JP2003084444A - 多重露光描画方法及び多重露光描画装置 - Google Patents
多重露光描画方法及び多重露光描画装置Info
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マトリックス状に配置された多数の変調素子
を持つ露光ユニットを用いて、パターンデータの画素サ
イズがどのような大きさのものであってもそのパターン
データに基づいて所定のパターンを適正に多重露光によ
り描画する。 【解決手段】 露光ユニットのマトリックス状に配置さ
れた変調素子の一方の配列方向に沿ってしかも該配列方
向に対して所定の角度だけ傾斜させて該露光ユニット
（１８1、…１８8；２０1、…２０7）を描画面３２に対
して相対的に移動させる。露光ユニットの変調素子によ
って描画面上に得られる単位露光領域のサイズの整数倍
の距離Ａに該サイズより小さい距離ａを加えた距離（Ａ
＋ａ）だけ露光ユニットが描画面上に対して相対的に移
動する度毎に該露光ユニットの変調素子を所定のパター
ンデータに基づいて選択的に露光作動させる。
を持つ露光ユニットを用いて、パターンデータの画素サ
イズがどのような大きさのものであってもそのパターン
データに基づいて所定のパターンを適正に多重露光によ
り描画する。 【解決手段】 露光ユニットのマトリックス状に配置さ
れた変調素子の一方の配列方向に沿ってしかも該配列方
向に対して所定の角度だけ傾斜させて該露光ユニット
（１８1、…１８8；２０1、…２０7）を描画面３２に対
して相対的に移動させる。露光ユニットの変調素子によ
って描画面上に得られる単位露光領域のサイズの整数倍
の距離Ａに該サイズより小さい距離ａを加えた距離（Ａ
＋ａ）だけ露光ユニットが描画面上に対して相対的に移
動する度毎に該露光ユニットの変調素子を所定のパター
ンデータに基づいて選択的に露光作動させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマトリックス状に配
置された多数の変調素子を持つ露光ユニットを用いて描
画面上に所定のパターンを描画する描画方法及び描画装
置に関する。
置された多数の変調素子を持つ露光ユニットを用いて描
画面上に所定のパターンを描画する描画方法及び描画装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上述したような描画装置は一般的には適
当な被描画体の表面に微細なパターンや文字等の記号を
光学的に描画するために使用される。代表的な使用例と
しては、フォトリゾグラフィ(photolithography)の手法
によりプリント回路基板を製造する際の回路パターンの
描画が挙げられ、この場合には被描画体はフォトマスク
用感光フィルム或いは基板上のフォトレジスト層とな
る。
当な被描画体の表面に微細なパターンや文字等の記号を
光学的に描画するために使用される。代表的な使用例と
しては、フォトリゾグラフィ(photolithography)の手法
によりプリント回路基板を製造する際の回路パターンの
描画が挙げられ、この場合には被描画体はフォトマスク
用感光フィルム或いは基板上のフォトレジスト層とな
る。
【０００３】近年、回路パターンの設計プロセスから描
画プロセスに至るまでの一連のプロセスは統合されてシ
ステム化され、描画装置はそのような統合システムの一
翼を担っている。統合システムには、描画装置の他に、
回路パターンの設計を行うためのＣＡＤ(Computer Aide
d Design)ステーション、このＣＡＤステーションで得
られた回路パターンデータ（ベクタデータ）に編集処理
を施すＣＡＭ(Computer Aided Manufacturing)ステーシ
ョン等が設けられる。ＣＡＤステーションで作成された
ベクタデータ或いはＣＡＭステーションで編集処理され
たベクタデータは描画装置に転送され、そこでラスタデ
ータに変換された後にビット・マップ・メモリに格納さ
れる。
画プロセスに至るまでの一連のプロセスは統合されてシ
ステム化され、描画装置はそのような統合システムの一
翼を担っている。統合システムには、描画装置の他に、
回路パターンの設計を行うためのＣＡＤ(Computer Aide
d Design)ステーション、このＣＡＤステーションで得
られた回路パターンデータ（ベクタデータ）に編集処理
を施すＣＡＭ(Computer Aided Manufacturing)ステーシ
ョン等が設けられる。ＣＡＤステーションで作成された
ベクタデータ或いはＣＡＭステーションで編集処理され
たベクタデータは描画装置に転送され、そこでラスタデ
ータに変換された後にビット・マップ・メモリに格納さ
れる。
【０００４】露光ユニットの一タイプとして、例えばデ
ジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）或いはＬ
ＣＤ(liquid crystal display)アレイ等から構成される
ものが知られている。周知のように、ＤＭＤの反射面に
は、マイクロミラーがマトリックス状に配置され、個々
のマイクロミラーの反射方向が独立して制御されるよう
になっており、このためＤＭＤの反射面の全体に導入さ
れた光束は個々のマイクロミラーによる反射光束として
分割されるようになっており、このため各マイクロミラ
ーは変調素子として機能する。また、ＬＣＤアレイにお
いては、一対の透明基板間に液晶が封入され、その双方
の透明基板には互いに整合させられた多数対の微細な透
明電極がマトリックス状に配置され、個々の一対の透明
電極に電圧を印加するか否かにより光束の透過及び非透
過が制御されるようになっており、このため各一対の透
明電極が変調素子として機能する。
ジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）或いはＬ
ＣＤ(liquid crystal display)アレイ等から構成される
ものが知られている。周知のように、ＤＭＤの反射面に
は、マイクロミラーがマトリックス状に配置され、個々
のマイクロミラーの反射方向が独立して制御されるよう
になっており、このためＤＭＤの反射面の全体に導入さ
れた光束は個々のマイクロミラーによる反射光束として
分割されるようになっており、このため各マイクロミラ
ーは変調素子として機能する。また、ＬＣＤアレイにお
いては、一対の透明基板間に液晶が封入され、その双方
の透明基板には互いに整合させられた多数対の微細な透
明電極がマトリックス状に配置され、個々の一対の透明
電極に電圧を印加するか否かにより光束の透過及び非透
過が制御されるようになっており、このため各一対の透
明電極が変調素子として機能する。
【０００５】描画装置には被描画体の感光特性に応じた
適当な光源（例えば、超高圧水銀灯、キセノンランプ、
フラッシュランプ、ＬＥＤ(light emitting diode)、レ
ーザ等）が設けられ、また露光ユニットには結像光学系
が組み込まれる。光源から射出した光束は適当な照明光
学系を通して露光ユニットに導入させられ、露光ユニッ
トの個々の変調素子はそこに入射した光束を回路パター
ンデータ（ラスタデータ）に従って変調し、これにより
回路パターンが被描画体（フォトマスク用感光フィルム
或いは基板上のフォトレジスト層）上に露光されて光学
的に描画される。この場合、描画回路パターンの画素の
サイズは変調素子のサイズに対応したものとなり、例え
ば、上述した結像光学系の倍率が等倍であるとき、描画
回路パターンの画素のサイズと変調素子のサイズとは実
質的に等しくなる。
適当な光源（例えば、超高圧水銀灯、キセノンランプ、
フラッシュランプ、ＬＥＤ(light emitting diode)、レ
ーザ等）が設けられ、また露光ユニットには結像光学系
が組み込まれる。光源から射出した光束は適当な照明光
学系を通して露光ユニットに導入させられ、露光ユニッ
トの個々の変調素子はそこに入射した光束を回路パター
ンデータ（ラスタデータ）に従って変調し、これにより
回路パターンが被描画体（フォトマスク用感光フィルム
或いは基板上のフォトレジスト層）上に露光されて光学
的に描画される。この場合、描画回路パターンの画素の
サイズは変調素子のサイズに対応したものとなり、例え
ば、上述した結像光学系の倍率が等倍であるとき、描画
回路パターンの画素のサイズと変調素子のサイズとは実
質的に等しくなる。
【０００６】通常、被描画体に描画されるべき回路パタ
ーンの描画面積は露光ユニットによる露光面積よりも遥
かに大きく、このため被描画体上に回路パターンの全体
を描画するためには、被描画体を露光ユニットで走査す
ることが必要となる。即ち、被描画体に対して露光ユニ
ットを相対的に移動させつつ回路パターンを部分的に描
画してその全体の回路パターンを得ることが必要とな
る。そこで、従来では、描画装置には、例えば、所定の
走査方向に沿って移動可能な描画テーブルが設けられ、
この描画テーブルの移動経路の上方に露光ユニットが固
定位置に配置される。描画テーブル上には被描画体が所
定位置に位置決めされ、描画テーブルを走査方向に沿っ
て間欠的に移動させつつ回路パターンを部分的に順次描
画して継ぎ足すことにより、全体の回路パターンが得ら
れることになる。なお、このような露光方式については
ステップ・アンド・リピート(Step & Repeat)方式と呼
ばれる。
ーンの描画面積は露光ユニットによる露光面積よりも遥
かに大きく、このため被描画体上に回路パターンの全体
を描画するためには、被描画体を露光ユニットで走査す
ることが必要となる。即ち、被描画体に対して露光ユニ
ットを相対的に移動させつつ回路パターンを部分的に描
画してその全体の回路パターンを得ることが必要とな
る。そこで、従来では、描画装置には、例えば、所定の
走査方向に沿って移動可能な描画テーブルが設けられ、
この描画テーブルの移動経路の上方に露光ユニットが固
定位置に配置される。描画テーブル上には被描画体が所
定位置に位置決めされ、描画テーブルを走査方向に沿っ
て間欠的に移動させつつ回路パターンを部分的に順次描
画して継ぎ足すことにより、全体の回路パターンが得ら
れることになる。なお、このような露光方式については
ステップ・アンド・リピート(Step & Repeat)方式と呼
ばれる。
【０００７】また、別のタイプの露光ユニットとして、
例えばレーザビーム走査光学系から構成されるものも知
られている。このようなタイプの露光ユニットを用いる
描画装置にあっては、被描画体の移動方向を横切る方向
にレーザビームを偏向させて該レーザビームでもって被
描画体を走査すると共に該走査レーザビームを一ライン
分の描画データ（ラスタデータ）でもって順次変調させ
ることによって、所望の回路パターンの描画が行われ
る。
例えばレーザビーム走査光学系から構成されるものも知
られている。このようなタイプの露光ユニットを用いる
描画装置にあっては、被描画体の移動方向を横切る方向
にレーザビームを偏向させて該レーザビームでもって被
描画体を走査すると共に該走査レーザビームを一ライン
分の描画データ（ラスタデータ）でもって順次変調させ
ることによって、所望の回路パターンの描画が行われ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上で述べたような従
来の描画装置のいずれのタイプのものにあっては、回路
パターンの描画解像度は個々の描画装置で予め決められ
た画素サイズ（ドットサイズ）によって決まる。即ち、
マトリックス状に配列された変調素子から成る露光ユニ
ットを持つ描画装置にあっては、回路パターンの描画解
像度は個々の変調素子サイズ即ち画素サイズによって決
まり、またレーザビーム走査光学系を持つ描画装置にあ
っては、走査レーザビームのビーム径即ち画素サイズに
よって決まる。
来の描画装置のいずれのタイプのものにあっては、回路
パターンの描画解像度は個々の描画装置で予め決められ
た画素サイズ（ドットサイズ）によって決まる。即ち、
マトリックス状に配列された変調素子から成る露光ユニ
ットを持つ描画装置にあっては、回路パターンの描画解
像度は個々の変調素子サイズ即ち画素サイズによって決
まり、またレーザビーム走査光学系を持つ描画装置にあ
っては、走査レーザビームのビーム径即ち画素サイズに
よって決まる。
【０００９】かくして、従来では、ＣＡＤステーション
或いはＣＡＭステーションで回路パターンを設計する際
の一画素サイズはその回路パターンを描画すべき個々の
描画装置によって予め決められた画素サイズに一致させ
ることが必要である。換言すれば、ＣＡＤステーション
或いはＣＡＭステーションでの回路パターンの設計の自
由度を高めるためには、種々の画素サイズに対応できる
描画装置が用意されなければならないし、種々の画素サ
イズに対応できる描画装置を用意できなければ、ＣＡＤ
ステーション或いはＣＡＭステーションでの回路パター
ンの設計の自由度が制限されるということになる。
或いはＣＡＭステーションで回路パターンを設計する際
の一画素サイズはその回路パターンを描画すべき個々の
描画装置によって予め決められた画素サイズに一致させ
ることが必要である。換言すれば、ＣＡＤステーション
或いはＣＡＭステーションでの回路パターンの設計の自
由度を高めるためには、種々の画素サイズに対応できる
描画装置が用意されなければならないし、種々の画素サ
イズに対応できる描画装置を用意できなければ、ＣＡＤ
ステーション或いはＣＡＭステーションでの回路パター
ンの設計の自由度が制限されるということになる。
【００１０】従って、本発明の目的は、マトリックス状
に配置された多数の変調素子を持つ露光ユニットを用い
て描画面上に所定のパターンを描画する描画方法及び描
画装置であって、パターンデータの画素サイズがどのよ
うな大きさのものであってもそのパターンデータに基づ
いて所定のパターンを適正に描画し得るようになった新
規な多重露光描画方法及び多重露光描画装置を提供する
ことである。
に配置された多数の変調素子を持つ露光ユニットを用い
て描画面上に所定のパターンを描画する描画方法及び描
画装置であって、パターンデータの画素サイズがどのよ
うな大きさのものであってもそのパターンデータに基づ
いて所定のパターンを適正に描画し得るようになった新
規な多重露光描画方法及び多重露光描画装置を提供する
ことである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による多重露光描
画方法にあっては、マトリックス状に配置された多数の
変調素子を持つ露光ユニットを用いて所定のパターンが
描画面上に多重露光により描画される。このような多重
露光描画方法は、露光ユニットのマトリックス状に配置
された変調素子の一方の配列方向に沿ってしかも該配列
方向に対して所定の角度だけ傾斜させて該露光ユニット
を描画面に対して相対的に移動させる移動段階と、露光
ユニットの変調素子によって描画面上に得られる単位露
光領域のサイズの整数倍の距離Ａに該サイズより小さい
距離ａを加えた距離（Ａ＋ａ）だけ露光ユニットが描画
面上に対して相対的に移動する度毎に該露光ユニットの
変調素子を所定のパターンデータに基づいて選択的に露
光作動させる露光段階とより成る。
画方法にあっては、マトリックス状に配置された多数の
変調素子を持つ露光ユニットを用いて所定のパターンが
描画面上に多重露光により描画される。このような多重
露光描画方法は、露光ユニットのマトリックス状に配置
された変調素子の一方の配列方向に沿ってしかも該配列
方向に対して所定の角度だけ傾斜させて該露光ユニット
を描画面に対して相対的に移動させる移動段階と、露光
ユニットの変調素子によって描画面上に得られる単位露
光領域のサイズの整数倍の距離Ａに該サイズより小さい
距離ａを加えた距離（Ａ＋ａ）だけ露光ユニットが描画
面上に対して相対的に移動する度毎に該露光ユニットの
変調素子を所定のパターンデータに基づいて選択的に露
光作動させる露光段階とより成る。
【００１２】本発明による多重露光描画方法において
は、露光ユニットが前記距離（Ａ＋ａ）だけ移動する度
毎に該露光ユニットが該露光ユニットの変調素子の他方
の配列方向に距離ｂだけ変位するように上述の角度が設
定されているとき、距離ａ及びｂについては単位露光領
域のサイズの数値を割り切れるような数値としてもよい
し、或いは単位露光領域のサイズの数値を割り切れない
ような数値とすることもできる。
は、露光ユニットが前記距離（Ａ＋ａ）だけ移動する度
毎に該露光ユニットが該露光ユニットの変調素子の他方
の配列方向に距離ｂだけ変位するように上述の角度が設
定されているとき、距離ａ及びｂについては単位露光領
域のサイズの数値を割り切れるような数値としてもよい
し、或いは単位露光領域のサイズの数値を割り切れない
ような数値とすることもできる。
【００１３】本発明による多重露光描画方法において
は、露光ユニットが距離（Ａ＋ａ）だけ移動する度毎に
一旦停止され、そこで露光段階が実施された後に該露光
ユニットが再び移動させられてもよい。しかしながら、
好ましくは、露光ユニットは連続的に一定速度で移動さ
せられ、該露光ユニットの移動距離が距離（Ａ＋ａ）の
倍数の距離に到達する度毎に露光段階が実施される。こ
の場合、その実施時間については該露光ユニットが単位
露光領域のサイズより小さい距離移動する間の時間とさ
れる。
は、露光ユニットが距離（Ａ＋ａ）だけ移動する度毎に
一旦停止され、そこで露光段階が実施された後に該露光
ユニットが再び移動させられてもよい。しかしながら、
好ましくは、露光ユニットは連続的に一定速度で移動さ
せられ、該露光ユニットの移動距離が距離（Ａ＋ａ）の
倍数の距離に到達する度毎に露光段階が実施される。こ
の場合、その実施時間については該露光ユニットが単位
露光領域のサイズより小さい距離移動する間の時間とさ
れる。
【００１４】本発明による多重露光描画装置はマトリッ
クス状に配置された多数の変調素子を持つ露光ユニット
を用いて所定のパターンを描画面上に多重露光により描
画するものであって、露光ユニットのマトリックス状に
配置された変調素子の一方の配列方向に沿ってしかも該
配列方向に対して所定の角度だけ傾斜させて該露光ユニ
ットを描画面に対して相対的に移動させる移動手段と、
露光ユニットの変調素子によって描画面上に得られる単
位露光領域のサイズの整数倍の距離Ａに該サイズより小
さい距離ａを加えた距離（Ａ＋ａ）だけ該露光ユニット
が描画面上に対して相対的に移動する度毎に該露光ユニ
ットの変調素子を所定のパターンデータに基づいて選択
的に露光作動させる露光手段とを具備して成る。
クス状に配置された多数の変調素子を持つ露光ユニット
を用いて所定のパターンを描画面上に多重露光により描
画するものであって、露光ユニットのマトリックス状に
配置された変調素子の一方の配列方向に沿ってしかも該
配列方向に対して所定の角度だけ傾斜させて該露光ユニ
ットを描画面に対して相対的に移動させる移動手段と、
露光ユニットの変調素子によって描画面上に得られる単
位露光領域のサイズの整数倍の距離Ａに該サイズより小
さい距離ａを加えた距離（Ａ＋ａ）だけ該露光ユニット
が描画面上に対して相対的に移動する度毎に該露光ユニ
ットの変調素子を所定のパターンデータに基づいて選択
的に露光作動させる露光手段とを具備して成る。
【００１５】本発明による多重露光描画装置は、更に、
露光ユニットが距離（Ａ＋ａ）だけ移動する度毎に該露
光ユニットを停止させて、露光手段による露光作動が終
了した後に該露光ユニットを再び移動させる間欠駆動手
段を具備してもよい。別の局面にあっては、本発明によ
る多重露光描画装置は、更に、露光ユニットを連続的に
一定速度で移動させつつ該露光ユニットの移動距離が距
離（Ａ＋ａ）の倍数の距離に到達する度毎に露光手段に
よる露光作動を実施させる際にその実施時間について該
露光ユニットが単位露光領域のサイズより小さい距離移
動する間の時間として設定する時間設定手段を具備して
もよい。
露光ユニットが距離（Ａ＋ａ）だけ移動する度毎に該露
光ユニットを停止させて、露光手段による露光作動が終
了した後に該露光ユニットを再び移動させる間欠駆動手
段を具備してもよい。別の局面にあっては、本発明によ
る多重露光描画装置は、更に、露光ユニットを連続的に
一定速度で移動させつつ該露光ユニットの移動距離が距
離（Ａ＋ａ）の倍数の距離に到達する度毎に露光手段に
よる露光作動を実施させる際にその実施時間について該
露光ユニットが単位露光領域のサイズより小さい距離移
動する間の時間として設定する時間設定手段を具備して
もよい。
【００１６】本発明による多重露光描画装置は、露光ユ
ニットが複数個設けられてもよく、この場合これら露光
ユニットに照明光を供給する光源と、光源からの照明光
を分岐して各露光ユニットに分配する光分岐手段とを備
えることが好ましい。
ニットが複数個設けられてもよく、この場合これら露光
ユニットに照明光を供給する光源と、光源からの照明光
を分岐して各露光ユニットに分配する光分岐手段とを備
えることが好ましい。
【００１７】本発明による多重露光描画装置において、
光分岐手段は単一の光源と複数の露光ユニットとをそれ
ぞれ光学的に接続する光ファイバ束であってもよいし、
光分岐手段が露光ユニットに応じて設けられたハーフミ
ラーであってもよい。
光分岐手段は単一の光源と複数の露光ユニットとをそれ
ぞれ光学的に接続する光ファイバ束であってもよいし、
光分岐手段が露光ユニットに応じて設けられたハーフミ
ラーであってもよい。
【００１８】本発明による多重露光描画装置において、
光分岐手段がハーフミラーであった場合には、このハー
フミラーは、光源と露光ユニットとの間の光路上に設け
られてもよい。また、光分岐手段がハーフミラーであり
かつ露光ユニットが光源からの照明光をコリメート光に
偏光して変調素子に供給する照明光学系をさらに備えて
いる場合には、ハーフミラーが照明光学系と変調素子と
の間の光路上に設けられてもよい。
光分岐手段がハーフミラーであった場合には、このハー
