JP2003111474A - ブラシレスモータの駆動装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スイッチング素子のオンオフタイミングにお
いて発生する信号ノイズを抑制する。 【解決手段】 直流電源供給端子３１と接地端子３２と
の間に複数のＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ６をブリッジ接続し
てなり、ハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ３又はローサ
イドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６にパルス幅が調整されたＰ
ＷＭ信号を供給してブラシレスモータ１１の回転数を制
御する装置であって、ＰＷＭ信号が供給されるローサイ
ドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６のゲート端子とドレイン端子
との間に設けられたセラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６
と、ＰＷＭ信号が供給されないハイサイドＭＯＳＦＥＴ
Ｑ１〜Ｑ３のドレイン端子とソース端子との間に設けら
れたセラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ブラシレスモータ
に供給する電源電圧をオンオフ制御することにより交流
電流を供給して駆動するブラシレスモータの駆動装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、所謂ブラシレスモータの駆動
回路としては、６個の半導体スイッチング素子（ＭＯＳ
ＦＥＴ、バイポーラトランジスタ）を所謂三相ブリッジ
接続し、永久磁石からなるロータの周囲に配置された３
つのホール素子の検出信号に基づいて各半導体スイッチ
ング素子のオンオフをしてモータに交流電力を供給する
ものが知られている。

【０００３】このようなブラシレスモータの駆動回路
は、例えば特開平１０−２１５５９５号公報で開示され
たモータの駆動回路が知られている。このモータの駆動
回路は、図１８に示すように、複数のトランジスタのう
ち、低電位側に接続された低電位側トランジスタＵＬ，
ＶＬ，ＷＬのみをＰＷＭ制御する。これにより、低電位
側トランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬからモータに供給する
電力量を制御してモータの回転数を制御する。

【０００４】このモータの駆動回路は、低電位側トラン
ジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬとＵ相、Ｖ相、Ｗ相の交流出力
線接続点との間にインダクタＬＵ，ＬＶ，ＬＷをそれぞ
れ接続し、このインダクタＬＵ，ＬＶ，ＬＷ及び低電位
側トランジスタＵＬ，ＶＬ，ＷＬの各共通接続点と直流
正極母線Ｐとの間にフライホイールダイオードＤＵ，Ｄ
Ｖ，ＤＷをそれぞれ接続し、高電位側トランジスタＵ
Ｈ，ＶＨ，ＷＨの各コレクタ−エミッタ間にコンデンサ
ＣＵ，ＣＶ，ＣＷをそれぞれ接続して構成されている。

【０００５】このようなモータの駆動回路は、コンデン
サＣＵ，ＣＶ，ＣＷ及びインダクタＬＵ，ＬＶ，ＬＷ
を、ＰＷＭ信号のキャリア成分を除去するリップルフィ
ルターとして作用させる。また、このモータの駆動回路
では、インダクタＬＵ，ＬＶ，ＬＷにより、高電位側ト
ランジスタＵＨ，ＶＨ，ＷＨと低電位側トランジスタＵ
Ｌ，ＵＶ，ＵＷとの間に流れる直流短絡電流を阻止す
る。更に、このモータの駆動回路では、フライホイール
ダイオードＤＵ，ＤＶ，ＤＷを、インダクタＬＵ，Ｕ
Ｖ，ＵＷの蓄積エネルギーを直流正極母線Ｐ側に帰還さ
せるために設けている。

【０００６】また、従来の他のモータの駆動回路では、
半導体スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴを使用し、
低電位側ＭＯＳＦＥＴをＰＷＭ制御するものがある。こ
のようなモータの駆動回路では、低電位側ＭＯＳＦＥＴ
をオフからオンにするタイミングで、直流電源端子（直
流正極母線）と接地端子（直流負極母線）との間に発生
する信号ノイズを抑制するために、低電位側ＭＯＳＦＥ
Ｔのゲート端子とドレイン端子との間にセラミックコン
デンサを設けていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
モータの駆動回路において、半導体スイッチング素子と
してＭＯＳＦＥＴを使用し、ゲート端子とドレイン端子
との間にセラミックコンデンサを設けた構成としただけ
では、低電位側のＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン
端子との間の寄生容量による信号ノイズを抑制するのに
限界があった。

【０００８】信号ノイズが発生する原因としては、低電
位側ＭＯＳＦＥＴがオンとなるタイミングで、ゲート端
子に印加される電圧が接地電位に引き込まれてゲート端
子に印加される電圧が低下することにより発生する。

