JP2003085837A - 光記録媒体の製造方法及び光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体の製造方法及び光記録媒体Info
- Publication number
- JP2003085837A JP2003085837A JP2001278816A JP2001278816A JP2003085837A JP 2003085837 A JP2003085837 A JP 2003085837A JP 2001278816 A JP2001278816 A JP 2001278816A JP 2001278816 A JP2001278816 A JP 2001278816A JP 2003085837 A JP2003085837 A JP 2003085837A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording layer
- backing plate
- recording medium
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24035—Recording layers
- G11B7/24038—Multiple laminated recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/268—Post-production operations, e.g. initialising phase-change recording layers, checking for defects
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 支持基体上に２層の記録層を有する光記録媒
体の製造方法及び前記方法により得られる光記録媒体を
提供する。 【解決手段】 第１記録層用の情報ピット及び／又はグ
ルーブ形成用スタンパ11上に、裏打ち板12で裏打ちされ
た放射線硬化性樹脂層を設け、樹脂層に放射線を照射し
て硬化させ、スタンパ11を取外し、裏打ち板12に支持さ
れた光透過層６を形成する工程（Ａ）と、光透過層６上
に第１記録層５を形成する工程（Ｂ）と、第２記録層用
の情報ピット及び／又はグルーブが形成された支持基体
２上に第２記録層３を形成する工程（Ｃ）と、裏打ち板
12と支持基体２とを、第１記録層５及び第２記録層３が
内側になるようにスペーサー層４を介して貼り合わせる
工程（Ｄ）と、裏打ち板12を取外す工程（Ｅ）とを含む
光記録媒体の製造方法。
体の製造方法及び前記方法により得られる光記録媒体を
提供する。 【解決手段】 第１記録層用の情報ピット及び／又はグ
ルーブ形成用スタンパ11上に、裏打ち板12で裏打ちされ
た放射線硬化性樹脂層を設け、樹脂層に放射線を照射し
て硬化させ、スタンパ11を取外し、裏打ち板12に支持さ
れた光透過層６を形成する工程（Ａ）と、光透過層６上
に第１記録層５を形成する工程（Ｂ）と、第２記録層用
の情報ピット及び／又はグルーブが形成された支持基体
２上に第２記録層３を形成する工程（Ｃ）と、裏打ち板
12と支持基体２とを、第１記録層５及び第２記録層３が
内側になるようにスペーサー層４を介して貼り合わせる
工程（Ｄ）と、裏打ち板12を取外す工程（Ｅ）とを含む
光記録媒体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体の製造
方法及び光記録媒体に関し、より詳しくは、支持基体上
に２層の記録層を有する光記録媒体の製造方法及び前記
方法により得られる光記録媒体に関する。
方法及び光記録媒体に関し、より詳しくは、支持基体上
に２層の記録層を有する光記録媒体の製造方法及び前記
方法により得られる光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光記録媒体においては、動画像情
報等の膨大な情報処理のためにさらに記録密度を高くす
ることが必要とされ、さらなる記録容量の増大のため研
究開発が盛んに行われてきた。
報等の膨大な情報処理のためにさらに記録密度を高くす
ることが必要とされ、さらなる記録容量の増大のため研
究開発が盛んに行われてきた。
【０００３】その中のひとつとして、例えばＤＶＤに見
られるように、記録・再生レーザー光の波長を短くし、
対物レンズの開口数（ＮＡ）を大きくして、記録・再生
時のスポット径を小さくすることが行われている。実際
にＤＶＤでは、記録・再生波長λをＣＤの７８０ｎｍか
ら６５０ｎｍに、開口数（ＮＡ）をＣＤの０．４５から
０．６にすることにより、ＣＤの６〜８倍の記録容量
（４．７ＧＢ／面）を達成している。
られるように、記録・再生レーザー光の波長を短くし、
対物レンズの開口数（ＮＡ）を大きくして、記録・再生
時のスポット径を小さくすることが行われている。実際
にＤＶＤでは、記録・再生波長λをＣＤの７８０ｎｍか
ら６５０ｎｍに、開口数（ＮＡ）をＣＤの０．４５から
０．６にすることにより、ＣＤの６〜８倍の記録容量
（４．７ＧＢ／面）を達成している。
【０００４】このように高ＮＡ化することによって、光
学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からず
れる角度、いわゆるチルト角により発生する収差の許容
量が小さくなってしまう。ここで、記録・再生レーザー
光の波長をλ、基板の厚さをｔとすると、開口数ＮＡに
よって、光学系に対する光記録媒体の傾きの許容度、い
わゆるチルトマージンＭが決まる。すなわち、チルトマ
ージンＭは、λ／｛ｔ×（ＮＡ）3 ｝に比例する。チル
トマージンＭを確保するためには、基板の厚さｔを薄く
することが必要となる。
学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からず
れる角度、いわゆるチルト角により発生する収差の許容
量が小さくなってしまう。ここで、記録・再生レーザー
光の波長をλ、基板の厚さをｔとすると、開口数ＮＡに
よって、光学系に対する光記録媒体の傾きの許容度、い
わゆるチルトマージンＭが決まる。すなわち、チルトマ
ージンＭは、λ／｛ｔ×（ＮＡ）3 ｝に比例する。チル
トマージンＭを確保するためには、基板の厚さｔを薄く
することが必要となる。
【０００５】従って、ＤＶＤでは基板の厚さを、従来の
ＣＤ基板の厚さ（１．２ｍｍ程度）の約半分（０．６ｍ
ｍ程度）とすることにより、チルトマージンを確保して
いる。
ＣＤ基板の厚さ（１．２ｍｍ程度）の約半分（０．６ｍ
ｍ程度）とすることにより、チルトマージンを確保して
いる。
【０００６】最近、高品位の動画像を長時間記録するた
めに、さらに記録・再生レーザー光の波長λを４００ｎ
ｍ程度まで短くし、開口数（ＮＡ）を０．８５まで大き
くすることにより、ＤＶＤの４倍以上の記録容量となる
高記録容量（２０ＧＢ／面以上）を達成しようとするシ
ステムの開発が行われている。
めに、さらに記録・再生レーザー光の波長λを４００ｎ
ｍ程度まで短くし、開口数（ＮＡ）を０．８５まで大き
くすることにより、ＤＶＤの４倍以上の記録容量となる
高記録容量（２０ＧＢ／面以上）を達成しようとするシ
ステムの開発が行われている。
【０００７】このシステムで使用される光ディスクは、
チルトマージンを確保するために、厚さ０．１ｍｍ程度
の光透過層を有し、前記光透過層を通して記録又は再生
のためのレーザー光が入射される。
チルトマージンを確保するために、厚さ０．１ｍｍ程度
の光透過層を有し、前記光透過層を通して記録又は再生
のためのレーザー光が入射される。
【０００８】また、さらなる記録容量の増大の要求に対
して、例えば、支持基体上に第２記録層（レイヤー１）
とスペーサー層と第１記録層（レイヤー０）と光透過層
とを有し、前記光透過層を通して記録又は再生のための
レーザー光が入射するように使用される、いわゆる片面
２層のディスクが提案されている。片面２層ディスク
は、例えば、特開２０００−１１４５３号公報に開示さ
れている。
して、例えば、支持基体上に第２記録層（レイヤー１）
とスペーサー層と第１記録層（レイヤー０）と光透過層
とを有し、前記光透過層を通して記録又は再生のための
レーザー光が入射するように使用される、いわゆる片面
２層のディスクが提案されている。片面２層ディスク
は、例えば、特開２０００−１１４５３号公報に開示さ
れている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】片面２層ディスクの作
成については、グルーブを形成した１．１ｍｍ程度の厚
さの支持基体上に、第２記録層（レイヤー１）をスパッ
タリング法等により形成し、第２記録層上にスペーサー
層を塗布やシート貼り付けにより形成し、次に、スペー
サー層上に第１記録層（レイヤー０）をスパッタリング
法等により形成し、第１記録層上に光透過層を形成す
る、という各層を順次形成していく方法が考えられる。
しかしながら、スペーサー層を形成した時点で、スペー
サー層厚さが２０μｍと厚いためにグルーブの凹凸形状
が維持されなくなってしまう。グルーブの凹凸形状が維
持された第１記録層を形成することはできない。
成については、グルーブを形成した１．１ｍｍ程度の厚
さの支持基体上に、第２記録層（レイヤー１）をスパッ
タリング法等により形成し、第２記録層上にスペーサー
層を塗布やシート貼り付けにより形成し、次に、スペー
サー層上に第１記録層（レイヤー０）をスパッタリング
法等により形成し、第１記録層上に光透過層を形成す
る、という各層を順次形成していく方法が考えられる。
しかしながら、スペーサー層を形成した時点で、スペー
サー層厚さが２０μｍと厚いためにグルーブの凹凸形状
が維持されなくなってしまう。グルーブの凹凸形状が維
持された第１記録層を形成することはできない。
【００１０】また、片面２層ディスクの作成について
は、従来ＤＶＤの作成で行われた上下両基板の貼り合わ
せが考えられる。しかしながら、光透過層の厚さは０．
１ｍｍ程度と非常に薄く、この上に第１記録層を形成す
ることは非常に困難であり、単純な貼り合わせ工法は適
用できない。
は、従来ＤＶＤの作成で行われた上下両基板の貼り合わ
せが考えられる。しかしながら、光透過層の厚さは０．
１ｍｍ程度と非常に薄く、この上に第１記録層を形成す
ることは非常に困難であり、単純な貼り合わせ工法は適
用できない。
【００１１】本発明の目的は、支持基体上に２層の記録
層を有する光記録媒体の製造方法及び前記方法により得
られる光記録媒体を提供することにある。
層を有する光記録媒体の製造方法及び前記方法により得
られる光記録媒体を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下に記載す
る光記録媒体の製造方法である。 （１）支持基体上に第２記録層（レイヤー１）とスペー
サー層と第１記録層（レイヤー０）と光透過層とを有す
る光記録媒体を製造する方法であって、第１記録層用の
情報ピット及び／又はグルーブ形成用スタンパ上に、裏
打ち板で裏打ちされた放射線硬化性樹脂層を設け、樹脂
層に放射線を照射して硬化させ、その後、スタンパを取
外し、裏打ち板に支持された光透過層を形成する工程
（Ａ）と、光透過層上に第１記録層を形成する工程
（Ｂ）と、一方、第２記録層用の情報ピット及び／又は
グルーブが形成された支持基体上に第２記録層を形成す
る工程（Ｃ）と、光透過層及び第１記録層が形成された
裏打ち板と第２記録層が形成された支持基体とを、第１
記録層及び第２記録層が内側になるようにスペーサー層
を介して貼り合わせる工程（Ｄ）と、裏打ち板を取外す
工程（Ｅ）とを含む、光記録媒体の製造方法。
る光記録媒体の製造方法である。 （１）支持基体上に第２記録層（レイヤー１）とスペー
サー層と第１記録層（レイヤー０）と光透過層とを有す
る光記録媒体を製造する方法であって、第１記録層用の
情報ピット及び／又はグルーブ形成用スタンパ上に、裏
打ち板で裏打ちされた放射線硬化性樹脂層を設け、樹脂
層に放射線を照射して硬化させ、その後、スタンパを取
外し、裏打ち板に支持された光透過層を形成する工程
（Ａ）と、光透過層上に第１記録層を形成する工程
（Ｂ）と、一方、第２記録層用の情報ピット及び／又は
グルーブが形成された支持基体上に第２記録層を形成す
る工程（Ｃ）と、光透過層及び第１記録層が形成された
裏打ち板と第２記録層が形成された支持基体とを、第１
記録層及び第２記録層が内側になるようにスペーサー層
を介して貼り合わせる工程（Ｄ）と、裏打ち板を取外す
工程（Ｅ）とを含む、光記録媒体の製造方法。
【００１３】（２）工程（Ａ）において、スタンパ上に
放射線硬化性樹脂層を形成し、この樹脂層上に裏打ち板
を重ね置くことにより、裏打ち板で裏打ちされた放射線
硬化性樹脂層を設け、樹脂層に放射線を照射して硬化さ
せる、前記（１）の光記録媒体の製造方法。
放射線硬化性樹脂層を形成し、この樹脂層上に裏打ち板
を重ね置くことにより、裏打ち板で裏打ちされた放射線
硬化性樹脂層を設け、樹脂層に放射線を照射して硬化さ
せる、前記（１）の光記録媒体の製造方法。
【００１４】（３）工程（Ａ）において、スタンパ上に
放射線硬化性樹脂をスピンコートすることにより、放射
線硬化性樹脂層を形成する、前記（２）の光記録媒体の
製造方法。
放射線硬化性樹脂をスピンコートすることにより、放射
線硬化性樹脂層を形成する、前記（２）の光記録媒体の
製造方法。
【００１５】（４）工程（Ａ）において、スタンパ上に
放射線硬化性樹脂層を形成し、放射線硬化性樹脂層に放
射線を照射し半硬化状態の樹脂層を得て、この樹脂層上
に裏打ち板を重ね置くことにより、裏打ち板で裏打ちさ
れた放射線硬化性樹脂層を設け、樹脂層にさらに放射線
を照射して完全に硬化させる、前記（２）又は（３）の
光記録媒体の製造方法。
放射線硬化性樹脂層を形成し、放射線硬化性樹脂層に放
射線を照射し半硬化状態の樹脂層を得て、この樹脂層上
に裏打ち板を重ね置くことにより、裏打ち板で裏打ちさ
れた放射線硬化性樹脂層を設け、樹脂層にさらに放射線
を照射して完全に硬化させる、前記（２）又は（３）の
光記録媒体の製造方法。
【００１６】（５）工程（Ａ）において、スタンパ上に
放射線硬化性樹脂を載せ、その上に裏打ち板を載せ置
き、回転させることにより所定厚みの樹脂層を得ること
により、裏打ち板で裏打ちされた放射線硬化性樹脂層を
設け、樹脂層に放射線を照射して硬化させる、前記
（１）の光記録媒体の製造方法。
放射線硬化性樹脂を載せ、その上に裏打ち板を載せ置
き、回転させることにより所定厚みの樹脂層を得ること
により、裏打ち板で裏打ちされた放射線硬化性樹脂層を
設け、樹脂層に放射線を照射して硬化させる、前記
（１）の光記録媒体の製造方法。
【００１７】（６） 放射線は紫外線である、前記
（１）〜（５）のうちのいずれかの光記録媒体の製造方
法。
（１）〜（５）のうちのいずれかの光記録媒体の製造方
法。
【００１８】（７）裏打ち板は、放射線に対して透過性
を有する、前記（１）〜（６）のうちのいずれかの光記
録媒体の製造方法。
を有する、前記（１）〜（６）のうちのいずれかの光記
録媒体の製造方法。
【００１９】（８）裏打ち板の、樹脂層に重ねられる側
の面が剥離処理されている、前記（１）〜（７）のうち
のいずれかの光記録媒体の製造方法。
の面が剥離処理されている、前記（１）〜（７）のうち
のいずれかの光記録媒体の製造方法。
【００２０】（９）工程（Ｂ）において、第１記録層を
ＰＶＤ法、ＣＶＤ法及びスピンコート法の中から選ばれ
る少なくとも１つの方法により形成する、前記（１）〜
（８）のうちのいずれかの光記録媒体の製造方法。
ＰＶＤ法、ＣＶＤ法及びスピンコート法の中から選ばれ
る少なくとも１つの方法により形成する、前記（１）〜
（８）のうちのいずれかの光記録媒体の製造方法。
【００２１】（１０）工程（Ｂ）において、第１記録層
をＰＶＤ法又はＣＶＤ法により相変化型記録層として形
成する、前記（１）〜（９）のうちのいずれかの光記録
媒体の製造方法。
をＰＶＤ法又はＣＶＤ法により相変化型記録層として形
成する、前記（１）〜（９）のうちのいずれかの光記録
媒体の製造方法。
【００２２】（１１）工程（Ｂ）の後、第１記録層の初
期化を行う、前記（１０）の光記録媒体の製造方法。
期化を行う、前記（１０）の光記録媒体の製造方法。
【００２３】（１２）工程（Ｃ）において、第２記録層
をＰＶＤ法、ＣＶＤ法及びスピンコート法の中から選ば
れる少なくとも１つの方法により形成する、前記（１）
〜（１１）のうちのいずれかの光記録媒体の製造方法。
をＰＶＤ法、ＣＶＤ法及びスピンコート法の中から選ば
れる少なくとも１つの方法により形成する、前記（１）
〜（１１）のうちのいずれかの光記録媒体の製造方法。
【００２４】（１３）工程（Ｃ）において、第２記録層
をＰＶＤ法又はＣＶＤ法により相変化型記録層として形
成する、前記（１）〜（１２）のうちのいずれかの光記
録媒体の製造方法。
をＰＶＤ法又はＣＶＤ法により相変化型記録層として形
成する、前記（１）〜（１２）のうちのいずれかの光記
録媒体の製造方法。
【００２５】（１４）工程（Ｃ）の後、第２記録層の初
期化を行う、前記（１３）の光記録媒体の製造方法。
期化を行う、前記（１３）の光記録媒体の製造方法。
【００２６】（９）（１０）（１２）（１３）に示され
るように、工程（Ｂ）における第１記録層の形成、工程
（Ｃ）における第２記録層の形成は、相変化型媒体、再
生専用型媒体、追記型媒体の種類に応じて適宜行うこと
ができる。
るように、工程（Ｂ）における第１記録層の形成、工程
（Ｃ）における第２記録層の形成は、相変化型媒体、再
生専用型媒体、追記型媒体の種類に応じて適宜行うこと
ができる。
【００２７】（１５）工程（Ｄ）において、スペーサー
層を、放射線硬化性樹脂、２液性接着剤及び粘着材から
なる群から選ばれる材料から形成する、前記（１）〜
（１４）のうちのいずれかの光記録媒体の製造方法。こ
こで放射線硬化性樹脂としては、例えば、ラジカル紫外
線硬化性樹脂やカチオン重合性紫外線硬化性樹脂が挙げ
られる。
層を、放射線硬化性樹脂、２液性接着剤及び粘着材から
なる群から選ばれる材料から形成する、前記（１）〜
（１４）のうちのいずれかの光記録媒体の製造方法。こ
こで放射線硬化性樹脂としては、例えば、ラジカル紫外
線硬化性樹脂やカチオン重合性紫外線硬化性樹脂が挙げ
られる。
【００２８】（１６）工程（Ｄ）において、裏打ち板上
の第１記録層及び／又は支持基体上の第２記録層上に、
放射線硬化性樹脂をスピンコートしスペーサー層を設
け、その後、裏打ち板と支持基体とを、第１記録層及び
第２記録層が内側になるようにスペーサー層を介して貼
り合わせ、スペーサー層に放射線を照射して硬化させ
る、前記（１５）の光記録媒体の製造方法。
の第１記録層及び／又は支持基体上の第２記録層上に、
放射線硬化性樹脂をスピンコートしスペーサー層を設
け、その後、裏打ち板と支持基体とを、第１記録層及び
第２記録層が内側になるようにスペーサー層を介して貼
り合わせ、スペーサー層に放射線を照射して硬化させ
る、前記（１５）の光記録媒体の製造方法。
【００２９】（１７）工程（Ｄ）において、裏打ち板上
の第１記録層及び／又は支持基体上の第２記録層上に、
カチオン重合性紫外線硬化性樹脂をスピンコートしスペ
ーサー層を設け、その後、スペーサー層に紫外線を照射
し、裏打ち板と支持基体とを、第１記録層及び第２記録
層が内側になるようにスペーサー層を介して貼り合わせ
る、前記（１５）の光記録媒体の製造方法。
の第１記録層及び／又は支持基体上の第２記録層上に、
カチオン重合性紫外線硬化性樹脂をスピンコートしスペ
ーサー層を設け、その後、スペーサー層に紫外線を照射
し、裏打ち板と支持基体とを、第１記録層及び第２記録
層が内側になるようにスペーサー層を介して貼り合わせ
る、前記（１５）の光記録媒体の製造方法。
【００３０】（１８）工程（Ｄ）において、支持基体上
の第２記録層上に放射線硬化性樹脂を載せ、その上に、
裏打ち板を第１記録層が内側になるように載せ置き、回
転させることにより所定厚みのスペーサー層とすると共
に、裏打ち板と支持基体とをスペーサー層を介して貼り
合わせ、スペーサー層に放射線を照射して硬化させる、
前記（１５）の光記録媒体の製造方法。
の第２記録層上に放射線硬化性樹脂を載せ、その上に、
裏打ち板を第１記録層が内側になるように載せ置き、回
転させることにより所定厚みのスペーサー層とすると共
に、裏打ち板と支持基体とをスペーサー層を介して貼り
合わせ、スペーサー層に放射線を照射して硬化させる、
前記（１５）の光記録媒体の製造方法。
【００３１】（１９）工程（Ｄ）において、裏打ち板上
の第１記録層上に放射線硬化性樹脂を載せ、その上に、
支持基体を第２記録層が内側になるように載せ置き、回
転させることにより所定厚みのスペーサー層とすると共
に、裏打ち板と支持基体とをスペーサー層を介して貼り
合わせ、スペーサー層に放射線を照射して硬化させる、
前記（１５）の光記録媒体の製造方法。
の第１記録層上に放射線硬化性樹脂を載せ、その上に、
支持基体を第２記録層が内側になるように載せ置き、回
転させることにより所定厚みのスペーサー層とすると共
に、裏打ち板と支持基体とをスペーサー層を介して貼り
合わせ、スペーサー層に放射線を照射して硬化させる、
前記（１５）の光記録媒体の製造方法。
【００３２】（２０）工程（Ｄ）において、裏打ち板上
の第１記録層上に２液性接着剤のＡ液をスピンコート
し、支持基体上の第２記録層上に２液性接着剤のＢ液を
スピンコートするか、あるいは、裏打ち板上の第１記録
層上に２液性接着剤のＢ液をスピンコートし、支持基体
上の第２記録層上に２液性接着剤のＡ液をスピンコート
し、その後、裏打ち板と支持基体とを、第１記録層及び
第２記録層が内側になるように貼り合わせる、前記（１
５）の光記録媒体の製造方法。
の第１記録層上に２液性接着剤のＡ液をスピンコート
し、支持基体上の第２記録層上に２液性接着剤のＢ液を
スピンコートするか、あるいは、裏打ち板上の第１記録
層上に２液性接着剤のＢ液をスピンコートし、支持基体
上の第２記録層上に２液性接着剤のＡ液をスピンコート
し、その後、裏打ち板と支持基体とを、第１記録層及び
第２記録層が内側になるように貼り合わせる、前記（１
５）の光記録媒体の製造方法。
【００３３】（２１）工程（Ｄ）において、裏打ち板上
の第１記録層と支持基体上の第２記録層との間に、スペ
ーサー層としての粘着材を挟み圧着することにより、裏
打ち板と支持基体とをスペーサー層を介して貼り合わせ
る、前記（１５）の光記録媒体の製造方法。
の第１記録層と支持基体上の第２記録層との間に、スペ
ーサー層としての粘着材を挟み圧着することにより、裏
打ち板と支持基体とをスペーサー層を介して貼り合わせ
る、前記（１５）の光記録媒体の製造方法。
【００３４】（２２）スペーサー層の厚さは、５〜３０
μｍである、前記（１）〜（２１）のうちのいずれかの
光記録媒体の製造方法。 （２３）光透過層の厚さは、３０〜１５０μｍである、
前記（１）〜（２２）のうちのいずれかの光記録媒体の
製造方法。
μｍである、前記（１）〜（２１）のうちのいずれかの
光記録媒体の製造方法。 （２３）光透過層の厚さは、３０〜１５０μｍである、
前記（１）〜（２２）のうちのいずれかの光記録媒体の
製造方法。
【００３５】また、本発明は、次に記載する光記録媒体
である。 （２４）前記（１）〜（２３）のうちのいずれかの製造
方法により得られた、支持基体上に第２記録層（レイヤ
ー１）とスペーサー層と第１記録層（レイヤー０）と光
透過層とを有する光記録媒体。
である。 （２４）前記（１）〜（２３）のうちのいずれかの製造
方法により得られた、支持基体上に第２記録層（レイヤ
ー１）とスペーサー層と第１記録層（レイヤー０）と光
透過層とを有する光記録媒体。
【００３６】
【発明の実施の形態】図面を参照して、光記録媒体（以
下、光ディスクと略記する）の製造方法について説明す
る。図１は、本発明の方法により製造される光ディスク
の一例の概略断面図である。図２は、本発明の製造方法
の一例の概略工程図である。
下、光ディスクと略記する）の製造方法について説明す
る。図１は、本発明の方法により製造される光ディスク
の一例の概略断面図である。図２は、本発明の製造方法
の一例の概略工程図である。
【００３７】まず、図１を参照して、本発明の方法によ
り製造される光ディスクの一例の概略について、相変化
型光ディスクを例に説明する。図１において、光ディス
ク(1) は、支持基体(2) の微細凹凸が形成されている側
の面上に、第２記録層（レイヤー１）(3) 、スペーサー
層(4) 、第１記録層（レイヤー０）(5) 、光透過層(6)
をこの順で有し、また中心孔(7) を有する。第２記録層
(3) 及び第１記録層(5) はそれぞれ、相変化記録膜を含
む複数層からなり、第２記録層(3) は光透過層(6) に近
い側から誘電体膜(3a)、相変化記録膜(3b)、誘電体膜(3
c)及び反射膜（図示されていない）から構成され、第１
記録層(5) は光透過層(6) に近い側から誘電体膜(5a)、
相変化記録膜(5b)及び誘電体膜(5c)から構成されてい
る。光ディスク(1) は、光透過層(6) を通して記録又は
再生のためのレーザー光が入射するように使用される。
り製造される光ディスクの一例の概略について、相変化
型光ディスクを例に説明する。図１において、光ディス
ク(1) は、支持基体(2) の微細凹凸が形成されている側
の面上に、第２記録層（レイヤー１）(3) 、スペーサー
層(4) 、第１記録層（レイヤー０）(5) 、光透過層(6)
をこの順で有し、また中心孔(7) を有する。第２記録層
(3) 及び第１記録層(5) はそれぞれ、相変化記録膜を含
む複数層からなり、第２記録層(3) は光透過層(6) に近
い側から誘電体膜(3a)、相変化記録膜(3b)、誘電体膜(3
c)及び反射膜（図示されていない）から構成され、第１
記録層(5) は光透過層(6) に近い側から誘電体膜(5a)、
相変化記録膜(5b)及び誘電体膜(5c)から構成されてい
る。光ディスク(1) は、光透過層(6) を通して記録又は
再生のためのレーザー光が入射するように使用される。
【００３８】第２記録層(3) 及び第１記録層(5) におけ
る層構成は、種々の態様がある。例えば、相変化型光デ
ィスクの場合においても、誘電体膜が多層構成とされる
こともある。
る層構成は、種々の態様がある。例えば、相変化型光デ
ィスクの場合においても、誘電体膜が多層構成とされる
こともある。
【００３９】再生専用型光ディスクの場合、第２及び第
１記録層は反射膜から構成され、支持基体及び光透過層
に形成された情報ピットをカバーしている。反射膜はＰ
ＶＤ法により形成される。
１記録層は反射膜から構成され、支持基体及び光透過層
に形成された情報ピットをカバーしている。反射膜はＰ
ＶＤ法により形成される。
【００４０】追記型光ディスクの場合、第２及び／又は
第１記録層は光透過層に近い側からライトワンス型（例
えば色素系）記録膜と、必要に応じて設けられる反射膜
とから構成される。記録膜は例えば色素溶液のスピンコ
ート法により形成され、反射膜はＰＶＤ法により形成さ
れる。
第１記録層は光透過層に近い側からライトワンス型（例
えば色素系）記録膜と、必要に応じて設けられる反射膜
とから構成される。記録膜は例えば色素溶液のスピンコ
ート法により形成され、反射膜はＰＶＤ法により形成さ
れる。
【００４１】次に、図２を参照して、本発明の製造方法
について説明する。光透過層形成工程（Ａ）において、
第１記録層用の情報ピット及び／又はグルーブ形成用の
所要パターンの微細凹凸が形成されたスタンパ(11)上
に、放射線硬化性樹脂層(6a)を設け、この樹脂層(6a)上
に裏打ち板(12)を重ね置き、樹脂層(6a)に放射線を照射
して硬化させ(6) 、その後、スタンパ(11)を取外し、裏
打ち板(12)に一体化された光透過層(6) を形成する。
について説明する。光透過層形成工程（Ａ）において、
第１記録層用の情報ピット及び／又はグルーブ形成用の
所要パターンの微細凹凸が形成されたスタンパ(11)上
に、放射線硬化性樹脂層(6a)を設け、この樹脂層(6a)上
に裏打ち板(12)を重ね置き、樹脂層(6a)に放射線を照射
して硬化させ(6) 、その後、スタンパ(11)を取外し、裏
打ち板(12)に一体化された光透過層(6) を形成する。
【００４２】工程（Ａ）において、未硬化の放射線硬化
性樹脂層(6a)は、スタンパ(11)上に放射線硬化性樹脂を
スピンコートすることにより設けるとよい。
性樹脂層(6a)は、スタンパ(11)上に放射線硬化性樹脂を
スピンコートすることにより設けるとよい。
【００４３】具体的には、紫外線（電子線）硬化性化合
物やその重合用組成物から構成されることが好ましい。
このようなものとしては、アクリル酸やメタクリル酸の
エステル化合物、エポキシアクリレート、ウレタンアク
リレートのようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸誘導体等の
不飽和二重結合等の紫外線照射によって架橋あるいは重
合する基を分子中に含有または導入したモノマー、オリ
ゴマーおよびポリマー等を挙げることができる。これら
は多官能、特に３官能以上であることが好ましく、１種
のみ用いても２種以上併用してもよい。
物やその重合用組成物から構成されることが好ましい。
このようなものとしては、アクリル酸やメタクリル酸の
エステル化合物、エポキシアクリレート、ウレタンアク
リレートのようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸誘導体等の
不飽和二重結合等の紫外線照射によって架橋あるいは重
合する基を分子中に含有または導入したモノマー、オリ
ゴマーおよびポリマー等を挙げることができる。これら
は多官能、特に３官能以上であることが好ましく、１種
のみ用いても２種以上併用してもよい。
【００４４】紫外線硬化性モノマーとしては、分子量２
０００未満の化合物が、オリゴマーとしては分子量２０
００〜１００００のものが好適である。これらはスチレ
ン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチ
レングリコールジアクリレート、ジエチレングリコール
メタクリレート、1,6-ヘキサングリコールジアクリレー
ト、1,6-ヘキサングリコールジメタクリレート等も挙げ
られるが、特に好ましいものとしては、ペンタエリスリ
トールテトラ（メタ) アクリレート、ペンタエリスリト
ール（メタ) アクリレート、トリメチロールプロパント
リ（メタ) アクリレート、トリメチロールプロパンジ
（メタ) アクリレート、フェノールエチレンオキシド付
加物の（メタ) アクリレート等が挙げられる。この他、
紫外線硬化性オリゴマーとしては、オリゴエステルアク
リレートやウレタンエラストマーのアクリル変性体等が
挙げられる。
０００未満の化合物が、オリゴマーとしては分子量２０
００〜１００００のものが好適である。これらはスチレ
ン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチ
レングリコールジアクリレート、ジエチレングリコール
メタクリレート、1,6-ヘキサングリコールジアクリレー
ト、1,6-ヘキサングリコールジメタクリレート等も挙げ
られるが、特に好ましいものとしては、ペンタエリスリ
トールテトラ（メタ) アクリレート、ペンタエリスリト
ール（メタ) アクリレート、トリメチロールプロパント
リ（メタ) アクリレート、トリメチロールプロパンジ
（メタ) アクリレート、フェノールエチレンオキシド付
加物の（メタ) アクリレート等が挙げられる。この他、
紫外線硬化性オリゴマーとしては、オリゴエステルアク
リレートやウレタンエラストマーのアクリル変性体等が
挙げられる。
【００４５】また、紫外線硬化性材料としては、エポキ
シ樹脂および光カチオン重合触媒を含有する組成物も好
適に使用される。エポキシ樹脂としては、脂環式エポキ
シ樹脂が好ましく、特に、分子内に２個以上のエポキシ
基を有するものが好ましい。脂環式エポキシ樹脂として
は、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−
エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス−
（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペー
ト、ビス−（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペ
ート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５
−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−
ジオキサン、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）
エーテル、ビニルシクロヘキセンジオキシド等の１種以
上が好ましい。脂環式エポキシ樹脂のエポキシ当量に特
に制限はないが、良好な硬化性が得られることから、６
０〜３００、特に１００〜２００であることが好まし
い。
シ樹脂および光カチオン重合触媒を含有する組成物も好
適に使用される。エポキシ樹脂としては、脂環式エポキ
シ樹脂が好ましく、特に、分子内に２個以上のエポキシ
基を有するものが好ましい。脂環式エポキシ樹脂として
は、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−
エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス−
（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペー
ト、ビス−（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペ
ート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５
−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−
ジオキサン、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）
エーテル、ビニルシクロヘキセンジオキシド等の１種以
上が好ましい。脂環式エポキシ樹脂のエポキシ当量に特
に制限はないが、良好な硬化性が得られることから、６
０〜３００、特に１００〜２００であることが好まし
い。
【００４６】光カチオン重合触媒は、公知のいずれのも
のを用いてもよく、特に制限はない。例えば、１種以上
の金属フルオロホウ酸塩および三フッ化ホウ素の錯体、
ビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）メタン金属
塩、アリールジアゾニウム化合物、６Ａ族元素の芳香族
オニウム塩、５Ａ族元素の芳香族オニウム塩、３Ａ族〜
５Ａ族元素のジカルボニルキレート、チオピリリウム
塩、ＭＦ6 アニオン（ただしＭは、Ｐ、ＡｓまたはＳ
ｂ）を有する６Ａ族元素、トリアリールスルホニウム錯
塩、芳香族イオドニウム錯塩、芳香族スルホニウム錯塩
等を用いることができ、特に、ポリアリールスルホニウ
ム錯塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スルホニウム塩
またはイオドニウム塩、３Ａ族元素、５Ａ族元素および
６Ａ族元素の芳香族オニウム塩の１種以上を用いること
が好ましい。
のを用いてもよく、特に制限はない。例えば、１種以上
の金属フルオロホウ酸塩および三フッ化ホウ素の錯体、
ビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）メタン金属
塩、アリールジアゾニウム化合物、６Ａ族元素の芳香族
オニウム塩、５Ａ族元素の芳香族オニウム塩、３Ａ族〜
５Ａ族元素のジカルボニルキレート、チオピリリウム
塩、ＭＦ6 アニオン（ただしＭは、Ｐ、ＡｓまたはＳ
ｂ）を有する６Ａ族元素、トリアリールスルホニウム錯
塩、芳香族イオドニウム錯塩、芳香族スルホニウム錯塩
等を用いることができ、特に、ポリアリールスルホニウ
ム錯塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スルホニウム塩
またはイオドニウム塩、３Ａ族元素、５Ａ族元素および
６Ａ族元素の芳香族オニウム塩の１種以上を用いること
が好ましい。
【００４７】光透過層に用いる放射線硬化性樹脂として
は、１，０００〜１０，０００ｃｐの粘度（２５℃）を
有するものが好ましい。
は、１，０００〜１０，０００ｃｐの粘度（２５℃）を
有するものが好ましい。
【００４８】放射線としては、紫外線を用いることが好
ましい。工程（Ａ）において、未硬化の放射線硬化性樹
脂層(6a)に放射線を適切な積算光量で照射し、樹脂層(6
a)を半硬化状態として、この樹脂層(6a)上に裏打ち板(1
2)を重ね置き、樹脂層(6a)にさらに放射線を照射して完
全に硬化させ、光透過層(6) とすることが好ましい。
ましい。工程（Ａ）において、未硬化の放射線硬化性樹
脂層(6a)に放射線を適切な積算光量で照射し、樹脂層(6
a)を半硬化状態として、この樹脂層(6a)上に裏打ち板(1
2)を重ね置き、樹脂層(6a)にさらに放射線を照射して完
全に硬化させ、光透過層(6) とすることが好ましい。
【００４９】スタンパ(11)は、例えばＮｉ製である。裏
打ち板(12)は、放射線に対して透過性を有するガラスや
ポリオレフィン樹脂等のプラスチック等を用いることが
でき、表面にフッ素コート等の剥離処理を行ってもよ
い。光透過層(6) の厚さは、３０〜１５０μｍとされ
る。
打ち板(12)は、放射線に対して透過性を有するガラスや
ポリオレフィン樹脂等のプラスチック等を用いることが
でき、表面にフッ素コート等の剥離処理を行ってもよ
い。光透過層(6) の厚さは、３０〜１５０μｍとされ
る。
【００５０】次に、スタンパ(11)を取外す。このように
して、裏打ち板(12)に支持され、且つその表面に第１記
録層用の情報ピット及び／又はグルーブが形成された光
透過層(6) が形成される(a) 。
して、裏打ち板(12)に支持され、且つその表面に第１記
録層用の情報ピット及び／又はグルーブが形成された光
透過層(6) が形成される(a) 。
【００５１】本発明において、工程（Ａ）の変形例とし
て、図３に示す操作を行ってもよい。図３を参照して、
スタンパ(11)上に所定量の放射線硬化性樹脂(6a)を載
せ、その上に裏打ち板(12)を載せ置き、スタンパ(11)及
び裏打ち板(12)を共に軸回りに回転させる。この操作に
より、スタンパ(11)と裏打ち板(12)との間に所定厚みの
樹脂層(6a)が得られる。図２の場合と同様に、樹脂層(6
a)に、放射線を照射して硬化させ、その後、スタンパ(1
1)を取外す。このようにして、裏打ち板(12)に一体化さ
れ、且つその表面に第１記録層用の情報ピット及び／又
はグルーブが形成された光透過層(6) が形成される(a)
。
て、図３に示す操作を行ってもよい。図３を参照して、
スタンパ(11)上に所定量の放射線硬化性樹脂(6a)を載
せ、その上に裏打ち板(12)を載せ置き、スタンパ(11)及
び裏打ち板(12)を共に軸回りに回転させる。この操作に
より、スタンパ(11)と裏打ち板(12)との間に所定厚みの
樹脂層(6a)が得られる。図２の場合と同様に、樹脂層(6
a)に、放射線を照射して硬化させ、その後、スタンパ(1
1)を取外す。このようにして、裏打ち板(12)に一体化さ
れ、且つその表面に第１記録層用の情報ピット及び／又
はグルーブが形成された光透過層(6) が形成される(a)
。
【００５２】第１記録層形成工程（Ｂ）において、光透
過層(6) 上に第１記録層(5) を形成する。第１記録層
(5) は、例えば、相変化記録層の場合、真空蒸着、電子
ビーム蒸着、レーザーアブレーション、イオンプレーテ
ィング、スパッタリング等のＰＶＤ法、又はＣＶＤ法に
より形成するとよい。例えば、図１で説明した第１記録
層(5) を形成する場合、光透過層(6) 上に、順次、誘電
体膜(5a)、相変化記録膜(5b)及び誘電体膜(5c)を形成す
る。
過層(6) 上に第１記録層(5) を形成する。第１記録層
(5) は、例えば、相変化記録層の場合、真空蒸着、電子
ビーム蒸着、レーザーアブレーション、イオンプレーテ
ィング、スパッタリング等のＰＶＤ法、又はＣＶＤ法に
より形成するとよい。例えば、図１で説明した第１記録
層(5) を形成する場合、光透過層(6) 上に、順次、誘電
体膜(5a)、相変化記録膜(5b)及び誘電体膜(5c)を形成す
る。
【００５３】相変化記録膜(5b)は、レーザー光照射によ
って結晶状態とアモルファス状態とに可逆的に変化し、
両状態の間で光学特性が異なる材料により形成される。
例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｎ−
Ｓｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ、Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等が挙げられる。さらに、これらの材料
に、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｉｎ等から選ば
れる金属のうちの少なくとも１種を微量に添加してもよ
く、窒素等の還元性ガスを微量に添加してもよい。相変
化記録膜(5b)の厚さは、特に限定されることなく、例え
ば、３〜３０ｎｍ程度である。
って結晶状態とアモルファス状態とに可逆的に変化し、
両状態の間で光学特性が異なる材料により形成される。
例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｎ−
Ｓｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ、Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等が挙げられる。さらに、これらの材料
に、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｉｎ等から選ば
れる金属のうちの少なくとも１種を微量に添加してもよ
く、窒素等の還元性ガスを微量に添加してもよい。相変
化記録膜(5b)の厚さは、特に限定されることなく、例え
ば、３〜３０ｎｍ程度である。
【００５４】誘電体膜(5a)及び誘電体膜(5c)は、記録膜
(5b)の上下両面側にこれを挟んで形成される。誘電体膜
(5a)及び誘電体膜(5c)は、記録膜(5b)の機械的、化学的
保護の機能と共に、光学特性を調整する干渉層としての
機能を有する。誘電体膜(5a)及び誘電体膜(5c)はそれぞ
れ、単層からなっていてもよく、複数層からなっていて
もよい。
(5b)の上下両面側にこれを挟んで形成される。誘電体膜
(5a)及び誘電体膜(5c)は、記録膜(5b)の機械的、化学的
保護の機能と共に、光学特性を調整する干渉層としての
機能を有する。誘電体膜(5a)及び誘電体膜(5c)はそれぞ
れ、単層からなっていてもよく、複数層からなっていて
もよい。
【００５５】誘電体膜(5a)及び誘電体膜(5c)は、Ｓｉ、
Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇから選ば
れる金属のうちの少なくとも１種を含む酸化物、窒化
物、硫化物、フッ化物、あるいはこれらの複合物から形
成されることが好ましい。また、誘電体膜(5a)及び誘電
体膜(5c)の消衰係数ｋは、０．１以下であることが好ま
しい。
Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇから選ば
れる金属のうちの少なくとも１種を含む酸化物、窒化
物、硫化物、フッ化物、あるいはこれらの複合物から形
成されることが好ましい。また、誘電体膜(5a)及び誘電
体膜(5c)の消衰係数ｋは、０．１以下であることが好ま
しい。
【００５６】誘電体膜(5c)の厚さは、特に限定されるこ
となく、例えば、１０〜２００ｎｍ程度が好ましい。誘
電体膜(5a)の厚さは、特に限定されることなく、例え
ば、１０〜２００ｎｍ程度が好ましい。誘電体膜(5a)(5
c)の厚さをこのような範囲で選択することにより、反射
率を調整できる。
となく、例えば、１０〜２００ｎｍ程度が好ましい。誘
電体膜(5a)の厚さは、特に限定されることなく、例え
ば、１０〜２００ｎｍ程度が好ましい。誘電体膜(5a)(5
c)の厚さをこのような範囲で選択することにより、反射
率を調整できる。
【００５７】誘電体膜(5c)上に、必要に応じて反射膜が
設けられることもある。反射膜の材料としては、金属元
素、半金属元素、半導体元素又はそれらの化合物を単独
あるいは複合させて用いる。具体的には、例えばＡｕ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｄ等の周知の反射膜材料から選択
すればよい。反射膜は、厚さ５〜５０ｎｍの半透過薄膜
として形成することが好ましい。このようにして、裏打
ち板(12)上の光透過層(6) 上に、第１記録層(5) が形成
される(b) 。
設けられることもある。反射膜の材料としては、金属元
素、半金属元素、半導体元素又はそれらの化合物を単独
あるいは複合させて用いる。具体的には、例えばＡｕ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｄ等の周知の反射膜材料から選択
すればよい。反射膜は、厚さ５〜５０ｎｍの半透過薄膜
として形成することが好ましい。このようにして、裏打
ち板(12)上の光透過層(6) 上に、第１記録層(5) が形成
される(b) 。
【００５８】一方、第２記録層形成工程（Ｃ）におい
て、第２記録層用の情報ピット及び／又はグルーブが形
成された支持基体(2) 上に第２記録層(3) を形成する。
て、第２記録層用の情報ピット及び／又はグルーブが形
成された支持基体(2) 上に第２記録層(3) を形成する。
【００５９】支持基体(2) は、厚さ０．３〜１．６ｍ
ｍ、好ましくは厚さ０．５〜１．３ｍｍであり、第２記
録層(3) が形成される側の面に、第２記録層用の情報ピ
ット、グルーブ等の微細な凹凸が形成されている。支持
基体(2) は、光学的には透明である必要はなく、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）等のアクリル系樹脂、ポリオレフィン樹脂等の各種
プラスチック材料、ガラス、セラミックス、金属等から
形成されても良い。凹凸パターンは、プラスチック材料
を用いる場合には、射出成形することにより作成される
ことが多く、プラスチック材料以外の場合には、フォト
ポリマー法（２Ｐ法）によって成形される。
ｍ、好ましくは厚さ０．５〜１．３ｍｍであり、第２記
録層(3) が形成される側の面に、第２記録層用の情報ピ
ット、グルーブ等の微細な凹凸が形成されている。支持
基体(2) は、光学的には透明である必要はなく、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）等のアクリル系樹脂、ポリオレフィン樹脂等の各種
プラスチック材料、ガラス、セラミックス、金属等から
形成されても良い。凹凸パターンは、プラスチック材料
を用いる場合には、射出成形することにより作成される
ことが多く、プラスチック材料以外の場合には、フォト
ポリマー法（２Ｐ法）によって成形される。
【００６０】第２記録層(3) は、例えば、相変化記録層
の場合、真空蒸着、電子ビーム蒸着、レーザーアブレー
ション、イオンプレーティング、スパッタリング等のＰ
ＶＤ法、又はＣＶＤ法により形成するとよい。例えば、
図１で説明した第２記録層(3) を形成する場合、支持基
体(2) 上に、順次、反射膜、誘電体膜(3c)、相変化記録
膜(3b)及び誘電体膜(3a)を形成する。相変化記録膜(3
b)、誘電体膜(3a)、誘電体膜(3c)、反射膜の各材料は上
述したものと同様である。誘電体膜(3a)及び誘電体膜(3
c)はそれぞれ、単層からなっていてもよく、複数層から
なっていてもよい。
の場合、真空蒸着、電子ビーム蒸着、レーザーアブレー
ション、イオンプレーティング、スパッタリング等のＰ
ＶＤ法、又はＣＶＤ法により形成するとよい。例えば、
図１で説明した第２記録層(3) を形成する場合、支持基
体(2) 上に、順次、反射膜、誘電体膜(3c)、相変化記録
膜(3b)及び誘電体膜(3a)を形成する。相変化記録膜(3
b)、誘電体膜(3a)、誘電体膜(3c)、反射膜の各材料は上
述したものと同様である。誘電体膜(3a)及び誘電体膜(3
c)はそれぞれ、単層からなっていてもよく、複数層から
なっていてもよい。
【００６１】相変化記録膜(5b)の厚さは、特に限定され
ることなく、例えば、３〜５０ｎｍ程度である。誘電体
膜(3c)の厚さは、特に限定されることなく、例えば、１
０〜２００ｎｍ程度が好ましい。誘電体膜(3a)の厚さ
は、特に限定されることなく、例えば、１０〜２００ｎ
ｍ程度が好ましい。誘電体膜(3a)(3c)の厚さをこのよう
な範囲で選択することにより、反射率を調整できる。反
射膜は、厚さ２０〜２００ｎｍの薄膜として形成するこ
とが好ましい。このようにして、支持基体(2) 上に、第
２記録層(3) が形成される(c) 。
ることなく、例えば、３〜５０ｎｍ程度である。誘電体
膜(3c)の厚さは、特に限定されることなく、例えば、１
０〜２００ｎｍ程度が好ましい。誘電体膜(3a)の厚さ
は、特に限定されることなく、例えば、１０〜２００ｎ
ｍ程度が好ましい。誘電体膜(3a)(3c)の厚さをこのよう
な範囲で選択することにより、反射率を調整できる。反
射膜は、厚さ２０〜２００ｎｍの薄膜として形成するこ
とが好ましい。このようにして、支持基体(2) 上に、第
２記録層(3) が形成される(c) 。
【００６２】貼り合わせ工程（Ｄ）において、工程
（Ｂ）で得られた光透過層(6) 及び第１記録層(5) が形
成された裏打ち板(12)と、工程（Ｃ）で得られた第２記
録層(3)が形成された支持基体(2) とを、第１記録層(5)
及び第２記録層(3) が内側になるようにスペーサー層
(4) を介して貼り合わせる。
（Ｂ）で得られた光透過層(6) 及び第１記録層(5) が形
成された裏打ち板(12)と、工程（Ｃ）で得られた第２記
録層(3)が形成された支持基体(2) とを、第１記録層(5)
及び第２記録層(3) が内側になるようにスペーサー層
(4) を介して貼り合わせる。
【００６３】スペーサー層を、放射線硬化性樹脂、２液
性接着剤及び粘着材からなる群から選ばれる材料から形
成するとよい。粘着材としては、圧着シートを用いると
よい。
性接着剤及び粘着材からなる群から選ばれる材料から形
成するとよい。粘着材としては、圧着シートを用いると
よい。
【００６４】粘着材を用いる場合は、裏打ち板(12)上の
第１記録層(5) と支持基体(2) 上の第２記録層(3) との
間に、スペーサー層としての粘着材を挟み圧着すること
により、裏打ち板(12)と支持基体(2) とをスペーサー層
を介して貼り合わせる。この場合には、硬化処理の必要
はない。また、気泡が入らないように、減圧下で貼り合
わせることが好ましい。
第１記録層(5) と支持基体(2) 上の第２記録層(3) との
間に、スペーサー層としての粘着材を挟み圧着すること
により、裏打ち板(12)と支持基体(2) とをスペーサー層
を介して貼り合わせる。この場合には、硬化処理の必要
はない。また、気泡が入らないように、減圧下で貼り合
わせることが好ましい。
【００６５】２液性接着剤を用いる場合は、例えば、裏
打ち板(12)上の第１記録層(5) 上にＡ液を、支持基体
(2) 上の第２記録層(3) 上にＢ液を各々スピンコート
し、好ましくは気泡を取り除くために減圧下で、裏打ち
板(12)と支持基体(2) とを貼り合わせ接着させる。
打ち板(12)上の第１記録層(5) 上にＡ液を、支持基体
(2) 上の第２記録層(3) 上にＢ液を各々スピンコート
し、好ましくは気泡を取り除くために減圧下で、裏打ち
板(12)と支持基体(2) とを貼り合わせ接着させる。
【００６６】また、スペーサー層の形成材料として、熱
硬化性樹脂のうち、硬化速度の速いものを使用すること
もできる。
硬化性樹脂のうち、硬化速度の速いものを使用すること
もできる。
【００６７】本発明において、スペーサー層の材料とし
て、放射線硬化性樹脂が好ましく、放射線硬化性樹脂の
中でも、ラジカル紫外線硬化性樹脂やカチオン重合性紫
外線硬化性樹脂が好ましい。
て、放射線硬化性樹脂が好ましく、放射線硬化性樹脂の
中でも、ラジカル紫外線硬化性樹脂やカチオン重合性紫
外線硬化性樹脂が好ましい。
【００６８】放射線硬化性樹脂を用いる場合、第１記録
層(5) 又は第２記録層(3) 上に、あるいは第１記録層
(5) 及び第２記録層(3) の双方の上に、放射線硬化性樹
脂をスピンコートし、裏打ち板(12)と支持基体(2) とを
貼り合わせ、樹脂層に放射線を照射して硬化させる。
層(5) 又は第２記録層(3) 上に、あるいは第１記録層
(5) 及び第２記録層(3) の双方の上に、放射線硬化性樹
脂をスピンコートし、裏打ち板(12)と支持基体(2) とを
貼り合わせ、樹脂層に放射線を照射して硬化させる。
【００６９】典型的には、図２に示すように、支持基体
(2) 上の第２記録層(3) 上に、放射線硬化性樹脂をスピ
ンコートし未硬化のスペーサー層(4) を設け、光透過層
(6)及び第１記録層(5) が形成された裏打ち板(12)とこ
の支持基体(2) とを、第１記録層(5) 及び第２記録層
(3) が内側になるようにスペーサー層(4) を介して貼り
合わせ、スペーサー層(4) に放射線を照射して硬化させ
る(d) 。
(2) 上の第２記録層(3) 上に、放射線硬化性樹脂をスピ
ンコートし未硬化のスペーサー層(4) を設け、光透過層
(6)及び第１記録層(5) が形成された裏打ち板(12)とこ
の支持基体(2) とを、第１記録層(5) 及び第２記録層
(3) が内側になるようにスペーサー層(4) を介して貼り
合わせ、スペーサー層(4) に放射線を照射して硬化させ
る(d) 。
【００７０】また、図示されていないが、裏打ち板(12)
上の第１記録層(5) 上に、放射線硬化性樹脂をスピンコ
ートし未硬化のスペーサー層(4) を設け、この裏打ち板
と第２記録層が形成された支持基体とを、第１記録層及
び第２記録層が内側になるようにスペーサー層を介して
貼り合わせ、スペーサー層に放射線を照射して硬化させ
ることによっても、同様のもの(d) が得られる。また、
図示されていないが、第１記録層(5) 及び第２記録層
(3) の両者の上にそれぞれ、放射線硬化性樹脂をスピン
コートし所定厚みの未硬化のスペーサー層を設けてもよ
い。
上の第１記録層(5) 上に、放射線硬化性樹脂をスピンコ
ートし未硬化のスペーサー層(4) を設け、この裏打ち板
と第２記録層が形成された支持基体とを、第１記録層及
び第２記録層が内側になるようにスペーサー層を介して
貼り合わせ、スペーサー層に放射線を照射して硬化させ
ることによっても、同様のもの(d) が得られる。また、
図示されていないが、第１記録層(5) 及び第２記録層
(3) の両者の上にそれぞれ、放射線硬化性樹脂をスピン
コートし所定厚みの未硬化のスペーサー層を設けてもよ
い。
【００７１】放射線硬化性樹脂の中でもカチオン重合性
紫外線硬化性樹脂を用いる場合には、工程（Ｄ）におい
て、裏打ち板上の第１記録層及び／又は支持基体上の第
２記録層上に、カチオン重合性紫外線硬化性樹脂をスピ
ンコートし未硬化のスペーサー層を設け、その後、スペ
ーサー層に紫外線を照射し、減圧下好ましくは真空中に
おいて、裏打ち板と支持基体とを、第１記録層及び第２
記録層が内側になるようにスペーサー層を介して貼り合
わせるとよい。貼り合わせの後、徐々に硬化反応が進行
し、両者の接着が完了する。
紫外線硬化性樹脂を用いる場合には、工程（Ｄ）におい
て、裏打ち板上の第１記録層及び／又は支持基体上の第
２記録層上に、カチオン重合性紫外線硬化性樹脂をスピ
ンコートし未硬化のスペーサー層を設け、その後、スペ
ーサー層に紫外線を照射し、減圧下好ましくは真空中に
おいて、裏打ち板と支持基体とを、第１記録層及び第２
記録層が内側になるようにスペーサー層を介して貼り合
わせるとよい。貼り合わせの後、徐々に硬化反応が進行
し、両者の接着が完了する。
【００７２】本発明において、工程（Ｄ）の変形例とし
て、図４に示す操作を行ってもよい。図４を参照して、
支持基体(2) 上の第２記録層(3) 上に所定量の放射線硬
化性樹脂(4) を載せ、その上に、裏打ち板(12)を第１記
録層(5) が内側になるように載せ置き、支持基体(2) 及
び裏打ち板(12)を共に軸回りに回転させる。この操作に
より、第２記録層(3) と第１記録層(5) との間に所定厚
みのスペーサー層(4)が得られ、裏打ち板(12)と支持基
体(2) とがスペーサー層(4) を介して貼り合わせられ
る。図２の場合と同様に、スペーサー層(4) に放射線を
照射して硬化させる(d) 。
て、図４に示す操作を行ってもよい。図４を参照して、
支持基体(2) 上の第２記録層(3) 上に所定量の放射線硬
化性樹脂(4) を載せ、その上に、裏打ち板(12)を第１記
録層(5) が内側になるように載せ置き、支持基体(2) 及
び裏打ち板(12)を共に軸回りに回転させる。この操作に
より、第２記録層(3) と第１記録層(5) との間に所定厚
みのスペーサー層(4)が得られ、裏打ち板(12)と支持基
体(2) とがスペーサー層(4) を介して貼り合わせられ
る。図２の場合と同様に、スペーサー層(4) に放射線を
照射して硬化させる(d) 。
【００７３】また、図４の変形例として、裏打ち板(12)
上の第１記録層(5) 上に放射線硬化性樹脂を載せ、その
上に、支持基体(2) を第２記録層(3) が内側になるよう
に載せ置き、支持基体(2) 及び裏打ち板(12)を共に軸回
りに回転させてもよい。
上の第１記録層(5) 上に放射線硬化性樹脂を載せ、その
上に、支持基体(2) を第２記録層(3) が内側になるよう
に載せ置き、支持基体(2) 及び裏打ち板(12)を共に軸回
りに回転させてもよい。
【００７４】スペーサー層(4) の厚さは、５〜３０μｍ
とされる。本発明の方法によれば、このような厚さのス
ペーサー層を、第１記録層及び第２記録層双方につい
て、情報ピット及び／又はグルーブの微細凹凸形状を維
持しながら簡便に形成することができる。
とされる。本発明の方法によれば、このような厚さのス
ペーサー層を、第１記録層及び第２記録層双方につい
て、情報ピット及び／又はグルーブの微細凹凸形状を維
持しながら簡便に形成することができる。
【００７５】裏打ち板取外し工程（Ｅ）において、裏打
ち板(12)を光透過層(6) 側から取外し、光ディスク(1)
を得る(e) 。裏打ち板(12)の光透過層(6) 側の面が、フ
ッ素コート等の剥離処理が施されていると、取外しが容
易である。
ち板(12)を光透過層(6) 側から取外し、光ディスク(1)
を得る(e) 。裏打ち板(12)の光透過層(6) 側の面が、フ
ッ素コート等の剥離処理が施されていると、取外しが容
易である。
【００７６】また、本発明において、相変化型記録膜の
光ディスクを製造する場合、第１記録層形成工程（Ｂ）
の後、貼り合わせ工程（Ｄ）の前に、第１記録層の初期
化を行うことが好ましい。同様に、第２記録層形成工程
（Ｃ）の後、貼り合わせ工程（Ｄ）の前に、第２記録層
の初期化を行うことが好ましい。２層の記録層を形成し
た後に一度に両記録層の初期化を行うと、第２記録層と
第１記録層の初期化状態に差が生じることがあるが、こ
の好ましい態様によれば、この弊害が起こらない。
光ディスクを製造する場合、第１記録層形成工程（Ｂ）
の後、貼り合わせ工程（Ｄ）の前に、第１記録層の初期
化を行うことが好ましい。同様に、第２記録層形成工程
（Ｃ）の後、貼り合わせ工程（Ｄ）の前に、第２記録層
の初期化を行うことが好ましい。２層の記録層を形成し
た後に一度に両記録層の初期化を行うと、第２記録層と
第１記録層の初期化状態に差が生じることがあるが、こ
の好ましい態様によれば、この弊害が起こらない。
【００７７】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではな
い。
に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではな
い。
【００７８】［実施例１］以下の手順で光ディスクを作
成した。 〔光透過層形成工程（Ａ）〕第１記録層用のランド／グ
ルーブ形成用の所要パターンの微細凹凸が形成されたス
タンパ（Ｎｉ製、直径１２０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ）上
に、ウレタンアクリレートを主成分とする紫外線硬化性
樹脂（２５℃における粘度：５０００ｃｐ）をスピンコ
ートし、紫外線を照射し（ＵＶ積算光量１４０ｍＪ／ｃ
ｍ2 ）、半硬化状態の樹脂層を得た。この樹脂層上に裏
打ち板（ガラス製、直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）
を重ね置き、樹脂層に放射線をさらに照射して（ＵＶ積
算光量３０００ｍＪ／ｃｍ2 ）完全に硬化させた。その
後、スタンパを取外し、このようにして、裏打ち板に支
持された光透過層を形成した。光透過層の厚さは、９０
μｍであった。光透過層表面に形成されたグルーブの深
さは、波長λ＝４０５ｎｍにおける光路長で表してλ／
１０とし、記録トラックピッチが０．３μｍのランド／
グルーブ基板とした。
成した。 〔光透過層形成工程（Ａ）〕第１記録層用のランド／グ
ルーブ形成用の所要パターンの微細凹凸が形成されたス
タンパ（Ｎｉ製、直径１２０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ）上
に、ウレタンアクリレートを主成分とする紫外線硬化性
樹脂（２５℃における粘度：５０００ｃｐ）をスピンコ
ートし、紫外線を照射し（ＵＶ積算光量１４０ｍＪ／ｃ
ｍ2 ）、半硬化状態の樹脂層を得た。この樹脂層上に裏
打ち板（ガラス製、直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）
を重ね置き、樹脂層に放射線をさらに照射して（ＵＶ積
算光量３０００ｍＪ／ｃｍ2 ）完全に硬化させた。その
後、スタンパを取外し、このようにして、裏打ち板に支
持された光透過層を形成した。光透過層の厚さは、９０
μｍであった。光透過層表面に形成されたグルーブの深
さは、波長λ＝４０５ｎｍにおける光路長で表してλ／
１０とし、記録トラックピッチが０．３μｍのランド／
グルーブ基板とした。
【００７９】〔第１記録層形成工程（Ｂ）〕光透過層表
面に、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）
ターゲットを用いて、スパッタリング法により厚さ５０
ｎｍの誘電体膜を形成した。次に、誘電体膜表面に、相
変化材料からなる合金ターゲットを用いて、スパッタリ
ング法により厚さ６ｎｍの記録膜を形成した。記録膜の
組成は、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系とした。次に、記録膜表面
に、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法により厚さ８０ｎ
ｍの誘電体膜を形成した。このようにして、第１記録層
を形成し、続いて、（株）シバソク製ＬＫ２０１Ｂを用
い、波長８１０ｎｍのレーザーにて初期化を行った。
面に、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）
ターゲットを用いて、スパッタリング法により厚さ５０
ｎｍの誘電体膜を形成した。次に、誘電体膜表面に、相
変化材料からなる合金ターゲットを用いて、スパッタリ
ング法により厚さ６ｎｍの記録膜を形成した。記録膜の
組成は、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系とした。次に、記録膜表面
に、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法により厚さ８０ｎ
ｍの誘電体膜を形成した。このようにして、第１記録層
を形成し、続いて、（株）シバソク製ＬＫ２０１Ｂを用
い、波長８１０ｎｍのレーザーにて初期化を行った。
【００８０】〔第２記録層形成工程（Ｃ）〕第２記録層
用のランド／グルーブが形成されたディスク状支持基体
（ポリカーボネート製、直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍ
ｍ）の表面に、Ａｇを主成分とする合金からなる厚さ５
０ｎｍの反射膜をスパッタリング法により形成した。グ
ルーブの深さは、波長λ＝４０５ｎｍにおける光路長で
表してλ／１０とし、記録トラックピッチが０．３μｍ
のランド／グルーブ基板とした。次に、反射膜表面に、
ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）ターゲ
ットを用いて、スパッタリング法により厚さ９０ｎｍの
誘電体膜を形成した。次に、誘電体膜表面に、相変化材
料からなる合金ターゲットを用いて、スパッタリング法
により厚さ１０ｎｍの記録膜を形成した。記録膜の組成
は、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系とした。次に、記録膜表面に、
ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）ターゲ
ットを用いて、スパッタリング法により厚さ１２０ｎｍ
の誘電体膜を形成した。このようにして、第２記録層を
形成し、続いて、前記と同様に初期化を行った。
用のランド／グルーブが形成されたディスク状支持基体
（ポリカーボネート製、直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍ
ｍ）の表面に、Ａｇを主成分とする合金からなる厚さ５
０ｎｍの反射膜をスパッタリング法により形成した。グ
ルーブの深さは、波長λ＝４０５ｎｍにおける光路長で
表してλ／１０とし、記録トラックピッチが０．３μｍ
のランド／グルーブ基板とした。次に、反射膜表面に、
ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）ターゲ
ットを用いて、スパッタリング法により厚さ９０ｎｍの
誘電体膜を形成した。次に、誘電体膜表面に、相変化材
料からなる合金ターゲットを用いて、スパッタリング法
により厚さ１０ｎｍの記録膜を形成した。記録膜の組成
は、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系とした。次に、記録膜表面に、
ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）ターゲ
ットを用いて、スパッタリング法により厚さ１２０ｎｍ
の誘電体膜を形成した。このようにして、第２記録層を
形成し、続いて、前記と同様に初期化を行った。
【００８１】〔貼り合わせ工程（Ｄ）〕支持基体上の第
２記録層上に、紫外線硬化性樹脂（ＭＰＺ２０８、日本
化薬製）をスピンコートし、未硬化のスペーサー層を設
けた。工程（Ｂ）の光透過層及び第１記録層が形成され
た裏打ち板と、この支持基体とを、第１記録層及び第２
記録層が内側になるようにスペーサー層を介して減圧下
で貼り合わせた。スペーサー層に紫外線を裏打ち板側か
ら照射して（ＵＶ積算光量３０００ｍＪ／ｃｍ2）、硬
化させた。スペーサー層の厚さは、２０μｍであった。
２記録層上に、紫外線硬化性樹脂（ＭＰＺ２０８、日本
化薬製）をスピンコートし、未硬化のスペーサー層を設
けた。工程（Ｂ）の光透過層及び第１記録層が形成され
た裏打ち板と、この支持基体とを、第１記録層及び第２
記録層が内側になるようにスペーサー層を介して減圧下
で貼り合わせた。スペーサー層に紫外線を裏打ち板側か
ら照射して（ＵＶ積算光量３０００ｍＪ／ｃｍ2）、硬
化させた。スペーサー層の厚さは、２０μｍであった。
【００８２】〔裏打ち板取外し工程（Ｅ）〕裏打ち板を
光透過層側から取外し、光ディスクを得た。
光透過層側から取外し、光ディスクを得た。
【００８３】上記実施例では、片面２層の相変化型光デ
ィスクの製造例を示した。しかしながら、本発明の製造
方法は、記録層が相変化型の光ディスクのみならず、再
生専用型光ディスクや、追記型光ディスクにも適用され
る。そのため、前述の実施例はあらゆる点で単なる例示
にすぎず、限定的に解釈してはならない。さらに、請求
の範囲の均等範囲に属する変更は、すべて本発明の範囲
内のものである。
ィスクの製造例を示した。しかしながら、本発明の製造
方法は、記録層が相変化型の光ディスクのみならず、再
生専用型光ディスクや、追記型光ディスクにも適用され
る。そのため、前述の実施例はあらゆる点で単なる例示
にすぎず、限定的に解釈してはならない。さらに、請求
の範囲の均等範囲に属する変更は、すべて本発明の範囲
内のものである。
【００８４】
【発明の効果】本発明によれば、支持基体上に２層の記
録層を有する光記録媒体の製造方法及び前記方法により
得られる光記録媒体が提供される。２層の記録層は共
に、特定の情報ピット及び／又はグルーブの微細凹凸形
状を維持する。
録層を有する光記録媒体の製造方法及び前記方法により
得られる光記録媒体が提供される。２層の記録層は共
に、特定の情報ピット及び／又はグルーブの微細凹凸形
状を維持する。
【図１】 本発明の方法により製造される光ディスクの
一例の概略断面図である。
一例の概略断面図である。
【図２】 本発明の製造方法の一例の概略工程図であ
る。
る。
【図３】 本発明の製造方法の光透過層形成工程（Ａ）
の変形例を示す図である。
の変形例を示す図である。
【図４】 本発明の製造方法の貼り合わせ工程（Ｄ）の
変形例を示す図である。
変形例を示す図である。
(1) ：光ディスク
(2) ：支持基体
(3) ：第２記録層（レイヤー１）
(4) ：スペーサー層
(5) ：第１記録層（レイヤー０）
(6) ：光透過層
(7) ：中心孔
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 米山 健司
東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ
ーディーケイ株式会社内
Ｆターム(参考） 5D029 JB05 JB06 JB35 LB07
5D121 AA01 AA04 AA07 DD13 EE01
EE22 EE23 EE27 FF01 FF13
GG02
Claims (24)
- 【請求項１】 支持基体上に第２記録層（レイヤー１）
とスペーサー層と第１記録層（レイヤー０）と光透過層
とを有する光記録媒体を製造する方法であって、 第１記録層用の情報ピット及び／又はグルーブ形成用ス
タンパ上に、裏打ち板で裏打ちされた放射線硬化性樹脂
層を設け、樹脂層に放射線を照射して硬化させ、その
後、スタンパを取外し、裏打ち板に支持された光透過層
を形成する工程（Ａ）と、 光透過層上に第１記録層を形成する工程（Ｂ）と、 一方、第２記録層用の情報ピット及び／又はグルーブが
形成された支持基体上に第２記録層を形成する工程
（Ｃ）と、 光透過層及び第１記録層が形成された裏打ち板と第２記
録層が形成された支持基体とを、第１記録層及び第２記
録層が内側になるようにスペーサー層を介して貼り合わ
せる工程（Ｄ）と、 裏打ち板を取外す工程（Ｅ）とを含む、光記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２】 工程（Ａ）において、スタンパ上に放射
線硬化性樹脂層を形成し、この樹脂層上に裏打ち板を重
ね置くことにより、裏打ち板で裏打ちされた放射線硬化
性樹脂層を設け、樹脂層に放射線を照射して硬化させ
る、請求項１に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 工程（Ａ）において、スタンパ上に放射
線硬化性樹脂をスピンコートすることにより、放射線硬
化性樹脂層を形成する、請求項２に記載の光記録媒体の
製造方法。 - 【請求項４】 工程（Ａ）において、スタンパ上に放射
線硬化性樹脂層を形成し、放射線硬化性樹脂層に放射線
を照射し半硬化状態の樹脂層を得て、この樹脂層上に裏
打ち板を重ね置くことにより、裏打ち板で裏打ちされた
放射線硬化性樹脂層を設け、樹脂層にさらに放射線を照
射して完全に硬化させる、請求項２又は３に記載の光記
録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 工程（Ａ）において、スタンパ上に放射
線硬化性樹脂を載せ、その上に裏打ち板を載せ置き、回
転させることにより所定厚みの樹脂層を得ることによ
り、裏打ち板で裏打ちされた放射線硬化性樹脂層を設
け、樹脂層に放射線を照射して硬化させる、請求項１に
記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 放射線は紫外線である、請求項１〜５の
うちのいずれか１項に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 裏打ち板は、放射線に対して透過性を有
する、請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の光記
録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 裏打ち板の、樹脂層に重ねられる側の面
が剥離処理されている、請求項１〜７のうちのいずれか
１項に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 工程（Ｂ）において、第１記録層をＰＶ
Ｄ法、ＣＶＤ法及びスピンコート法の中から選ばれる少
なくとも１つの方法により形成する、請求項１〜８のう
ちのいずれか１項に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 工程（Ｂ）において、第１記録層をＰ
ＶＤ法又はＣＶＤ法により相変化型記録層として形成す
る、請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の光記録
媒体の製造方法。 - 【請求項１１】 工程（Ｂ）の後、第１記録層の初期化
を行う、請求項１０に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１２】 工程（Ｃ）において、第２記録層をＰ
ＶＤ法、ＣＶＤ法及びスピンコート法の中から選ばれる
少なくとも１つの方法により形成する、請求項１〜１１
のうちのいずれか１項に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１３】 工程（Ｃ）において、第２記録層をＰ
ＶＤ法又はＣＶＤ法により相変化型記録層として形成す
る、請求項１〜１２のうちのいずれか１項に記載の光記
録媒体の製造方法。 - 【請求項１４】 工程（Ｃ）の後、第２記録層の初期化
を行う、請求項１３に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１５】 工程（Ｄ）において、スペーサー層
を、放射線硬化性樹脂、２液性接着剤及び粘着材からな
る群から選ばれる材料から形成する、請求項１〜１４の
うちのいずれか１項に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１６】 工程（Ｄ）において、裏打ち板上の第
１記録層及び／又は支持基体上の第２記録層上に、放射
線硬化性樹脂をスピンコートしスペーサー層を設け、そ
の後、裏打ち板と支持基体とを、第１記録層及び第２記
録層が内側になるようにスペーサー層を介して貼り合わ
せ、スペーサー層に放射線を照射して硬化させる、請求
項１５に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１７】 工程（Ｄ）において、裏打ち板上の第
１記録層及び／又は支持基体上の第２記録層上に、カチ
オン重合性紫外線硬化性樹脂をスピンコートしスペーサ
ー層を設け、その後、スペーサー層に紫外線を照射し、
裏打ち板と支持基体とを、第１記録層及び第２記録層が
内側になるようにスペーサー層を介して貼り合わせる、
請求項１５に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１８】 工程（Ｄ）において、支持基体上の第
２記録層上に放射線硬化性樹脂を載せ、その上に、裏打
ち板を第１記録層が内側になるように載せ置き、回転さ
せることにより所定厚みのスペーサー層とすると共に、
裏打ち板と支持基体とをスペーサー層を介して貼り合わ
せ、スペーサー層に放射線を照射して硬化させる、請求
項１５に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１９】 工程（Ｄ）において、裏打ち板上の第
１記録層上に放射線硬化性樹脂を載せ、その上に、支持
基体を第２記録層が内側になるように載せ置き、回転さ
せることにより所定厚みのスペーサー層とすると共に、
裏打ち板と支持基体とをスペーサー層を介して貼り合わ
せ、スペーサー層に放射線を照射して硬化させる、請求
項１５に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項２０】 工程（Ｄ）において、裏打ち板上の第
１記録層上に２液性接着剤のＡ液をスピンコートし、支
持基体上の第２記録層上に２液性接着剤のＢ液をスピン
コートするか、あるいは、裏打ち板上の第１記録層上に
２液性接着剤のＢ液をスピンコートし、支持基体上の第
２記録層上に２液性接着剤のＡ液をスピンコートし、 その後、裏打ち板と支持基体とを、第１記録層及び第２
記録層が内側になるように貼り合わせる、請求項１５に
記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項２１】 工程（Ｄ）において、裏打ち板上の第
１記録層と支持基体上の第２記録層との間に、スペーサ
ー層としての粘着材を挟み圧着することにより、裏打ち
板と支持基体とをスペーサー層を介して貼り合わせる、
請求項１５に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項２２】 スペーサー層の厚さは、５〜３０μｍ
である、請求項１〜２１のうちのいずれか１項に記載の
光記録媒体の製造方法。 - 【請求項２３】 光透過層の厚さは、３０〜１５０μｍ
である、請求項１〜２２のうちのいずれか１項に記載の
光記録媒体の製造方法。 - 【請求項２４】 請求項１〜２３のうちのいずれか１項
に記載の製造方法により得られた、支持基体上に第２記
録層（レイヤー１）とスペーサー層と第１記録層（レイ
ヤー０）と光透過層とを有する光記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278816A JP2003085837A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 光記録媒体の製造方法及び光記録媒体 |
| PCT/JP2002/008589 WO2003025925A1 (fr) | 2001-09-13 | 2002-08-26 | Procede de fabrication de support d'enregistrement optique et support d'enregistrement optique |
| US10/488,103 US7193960B2 (en) | 2001-09-13 | 2002-08-26 | Method of manufacturing optical recording medium and optical recording medium |
| TW091120175A TWI284898B (en) | 2001-09-13 | 2002-09-04 | Manufacturing method optical recording media and optical recording media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278816A JP2003085837A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 光記録媒体の製造方法及び光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003085837A true JP2003085837A (ja) | 2003-03-20 |
Family
ID=19103115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001278816A Withdrawn JP2003085837A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 光記録媒体の製造方法及び光記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7193960B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003085837A (ja) |
| TW (1) | TWI284898B (ja) |
| WO (1) | WO2003025925A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002063737A (ja) * | 2000-06-09 | 2002-02-28 | Tdk Corp | 光情報媒体およびその製造方法 |
| CN1691163A (zh) * | 2004-04-29 | 2005-11-02 | 精碟科技股份有限公司 | 光信息储存媒体 |
| DE102004025314A1 (de) * | 2004-05-19 | 2005-12-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines optischen Speichermediums und optisches Speichermedium |
| DE602005019447D1 (de) * | 2004-10-25 | 2010-04-01 | Panasonic Corp | Optische datenträgereinrichtung |
| DE102005013975A1 (de) * | 2005-03-26 | 2006-09-28 | Krauss-Maffei Kunststofftechnik Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von optischen Datenträgern sowie optische Datenträger |
| JP2007048367A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Canon Inc | 光記録媒体の製造方法 |
| JP2007265519A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 光ディスク、光ディスク製造方法、及び光ディスク装置 |
| JP2007323774A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Toshiba Corp | 光記録媒体、情報記録方法、情報再生方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6150231A (ja) | 1984-08-18 | 1986-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスクとその接着法 |
| JPH02223031A (ja) | 1989-02-22 | 1990-09-05 | Victor Co Of Japan Ltd | 光ディスク |
| US5340698A (en) * | 1989-05-02 | 1994-08-23 | Tdk Corporation | Optical disk |
| JPH09161318A (ja) | 1995-12-12 | 1997-06-20 | Sony Corp | 光学記録媒体とその製造方法 |
| JPH11120632A (ja) | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 相変化型光ディスクの製造方法 |
| JP3250989B2 (ja) | 1998-05-15 | 2002-01-28 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録媒体、その記録再生方法、その製造法及び光学情報記録再生装置 |
| JP2000011453A (ja) | 1998-06-29 | 2000-01-14 | Sony Corp | 光記録媒体と光記録再生装置 |
| JP2000251335A (ja) | 1999-02-24 | 2000-09-14 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体製造方法 |
| JP2001043569A (ja) | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Toshiba Corp | 表面記録再生用の情報記録媒体およびその製造方法 |
| JP2002175646A (ja) | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Pioneer Electronic Corp | ディスク作製方法及びディスク転写方法 |
| JP2002163847A (ja) | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Sony Disc Technology Inc | ディスク状の情報記録媒体の製造方法及び製造装置 |
-
2001
- 2001-09-13 JP JP2001278816A patent/JP2003085837A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-08-26 US US10/488,103 patent/US7193960B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-26 WO PCT/JP2002/008589 patent/WO2003025925A1/ja active Application Filing
- 2002-09-04 TW TW091120175A patent/TWI284898B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI284898B (en) | 2007-08-01 |
| US20040233830A1 (en) | 2004-11-25 |
| US7193960B2 (en) | 2007-03-20 |
| WO2003025925A1 (fr) | 2003-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1999000794A1 (fr) | Support d'enregistrement optique et dispositif de disque optique | |
| JP4642539B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2000011454A (ja) | 光記録媒体と、これを用いた光記録再生装置と、光記録媒体の製造方法 | |
| US20040257972A1 (en) | Photo-curable transfer sheet, laminate optical information recording substrate, method for manufacture thereof, and optical information recording medium | |
| US20080038455A1 (en) | Multilayer Optical Disc and Method and Apparatus For Making Same | |
| JP2008507067A5 (ja) | ||
| US7193960B2 (en) | Method of manufacturing optical recording medium and optical recording medium | |
| JP2003077187A (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
| JP2003091868A (ja) | 光ディスク及びその製造方法。 | |
| JPH10222870A (ja) | 光記録媒体 | |
| US9196288B2 (en) | Process and apparatus for producing optical recording medium | |
| JP4360269B2 (ja) | 多層光ディスクの製造方法 | |
| WO2007058309A2 (ja) | 光記録媒体の製造方法及び製造装置 | |
| JP5108434B2 (ja) | 光記録媒体の製造方法及び製造装置 | |
| JP4649395B2 (ja) | 光記録媒体の製造方法及び製造装置 | |
| JP4238518B2 (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2002279707A (ja) | 片面２層ディスクの作製方法、該２層ディスク及び記録再生装置 | |
| JP4064871B2 (ja) | 光ディスク及び光ディスク製造方法 | |
| JP2003162847A (ja) | 光記録媒体の製造方法及び製造装置 | |
| JP3978402B2 (ja) | 光記録媒体の製造方法及び光記録媒体用積層体の製造方法 | |
| WO2003019541A1 (en) | Optical storage medium and method of manufacturing same | |
| JP4081450B2 (ja) | 多層光ディスクの製造方法及び多層光ディスク | |
| JP4776140B2 (ja) | 光硬化性転写シート、光情報記録基板、その製造方法及び光情報記録媒体 | |
| JP2005203032A (ja) | 多層構造光記録媒体の製造方法及び光透過性スタンパ | |
| JP2009032370A (ja) | 光情報媒体及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051019 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070807 |