェハＷと相似形の開口部
が設けられた四角形状の液受け板３７を設けるようにし
ても良い。あるいは図６（ｃ）に示すようにウェハＷの
直径部から前端の周縁部に対応する位置に、四角形状の
液受け板３７を設ける構成であっても良い。更に液受け
板３７は、ウェハＷ周縁側に位置する内周縁が高く、外
周縁向かうに従って低くなるように傾斜している構成と
しても良い。このような構成においても、上述の場合と
同様に液の寄り戻しの力が低減され、ウェハＷに液盛さ
れた現像液Ｄに流れ、波立ちが形成されるのが抑えられ
る。
【００２１】続いて本発明の他の実施の形態を図７、図
８を用いて説明する。この実施の形態では液受け板３７
を設けるのではなく、供給ノズルの進行方向に向かうよ
うに吐出口７５が湾曲、例えば曲率がウェハＷの周縁と
同じ円弧状に形成された供給ノズル７４を設けた構成と
する。なお既述の実施の形態と共通する構成については
説明を省略する。
８を用いて説明する。この実施の形態では液受け板３７
を設けるのではなく、供給ノズルの進行方向に向かうよ
うに吐出口７５が湾曲、例えば曲率がウェハＷの周縁と
同じ円弧状に形成された供給ノズル７４を設けた構成と
する。なお既述の実施の形態と共通する構成については
説明を省略する。
【００２２】このような構成とした場合、供給ノズル７
４が現像液Ｄを供給しながら走査された際、図９（ａ）
に示すように上方向からみてウェハＷの直径部から前端
にかけての周縁と吐出口７５が一致した後、供給ノズル
７４はウェハＷの周縁から同時に離れていく。このため
現像液Ｄは点ではなくウェハＷ周縁に沿った線状で液切
れする。このため寄り戻しの力を分散して弱めることが
でき、上述の場合と同様の効果が得られる。また更に液
の寄り戻しを小さくするために前記ウェハＷの直径部か
ら前端にかけての周縁と吐出口７５が一致したときに、
現像液Ｄの供給を停止するように構成しても良い。
４が現像液Ｄを供給しながら走査された際、図９（ａ）
に示すように上方向からみてウェハＷの直径部から前端
にかけての周縁と吐出口７５が一致した後、供給ノズル
７４はウェハＷの周縁から同時に離れていく。このため
現像液Ｄは点ではなくウェハＷ周縁に沿った線状で液切
れする。このため寄り戻しの力を分散して弱めることが
でき、上述の場合と同様の効果が得られる。また更に液
の寄り戻しを小さくするために前記ウェハＷの直径部か
ら前端にかけての周縁と吐出口７５が一致したときに、
現像液Ｄの供給を停止するように構成しても良い。
【００２３】また前記吐出口７５の曲率は、ウェハＷの
周縁と同じに限られず、ウェハＷの直径ｄに対してπｄ
〜２πｄの範囲で設定しても良い。このような構成にお
いても、例えば図９（ｂ）に示すようにウェハＷの前端
を通過する際、ウェハＷの周縁に沿うように交わるの
で、現像液Ｄは点ではなくウェハＷ周縁に沿ってある程
度幅を持った線状で液切れする。このため寄り戻しの力
を分散して弱めることができ、上述の場合と同様の効果
が得られる。
周縁と同じに限られず、ウェハＷの直径ｄに対してπｄ
〜２πｄの範囲で設定しても良い。このような構成にお
いても、例えば図９（ｂ）に示すようにウェハＷの前端
を通過する際、ウェハＷの周縁に沿うように交わるの
で、現像液Ｄは点ではなくウェハＷ周縁に沿ってある程
度幅を持った線状で液切れする。このため寄り戻しの力
を分散して弱めることができ、上述の場合と同様の効果
が得られる。
【００２４】更に本発明の他の実施の形態として、ウェ
ハＷ表面に沿うように、ウェハＷ表面の後端側の周縁か
ら前端に向かう気流を形成するための気流形成手段８を
備えた構成としても良い。一例として図１０に示すよう
に、ウェハＷの前端から直径部の周縁に対応する半周に
亘って、ウェハＷの周縁と内カップ３２との間に昇降機
構８１により昇降自在な多数の通気管８２が設けられた
構成とし、現像液Ｄの液盛の際に、通気管８２の通気孔
８３をウェハＷ表面に対して例えば２ｍｍの高さ位置に
設定し、例えば供給ノズル５１の進行方向に向かうよう
に気体、例えば窒素ガスを流しても良い。なお既述の実
施の形態と共通する構成については説明を省略する。
ハＷ表面に沿うように、ウェハＷ表面の後端側の周縁か
ら前端に向かう気流を形成するための気流形成手段８を
備えた構成としても良い。一例として図１０に示すよう
に、ウェハＷの前端から直径部の周縁に対応する半周に
亘って、ウェハＷの周縁と内カップ３２との間に昇降機
構８１により昇降自在な多数の通気管８２が設けられた
構成とし、現像液Ｄの液盛の際に、通気管８２の通気孔
８３をウェハＷ表面に対して例えば２ｍｍの高さ位置に
