JP2003121978A - Method for fabricating halftone phase shifting mask - Google Patents
Method for fabricating halftone phase shifting maskInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩなどの微細
パターンを投影露光装置にて転写する際に用いられるフ
ォトマスクの作製に係わり、特にハーフトーン型位相シ
フトマスクを精度良く容易に得る方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask used for transferring a fine pattern of an LSI or the like by a projection exposure apparatus, and more particularly to a method for easily obtaining a halftone type phase shift mask with high accuracy. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ＬＳＩ等の製造において微細パタ
ーン転写マスクたるフォトマスクの一つとして位相シフ
トマスクが用いられる。この位相シフトマスクは、マス
クを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転
写パターンの解像度を向上できるようにしたものであ
る。この位相シフトマスクの一つに、特に孤立したホー
ルやスペースパターンを転写するのに適したマスクとし
て特開平４−１３６８５４号に記載の位相シフトマスク
が知られている。この位相シフトマスクは、透明基板上
に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同
時に通過する光の位相をシフトさせる半透光膜を形成
し、この半透光膜の一部を選択的に除去することによ
り、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光
部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半
透光部とで構成するマスクパターンを形成したものであ
る。この位相シフトマスクは、半透光部を通過する光の
位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相が上
記透光部を通過した光の位相に対して実質的に反転する
関係になるようにすることにより、前記透光部と半透光
部とに境界近傍を通過して回折により回り込んだ光が互
いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良
好に保持できるようにしたものであり、通称、ハーフト
ーン型位相シフトマスクと称されている。この位相シフ
トマスクにおいては、露光光の波長をλ、半透光膜の露
光光に対する屈折率をｎとしたとき一般には半透光膜の
膜厚ｔの値が
ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝
を満たす値に設定され、また、露光光の波長における半
透光膜の透過率が１〜５０％程度になるように設定され
るのが普通である。上述のようにハーフトーン型位相シ
フトマスクは、半透光部によって位相シフト機能と遮光
機能とを兼ねさせたものである。すなわちこの半透光部
を、パターンの境界部においては位相シフト層として機
能させ、それ以外の部分では遮光層として機能させてい
る。したがって、本来は完全に露光光を遮断するのが理
想的である部分にもわずかな漏れ光が生じている。通常
は、この漏れ光があっても実質的な露光とまで至らない
ように、全体の露光量を調整する。位相シフトマスクの
特性を最大限に発揮させるためには位相シフト量が１８
０°であることが理想的であるが、実用上はおよそ±３
°の範囲に入ることが望ましい。そこで例えばあらかじ
め位相差が９０°＜φ＜１８０°である半透光膜（ハー
フトーン膜）を形成しておき、半透光膜エッチング後に
基板であるガラスを所定量エッチングしガラス部および
半透光膜部の位相差がトータルとして１８０°になるよ
うにする方法が特開平７−１５２１４２に開示されてい
る。また、特開平１０−１０４８１５ではフッ酸溶液ま
たは蒸気によりガラス部をエッチングし位相差を調節す
る方法が示されている。クロムを主成分とするハーフト
ーン型位相シフトマスクではフッ酸溶液または蒸気によ
りガラス部のみがエッチングされるため非常に簡便かつ
有効な方法である。2. Description of the Related Art In manufacturing a semiconductor LSI or the like, a phase shift mask is used as one of photomasks which are fine pattern transfer masks. This phase shift mask is capable of improving the resolution of the transfer pattern by giving a phase difference between the exposure lights passing through the mask. As one of the phase shift masks, a phase shift mask described in JP-A-4-136854 is known as a mask particularly suitable for transferring an isolated hole or space pattern. This phase shift mask forms a semi-transmissive film on a transparent substrate that transmits light having an intensity that does not substantially contribute to exposure and at the same time shifts the phase of light passing therethrough. By selectively removing, a mask pattern composed of a light-transmitting portion that transmits light of intensity that substantially contributes to exposure and a semi-light-transmitting portion that transmits light of intensity that does not substantially contribute to exposure is formed. It was done. The phase shift mask shifts the phase of light passing through the semi-transparent portion so that the phase of light passing through the semi-transparent portion is substantially inverted with respect to the phase of light passing through the transparent portion. By establishing the relationship, the light passing through the translucent portion and the semi-translucent portion in the vicinity of the boundary and wrapping around due to diffraction cancel each other so that the contrast of the boundary portion can be well maintained. This is commonly called a halftone type phase shift mask. In this phase shift mask, when the wavelength of the exposure light is λ and the refractive index of the semitransparent film to the exposure light is n, the value of the film thickness t of the semitransparent film is generally t = λ / {2 (n -1)}, and the transmissivity of the semitransparent film at the wavelength of the exposure light is usually set to about 1 to 50%. As described above, the halftone type phase shift mask has a semitransparent portion that has both a phase shift function and a light shielding function. That is, this semi-translucent portion is made to function as a phase shift layer in the boundary portion of the pattern, and is made to function as a light shielding layer in the other portions. Therefore, a small amount of leaked light also occurs in a portion where it is ideal to completely block the exposure light. Normally, the total exposure amount is adjusted so that even if the leaked light is present, the exposure is not substantially achieved. To maximize the characteristics of the phase shift mask, the phase shift amount should be 18
Ideally, it is 0 °, but in practice it is about ± 3
It is desirable to be in the range of °. Therefore, for example, a semi-transmissive film (halftone film) having a phase difference of 90 ° <φ <180 ° is formed in advance, and after etching the semi-transmissive film, the glass as the substrate is etched by a predetermined amount to form the glass portion and the semi-transmissive film. JP-A-7-152142 discloses a method in which the total phase difference of the light film portion is 180 °. Further, JP-A-10-104815 discloses a method of etching the glass portion with a hydrofluoric acid solution or steam to adjust the phase difference. The halftone phase shift mask containing chromium as a main component is a very simple and effective method because only the glass portion is etched by the hydrofluoric acid solution or vapor.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところが上記の公開公
報において、例えば、モリフデン、シリコン、酸素、窒
素を主たる構成要素とするモリブデンシリサイド系半透
光膜の場合において上記方法ではガラス部のみならずモ
リブデンシリサイド系半透光膜も若干ではあるがエッチ
ングされてしまうため所望の特性が得られないという問
題点がある。これは、フッ酸水溶液または蒸気は元来酸
化シリコン系の物質をエッチングするのに利用されるた
め上記モリブデンシリサイド系半透光膜の中に含まれる
酸素−シリコン結合物質も同時にエッチングされてしま
うからである。また、一般にフォトマスクの洗浄には、
例えば、熱硫酸を用いるような酸洗浄と、アンモニア、
過酸化水素水および水の混合水溶液を用いるようなアル
カリ洗浄の二種類あるが、上記モリブデンシリサイド系
半透光膜等の洗浄においては後者の洗浄方法において耐
性が小さいという問題点が存在する。すなわちアルカリ
水溶液によって膜を構成する成分が溶出し、膜の位相
差、透過率といった光学特性が変化してしまうのであ
る。従ってアルカリ洗浄を行なう場合には洗浄時間を制
限する、水溶液の濃度を調節するといった特別の配慮が
必要であった。However, in the above publication, for example, in the case of a molybdenum silicide-based semi-transparent film containing molyphden, silicon, oxygen, and nitrogen as main constituents, not only the glass part but also the molybdenum is formed by the above method. The silicide-based semi-translucent film is also slightly etched, but there is a problem that desired characteristics cannot be obtained. This is because the aqueous solution of hydrofluoric acid or vapor is originally used to etch the silicon oxide-based material, so that the oxygen-silicon bonding material contained in the molybdenum silicide-based semi-transparent film is also etched at the same time. Is. Also, in general, for cleaning photomasks,
For example, pickling with hot sulfuric acid, ammonia,
There are two types of alkali cleaning using a hydrogen peroxide solution and a mixed aqueous solution of water, but the latter cleaning method has a problem of low resistance in cleaning the above-mentioned molybdenum silicide-based semi-transparent film. That is, the components constituting the film are eluted by the alkaline aqueous solution, and the optical properties such as the phase difference and the transmittance of the film are changed. Therefore, when carrying out alkali cleaning, special consideration was required, such as limiting the cleaning time and adjusting the concentration of the aqueous solution.
【０００４】本発明では上記のような問題点を鑑み、位
相シフトマスク、特にモリフデンシリサイド系ハーフト
ーン型位相シフトマスクにおいて、位相差を簡単かつ精
度良く制御でき、また高度な洗浄を行うことのできるハ
ーフトーン型位相シフトマスクの製造方法等を提供する
ものである。In view of the above problems, according to the present invention, in a phase shift mask, especially in a molyfden silicide type halftone phase shift mask, the phase difference can be controlled easily and accurately, and an advanced cleaning can be performed. The present invention provides a method of manufacturing a halftone type phase shift mask that can be manufactured.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するために、以下の構成を有する。
（構成１） 透明基板上に半透光膜および遮光膜を順に
形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成する
工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記遮光
膜をエッチングし遮光膜パターンを形成する工程と、そ
の後、前記レジストパターンおよび前記遮光膜パターン
をマスクにして前記半透光膜をエッチングし半透光膜パ
ターンを形成する工程と、その後、前記レジストパター
ンを剥離する工程と、その後、前記遮光膜パターン上に
レジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマ
スクにして前記遮光膜パターンをエッチングすることに
より、最終形状の遮光膜パターンを形成する工程とを有
することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク
の製造方法において、前記半透光膜パターンを形成し、
前記レジストパターンを剥離した後に、アルカリ処理ま
たは酸処理すること、またはその両方の処理をすること
を特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
法。In order to solve the above problems, the present invention has the following constitution. (Structure 1) A step of sequentially forming a semi-transparent film and a light-shielding film on a transparent substrate, and further forming a resist pattern on the light-shielding film; and etching the light-shielding film using the resist pattern as a mask to form a light-shielding film pattern. A step of forming, a step of forming a semi-transparent film pattern by etching the semi-transparent film using the resist pattern and the light-shielding film pattern as a mask, and then a step of peeling the resist pattern, and Forming a resist pattern on the light-shielding film pattern and etching the light-shielding film pattern using the resist pattern as a mask to form a light-shielding film pattern in a final shape. Forming a semi-transparent film pattern,
A method for manufacturing a halftone phase shift mask, which comprises performing an alkali treatment, an acid treatment, or both treatments after removing the resist pattern.
【０００６】（構成２） 透明基板上に半透光膜および
遮光膜を順に形成し、さらに遮光膜上にレジストパター
ンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクに
して前記遮光膜をエッチングし遮光膜パターンを形成す
る工程と、その後、前記レジストパターンを剥離する工
程と、その後、前記遮光膜パターンをマスクにして前記
半透光膜をエッチングし半透光膜パターンを形成する工
程と、その後、前記遮光膜パターン上にレジストパター
ンを形成し、そのレジストパターンをマスクにして前記
遮光膜パターンをエッチングすることにより、最終形状
の遮光膜パターンを形成する工程とを有することを特徴
とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法にお
いて、前記半透光膜パターンを形成した後に、アルカリ
処理または酸処理すること、またはその両方の処理をす
ることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの
製造方法。(Structure 2) A step of sequentially forming a semi-translucent film and a light-shielding film on a transparent substrate and further forming a resist pattern on the light-shielding film; and etching the light-shielding film using the resist pattern as a mask to shield light. A step of forming a film pattern, then a step of peeling off the resist pattern, and then a step of etching the semitransparent film by using the light shielding film pattern as a mask to form a semitransparent film pattern, and thereafter, A step of forming a resist pattern on the light-shielding film pattern and etching the light-shielding film pattern using the resist pattern as a mask to form a light-shielding film pattern in a final shape. In the method for manufacturing a phase shift mask, after forming the semi-transparent film pattern, an alkali treatment or an acid treatment is performed. A method of manufacturing a halftone type phase shift mask, characterized by performing both or both.
【０００７】（構成３） 透明基板上に半透光膜および
遮光膜を順に形成し、さらに遮光膜上にレジストパター
ンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクに
して前記遮光膜をエッチングし遮光膜パターンを形成す
る工程と、その後、前記レジストパターンおよび前記遮
光膜パターンをマスクにして前記半透光膜をエッチング
し半透光膜パターンを形成する工程と、その後、前記レ
ジストパターンを剥離する工程と、その後、前記遮光膜
パターンをエッチングで全面除去する工程とを有するこ
とを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造
方法において、前記半透光膜パターンを形成し、前記レ
ジストパターンを剥離した後に、アルカリ処理または酸
処理すること、またはその両方の処理をすることを特徴
とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。(Structure 3) A step of sequentially forming a semi-translucent film and a light-shielding film on a transparent substrate, and further forming a resist pattern on the light-shielding film, and etching the light-shielding film using the resist pattern as a mask to shield light. A step of forming a film pattern, a step of etching the semitransparent film by using the resist pattern and the light shielding film pattern as a mask to form a semitransparent film pattern, and a step of peeling the resist pattern thereafter. In the method for manufacturing a halftone type phase shift mask, the method further includes the step of removing the light-shielding film pattern by etching, and the semi-transparent film pattern is formed, and the resist pattern is peeled off. Halftone characterized by being subjected to alkali treatment or acid treatment, or both of them later. Of manufacturing a die-type phase shift mask.
【０００８】（構成４） 前記アルカリ処理は、アンモ
ニア水、過酸化水素水および水の混合アルカリ水溶液に
よる処理であることを特徴とする構成１〜３のいずれか
に記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。(Structure 4) The halftone phase shift mask according to any one of Structures 1 to 3, wherein the alkali treatment is treatment with a mixed alkaline aqueous solution of ammonia water, hydrogen peroxide water and water. Manufacturing method.
【０００９】（構成５） 前記酸処理は、フッ酸水溶液
またはフッ酸蒸気による処理であることを特徴とする構
成１〜３のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフト
マスクの製造方法。(Structure 5) The method for manufacturing a halftone phase shift mask according to any one of Structures 1 to 3, wherein the acid treatment is a treatment with a hydrofluoric acid aqueous solution or a hydrofluoric acid vapor.
【００１０】（構成６） 前記半透光膜は、金属、シリ
コン、酸素、窒素を主たる構成要素とする物質からなる
ことを特徴とする構成１〜５のいずれかに記載のハーフ
トーン型位相シフトマスクの製造方法。(Structure 6) The half-tone phase shift according to any one of Structures 1 to 5, wherein the semitransparent film is made of a substance containing metal, silicon, oxygen and nitrogen as main constituent elements. Mask manufacturing method.
【００１１】（構成７） 前記遮光膜は、クロムを主た
る構成要素とする物質からなることを特徴とする構成１
〜６のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマス
クの製造方法。(Structure 7) The structure 1 is characterized in that the light-shielding film is made of a substance containing chromium as a main constituent element.
7. A method for manufacturing a halftone phase shift mask according to any one of 6 to 6.
【００１２】[0012]
【作用】上記構成１〜３では、半透光膜パターン上に遮
光膜パターンがある状態、即ち半透光膜パターンが遮光
膜パターンで保護された状態において、アルカリ処理ま
たは酸処理すること、またはその両方の処理をすること
を特徴とする。この場合、マスクの製造工程中（全ての
パターニング工程終了前）に位相差制御のためのガラス
エッチング処理を行うことができ、この処理はマスクの
洗浄処理を兼ねることができる。つまり、本発明のアル
カリ処理および／または酸処理においては、洗浄効果の
他に透明基板である例えば石英ガラスをエッチングする
効果がある。すなわち、このエッチング効果を積極的に
活用してマスク完成前にマスクの位相差を制御すること
が可能である。また本発明においては、マスクの製造工
程中にマスク完成後では行うことができない強い条件で
洗浄処理を行うことができる。上記のようなガラスエッ
チング処理および／または強い条件による洗浄処理を行
なうことにより、ガラス表面に強固に付着した異物をこ
の時点で除去し（ガラス部分の清浄度を向上させ）、な
おかつ表面を滑らかにすることによって、後工程におい
て極力異物が付着しにくいようになる。よって後工程の
作業をスムースに進めることができる。つまり、マスク
完成後にガラス表面に強固に付着した異物がある場合、
再洗浄やレーザー等による異物除去の工程が必要となる
が、本発明ではこのような工程の必要がない。上記の手
法を用いることで、ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造途中において高度な洗浄および／または位相差調整
を、半透光膜になんら悪影響を与えることなく行なうこ
とができ、結果として高品位のハーフトーン型位相シフ
トマスクを歩留よく提供できる。In the above structures 1 to 3, alkali treatment or acid treatment is performed in a state where the light-shielding film pattern is present on the semi-light-transmitting film pattern, that is, in a state where the semi-light-transmitting film pattern is protected by the light-shielding film pattern, or It is characterized in that both processes are performed. In this case, the glass etching process for controlling the phase difference can be performed during the mask manufacturing process (before the completion of all patterning processes), and this process can also serve as the mask cleaning process. That is, in the alkali treatment and / or the acid treatment of the present invention, in addition to the cleaning effect, there is an effect of etching the transparent substrate such as quartz glass. That is, it is possible to positively utilize this etching effect to control the phase difference of the mask before the mask is completed. Further, in the present invention, the cleaning process can be performed during the mask manufacturing process under strong conditions that cannot be performed after the mask is completed. By performing the above-described glass etching treatment and / or cleaning treatment under strong conditions, foreign substances strongly attached to the glass surface are removed at this point (improving the cleanliness of the glass portion), and the surface is smoothed. By doing so, it becomes difficult for foreign matter to adhere to the subsequent process as much as possible. Therefore, the work of the post-process can be smoothly advanced. In other words, if there is a foreign substance firmly attached to the glass surface after the mask is completed,
Although a step of rewashing or removing foreign matter by a laser or the like is required, such a step is not necessary in the present invention. By using the above method, it is possible to perform high-level cleaning and / or phase difference adjustment during the manufacture of the halftone phase shift mask without adversely affecting the semi-transparent film, resulting in high quality. A halftone type phase shift mask can be provided with good yield.
【００１３】上記構成４では、アルカリ処理が、アンモ
ニア水、過酸化水素水および水の混合アルカリ水溶液に
よる処理であることによって、ガラスエッチング処理お
よび／または強い条件による洗浄処理（ガラスエッチン
グを伴う場合を含む）を効果的に行なうことができる。
なお、膜の位相差、透過率といった光学特性が変化して
しまうのを回避する目的で、洗浄時間を制限したり、水
溶液の濃度を調節した、アンモニア、過酸化水素水およ
び水の混合水溶液を用いたアルカリ洗浄（例えば、洗浄
時間３分、かつ、アンモニア水：過酸化水素水：水＝
１：１：１０又はアンモニア水：過酸化水素水：水＝
０．５：１：５）の場合（この場合もガラスエッチング
はほとんどない）、ガラス表面に強固に付着した異物を
効果的に除去することが困難である。したがって、構成
４における、アルカリ処理は、処理時間３〜１０分、ア
ンモニア水：過酸化水素水：水＝１：１：２〜１：１：
７とすることが好ましい。In the above-mentioned structure 4, since the alkaline treatment is a treatment with a mixed alkaline aqueous solution of ammonia water, hydrogen peroxide solution and water, the glass etching treatment and / or the cleaning treatment under strong conditions (in the case where glass etching is involved) (Including) can be effectively performed.
For the purpose of avoiding changes in optical characteristics such as phase difference and transmittance of the film, a mixed aqueous solution of ammonia, hydrogen peroxide solution and water, which has a limited cleaning time or an adjusted aqueous solution concentration, is used. Alkaline cleaning used (for example, cleaning time 3 minutes, and ammonia water: hydrogen peroxide water: water =
1: 1: 10 or ammonia water: hydrogen peroxide water: water =
In the case of 0.5: 1: 5) (again, there is almost no glass etching), it is difficult to effectively remove the foreign matter strongly adhered to the glass surface. Therefore, in the configuration 4, the alkali treatment is performed for a treatment time of 3 to 10 minutes, ammonia water: hydrogen peroxide water: water = 1: 1: 2 to 1: 1:
It is preferably 7.
【００１４】上記構成５では、酸処理が、フッ酸水溶液
またはフッ酸蒸気による処理であることによって、ガラ
スエッチング処理および／または強い条件による洗浄処
理（ガラスエッチングを伴う場合を含む）を効果的に行
なうことができる。なお、熱硫酸を用いるような一般的
な酸洗浄（ガラスエッチングはほとんどない）の場合、
ガラス表面に強固に付着した異物を効果的に除去するこ
とが困難である。フッ酸水溶液としては、通常のフッ酸
水溶液は強いので、バッファードフッ酸が好ましい。バ
ッファードフッ酸水溶液処理は、処理時間１〜３分、フ
ッ酸水溶液の濃度２〜１０％とすることが好ましい。In the constitution 5, the acid treatment is a treatment with a hydrofluoric acid aqueous solution or a hydrofluoric acid vapor, so that the glass etching treatment and / or the cleaning treatment under a strong condition (including the case involving the glass etching) can be effectively performed. Can be done. In the case of general acid cleaning using hot sulfuric acid (there is almost no glass etching),
It is difficult to effectively remove foreign matter strongly attached to the glass surface. As a hydrofluoric acid aqueous solution, a buffered hydrofluoric acid is preferable because a normal hydrofluoric acid aqueous solution is strong. The treatment time of the buffered hydrofluoric acid aqueous solution is preferably 1 to 3 minutes and the concentration of the hydrofluoric acid aqueous solution is 2 to 10%.
【００１５】上記構成６では、半透光膜が、金属、シリ
コン、酸素、窒素を主たる構成要素とする物質からなる
場合、特に、モリフデン、シリコン、酸素、窒素を主た
る構成要素とするモリブデンシリサイド系半透光膜の場
合、本発明のアルカリ処理および／または酸処理によっ
て、半透光膜の中に含まれる酸素−シリコン結合物質も
同時にエッチングされやすいので、半透光膜パターンが
遮光膜パターンで保護された状態において本発明のアル
カリ処理および／または酸処理を行う必要性が特に大き
いので規定したものである。In the above-mentioned structure 6, when the semi-translucent film is made of a material having metal, silicon, oxygen and nitrogen as main constituents, particularly, molybdenum silicide based material having molyfden, silicon, oxygen and nitrogen as main constituents. In the case of a semi-transparent film, since the oxygen-silicon bond substance contained in the semi-transparent film is easily etched at the same time by the alkali treatment and / or the acid treatment of the present invention, the semi-transparent film pattern is a light-shielding film pattern. It is specified because the necessity of carrying out the alkali treatment and / or the acid treatment of the present invention in a protected state is particularly great.
【００１６】上記構成７では、遮光膜はクロムを主成分
とする膜で構成されているため、アルカリおよび酸に耐
性があり、半透光膜は前記遮光膜で覆われているために
なんら影響を受けることなくガラスエッチング処理また
は強い条件による洗浄処理を行なうことができる。In the above-mentioned structure 7, since the light-shielding film is composed of a film containing chromium as a main component, it is resistant to alkali and acid, and the semi-translucent film is covered with the light-shielding film, which has no influence. The glass etching process or the cleaning process under strong conditions can be performed without receiving the light.
【００１７】[0017]
【実施例】実施例１
図１は本発明の第一の実施例にかかるハーフトーン型位
相シフトマスクの製造工程の説明図である。以下この図
を参照しながら本実施例を説明する。透明基板１は表面
を鏡面研磨した石英ガラス基板（大きさ６インチ角、厚
さ０．２５インチ）を所定の洗浄を施したものである。
まず、透明基板１上にモリブデン、シリコン、酸素、窒
素からなる半透光膜２を膜厚１００μｍでスパッタリン
グ法により形成し、続けてクロムからなる遮光膜３を膜
厚１００ｎｍで形成した。次に、ポジ型電子線レジスト
（ＺＥＰ７０００：日本ゼオン社製）４をスピンコート
法により膜厚５００ｎｍで塗布した（図１（ａ））。次
に、所望のパターンを電子繰描画し、現像してレジスト
パターン４１を形成した（同図（ｂ））。次に、レジス
トパターン４１をマスクにして遮光膜３を塩素と酸素か
らなるドライエッチングにてエッチングし、第一の遮光
膜パターン３１を形成した（同図（ｃ））。次に、レジ
ストパターン４１および第一の遮光膜パターン３１をマ
スクにして半透光膜をＣＦ4／Ｏ2の混合ガス、圧力０．
４Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー１００Ｗの条件でドライエッチ
ングし半透光膜パターン２１を形成した（同図
（ｄ））。最後に、レジストを剥離して第一段楷までパ
ターニングされたマスクが完成した（同図（ｅ））。次
に、アンモニア水：過酸化水素水：水＝１：１：５の混
合水溶液にて５分間強アルカリ洗浄を行なった。その
後、フォトレジスト（ＡＺ１３５０：クラリアント社
製）５をスピンコート法により膜厚５００ｎｍで塗布し
てベークした（同図（ｆ））。次に、所望のパターンを
露光し、現像してレジストパターン５１を形成した（同
図（９））。次に、レジストパターン５１をマスクにし
第一の遮光膜パターン３１を硝酸第２セリウムアンモニ
ウムと過塩素酸からなるエッチング液を用いてエッチン
グして第二の遮光膜パターン３１１を形成した（同図
（ｈ））。最後に、レジストパターン５１を剥離して所
定の洗浄を施しハーフトーン型位相シフトマスクを得た
（同図（ｊ））。その後の欠陥検査においては異物を検
出することもなく良質なハーフトーン型位相シフトマス
クを短時間に得ることができた。また、位相差を測定し
たところ、半透光膜の特性とアルカリ洗浄条件から予想
された位相差が得られ、正確な位相特性を得ることがで
きた。なお、アンモニア水：過酸化水素水：水＝１：
１：５の混合水溶液によるアルカリ洗浄の替わりに、熱
濃硫酸洗浄、又は、前記アルカリ洗浄よりも弱い条件に
よるアルカリ洗浄をおこなったところ、モリブデンシリ
サイド系半透光膜上にクロム系の遮光膜が形成されてい
る場合異物が残りやすいので、ガラス表面に強固に付着
した異物をこの段階で除去することが困難であり、マス
ク完成後に所定の洗浄を施してもその後の欠陥検査にお
いて異物が検出された。したがって、再洗浄やレーザー
等による異物除去の工程が必要となりかなりの時間を要
した。また、洗浄を繰り返すことにより半透光膜にダメ
ージを与え、位相差、屈折率が所望の値からずれてしま
った。 EXAMPLE 1 FIG. 1 is an explanatory view of a manufacturing process of a halftone type phase shift mask according to a first example of the present invention. This embodiment will be described below with reference to this drawing. The transparent substrate 1 is a quartz glass substrate (size 6 inch square, thickness 0.25 inch) whose surface is mirror-polished, and is subjected to predetermined cleaning.
First, a semi-transparent film 2 made of molybdenum, silicon, oxygen, and nitrogen was formed on the transparent substrate 1 by a sputtering method to have a film thickness of 100 μm, and then a light shielding film 3 made of chromium was formed to a film thickness of 100 nm. Next, a positive electron beam resist (ZEP7000: manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) 4 was applied by a spin coating method to a film thickness of 500 nm (FIG. 1 (a)). Next, a desired pattern was subjected to electronic repetitive writing and developed to form a resist pattern 41 ((b) of the same figure). Next, using the resist pattern 41 as a mask, the light-shielding film 3 was etched by dry etching containing chlorine and oxygen to form a first light-shielding film pattern 31 (FIG. 7C). Next, using the resist pattern 41 and the first light-shielding film pattern 31 as a mask, the semi-translucent film is formed into a mixed gas of CF 4 / O 2 , a pressure of 0.
Dry etching was performed under the conditions of 4 Torr and RF power of 100 W to form a semi-transparent film pattern 21 (FIG. 7D). Finally, the resist was peeled off to complete a mask patterned up to the first step ((e) of the same figure). Then, strong alkaline washing was performed for 5 minutes with a mixed aqueous solution of ammonia water: hydrogen peroxide water: water = 1: 1: 5. Then, a photoresist (AZ1350: manufactured by Clariant Co., Ltd.) 5 was applied by a spin coating method to a film thickness of 500 nm and baked (FIG. 6 (f)). Next, a desired pattern was exposed and developed to form a resist pattern 51 ((9) in the same figure). Next, using the resist pattern 51 as a mask, the first light-shielding film pattern 31 was etched using an etching solution composed of ceric ammonium nitrate and perchloric acid to form a second light-shielding film pattern 311 (see FIG. h)). Finally, the resist pattern 51 was peeled off and a predetermined cleaning was performed to obtain a halftone phase shift mask (FIG. 11 (j)). In the subsequent defect inspection, a good quality halftone type phase shift mask could be obtained in a short time without detecting foreign matter. Further, when the phase difference was measured, the phase difference expected from the characteristics of the semi-transparent film and the alkaline cleaning conditions was obtained, and the accurate phase characteristic could be obtained. In addition, ammonia water: hydrogen peroxide water: water = 1:
Instead of alkali cleaning with a 1: 5 mixed aqueous solution, hot concentrated sulfuric acid cleaning or alkali cleaning under conditions weaker than the above alkali cleaning was performed. When formed, it is difficult to remove foreign matter that firmly adheres to the glass surface at this stage, because foreign matter tends to remain, and even if a predetermined cleaning is performed after the mask is completed, the foreign matter is detected in the subsequent defect inspection. It was Therefore, a re-cleaning step and a foreign matter removing step by a laser or the like are required, which requires a considerable time. In addition, repeated washing caused damage to the semi-transparent film, and the phase difference and the refractive index deviated from desired values.
【００１８】実施例２
図２は本発明の第二の実施例にかかるハーフトーン型位
相シフトマスクの製造工程の説明図である。以下この図
を参照しながら本実施例を説明する。透明基板１は表面
を鏡面研度した石英ガラス基板（大きさ６インチ角、厚
さ０．２５インチ）を所定の洗浄を施したものである。
まず透明基板１上にモリブデン、シリコン、酸素、窒素
からなる半透光膜２を膜厚１６０ｎｍスパッタリング法
により形成し、続けてクロムからなる遮光膜３を膜厚１
００ｎｍで形成した。次に、ポジ型電子線レジスト（Ｅ
ＢＲ−９：東レ社製）４をスピンコート法により膜厚５
００ｎｍで塗布した（同図（ａ））。次に、所望のパタ
ーンを電子線描画し、現像してレジストパターン４１を
形成した（同図（ｂ））。次に、レジストパターン４１
をマスクにして遮光膜３を硝酸第２セリウムアンモニウ
ムと過塩素酸からなるエッチング液を用いてエッチング
して第一の遮光膜パターン３１を形成した（同図
（Ｃ））。次に、レジストを剥離して洗浄を行なった
（同図（ｄ））。次に、第一の遮光膜パターン３１をマ
スクにして半透光膜をＣＦ4／Ｏ2の混合ガス、圧力０．
４Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー１００Ｗの条件でドライエッチ
ングし半透光膜パターン２１を形成した（同図
（ｅ））。次に、バッファードフッ酸水溶液にマスクを
１分間浸しガラス部分をエッチング処理し、更にアンモ
ニア水：過酸化水素水：水＝１：１：５の混合水溶液に
て５分間アルカリ洗浄を行なった。その後、フォトレジ
スト（ＡＺ１３５０：クラリアント社製）５をスピンコ
ート法により膜厚５００ｎｍで塗布してベークした（同
図（ｆ））。次に、所望のパターンを露光し、現像して
レジストパターン５１を形成した（同図（９））。次
に、レジストパターン５１をマスクにし第一の遮光膜パ
ターン３１を硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸
からなるエッチング液を用いてエッチングして第二の遮
光膜パターン３１１を形成した（同図（ｈ））。最後
に、レジストパターン５１を剥離して所定の洗浄を施し
ハーフトーン型位相シフトマスクを得た（同図
（ｊ））。その後の欠陥検査においては異物を検出する
こともなく良質なハーフトーン型位相シフトマスクを短
時間に得ることができた。また、位相差を測定したとこ
ろ、半透光膜の特性とフッ酸処理条件、およびアルカリ
洗浄条件から予想された位相差が得られ、正確な位相特
性を得ることができた。なお、酸処理の後にアルカリ処
理を行うと、中和効果によって、酸の残存によるガラス
のくもりを回避できた。また、アルカリ処理において超
音波処理を行うことでガラス部分の清浄度をさらに向上
させることができた。 Embodiment 2 FIG. 2 is an explanatory view of a manufacturing process of a halftone type phase shift mask according to a second embodiment of the present invention. This embodiment will be described below with reference to this drawing. The transparent substrate 1 is a quartz glass substrate (size 6 inch square, thickness 0.25 inch) having a mirror-polished surface, which has been subjected to predetermined cleaning.
First, a semi-transparent film 2 made of molybdenum, silicon, oxygen, and nitrogen is formed on a transparent substrate 1 by a sputtering method with a thickness of 160 nm, and then a light-shielding film 3 made of chromium with a thickness of 1 is formed.
It was formed with a thickness of 00 nm. Next, a positive electron beam resist (E
(BR-9: manufactured by Toray) 4 by spin coating
It was applied at a thickness of 00 nm ((a) in the same figure). Next, a desired pattern was drawn with an electron beam and developed to form a resist pattern 41 (FIG. 2B). Next, the resist pattern 41
Using the mask as a mask, the light-shielding film 3 was etched using an etching solution composed of cerium ammonium nitrate and perchloric acid to form a first light-shielding film pattern 31 (FIG. 7C). Next, the resist was peeled off and washed (FIG. 7 (d)). Next, using the first light-shielding film pattern 31 as a mask, the semi-light-transmitting film is formed into a mixed gas of CF 4 / O 2 at a pressure of 0.
Dry etching was performed under the conditions of 4 Torr and RF power of 100 W to form a semi-transmissive film pattern 21 (FIG. 8E). Next, the mask was dipped in a buffered hydrofluoric acid aqueous solution for 1 minute to etch the glass portion, and further alkali cleaning was performed for 5 minutes with a mixed aqueous solution of ammonia water: hydrogen peroxide solution: water = 1: 1: 5. Then, a photoresist (AZ1350: manufactured by Clariant Co., Ltd.) 5 was applied by a spin coating method to a film thickness of 500 nm and baked (FIG. 6 (f)). Next, a desired pattern was exposed and developed to form a resist pattern 51 ((9) in the same figure). Next, using the resist pattern 51 as a mask, the first light-shielding film pattern 31 was etched using an etching solution composed of ceric ammonium nitrate and perchloric acid to form a second light-shielding film pattern 311 (see FIG. h)). Finally, the resist pattern 51 was peeled off and a predetermined cleaning was performed to obtain a halftone phase shift mask (FIG. 11 (j)). In the subsequent defect inspection, a good quality halftone type phase shift mask could be obtained in a short time without detecting foreign matter. In addition, when the phase difference was measured, the expected phase difference was obtained from the characteristics of the semi-transparent film, the hydrofluoric acid treatment condition, and the alkaline cleaning condition, and the accurate phase characteristic could be obtained. When the alkali treatment was performed after the acid treatment, the clouding of the glass due to the residual acid could be avoided by the neutralizing effect. In addition, the cleanliness of the glass portion could be further improved by performing ultrasonic treatment in the alkali treatment.
【００１９】実施例３
図３は本発明の第三の実施例にかかるハーフトーン型位
相シフトマスクの製造工程の説明図である。以下この図
を参照しながら本実施例を説明する。透明基板１は表面
を鏡面研度した石英ガラス基板（大きさ６インチ角、厚
さ０．２５インチ）を所定の洗浄を施したものである。
まず透明基板１上にモリフデン、シリコン、酸素、窒素
からなる半透光膜２を膜厚１６０ｎｍでスパックリング
法により形成し、続けてクロムからなる遮光膜３を膜厚
１００ｎｍで形成した。次に、ポジ型電子線レジスト
（ＥＢＲ−９：東レ社製）４をスピンコート法により膜
厚５００ｎｍで塗布した（同図（ａ））。次に、所望の
パターンを電子線描画し、現像してレジストパターン４
１を形成した（同図（ｂ））。次に、レジストパターン
４１をマスクにして遮光膜３を硝酸第２セリウムアンモ
ニウムと過塩素酸からなるエッチング液を用いて工ッチ
ングして遮光膜パターン３１を形成した（同図
（ｃ））。次に、レジストを剥離して洗浄を行なった
（同図（ｄ））。次に、遮光膜パターン３１をマスクに
して半透光膜をＣＦ4／Ｏ2の混合ガス、圧力０．４Ｔｏ
ｒｒ、ＲＦパワー１００Ｗの条件でドライエッチングし
半透光膜パターン２１を形成した（同図（ｅ））。この
段楷で、半透光膜成膜時から予想される位相差は１７５
°であった。よってあらかじめ求めておいたエッチング
時間と位相差変化の関係から、バッファードフッ酸水溶
液にマスクを２分間浸しガラス部分をエッチング処理
し、最後にアンモニア水：過酸化水素水：水＝１：１：
５の混合水溶液にて５分間アルカリ洗浄を行なった。次
に、遮光膜３１を硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩
素酸からなるエッチング液を用いてエッチング（全面除
去）して最終形態のハーフトーン型位相シフトマスクを
得た（同図（ｆ））。その後の欠縮検査においては異物
を検出することもなく良質なハーフトーン型位相シフト
マスクを短時間に得ることができた。また、位相差を測
定したところ、半透光膜の特性とフッ酸処理条件、およ
びアルカリ洗浄条件から予想された位相差が得られ、正
確な位相特性を得ることができた。 Embodiment 3 FIG. 3 is an explanatory diagram of a manufacturing process of a halftone type phase shift mask according to a third embodiment of the present invention. This embodiment will be described below with reference to this drawing. The transparent substrate 1 is a quartz glass substrate (size 6 inch square, thickness 0.25 inch) having a mirror-polished surface, which has been subjected to predetermined cleaning.
First, a semi-transparent film 2 made of molyfden, silicon, oxygen, and nitrogen was formed on the transparent substrate 1 with a thickness of 160 nm by the spackling method, and then a light shielding film 3 made of chromium was formed with a thickness of 100 nm. Next, a positive type electron beam resist (EBR-9: manufactured by Toray Industries, Inc.) 4 was applied by a spin coating method to a film thickness of 500 nm (FIG. 9A). Next, a resist pattern 4 is formed by drawing a desired pattern with an electron beam and developing it.
1 was formed ((b) of the same figure). Next, using the resist pattern 41 as a mask, the light-shielding film 3 was etched using an etching solution composed of cerium ammonium nitrate and perchloric acid to form a light-shielding film pattern 31 (FIG. 7C). Next, the resist was peeled off and washed (FIG. 7 (d)). Next, using the light-shielding film pattern 31 as a mask, the semi-translucent film is mixed with CF 4 / O 2 mixed gas at a pressure of 0.4 To.
Dry etching was performed under the conditions of rr and RF power of 100 W to form a semi-transparent film pattern 21 ((e) of the same figure). With this step, the phase difference expected from the time of forming the semi-transparent film is 175.
It was °. Therefore, from the relationship between the etching time and the phase difference change that was obtained in advance, the mask was immersed in a buffered hydrofluoric acid aqueous solution for 2 minutes to etch the glass portion, and finally ammonia water: hydrogen peroxide water: water = 1: 1: 1.
Alkaline cleaning was performed for 5 minutes with the mixed aqueous solution of No. 5. Next, the light-shielding film 31 was etched (whole surface removed) using an etching solution composed of cerium ammonium nitrate and perchloric acid to obtain a halftone type phase shift mask in the final form (FIG. 6 (f)). In the subsequent imperfection inspection, it was possible to obtain a good quality halftone type phase shift mask in a short time without detecting foreign matter. In addition, when the phase difference was measured, the expected phase difference was obtained from the characteristics of the semi-transparent film, the hydrofluoric acid treatment condition, and the alkaline cleaning condition, and the accurate phase characteristic could be obtained.
【００２０】なお、上記実施例では、単層の半透光膜に
ついて例示したが、互いに屈折率の異なる２層又はそれ
以上の層の積層膜からなる半透光膜としてもよい。In the above embodiment, the single-layer semi-transparent film is exemplified, but the semi-transparent film may be a laminated film of two or more layers having different refractive indexes.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明によれば、ハーフトーン型位相シ
フトマスクの製造途中において高度な洗浄および／また
は位相差調整を、半透光膜になんら悪影響を与えること
なく行なうことができ、結果として高品位のハーフトー
ン型位相シフトマスクを歩留よく提供できる。また、マ
スク完成前に位相差の調整やガラス部分の清浄度を向上
させることができ、後工程の作業をスムースに運ぶこと
ができ短時間でマスクを完成させることができる。According to the present invention, a high degree of cleaning and / or phase difference adjustment can be performed during the manufacture of a halftone type phase shift mask without adversely affecting the semitransparent film, and as a result, A high-quality halftone phase shift mask can be provided with good yield. In addition, the phase difference can be adjusted and the cleanliness of the glass portion can be improved before the mask is completed, and the work of the post-process can be carried smoothly so that the mask can be completed in a short time.
【図１】本発明の一実施例にかかるハーフトーン型位相
シフトマスクの製造工程を説明するための部分断面図で
ある。FIG. 1 is a partial cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a halftone type phase shift mask according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施例にかかるハーフトーン型位
相シフトマスクの製造工程を説明するための部分断面図
である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a halftone type phase shift mask according to another embodiment of the present invention.
【図３】本発明のさらに他の実施例にかかるハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造工程を説明するための部分
断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a halftone type phase shift mask according to still another embodiment of the present invention.
１ 透明基板 ２ 半透光膜 ３ 遮光膜 ４ レジスト ５ レジスト ２１ 半透光膜パターン ３１ 第一の遮光膜パターン ４１ レジストパターン ５１ レジストパターン ３１１ 第二の遮光膜パターン 1 transparent substrate 2 Semi-transparent film 3 Light-shielding film 4 resist 5 resist 21 Semi-transparent film pattern 31 First light-shielding film pattern 41 resist pattern 51 resist pattern 311 Second light-shielding film pattern
Claims (7)
に形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成す
る工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッ
チングし遮光膜パターンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンおよび前記遮光膜パター
ンをマスクにして前記半透光膜をエッチングし半透光膜
パターンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンを剥離する工程と、 その後、前記遮光膜パターン上にレジストパターンを形
成し、そのレジストパターンをマスクにして前記遮光膜
パターンをエッチングすることにより、最終形状の遮光
膜パターンを形成する工程とを有することを特徴とする
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、 前記半透光膜パターンを形成し、前記レジストパターン
を剥離した後に、アルカリ処理または酸処理すること、
またはその両方の処理をすることを特徴とするハーフト
ーン型位相シフトマスクの製造方法。1. A step of forming a semi-translucent film and a light-shielding film in order on a transparent substrate, and further forming a resist pattern on the light-shielding film; and a step of etching the light-shielding film using the resist pattern as a mask to form the light-shielding film pattern. And a step of forming a semi-transparent film pattern by etching the semi-transparent film using the resist pattern and the light-shielding film pattern as a mask, and then a step of peeling the resist pattern, Then, a step of forming a resist pattern on the light-shielding film pattern and etching the light-shielding film pattern using the resist pattern as a mask to form a light-shielding film pattern in a final shape. In the method of manufacturing a tone type phase shift mask, the semi-transparent film pattern is formed, and the resist is formed. After peeling off the turn, alkali treatment or acid treatment to,
Or a method of manufacturing a halftone type phase shift mask, characterized in that both processes are performed.
に形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成す
る工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッ
チングし遮光膜パターンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンを剥離する工程と、 その後、前記遮光膜パターンをマスクにして前記半透光
膜をエッチングし半透光膜パターンを形成する工程と、 その後、前記遮光膜パターン上にレジストパターンを形
成し、そのレジストパターンをマスクにして前記遮光膜
パターンをエッチングすることにより、最終形状の遮光
膜パターンを形成する工程とを有することを特徴とする
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、 前記半透光膜パターンを形成した後に、アルカリ処理ま
たは酸処理すること、またはその両方の処理をすること
を特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
法。2. A step of sequentially forming a semi-translucent film and a light-shielding film on a transparent substrate, and further forming a resist pattern on the light-shielding film; and a step of etching the light-shielding film using the resist pattern as a mask to form the light-shielding film pattern. Forming a semi-transparent film pattern by etching the semi-transparent film using the light-shielding film pattern as a mask, and then the light-shielding step Forming a resist pattern on the film pattern, and etching the light-shielding film pattern using the resist pattern as a mask to form a final shape of the light-shielding film pattern. In the mask manufacturing method, after forming the semi-transparent film pattern, an alkali treatment or an acid treatment is performed. Or the method of manufacturing a halftone phase shift mask, characterized in that the processing of both.
に形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成す
る工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッ
チングし遮光膜パターンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンおよび前記遮光膜パター
ンをマスクにして前記半透光膜をエッチングし半透光膜
パターンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンを剥離する工程と、 その後、前記遮光膜パターンをエッチングで全面除去す
る工程とを有することを特徴とするハーフトーン型位相
シフトマスクの製造方法において、 前記半透光膜パターンを形成し、前記レジストパターン
を剥離した後に、アルカリ処理または酸処理すること、
またはその両方の処理をすることを特徴とするハーフト
ーン型位相シフトマスクの製造方法。3. A step of forming a semi-transmissive film and a light-shielding film in order on a transparent substrate, and further forming a resist pattern on the light-shielding film; and a step of etching the light-shielding film using the resist pattern as a mask to form a light-shielding film pattern. And a step of forming a semi-transparent film pattern by etching the semi-transparent film using the resist pattern and the light-shielding film pattern as a mask, and then a step of peeling the resist pattern, Then, in the method of manufacturing a halftone phase shift mask, characterized in that it comprises a step of removing the light-shielding film pattern by etching, after forming the semi-transmissive film pattern and peeling the resist pattern, Alkali treatment or acid treatment,
Or a method of manufacturing a halftone type phase shift mask, characterized in that both processes are performed.
酸化水素水および水の混合アルカリ水溶液による処理で
あることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。4. The halftone phase shift mask according to claim 1, wherein the alkali treatment is a treatment with a mixed alkali aqueous solution of ammonia water, hydrogen peroxide solution and water. Production method.
酸蒸気による処理であることを特徴とする請求項１〜３
のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクの
製造方法。5. The acid treatment is a treatment with a hydrofluoric acid aqueous solution or hydrofluoric acid vapor.
A method for manufacturing a halftone phase shift mask according to any one of 1.
素、窒素を主たる構成要素とする物質からなることを特
徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のハーフトーン
型位相シフトマスクの製造方法。6. The halftone type phase shift mask according to claim 1, wherein the semi-transparent film is made of a substance containing metal, silicon, oxygen and nitrogen as main constituent elements. Manufacturing method.
とする物質からなることを特徴とする請求項１〜６のい
ずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造
方法。7. The method of manufacturing a halftone phase shift mask according to claim 1, wherein the light-shielding film is made of a substance containing chromium as a main constituent element.
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|---|---|---|---|
| JP2001314870A JP2003121978A (en) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | Method for fabricating halftone phase shifting mask |
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|---|---|
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