JP2003110420A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 一端にて低振幅の論理信号を入力する第１の容量と、
   前記第１の容量の他端に、第１の電圧をオフセットする第１のオフセット回路と、
   一端にて前記低振幅の論理信号を入力する第２の容量と、
   前記第２の容量の他端に、第２の電圧をオフセットする第２のオフセット回路と、
   高振幅の論理信号における電源電圧の供給線とその基準電圧の供給線との間に直列に接続されるとともに、その接続点を出力端とする第１および第２のスイッチング素子とを備えたレベルシフタであって、
   前記第１のスイッチング素子は前記第１の容量の他端に接続されており、
   前記第２のスイッチング素子は前記第２の容量の他端に接続されており、
   当該レベルシフタの出力にかかわらず、前記第１および第２のスイッチング素子が互いに排他的にオンオフするように、前記第１の容量の他端および前記第２の容量の他端に、それぞれ初期電圧を印加する初期化回路を
   備えることを特徴とするレベルシフタ。
2. 前記初期化回路には、
   高振幅の論理信号における低位側電圧が初期化信号として印加されることを特徴とする請求項１に記載のレベルシフタ。
3. 前記初期化回路には、
   高振幅の論理信号における高位側電圧が初期化信号として印加されることを特徴とする請求項１に記載のレベルシフタ。
4. 前記電源電圧の供給線、もしくは、前記基準電圧の供給線のいずれか一方と前記第１の容量の他端との間に接続された第３のスイッチング素子と、
   前記電源電圧の供給線、もしくは、前記基準電圧の供給線のうち前記第３のスイッチング素子に接続された供給線と前記第２の容量の他端との間に接続された第４のスイッチング素子とを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のレベルシフタ。
5. 前記第１のスイッチング素子は、前記第１の容量の他端における信号電圧が、前記第１の電圧よりも低く設定された第１のしきい値以下であればオンし、
   前記第２のスイッチング素子は、前記第２の容量の他端における信号電圧が、前記第２の電圧よりも高く設定された第２のしきい値以上であればオンする
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のレベルシフタ。
6. 前記第１のスイッチング素子はＰチャネル型トランジスタであり、前記第２のスイッチング素子はＮチャネル型トランジスタであり、
   前記第１のオフセット回路は、
   前記電源電圧の供給線と前記基準電圧の供給線との間に直列接続されたＰチャネル型トランジスタおよびＮチャネル型トランジスタであって、その接続点電圧を前記第１の電圧並びに該Ｐチャネル型トランジスタおよびＮチャネル型トランジスタのゲート電圧とし、
   前記第２のオフセット回路は、
   前記電源電圧の供給線と前記基準電圧の供給線との間に直列接続されたＰチャネル型トランジスタおよびＮチャネル型トランジスタであって、その接続点電圧を前記第２の電圧並びに該Ｐチャネル型トランジスタおよびＮチャネル型トランジスタのゲート電圧としている、
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のレベルシフタ。
7. 一端にて低振幅の論理信号を入力する第２の容量と、
   前記第２の容量の他端に、第２の電圧をオフセットする第２のオフセット回路と、
   高振幅の論理信号における電源電圧の供給線とその基準電圧の供給線との間に直列接続されるとともに、その接続点を出力端とする第１および第２のスイッチング素子とを備えたレベルシフタであって、
   前記第１のスイッチング素子には低振幅の論理信号が入力され、
   前記第２のスイッチング素子は前記第２の容量の他端に接続されており、
   当該レベルシフタの出力にかかわらず、前記第１および第２のスイッチング素子が互いに排他的にオンオフするように、前記第１の容量の他端および前記第２の容量の他端に、それぞれ初期電圧を印加する初期化回路を
   備えることを特徴とするレベルシフタ。
8. 一端にて低振幅の論理信号を入力する第１の容量と、
   前記第１の容量の他端に、第１の電圧をオフセットするオフセット回路と、
   高振幅の論理信号における電源電圧の供給線とその基準電圧の供給線との間に直列接続されるとともに、その接続点を出力端とする第１および第２のスイッチング素子とを備えたレベルシフタであって、
   前記第１のスイッチング素子は前記第１の容量の他端に接続されており、
   前記第２のスイッチング素子には低振幅の論理信号が入力され、
   当該レベルシフタの出力にかかわらず、前記第１および第２のスイッチング素子が互いに排他的にオンオフするように、前記第１の容量の他端および前記第２の容量の他端に、それぞれ初期電圧を印加する初期化回路を
   備えることを特徴とするレベルシフタ。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載のレベルシフタを用いたことを特徴とする電気光学装置。