【０００９】これに対し、セラミックコンデンサにより
高周波信号成分をバイパスするために、セラミックコン
デンサの容量を大きくすると、モータに対する交流電力
の入出力特性が変化してしまう。したがって、信号ノイ
ズ低減を目的としてセラミックコンデンサの容量を大き
くするとモータ制御ができなくなる恐れがあり、信号ノ
イズの低減に限界があった。

【００１０】そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて
提案されたものであり、スイッチング素子のオンオフタ
イミングにおいて発生する信号ノイズを抑制するブラシ
レスモータの駆動回路を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、請求項１に係る発明では、直流電源の正負極端子
間に複数のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor）をブリッジ接続してなり、
正極側ＭＯＳＦＥＴ又は負極側ＭＯＳＦＥＴにパルス幅
が調整されたＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号を
供給してブラシレスモータを駆動するブラシレスモータ
の駆動装置において、上記ＰＷＭ信号が供給される上記
ＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン端子との間に設け
られた第１コンデンサと、上記ＰＷＭ信号が供給されな
い上記ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子との間
に設けられた第２コンデンサとを備えたこと特徴とす
る。

【００１２】請求項２に係る発明では、請求項１に係る
発明であって、上記負極側ＭＯＳＦＥＴにＰＷＭ信号を
供給し、上記負極側ＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイ
ン端子との間に第１コンデンサを設けると共に、正極側
ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子との間に第２
コンデンサを設けることを特徴とする。

【００１３】請求項３に係る発明では、請求項１又は請
求項２に係る発明であって、上記第１コンデンサの容量
と上記第２コンデンサの容量とを略同じにしたことを特
徴とする。

【００１４】

【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、ＰＷＭ信
号が供給されるＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイン端
子との間に第１コンデンサを設けると共に、ＰＷＭ信号
が供給されないＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端
子との間に第２コンデンサを設ける構成にしたので、第
２コンデンサによりＰＷＭ信号が供給されるＭＯＳＦＥ
Ｔがオンとなったときにゲート端子に印加される電圧の
低下を防止することができ、ＰＷＭ信号が供給されるＭ
ＯＳＦＥＴがオンとなるときに発生するノイズの振幅を
小さくすると共に、放射ノイズとなるノイズ成分を低減
することができる。

【００１５】請求項２に係る発明によれば、ＭＯＳＦＥ
ＴにＰＷＭ信号を供給し、負極側ＭＯＳＦＥＴのゲート
端子とドレイン端子との間に第１コンデンサを設けると
共に、正極側ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子
との間に第２コンデンサを設けたので、ＰＷＭ信号が供
給される負極側ＭＯＳＦＥＴがオンとなるときに発生す
るノイズの振幅を小さくすると共に、放射ノイズとなる
ノイズ成分を低減することができる。

【００１６】請求項３に係る発明によれば、第１コンデ
ンサの容量と第２コンデンサの容量とを略同じにするこ
とにより、更に放射ノイズのノイズ成分を低減すること
ができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００１８】本発明は、例えば図１に示すように構成さ
れたブラシレスモータの制御装置に適用される。このブ
ラシレスモータの制御装置は、外部からＰＷＭ（Pulse
Width Modulation）制御信号を入力するモータ制御回路
１と、このモータ制御回路１からの信号を入力して交流
電力をブラシレスモータ１１に供給するモータ駆動回路
２とから構成されている。

【００１９】ブラシレスモータの制御装置により駆動さ
れるブラシレスモータ１１は、駆動磁界を発生させるＵ
相、Ｖ相、Ｗ相の固定子巻き線２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗ
と、これらの固定子巻き線２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗによ
り発生する駆動磁界により回転駆動される永久磁石回転
子とを備えて構成されている。ブラシレスモータ１１
は、固定子巻き線２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗにモータ駆動
回路２からの駆動電流が供給されることで永久磁石回転
子を回転させる。

【００２０】モータ制御回路１は、ブラシレスモータ１
１の永久磁石回転子の回転角度を検出するホール素子
（図示せず）からの検出信号を入力し、ブラシレスモー
タ１１の回転状態を検出する。また、モータ制御回路１
は、外部からブラシレスモータ１１の回転数を指示する
回転数指示信号であるＰＷＭ制御信号を入力する。

