JP2003086764A

JP2003086764A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2003086764A
Application number: JP2001276580A
Authority: JP
Inventors: Toshio Shimizu; 敏夫清水; Hiroyuki Hiramoto; 裕行平本; Hironori Sekiya; 洋紀関谷; Hisaaki Matsumoto; 寿彰松本; Kenji Kijima; 研二木島
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2001-09-12
Filing date: 2001-09-12
Publication date: 2003-03-20

Abstract

(57)【要約】【課題】絶縁特性・耐熱サイクル性に優れ、信頼性に
富む半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁基板と、絶縁基板の上に配置された
複数の金属板と、各金属板の上に配置された半導体素子
とを少なくとも有する半導体装置において、（１）隣り
合う前記金属板の隙間を被覆する固体絶縁物と、当該固
体絶縁物に形成されたスリットとを有する、或いは
（２）隣り合う前記金属板の隙間を被覆する固体絶縁物
と、当該スリットの代わりに固体絶縁物に対して非接着
性を持つフィルムとを有する、若しくは（３）隣り合う
前記金属板の隙間を被覆する、柔軟なゴム状の材料であ
る熱硬化性のエストラマーを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
特に複数のパワーチップを搭載したパワートランジスタ
モジュールなどのモジュール型半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、複数のパワーチップを搭載したパ
ワートランジスタモジュールなどにおいては、図５
（ａ）に示すように、絶縁基板５１の表裏面に電極（銅
板）５２が取り付けられ、その表面に複数の半導体素子
３が載置されている。絶縁基板５１は金属製の放熱板５
５上に取り付けられ、ケース５６で囲われている。ケー
ス５６の上部に外部接続用リード線７を有するターミナ
ルホルダー５８を取り付け、シリコーンゲル５９をケー
ス５６内に流し込み硬化させて、封止部材６０で密封さ
れている。

【０００３】また、電界が集中する銅板５２の端部は、
端部樹脂モールド６１として、シリコーンゲル５９に比
して絶縁特性に優れたポリイミド樹脂が部分的に被覆さ
れている。その他のケース５６内部全体の封止には、耐
熱サイクル性に優れた柔らかいシリコーンゲル５９が用
いられている。

【０００４】なお、近年、よりコンパクトな構造を実現
する為、パワー素子の実装密度はますます高くなりつつ
ある。同一絶縁基板５１上に多数のチップ５３を実装す
る場合が多くなり、複数の銅板５２が最小限の距離で接
近することになる。これらの銅板５２の間に配置された
電極間樹脂モールド（ポリイミド樹脂）６２は、電極５
２間を繋ぐように充填されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】１つの電極間樹脂モー
ルド６２の両端は、図５（ｂ）に示すように銅板５２の
エッジを保持する形となる。また、パワートランジスタ
モジュールの運転及び休止に伴い、装置全体に大きな温
度変化が生じ、銅板５２の膨張収縮が起こる。よって、
電極間樹脂モールド６２は、銅板５２の膨張収縮によっ
て大きな機械的ストレスを被る。その結果、樹脂と銅板
５２の界面、或いは、樹脂と絶縁基板５１の界面に剥離
１３が発生する。また、銅板５２のエッジ部など応力集
中部からクラック（亀裂）１４が発生する可能性も高
い。実際に、剥離１３或いは亀裂１４が原因となって、
パワートランジスタモジュールの電気絶縁性が初期値か
ら大きく低下してしまう。

【０００６】本発明はこのような従来技術の問題点を解
決するために成されたものであり、その目的は、絶縁特
性・耐熱サイクル性に優れ、信頼性に富む半導体装置を
提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、絶縁基
板と、絶縁基板の上に配置された複数の金属板と、各金
属板の上に配置された半導体素子とを少なくとも有する
半導体装置において、（１）隣り合う前記金属板の隙間
を被覆する固体絶縁物と、当該固体絶縁物に形成された
スリットとを有する、或いは、（２）隣り合う前記金属
板の隙間を被覆する固体絶縁物と、当該スリットの代わ
りに固体絶縁物に対して非接着性を持つフィルムとを有
する、若しくは、（３）隣り合う前記金属板の隙間を被
覆する、柔軟なゴム状の材料である熱硬化性のエストラ
マーを有することである。

