JP2003115417A - Metallic-film transcription film for electronic component - Google Patents

Metallic-film transcription film for electronic component

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JP2003115417A
JP2003115417A JP2001307632A JP2001307632A JP2003115417A JP 2003115417 A JP2003115417 A JP 2003115417A JP 2001307632 A JP2001307632 A JP 2001307632A JP 2001307632 A JP2001307632 A JP 2001307632A JP 2003115417 A JP2003115417 A JP 2003115417A
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metal film
metal
metallic
transfer
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Hiroshi Togo
寛 東郷
Shinichi Tamura
真一 田村
Masaru Suzuki
勝 鈴木
Shiyukuro Kobayashi
俶朗 小林
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Original Assignee
Toyo Metallizing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plastic film having a metallic film that can form an electrode constituting an electronic component through transcription, particularly, a metallic-film transcription film which is effective for the formation of the internal electrode for a laminated ceramic capacitor. SOLUTION: The metallic-film transcription film has a structure in which a releasing layer and a metallic film are formed on the plastic film in this order and the metallic film has a prescribed pattern form formed by laser etching.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用材料に
関し、より詳細には、電子部品に電導性金属膜を形成す
る際、金属膜を成膜したプラスチックフィルムから転写
して使用する金属膜転写フィルムに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a material for electronic parts, and more particularly to a metal film used for transferring a conductive metal film to an electronic part by transferring it from a plastic film having a metal film formed thereon. It relates to a transfer film.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子部品の電極を形成する方法と
しては、例えば、半導体回路等の製造においては、基板
上に直接メッキや蒸着によって金属膜を形成した後に、
フォトリソグラフィー等によってパターンニングを行な
う方法が知られている。また、積層セラミックコンデン
サでは、まず、チタン酸バリウム等の誘電体粉末、有機
バインダー、可塑剤および有機溶剤とからなるスラリー
を用いて、ドクターブレード法等によりグリーンシート
を作製し、次に、このグリーンシートの上に、パラジウ
ム、ニッケルあるいは白金等の貴金属を主成分とした電
極ペーストを用いて、スクリーン印刷法等により内部電
極を形成する。次に、内部電極を形成したグリーンシー
トを内部電極層がセラミック誘電体層を挟んで交互に対
向するように配置して順次積層し、所望の積層数まで積
層を繰り返し、セラミック積層体を形成する。次に、セ
ラミック積層体を接着フィルムを備えた金属板上に接着
し、これをセラミック積層体の層間の密着性を向上させ
るために圧縮成形を行なう。さらに、このようにして成
形されたセラミック積層体を、所望の大きさのチップ状
に切断し、1200〜1400℃で焼成する。このよう
にして得られた焼結体の両端部に現れる内部電極に、こ
れらの内部電極が電気的に接続されるように銀や銀−パ
ラジウム等を塗布し、焼付けることによって外部電極を
形成し、積層セラミックコンデンサを製造している。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of forming electrodes of electronic parts, for example, in the production of semiconductor circuits, etc., after a metal film is formed directly on a substrate by plating or vapor deposition,
A method of performing patterning by photolithography or the like is known. In the case of a monolithic ceramic capacitor, first, a green sheet is prepared by a doctor blade method using a slurry composed of a dielectric powder such as barium titanate, an organic binder, a plasticizer and an organic solvent, and then this green sheet is prepared. An internal electrode is formed on the sheet by a screen printing method or the like using an electrode paste containing a precious metal such as palladium, nickel or platinum as a main component. Next, the green sheets on which the internal electrodes are formed are arranged so that the internal electrode layers are alternately opposed to each other with the ceramic dielectric layer interposed therebetween, and are sequentially laminated, and the lamination is repeated up to a desired number of layers to form a ceramic laminated body. . Next, the ceramic laminate is adhered onto a metal plate provided with an adhesive film, and this is compression-molded in order to improve the adhesion between the layers of the ceramic laminate. Further, the ceramic laminated body thus formed is cut into chips having a desired size and fired at 1200 to 1400 ° C. The external electrodes are formed by applying silver or silver-palladium to the internal electrodes appearing at both ends of the thus obtained sintered body so that these internal electrodes are electrically connected and baking them. And manufactures monolithic ceramic capacitors.

【0003】近年、特に積層セラミックコンデンサで
は、携帯電話や携帯情報端末等に代表される携帯性の高
いモバイル機器の軽薄短小化の要望に伴い、ますますそ
の需要が高まる一方で、更なる小型化・大容量化が課題
となってきている。従来、積層セラミックコンデンサの
製造工程においては、小型・大容量化を実現する手段と
して、各々の積層するセラミック誘電体シートを薄肉化
し、積層数を増加させる方法が知られている。
In recent years, in particular, in the case of monolithic ceramic capacitors, with the demand for smaller, lighter, thinner and smaller mobile devices represented by mobile phones, personal digital assistants, etc., the demand for them has further increased, while further miniaturization. -A large capacity is becoming an issue. Conventionally, in the manufacturing process of a monolithic ceramic capacitor, as a means for realizing a small size and a large capacity, there is known a method of reducing the thickness of each laminated ceramic dielectric sheet and increasing the number of laminated layers.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ック誘電体シートを薄肉化した場合、グリーンシートが
薄いために、シート上に存在する微細な空孔に内部電極
ペーストが侵入、貫通し、絶縁不良が発生する等の問題
が起こる場合がある。
However, when the ceramic dielectric sheet is thinned, since the green sheet is thin, the internal electrode paste penetrates into and penetrates the fine pores existing on the sheet, resulting in poor insulation. Problems such as occurrence may occur.

【0005】本発明者らは、上記課題に対して鋭意検討
した結果、例えば、積層セラミックコンデンサにおい
て、内部電極を従来のペーストを用いた印刷法に代え
て、金属膜を成膜したプラスチックフィルムを用意し、
この金属膜を誘電体シート上に転写する手法によって内
部電極を形成する手法が上記課題を解決できることを見
出し、発明を完成するに至った。
As a result of diligent studies on the above problems, the present inventors have found that, for example, in a monolithic ceramic capacitor, instead of a conventional printing method using a paste, a plastic film having a metal film is formed. Prepare,
The inventors have found that a method of forming internal electrodes by a method of transferring this metal film onto a dielectric sheet can solve the above problems, and have completed the invention.

【0006】本発明の目的は、電子部品を構成する電極
を転写によって形成できる金属膜を有するプラスチック
フィルムを提供することであり、特に積層セラミックコ
ンデンサの内部電極形成に有効な金属膜転写フィルムを
提供することにある。
An object of the present invention is to provide a plastic film having a metal film on which electrodes constituting an electronic component can be formed by transfer, and particularly to provide a metal film transfer film effective for forming internal electrodes of a laminated ceramic capacitor. To do.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の電子部品用金属
膜転写フィルムは、プラスチックフィルム上に離型層お
よび金属膜がこの順に成膜された構造を有しており、該
金属膜がレーザーエッチングによって形成された所定の
パターン形状を有している電子部品用金属膜転写フィル
ムである。
The metal film transfer film for electronic parts of the present invention has a structure in which a release layer and a metal film are formed in this order on a plastic film, and the metal film is a laser. It is a metal film transfer film for electronic parts, which has a predetermined pattern shape formed by etching.

【0008】すなわち、本発明の電子部品用金属膜転写
フィルムにおいては、金属膜の転写によって電極の形成
が可能であり、さらにレーザーエッチングによって金属
膜が所定のパターン形状を有することによって、同じパ
ターン形状の金属膜が転写されるので、高精度なパター
ンが得られると同時に、転写後のパターンニング処理が
不要になる特徴を有するものである。
That is, in the metal film transfer film for electronic parts of the present invention, the electrode can be formed by transferring the metal film, and the metal film has a predetermined pattern shape by laser etching, so that the same pattern shape can be obtained. Since this metal film is transferred, a highly accurate pattern can be obtained, and at the same time, a patterning process after transfer is unnecessary.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の電子部品用金属膜
転写フィルムを具体的に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The metal film transfer film for electronic parts of the present invention will be specifically described below.

【0010】本発明の電子部品用金属膜転写フィルム
は、プラスチックフィルム上に離型層を形成したのち、
金属膜を成膜することによって得られる。
In the metal film transfer film for electronic parts of the present invention, after a release layer is formed on a plastic film,
It is obtained by forming a metal film.

【0011】ここで用いられるプラスチックフィルムと
しては、有機高分子材料からなるフィルムであり、具体
的には、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート、非晶ポリオレフィン、ポリアリレ
ート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ
スチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリ
エーテルサルホン、フッ素樹脂、ポリエーテルイミド、
ポリフェニレンサルファイド、ポリウレタンおよび環状
オレフィン系樹脂等を挙げることができるが、ポリエチ
レンテレフタレートが、経済性と強度等の点で好適に用
いられる。
The plastic film used here is a film made of an organic polymer material, and specifically, for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, amorphous polyolefin, polyarylate, polyethylene, polypropylene, polyamide, polyimide. , Polymethylpentene, polyvinyl chloride, polystyrene, polymethylmethacrylate, polycarbonate, polyetheretherketone, polysulfone, polyethersulfone, fluororesin, polyetherimide,
Polyphenylene sulfide, polyurethane, cyclic olefin-based resin and the like can be mentioned, but polyethylene terephthalate is preferably used in terms of economical efficiency and strength.

【0012】本発明で用いられるプラスチックフィルム
は、枚葉あるいはロール状のいずれでも用いることがで
きるが、ロール状のフィルムであれば、連続して蒸着を
行なうことができ、好適である。
The plastic film used in the present invention may be used in the form of a sheet or a roll, and a roll-shaped film is preferable because vapor deposition can be continuously carried out.

【0013】また、本発明で用いられるプラスチックフ
ィルムの厚さは、好ましくは8〜250μmの範囲で使
用できるが、より好ましくは12〜188μmである。
厚さが8μm未満では、金属蒸着時に蒸発源から発生す
る輻射熱によってフィルムが変形するので好ましくな
く、一方、厚さが250μmを超えると、フィルムに柔
軟性がなく、転写が難しく好ましくない。プラスチィッ
クフィルムの厚さを測定する方法としては、マイクロメ
ーター等の測定装置による方法、採取したフィルムサン
プルの質量からその比重を用いて算出する方法等を用い
ることができる。
The thickness of the plastic film used in the present invention is preferably in the range of 8 to 250 μm, more preferably 12 to 188 μm.
When the thickness is less than 8 μm, the film is deformed by the radiant heat generated from the evaporation source during metal vapor deposition, which is not preferable. On the other hand, when the thickness exceeds 250 μm, the film is not flexible and transfer is difficult, which is not preferable. As a method of measuring the thickness of the plastic film, a method using a measuring device such as a micrometer, a method of calculating the specific gravity from the mass of the film sample collected, and the like can be used.

【0014】本発明の電子部品用金属膜転写フィルムに
おける離型層の構成成分としては、シリコーン樹脂、メ
ラミン樹脂、エポキシ樹脂またはフッ素樹脂の少なくと
も1種以上である。離型層は、該離型層構成成分を含む
塗液をプラスチックフィルム上に塗布し、加熱して乾燥
させ、場合によっては紫外線照射等で硬化させることに
よって設けることができる。塗液の塗布方法としては、
公知の塗布方法が適用でき、例えば、ロールコーター法
等を挙げることができる。また、塗液は有機溶剤あるい
は水性塗液を使用できるが、有機化合物の溶解であるた
め、有機溶剤が好適に使用される。離型層の厚さは、塗
布抜けがないことが必須であるが、通常0.01μm以
上が好ましく、より好ましくは0.01〜5μmであ
り、さらに好ましくは0.05〜3μmである。離型層
の厚さが0.01μm未満では、塗布抜け等が起こり、
十分な効果が得られず、また厚さが5μmを超えると十
分な離型効果の向上が期待できず、また経済的にも不利
になるため好ましくない。離型層の厚さの測定方法とし
て、透過電子顕微鏡、走査電子顕微鏡、マイクロメータ
ー等を用いることによって測定可能である。
The component of the release layer in the metal film transfer film for electronic parts of the present invention is at least one of silicone resin, melamine resin, epoxy resin and fluororesin. The release layer can be provided by applying a coating liquid containing the component of the release layer on a plastic film, heating and drying, and optionally curing by irradiation with ultraviolet rays or the like. As a method of applying the coating liquid,
A known coating method can be applied, and examples thereof include a roll coater method. An organic solvent or an aqueous coating liquid can be used as the coating liquid, but an organic solvent is preferably used because it dissolves an organic compound. It is essential that the release layer has no coating omission, but it is usually preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.01 to 5 μm, still more preferably 0.05 to 3 μm. When the thickness of the release layer is less than 0.01 μm, coating omission may occur,
A sufficient effect cannot be obtained, and when the thickness exceeds 5 μm, a sufficient release effect cannot be expected, and it is economically disadvantageous, which is not preferable. The thickness of the release layer can be measured by using a transmission electron microscope, a scanning electron microscope, a micrometer, or the like.