【００２１】モータ制御回路１は、検出したブラシレス
モータ１１の回転状態と、入力したＰＷＭ制御信号とを
比較して、指示されたブラシレスモータ１１の回転数と
するようにＰＷＭ信号を生成してモータ駆動回路２に供
給する。このとき、モータ制御回路１は、目標とするブ
ラシレスモータ１１の回転数に応じてパルス幅変調をす
ることでデューティ比を調整したＰＷＭ信号を生成す
る。モータ制御回路１により生成されるＰＷＭ信号は、
約２０ＭＨｚでＭＯＳＦＥＴをオンオフ動作させる。

【００２２】これにより、モータ制御回路１は、モータ
駆動回路２を構成するハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ
３及びローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６のオンオフタ
イミングを制御する。このとき、モータ制御回路１は、
ハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２，Ｑ３を１２０度の
位相角で順次オン制御をすると共に、ローサイドＭＯＳ
ＦＥＴＱ４、Ｑ５、Ｑ６を同一相のハイサイドＭＯＳＦ
ＥＴＱ１，Ｑ２，Ｑ３に対してそれぞれ１８０度の位相
差でオン制御をする。更に、モータ制御回路１は、ロー
サイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６のオン期間においてＰＷ
Ｍ信号を出力して、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６
をＰＷＭ制御する。

【００２３】なお、本例においてはＰＷＭ信号をローサ
イドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６に出力する場合について説
明するが、モータ制御回路１は、生成したＰＷＭ信号
を、後述のモータ駆動回路２を構成するハイサイドＭＯ
ＳＦＥＴ及びローサイドＭＯＳＦＥＴの双方に出力して
も良く、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ又はローサイドＭＯＳ
ＦＥＴの片方に出力しても良い。

【００２４】モータ駆動回路２は、ゲート端子をモータ
制御回路１と接続し、ドレイン端子を直流電源供給端子
３１と接続し、ソース端子をブラシレスモータ１１の固
定子巻き線２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗと接続したハイサイ
ドＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２，Ｑ３を備える。また、モー
タ駆動回路２は、ゲート端子をモータ制御回路１と接続
し、ドレイン端子をハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ
２，Ｑ３と接続し、ソース端子を接地端子３２と接続し
たローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４，Ｑ５，Ｑ６を備える。
ハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ３及びローサイドＭＯ
ＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６は、ドレイン端子とソース端子との
間に寄生ダイオードを含んで構成されている。ハイサイ
ドＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２，Ｑ３はそれぞれローサイド
ＭＯＳＦＥＴＱ４，Ｑ５，Ｑ６を介して接地端子３２と
接続され、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４，Ｑ５，Ｑ６は
それぞれハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２，Ｑ３を介
して直流電源供給端子３１と接続されている。

【００２５】また、このモータ駆動回路２では、ハイサ
イドＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２，Ｑ３とローサイドＭＯＳ
ＦＥＴＱ４，Ｑ５，Ｑ６との接続点に、固定子巻き線２
１ＵとハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１及びローサイドＭＯ
ＳＦＥＴＱ４とを接続する交流電流供給線３３Ｕ、固定
子巻き線２１ＶとハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ２及びロー
サイドＭＯＳＦＥＴＱ５とを接続する交流電流供給線３
３Ｖ、固定子巻き線２１ＷとハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ
３及びローサイドＭＯＳＦＥＴＱ６とを接続する交流電
流供給線３３Ｗが設けられている。

【００２６】更に、モータ駆動回路２は、ハイサイドＭ
ＯＳＦＥＴＱ１のドレイン端子とソース端子との間に第
１セラミックコンデンサＣ１を設け、ハイサイドＭＯＳ
ＦＥＴＱ２のドレイン端子とソース端子との間に第１セ
ラミックコンデンサＣ２を設け、ハイサイドＭＯＳＦＥ
ＴＱ３のドレイン端子とソース端子との間に第１セラミ
ックコンデンサＣ３を設けている。

【００２７】更にまた、モータ駆動回路２は、ローサイ
ドＭＯＳＦＥＴＱ４のゲート端子とドレイン端子との間
に第２セラミックコンデンサＣ４を設け、ローサイドＭ
ＯＳＦＥＴＱ５のゲート端子とドレイン端子との間に第
２セラミックコンデンサＣ５を設け、ローサイドＭＯＳ
ＦＥＴＱ６のゲート端子とドレイン端子との間に第２セ
ラミックコンデンサＣ６を設けている。

【００２８】つぎに、図２に示すように、ＰＷＭ制御が
なされないハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ３のドレイ
ン端子とソース端子との間に第１セラミックコンデンサ
Ｃ１〜Ｃ３を設けると共に、ＰＷＭ制御がなされるロー
サイド第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ５のゲート端
子とドレイン端子との間に第２セラミックコンデンサＣ
４〜Ｃ６を設けた場合において、ローサイドＭＯＳＦＥ
ＴＱ４〜Ｑ６がオフからオンするときに直流電源供給端
子３１と接地端子３２との間に発生するノイズを図３
（ａ）に示し、ノイズに対してＦＦＴ（Fast Fourier T
ransform）を行った結果得た周波数特性を図３（ｂ）に
示す。

【００２９】図３（ａ）に示すようにローサイドＭＯＳ
ＦＥＴＱ４〜Ｑ６のノイズの振幅を小さくすることがで
き、図３（ｂ）に示すように放射ノイズとなる３０ＭＨ
ｚ以上の周波数域におけるノイズ成分を低減することが
できる。ここで、放射ノイズとは、ラジオノイズ等の他
の機器の動作に影響を与えるような電磁波であって、主
としてＦＭ周波数帯の周波数を有する。

【００３０】以下に比較例を示す。第１比較例は、図４
に示すようにハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ３につい
ての第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３のみを設けた
時のモータ駆動回路であり、図５にローサイドＭＯＳＦ
ＥＴＱ４〜Ｑ６がオンとなった時に発生するノイズ
（ａ）、ノイズの周波数特性（ｂ）を示す。

【００３１】第１比較例では、図３（ａ）に示す場合と
比較してノイズの振幅が大きくなり（図５（ａ））、図
３（ｂ）に示す場合と比較して３０ＭＨｚ以上の周波数
帯での振幅が大きくなっていることが分かる（図５
（ｂ））。

【００３２】第２比較例は、図６に示すようにローサイ
ドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６についての第２セラミックコ
ンデンサＣ４〜Ｃ６のみを設けた時のモータ駆動回路で
あり、図７にローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６がオン
となった時に発生するノイズ（ａ）、ノイズの周波数特
性（ｂ）を示す。

【００３３】第２比較例では、図３（ａ）に示す場合と
比較してノイズの振幅が大きくなり（図７（ａ））、図
３（ｂ）に示す場合と比較して３０ＭＨｚ以上の周波数
帯での振幅が大きくなっていることが分かる（図７
（ｂ））。

【００３４】第３比較例は、図８に示すように第１セラ
ミックコンデンサＣ１〜Ｃ３及び第２セラミックコンデ
ンサＣ４〜Ｃ６を設けない時のモータ駆動回路であり、
図９にローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６がオンとなっ
た時に発生するノイズ（ａ）、ノイズの周波数特性
（ｂ）を示す。

【００３５】第３比較例では、図３（ａ）に示す場合と
比較してノイズの振幅が更に大きくなり（図７
（ａ））、図３（ｂ）に示す場合と比較して３０ＭＨｚ
以上の周波数帯での振幅が更に大きくなっていることが
分かる（図７（ｂ））。

【００３６】図３に示した結果、及び第１〜第３比較例
の結果から、ＰＷＭ制御がなされないハイサイドＭＯＳ
ＦＥＴＱ１〜Ｑ３のドレイン端子とソース端子との間に
第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３を設けると共に、
ＰＷＭ制御がなされるローサイドローサイドＭＯＳＦＥ
ＴＱ４〜Ｑ６のゲート端子とドレイン端子との間に第２
セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６を設けることにより、
ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ６がオンとなるときに
発生するノイズの振幅を小さくすると共に、放射ノイズ
となる３０ＭＨｚ以上のノイズ成分を低減することがで
きる。

【００３７】これは、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ
６がオンとなる時に、ローサイドＭＯＳＦＥＴＱ４〜Ｑ
６のゲート端子に印加される電圧が接地端子３２側に引
き込まれてゲート端子に印加される電圧の低下を第１セ
ラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３により緩和することによ
り、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の効果を促進
することができることによる。

【００３８】更に、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ
３及び第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６を設けるこ
とにより、ハイサイドＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ３の寄生ダ
イオードの誤動作を防止することができる。

【００３９】更にまた、このようなモータ駆動回路２に
よれば、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を
大きくしなくてもノイズ成分を抑制することができるの
で、ブラシレスモータ１１に供給する交流電流に影響を
与えることがない。

【００４０】つぎに、第１セラミックコンデンサＣ１〜
Ｃ３の容量を変化させたときに、ローサイドＭＯＳＦＥ
ＴＱ４〜Ｑ６がオフからオンとなるときに発生するノイ
ズと、ノイズ成分の周波数特性について図１０〜図１３
を参照して説明する。なお、本例では、第２セラミック
コンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を１０００ｐＦとした。

【００４１】図１０は第１セラミックコンデンサＣ１〜
Ｃ３の容量を１０００ｐＦとした場合のノイズとノイズ
成分の周波数特性とを示し、図１１は第１セラミックコ
ンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を２２００ｐＦとした場合の
ノイズとノイズ成分の周波数特性とを示し、図１２は第
１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４２００ｐ
Ｆとした場合のノイズとノイズ成分の周波数特性とを示
し、図１３は第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容
量を１００００ｐＦとした場合のノイズとノイズ成分の
周波数特性とを示す。

【００４２】図１０（ａ）〜図１３（ａ）によれば、第
１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を変化させて
もノイズの振幅は余り変化せず、第１セラミックコンデ
ンサＣ１〜Ｃ３の容量には依存しないことが分かる。一
方、図１０（ｂ）〜図１３（ｂ）によれば、図１０
（ｂ）に示すように第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ
３と第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６とが同容量で
あるときには放射ノイズ成分を低減させることができ、
第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３と第２セラミック
コンデンサＣ４〜Ｃ６との容量差が大きくなるほど放射
ノイズ成分が増大することが分かる。

【００４３】つぎに、第２セラミックコンデンサＣ４〜
Ｃ６の容量を変化させたときに、ローサイドＭＯＳＦＥ
ＴＱ４〜Ｑ６がオフからオンとなるときに発生するノイ
ズと、ノイズ成分の周波数特性について図１４〜図１７
を参照して説明する。なお、本例では、第１セラミック
コンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４７００ｐＦとした。

【００４４】図１４は第２セラミックコンデンサＣ４〜
Ｃ６の容量を４７０ｐＦとした場合のノイズとノイズ成
分の周波数特性とを示し、図１５は第２セラミックコン
デンサＣ４〜Ｃ６の容量を１０００ｐＦとした場合のノ
イズとノイズ成分の周波数特性とを示し、図１６は第２
セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を１５００ｐＦ
とした場合のノイズとノイズ成分の周波数特性とを示
し、図１７は第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容
量を２２００ｐＦとした場合のノイズとノイズ成分の周
波数特性とを示す。

【００４５】図１４（ａ）〜図１７（ａ）によれば、第
２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量を変化させて
もノイズの振幅は余り変化せず、第２セラミックコンデ
ンサＣ４〜Ｃ６の容量には依存しないことが分かる。一
方、図１４（ｂ）〜図１７（ｂ）によれば、図１７
（ｂ）に示すように第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ
３と第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６との容量が近
くなるほど放射ノイズ成分を低減させることができ、第
１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３と第２セラミックコ
ンデンサＣ４〜Ｃ６との容量差が大きくなるほど放射ノ
イズ成分が増大することが分かる。

【００４６】図１０〜図１７に示した結果より、第１セ
ラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３と第２セラミックコンデ
ンサＣ４〜Ｃ６とが略同容量であるときに、ＰＷＭ制御
されるＭＯＳＦＥＴにより発生するノイズの振幅を小さ
くすると共に、放射ノイズ成分を低減することができる
ことが分かる。

【００４７】また、第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ
３及び第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６は、その容
量が１０００ｐＦ〜１００００ｐＦであることが望まし
い。これにより、ＰＷＭ制御によりオンオフすることに
より発生するノイズのうち、ＦＭ周波数帯のノイズ成分
のみを除去することができる。

【００４８】なお、上述の実施の形態は本発明の一例で
ある。このため、本発明は、上述の実施形態に限定され
ることはなく、この実施の形態以外であっても、本発明
に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に
応じて種々の変更が可能であることは勿論である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したブラシレスモータの制御装置
の構成を示す回路図である。

【図２】本発明を適用したモータ駆動回路の構成を示す
回路図である。

【図３】本発明を適用したモータ駆動回路においてロー
サイドＭＯＳＦＥＴがオンとなった時のノイズを（ａ）
に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図であ
る。

【図４】第１比較例に係るモータ駆動回路の構成を示す
回路図である。

【図５】第１比較例に係るモータ駆動回路においてロー
サイドＭＯＳＦＥＴがオンとなった時のノイズを（ａ）
に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図であ
る。

【図６】第２比較例に係るモータ駆動回路の構成を示す
回路図である。

【図７】第２比較例に係るモータ駆動回路においてロー
サイドＭＯＳＦＥＴがオンとなった時のノイズを（ａ）
に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図であ
る。

【図８】第３比較例に係るモータ駆動回路の構成を示す
回路図である。

【図９】第３比較例に係るモータ駆動回路においてロー
サイドＭＯＳＦＥＴがオンとなった時のノイズを（ａ）
に示し、ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図であ
る。

【図１０】本発明を適用したモータ駆動回路において、
第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を１０００
ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量
を１０００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノ
イズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。

【図１１】本発明を適用したモータ駆動回路において、
第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を２２００
ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量
を１０００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノ
イズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。

【図１２】本発明を適用したモータ駆動回路において、
第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４０００
ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量
を１０００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノ
イズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。

【図１３】本発明を適用したモータ駆動回路において、
第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を１０００
０ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容
量を１０００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、
ノイズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。

【図１４】本発明を適用したモータ駆動回路において、
第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４７００
ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量
を４７０ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノイ
ズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。

【図１５】本発明を適用したモータ駆動回路において、
第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４７００
ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量
を１０００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノ
イズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。

【図１６】本発明を適用したモータ駆動回路において、
第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４７００
ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量
を１５００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノ
イズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。

【図１７】本発明を適用したモータ駆動回路において、
第１セラミックコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量を４７００
ｐＦとし、第２セラミックコンデンサＣ４〜Ｃ６の容量
を２２００ｐＦとしたときのノイズを（ａ）に示し、ノ
イズの周波数特性を（ｂ）に示した図である。

【図１８】従来のモータの駆動装置の構成を示す回路図
である。

【符号の説明】

１ モータ制御回路 ２ モータ駆動回路 １１ ブラシレスモータ ２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗ 固定子巻き線 ３１ 直流電源供給端子 ３２ 接地端子 ３３Ｕ，３３Ｖ，３３Ｗ 交流電流供給線 Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３ 第１セラミックコンデンサ Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６ 第２セラミックコンデンサ Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３ ハイサイドＭＯＳＦＥＴ Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６ ローサイドＭＯＳＦＥＴ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 司朗 東京都中野区南台５丁目24番15号 カルソ ニックカンセイ株式会社内 (72)発明者 田中 馨 東京都中野区南台５丁目24番15号 カルソ ニックカンセイ株式会社内 (72)発明者 藤崎 彰 東京都中野区南台５丁目24番15号 カルソ ニックカンセイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5H560 BB04 DA12 EB01 JJ13 UA05 XA12

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 直流電源の正負極端子間に複数のＭＯＳ
   ＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tra
   nsistor）をブリッジ接続してなり、正極側ＭＯＳＦＥ
   Ｔ又は負極側ＭＯＳＦＥＴにパルス幅が調整されたＰＷ
   Ｍ（Pulse Width Modulation）信号を供給してブラシレ
   スモータを駆動するブラシレスモータの駆動装置におい
   て、 上記ＰＷＭ信号が供給される上記ＭＯＳＦＥＴのゲート
   端子とドレイン端子との間に設けられた第１コンデンサ
   と、上記ＰＷＭ信号が供給されない上記ＭＯＳＦＥＴの
   ドレイン端子とソース端子との間に設けられた第２コン
   デンサとを備えたこと特徴とするブラシレスモータの駆
   動装置。
2. 【請求項２】 上記負極側ＭＯＳＦＥＴにＰＷＭ信号を
   供給し、上記負極側ＭＯＳＦＥＴのゲート端子とドレイ
   ン端子との間に第１コンデンサを設けると共に、正極側
   ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子との間に第２
   コンデンサを設けることを特徴とする請求項１に記載の
   ブラシレスモータの駆動装置。
3. 【請求項３】 上記第１コンデンサの容量と上記第２コ
   ンデンサの容量とを略同じにしたことを特徴とする請求
   項１又は請求項２に記載のブラシレスモータの駆動装
   置。