JP2003115471A - 半導体チップの裏面研削方法および裏面研削システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェハーと同等の扱いで半導体チップの裏面
研削をできるようにする。 【解決手段】 テープマウント用トレイ４上にウェハー
の形状に合わせて複数枚の半導体チップ２をその表面が
上を向くように並べる。この複数枚の半導体チップ２に
ウェハーの形状を持つ保護粘着テープ１を貼り付けるこ
とで擬似ウェハー３を作成する。擬似ウェハー３はウェ
ハーの形状を持ち、半導体チップ２はその裏面が露出し
ているので、ウェハー用の既存のバックグラインダー装
置に擬似ウェハー３を取り込み、半導体チップ２の裏面
研削を行うことができる。半導体チップ２の裏面研削の
終了した擬似ウェハー３は、ダイシングテープ１６によ
りフレーム１４にマウントし、保護粘着テープ１を剥離
した後、ダイシングテープ１６から個々の半導体チップ
２をピックアップする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハーをダイシ
ングすることで得られる半導体チップの厚みを薄くする
ための半導体チップの裏面研削方法および裏面研削シス
テムに関する。詳しくは、ウェハーと同じ形状を持つテ
ープ状部材に複数枚の半導体チップを貼り付けること
で、ウェハーと同等の扱いで、半導体チップの裏面を研
削できるようにしたものである。

【０００２】

【従来の技術】各種素子が構成されたウェハーは、その
ままの厚みでは抵抗が大きい等の問題があるため、ウェ
ハーを半導体チップにダイシングする前の工程として、
ウェハーの裏面を研削して、ウェハーの厚みを必要とさ
れる値にする裏面研削（バックグラインド）工程と呼ば
れる工程がある。

【０００３】図１０〜図１２はウェハーの裏面研削工程
の例を示す説明図である。まず図１０に示す例は、ウェ
ハー厚が１５０μｍ以上の場合に主として用いられてい
る方法である。すなわち、まず、図１０（ａ）に示すよ
うに、ウェハー３０の表面に押し付けローラ３１等によ
り保護粘着テープ３２を貼り付けた後、図１０（ｂ）に
示すように、ウェハー３０の裏面をパッド３３で研削す
る。

【０００４】裏面研削工程が終了したウェハー３０は、
図１０（ｃ）に示すように、剥離テープ３４により保護
粘着テープ３２を剥離した後、図１０（ｄ）に示すよう
に、押し付けローラ３５等によりリング状のフレーム３
６にダイシングテープ３７によってマウントされ、図１
０（ｅ）に示すように、ウェハー３０をブレード３８に
より半導体チップとして切り分けるダイシングを行うも
のである。

【０００５】図１１および図１２に示す例は、ウェハー
厚が１５０μｍ以下の場合に用いられている方法であ
る。まず、図１１に示す例では、図１１（ａ）に示すよ
うに、ウェハー３０をブレード３８でハーフカットす
る。このハーフカットとは、ウェハー３０を半導体チッ
プとして切り分けるにあたり、ウェハー３０の厚み方向
において、その表面から途中までカットするダイシング
方法である。

【０００６】次に、図１１（ｂ）に示すように、このハ
ーフカットしたウェハー３０の表面に、押し付けローラ
３１等により保護粘着テープ３２を貼り付けた後、図１
１（ｃ）に示すように、ウェハー３０の裏面をパッド３
３で研削する。ウェハー３０は、その表面側からハーフ
カットされているので、この裏面研削工程で半導体チッ
プとして切り分けられる。

【０００７】そして、裏面研削工程が終了したウェハー
３０を、図１１（ｄ）に示すように、押し付けローラ３
５等によりリング状のフレーム３６にダイシングテープ
３７によってマウントした後、図１１（ｅ）に示すよう
に、剥離テープ３４により保護粘着テープ３２を剥離す
る。

【０００８】図１２に示す例は、まず、図１２（ａ）に
示すように、ウェハー３０の表面に押し付けローラ３１
等により保護粘着テープ３２を貼り付けた後、図１２
（ｂ）に示すように、ウェハー３０の裏面をパッド３３
で研削する。