フミラーは、光源と露光ユニットとの間の光路上に設け
られてもよい。また、光分岐手段がハーフミラーであり
かつ露光ユニットが光源からの照明光をコリメート光に
偏光して変調素子に供給する照明光学系をさらに備えて
いる場合には、ハーフミラーが照明光学系と変調素子と
の間の光路上に設けられてもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して、本発
明による多重露光描画装置の実施形態について説明す
る。
明による多重露光描画装置の実施形態について説明す
る。
【００２０】先ず、図１を参照すると、本発明による多
重露光描画装置の第１実施形態が斜視図として概略的に
示され、この多重露光描画装置はプリント回路基板を製
造するための基板上のフォトレジスト層に回路パターン
を直接描画するように構成されているものである。
重露光描画装置の第１実施形態が斜視図として概略的に
示され、この多重露光描画装置はプリント回路基板を製
造するための基板上のフォトレジスト層に回路パターン
を直接描画するように構成されているものである。
【００２１】図１に示すように、多重露光描画装置は床
面上に据え付けられる基台１０を具備し、この基台１０
上には一対のガイドレール１２が平行に敷設される。一
対のガイドレール１２上には描画テーブル１４が搭載さ
れ、この描画テーブル１４は図１には図示されない適当
な駆動機構例えばボール螺子等をステッピングモータ等
のモータで駆動することにより一対のガイドレール１２
に沿って移動し得るようになっている。描画テーブル１
４上にはフォトレジスト層を持つ基板即ち被描画体が設
置され、このとき該被描画体は図示されない適当なクラ
ンプ手段によって描画テーブル１４上で適宜固定され得
るようになっている。
面上に据え付けられる基台１０を具備し、この基台１０
上には一対のガイドレール１２が平行に敷設される。一
対のガイドレール１２上には描画テーブル１４が搭載さ
れ、この描画テーブル１４は図１には図示されない適当
な駆動機構例えばボール螺子等をステッピングモータ等
のモータで駆動することにより一対のガイドレール１２
に沿って移動し得るようになっている。描画テーブル１
４上にはフォトレジスト層を持つ基板即ち被描画体が設
置され、このとき該被描画体は図示されない適当なクラ
ンプ手段によって描画テーブル１４上で適宜固定され得
るようになっている。
【００２２】図１に示すように、基台１０上には一対の
ガイドレールを跨ぐようにゲート状構造体１６が設けら
れ、このゲート状構造体１６の上面には複数の露光ユニ
ットが描画テーブル１４の移動方向に対して直角方向に
二列に配列される。第１列目には８つの露光ユニットが
含まれ、これら露光ユニットのそれぞれは参照符号１８
1、１８2、１８3、１８4、１８5、１８6、１８7及び１
８8で示される。また、第2列目には７つの露光ユニット
が含まれ、これら露光ユニットのそれぞれは２０1、２
０2、２０3、２０4、２０5、２０6及び２０7で示され
る。第１列目の露光ユニット（１８1、…１８8）と第２
列目の露光ユニット（２０1、…２０7）とは所謂千鳥状
に配置される。即ち、第１列目及び第２列目の露光ユニ
ット（１８ 1、…１８8；２０1、…２０7）の配列ピッチ
は共に等しく露光ユニットのほぼ２つ分の幅とされる
が、第２列目の露光ユニット（２０1、…２０7）の配列
ピッチは第１列目の露光ユニット（１８1、…１８8）の
配列ピッチに対して半ピッチだけずらされている。
ガイドレールを跨ぐようにゲート状構造体１６が設けら
れ、このゲート状構造体１６の上面には複数の露光ユニ
ットが描画テーブル１４の移動方向に対して直角方向に
二列に配列される。第１列目には８つの露光ユニットが
含まれ、これら露光ユニットのそれぞれは参照符号１８
1、１８2、１８3、１８4、１８5、１８6、１８7及び１
８8で示される。また、第2列目には７つの露光ユニット
が含まれ、これら露光ユニットのそれぞれは２０1、２
０2、２０3、２０4、２０5、２０6及び２０7で示され
る。第１列目の露光ユニット（１８1、…１８8）と第２
列目の露光ユニット（２０1、…２０7）とは所謂千鳥状
に配置される。即ち、第１列目及び第２列目の露光ユニ
ット（１８ 1、…１８8；２０1、…２０7）の配列ピッチ
は共に等しく露光ユニットのほぼ２つ分の幅とされる
が、第２列目の露光ユニット（２０1、…２０7）の配列
ピッチは第１列目の露光ユニット（１８1、…１８8）の
配列ピッチに対して半ピッチだけずらされている。
【００２３】本実施形態では、各露光ユニット（１
８1、…１８8；２０1、…２０7）はＤＭＤユニットとし
て構成され、このＤＭＤユニットの反射面は例えば1024
×1280のマトリックス状に配列されたマイクロミラーか
ら形成される。各ＤＭＤユニットの設置については、描
画テーブル１４の移動方向に沿って1024個のマイクロミ
ラーが配列されるように行われる。換言すれば、描画テ
ーブル１４の移動方向に対して横切る方向に1280個のマ
イクロミラーが配列されることになる。
８1、…１８8；２０1、…２０7）はＤＭＤユニットとし
て構成され、このＤＭＤユニットの反射面は例えば1024
×1280のマトリックス状に配列されたマイクロミラーか
ら形成される。各ＤＭＤユニットの設置については、描
画テーブル１４の移動方向に沿って1024個のマイクロミ
ラーが配列されるように行われる。換言すれば、描画テ
ーブル１４の移動方向に対して横切る方向に1280個のマ
イクロミラーが配列されることになる。
【００２４】図１に示すように、ゲート状構造体１６の
上面の適当な箇所には光源装置２２が設けられ、この光
源装置２２には複数のＬＥＤ(light emitting diode)が
含まれ、これらＬＥＤから得られる発光は集光されて平
行光束として光源装置２２の射出口から射出されるよう
になっている。光源装置２２の射出口には15本の光ファ
イバケーブル束が接続され、個々の光ファイバケーブル
３０は15個のＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２
０1、…２０7）のそれぞれに対して延設され、これによ
り光源装置２２から各ＤＥＤユニットに対して光が導入
されるようになっている。
上面の適当な箇所には光源装置２２が設けられ、この光
源装置２２には複数のＬＥＤ(light emitting diode)が
含まれ、これらＬＥＤから得られる発光は集光されて平
行光束として光源装置２２の射出口から射出されるよう
になっている。光源装置２２の射出口には15本の光ファ
イバケーブル束が接続され、個々の光ファイバケーブル
３０は15個のＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２
０1、…２０7）のそれぞれに対して延設され、これによ
り光源装置２２から各ＤＥＤユニットに対して光が導入
されるようになっている。
【００２５】図２を参照すると、ＤＭＤユニット（１８
1、…１８8；２０1、…２０7）の機能が概念図として図
示されている。同図において、参照符号２４は各ＤＭＤ
ユニットの反射面を示し、この反射面２４は既に述べた
ように1024×1280のマトリックス状に配列されたマイク
ロミラーから形成される。また、図２に示すように、各
ＤＭＤユニットには、参照符号２６で全体的に示す照明
光学系と、参照符号２８で全体的に示す結像光学系とが
組み込まれる。
1、…１８8；２０1、…２０7）の機能が概念図として図
示されている。同図において、参照符号２４は各ＤＭＤ
ユニットの反射面を示し、この反射面２４は既に述べた
ように1024×1280のマトリックス状に配列されたマイク
ロミラーから形成される。また、図２に示すように、各
ＤＭＤユニットには、参照符号２６で全体的に示す照明
光学系と、参照符号２８で全体的に示す結像光学系とが
組み込まれる。
【００２６】照明光学系２６は凸レンズ２６Ａ及びコリ
メートレンズ２６Ｂを含み、凸レンズ２６Ａは光源２２
から延設された光ファイバケーブル３０と光学的に結合
される。このような照明光学系２６により、光ファイバ
ケーブル３０から射出した光束はＤＭＤユニット（１８
1、…１８8；２０1、…２０7）の反射面２４の全体を照
明するような平行光束ＬＢに成形される。結像光学系２
８には第１の凸レンズ２８Ａと、リフレクタ２８Ｂと、
第２の凸レンズ２８Ｃが含まれ、この結像光学系２８の
倍率は例えば等倍（倍率１）とされる。
メートレンズ２６Ｂを含み、凸レンズ２６Ａは光源２２
から延設された光ファイバケーブル３０と光学的に結合
される。このような照明光学系２６により、光ファイバ
ケーブル３０から射出した光束はＤＭＤユニット（１８
1、…１８8；２０1、…２０7）の反射面２４の全体を照
明するような平行光束ＬＢに成形される。結像光学系２
８には第１の凸レンズ２８Ａと、リフレクタ２８Ｂと、
第２の凸レンズ２８Ｃが含まれ、この結像光学系２８の
倍率は例えば等倍（倍率１）とされる。
【００２７】各ＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２０
1、…２０7）に含まれる個々のマイクロミラーはそこに
入射した光束を結像光学系２８に向けて反射させる第１
の反射位置と該光束を結像光学系２８から逸らすように
反射させる第２の反射位置との間で回動変位するように
動作させられる。図２では、任意のマイクロミラーが第
１の反射位置に置かれたとき、そこから反射されて結像
光学系２８に入射された光束の光軸が参照符号ＬＢ1で
示され、同マイクロミラーが第２の反射位置に置かれた
とき、そこから反射されて結像光学系２８から逸らされ
た光束の光軸が参照符号ＬＢ2で示されている。
1、…２０7）に含まれる個々のマイクロミラーはそこに
入射した光束を結像光学系２８に向けて反射させる第１
の反射位置と該光束を結像光学系２８から逸らすように
反射させる第２の反射位置との間で回動変位するように
動作させられる。図２では、任意のマイクロミラーが第
１の反射位置に置かれたとき、そこから反射されて結像
光学系２８に入射された光束の光軸が参照符号ＬＢ1で
示され、同マイクロミラーが第２の反射位置に置かれた
とき、そこから反射されて結像光学系２８から逸らされ
た光束の光軸が参照符号ＬＢ2で示されている。
【００２８】図２において、描画テーブル１４上に設置
された被描画体の描画面が参照符号３２で示され、この
描画面３２上には、結像光学系２８に入射された光束
（ＬＢ 1）によってマイクロミラーの反射面が結像され
る。例えば、各ＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２０
1、…２０7）に含まれる個々のマイクロミラーのサイズ
が20μm×20μmであるとすると、結像光学系２８の倍率
は等倍であるから、マイクロミラーの反射面は描画面３
２上の20μm×20μmの露光領域として結像される。な
お、個々のマイクロミラーによって得られる露光領域に
ついては以下で単位露光領域として言及される。
された被描画体の描画面が参照符号３２で示され、この
描画面３２上には、結像光学系２８に入射された光束
（ＬＢ 1）によってマイクロミラーの反射面が結像され
る。例えば、各ＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２０
1、…２０7）に含まれる個々のマイクロミラーのサイズ
が20μm×20μmであるとすると、結像光学系２８の倍率
は等倍であるから、マイクロミラーの反射面は描画面３
２上の20μm×20μmの露光領域として結像される。な
お、個々のマイクロミラーによって得られる露光領域に
ついては以下で単位露光領域として言及される。
【００２９】各描画ユニット（１８1、…１８8；２
０1、…２０7）では、個々のマイクロミラーは通常は第
２の反射位置即ち非露光位置に置かれているが、露光作
動を行うとき、マイクロミラーは第２の反射位置（非露
光位置）から第１の反射位置即ち露光位置に回動変位さ
せられる。マイクロミラーの非露光位置から露光位置へ
の回動変位の制御については、後述するように回路パタ
ーンデータ（ラスタデータ）に従って行われる。なお、
図２においては、図示の都合上、結像光学系２８から逸
らされた光束（ＬＢ2）も描画面３２に向けられている
が、しかし実際にはそのような光束（ＬＢ2）について
は描画面３２に到達しないように処理されることは言う
までもない。
０1、…２０7）では、個々のマイクロミラーは通常は第
２の反射位置即ち非露光位置に置かれているが、露光作
動を行うとき、マイクロミラーは第２の反射位置（非露
光位置）から第１の反射位置即ち露光位置に回動変位さ
せられる。マイクロミラーの非露光位置から露光位置へ
の回動変位の制御については、後述するように回路パタ
ーンデータ（ラスタデータ）に従って行われる。なお、
図２においては、図示の都合上、結像光学系２８から逸
らされた光束（ＬＢ2）も描画面３２に向けられている
が、しかし実際にはそのような光束（ＬＢ2）について
は描画面３２に到達しないように処理されることは言う
までもない。
【００３０】各ＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２０
1、…２０7）に含まれる全てのマイクロミラーが第１の
反射位置即ち露光位置に置かれたときは、全てのマイク
ロミラーから反射された全光束（ＬＢ1）が結像光学系
２８に入射させられ、このため描画面３２上にはＤＭＤ
ユニットの反射面による全露光領域が得られ、その全露
光領域のサイズについては(1024×20)μm×(1280×20)
μmとなり、そこに含まれる総画素数は勿論1024×1280
個となる。
1、…２０7）に含まれる全てのマイクロミラーが第１の
反射位置即ち露光位置に置かれたときは、全てのマイク
ロミラーから反射された全光束（ＬＢ1）が結像光学系
２８に入射させられ、このため描画面３２上にはＤＭＤ
ユニットの反射面による全露光領域が得られ、その全露
光領域のサイズについては(1024×20)μm×(1280×20)
μmとなり、そこに含まれる総画素数は勿論1024×1280
個となる。
【００３１】ここで以下の説明の便宜上、図３に示すよ
うに、被描画体の描画面３２を含む平面上にＸ−Ｙ直交
座標系が定義される。なお、同図において、参照符号Ｚ
１８ 1ないしＺ１８8で示される斜線領域は第１列目の８
つのＤＭＤユニット（１８1、…１８8）のそれぞれによ
ってＸ−Ｙ平面上で得られる全露光領域であり、参照符
号Ｚ２０1ないしＺ２０7で示される斜線領域は第２列目
の７つのＤＭＤユニット（２０1、…２０7）のそれぞれ
によってＸ−Ｙ平面上で得られる全露光領域である。な
お、Ｘ−Ｙ直交座標系に対する描画テーブル１４の相対
位置を明らかにするために該描画テーブル１４が想像線
（二点鎖線）で図示されている。
うに、被描画体の描画面３２を含む平面上にＸ−Ｙ直交
座標系が定義される。なお、同図において、参照符号Ｚ
１８ 1ないしＺ１８8で示される斜線領域は第１列目の８
つのＤＭＤユニット（１８1、…１８8）のそれぞれによ
ってＸ−Ｙ平面上で得られる全露光領域であり、参照符
号Ｚ２０1ないしＺ２０7で示される斜線領域は第２列目
の７つのＤＭＤユニット（２０1、…２０7）のそれぞれ
によってＸ−Ｙ平面上で得られる全露光領域である。な
お、Ｘ−Ｙ直交座標系に対する描画テーブル１４の相対
位置を明らかにするために該描画テーブル１４が想像線
（二点鎖線）で図示されている。
【００３２】図３から明らかなように、Ｘ−Ｙ直交座標
系のＸ軸はＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２０1、
…２０7）の配列方向に対して直角とされ、このため各
ＤＭＤユニット内の1024×1280個のマイクロミラーもＸ
−Ｙ直交座標系のＸ軸及びＹ軸に沿ってマトリックス状
に配列される。図３では、Ｘ−Ｙ直交座標系の座標原点
は第１列目のＤＭＤユニット１８1によって得られる全
面露光領域の角に一致しているように図示されている
が、正確には、座標原点は第１列目のＤＭＤユニット１
８1のＹ軸に沿う第１ラインのマイクロミラーのうちの
先頭のマイクロミラーによって得られる単位露光領域の
中心に位置する。上述したように、本実施形態では、単
位露光領域のサイズは20μm×20μmであるので、Ｙ軸は
第１列目の露光ユニット（１８1、…１８8）による全露
光領域（Ｚ１８1、…Ｚ１８8）の境界から10μmだけ内
側に侵入したものとなっている。換言すれば、第１列目
の８つのＤＭＤユニット（１８1、…１８8）のそれぞれ
の第１ラインに含まれる1280個のマイクロミラーの中心
はＹ軸上に位置することになる。
系のＸ軸はＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２０1、
…２０7）の配列方向に対して直角とされ、このため各
ＤＭＤユニット内の1024×1280個のマイクロミラーもＸ
−Ｙ直交座標系のＸ軸及びＹ軸に沿ってマトリックス状
に配列される。図３では、Ｘ−Ｙ直交座標系の座標原点
は第１列目のＤＭＤユニット１８1によって得られる全
面露光領域の角に一致しているように図示されている
が、正確には、座標原点は第１列目のＤＭＤユニット１
８1のＹ軸に沿う第１ラインのマイクロミラーのうちの
先頭のマイクロミラーによって得られる単位露光領域の
中心に位置する。上述したように、本実施形態では、単
位露光領域のサイズは20μm×20μmであるので、Ｙ軸は
第１列目の露光ユニット（１８1、…１８8）による全露
光領域（Ｚ１８1、…Ｚ１８8）の境界から10μmだけ内
側に侵入したものとなっている。換言すれば、第１列目
の８つのＤＭＤユニット（１８1、…１８8）のそれぞれ
の第１ラインに含まれる1280個のマイクロミラーの中心
はＹ軸上に位置することになる。
【００３３】図３において、矢印ＡＲは描画テーブル１
４の移動方向を示し、その移動方向はＸ軸に対して角度
αだけ傾斜させられる。従って、描画テーブル１４が矢
印ＡＲの方向に向かって移動するにつれ、全露光領域
（Ｚ１８1、…Ｚ１８8；Ｚ２０ 1、…Ｚ２０7）は描画テ
ーブル１４上をＹ軸の負側に向かってシフトすることに
なる。図３では、描画テーブル１４の移動方向がＸ軸に
対して傾斜させられているが、描画テーブル１４の移動
方向をＸ軸に対して平行として、露光ユニットの配列方
向をＹ軸に対して傾斜させるようにしてもよい。なお、
後の記載から明らかなように、角度αはきわめて小さな
角度とされるが、図３では誇張して示されている。
４の移動方向を示し、その移動方向はＸ軸に対して角度
αだけ傾斜させられる。従って、描画テーブル１４が矢
印ＡＲの方向に向かって移動するにつれ、全露光領域
（Ｚ１８1、…Ｚ１８8；Ｚ２０ 1、…Ｚ２０7）は描画テ
ーブル１４上をＹ軸の負側に向かってシフトすることに
なる。図３では、描画テーブル１４の移動方向がＸ軸に
対して傾斜させられているが、描画テーブル１４の移動
方向をＸ軸に対して平行として、露光ユニットの配列方
向をＹ軸に対して傾斜させるようにしてもよい。なお、
後の記載から明らかなように、角度αはきわめて小さな
角度とされるが、図３では誇張して示されている。
【００３４】本実施形態では、多重露光描画装置による
描画作動時、描画テーブル１４はＸ軸に沿ってその負側
に間欠的に移動させられ、これにより描画テーブル１４
上の被描画体はＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２０
1、…２０7）の個々のマイクロミラーからの反射光束で
もって走査され得る。従って、描画テーブル１４の移動
中、先ず、第１列目のＤＭＤユニット（１８1、…１
８8）を露光作動させて８つの全面露光領域（Ｚ１８1、
…Ｚ１８8）を描画面３２上に形成した後に、所定のタ
イミングだけ遅れて第２列目のＤＭＤユニット（２
０1、…２０7）を露光動作させて７つの全面露光領域
（Ｚ２０1、…Ｚ２０7）を描画面３２上に形成すること
により、８つの全面露光領域（Ｚ１８1、…Ｚ１８8）と
７つの全面露光領域（Ｚ２０1、…Ｚ２０7）とを描画面
３２上でＹ軸方向に沿って整列させることが可能であ
る。かくして、第１列目のＤＭＤユニット（１８1、…
１８8）と第２列目のＤＭＤユニット（２０1、…２
０7）とによる描画面３２上での回路パターンの描画が
可能となる。
描画作動時、描画テーブル１４はＸ軸に沿ってその負側
に間欠的に移動させられ、これにより描画テーブル１４
上の被描画体はＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２０
1、…２０7）の個々のマイクロミラーからの反射光束で
もって走査され得る。従って、描画テーブル１４の移動
中、先ず、第１列目のＤＭＤユニット（１８1、…１
８8）を露光作動させて８つの全面露光領域（Ｚ１８1、
…Ｚ１８8）を描画面３２上に形成した後に、所定のタ
イミングだけ遅れて第２列目のＤＭＤユニット（２
０1、…２０7）を露光動作させて７つの全面露光領域
（Ｚ２０1、…Ｚ２０7）を描画面３２上に形成すること
により、８つの全面露光領域（Ｚ１８1、…Ｚ１８8）と
７つの全面露光領域（Ｚ２０1、…Ｚ２０7）とを描画面
３２上でＹ軸方向に沿って整列させることが可能であ
る。かくして、第１列目のＤＭＤユニット（１８1、…
１８8）と第２列目のＤＭＤユニット（２０1、…２
０7）とによる描画面３２上での回路パターンの描画が
可能となる。
【００３５】本発明による多重露光描画装置にあって
は、描画テーブル１４を所定の移動間隔で間欠的に移動
させつつ、回路パターンデータ（ラスタデータ）に従っ
て回路パターンを多重露光により描画する描画法が採ら
れ、このような描画法の原理について以下に説明する。
は、描画テーブル１４を所定の移動間隔で間欠的に移動
させつつ、回路パターンデータ（ラスタデータ）に従っ
て回路パターンを多重露光により描画する描画法が採ら
