JP2003111474A - ブラシレスモータの駆動装置 - Google Patents
ブラシレスモータの駆動装置Info
- Publication number
- JP2003111474A JP2003111474A JP2001298096A JP2001298096A JP2003111474A JP 2003111474 A JP2003111474 A JP 2003111474A JP 2001298096 A JP2001298096 A JP 2001298096A JP 2001298096 A JP2001298096 A JP 2001298096A JP 2003111474 A JP2003111474 A JP 2003111474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- noise
- capacitor
- ceramic capacitors
- brushless motor
- mosfet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
いて発生する信号ノイズを抑制する。 【解決手段】 直流電源供給端子31と接地端子32と
の間に複数のMOSFETQ1〜Q6をブリッジ接続し
てなり、ハイサイドMOSFETQ1〜Q3又はローサ
イドMOSFETQ4〜Q6にパルス幅が調整されたP
WM信号を供給してブラシレスモータ11の回転数を制
御する装置であって、PWM信号が供給されるローサイ
ドMOSFETQ4〜Q6のゲート端子とドレイン端子
との間に設けられたセラミックコンデンサC4〜C6
と、PWM信号が供給されないハイサイドMOSFET
Q1〜Q3のドレイン端子とソース端子との間に設けら
れたセラミックコンデンサC1〜C3とを備える。
Description
に供給する電源電圧をオンオフ制御することにより交流
電流を供給して駆動するブラシレスモータの駆動装置に
関する。
回路としては、6個の半導体スイッチング素子(MOS
FET、バイポーラトランジスタ)を所謂三相ブリッジ
接続し、永久磁石からなるロータの周囲に配置された3
つのホール素子の検出信号に基づいて各半導体スイッチ
ング素子のオンオフをしてモータに交流電力を供給する
ものが知られている。
は、例えば特開平10−215595号公報で開示され
たモータの駆動回路が知られている。このモータの駆動
回路は、図18に示すように、複数のトランジスタのう
ち、低電位側に接続された低電位側トランジスタUL,
VL,WLのみをPWM制御する。これにより、低電位
側トランジスタUL,VL,WLからモータに供給する
電力量を制御してモータの回転数を制御する。
ジスタUL,VL,WLとU相、V相、W相の交流出力
線接続点との間にインダクタLU,LV,LWをそれぞ
れ接続し、このインダクタLU,LV,LW及び低電位
側トランジスタUL,VL,WLの各共通接続点と直流
正極母線Pとの間にフライホイールダイオードDU,D
V,DWをそれぞれ接続し、高電位側トランジスタU
H,VH,WHの各コレクタ−エミッタ間にコンデンサ
CU,CV,CWをそれぞれ接続して構成されている。
サCU,CV,CW及びインダクタLU,LV,LW
を、PWM信号のキャリア成分を除去するリップルフィ
ルターとして作用させる。また、このモータの駆動回路
では、インダクタLU,LV,LWにより、高電位側ト
ランジスタUH,VH,WHと低電位側トランジスタU
L,UV,UWとの間に流れる直流短絡電流を阻止す
る。更に、このモータの駆動回路では、フライホイール
ダイオードDU,DV,DWを、インダクタLU,U
V,UWの蓄積エネルギーを直流正極母線P側に帰還さ
せるために設けている。
半導体スイッチング素子としてMOSFETを使用し、
低電位側MOSFETをPWM制御するものがある。こ
のようなモータの駆動回路では、低電位側MOSFET
をオフからオンにするタイミングで、直流電源端子(直
流正極母線)と接地端子(直流負極母線)との間に発生
する信号ノイズを抑制するために、低電位側MOSFE
Tのゲート端子とドレイン端子との間にセラミックコン
デンサを設けていた。
モータの駆動回路において、半導体スイッチング素子と
してMOSFETを使用し、ゲート端子とドレイン端子
との間にセラミックコンデンサを設けた構成としただけ
では、低電位側のMOSFETのゲート端子とドレイン
端子との間の寄生容量による信号ノイズを抑制するのに
限界があった。
位側MOSFETがオンとなるタイミングで、ゲート端
子に印加される電圧が接地電位に引き込まれてゲート端
子に印加される電圧が低下することにより発生する。
高周波信号成分をバイパスするために、セラミックコン
デンサの容量を大きくすると、モータに対する交流電力
の入出力特性が変化してしまう。したがって、信号ノイ
ズ低減を目的としてセラミックコンデンサの容量を大き
くするとモータ制御ができなくなる恐れがあり、信号ノ
イズの低減に限界があった。
提案されたものであり、スイッチング素子のオンオフタ
イミングにおいて発生する信号ノイズを抑制するブラシ
レスモータの駆動回路を提供することを目的とする。
めに、請求項1に係る発明では、直流電源の正負極端子
間に複数のMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor)をブリッジ接続してなり、
正極側MOSFET又は負極側MOSFETにパルス幅
が調整されたPWM(Pulse Width Modulation)信号を
供給してブラシレスモータを駆動するブラシレスモータ
の駆動装置において、上記PWM信号が供給される上記
MOSFETのゲート端子とドレイン端子との間に設け
られた第1コンデンサと、上記PWM信号が供給されな
い上記MOSFETのドレイン端子とソース端子との間
に設けられた第2コンデンサとを備えたこと特徴とす
る。
発明であって、上記負極側MOSFETにPWM信号を
供給し、上記負極側MOSFETのゲート端子とドレイ
ン端子との間に第1コンデンサを設けると共に、正極側
MOSFETのドレイン端子とソース端子との間に第2
コンデンサを設けることを特徴とする。
求項2に係る発明であって、上記第1コンデンサの容量
と上記第2コンデンサの容量とを略同じにしたことを特
徴とする。
号が供給されるMOSFETのゲート端子とドレイン端
子との間に第1コンデンサを設けると共に、PWM信号
が供給されないMOSFETのドレイン端子とソース端
子との間に第2コンデンサを設ける構成にしたので、第
2コンデンサによりPWM信号が供給されるMOSFE
Tがオンとなったときにゲート端子に印加される電圧の
低下を防止することができ、PWM信号が供給されるM
OSFETがオンとなるときに発生するノイズの振幅を
小さくすると共に、放射ノイズとなるノイズ成分を低減
することができる。
TにPWM信号を供給し、負極側MOSFETのゲート
端子とドレイン端子との間に第1コンデンサを設けると
共に、正極側MOSFETのドレイン端子とソース端子
との間に第2コンデンサを設けたので、PWM信号が供
給される負極側MOSFETがオンとなるときに発生す
るノイズの振幅を小さくすると共に、放射ノイズとなる
ノイズ成分を低減することができる。
ンサの容量と第2コンデンサの容量とを略同じにするこ
とにより、更に放射ノイズのノイズ成分を低減すること
ができる。
て図面を参照して説明する。
れたブラシレスモータの制御装置に適用される。このブ
ラシレスモータの制御装置は、外部からPWM(Pulse
Width Modulation)制御信号を入力するモータ制御回路
1と、このモータ制御回路1からの信号を入力して交流
電力をブラシレスモータ11に供給するモータ駆動回路
2とから構成されている。
れるブラシレスモータ11は、駆動磁界を発生させるU
相、V相、W相の固定子巻き線21U,21V,21W
と、これらの固定子巻き線21U,21V,21Wによ
り発生する駆動磁界により回転駆動される永久磁石回転
子とを備えて構成されている。ブラシレスモータ11
は、固定子巻き線21U,21V,21Wにモータ駆動
回路2からの駆動電流が供給されることで永久磁石回転
子を回転させる。
1の永久磁石回転子の回転角度を検出するホール素子
(図示せず)からの検出信号を入力し、ブラシレスモー
タ11の回転状態を検出する。また、モータ制御回路1
は、外部からブラシレスモータ11の回転数を指示する
回転数指示信号であるPWM制御信号を入力する。
モータ11の回転状態と、入力したPWM制御信号とを
比較して、指示されたブラシレスモータ11の回転数と
するようにPWM信号を生成してモータ駆動回路2に供
給する。このとき、モータ制御回路1は、目標とするブ
ラシレスモータ11の回転数に応じてパルス幅変調をす
ることでデューティ比を調整したPWM信号を生成す
る。モータ制御回路1により生成されるPWM信号は、
約20MHzでMOSFETをオンオフ動作させる。
駆動回路2を構成するハイサイドMOSFETQ1〜Q
3及びローサイドMOSFETQ4〜Q6のオンオフタ
イミングを制御する。このとき、モータ制御回路1は、
ハイサイドMOSFETQ1,Q2,Q3を120度の
位相角で順次オン制御をすると共に、ローサイドMOS
FETQ4、Q5、Q6を同一相のハイサイドMOSF
ETQ1,Q2,Q3に対してそれぞれ180度の位相
差でオン制御をする。更に、モータ制御回路1は、ロー
サイドMOSFETQ4〜Q6のオン期間においてPW
M信号を出力して、ローサイドMOSFETQ4〜Q6
をPWM制御する。
イドMOSFETQ4〜Q6に出力する場合について説
明するが、モータ制御回路1は、生成したPWM信号
を、後述のモータ駆動回路2を構成するハイサイドMO
SFET及びローサイドMOSFETの双方に出力して
も良く、ハイサイドMOSFET又はローサイドMOS
FETの片方に出力しても良い。
制御回路1と接続し、ドレイン端子を直流電源供給端子
31と接続し、ソース端子をブラシレスモータ11の固
定子巻き線21U,21V,21Wと接続したハイサイ