【0015】本発明における金属膜は、レーザーエッチ
ングによって所定のパターン形状を有することによっ
て、この形状と同じパターンの金属膜が相手側の基材に
形成される。金属膜のレーザーエッチング方法として
は、He−Ne,ArFエキシマ,CO2,Arイオン
等のレーザーを用いたエッチング方法が挙げられ、中で
もYAGレーザー等が好適に利用できる。YAGレーザ
ーとは、固体レーザーの一種で、ネオジウムイオン(N
3)をドープしたYAG(イットリウム・アルミニウ
ム・ガーネット結晶)にクリプトンランプの励起光を吸
収させて発振させるものである。
The metal film in the present invention has a predetermined pattern shape by laser etching, so that the metal film having the same pattern as this shape is formed on the base material on the other side. Examples of the laser etching method for the metal film include an etching method using a laser such as He—Ne, ArF excimer, CO 2 and Ar ions, and among them, a YAG laser can be preferably used. The YAG laser is a kind of solid-state laser and has neodymium ion (N
The YAG (yttrium-aluminum-garnet crystal) doped with d 3 ) absorbs the excitation light of the krypton lamp to oscillate.

【0016】離型層の接着力としては、離型層と金属膜
との間の接着力、あるいは離型層とプラスチックフィル
ムとの間の接着力が、プラスチックフィルムとその上に
成膜された金属膜との間の接着力あるいは金属膜と転写
される側の基材、例えばセラミック誘電体シートとの間
の接着力よりも小さいことが必須であり、セラミック誘
電体シートに金属膜が転写された後の離型層はプラスチ
ックフィルム側に残っても良いし、あるいは金属膜側に
残ってもかまわない。
As the adhesive force of the release layer, the adhesive force between the release layer and the metal film or the adhesive force between the release layer and the plastic film is formed on the plastic film and the film. It is essential that it is smaller than the adhesive force between the metal film or the substrate on the side to be transferred with the metal film, for example, the ceramic dielectric sheet, and the metal film is transferred onto the ceramic dielectric sheet. After release, the release layer may remain on the plastic film side or the metal film side.

【0017】プラスチックフィルムと金属膜との接着力
の指標として、蒸着膜側に粘着テープを貼り、粘着テー
プとプラスチックフィルムを10mmの一定幅にスリッ
トした後、引張試験機を用い、1000mm/分の速度
で両者をT字に引き剥がすときの剥離強度を用いること
ができる。離型層を介在した場合のプラスチックフィル
ムと金属膜との間の剥離強度は、通常、0.1〜30g
/10mm幅(幅10mm当たりの剥離強度)が好まし
く、0.5〜20g/10mm幅がさらに好ましく、
0.5〜10g/10mm幅とすることが特に好まし
い。剥離強度が0.1g/10mm幅未満では蒸着金属
膜が外部からの力や摩擦等によって容易に剥がれやすく
なるため実用上好ましくなく、一方、剥離強度が30g
/10mm幅を超えると転写しにくくなるため好ましく
ない。
As an index of the adhesive force between the plastic film and the metal film, an adhesive tape was attached to the vapor deposition film side, the adhesive tape and the plastic film were slit into a constant width of 10 mm, and then a tensile tester was used to measure 1000 mm / min. The peel strength when peeling the both into a T shape at a speed can be used. The peel strength between the plastic film and the metal film when the release layer is interposed is usually 0.1 to 30 g.
/ 10 mm width (peeling strength per 10 mm width) is preferable, 0.5 to 20 g / 10 mm width is more preferable,
It is particularly preferable that the width is 0.5 to 10 g / 10 mm. If the peel strength is less than 0.1 g / 10 mm width, the vapor-deposited metal film easily peels off due to external force or friction, which is not preferable in practical use. On the other hand, the peel strength is 30 g.
If the width exceeds / 10 mm, it becomes difficult to transfer, which is not preferable.

【0018】本発明における電子部品用金属膜転写フィ
ルムの金属膜を構成する金属種は、使用される電子部品
によって異なるが、積層セラミックコンデンサの内部電
極として使用される場合には、ニッケル単体が好ましい
が、ニッケルによって得られる膜特性を改良する目的
で、他の金属をニッケルの電気特性、耐腐食性等の性質
を著しく損なわない範囲で添加してもよい。他の金属と
しては、例えば、クロム、銅、錫、アルミニウムおよび
パラジウム等が挙げられる。これら他の金属の配合割合
の上限としては、20重量%が好ましい。
The metal species constituting the metal film of the metal film transfer film for electronic parts according to the present invention differ depending on the electronic parts used, but when used as the internal electrodes of a monolithic ceramic capacitor, nickel alone is preferable. However, for the purpose of improving the film characteristics obtained by nickel, other metals may be added within a range that does not significantly impair the electrical characteristics and corrosion resistance of nickel. Examples of other metals include chromium, copper, tin, aluminum and palladium. The upper limit of the mixing ratio of these other metals is preferably 20% by weight.

【0019】本発明における金属膜の形成方法として
は、スパッタ、蒸着等を用いることができるが、なかで
も蒸着によって得られる金属膜が好ましい。また、蒸着
方法としては、例えば、誘導加熱、抵抗加熱、スパッタ
リング、電子ビーム(EB)、イオンプレーティング等
を挙げることができるが、特に電子ビーム蒸着が、生産
性と蒸着膜質の点で好適である。
As the method for forming the metal film in the present invention, sputtering, vapor deposition and the like can be used, and among them, the metal film obtained by vapor deposition is preferable. In addition, examples of the vapor deposition method include induction heating, resistance heating, sputtering, electron beam (EB), and ion plating, but electron beam vapor deposition is particularly preferable in terms of productivity and vapor deposition film quality. is there.

【0020】本発明における金属膜の厚さは、500〜
20000オングストロームの範囲であり、好ましくは
500〜10000オングストロームであり、さらに好
ましくは500〜5000オングストロームの範囲であ
る。厚さが500オングストローム未満では転写工程で
破れやすくなったり、十分な電気特性が得られないので
好ましくなく、一方、厚さが20000オングストロー
ムを超えると膜厚が厚くなり、薄膜化という優位性が得
られないばかりか、金属膜にクラックが発生しやすくな
るので好ましくない。
The thickness of the metal film in the present invention is 500 to
The range is 20,000 angstroms, preferably 500 to 10,000 angstroms, and more preferably 500 to 5,000 angstroms. If the thickness is less than 500 angstroms, it is easy to break in the transfer process and sufficient electric characteristics cannot be obtained, which is not preferable. Not only that, but also cracks are likely to occur in the metal film, which is not preferable.

【0021】本発明における電子部品用金属膜転写フィ
ルムは、上述のようにプラスチックフィルム上の金属膜
を、レーザーエッチングによって所定のパターン形状に
し、その金属膜を、さらに電子部品上に転写することに
よって利用される。
The metal film transfer film for electronic parts according to the present invention is obtained by forming a metal film on a plastic film into a predetermined pattern by laser etching as described above, and transferring the metal film onto an electronic part. Used.

【0022】例えば、積層セラミックコンデンサの誘電
体シート上への該金属膜の転写方法としては、金属膜転
写フィルムとセラミックグリーンシートとを重ね合わせ
た後、圧着ローラー、プレス機等を用いて圧着した後、
プラスチックフィルムを剥離する方法を挙げることがで
きる。この場合、プラスチックフィルムのガラス転移温
度あるいは融点以下の温度で加熱することもできる。離
型層のパターン形状と同じに金属膜内部電極をパターニ
ングされた誘電体シートは、従来の工程によって積層セ
ラミックコンデンサまで加工することができる。
For example, as a method of transferring the metal film onto the dielectric sheet of the monolithic ceramic capacitor, the metal film transfer film and the ceramic green sheet are superposed and then pressure-bonded using a pressure roller or a press machine. rear,
The method of peeling a plastic film can be mentioned. In this case, it is also possible to heat at a temperature not higher than the glass transition temperature or melting point of the plastic film. The dielectric sheet having the metal film internal electrodes patterned in the same pattern as the release layer can be processed into a laminated ceramic capacitor by a conventional process.

【0023】誘電体シートは、通常チタン酸バリウム等
を主成分とする誘電体粉末、有機バインダー、可塑剤お
よび有機溶剤とからなるスラリーをドクターブレード法
等により膜化し、引き続き乾燥して得られるグリーンシ
ートを所定のサイズに裁断後、焼成することによって得
られる。該誘電体シート1枚当たりの厚さは0.5〜3
0μmであり、好ましくは0.5〜15μmである。
0.5μm未満では誘電体シートに発生するピンホール
等の欠陥が次第に多くなり、一方、30μmを超えると
本発明による誘電体シートを積層化した積層セラミック
コンデンサの小型大容量化を満足するものは得られな
い。
The dielectric sheet is usually obtained by film-forming a slurry composed of a dielectric powder containing barium titanate or the like as a main component, an organic binder, a plasticizer and an organic solvent by a doctor blade method or the like and then drying it. It is obtained by cutting the sheet into a predetermined size and then firing. The dielectric sheet has a thickness of 0.5 to 3
It is 0 μm, preferably 0.5 to 15 μm.
If it is less than 0.5 μm, defects such as pinholes generated in the dielectric sheet gradually increase, while if it exceeds 30 μm, those satisfying the miniaturization and large capacity of the laminated ceramic capacitor in which the dielectric sheets according to the present invention are laminated are satisfied. I can't get it.

【0024】積層セラミックコンデンサにおける内部電
極パターンを形成する方法としては、本発明におけるレ
ーザーエッチングによって金属膜が所定のパターン形状
を有することによって、同じパターン形状の金属膜が転
写されて内部電極となるが、さらに所定の形状、大きさ
の電極パターンにレジストを用いたリソグラフィー法を
組み合わせることによって実施することもできる。
As a method of forming an internal electrode pattern in a monolithic ceramic capacitor, a metal film having a predetermined pattern shape is formed by laser etching in the present invention, and the metal film having the same pattern shape is transferred to form an internal electrode. Further, it can be also carried out by combining an electrode pattern having a predetermined shape and size with a lithography method using a resist.

【0025】本発明の電子部品用金属膜転写フィルム
は、電子部品の薄膜状の電極を転写によって形成する方
法として好適であり、例えば、半導体回路や積層セラミ
ックコンデンサの内部電極を挙げることができるが、特
に積層セラミックコンデンサの内部電極の形成方法とし
て好適である。
The metal film transfer film for electronic parts of the present invention is suitable as a method for forming thin film electrodes of electronic parts by transfer, and examples thereof include internal electrodes of semiconductor circuits and laminated ceramic capacitors. In particular, it is suitable as a method for forming an internal electrode of a monolithic ceramic capacitor.

【0026】[0026]

【実施例】本発明の電子部品用金属膜転写フィルムにつ
いて、積層セラミックコンデンサを対象として実施例を
挙げて詳細に説明する。
EXAMPLES The metal film transfer film for electronic parts of the present invention will be described in detail with reference to examples for a laminated ceramic capacitor.

【0027】(実施例)誘電体材料の組成として、Ba
TiO3を主成分とし、これに添加物としてBaZrO3
を加えた酸化物の混合粉末を、ポリビニルブチラール樹
脂系バインダとともにジブチルフタレート中に分散し
て、セラミックスラリーとした。このセラミックスラリ
ーを、ドクターブレード法により、シリコーン樹脂離型
剤を塗布した38μm厚のポリエチレンテレフタレート
からなるキャリアフィルムの片面に塗布し、これを12
0℃で乾燥し、100mm×100mmの大きさに切断し
て、2μmの厚さのセラミックグリーンシートを作成し
た。
(Example) As the composition of the dielectric material, Ba was used.
TiO 3 as a main component, and BaZrO 3 as an additive to this
The mixed powder of the oxide added with was dispersed in dibutyl phthalate together with a polyvinyl butyral resin binder to obtain a ceramic slurry. This ceramic slurry was applied by a doctor blade method to one side of a carrier film made of polyethylene terephthalate having a thickness of 38 μm coated with a silicone resin release agent.
It was dried at 0 ° C. and cut into a size of 100 mm × 100 mm to prepare a ceramic green sheet having a thickness of 2 μm.

【0028】別に、スクリーン印刷法によりメラミン樹
脂系離型剤を塗布した厚さ25μmのポリエチレンテレ
フタレートフィルムの上に、電子ビーム蒸着によって膜
厚約3000オングストロームの金属ニッケル膜を成膜
した。その後、所定のパターン形状にレーザーエッチン
グを施した。所定のパターン形状とは、YAGレーザー
を用いて、1.2mm×0.3mmの独立した長方形を
0.1mmの間隔で、煉瓦塀状に交互に配置したパター
ンである。
Separately, a metal nickel film having a thickness of about 3000 angstrom was formed by electron beam evaporation on a polyethylene terephthalate film having a thickness of 25 μm coated with a melamine resin type release agent by a screen printing method. After that, laser etching was applied to a predetermined pattern shape. The predetermined pattern shape is a pattern in which 1.2 mm × 0.3 mm independent rectangles are alternately arranged in a brick wall shape at intervals of 0.1 mm using a YAG laser.

【0029】上記のセラミックグリーンシートに、金属
ニッケル膜を熱プレス加工により転写した。転写した金
属ニッケルは、レーザーエッチングの形状と同じパター
ンを形成していた。次に、内部電極が形成されたセラミ
ックグリーンシートを、一定寸法で交互にずらして積層
し、加圧圧着したのち切断して、両端面から内部電極部
分が交互に露出した積層セラミックコンデンサのグリー
ンチップとした。次に、このグリーンチップを、おがく
ず中で強制振動させて角体の稜線部分の面取りをした。
そして、上記の面取りをしたグリーンチップの内部電極
部分が交互に露出した両端面に、上記の各種の外部電極
用ペーストを浸漬法により塗布した。塗布後、120℃
で15分間乾燥した。乾燥後の塗布膜厚は、約35μm
となるように形成した。これを、大気中で30時間、最
高温度370℃、3時間で加熱処理した後、ニッケルに
対して還元雰囲気中、具体的には、600℃以上でニッ
ケルの平衡酸素分圧の100分の1の酸素濃度にコント
ロールした雰囲気中で18時間,最高温度1300℃、
3時間で加熱処理して焼成して焼結体とし、積層セラミ
ックコンデンサを得た。
A metallic nickel film was transferred to the above-mentioned ceramic green sheet by hot pressing. The transferred metallic nickel formed the same pattern as the shape of the laser etching. Next, the ceramic green sheets on which the internal electrodes are formed are stacked by alternately shifting them with a certain size, pressed and pressed, and then cut, and the green chip of the multilayer ceramic capacitor in which the internal electrode parts are alternately exposed from both end faces. And Next, this green chip was forcedly vibrated in sawdust to chamfer the ridgeline portion of the prism.
Then, the above various external electrode pastes were applied by a dipping method to both end surfaces of the chamfered green chip where the internal electrode portions were alternately exposed. 120 ° C after application
And dried for 15 minutes. The coating thickness after drying is about 35 μm
Was formed so that This is heat-treated in the air for 30 hours at a maximum temperature of 370 ° C. for 3 hours, and then, in a reducing atmosphere with respect to nickel, specifically, at a temperature of 600 ° C. or higher, 1/100 of the equilibrium oxygen partial pressure of nickel For 18 hours in an atmosphere controlled to a maximum oxygen concentration of 1300 ° C,
A laminated ceramic capacitor was obtained by heat-treating and firing for 3 hours to obtain a sintered body.

【0030】上記で得られた積層セラミックコンデンサ
100個について、静電容量の測定検査を行なった。な
お、電気特性については、静電容量が正常値の30%以
下の異常値のものは不良とした。その結果、不良率は0
%であった。
About 100 monolithic ceramic capacitors obtained as described above, the capacitance was measured and inspected. Regarding the electrical characteristics, those having an abnormal capacitance value of 30% or less of the normal value were considered to be defective. As a result, the defect rate is 0
%Met.

【0031】(比較例)厚さ25μmのポリエチレンテ
レフタレートフィルムの上に、離型層を設けることな
く、直接電子ビーム蒸着によって膜厚約3000オング
ストロームの金属ニッケル膜を成膜した。実施例1と同
様にしてレーザーエッチングを実施し、セラミックグリ
ーンシートにパターン化された金属ニッケル膜を熱プレ
ス加工により転写した。しかしながら、金属ニッケル膜
を剥離できず、セラミックグリーンシートに転写できな
かったため、積層セラミックコンデンサは得られなかっ
た。
Comparative Example A metal nickel film having a thickness of about 3000 angstrom was formed by direct electron beam evaporation on a polyethylene terephthalate film having a thickness of 25 μm without providing a release layer. Laser etching was performed in the same manner as in Example 1, and the patterned metallic nickel film was transferred to the ceramic green sheet by hot pressing. However, since the metal nickel film could not be peeled off and could not be transferred to the ceramic green sheet, a laminated ceramic capacitor could not be obtained.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よる電子部品用金属膜転写フィルムを用いれば、特に積
層セラミックコンデンサにおいて、レーザーエッチング
により、金属膜を所定のパターン形状にすることがにで
き、同じパターン形状の金属膜が転写されるので、高精
度なパターンが得られると同時に、転写後のパターンニ
ング処理が不要になる。
As is apparent from the above description, the use of the metal film transfer film for electronic parts according to the present invention makes it possible to form a metal film into a predetermined pattern by laser etching, particularly in a laminated ceramic capacitor. Since the metal film having the same pattern shape is transferred, a highly accurate pattern can be obtained, and at the same time, the patterning process after the transfer is unnecessary.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 勝 静岡県三島市長伏33番地の1東洋メタライ ジング株式会社三島工場内 (72)発明者 小林 俶朗 東京都中央区日本橋本石町3丁目3番16号 東洋メタライジング株式会社東京本社内 Fターム(参考) 4F100 AB01C AB16C AK01A AK17B AK36B AK42 AK52B AK53B AR00B BA03 BA10A BA10C EH66C EJ15C EJ52C GB41 HB00C JL01 JL14B JM02C 5E001 AB03 AH01 AH09 AJ01 5E082 AA01 AB03 EE04 FF05 FG26 FG46 5E343 AA23 BB44 DD56 FF08 GG08   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Masaru Suzuki             Toyo Metalai, 33 Nagabushi, Mishima City, Shizuoka Prefecture             Jing Co., Ltd. Mishima Factory (72) Inventor Toro Kobayashi             3-16 Nihonbashi Honishicho, Chuo-ku, Tokyo             Toyo Metalizing Co., Ltd. Tokyo head office F-term (reference) 4F100 AB01C AB16C AK01A AK17B                       AK36B AK42 AK52B AK53B                       AR00B BA03 BA10A BA10C                       EH66C EJ15C EJ52C GB41                       HB00C JL01 JL14B JM02C                 5E001 AB03 AH01 AH09 AJ01                 5E082 AA01 AB03 EE04 FF05 FG26                       FG46                 5E343 AA23 BB44 DD56 FF08 GG08

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プラスチックフィルム上に離型層および
金属膜がこの順に成膜された構造を有しており、該金属
膜がレーザーエッチングによって形成された所定のパタ
ーン形状を有している電子部品用金属膜転写フィルム。
1. An electronic component having a structure in which a release layer and a metal film are formed in this order on a plastic film, and the metal film has a predetermined pattern shape formed by laser etching. Film for metal film transfer.
【請求項2】 離型層が、シリコーン樹脂、メラミン樹
脂、エポキシ樹脂またはフッ素樹脂の少なくとも1種以
上からなる請求項1記載の電子部品用金属膜転写フィル
ム。
2. The metal film transfer film for electronic parts according to claim 1, wherein the release layer is made of at least one of silicone resin, melamine resin, epoxy resin and fluororesin.
【請求項3】 金属膜が蒸着によって成膜されたもので
ある請求項1または2記載の電子部品用金属膜転写フィ
ルム。
3. The metal film transfer film for electronic parts according to claim 1, wherein the metal film is formed by vapor deposition.
【請求項4】 電子部品が積層セラミックコンデンサで
ある請求項1〜3のいずれかに記載の電子部品用金属膜
転写フィルム。
4. The metal film transfer film for an electronic component according to claim 1, wherein the electronic component is a laminated ceramic capacitor.
【請求項5】 金属膜がニッケルを主成分とする金属で
ある請求項4記載の電子部品用金属膜転写フィルム。
5. The metal film transfer film for electronic parts according to claim 4, wherein the metal film is a metal whose main component is nickel.
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