れ、このような描画法の原理について以下に説明する。
【００３６】図４を参照すると、ＤＭＤユニット１８1
によって描画面３２上に投影される全面露光領域の一部
が示され、この全面露光領域は個々のマイクロミラーか
ら得られる単位露光領域Ｕ(n,m)から成る。ここで、Ｎ
はＤＭＤユニット１８1のＹ軸方向に沿うライン番号を
示し、ＭはＤＭＤユニット１８1のＹ軸方向に沿う行番
号を示し、本実施形態では、１≦ｎ≦1024及び１≦ｍ≦
1280となる。要するに、図４において、単位露光領域
（Ｕ(1,1)、Ｕ(1,2)、Ｕ(1,3)、Ｕ(1,4)、Ｕ(1,5)、
…）はＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第１ラインの
マイクロミラーから得られるものであり、単位露光領域
（Ｕ(2,1)、Ｕ(2,2)、Ｕ(2,3)、Ｕ(2,4)、Ｕ(2 ,5)、
…）はＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第２ラインの
マイクロミラーから得られるものであり、単位露光領域
（Ｕ(3,1)、Ｕ(3,2)、Ｕ(3,3)、Ｕ(3,4)、Ｕ (3,5)、
…）はＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第３ラインの
マイクロミラーから得られるものである。
によって描画面３２上に投影される全面露光領域の一部
が示され、この全面露光領域は個々のマイクロミラーか
ら得られる単位露光領域Ｕ(n,m)から成る。ここで、Ｎ
はＤＭＤユニット１８1のＹ軸方向に沿うライン番号を
示し、ＭはＤＭＤユニット１８1のＹ軸方向に沿う行番
号を示し、本実施形態では、１≦ｎ≦1024及び１≦ｍ≦
1280となる。要するに、図４において、単位露光領域
（Ｕ(1,1)、Ｕ(1,2)、Ｕ(1,3)、Ｕ(1,4)、Ｕ(1,5)、
…）はＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第１ラインの
マイクロミラーから得られるものであり、単位露光領域
（Ｕ(2,1)、Ｕ(2,2)、Ｕ(2,3)、Ｕ(2,4)、Ｕ(2 ,5)、
…）はＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第２ラインの
マイクロミラーから得られるものであり、単位露光領域
（Ｕ(3,1)、Ｕ(3,2)、Ｕ(3,3)、Ｕ(3,4)、Ｕ (3,5)、
…）はＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第３ラインの
マイクロミラーから得られるものである。
【００３７】描画テーブル１４がＸ軸に沿ってその負側
に移動させられると、被描画体の描画面３２上の描画開
始位置がＹ軸に到達し、そこで一旦描画テーブル１４は
停止させられる。ここで説明の便宜上、ＤＭＤユニット
１８1が描画テーブル１４に対してＸ軸の正側に向かっ
て移動させられるものとすると、ＤＭＤ１８1が描画面
３２上の描画開始位置に到達すると、そこで一旦停止さ
せられるということになる。描画開始位置とは第１回目
露光位置のことであり、その第１回目露光位置でＤＭＤ
ユニット１８1のＹ軸に沿う第１ラインのマイクロミラ
ーが所定の回路パターンのラスタデータに従って動作さ
せられて第１回目の露光作動が行われる。
に移動させられると、被描画体の描画面３２上の描画開
始位置がＹ軸に到達し、そこで一旦描画テーブル１４は
停止させられる。ここで説明の便宜上、ＤＭＤユニット
１８1が描画テーブル１４に対してＸ軸の正側に向かっ
て移動させられるものとすると、ＤＭＤ１８1が描画面
３２上の描画開始位置に到達すると、そこで一旦停止さ
せられるということになる。描画開始位置とは第１回目
露光位置のことであり、その第１回目露光位置でＤＭＤ
ユニット１８1のＹ軸に沿う第１ラインのマイクロミラ
ーが所定の回路パターンのラスタデータに従って動作さ
せられて第１回目の露光作動が行われる。
【００３８】第１回目の露光作動が終了すると、ＤＭＤ
ユニット１８1は再びＸ軸に沿ってその正側に移動させ
られ、その移動量が（Ａ＋ａ）となったとき、ＤＭＤユ
ニット１８1は停止され、その停止位置は第２回目露光
位置となる。ここで、Ａは単位露光領域のサイズ（20μ
m）の整数倍とされ、ａは単位露光領域のサイズより小
さい値とされる。例えば、Ａが単位露光領域のサイズの
４倍（80μm）であるとき、第２回目露光位置では、Ｄ
ＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第１ラインないし第５
ラインのマイクロミラーが所定の回路パターンのラスタ
データに従って動作させられて第２回目の露光作動が行
われる。
ユニット１８1は再びＸ軸に沿ってその正側に移動させ
られ、その移動量が（Ａ＋ａ）となったとき、ＤＭＤユ
ニット１８1は停止され、その停止位置は第２回目露光
位置となる。ここで、Ａは単位露光領域のサイズ（20μ
m）の整数倍とされ、ａは単位露光領域のサイズより小
さい値とされる。例えば、Ａが単位露光領域のサイズの
４倍（80μm）であるとき、第２回目露光位置では、Ｄ
ＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第１ラインないし第５
ラインのマイクロミラーが所定の回路パターンのラスタ
データに従って動作させられて第２回目の露光作動が行
われる。
【００３９】第２回目の露光作動が終了すると、ＤＭＤ
ユニット１８1は更にＸ軸に沿ってその正側に移動量
（Ａ＋ａ）だけ移動させられて停止され、その停止位置
は第３回目露光位置となる。第３回目露光位置では、Ｄ
ＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第１ラインないし第９
ラインのマイクロミラーが所定の回路パターンのラスタ
データに従って動作させられて第３回目の露光作動が行
われる。要するに、このようにＤＭＤユニット１８1が
Ｘ軸に沿ってその正側に移動量（Ａ＋ａ）だけ移動させ
られる度毎に停止されて露光作動が繰り返される。
ユニット１８1は更にＸ軸に沿ってその正側に移動量
（Ａ＋ａ）だけ移動させられて停止され、その停止位置
は第３回目露光位置となる。第３回目露光位置では、Ｄ
ＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第１ラインないし第９
ラインのマイクロミラーが所定の回路パターンのラスタ
データに従って動作させられて第３回目の露光作動が行
われる。要するに、このようにＤＭＤユニット１８1が
Ｘ軸に沿ってその正側に移動量（Ａ＋ａ）だけ移動させ
られる度毎に停止されて露光作動が繰り返される。
【００４０】既に述べたように、描画テーブル１４の移
動方向はＸ軸に対して角度αだけ傾斜させられているの
で（図３）、ＤＭＤユニット１８1がＸ軸に沿ってその
正側に移動量（Ａ＋ａ）だけ移動させられる度毎に単位
露光領域Ｕ(n,m)はＹ軸に沿ってその負側に所定距離だ
けシフトすることになる。図５を参照すると、第１回目
露光位置での単位露光領域Ｕ(n,m)が破線で示され、第
２回目露光位置での単位露光領域Ｕ(n,m)が一点鎖線で
示され、第３回目露光位置での単位露光領域Ｕ( n,m)が
実線で示され、それら単位露光領域Ｕ(n,m)のＹ軸の負
側に沿う移動距離がｂで示されている。
動方向はＸ軸に対して角度αだけ傾斜させられているの
で（図３）、ＤＭＤユニット１８1がＸ軸に沿ってその
正側に移動量（Ａ＋ａ）だけ移動させられる度毎に単位
露光領域Ｕ(n,m)はＹ軸に沿ってその負側に所定距離だ
けシフトすることになる。図５を参照すると、第１回目
露光位置での単位露光領域Ｕ(n,m)が破線で示され、第
２回目露光位置での単位露光領域Ｕ(n,m)が一点鎖線で
示され、第３回目露光位置での単位露光領域Ｕ( n,m)が
実線で示され、それら単位露光領域Ｕ(n,m)のＹ軸の負
側に沿う移動距離がｂで示されている。
【００４１】ここで、例えば、ＤＭＤユニット１８1の
第１回目露光位置でそのＹ軸に沿う第１ラインのマイク
ロミラーによって得られる単位露光領域（Ｕ(1,1)、Ｕ
(1,2)、Ｕ(1,3)、Ｕ(1,4)、…）に注目すると、これら
単位露光領域（Ｕ(1,1)、Ｕ(1, 2)、Ｕ(1,3)、Ｕ(1,4)、
…）に対して、ＤＭＤユニット１８1の第２回目露光位
置でそのＹ軸に沿う第５ラインのマイクロミラーによっ
て得られる単位露光領域（Ｕ(5,1)、Ｕ(5,2)、
Ｕ(5,3)、Ｕ(5,4)、…）がＸ軸及びＹ軸に沿ってそれぞ
れ＋ａ及び−ｂだけずれて互いに重なり合い、またＤＭ
Ｄユニット１８1の第３回目露光位置でそのＹ軸に沿う
第９ラインのマイクロミラーによって得られる単位露光
領域（Ｕ(9,1)、Ｕ(9,2)、Ｕ(9,3)、Ｕ(9,4)、…）は、
Ｘ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれ＋２ａ及び−２ｂだけ
ずれて互いに重なり合うことになる。なお、図5では、
３つの互いに重なり合う単位露光領域Ｕ(1,1)、Ｕ(5,1)
及びＵ(9,1)がそれぞれ破線、一点鎖線及び実線の引出
し線で例示的に示されている。
第１回目露光位置でそのＹ軸に沿う第１ラインのマイク
ロミラーによって得られる単位露光領域（Ｕ(1,1)、Ｕ
(1,2)、Ｕ(1,3)、Ｕ(1,4)、…）に注目すると、これら
単位露光領域（Ｕ(1,1)、Ｕ(1, 2)、Ｕ(1,3)、Ｕ(1,4)、
…）に対して、ＤＭＤユニット１８1の第２回目露光位
置でそのＹ軸に沿う第５ラインのマイクロミラーによっ
て得られる単位露光領域（Ｕ(5,1)、Ｕ(5,2)、
Ｕ(5,3)、Ｕ(5,4)、…）がＸ軸及びＹ軸に沿ってそれぞ
れ＋ａ及び−ｂだけずれて互いに重なり合い、またＤＭ
Ｄユニット１８1の第３回目露光位置でそのＹ軸に沿う
第９ラインのマイクロミラーによって得られる単位露光
領域（Ｕ(9,1)、Ｕ(9,2)、Ｕ(9,3)、Ｕ(9,4)、…）は、
Ｘ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれ＋２ａ及び−２ｂだけ
ずれて互いに重なり合うことになる。なお、図5では、
３つの互いに重なり合う単位露光領域Ｕ(1,1)、Ｕ(5,1)
及びＵ(9,1)がそれぞれ破線、一点鎖線及び実線の引出
し線で例示的に示されている。
【００４２】図６を参照すると、上述したように互いに
重なり合う単位露光領域（Ｕ(1,1)、Ｕ(1,2)、
Ｕ(1,3)、Ｕ(1,4)、…；Ｕ(5,1)、Ｕ(5,2)、Ｕ(5,3)、
Ｕ(5,4)、…；Ｕ(9,1)、Ｕ(9,2)、Ｕ(9,3)、Ｕ(9,4)、
…）の個々の中心が黒丸で示され、このときＤＭＤユニ
ット１８1のＹ軸に沿う各ライン（第１ライン、第５ラ
イン及び第９ライン）のマイクロミラーによって得られ
る互いに隣接した中心位置間の距離は20μmとなる。こ
こで、上述した例のように、距離Ａが単位露光領域Ｕ
(n, m)のサイズ（20μm）の４倍とされるとき、距離ａ及
びｂを適当に選ぶことにより、個々の単位画素領域と同
じ大きさの面積（20μm×20μm）内に単位露光領域の中
心を均一に分布させることができる。
重なり合う単位露光領域（Ｕ(1,1)、Ｕ(1,2)、
Ｕ(1,3)、Ｕ(1,4)、…；Ｕ(5,1)、Ｕ(5,2)、Ｕ(5,3)、
Ｕ(5,4)、…；Ｕ(9,1)、Ｕ(9,2)、Ｕ(9,3)、Ｕ(9,4)、
…）の個々の中心が黒丸で示され、このときＤＭＤユニ
ット１８1のＹ軸に沿う各ライン（第１ライン、第５ラ
イン及び第９ライン）のマイクロミラーによって得られ
る互いに隣接した中心位置間の距離は20μmとなる。こ
こで、上述した例のように、距離Ａが単位露光領域Ｕ
(n, m)のサイズ（20μm）の４倍とされるとき、距離ａ及
びｂを適当に選ぶことにより、個々の単位画素領域と同
じ大きさの面積（20μm×20μm）内に単位露光領域の中
心を均一に分布させることができる。
【００４３】例えば、図７に示すように、単位露光領域
と同じ大きさの面積（20μm×20μm）内に256個の単位
露光領域の中心を分布させるためには、Ｘ軸及びＹ軸に
沿ってそれぞれ256個の単位露光領域の中心を16個ずつ
配列させればよいことになる。即ち、距離ａ及びｂは以
下の計算によって求められる。 ａ＝20μm／16 ＝1.25μm b＝20μm／256 ＝0.078125μm
と同じ大きさの面積（20μm×20μm）内に256個の単位
露光領域の中心を分布させるためには、Ｘ軸及びＹ軸に
沿ってそれぞれ256個の単位露光領域の中心を16個ずつ
配列させればよいことになる。即ち、距離ａ及びｂは以
下の計算によって求められる。 ａ＝20μm／16 ＝1.25μm b＝20μm／256 ＝0.078125μm
【００４４】なお、言うまでもないが、距離ｂを0.0781
25μmに設定するということは、描画テーブル１４がＸ
軸の負側に距離（Ａ＋ａ＝81.25μm）だけ移動したと
き、個々の単位露光領域Ｕ(N,M)がＹ軸の負側に0.07812
5μmだけシフトするように描画テーブル１４の移動方向
の角度αを設定するということに他ならない。
25μmに設定するということは、描画テーブル１４がＸ
軸の負側に距離（Ａ＋ａ＝81.25μm）だけ移動したと
き、個々の単位露光領域Ｕ(N,M)がＹ軸の負側に0.07812
5μmだけシフトするように描画テーブル１４の移動方向
の角度αを設定するということに他ならない。
【００４５】図７において、参照符号ＣＮ1で示される
中心が例えば第１回目露光位置におけるＤＭＤユニット
１８1のＹ軸に沿う第１ラインの先頭のマイクロミラー
によって得られる単位露光領域Ｕ(1,1)のものであると
すると、先の記載から明らかなように、中心ＣＮ2は第
２回目露光位置におけるＤＭＤ１８1のＹ軸に沿う第５
ラインの先頭のマイクロミラーによって得られる単位露
光領域Ｕ(5,1)のものであり、中心ＣＮ3は第３回目露光
位置におけるＤＭＤ１８1のＹ軸に沿う第９ラインの先
頭のマイクロミラーによって得られる単位露光領域Ｕ
(9,1)のものとなる。即ち、一般的に、中心ＣＮk（１≦
ｋ≦256）が第ｋ回目露光位置におけるＤＭＤユニット
１８1のＹ軸に沿う第ｎラインの先頭のマイクロミラー
によって得られる単位露光領域Ｕ(n,1)のものであると
すると、ｎは以下の式で表せる。 ｎ＝（ｋ−１）＊４＋１
中心が例えば第１回目露光位置におけるＤＭＤユニット
１８1のＹ軸に沿う第１ラインの先頭のマイクロミラー
によって得られる単位露光領域Ｕ(1,1)のものであると
すると、先の記載から明らかなように、中心ＣＮ2は第
２回目露光位置におけるＤＭＤ１８1のＹ軸に沿う第５
ラインの先頭のマイクロミラーによって得られる単位露
光領域Ｕ(5,1)のものであり、中心ＣＮ3は第３回目露光
位置におけるＤＭＤ１８1のＹ軸に沿う第９ラインの先
頭のマイクロミラーによって得られる単位露光領域Ｕ
(9,1)のものとなる。即ち、一般的に、中心ＣＮk（１≦
ｋ≦256）が第ｋ回目露光位置におけるＤＭＤユニット
１８1のＹ軸に沿う第ｎラインの先頭のマイクロミラー
によって得られる単位露光領域Ｕ(n,1)のものであると
すると、ｎは以下の式で表せる。 ｎ＝（ｋ−１）＊４＋１
【００４６】例えば、図７に示すように、中心ＣＮ16は
第16回目露光位置におけるＤＭＤユニット１８1のＹ軸
に沿う第61ラインの先頭のマイクロミラーによって得ら
れる単位露光領域Ｕ(61,1)のものとなり、中心ＣＮ17は
第17回目露光位置におけるＤＭＤユニット１８1のＹ軸
に沿う第65ラインの先頭のマイクロミラーによって得ら
れる単位露光領域Ｕ(65,1)のものとなる。同様に、中心
ＣＮ241は第241回目露光位置におけるＤＭＤユニット１
８1のＹ軸に沿う第961ラインの先頭のマイクロミラーに
よって得られる単位露光領域Ｕ(961,1)のものとなり、
中心ＣＮ256は256回目露光位置におけるＤＭＤユニット
１８1のＹ軸に沿う第1021ラインの先頭のマイクロミラ
ーによって得られる単位露光領域Ｕ(1021,1)のものとな
る。
第16回目露光位置におけるＤＭＤユニット１８1のＹ軸
に沿う第61ラインの先頭のマイクロミラーによって得ら
れる単位露光領域Ｕ(61,1)のものとなり、中心ＣＮ17は
第17回目露光位置におけるＤＭＤユニット１８1のＹ軸
に沿う第65ラインの先頭のマイクロミラーによって得ら
れる単位露光領域Ｕ(65,1)のものとなる。同様に、中心
ＣＮ241は第241回目露光位置におけるＤＭＤユニット１
８1のＹ軸に沿う第961ラインの先頭のマイクロミラーに
よって得られる単位露光領域Ｕ(961,1)のものとなり、
中心ＣＮ256は256回目露光位置におけるＤＭＤユニット
１８1のＹ軸に沿う第1021ラインの先頭のマイクロミラ
ーによって得られる単位露光領域Ｕ(1021,1)のものとな
る。
【００４７】かくして、第１列目のＤＭＤユニット（１
８1、…１８8）及び第２列目のＤＭＤユニット（２
０1、…２０7）に対して描画テーブル１４が上述した条
件下でＸ軸の負側に間欠的に移動させられると、図８に
部分的に示されるように、それらＤＭＤユニット（１８
1、…１８8；２０1、…２０7）の個々のマイクロミラー
よって得られる単位露光領域の中心がＸ軸及びＹ軸のそ
れぞれに沿ってピッチａ及びｂで描画面３２の全体にわ
たって配列されることになる。図８から明らかなよう
に、個々の単位画素領域と同じ大きさの面積（20μm×2
0μm）内には256個の単位露光領域の中心が均一に分布
させられる。
８1、…１８8）及び第２列目のＤＭＤユニット（２
０1、…２０7）に対して描画テーブル１４が上述した条
件下でＸ軸の負側に間欠的に移動させられると、図８に
部分的に示されるように、それらＤＭＤユニット（１８
1、…１８8；２０1、…２０7）の個々のマイクロミラー
よって得られる単位露光領域の中心がＸ軸及びＹ軸のそ
れぞれに沿ってピッチａ及びｂで描画面３２の全体にわ
たって配列されることになる。図８から明らかなよう
に、個々の単位画素領域と同じ大きさの面積（20μm×2
0μm）内には256個の単位露光領域の中心が均一に分布
させられる。
【００４８】ＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２
０1、…２０7）の個々のマイクロミラーによって得られ
る単位露光領域の中心を描画面３２の全体にわたって更
に高密度に分布させることもできる。例えば、20μm×2
0μmの面積内に512個の単位露光領域の中心を均一に配
列させることも可能であり、この場合には、距離Ａにつ
いては単位露光領域のサイズの２倍（40μm）とされ、
距離ａについては1.25μm／２とされ、距離ｂについて
は0.078125μm／２とされる。
０1、…２０7）の個々のマイクロミラーによって得られ
る単位露光領域の中心を描画面３２の全体にわたって更
に高密度に分布させることもできる。例えば、20μm×2
0μmの面積内に512個の単位露光領域の中心を均一に配
列させることも可能であり、この場合には、距離Ａにつ
いては単位露光領域のサイズの２倍（40μm）とされ、
距離ａについては1.25μm／２とされ、距離ｂについて
は0.078125μm／２とされる。
【００４９】一方、図８に示す例では、単位露光領域の
中心はＹ軸に沿って平行に配列されているが、距離ａ及
びｂの値を僅かに変化させることによって、図９に示す
ように、単位露光領域の中心をＹ軸に沿って斜めに配列
させることも可能である。図９の例では、距離ａについ
ては1.25μmに0.0049μmを加えた1.2549μmとされ、距
離ｂについては0.078125μmに0.000306μmを加えた0.07
8431とされる。このような値の距離ａ及びｂで単位露光
領域のサイズ（20μm)を除したとき、余りがでるので、
描画テーブル１４をＸ軸の負側に（Ａ＋ａ）ずつ移動さ
せると、その余り分だけ単位露光領域の中心位置がＸ軸
方向にずれ、このため単位露光領域の中心が図９に示す
ようにＹ軸に沿って斜めに配列させられることになる。
例えば、図７を参照して具体的に説明すると、ａ＝1.25
μmのとき、20μmはａで割り切れるために、中心ＣＮ17
は中心ＣＮ1に対してＹ軸に沿って整列するが、しかし
ａ＝1.2549μmのとき、中心ＣＮ17は中心ＣＮ1に対して
Ｘ軸の正側に0.0049μmだけずれることになり、このた
め単位露光領域の中心は図９に示すようにＹ軸に沿って
斜めに配列されることになる。
中心はＹ軸に沿って平行に配列されているが、距離ａ及
びｂの値を僅かに変化させることによって、図９に示す
ように、単位露光領域の中心をＹ軸に沿って斜めに配列
させることも可能である。図９の例では、距離ａについ
ては1.25μmに0.0049μmを加えた1.2549μmとされ、距
離ｂについては0.078125μmに0.000306μmを加えた0.07
8431とされる。このような値の距離ａ及びｂで単位露光
領域のサイズ（20μm)を除したとき、余りがでるので、
描画テーブル１４をＸ軸の負側に（Ａ＋ａ）ずつ移動さ
せると、その余り分だけ単位露光領域の中心位置がＸ軸
方向にずれ、このため単位露光領域の中心が図９に示す
ようにＹ軸に沿って斜めに配列させられることになる。
例えば、図７を参照して具体的に説明すると、ａ＝1.25
μmのとき、20μmはａで割り切れるために、中心ＣＮ17
は中心ＣＮ1に対してＹ軸に沿って整列するが、しかし
ａ＝1.2549μmのとき、中心ＣＮ17は中心ＣＮ1に対して
Ｘ軸の正側に0.0049μmだけずれることになり、このた
め単位露光領域の中心は図９に示すようにＹ軸に沿って
斜めに配列されることになる。
【００５０】本発明による多重露光描画装置で回路パタ
ーンデータ（ラスタデータ）に基づいて回路パターンの
描画が行われるとき、該回路パターンデータの画素サイ
ズがどのようなサイズであっても、その回路パターンを
描画することが可能である。換言すれば、本発明による
多重露光描画装置側には、描画されるべき回路パターン
に対する画素の概念は存在しない。
ーンデータ（ラスタデータ）に基づいて回路パターンの
描画が行われるとき、該回路パターンデータの画素サイ
ズがどのようなサイズであっても、その回路パターンを
描画することが可能である。換言すれば、本発明による
多重露光描画装置側には、描画されるべき回路パターン
に対する画素の概念は存在しない。
【００５１】例えば、回路パターンデータ（ラスタデー
タ）の画素サイズが20μm×20μmであり、しかも任意の
1ビットデータに“1”が与えられているとすると、露光
作動時に個々の単位露光領域Ｕ(n,m)の中心がその1ビッ
トデータに対応する一画素領域(20μm×20μm)に含まれ
ているとき、該単位露光領域Ｕ(n,m)に対応したマイク
ロミラーが該1ビットデータによって動作されて第2の反
射位置(非露光位置)から第1の反射位置(露光位置)に回
動させられ、これによりかかる一画素領域(20μm×20μ
m)が露光される。従って、図８或いは図９に示すような
例にあっては、一画素領域(20μm×20μm)は総計256回
にわたって多重露光を受けることになる。
タ）の画素サイズが20μm×20μmであり、しかも任意の
1ビットデータに“1”が与えられているとすると、露光
作動時に個々の単位露光領域Ｕ(n,m)の中心がその1ビッ
トデータに対応する一画素領域(20μm×20μm)に含まれ
ているとき、該単位露光領域Ｕ(n,m)に対応したマイク
ロミラーが該1ビットデータによって動作されて第2の反
射位置(非露光位置)から第1の反射位置(露光位置)に回
動させられ、これによりかかる一画素領域(20μm×20μ
m)が露光される。従って、図８或いは図９に示すような
例にあっては、一画素領域(20μm×20μm)は総計256回
にわたって多重露光を受けることになる。
【００５２】また、別の例として、回路パターンデータ
（ラスタデータ）の画素サイズが10μm×10μmであり、
しかも任意の1ビットデータに“1”が与えられていると
すると、露光作動時に個々の単位露光領域Ｕ(n,m)の中
心がその1ビットデータに対応する一画素領域(10μm×1
0μm)に含まれているとき、該単位露光領域Ｕ(n,m)に対
応したマイクロミラーが該1ビットデータによって動作
されて第2の反射位置(非露光位置)から第1の反射位置
(露光位置)に回動させられ、これによりかかる一画素領
域(10μm×10μm)が露光される。従って、図８或いは図
９に示すような例にあっては、一画素領域(10μm×10μ
m)は総計64（８×８）回にわたって多重露光を受けるこ
とになる。
（ラスタデータ）の画素サイズが10μm×10μmであり、
しかも任意の1ビットデータに“1”が与えられていると
すると、露光作動時に個々の単位露光領域Ｕ(n,m)の中
心がその1ビットデータに対応する一画素領域(10μm×1
0μm)に含まれているとき、該単位露光領域Ｕ(n,m)に対
応したマイクロミラーが該1ビットデータによって動作
されて第2の反射位置(非露光位置)から第1の反射位置
(露光位置)に回動させられ、これによりかかる一画素領
域(10μm×10μm)が露光される。従って、図８或いは図
９に示すような例にあっては、一画素領域(10μm×10μ
m)は総計64（８×８）回にわたって多重露光を受けるこ
とになる。
【００５３】更に、別の例として、回路パターンデータ
（ラスタデータ）の画素サイズが30μm×30μmであり、
しかも任意の1ビットデータに“1”が与えられていると
すると、露光作動時に個々の単位露光領域Ｕ(n,m)の中
心がその1ビットデータに対応する一画素領域(30μm×3
0μm)に含まれているとき、該単位露光領域Ｕ(n,m)に対
応したマイクロミラーが該1ビットデータによって動作
されて第2の反射位置(非露光位置)から第1の反射位置
(露光位置)に回動させられ、これによりかかる一画素領
域(30μm×30μm)が露光される。従って、図８或いは図
９に示すような例にあっては、一画素領域(30μm×30μ
m)は総計576（24×24）回にわたって多重露光を受ける
ことになる。
（ラスタデータ）の画素サイズが30μm×30μmであり、
しかも任意の1ビットデータに“1”が与えられていると
すると、露光作動時に個々の単位露光領域Ｕ(n,m)の中
心がその1ビットデータに対応する一画素領域(30μm×3
0μm)に含まれているとき、該単位露光領域Ｕ(n,m)に対
応したマイクロミラーが該1ビットデータによって動作
されて第2の反射位置(非露光位置)から第1の反射位置
(露光位置)に回動させられ、これによりかかる一画素領
域(30μm×30μm)が露光される。従って、図８或いは図
９に示すような例にあっては、一画素領域(30μm×30μ
m)は総計576（24×24）回にわたって多重露光を受ける
ことになる。
【００５４】なお、露光時間、即ち個々のマイクロミラ
ーが露光位置（第１の反射位置）に留められる時間につ
いては、一画素領域内での露光回数、被描画体（本実施
形態では、フォトレジスト層）の感度、光源装置２２の
光強度等に基づいて決められ、これにより各一画素露光
領域について所望の露光量が得られるようにされる。
ーが露光位置（第１の反射位置）に留められる時間につ
いては、一画素領域内での露光回数、被描画体（本実施
形態では、フォトレジスト層）の感度、光源装置２２の
光強度等に基づいて決められ、これにより各一画素露光
領域について所望の露光量が得られるようにされる。
【００５５】図１０を参照すると、本発明による多重露
光描画装置の制御ブロック図が示される。同図に示すよ
うに、本発明による多重露光描画装置にはシステムコン
トロール回路３４が設けられ、このシステムコントロー
ル回路３４は例えばマイクロコンピュータから構成され
る。即ち、システムコントロール回路３４は中央演算処
理ユニット（ＣＰＵ）、種々のルーチンを実行するため
のプログラム、定数等を格納する読出し専用メモリ（Ｒ
ＯＭ）、データ等を一時的に格納する書込み／読出し自
在なメモリ（ＲＡＭ）及び入出力インターフェース（Ｉ
／Ｏ）から成り、多重露光描画装置の作動全般を制御す
る。
光描画装置の制御ブロック図が示される。同図に示すよ
うに、本発明による多重露光描画装置にはシステムコン
トロール回路３４が設けられ、このシステムコントロー
ル回路３４は例えばマイクロコンピュータから構成され
る。即ち、システムコントロール回路３４は中央演算処
理ユニット（ＣＰＵ）、種々のルーチンを実行するため
のプログラム、定数等を格納する読出し専用メモリ（Ｒ
ＯＭ）、データ等を一時的に格納する書込み／読出し自
在なメモリ（ＲＡＭ）及び入出力インターフェース（Ｉ
／Ｏ）から成り、多重露光描画装置の作動全般を制御す
る。
【００５６】図１０において、参照符号３６は描画テー
ブル１４をＸ軸方向に沿って駆動させるための駆動モー
タを示す。勿論、描画テーブル１４と駆動モータ３６と
の間には先に述べたようにボール螺子等を含む駆動機構
が介在させられるが、そのような駆動機構については図
１０では破線矢印で象徴的に示されている。駆動モータ
３６は例えばステッピングモータとして構成され、その
駆動制御は駆動回路３８から出力される駆動パルスに従
って行われる。
ブル１４をＸ軸方向に沿って駆動させるための駆動モー
タを示す。勿論、描画テーブル１４と駆動モータ３６と
の間には先に述べたようにボール螺子等を含む駆動機構
が介在させられるが、そのような駆動機構については図
１０では破線矢印で象徴的に示されている。駆動モータ
３６は例えばステッピングモータとして構成され、その
駆動制御は駆動回路３８から出力される駆動パルスに従
って行われる。
【００５７】駆動回路３８は描画テーブル制御回路４０
の制御下で動作させられ、この描画テーブル制御回路４
０は描画テーブル１４に設けられた描画テーブル位置検
出センサ４２に接続される。描画テーブル位置検出セン
サ４２は描画テーブル１４の移動経路に沿って設置され
たリニアスケール４４からの光信号を検出して描画テー
ブル１４のＸ軸方向に沿うその位置を検出するものであ
る。なお、図１０では、リニアスケール４４からの光信
号の検出が破線矢印で象徴的に示されている。
の制御下で動作させられ、この描画テーブル制御回路４
０は描画テーブル１４に設けられた描画テーブル位置検
出センサ４２に接続される。描画テーブル位置検出セン
サ４２は描画テーブル１４の移動経路に沿って設置され
たリニアスケール４４からの光信号を検出して描画テー
ブル１４のＸ軸方向に沿うその位置を検出するものであ
る。なお、図１０では、リニアスケール４４からの光信
号の検出が破線矢印で象徴的に示されている。
【００５８】描画テーブル１４の移動中、描画テーブル
位置検出センサ４２はリニアスケール４４から一連の光
信号を順次検出して一連の検出信号（パルス）として描
画テーブル制御回路４０に対して出力する。描画テーブ
ル制御回路４０では、そこに入力された一連の検出信号
が適宜処理され、その検出信号に基づいて一連の制御ク
ロックパルスが作成される。描画テーブル制御回路４０
からは一連の制御クロックパルスが駆動回路３８に対し
て出力され、駆動回路３８ではその一連の制御クロック
パルスに従って駆動モータ３６に対する駆動パルスが作
成される。要するに、リニアスケール４４の精度に応じ
た正確さで描画テーブル１４をＸ軸方向に沿って移動さ
せることができる。なお、このような描画テーブル１４
の移動制御自体は周知のものである。
位置検出センサ４２はリニアスケール４４から一連の光
信号を順次検出して一連の検出信号（パルス）として描
画テーブル制御回路４０に対して出力する。描画テーブ
ル制御回路４０では、そこに入力された一連の検出信号
が適宜処理され、その検出信号に基づいて一連の制御ク
ロックパルスが作成される。描画テーブル制御回路４０
からは一連の制御クロックパルスが駆動回路３８に対し
て出力され、駆動回路３８ではその一連の制御クロック
パルスに従って駆動モータ３６に対する駆動パルスが作
成される。要するに、リニアスケール４４の精度に応じ
た正確さで描画テーブル１４をＸ軸方向に沿って移動さ
せることができる。なお、このような描画テーブル１４
の移動制御自体は周知のものである。
【００５９】図１０に示すように、描画テーブル制御回
路４０はシステムコントロール回路３４に接続され、こ
れにより描画テーブル制御回路４０はシステムコントロ
ール回路３４の制御下で行われる。一方、描画テーブル
位置検出センサ４２から出力される一連の検出信号（パ
ルス）は描画テーブル制御回路４０を介してシステムコ
ントロール回路３４にも入力され、これによりシステム
コントロール回路３４では描画テーブル１４のＸ軸に沿
う移動位置を常に監視することができる。
路４０はシステムコントロール回路３４に接続され、こ
れにより描画テーブル制御回路４０はシステムコントロ
ール回路３４の制御下で行われる。一方、描画テーブル
位置検出センサ４２から出力される一連の検出信号（パ
ルス）は描画テーブル制御回路４０を介してシステムコ
ントロール回路３４にも入力され、これによりシステム
コントロール回路３４では描画テーブル１４のＸ軸に沿
う移動位置を常に監視することができる。
【００６０】システムコントロール回路３４はＬＡＮ(l
ocal area network)を介してＣＡＤステーション或いは
ＣＡＭステーションに接続され、ＣＡＤステーション或
いはＣＡＭステーションからはそこで作成処理された回
路パターンデータ（ベクタデータ）がシステムコントロ
ール回路３４に転送される。システムコントロール回路
３４にはデータ格納手段としてハードディスク装置４６
が接続され、ＣＡＤステーション或いはＣＡＭステーシ
ョンから回路パターンデータ（ベクタデータ）がシステ
ムコントロール回路３４に転送されると、システムコン
トロール回路３４は回路パターンデータ（ベクタデー
タ）を一旦ハードディスク装置４６に書き込んで格納す
る。また、システムコントロール回路３４には外部入力
装置としてキーボード４８が接続され、このキーボード
４８を介して種々の指令信号や種々のデータ等がシステ
ムコントロール回路３４に入力される。
ocal area network)を介してＣＡＤステーション或いは
ＣＡＭステーションに接続され、ＣＡＤステーション或
いはＣＡＭステーションからはそこで作成処理された回
路パターンデータ（ベクタデータ）がシステムコントロ
ール回路３４に転送される。システムコントロール回路
３４にはデータ格納手段としてハードディスク装置４６
が接続され、ＣＡＤステーション或いはＣＡＭステーシ
ョンから回路パターンデータ（ベクタデータ）がシステ
ムコントロール回路３４に転送されると、システムコン
トロール回路３４は回路パターンデータ（ベクタデー
タ）を一旦ハードディスク装置４６に書き込んで格納す
る。また、システムコントロール回路３４には外部入力
装置としてキーボード４８が接続され、このキーボード
４８を介して種々の指令信号や種々のデータ等がシステ
ムコントロール回路３４に入力される。
【００６１】図１０において、参照符号５０はラスタ変
換回路を示し、このラスタ変換回路５０はシステムコン
トロール回路３４の制御下で動作させられる。描画作動
に先立って、ハードディスク装置４６から回路パターン
データ（ベクタデータ）が読み出されてラスタ変換回路
５０に出力され、この回路パターンデータ（ベクタデー
タ）はラスタ変換回路５０によってラスタデータに変換
され、このラスタデータはビット・マップ・メモリ５２
に書き込まれる。要するに、ビット・マップ・メモリ５
２には回路パターンデータとして二値化データ即ちビッ
トデータとして格納される。ラスタ変換回路５０でのデ
ータ変換処理及びビット・マップ・メモリ５２でのデー
タ書込みについてはキーボード４８を介して入力される
指令信号により行われる。
換回路を示し、このラスタ変換回路５０はシステムコン
トロール回路３４の制御下で動作させられる。描画作動
に先立って、ハードディスク装置４６から回路パターン
データ（ベクタデータ）が読み出されてラスタ変換回路
５０に出力され、この回路パターンデータ（ベクタデー
タ）はラスタ変換回路５０によってラスタデータに変換
され、このラスタデータはビット・マップ・メモリ５２
に書き込まれる。要するに、ビット・マップ・メモリ５
２には回路パターンデータとして二値化データ即ちビッ
トデータとして格納される。ラスタ変換回路５０でのデ
ータ変換処理及びビット・マップ・メモリ５２でのデー
タ書込みについてはキーボード４８を介して入力される
指令信号により行われる。
【００６２】図１０において、参照符号５４は読出しア
ドレスメモリを示し、この読出しアドレスメモリ５４は
システムコントロール回路３４の制御下で動作させられ
る。読出しアドレスメモリ５４にはＤＭＤユニット（１
８1、…１８8；２０1、…２０7）が露光作動させられる
際にビット・マップ・メモリ５２から読み出されるべき
ビットデータの読出しアドレスデータが格納され、この
ような読出しアドレスデータはＤＭＤユニット（１
８1、…１８8；２０1、…２０7）による露光作動が繰り
返される度毎に書き換えられる。なお、読出しアドレス
データの書換えについては後で詳しく説明する。
ドレスメモリを示し、この読出しアドレスメモリ５４は
システムコントロール回路３４の制御下で動作させられ
る。読出しアドレスメモリ５４にはＤＭＤユニット（１
８1、…１８8；２０1、…２０7）が露光作動させられる
際にビット・マップ・メモリ５２から読み出されるべき
ビットデータの読出しアドレスデータが格納され、この
ような読出しアドレスデータはＤＭＤユニット（１
８1、…１８8；２０1、…２０7）による露光作動が繰り
返される度毎に書き換えられる。なお、読出しアドレス
データの書換えについては後で詳しく説明する。
【００６３】読出しアドレスメモリ５４から一連の読出
しアドレスデータがビット・マップ・メモリ５２に対し
て出力されると、その読出しアドレスデータに従ってビ
ット・マップ・メモリ５２からは所定のビットデータが
ＤＭＤ駆動回路５６に対して出力され、ＤＭＤ駆動回路
５６はそのビットデータに基づいてＤＭＤユニット（１
８1、…１８8；２０1、…２０7）を作動し、これにより
各ＤＭＤユニットの個々のマイクロミラーは選択的に露
光作動を行うことになる。なお、図１０では、個々のマ
イクロミラーの露光作動が破線矢印で象徴的に図示され
ている。
しアドレスデータがビット・マップ・メモリ５２に対し
て出力されると、その読出しアドレスデータに従ってビ
ット・マップ・メモリ５２からは所定のビットデータが
ＤＭＤ駆動回路５６に対して出力され、ＤＭＤ駆動回路
５６はそのビットデータに基づいてＤＭＤユニット（１
８1、…１８8；２０1、…２０7）を作動し、これにより
各ＤＭＤユニットの個々のマイクロミラーは選択的に露
光作動を行うことになる。なお、図１０では、個々のマ
イクロミラーの露光作動が破線矢印で象徴的に図示され
ている。
【００６４】図１１を参照すると、ビット・マップ・メ
モリ５２上に展開された回路パターンデータ（ラスタデ
ータ）の一部が模式的に示されている。同図に示すライ
ン番号Ｌは描画面３２上に描画されるべき回路パターン
のＹ軸に沿う描画ライン番号に対応し、各ラインには12
80×15個のビットデータが含まれる。同図に示すよう
に、個々のビットデータは“Ｂ”で示され、この“Ｂ”
には描画されるべき回路パターンに従って“１”か
“０”のうちのいずれかの値が与えられる。
モリ５２上に展開された回路パターンデータ（ラスタデ
ータ）の一部が模式的に示されている。同図に示すライ
ン番号Ｌは描画面３２上に描画されるべき回路パターン
のＹ軸に沿う描画ライン番号に対応し、各ラインには12
80×15個のビットデータが含まれる。同図に示すよう
に、個々のビットデータは“Ｂ”で示され、この“Ｂ”
には描画されるべき回路パターンに従って“１”か
“０”のうちのいずれかの値が与えられる。
【００６５】本発明によれば、回路パターンデータ（ラ
スタデータ）の一画素サイズ（即ち、個々のビットデー
タ“Ｂ”のサイズ）についてはその回路パターンの設計
段階で種々の大きさを与えることが可能である。例え
ば、ビットデータ“Ｂ”のサイズが10μm×10μmであれ
ば、描画面３２上に描かれるべき描画ラインの幅も10μ
mとなり、ビットデータ“Ｂ”のサイズが20μm×20μm
であれば、描画ラインの幅も20μmとなり、ビットデー
タ“Ｂ”のサイズが30μm×30μmであれば、描画ライン
の幅も30μmとなる。
スタデータ）の一画素サイズ（即ち、個々のビットデー
タ“Ｂ”のサイズ）についてはその回路パターンの設計
段階で種々の大きさを与えることが可能である。例え
ば、ビットデータ“Ｂ”のサイズが10μm×10μmであれ
ば、描画面３２上に描かれるべき描画ラインの幅も10μ
mとなり、ビットデータ“Ｂ”のサイズが20μm×20μm
であれば、描画ラインの幅も20μmとなり、ビットデー
タ“Ｂ”のサイズが30μm×30μmであれば、描画ライン
の幅も30μmとなる。
【００６６】図１１に示すように、各ラインに含まれる
1280×15個のビットデータは1280ビット毎に第１番目な
いし第15番目のグループに分けられる。第１列目の８つ
のＤＭＤユニット（１８1、…１８8）のそれぞれの露光
作動については奇数番目のグループのビットデータに従
って行われ、第２列目の７つのＤＭＤユニット（２
０ 1、…２０7）のそれぞれの露光作動については偶数番
目のグループのビットデータに従って行われる。
1280×15個のビットデータは1280ビット毎に第１番目な
いし第15番目のグループに分けられる。第１列目の８つ
のＤＭＤユニット（１８1、…１８8）のそれぞれの露光
作動については奇数番目のグループのビットデータに従
って行われ、第２列目の７つのＤＭＤユニット（２
０ 1、…２０7）のそれぞれの露光作動については偶数番
目のグループのビットデータに従って行われる。
【００６７】各グループの個々のビットデータ“Ｂ”に
対しては、図１２に模式的に示すようなアドレスデータ
［Ｌx,Ｒy］が与えられる。アドレスデータ成分Ｌxはラ
イン番号Ｌ（図１１）を示し、アドレスデータ成分Ｒy
は各グループの最上ビットからの数えて何ビット目に当
たるかを表す。例えば、アドレスデータ［000001,000
1］は各グループのライン番号１の最上位ビットのビッ
トデータ“Ｂ”を表し、アドレスデータ［000003,000
1］は各グループのライン番号３の最上位ビットのビッ
トデータ“Ｂ”を表し、またアドレスデータ［000001,1
278］は各グループのライン番号１の最上位ビットから
数えて1278番目のビットデータ“Ｂ”を表し、アドレス
データ［000003,1278］は各グループのライン番号３の
最上位ビットから数えて1278番目のビットデータ“Ｂ”
を表し、更にアドレスデータ［000001,1280］は各グル
ープのライン番号１の最下位ビットのビットデータ
“Ｂ”を表し、アドレスデータ［000003,1280］は各グ
ループのライン番号３の最下位ビットのビットデータ
“Ｂ”を表す。
対しては、図１２に模式的に示すようなアドレスデータ
［Ｌx,Ｒy］が与えられる。アドレスデータ成分Ｌxはラ
イン番号Ｌ（図１１）を示し、アドレスデータ成分Ｒy
は各グループの最上ビットからの数えて何ビット目に当
たるかを表す。例えば、アドレスデータ［000001,000
1］は各グループのライン番号１の最上位ビットのビッ
トデータ“Ｂ”を表し、アドレスデータ［000003,000
1］は各グループのライン番号３の最上位ビットのビッ
トデータ“Ｂ”を表し、またアドレスデータ［000001,1
278］は各グループのライン番号１の最上位ビットから
数えて1278番目のビットデータ“Ｂ”を表し、アドレス
データ［000003,1278］は各グループのライン番号３の
最上位ビットから数えて1278番目のビットデータ“Ｂ”
を表し、更にアドレスデータ［000001,1280］は各グル
ープのライン番号１の最下位ビットのビットデータ
“Ｂ”を表し、アドレスデータ［000003,1280］は各グ
ループのライン番号３の最下位ビットのビットデータ
“Ｂ”を表す。
【００６８】図１３に模式的に示すように、読出しアド
レスメモリ５４内には、８つのメモリ領域ＡＤ１８1な
いしＡＤ１８8と７つのメモリ領域ＡＤ２０1ないしＡＤ
２０7との総計15個のメモリ領域が含まれる。メモリ領
域ＡＤ１８1ないしＡＤ１８8のそれぞれには、図１１に
示す奇数番目のビットデータ“Ｂ”の読出しアドレス
［Ｌx,Ｒy］が格納され、またメモリ領域ＡＤ２０1ない
しＡＤ２０7のそれぞれには、図１１に示す偶数番目の
ビットデータ“Ｂ”の読出しアドレス［Ｌx,Ｒy］が格
納される。各メモリ領域（ＡＤ１８1、…ＡＤ１８8；Ａ
Ｄ２０1、…ＡＤ２０7）には最大記憶容量としてそれぞ
れの該当グループにおける1024ライン分のビットデータ
“Ｂ”の読出しアドレスデータ［Ｌx,Ｒy］を格納し得
る容量が与えられる。
レスメモリ５４内には、８つのメモリ領域ＡＤ１８1な
いしＡＤ１８8と７つのメモリ領域ＡＤ２０1ないしＡＤ
２０7との総計15個のメモリ領域が含まれる。メモリ領
域ＡＤ１８1ないしＡＤ１８8のそれぞれには、図１１に
示す奇数番目のビットデータ“Ｂ”の読出しアドレス
［Ｌx,Ｒy］が格納され、またメモリ領域ＡＤ２０1ない
しＡＤ２０7のそれぞれには、図１１に示す偶数番目の
ビットデータ“Ｂ”の読出しアドレス［Ｌx,Ｒy］が格
納される。各メモリ領域（ＡＤ１８1、…ＡＤ１８8；Ａ
Ｄ２０1、…ＡＤ２０7）には最大記憶容量としてそれぞ
れの該当グループにおける1024ライン分のビットデータ
“Ｂ”の読出しアドレスデータ［Ｌx,Ｒy］を格納し得
る容量が与えられる。
【００６９】既に述べたように、各露光作動毎に各ＤＭ
Ｄユニット（１８1、…１８8；２０ 1、…２０7）の個々
のマイクロミラーによって得られる単位露光領域はＸ軸
の正側に所定距離（Ａ＋ａ）だけ移動させられので、各
ＤＭＤユニットの個々のマイクロミラーが各露光位置で
どのビットデータ“Ｂ”に従って動作させられるべきか
を描画作動前に確定することが必要である。また、各Ｄ
ＭＤユニットの個々のマイクロミラーが各露光位置でど
のビットデータ“Ｂ”に従って動作させられるべきかに
ついては、各ＤＭＤユニットの露光作動毎の移動距離
（Ａ＋ａ）だけでなくビットデータ“Ｂ”サイズによっ
ても変動する。
Ｄユニット（１８1、…１８8；２０ 1、…２０7）の個々
のマイクロミラーによって得られる単位露光領域はＸ軸
の正側に所定距離（Ａ＋ａ）だけ移動させられので、各
ＤＭＤユニットの個々のマイクロミラーが各露光位置で
どのビットデータ“Ｂ”に従って動作させられるべきか
を描画作動前に確定することが必要である。また、各Ｄ
ＭＤユニットの個々のマイクロミラーが各露光位置でど
のビットデータ“Ｂ”に従って動作させられるべきかに
ついては、各ＤＭＤユニットの露光作動毎の移動距離
（Ａ＋ａ）だけでなくビットデータ“Ｂ”サイズによっ
ても変動する。
【００７０】図１４を参照して、第１列目のＤＭＤユニ
ット１８1の個々のマイクロミラーが各露光位置でどの
ビットデータ“Ｂ”に従って動作されるべきかについて
以下に説明する。
ット１８1の個々のマイクロミラーが各露光位置でどの
ビットデータ“Ｂ”に従って動作されるべきかについて
以下に説明する。
【００７１】先ず、図１４について説明すると、第１列
目のＤＭＤユニット１８1に含まれる1024×1280個のマ
イクロミラーによって得られる単位露光領域の一部（Ｕ
(1,1 )、Ｕ(1,2)、Ｕ(1,3)、Ｕ(1,4)、Ｕ(1,5)；
Ｕ(2,1)、Ｕ(2,2)、Ｕ(2,3)、Ｕ(2,4 )、Ｕ(2,5)；Ｕ
(3,1)、Ｕ(3,2)、Ｕ(3,3)、Ｕ(3,4)、Ｕ(3,5)）の輪郭
が破線で示され、これら単位露光領域の中心がそれぞれ
“×”で表されると共に参照符号ＣＮ(1,1)、Ｃ
Ｎ(1,2)、ＣＮ(1,3)、ＣＮ(1,4)及びＣＮ(1,5)と、ＣＮ
(2,1)、ＣＮ(2,2)、ＣＮ(2,3)、ＣＮ(2,4)及びＣＮ
(2,5)と、ＣＮ(3,1)、ＣＮ(3,2)、ＣＮ (3,3)、ＣＮ
(3,4)及びＣＮ(3,5)とで示されている。同図から明らか
なように、ＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第１ライ
ンのマイクロミラーに対応する単位露光領域の中心（Ｃ
Ｎ(1,1)、ＣＮ(1,2)、ＣＮ(1,3)、ＣＮ(1,4)、ＣＮ
(1,5)、…）はＹ軸上に位置している。換言すれば、Ｄ
ＭＤユニット１８1は描画面３２上の描画開始位置即ち
第１回目露光位置に位置されている。
目のＤＭＤユニット１８1に含まれる1024×1280個のマ
イクロミラーによって得られる単位露光領域の一部（Ｕ
(1,1 )、Ｕ(1,2)、Ｕ(1,3)、Ｕ(1,4)、Ｕ(1,5)；
Ｕ(2,1)、Ｕ(2,2)、Ｕ(2,3)、Ｕ(2,4 )、Ｕ(2,5)；Ｕ
(3,1)、Ｕ(3,2)、Ｕ(3,3)、Ｕ(3,4)、Ｕ(3,5)）の輪郭
が破線で示され、これら単位露光領域の中心がそれぞれ
“×”で表されると共に参照符号ＣＮ(1,1)、Ｃ
Ｎ(1,2)、ＣＮ(1,3)、ＣＮ(1,4)及びＣＮ(1,5)と、ＣＮ
(2,1)、ＣＮ(2,2)、ＣＮ(2,3)、ＣＮ(2,4)及びＣＮ
(2,5)と、ＣＮ(3,1)、ＣＮ(3,2)、ＣＮ (3,3)、ＣＮ
(3,4)及びＣＮ(3,5)とで示されている。同図から明らか
なように、ＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第１ライ
ンのマイクロミラーに対応する単位露光領域の中心（Ｃ
Ｎ(1,1)、ＣＮ(1,2)、ＣＮ(1,3)、ＣＮ(1,4)、ＣＮ
(1,5)、…）はＹ軸上に位置している。換言すれば、Ｄ
ＭＤユニット１８1は描画面３２上の描画開始位置即ち
第１回目露光位置に位置されている。
【００７２】また、図１４では、描画面３２上の描画領
域が20μm×20μmの格子に区分される。ＤＭＤユニット
１８1によって露光作動が上述したように順次繰り返さ
れると、各格子領域（20μm×20μm）内には図８或いは
図９に示すように256個の単位露光領域の中心が均一に
分布させられることになる。
域が20μm×20μmの格子に区分される。ＤＭＤユニット
１８1によって露光作動が上述したように順次繰り返さ
れると、各格子領域（20μm×20μm）内には図８或いは
図９に示すように256個の単位露光領域の中心が均一に
分布させられることになる。
【００７３】ここで、もしビットデータ“Ｂ”のサイズ
が10μm×10μmであるとすると、図１１に示す第1番目
のグループのライン番号1のビットデータのうち例えば
アドレスデータ［000001,0001］のビットデータ“Ｂ”
により定義される一画素領域は図１５に示すような斜線
領域ＨＺ10となる。同様に、ビットデータ“Ｂ”のサイ
ズが20μm×20μmであれば、図１１に示す第1番目のグ
ループのライン番号1のビットデータのうちのアドレス
データ［000001,0001］のビットデータ“Ｂ”により定
義される一画素領域は図１６に示すような斜線領域ＨＺ
20となる。また、ビットデータ“Ｂ”のサイズが30μm
×30μmであれば、図１１に示す第1番目のグループのラ
イン番号1のビットデータのうちのアドレスデータ［000
001,0001］のビットデータ“Ｂ”により定義される一画
素領域は図１７に示すような斜線領域ＨＺ30となる。更
に、ビットデータ“Ｂ”のサイズが40μm×40μmのとき
には、図１１に示す第1番目のグループのライン番号1の
ビットデータのうちのアドレスデータ［000001,0001］
のビットデータ“Ｂ”により定義される一画素領域は図
１８に示すような斜線領域ＨＺ40となる。従って、描画
面３２上で回路パターンを描画する際の描画領域のＹ軸
に沿う負側の境界線はビットデータ“Ｂ”のサイズによ
って変動する。即ち、図１１に示す境界線ＢＯ10、ＢＯ
20、ＢＯ30、ＢＯ 40はビットデータ“Ｂ”のサイズがそ
れぞれ10μm×10μm、20μm×20μm、30μm×30μm及び
40μm×40μmの場合の境界線を示す。
が10μm×10μmであるとすると、図１１に示す第1番目
のグループのライン番号1のビットデータのうち例えば
アドレスデータ［000001,0001］のビットデータ“Ｂ”
により定義される一画素領域は図１５に示すような斜線
領域ＨＺ10となる。同様に、ビットデータ“Ｂ”のサイ
ズが20μm×20μmであれば、図１１に示す第1番目のグ
ループのライン番号1のビットデータのうちのアドレス
データ［000001,0001］のビットデータ“Ｂ”により定
義される一画素領域は図１６に示すような斜線領域ＨＺ
20となる。また、ビットデータ“Ｂ”のサイズが30μm
×30μmであれば、図１１に示す第1番目のグループのラ
イン番号1のビットデータのうちのアドレスデータ［000
001,0001］のビットデータ“Ｂ”により定義される一画
素領域は図１７に示すような斜線領域ＨＺ30となる。更
に、ビットデータ“Ｂ”のサイズが40μm×40μmのとき
には、図１１に示す第1番目のグループのライン番号1の
ビットデータのうちのアドレスデータ［000001,0001］
のビットデータ“Ｂ”により定義される一画素領域は図
１８に示すような斜線領域ＨＺ40となる。従って、描画
面３２上で回路パターンを描画する際の描画領域のＹ軸
に沿う負側の境界線はビットデータ“Ｂ”のサイズによ
って変動する。即ち、図１１に示す境界線ＢＯ10、ＢＯ
20、ＢＯ30、ＢＯ 40はビットデータ“Ｂ”のサイズがそ
れぞれ10μm×10μm、20μm×20μm、30μm×30μm及び
40μm×40μmの場合の境界線を示す。
【００７４】以上述べたことを念頭に置いて、ＤＭＤユ
ニット１８1の個々のマイクロミラーと各露光位置での
ビットデータ“Ｂ”との関係について説明する。
ニット１８1の個々のマイクロミラーと各露光位置での
ビットデータ“Ｂ”との関係について説明する。
【００７５】先ず、ＤＭＤユニット１８1が露光開始位
置即ち第１回目露光位置に置かれている場合にその任意
のマイクロミラーによって得られる単位露光領域（Ｕ
(n,m)）の中心ＣＮ(n,m)のＸ−Ｙ座標については以下の
ように表される。Ｐ[x(n),y(m)]1≦ｎ≦1024及び１≦ｍ
≦1280
置即ち第１回目露光位置に置かれている場合にその任意
のマイクロミラーによって得られる単位露光領域（Ｕ
(n,m)）の中心ＣＮ(n,m)のＸ−Ｙ座標については以下の
ように表される。Ｐ[x(n),y(m)]1≦ｎ≦1024及び１≦ｍ
≦1280
【００７６】ここで、ＤＭＤユニット１８1が第１回目
露光位置から距離（Ａ＋ａ）ずつ順次移動させられて第
ｉ回目露光位置まで到達したとすると、座標Ｐ
[x(n),y(m)]のＸ成分ｘ（ｎ）及びＹ成分ｙ（ｍ）は以
下のように変化する。 ｘ（ｎ）＝（ｉ−１）（Ａ＋ａ）−（ｎ−１）Ｃ … （１） ｙ（ｍ）＝（ｍ−１）Ｃ−（ｉ−１）ｂ … （２） ここで、“ｉ”は露光回数であり、“Ｃ”は単位露光領
域のサイズＣである。勿論、本実施形態では、Ｃ＝20μ
mであり、Ａ＝４Ｃである。
露光位置から距離（Ａ＋ａ）ずつ順次移動させられて第
ｉ回目露光位置まで到達したとすると、座標Ｐ
[x(n),y(m)]のＸ成分ｘ（ｎ）及びＹ成分ｙ（ｍ）は以
下のように変化する。 ｘ（ｎ）＝（ｉ−１）（Ａ＋ａ）−（ｎ−１）Ｃ … （１） ｙ（ｍ）＝（ｍ−１）Ｃ−（ｉ−１）ｂ … （２） ここで、“ｉ”は露光回数であり、“Ｃ”は単位露光領
域のサイズＣである。勿論、本実施形態では、Ｃ＝20μ
mであり、Ａ＝４Ｃである。
【００７７】第ｉ回目露光位置において、任意のマイク
ロミラーによって得られる単位露光領域（Ｕ(n,m)）の
中心ＣＮ(n,m)の座標Ｐ[x(n),y(m)]が或る一画素領域内
に含まれるとき、その一画素領域に対応するビットデー
タ“Ｂ”のアドレス［Ｌx,Ｒ y］は上述の２つの式
（１）及び（２）の演算結果を用いて以下の式で表せ
る。 Ｌx＝ＩＮＴ［ｘ（ｎ）／ＰＳ］＋１ … （３） Ｒy＝ＩＮＴ［ｙ（ｍ）／ＰＳ］＋１ … （４） ここで、一般的に、除算ｅ／ｆが行われるとき、演算子
ＩＮＴ［ｅ／ｆ］は除算ｅ／ｆの商を表し、ｅ＜ｆのと
き、ＩＮＴ［ｅ／ｆ］＝０として定義される。また、
“ＰＳ”はビットデータ“Ｂ”のサイズを表す。
ロミラーによって得られる単位露光領域（Ｕ(n,m)）の
中心ＣＮ(n,m)の座標Ｐ[x(n),y(m)]が或る一画素領域内
に含まれるとき、その一画素領域に対応するビットデー
タ“Ｂ”のアドレス［Ｌx,Ｒ y］は上述の２つの式
（１）及び（２）の演算結果を用いて以下の式で表せ
る。 Ｌx＝ＩＮＴ［ｘ（ｎ）／ＰＳ］＋１ … （３） Ｒy＝ＩＮＴ［ｙ（ｍ）／ＰＳ］＋１ … （４） ここで、一般的に、除算ｅ／ｆが行われるとき、演算子
ＩＮＴ［ｅ／ｆ］は除算ｅ／ｆの商を表し、ｅ＜ｆのと
き、ＩＮＴ［ｅ／ｆ］＝０として定義される。また、
“ＰＳ”はビットデータ“Ｂ”のサイズを表す。
【００７８】かくして、第ｉ回目露光位置では、座標Ｐ
[x(n),y(m)]に対応したマイクロミラーは上述の２つの
式（３）及び（４）の演算結果によって決まるアドレス
［Ｌ x,Ｒy］のビットデータ“Ｂ”に従って動作される
ことになる。
[x(n),y(m)]に対応したマイクロミラーは上述の２つの
式（３）及び（４）の演算結果によって決まるアドレス
［Ｌ x,Ｒy］のビットデータ“Ｂ”に従って動作される
ことになる。
【００７９】上述の式（１）の演算結果、即ち座標Ｐ
[x(n),y(m)]のＸ成分の演算結果が以下の関係となった
とき、 ｘ（ｎ）＜０ 座標Ｐ[x(n),y(m)]は未だ描画面３２上の描画領域に侵
入していないことになる。従って、この場合には、座標
Ｐ[x(n),y(m)]に対応したマイクロミラーを動作すべき
ビットデータは存在しないことになり、このとき該マイ
クロミラーはダミーデータ“０”に従って動作させられ
る。
[x(n),y(m)]のＸ成分の演算結果が以下の関係となった
とき、 ｘ（ｎ）＜０ 座標Ｐ[x(n),y(m)]は未だ描画面３２上の描画領域に侵
入していないことになる。従って、この場合には、座標
Ｐ[x(n),y(m)]に対応したマイクロミラーを動作すべき
ビットデータは存在しないことになり、このとき該マイ
クロミラーはダミーデータ“０”に従って動作させられ
る。
【００８０】また、上述の式（２）の演算結果ｙ
（ｍ）、即ち座標Ｐ[x(n),y(m)]のＹ成分の演算結果が
以下の関係となったとき、 ｙ（ｍ）＜０ かつ |ｙ（ｍ）|＞ＰＳ 座標Ｐ[x(n),y(m)]はビットデータ“Ｂ”の一画素サイ
ズ（ＰＳ）によって決まる描画領域のＹ軸に沿う負側の
境界線（ＢＯ10、ＢＯ20、ＢＯ30、ＢＯ40）を越えるこ
とになる。従って、この場合にも、座標Ｐ[x(n),y(m)]
に対応したマイクロミラーを動作すべきビットデータは
存在しないことになり、このとき該マイクロミラーはダ
ミーデータ“０”に従って動作させられる。
（ｍ）、即ち座標Ｐ[x(n),y(m)]のＹ成分の演算結果が
以下の関係となったとき、 ｙ（ｍ）＜０ かつ |ｙ（ｍ）|＞ＰＳ 座標Ｐ[x(n),y(m)]はビットデータ“Ｂ”の一画素サイ
ズ（ＰＳ）によって決まる描画領域のＹ軸に沿う負側の
境界線（ＢＯ10、ＢＯ20、ＢＯ30、ＢＯ40）を越えるこ
とになる。従って、この場合にも、座標Ｐ[x(n),y(m)]
に対応したマイクロミラーを動作すべきビットデータは
存在しないことになり、このとき該マイクロミラーはダ
ミーデータ“０”に従って動作させられる。
【００８１】第１列目のその他のＤＭＤユニット（１８
2、…１８8）のそれぞれの任意のマイクロミラーを各露
光動作時にどのビットデータ“Ｂ”によって動作させる
べきかも上述の場合と同様な態様で確定することが可能
であるが、しかしその場合には、上述の演算時にＤＭＤ
ユニット（１８2、…１８8）の各々がＤＭＤユニット１
８1よりも座標原点からＹ軸に沿って正側に離れている
ことが考慮されなければならない。また、第２列目のＤ
ＭＤユニット（２０1、…２０7）のそれぞれの任意のマ
イクロミラーを各露光動作時にどのビットデータ“Ｂ”
によって動作させるべきかも上述の場合と同様な態様で
確定することが可能であるが、しかしその場合には、上
述の演算時にＤＭＤユニット（２０1、…２０7）の各々
がＤＭＤユニット１８1よりも座標原点からＸ軸に沿っ
て負側にしかもＹ軸に沿って正側に離れていることが考
慮されなければならない。
2、…１８8）のそれぞれの任意のマイクロミラーを各露
光動作時にどのビットデータ“Ｂ”によって動作させる
べきかも上述の場合と同様な態様で確定することが可能
であるが、しかしその場合には、上述の演算時にＤＭＤ
ユニット（１８2、…１８8）の各々がＤＭＤユニット１
８1よりも座標原点からＹ軸に沿って正側に離れている
ことが考慮されなければならない。また、第２列目のＤ
ＭＤユニット（２０1、…２０7）のそれぞれの任意のマ
イクロミラーを各露光動作時にどのビットデータ“Ｂ”
によって動作させるべきかも上述の場合と同様な態様で
確定することが可能であるが、しかしその場合には、上
述の演算時にＤＭＤユニット（２０1、…２０7）の各々
がＤＭＤユニット１８1よりも座標原点からＸ軸に沿っ
て負側にしかもＹ軸に沿って正側に離れていることが考
慮されなければならない。
【００８２】図１９を参照すると、システムコントロー
ル回路３４で実行される描画ルーチンのフローチャート
が示され、この描画ルーチンの実行は多重露光描画装置
の電源スイッチ（図示されない）をオンすることにより
開始される。
ル回路３４で実行される描画ルーチンのフローチャート
が示され、この描画ルーチンの実行は多重露光描画装置
の電源スイッチ（図示されない）をオンすることにより
開始される。
【００８３】ステップ１９０１では、キーボード４８上
に割り当てられた描画開始キーが操作されたか否かが判
断される。なお、描画開始キーの操作前には、回路パタ
ーンデータ（ベクタデータ）からラスタデータへの変換
処理が行われていてビット・マップ・メモリ５２には回
路パターンデータ（ラスタデータ）が既に展開され、ま
た描画ルーチンの実行に必要な種々のデータ、例えば距
離Ａ、距離ａ、描画時間及び描画テーブル１４の移動速
度等のデータについてはキーボード４８を介して入力さ
れてシステムコントロール回路３４のＲＡＭに既に格納
されているものとする。
に割り当てられた描画開始キーが操作されたか否かが判
断される。なお、描画開始キーの操作前には、回路パタ
ーンデータ（ベクタデータ）からラスタデータへの変換
処理が行われていてビット・マップ・メモリ５２には回
路パターンデータ（ラスタデータ）が既に展開され、ま
た描画ルーチンの実行に必要な種々のデータ、例えば距
離Ａ、距離ａ、描画時間及び描画テーブル１４の移動速
度等のデータについてはキーボード４８を介して入力さ
れてシステムコントロール回路３４のＲＡＭに既に格納
されているものとする。
【００８４】ステップ１９０１で描画開始キーの操作が
確認されると、ステップ１９０２に進み、そこで駆動モ
ータ３６が始動されて描画テーブル１４がその原点位置
からＸ軸の負側に向かって所定の速度で移動させられ
る。換言すれば、第１列目のＤＭＤユニット（１８1、
…１８8）と第２列目のＤＭＤユニット（２０1、…２０
7）とが描画テーブル１４に対してＸ軸の正側に移動す
ることとなる。なお、ここでは、描画テーブル１４上に
は被描画体が所定位置に設置されていて、その被描画体
の描画面上の描画開始位置は描画テーブル１４の原点位
置でＸ−Ｙ座標系に対して特定されているものとされ
る。
確認されると、ステップ１９０２に進み、そこで駆動モ
ータ３６が始動されて描画テーブル１４がその原点位置
からＸ軸の負側に向かって所定の速度で移動させられ
る。換言すれば、第１列目のＤＭＤユニット（１８1、
…１８8）と第２列目のＤＭＤユニット（２０1、…２０
7）とが描画テーブル１４に対してＸ軸の正側に移動す
ることとなる。なお、ここでは、描画テーブル１４上に
は被描画体が所定位置に設置されていて、その被描画体
の描画面上の描画開始位置は描画テーブル１４の原点位
置でＸ−Ｙ座標系に対して特定されているものとされ
る。
【００８５】ステップ１９０３では、フラグＦが“０”
に初期化され、またカウンタｉが“１”に初期化され
る。フラグＦは第１列目のＤＭＤユニット（１８1、…
１８8）が描画テーブル１４上の被描画体の描画面３２
の描画開始位置（即ち、第１回目露光位置）に到達した
か否かを指示するためのフラグであり、第１列目のＤＭ
Ｄユニット（１８1、…１８8）が第１回目露光位置に到
達したことが確認されると、フラグＦは“０”から
“１”に書き換えられる。また、カウンタｉは描画装置
によって行われる露光作動の回数をカウントするもので
あり、従ってカウンタｉには初期値として“１”が設定
される。
に初期化され、またカウンタｉが“１”に初期化され
る。フラグＦは第１列目のＤＭＤユニット（１８1、…
１８8）が描画テーブル１４上の被描画体の描画面３２
の描画開始位置（即ち、第１回目露光位置）に到達した
か否かを指示するためのフラグであり、第１列目のＤＭ
Ｄユニット（１８1、…１８8）が第１回目露光位置に到
達したことが確認されると、フラグＦは“０”から
“１”に書き換えられる。また、カウンタｉは描画装置
によって行われる露光作動の回数をカウントするもので
あり、従ってカウンタｉには初期値として“１”が設定
される。
【００８６】フラグＦ及びカウンタｉの初期化後、ステ
ップ１９０４に進み、そこで第１回目露光作動時にビッ
ト・マップ・メモリ５２から読み出されるべきビットデ
ータ“Ｂ”のアドレスデータを作成するための読出しア
ドレス作成ルーチンがサブルーチンとして実行される。
なお、この読出しアドレス作成ルーチンについては図２
０を参照して後で詳しく説明される。
ップ１９０４に進み、そこで第１回目露光作動時にビッ
ト・マップ・メモリ５２から読み出されるべきビットデ
ータ“Ｂ”のアドレスデータを作成するための読出しア
ドレス作成ルーチンがサブルーチンとして実行される。
なお、この読出しアドレス作成ルーチンについては図２
０を参照して後で詳しく説明される。
【００８７】ステップ１９０５では、フラグＦが“０”
であるか否かが判断される。現初期段階では、Ｆ＝０で
あるから、ステップ１９０６に進み、そこで第１列目の
ＤＭＤユニット（１８1、…１８8）が描画開始位置即ち
第１回目露光位置に到達したか否かが監視される。第１
回目露光位置への第１列目のＤＭＤユニット（１８1、
…１８8）の到達が確認されると、ステップ１９０７に
進み、そこでフラグＦが“０”から“１”に書き換えら
れる。次いで、ステップ１９０８に進み、そこで駆動モ
ータ３６の駆動が止められて描画テーブル１４の移動が
停止される。
であるか否かが判断される。現初期段階では、Ｆ＝０で
あるから、ステップ１９０６に進み、そこで第１列目の
ＤＭＤユニット（１８1、…１８8）が描画開始位置即ち
第１回目露光位置に到達したか否かが監視される。第１
回目露光位置への第１列目のＤＭＤユニット（１８1、
…１８8）の到達が確認されると、ステップ１９０７に
進み、そこでフラグＦが“０”から“１”に書き換えら
れる。次いで、ステップ１９０８に進み、そこで駆動モ
ータ３６の駆動が止められて描画テーブル１４の移動が
停止される。
【００８８】ステップ１９０９では、読出しアドレス作
成ルーチンの実行（ステップ１９０４）によって作成さ
れたアドレスデータ［Ｌx,Ｒy］が読出しアドレスメモ
リ５４からビット・マップ・メモリ５２に対して出力さ
れ、これによりビット・マップ・メモリ５２からは所定
のビットデータ“Ｂ”が読み出されてＤＭＤ駆動回路５
６に対して出力され、かくしてＤＭＤユニット（１
８1、…１８8）による第１回目露光作動がその読出しビ
ットデータ“Ｂ”に従って行われる。
成ルーチンの実行（ステップ１９０４）によって作成さ
れたアドレスデータ［Ｌx,Ｒy］が読出しアドレスメモ
リ５４からビット・マップ・メモリ５２に対して出力さ
れ、これによりビット・マップ・メモリ５２からは所定
のビットデータ“Ｂ”が読み出されてＤＭＤ駆動回路５
６に対して出力され、かくしてＤＭＤユニット（１
８1、…１８8）による第１回目露光作動がその読出しビ
ットデータ“Ｂ”に従って行われる。
【００８９】なお、第１回目露光作動では、第１列目の
ＤＭＤユニット（１８1、…１８8）のＹ軸に沿う第２ラ
イン以降のマイクロミラーによって得られる単位露光領
域の中心は描画面３２上の描画領域に未だ侵入していな
いので、第１列目のＤＭＤユニット（１８1、…１８8）
のＹ軸に沿う第１ラインのマイクロミラーだけが動作さ
せられ、その第２ライン以降のマイクロミラーはダミー
データ“０”に従って動作させられるだけである。ま
た、この時点では、第２列目のＤＭＤユニット（２
０1、…２０7）は描画開始位置に到達していないので、
第２列目の各ＤＭＤユニット（２０1、…２０7）の個々
のマイクロミラーもダミーデータ“０”に従って動作さ
せられるだけであり、第２列目のＤＭＤユニット（２０
1、…２０7）による露光作動も実質的には行われること
はない。
ＤＭＤユニット（１８1、…１８8）のＹ軸に沿う第２ラ
イン以降のマイクロミラーによって得られる単位露光領
域の中心は描画面３２上の描画領域に未だ侵入していな
いので、第１列目のＤＭＤユニット（１８1、…１８8）
のＹ軸に沿う第１ラインのマイクロミラーだけが動作さ
せられ、その第２ライン以降のマイクロミラーはダミー
データ“０”に従って動作させられるだけである。ま
た、この時点では、第２列目のＤＭＤユニット（２
０1、…２０7）は描画開始位置に到達していないので、
第２列目の各ＤＭＤユニット（２０1、…２０7）の個々
のマイクロミラーもダミーデータ“０”に従って動作さ
せられるだけであり、第２列目のＤＭＤユニット（２０
1、…２０7）による露光作動も実質的には行われること
はない。
【００９０】ステップ１９１０では、所定の露光時間が
経過したか否かが監視され、所定の露光時間の経過が確
認されると、ステップ１９１１に進み、そこでＤＭＤユ
ニット（１８1、…１８8）による露光作動が停止され
る。次いで、ステップ１９１２に進み、ＤＭＤユニット
（１８1、…１８8；２０1、…２０7）による回路パター
ンの描画が完了したか否かが判断される。
経過したか否かが監視され、所定の露光時間の経過が確
認されると、ステップ１９１１に進み、そこでＤＭＤユ
ニット（１８1、…１８8）による露光作動が停止され
る。次いで、ステップ１９１２に進み、ＤＭＤユニット
（１８1、…１８8；２０1、…２０7）による回路パター
ンの描画が完了したか否かが判断される。
【００９１】勿論、この時点では、回路パターンの描画
は未だ完了されていないので、ステップ１９１３に進
み、そこで描画テーブル１４が再びＸ軸の負側に向かっ
て移動させられる。次いで、ステップ１９１４では、そ
こでカウンタｉのカウント数が“１”だけインクレメン
トされ、ＤＭＤユニット（１８1、…１８8）による第２
回目露光作動に備え、その後ステップ１９０４に戻る。
は未だ完了されていないので、ステップ１９１３に進
み、そこで描画テーブル１４が再びＸ軸の負側に向かっ
て移動させられる。次いで、ステップ１９１４では、そ
こでカウンタｉのカウント数が“１”だけインクレメン
トされ、ＤＭＤユニット（１８1、…１８8）による第２
回目露光作動に備え、その後ステップ１９０４に戻る。
【００９２】ステップ１９０４では、再び読出しアドレ
ス作成ルーチンが実行され、このとき第２回目露光作動
時にビット・マップ・メモリ５２から読み出されるべき
ビットデータ“Ｂ”のアドレスデータが作成される。次
いで、ステップ１９０５に進み、そこでフラグＦが
“０”であるか否かが判断される。現時点では、Ｆ＝１
であるので、ステップ１９０５からステップ１９１５に
進み、そこで描画テーブル１４が距離（Ａ＋ａ）だけ移
動したか否かが監視される。描画テーブル１４の移動距
離が距離（Ａ＋ａ）に到達したことが確認されると、ス
テップ１９０８に進み、そこで駆動モータ３６の駆動が
止められて描画テーブル１４の移動が停止され、続いて
ステップ１９０９でＤＭＤユニット（１８1、…１８8）
による第２回目露光作動が読出しビットデータ“Ｂ”に
従って行われる。
ス作成ルーチンが実行され、このとき第２回目露光作動
時にビット・マップ・メモリ５２から読み出されるべき
ビットデータ“Ｂ”のアドレスデータが作成される。次
いで、ステップ１９０５に進み、そこでフラグＦが
“０”であるか否かが判断される。現時点では、Ｆ＝１
であるので、ステップ１９０５からステップ１９１５に
進み、そこで描画テーブル１４が距離（Ａ＋ａ）だけ移
動したか否かが監視される。描画テーブル１４の移動距
離が距離（Ａ＋ａ）に到達したことが確認されると、ス
テップ１９０８に進み、そこで駆動モータ３６の駆動が
止められて描画テーブル１４の移動が停止され、続いて
ステップ１９０９でＤＭＤユニット（１８1、…１８8）
による第２回目露光作動が読出しビットデータ“Ｂ”に
従って行われる。
【００９３】要するに、ステップ１９１２でＤＭＤユニ
ット（１８1、…１８8；２０1、…２０7）による回路パ
ターンの描画が完了したことが確認されるまで、描画テ
ーブル１４が距離（Ａ＋ａ）だけ移動する度毎に、ＤＭ
Ｄユニット（１８1、…１８8；２０1、…２０7）による
露光作動が順次繰り返される。
ット（１８1、…１８8；２０1、…２０7）による回路パ
ターンの描画が完了したことが確認されるまで、描画テ
ーブル１４が距離（Ａ＋ａ）だけ移動する度毎に、ＤＭ
Ｄユニット（１８1、…１８8；２０1、…２０7）による
露光作動が順次繰り返される。
【００９４】ステップ１９１２でＤＭＤユニット（１８
1、…１８8；２０1、…２０7）による回路パターンの描
画が完了したことが確認されると、ステップ１９１２か
らステップ１９１６に進み、そこで駆動モータ３６が逆
駆動させられて描画テーブル１４はその原点位置に向か
って戻される。次いで、ステップ１９１７では、描画テ
ーブル１４が原点位置に到達したか否かが監視され、描
画テーブル１４の原点位置への到達が確認されると、駆
動モータ３６の駆動が停止されて、本ルーチンの実行が
終了する。
1、…１８8；２０1、…２０7）による回路パターンの描
画が完了したことが確認されると、ステップ１９１２か
らステップ１９１６に進み、そこで駆動モータ３６が逆
駆動させられて描画テーブル１４はその原点位置に向か
って戻される。次いで、ステップ１９１７では、描画テ
ーブル１４が原点位置に到達したか否かが監視され、描
画テーブル１４の原点位置への到達が確認されると、駆
動モータ３６の駆動が停止されて、本ルーチンの実行が
終了する。
【００９５】次に、図２０を参照して、図１９に示す描
画ルーチンのステップ１９０４でサブルーチンとして実
行される読出しアドレス作成ルーチンについて説明す
る。なお、本ルーチンのステップ２００１からステップ
２０１２までは読出しアドレスメモリ５４のメモリ領域
ＡＤ１８1に書き込まれるべき読出しアドレスデータを
作成するためのものであり、勿論、その読出しアドレス
データによってビット・マップ・メモリ５２から読み出
されたビットデータ“Ｂ”は第１列目のＤＭＤユニット
１８1のマイクロミラーを動作させるために用いられる
ものである。
画ルーチンのステップ１９０４でサブルーチンとして実
行される読出しアドレス作成ルーチンについて説明す
る。なお、本ルーチンのステップ２００１からステップ
２０１２までは読出しアドレスメモリ５４のメモリ領域
ＡＤ１８1に書き込まれるべき読出しアドレスデータを
作成するためのものであり、勿論、その読出しアドレス
データによってビット・マップ・メモリ５２から読み出
されたビットデータ“Ｂ”は第１列目のＤＭＤユニット
１８1のマイクロミラーを動作させるために用いられる
ものである。
【００９６】ステップ２００１では、カウンタｎ及びｍ
のそれぞれに初期値“１”が設定される。次いで、ステ
ップ２００２では、以下の演算が行われる。即ち、 ｘ（ｎ）←（ｉ−１）（Ａ＋ａ）−（ｎ−１）Ｃ ｙ（ｍ）←（ｍ−１）Ｃ−（ｉ−１）ｂ
のそれぞれに初期値“１”が設定される。次いで、ステ
ップ２００２では、以下の演算が行われる。即ち、 ｘ（ｎ）←（ｉ−１）（Ａ＋ａ）−（ｎ−１）Ｃ ｙ（ｍ）←（ｍ−１）Ｃ−（ｉ−１）ｂ
【００９７】以上の演算式は先に説明した演算式（１）
及び（２）と同じものであり、ｘ（ｎ）及びｙ（ｍ）の
それぞれは第ｉ回目露光位置におけるＤＭＤユニット１
８1の任意のマイクロミラーによって得られる単位露光
領域（Ｕ(n,m)）の中心ＣＮ( n,m)のＸ−Ｙ座標Ｐ
[x(n),y(m)]のＸ成分及びＹ成分を表す。なお、ｉ＝
１、ｎ＝１及びｍ＝１であれば、勿論、第１回目露光位
置におけるＤＭＤユニット１８ 1のＹ軸に沿う第１ライ
ンの先頭のマイクロミラーによって得られる単位露光領
域（Ｕ(1,1)）の中心ＣＮ(1,1)の座標はＰ
[x(1)=0,y(1)=0]で表せる。
及び（２）と同じものであり、ｘ（ｎ）及びｙ（ｍ）の
それぞれは第ｉ回目露光位置におけるＤＭＤユニット１
８1の任意のマイクロミラーによって得られる単位露光
領域（Ｕ(n,m)）の中心ＣＮ( n,m)のＸ−Ｙ座標Ｐ
[x(n),y(m)]のＸ成分及びＹ成分を表す。なお、ｉ＝
１、ｎ＝１及びｍ＝１であれば、勿論、第１回目露光位
置におけるＤＭＤユニット１８ 1のＹ軸に沿う第１ライ
ンの先頭のマイクロミラーによって得られる単位露光領
域（Ｕ(1,1)）の中心ＣＮ(1,1)の座標はＰ
[x(1)=0,y(1)=0]で表せる。
【００９８】ステップ２００３では、演算結果ｘ（ｎ）
が“０”以上となっているか否かが判断される。もしｘ
（ｎ）≧０であれば、ステップ２００４に進み、そこで
演算結果ｙ（ｍ）が“０”以上となっているか否かが判
断される。もしｘ（ｎ）≧０でしかもｙ（ｍ）≧０であ
れば、演算結果ｘ（ｎ）及びｙ（ｍ）によって決まる座
標Ｐ[x(n),y(m)]が描画面３２上の描画領域内に含まれ
ることになる。一方、もしステップ２００４でｙ（ｍ）
＜０であれば、ステップ２００５に進み、そこでその絶
対値がビットデータ“Ｂ”のサイズＰＳ以下であるか否
かが判断される。もし|ｙ（ｍ）|≦ＰＳであるならば、
座標Ｐ[x(n),y(m)]はビットデータ“Ｂ”の一画素サイ
ズ（ＰＳ）によって決まる描画領域のＹ軸に沿う負側の
境界線（ＢＯ10、ＢＯ20、ＢＯ30、ＢＯ40）を越えてい
ないことになる。
が“０”以上となっているか否かが判断される。もしｘ
（ｎ）≧０であれば、ステップ２００４に進み、そこで
演算結果ｙ（ｍ）が“０”以上となっているか否かが判
断される。もしｘ（ｎ）≧０でしかもｙ（ｍ）≧０であ
れば、演算結果ｘ（ｎ）及びｙ（ｍ）によって決まる座
標Ｐ[x(n),y(m)]が描画面３２上の描画領域内に含まれ
ることになる。一方、もしステップ２００４でｙ（ｍ）
＜０であれば、ステップ２００５に進み、そこでその絶
対値がビットデータ“Ｂ”のサイズＰＳ以下であるか否
かが判断される。もし|ｙ（ｍ）|≦ＰＳであるならば、
座標Ｐ[x(n),y(m)]はビットデータ“Ｂ”の一画素サイ
ズ（ＰＳ）によって決まる描画領域のＹ軸に沿う負側の
境界線（ＢＯ10、ＢＯ20、ＢＯ30、ＢＯ40）を越えてい
ないことになる。
【００９９】要するに、ステップ２００３、２００４及
び２００５では、演算結果ｘ（ｎ）及びｙ（ｍ）によっ
て決まる座標Ｐ[x(n),y(m)]が描画面３２上の描画領域
内に含まれるか否かが判断され、もし座標Ｐ
[x(n),y(m)]が該描画領域に含まれるとなると、ステッ
プ２００６に進み、そこで上述の演算結果ｘ（ｎ）及び
ｙ（ｍ）に基づいて以下の演算が行われる。即ち、 Ｌx＝ＩＮＴ［ｘ（ｎ）／ＰＳ］＋１ Ｒy＝ＩＮＴ［ｙ（ｍ）／ＰＳ］＋１
び２００５では、演算結果ｘ（ｎ）及びｙ（ｍ）によっ
て決まる座標Ｐ[x(n),y(m)]が描画面３２上の描画領域
内に含まれるか否かが判断され、もし座標Ｐ
[x(n),y(m)]が該描画領域に含まれるとなると、ステッ
プ２００６に進み、そこで上述の演算結果ｘ（ｎ）及び
ｙ（ｍ）に基づいて以下の演算が行われる。即ち、 Ｌx＝ＩＮＴ［ｘ（ｎ）／ＰＳ］＋１ Ｒy＝ＩＮＴ［ｙ（ｍ）／ＰＳ］＋１
【０１００】以上の演算式は先に説明した演算式（３）
及び（４）と同じものであり、Ｌx及びＲyのそれぞれは
第１回目露光位置におけるＤＭＤユニット１８1の任意
のマイクロミラーを動作させるべきビットデータ“Ｂ”
のアドレスデータ［Ｌx,Ｒx］の成分を表す。なお、ｉ
＝１、ｎ＝１及びｍ＝１であれば、勿論、アドレスデー
タは［Ｌx=000001,Ｒy=0001］で表され、このアドレス
データのビットデータ“Ｂ”は第１回目露光位置におけ
るＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第１ラインの先頭
のマイクロミラーを動作させるためのものとなる。
及び（４）と同じものであり、Ｌx及びＲyのそれぞれは
第１回目露光位置におけるＤＭＤユニット１８1の任意
のマイクロミラーを動作させるべきビットデータ“Ｂ”
のアドレスデータ［Ｌx,Ｒx］の成分を表す。なお、ｉ
＝１、ｎ＝１及びｍ＝１であれば、勿論、アドレスデー
タは［Ｌx=000001,Ｒy=0001］で表され、このアドレス
データのビットデータ“Ｂ”は第１回目露光位置におけ
るＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第１ラインの先頭
のマイクロミラーを動作させるためのものとなる。
【０１０１】ステップ２００６でアドレスデータ［Ｌx,
Ｒy］の演算が完了すると、ステップ２００７に進み、
そこでアドレスデータ［Ｌx,Ｒy］が読出しアドレスメ
モリ５４のメモリ領域ＡＤ１８1に書き込まれる。次い
で、ステップ２００８に進み、そこでカウンタｍのカウ
ント値が1280に到達したか否かが判断される。
Ｒy］の演算が完了すると、ステップ２００７に進み、
そこでアドレスデータ［Ｌx,Ｒy］が読出しアドレスメ
モリ５４のメモリ領域ＡＤ１８1に書き込まれる。次い
で、ステップ２００８に進み、そこでカウンタｍのカウ
ント値が1280に到達したか否かが判断される。
【０１０２】なお、ステップ２００３でｘ（ｎ）＜０で
あれば、その座標Ｐ[x(n),y(m)]は被描画体上の描画領
域に未だ侵入していないので、ステップ２００３からス
テップ２００８までスキップし、この場合には、アドレ
スデータ［Ｌx,Ｒy］の演算（ステップ２００６）は行
われず、既に述べたように、該座標Ｐ[x(n),y(m)]に対
応したマイクロミラーはダミーデータ“０”によって動
作させられる。また、ステップ２００４でｙ（ｍ）＜０
しかもステップ２００５で|ｙ（ｍ）|＞ＰＳであれば、
その座標Ｐ[x(n),y(m)]はビットデータ“Ｂ”の一画素
サイズ（ＰＳ）によって決まる描画領域のＹ軸に沿う負
側の境界線（ＢＯ10、ＢＯ20、ＢＯ30、ＢＯ40）を越え
たことになるので、ステップ２００５からステップ２０
０８までスキップし、この場合にもアドレスデータ［Ｌ
x,Ｒy］の演算（ステップ２００６）は行われず、既に
述べたように、該座標Ｐ[x(n),y(m)]に対応したマイク
ロミラーはダミーデータ“０”によって動作させられ
る。
あれば、その座標Ｐ[x(n),y(m)]は被描画体上の描画領
域に未だ侵入していないので、ステップ２００３からス
テップ２００８までスキップし、この場合には、アドレ
スデータ［Ｌx,Ｒy］の演算（ステップ２００６）は行
われず、既に述べたように、該座標Ｐ[x(n),y(m)]に対
応したマイクロミラーはダミーデータ“０”によって動
作させられる。また、ステップ２００４でｙ（ｍ）＜０
しかもステップ２００５で|ｙ（ｍ）|＞ＰＳであれば、
その座標Ｐ[x(n),y(m)]はビットデータ“Ｂ”の一画素
サイズ（ＰＳ）によって決まる描画領域のＹ軸に沿う負
側の境界線（ＢＯ10、ＢＯ20、ＢＯ30、ＢＯ40）を越え
たことになるので、ステップ２００５からステップ２０
０８までスキップし、この場合にもアドレスデータ［Ｌ
x,Ｒy］の演算（ステップ２００６）は行われず、既に
述べたように、該座標Ｐ[x(n),y(m)]に対応したマイク
ロミラーはダミーデータ“０”によって動作させられ
る。
【０１０３】ステップ２００８でｍ＜1280であれば、ス
テップ２００９に進み、そこでカウンタｍのカウント値
が“１”だけインクレメントされ、次いでステップ２０
０２に戻る。例えば、ｎ＝１のとき、第ｉ番目の露光位
置におけるＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第１ライ
ンに含まれる1280個のマイクロミラーを動作させるべき
ビットデータ“Ｂ”の読出しアドレスデータ［Ｌx,
Ｒy］が順次求められる。
テップ２００９に進み、そこでカウンタｍのカウント値
が“１”だけインクレメントされ、次いでステップ２０
０２に戻る。例えば、ｎ＝１のとき、第ｉ番目の露光位
置におけるＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う第１ライ
ンに含まれる1280個のマイクロミラーを動作させるべき
ビットデータ“Ｂ”の読出しアドレスデータ［Ｌx,
Ｒy］が順次求められる。
【０１０４】ステップ２００８でカウンタｍのカウント
値が1280に到達したことが確認されると、ＤＭＤユニッ
トステップ２０１０に進み、そこでカウンタｍには初期
値“１”が再設定される。次いで、ステップ２０１１で
は、カウンタｎのカウント値が1024に到達したか否かが
判断される。ｎ＜1024であれば、ステップ２０１２に進
み、そこでカウンタｎのカウント値が“１”だけインク
レメントされ、次いでステップ２００２に戻る。例え
ば、ｎ＝１のとき、カウンタｎのカウント値は“２”と
され、このとき第ｉ番目の露光位置におけるＤＭＤユニ
ット１８1のＹ軸に沿う第２ラインに含まれる1280個の
マイクロミラーを動作させるべきビットデータ“Ｂ”の
読出しアドレスデータ［Ｌx,Ｒy］が順次求められる。
値が1280に到達したことが確認されると、ＤＭＤユニッ
トステップ２０１０に進み、そこでカウンタｍには初期
値“１”が再設定される。次いで、ステップ２０１１で
は、カウンタｎのカウント値が1024に到達したか否かが
判断される。ｎ＜1024であれば、ステップ２０１２に進
み、そこでカウンタｎのカウント値が“１”だけインク
レメントされ、次いでステップ２００２に戻る。例え
ば、ｎ＝１のとき、カウンタｎのカウント値は“２”と
され、このとき第ｉ番目の露光位置におけるＤＭＤユニ
ット１８1のＹ軸に沿う第２ラインに含まれる1280個の
マイクロミラーを動作させるべきビットデータ“Ｂ”の
読出しアドレスデータ［Ｌx,Ｒy］が順次求められる。
【０１０５】ステップ２０１１でカウンタｎのカウント
値が1024に到達したことが確認されると、即ち第ｉ番目
の露光位置におけるＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う
全ての1024本のラインに含まれる1024×1280個のマイク
ロミラーを動作させるべきビットデータ“Ｂ”の読出し
アドレスデータ［Ｌx,Ｒy］の演算が完了すると、ステ
ップ２０１３に進み、そこでカウンタｎには初期値
“１”が再設定される。次いで、ステップ２０１４に進
み、そこでその他のＤＭＤ（１８2、…１８8；２０ 1、
…２０7）のそれぞれの任意のマイクロミラーを動作さ
せるべきビットデータ“Ｂ”の読出しアドレスデータ
［Ｌx,Ｒy］が同様な態様で順次演算され、その読出し
アドレスデータ［Ｌx,Ｒy］は読出しアドレスメモリ５
４のメモリ領域（ＡＤ１８2、…ＡＤ１８8；ＡＤ２
０1、…ＡＤ２０7）のそれぞれに書き込まれる。全ての
ＤＭＤ（１８1、…１８8；２０1、…２０7）の個々のマ
イクロミラーを動作させるべきビットデータ“Ｂ”の読
出しアドレスデータ［Ｌx,Ｒy］の演算が完了すると、
図１９の描画ルーチンに戻る。
値が1024に到達したことが確認されると、即ち第ｉ番目
の露光位置におけるＤＭＤユニット１８1のＹ軸に沿う
全ての1024本のラインに含まれる1024×1280個のマイク
ロミラーを動作させるべきビットデータ“Ｂ”の読出し
アドレスデータ［Ｌx,Ｒy］の演算が完了すると、ステ
ップ２０１３に進み、そこでカウンタｎには初期値
“１”が再設定される。次いで、ステップ２０１４に進
み、そこでその他のＤＭＤ（１８2、…１８8；２０ 1、
…２０7）のそれぞれの任意のマイクロミラーを動作さ
せるべきビットデータ“Ｂ”の読出しアドレスデータ
［Ｌx,Ｒy］が同様な態様で順次演算され、その読出し
アドレスデータ［Ｌx,Ｒy］は読出しアドレスメモリ５
４のメモリ領域（ＡＤ１８2、…ＡＤ１８8；ＡＤ２
０1、…ＡＤ２０7）のそれぞれに書き込まれる。全ての
ＤＭＤ（１８1、…１８8；２０1、…２０7）の個々のマ
イクロミラーを動作させるべきビットデータ“Ｂ”の読
出しアドレスデータ［Ｌx,Ｒy］の演算が完了すると、
図１９の描画ルーチンに戻る。
【０１０６】上述した第１実施形態では、描画作動時、
描画テーブル１４が露光位置に到達する度毎に停止さ
れ、その停止位置でＤＭＤユニット（１８1、…１８8；
２０1、…２０7）による露光作動が行われている。しか
しながら、後述する第２実施形態のように描画作動時、
描画テーブル１４を間欠的に移動させることなく連続的
に一定速度で移動させつつ、所定の条件下でＤＭＤユニ
ット（１８1、…１８8；２０1、…２０7）による露光作
動を行うことも可能である。詳述すると、描画テーブル
１４が距離（Ａ＋ａ）だけ移動する度毎にＤＭＤユニッ
ト（１８1、…１８8；２０1、…２０7）による露光作動
が開始されることは上述の第１実施形態と同じである
が、しかし露光時間については、描画テーブル１４が各
ＤＭＤユニットの個々のマイクロミラーによって得られ
る単位露光領域のサイズ（20μm）より小さい距離ｄを
移動する間の時間とされる。
描画テーブル１４が露光位置に到達する度毎に停止さ
れ、その停止位置でＤＭＤユニット（１８1、…１８8；
２０1、…２０7）による露光作動が行われている。しか
しながら、後述する第２実施形態のように描画作動時、
描画テーブル１４を間欠的に移動させることなく連続的
に一定速度で移動させつつ、所定の条件下でＤＭＤユニ
ット（１８1、…１８8；２０1、…２０7）による露光作
動を行うことも可能である。詳述すると、描画テーブル
１４が距離（Ａ＋ａ）だけ移動する度毎にＤＭＤユニッ
ト（１８1、…１８8；２０1、…２０7）による露光作動
が開始されることは上述の第１実施形態と同じである
が、しかし露光時間については、描画テーブル１４が各
ＤＭＤユニットの個々のマイクロミラーによって得られ
る単位露光領域のサイズ（20μm）より小さい距離ｄを
移動する間の時間とされる。
【０１０７】このように露光時間を設定すれば、第１実
施形態の場合と同様な態様で回路パターンの描画を行う
ことができるだけでなく、回路パターンの描画に必要と
される描画時間も短縮することもできる。また、描画作
動時、描画テーブル１４を連続的に一定速度で移動させ
る別の利点として、描画テーブル１４の駆動系が故障し
難いということも挙げられる。
施形態の場合と同様な態様で回路パターンの描画を行う
ことができるだけでなく、回路パターンの描画に必要と
される描画時間も短縮することもできる。また、描画作
動時、描画テーブル１４を連続的に一定速度で移動させ
る別の利点として、描画テーブル１４の駆動系が故障し
難いということも挙げられる。
【０１０８】図２１には第２実施形態の多重露光描画装
置において、描画作動時に描画テーブル１４を一定速度
で連続的に移動させる際の描画ルーチンのフローチャー
トが示され、この描画ルーチンの実行も多重露光描画装
置の電源スイッチ（図示されない）をオンすることによ
り開始される。
置において、描画作動時に描画テーブル１４を一定速度
で連続的に移動させる際の描画ルーチンのフローチャー
トが示され、この描画ルーチンの実行も多重露光描画装
置の電源スイッチ（図示されない）をオンすることによ
り開始される。
【０１０９】ステップ２１０１では、キーボード４８上
に割り当てられた描画開始キーが操作されたか否かが判
断される。なお、図１９に示す描画ルーチンの場合と同
様に、描画開始キーの操作前には、回路パターンデータ
（ベクタデータ）からラスタデータへの変換処理が行わ
れていてビット・マップ・メモリ５２には回路パターン
データ（ラスタデータ）が既に展開され、また描画ルー
チンの実行に必要な種々のデータ、例えば距離Ａ、距離
ａ及び描画テーブル１４の移動速度等のデータについて
はキーボード４８を介して入力されてシステムコントロ
ール回路３４のＲＡＭに既に格納されているものとす
る。
に割り当てられた描画開始キーが操作されたか否かが判
断される。なお、図１９に示す描画ルーチンの場合と同
様に、描画開始キーの操作前には、回路パターンデータ
（ベクタデータ）からラスタデータへの変換処理が行わ
れていてビット・マップ・メモリ５２には回路パターン
データ（ラスタデータ）が既に展開され、また描画ルー
チンの実行に必要な種々のデータ、例えば距離Ａ、距離
ａ及び描画テーブル１４の移動速度等のデータについて
はキーボード４８を介して入力されてシステムコントロ
ール回路３４のＲＡＭに既に格納されているものとす
る。
【０１１０】ステップ２１０１で描画開始キーの操作が
確認されると、ステップ２１０２に進み、そこで駆動モ
ータ３６が始動されて描画テーブル１４がその原点位置
からＸ軸の負側に向かって所定の一定速度で移動させら
れる。換言すれば、第１列目のＤＭＤユニット（１
８1、…１８8）と第２列目のＤＭＤユニット（２０1、
…２０7）とが描画テーブル１４に対してＸ軸の正側に
移動することとなる。なお、図１９の描画ルーチンの場
合と同様に、ここでも、描画テーブル１４上には被描画
体が所定位置に設置されていて、その被描画体の描画面
上の描画開始位置は描画テーブル１４の原点位置でＸ−
Ｙ座標系に対して特定されているものとされる。
確認されると、ステップ２１０２に進み、そこで駆動モ
ータ３６が始動されて描画テーブル１４がその原点位置
からＸ軸の負側に向かって所定の一定速度で移動させら
れる。換言すれば、第１列目のＤＭＤユニット（１
８1、…１８8）と第２列目のＤＭＤユニット（２０1、
…２０7）とが描画テーブル１４に対してＸ軸の正側に
移動することとなる。なお、図１９の描画ルーチンの場
合と同様に、ここでも、描画テーブル１４上には被描画
体が所定位置に設置されていて、その被描画体の描画面
上の描画開始位置は描画テーブル１４の原点位置でＸ−
Ｙ座標系に対して特定されているものとされる。
【０１１１】ステップ２１０３では、フラグＦが“０”
に初期化され、またカウンタｉが“１”に初期化され
る。なお、フラグＦ及びカウンタｉの機能は図１９の描
画ルーチンの場合と同様にである。
に初期化され、またカウンタｉが“１”に初期化され
る。なお、フラグＦ及びカウンタｉの機能は図１９の描
画ルーチンの場合と同様にである。
【０１１２】フラグＦ及びカウンタｉの初期化後、ステ
ップ２１０４に進み、そこで第１回目露光作動時にビッ
ト・マップ・メモリ５２から読み出されるべきビットデ
ータ“Ｂ”のアドレスデータを作成するための読出しア
ドレス作成ルーチンがサブルーチンとして実行される。
なお、この読出しアドレス作成ルーチンについては図２
０に示したものと同じである。
ップ２１０４に進み、そこで第１回目露光作動時にビッ
ト・マップ・メモリ５２から読み出されるべきビットデ
ータ“Ｂ”のアドレスデータを作成するための読出しア
ドレス作成ルーチンがサブルーチンとして実行される。
なお、この読出しアドレス作成ルーチンについては図２
０に示したものと同じである。
【０１１３】ステップ２１０５では、フラグＦが“０”
であるか否かが判断される。現初期段階では、Ｆ＝０で
あるから、ステップ２１０６に進み、そこで第１列目の
ＤＭＤユニット（１８1、…１８8）が描画開始位置即ち
第１回目露光位置に到達したか否かが監視される。第１
回目露光位置への第１列目のＤＭＤユニット（１８1、
…１８8）の到達が確認されると、ステップ２１０７に
進み、そこでフラグＦが“０”から“１”に書き換えら
れる。
であるか否かが判断される。現初期段階では、Ｆ＝０で
あるから、ステップ２１０６に進み、そこで第１列目の
ＤＭＤユニット（１８1、…１８8）が描画開始位置即ち
第１回目露光位置に到達したか否かが監視される。第１
回目露光位置への第１列目のＤＭＤユニット（１８1、
…１８8）の到達が確認されると、ステップ２１０７に
進み、そこでフラグＦが“０”から“１”に書き換えら
れる。
【０１１４】ステップ２１０８では、読出しアドレス作
成ルーチンの実行（ステップ２１０４）によって作成さ
れたアドレスデータ［Ｌx,Ｒy］が読出しアドレスメモ
リ５４からビット・マップ・メモリ５２に対して出力さ
れ、これによりビット・マップ・メモリ５２からは所定
のビットデータ“Ｂ”が読み出されてＤＭＤ駆動回路５
６に対して出力され、かくしてＤＭＤユニット（１
８1、…１８8）による第１回目露光作動がその読出しビ
ットデータ“Ｂ”に従って行われる。
成ルーチンの実行（ステップ２１０４）によって作成さ
れたアドレスデータ［Ｌx,Ｒy］が読出しアドレスメモ
リ５４からビット・マップ・メモリ５２に対して出力さ
れ、これによりビット・マップ・メモリ５２からは所定
のビットデータ“Ｂ”が読み出されてＤＭＤ駆動回路５
６に対して出力され、かくしてＤＭＤユニット（１
８1、…１８8）による第１回目露光作動がその読出しビ
ットデータ“Ｂ”に従って行われる。
【０１１５】ステップ２１０９では、描画テーブル１４
がＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２０1、…２０7）
による露光作動開始時から距離ｄだけ移動したか否かが
監視される。勿論、先に述べたように、距離ｄは各ＤＭ
Ｄユニットの個々の単位露光領域のサイズＣ（20μm）
より小さい距離となる。ステップ２１０９で描画テーブ
ル１４による距離ｄの移動が確認されると、ステップ２
１１０に進み、そこでＤＭＤユニット（１８1、…１
８8；２０1、…２０7）による露光作動が停止される。
次いで、ステップ２１１１に進み、ＤＭＤユニット（１
８1、…１８8；２０ 1、…２０7）による回路パターンの
描画が完了したか否かが判断される。
がＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２０1、…２０7）
による露光作動開始時から距離ｄだけ移動したか否かが
監視される。勿論、先に述べたように、距離ｄは各ＤＭ
Ｄユニットの個々の単位露光領域のサイズＣ（20μm）
より小さい距離となる。ステップ２１０９で描画テーブ
ル１４による距離ｄの移動が確認されると、ステップ２
１１０に進み、そこでＤＭＤユニット（１８1、…１
８8；２０1、…２０7）による露光作動が停止される。
次いで、ステップ２１１１に進み、ＤＭＤユニット（１
８1、…１８8；２０ 1、…２０7）による回路パターンの
描画が完了したか否かが判断される。
【０１１６】勿論、この時点では、回路パターンの描画
は未だ完了されていないので、ステップ２１１２に進
み、そこでカウンタｉのカウント数が“１”だけインク
レメントされ、ＤＭＤユニット（１８1、…１８8）によ
る第２回目露光作動に備え、その後ステップ２１０４に
戻る。
は未だ完了されていないので、ステップ２１１２に進
み、そこでカウンタｉのカウント数が“１”だけインク
レメントされ、ＤＭＤユニット（１８1、…１８8）によ
る第２回目露光作動に備え、その後ステップ２１０４に
戻る。
【０１１７】ステップ２１０４では、再び読出しアドレ
ス作成ルーチンが実行され、このとき第２回目露光作動
時にビット・マップ・メモリ５２から読み出されるべき
ビットデータ“Ｂ”のアドレスデータが作成される。次
いで、ステップ２１０５に進み、そこでフラグＦが
“０”であるか否かが判断される。現時点では、Ｆ＝１
であるので、ステップ２１０５からステップ２１１３に
進み、そこで描画テーブル１４が露光作動開始時（ステ
ップ２１０８）から距離（Ａ＋ａ）だけ移動したか否か
が監視される。描画テーブル１４の移動距離が距離（Ａ
＋ａ）に到達したことが確認されると、ステップ２１０
８に進み、そこでＤＭＤユニット（１８1、…１８8）に
よる第２回目露光作動が読出しビットデータ“Ｂ”に従
って行われる。
ス作成ルーチンが実行され、このとき第２回目露光作動
時にビット・マップ・メモリ５２から読み出されるべき
ビットデータ“Ｂ”のアドレスデータが作成される。次
いで、ステップ２１０５に進み、そこでフラグＦが
“０”であるか否かが判断される。現時点では、Ｆ＝１
であるので、ステップ２１０５からステップ２１１３に
進み、そこで描画テーブル１４が露光作動開始時（ステ
ップ２１０８）から距離（Ａ＋ａ）だけ移動したか否か
が監視される。描画テーブル１４の移動距離が距離（Ａ
＋ａ）に到達したことが確認されると、ステップ２１０
８に進み、そこでＤＭＤユニット（１８1、…１８8）に
よる第２回目露光作動が読出しビットデータ“Ｂ”に従
って行われる。
【０１１８】要するに、ステップ２１１１でＤＭＤユニ
ット（１８1、…１８8；２０1、…２０7）による回路パ
ターンの描画が完了したことが確認されるまで、描画テ
ーブル１４が露光作動開始時から距離（Ａ＋ａ）だけ移
動する度毎に、ＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２０
1、…２０7）による露光作動が順次繰り返される。
ット（１８1、…１８8；２０1、…２０7）による回路パ
ターンの描画が完了したことが確認されるまで、描画テ
ーブル１４が露光作動開始時から距離（Ａ＋ａ）だけ移
動する度毎に、ＤＭＤユニット（１８1、…１８8；２０
1、…２０7）による露光作動が順次繰り返される。
【０１１９】ステップ２１１１でＤＭＤユニット（１８
1、…１８8；２０1、…２０7）による回路パターンの描
画が完了したことが確認されると、ステップ２１１１か
らステップ２１１４に進み、そこで駆動モータ３６が逆
駆動させられて描画テーブル１４はその原点位置に向か
って戻される。次いで、ステップ２１１５では、描画テ
ーブル１４が原点位置に到達したか否かが監視され、描
画テーブル１４の原点位置への到達が確認されると、駆
動モータ３６の駆動が停止されて、本ルーチンの実行が
終了する。
1、…１８8；２０1、…２０7）による回路パターンの描
画が完了したことが確認されると、ステップ２１１１か
らステップ２１１４に進み、そこで駆動モータ３６が逆
駆動させられて描画テーブル１４はその原点位置に向か
って戻される。次いで、ステップ２１１５では、描画テ
ーブル１４が原点位置に到達したか否かが監視され、描
画テーブル１４の原点位置への到達が確認されると、駆
動モータ３６の駆動が停止されて、本ルーチンの実行が
終了する。
【０１２０】以上で述べた第２実施形態にあっては、ビ
ットデータ“Ｂ”の画素サイズはＣ×Ｃとされている
が、即ち画素サイズのＸ軸方向のサイズもそのＹ軸方向
のサイズも共に等しくされているが、しかし本発明によ
る多重露光方法及び多重露光装置においては、ビットデ
ータ“Ｂ”のＸ軸方向のサイズとそのＹ軸方向のサイズ
と互いに異なっていてもよい。但し、その場合には上述
の演算式（１）及び（２）は以下のように書き換えるこ
とが必要である。 ｘ（ｎ）＝（ｉ−１）（Ａ＋ａ）−（ｎ−１）Ｃx … （１） ｙ（ｍ）＝（ｍ−１）Ｃy−（ｉ−１）ｂ … （２） 勿論、ここで、Ｃxはビットデータ“Ｂ”のＸ軸方向に
沿うサイズであり、Ｃyはビットデータ“Ｂ”のＹ軸方
向に沿うサイズであり、Ｃx≠Ｃyとなる。
ットデータ“Ｂ”の画素サイズはＣ×Ｃとされている
が、即ち画素サイズのＸ軸方向のサイズもそのＹ軸方向
のサイズも共に等しくされているが、しかし本発明によ
る多重露光方法及び多重露光装置においては、ビットデ
ータ“Ｂ”のＸ軸方向のサイズとそのＹ軸方向のサイズ
と互いに異なっていてもよい。但し、その場合には上述
の演算式（１）及び（２）は以下のように書き換えるこ
とが必要である。 ｘ（ｎ）＝（ｉ−１）（Ａ＋ａ）−（ｎ−１）Ｃx … （１） ｙ（ｍ）＝（ｍ−１）Ｃy−（ｉ−１）ｂ … （２） 勿論、ここで、Ｃxはビットデータ“Ｂ”のＸ軸方向に
沿うサイズであり、Ｃyはビットデータ“Ｂ”のＹ軸方
向に沿うサイズであり、Ｃx≠Ｃyとなる。
【０１２１】図２２は、本発明による多重露光描画装置
の第３実施形態を部分的に示す平面図である。第１実施
形態では光源装置２２から出射された照明光は15本の光
ファイバケーブル３０により各ＤＭＤユニット１８1、
…１８8；２０1、…２０7に分配されていたが、第３実
施形態においては光ファイバケーブル３０の換わりに１
５個のハーフミラー２３０01〜２３０15を用いている。
その他の構成は第１実施形態と同様であり、同じ構成に
ついては同符号を付し、ここでは説明を省略する。
の第３実施形態を部分的に示す平面図である。第１実施
形態では光源装置２２から出射された照明光は15本の光
ファイバケーブル３０により各ＤＭＤユニット１８1、
…１８8；２０1、…２０7に分配されていたが、第３実
施形態においては光ファイバケーブル３０の換わりに１
５個のハーフミラー２３０01〜２３０15を用いている。
その他の構成は第１実施形態と同様であり、同じ構成に
ついては同符号を付し、ここでは説明を省略する。
【０１２２】光源装置２２は図中最も左方に位置するＤ
ＭＤユニット１８1の後方に配され、光源装置２２とＤ
ＭＤユニット１８1との間の光路上に第１ハーフミラー
２３０01が設けられる。第１ハーフミラー２３０01は、
光源装置２２からの照明光を２方向に分岐する、即ち照
明光の一部を透過してＤＭＤユニット１８1に導くと共
に、残りの照明光を右隣の第２ハーフミラー２３０02に
向かって反射する。次に、第２ハーフミラー２３０
02は、第１ハーフミラー２３０01からの照明光の一部を
透過して第３ハーフミラー２３０03に導くと共に、ＤＭ
Ｄユニット２０1に向かって反射する。同様に、第３ハ
ーフミラー２３０03は、第２ハーフミラー２３０02から
の照明光の一部を透過して第４ハーフミラー２３０04に
導くと共に、ＤＭＤユニット１８2に向かって反射す
る。第４〜第１５ハーフミラー２３０04〜２３０15も同
様に、それぞれ左方から入射した照明光の一部を図中右
隣のハーフミラーへ供給すると共に残りの照明光を図中
下方のＤＭＤユニットへ供給する。なお、最も右端の第
１５ハーフミラー２３０01は反射のみを行う反射ミラー
であってもよい。
ＭＤユニット１８1の後方に配され、光源装置２２とＤ
ＭＤユニット１８1との間の光路上に第１ハーフミラー
２３０01が設けられる。第１ハーフミラー２３０01は、
光源装置２２からの照明光を２方向に分岐する、即ち照
明光の一部を透過してＤＭＤユニット１８1に導くと共
に、残りの照明光を右隣の第２ハーフミラー２３０02に
向かって反射する。次に、第２ハーフミラー２３０
02は、第１ハーフミラー２３０01からの照明光の一部を
透過して第３ハーフミラー２３０03に導くと共に、ＤＭ
Ｄユニット２０1に向かって反射する。同様に、第３ハ
ーフミラー２３０03は、第２ハーフミラー２３０02から
の照明光の一部を透過して第４ハーフミラー２３０04に
導くと共に、ＤＭＤユニット１８2に向かって反射す
る。第４〜第１５ハーフミラー２３０04〜２３０15も同
様に、それぞれ左方から入射した照明光の一部を図中右
隣のハーフミラーへ供給すると共に残りの照明光を図中
下方のＤＭＤユニットへ供給する。なお、最も右端の第
１５ハーフミラー２３０01は反射のみを行う反射ミラー
であってもよい。
【０１２３】このように、単一の光源装置２２から出射
された照明光は、Ｙ方向に沿って一列に並んだ１５個の
ハーフミラーによって順に分岐させられ、各ＤＭＤユニ
ット１８1、…１８8；２０1、…２０7に供給される。な
お、各ハーフミラー２３０01〜２３０15における反射光
と透過光との光強度の割合は、各ＤＭＤユニット１
８ 1、…１８8；２０1、…２０7への入射光の強度が全て
等しくなるように、適宜設定される。
された照明光は、Ｙ方向に沿って一列に並んだ１５個の
ハーフミラーによって順に分岐させられ、各ＤＭＤユニ
ット１８1、…１８8；２０1、…２０7に供給される。な
お、各ハーフミラー２３０01〜２３０15における反射光
と透過光との光強度の割合は、各ＤＭＤユニット１
８ 1、…１８8；２０1、…２０7への入射光の強度が全て
等しくなるように、適宜設定される。
【０１２４】図２３は本発明による多重露光描画装置の
第４実施形態を示す概念図である。第３実施形態におい
ては、各ハーフミラー２３０01〜２３０15は光源装置２
２とＤＭＤユニット１８1、…１８8；２０1、…２０7と
の間に設けられていたが、第４実施形態では、各ハーフ
ミラー３３０はＤＭＤユニット内部、具体的には照明レ
ンズ２６と反射面２４との間に設けられる。
第４実施形態を示す概念図である。第３実施形態におい
ては、各ハーフミラー２３０01〜２３０15は光源装置２
２とＤＭＤユニット１８1、…１８8；２０1、…２０7と
の間に設けられていたが、第４実施形態では、各ハーフ
ミラー３３０はＤＭＤユニット内部、具体的には照明レ
ンズ２６と反射面２４との間に設けられる。
【０１２５】第３および第４実施形態のように、光源２
２から各ＤＭＤユニットの反射面２４にいたる光路上で
あって、かつコリメート光である場合には、光分岐手段