ドMOSFETQ1,Q2,Q3を備える。また、モー
タ駆動回路2は、ゲート端子をモータ制御回路1と接続
し、ドレイン端子をハイサイドMOSFETQ1,Q
2,Q3と接続し、ソース端子を接地端子32と接続し
たローサイドMOSFETQ4,Q5,Q6を備える。
ハイサイドMOSFETQ1〜Q3及びローサイドMO
SFETQ4〜Q6は、ドレイン端子とソース端子との
間に寄生ダイオードを含んで構成されている。ハイサイ
ドMOSFETQ1,Q2,Q3はそれぞれローサイド
MOSFETQ4,Q5,Q6を介して接地端子32と
接続され、ローサイドMOSFETQ4,Q5,Q6は
それぞれハイサイドMOSFETQ1,Q2,Q3を介
して直流電源供給端子31と接続されている。
イドMOSFETQ1,Q2,Q3とローサイドMOS
FETQ4,Q5,Q6との接続点に、固定子巻き線2
1UとハイサイドMOSFETQ1及びローサイドMO
SFETQ4とを接続する交流電流供給線33U、固定
子巻き線21VとハイサイドMOSFETQ2及びロー
サイドMOSFETQ5とを接続する交流電流供給線3
3V、固定子巻き線21WとハイサイドMOSFETQ
3及びローサイドMOSFETQ6とを接続する交流電
流供給線33Wが設けられている。
OSFETQ1のドレイン端子とソース端子との間に第
1セラミックコンデンサC1を設け、ハイサイドMOS
FETQ2のドレイン端子とソース端子との間に第1セ
ラミックコンデンサC2を設け、ハイサイドMOSFE
TQ3のドレイン端子とソース端子との間に第1セラミ
ックコンデンサC3を設けている。
ドMOSFETQ4のゲート端子とドレイン端子との間
に第2セラミックコンデンサC4を設け、ローサイドM
OSFETQ5のゲート端子とドレイン端子との間に第
2セラミックコンデンサC5を設け、ローサイドMOS
FETQ6のゲート端子とドレイン端子との間に第2セ
ラミックコンデンサC6を設けている。
なされないハイサイドMOSFETQ1〜Q3のドレイ
ン端子とソース端子との間に第1セラミックコンデンサ
C1〜C3を設けると共に、PWM制御がなされるロー
サイド第2セラミックコンデンサC4〜C5のゲート端
子とドレイン端子との間に第2セラミックコンデンサC
4〜C6を設けた場合において、ローサイドMOSFE
TQ4〜Q6がオフからオンするときに直流電源供給端
子31と接地端子32との間に発生するノイズを図3
(a)に示し、ノイズに対してFFT(Fast Fourier T
ransform)を行った結果得た周波数特性を図3(b)に
示す。
FETQ4〜Q6のノイズの振幅を小さくすることがで
き、図3(b)に示すように放射ノイズとなる30MH
z以上の周波数域におけるノイズ成分を低減することが
できる。ここで、放射ノイズとは、ラジオノイズ等の他
の機器の動作に影響を与えるような電磁波であって、主
としてFM周波数帯の周波数を有する。
に示すようにハイサイドMOSFETQ1〜Q3につい
ての第1セラミックコンデンサC1〜C3のみを設けた
時のモータ駆動回路であり、図5にローサイドMOSF
ETQ4〜Q6がオンとなった時に発生するノイズ
(a)、ノイズの周波数特性(b)を示す。
比較してノイズの振幅が大きくなり(図5(a))、図
3(b)に示す場合と比較して30MHz以上の周波数
帯での振幅が大きくなっていることが分かる(図5
(b))。
ドMOSFETQ4〜Q6についての第2セラミックコ
ンデンサC4〜C6のみを設けた時のモータ駆動回路で
あり、図7にローサイドMOSFETQ4〜Q6がオン
となった時に発生するノイズ(a)、ノイズの周波数特
性(b)を示す。
比較してノイズの振幅が大きくなり(図7(a))、図
3(b)に示す場合と比較して30MHz以上の周波数
帯での振幅が大きくなっていることが分かる(図7
(b))。
ミックコンデンサC1〜C3及び第2セラミックコンデ
ンサC4〜C6を設けない時のモータ駆動回路であり、
図9にローサイドMOSFETQ4〜Q6がオンとなっ
た時に発生するノイズ(a)、ノイズの周波数特性
(b)を示す。
比較してノイズの振幅が更に大きくなり(図7
(a))、図3(b)に示す場合と比較して30MHz
以上の周波数帯での振幅が更に大きくなっていることが
分かる(図7(b))。
の結果から、PWM制御がなされないハイサイドMOS
FETQ1〜Q3のドレイン端子とソース端子との間に
第1セラミックコンデンサC1〜C3を設けると共に、
PWM制御がなされるローサイドローサイドMOSFE
TQ4〜Q6のゲート端子とドレイン端子との間に第2
セラミックコンデンサC4〜C6を設けることにより、
ローサイドMOSFETQ4〜Q6がオンとなるときに
発生するノイズの振幅を小さくすると共に、放射ノイズ
となる30MHz以上のノイズ成分を低減することがで
きる。
6がオンとなる時に、ローサイドMOSFETQ4〜Q
6のゲート端子に印加される電圧が接地端子32側に引
き込まれてゲート端子に印加される電圧の低下を第1セ
ラミックコンデンサC1〜C3により緩和することによ