設定し、例えば供給ノズル５１の進行方向に向かうよう
に気体、例えば窒素ガスを流しても良い。なお既述の実
施の形態と共通する構成については説明を省略する。
【００２５】このような構成によれば、供給ノズル５１
がウェハＷの直径部から前端に亘って走査されながら現
像液Ｄを供給する際、ウェハＷと供給ノズル５１の吐出
口５３との間にその表面張力により跨る現像液Ｄが液切
れした際に生じる液の寄り戻しの力をこの気体の風圧で
押さえて弱めることができる。このためウェハＷに液盛
された現像液Ｄに流れ、波立ちが形成されるのが抑えら
れ、現像後に均一性の高いマスクパターンが得られる。
がウェハＷの直径部から前端に亘って走査されながら現
像液Ｄを供給する際、ウェハＷと供給ノズル５１の吐出
口５３との間にその表面張力により跨る現像液Ｄが液切
れした際に生じる液の寄り戻しの力をこの気体の風圧で
押さえて弱めることができる。このためウェハＷに液盛
された現像液Ｄに流れ、波立ちが形成されるのが抑えら
れ、現像後に均一性の高いマスクパターンが得られる。
【００２６】この気流形成手段８は上述の構成に限られ
ず、例えば予め実験を行って液の寄り戻しが作用する方
向を把握し、その方向に対向するように気流が形成され
る位置に通気管８２を配列するようにしても良い。更に
通気管８２に図示しない吸引機構を接続して吸引するこ
とにより気流を形成する構成としても良い。このような
構成においても液の寄り戻しの力を気体の風圧で弱める
ことができ、上述の場合と同様の効果が得られる。
ず、例えば予め実験を行って液の寄り戻しが作用する方
向を把握し、その方向に対向するように気流が形成され
る位置に通気管８２を配列するようにしても良い。更に
通気管８２に図示しない吸引機構を接続して吸引するこ
とにより気流を形成する構成としても良い。このような
構成においても液の寄り戻しの力を気体の風圧で弱める
ことができ、上述の場合と同様の効果が得られる。
【００２７】更にまた気流形成手段８は、例えばウェハ
Ｗの直径部から前端の周縁部に対応する半周に亘って、
開閉自在の自動バルブ８５が各々接続された通気管８２
が設けられ、その先端は図１１に示すような短い円弧形
状の通気口８４に形成された構成とし、例えばシーケン
ス制御により供給ノズル５１が通過したタイミングに合
わせて自動バルブ８５を開閉させて各通気口８４から順
次パージガスを上方に向かって流すようにしても良い。
このような構成においては、ウェハＷの周縁と供給ノズ
ル５１の吐出口５３との間に跨る現像液Ｄが液切れする
程に引張られる前に、気体で順次切ることにより寄り戻
しの力を弱めることができ、このためウェハＷに液盛さ
れた現像液Ｄに流れ、波立ちが形成されるのが抑えら
れ、上述と同様の効果が得られる。
Ｗの直径部から前端の周縁部に対応する半周に亘って、
開閉自在の自動バルブ８５が各々接続された通気管８２
が設けられ、その先端は図１１に示すような短い円弧形
状の通気口８４に形成された構成とし、例えばシーケン
ス制御により供給ノズル５１が通過したタイミングに合
わせて自動バルブ８５を開閉させて各通気口８４から順
次パージガスを上方に向かって流すようにしても良い。
このような構成においては、ウェハＷの周縁と供給ノズ
ル５１の吐出口５３との間に跨る現像液Ｄが液切れする
程に引張られる前に、気体で順次切ることにより寄り戻
しの力を弱めることができ、このためウェハＷに液盛さ
れた現像液Ｄに流れ、波立ちが形成されるのが抑えら
れ、上述と同様の効果が得られる。
【００２８】以上において、既述した液受け板３７、円
弧状の供給ノズル７４および気流形成手段８の構成は互
いに組み合わせても良く、例えば液受け板３７を設け、
円弧状の供給ノズル７４で液盛するように構成しても良
いし、液受け板３７と気流形成手段８を設けた構成、あ
るいは円弧状の供給ノズル７４と気流形成手段８設けた
構成でも良い。更には液受け板３７、円弧状の供給ノズ
ル７４および気流形成手段８の全てを備えた構成であっ
ても良い。
弧状の供給ノズル７４および気流形成手段８の構成は互
いに組み合わせても良く、例えば液受け板３７を設け、
円弧状の供給ノズル７４で液盛するように構成しても良
いし、液受け板３７と気流形成手段８を設けた構成、あ
るいは円弧状の供給ノズル７４と気流形成手段８設けた
構成でも良い。更には液受け板３７、円弧状の供給ノズ
ル７４および気流形成手段８の全てを備えた構成であっ
ても良い。
【００２９】次に上述の現像装置を例えば現像ユニット
に組み込んだ塗布・現像装置の一例について図１２及び
図１３を参照しながら説明する。図１２及び図１３中、
９１は例えば２５枚のウエハＷが収納されたカセットＣ
を搬入出するためのカセットステーションであり、この
カセットステーション９１には前記カセットＣを載置す
る載置部９１ａと、カセットＣからウエハＷを取り出す
ための受け渡し手段９２とが設けられている。カセット
ステーション９１の奥側には、例えばカセットステーシ
ョン９１から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユ
ニットＵ１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系の
ユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ２，Ｕ３，
Ｕ４が夫々配置されていると共に、塗布・現像系ユニッ
トＵ１と棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４との間でウエハＷ
の受け渡しを行うための搬送アームＭＡが設けられてい
る。但し図１２では便宜上受け渡し手段９２、ユニット
Ｕ２及び搬送アームＭＡは描いていない。
に組み込んだ塗布・現像装置の一例について図１２及び
図１３を参照しながら説明する。図１２及び図１３中、
９１は例えば２５枚のウエハＷが収納されたカセットＣ
を搬入出するためのカセットステーションであり、この
カセットステーション９１には前記カセットＣを載置す
る載置部９１ａと、カセットＣからウエハＷを取り出す
ための受け渡し手段９２とが設けられている。カセット
ステーション９１の奥側には、例えばカセットステーシ
ョン９１から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユ
ニットＵ１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系の
ユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ２，Ｕ３，
Ｕ４が夫々配置されていると共に、塗布・現像系ユニッ
トＵ１と棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４との間でウエハＷ
の受け渡しを行うための搬送アームＭＡが設けられてい
る。但し図１２では便宜上受け渡し手段９２、ユニット
Ｕ２及び搬送アームＭＡは描いていない。
【００３０】塗布・現像系のユニットＵ１においては、
例えば上段には２個の上述の現像装置を備えた現像ユニ
ット９３が、下段には２個の塗布装置を備えた塗布ユニ
ット９４が設けられている。棚ユニットＵ２,Ｕ３,Ｕ４
においては、加熱ユニットや冷却ユニットのほか、ウエ
ハの受け渡しユニットや疎水化処理ユニット等が上下に
割り当てされている。
例えば上段には２個の上述の現像装置を備えた現像ユニ
ット９３が、下段には２個の塗布装置を備えた塗布ユニ
ット９４が設けられている。棚ユニットＵ２,Ｕ３,Ｕ４
においては、加熱ユニットや冷却ユニットのほか、ウエ
ハの受け渡しユニットや疎水化処理ユニット等が上下に
割り当てされている。
【００３１】この搬送アームＭＡや塗布・現像系ユニッ
トＵ１等が設けられている部分を処理ブロックと呼ぶこ
とにすると、当該処理ブロックはインタ−フェイスユニ
ット９５を介して露光ブロック９６と接続されている。
インタ−フェイスユニット９５はウエハＷの受け渡し手
段９７により前記処理ブロックと露光ブロック９６との
間でウエハＷの受け渡しを行うものである。
トＵ１等が設けられている部分を処理ブロックと呼ぶこ
とにすると、当該処理ブロックはインタ−フェイスユニ
ット９５を介して露光ブロック９６と接続されている。
インタ−フェイスユニット９５はウエハＷの受け渡し手
段９７により前記処理ブロックと露光ブロック９６との
間でウエハＷの受け渡しを行うものである。
【００３２】この装置のウエハの流れについて説明する
と、先ず外部からウエハＷが収納されたウエハカセット
Ｃが載置部９１ａに載置され、受け渡し手段９２により
カセットＣ内からウエハＷが取り出され、既述の加熱・
冷却ユニットＵ３の棚の一つである受け渡し台を介して
搬送アームＭＡに受け渡される。次いでユニットＵ３の
一の棚の処理部内にて疎水化処理が行われた後、塗布ユ
ニット９４にてレジスト液が塗布され、レジスト膜が形
成される。レジスト膜が塗布されたウエハＷは加熱ユニ
ットで加熱された後、ユニットＵ４のインターフェース
ユニット９５の受け渡し手段９７と受渡し可能な冷却ユ
ニットに搬送され、処理後にインタ−フェイスユニット
９５，受け渡し手段９７を介して露光装置９６に送ら
れ、ここでパタ−ンに対応するマスクを介して露光が行
われる。露光処理後のウエハを受け渡し手段９７で受け
取り、ユニットＵ４の受け渡しユニットを介して処理ブ
ロックのウエハ搬送アームＭＡに渡す。
と、先ず外部からウエハＷが収納されたウエハカセット
Ｃが載置部９１ａに載置され、受け渡し手段９２により
カセットＣ内からウエハＷが取り出され、既述の加熱・
冷却ユニットＵ３の棚の一つである受け渡し台を介して
搬送アームＭＡに受け渡される。次いでユニットＵ３の
一の棚の処理部内にて疎水化処理が行われた後、塗布ユ
ニット９４にてレジスト液が塗布され、レジスト膜が形
成される。レジスト膜が塗布されたウエハＷは加熱ユニ
ットで加熱された後、ユニットＵ４のインターフェース
ユニット９５の受け渡し手段９７と受渡し可能な冷却ユ
ニットに搬送され、処理後にインタ−フェイスユニット
９５，受け渡し手段９７を介して露光装置９６に送ら
れ、ここでパタ−ンに対応するマスクを介して露光が行
われる。露光処理後のウエハを受け渡し手段９７で受け
取り、ユニットＵ４の受け渡しユニットを介して処理ブ
ロックのウエハ搬送アームＭＡに渡す。
【００３３】この後ウエハＷは加熱ユニットで所定温度
に加熱され、しかる後冷却ユニットで所定温度に冷却さ
れ、続いて例えば図１〜図３で示した装置を備えた現像
ユニット９３に送られて現像処理され、レジストのマス
クパターンが形成される。しかる後ウエハＷは載置部９
１ａ上のカセットＣ内に戻される。また本発明は、被処
理基板に半導体ウエハ以外の基板、例えばＬＣＤ基板、
フォトマスク用レチクル基板の現像処理にも適用でき
る。
に加熱され、しかる後冷却ユニットで所定温度に冷却さ
れ、続いて例えば図１〜図３で示した装置を備えた現像
ユニット９３に送られて現像処理され、レジストのマス
クパターンが形成される。しかる後ウエハＷは載置部９
１ａ上のカセットＣ内に戻される。また本発明は、被処
理基板に半導体ウエハ以外の基板、例えばＬＣＤ基板、
フォトマスク用レチクル基板の現像処理にも適用でき
る。
【発明の効果】以上のように本発明によれば、レジスト
が塗布されて、露光処理が施された基板を現像処理する
際、基板表面にある現像液膜に流れおよび波立ちが形成
されるのを抑えて、基板の表面に現像液を供給すること
ができる。このため現像により得られるマスクパターン
の線幅の均一性が向上する。
が塗布されて、露光処理が施された基板を現像処理する
際、基板表面にある現像液膜に流れおよび波立ちが形成
されるのを抑えて、基板の表面に現像液を供給すること
ができる。このため現像により得られるマスクパターン
の線幅の均一性が向上する。
【図１】本発明に係る現像液装置の実施の形態を表す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に係る現像装置の実施の形態を表す平面
図である。
図である。
【図３】本発明に係る現像装置の現像液供給部を示す側
面図である。
面図である。
【図４】本発明に係る現像装置の現像処理を示す工程図
である。
である。
【図５】本発明に係る現像装置の現像液供給手法を示す
説明図である。
説明図である。
【図６】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示す
説明図である。
説明図である。
【図７】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示す
平面図である。
平面図である。
【図８】本発明に係る現像装置の他の実施の形態の供給
ノズルを示す斜視図である。
ノズルを示す斜視図である。
【図９】本発明に係る現像装置の他の実施の形態の現像
液供給手法を示す説明図である。
液供給手法を示す説明図である。
【図１０】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１１】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１２】前記現像装置を組み込んだ塗布・現像装置の
一例を示す斜視図である。
一例を示す斜視図である。
【図１３】前記現像装置を組み込んだ塗布・現像装置の
一例を示す平面図である。
一例を示す平面図である。
【図１４】従来技術に係る現像液の供給方法を示す説明
図である。
図である。
【図１５】従来技術に係る現像液の供給方法を示す説明
図である。
図である。
Ｗ ウエハ
Ｄ 現像液
Ｒ 洗浄液
２ スピンチャック
３１ 外カップ
３２ 内カップ
３７ 液受け板
３８ 通流孔
５１ 供給ノズル
６ ガイドレール
７１ 洗浄ノズル
７４ 供給ノズル
８ 気流形成手段
８２ 通気管
８３ 通気孔
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年１１月２日（２００１．１１．
２）
２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】本発明に係る現像装置の実施の形態を表す断面
図である。
図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 吉原 孝介
東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放
送センター 東京エレクトロン株式会社内
(72)発明者 京田 秀治
東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放
送センター 東京エレクトロン株式会社内
(72)発明者 竹口 博史
東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放
送センター 東京エレクトロン株式会社内
Ｆターム(参考） 2H096 AA25 GA29 GA30 GA31
5F046 LA03 LA04 LA06 LA14
Claims (14)
- 【請求項１】 表面にレジストが塗布されて、露光処理
がされた基板を現像する現像装置において、 前記基板を水平に保持する基板保持部と、 基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘っ
て吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するため
の供給ノズルと、 この供給ノズルを基板の後端側から前端側に亘って移動
させる移動機構と、 現像液をその裏面側に通過させる通流孔が設けられると
共に、基板表面と同じか僅かに低い高さ位置にて、少な
くとも基板の前縁側に基板の前縁と僅かな離間距離をも
って設けられた液受け板と、を備えたことを特徴とする
現像装置。 - 【請求項２】 基板は半導体ウェハであり、液受け板は
供給ノズルと平行な半導体ウェハの直径よりも前方側の
周縁を囲むように設けられたことを特徴とする請求項１
記載の現像装置。 - 【請求項３】 基板保持部に保持された基板を囲むよう
に昇降自在に設けられたカップを備え、液受け板はカッ
プの上部周縁に設けられることを特徴とする請求項１又
は２記載の現像装置。 - 【請求項４】 基板と液受け板の離間距離は０．５ｍｍ
〜３ｍｍであることを特徴とする請求項１ないし３のい
ずれかに記載の現像装置。 - 【請求項５】 液受け板は、基板表面から０．３ｍｍ〜
２．５ｍｍ低い位置に設けられることを特徴とする請求
項１ないし４のいずれかに記載の現像装置。 - 【請求項６】 液受け板は、基板の周縁に位置する側が
高く、離れるに従い低くなるように傾斜していることを
特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の現像装
置。 - 【請求項７】 表面にレジストが塗布されて、露光処理
がされた基板を現像する現像装置において、 前記基板を水平に保持する基板保持部と、 基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘っ
て吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するため
の供給ノズルと、 この供給ノズルを基板の後端側から前端側に亘って移動
させる移動機構と、を備え、 前記吐出口は左右両側が中央部よりも後方側に位置する
ように湾曲していることを特徴とする現像装置。 - 【請求項８】 表面にレジストが塗布されて、露光処理
がされた基板を現像する現像装置において、 前記基板を水平に保持する基板保持部と、 基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘っ
て吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するため
の供給ノズルと、 この供給ノズルを基板の後端側から前端側に亘って移動
させる移動機構と、 基板上の現像液の液流を抑制するために基板表面に沿っ
て気流を形成するための気流形成手段と、を備えたこと
を特徴とする現像装置。 - 【請求項９】 前記気流形成手段は、基板の周縁に沿っ
て通気孔が配列されると共に昇降自在に設けられたこと
を特徴とする請求項８記載の現像装置。 - 【請求項１０】 基板表面にレジストが塗布されて、露
光処理がされた基板を現像する現像方法において、 前記基板を基板保持部に水平に保持する工程と、 次いで通流孔が設けられた液受け板を、供給ノズルの移
動方向において少なくとも基板の前縁側に僅かな離間距
離をもってかつその表面と基板表面とが同じか僅かに低
い高さになるように位置させる工程と、 その後基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さ
に亘って吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給す
るための供給ノズルを、基板の後端側から前端側に亘っ
て移動させながら現像液を吐出し、基板の外側に位置す
る吐出口からの現像液を液受け板の通流孔を介して裏面
側に通過させながら基板表面に現像液を塗布する工程
と、を備えたことを特徴とする現像方法。 - 【請求項１１】 液受け板は、基板保持部に保持された
基板を囲む昇降自在なカップの上部周縁に設けられたこ
とを特徴とする請求項１０記載の現像方法。 - 【請求項１２】 前記離間距離は基板と液受け板との間
に０．５ｍｍ〜３ｍｍの隙間を設けることを特徴とする
請求項１０又は１１記載の現像方法。 - 【請求項１３】 液受け板は、基板表面から０．３ｍｍ
〜２．５ｍｍ低い位置に設けられることを特徴とする請
求項１０ないし１２のいずれかに記載の現像方法。 - 【請求項１４】 液受け板は、基板の周縁に位置する側
が高く、離れるに従い低くなるように傾斜していること
を特徴とする請求項１０ないし１３のいずれかに記載の
現像方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2001322003A JP3718647B2 (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | 現像装置及び現像方法 |
| US10/271,588 US6709174B2 (en) | 2001-10-19 | 2002-10-17 | Apparatus and method for development |
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|---|---|---|---|
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| JP2005214805A Division JP3920897B2 (ja) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | 現像装置及び現像方法 |
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|---|---|
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| KR100954895B1 (ko) * | 2003-05-14 | 2010-04-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 박막제거장치 및 박막제거방법 |
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| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
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| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
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2001
- 2001-10-19 JP JP2001322003A patent/JP3718647B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-10-17 US US10/271,588 patent/US6709174B2/en not_active Expired - Lifetime
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