KR102206900B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102206900B1
KR102206900B1 KR1020180154892A KR20180154892A KR102206900B1 KR 102206900 B1 KR102206900 B1 KR 102206900B1 KR 1020180154892 A KR1020180154892 A KR 1020180154892A KR 20180154892 A KR20180154892 A KR 20180154892A KR 102206900 B1 KR102206900 B1 KR 102206900B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas output
output holes
shutter
central axis
gas
Prior art date
Application number
KR1020180154892A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190066594A (ko
Inventor
히로아키 치하야
히로시 소네
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20190066594A publication Critical patent/KR20190066594A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102206900B1 publication Critical patent/KR102206900B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5846—Reactive treatment
    • C23C14/5853—Oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

[과제] 기판 처리 장치를 제공한다.
[해결 수단] 일 실시 형태의 기판 처리 장치는 지지대를 구비한다. 지지대는 기판 탑재 영역을 제공한다. 셔터를 지지한 회전축이 지지대로부터 떨어져 연직 방향으로 연장하고 있다. 회전축의 중심축선 주위의 회전에 의해, 셔터는 지지대의 위쪽의 제 1 영역과 지지대로부터 떨어진 제 2 영역의 사이에서 이동한다. 셔터는 관을 갖는다. 관은 아래쪽을 향해 개구된 복수의 가스 출력 구멍을 제공하고 있다. 셔터가 제 1 영역 내에 배치되고 있을 때에, 복수의 가스 출력 구멍의 배열은, 제 2 영역으로부터 제 1 영역을 향하는 회전 방향에 있어서, 탑재 영역에 대해서 외측에 위치한다. 중심축선과 복수의 가스 출력 구멍 사이의 최소 거리는 중심축선과 탑재 영역 사이의 최소 거리 이하이다. 중심축선과 복수의 가스 출력 구멍 사이의 최대 거리는 중심축선과 탑재 영역 사이의 최대 거리 이상이다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 개시의 실시 형태는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
전자 디바이스의 제조에 있어서는, 기판 처리가 행해진다. 기판 처리에서는, 기판이 챔버 내에 마련된 지지대 상에 탑재된다. 그리고, 지지대 상의 기판에 가스가 공급된다. 기판 처리에서는, 기판의 전면(全面), 즉 지지대측의 이면과는 반대측의 기판의 표면을 처리하기 위해서, 기판의 전면에 대해서 가스가 공급될 필요가 있다.
기판 처리를 위한 기판 처리 장치는, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 설명되어 있다. 특허문헌 1의 기판 처리 장치에서는, 지지대인 기판 홀더 상에 기판이 탑재된다. 기판 홀더 상의 기판에는, 복수의 가스 출력 구멍으로부터 가스가 공급된다. 복수의 가스 출력 구멍의 개구단은 기판에 대면하고 있고, 직선 상에 배열되어 있다. 복수의 가스 출력 구멍으로부터의 가스가 기판의 전면에 공급되도록, 기판 홀더는 회전된다.
특허문헌 2의 기판 처리 장치는 물리 증착에 의한 성막 장치이다. 특허문헌 2의 기판 처리 장치에서는, 챔버, 지지대, 및 헤드를 구비한다. 지지대는 챔버 내에 마련되어 있다. 지지대 상에 탑재된 기판 상에는, 물리 증착에 의해 금속막이 형성된다. 또, 헤드의 복수의 가스 출력 구멍으로부터 산화 가스가 기판에 공급됨으로써, 금속막으로부터 금속 산화막이 형성된다. 복수의 가스 출력 구멍의 개구단은 직선 상에 배열되어 있다. 복수의 가스 출력 구멍으로부터의 가스가 기판의 전면에 공급되도록, 지지대는 회전된다.
특허문헌 1 : 일본 공개 특허 공보 제 2004-076150호 특허문헌 2 : 국제 공개 공보 WO2015/064194
기판 처리 장치는 지지대를 회전시키기 위한 기구, 즉 회전 기구를 가질 수 없는 경우가 있다. 이러한 경우에도, 기판의 전면, 즉 지지대측의 이면과는 반대측의 기판의 표면의 전체에 가스를 공급하는 것을 가능하게 하는 것이 요구된다.
일 형태에 있어서는, 기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 챔버, 지지대, 셔터, 회전축, 및 구동 장치를 구비한다. 챔버는 내부 공간을 제공하고 있다. 지지대는 탑재 영역을 갖는다. 탑재 영역 상에는, 원반 형상을 갖는 기판을 탑재 가능하다. 지지대는 내부 공간 내에 배치되어 있다. 셔터는 관을 갖는다. 관은 복수의 가스 출력 구멍을 제공하고 있고, 복수의 가스 출력 구멍은 아래쪽을 향해서 개구되어 있다. 셔터는 지지대의 위쪽의 제 1 영역 내에 배치되어 있을 때, 탑재 영역을 덮도록 구성되어 있다. 회전축은 지지대로부터 떨어져 있고, 연직 방향으로 연장하고 있다. 회전축은 셔터를 지지하고 있다. 구동 장치는 회전축을 그 중심축선의 주위에서 회전시켜서, 제 1 영역과 제 2 영역 사이에서 셔터를 이동시키도록 구성되어 있다. 제 2 영역은 지지대로부터 떨어져 있다. 복수의 가스 출력 구멍은 셔터 내의 기준점과 중심축선을 포함하는 기준 평면에 대해서, 제 2 영역으로부터 제 1 영역을 향하는 회전 방향(이하, 「제 1 회전 방향」이라고 한다)의 측에 마련되어 있다. 기준점은 제 1 영역 내에 셔터가 배치되어 있을 때, 탑재 영역의 중심에 대면한다. 복수의 가스 출력 구멍의 개구단은 제 1 회전 방향으로 돌출하는 곡선, 또는, 제 1 회전 방향으로 돌출하는 곡선 상에서 배열되어 있다. 기준점을 포함해서 연직 방향으로 연장하는 기준선과 복수의 가스 출력 구멍의 각각의 사이의 거리는 탑재 영역의 반경보다 크다. 중심축선과 복수의 가스 출력 구멍의 사이의 최소 거리는 중심축선과 탑재 영역의 사이의 최소 거리 이하이다. 중심축선과 복수의 가스 출력 구멍의 사이의 최대 거리는 중심축선과 탑재 영역의 사이의 최대 거리 이상이다.
일 형태에 따른 기판 처리 장치에서는, 복수의 가스 출력 구멍 중 회전축의 중심축선에 가장 가까운 가스 출력 구멍이 회전축의 회전에 의해 이동하는 궤적의 반경은, 해당 중심축선과 탑재 영역의 사이의 최소 거리 이하이다. 또, 복수의 가스 출력 구멍 중 회전축의 중심축선으로부터 가장 떨어진 가스 출력 구멍이 회전축의 회전에 의해 이동하는 궤적의 반경은, 회전축의 중심축선과 탑재 영역의 사이의 최대 거리 이상이다. 따라서, 회전축이 회전하면, 복수의 가스 출력 구멍으로부터의 가스가 기판의 전면, 즉 지지대측의 이면과는 반대측의 기판의 표면의 전체에 조사된다.
또, 셔터가 제 1 영역 내에 배치되어 있을 때, 복수의 가스 출력 구멍의 개구단은 제 1 회전 방향에 대해 탑재 영역에 대해서 외측에 위치한다. 따라서, 제 1 영역을 넘어서 제 1 회전 방향으로 셔터를 이동시키지 않고, 복수의 가스 출력 구멍으로부터의 가스를 기판의 전면에 공급할 수 있다. 즉, 제 1 회전 방향과 반대의 제 2 회전 방향으로 제 1 영역으로부터 셔터를 이동시키고, 및/또는, 제 1 회전 방향으로 제 1 영역까지 셔터를 이동시킴으로써, 복수의 가스 출력 구멍으로부터의 가스를 기판의 전면에 공급할 수 있다. 고로, 제 1 영역에 대해서 제 1 회전 방향 측의 내부 공간의 사이즈가 작아도, 복수의 가스 출력 구멍으로부터의 가스를 기판의 전면에 공급할 수 있다.
일 실시 형태에서는, 셔터의 관은 원호를 따라 연장하는 관이다. 복수의 가스 출력 구멍의 개구단은, 기준선을 그 곡률 중심으로서 갖는 원호 상에서 배열되어 있다.
일 실시 형태에 있어서, 관은 그것으로부터 해당 관 내에 가스가 도입되는 입구를, 복수의 가스 출력 구멍에 대해서 중심축선의 측에 제공하고 있다. 복수의 가스 출력 구멍 중 임의의 2개의 이웃하는 가스 출력 구멍인 2개의 제 1 가스 출력 구멍 간의 소정 방향에 있어서의 거리는, 복수의 가스 출력 구멍 중 2개의 제 1 가스 출력 구멍보다 관 내에서 입구에 가까운 임의의 2개의 서로 이웃하는 가스 출력 구멍인 제 2 가스 출력 구멍 간의 소정 방향에 있어서의 거리보다 작다. 소정 방향은 기준 평면에 평행하며 또한 상기 중심축선에 직교하는 방향이다. 입구로부터 먼 가스 출력 구멍으로부터 출력되는 가스의 유량은, 입구에 가까운 가스 출력 구멍으로부터 출력되는 가스의 유량보다 적다. 이 실시 형태에서는, 입구에 가까운 부분보다 입구에서 먼 부분에 있어서 가스 출력 구멍이 소정 방향을 따라 밀하게 마련되어 있다. 따라서, 이 실시 형태에 따르면, 복수의 가스 출력 구멍으로부터 출력되는 가스의 양의 중심축선에 직교하는 방향에 있어서의 분포가 비교적 균일한 분포로 된다. 그 결과, 기판 처리의 면내 균일성이 향상된다.
일 실시 형태에 있어서, 기판 처리 장치는 지지대 및 제 1 영역의 위쪽에서 타겟을 유지하는 홀더와, 홀더에 전압을 인가하는 전원을 더 구비한다. 이 실시 형태에서는, 기판 처리 장치는 성막 장치이다. 셔터가 제 2 영역 내에 퇴피하고 있는 상태에서는, 타켓으로부터 방출되는 입자에 의해, 기판 상에 막이 형성된다. 셔터가 제 1 영역 내에 배치되어 있는 상태에서는, 기판 상의 막이 복수의 가스 출력 구멍으로부터 공급되는 가스에 의해 처리된다.
이상 설명한 바와 같이, 지지대의 회전 기구를 갖지 않은 기판 처리 장치에 있어서, 기판의 전면, 즉 지지대측의 이면과는 반대측의 기판의 표면의 전체에 가스를 공급하는 것이 가능해진다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이며, 셔터가 제 1 영역에 배치되어 있는 상태를 나타내는 도면이다.
도 2는 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이며, 셔터가 제 2 영역에 배치되어 있는 상태를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 III－III 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1~도 3에 나타내는 기판 처리 장치의 셔터 및 회전축을 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 1~도 3에 나타내는 기판 처리 장치의 셔터, 회전축, 및 구동 장치의 측면도이다.
도 6은 도 4 및 도 5에 나타내는 셔터의 관을 나타내는 평면도이다.
도 7은 복수의 가스 출력 구멍, 회전축, 및 탑재 영역의 위치 관계를 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 4 및 도 5에 나타내는 셔터의 관이 주사되어 있는 형태를 나타내는 평면도이다.
이하, 도면을 참조해서 여러 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일 또는 상당한 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여한다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이며, 셔터가 제 1 영역에 배치되어 있는 상태를 나타내는 도면이다. 도 2는 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이며, 셔터가 제 2 영역에 배치되어 있는 상태를 나타내는 도면이다. 도 3은 도 2의 III－III 선을 따라서 절단한 단면도이다. 도 3에 있어서는, 기판 처리 장치의 셔터, 회전축, 및 구동 장치는 생략되어 있다. 도 1~도 3에 나타내는 기판 처리 장치(10)는 챔버(12), 지지대(14), 셔터(16), 회전축(18), 및 구동 장치(20)를 구비하고 있다.
챔버(12)는 내부 공간(IS)을 제공하고 있다. 내부 공간(IS)은 제 1 공간(S1) 및 제 2 공간(S2)을 포함하고 있다. 제 1 공간(S1)은 그 내부에서 기판 처리가 행해지는 공간이다. 제 2 공간(S2)은 제 1 공간(S1)에 대해서 측방에 제공되어 있다. 후술하는 바와 같이, 제 1 공간(S1) 내로부터 퇴피한 셔터(16)는 제 2 공간(S2) 내의 제 2 영역(R2) 내에 배치된다.
일 실시 형태에 있어서, 챔버(12)는 챔버 본체(22) 및 덮개(24)를 갖고 있다. 챔버 본체(22)는 알루미늄이라고 하는 금속으로 형성되어 있다. 챔버 본체(22)의 상단은 부분적으로 개구되어 있다. 덮개(24)는 알루미늄이라고 하는 금속으로 형성되어 있다. 덮개(24)는 챔버 본체(22)의 상단의 개구를 막도록, 챔버 본체(22) 상에 마련되어 있다. 제 1 공간(S1)은 챔버 본체(22)와 덮개(24)에 의해 구획되어 있다. 제 2 공간(S2)은 챔버 본체(22)에 의해 구획되어 있다. 챔버 본체(22)는 격벽(22p)을 포함하고 있다. 격벽(22p)은 제 1 공간(S1)과 제 2 공간(S2) 사이에서 연장하고 있다. 격벽(22p)에는, 개구(22a)가 형성되어 있다. 셔터(16)는 제 1 공간(S1)과 제 2 공간(S2)의 사이에서 이동할 때에, 개구(22a)를 통과한다. 기판 처리 장치(10)에서는, 이 개구(22a)를 개폐 가능하게 구성된 부재가 마련되어 있어도 좋다.
지지대(14)는 내부 공간(IS)의 제 1 공간(S1) 내에 마련되어 있다. 지지대(14)는 부재(26)에 의해 지지되어 있다. 부재(26)는 챔버 본체(22)의 바닥부로부터 위쪽으로 연장하고 있다. 지지대(14)의 상면은, 탑재 영역(MR)을 포함하고 있다. 탑재 영역(MR)은 그 위에 기판(W)을 탑재 가능한 영역이다. 탑재 영역(MR) 상에는, 기판(W)이 대략 수평인 상태로 탑재된다. 기판(W)은, 웨이퍼와 같이 원반 형상을 가지고 있다. 탑재 영역(MR)은 원형 형상을 갖고 있다. 탑재 영역(MR)은 기판(W)의 직경과 대략 동일한 직경을 갖는다.
일 실시 형태에 있어서, 기판 처리 장치(10)는 성막 장치이다. 이 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(10)는 물리 증착에 의해 기판(W) 상에 막을 형성하도록 구성되어 있다. 구체적으로, 이 실시 형태에 있어서, 기판 처리 장치(10)는 1개 이상의 홀더(30)를 구비하고 있다. 1개 이상의 홀더(30)의 각각은 금속으로 형성되어 있다. 1개 이상의 홀더(30)의 각각은 부재(32)를 통해서 덮개(24)에 지지되어 있다. 부재(32)는 절연성을 갖는다. 1개 이상의 홀더(30)의 각각은 지지대(14) 및 후술하는 제 1 영역(R1)의 위쪽에서 타겟(34)을 유지한다. 타겟(34)은 기판(W) 상에 퇴적되어야 할 재료로 구성되어 있다.
일례에 있어서, 기판 처리 장치(10)는 4개의 홀더(30)를 구비할 수 있다. 이 예에서는, 4개의 홀더(30)는 축선(AXM) 중심의 원추면을 따라 4개의 타겟(34)을 배열하도록, 마련되어 있다. 축선(AXM)은 탑재 영역(MR)의 중심(CM)을 포함하고, 연직 방향으로 연장하고 있다.
1개 이상의 홀더(30)에는, 1개 이상의 전원(36)이 각각 전기적으로 접속되어 있다. 1개 이상의 전원(36)의 각각은 대응의 홀더(30)에 인가되는 전압을 발생한다. 1개 이상의 전원(36)으로부터의 전압은, 1개 이상의 홀더(30)를 통해서 1개 이상의 타겟(34)에 인가된다. 1개 이상의 전원(36)의 각각은 직류 전원이어도 좋고, 고주파 전원이어도 좋다. 1개 이상의 전원(36)의 각각이 고주파 전원인 경우에는, 1개 이상의 전원(36)의 각각은, 정합기를 통해서 홀더(30)에 접속된다. 정합기는 그 부하측의 인피던스를 정합 포인트에 가깝게 하거나 또는 일치시키도록 구성되어 있다. 또한, 복수의 홀더(30)에 단일의 전원(36)이 전기적으로 접속되고, 해당 단일의 전원(36)으로부터 복수의 홀더(30)에 전압이 인가되어도 좋다.
기판 처리 장치(10)는 1개 이상의 캐소드 마그넷(38)을 더 구비할 수 있다. 1개 이상의 캐소드 마그넷(38)의 각각은 대응의 홀더(30)를 통해서 대응의 타겟(34)과 대치하도록, 덮개(24)의 외측에 마련되어 있다. 1개 이상의 캐소드 마그넷(38)의 각각에는, 마그넷 구동부(38d)가 접속되어 있다.
챔버(12)에는, 포트(12p)가 마련되어 있다. 일 실시 형태에서는, 포트(12p)는 덮개(24)에 마련되어 있다. 포트(12p)는 내부 공간(IS)의 제 1 공간(S1)에 가스를 도입하기 위한 유로를 제공하고 있다. 포트(12p)에는, 가스 공급부(40)가 접속된다. 가스 공급부(40)로부터는, 포트(12p)를 통해서 내부 공간(IS)의 제 1 공간(S1)에 가스가 공급된다. 제 1 공간(S1)에 공급되는 가스는, 희가스 또는 질소 가스라고 하는 불활성 가스일 수 있다.
챔버(12)에는, 배기 장치(42)가 접속되어 있다. 배기 장치(42)는 내부 공간(IS) 내의 압력이 지정된 압력으로 설정하도록 구성되어 있다. 배기 장치(42)는, 압력 조정 밸브라고 하는 압력 제어기, 및 터보 분자 펌프, 드라이 펌프라고 하는 감압 펌프를 갖는다.
기판 처리 장치(10)에 있어서 물리 증착에 의해 기판(W) 상에 막을 형성할 때에는, 셔터(16)는 제 2 공간(S2) 내의 제 2 영역(R2) 내에 배치된다. 그리고, 기판(W)이 탑재 영역(MR) 상에 탑재된다. 그리고, 가스 공급부(40)로부터, 내부 공간(IS)의 제 1 공간(S1)에 가스가 공급되고, 내부 공간(IS)의 압력이 지정된 압력으로 배기 장치(42)에 의해 설정된다. 또한, 1개 이상의 전원(36)으로부터 1개 이상의 타겟(34)에 전압이 인가된다. 또, 1개 이상의 마그넷 구동부(38d)에 의해 캐소드 마그넷(38)이 구동된다. 그 결과, 플라즈마가, 1개 이상의 타겟(34)의 근방에 형성된다. 그리고, 플라즈마 내의 정이온이 1개 이상의 타겟(34)에 충돌함으로써, 1개 이상의 타겟(34)으로부터 입자가 방출된다. 1개 이상의 타겟(34)으로부터 방출된 입자가 기판(W) 상에 퇴적된다. 그 결과, 기판(W) 상에 막이 형성된다.
이하, 도 1~도 3과 함께, 도 4 및 도 5를 참조해서, 셔터(16), 회전축(18), 및 구동 장치(20)에 대해 설명한다. 도 4는 도 1~도 3에 나타내는 기판 처리 장치의 셔터 및 회전축을 나타내는 평면도이다. 도 4에 있어서는, 셔터를 그 위쪽에서 본 상태를 나타내고 있다. 도 5는 도 1~도 3에 나타내는 기판 처리 장치의 셔터, 회전축, 및 구동 장치의 측면도이다. 도 5에 있어서는, 본체부가 파단된 상태에서 셔터를 나타내고 있다.
셔터(16)는 본체부(16m) 및 관(46)을 갖고 있다. 셔터(16)는 제 1 영역(R1) 내에 배치되어 있을 때에, 탑재 영역(MR)을 덮도록 구성되어 있다. 제 1 영역(R1)은 제 1 공간(S1) 내의 영역이며, 지지대(14)의 위쪽의 영역이다. 셔터(16)의 본체부(16m)는 제 1 영역(R1) 내에 배치되어 있을 때에, 탑재 영역(MR)을 덮는다. 본체부(16m)의 최소의 폭은 탑재 영역(MR)의 직경보다 크다. 일 실시 형태에 있어서, 본체부(16m)는 대략 원반 형상을 갖고 있다. 이 실시 형태에서는, 본체부(16m)는 탑재 영역(MR)의 직경 및 기판(W)의 직경보다 크다.
관(46)은 본체부(16m)의 하면에 고정되어 있다. 관(46)은 복수의 가스 출력 구멍(46d)을 제공하고 있다. 복수의 가스 출력 구멍(46d)은 아래쪽을 향해서 개구되어 있다. 복수의 가스 출력 구멍(46d)은 가스 공급부(50)(도 1 또는 도 2를 참조)로부터의 가스를 그들의 개구단으로부터 출력한다. 일 실시 형태에 있어서, 본체부(16m)의 하면은 오목부를 제공하고 있다. 관(46)은 해당 오목부 내에 배치되어 있다. 또한, 관(46)은 본체부(16m)의 일부이어도 좋다. 관(46)의 상세한 것에 대하여는, 후술한다.
셔터(16)는 회전축(18)에 의해 지지되어 있다. 회전축(18)은 지지대(14)로부터 떨어져 마련되어 있다. 회전축(18)은 연직 방향으로 연장하고 있다. 일 실시 형태에 있어서, 회전축(18)은 제 2 공간(S2) 내에 마련되어 있다. 회전축(18)은 예를 들면 대략 원주 형상을 가질 수 있다. 셔터(16)는 접속부(48)를 통해서 회전축(18)에 고정되어 있다. 접속부(48)는 회전축(18)의 중심축선(AXC)에 대해서 직교하는 방향으로 연장하고 있다.
구동 장치(20)는 회전축(18)을 중심축선(AXC) 주위에서 회전시키고, 제 1 영역(R1)와 제 2 영역(R2)의 사이에서 셔터(16)를 이동시키도록 구성되어 있다. 구동 장치(20)는, 예를 들어 모터이며, 챔버(12)의 외측에 배치되어 있다.
기판 처리 장치(10)에서는, 상술한 바와 같이, 물리 증착에 의해 기판(W) 상에 막을 형성할 때에는, 제 2 영역(R2) 내에 셔터(16)가 배치된다. 또한, 기판(W) 상의 막을 처리할 때에는, 복수의 가스 출력 구멍(46d)으로부터 가스를 출력하면서, 회전축(18)을 구동 장치(20)에 의해 회전시켜서, 셔터(16)를 기판(W)의 위쪽에서 제 1 회전 방향(RD1) 및/또는 제 2 회전 방향(RD2)으로 이동시킨다. 제 1 회전 방향(RD1)은 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 회전축(18)의 중심축선(AXC) 주위의 회전에 의해, 셔터(16)가 제 2 영역(R2)로부터 제 1 영역(R1)으로 이동하는 방향이다. 제 2 회전 방향(RD2)은 회전축(18)의 중심축선(AXC) 주위의 회전에 의해, 셔터(16)가 제 1 영역(R1)로부터 제 2 영역(R2)으로 이동하는 방향이다. 일례에서는, 기판 처리 장치(10)에 있어서 물리 증착에 의해 기판(W) 상에 형성되는 막은, 마그네슘막이라고 하는 금속막이다. 또, 일례에서는, 복수의 가스 출력 구멍(46d)으로부터 출력되는 가스는, 산소 함유 가스(예를 들면 O2 가스)이다. 이 예에서는, 기판(W) 상의 금속막이 금속 산화막에 변화한다.
이하 도 1~도 5에 더해서, 도 6~도 8을 참조하면서, 관(46) 및 복수의 가스 출력 구멍(46d)에 대해서 상세하게 설명한다. 도 6은 도 4 및 도 5에 나타내는 셔터의 관을 나타내는 평면도이다. 도 6에서는, 관(46)을 아래쪽으로부터 본 상태를 나타내고 있다. 도 7은 복수의 가스 출력 구멍, 회전축, 및 탑재 영역의 위치 관계를 나타내는 평면도이다. 도 7에 있어서는, 복수의 가스 출력 구멍(46d), 회전축(18), 및 탑재 영역(MR)을 위쪽으로부터 본 상태를 나타내고 있다. 도 8은 도 4 및 도 5에 나타내는 셔터의 관이 주사되고 있는 형태를 나타내는 평면도이다.
도 4 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 관(46)은 유로(46p)를 제공하고 있다. 유로(46p)는 관(46)의 일단측으로부터 타단측으로 연장하고 있다. 관(46)의 일단측은 그 외단측보다 회전축(18)의 중심축선(AXC)의 근처에 있다. 유로(46p)로부터는, 복수의 가스 출력 구멍(46d)이 아래쪽으로 연장하고 있다. 관(46)은 입구(46i)를 더 제공하고 있다. 입구(46i)는 유로(46p)에 접속되어 있다. 입구(46i)는 복수의 가스 출력 구멍(46d)에 대해서 관(46)의 일단측에 마련되어 있다. 입구(46i)에는, 가스 공급부(50)로부터의 가스가 도입된다. 입구(46i)에 도입된 가스는 입구(46i)로부터 유로(46p)로 흘러서, 복수의 가스 출력 구멍(46d)으로부터 출력된다.
