JP2003121522A - 薄膜磁界センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 残留磁化による測定誤差を排除し、磁界の強
度と方向を同時に正確に測定する巨大磁気抵抗薄膜を用
いた薄膜磁界センサを提供する。 【解決手段】 ２個のセンサ基本素子３の端子間に導体
膜１１を介して巨大磁気抵抗薄膜１２が形成されてい
る。各軟磁性薄膜には端子１３、１４、１５、１６が接
続されている。これ等端子の中で、端子１３、１５間に
は入力端子として一定電圧が印加され、端子１４、１６
間は出力端子として電圧を計測する様になっている。つ
まり、電気的にはセンサ基本素子３と巨大磁気抵抗薄膜
をアームとするブリッジ回路が形成されている。巨大磁
気抵抗薄膜１２は磁気的には軟磁性薄膜１と分離されて
おり、センサ基本素子間の抵抗値変化はそのまま出力端
子１４、１６間の電圧変化として現れる。これ等センサ
基本素子を周回してコイル７および端子８が形成されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、空間中の磁界を測
定する磁界センサに関し、巨大磁気抵抗薄膜、例えばナ
ノグラニュラー巨大磁気抵抗効果薄膜を用いて、磁界の
大きさと方向を精密に測定するための薄膜磁界センサに
関する。

【０００２】

【従来の技術】図１は、本発明者らが出願した特開平１
１−８７８０４号公報および特開平１１−２７４５９９
号公報に記載された薄膜磁界センサを示す。図中、巨大
磁気抵抗薄膜と書かれた部分は、１０ｋＯｅの磁界の印
加に対して、約１０％の大きな電気抵抗変化を示す金属
−絶縁体ナノグラニュラー巨大磁気抵抗薄膜である。こ
の例のように、巨大磁気抵抗薄膜の場合には、一般の磁
気抵抗効果材料に比して印加磁界に対する電気抵抗値の
変化幅は大きいが、前記の通り電気抵抗変化を起こさせ
るための印加磁界は大きいので、巨大磁気抵抗薄膜のみ
を単独で用いる場合には、一般に磁界センサとして利用
されるような１００Ｏｅ以下の小さな磁界での電気抵抗
値の変化は期待できない。図１の構成は、それを補うも
のである。すなわち、軟磁性薄膜は周辺の磁束を集める
役割を担っており、適切な軟磁性薄膜の寸法を選定する
ことにより、原理的には、軟磁性薄膜周辺の磁界の大小
に拘わらず、巨大磁気抵抗薄膜部分に対して軟磁性薄膜
の飽和磁束密度以内で、いかようにも大きな磁束密度を
印加することが可能である。また、図１の構成を電気抵
抗の観点から見ると、軟磁性薄膜間の電気抵抗値は、軟
磁性薄膜部分と巨大磁気抵抗薄膜部分の電気抵抗値の和
になっているが、巨大磁気抵抗薄膜の電気比抵抗の値
は、軟磁性薄膜のそれに比して１００倍以上大きいた
め、実質的に軟磁性薄膜間の電気抵抗値は巨大磁気抵抗
薄膜部分の値とほぼ等しい。つまり、軟磁性薄膜間の電
気抵抗値には、巨大磁気抵抗薄膜の大きな電気抵抗値変
化が直接現れる。図２は、このような図１の構成の電気
抵抗変化の例を示すものであり、数Ｏｅの小さな磁界に
おいて約６％の電気抵抗値変化を実現しており、従来材
料である異方的磁気抵抗効果材料に比して２倍以上大き
い。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、巨大磁気抵抗
薄膜の電気抵抗測定値をもとにして、印加された磁界の
絶対値および方向を計測する磁界センサを実現する場合
には、図１の構成では、大きな問題があることが判明し
た。

【０００４】第一の問題は、巨大磁気抵抗薄膜の電気抵
抗変化が磁界の方向に依存せず、等方的な特性を有する
ことである。すなわち、図２に示されるように、図１の
構成では、磁界の正負の２つの方向に対して同じ電気抵
抗変化を示し、磁界の方向を特定することが出来ない。
図１の構成のままでは、磁界の大きさのみを検出するセ
ンサとしては利用できるが、磁界の方向を特定する必要
のある、地磁気の方向を読み取る方位センサや、着磁し
た磁性体の相対角度を読み取る角度センサなどには用い
ることが出来ない。

【０００５】第二の問題は、磁界検出精度の一層の向上
を図る必要があることである。図１の構成で磁界強度を
読み取るには両側の軟磁性薄膜に接続された電気端子間
の抵抗絶対値を読み取り、その値から磁界強度を決定す
る必要があるが、抵抗絶対値には、例えば温度変化、経
時的な変化等不確定な要因を含み易く、その結果読み取
られた磁界強度には誤差を含み易い。

【０００６】第三の問題は、軟磁性薄膜に残留する磁化
にともなう誤差を低減する必要があることである。図１
に用いられる軟磁性薄膜には、残留磁化の可及的に少な
い磁性材料が選択されるが、それでも素子が磁界中に置
かれた場合には、その磁界強度に応じて何がしかの残留
磁化が残ってしまう。この残留磁化は、あたかも外部の
磁界強度が変化したのと同様の効果を巨大磁気抵抗薄膜
の抵抗値に与えるため、結果的に、残留磁化に対応する
磁界強度は読み取りの誤差となる。

【０００７】そこで、本発明は、磁界センサの残留磁気
の影響を排除して、磁界の強度と方向を正確に測定する
ことができる磁界センサを提供することを課題としてい
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、第一発明は、空隙によって２分割された軟磁性薄
膜、該空隙を埋めるように形成された巨大磁気抵抗薄
膜、２分割された該軟磁性薄膜の各々に電気的に接続さ
れた電気端子、該軟磁性薄膜および該巨大磁気抵抗薄膜
を周回して巻かれたコイル、該電気端子間の抵抗値測定
手段、および該コイルに所定の電流値を流す手段からな
ることを特徴とする薄膜磁界センサに関する。

【０００９】第二発明は、電気端子がブリッジ回路の一
つのアームを形成してなり、該電気端子間の抵抗値の計
測がブリッジ出力電圧の計測により行われることを特徴
とする薄膜磁界センサに関する。

【００１０】第三発明は、コイルが、前記軟磁性薄膜お
よび巨大磁気抵抗薄膜を周回して巻かれた導体薄膜より
なることを特徴とする薄膜磁界センサに関する。

【００１１】第四発明は、コイルに流す電流が、軟磁性
薄膜の磁化が飽和に達しない範囲の絶対値が実質的に相
等しく、且つ方向が正および負方向の２つの電流であっ
て、正方向の電流を流した時の電気端子間の抵抗値Ｒｐ
と負方向の電流を流した時の該電気端子間の抵抗値Ｒｍ
の差（Ｒｐ−Ｒｍ）をもって、磁界センサ周辺の磁界強
度の絶対値および極性を決定することを特徴とする薄膜
磁界センサに関する。

【００１２】第五発明は、コイルに流す電流値が、軟磁
性薄膜の磁化を実質的に飽和させる電流値を含むことを
特徴とする薄膜磁界センサに関する。

【００１３】第六発明は、コイルに、先ず軟磁性薄膜の
磁化が実質的に飽和する正方向の電流を流し、続いて飽
和に達しない範囲の所定の正の電流を流した時の端子間
抵抗値をＲｐｐおよび所定の負の電流を流した時の該端
子間抵抗値Ｒｐｍを計測し、ついで軟磁性薄膜の磁化が
実質的に飽和する負の方向の電流を流し、さらに飽和に
達しない範囲の所定の負の電流を流した時の該端子間抵
抗値Ｒｍｍおよび所定の正の電流を流した時の該端子間
抵抗値Ｒｍｐを計測し、これらの抵抗値から、（（Ｒｐ
ｐ＋Ｒｍｐ）／２−（Ｒｐｍ＋Ｒｍｍ）／２）をもっ
て、磁界センサ周辺の磁界強度絶対値および極性を決定
することを特徴とする薄膜磁界センサに関する。

【００１４】

【作用】本発明の作用は下記の通りである。第一発明の
構成は、図１の構成の磁界センサを周回するコイルおよ
びそのコイルに所定の電流を流す手段を設けたものであ
る。

【００１５】この様にコイルに所定の電流を流すことに
よる利点の第一は、正確な値の磁界を軟磁性薄膜および
巨大磁気抵抗薄膜に作用させることができることであ
る。つまり、第一発明の様に空芯のコイル中に流れる電
流によって生じる磁界は、ビオ・サバールの法則に従う
のみであり、コイルの形状さえ安定していれば温度、経
時変化を含めて常に一定の磁界を作用させることが可能
である。この正確な値の磁界をもとにし、これを参照し
て周辺の磁界強度を決定することができる。この場合、
コイルは線状の導体または薄膜状の導体でも良い。

【００１６】利点の第二は、電流の方向を正負に変える
ことにより、軟磁性薄膜および巨大磁気抵抗薄膜に作用
する磁界の方向を選択できることである。これを参照し
て周辺磁界の方向判定を行うことが可能である。

【００１７】利点の第三は、残留磁化による誤差の解消
である。コイルに流す電流を実質的に軟磁性薄膜の磁化
を実質的に飽和させる値の電流とすることにより、残留
磁界の値は強制的に定まった磁化の値とすることができ
る。

【００１８】第二発明は、電気端子間の抵抗値の計測手
段として、直接抵抗値を測ることなく、ブリッジ回路の
一つのアームにこの電気端子を置いて、ブリッジ出力電
圧を計測することにより、抵抗値の計測を、より容易な
電圧の計測に置き換えるものである。

【００１９】第三発明は、コイルの実現方法として、軟
磁性薄膜および巨大磁気抵抗薄膜を周回して巻かれた導
体薄膜技術を適用するものである。この様な導体薄膜技
術を適用することにより、軟磁性薄膜および巨大磁気抵
抗薄膜に接近した形でのコイルを実現することができ
る。コイルに、ある電流を流した場合に発生する磁界強
度は、コイルとの距離に反比例するので、軟磁性薄膜お
よび巨大磁気抵抗薄膜に所定の磁界強度を与えるに必要
な電流の値は、コイルが接近する方が少なくて済む。セ
ンサとしての消費電力はコイルに流す電流が支配要因で
あるので、このコイル技術により、消費電力の少ない、
小型の磁界センサの実現が可能となる。

【００２０】第四発明は、磁界の正確な値と方向を決定
する具体的な構成を表している。つまり、電流値として
は、前記軟磁性薄膜および巨大磁気抵抗薄膜が飽和に達
しない範囲の、絶対値が実質的に相等しく、方向が正お
よび負方向の２つの電流を流した時の抵抗値の差をもと
にして、磁界強度と方向を決定するものである。この様
な構成とすることにより、抵抗値の絶対値の変動は抵抗
値の差によって除外される。また、この抵抗値の差の符
号は外部から印加された磁界の符号に一致するため、磁
界の方向判定は容易に実現できることになる。

【００２１】第五発明は、残留磁化による誤差の解消の
具体的構成を示している。つまり、コイルに流す電流を
実質的に軟磁性薄膜および巨大磁気抵抗薄膜を飽和させ
る値の電流とすることにより、残留磁界の値は強制的に
定まった磁化の値とすることができる。

【００２２】第六発明は、外部磁界の正確な値と方向を
決定すると同時に、残留磁化による誤差の解消を行う具
体的構成を示している。つまり、前記コイルには、先
ず、軟磁性薄膜および巨大磁気抵抗薄膜が実質的に飽和
する様な正方向の電流をコイルに与える。この操作によ
り、軟磁性薄膜および巨大磁気抵抗薄膜中には既に存在
していた磁化を解消して強制的に、一つの方向の磁化が
与えられる。続いて、前記飽和の電流から飽和しない範
囲の所定の正の電流に連続的に電流を減少させ、その状
態での端子間抵抗値をＲｐｐとする。引き続き、所定の
負の電流まで連続的に電流を変化させ、その状態での端
子間抵抗値Ｒｐｍを計測する。ついで、軟磁性薄膜およ
び巨大磁気抵抗薄膜が実質的に飽和する様な負の方向の
電流を与える。この操作により、軟磁性薄膜および巨大
磁気抵抗薄膜中には前記磁化を解消して強制的に、逆の
方向の磁化が与えられる。続いて飽和に達しない範囲の
所定の負の電流を与え、その状態での端子間抵抗値Ｒｍ
ｍを測定する。さらに、所定の正の電流まで、電流値を
連続的に変化させ、この状態での端子間抵抗値Ｒｍｐを
計測する。これ等の抵抗値から、（（Ｒｐｐ＋Ｒｍｐ）
／２−（Ｒｐｍ＋Ｒｍｍ）／２）をもって、磁界センサ
周辺の磁界強度絶対値および極性を決定することによ
り、磁化の影響を除外した上で、外部磁界の正確な値と
方向を決定することが可能である。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施形態について説明する。図３は第一の実施形態を示
している。１は例えば、Ｃｏ_７７Ｆｅ_５Ｓｉ_９Ｂ_８の組
成を有する軟磁性薄膜である。この材料は飽和磁束密度
が１２ｋＧと極めて大きく、他方保磁力は０．０７Ｏｅ
と極めて小さい特長を有している。それ等軟磁性薄膜の
間には細いスリットが設けられており、そのスリットを
埋める様に、例えばＣｏ_３９Ｙ_１４Ｏ_４７の成分を持つ
巨大磁気抵抗薄膜２が形成されている。軟磁性薄膜１と
巨大磁気抵抗薄膜２で構成する部分をセンサ基本素子３
と呼ぶ。軟磁性薄膜１の比抵抗の値は巨大磁気抵抗薄膜
２の比抵抗よりも１００分の１以下の低い値であるた
め、軟磁性薄膜１に付けられた端子５、５’の間で測定
した電気抵抗の値は、実質的に巨大磁気抵抗薄膜２の抵
抗値に等しい。６はこの抵抗値の測定部であり、定電流
を流した場合の端子間の発生電圧を計測することにより
測定される。

【００２４】センサ基本素子３を周回してコイル７が形
成されている。コイル７の両端は端子８、８’に接合さ
れている。９は所定の電流を流すための電流発生部（定
電流源）である。

【００２５】図４は第二の実施形態を表す。巨大磁気抵
抗薄膜２を挟んで２つの軟磁性薄膜１により、全体とし
てセンサ基本素子３を形成している。センサ基本素子３
を周回して例えば、銅の導体薄膜７が形成されている。
これ等は一連の薄膜プロセスにより形成される。

【００２６】例えば、基板１０の上に、先ずセンサ基本
素子の下側部分の導体薄膜７が、適宜フォトレジストお
よびスパッタを用いて枕木状に形成される。枕木の間を
埋める様に、また枕木の上を覆うように図示しない絶縁
膜例えば、ＳｉＯ_２がスパッタにより形成される。Ｓｉ
Ｏ_２が形成されたままでは、ＳｉＯ_２の上部の面は枕木
パターンのままの凹凸が残るので、ＳｉＯ_２の面はラッ
ピングにより平坦化される。その上から軟磁性薄膜１お
よび巨大磁気抵抗薄膜２がフォトレジストおよびスパッ
タにより形成される。導体薄膜７の端部は柱状に導体膜
がスパッタにより積み上げられる。その上から再び図示
しない絶縁膜がスパッタ形成される。更にその上に導体
薄膜７の上側部分がスパッタ形成される。

【００２７】図５は第三の実施形態である。この場合に
は、２個のセンサ基本素子３が用いられている。それ等
センサ基本素子の端子間に導体膜１１を介して巨大磁気
抵抗薄膜１２が形成されている。各軟磁性薄膜には端子
１３、１４、１５、１６が接続されている。これ等端子
の中で、端子１３、１５間には入力端子として一定電圧
が印加され、端子１４、１６間は出力端子として電圧を
計測する様になっている。つまり、電気的にはセンサ基
本素子３と、巨大磁気抵抗薄膜１２を導体膜１１で挟ん
だ素子とをアームとするブリッジ回路が形成されてい
る。

【００２８】巨大磁気抵抗薄膜１２は磁気的には軟磁性
薄膜１と分離されており、センサ基本素子間の抵抗値変
化はそのまま出力端子１４、１６間の電圧変化として現
れる。これ等センサ基本素子を周回してコイル７および
端子８、８’が形成されている。図５においてコイル７
は薄膜コイルであるが、簡単のため実線で表している。

【００２９】第四の実施形態を説明するのが図６〜８で
ある。図６は、図３の構成について、コイルの電流が零
の場合に電気抵抗値が外部磁界強度によってどう変化す
るかの一例を示したものである。

【００３０】図６の例では、磁界強度零の時の抵抗値は
約２５０ｋΩ、磁界強度を増すに従って抵抗値は暫減
し、５Ｏｅの場合には約２４０ｋΩとなる。

【００３１】一方、図７は外部磁界強度が零の場合にコ
イルに電流を流した場合の抵抗値変化を示している。図
６と図７は横軸を１Ｏｅ＝５ｍＡで置き換えるとほぼ完
全に一致する。つまり、外部からの磁界変化とコイルに
流す電流の作る磁界はほぼ等価となる。

【００３２】ここで、図８は、外部磁界強度１Ｏｅ中に
置いて電流を流した場合の抵抗値変化を示している。図
８によれば、電流が−５ｍＡの時に発生する磁界強度は
−１Ｏｅとなり、この場合には外部からの磁界を丁度キ
ャンセルすることが分かる。従って、図８に示す様に、
−５ｍＡのバイアスを持った形となることが言える。

【００３３】ここで、仮に正および負方向の電流Ｉｍ
（この場合には８ｍＡ）を流した場合には、抵抗値は各
々Ｒｐ、およびＲｍとなる。このＲｍとＲｐの差を取れ
ば、その量は外部から印加された磁界強度がある限界内
の場合には磁界強度と比例関係にある。

【００３４】例えば、図９はΔＲ＝（Ｒｍ−Ｒｐ）と外
部磁界強度との関係を示すもので、±２Ｏｅまではリニ
アな関係になっている。ここで特筆すべきは、Ｈが±２
Ｏｅの場合には、Ｈが正、負に対応して（Ｒｍ−Ｒｐ）
も正、負となり、符号も含めてリニアな関係になってい
ることである。つまり、本発明がめざした、磁界強度の
絶対値および符号の検出が可能になっている。ここで、
磁界強度を検出する時に流す電流値の選択については、
図７において、電流値と抵抗値がリニアに変化している
部分のほぼ中央を狙えば、磁界強度の測定範囲のリニア
な部分を最大化することができる。

【００３５】第五の実施形態は、軟磁性薄膜に何らかの
原因で残留磁化が残ってしまった場合の対処である。コ
イルに実質的に軟磁性薄膜を飽和させる様な電流を流す
ことにより、意図的に軟磁性材料をある方向に磁化させ
ることにより一つの安定状態にすることが可能である。
仮に何がしかの残留磁化が残っていても、コイルに強制
的にある磁化方向に飽和させる様な電流を流すことによ
り、一つの安定状態となる。また、飽和させる様な電流
を逆に流してやれば、逆方向に磁化されたもうひとつの
安定状態になる。つまり、飽和させる電流を流すこと
は、過去の履歴をすべて忘れさせる効果がある。

【００３６】第六の実施形態は、図１０に示される。先
ず、軟磁性薄膜を飽和させる電流Ｉｓを流す。Ｉｓを流
した後は、そのまま、飽和に達しない電流＋Ｉｍに下げ
る。これは図１０において、ＩｓからＩｍに向かう矢印
にそって移動することを意味している。ここで、抵抗値
Ｒｐｐの測定を行う。続いて、電流値を＋Ｉｍから−Ｉ
ｍまで連続的に変化させる。そこでの抵抗値をＲｐｍと
する。次に、飽和させる電流Ｉｓを逆方向に流す。−Ｉ
ｓから今度は徐々に零に向かって電流値を減少させ、−
Ｉｍの電流値での抵抗値をＲｍｍとする。更に、−Ｉｍ
から＋Ｉｍに連続的に電流を変化させてＲｍｐを測定す
る。この操作では、いわゆるＢＨカーブのヒステリシス
曲線の丁度境界線上を移動することに相当するので、軟
磁性材料がそれ以前に保有していた残留磁化の影響はす
べてキヤンセルされる。その様にして得られた抵抗値に
つき、（Ｒｍｍ＋Ｒｐｍ）／２と、（Ｒｍｐ＋Ｒｐｐ）
／２の差をとってやることにより、残留磁化の影響を除
外して純粋な外部の磁界強度の測定が可能になる。

【００３７】

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、外部磁界
の正確な値と方向を決定すると同時に、残留磁化による
測定誤差の解消を行うことができる。

【００３８】又、本発明によれば、軟磁性薄膜及び巨大
磁気抵抗薄膜を周回する薄膜コイルを使用するので、消
費電力の少ない、小型の磁界センサの実現が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の薄膜磁界センサの斜視図

【図２】図１の従来の薄膜磁界センサにおける電気抵抗
変化率と磁界の関係を示すグラフ。

【図３】第一の実施形態の薄膜磁界センサの斜視図。

【図４】薄膜コイルを備えた第二の実施形態の薄膜磁界
センサの斜視図。

【図５】ブリッジ回路を形成した第三の実施形態の斜視
図。

【図６】図３の第一の実施形態の薄膜磁界センサにおい
て、コイルの電流が零の時の電気抵抗値と磁界の関係を
示すグラフ。

【図７】図３の第一の実施形態の薄膜磁界センサにおい
て、磁界が零の時の電気抵抗値とコイル電流の関係を示
すグラフ。

【図８】図３の第一の実施形態の薄膜磁界センサにおい
て、磁界が１Ｏｅの時の電気抵抗値とコイル電流の関係
を示すグラフ。

【図９】第四の実施形態において、ΔＲと磁界の関係を
示すグラフ。ここに、ΔＲは、コイルに流す電流が、軟
磁性薄膜の磁化が飽和に達しない範囲の絶対値が実質的
に相等しく且つ方向が正および負方向の２つの電流であ
って、正方向の電流を流した時の該電気端子間の抵抗値
Ｒｐと負方向の電流を流した時の電気端子間の抵抗値Ｒ
ｍの差（Ｒｍ−Ｒｐ）である。

【図１０】第六の実施形態において、6残留磁化の影響
を除外して純粋な外部の磁界強度の測定を行う方法を説
明するための電気抵抗値とコイル電流の関係を示すグラ
フ。

【符号の説明】

１、１２；軟磁性薄膜 ２；巨大磁気抵抗薄膜 ３；センサ基本素子 ７；導体薄膜 ８、８’；コイル端子 １１；導体膜 １３、１４、１５、１６；端子

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Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 空隙によって２分割された軟磁性薄膜
   と、 該空隙を埋めるように形成された巨大磁気抵抗薄膜と、 ２分割された該軟磁性薄膜の各々に電気的に接続された
   電気端子と、 該軟磁性薄膜および該巨大磁気抵抗薄膜を周回して巻か
   れたコイルと、 該電気端子間の抵抗値測定手段と、 および該コイルに所定の電流値を流す手段からなること
   を特徴とする薄膜磁界センサ。
2. 【請求項２】 電気端子がブリッジ回路の一つのアーム
   を形成してなり、該電気端子間の抵抗値の計測がブリッ
   ジ出力電圧の計測により行われることを特徴とする請求
   項１記載の薄膜磁界センサ。
3. 【請求項３】 コイルが、軟磁性薄膜および巨大磁気抵
   抗薄膜を周回して巻かれた導体薄膜よりなることを特徴
   とする請求項１又は２のいずれか１項記載の薄膜磁界セ
   ンサ。
4. 【請求項４】 コイルに流す電流が、軟磁性薄膜の磁化
   が飽和に達しない範囲の絶対値が実質的に相等しく且つ
   方向が正および負方向の２つの電流であって、 正方向の電流を流した時の電気端子間の抵抗値Ｒｐと負
   方向の電流を流した時の該電気端子間の抵抗値Ｒｍの差
   （Ｒｍ−Ｒｐ）をもって、磁界センサ周辺の磁界強度の
   絶対値および極性を決定することを特徴とする請求項１
   乃至３のいずれか１項記載の薄膜磁界センサ。
5. 【請求項５】 コイルに流す電流値が、軟磁性薄膜の磁
   化を実質的に飽和させる電流値を含むことを特徴とする
   請求項１乃至４のいずれか１項記載の薄膜磁界センサ。
6. 【請求項６】 コイルに、先ず軟磁性薄膜の磁化が実質
   的に飽和する正方向の電流を流し、 続いて飽和に達しない範囲の所定の正の電流を流した時
   の端子間抵抗値Ｒｐｐおよび所定の負の電流を流した時
   の該端子間抵抗値Ｒｐｍを計測し、 ついで軟磁性薄膜の磁化が実質的に飽和する負の方向の
   電流を流し、 さらに飽和に達しない範囲の所定の負の電流を流した時
   の該端子間抵抗値Ｒｍｍおよび所定の正の電流を流した
   時の端子間抵抗値Ｒｍｐを計測し、 これらの抵抗値から、（（Ｒｐｐ＋Ｒｍｐ）／２−（Ｒ
   ｐｍ＋Ｒｍｍ）／２）をもって、磁界センサ周辺の磁界
   強度絶対値および極性を決定することを特徴とする請求
   項１乃至５のいずれか１項記載の薄膜磁界センサ。