JP3990148B2 - 処理システム - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えばＬＣＤや半導体デバイスの製造プロセスでは，例えば基板（ＬＣＤ基板，半導体基板）表面にレジスト膜等の膜を形成する膜形成処理，基板に所定のパターンを露光する露光処理，基板を加熱，冷却処理する熱処理等が行われる。これらの処理は，通常複数の各種処理装置が集約された処理システムと，当該処理システムに隣接した露光装置で行われる。
【０００３】
ところで，上記した露光処理時には，適切な位置に所定のパターンを露光するために，基板の厳格なアライメントが行われる。このアライメントは，通常予め基板の所定位置にアライメントマークを形成しておき，当該アライメントマークの位置を位置検出用のレーザ光を用いて検出し，当該検出位置に基づいて基板を移動させることにより行われる。このような位置検出用のレーザ光を用いたアライメントは，高精度な位置合わせを行うことができる。
【０００４】
しかし，基板の製造プロセスでは，露光処理前に，上記膜形成処理の行われる膜形成装置において，基板上にポリイミド樹脂等の絶縁膜や反射防止膜が形成される場合がある。そして，露光処理の際に，この膜の形成された基板をアライメントしようとすると，位置検出用のレーザ光が当該膜に吸収され，アライメントマークを検出できず，適切なアライメントが行われなくなる。
【０００５】
かかる弊害を防止するために，アライメントを行う前にアライメントマーク上の膜を除去する処理が必要であり，この膜除去処理を行うために，例えば特開平１０―１１３７７９号に記載されているような加工用のレーザ光をアライメントマーク上の膜に照射し，当該アライメントマーク上の膜のみを除去する膜除去装置が提案されている。このような膜除去装置は，従来より膜形成処理が行われる処理システム外に別途設けられており，必要な場合に適宜作業員や搬送ロボットが当該膜除去装置まで基板を搬送し，膜の除去処理の終わった基板を再び処理システム内に戻すようにしていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，このように作業員等により離れた場所にその都度基板を搬送すると，搬送中の基板に不純物が付着する恐れがあり好ましくない。また，搬送中に基板を落とし，破損させる可能性もある。さらに，かかる基板の搬送には，一定の時間がかかるので，スループットの観点からも好ましくない。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，基板の膜の除去が行われる装置への搬送を，連続的により迅速かつ確実に行えるような処理システムを提供することをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば，基板を処理する処理システムであって，このシステムに対して基板を搬入出するための搬入出部と，前記搬入出部から搬送された基板上に第１の膜を形成する第１の膜形成装置及び前記基板上の第１の膜上に第２の膜を形成する第２の膜形成装置を備えた処理部と，前記基板上の所定位置のアライメントマーク上の膜を除去する膜除去部と，を有し，前記処理部には，前記第１の膜形成装置，前記第２の膜形成装置及び膜除去部間で基板を搬送できる搬送機構が設けられ，前記膜除去部は，基板を保持する基板保持部と，当該基板保持部に保持された基板の前記所定位置に加工用のレーザ光を照射するレーザ光源と，基板に対して液体を噴出するノズルと，前記ノズルから基板上に噴出され前記所定位置を通過した前記液体を回収する回収機構と，基板上に気体を噴出する気体噴出部と，を有し，前記膜除去部における膜の除去は，前記第１の膜形成装置における第１の膜の形成と第２の膜形成装置における第２の膜の形成との間に行われ，前記膜除去部では，前記アライメントマーク上の第１の膜が除去されることを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば，前記膜除去部と，前記第１の膜形成装置及び第２の膜形成装置間の基板の搬送が，搬送機構により迅速かつ確実に行われる。２つの膜形成装置を備えるので，一のシステム内で種類の異なる膜を形成することができる。これにより，基板に異なる種類の膜を形成する場合に，基板を他のシステムに搬送する必要がないので，搬送による基板の汚染が低減される。また，処理時間の短縮化が図られる。また，この発明によれば，基板上に液体を噴出して基板表面上に液体の流れを形成した状態で，基板にレーザー光を照射し，当該基板上の液体を直ちに回収することができる。したがって，レーザ光の照射により前記所定位置から剥離した膜の成分や分解異物は，前記液体の流れに取り込まれ，液体と共に回収される。この結果，剥離した膜の成分が基板に再付着することが防止でき，基板の汚染を防止できる。さらに，基板上に気体を噴出し，基板上に残存した液体を吹き飛ばすことができるので，基板の乾燥処理を省略又は簡略化することができる。なお，前記第１の膜は，反射防止膜であり，前記第２の膜は，レジスト膜であってもよい。
【００１２】
前記処理部には，基板を熱処理する熱処理装置が設けられ，前記搬送機構は，前記熱処理装置に対して基板を搬送自在であってもよい。かかる場合，膜形成後の加熱，冷却処理等を同じシステム内で行うことができる。なお，熱処理装置には，加熱処理装置，冷却処理装置等が含まれる。
【００１３】
前記処理システムは，前記処理部とシステム外の露光装置との間で基板を搬送する搬送装置を備えたインターフェイス部を有していてもよい。これにより，システム内の基板を露光装置に迅速に搬送できる。したがって，露光処理を含む基板処理を連続して行うことができ，基板の処理時間を短縮することができる。
【００１５】
前記膜除去部は，前記基板上に噴出された液体を前記所定位置に案内する案内部材を有していてもよい。かかる場合，案内部材により基板上に噴出された液体が前記所定位置に案内されるので，効率よく分解された膜を除去することができる。また，噴出される液体の消費量を低減することもでき，コストの低減が図られる。
【００１６】
少なくとも前記案内部材の一部は，前記レーザ光を透過する透明体で形成されていてもよい。これにより，案内部材がレーザ光を遮ることなく，前記基板の所定位置にレーザ光を適切に照射することができる。
【００１７】
前記膜除去部は，前記基板保持部に保持された基板の外縁部の裏面に対して気体を吹き出す吹き出し口を有していてもよい。基板上に液体が流れている時に，基板の外縁部の裏面に気体を吹き付けることができるので，基板の外縁部から落下する液体が基板の裏面に回り込むことを防止できる。それ故，パーティクルの原因となる基板の裏面の汚染が防止される。また，基板の裏面洗浄を行わなくてよいので，その分基板の処理工程を簡略化することができる。
【００１９】
前記膜除去部は，基板を保持する基板保持部と，当該基板保持部に保持された基板の前記所定位置に加工用のレーザ光を照射するレーザ光源と，前記基板の所定位置付近の流体を吸引し，排出する吸引排出部材と，を有するようにしてもよい。この発明によれば，レーザ光により分解され前記所定位置付近に浮遊した膜の成分を，吸引排出部材により吸引し，排出することができる。したがって，当該分解された膜の成分が基板に再付着することが防止され，基板の汚染が防止される。
【００２５】
前記処理部は，前記膜除去部に搬入される前の基板を待機させる待機部を備えていてもよい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかるウェハＷの処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，処理システム１の正面図であり，図３は，処理システム１の背面図である。
【００２７】
処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりする搬入出部としてのカセットステーション２と，ウェハＷに対して熱処理や膜形成処理等の所定の処理を枚葉式に施す処理部としての処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられ，処理ステーション３でウェハＷ上に形成された膜の一部を除去する膜除去部としての膜除去装置４とを一体に接続した構成を有している。
【００２８】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台１０上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体１１が搬送路１２に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２９】
ウェハ搬送体１１は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体１１は後述するように処理ステーション３側の第２の処理装置群G２に属するエクステンション装置４３に対してもアクセスできるように構成されている。
【００３０】
処理ステーション３では，所定の処理を施す各種処理装置が多段に配置されて複数の処理装置群を構成している。この処理システム１においては，２つの処理装置群G1，G2が配置されており，例えば第１の処理装置群G1は，処理システム１の正面側に配置され，第２の処理装置群G２は，処理ステーション３のカセットステーション２側に配置されている。また，処理ステーション３には，複数のウェハＷを多段に収容できるバッファカセットＢが設けられている。バッファカセットＢは，例えば処理ステーション３の背面側に配置されている。バッファカセットＢは，ウェハＷの外縁部を支持することによって各段にウェハＷを載置し，収容する。
【００３１】
第１の処理装置群G1では，例えば図２に示すようにウェハＷ上に膜としての反射防止膜を形成する膜形成装置及び第１の膜形成装置としての反射防止膜形成装置２０と，ウェハＷ上に膜としてのレジスト膜を形成する第２の膜形成装置としてのレジスト塗布装置２１とが下から順に２段に配置されている。反射防止膜は，露光時に光が基板に反射することを防止し，定在波効果によりレジストパターンが変形することを軽減するための膜である。なお，第１の処理装置群Ｇ１の数は，任意に選択可能であり，複数設けられていてもよい。
【００３２】
反射防止膜形成装置２０は，スピンコーティング方式でウェハＷの表面全面に反射防止膜を形成するものであり，例えば図４に示すように，ケーシング２０ａ内にウェハＷを吸着させ回転させるスピンチャック３０と，当該スピンチャック３０に保持されたウェハＷ上に反射防止膜となる処理液を供給するノズル３１と，ウェハＷ上から飛散する処理液を受け止め回収するカップ３２とを有している。
【００３３】
ケーシング２０ａの側面には，ウェハＷを搬入出するための搬送口３３が設けられている。また，この搬送口３３には，搬送口３３を所定のタイミングで開閉するシャッタ３４が取り付けられている。
【００３４】
レジスト塗布装置２１は，例えば反射防止膜形成装置２０と同様の構成を有している（説明省略）。なお，レジスト塗布装置２１でウェハＷに供給される処理液は，レジスト液である。
【００３５】
一方，第２の処理装置群G２では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置４０，４１，４２，ウェハＷの受け渡しを行う受け渡し部であるエクステンション装置４３，ウェハＷを加熱処理する加熱処理装置４４，４５，４６が下から順に例えば７段に積み重ねられている。なお，本実施の形態における熱処理装置は，クーリング装置４０〜４２及び加熱処理装置４４〜４６である。これらの熱処理は，各熱処理装置において，例えば所定温度に調節されたプレート上にウェハＷを載置することにより行われる。なお，熱処理装置は，加熱処理するためのプレートと冷却処理するためのプレートとの双方を備えた加熱冷却装置であってもよい。
【００３６】
処理ステーション３には，第１の処理装置群Ｇ１の各処理装置，第２の処理装置群Ｇ２の各処理装置，バッファカセットＢ及び後述する膜除去装置４との間でウェハＷを搬送する搬送機構としての主搬送装置５０が設けられている。
【００３７】
主搬送装置５０は，例えば図５に示すように略筒状のケース５１を有し，当該ケース５１内に３本の搬送アーム５２，５３，５４を備えている。３本の搬送アーム５２〜５４は，垂直方向に３段に並べられて設けられている。ケース５１は，側面に開口部５１ａを有しており，当該開口部５１ａから各搬送アーム５２〜５４が出入りできるようになっている。例えば上側２本の搬送アーム５２，５３は，先端が略３／４円環状の略Ｃ型に形成されており，当該Ｃ型部分でウェハＷの外縁部を支持してウェハＷを搬送できる。また，最も下に位置する搬送アーム５４は，例えば先端部がフォーク状の略Ｕ字型に形成されており，当該Ｕ字型部分でウェハＷの裏面を支持してウェハＷを搬送できる。これにより，例えばウェハＷの外縁部を支持するバッファカセットＢにもウェハＷを搬送できる。搬送アーム５４のＵ字型部分は，例えば後述する膜除去装置４のチャック６０が貫通できるように形成されており，当該チャック６０との間でもウェハＷの受け渡しを行うことができる。したがって，搬送アーム５４は，バッファカセットＢや膜除去装置４等に対してウェハＷを搬送できる。
【００３８】
搬送アーム５２〜５４は，円筒状のケース５１内の搬送基台５５上に設けられ，図示しないモータに連結された駆動部５６によって搬送基台５５上を開口部５１ａの方向に移動できるようになっている。搬送基台５５は，例えば垂直方向に設けられた図示しないＺ軸ベルトに連結されており，搬送基台５５は，昇降可能である。これにより，搬送アーム５２〜５４は，上下方向に移動できる。また，ケース５１の下部には，ケース５１全体を所定角度に回転させるサーボモータ等を備えた駆動部５８が設けられている。これにより，搬送アーム５２は，水平方向の所定方向（θ方向）に向きを変えることができる。以上の構成により，搬送アーム５２〜５４は，一定の搬送範囲内を３次元移動可能である。そして，上記第１の処理装置群Ｇ１の各処理装置，第２の処理装置群Ｇ２の各処理装置及び膜除去装置４は，各搬送アーム５２〜５４の搬送範囲内に配置されており，搬送アーム５２〜５４は，当該各処理装置に対してウェハＷを搬送できる。
【００３９】
膜除去装置４は，例えば図６に示すようにケーシング４ａを有し，当該ケーシング４ａ内には，ウェハＷを保持する基板保持部としてのチャック６０，当該チャック６０に保持されたウェハＷを収容する収容体としてのカップ６１，スピンチャック６０及びカップ６１を水平方向に移動させる移動機構としてのＸ―Ｙステージ６２，ウェハＷ上に形成された膜を除去するためにレーザ光を照射するレーザ装置６３，ウェハＷ上に液体を噴出するノズル６４，ウェハＷ上を流れる液体を案内する案内部材６５及びウェハＷ上のレーザ光が照射される部分を通過した液体を回収する回収ノズル６６等を備えている。
【００４０】
チャック６０は，例えば上面が水平に形成されている。当該チャック６０の上面には，ウェハＷを吸引するための図示しない吸引口が設けられている。これにより，ウェハＷは，チャック６０上に水平に吸着保持される。また，チャック６０には，例えば図７に示すようにチャック６０を高速回転させるためのモータやチャック６０を上下動させるためのシリンダ等を備えた駆動部７０が設けられている。これにより，ウェハＷを高速回転させ，ウェハＷに付着した液体を振り切り乾燥させることができる。また，ウェハＷをカップ６１の上端部より高く上昇させて，チャック６０と主搬送装置５０との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。
【００４１】
チャック６０には，超音波振動子７１が取り付けられており，チャック６０自体を振動させて，ノズル６４からウェハＷ上に噴出された液体に超音波振動を伝播することができる。これにより，ウェハＷ上を流れる液体中に取り込まれた膜の成分がウェハＷに再付着することを防止できる。
【００４２】
カップ６１は，上面が開口した略円筒状に，チャック６０を囲むように形成されている。カップ６１の下部には，カップ６１内の液体や気体を排出する排出口７２が設けられている。ウェハＷ上からこぼれ落ちたり，飛散した液体は，カップ６１で受け止められて排出口７２から排出される。
【００４３】
カップ６１内であって，ウェハＷの下方には，ウェハＷの外縁部の裏面に気体を吹き出すための吹き出し口７３が複数設けられている。吹き出し口７３は，図８に示すように同一円周上に等間隔で設けられている。吹き出し口７３には，例えば図示しない気体供給装置から所定のタイミング，圧力で気体が供給される。このようにウェハＷの外縁部の裏面に気体を噴出することによって，ウェハＷ上面を流れた液体が，裏面側に回り込みことを抑制できる。なお，噴出される気体には，不活性気体，窒素ガス，エア等を用いるとよい。
【００４４】
カップ６１全体は，例えば図６に示すように下面が閉口した略円筒状の支持容器７４により支持されている。チャック６０は，当該支持容器７４内に収容されている。
【００４５】
Ｘ−Ｙステージ６２は，例えば上下に配置された２枚のプレートを備えている。上側の第１プレート７５上には，例えば図１及び図６に示すようなＹ方向に延びるレール７６が形成されている。支持容器７４は，レール７６上に設けられており，モータ等の駆動部７７によりレール７６上をＹ方向に移動できる。
【００４６】
一方，下側の第２プレート７８上には，図１及び図６に示すようなＸ方向に延びるレール７９が設けられている。第１プレート７５は，このレール７９上に載置されており，モータ等の駆動部８０によりレール７９上をＸ方向に移動できる。かかる構成により，第１プレート７５上の支持容器７４は，Ｘ方向，Ｙ方向にも移動できる。したがって，支持容器体７４は，カップ６１やチャック６０と共にＸ―Ｙ平面の任意の位置に移動できる。
【００４７】
また，Ｘ−Ｙステージ６２の駆動部７７及び駆動部８０の駆動は，制御部８１により制御されている。すなわち，カップ６１やチャック６０の移動先は，制御部８１により設定，制御できる。したがって，チャック６０に保持されたウェハＷを，レーザ装置６３下方のレーザ照射位置まで移動させ，ウェハＷ上の所望の膜除去位置にレーザ光を照射することができる。
【００４８】
レーザ装置６３は，例えばケーシング４ａの上面に固定して設けられている。レーザ装置６３は，例えばレーザ光の光源としてのレーザ発振器８２と，ウェハＷの位置を検出するための位置検出部材としてのＣＣＤカメラ８３を備えている。レーザ発振器８２は，鉛直下方向に向けてレーザ光を発射できるように取り付けられている。したがって，レーザ発振器８２の水平面内のＸ―Ｙ座標は，レーザ照射位置のＸ−Ｙ座標と一致する。なお，レーザ発振器８２には，例えばＹＡＧレーザ，エキシマレーザ等の加工用レーザが用いられる。また，レーザ光が，所定の俯角方向に発光されるようになっていてもよい。
【００４９】
ＣＣＤカメラ８３は，例えばレーザ照射位置の影像を，レーザ発振器８２と同光軸上に設けられたハーフミラーＲで反射させて撮像することができる。すなわち，ＣＣＤカメラ８３は，レーザ発振器８２から見たレーザ照射位置の影像を撮像することができる。ＣＣＤカメラ８３で撮像されたウェハＷの撮像データは，例えば制御部８１に出力される。制御部８１では，当該撮像データに基づきウェハＷの現在の位置を認識し，当該現在位置と予め定められている最適位置とを比較し，当該現在位置と最適位置とがずれている場合には，Ｘ―Ｙステージ６２の駆動部７７及び８０に命令を出して，ウェハＷの位置を適切な位置に修正することができる。すなわち，ウェハＷ上の膜除去位置がレーザ照射位置になるように厳密な位置修正を行うことができる。
【００５０】
ノズル６４，案内部材６５及び回収ノズル６６は，例えばＸ方向に移動できる保持アーム８５に取り付けられている。保持アーム８５は，例えば図１に示すようなＸ方向に延びるレール８６上に設けられ，モータ等の駆動部８７によりレール８６上をＸ方向に移動できる。また，駆動部８７には，保持アーム８５を昇降させるシリンダ等が設けられており，保持アーム８５は，上下動して案内部材６５等の高さを調整することができる。
【００５１】
ノズル６４は，例えば図７に示すようにＹ方向負方向側（図７の左方向）の斜め下方向に向けられて保持アーム８５に取り付けられている。ノズル６４は，図示しない液体供給源に接続されている。そして当該液体供給源の液体，例えば純水が所定のタイミング，所定の圧力でノズル６４に供給され，ノズル６４からウェハＷ上に純水が噴出される。
【００５２】
案内部材６５は，例えば図９に示すように略直方体形状を有し，下面にノズル６４からの純水を誘導する誘導溝９０が形成されている。誘導溝９０は，Ｙ方向に直線状に形成され，当該誘導溝９０は，例えばウェハＷ上の膜除去位置よりも広い横幅を有している。案内部材６５は，ノズル６４のＹ方向負方向側であって，ノズル６４から噴出された純水が誘導溝９０に流れ込む位置に取り付けられる。そして，この案内部材６５をウェハ表面に近接させ，誘導溝９０を膜除去位置上に配置することにより，ノズル６４から噴出されたウェハＷ上を流れる純水を膜除去位置に案内し，当該純水をウェハＷのＹ方向負方向側に流すことができる。
【００５３】
案内部材６５は，保持アーム８５によってレーザ発振器８２のレーザ照射位置と同じＹ座標の位置に保持されている。すなわち，保持アーム８５をＸ方向に移動させることにより，案内部材６５をレーザ照射位置まで移動させることができる。案内部材６５には，例えば石英ガラス等の透明体が用いられ，上方のレーザ発振器８２から発射されたレーザ光を減衰，反射させずに透過することができる。
【００５４】
回収ノズル６６は，図７に示すように回収管９５により回収タンク９６に連通接続されており，さらにこの回収タンク９６は，吸引管９７により吸引機構，例えばエジェクタ９８に連通接続されている。
【００５５】
回収ノズル６６は，例えば図１０に示すように略直方体形状を有し，回収ノズル６６の先端部には，吸引口６６ａがスリット状に形成されている。この吸引口６６ａは，少なくとも案内部材６５の誘導溝９０の横幅よりも長く形成されている。回収ノズル６６は，例えば保持アーム８５により，案内部材６５の下流側（Ｙ方向負方向側）に設けられている。また，回収ノズル６６は，案内部材６５がウェハＷに近接配置された時に，回収ノズル６６の先端部がウェハＷに近接するように保持アーム８５に保持されている。そして，この吸引口６６ａのある先端部は，例えば図７に示すように案内部材６５側が高くなるように傾斜しており，案内部材６５からの純水を回収し易いようになっている。
【００５６】
回収タンク９６には，回収した純水が一旦貯留される。回収タンク９６の下面には，ドレイン管９９が設けられており，回収した純水を適宜排出できる。一方，吸引管９７は，回収タンク９６の上面に開口している。エジェクタ９８の吸引により，回収ノズル６６に吸引力が与えられ，さらに回収タンク９６内の純水から混入されていたエアが抽出され，当該エアを吸引管９７から排気できる。この結果，回収した純水は，気液が分離されてから排出される。なお，ドレイン管９９から排出された純水を再びノズル６４から噴出される純水に再利用してもよい。また，本発明の回収機構は，例えば回収ノズル６６，回収管９５，回収タンク９６，吸引管９７，エジェクタ９８及びドレイン管９９で構成される。また，吸引機構としてエジェクタの代わりに真空ポンプが用いられてもよい。
【００５７】
ケーシング４ａ上には，図６に示すように気体供給装置としての気体供給ユニット１００が設けられている。気体供給ユニット１００は，ケーシング４ａ内に一様な気体を供給し，ケーシング４ａ内にダウンフローを形成できる。気体供給ユニット１００には，ＵＬＰＡフィルタ等のフィルタ（図示せず）が備えられ，気体供給ユニット１００は，気体内に含まれる不純物を除去してからケーシング４ａ内に気体を供給する。また，ケーシング４ａの下部には，排気用のファン１０１が設けられ，ケーシング４ａ内の雰囲気は，積極的に排気される。
【００５８】
ケーシング４ａには，主搬送装置５０からのウェハＷを搬入出させるための搬入出口１０２が設けられている。この搬入出口１０２には，シャッタ１０３が設けられ，搬入出口１０２を開閉できる。これにより，ケーシング４ａ内の雰囲気が処理ステーション３側に漏れることを抑制できる。
【００５９】
また，搬入出口１０２側のケーシング４ａの上面には，ケーシング４ａ内に搬入されたウェハＷのノッチ位置検出し，ウェハＷのアライメントを行うためのプリアライメント用センサ１０４が設けられている。プリアライメント用センサ１０４の検出結果は，例えば制御部８１に出力できる。制御部８１は，当該検出結果に基づいて駆動部７０を制御し，ウェハＷを所定の角度に合わせることができる。
【００６０】
次に，以上のように構成された処理システム１の作用について説明する。先ず，ウェハ搬送体１１によりカセットＣから未処理のウェハＷが１枚取り出され，第２の処理装置群Ｇ２に属するエクステンション装置４３に搬送される。次いで，ウェハＷは主搬送装置５０の搬送アーム５２に保持され，当該搬送アーム５２によって第１の処理装置群Ｇ１の反射防止膜形成装置２０に搬送される。このとき，ウェハＷは，搬送口３３から搬入され，ウェハＷの搬送が終了するとシャッタ３４が閉じられる。
【００６１】
反射防止膜形成装置２０内に搬送されたウェハＷは，図４に示すようにスピンチャック３０に受け渡され，保持される。そしてノズル３１からウェハＷの中心付近に反射防止膜となる所定量の処理液が供給され，その後ウェハＷが回転される。この回転により，ウェハＷ上の処理液が拡散され，ウェハＷ表面に所定膜厚の反射防止膜が形成される。
【００６２】
反射防止膜が形成されると，ウェハＷは，再び主搬送装置５０の保持アーム５２に受け渡され，第２の処理装置群Ｇ２の加熱処理装置４４に搬送される。加熱処理装置４４に搬送されたウェハＷは，所定時間加熱され，反射防止膜中の溶剤が蒸発されてウェハＷが乾燥される。この加熱処理が終了すると，ウェハＷは，主搬送装置５０によってクーリング装置４０に搬送され，例えば常温，例えば２３℃に冷却される。
【００６３】
冷却処理の終了したウェハＷは，フォーク型の搬送アーム５４に保持され，前のウェハが膜除去装置４内にある場合には，一旦バッファカセットＢに搬送される。そして，前のウェハが膜除去装置４から搬出された後に，搬送アーム５４によって膜除去装置４に搬送される。また，膜除去装置４が空いている場合には，例えば搬送アーム５４によってクーリング装置４０から直接膜除去装置４に搬送される。
【００６４】
このとき，膜除去装置４では，気体供給ユニット１００とファン１０１が稼動しており，ケーシング４ａ内に清浄な気体によるダウンフローが形成されている。膜除去装置４内に搬入されたウェハＷは，搬入出口１０２の近傍でカップ６１の上部から突出した状態で待機していたチャック６０に受け渡される。そして，チャック６０が下降し，ウェハＷがカップ６１内に収容される。また，チャック６０にウェハＷを受け渡し終えた搬送アーム５４は，ケーシング４ａ内から退避し，搬送アーム５４が退避し終わると，シャッタ１０３が閉じられる。
【００６５】
一方，ウェハＷがカップ６１内に収容されると，先ず，プリアライメント用センサ１０４によりウェハＷのノッチ位置が検出される。このノッチ位置の検出結果を基にウェハＷが回転され，ウェハＷが所定の角度に向くように合わせられる。続いてＸ−Ｙステージ６２が駆動し，図７に示すようにウェハＷがレーザ装置６３の下方のレーザ照射位置まで移動される。このとき，予め設定されたウェハＷ上の膜除去位置Ｐ，例えばウェハＷ上のアライメントマークの位置がレーザ照射位置になるように移動される。その後，ＣＣＤカメラ８３によりウェハＷが撮影され，その撮像データが制御部８１に出力される。制御部８１は，当該撮像データに基づきウェハＷの位置の修正値を算出し，当該修正値に基にウェハＷの位置の微調整を行う。
【００６６】
ウェハＷの膜除去位置Ｐがレーザ照射位置に正確に位置されると，保持アーム８５が図示しない待機部からレール８６上を移動し，案内部材６５がレーザ照射位置，すなわち膜除去位置Ｐ上に配置される。このとき，ノズル６４と回収ノズル６６も案内部材６５の両隣に配置される。次いで，ノズル６４からウェハＷ上に純水が噴出される。噴出された純水は，図１１に示すように案内部材６５の誘導溝９０内に流れ込み，膜除去位置Ｐを通過して，回収ノズル６６に回収される。回収ノズル６６で回収できなかった純水は，ウェハＷの端部から落下し，カップ６１により回収される。このとき，例えば超音波振動子７１が稼動し，ウェハＷ上を流れる液体に超音波振動が印可される。また，吹き出し口７３から気体，例えば窒素ガスが噴出され，ウェハＷの端部の裏面に当該窒素ガスが吹き付けられる。これにより，ウェハＷの端部まで達した純水がウェハＷの裏面に回り込むことなく，カップ６１内に落下する。
【００６７】
続いて，上方のレーザ発振器８２からレーザ光が発射され，当該レーザ光は案内部材６５を通過してウェハＷ上の膜除去位置Ｐに照射される。レーザ光が膜除去位置Ｐに照射されると，その部分の反射防止膜が分解し，剥離して液体の流れに取り込まれる。流れに取り込まれた反射防止膜の分解物は，回収ノズル６６により回収される。
【００６８】
こうして膜除去位置Ｐの反射防止膜が除去されると，レーザ光の照射が停止される。その後ノズル６４からの純水の噴出が停止される。純水の噴出が停止されると，保持アーム８５は，再び待機部に戻され，チャック６０は，高速で回転される。これにより，ウェハＷが振り切り乾燥される。
【００６９】
ウェハＷの振り切り乾燥が終了すると，Ｘ−Ｙステージ６２が駆動し，カップ６１が搬入出口１０２近傍の搬入出位置まで戻される。その後シャッタ１０３が開放され，例えば搬送アーム５２がケーシング４ａ内に進入して，チャック６０から搬送アーム５２にウェハＷが受け渡される。
【００７０】
ウェハＷを受け取った搬送アーム５２は，ケーシング４ａから退避し，第２の処理装置群Ｇ２の加熱処理装置４５にウェハＷを搬送する。ここで，十分に熱せられ乾燥されたウェハＷは，次にクーリング装置４１に搬送され，例えば常温まで冷却される。常温に冷却されたウェハＷは，再び主搬送装置５０の搬送アーム５２に保持され，第１の処理装置群Ｇ１のレジスト塗布装置２１に搬送される。
【００７１】
レジスト塗布装置２１に搬送されたウェハＷは，反射防止膜と同じ要領でスピンコーティング法により塗布処理される。すなわち，ウェハＷの中心部にレジスト液が供給され，当該ウェハＷを回転させ，レジスト液を拡散させることにより，ウェハＷ表面にレジスト膜が形成される。
【００７２】
レジスト膜が形成されたウェハＷは，加熱処理装置４６に搬送され，レジスト膜中の溶剤が乾燥された後，クーリング装置４２に搬送され，例えば常温まで冷却される。そして，冷却処理の終了したウェハＷは，主搬送装置５０によってエクステンション装置４３に搬送され，その後ウェハ搬送体１１によってカセットＣに戻されて，一連のウェハＷ処理が終了する。
【００７３】
以上の実施の形態によれば，処理ステーション３に隣接して膜除去装置４を設け，その間のウェハＷの搬送を主搬送装置５０によりできるようにしたので，反射防止膜の形成されたウェハＷを迅速かつ適切に膜除去装置４に搬送できる。したがって，搬送中にウェハＷが汚染されたり，破損したりすることが無く，ウェハＷの品質を向上させることができる。また，作業員が搬送する場合に比べて搬送時間が短縮されるので，処理全体のスループットを向上できる。
【００７４】
処理ステーション３内にクーリング装置４０〜４２，加熱処理装置４４〜４６の熱処理装置を備えたので，膜除去処理前後の熱処理も同じシステム内で迅速に行うことができる。また，処理ステーション３内にレジスト塗布装置２１を設けたので，レジスト膜の形成処理も同じシステム内で行うことができる。
【００７５】
また，膜除去装置４内に，純水を噴出するノズル６４と，噴出された純水を回収する回収ノズル６６を設けたので，レーザ光によって分解，剥離した反射防止膜の粒子を当該純水の流れに取り込み，回収することができる。これにより，分解した反射防止膜の粒子がウェハＷ上に残存し，ウェハＷに再付着することが防止できる。したがって，膜除去時のウェハＷの汚染が防止される。
【００７６】
ノズル６４から噴出された純水を膜除去位置Ｐに案内する案内部材６５を備えたので，噴出された純水が効率よく膜除去位置Ｐに供給され，発生する反射防止膜の粒子を効果的に排斥することができる。また，純水の消費量も低減することができ，コストダウンが図られる。なお，ウェハＷ上に噴出される液体は，純水に限られず，二酸化炭素，酸素又は窒素等の気体を混入した純水，イオン水，オゾン水及び過酸化水素水等の他の液体であってもよい。
【００７７】
案内部材６５には，透明体が用いられるので，案内部材６５を膜除去位置Ｐ上に配置した状態でレーザ光を照射することができる。これにより，案内部材６５によって純水を膜除去位置Ｐに誘導することが可能となる。
【００７８】
液体の供給時に，吹き出し口７３により，ウェハＷの端部の裏面に窒素ガスを吹き付けるようにしたので，ウェハＷ上の純水が裏面に回り込んで，ウェハＷの裏面を汚染することが抑制できる。これにより，ウェハＷの裏面の洗浄が不要となり，ウェハＷの全体の処理時間が短縮できる。
【００７９】
膜除去装置４にチャック６１を移動させるＸ−Ｙステージ６２を備えたので，ウェハＷの搬入位置と膜除去位置が異なる場合にも，適切にウェハＷを移動させることができる。また，ＣＣＤカメラ８３によりウェハＷの位置修正を行えるようにしたので，膜除去位置Ｐをレーザ照射位置に正確に合わせることができる。
【００８０】
チャック６０の外方にカップ６１を備えたので，回収ノズル６６に回収されずウェハＷから落下した純水が回収され，膜除去装置４内が汚染することを防止できる。
【００８１】
気体供給ユニット１００によりケーシング４ａ内に清浄な気体のダウンフローを形成するようにしたので，ケーシング４ａ内を清浄雰囲気に維持し，ウェハＷや各種駆動部から発生するパーティクルを排気し，ウェハＷが処理中に汚染されることを防止できる。
【００８２】
処理ステーション３に待機部としてのバッファカセットＢを備えたので，比較的処理時間のかかる膜除去処理を同じシステム内で行うことができる。また，主搬送装置５０にウェハＷの外縁部でない裏面を保持できる搬送アーム５４を備えたので，ウェハＷの外縁部を支持するバッファカセットＢに対してウェハＷを搬送することができる。なお，主搬送装置５０の有する搬送アームの数は，任意に選択でき，複数であっても単数であってもよい。
【００８３】
以上の実施の形態では，純水で濡れたウェハＷを回転させることによって振り切り乾燥させていたが，ウェハＷに気体を噴出させて，純水を除去するようにしてもよい。例えば膜除去装置４のケーシング４ａの上面に，気体噴出部としてのエアナイフユニット１０５が設けられる。エアナイフユニット１０５は，図１２に示すようにＸ−Ｙステージ６２によるウェハＷの移動範囲内に配置される。エアナイフユニット１０５は，例えばウェハＷの直径よりも長いスリット状の噴出口を有し，下方のウェハＷにカーテン状のエアを噴出できる。そして，膜除去後ウェハＷ上の純水を除去する際には，エアナイフユニット１０５からエアを噴出させた状態で，Ｘ―Ｙステージ６２を駆動させ，ウェハＷをカーテン状のエアの下を通過させる。こうすることにより，ウェハＷ上に残存した純水が吹き飛ばされ，ウェハＷが乾燥される。
【００８４】
上述のエアの噴出工程は，ウェハＷを回転させながら行うようにしてもよい。また，上述のエアの噴出工程は，チャック６０に取り付けられた超音波振動子７１を振動させながら行うようにしてもよい。さらに，上述のエアの噴出工程は，ウェハＷを回転させ，超音波振動子７１を振動させながら行うようにしてもよい。
【００８５】
以上の実施の形態では，ウェハＷ上に純水等の液体を流して剥離した反射防止膜を除去していたが，膜除去位置Ｐ付近に存在する流体を吸引し，排出することにより剥離した反射防止膜を排除するようにしてもよい。
【００８６】
図１３は，かかる一例を示すものであり，膜除去装置１１０には，膜除去位置Ｐ付近の雰囲気等の流体を吸引し，排出するための吸引排出部材１１１が設けられている。吸引排出部材１１１は，例えば略円柱状に形成され，その内部には，略密閉空間を形成する中空部１１２が形成されている。吸引排出部材１１１の下面には，下方に存在する流体を中空部１１２内に吸引する吸引口１１３が設けられている。吸引排出部材１１１の側面には，中空部１１２内に吸引した流体を排出するための排出管１１４が接続されている。排出管１１４は，例えば負圧発生手段であるエジェクタ１１５に連通されており，所定の圧力，所定のタイミングで中空部１１２内の流体を吸引することができる。したがって，吸引排出部材１１１の下方の流体を，吸引口１１３から吸引し，中空部１１２を通過させ，排出管１１４から排気できるようになっている。
【００８７】
吸引排出部材１１１の側面の下部には，膜除去位置Ｐ付近にエア，酸素ガス等の気体と，純水等の液体とを選択的に供給できる流体供給部１１６が設けられている。流体供給部１１６は，吸引口１１３を中心とする同一円周上に複数設けられる。各流体供給部１１６は，流体供給部１１６の供給口１１６ａが吸引口１１３側に向くように傾けて設けられている。これにより，各流体供給部１１６は，吸引排出部材１１１とウェハＷとの隙間に所定の流体を供給できる。各流体供給部１１６は，例えば供給管１１７により気体，例えば酸素ガスの供給源（図示しない）と，液体，例えば純水の供給源に連通接続されている。供給管１１７には，例えば三方弁１１８が設けられており，この三方弁１１８により酸素ガスと純水の供給を適宜切り替えることができる。
【００８８】
吸引排出部材１１１の上部，すなわち中空部１１２の上面は，石英ガラス等の透明体Ｍで形成されている。吸引口１１３は，中空部１１２を挟んだ当該透明体Ｍの下方に配置されており，上方から照射されたレーザ光が，透明体Ｍ，中空部１１２及び吸引口１１３を通過し，下方のウェハＷに照射できるようになっている。
【００８９】
吸引排出部材１１１は，例えば保持アーム８５により保持され，吸引口１１３をウェハＷ上の膜除去位置Ｐ上に配置することができる。また，吸引排出部材１１１の高さを調節し，吸引口１１３とウェハＷとの距離を最適な距離，例えば１０〜５０μｍ程度にすることができる。
【００９０】
そして，膜除去時には，吸引排出部材１１１が膜除去位置Ｐ上まで移動する。流体供給部１１６から例えば膜除去位置Ｐ付近に純水が供給され，吸引口１１３から当該純水が吸引される。吸引口１１３から吸引された純水は，中空部１１２を通り，排出管１１４を通じて排出される。このように流体供給部１１６→膜除去位置Ｐ→吸引口１１３→排出管１１４の順に流れる純水の流れを形成した状態で，レーザ発振器８２からレーザ光が発射され，透明体Ｍ，吸引口１１３を通過したレーザ光は膜除去位置Ｐに照射される。この照射によって剥離した反射防止膜は，純水の流れに取り込まれ，吸引排出部材１１１を通じて排出される。レーザ光の照射が終了すると，所定時間純水の供給，排出が継続され，その後停止される。
【００９１】
かかる例によれば，レーザ光によりウェハＷから剥離した反射防止膜が直ちに吸引口１１３から吸引され，排出される。それ故，剥離した反射防止膜がウェハＷに再付着することが防止でき，ウェハＷの汚染を防ぐことができる。吸引排出部材１１１の上面を透明体Ｍとし，吸引排出部材１１１内を中空部１１２としたので，吸引排出部材１１１を膜除去位置Ｐの真上に配置した状態でレーザ光を照射できる。したがって，吸引口１１３を膜除去位置Ｐにより近づけた状態で吸引できる。特に，ウェハＷから剥離する反射防止膜の粒子は，上方に浮遊することが実験等により確認されているので，その効果は大きい。なお，この例では，流体供給部１１６から純水を供給していたが，酸素ガス等の気体を供給してもよい。かかる場合も膜除去位置Ｐを通過し，吸引口１１３から吸引される気流が形成されるので，ウェハＷから剥離した反射防止膜を迅速かつ確実に除去することができる。
【００９２】
以上の実施の形態では，反射防止膜を形成した後，膜の除去処理を行い，その後レジスト膜を形成するようにしていたが，レシピによっては，反射防止膜を形成後，レジスト膜を形成し，その後膜除去処理を行ってもよい。かかる場合，反射防止膜形成装置２０で反射防止膜の形成されたウェハＷは，加熱，冷却された後，レジスト塗布装置２１に搬送され，ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後ウェハＷは，加熱，冷却され，その後膜除去装置４に搬送される。膜除去装置４において膜除去処理の行われたウェハＷは，加熱，冷却処理され，エクステンション装置４３からカセットステーション２に戻される。
【００９３】
また，以上の実施の形態で記載した処理システム１には，処理ステーション３にレジスト塗布装置２１を設けたが，レジスト塗布装置２１が無くてもよい。この場合，ウェハＷ上に反射防止膜が形成され，その後膜除去位置Ｐの膜が除去された後，ウェハＷがエクステンション装置４３からカセットステーション２に戻される。
【００９４】
さらに，以上の実施の形態で記載したシステムは，処理ステーションと露光装置との間でウェハＷを搬送する搬送装置を有するインターフェイス部を備えるようにしてもよい。
【００９５】
図１４は，かかる一例を示すものであり，処理システム１２０の処理ステーション１２１の背面側（図１４の上方側）には，膜除去装置１２２が設けられている。なお，膜除去装置１２２は，例えば上述の膜除去装置４と同様の構成を有するものである。処理ステーション１２１を挟んだ両側にカセットステーション１２３とインターフェイス部１２４とが設けられている。また，このシステム外には，インターフェイス部１２４に隣接して露光装置１２５が設けられている。
【００９６】
処理ステーション１２１には，主搬送装置１２６のインターフェイス部１２４側に，第３の処理装置群Ｇ３が設けられる。第３の処理装置群Ｇ３には，ウェハＷをインターフェース部１２４側に受け渡すための受け渡し部としてのエクステンション装置１３０が備えられている。また，主搬送装置１２６の正面側に第４の処理装置群Ｇ４が設けられる。第４の処理装置群Ｇ４には，例えば現像処理装置１３１が２段に重ねられて設けられる。なお，前記実施の形態と同様に第１の処理装置群Ｇ１には，反射防止膜形成装置２０とレジスト塗布装置２１とが設けられ，第２の処理装置群Ｇ２には，クーリング装置４０〜４２，エクステンション装置４３，加熱処理装置４４〜４６が設けられている。
【００９７】
主搬送装置１２６は，第１の処理装置群Ｇ１，第２の処理装置群Ｇ２に加え，膜除去装置１１２，第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４に対してウェハＷを搬送できるように配置される。なお，第３の処理装置Ｇ３には，エクステンション装置１３０に加え，ウェハＷのレシピに合わせてクーリング装置や加熱処理装置等の他の処理装置が設けられていてもよい。
【００９８】
インターフェイス部１２４には，搬送装置としてのウェハ搬送体１３２が設けられている。このウェハ搬送体１３２は，例えばＸ方向（図１４中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第３の処理装置群Ｇ３のエクステンション装置１３０と露光装置１２５に対してアクセスして，それぞれにウェハＷを搬送できる。
【００９９】
そして，ウェハＷの処理の際には，ウェハＷがカセットステーション１２３からエクステンション装置４３を介して主搬送装置１２６に受け渡され，主搬送装置１２６は，ウェハＷを反射防止膜形成装置２０に搬送する。ウェハＷ上に反射防止膜が形成されると，ウェハＷは，加熱，冷却処理された後，主搬送装置１２６により膜除去装置１２２に搬送される。そして，前記実施の形態で記載した膜除去処理が終了したウェハＷは，加熱，冷却処理され，レジスト塗布装置２１に搬送される。レジスト塗布装置２１においてレジスト塗布処理が終了したウェハＷは，加熱，冷却処理された後，第３の処理装置群Ｇ３のエクステンション装置１３０に搬送され，ウェハ搬送体１３２により露光装置１２５に搬送される。露光装置１２５で露光処理の終了したウェハＷは，再びウェハ搬送体１３２によりエクステンション装置１３０に戻される。エクステンション装置１３０に戻されたウェハＷは，加熱，冷却処理された後，現像処理装置１３１に搬送される。現像処理装置１３１においてウェハＷの現像処理が行われた後，ウェハＷは，再度加熱，冷却処理され，主搬送装置１２６によって第２の処理装置群Ｇ２のエクステンション装置４３に搬送される。その後，ウェハＷは，ウェハ搬送体１１によりカセットステーション１２３のカセットＣに戻され，ウェハＷの一連の処理が終了する。
【０１００】
このように，処理ステーション１２１と露光装置１２５間のウェハＷを搬送するインターフェイス部１２４を備えることによって，反射防止膜形成→膜除去処理→レジスト膜形成→露光処理→現像処理という一連のウェハ処理を一の処理システム内で行うことができる。したがって，処理中に作業員等がウェハＷを搬送することがないので，搬送中にウェハＷを汚染させたり，破損させたりすることを防止できる。また，ウェハＷの搬送時間等が短縮できるので，ウェハＷの全体の処理時間も短縮できる。
【０１０１】
なお，かかる実施の形態では，膜除去装置１２２を処理ステーション１２１の背面側に配置したが，主搬送装置１２６がアクセス可能な位置であれば，他の側面に設けてもよい。インターフェイス部１２４も同様に処理ステーション１２１の他の側面に設けてもよい。また，処理ステーション１２１内には，膜除去装置１１２の搬送前にウェハＷを一旦待機させておくバッファカセットを設けてもよい。
【０１０２】
以上の実施の形態は，反射防止膜を除去するものであったが，本発明は，例えば反射防止膜とレジスト膜を同時に除去する場合にも適用できる。また，本発明は，他の膜を除去する場合にも適用できる。なお，上述した膜除去処理以外の処理の内容や順番は，ウェハのレシピに合わせて自由に変更できる。また，基板は，ウェハに限られず，ＬＣＤ基板，フォトマスク用のマスクレチクル基板等の他の基板であってもよい。
【０１０３】
【発明の効果】
本発明によれば，基板の汚染を防止し基板の品質を向上させることができる。また，搬送時間を短縮しスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態にかかる処理システムの構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図２】図１の処理システムの正面図である。
【図３】図１の処理システムの背面図である。
【図４】反射防止膜形成装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図５】主搬送装置の構成を示す斜視図である。
【図６】膜除去装置の構成を示す縦断面の説明図である。
【図７】膜除去装置のカップ内の構成を示す縦断面の説明図である。
【図８】カップ内の吹き出し口の配置を示すカップの平面図である。
【図９】案内部材の斜視図である。
【図１０】回収ノズルの斜視図である。
【図１１】ウェハ上を純水が流れ，案内部材を通過する様子を示すウェハ周辺の縦断面の説明図である。
【図１２】膜除去装置にエアナイフユニットを設けた場合の処理システムの構成を示す横断面の説明図である。
【図１３】吸引排出部材を備えた膜除去装置の内部の構成を示す縦断面の説明図である。
【図１４】インターフェイス部を備えた処理システムの構成例を示す縦断面の説明図である。
【符号の説明】
１ 処理システム
２ カセットステーション
３ 処理ステーション
４ 膜除去装置
２０ 反射防止膜形成装置
５０ 主搬送装置
Ｐ 膜除去位置
Ｗ ウェハ

Claims (9)

1. 基板を処理する処理システムであって，
   このシステムに対して基板を搬入出するための搬入出部と，
   前記搬入出部から搬送された基板上に第１の膜を形成する第１の膜形成装置及び前記基板上の第１の膜上に第２の膜を形成する第２の膜形成装置を備えた処理部と，
   前記基板上の所定位置のアライメントマーク上の膜を除去する膜除去部と，を有し，
   前記処理部には，前記第１の膜形成装置，前記第２の膜形成装置及び膜除去部間で基板を搬送できる搬送機構が設けられ，
   前記膜除去部は，基板を保持する基板保持部と，当該基板保持部に保持された基板の前記所定位置に加工用のレーザ光を照射するレーザ光源と，基板に対して液体を噴出するノズルと，前記ノズルから基板上に噴出され前記所定位置を通過した前記液体を回収する回収機構と，基板上に気体を噴出する気体噴出部と，を有し，
   前記膜除去部における膜の除去は，前記第１の膜形成装置における第１の膜の形成と第２の膜形成装置における第２の膜の形成との間に行われ，前記膜除去部では，前記アライメントマーク上の第１の膜が除去されることを特徴とする，処理システム。
2. 前記膜除去部は，前記基板上に噴出された液体を前記所定位置に案内する案内部材を有することを特徴とする，請求項１に記載の処理システム。
3. 少なくとも前記案内部材の一部は，前記レーザ光を透過する透明体で形成されていることを特徴とする，請求項２に記載の処理システム。
4. 前記膜除去部は，前記基板保持部に保持された基板の外縁部の裏面に対して気体を吹き出す吹き出し口を有することを特徴とする，請求項１，２又は３のいずれかに記載の処理システム。
5. 基板を処理する処理システムであって，
   このシステムに対して基板を搬入出するための搬入出部と，
   前記搬入出部から搬送された基板上に第１の膜を形成する第１の膜形成装置及び前記基板上の第１の膜上に第２の膜を形成する第２の膜形成装置を備えた処理部と，
   前記基板上の所定位置のアライメントマーク上の膜を除去する膜除去部と，を有し，
   前記処理部には，前記第１の膜形成装置，前記第２の膜形成装置及び膜除去部間で基板を搬送できる搬送機構が設けられ，
   前記膜除去部は，基板を保持する基板保持部と，当該基板保持部に保持された基板の前記所定位置に加工用のレーザ光を照射するレーザ光源と，前記基板の所定位置付近の流体を吸引し，排出する吸引排出部材と，を有し，
   前記膜除去部における膜の除去は，前記第１の膜形成装置における第１の膜の形成と第２の膜形成装置における第２の膜の形成との間に行われ，前記膜除去部では，前記アライメントマーク上の第１の膜が除去されることを特徴とする，処理システム。
6. 前記第１の膜は，反射防止膜であり，前記第２の膜は，レジスト膜であることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の処理システム。
7. 前記処理部には，基板を熱処理する熱処理装置が設けられ，
   前記搬送機構は，前記熱処理装置に対して基板を搬送自在であることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の処理システム。
8. 前記処理部とシステム外の露光装置との間で基板を搬送する搬送装置を備えたインターフェイス部を有することを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の処理システム。
9. 前記処理部は，前記膜除去部に搬入される前の基板を待機させる待機部を備えていることを特徴とする，請求項１〜８のいずれかに記載の処理システム。

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