복수의 가스 출력 구멍(46d)은 기준 평면(RP)(도 4 등 참조)에 대해서 제 1 회전 방향(RD1) 측에 마련되어 있다. 기준 평면(RP)은 셔터(16) 내의 기준점(RC)과 회전축(18)의 중심축선(AXC)을 포함하는 평면이다. 기준점(RC)은 셔터(16) 내의 점이다. 기준점(RC)은 셔터(16)가 탑재 영역(MR) 또는 기판(W)을 덮도록 제 1 영역(R1) 내에 배치되어 있을 때에, 탑재 영역(MR)의 중심(CM)에 대면한다. 일 실시 형태에 있어서, 기준점(RC)은 셔터(16)(또는 본체부(16m))의 중심점이다.
복수의 가스 출력 구멍(46d)의 개구단은 선(46L)(도 6 참조) 상에서 배열되어 있다. 복수의 가스 출력 구멍(46d)의 개구단은 복수의 가스 출력 구멍(46d)의 아래쪽의 개구단이다. 일 실시 형태에서는, 선(46L)은 제 1 회전 방향(RD1)으로 돌출하는 곡선이다. 일례에서는, 선(46L)은 기준선(RL)을 그 곡률 중심으로서 갖는 원호이다. 기준선(RL)은 기준점(RC)을 포함하고, 연직 방향으로 연장하는 선이다. 이 예에서는, 관(46) 및 유로(46p)나, 원호인 선(46L)을 따라 연장할 수 있다. 또한, 선(46L)은 제 1 회전 방향(RD1)으로 돌출하는 곡선이어도 좋다.
복수의 가스 출력 구멍(46d)의 각각(또는 그 개구단)과 기준선(RL)의 사이의 거리는 탑재 영역(MR)의 반경보다 크다. 일례에서는, 원호인 선(46L)의 곡률 반경은 탑재 영역(MR)의 반경 및 기판(W)의 반경보다 크다. 또, 도 7에 나타내는 바와 같이, 중심축선(AXC)와 복수의 가스 출력 구멍(46d)(또는 그들의 개구단)의 사이의 최소 거리(HS)는 중심축선(AXC)과 탑재 영역(MR)(또는 기판(W))의 사이의 최소 거리(MS) 이하이다. 또, 중심축선(AXC)과 복수의 가스 출력 구멍(46d)(또는 그들의 개구단)의 사이의 최대 거리(HL)는 중심축선(AXC)과 탑재 영역(MR)(또는 기판(W))의 사이의 최대 거리(ML) 이상이다.
기판 처리 장치(10)에서는, 복수의 가스 출력 구멍(46d) 중 회전축(18)의 중심축선(AXC)에 가장 가까운 가스 출력 구멍이 회전축(18)의 회전에 의해 이동하는 궤적(이하, 「제 1 궤적」이라고 한다)의 반경은 중심축선(AXC)과 탑재 영역(MR)(또는 기판(W))의 사이의 최소 거리(MS) 이하이다. 또, 복수의 가스 출력 구멍(46d) 중 회전축(18)의 중심축선(AXC)로부터 가장 떨어진 가스 출력 구멍(46d)이 회전축(18)의 회전에 의해 이동하는 궤적(이하, 「제 2 궤적」이라고 한다)의 반경은 중심축선(AXC)과 탑재 영역(MR)(또는 기판(W))의 사이의 최대 거리(ML) 이상이다. 복수의 가스 출력 구멍(46d) 중 다른 가스 출력 구멍은, 회전축(18)의 회전에 의해서, 제 1 궤적과 제 2 궤적 사이에서 이동한다. 따라서, 회전축(18)이 회전하면, 복수의 가스 출력 구멍(46d)으로부터의 가스가, 기판(W)의 전면, 즉 지지대(14) 측의 이면과는 반대측의 기판(W)의 표면의 전체에 조사된다.
또, 셔터(16)가 제 1 영역(R1) 내에 배치되어 있을 때에, 복수의 가스 출력 구멍(46d)의 개구단은, 제 1 회전 방향(RD1)에 있어서 탑재 영역(MR)(또는 기판(W))에 대해서 외측에 위치한다(도 1, 도 4, 및 도 8을 참조). 따라서, 제 1 영역(R1)을 넘어서 제 1 회전 방향(RD1)으로 셔터(16)를 이동시키지 않고, 복수의 가스 출력 구멍(46d)으로부터의 가스를 기판(W)의 전면에 공급할 수 있다. 즉, 도 8에 나타내는 바와 같이, 제 2 회전 방향(RD2)으로 제 1 영역(R1)으로부터 셔터(16)를 이동시키고 및/또는, 제 1 회전 방향(RD1)으로 제 1 영역(R1)까지 셔터를 이동시킴으로써, 복수의 가스 출력 구멍(46d)으로부터의 가스를 기판(W)의 전면에 공급할 수 있다. 고로, 제 1 영역(R1)에 대해서 제 1 회전 방향(RD1) 측의 내부 공간(IS)의 사이즈가 작아도, 복수의 가스 출력 구멍(46d)으로부터의 가스를 기판(W)의 전면에 공급할 수 있다.
일 실시 형태에 있어서, 중심축선(AXC)에 대해서 방사 방향에 있어서, 복수의 가스 출력 구멍(46d)으로부터 출력되는 가스의 양의 분포가 균일하게 되도록, 서로 이웃하는 가스 출력 구멍(46d)의 간격이 설정되어 있다. 구체적으로는, 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 복수의 가스 출력 구멍(46d) 중 임의의 2개의 서로 이웃하는 가스 출력 구멍인 2개의 제 1 가스 출력 구멍 간의 소정 방향(PD)에 있어서의 거리는, 복수의 가스 출력 구멍(46d) 중 2개의 제 1 가스 출력 구멍보다 관(46) 내에서 입구(46i)에 가까운 임의의 2개의 서로 이웃하는 가스 출력 구멍인 제 2 가스 출력 구멍 간의 소정 방향(PD)에 있어서의 거리보다 작다. 또한, 소정 방향(PD)은 기준 평면(RP)에 평행하고, 또한 중심축선(AXC)에 직교하는 방향이다.
환언하면, 복수의 가스 출력 구멍(46d)의 배열에 있어서 입구(46i)에 가장 가까운 일단측의 2개의 서로 이웃하는 가스 출력 구멍(46d) 간의 간격이 가장 크다. 복수의 가스 출력 구멍(46d)의 배열에 있어서 입구(46i)로부터 가장 먼 타단측의 2개의 서로 이웃하는 가스 출력 구멍(46d) 간의 간격이 그 다음으로 크다. 복수의 가스 출력 구멍(46d)의 배열에 있어서 중앙의 2개의 서로 이웃하는 가스 출력 구멍(46d) 간의 간격이 가장 작다. 복수의 가스 출력 구멍(46d)의 배열의 일단측으로부터 중앙에 가까워질수록, 2개의 서로 이웃하는 가스 출력 구멍(46d) 간의 간격은 감소한다. 또, 복수의 가스 출력 구멍(46d)의 배열의 타단측으로부터 중앙에 가까워질수록, 2개의 서로 이웃하는 가스 출력 구멍(46d) 간의 간격은 감소한다.
입구(46i)로부터 먼 가스 출력 구멍(46d)으로부터 출력되는 가스의 유량은 입구(46i)에 가까운 가스 출력 구멍(46d)로부터 출력되는 가스의 유량보다 적다. 상기 실시 형태에서는, 입구(46i)에 가까운 부분보다, 입구(46i)로부터 먼 부분에 있어서 가스 출력 구멍(46d)이 소정 방향(PD)을 따라 밀하게 마련되어 있다. 따라서, 복수의 가스 출력 구멍(46d)으로부터 출력되는 가스의 양의, 중심축선(AXC)에 직교하는 방향(즉, 소정 방향 PD)에 있어서의 분포가 비교적 균일한 분포로 된다. 그 결과, 복수의 가스 출력 구멍(46d)으로부터 출력되는 가스에 의한 기판 처리의 면내 균일성이 향상된다.
이상, 여러 실시 형태에 대해 설명했지만, 상술한 실시 형태로 한정되지 않고, 여러 변형 형태를 구성 가능하다. 예를 들면, 기판 처리 장치(10)는 성막 장치와는 상이한 기판 처리 장치이어도 좋다. 즉, 기판 처리 장치(10)는 셔터(16)를 갖는 한, 임의의 기판 처리를 위한 장치이어도 좋다.
10…기판 처리 장치 12…챔버
IS…내부 공간 R1…제 1 영역
R2…제 2 영역 14…지지대
MR…탑재 영역 CM…중심
16…셔터 18…회전축
AXC…중심축선 20…구동 장치
46…관 46d…가스 출력 구멍
RD1…제 1 회전 방향 RD2…제 2 회전 방향
RC…기준점 RL…기준선
RP…기준 평면

Claims (4)

  1. 내부 공간을 제공하는 챔버와,
    그 위에 원반 형상을 갖는 기판을 탑재 가능한 탑재 영역을 갖고, 상기 내부 공간 내에 배치된 지지대와,
    아래쪽을 향해서 개구된 복수의 가스 출력 구멍을 제공하는 관을 갖고, 상기 지지대의 위쪽의 제 1 영역 내에 배치되어 있을 때에, 상기 탑재 영역을 덮도록 구성된 셔터와,
    상기 셔터를 지지하는 회전축으로서, 상기 지지대로부터 떨어져 있고, 연직 방향으로 연장하는 상기 회전축과,
    상기 회전축을 그 중심축선의 주위에서 회전시켜서, 상기 제 1 영역과 상기 지지대로부터 떨어진 제 2 영역의 사이에서 상기 셔터를 이동시키도록 구성된 구동 장치
    를 구비하고,
    상기 복수의 가스 출력 구멍은, 상기 셔터 내의 기준점과 상기 중심축선을 포함하는 기준 평면에 대해서, 상기 제 2 영역으로부터 상기 제 1 영역을 향하는 제 1 회전 방향의 측에 마련되어 있고,
    상기 기준점은 상기 제 1 영역 내에 상기 셔터가 배치되어 있을 때에, 상기 탑재 영역의 중심에 대면하고,
    상기 복수의 가스 출력 구멍의 개구단은 상기 제 1 회전 방향으로 돌출하는 곡선, 또는, 상기 제 1 회전 방향으로 돌출하는 곡선 상에서 배열되어 있고,
    상기 기준점을 포함하고 연직 방향으로 연장하는 기준선과 상기 복수의 가스 출력 구멍의 각각의 사이의 거리는 상기 탑재 영역의 반경보다 크고,
    상기 중심축선과 상기 복수의 가스 출력 구멍의 사이의 최소 거리는 상기 중심축선과 상기 탑재 영역의 사이의 최소 거리 이하이며,
    상기 중심축선과 상기 복수의 가스 출력 구멍의 사이의 최대 거리는 상기 중심축선과 상기 탑재 영역의 사이의 최대 거리 이상이고,
    상기 셔터는, 상기 복수의 가스 출력 구멍으로부터 가스를 출력하면서, 상기 제 1 회전 방향, 또는 상기 제 1 영역으로부터 상기 제 2 영역을 향하는 제 2 회전 방향으로 이동되는
    기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 관은 원호를 따라 연장하는 관이며,
    상기 복수의 가스 출력 구멍의 개구단은 상기 기준선을 그 곡률 중심으로서 갖는 원호 상에서 배열되어 있는
    기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 관은 그곳으로부터 상기 관 내에 가스가 도입되는 입구를, 상기 복수의 가스 출력 구멍에 대해서 상기 중심축선의 측에 제공하고 있고,
    상기 복수의 가스 출력 구멍 중 임의의 2개의 서로 이웃하는 가스 출력 구멍인 2개의 제 1 가스 출력 구멍 간의 소정 방향에 있어서의 거리는, 상기 복수의 가스 출력 구멍 중 상기 2개의 제 1 가스 출력 구멍보다 상기 관 내에서 상기 입구에 가까운 임의의 2개의 서로 이웃하는 가스 출력 구멍인 제 2 가스 출력 구멍 간의 상기 소정 방향에 있어서의 거리보다 작고, 상기 소정 방향은 상기 기준 평면에 평행하며 또한 상기 중심축선에 직교하는 방향인
    기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지대 및 상기 제 1 영역의 위쪽에서 타겟을 유지하는 홀더와,
    상기 홀더에 전압을 인가하는 전원
    을 더 구비하는 기판 처리 장치.
KR1020180154892A 2017-12-05 2018-12-05 기판 처리 장치 KR102206900B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-233438 2017-12-05
JP2017233438A JP6955983B2 (ja) 2017-12-05 2017-12-05 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190066594A KR20190066594A (ko) 2019-06-13
KR102206900B1 true KR102206900B1 (ko) 2021-01-22

Family

ID=66659340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180154892A KR102206900B1 (ko) 2017-12-05 2018-12-05 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10748750B2 (ko)
JP (1) JP6955983B2 (ko)
KR (1) KR102206900B1 (ko)
CN (1) CN110029321B (ko)
TW (1) TW201929120A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102555324B1 (ko) * 2020-11-26 2023-07-17 한국과학기술연구원 물리적 기상증착 장치용 기판 홀더

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003077808A (ja) 2001-09-04 2003-03-14 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2003124108A (ja) * 2001-10-19 2003-04-25 Tokyo Electron Ltd 現像装置及び現像方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4292777B2 (ja) * 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
JP2006120270A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
JP3920897B2 (ja) * 2005-07-25 2007-05-30 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像方法
KR101324207B1 (ko) 2006-10-19 2013-11-06 주성엔지니어링(주) 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP5998654B2 (ja) * 2012-05-31 2016-09-28 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、真空処理方法及び記憶媒体
WO2015064194A1 (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP6305864B2 (ja) * 2014-07-31 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003077808A (ja) 2001-09-04 2003-03-14 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2003124108A (ja) * 2001-10-19 2003-04-25 Tokyo Electron Ltd 現像装置及び現像方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201929120A (zh) 2019-07-16
CN110029321A (zh) 2019-07-19
US10748750B2 (en) 2020-08-18
CN110029321B (zh) 2021-03-16
US20190172690A1 (en) 2019-06-06
JP2019099878A (ja) 2019-06-24
JP6955983B2 (ja) 2021-10-27
KR20190066594A (ko) 2019-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10074545B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP5230225B2 (ja) 蓋部品、処理ガス拡散供給装置、及び基板処理装置
JP2019102680A (ja) 排気装置、処理装置及び排気方法
CN112889128B (zh) 磁性壳体***
KR102206900B1 (ko) 기판 처리 장치
US20190131158A1 (en) Plasma processing apparatus
JP2022544801A (ja) 回転式磁気ハウジングを利用したチューニング可能な均一性制御
CN114450514B (zh) 流量调整阀、泵单元以及表面处理装置
JP5678116B2 (ja) 蓋部品、処理ガス拡散供給装置、及び基板処理装置
WO2022030189A1 (ja) 表面処理装置および表面処理方法
JP7202274B2 (ja) 表面処理装置
US11149342B2 (en) Sputtering apparatus
CN108977779B (zh) 溅射装置
TWI842768B (zh) 磁性殼體系統
US10541142B2 (en) Maintenance method of plasma processing apparatus
KR20100101544A (ko) 반도체 제조 장치
JP7430504B2 (ja) 表面処理装置
JPH11340165A (ja) スパッタリング装置及びマグネトロンユニット
US20220415634A1 (en) Film forming apparatus, processing condition determination method, and film forming method
US11851750B2 (en) Apparatus and method for performing sputtering process
TW202202645A (zh) 用於物理氣相沉積（ｐｖｄ）的多半徑磁控管及其使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant