JP2003234240A - Metal film transfer film for electronic component - Google Patents
Metal film transfer film for electronic componentInfo
- Publication number
- JP2003234240A JP2003234240A JP2002029303A JP2002029303A JP2003234240A JP 2003234240 A JP2003234240 A JP 2003234240A JP 2002029303 A JP2002029303 A JP 2002029303A JP 2002029303 A JP2002029303 A JP 2002029303A JP 2003234240 A JP2003234240 A JP 2003234240A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal film
- metal
- transfer
- electronic parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用材料に
関し、より詳細には、電子部品に導電性金属膜を形成す
る際、金属膜を成膜したプラスチックフィルムから転写
して使用する金属膜転写フィルムに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a material for electronic parts, and more particularly, when forming a conductive metal film on an electronic part, a metal film used by transferring from a plastic film having a metal film formed thereon. It relates to a transfer film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、電子部品の電極を形成する方法と
しては、例えば、半導体回路等の製造においては、基板
上に直接メッキや蒸着によって金属膜を形成した後に、
フォトリソグラフィー等によってパターンニングを行な
う方法が知られている。また、積層セラミックコンデン
サでは、まず、チタン酸バリウム等の誘電体粉末、有機
バインダー、可塑剤および有機溶剤とからなるスラリー
を用いて、ドクターブレード法等によりグリーンシート
を作製し、次に、このグリーンシートの上に、パラジウ
ム、ニッケルあるいは白金等の貴金属を主成分とした電
極ペーストを用いて、スクリーン印刷法等により内部電
極を形成する。次に、内部電極を形成したグリーンシー
トを内部電極層がセラミック誘電体層を挟んで交互に対
向するように配置して順次積層し、所望の積層数まで積
層を繰り返し、セラミック積層体を形成する。次に、セ
ラミック積層体を接着フィルムを備えた金属板上に接着
し、これをセラミック積層体の層間の密着性を向上させ
るために圧縮成形を行なう。さらに、このようにして成
形されたセラミック積層体を、所望の大きさのチップ状
に切断し、１２００〜１４００℃で焼成する。このよう
にして得られた焼結体の両端部に現れる内部電極に、こ
れらの内部電極が電気的に接続されるように銀や銀−パ
ラジウム等を塗布し、焼付けることによって外部電極を
形成し、積層セラミックコンデンサを製造している。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of forming electrodes of electronic parts, for example, in the production of semiconductor circuits, etc., after a metal film is formed directly on a substrate by plating or vapor deposition,
A method of performing patterning by photolithography or the like is known. In the case of a monolithic ceramic capacitor, first, a green sheet is prepared by a doctor blade method using a slurry composed of a dielectric powder such as barium titanate, an organic binder, a plasticizer and an organic solvent, and then this green sheet is prepared. An internal electrode is formed on the sheet by a screen printing method or the like using an electrode paste containing a precious metal such as palladium, nickel or platinum as a main component. Next, the green sheets on which the internal electrodes are formed are arranged so that the internal electrode layers are alternately opposed to each other with the ceramic dielectric layer interposed therebetween, and are sequentially laminated, and the lamination is repeated up to a desired number of layers to form a ceramic laminated body. . Next, the ceramic laminate is adhered onto a metal plate provided with an adhesive film, and this is compression-molded in order to improve the adhesion between the layers of the ceramic laminate. Further, the ceramic laminated body thus formed is cut into chips having a desired size and fired at 1200 to 1400 ° C. The external electrodes are formed by applying silver or silver-palladium to the internal electrodes appearing at both ends of the thus obtained sintered body so that these internal electrodes are electrically connected and baking them. And manufactures monolithic ceramic capacitors.
【０００３】近年、特に積層セラミックコンデンサで
は、携帯電話や携帯情報端末等に代表される携帯性の高
いモバイル機器の軽薄短小化の要望に伴い、ますますそ
の需要が高まる一方で、更なる小型化・大容量化が課題
となってきている。従来、積層セラミックコンデンサの
製造工程においては、小型・大容量化を実現する手段と
して、各々の積層するセラミック誘電体シートを薄肉化
し、積層数を増加させる方法が知られている。In recent years, in particular, in the case of monolithic ceramic capacitors, with the demand for smaller, lighter, thinner and smaller mobile devices represented by mobile phones, personal digital assistants, etc., the demand for them has further increased, while further miniaturization. -A large capacity is becoming an issue. Conventionally, in the manufacturing process of a monolithic ceramic capacitor, as a means for realizing a small size and a large capacity, there is known a method of reducing the thickness of each laminated ceramic dielectric sheet and increasing the number of laminated layers.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ック誘電体シートを薄肉化した場合、グリーンシートが
薄いために、シート上に存在する微細な空孔に内部電極
ペーストが侵入、貫通し、絶縁不良が発生する等の問題
が起こる場合がある。However, when the ceramic dielectric sheet is thinned, since the green sheet is thin, the internal electrode paste penetrates into and penetrates the fine pores existing on the sheet, resulting in poor insulation. Problems such as occurrence may occur.
【０００５】本発明者らは、上記課題に対して鋭意検討
した結果、例えば、積層セラミックコンデンサにおい
て、内部電極を従来のペーストを用いた印刷法に代え
て、金属膜を成膜したプラスチックフィルムを用意し、
この金属膜を誘電体シート上に転写する手法によって内
部電極を形成する手法が上記課題を解決できることを見
出し、発明を完成するに至った。As a result of diligent studies on the above problems, the present inventors have found that, for example, in a monolithic ceramic capacitor, instead of a conventional printing method using a paste, a plastic film having a metal film is formed. Prepare,
The inventors have found that a method of forming internal electrodes by a method of transferring this metal film onto a dielectric sheet can solve the above problems, and have completed the invention.
【０００６】本発明の目的は、電子部品を構成する電極
を転写によって形成できる離型性に優れた金属膜を有す
るプラスチックフィルムを提供することであり、特に積
層セラミックコンデンサの内部電極形成に有効な絶縁不
良性を改良できる金属膜転写フィルムを提供することに
ある。An object of the present invention is to provide a plastic film having a metal film excellent in releasability capable of forming electrodes constituting electronic parts by transfer, and particularly effective for forming internal electrodes of a laminated ceramic capacitor. It is intended to provide a metal film transfer film capable of improving insulation failure.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品用金属
膜転写フィルムは、プラスチックフィルム上に離型層お
よび金属膜がこの順に成膜された構造を有しており、該
プラスチックフィルムの表面粗さＲａが０．０１〜０．
２μｍであることを特徴とする電子部品用金属膜転写フ
ィルムである。A metal film transfer film for electronic parts of the present invention has a structure in which a release layer and a metal film are formed in this order on a plastic film, and the surface of the plastic film is formed. The roughness Ra is 0.01 to 0.
The metal film transfer film for electronic parts has a thickness of 2 μm.
【０００８】すなわち、本発明の電子部品用金属膜転写
フィルムは、金属膜の転写によって電極の形成が可能で
あり、さらにプラスチックフィルムの表面粗さＲａが
０．０１〜０．２μｍであることによって、離型性、す
なわち転写性が著しく向上する特徴を有するものであ
る。That is, in the metal film transfer film for electronic parts of the present invention, the electrode can be formed by transferring the metal film, and the surface roughness Ra of the plastic film is 0.01 to 0.2 μm. The releasability, that is, the transferability is remarkably improved.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的に説明す
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be specifically described below.
【００１０】本発明における電子部品用金属膜転写フィ
ルムは、プラスチックフィルム上に離型層を形成したの
ち、金属膜を成膜することによって得られる。The metal film transfer film for electronic parts of the present invention can be obtained by forming a release layer on a plastic film and then forming a metal film.
【００１１】ここで用いられるプラスチックフィルムと
しては、有機高分子材料からなるフィルムであり、具体
的には、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート、非晶ポリオレフィン、ポリアリレ
ート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ
スチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリ
エーテルサルホン、フッ素樹脂、ポリエーテルイミド、
ポリフェニレンサルファイド、ポリウレタンおよび環状
オレフィン系樹脂等を挙げることができるが、ポリエチ
レンテレフタレートが、経済性と強度等の点で好適に用
いられる。The plastic film used here is a film made of an organic polymer material, and specifically, for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, amorphous polyolefin, polyarylate, polyethylene, polypropylene, polyamide, polyimide. , Polymethylpentene, polyvinyl chloride, polystyrene, polymethylmethacrylate, polycarbonate, polyetheretherketone, polysulfone, polyethersulfone, fluororesin, polyetherimide,
Polyphenylene sulfide, polyurethane, cyclic olefin-based resin and the like can be mentioned, but polyethylene terephthalate is preferably used in terms of economical efficiency and strength.
【００１２】本発明におけるプラスチックフィルムは、
枚葉あるいはロール状のいずれでも用いることができる
が、ロール状のフィルムであれば、連続して蒸着を行な
うことができ、好適である。The plastic film in the present invention is
Although it may be used in the form of a sheet or in a roll, a roll-shaped film is preferable because vapor deposition can be continuously performed.
【００１３】本発明において、プラスチックフィルムの
表面粗さＲａは、０．０１〜０．２μｍであることが重
要である。表面粗さＲａは、好ましくは０．０１〜０．
１μｍであり、より好ましくは０．０１〜０．０８μｍ
である。表面粗さＲａが０．０１μｍ未満の場合、離型
層のフィルム背面への移行が多くなり、離型層上に製膜
した金属膜の転写性が低下する。一方、表面粗さＲａが
０．２μｍを超えると離型層に、表面粗さに起因した抜
け、塗布ムラが起こるため、その上に製膜した金属膜の
転写性が低下し、好ましくない。金属膜の転写性が悪く
なると、積層セラミックコンデンサの電極に抜け、割れ
等が発生するため、静電容量が低下し不良となる。この
ようなフィルムは、フィルム中に含まれる粒子の量を増
加させることによって表面粗さが増大する。又、粒径を
大きくすることによって表面粗さが増大する。又、粒径
分布を密にすることによって表面粗さが増大する。又、
凝集状態を上げることによって表面粗さが増大する。こ
れらのファクターを適宜組み合わせて、制御することに
よって得られる。In the present invention, it is important that the surface roughness Ra of the plastic film is 0.01 to 0.2 μm. The surface roughness Ra is preferably 0.01 to 0.
1 μm, more preferably 0.01 to 0.08 μm
Is. When the surface roughness Ra is less than 0.01 μm, transfer of the release layer to the back surface of the film increases, and the transferability of the metal film formed on the release layer deteriorates. On the other hand, if the surface roughness Ra exceeds 0.2 μm, the release layer may have gaps and coating unevenness due to the surface roughness, and the transferability of the metal film formed on the release layer may deteriorate, which is not preferable. If the transferability of the metal film becomes poor, the electrodes of the monolithic ceramic capacitor may come off, crack, or the like, resulting in a decrease in electrostatic capacity and a failure. Such films have an increased surface roughness by increasing the amount of particles contained in the film. Also, increasing the particle size increases the surface roughness. Further, the surface roughness is increased by making the particle size distribution dense. or,
The surface roughness is increased by increasing the aggregation state. It is obtained by appropriately controlling these factors.
【００１４】また、プラスチックフィルムの厚さは、好
ましくは８〜２５０μｍの範囲で使用できるが、より好
ましくは１２〜１８８μｍである。厚さが８μｍ未満で
は金属蒸着時に蒸発源から発生する輻射熱によってフィ
ルムが変形するので好ましくなく、一方、厚さが２５０
μｍを超えるとフィルムに柔軟性がなく、転写が難しく
好ましくない。The thickness of the plastic film is preferably in the range of 8 to 250 μm, more preferably 12 to 188 μm. If the thickness is less than 8 μm, the film is deformed by the radiant heat generated from the evaporation source during metal deposition, which is not preferable.
If the thickness exceeds μm, the film is not flexible and transfer is difficult, which is not preferable.
【００１５】プラスチィックフィルムの厚さを測定する
方法としては、マイクロメーター等の測定装置による方
法、採取したフィルムサンプルの質量からその比重を用
いて算出する方法等を用いることができる。As a method of measuring the thickness of the plastic film, a method using a measuring device such as a micrometer, a method of calculating from the mass of a film sample collected using its specific gravity, and the like can be used.
【００１６】本発明で用いられる電子部品用金属膜転写
フィルムにおける離型層の構成成分としては、シリコー
ン樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂またはフッ素樹脂
の少なくとも１種以上が挙げられる。離型層は該構成成
分を含む塗液をプラスチックフィルムに塗布し、加熱し
て乾燥させ、場合によっては紫外線照射等で硬化させる
ことによって形成することができる。塗液の塗布方法と
しては、公知の塗布方法が適用でき、例えば、ロールコ
ーター法等を挙げることができる。また、塗液は有機溶
剤あるいは水性塗液を使用できるが、有機化合物の溶解
であるため、有機溶剤が好適に使用される。離型層の厚
さは、塗布抜けがないことが必須であるが、通常０．０
１μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．０１〜５μ
ｍであり、さらに好ましくは０．０５〜３μｍである。
離型層の厚さが０．０１μｍ未満では、塗布抜け等が起
こり、十分な効果が得られず、また厚さが５μｍを超え
ると十分な離型効果の向上が期待できず、また経済的に
も不利になるため好ましくない。離型層の厚さの測定方
法として、透過電子顕微鏡、走査電子顕微鏡、マイクロ
メーター等を用いることによって測定可能である。The component of the release layer in the metal film transfer film for electronic parts used in the present invention includes at least one of silicone resin, melamine resin, epoxy resin and fluororesin. The release layer can be formed by applying a coating liquid containing the constituents to a plastic film, heating and drying it, and curing it by ultraviolet irradiation or the like in some cases. As a coating method of the coating liquid, a known coating method can be applied, and examples thereof include a roll coater method. An organic solvent or an aqueous coating liquid can be used as the coating liquid, but an organic solvent is preferably used because it dissolves an organic compound. It is essential that the thickness of the release layer is 0.0 without any coating omission.
1 μm or more is preferable, more preferably 0.01 to 5 μm.
m, and more preferably 0.05 to 3 μm.
If the thickness of the release layer is less than 0.01 μm, coating omission or the like may occur and a sufficient effect cannot be obtained, and if the thickness exceeds 5 μm, sufficient improvement of the release effect cannot be expected and it is economical. However, it is not preferable because it is disadvantageous. The thickness of the release layer can be measured by using a transmission electron microscope, a scanning electron microscope, a micrometer, or the like.
【００１７】離型層の接着力としては、離型層と金属膜
との間の接着力、あるいは離型層とプラスチックフィル
ムとの間の接着力が、プラスチックフィルムとその上に
成膜された金属膜との間の接着力あるいは金属膜と転写
される側の基材、例えば、セラミック誘電体シートとの
間の接着力よりも小さいことが必須であり、セラミック
誘電体シートに金属膜が転写された後の離型層はプラス
チックフィルム側に残っても良いし、あるいは金属膜側
に残ってもかまわない。As the adhesive force of the release layer, the adhesive force between the release layer and the metal film or the adhesive force between the release layer and the plastic film is formed on the plastic film and the film. It is essential that it is smaller than the adhesive force between the metal film or the substrate on the side to be transferred with the metal film, for example, the ceramic dielectric sheet, and the metal film is transferred onto the ceramic dielectric sheet. After release, the release layer may remain on the plastic film side or the metal film side.
【００１８】プラスチックフィルムと金属膜との接着力
の指標として、金属膜側に粘着テープを貼り、粘着テー
プとプラスチックフィルムを１０ｍｍの一定幅にスリッ
トした後、引張試験機を用い、１０００ｍｍ／分の速度
で両者をＴ字に引き剥がすときの剥離強度を用いること
ができる。離型層を介在した場合のプラスチックフィル
ムと金属膜との間の剥離強度は、通常、０．１〜３０ｇ
／１０ｍｍ幅（幅１０ｍｍ当たりの剥離強度）が好まし
く、０．５〜２０ｇ／１０ｍｍ幅がさらに好ましく、
０．５〜１０ｇ／１０ｍｍ幅とすることが特に好まし
い。剥離強度が０．１ｇ／１０ｍｍ幅未満では蒸着金属
膜が外部からの力や摩擦等によって容易に剥がれやすく
なるため実用上好ましくなく、一方、剥離強度が３０ｇ
／１０ｍｍ幅を超えると転写しにくくなるため好ましく
ない。As an index of the adhesive force between the plastic film and the metal film, an adhesive tape was attached to the metal film side, the adhesive tape and the plastic film were slit into a constant width of 10 mm, and then a tensile tester was used to measure 1000 mm / min. The peel strength when peeling the both into a T shape at a speed can be used. The peel strength between the plastic film and the metal film when the release layer is interposed is usually 0.1 to 30 g.
/ 10 mm width (peeling strength per 10 mm width) is preferable, 0.5 to 20 g / 10 mm width is more preferable,
It is particularly preferable that the width is 0.5 to 10 g / 10 mm. If the peel strength is less than 0.1 g / 10 mm width, the vapor-deposited metal film easily peels off due to external force or friction, which is not preferable in practical use. On the other hand, the peel strength is 30 g.
If the width exceeds / 10 mm, it becomes difficult to transfer, which is not preferable.
【００１９】本発明における電子部品用金属膜転写フィ
ルムの金属膜を構成する金属種は、使用される電子部品
によって異なるが、積層セラミックコンデンサの内部電
極として使用される場合には、ニッケル単体が好ましい
が、ニッケルによって得られる膜特性を改良する目的
で、他の金属をニッケルの電気特性、耐腐食性等の性質
を著しく損なわない範囲で添加してもよい。他の金属と
しては、例えば、クロム、銅、錫、アルミニウムおよび
パラジウム等が挙げられる。これら他の金属の配合割合
の上限としては、２０重量％が好ましい。The metal species constituting the metal film of the metal film transfer film for electronic parts according to the present invention differ depending on the electronic parts used, but when used as the internal electrodes of a monolithic ceramic capacitor, simple nickel is preferable. However, for the purpose of improving the film characteristics obtained by nickel, other metals may be added within a range that does not significantly impair the electrical characteristics and corrosion resistance of nickel. Examples of other metals include chromium, copper, tin, aluminum and palladium. The upper limit of the mixing ratio of these other metals is preferably 20% by weight.
【００２０】本発明における金属膜の形成方法として
は、スパッタ、蒸着等を用いることができるが、なかで
も蒸着によって得られる金属膜が好ましい。また、蒸着
方法としては、例えば、誘導加熱、抵抗加熱、スパッタ
リング、電子ビーム（ＥＢ）、イオンプレーティング等
を挙げることができるが、特に電子ビーム蒸着が、生産
性と蒸着膜質の点で好適である。As the method for forming the metal film in the present invention, sputtering, vapor deposition and the like can be used, and among them, the metal film obtained by vapor deposition is preferable. In addition, examples of the vapor deposition method include induction heating, resistance heating, sputtering, electron beam (EB), and ion plating, but electron beam vapor deposition is particularly preferable in terms of productivity and vapor deposition film quality. is there.
【００２１】本発明における金属膜の厚さは、５００〜
２００００オングストロームの範囲であり、好ましくは
５００〜１００００オングストロームであり、さらに好
ましくは５００〜５０００オングストロームの範囲であ
る。厚さが５００オングストローム未満では転写工程で
破れやすくなったり、十分な電気特性が得られないので
好ましくなく、一方、厚さが２００００オングストロー
ムを超えると膜厚が厚くなり、薄膜化という優位性が得
られないばかりか、金属膜にクラックが発生しやすくな
るので好ましくない。金属膜の厚さの測定方法として
は、透過電子顕微鏡、走査電子顕微鏡等を用いて測定す
ることができる。In the present invention, the metal film has a thickness of 500 to
The range is 20,000 angstroms, preferably 500 to 10,000 angstroms, and more preferably 500 to 5,000 angstroms. If the thickness is less than 500 angstroms, it is easy to break in the transfer process and sufficient electric characteristics cannot be obtained, which is not preferable. Not only that, but also cracks are likely to occur in the metal film, which is not preferable. The thickness of the metal film can be measured by using a transmission electron microscope, a scanning electron microscope or the like.
【００２２】本発明の電子部品用金属膜転写フィルム
は、上述のように、表面粗さＲａが０．０１〜０．２μ
ｍであるプラスチックフィルム上に離型層が施され、こ
の上に成膜した金属膜を、さらに電子部品上に転写する
ことによって利用される。As described above, the metal film transfer film for electronic parts of the present invention has a surface roughness Ra of 0.01 to 0.2 μm.
A release layer is provided on a plastic film of m, and the metal film formed on the release layer is further transferred onto an electronic component for use.
【００２３】例えば、積層セラミックコンデンサの誘電
体シート上への該金属膜の転写方法としては、金属膜転
写フィルムとセラミックグリーンシートとを重ね合わせ
た後、圧着ローラー、プレス機等を用いて圧着した後、
プラスチックフィルムを剥離する方法を挙げることがで
きる。この場合、プラスチックフィルムのガラス転移温
度あるいは融点以下の温度で加熱することもできる。For example, as a method of transferring the metal film onto the dielectric sheet of the monolithic ceramic capacitor, the metal film transfer film and the ceramic green sheet are superposed and then pressure-bonded using a pressure roller, a press machine or the like. rear,
The method of peeling a plastic film can be mentioned. In this case, it is also possible to heat at a temperature not higher than the glass transition temperature or melting point of the plastic film.
【００２４】誘電体シートは、通常チタン酸バリウム等
を主成分とする誘電体粉末、有機バインダー、可塑剤お
よび有機溶剤とからなるスラリーをドクターブレード法
等により膜化し、引き続き乾燥して得られるグリーンシ
ートを所定のサイズに裁断後、焼成することによって得
られる。該誘電体シート１枚当たりの厚さは０．５〜３
０μｍであり、好ましくは０．５〜１５μｍである。
０．５μｍ未満では誘電体シートに発生するピンホール
等の欠陥が次第に多くなり、一方、３０μｍを超えると
本発明による誘電体シートを積層化した積層セラミック
コンデンサの小型大容量化を満足するものは得られな
い。The dielectric sheet is usually obtained by film-forming a slurry consisting of a dielectric powder containing barium titanate or the like as a main component, an organic binder, a plasticizer and an organic solvent by a doctor blade method or the like and then drying it. It is obtained by cutting the sheet into a predetermined size and then firing. The dielectric sheet has a thickness of 0.5 to 3
It is 0 μm, preferably 0.5 to 15 μm.
If it is less than 0.5 μm, defects such as pinholes generated in the dielectric sheet gradually increase, while if it exceeds 30 μm, those satisfying the miniaturization and large capacity of the laminated ceramic capacitor in which the dielectric sheets according to the present invention are laminated are satisfied. I can't get it.
【００２５】積層セラミックコンデンサにおける内部電
極パターンを形成する方法としては、本発明における所
定のパターン形状を有する離型層上に成膜した金属膜
が、離型層のパターン形状を保持したまま転写されて内
部電極となるが、さらに所定の形状、大きさの電極パタ
ーンにレジストを用いたリソグラフィー法を組み合わせ
ることによって実施することもできる。As a method of forming the internal electrode pattern in the monolithic ceramic capacitor, the metal film formed on the release layer having a predetermined pattern shape according to the present invention is transferred while keeping the pattern shape of the release layer. However, it can also be carried out by combining an electrode pattern of a predetermined shape and size with a lithography method using a resist.
【００２６】本発明の電子部品用金属膜転写フィルム
は、電子部品の薄膜状の電極を転写によって形成する方
法として好適であり、例えば、半導体回路や積層セラミ
ックコンデンサの内部電極を挙げることができるが、特
に積層セラミックコンデンサの内部電極の形成方法とし
て好適である。The metal film transfer film for electronic parts of the present invention is suitable as a method for forming thin film electrodes of electronic parts by transfer, and examples thereof include internal electrodes of semiconductor circuits and laminated ceramic capacitors. In particular, it is suitable as a method for forming an internal electrode of a monolithic ceramic capacitor.
【００２７】[0027]
【実施例】本発明の電子部品用金属膜転写フィルムにつ
いて、積層セラミックコンデンサを対象として実施例を
挙げて詳細に説明する。EXAMPLES The metal film transfer film for electronic parts of the present invention will be described in detail with reference to examples for a laminated ceramic capacitor.
【００２８】（実施例）誘電体材料の組成として、Ｂａ
ＴｉＯ3を主成分とし、これに添加物としてＢａＺｒＯ3
を加えた酸化物の混合粉末を、ポリビニルブチラール樹
脂系バインダとともにジブチルフタレート中に分散し
て、セラミックスラリーとした。このセラミックスラリ
ーを、ドクターブレード法により、シリコーン樹脂離型
剤を塗布した３８μｍ厚のポリエチレンテレフタレート
からなるキャリアフィルムの片面に塗布し、これを１２
０℃で乾燥し、１００mm×１００mmの大きさに切断し
て、２μｍの厚さのセラミックグリーンシートを作成し
た。(Example) As the composition of the dielectric material, Ba was used.
TiO 3 as a main component, and BaZrO 3 as an additive to this
The mixed powder of the oxide added with was dispersed in dibutyl phthalate together with a polyvinyl butyral resin binder to obtain a ceramic slurry. This ceramic slurry was applied by a doctor blade method to one side of a carrier film made of polyethylene terephthalate having a thickness of 38 μm coated with a silicone resin release agent.
It was dried at 0 ° C. and cut into a size of 100 mm × 100 mm to prepare a ceramic green sheet having a thickness of 2 μm.
【００２９】別に、表面粗さＲａが０．０３μｍである
厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
（東レ（株）製ルミラー（登録商標）Ｓ２８）の上に、
上記離型層を設け、その上に電子ビーム蒸着によって膜
厚約３０００オングストロームの金属ニッケル膜を成膜
した。上記のセラミックグリーンシートに、金属ニッケ
ル膜を熱プレス加工により転写した。転写した金属ニッ
ケルは、２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ム上の状態を保持していた。次に、内部電極が形成され
たセラミックグリーンシートを、一定寸法で交互にずら
して積層し、加圧圧着したのち切断して、両端面から内
部電極部分が交互に露出した積層セラミックコンデンサ
のグリーンチップとした。次に、このグリーンチップ
を、おがくず中で強制振動させて角体の稜線部分の面取
りをした。そして、上記の面取りをしたグリーンチップ
の内部電極部分が交互に露出した両端面に、上記の各種
の外部電極用ペーストを浸漬法により塗布した。塗布
後、１２０℃で１５分間乾燥した。乾燥後の塗布膜厚
は、約３５μｍとなるように形成した。これを、大気中
で３０時間、最高温度３７０℃、３時間で加熱処理した
後、ニッケルに対して還元雰囲気中、具体的には、６０
０℃以上でニッケルの平衡酸素分圧の１００分の１の酸
素濃度にコントロールした雰囲気中で１８時間，最高温
度１３００℃、３時間で加熱処理して焼成して焼結体と
し、積層セラミックコンデンサを得た。Separately, on a polyethylene terephthalate film (Lumirror (registered trademark) S28 manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 25 μm and a surface roughness Ra of 0.03 μm,
The release layer was provided, and a metal nickel film having a film thickness of about 3000 angstrom was formed thereon by electron beam evaporation. A metal nickel film was transferred to the above ceramic green sheet by hot pressing. The transferred metallic nickel kept the state on the 25-micrometer polyethylene terephthalate film. Next, the ceramic green sheets on which the internal electrodes are formed are stacked by alternately shifting them with a certain size, pressed and pressed, and then cut, and the green chip of the multilayer ceramic capacitor in which the internal electrode parts are alternately exposed from both end faces. And Next, this green chip was forcedly vibrated in sawdust to chamfer the ridgeline portion of the prism. Then, the above various external electrode pastes were applied by a dipping method to both end surfaces of the chamfered green chip where the internal electrode portions were alternately exposed. After coating, it was dried at 120 ° C. for 15 minutes. The coating film thickness after drying was formed to be about 35 μm. This was heat-treated in the air for 30 hours at a maximum temperature of 370 ° C. for 3 hours, and then, in a reducing atmosphere with respect to nickel, specifically, 60
A laminated ceramic capacitor, which is heat-treated and sintered at a temperature of 0 ° C. or higher for 18 hours in an atmosphere controlled to an oxygen concentration of 1/100 of the equilibrium oxygen partial pressure of nickel and at a maximum temperature of 1300 ° C. for 3 hours to obtain a sintered body. Got
【００３０】上記で得られた積層セラミックコンデンサ
１００個について、静電容量の測定検査を行なった。な
お、電気特性については、静電容量が正常値の３０％以
下の異常値のものは不良とした。その結果、不良率は０
％であった。About 100 monolithic ceramic capacitors obtained as described above, the capacitance was measured and inspected. Regarding the electrical characteristics, those having an abnormal capacitance value of 30% or less of the normal value were considered to be defective. As a result, the defect rate is 0
%Met.
【００３１】（比較例）キャリアフィルムとして、表面
粗さＲａが０．３μｍである（株）きもと製マットルミ
ラー）を用いたこと以外は、実施例と同様にして積層セ
ラミックコンデンサを作成した。マットルミラーとは、
東レ（株）製ルミラー（登録商標）Ｓ２８にサンドブラ
スト法により、片面マット加工を施したものである。こ
の積層セラミックコンデンサ１００個について、静電容
量の測定検査を行った。なお、電気特性については、静
電容量が正常値の３０％以下の異常値のものは不良とし
た。その結果、不良率は８０％であった。(Comparative Example) A laminated ceramic capacitor was prepared in the same manner as in the Example except that a carrier film having a surface roughness Ra of 0.3 μm (made by Kimoto Co., Ltd.) was used. What is a matt mirror?
Lumirror (registered trademark) S28 manufactured by Toray Industries, Inc. is matte-coated on one side by a sandblasting method. The measurement and inspection of the capacitance were performed on 100 of the laminated ceramic capacitors. Regarding the electrical characteristics, those having an abnormal capacitance value of 30% or less of the normal value were considered to be defective. As a result, the defective rate was 80%.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よる電子部品用金属膜転写フィルムを用いれば、特に積
層セラミックコンデンサに用いることによって、薄肉の
誘電体シートが可能であり、かつ離型性すなわち転写性
が著しく向上する。As is apparent from the above description, when the metal film transfer film for electronic parts according to the present invention is used, a thin dielectric sheet can be obtained, especially by using it in a laminated ceramic capacitor, and a release mold is formed. Property, that is, the transfer property is remarkably improved.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 勝 静岡県三島市長伏33番地の１東洋メタライ ジング株式会社三島工場内 (72)発明者 小林 俶朗 東京都中央区日本橋本石町３丁目３番16号 東洋メタライジング株式会社東京本社内 Ｆターム(参考） 5E082 AA01 AB03 BB01 BB07 EE03 EE09 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 MM22 MM24 PP09 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Masaru Suzuki Toyo Metalai, 33 Nagabushi, Mishima City, Shizuoka Prefecture Jing Co., Ltd. Mishima Factory (72) Inventor Toro Kobayashi 3-16 Nihonbashi Honishicho, Chuo-ku, Tokyo Toyo Metalizing Co., Ltd. Tokyo head office F-term (reference) 5E082 AA01 AB03 BB01 BB07 EE03 EE09 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 MM22 MM24 PP09
Claims (5)
金属膜がこの順に成膜された構造を有しており、該プラ
スチックフィルムの表面粗さＲａが０．０１〜０．２μ
ｍであることを特徴とする電子部品用金属膜転写フィル
ム。1. A release film and a metal film are formed in this order on a plastic film, and the surface roughness Ra of the plastic film is 0.01 to 0.2 μm.
m is a metal film transfer film for electronic parts.
脂、エポキシ樹脂またはフッ素樹脂の少なくとも１種以
上からなる請求項１記載の電子部品用金属膜転写フィル
ム。2. The metal film transfer film for electronic parts according to claim 1, wherein the release layer is made of at least one of silicone resin, melamine resin, epoxy resin and fluororesin.
ある請求項１または２記載の電子部品用金属膜転写フィ
ルム。3. The metal film transfer film for electronic parts according to claim 1, wherein the metal film is formed by vapor deposition.
ある請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品用金属膜
転写フィルム。4. The metal film transfer film for an electronic component according to claim 1, wherein the electronic component is a laminated ceramic capacitor.
ある請求項４に記載の電子部品用金属膜転写フィルム。5. The metal film transfer film for electronic parts according to claim 4, wherein the metal film is a metal whose main component is nickel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002029303A JP2003234240A (en) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | Metal film transfer film for electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002029303A JP2003234240A (en) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | Metal film transfer film for electronic component |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003234240A true JP2003234240A (en) | 2003-08-22 |
Family
ID=27773631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002029303A Pending JP2003234240A (en) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | Metal film transfer film for electronic component |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003234240A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010024368A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | 味の素株式会社 | Film with metal film |
| TWI495561B (en) * | 2008-08-29 | 2015-08-11 | Ajinomoto Kk | Film with metal film |
-
2002
- 2002-02-06 JP JP2002029303A patent/JP2003234240A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010024368A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | 味の素株式会社 | Film with metal film |
| JP5500073B2 (en) * | 2008-08-29 | 2014-05-21 | 味の素株式会社 | Film with metal film |
| TWI468285B (en) * | 2008-08-29 | 2015-01-11 | Ajinomoto Kk | Film with metal film |
| TWI495561B (en) * | 2008-08-29 | 2015-08-11 | Ajinomoto Kk | Film with metal film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20130279074A1 (en) | Multilayer ceramic electronic component and manufacturing method thereof | |
| US20020125618A1 (en) | Methods for manufacturing ceramic green sheet and multilayer ceramic electronic parts | |
| JP4688326B2 (en) | Ceramic laminate and manufacturing method thereof | |
| JPH09106925A (en) | Method of manufacturing layered ceramic capacitor | |
| JP2003234240A (en) | Metal film transfer film for electronic component | |
| JP2003059749A (en) | Metal film transfer film for electronic component | |
| JP2003234241A (en) | Metal film transfer film for electronic component | |
| JP2009266716A (en) | Conductive paste, and manufacturing method of laminated ceramic capacitor | |
| JP2004289090A (en) | Method for manufacturing laminated ceramic electronic component | |
| JP2003059757A (en) | Metallic film transfer film for electronic component | |
| JP2000276944A (en) | Conductive paste and manufacture of ceramic electronic component using it | |
| JP2003077762A (en) | Metal film transfer film for electronic component | |
| JP2003059756A (en) | Metallic film transfer film for electronic component | |
| JP2003234238A (en) | Metal film transfer film for electronic component | |
| WO2006109466A1 (en) | Method for forming internal electrode pattern and method for manufacturing multilayer ceramic electronic component using same | |
| JP2003059748A (en) | Metal film transfer film for electronic component | |
| JP2003115417A (en) | Metallic-film transcription film for electronic component | |
| JP2003300276A (en) | Thin metal film transfer film | |
| JP2003136628A (en) | Metallic oxide laminated film, metallic oxide laminate, and method for manufacturing them | |
| JP2003124050A (en) | Transfer film of electronic part metal film | |
| JP2003077760A (en) | Plastic film laminated body | |
| JP2003264120A (en) | Ceramic electronic component and its manufacturing method | |
| JP4449544B2 (en) | Method for forming internal electrode pattern and method for producing multilayer ceramic electronic component using the same | |
| JP2636306B2 (en) | Manufacturing method of multilayer ceramic capacitor | |
| JP2762448B2 (en) | Manufacturing method of multilayer ceramic electronic component |