JP2003077984A - Positioning method of element, taking out method of the element, transferring method thereof, arranging method thereof and manufacturing method of image display device - Google Patents

Positioning method of element, taking out method of the element, transferring method thereof, arranging method thereof and manufacturing method of image display device

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positioning method of an element, a taking out method of the element and a transferring method thereof capable of efficiently and accurately transferring the element and to provide an arranging method of the element and a manufacturing method of an image display device applying them. SOLUTION: The manufacturing method is provided with a process using a taking out head 4 having a light source 8 in an inside and having a hole penetrating the inside, irradiating the element 3 with irradiation light 106 through the hole 7 by the light source 8, a process for imaging an optical pattern with an imaging means 5, a process for processing an imaging result in the imaging means 5 with an image processing means, and a process for positioning the element 3 on a processing result in the image processing means.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子な
どの素子を転写する際に適用可能な素子の位置決め方
法、素子の取り出し方法、素子の転写方法に関するもの
であり、さらには、この転写方法を応用して微細加工さ
れた素子をより広い領域に転写する素子の配列方法およ
び画像表示装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an element positioning method, an element extraction method, and an element transfer method applicable when transferring an element such as a semiconductor light emitting element, and further, this transfer method. The present invention relates to a method of arranging elements for transferring a finely processed element to a wider area and a method of manufacturing an image display device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】現在、電子機器等においては、微細な素
子、電子部品、電子デバイス、さらにはそれらをプラス
チックのような絶縁体に埋め込んだ電子部品等を多数配
列することにより構成されたものが広く用いられてい
る。例えば、発光素子をマトリクス状に配列して画像表
示装置に組み上げる場合には、従来、液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ：Liquid Crystal Display）やプラズマディスプレ
イパネル（ＰＤＰ：PlasmaDisplay Panel）のように基
板上に直接素子を形成するか、あるいは発光ダイオード
ディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）のように単体のＬ
ＥＤパッケージを配列することが行われている。2. Description of the Related Art At present, electronic devices and the like are constructed by arranging a large number of fine elements, electronic parts, electronic devices, and electronic parts in which they are embedded in an insulator such as plastic. Widely used. For example, when the light emitting elements are arranged in a matrix and assembled into an image display device, a liquid crystal display device (L
An element is formed directly on the substrate such as a CD (Liquid Crystal Display) or a plasma display panel (PDP: Plasma Display Panel), or a single L such as a light emitting diode display (LED display) is formed.
Arranging ED packages is under way.

【０００３】ここで、ＬＣＤ、ＰＤＰの如き画像表示装
置においては、素子分離ができないために、製造プロセ
スの当初から各素子はその画像表示装置の画素ピッチだ
け間隔を空けて形成することが通常行われている。Here, in an image display device such as an LCD or PDP, since the elements cannot be separated from each other, it is usual to form each element with a pitch of the pixel pitch of the image display device from the beginning of the manufacturing process. It is being appreciated.

【０００４】一方、ＬＥＤディスプレイの場合には、Ｌ
ＥＤチップをダイシング後に取り出し、個別にワイヤー
ボンドもしくはフリップチップによるバンプ接続により
外部電極に接続し、パッケージ化されることが行われて
いる。この場合、パッケージ化の前もしくは後に画像表
示装置としての画素ピッチに配列されるが、この画素ピ
ッチは素子形成時の素子のピッチとは無関係とされる。On the other hand, in the case of an LED display, L
The ED chip is taken out after dicing, individually connected to external electrodes by wire bonding or bump connection by flip chip, and packaged. In this case, the pixels are arranged at a pixel pitch as an image display device before or after packaging, and this pixel pitch is independent of the element pitch at the time of element formation.

【０００５】発光素子であるＬＥＤ（発光ダイオード）
は高価である為、１枚のウエハから数多くのＬＥＤチッ
プを製造することによりＬＥＤを用いた画像表示装置を
低コストにできる。すなわち、ＬＥＤチップの大きさを
従来約３００μｍ角のものを数十μｍ角のＬＥＤチップ
にして、それを接続して画像表示装置を製造すれば画像
表示装置の価格を下げることができる。LED (light emitting diode) which is a light emitting element
Is expensive, it is possible to reduce the cost of the image display device using LEDs by manufacturing many LED chips from one wafer. That is, the price of the image display device can be reduced by changing the conventional LED chip size of about 300 μm square to an LED chip of several tens μm square and connecting the LED chips to manufacture the image display device.

【０００６】そこで各素子を集積度高く形成し、各素子
を広い領域に転写などによって離間させながら移動さ
せ、画像表示装置などの比較的大きな表示装置を構成す
る技術が有り、例えば、図２７(a)に示すようにベース
基板２０１上の接着層２０２に素子２０３を配置し、図
２７(b)に示すように吸着ヘッド２０４を用いて素子２
０３を取り出し、他の基板２０５の接着層２０６上に置
くことにより転写を行う技術がある。Therefore, there is a technique for forming a relatively large display device such as an image display device by forming each device with a high degree of integration and moving each device while separating them over a wide area by transfer or the like. As shown in a), the element 203 is arranged on the adhesive layer 202 on the base substrate 201, and the suction head 204 is used as shown in FIG.
There is a technique in which 03 is taken out and placed on the adhesive layer 206 of another substrate 205 to perform transfer.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、転写技術に
より画像表示装置を製造する場合、素子が確実に転写さ
れる必要がある。また、効率的な転写、精度の良い転写
も要求される。By the way, in the case of manufacturing an image display device by a transfer technique, it is necessary to surely transfer the element. Further, efficient transfer and accurate transfer are also required.

【０００８】しかしながら、近年、素子が非常に微細化
しているため、上述のような方法を用いた場合、吸着ヘ
ッド装置の機械的な位置決め精度のみに依存すると、転
写した素子の位置ずれが生じたり、また、素子が吸着ヘ
ッドに吸着されなかったり、転写途中で吸着ヘッドから
素子落ちたりするという問題がある。However, in recent years, the elements have become extremely fine, so that when the above-mentioned method is used, depending on only the mechanical positioning accuracy of the suction head device, the position of the transferred element may be displaced. Further, there is a problem that the element is not adsorbed by the adsorption head, or the element falls off from the adsorption head during the transfer.

【０００９】そこで、最近では、図２８に示すように吸
着ヘッド２０４で素子２０３を吸着する際にカメラ２０
７と光源２０８とを用いて位置決めを行っている。そし
て、カメラを用いて吸着ヘッドに素子を吸着する際の位
置決めを行う場合、ベース基板２０１越しにカメラ２０
７を配して素子２０３と吸着ヘッド２０４とを撮像して
各々の位置を確認する方法と、吸着ヘッド２０４に近い
位置にカメラ２０７を配して素子２０３と吸着ヘッド２
０４とを撮像して各々の位置を確認する方法がある。し
かしながら、いずれの方法においても、撮像するには光
源が必要となり、撮像対象が小さいため光源の良好な配
置位置がない場合や、また、吸着ヘッド周りにはスペー
スが少ないため光源を配置することができず、カメラを
用いた素子の位置決めが行えない場合もある。Therefore, recently, as shown in FIG. 28, the camera 20 is used when the element 203 is sucked by the suction head 204.
7 and the light source 208 are used for positioning. Then, when positioning is performed when the element is adsorbed to the adsorption head using the camera, the camera 20 is placed over the base substrate 201.
7 is arranged to image the element 203 and the suction head 204 to confirm their respective positions, and a camera 207 is arranged at a position close to the suction head 204 to arrange the element 203 and the suction head 2.
04 and 04, there is a method of confirming each position. However, in any of these methods, a light source is required for imaging, and there is no good light source arrangement position because the imaged object is small, and it is also possible to arrange the light source because there is little space around the suction head. In some cases, the element cannot be positioned by using the camera.

【００１０】また、カメラの大きさには限界があり、素
子と吸着ヘッドとを同時に認識するためには所定の光量
が必要となるが、上述した方法では反射光を用いている
ため、カメラに入射する光量が少なくなり、素子と吸着
ヘッドとを同時に認識することが困難、または不可能と
なるため、精度良く素子を転写することが困難であると
いう問題がある。Further, there is a limit to the size of the camera, and a predetermined amount of light is required for recognizing the element and the suction head at the same time. There is a problem that it is difficult to accurately transfer the element because the amount of incident light becomes small and it becomes difficult or impossible to simultaneously recognize the element and the suction head.

【００１１】そして、これらの問題は、素子の取り出
し、転写を行う場合に限らず、チップ部品の取り出し、
転写を行う場合にも同様に生じている。These problems are not limited to the case where the device is taken out and transferred, and the chip parts are taken out
The same occurs when transferring is performed.

【００１２】さらに、複数の素子又はチップ部品を一度
にピックアップしようとした場合には、上述した問題は
顕著となる。Further, when an attempt is made to pick up a plurality of elements or chip parts at once, the above-mentioned problems become remarkable.

【００１３】したがって、上述したような吸着ヘッドを
用いて素子の転写を行う際に、簡便且つ精度良く転写を
行うことが可能な素子の位置決め方法、素子の取り出し
方法、素子の転写方法、及びこれらを応用して微細加工
された素子をより広い領域に転写する素子の配列方法お
よび画像表示装置の製造方法などは未だ確立されていな
いのが現状である。Therefore, when the element is transferred by using the suction head as described above, the element positioning method, the element take-out method, the element transfer method, and the like, which can perform the transfer easily and accurately, At present, a method of arranging elements for transferring a finely processed element to a wider area by applying the above, a method of manufacturing an image display device, and the like have not yet been established.

【００１４】そこで、本発明は、かかる従来の実情に鑑
みて創案されたされたものであり、効率的且つ精度良く
素子を転写することが可能な素子の位置決め方法、素子
の取り出し方法、及び素子の転写方法を提供することを
目的とし、さらには、これらを応用した素子の配列方
法、画像表示装置の製造方法を提供することを目的とす
る。Therefore, the present invention was devised in view of the above-mentioned conventional circumstances, and it is an element positioning method, an element extraction method, and an element capable of efficiently and accurately transferring an element. It is an object of the present invention to provide a transfer method of the above, and further to provide an element arraying method and an image display device manufacturing method to which these are applied.

【００１５】[0015]

【課題を解決するための手段】以上の目的を達成する本
発明に係る素子の位置決め方法は、取り出しヘッドを用
いて素子を取り出す際の素子の位置決め方法であって、
内部に光源を有するとともに当該内部に貫通する孔を有
する取り出しヘッドを用い、光源により孔を通して素子
に照射光を照射して光学パターンを形成する工程と、光
学パターンを撮像手段により撮像する工程と、撮像手段
における撮像結果を画像処理手段により処理する工程
と、画像処理手段における処理結果に基づいて素子の位
置決めを行う工程とを備えることを特徴とするものであ
る。A device positioning method according to the present invention for achieving the above object is a device positioning method when a device is used to take out a device,
A step of forming an optical pattern by irradiating the element with irradiation light through the hole by the light source, using a take-out head having a light source inside and a hole penetrating therethrough; and a step of imaging the optical pattern by an imaging means, The method is characterized by including a step of processing the image pickup result by the image pickup means by the image processing means, and a step of positioning the element based on the processing result by the image processing means.

【００１６】以上のような本発明に係る素子の位置決め
方法では、取り出しヘッド内に光源を配し、この光源で
孔を通して素子を照射し、その際に形成された光学パタ
ーンと取り出しヘッドの像とを撮像手段で撮像し、画像
処理手段により画像処理して比較することにより素子が
適正な位置にあるか否かを判断する。In the element positioning method according to the present invention as described above, a light source is arranged in the take-out head, and the element is irradiated through the hole with this light source, and the optical pattern formed at that time and the image of the take-out head are obtained. Is picked up by the image pickup means, and image processing is carried out by the image processing means for comparison to determine whether or not the element is in the proper position.

【００１７】すなわち、この素子の位置決め方法では、
素子に対して素子の正面から光を照射することにより、
照射光を素子に対して均一に照射し、均一な光学パター
ンを形成する。これにより、部分的に不明瞭な光学パタ
ーンが形成されるようなことがなく、明瞭な状態で素子
が画像認識される。That is, in this element positioning method,
By irradiating the element with light from the front of the element,
Irradiation light is uniformly applied to the element to form a uniform optical pattern. As a result, the element is image-recognized in a clear state without forming a partially unclear optical pattern.

【００１８】また、この素子の位置決め方法では、至近
距離から照射光を当てるため、十分な光量の照射光を素
子に照射するため、明瞭な状態で素子が画像認識され
る。Further, in this element positioning method, since the irradiation light is applied from a very short distance, a sufficient amount of irradiation light is applied to the element, so that the image of the element is recognized in a clear state.

【００１９】そして、この素子の取り出し方法では、直
接光ではないが、比較的直接光に近い透過光及び散乱光
を利用するため、光量の損失が非常に少なく、十分な光
量の照射光を素子に照射することができ、明瞭な状態で
素子が画像認識される。In this device extraction method, though not direct light, but transmitted light and scattered light which are relatively close to direct light are used, the loss of light quantity is very small, and a sufficient quantity of irradiation light is applied to the element. The element can be image-recognized in a clear state.