り、第2セラミックコンデンサC4〜C6の効果を促進
することができることによる。
3及び第2セラミックコンデンサC4〜C6を設けるこ
とにより、ハイサイドMOSFETQ1〜Q3の寄生ダ
イオードの誤動作を防止することができる。
よれば、第2セラミックコンデンサC4〜C6の容量を
大きくしなくてもノイズ成分を抑制することができるの
で、ブラシレスモータ11に供給する交流電流に影響を
与えることがない。
C3の容量を変化させたときに、ローサイドMOSFE
TQ4〜Q6がオフからオンとなるときに発生するノイ
ズと、ノイズ成分の周波数特性について図10〜図13
を参照して説明する。なお、本例では、第2セラミック
コンデンサC4〜C6の容量を1000pFとした。
C3の容量を1000pFとした場合のノイズとノイズ
成分の周波数特性とを示し、図11は第1セラミックコ
ンデンサC1〜C3の容量を2200pFとした場合の
ノイズとノイズ成分の周波数特性とを示し、図12は第
1セラミックコンデンサC1〜C3の容量を4200p
Fとした場合のノイズとノイズ成分の周波数特性とを示
し、図13は第1セラミックコンデンサC1〜C3の容
量を10000pFとした場合のノイズとノイズ成分の
周波数特性とを示す。
1セラミックコンデンサC1〜C3の容量を変化させて
もノイズの振幅は余り変化せず、第1セラミックコンデ
ンサC1〜C3の容量には依存しないことが分かる。一
方、図10(b)〜図13(b)によれば、図10
(b)に示すように第1セラミックコンデンサC1〜C
3と第2セラミックコンデンサC4〜C6とが同容量で
あるときには放射ノイズ成分を低減させることができ、
第1セラミックコンデンサC1〜C3と第2セラミック
コンデンサC4〜C6との容量差が大きくなるほど放射
ノイズ成分が増大することが分かる。
C6の容量を変化させたときに、ローサイドMOSFE
TQ4〜Q6がオフからオンとなるときに発生するノイ
ズと、ノイズ成分の周波数特性について図14〜図17
を参照して説明する。なお、本例では、第1セラミック
コンデンサC1〜C3の容量を4700pFとした。
C6の容量を470pFとした場合のノイズとノイズ成
分の周波数特性とを示し、図15は第2セラミックコン
デンサC4〜C6の容量を1000pFとした場合のノ
イズとノイズ成分の周波数特性とを示し、図16は第2
セラミックコンデンサC4〜C6の容量を1500pF
とした場合のノイズとノイズ成分の周波数特性とを示
し、図17は第2セラミックコンデンサC4〜C6の容
量を2200pFとした場合のノイズとノイズ成分の周
波数特性とを示す。
2セラミックコンデンサC4〜C6の容量を変化させて
もノイズの振幅は余り変化せず、第2セラミックコンデ
ンサC4〜C6の容量には依存しないことが分かる。一
方、図14(b)〜図17(b)によれば、図17
(b)に示すように第1セラミックコンデンサC1〜C
3と第2セラミックコンデンサC4〜C6との容量が近
くなるほど放射ノイズ成分を低減させることができ、第
1セラミックコンデンサC1〜C3と第2セラミックコ
ンデンサC4〜C6との容量差が大きくなるほど放射ノ
イズ成分が増大することが分かる。
ラミックコンデンサC1〜C3と第2セラミックコンデ
ンサC4〜C6とが略同容量であるときに、PWM制御
されるMOSFETにより発生するノイズの振幅を小さ
くすると共に、放射ノイズ成分を低減することができる
ことが分かる。
3及び第2セラミックコンデンサC4〜C6は、その容
量が1000pF〜10000pFであることが望まし
い。これにより、PWM制御によりオンオフすることに
より発生するノイズのうち、FM周波数帯のノイズ成分
のみを除去することができる。
ある。このため、本発明は、上述の実施形態に限定され
ることはなく、この実施の形態以外であっても、本発明
に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に
応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
の構成を示す回路図である。
回路図である。
サイドMOSFETがオンとなった時のノイズを(a)
に示し、ノイズの周波数特性を(b)に示した図であ
る。
回路図である。
サイドMOSFETがオンとなった時のノイズを(a)
に示し、ノイズの周波数特性を(b)に示した図であ
る。
回路図である。
サイドMOSFETがオンとなった時のノイズを(a)
に示し、ノイズの周波数特性を(b)に示した図であ
る。
回路図である。
サイドMOSFETがオンとなった時のノイズを(a)
に示し、ノイズの周波数特性を(b)に示した図であ
る。
第1セラミックコンデンサC1〜C3の容量を1000
pFとし、第2セラミックコンデンサC4〜C6の容量
を1000pFとしたときのノイズを(a)に示し、ノ
イズの周波数特性を(b)に示した図である。
第1セラミックコンデンサC1〜C3の容量を2200
pFとし、第2セラミックコンデンサC4〜C6の容量
を1000pFとしたときのノイズを(a)に示し、ノ