【０００９】そして、裏面研削工程が終了したウェハー
３０を、図１２（ｃ）に示すように、押し付けローラ３
５等によりリング状のフレーム３６にダイシングテープ
３７によってマウントした後、図１２（ｄ）に示すよう
に、剥離テープ３４により保護粘着テープ３２を剥離し
て、図１２（ｅ）に示すように、ウェハー３０をブレー
ド３８により半導体チップとして切り分けるダイシング
を行うものである。

【００１０】このようなウェハー単位での裏面研削工程
に対して、近年、ダイシング後の半導体チップ単位で裏
面研削を行う必要が生じている。すなわち、半導体チッ
プを購入して半導体装置を製作する場合、半導体チップ
の搬送中の割れを防止する等の目的で、購入できる半導
体チップはその厚みが所望とする厚みより厚い場合が多
い。このため、購入した半導体チップの裏面を研削する
必要がある。図１３は半導体チップの従来の裏面研削方
法を示す説明図である。

【００１１】従来は、図１３（ａ）に示すようにリング
状のチップ研削用フレーム３９に粘着テープ４０により
研削高さ調整用のダミーウェハー４１をマウントした
後、オペレータが手で半導体チップ４２を一枚ずつ貼り
付け、図１３（ｂ）に示すようにパッド４３で各半導体
チップ４２の裏面研削を行っていた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従来より、ウェハー単
位での裏面研削工程は自動化されているが、上述したよ
うに、半導体チップ単位での裏面研削は手動で行う工程
が必要であり、手間と時間がかかるという問題があっ
た。

【００１３】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、ウェハーと同等の扱いで半導体チッ
プの裏面研削をできるようにした半導体チップの裏面研
削方法および裏面研削システムを提供することを目的と
する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係る半導体チップの裏面研削方法は、ウ
ェハーの形状を持つテープ状部材に複数枚の半導体チッ
プをその裏面が露出した状態で貼り付けて擬似ウェハー
を作成し、この擬似ウェハー上に並ぶ各半導体チップの
裏面を研削するものである。

【００１５】上述した本発明に係る半導体チップの裏面
研削方法では、テープ状部材に複数の半導体チップを貼
り付けることで、複数の半導体チップを一体物として扱
えるようになる。そして、テープ状部材の形状がウェハ
ーの形状と合わせてあるので、ウェハーと同等の扱い
で、各半導体チップの裏面を研削することができること
になり、ウェハーを扱うことを前提とした既存の装置を
使って、半導体チップの裏面研削が自動的に行える。

【００１６】本発明に係る半導体チップの裏面研削シス
テムは、ウェハーの形状を持つテープ状部材に複数枚の
半導体チップをその裏面が露出した状態で貼り付けて擬
似ウェハーを作成する擬似ウェハー作成装置と、この擬
似ウェハー作成装置で作成された擬似ウェハー上の各半
導体チップの裏面を研削する研削装置とを備えたもので
ある。

【００１７】上述した本発明に係る半導体チップの裏面
研削システムでは、ウェハーの形状を持つテープ状部材
に複数枚の半導体チップをその裏面が露出するように貼
り付けて擬似ウェハーを作成し、この擬似ウェハーを研
削装置に送って、各半導体チップの裏面を研削する。

【００１８】ここで、擬似ウェハーは、ウェハーと同じ
形状を持つので、半導体チップの裏面を研削するにあた
り、ウェハーの裏面を研削する既存の研削装置を用いる
ことができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の半
導体チップの裏面研削方法の実施の形態および本発明の
半導体チップの裏面研削システムの実施の形態を説明す
る。すなわち、図１は本実施の形態の半導体チップの裏
面研削方法を示すフローチャート、図２は本実施の形態
の半導体チップの裏面研削システムで実施される各工程
での処理を示す説明図である。

【００２０】本実施の形態の半導体チップの裏面研削方
法は、ウェハーの形状を持つテープ状部材としての保護
粘着テープ１に複数枚の半導体チップ２を貼り付けるこ
とで擬似ウェハー３を作成し（ステップ１）、ウェハー
を処理するための既存の装置で半導体チップ２の裏面研
削および擬似ウェハー３を半導体チップ２に戻す処理を
行うものである（ステップ２〜ステップ５）。

【００２１】また、本実施の形態の半導体チップの裏面
研削システムは、ウェハーの形状を持つテープ状部材と
しての保護粘着テープ１に複数枚の半導体チップ２をそ
の裏面を露出させて貼り付けて擬似ウェハー３を作成す
る擬似ウェハー作成装置と、半導体チップ２の裏面を研
削する研削装置とを少なくとも備えて、上述した本実施
の形態の半導体チップの裏面研削方法を実施するもので
ある。

【００２２】以下に、図１に示すフローチャートの各工
程の詳細を説明する。まず、図１にステップ１で示され
る擬似ウェハー３の作成工程の説明を行う。この擬似ウ
ェハー３の作成工程は、複数枚の半導体チップ２をウェ
ハーの形状に合わせて並べる工程と、このように並べら
れた複数枚の半導体チップ２に保護粘着テープ１を貼り
付ける工程からなる。

【００２３】そして、この擬似ウェハー３の作成工程で
は、裏面研削システムを構成する擬似ウェハー作成装置
が使用される。この擬似ウェハー作成装置は、例えば、
複数枚の半導体チップ２をウェハーの形状に合わせて並
べる工程で使用されるテープマウント用トレイ４、反転
アーム６および移し替えアーム７と、複数枚の半導体チ
ップ２に保護粘着テープ１を貼り付ける工程で使用され
る図示しないテープマウンター装置から構成されるもの
とする。

【００２４】まず、図２（ａ）は本実施の形態の半導体
チップの裏面研削システムで実施される本実施の形態の
半導体チップ裏面研削方法において、半導体チップ２を
ウェハーの形状に合わせて並べるチップの移し替えの工
程を示している。テープマウント用トレイ４は、所定の
径のウェハーと合致する形状を有し、複数枚の半導体チ
ップ２が載せられる。なお、このテープマウント用トレ
イ４は、図示しない真空吸着装置を備えて、半導体チッ
プ２を保持できる構成とするとよい。

【００２５】半導体チップ２はチップトレイ５に載せら
れて供給される。チップトレイ５上では、半導体チップ
２はその表面を下向きにした状態で並べられている。こ
のチップトレイ５からテープマウント用トレイ４への半
導体チップ２の移し変えは、ロボットハンドにより行
う。

【００２６】図３は半導体チップをテープマウント用ト
レイ４に移し替える機構の概略を示す説明図である。反
転アーム６は、一方の端部に吸着コレット６ａを備える
とともに、他方の端部側に設けられる軸６ｂを支点に１
８０度回転する構成を有する。そして、反転アーム６
は、図３（ａ）に示すように、チップトレイ５に載せら
れた半導体チップ２を吸着コレット６ａで吸着し、図３
（ｂ）に示すように、軸６ｂを支点に１８０度回転する
ことで、吸着コレット６ａで保持している半導体チップ
２を、その裏面が下を向く状態とする。

【００２７】移し替えヘッド７は、反転アーム６で保持
している半導体チップ２をテープマウント用トレイ４に
移し替える。この移し替えヘッド７は、先端側に吸着コ
レット７ａを備えるとともに、図示しない機構により、
上下および水平方向に移動する。そして、反転アーム６
で裏面を上向きに保持している半導体チップ２を移し替
えヘッド７の吸着コレット７ａで保持するとともに、反
転アーム６の吸着コレット６ａによる保持は解除し、移
し替えヘッド７を所望の位置へ移動させて、吸着コレッ
ト７ａで保持している半導体チップ２をテープマウント
用トレイ４に載せる。これにより、テープマウント用ト
レイ４上では、半導体チップ２はその表面が上を向いた
状態で並べられる。

【００２８】そして、テープマウント用トレイ４は、ウ
ェハーの形状に合わせた形状を持つので、移し替えヘッ
ド７でこのテープマウント用トレイ４上に半導体チップ
２を並べていけば、半導体チップ２はウェハーの形状に
合わせて並ぶことになる。

【００２９】なお、チップトレイ５上で半導体チップ２
がその裏面を下向きに並べられている場合は、移し替え
ヘッド７でチップトレイ５からテープマウント用トレイ
４に直接半導体チップ２を移し替えるだけで、テープマ
ウント用トレイ４上では、半導体チップ２はその表面が
上を向いた状態で並べられるので、反転アーム６は不要
である。

【００３０】また、サイズの異なる半導体チップ２を収
納している複数のチップトレイ５を用意しておき、それ
ぞれのチップトレイ５から反転アーム６で半導体チップ
２をピックアップできるようにすれば、サイズの異なる
半導体チップ２をテープマウント用トレイ４上に並べる
ことができる。

【００３１】図２（ｂ）は本実施の形態の半導体チップ
の裏面研削システムで実施される本実施の形態の半導体
チップの裏面研削方法において、半導体チップ２に保護
粘着テープ１を貼り付ける工程を示している。テープマ
ウント用トレイ４に半導体チップ２を並べた後、このテ
ープマウント用トレイ４を擬似ウェハー作成装置を構成
する図示しないテープマウンター装置に送り、半導体チ
ップ２に保護粘着テープ１を貼り付ける。

【００３２】この保護粘着テープ１は、ＰＥＴ（ポリエ
チレンテレフタラート）材等の硬めの材質からなり、ウ
ェハーの形状を有する。図４は保護粘着テープ１の供給
状態を示す斜視図で、保護粘着テープ１は、長尺のテー
プをロール状に巻いた状態で供給される。そして、あら
かじめウェハーの形状にあわせてカットされることで、
ウェハーの形状を持つ保護粘着テープ１が構成される。

【００３３】なお、ウェハーの裏面研削工程では、ウェ
ハーの表面を保護する目的で、保護粘着テープを貼り付
ける場合があり、このウェハー用の保護粘着テープを流
用しても良い。また、上述したテープマウンター装置
は、ウェハーに保護粘着テープを貼り付ける装置を流用
しても良い。

【００３４】保護粘着テープ１の一方の面には図示しな
い粘着剤層が設けられる。そして、図２（ｂ）に示すよ
うに、この粘着剤層が下を向くようにして、保護粘着テ
ープ１はテープマウント用トレイ４上に供給され、押し
付けローラ８等によりテープマウント用トレイ４に押し
付けられる。これにより、テープマウント用トレイ４上
に並んでいる複数枚の半導体チップ２が保護粘着テープ
１に一括して貼り付けられる。そして、複数枚の半導体
チップ２が貼り付けられた保護粘着テープ１をテープマ
ウント用トレイ４からハンドリングすることで、複数枚
の半導体チップ２をウェハーの形状を持つ保護粘着テー
プ１により一体とした擬似ウェハー３が形成される。

【００３５】さて、テープマウント用トレイ４上では、
半導体チップ２はその表面が上を向いた状態で並べられ
ているので、保護粘着テープ１を貼り付けることで、半
導体チップ２はその裏面が露出する。

【００３６】ここで、保護粘着テープ１としてＰＥＴ材
等の硬めの材質を用いることで、図示しないロボットハ
ンド等によりこの擬似ウェハー３をハンドリングする
際、大きく撓むことがなく、ウェハーと同等に扱うこと
が可能となる。

【００３７】また、保護粘着テープ１はあらかじめウェ
ハーの形状にあわせてカットされているので、保護粘着
テープ１の貼り付けるときに、これをカットする装置は
不要である。

【００３８】次に、図１にステップ２で示される半導体
チップ２の裏面研削工程の説明を行う。すなわち、図２
（ｃ）は本実施の形態の半導体チップの裏面研削システ
ムにおいて実施される本実施の形態の半導体チップの裏
面研削方法において、半導体チップ２の裏面研削を行う
工程を示している。複数枚の半導体チップ２をウェハー
の形状を持つ保護粘着テープ１により一体として作成し
た擬似ウェハー３は、裏面研削システムを構成する研削
装置の一例である、ウェハーの裏面研削を行う既存のバ
ックグラインダー装置に送られ、各半導体チップ２の裏
面研削が行われる。

【００３９】図５は既存のバックグラインダー装置の概
略構成を示す斜視図である。バックグラインダー装置
は、裏面研削前のウェハー９の供給と裏面研削後のウェ
ハー９の格納を行うローダーアンローダー１０と、ウェ
ハー９の裏面を研削するパッド１１や、このパッド１１
を回転させるモータ１１ａ、ウェハー９を載せるテーブ
ル１１ｂ等を備えた裏面研削部１２と、ローダーアンロ
ーダー１０と裏面研削部１２との間でウェハー９を搬送
するロボットハンド１３等から構成される。

【００４０】擬似ウェハー３は、このような既存のバッ
クグラインダー装置で裏面研削されるウェハー９と同じ
形状を持ち、かつ、ロボットハンド１３による搬送が可
能である。さらに、擬似ウェハー３においては、半導体
チップ２の裏面が露出している。

【００４１】よって、ローダーアンローダー１０にウェ
ハー９に代えて擬似ウェハー３を収納し、この擬似ウェ
ハー３をロボットハンド１３により搬送して裏面研削部
１２のテーブル１１ｂにセットする。そして、テーブル
１１ｂを水平移動させるとともに、パッド１１を回転さ
せることで、図２（ｃ）に示すように保護粘着テープ１
で一体物となっている複数枚の半導体チップ２のそれぞ
れの裏面をパッド１１で研削することができる。

【００４２】また、各半導体チップ２の裏面研削が終了
した擬似ウェハー３は、裏面研削部１２から図５に示す
ロボットハンド１３で搬送されてローダーアンローダー
１０に格納される。

【００４３】以上のように、半導体チップ２の裏面研削
の終了した擬似ウェハー３を、既存の装置を使用して半
導体チップ２に戻すため、図１のステップ３からステッ
プ５の工程が必要となる。

【００４４】まず、図１にステップ３で示されるダイシ
ングテープへのマウント工程の説明を行う。すなわち、
図２（ｄ）は本実施の形態の半導体チップの裏面研削シ
ステムで実施される本実施の形態の半導体チップの裏面
研削方法において、擬似ウェハー３をダイシングテープ
にマウントする工程を示している。各半導体チップ２の
裏面研削が終了した擬似ウェハー３は、裏面研削システ
ムを構成するテープマウンター装置の一例である、ウェ
ハーにダイシングテープを貼り付ける既存のテープマウ
ンター装置に送られ、ダイシングテープによりフレーム
にマウントされる。

【００４５】図６は既存のテープマウンター装置の概略
構成を示す斜視図である。テープマウンター装置は、リ
ング状のフレーム１４へのマウント前のウェハー９の供
給とマウント後のウェハー９の格納を行うローダーアン
ローダー１５と、押し付けローラ１７や擬似ウェハー３
を載せたテーブル１７ａを移動させる機構等、ダイシン
グテープ１６の供給および貼り付けを行う機構を備えた
ウェハーマウント部１７と、ローダーアンローダー１５
とウェハーマウント部１７との間でウェハー９を搬送す
るロボットハンド１８、フレーム１４を供給する機構等
から構成される。

【００４６】上述したように、擬似ウェハー３はウェハ
ー９と同様に扱うことができるので、ローダーアンロー
ダー１５にウェハー９に代えて擬似ウェハー３を収納
し、この擬似ウェハー３をロボットハンド１８により搬
送してウェハーマウント部１７のテーブル１７ａにセッ
トするとともに、フレーム１４をウェハーマウント部１
７のテーブル１７ａにセットする。そして、ダイシング
テープ１６の送りに同期させてテーブル１７ａを矢印方
向に移動させることで、図２（ｄ）に示すように、押し
行けローラ１７ａにより、擬似ウェハー３をダイシング
テープ１６によってフレーム１４にマウントすることが
できる。

【００４７】すなわち、図６に示すテーブル１７ａに載
せたリング状のフレーム１４の中央に、擬似ウェハー３
を半導体チップ２が貼り付けられている側を上向きにし
て載せる。そして、フレーム１４の内径より大きくかつ
フレーム１４の外形より小さいサイズにカットされたダ
イシングテープ１６を、擬似ウェハー３の半導体チップ
２が貼り付けられている面とフレーム１４に貼り付ける
ことで、擬似ウェハー３をフレーム１４にマウントす
る。なお、この状態では、半導体チップ２は保護粘着テ
ープ１とダイシングテープ１６の間に挟まれている。

【００４８】このフレーム１４にマウントされた擬似ウ
ェハー３は、ウェハーマウント部１７から図６に示すロ
ボットハンド１８で搬送されてローダーアンローダー１
５に格納される。

【００４９】次に、図１にステップ４で示される保護テ
ープ剥離工程の説明を行う。すなわち、図２（ｅ）は本
実施の形態の半導体チップの裏面研削システムで実施さ
れる本実施の形態の半導体チップの裏面研削方法におい
て、保護粘着テープ１を剥離する工程を示している。ダ
イシングテープ１６によりフレーム１４にマウントされ
た擬似ウェハー３は、裏面研削システムを構成する剥離
装置の一例である、ウェハーから保護粘着テープを剥離
する既存の保護テープ剥離装置に送られ、保護粘着テー
プ１が剥離される。

【００５０】図７は既存の保護テープ剥離装置の概略構
成を示す斜視図である。保護テープ剥離装置は、保護粘
着テープ１を剥離する前のウェハー９の供給と保護粘着
テープ１を剥離した後のウェハー９の格納を行うローダ
ーアンローダー１９と、保護粘着テープ１を剥離する剥
離テープ２０とフレーム１４にマウントされたウェハー
９を載せるテーブル２１ａ等を備えた保護粘着テープ剥
離部２１と、ローダーアンローダー１９と保護粘着テー
プ剥離部２１との間でウェハー９を搬送するロボットハ
ンド２２等から構成される。

【００５１】上述したように擬似ウェハー３をフレーム
１４にマウントすることで、ダイシング後のウェハー９
と同様に扱うことができる。よって、ローダーアンロー
ダー１９にウェハー９に代えて擬似ウェハー３を収納
し、この擬似ウェハー３をロボットハンド２２により搬
送して、保護粘着テープ１が貼り付けられている面を上
向きにして保護粘着テープ剥離部２１のテーブル２１ａ
にセットする。そして、剥離テープ２０の送りに同期さ
せてテーブル２１ａを矢印方向に移動させることで、図
２（ｅ）に示すように保護粘着テープ１に剥離テープ２
０を貼り付け、この剥離テープ２０により保護粘着テー
プ１を半導体チップ２から剥離することができる。な
お、擬似ウェハー３から保護粘着テープ１を剥離した段
階では、半導体チップ２はその表面を露出させた状態で
ダイシングテープ１６に貼り付いているので、一般的な
ウェハーのダイシング工程におけるダイシング後のウェ
ハーと同様の状態となる。

【００５２】そして、保護粘着テープ１が剥離されてダ
イシングテープ１６によりフレーム１４にマウントされ
ている半導体チップ２は、保護粘着テープ剥離部２１か
ら図７に示すロボットハンド２２により搬送されてロー
ダーアンローダー１９に格納される。

【００５３】次に、図１にステップ５で示される半導体
チップ２のピックアップ工程の説明を行う。すなわち、
図２（ｆ）は本実施の形態の半導体チップの裏面研削シ
ステムで実施される本実施の形態の半導体チップ裏面研
削方法において、裏面研削の終了した半導体チップ２を
チップトレイ５に戻すチップの移し替えの工程を示して
いる。

【００５４】半導体チップ２のピックアップ工程では裏
面研削システムを構成するピックアップ装置が使用され
る。このピックアップ装置は、例えば、フレーム１４が
セットされる図示しないテーブル、反転アーム６および
移し替えヘッド７から構成される。

【００５５】裏面研削が終了し、保護粘着テープ１が剥
離された半導体チップ２は、ダイシングテープ１６に貼
り付けられてフレーム１４にマウントされている。この
半導体チップ２がマウントされたフレーム１４は、半導
体チップ２をピックアップするための図示しないテーブ
ルにセットされる。このテーブルには、半導体チップ２
を押し上げる図示しないニードル昇降機構が備えられ
る。このニードル昇降機構は、ダイシングテープ１６の
裏面側から図示しないニードルを突出させることで、ダ
イシングテープ１６の表面側に貼り付いている半導体チ
ップ２を押し上げて、半導体チップ２をダイシングテー
プ１６から剥離させる。

【００５６】なお、ダイシングテープ１６の図示しない
粘着剤層は紫外線硬化型の粘着剤が用いられている場合
が多い。この紫外線硬化型の粘着剤は、紫外線の照射を
受けると、硬化してその粘着力が弱まる性質を持つの
で、半導体チップ２のピックアップの前に、ダイシング
テープ１６に紫外線を照射することで、その粘着力を弱
め、半導体チップ２のダイシングテープ１６からの剥離
を促進している。

【００５７】半導体チップ２のチップトレイ５への移し
替えは、ロボットハンドにより行う。図８は半導体チッ
プをチップトレイ５に移し替える機構の概略を示す説明
図である。

【００５８】移し替えヘッド７は、先端側に吸着コレッ
ト７ａを備えるとともに、図示しない機構により、上下
および水平方向に移動する。そして、移し替えヘッド７
は、図示しないニードルによりダイシングテープ１６か
ら押し上げられた半導体チップ２を吸着コレット７ａで
吸着し、図示しない機構により上昇することで、図８
（ａ）に示すように、半導体チップ２をダイシングテー
プ１６からピックアップする。

【００５９】半導体チップ２は、チップトレイ５にその
表面を下向きにした状態で並べられる。これに対して、
ダイシングテープ１６に貼り付けられている半導体チッ
プ２は、その表面を上向きにした状態となっている。こ
のため、移し替えヘッド７でピックアップした半導体チ
ップ２をそのままチップトレイ５に載せると、その表面
が上向きの状態となる。そこで、半導体チップ２の表裏
を反転させるため、反転アーム６を用いる。

【００６０】この反転アーム６は、一方の端部に吸着コ
レット６ａを備えるとともに、他方の端部側に設けられ
る軸６ｂを支点に１８０度回転する構成を有する。そし
て、移し替えヘッド７で保持している半導体チップ２を
反転アーム６の吸着コレット６ａで保持するとともに、
移し替えヘッド７の吸着コレット７ａによる保持は解除
し、反転アーム６を軸６ｂを支点に１８０度回転させる
ことで、図８（ｂ）に示すように、吸着コレット６ａで
保持している半導体チップ２を、その裏面が下を向く状
態として、チップトレイ５に並べて行く。なお、チップ
トレイ５上で半導体チップ２をその裏面を下向きにして
並べる場合は、反転アーム６は不要である。

【００６１】なお、擬似ウェハー３の作成時にサイズの
異なる半導体チップ２を混在させた場合は、チップトレ
イ５を複数用意しておき、半導体チップ２の種類に応じ
て収納先のチップトレイ５を切り替える。

【００６２】以上のように、チップトレイ５に収納して
いた半導体チップ２の裏面研削を行い、チップトレイ５
に戻すまでの一連の動作を、既存の装置を用いて行うこ
とができる。ここで、例えば図５に示すバックグライン
ダー装置から図６に示すテープマウンター装置に擬似ウ
ェハー３を搬送する際には、複数枚の擬似ウェハー３を
収納可能なキャリアが使用される。そして、擬似ウェハ
ー３の反りを考慮して、以下に示すような収納キャリア
を使用することとする。すなわち、図９は本実施の形態
の半導体チップの裏面研削方法で用いられる擬似ウェハ
ーの収納キャリアーの斜視図である。

【００６３】収納キャリアー２４は、複数枚の擬似ウェ
ハー３を間隔を開けて積層した状態で収納するものであ
り、積層する擬似ウェハー３の三側面を覆う壁面２５を
備えるとともに、一側面が開口して擬似ウェハー３の出
し入れ口２６となっている。

【００６４】壁面２５には、複数枚の擬似ウェハー３を
間隔を開けて支持するための溝部２５ａが設けられ、こ
れにより、擬似ウェハー３はその周囲を支持されること
になる。アシスト板２７は、擬似ウェハー３の底面の中
央付近を保持するために設けられ、周囲を支持される擬
似ウェハー３の反りを防ぐ。このような収納キャリアー
２４を使用することで、擬似ウェハー３の装置間での搬
送が可能となり、既存の装置を用いて、半導体チップの
裏面研削を自動で行うことができる。

【００６５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ウェハ
ーの形状を持つテープ状部材に複数枚の半導体チップを
その裏面が露出した状態で貼り付けて擬似ウェハーを作
成し、この擬似ウェハー上に並ぶ各半導体チップの裏面
を研削するものである。

【００６６】これによれば、複数の半導体チップをウェ
ハーと同等の一体物として扱えるので、ウェハーと同等
の扱いで、各半導体チップの裏面を研削することがで
き、ウェハーを扱うことを前提とした既存の装置を使っ
て、半導体チップの裏面研削が自動的に行える。よっ
て、オペレータの手間を増やすことなく、短時間で半導
体チップの裏面研削を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態の半導体チップの裏面研削方法を
示すフローチャートである。

【図２】本実施の形態の半導体チップの裏面研削システ
ムで実施される各工程での処理を示す説明図である。

【図３】半導体チップをテープマウント用トレイに移し
替える機構の概略を示す説明図である。

【図４】保護粘着テープの供給状態を示す斜視図であ
る。

【図５】既存のバックグラインダー装置の概略構成を示
す斜視図である。

【図６】既存のテープマウンター装置の概略構成を示す
斜視図である。

【図７】既存の保護テープ剥離装置の概略構成を示す斜
視図である。

【図８】半導体チップをチップトレイに移し替える機構
の概略を示す説明図である。

【図９】本実施の形態の半導体チップの裏面研削方法で
用いられる擬似ウェハーの収納キャリアーの斜視図であ
る。

【図１０】ウェハーの裏面研削工程の例を示す説明図で
ある。

【図１１】ウェハーの裏面研削工程の例を示す説明図で
ある。

【図１２】ウェハーの裏面研削工程の例を示す説明図で
ある。

【図１３】半導体チップの従来の裏面研削方法を示す説
明図である。

【符号の説明】

１・・・保護粘着テープ、２・・・半導体チップ、３・
・・擬似ウェハー、４・・・テープマウント用トレイ、
５・・・チップトレイ、６・・・反転アーム、７・・・
移し替えヘッド、８・・・押し付けローラ、１０・・・
ローダーアンローダー、１１・・・パッド、１２・・・
裏面研削部、１３・・・ロボットハンド、１４・・・フ
レーム、１５・・・ローダーアンローダー、１６・・・
ダイシングテープ、１７・・・ウェハーマウント部、１
８・・・ロボットハンド、１９・・・ローダーアンロー
ダー、２０・・・剥離テープ、２１・・・保護粘着テー
プ剥離部、２２・・・ロボットハンド、２４・・・収納
キャリアー、２５・・・壁面、２６・・・出し入れ口、
２７・・・アシスト板

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェハーの形状を持つテープ状部材に複
   数枚の半導体チップをその裏面が露出した状態で貼り付
   けて擬似ウェハーを作成し、 この擬似ウェハー上に並ぶ前記各半導体チップの裏面を
   研削することを特徴とする半導体チップの裏面研削方
   法。
2. 【請求項２】 前記各半導体チップの裏面研削の終了し
   た前記擬似ウェハーを、ダイシングテープによりリング
   状のフレームに取り付け、 このフレームに前記ダイシングテープで支持された前記
   擬似ウェハーから前記テープ状部材を剥離した後、個々
   の前記半導体チップを前記ダイシングテープからピック
   アップすることを特徴とする請求項１記載の半導体チッ
   プの裏面研削方法。
3. 【請求項３】 前記テープ状部材は、ウェハーの裏面研
   削時に該ウェハーの表面に貼り付けられる保護粘着テー
   プであることを特徴とする請求項１記載の半導体チップ
   の裏面研削方法。
4. 【請求項４】 ウェハーの形状を持つテープ状部材に複
   数枚の半導体チップをその裏面が露出した状態で貼り付
   けて擬似ウェハーを作成する擬似ウェハー作成装置と、 前記擬似ウェハー作成装置で作成された前記擬似ウェハ
   ー上の前記各半導体チップの裏面を研削する研削装置と
   を備えたことを特徴とする半導体チップの裏面研削シス
   テム。
5. 【請求項５】 前記擬似ウェハーの前記半導体チップが
   貼り付けられている面にダイシングテープを貼り付け
   て、前記擬似ウェハーをリング状のフレームに取り付け
   るテープマウンター装置と、 前記半導体チップに貼り付けた前記テープ状部材を剥離
   する剥離装置と、 前記ダイシングテープから前記半導体チップをピックア
   ップするピックアップ装置とを備えたことを特徴とする
   請求項４記載の半導体チップの裏面研削システム。
6. 【請求項６】 前記研削装置は、ウェハーの裏面を研削
   する装置が使用されることを特徴とする請求項４記載の
   半導体チップの裏面研削システム。