【０００８】半導体装置の運転及び停止に伴うヒートサ
イクルによって、熱膨張率の差により隣接する金属板の
隙間は閉じたり、開いたりという挙動を示す。これに伴
い、電極間樹脂モールドには引っ張り／圧縮負荷が繰り
返し加わることになる。電極間樹脂モールド（固体絶縁
物）にスリットを形成して縁切りすることにより、応力
の伝達路を遮断することができる。その結果、界面の剥
離や金属板エッジ部からのクラックなどのヒートサイク
ル時の損傷を防ぐことができる。スリットの代わりに予
めフィルムを形成しても同様な作用効果を奏する。ま
た、電極間樹脂モールドとして固体絶縁物に比して柔軟
なエストラマーを使用しても、引っ張り／圧縮負荷を緩
和することができる。

【０００９】本発明の特徴において、固体絶縁物とし
て、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂な
どの熱硬化性樹脂を使用することが望ましい。また、ス
リットは、固体絶縁物中にレーザ光を照射して形成する
ことが望ましい。更に、フィルムとして、ポリイミド或
いはテフロン（登録商標）製フィルムを使用することが
望ましい。また更に、エストラマーとして、シリコーン
或いはポリウレタンを使用することが望ましい。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。図面の記載において同一あるいは
類似部分には同一あるいは類似な符号を付している。た
だし、図面は模式的なものであり、層の厚みと幅との関
係、各層の厚みの比率などは現実のものとは異なること
に留意すべきである。また、図面の相互間においても互
いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていること
はもちろんである。

【００１１】（第１の実施の形態）図１（ａ）は、第１
の実施の形態に係る半導体装置の全体構成を示す断面図
である。図１（ａ）に示すように、第１の実施の形態に
係る半導体装置は、平板状の絶縁基板１と、絶縁基板１
の表裏面に配置された複数の金属板（銅板）２と、各銅
板２の上に配置された半導体素子３とを少なくとも有す
るパワートランジスタモジュールである。

【００１２】１つの絶縁基板１の表面には複数の銅板２
及び半導体素子（パワートランジスタ）３が所定の間隔
をおいて配置されている。各銅板２及び半導体素子３
は、絶縁基板１を介して、絶縁基板１の裏面に形成され
た銅板２から電気的に絶縁されている。絶縁基板１の裏
面に形成された銅板２の下には、半導体素子３に通電す
ることにより発生する熱を半導体装置外部へ放出する為
の放熱板５が配置されている。半導体素子３から発生す
る熱は、銅板２及び絶縁基板１を通じて放熱板５から放
出される。ここでは、絶縁基板１として厚さ１ｍｍの窒
化アルミニウムを用い、金属板として厚さ０．２ｍｍの
銅板２を用いる。

【００１３】放熱板５の外周には、半導体素子３及び絶
縁基板２を取り囲むように、放熱板５に対して垂直に絶
縁性のケース６が形成されている。放熱板５及びケース
６からなる筐体（パッケージ）の内部には、シリコーン
ゲル９が充填されている。ケース６の上端部分には、半
導体素子３の数と同じだけの外部端子用リード線７を保
持するターミナルホルダー８が配置されている。ケース
６の上端とターミナルホルダー８の間には封止部材１０
が配置されている。封止部材１０によって、シリコーン
ゲル９が充填されたパッケージ内部が密閉されている。
なお、パッケージ内部に配置された外部端子用リード線
７の一端は、各半導体素子３に接続されている。

【００１４】隣り合う銅板２の隙間には電極間樹脂モー
ルド１２が被覆されている。図１（ａ）においては、３
つの銅板２の隙間に２つの電極間樹脂モールド１２が形
成されている。絶縁基板１上の外周部分に位置する銅板
２の端部には、端部樹脂モールド１１が形成されてい
る。第１の実施の形態において、電極間樹脂モールド１
２及び端部樹脂モールド１１は、共に、熱硬化性樹脂か
らなる固体絶縁物からなる。熱硬化性樹脂としては、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを用
いることができる。電極間樹脂モールド１２には、絶縁
基板１の表面に対して垂直に形成された所定の幅を有す
るスリット１２が形成されている。スリット１２の詳細
については、図２を参照して後述する。

【００１５】図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した半導体
装置の上面図である。図１（ｂ）においては、パッケー
ジ内部の構成を示すため、ターミナルホルダー８、外部
端子用リード線７、封止部材１０、及びシリコーンゲル
９を除く他の構成要素を示している。図１（ａ）は、図
１（ｂ）におけるＩ−Ｉ切断面に沿った断面を示してい
る。絶縁基板１の上には、３つの銅板２及び３つの半導
体素子３が載置されている。絶縁基板１を取り囲むよう
に、放熱板５の外周にケース６が配置されている。絶縁
基板１の外周部分に位置する銅板２の端部に端部樹脂モ
ールド１１が形成され、３つの銅板２の隙間に２つの電
極間樹脂モールド１２が形成されている。電極間樹脂モ
ールド１２の中央部分には、直線状のスリット１５が形
成され、絶縁基板１がスリット１２から表出している。
電極間樹脂モールド１２はスリット１５によって縁切り
されている。

【００１６】図２は、図１（ａ）に示した電極間樹脂モ
ールド１２及びスリット１５を拡大して示す断面図であ
る。電極間樹脂モールド１２は、隣接する銅板２の隙間
に埋め込まれ、その一部が、銅板２の上まで盛り上がっ
て形成されている。電極間樹脂モールド１２の両端部
は、銅板５２のエッジを被覆している。電極間樹脂モー
ルド１２の中央部分には、絶縁基板１まで達する幅０．
４ｍｍの溝（スリット）１５が形成されている。スリッ
ト１５によって、電極間樹脂モールド１２が２つに分離
（縁切り）されている。

【００１７】スリット１５は、直線的な構造であれば良
く、極めて細いカッターによる細密機械加工で形成する
ことができる。また、曲面であれば、コンピュータ制御
を利用したレーザ加工技術を適用できる。熱硬化性樹脂
の分解温度は、絶縁基板１を構成するセラミックスの耐
熱性よりかなり低いので、レーザ出力を絞り、調整する
ことにより絶縁基板１に損傷を与えることなく、電極間
樹脂モールド１２のみを除去し、スリット１５を作製す
ることができる。

【００１８】上述した第１の実施の形態にかかわる半導
体装置によれば、以下に示す作用効果を奏する。パッケ
ージ内部にシリコーンゲル９を充填することで、空気の
場合と比べて半導体装置の絶縁特性を向上させることが
できる。即ち、小さな絶縁距離で所定の製品の絶縁仕様
を満足することができるので、よりコンパクトな構造を
提供できる。なお、シリコーンゲル９は、絶縁・封止を
目的とするだけでなく、その他にも外部のごみやチリの
進入を防ぐ効果がある。また、シリコーンゲル９は柔軟
なゴム状であるので、温度サイクルによる銅板２の膨張
収縮を吸収して、リード線などに機械的な負荷を与える
ことが無く、破損させる危険性が少ない。なお、シリコ
ーンゲル９の代わりにポリウレタン樹脂など柔軟な絶縁
物を用いても構わない。

【００１９】半導体素子３に高電圧が印加される銅板２
と接地された放熱板５との間には大きな電気的ストレス
が発生する。ここで最も電界が集中するのは、絶縁基板
１表面に形成された電極（銅板）２のエッジ部分であ
る。この部分から部分放電が発生し、最終的な絶縁破壊
の起点となるものである。従って、例えば図２に示した
ように、銅板２のエッジ部分を部分的に電気特性に優れ
た固体絶縁物を被覆して絶縁強化を図る。ここでいう固
体絶縁物は、端部樹脂モールド１１及び電極間樹脂モー
ルド１２を示す。固体絶縁物（１１、１２）の周辺に
は、リード線７などに機械的損傷を与えないように、パ
ッケージ内部全体をシリコーンゲル９或いはポリウレタ
ン樹脂など柔軟な絶縁物で封止する。

【００２０】しかし、以下に示す理由から、電極間樹脂
モールド１２にスリット１５を形成する必要が生じる。
半導体装置のよりコンパクトな構造を実現する為、パワ
ー素子の実装密度はますます高くなりつつある。実装密
度を上げる為には１枚の絶縁基板１に多数の半導体素子
３を搭載する必要があり、これに対応して電極となる銅
板２も多数配置される。従って必然的に、複数の銅板２
が最小限の距離で接近することになる。電極間樹脂モー
ルド１２は、隣接する導板２の隙間を繋ぐように充填さ
れることになり、電極間樹脂モールド１２の両側には銅
板２が配置されるようになる。

【００２１】半導体素子３に通電させると、半導体素子
３の温度は１００℃以上にまで上昇し、その周囲の構成
要素の温度も上昇する。寒冷地（−３０℃）で半導体装
置を使用した場合、−３０℃から短時間で温度が上昇
し、停止時に短時間で温度が低下するという大きなヒー
トサイクルが負荷される。このヒートサイクルの間、熱
膨張率の差により銅板２間は閉じたり、開いたりという
挙動を繰り返す。これに伴い、電極間樹脂モールド１２
には、引っ張り／圧縮負荷が繰り返し加わることにな
る。

【００２２】電極間樹脂モールド１２の中央部分に、絶
縁基板１にまで達するスリット１５を形成して、電極間
樹脂モールド１２を縁切りすることで、引っ張り／圧縮
負荷の伝達路を遮断することができる。その結果、絶縁
基板１と電極間樹脂モールド１２の界面、或いは銅板２
と電極間樹脂モールド１２の界面の剥離や、銅板２のエ
ッジ部からのクラックなどのヒートサイクル時の損傷を
防ぐことができる。

【００２３】（第２の実施の形態）第１の実施の形態に
おいては、電極間樹脂モールド１２に直線状のスリット
１５を形成して、ヒートサイクル時に加わる応力の伝達
路を遮断する場合について説明した。第２の実施の形態
では、スリットの代わりに予め薄膜状のフィルムを配置
する場合について説明する。

【００２４】第２の実施の形態に係る半導体装置の全体
構成は、第１の実施の形態と同様である。即ち、図１
（ａ）及び（ｂ）に示したように、絶縁上の弱点部であ
る、絶縁基板１上の電極端部を絶縁特性に優れた固体絶
縁物（１１、１２）で部分的に被覆し、その他全体部分
の封止には、耐熱サイクル性に優れた柔らかい柔軟シリ
コーンゲルなど柔軟な絶縁物を用いたモジュール型半導
体装置である。但し、電極間樹脂モールド１２の中央部
分には、スリット１５の代わりにフィルムが形成されて
いる。

【００２５】図３は、電極間樹脂モールド１２及びフィ
ルム１６を拡大して示す断面図である。図３に示すよう
に、電極間樹脂モールド１２の中央部分には、厚さ０．
２ｍｍのフィルム１６が挿入されている。電極間樹脂モ
ールド１２を形成する前に、隣接する銅板２の隙間にフ
ィルム１６をスペーサとして配置し、その後、電極間樹
脂モールド１２を形成することで、フィルム１６を挿入
することができる。

【００２６】効率良く縁切りするためには、電極間樹脂
モールド材料を構成するエポキシ樹脂・フェノール樹脂
・ポリイミド樹脂などに対して接着性を持たない、ポリ
イミド、シリコーン、フッ素樹脂などからなる耐熱性に
優れた非接着性フィルム１６を使用することが望まし
い。フィルム１６とシリコーンゲル９を組合わせること
により、優れた絶縁特性と耐熱サイクル性を具備するパ
ッケージ構造を提供することができる。

【００２７】（第３の実施の形態）第１及び第２の実施
の形態においては、電極間樹脂モールド１２として、応
力吸収力よりも絶縁性能を重視した、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、ポリイミド樹脂などの強固な固体絶縁物
を使用し、スリット１５或いはフィルム１６などによっ
て応力吸収力を補強した場合について説明した。

【００２８】しかし、接地された放熱板５に近接する端
部樹脂モールド１１と比較して、電極間樹脂モールド１
２部に負荷される電気的ストレスは極めて低く、この部
分については強固な固体絶縁物を採用する必要は必ずし
もない。

【００２９】そこで、図４に示すように、第３の実施の
形態に係る半導体装置は、より柔軟なエラストマー樹脂
を電極間モールド１７用材料として適用する。エラスト
マーとして、耐熱性に優れたシリコーンゴムが適してい
る。また、この場合には、端部樹脂モールド１１の材料
と電極間樹脂モールド１７用材料を別々に設定する必要
があり、モールド工数が２つに分割される。エラストマ
ー樹脂を用いることで、過酷なヒートサイクルに追従す
る半導体装置を提供することができる。

【００３０】（実験例）発明者らは、上述した本発明の
実施の形態に係る半導体装置が奏する作用効果を検証す
るため、以下に示す複数種類の試料（Ａ〜Ｅ）を作製
し、各試料について熱サイクル前後の部分放電開始電圧
（ＣＳＶ）、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）をそれぞれ求め
た。製作した試料は、図１（ａ）及び（ｂ）に示した構
成を有する半導体装置をベースとするものである。何れ
の試料も半径電極端部から絶縁基板１端部までの距離は
全周１．５ｍｍで一定とし、電極の反対側には銅板２を
はんだで接合し、放熱板５を模擬した。銅板２端部周囲
は、真空脱泡したシリコーンゲル９で封止した。

【００３１】＜試料Ａ＞試料Ａは、銅板２周囲のモール
ドとして端部樹脂モールド１１及び電極間樹脂モールド
１２を形成せず、シリコーンゲル９のみをパッケージ内
に充填した。

【００３２】＜試料Ｂ＞試料Ｂは、ディスペンサを用い
て銅板２周囲のモールドとして端部樹脂モールド（エポ
キシ樹脂）１１及び電極間樹脂モールド（エポキシ樹
脂）１２を形成したが、電極間樹脂モールド１２にスリ
ット１５或いはフィルム１６を形成しなかった。

【００３３】＜試料Ｃ＞試料Ｃには、ディスペンサを用
いて銅板２周囲のモールドとして端部樹脂モールド（エ
ポキシ樹脂）１１及び電極間樹脂モールド（シリコーン
ゴム）１７を形成した。なお、電極間樹脂モールド１２
部については、ディスペンサを換え、シリコーンゴムを
塗布し、エポキシ樹脂に連続させた絶縁構成を作製し
た。

【００３４】＜試料Ｄ＞試料Ｄには、ディスペンサを用
いて銅板２周囲のモールドとして端部樹脂モールド（エ
ポキシ樹脂）１１及び電極間樹脂モールド（エポキシ樹
脂）１２を形成し、電極間樹脂モールド１２に幅０．４
ｍｍのスリット１５を形成（レーザ加工）した。

【００３５】＜試料Ｅ＞試料Ｅには、ディスペンサを用
いて銅板２周囲のモールドとして端部樹脂モールド（エ
ポキシ樹脂）１１及び電極間樹脂モールド（エポキシ樹
脂）１２を形成し、電極間樹脂モールド１２に予め厚さ
０．２ｍｍのポリイミドフィルム１６を挿入しておい
た。

【００３６】＜試験条件及び結果＞まず、図１（ａ）に
おける放熱板５を接地し、絶縁基板１の表面側の銅板２
に高圧を印加して、放電電荷量を１０ｐＣとした場合の
部分放電開始電圧（ＣＳＶ）及び絶縁破壊電圧（ＢＤ
Ｖ）を初期値として求めた。

【００３７】次に、劣化試験として評価モデルに対して
恒温槽中で熱サイクルを加え、試験後に同様にして部分
放電開始電圧（ＣＳＶ）、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）を求
めた。熱サイクルの条件は、１２５℃に１時間保持した
後、直ちに−４０℃に冷却して１時間保持するサイクル
を１サイクルとして、３００サイクル連続して加えるも
のとした。

【００３８】電極形状をパラメータとして、上述の簡易
モールドモデルの部分放電開始電圧ＣＳＶ、絶縁破壊電
圧ＢＤＶを求めた結果を表１に示す。放電開始電荷を１
０ｐＣとした。なお、実際に測定を行った試料の数は各
試料（Ａ〜Ｅ）について３つづつとし、平均値を示し
た。

【００３９】

【表１】試料Ａと試料Ｂとを比較すると、銅板２周囲をエポキシ
樹脂（固体絶縁物）でモールドすることにより絶縁特性
が著しく向上することが分かる。しかし、試料Ｂについ
ては、熱サイクル試験により電極間樹脂モールド１２に
剥離、クラックが発生し、熱サイクル後のＣＳＶ、ＢＤ
Ｖが低下した。

【００４０】また、銅板２周囲をエポキシ樹脂／シリコ
ーン樹脂でモールドした試料Ｃ、全周エポキシ樹脂でモ
ールドし、電極間樹脂モールド１２にスリット加工を施
した試料Ｄ、或いはフィルムを挿入した試料Ｅは、優れ
た絶縁特性を示した。同時に、熱サイクル時の応力を緩
和し、電極間樹脂モールド１２の剥離、クラック発生を
抑えるので、熱サイクル後の絶縁特性の低下も認められ
なかった。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
絶縁基板の沿面の破壊電圧を上昇させ、絶縁特性・耐熱
サイクル性に優れ、信頼性に富む半導体装置を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る
半導体装置の全体構成を示す断面図である。図１（ｂ）
は図１（ａ）に示した半導体装置の平面構成を示す上面
図である。

【図２】図１の各分図に示した電極間樹脂モールド及び
スリットを拡大して示す断面図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置が
有する電極間樹脂モールド及びフィルムを拡大して示す
断面図である。

【図４】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の
全体構成を示す断面図である。

【図５】図５（ａ）は従来技術に係る半導体装置の全体
構成を示す断面図である。図５（ｂ）は従来技術が有す
る問題点を示すために図５（ａ）の一部を拡大した断面
図である。

【符号の説明】

１絶縁基板２銅板（電極）３半導体素子５放熱板６ケース７外部端子用リード線８ターミナルホルダー９シリコーンゲル１０封止部材１１端部樹脂モールド１２、１７電極間樹脂モールド１３剥離１４クラック１５スリット１６フィルム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者関谷洋紀東京都府中市東芝町１番地株式会社東芝府中事業所内 (72)発明者松本寿彰東京都府中市東芝町１番地株式会社東芝府中事業所内 (72)発明者木島研二東京都府中市東芝町１番地株式会社東芝府中事業所内Ｆターム(参考） 4M109 AA01 CA04 DA06 DB09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置された複数の金属板と、前記各金属板の上に配置された半導体素子と、隣り合う前記金属板の隙間を被覆する固体絶縁物と、前記固体絶縁物の中に形成されたスリットとを有するこ
とを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記固体絶縁物として熱硬化性樹脂を使
用することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】前記スリットは、前記固体絶縁物にレー
ザ光を照射して形成されることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置。
【請求項４】絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置された複数の金属板と、前記各金属板の上に配置された半導体素子と、隣り合う前記金属板の隙間を被覆する固体絶縁物と、前記固体絶縁物の中に配置された、前記固体絶縁物に対
して非接着性を持つフィルムとを有することを特徴とす
る半導体装置。
【請求項５】前記固体絶縁物として熱硬化性樹脂を使
用することを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】前記フィルムとして、ポリイミド、シリ
コーン或いはフッ素樹脂製フィルムを使用することを特
徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置された複数の金属板と、前記各金属板の上に配置された半導体素子と、隣り合う前記金属板の隙間を被覆する熱硬化性のエスト
ラマーとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】前記エストラマーとして、シリコーン或
いはポリウレタンを使用することを特徴とする請求項７
記載の半導体装置。