としてハーフミラーを用いることができる。
２から各ＤＭＤユニットの反射面２４にいたる光路上で
あって、かつコリメート光である場合には、光分岐手段
としてハーフミラーを用いることができる。
【０１２６】
【発明の効果】以上の記載から明らかなように、本発明
にあっては、パターンデータがどのような大きさの画素
サイズを持っていても、所定のパターンを適正に描画す
ることができるので、本発明による多重露光装置を１台
だけ用意するだけでＣＡＤステーション或いはＣＡＭス
テーションでの回路パターンの設計の自由度を大巾に高
めることができる。
にあっては、パターンデータがどのような大きさの画素
サイズを持っていても、所定のパターンを適正に描画す
ることができるので、本発明による多重露光装置を１台
だけ用意するだけでＣＡＤステーション或いはＣＡＭス
テーションでの回路パターンの設計の自由度を大巾に高
めることができる。
【０１２７】また、本発明により得られる特徴的な作用
効果の１つとして、露光ユニット内の変調素子の幾つか
が正常に機能しなくなったとしても、画素欠陥を生じさ
せることなくパターンの描画を適正に行い得るという点
も挙げられる。というのは、描画パターン領域は複数回
の露光作動にわたる多重露光によって得られるので、そ
のうちの数回程度の露光作動が正常に行われなかったと
しても、その描画パターン領域の総露光量は十分に得ら
れるからである。
効果の１つとして、露光ユニット内の変調素子の幾つか
が正常に機能しなくなったとしても、画素欠陥を生じさ
せることなくパターンの描画を適正に行い得るという点
も挙げられる。というのは、描画パターン領域は複数回
の露光作動にわたる多重露光によって得られるので、そ
のうちの数回程度の露光作動が正常に行われなかったと
しても、その描画パターン領域の総露光量は十分に得ら
れるからである。
【０１２８】本発明による多重露光方式から得られる別
の作用効果として、個々の露光ユニットに組み込まれる
結像光学系に起因する露光むらがあたとしても、その露
光むらの影響は多重露光のために小さくされるという点
も挙げられる。
の作用効果として、個々の露光ユニットに組み込まれる
結像光学系に起因する露光むらがあたとしても、その露
光むらの影響は多重露光のために小さくされるという点
も挙げられる。
【０１２９】本発明による多重露光方法から得られる更
に別の作用効果として、光源装置の出力が低くても、多
重露光のために十分な露光量が確保し得るので、光源装
置を安価に構成し得る点も挙げられる。
に別の作用効果として、光源装置の出力が低くても、多
重露光のために十分な露光量が確保し得るので、光源装
置を安価に構成し得る点も挙げられる。
【図１】本発明による多重露光描画装置の第１実施形態
を示す概略斜視図である。
を示す概略斜視図である。
【図２】本発明による多重露光描画装置で用いるＤＭＤ
ユニットの機能を説明するための概略概念図である。
ユニットの機能を説明するための概略概念図である。
【図３】図１に示す多重露光描画装置の描画テーブル上
の被描画体の描画面を含む平面上に定義されたＸ−Ｙ直
交座標系を説明するための平面図である。
の被描画体の描画面を含む平面上に定義されたＸ−Ｙ直
交座標系を説明するための平面図である。
【図４】本発明による多重露光描画装置により実行され
る多重露光描画方法の原理を説明するための模式図であ
って、Ｘ−Ｙ座標系のＸ軸に沿う複数の露光位置にＤＭ
Ｄユニットを順次移動させた状態を経時的に示す図であ
る。
る多重露光描画方法の原理を説明するための模式図であ
って、Ｘ−Ｙ座標系のＸ軸に沿う複数の露光位置にＤＭ
Ｄユニットを順次移動させた状態を経時的に示す図であ
る。
【図５】図４と同様な模式図であって、Ｘ−Ｙ座標系の
Ｘ軸に沿う複数の露光位置にＤＭＤユニットを順次移動
させた際に該ＤＭＤユニットがＹ軸に沿って所定距離だ
け変位する状態を経時的に示す図である。
Ｘ軸に沿う複数の露光位置にＤＭＤユニットを順次移動
させた際に該ＤＭＤユニットがＹ軸に沿って所定距離だ
け変位する状態を経時的に示す図である。
【図６】ＤＭＤユニットを図４及び図５に示すように複
数の露光位置に順次移動させた際に該ＤＭＤユニットの
所定のマイクロミラーによって得られる単位露光領域の
中心の移動状態を経時的に示す説明図である。
数の露光位置に順次移動させた際に該ＤＭＤユニットの
所定のマイクロミラーによって得られる単位露光領域の
中心の移動状態を経時的に示す説明図である。
【図７】本発明の多重露光方法に従ってＤＭＤユニット
を複数の露光位置に順次移動させた際に該ＤＭＤユニッ
トの所定のマイクロミラーによって得られる単位露光領
域の中心が所定領域内にどのように分布するかを示す説
明図である。
を複数の露光位置に順次移動させた際に該ＤＭＤユニッ
トの所定のマイクロミラーによって得られる単位露光領
域の中心が所定領域内にどのように分布するかを示す説
明図である。
【図８】図７に示す単位露光領域の中心の分布状態を更
に広範囲にわたって示す説明図である。
に広範囲にわたって示す説明図である。
【図９】図８と同様な説明図であって、ＤＭＤユニット
の移動条件を変えた際に得られる単位露光領域の中心の
分布状態を示す図である。
の移動条件を変えた際に得られる単位露光領域の中心の
分布状態を示す図である。
【図１０】本発明による多重露光描画装置のブロック図
である。
である。
【図１１】本発明による多重露光描画装置で描画すべき
回路パターンの描画データ（ラスタデータ）の一部をビ
ット・マップ・メモリ上に展開した状態で示す模式図で
ある。
回路パターンの描画データ（ラスタデータ）の一部をビ
ット・マップ・メモリ上に展開した状態で示す模式図で
ある。
【図１２】図１１に示すビットデータの一部とその読出
しアドレスデータとの関係を示す模式図である。
しアドレスデータとの関係を示す模式図である。
【図１３】図１０に示すビット・マップ・メモリの内部
を複数のメモリ領域に区分した状態で示す模式図であ
る。
を複数のメモリ領域に区分した状態で示す模式図であ
る。
【図１４】ＤＭＤユニットが露光開始位置即ち第１回目
露光位置に置かれているという条件下で該ＤＭＤユニッ
トの一部のマイクロミラーによって得られる単位露光領
域と描画面上の描画領域との関係を示す模式図である。
露光位置に置かれているという条件下で該ＤＭＤユニッ
トの一部のマイクロミラーによって得られる単位露光領
域と描画面上の描画領域との関係を示す模式図である。
【図１５】図１４と同様な模式図の一部であって、ビッ
トデータのサイズが10μm×10μmとされたとき、そのビ
ットデータのサイズを斜線領域として示す図である。
トデータのサイズが10μm×10μmとされたとき、そのビ
ットデータのサイズを斜線領域として示す図である。
【図１６】図１４と同様な模式図の一部であって、ビッ
トデータのサイズが20μm×20μmとされたとき、そのビ
ットデータのサイズを斜線領域として示す図である。
トデータのサイズが20μm×20μmとされたとき、そのビ
ットデータのサイズを斜線領域として示す図である。
【図１７】図１４と同様な模式図の一部であって、ビッ
トデータのサイズが30μm×30μmとされたとき、そのビ
ットデータのサイズを斜線領域として示す図である。
トデータのサイズが30μm×30μmとされたとき、そのビ
ットデータのサイズを斜線領域として示す図である。
【図１８】図１４と同様な模式図の一部であって、ビッ
トデータのサイズが40μm×40μmとされたとき、そのビ
ットデータのサイズを斜線領域として示す図である。
トデータのサイズが40μm×40μmとされたとき、そのビ
ットデータのサイズを斜線領域として示す図である。
【図１９】本発明による多重露光式描画装置で実行され
る描画ルーチンのフローチャートである。
る描画ルーチンのフローチャートである。
【図２０】図１９の描画ルーチンでサブルーチンとして
実行される読出しアドレス作成ルーチンのフローチャー
トである。
実行される読出しアドレス作成ルーチンのフローチャー
トである。
【図２１】本発明による多重露光描画装置の第２実施形
態を示す図であって、多重露光描画装置で実行される別
の描画ルーチンのフローチャートである。
態を示す図であって、多重露光描画装置で実行される別
の描画ルーチンのフローチャートである。
【図２２】本発明による多重露光描画装置の第３実施形
態を示す部分平面図である。
態を示す部分平面図である。
【図２３】本発明による多重露光描画装置の第４実施形
態を示す概念図である。
態を示す概念図である。
１０ 基台
１２ ガイドレール
１４ 描画テーブル
１６ゲート状構造体
１８1…１８8 第１列目の露光ユニット
２０1…２０7 第２列目の露光ユニット
２４ 各ＤＭＤユニットの反射面
２６ 各ＤＭＤユニットの照明光学系
２８ 各ＤＭＤユニットの結像光学系
３０ 光ファイバケーブル
３２ 描画面
３４ システムコントロール回路
３６ 駆動モータ
３８ 駆動回路
４０ 描画テーブル制御回路
４２ 描画テーブル位置検出センサ
４４ リニアスケール
４６ ハードディスク装置
４８ キーボード
５０ ラスタ変換回路
５２ ビット・マップ・メモリ
５４ 読出しアドレスメモリ
５６ ＤＭＤ駆動回路
２３０01〜２３０15、３３０ ハーフミラー
Claims (13)
- 【請求項１】 マトリックス状に配置された多数の変調
素子を持つ露光ユニットを用いて所定のパターンを描画
面上に多重露光により描画する多重露光描画方法であっ
て、 前記露光ユニットのマトリックス状に配置された変調素
子の一方の配列方向に沿ってしかも該配列方向に対して
所定の角度だけ傾斜させて該露光ユニットを前記描画面
に対して相対的に移動させる移動段階と、 前記露光ユニットの変調素子によって前記描画面上に得
られる単位露光領域のサイズの整数倍の距離Ａに該サイ
ズより小さい距離ａを加えた距離（Ａ＋ａ）だけ前記露
光ユニットが該描画面上に対して相対的に移動する度毎
に該露光ユニットの変調素子を所定のパターンデータに
基づいて選択的に露光作動させる露光段階とより成る多
重露光描画方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の多重露光描画方法にお
いて、前記露光ユニットが前記距離（Ａ＋ａ）だけ移動
する度毎に該露光ユニットが前記変調素子の他方の配列
方向に距離ｂだけ変位するように前記角度が設定されて
いるとき、前記距離ａ及びｂが前記単位露光領域のサイ
ズの数値を割り切れるような数値とされていることを特
徴とする多重露光描画方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の多重露光描画方法にお
いて、前記露光ユニットが前記距離（Ａ＋ａ）だけ移動
する度毎に該露光ユニットが前記変調素子の他方の配列
方向に距離ｂだけ変位するように前記角度が設定されて
いるとき、前記距離ａ及びｂが前記単位露光領域のサイ
ズの数値を割り切れないような数値とされていることを
特徴とする多重露光描画方法。 - 【請求項４】 請求項１から３までのいずれか１項に記
載の多重露光描画方法において、前記露光ユニットが前
記距離（Ａ＋ａ）だけ移動する度毎に一旦停止され、そ
こで前記露光段階が実施された後に前記露光ユニットが
再び移動させられることを特徴とする多重露光描画方
法。 - 【請求項５】 請求項１から３までのいずれか１項に記
載の多重露光描画方法において、前記露光ユニットが連
続的に一定速度で移動させられ、該露光ユニットの移動
距離が前記距離（Ａ＋ａ）の倍数の距離に到達する度毎
に前記露光段階が実施され、その実施時間については該
露光ユニットが前記単位露光領域のサイズより小さい距
離を移動する間の時間とされることを特徴とする多重露
光描画方法。 - 【請求項６】 マトリックス状に配置された多数の変調
素子を持つ露光ユニットを用いて所定のパターンを描画
面上に多重露光により描画する多重露光描画装置であっ
て、 前記露光ユニットのマトリックス状に配置された変調素
子の一方の配列方向に沿ってしかも該配列方向に対して
所定の角度だけ傾斜させて該露光ユニットを前記描画面
に対して相対的に移動させる移動手段と、 前記露光ユニットの変調素子によって前記描画面上に得
られる単位露光領域のサイズの整数倍の距離Ａに該サイ
ズより小さい距離ａを加えた距離（Ａ＋ａ）だけ前記露
光ユニットが該描画面上に対して相対的に移動する度毎
に該露光ユニットの変調素子を所定のパターンデータに
基づいて選択的に露光作動させる露光手段とを具備して
成る多重露光描画装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の多重露光描画装置にお
いて、更に、前記露光ユニットが前記距離（Ａ＋ａ）だ
け移動する度毎に該露光ユニットを停止させて、前記露
光手段による露光作動が終了した後に前記露光ユニット
を再び移動させる間欠駆動手段が設けられることを特徴
とする多重露光描画装置。 - 【請求項８】 請求項６に記載の多重露光描画装置にお
いて、更に、前記露光ユニットを連続的に一定速度で移
動させつつ該露光ユニットの移動距離が前記距離（Ａ＋
ａ）の倍数の距離に到達する度毎に前記露光手段による
露光作動を実施させる際にその実施時間について該露光
ユニットが前記単位露光領域のサイズより小さい距離を
移動する間の時間として設定する時間設定手段が設けら
れることを特徴とする多重露光描画装置。 - 【請求項９】 請求項６から８までのいずれか１項に記
載の多重露光描画装置において、前記露光ユニットが複
数個設けられ、これら露光ユニットに照明光を供給する
光源と、前記光源からの照明光を分岐して各露光ユニッ
トに分配する光分岐手段とを備えることを特徴とする多
重露光描画装置。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の多重露光描画装置に
おいて、前記光分岐手段が単一の前記光源と複数の前記
露光ユニットとをそれぞれ光学的に接続する光ファイバ
束であることを特徴とする多重露光描画装置。 - 【請求項１１】 請求項９に記載の多重露光描画装置に
おいて、前記光分岐手段が前記露光ユニットに応じて設
けられたハーフミラーであることを特徴とする多重露光
描画装置。 - 【請求項１２】 請求項１０に記載の多重露光描画装置
において、前記ハーフミラーが、前記光源と前記露光ユ
ニットとの間の光路上に設けられることを特徴とする多
重露光描画装置。 - 【請求項１３】 請求項１０に記載の多重露光描画装置
において、前記露光ユニットが前記光源からの照明光を
コリメート光に偏光して前記変調素子に供給する照明光
学系を備え、前記ハーフミラーが、前記照明光学系と前
記変調素子との間の光路上に設けられることを特徴とす
る多重露光描画装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278031A JP4728536B2 (ja) | 2001-07-05 | 2001-09-13 | 多重露光描画方法及び多重露光描画装置 |
| US10/188,097 US7136087B2 (en) | 2001-07-05 | 2002-07-03 | Multi-exposure drawing method and apparatus therefor |
| DE10230378A DE10230378A1 (de) | 2001-07-05 | 2002-07-05 | Mehrfachbelichtungs-Zeichenverfahren und Einrichtung hierfür |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001204550 | 2001-07-05 | ||
| JP2001-204550 | 2001-07-05 | ||
| JP2001204550 | 2001-07-05 | ||
| JP2001278031A JP4728536B2 (ja) | 2001-07-05 | 2001-09-13 | 多重露光描画方法及び多重露光描画装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003084444A true JP2003084444A (ja) | 2003-03-19 |
| JP2003084444A5 JP2003084444A5 (ja) | 2008-06-19 |
| JP4728536B2 JP4728536B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=26618193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001278031A Expired - Lifetime JP4728536B2 (ja) | 2001-07-05 | 2001-09-13 | 多重露光描画方法及び多重露光描画装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7136087B2 (ja) |
| JP (1) | JP4728536B2 (ja) |
| DE (1) | DE10230378A1 (ja) |
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- 2001-09-13 JP JP2001278031A patent/JP4728536B2/ja not_active Expired - Lifetime
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2002
- 2002-07-03 US US10/188,097 patent/US7136087B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-05 DE DE10230378A patent/DE10230378A1/de not_active Withdrawn
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| WO2007142350A1 (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Nikon Corporation | パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| JPWO2007142350A1 (ja) * | 2006-06-09 | 2009-10-29 | 株式会社ニコン | パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US8405816B2 (en) | 2006-06-09 | 2013-03-26 | Nikon Corporation | Pattern formation method, pattern formation apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US8121398B2 (en) | 2008-04-09 | 2012-02-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for inspecting defects |
| KR20110089449A (ko) * | 2008-11-26 | 2011-08-08 | 마이크로닉 마이데이타 에이비 | 복잡한 2차원 인터레이스 방식을 사용한 이미지 판독 및 기록 |
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| US8885145B2 (en) | 2008-11-26 | 2014-11-11 | Micronic Mydata AB | Image reading and writing using a complex two-dimensional interlace scheme |
| KR101657210B1 (ko) | 2008-11-26 | 2016-09-19 | 마이크로닉 마이데이타 에이비 | 복잡한 2차원 인터레이스 방식을 사용한 이미지 판독 및 기록 |
| JP2014168040A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-09-11 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン形成方法及び装置、露光装置並びに表示用パネル製造方法 |
| TWI833033B (zh) * | 2020-03-26 | 2024-02-21 | 日商鷗爾熙製作所股份有限公司 | 曝光裝置及曝光方法 |
| JP7437212B2 (ja) | 2020-03-26 | 2024-02-22 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置および露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4728536B2 (ja) | 2011-07-20 |
| US20030011860A1 (en) | 2003-01-16 |
| US7136087B2 (en) | 2006-11-14 |
| DE10230378A1 (de) | 2003-01-16 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A711 | Notification of change in applicant |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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