イズの周波数特性を(b)に示した図である。
第1セラミックコンデンサC1〜C3の容量を4000
pFとし、第2セラミックコンデンサC4〜C6の容量
を1000pFとしたときのノイズを(a)に示し、ノ
イズの周波数特性を(b)に示した図である。
第1セラミックコンデンサC1〜C3の容量を1000
0pFとし、第2セラミックコンデンサC4〜C6の容
量を1000pFとしたときのノイズを(a)に示し、
ノイズの周波数特性を(b)に示した図である。
第1セラミックコンデンサC1〜C3の容量を4700
pFとし、第2セラミックコンデンサC4〜C6の容量
を470pFとしたときのノイズを(a)に示し、ノイ
ズの周波数特性を(b)に示した図である。
第1セラミックコンデンサC1〜C3の容量を4700
pFとし、第2セラミックコンデンサC4〜C6の容量
を1000pFとしたときのノイズを(a)に示し、ノ
イズの周波数特性を(b)に示した図である。
第1セラミックコンデンサC1〜C3の容量を4700
pFとし、第2セラミックコンデンサC4〜C6の容量
を1500pFとしたときのノイズを(a)に示し、ノ
イズの周波数特性を(b)に示した図である。
第1セラミックコンデンサC1〜C3の容量を4700
pFとし、第2セラミックコンデンサC4〜C6の容量
を2200pFとしたときのノイズを(a)に示し、ノ
イズの周波数特性を(b)に示した図である。
である。
Claims (3)
- 【請求項1】 直流電源の正負極端子間に複数のMOS
FET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tra
nsistor)をブリッジ接続してなり、正極側MOSFE
T又は負極側MOSFETにパルス幅が調整されたPW
M(Pulse Width Modulation)信号を供給してブラシレ
スモータを駆動するブラシレスモータの駆動装置におい
て、 上記PWM信号が供給される上記MOSFETのゲート
端子とドレイン端子との間に設けられた第1コンデンサ
と、上記PWM信号が供給されない上記MOSFETの
ドレイン端子とソース端子との間に設けられた第2コン
デンサとを備えたこと特徴とするブラシレスモータの駆
動装置。 - 【請求項2】 上記負極側MOSFETにPWM信号を
供給し、上記負極側MOSFETのゲート端子とドレイ
ン端子との間に第1コンデンサを設けると共に、正極側
MOSFETのドレイン端子とソース端子との間に第2
コンデンサを設けることを特徴とする請求項1に記載の
ブラシレスモータの駆動装置。 - 【請求項3】 上記第1コンデンサの容量と上記第2コ
ンデンサの容量とを略同じにしたことを特徴とする請求
項1又は請求項2に記載のブラシレスモータの駆動装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001298096A JP4116275B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | ブラシレスモータの駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001298096A JP4116275B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | ブラシレスモータの駆動装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003111474A true JP2003111474A (ja) | 2003-04-11 |
JP4116275B2 JP4116275B2 (ja) | 2008-07-09 |
Family
ID=19119049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001298096A Expired - Fee Related JP4116275B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | ブラシレスモータの駆動装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4116275B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006115095A1 (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 駆動回路および表示装置 |
-
2001
- 2001-09-27 JP JP2001298096A patent/JP4116275B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006115095A1 (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 駆動回路および表示装置 |
JPWO2006115095A1 (ja) * | 2005-04-21 | 2008-12-18 | 松下電器産業株式会社 | 駆動回路および表示装置 |
JP4516601B2 (ja) * | 2005-04-21 | 2010-08-04 | パナソニック株式会社 | 駆動回路および表示装置 |
US8144142B2 (en) | 2005-04-21 | 2012-03-27 | Panasonic Corporation | Drive circuit and display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4116275B2 (ja) | 2008-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6891342B2 (en) | Drive apparatus for PWM control of two inductive loads with reduced generation of electrical noise | |
US7276867B2 (en) | Controller arrangement with adaptive non-overlapping commutation | |
US6528968B2 (en) | Brushless-motor driver in PWM mode | |
US20090052211A1 (en) | Power converter | |
US20070053213A1 (en) | Wide-voltage-range converter | |
US11329588B2 (en) | Power conversion device, motor module, and electric power steering device | |
WO2006052032A1 (ja) | 電力変換装置 | |
US9590554B2 (en) | Electric power converter | |
US9614471B2 (en) | Motor controller and method for controlling motor | |
JP4212546B2 (ja) | 電力変換装置 | |
US6222751B1 (en) | Driver circuit for a polyphase DC motor with minimized voltage spikes | |
JP3025715B2 (ja) | インバータ回路 | |
JP3716702B2 (ja) | ブートストラップキャパシタの充電方法 | |
JP2004201453A (ja) | 直流3相ブラシレスモータの駆動装置 | |
JP4116275B2 (ja) | ブラシレスモータの駆動装置 | |
JP2003219687A (ja) | モータ駆動装置及び送風機及び圧縮機及び冷凍空調装置 | |
JP2003348880A (ja) | モータの制御装置およびその制御方法 | |
JPH05308778A (ja) | 電気自動車駆動用インバータ | |
JP2010166681A (ja) | 交流機制御装置 | |
US9608545B1 (en) | Switching interference suppression in motor driving circuits using space vector pulse width modulation (PWM) | |
JP3889325B2 (ja) | モータ駆動装置 | |
JP3493399B2 (ja) | Pwmインバータの電流制御方法およびその装置 | |
JP4862126B2 (ja) | モータ駆動装置及びモータ駆動方法 | |
JP3067389B2 (ja) | モジュール化igbtのゲート駆動方法 | |
WO2023095830A1 (ja) | スイッチング回路、インバータ回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080313 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080408 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080417 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4116275 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120425 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130425 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140425 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |