JP2005301258A - 保護層を有するマスクブランク - Google Patents

Abstract

【課題】基板上へ薄層系を設けることにより耐薬品性の向上したマスクブランク及びフォトマスクを提供し、アルカリ洗浄処理の実施を可能とする。
【解決手段】マスクブランクを基板及び薄層系から構成し、
前記薄層系を、シリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含むシリコン及び／またはアルミニウム含有層、及び前記シリコン含有層上へ設けられかつ０．２ないし４ｎｍの厚さをもつ保護層から構成し、
前記マスクブランクによって３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対するフォトマスクを製造する。
【選択図】図１（ａ）

Description

本発明は、３００ｎｍ未満の露光波長用マスクブランク、その製造方法、及び同マスクブランクのパターン化によって製造されるフォトマスクに関する。

本願はＰＣＴ出願ＰＣＴ／ＥＰ２００４／００９１９の関連出願である。

リソグラフィ器具の分解能、コントラスト及び深度焦点を通常の二進マスク技術によって達成可能な範囲を超えるまで拡げる手段として移相マスクが重要視されている。
いくつか案出された移相方法の中でも、固体物理技術１月号４３頁（１９９２年）においてＢｕｒｎ Ｊ．Ｌｉｎによって提案された（埋設された）減衰性移相マスク（ハーフトーン移相マスクとも称される）が製作容易性及びそれに伴う低コスト性ゆえに広く受け入れられている。

上記減衰性移相マスクによる技術的解決策の他に、交互（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）移相マスク（ハード型、あるいはレビンソン型移相マスクとも称される）も提案されている。この交互移相マスクにおいては、エッチングによって石英基板中へ結合されて所望の移相が形成される僅かに透明な層、すなわち極めて薄いクロム層が基板へ設けられている。

これら層の光学特性及び特に優れた透過性にゆえに、両タイプの移相マスクの移相系中の光学活性層のみならず、例えば二進マスクブランクにおいても、シリコン及び／またはアルミニウム含有層が露光波長３００ｎｍあるいはそれ未満の波長に対してしばしば用いられる。

フォトマスクのパターン化工程中と同様にマスクブランクの製造工程においても、マスクブランク及びフォトマスクの前記薄層はしばしば強力な化学洗浄剤を用いた種々かつ反復的な洗浄処理を受ける。シリコン及び／またはアルミニウム含有層の酸に対する耐薬品性は十分であるが、アルカリ剤を用いて洗浄した場合には前記層は容易に分解してしまう。従って、最上層としてシリコン及び／またはアルミニウムを含む層から成る薄層系をアルカリ性洗浄剤を用いて洗浄すると、該層の薄い層が洗い出され、前記シリコン及び／またはアルミニウムコーティング層の厚さが薄くなる可能性がある。しかしながら、特に前記シリコン及び／またはアルミニウムコーティング層によってマスクブランクへ例えば移相性及び／または特異な透過性等の光学特性が付与されるのであれば、このようなアルカリ洗浄によってマスクブランクの前記特性に悪影響が及ぶ可能性があるため、アルカリ洗浄を避ける必要がある。しかしながら、アルカリ洗浄は酸を用いた洗浄に比べて洗浄効果において利点があるため、アルカリ洗浄剤に対しても安定な薄層系があれば有利である。

従って、本発明は、特にアルカリ洗浄との関連において耐薬品性の向上したマスクブランク及びフォトマスクを提供することを目的とする。

本発明の第一の観点では、マスクブランクは基板及び薄層系から構成され、
前記薄層系は、
シリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含む少なくとも１層のシリコン及び／またはアルミニウム含有層と、
前記シリコン含有層上へ設けられた保護層から構成され、
前記保護層は０．２ないし４ｎｍの厚さをもち、
前記マスクブランクによって３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対するフォトマスクの作製が可能である。

本発明の第二の観点では、基板及び薄層系から構成されるマスクブランクの製造方法が提供されており、
前記薄層系は、シリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含むシリコン及び／またはアルミニウム含有層と、前記シリコン含有層上へ設けられかつ０．２ないし４ｎｍの厚さをもつ保護層から構成され、
前記マスクブランクによって３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対するフォトマスクの作製が可能であり、
また前記製造方法は、
−基板を用意する工程と、
−前記基板上へ薄層を設ける工程と、
−前記薄層系を洗浄する工程、から構成される。

本発明の第三の観点は、基板及び薄層系から構成される、３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対するリソグラフィ用フォトマスクに関し、
前記薄層系は、
−シリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含む少なくとも１層のシリコン及び／またはアルミニウム含有層と、
−前記シリコン含有層上へ設けられかつ０．５ないし４ｎｍの厚さをもつ保護層と、
−前記保護層上へ設けられた吸収層から構成される。

本発明の第四の観点は、３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対するリソグラフィ用フォトマスクの製造方法に関し、
前記フォトマスクは基板及び薄層系から構成され、
前記薄層系は、シリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含む少なくとも１層のシリコン及び／またはアルミニウム含有層と、前記シリコン含有層上へ設けられかつ０．２ないし４ｎｍの厚さをもつ保護層と、前記保護層上へ設けられた吸収層から構成され、
前記方法には前記薄層系の洗浄工程が含まれる。

本発明の上記及び他の態様、目的、特徴及び利点は、添付図面を参照しながら以下に記載した詳細な説明及び発明を検討することにより明らかとなる。
上記全般的説明及び以下に記載の詳細な説明及び実施例はいずれも本発明の単なる例示であり、特許請求の範囲に限定された本発明の性質及び特徴を理解するための概要あるいは枠組みを提供することを意図したものであることが理解されなければならない。

当該技術分野において公知であるように、「フォトマスクブランク」あるいは「マスクブランク」は、「フォトマスク」あるいは「マスク」がフォトマスクブランクが構造化あるいはパターン化され、あるいは結像された後の該フォトマスクブランクを記述するために用いられる点で、「フォトマスク」あるいは「マスク」と異なる。本願においてはこの約定に従うようにあらゆる試みが為されているが、当業者は本発明の実際的な観点においてはその相違を認識しないであろう。従って、本願において用語「フォトマスクブランク」あるいは「マスクブランク」は、結像されたフォトマスクブランク及び結像されていないフォトマスクブランクの双方を含むように最も広い意味で用いられていることを理解されたい。

本発明において、マスクブランク層系中の第一層の第二層に対する相対位置を記述するために用いられる用語、「の下」及び「の上」の意味は以下の通りである。用語「の下」は前記第一層がマスクブランクの基板へ前記第二層よりもより近接して設けられることを意味し、また表現「の上」は前記第一層が前記第二層よりも基板からより離れて設けられることを意味する。
また、明示的に述べられている場合を除いて、表現「の下」あるいは「の上」は、それぞれ「の真下」及び「の下」だが、さらに少なくとも１層が前記２層間に設けられている」か、あるいは「の真上」及び「の上」だが、さらに少なくとも１層が前記２層間に設けられている」を意味することができる。

本発明の第一の観点は基板及び薄層系から構成されるマスクブランクに関し、前記薄層系はシリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含む少なくとも１層のシリコン及び／またはアルミニウム含有層と、１または２以上のシリコン及び／またはアルミニウム含有層上へ設けられた少なくとも１層の保護層から構成され、０．２ないし４ｎｍの厚さをもつ各保護層はシリコン及び／またはアルミニウム含有層を保護し、前記マスクブランクによって３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対するフォトマスクを作製することができる。

本発明に従った保護あるいは防壁層を設けることにより、例えばマスクブランクあるいはフォトマスクの作製期間中の洗浄処理による特にシリコン及び／またはアルミニウム含有層表面への損傷が防止されることが見出された。

本発明に係るマスクブランクには、シリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含む、すなわち層中のシリコン及びアルミニウムの総和が少なくとも３０原子量％であるシリコン及び／またはアルミニウム含有層が含まれる。このシリコン及び／またはアルミニウム含有層にはシリコンまたはアルミニウムの１種のみが含まれるか、あるいはシリコン及びアルミニウムの混合物が含まれるかのいずれでもよい。シリコン及び／またはアルミニウムの他、前記シリコン及び／またはアルミニウム含有層にはＯ、Ｎ、Ｃ、またはＢ等の他原子がさらに含まれていてもよい。また、前記シリコン及び／またはアルミニウム含有層には、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ等の他金属が含まれてもよいが、それらが含まれる量はアルカリまたは酸等の反応性の強いシリコン及び／またはアルミニウム含有層洗浄剤に対しての前記層の保護には不十分な量とする。典型例として、前記他の金属が前記シリコン及び／またはアルミニウム含有層中に含まれる量は多くても２０原子量％であり、特定の実施態様では多くても１０原子量％である。本発明の他の実施態様においては、前記シリコン及び／またはアルミニウム含有層にはシリコン及び／またはアルミニウムの酸化物、窒化物、あるいはオキシ窒化物が含まれる。本発明の別の実施態様においては、前記シリコン含有層にはシリコン及びモリブデンの酸化物、窒化物及びオキシ窒化物が含まれる。

本発明に係るマスクブランクにはシリコン及び／またはアルミニウム含有層上へ設けられた少なくとも１層の保護層が含まれる。これにより、マスクブランクあるいはフォトマスクの作製中にこのようなシリコン及び／またはアルミニウム含有層がアルカリ及び／または酸へ暴露された際、前記保護層によって前記シリコン及び／またはアルミニウム含有層が分解から保護される。

本発明に従ったマスクブランクの薄層系には、シリコン及び／またはアルミニウム含有層上に設けられた少なくとも１層の保護層が含まれていてもよいし、あるいはそれぞれがシリコン及び／またはアルミニウム含有層上へ設けられた２またはそれ以上の保護層が含まれていてもよい。
前記保護層は、好ましくはシリコン及び／またはアルミニウム含有層上へ直接設けられる。

本発明のいくつかの実施態様において、前記保護層の厚さは多くても４ｎｍ、好ましくは多くても２ｎｍである。通常、前記保護層の少なくとも０．２ｎｍの厚さはアルカリ洗浄剤に対する保護機能を前記薄層系へ与えるのに十分であるが、本発明のいくつかの実施態様において前記保護層の厚さは、例えば用いられるアルカリ洗浄剤の反応の強さによって、少なくとも０．５ｎｍであり、あるいは場合によっては少なくとも０．７ｎｍである。

本発明の別の実施態様において、前記保護層は本質的にマスクブランク及びフォトマスクの光学特性を実質的に変化させない、すなわち前記保護層は前記光学特性を２％まであるいはさらには１％までしか変化させない。光学特性とは、例えばマスクブランクの移相性、透過性及び反射特性である。

図１及び図２には本発明の２つの実施態様が示されている。基板１上にはシリコン及び／またはアルミニウム含有層２、保護層３、及び吸収層４が設けられている。保護層３は図１に示したシリコン及び／またはアルミニウム含有層３とは異なるエッチング選択性をもっていてもよい。この場合、吸収層４のエッチングに際して保護層３もエッチングされ、縁部６及び窪み５から成るパターンが吸収層４及び保護層３内に形成される。図２に示すように、保護層３へシリコン及び／またはアルミニウム含有層２と同じエッチング選択性を与え、また吸収層４とは異なるエッチング選択性を与えることも可能である。

前記表現「異なるエッチング選択性」とは、第二層の上に設けられた第一層が第一エッチング剤を用いてエッチングされる時に、第一層の下に設けられた第二層が実質的にエッチングされないことをいう。第二層がこのようなエッチング選択性をもつ場合、該第二層をエッチングするためには通常第二エッチング剤が必要とされる。前記表現「同一のエッチング選択性」とは、第二層の上に設けられた第一層が特定のエッチング剤を用いてエッチングされる時に第一層の下に設けられた第二層が実質的にエッチングされることをいう。

前記保護層は、好ましくはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄまたはこれらの混合物の酸化物あるいはオキシ窒化物等の金属酸化物あるいはオキシ窒化物を含む。

本発明に係るマスクブランクには、例えば最上の保護層上等の特に前記薄層系上部の上に吸収層がさらに含まれていてもよい。本発明の一実施態様においては、前記吸収層には、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及び／またはこれら金属の窒化物、炭化物、オキシ窒化物あるいは混合物から選択される少なくとも１種の金属が含まれる。本発明のいくつかの実施態様においては、前記吸収層にはＴａＮあるいはＣｒが少なくとも８０％含まれる。

本発明に係るマスクブランクには、例えば静電気防止層、無反射層、エッチング停止層の１または２以上の層がさらに付加的に含まれていてもよい。

本発明の一実施態様において、本発明に係るマスクブランクの１または２以上の層の組成をその基板から異なる間隔で徐々に変化させてもよい。

本発明の一実施態様に従えば、前記移相系の厚さは多くても３５０ｎｍ、好ましくは多くても３００ｎｍである。

本発明の一態様によれば、本発明に係るマスクブランクはほぼ１８０°の移相をもつ移相マスクブランクである。前記表現「ほぼ１８０°の移相をもつ」とは、前記移相マスクブランクが構造体の境界部分において光をキャンセルするのに十分な入射光の移相を与えて該境界におけるコントラストを増大させることを意味する。本発明のいくつかの実施態様においては、１６０°ないし１９０°、好ましくは１７０°ないし１８５°の移相が与えられている。

本発明の上記実施態様に従った移相マスクブランクの３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対する透過率は少なくとも０．００１％、好ましくは少なくとも０．５％である。

上記移相マスクブランクは、減衰型移相マスクブランク、交互マスクブランク、あるいは国際出願ＰＣＴ／ＥＰ２００４／００９１９及び米国特許出願Ｎｏ．１０／６５５，５９３に記載されているようなマスクブランクであってもよい。

減衰型移相マスクブランクにはマスクブランクへ移相機能を賦課する移相系が通常含まれる。かかる移相系は単層移相系、二層移相系、あるいは多層移相系である。上記単層、二層、及び多層移相系を用いる減衰型移相マスクブランクの例は、米国特許出願Ｎｏ．１０／６５５，５９３、欧州特許出願ＥＰ０４００１３５９、米国特許出願ＵＳ５，４８２，７９９、米国特許出願ＵＳ６，４５８，４９６、ＵＳ６，２７４，２８０、ＵＳ５，８９７，９７７、ＵＳ５，４７４，８６４及びＵＳ５，４８２，７９９に記載がある。

本発明第二の観点は、基板及び薄層系から構成されるマスクブランクの製造方法に関し、
前記薄層系は、シリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含むシリコン及び／またはアルミニウム含有層、前記シリコン含有層上に設けられかつ０．２ないし４ｎｍの厚さをもつ保護層から構成され、
前記マスクブランクによって３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対するフォトマスクが製作でき、
前記製造方法は、
−基板を供する工程と、
−薄層系を設ける工程と、
−前記薄層系を洗浄する工程から構成されることを特徴とする。

本発明の一実施態様においては、前記薄層系の洗浄後に該薄層系上へさらに１層が設けられる。このさらに設けられる層は１または２以上の層でもよく、これら層としては例えば１層の吸収層、及び／または１または２以上の無反射層が例示される。また上記に代えて、上記洗浄操作後にマスクブランク上へフォトレジストを設けることも可能である。

好ましくは、前記薄層系の洗浄は特にＫＯＨ、ＮａＯＨまたはアンモニアの水溶液等のアルカリ洗浄剤を用いて実施される。前記洗浄は、例えば、加温、及び／または超音波またはメガ音波処理、オゾン処理、及び／またはＵＶ照射等により温度を上昇させて促進することができる。

好ましくは、前記移相系及びさらに１または２以上の前記薄層系は、二重イオンビームスパッター、イオンビーム補助スパッター蒸着、イオンビームスパッター蒸着、ＲＦ整合回路、ＤＣ磁電管、ＡＣ磁電管、及びＲＦダイオードから選択される技術を用いたスパッター蒸着によって形成される。

一実施態様において、例えば移相系及び／または任意のさらに１層は、蒸着装置中の単室内において超高真空状態が中断されない条件下で蒸着される。特に好ましくは前記シリコン及び／またはアルミニウム含有層及び前記保護層へ蒸着が真空状態を中断することなく行われる。これにより、表面欠陥を伴うマスクブランクの除染を回避でき、実質的に欠陥のないマスクブランクを得ることができる。このようなスパッター技術は、例えば数個のターゲットからのスパッターを可能とするスパッター器具を用いることによって実現可能である。これにより、欠陥密度の低い高品質マスク及び／または層の厚さに対して高度に均質な層を得ることが可能となる。

前記スパッターターゲットとして、素子から成るターゲットあるいは部品からなるターゲットを用いることができる。蒸着層が金属または半金属の酸化物、窒化物、あるいはオキシ窒化物を含む場合、それら金属または半金属の酸化物、窒化物あるいはオキシ窒化物を前記ターゲット材として用いることができる。しかしながら、金属または半金属のターゲットを用いることも可能であり、また活性スパッターガスとして酸素及び／または窒素を導入することも可能である。ＳｉＯ₂の蒸着の場合、好ましくはＳｉから成るターゲットが用いられ、また活性ガスとして酸素が導入される。蒸着層に窒素が含まれる場合には、好ましくは活性ガスとして窒素が導入される。

スパッターガスとしては、好ましくはヘリウム、アルゴンまたはキセノン等の不活性ガスが用いられる。このような不活性ガスを、酸素、窒素、一酸化窒素、二酸化窒素、及び酸化二窒素、あるいはこれらの混合物等の活性ガスと混合することも可能である。活性ガスは、スパッターされたイオンと反応して蒸着層の一部となり得るガスである。

本発明の第三の観点は３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対するリソグラフィ用フォトマスクに関し、
前記フォトマスクは基板及び薄層系から構成され、
前記薄層系は、
シリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含む少なくとも１層のシリコン及び／またはアルミニウム含有層、
前記シリコン含有層上へ設けられかつ０．２ないし４ｎｍの厚さをもつ保護層、及び、前記保護層上へ設けられた吸収層から構成される。

本発明に係るフォトマスクの特定の実施態様において、該フォトマスクの組成及び構造は前述した本発明に従ったマスクブランクの組成及び構造と同一である。

基板及び、シリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含む少なくとも１層のシリコン及び／またはアルミニウム含有層と、前記シリコン含有層上へ設けられかつ０．２ないし４ｎｍの厚さをもつ保護層と、前記保護層上へ設けられた吸収層から成る薄層系から構成される、３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対するリソグラフィ用フォトマスクの製造方法には前記薄層系の洗浄工程が含まれる。

エッチング処理としては、Ｃｌ₂、Ｃｌ₂＋Ｏ₂、ＣＣｌ₄等の塩素系ガスを用いるドライエッチング法、あるいは酸、アルカリ等を用いるウェットエッチング法を用いることができる。しかし、好ましくはドライエッチング法が用いられる。また、好ましくはフッ素含有成分を用いるエッチング法及び、ＣＨＦ₃、ＣＦ₄、ＳＦ₆、Ｃ₂Ｆ₆及びこれらの混合物等のフッ素ガスを用いる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いることもできる。通常、本発明に係るマスクブランクのエッチングに際しては、少なくとも２種の異なるエッチング方法及び／またはエッチング剤が用いられる。

本発明の第三の観点の一実施態様においては、前記薄層系の清浄は、マスクブランク製造のための洗浄に関し前述したアルカリ洗浄剤を用いて実施される。

以下において、本発明の好ましい実施態様に従ったマスクブランクの設計及び作製について説明する。
図４に示したように、二重イオンビームスパッター器具を用いてすべての層に対して蒸着を行った。すべての層の蒸着には特にＶｅｅｃｏ Ｎｅｘｕｓ ＬＤＤイオンビーム蒸着器具を用いた。厳格な蒸着パラメータについてＳＡＳインスティテュート・インク、ＳＡＳＣａｍｐｕｓ Ｄｒｉｖｅ，Ｃａｒｙ，ノースカロライナ州２７５１３、ＵＳＡ製作によるソフトウェアＪＭＰ、レリーズ５．０．１ａを用いたＤＯＥによって測定した。

本発明の実施例及び比較例に従って使用された材料のスパッターに関する全蒸着パラメータを表１に示す。

米国特許出願Ｎｏ．１０／６５５，５９３に記載された透過性制御層としてのＴａを含む層（２０ｎｍ）及び移相制御層としてのＳｉＯ₂を含む層（１０６ｎｍ）から成る２層移相系を表１に挙げた蒸着パラメータを用いて石英基板上で蒸着する。
本発明に従った実施例の移相系上へ、表２にその特徴が記述された保護層を表１に記載した蒸着条件を用いて設ける。
次いで、本発明の実施例及び比較例に従った移相系をアルカリ洗浄液中へ数サイクルに亘って浸漬する。この洗浄のシリコン含有層に対する影響についても同じく表２に示す。実施例１及び比較例１の移相系のＳｉＯ₂層の厚さの減少について図３に示す。

表２に示したように、本発明に従った保護層によって保護された層系は高温においても強アルカリ洗浄液に対し安定である。
また、前記移相系上へ保護層を設けることによる前記移相系の移相及び透過性の変化はない。

前記移相系中のＳｉＯ₂の代わりにＡｌ₂Ｏ₃を用いて前記試験を繰り返した。本発明に従った保護層で被覆されたＡｌ₂Ｏ₃層に前記洗浄処理後のさらに大きな厚さロスが認められた。本発明に従った保護層によって被覆されたＡｌ₂Ｏ₃層のアルカリ洗浄剤を用いた洗浄中の剥離は認められない。

アルカリ洗浄剤を用いた洗浄後、吸収層（Ｃｒ、６０ｎｍ）を前記移相系上へ設けて移相マスクブランクを得た。得られたマスクブランクに対し、次いでクロム・ドライエッチング処理（Ｃｌ＋Ｏ₂）を行った。
Ｃｒの蒸着前後におけるマスクブランクのすれすれ入射Ｘ線反射曲線（ＧＩＸＲ）及び分光曲線（ｎ＆ｋ）は同一である。この結果より、薄いＴａ₂Ｏ₅保護層はクロム・ドライエッチング処理によって除去されていないことが分かる。

本発明の第一の実施態様に従ったマスクブランクの略断面図である。 本発明の第一の実施態様に従ったマスクブランクの略断面図である。 本発明の第一の実施態様に従ったフォトマスクの略断面図である。 本発明の別の実施態様に従ったマスクブランクの略断面図である。 本発明の別の実施態様に従ったマスクブランクの略断面図である。 本発明の別の実施態様に従ったフォトマスクの略断面図である。 実施例１及び比較例１の移相系のＳｉＯ₂層の厚さの減少を示した図である。 本発明の第二の態様による実施態様に従った移相マスクブランクの１または２以上の層の蒸着装置を示した図である。

Claims (13)

1. 基板及び薄層系から構成されるマスクブランクであって、
   前記薄層系は、
   シリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含むシリコン及び／またはアルミニウム含有層、及び
   前記シリコン含有層上へ設けられかつ０．２ないし４ｎｍの厚さをもつ保護層から構成され、
   前記マスクブランクによって３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対するフォトマスクを製造できることを特徴とする前記マスクブランク。
2. 前記マスクブランクが移相マスクブランクであることを特徴とする請求項１項記載のマスクブランク。
3. 前記シリコン及び／またはアルミニウム含有層によって前記マスクブランクへ移相が与えられることを特徴とする請求項１項記載のマスクブランク。
4. 前記保護層及び前記シリコン及び／またはアルミニウム含有層が同じエッチング選択性をもつことを特徴とする請求項１項記載のマスクブランク。
5. 前記保護層に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、及びこれらの混合物から選択される金属の酸化物またはオキシ窒化物の少なくとも１種が含まれることを特徴とする請求項１項記載のマスクブランク。
6. 基板及び薄層系から構成されるマスクブランクの製造方法であって、
   前記薄層系は、シリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含むシリコン及び／またはアルミニウム含有層、及び
   前記シリコン含有層上へ設けられかつ０．２ないし４ｎｍの厚さをもつ保護層から構成され、
   前記マスクブランクによって３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対するフォトマスクを作製でき、
   前記方法は、
   −基板を供する工程と、
   −前記基板上へ薄層系を設ける工程と、
   −前記薄層系を洗浄する工程から構成されることを特徴とする前記方法。
7. 前記薄層系の洗浄後に前記薄層系上へさらに１層が設けられることを特徴とする請求項６項記載の方法。
8. 前記さらに設けられる１層として吸収層が設けられることを特徴とする請求項７項記載の方法。
9. 前記薄層系の洗浄がアルカリ洗浄剤を用いて実施されることを特徴とする請求項６項記載の方法。
10. 前記薄層系の少なくとも１層がイオンビームスパッター処理を用いて設けられることを特徴とする請求項６項記載の方法。
11. ３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対するリソグラフィ用フォトマスクであって、
    前記フォトマスクは基板及び薄層系から構成され、
    前記薄層系は、
    シリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含む少なくとも１層のシリコン及び／またはアルミニウム含有層、
    前記シリコン含有層上へ設けられかつ０．２ないし４ｎｍの厚さをもつ保護層、及び
    前記保護層上へ設けられた吸収層から構成されることを特徴とする前記フォトマスク。
12. ３００ｎｍまたはそれ未満の波長をもつ露光に対するリソグラフィ用フォトマスクの製造方法であって、
    前記フォトマスクは基板及び薄層系から構成され、
    前記薄層系は、シリコン及びアルミニウムを少なくとも３０原子量％含む少なくとも１層のシリコン及び／またはアルミニウム含有層、前記シリコン含有層上へ設けられかつ０．２ないし４ｎｍの厚さをもつ保護層、及び前記保護層上へ設けられた吸収層から構成され、及び
    前記方法に前記薄層系の洗浄工程が含まれることを特徴とする前記方法。
13. 前記薄層系の洗浄がアルカリ洗浄剤を用いて実施されることを特徴とする請求項１２項記載の方法。
    
    

Images