JP2003121119A - 膜厚モニタリング装置および方法 - Google Patents
膜厚モニタリング装置および方法Info
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Abstract
の高精度化の課題を解決し、λ0を設計波長とする多層
膜の光学的膜厚をλ0/4の整数倍に制御することを可
能とする膜厚モニタリング装置および方法を実現するこ
と。 【解決手段】成膜室2内の基板3上に、ECRスパッタ
源4からのスパッタによって、高屈折率膜(H膜)と低
屈折率膜(L膜)とを交互に成膜することによって、可
視光波長λVの3以上の奇数倍の波長λ0を設計波長と
する多層膜を形成する過程において、光源5からの光を
光ファイバ6を通して、基板3に入射させ、その透過光
を光ファイバ9を通して可視光分光器10に入れ、分光
器10と演算器11によって、波長λVを含まない可視
光波長域における前記分光スペクトルの極値を用いて、
成膜中のH膜またはL膜の光学的膜厚がλ0/4の整数
倍に等しいか否かを判別することを特徴とする膜厚モニ
タリング方法を構成する。
Description
装置および方法に関し、特に、光通信装置や光学デバイ
スおよび半導体装置等に使用される多層膜を形成する場
合に使用される膜厚モニタリング装置および方法に関す
る。
いての状況について述べる。
積み重ねて形成する多層膜は、眼鏡等のガラス上および
プラスチック上への無反射コーティング、ビデオカメラ
の色分解プリズム、各種光学フィルタ、発光レーザの端
面コーティング等に使用されている。
重通信(DWDM通信)に用いる合波フィルタや分波フ
ィルタに応用されるようになってきた。多層膜の層数も
数十層から数百層と非常に多くなり、膜厚や膜質の均一
性もこれまで以上に高精度なものが要求されるようにな
ってきた。このような、層数の多い多層膜を作製する際
には、後述する理由によって、実基板とは別の膜厚モニ
タリング用のモニタ基板を実基板に近接させて設置し、
そのモニタ基板によって膜厚制御を行い、しかも、1つ
の多層膜を作製するのに、モニタ基板を何回か新しいも
のと交換しなければならないので、多層膜作製の効率が
低下するという問題あり、その問題を解消するために、
多層膜を堆積する実基板を、直接、膜厚モニタリングの
対象として膜厚制御を行いたいという要求が高まってき
ている。
(H膜)と低屈折率膜(L膜)とを交互に重ねて一体化
したものであり、設計波長と呼ばれる光の波長をλ0、
H膜の屈折率をnH、L膜の屈折率をnLとした時に、
H膜の膜厚およびL膜の膜厚が、それぞれ、λ0/(4n
H) の整数倍およびλ0/(4nL) の整数倍に等しい、
という条件を満足するものである。多くの場合に、上記
の整数は1または2である。
を示す。物理的膜厚に光学的屈折率を乗じた光学的膜厚
が設計波長λ0の2分の1つまりλ0/2(この場合
に、上記の整数は2である)となるようなキャビティ層
と呼ばれる層を、光学的膜厚がλ0/4の高屈折率膜と
低屈折率膜に相当する膜を交互に積層して形成した多層
膜で上下を挟んだ構造となっている。
板を用い、高屈折率膜として屈折率が2.14のTa2
O5を、低屈折率膜として屈折率が1.48のSiO2
を、キャビティ層に屈折率膜が1.48のSiO2を用
い、下層に高屈折率膜と低屈折率膜の対を21層、上層
に高屈折率膜と低屈折率膜の対を21層、その間にキャ
ビティ層を1層堆積した場合の透過率の波長依存性を示
す。この場合の設計波長λ0は、1550nmとした。
の赤外光領域と、500nmから550nmの可視光領
域の波長領域において非透過領域が存在することがわか
る。それぞれの設計波長λ0で半値幅が約0.1nmの
非常に狭い透過領域が存在する。可視光波長領域に現れ
る波形は、波長が赤外光領域の波長の3以上の奇数分の
1、すなわち、波数で表現すれば、波数が赤外光領域の
波数の3以上の奇数倍となる鏡像波形である。
は、この半値幅が約0.1nmの非常に狭い透過領域を
光学フィルタとして用いるのであるが、このように層数
の非常の多い多層膜を成膜する場合には、成膜中の多層
膜を直接観察し、高屈折率膜の膜厚と低屈折率膜の膜厚
とを制御する方法が、成膜効率向上のために、極めて望
ましいとされている。
グ方法としては、単色測光法や二色測光法がある。しか
し、いずれの方法も、層数が少ない場合には有効である
が、層数が数十以上と非常に多い場合には、赤外光領域
において精度良く分光測光できる分光器が提供されない
ため、精度よく膜厚モニタリングを行うことは難しいと
いう問題がある。
簡単に説明する。
成してゆく過程で、光学的膜厚dn(ここに、dは物理
的膜厚であり、nは膜の屈折率である)が、設計波長の
4分の1(λ0/4)の整数倍に相当する時に、透過率
または反射率の時間変化が極値をとることを利用する。
たとえば、高屈折率膜と低屈折率膜を組み合わせて多層
膜を形成する場合、高屈折率膜の成膜中に設計波長λ0
の光を照射し、透過率または反射率を観察しながら、そ
の変化率が0になったときに成膜を停止する。このとき
の膜厚は、(λ0/4)/(高屈折率膜の屈折率)となり、
高屈折率膜にとってλ0/4の光学的膜厚となる。続い
て、低屈折率膜の成膜に切替えて、上記と同様に設計波
長λ0の光を照射しながら透過率または反射率を観測
し、その変化率が0になったときに成膜を停止する。こ
のときの膜厚は、(λ0/4)/(低屈折率膜の屈折率)
となり、低屈折率膜にとってλ0/4の光学的膜厚とな
る。この操作を順次繰り返すことによって、各屈折率膜
にとって光学的膜厚がλ0/4の多層膜を形成すること
ができる。
板を用い、高屈折率膜として屈折率が2.14のTa2
O5を用い、低屈折率膜として屈折率が1.48のSi
O2を用い、高屈折率膜と低屈折率膜の対を26層堆積
した場合の透過率の堆積膜厚依存性の計算結果を示す。
但し、設計波長λ0は1550nmで、透過率または反
射率が設計波長に対応する波数κ0(κ0=1/λ0、
以下これを設計波数と呼ぶ)は6451cm−1で、波
長分解能は赤外分光器の一般的な値の3nmとした。光
学的膜厚がλ0であるTa2O5の膜厚はλ0/(Ta
2O5の屈折率)すなわち724nmであり、光学的膜
厚がλ0/4であるTa2O5の膜厚は181nmとな
り、光学的膜厚がλ0であるSiO2の膜厚はλ0/
(SiO2の屈折率)すなわち1047nmであり、光
学的膜厚がλ0/4であるSiO2の膜厚は261nm
となる。
なわち、設計波数κ0=1/λ0における透過率は、堆
積膜厚が増加するに従って、高屈折率膜の堆積で減少
し、低屈折率膜の堆積で増加するという周期的変化を示
すが、層数が増加するにつれて透過率は減少してゆき、
10層以上で変化する割合が非常に小さくなる。赤外分
光器の測定分解能の限界、および、赤外光領域における
熱ノイズ(雑音)の影響により、極値を観測することで
きるのは最大値の1%程度であり、通常は、数%程度で
信号/雑音比(S/N比)が取れなくなってしまう。その
ため層数15以上の多層膜において、透過率が赤外分光
器の安定測定範囲(図7に示す)の限界に近づき、λ0
/4の光学的膜厚を判定することが困難となる。このこ
とは、1枚のモニタ基板で精度よくモニタリングできる
のは、15層程度が限界であり、それ以上の多層膜を堆
積するためには、膜厚モニタリング用モニタ基板を新し
いものと交換する必要があることを示している。
対して透過率または反射率の変化を示した場合、上記光
学的膜厚がλ0/4の整数倍の時に、設計波数κ0を中
心に対称となることを利用する。設計波数κ0を中心と
して、等間隔離れた任意の波数の対(たとえば、これら
をκ1とκ2とし、これらに対応する波長をλ1とλ 2
とする)について観測すると、光学的膜厚がλ0/4に
なるごとにλ1、λ2における透過率または反射率は等
しくなる。従って、観測している波長λ1とλ 2におけ
る透過率または反射率が等しくなるたびに、堆積する膜
種を切替えて、高屈折率膜と低屈折率膜を堆積すること
で、各屈折率膜にとって光学的膜厚がλ 0/4の多層膜
を形成することができる。
例として、図6に示すように、λ1:1734nm(κ
1:5760cm−1)、λ2:1400nm(κ2:
7142cm−1)とすると、層数が増加するにつれて
減衰域の両端付近での透過率の変化はほとんどなくな
り、10層以上の層数では、この方式で膜厚を制御する
ことは難しい。このことは、8層以上の多層膜を形成す
るためには、モニタ基板交換しながら層を堆積する必要
があることを示している。
0nmを中心とした1260nmから1675nmの赤
外光領域で設計されたデバイスを用いる。そのため単色
測光法と二色測光法ともに赤外領域の測光で行われる。
しかし、赤外分光器は、一般的に熱ノイズの影響が大き
く1nm以下の波長分解能を得ることが困難である。よ
り高い分解能が得られるグレーティングを用いた測光方
法は、測定速度が遅く、かつ、駆動部を有するために長
時間となる多層膜の堆積の間、安定して測光することは
難しい。また、CCDを用いた測光方法では、測定速度
は高速だが、波長分解能がCCDの素子分解能に支配さ
れてしまい、1nm以下の波長分解能を実現することは
難しい。あえて高精度でリアルタイムに測光できるシス
テムを作ったとしても、かなり高価なものになってしま
う。
波長領域にある多層膜を作製する際の、従来の単色測光
法による膜厚モニタリングにおいては、上記のように、
層数が増加するにつれて透過率は減少してゆき、層数1
5以上の多層膜において、透過率が赤外分光器の安定測
定範囲(図7に示す)の限界に近づき、λ0/4の光学
的膜厚を判定することが困難となる。このことは、1枚
のモニタ基板で精度よくモニタリングできるのは、15
層程度が限界であり、それ以上の多層膜を堆積するため
には、膜厚モニタリング用モニタ基板を新しいものと交
換する必要があることを意味する。このようなモニタ基
板の交換は、多層膜作製効率の低下を招くので、多層膜
作製上の問題となり、この解決が重要な課題となってい
る。
層膜を作製する際の、従来の二色測光法による膜厚モニ
タリングにおいては、例えば、図6に示したように、層
数が増加するにつれて減衰域の両端付近での透過率の変
化はほとんどなくなり、10層以上の層数では、この方
式で膜厚を制御することは難しく、8層以上の多層膜を
形成するためには、モニタ基板交換しながら層を堆積す
る必要があることがわかり、単色測光法の場合と同様
に、多層膜作製効率の低下を招くので、多層膜作製上の
問題となる。
基板交換の問題点や膜厚や膜質の均一性の高精度化の課
題を解決し、λ0を設計波長とする多層膜の光学的膜厚
をλ 0/4の整数倍に制御することを可能とする膜厚モ
ニタリング装置および方法を実現することを目的とす
る。
に、本発明においては、請求項1に記載のように、基板
上に形成され、可視光波長λVの3以上の奇数倍の波長
λ0を設計波長とする多層膜の上に重ねて形成された誘
電体膜の膜厚をモニタリングする膜厚モニタリング装置
であって、光源と、前記光源からの、波長λVを含む可
視光領域の光を前記基板と前記多層膜と前記誘電体膜と
の合体物に照射する光照射部と、前記照射によって生じ
る前記合体物からの、前記可視光領域における透過光ま
たは反射光の分光スペクトルを測定する光測定部と、前
記分光スペクトルのデータから、前記波長λVを含まな
い可視光波長域における前記分光スペクトルの極値およ
び前記極値が実現するときの光の波長であるサブピーク
波長の一方または両方を取得し、前記極値および前記サ
ブピーク波長の一方または両方を用いて、前記誘電体膜
の膜厚が、波長λ0を設計波長とする多層膜の構成要素
である誘電体膜の膜厚として適当であるか否かを判別す
る演算処理手段とを有することを特徴とする膜厚モニタ
リング装置を構成する。
のように、基板上に形成され、可視光波長λVの3以上
の奇数倍の波長λ0を設計波長とする多層膜の上に重ね
て形成された誘電体膜の膜厚をモニタリングする膜厚モ
ニタリング方法であって、光源からの、波長λVを含む
可視光領域の波長の光を前記基板と前記多層膜と前記誘
電体膜との合体物に照射し、前記照射によって生じる前
記合体物からの、前記可視光領域における透過光または
反射光の分光スペクトルを測定し、前記分光スペクトル
のデータから、前記波長λVを含まない可視光波長域に
おける前記分光スペクトルの極値および前記極値が実現
するときの光の波長であるサブピーク波長の一方または
両方を取得し、前記極値および前記サブピーク波長の一
方または両方を用いて、前記誘電体膜の膜厚が、波長λ
0を設計波長とする多層膜の構成要素である誘電体膜の
膜厚として適当であるか否かを判別することを特徴とす
る膜厚モニタリング方法を構成する。
のように、前記サブピーク波長のうち、波長λ0よりも
大きいものを小さい順にλ1+、λ2+、…、λn+、
…とし、それぞれの波長における透過率の極値をT(λ
1 +)、T(λ2+)、…、T(λn+)、…とし、前記サ
ブピーク波長のうち、波長λ0よりも小さいものを大き
い順にλ1−、λ2−、…、λn−、…とし、それぞれ
の波長における透過率の極値をT(λ1−)、T
(λ2−)、…、T(λn−)、…とし、n+とn−の対の
うちの少なくとも1対について、T(λn+)とT(λ
n−)とが測定誤差に起因する誤差の範囲内において等
しいか否かによって、前記誘電体膜の膜厚が、波長λ0
を設計波長とする多層膜の構成要素である誘電体膜の膜
厚として適当であるか否かを判別することを特徴とする
請求項2に記載の膜厚モニタリング方法を構成する。
置および方法が、従来の単色測光法と二色測光法と大き
く異なる点は、膜厚モニタリングに用いる光の波長にあ
る。
設計波長λ0の光を膜厚モニタリングに用いるのに対し
て、本発明においては、設計波長λ0の3以上の奇数分
の1の波長λV(波数1/λVは波数1/λ0の3以上の
奇数倍)を含む可視光領域における透過光または反射光
の分光スペクトルの、波長λVを含まない可視光波長域
における、波長に対する極値を膜厚モニタリングに用い
る。
波長λ0を挟んで、λ0よりも短い波長の光とλ0より
も長い波長の光とを膜厚モニタリングに用いるのに対し
て、本発明においては、設計波長λ0の3以上の奇数分
の1の波長λV(波数1/λ Vは波数1/λ0の3以上の
奇数倍)を含む可視光領域における透過光または反射光
の分光スペクトルの、波長λVを含まない可視光波長域
における、波長に対する極値を膜厚モニタリングに用い
る。
測光法において膜厚モニタリングに用いる光の波長は、
本発明に係る膜厚モニタリング装置および方法において
用いる光の波長のおよそ、3以上の奇数倍であり、本発
明に係る膜厚モニタリング装置および方法において用い
る光の波長が可視光領域にあるので、同じ多層膜の膜厚
モニタリングを行う従来の単色測光法および二色測光法
において膜厚モニタリングに用いる光の波長は赤外領域
にあることになる。
長分解能で測定可能であり、しかも比較的安価な可視光
分光光度計を用いることができるので、設計波長λ0が
赤外領域にある、層数の多い多層膜の膜厚モニタリング
が本発明に係る膜厚モニタリング装置および方法によっ
て可能となる。
視光波長λVの3以上の奇数倍の波長λ0を設計波長と
する多層膜の上に重ねて形成された誘電体膜の膜厚をモ
ニタリングする膜厚モニタリング装置であって、光源
と、前記光源からの、波長λVを含む可視光領域の光を
前記基板と前記多層膜と前記誘電体膜との合体物に照射
する光照射部と、前記照射によって生じる前記合体物か
らの、前記可視光領域における透過光または反射光の分
光スペクトルを測定する光測定部と、前記分光スペクト
ルのデータから、前記波長λVを含まない可視光波長域
における前記分光スペクトルの極値(波長に対する極大
値または極小値)および前記極値が実現するときの光の
波長であるサブピーク波長の一方または両方を取得し、
前記極値および前記サブピーク波長の一方または両方を
用いて、波長λ0を設計波長とする多層膜の構成要素で
ある誘電体膜の膜厚として適当であるか否かを判別する
演算処理手段とを有することを特徴とする膜厚モニタリ
ング装置を構成する。ここで、「誘電体膜の膜厚が、波
長λ0を設計波長とする多層膜の構成要素である誘電体
膜の膜厚として適当であるか否か」は、その誘電体膜の
光学的膜厚(屈折率×膜厚)がλ0/4の整数倍に、測
定誤差に起因する誤差の範囲内で、等しいか否か、を意
味する。
れ、可視光波長λVの3以上の奇数倍の波長λ0を設計
波長とする多層膜の上に重ねて形成された誘電体膜の膜
厚をモニタリングする膜厚モニタリング方法であって、
光源からの、波長λVを含む可視光領域の波長の光を前
記基板と前記多層膜と前記誘電体膜との合体物に照射
し、前記照射によって生じる前記合体物からの、前記可
視光領域における透過光または反射光の分光スペクトル
を測定し、前記分光スペクトルのデータから、前記波長
λVを含まない可視光波長域における前記分光スペクト
ルの極値(波長に対する極大値または極小値)および前
記極値が実現するときの光の波長であるサブピーク波長
の一方または両方を取得し、前記極値および前記サブピ
ーク波長の一方または両方を用いて、前記誘電体膜の膜
厚が、波長λ0を設計波長とする多層膜の構成要素であ
る誘電体膜の膜厚として適当であるか否かを判別するこ
とを特徴とする膜厚モニタリング方法を構成する。ここ
で、「誘電体膜の膜厚が、波長λ0を設計波長とする多
層膜の構成要素である誘電体膜の膜厚として適当である
か否か」は、その誘電体膜の光学的膜厚(屈折率×膜
厚)がλ0/4の整数倍に、測定誤差に起因する誤差の
範囲内で、等しいか否か、を意味する。この膜厚モニタ
リング方法は、上記の、本発明に係る膜厚モニタリング
装置によって実行することができる。
設計波長とする多層膜の構成要素である誘電体膜の膜厚
として適当であるか否か」を判別する方法として、上記
測定によって得られる分光スペクトルのデータから、前
記波長λVを含まない可視光波長域における前記分光ス
ペクトルの極値(波長に対する極大値または極小値)お
よび前記極値が実現するときの光の波長であるサブピー
ク波長の一方または両方を取得し、その一方または両方
の数値を、それぞれに対応する、あらかじめ理論計算に
よって求められている数値と比較する方法がある。すな
わち、理想的な多層膜の可視光波長領域における分光透
過率(図6に例示)または分光反射率は、多層膜の構成
材料と層構成とを決めれば、理論計算によって求めるこ
とができ、その、波長λVを含まない可視光波長域にお
ける極値および前記極値が実現するときの光の波長であ
るサブピーク波長も求めることができる。そこで、その
ような理論計算によって求めた極値またはサブピーク波
長を層構成の関数として、上記の演算処理手段に記憶さ
せておき、上記の測定および演算によって得た数値が、
それぞれに対応する計算値と、測定誤差に起因する誤差
の範囲内で一致するか否かによって、上記誘電体膜の膜
厚が、波長λ0を設計波長とする多層膜の構成要素であ
る誘電体膜の膜厚として適当であるか否かを判別するこ
とができる。
値の計算値を用いない膜厚モニタリング方法も、後述の
実施例に例示するように、実行が可能である。
ングステンランプ等が用いられる。
する光照射部としては、光ファイバを用いることができ
る。光ファイバは上記合体物からの透過光または反射光
を上記の光測定部に導く手段としても利用される。
る。この分光器は、上記合体物の可視光域における分光
スペクトルを測定する。
ソナルコンピュータ等の演算器を用いることができる。
この演算処理手段によって、上記の光測定部の出力であ
る、分光スペクトルのデータは、あらかじめ取得し記憶
されている参照データで規格化されて、透過率または反
射率の分光スペクトルデータに変換される。
測光が難しい赤外光領域の測光のデータではなく、設計
波数の3以上の奇数倍である波数を中心とした可視光領
域における分光スペクトルの極値のデータを用いて、赤
外光領域の波長を設計波長とする多層膜の膜厚モニタリ
ングを行うことができる。この場合に、安価で、高信頼
性・高精度の可視光領域の分光器を使用することがで
き、層数の多い多層膜の膜厚モニタリングを高精度で行
うことができる。
膜の成膜装置内に組み込まれて使用された場合に、その
効果を発揮する。
に波長λ0を設計波長とする多層膜が形成される成膜工
程中、上記の誘電体膜に該当する、最上層の高屈折率膜
(H膜)または低屈折率膜(L膜)の膜厚が膜厚モニタ
リング装置によってモニタリングされ、その膜厚が適当
であると判定された時点で、その膜の成膜は中止され、
他の膜種の成膜が開始されるか、または、多層膜成膜工
程が終了する。
お、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱
しない範囲で主旨の変更あるいは改良を行い得ることは
言及するまでもない。
例を示す。図中、1は成膜室2内の基板3上に成膜を行
う成膜装置であり、4は基板3上に膜物質をスパッタす
るECRスパッタ源であり、5は基板3に可視光を投光
するための光源であり、6は光源5からの光を基板3に
照射する光照射部である光源用光ファイバであり、7は
光を成膜室2内に導入するための真空封止用窓であり、
8は基板3を透過した光を空気中に取り出すための真空
封止用窓であり、9は透過光を可視光分光器10に導く
ための光ファイバであり、可視光分光器10は請求項1
に記載の光測定部に該当し、透過光の可視光波長におけ
る強度を計測する。11は、可視光分光器10の出力で
ある前記光の強度のデータを用いて、成膜中の誘電体膜
の膜厚が、波長λ0を設計波長とする多層膜の構成要素
である誘電体膜の膜厚として適当であるか否かを判別す
る演算処理手段である演算器である。光源5と光ファイ
バ6と光ファイバ9と可視光分光器10と演算器11と
が請求項1に記載の膜厚モニタリング装置に該当し、基
板3は請求項1および2に記載の合体物に該当する。
鳴スパッタ(ECRスパッタ)源4を用いる手段を図に
示しているが、言及するまでもなく、他の成膜手段、例
えば、高周波バイアススパッタ装置(RFバイアススパ
ッタ装置)、マグネトロンスパッタ装置、抵抗加熱蒸着
装置、プラズマ化学気相堆積装置(プラズマCVD装
置)、分子線ビーム成長装置(MBE装置)、原子層成
長装置(ALE装置およびALD装置)、有機金属熱分
解堆積装置(MOCVD装置)等を用いても良い。
の透過スペクトルを測定できるように、基板に対して斜
めにECRスパッタ源4を配置してある。基板3上での
膜の均一性を向上するために基板3を成膜中に回転でき
る構造とした。
いて、基板3上に、ECRスパッタ源4からのスパッタ
によって誘電体膜(H膜とL膜)が形成され、光源5か
らの可視光は光ファイバ6を通り、成膜装置1の窓7を
通って、基板3に垂直に入射し、基板3を透過した光は
窓8を通り、光ファイバ9を通って、可視光分光器10
に入り、可視光分光器10によって透過光の可視光波長
における強度が計測される。可視光分光器10の出力で
ある透過光の強度のデータが演算器11に入力される。
この場合に、成膜中のH膜またはL膜が請求項1および
2に記載の誘電体膜に該当する。
ロゲンランプを用いているが、赤外領域に対する発光の
強度の安定性にくらべて、可視光領域では容易に比較的
平坦な発光スペクトルが得られるため、安価に光源を得
ることができる。また、可視光領域では、ハロゲンラン
プよりも高安定な発光強度が得られるキセノンランプや
タングステンランプ等も使用できる。
めに、また、透過光を分光器に導くために、光ファイバ
6、9を用いているが、反射ミラーやハーフミラー等を
用いた光学系を用いても良い。
度・高速に、かつ、安価なシステムが提供されている可
視光分光器を用い、図6中の可視光領域に出現する設計
波長1550nmに相当する設計波数6451cm−1
の3倍にあたる波数19354cm−1(波長516n
m)を含む、300nmから800nmの領域の分光ス
ペクトルを観測できるようにした。測定波長分解能は、
0.1nmであった。
I標準のI/Oバスである小規模コンピュータシステム
インターフェイス(SCSI)を使用して演算器にデー
タ転送を行った。演算器としては、汎用のパーソナルコ
ンピュータを用いているが、専用の演算回路を有する装
置を作製して使用しても良い。また、インターフェイス
もSCSIに限定するものではなく、シリアル、US
B、IEEE1394、光ファイバリンク等の方法でも
良い。転送されたデータは、演算器11上で成膜前に取
得した参照データで規格化を行い透過率のスペクトルを
取得する。さらに、その透過率スペクトルを差分法、最
小二乗法や微分法等の数値処理を行うことにより、成膜
中の膜の膜厚が、多層膜の構成要素である膜の膜厚とし
て適当であるか否かを判別し、その判別結果によって膜
厚制御(成膜を続けるか、膜種を切替えるか、等)を行
うための信号を得る構成とした。
の一例を以下に説明する。
し、高屈折率膜として屈折率が2.14のTa2O5、
低屈折率膜として屈折率が1.48のSiO2を用い、
下層に高屈折率膜と低屈折率膜の対を21層、上層に高
屈折率膜と低屈折率膜の対を21層、その間にキャビテ
ィ層を1層堆積した場合の設計波数の3倍に当たる波数
における透過率の波長依存性を示す(但し、図の横軸は
波数とする)。この場合に、設計波長λ0は1550n
m(設計波数κ0は6451cm−1)である。測定に
使用した光の波長範囲は、設計波長の3分の1に当たる
波長516nmを含む400nmから650nmの範囲
であり、波長分解能は0.25nmとした。図の横軸は
波数で表した。本実施の形態では、高屈折率膜としてT
a2O5、低屈折率膜としてSiO2を用いているが、
他の膜種の組み合わせでも同様の効果が得られる。
4nmであり、光学的膜厚λ0/4に相当する膜厚は1
81nmとなり、光学的膜厚λ0のSiO2の膜厚は1
047nmであり、光学的膜厚λ0/4に相当する膜厚
は261nmとなる。
0nmから550nmの可視光領域の波長に対応する波
数において非透過領域が存在し、その両側に対称的にサ
ブピークが形成されていることがわかる。
ぶことにする。また、設計波数の3以上の奇数倍にあた
る波数を中心対称とした、ピーク対をP1、P2、
P3、P 4、P5、・・・、Pnとする。また、そのピ
ーク対の低波数側・高波数側を、例えば、P1−、P
1+のように、それぞれ、表すことにする(図8参
照)。さらに、サイドバンドピーク対に対応する波数
を、κ1、κ2、κ3、κ4、κ5、・・・、κnと
し、このときの低波数側、高波数側を、例えば、
κ1−、κ1 +のようにそれぞれを表すことにする。こ
のサイドバンドピークは、膜の層数が増えるにしたがっ
て、波数範囲に現れる数が増加してゆく。また、このサ
イドバンドピークは、一般に、ある層の薄膜の光学膜厚
がλ0/4の整数倍をなすときには、設計波数の3以上
の奇数倍にあたる波数を中心対称とした波数に対して対
称になる。T(κ)を波数κにおける透過率とすると、
n番目のサイドバンドピークPn−、Pn+ につい
て、次のように表すことができる。
的膜厚がλ0/4の整数倍に等しくない時には、次式の
ようになる。
となるサイドバンドピークの波数を常に検出し、その波
数での透過率T(κn+)、T(κn−)(これらは請求
項1および2に記載の極値に該当する)を比較し、(式
1)のように透過率が等しくなったときに成膜を停止す
れば、その層の光学的膜厚をλ0/4の整数倍に制御す
ることが可能となる。このようにして、本発明に係る膜
厚モニタリング装置および方法を用いて、各層の膜厚を
正確に制御しながら、多層膜を作製することができる。
サイドバンドピークは、膜厚により大きく変化するため
に、S/N(信号対雑音比)よく膜厚を制御することが
できる。
数倍の時には、等式:κn+ +κn − =2κ0が成立
するので、この等式も、(式1)と同様に、膜厚のモニ
タリングに利用できる。
κn+ とκn− の位置は、分光スペクトルの極値の位
置を求める数値処理を適応すれば容易に求めることがで
きる。n番目のサイドバンドピークPnの透過率差を△
Tnとすれば、次のようにできる。
膜として屈折率が2.14のTa2O5、低屈折率膜と
して屈折率が1.48のSiO2を用い、下層に高屈折
率膜と低屈折率膜の対を21層、低屈折率膜のキャビテ
ィ層を1層、上層に高屈折率膜と低屈折率膜の対を18
層成膜し、その上に次の1層目を堆積するときの(式
3)から求めた透過率差と膜厚堆積度(光学的膜厚がλ
0/4の時に1とする)との関係を示す。但し、設計波
長λ0は1550nm(設計波数κ0は6451cm
−1)である。サイドバンドピークは、P1−と
P1+、P2−とP2+、P3−とP3+、P4−とP
4+の4対について示す。波長分解能は0.25nmと
した。図の横軸は波数で表した。図より、膜厚が増加す
るに従って、△T1、△T2、△T3、△T4は、λ0
/4までに2回0をよぎり、λ0/4で0となる。このよ
うに△Tnに対して3回目の△Tn=0で成膜を停止す
ることで、光学的膜厚をλ0/4に制御できることがわ
かる。
ものとして示したが、実際には、誘電体の屈折率には波
長依存性が存在し、λ0とλVの付近の屈折率が異なる
場合がある。そのため、設計波長λ0からずれた多層膜
が形成される場合がある。このような場合には、予め誘
電体の屈折率の波長依存性を分光エリプソメータ等で測
定し、その数値をもとに、シミュレーションによる事前
比較を実施して実際の測定に反映することで、設計波長
λ0の多層膜を得ることが可能となる。
ゆくにしたがい不規則に変化してゆく。そのため、通常
の二色測光法の様に波長を固定されている場合は、信号
の変化が非常に小さくなる層が存在し、赤外分光器の波
長分解能と測定感度が大きくないために、全層にわたっ
て精度良く測定することはできない。本発明のように、
波長分解能と測定感度が高く、リアルタイムに測定可能
な可視分光器を用いて、かつ、サイドバンドピークの波
数を常に検出し、その波数での透過率差を用いれば、層
数の多い多層膜においても、精度の高い膜厚制御が可能
となる。
して透過率スペクトルに変換するための参照光を成膜途
中で定期的に取得できるように、光源5からの光を2分
岐光ファイバ12と切替器13により直接可視光分光器
10に取り込める構成を示す。この構成を用いることで
長時間の成膜を行う場合でも、光源5の出力を定期的に
測定して、その変動を校正できるため、より正確な測定
が可能となる。
発明の実施例を示す。基板上に成膜を行う成膜装置、基
板3に光を投光するための光源5、光投用光ファイバ6
と光を成膜室2内に導入するための真空射止用窓7を含
む投光部分、多層膜を堆積する基体となり可視光領域で
適当な反射率を示す基板3と、基板3に反射した光を可
視光分光器10に導くためのハーフミラー14と光ファ
イバ9を含む受光部分と、受光部分で受けた光を分光ス
ペクトルとして測光する光測定部である可視光分光器1
0からなる測定部分と、分光スペクトルの波長に対する
極値を演算処理する演算処理手段である演算11と、基
板3上に単層膜および多層膜を成膜する成膜手段とから
なる。
領域の光を透過しないシリコン基板などの不透明基板上
への成膜でも膜厚モニタリングが可能となる。
リコン基板上に、高屈折率膜として屈折率が2.14の
Ta2O5、低屈折率膜として屈折率が1.48のSi
O2を用い、下層に高屈折率膜と低屈折率膜の対を21
層、上層に高屈折率膜と低屈折率膜の対を21層、その
間にキャビティ層を1層堆積した場合を例にして、本発
明の膜厚モニタリング動作を説明する。本実施例では、
高屈折率膜としてTa2O5、低屈折率膜としてSiO
2を用いているが、他の膜種の組み合わせても同様の効
果が得られる。
(κ)は、透過率T(κ)と次のような関係がある。
T(κ)について設計波数の3倍に当たる波数における
透過率の波長依存性を示すと、図8になる(但し、図の
横軸は波数とする)。透過率T(κ)が求められれば、
(式3)より△Tnを求めて実施例1と同様な手順で膜
厚モニタリングとそれに基づく膜厚の制御が可能とな
る。
ゆくにしたがい不規則に変化してゆく。そのため、通常
の二色測光法の様に波長を固定されている場合は、信号
の変化が非常に小さくなる層が存在し、赤外分光器の波
長分解能と測定感度が大きくないために、全層にわたっ
て精度良く測定することはできない。本発明のように、
波長分解能と測定感度が高く、リアルタイムに測定可能
な可視分光器を用いて、かつ、サイドバンドピークの波
数を常に検出し、その波数での透過率差を用いれば、層
数の多い多層膜においても、精度の高い膜厚制御が可能
となる。
率分光スペクトルに変換するための参照光を成膜途中で
定期的に取得できるように、光源5からの光を2分岐光
ファイバ12と切替器13により直接、可視光分光器1
0に取り込める構成を示す。この構成を用いることで長
時間の成膜を行う場合でも、光源の出力を定期的に測定
して、その変動を校正できるため、より正確な測定が可
能となる。
の3以上の奇数倍に当たる波数を中心として、減衰域の
さらに両側に形成される透過率または反射率の極値の組
を検出し、その組の極値の差が0になるときを観測し、
成膜を停止することで膜厚をλ0/4の整数倍に制御で
き、非常に簡便に総数が多い多層膜でも膜厚を制御でき
る。また、直接成膜基板を測定できるためモニター基板
の交換が不要で迅速に精度良く多層膜を形成できる。さ
らに、従来技術のように高精度測光が難しい赤外光領域
の測光ではなく、設計波長の3以上の奇数倍に当たる波
数近辺の可視光領域の透過率と反射率の測定を用いるこ
とで、安価で、高信頼性・高精度の可視光領域の分光器
を使用することができ、光学的膜厚の膜厚モニタリング
を高精度に行うという優れた効果が得られる。
問題点や膜厚や膜質の均一性の高精度化の課題を解決
し、λ0を設計波長とする多層膜の光学的膜厚をλ0/
4の整数倍に制御することを可能とする膜厚モニタリン
グ装置および方法を実現することができる。
うに、2分岐光ファイバと切替器を用いた構成を示す図
である。
うに、2分岐光ファイバと切替器を用いた構成を示す図
である。
す図である。
トルを示す図である。
す図である。
波数の透過率の波長依存性を示す図である。
波数を中心とした任意のサイドバンドピーク対の透過率
差の膜厚依存性を示す図である。
ッタ源、5…光源、6…光ファイバ、7、8…窓、9…
光ファイバ、10…可視光分光器、11…演算器、12
…2分岐光ファイバ、13…切替器、14…ハーフミラ
ー。
Claims (3)
- 【請求項1】基板上に形成され、可視光波長λVの3以
上の奇数倍の波長λ0を設計波長とする多層膜の上に重
ねて形成された誘電体膜の膜厚をモニタリングする膜厚
モニタリング装置であって、光源と、前記光源からの、
波長λVを含む可視光領域の光を前記基板と前記多層膜
と前記誘電体膜との合体物に照射する光照射部と、前記
照射によって生じる前記合体物からの、前記可視光領域
における透過光または反射光の分光スペクトルを測定す
る光測定部と、前記分光スペクトルのデータから、前記
波長λVを含まない可視光波長域における前記分光スペ
クトルの極値および前記極値が実現するときの光の波長
であるサブピーク波長の一方または両方を取得し、前記
極値および前記サブピーク波長の一方または両方を用い
て、前記誘電体膜の膜厚が、波長λ0を設計波長とする
多層膜の構成要素である誘電体膜の膜厚として適当であ
るか否かを判別する演算処理手段とを有することを特徴
とする膜厚モニタリング装置。 - 【請求項2】基板上に形成され、可視光波長λVの3以
上の奇数倍の波長λ0を設計波長とする多層膜の上に重
ねて形成された誘電体膜の膜厚をモニタリングする膜厚
モニタリング方法であって、光源からの、波長λVを含
む可視光領域の波長の光を前記基板と前記多層膜と前記
誘電体膜との合体物に照射し、前記照射によって生じる
前記合体物からの、前記可視光領域における透過光また
は反射光の分光スペクトルを測定し、前記分光スペクト
ルのデータから、前記波長λVを含まない可視光波長域
における前記分光スペクトルの極値および前記極値が実
現するときの光の波長であるサブピーク波長の一方また
は両方を取得し、前記極値および前記サブピーク波長の
一方または両方を用いて、前記誘電体膜の膜厚が、波長
λ0を設計波長とする多層膜の構成要素である誘電体膜
の膜厚として適当であるか否かを判別することを特徴と
する膜厚モニタリング方法。 - 【請求項3】前記サブピーク波長のうち、波長λ0より
も大きいものを小さい順にλ1+、λ2+、…、
λn+、…とし、それぞれの波長における透過率の極値
をT(λ1 +)、T(λ2+)、…、T(λn+)、…とし、
前記サブピーク波長のうち、波長λ0よりも小さいもの
を大きい順にλ1−、λ2−、…、λn−、…とし、そ
れぞれの波長における透過率の極値をT(λ1−)、T
(λ2−)、…、T(λn−)、…とし、n+とn−の対の
うちの少なくとも1対について、T(λn+)とT(λ
n−)とが測定誤差に起因する誤差の範囲内において等
しいか否かによって、前記誘電体膜の膜厚が、波長λ0
を設計波長とする多層膜の構成要素である誘電体膜の膜
厚として適当であるか否かを判別することを特徴とする
請求項2に記載の膜厚モニタリング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001316358A JP3737409B2 (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | 膜厚モニタリング装置および方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP3737409B2 JP3737409B2 (ja) | 2006-01-18 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006016666A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Shibaura Mechatronics Corp | 真空処理装置 |
JP2007199084A (ja) * | 2003-05-01 | 2007-08-09 | Showa Shinku:Kk | 膜厚計測装置搭載の光学薄膜形成用装置及び光学薄膜の成膜方法 |
JP2009097857A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Otsuka Denshi Co Ltd | 光学特性測定装置および光学特性測定方法 |
WO2011001968A1 (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 株式会社シンクロン | 光学式膜厚計及び光学式膜厚計を備えた薄膜形成装置 |
-
2001
- 2001-10-15 JP JP2001316358A patent/JP3737409B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JP4547489B2 (ja) * | 2003-05-01 | 2010-09-22 | 株式会社昭和真空 | 膜厚計測装置搭載の光学薄膜形成用装置及び光学薄膜の成膜方法 |
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US8625111B2 (en) | 2009-07-03 | 2014-01-07 | Shincron Co., Ltd. | Optical film thickness meter and thin film forming apparatus provided with optical film thickness meter |
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