【００２０】また、以上の目的を達成する本発明に係る
素子の取り出し方法は、取り出しヘッドを用いて素子を
取り出す素子の取り出し方法であって、内部に光源を有
するとともに当該内部に貫通する吸引孔を有する取り出
しヘッドを用い、光源により吸引孔を通して素子に照射
光を照射して光学パターンを形成する工程と、光学パタ
ーンを撮像手段により撮像する工程と、撮像手段におけ
る撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、画像
処理手段における処理結果に基づいて素子の位置決めを
行う工程と、素子の位置決めを行った後に素子を吸着保
持する工程とを備えることを特徴とするものである。A method of extracting an element according to the present invention which achieves the above object is a method of extracting an element by using an extraction head, which has a light source inside and a suction hole penetrating therethrough. Using a take-out head having a light source, irradiating the element with irradiation light through a suction hole to form an optical pattern, a step of capturing an image of the optical pattern by an image capturing means, and an image processing means processing an image capturing result of the image capturing means. And a step of positioning the element based on the processing result in the image processing means, and a step of sucking and holding the element after positioning the element.

【００２１】以上のような本発明に係る素子の取り出し
方法では、上述した素子の位置決め方法により素子を位
置決めした後に素子を吸着するため、素子は正しい位置
に吸着保持される。In the above-described element take-out method according to the present invention, the element is adsorbed and held at the correct position because the element is adsorbed after the element is positioned by the above-mentioned element positioning method.

【００２２】また、以上の目的を達成する本発明に係る
素子の転写方法は、第一の基板上に配列された素子を第
二の基板上に転写する素子の転写方法であって、素子を
取り出しヘッドに移す取り出し工程と、取り出しヘッド
に取り出された素子を第二の基板上に実装する実装工程
とを有し、取り出し工程は、内部に光源を有するととも
に当該内部に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを
用い、光源により吸引孔を通して素子に照射光を照射し
て光学パターンを形成する工程と、光学パターンを撮像
手段により撮像する工程と、撮像手段における撮像結果
を画像処理手段により処理する工程と、画像処理手段に
おける処理結果に基づいて素子の位置決めを行う工程
と、素子の位置決めを行った後に素子を吸着保持する工
程とを備えることを特徴とするものである。Further, a transfer method of an element according to the present invention which achieves the above object is a transfer method of an element in which elements arranged on a first substrate are transferred onto a second substrate. It has a take-out step of transferring it to a take-out head and a mounting step of mounting the element taken out by the take-out head on a second substrate. The take-out step has a light source inside and a suction hole penetrating therethrough. A step of irradiating the element with irradiation light through a suction hole using a take-out head to form an optical pattern, a step of capturing an image of the optical pattern by an image capturing means, and a step of processing an image capturing result in the image capturing means by an image processing means. And a step of positioning the element based on the processing result in the image processing means, and a step of adsorbing and holding the element after positioning the element. It is an butterfly.

【００２３】以上のような本発明に係る素子の転写方法
は、上述した素子の位置決め方法及び素子の取り出し方
法を用いて素子の転写を行うため、素子の位置ずれが防
止され、素子の転写が正確に行われる。In the element transfer method according to the present invention as described above, since the element transfer is performed by using the above-mentioned element positioning method and element take-out method, the element displacement is prevented and the element transfer is performed. Done exactly.

【００２４】また、以上の目的を達成する本発明に係る
素子の配列方法は、第一の基板上に配列された複数の素
子を第二の基板上に再配列する素子の配列方法におい
て、第一の基板上で素子が配列された状態よりは離間し
た状態となるように素子を転写して第一の一時保持用部
材に該素子を保持させる第一転写工程と、第一の一時保
持用部材に保持された素子を樹脂で固める工程と、樹脂
をダイシングして素子毎に分離する工程と、第一の一時
保持用部材に保持され樹脂で固められた素子をさらに離
間して第二の基板上に転写する第二転写工程とを有し、
第二転写工程は、素子を取り出しヘッドに移す取り出し
工程と、取り出しヘッドに取り出された素子を第二の基
板上に実装する実装工程とを有し、取り出し工程が、内
部に光源を有するとともに当該内部に貫通する吸引孔を
有する取り出しヘッドを用い、光源により吸引孔を通し
て素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程
と、光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、撮
像手段における撮像結果を画像処理手段により処理する
工程と、画像処理手段における処理結果に基づいて素子
の位置決めを行う工程と、素子の位置決めを行った後に
素子を吸着保持する工程とを備えることを特徴とするも
のである。Further, the method for arranging elements according to the present invention to achieve the above object is a method for arranging a plurality of elements arranged on a first substrate and rearranged on a second substrate. A first transfer step in which the elements are transferred so that the elements are spaced apart from the arrayed elements on one substrate and the elements are held by the first temporary holding member; A step of solidifying the element held by the member with a resin, a step of dicing the resin to separate each element, and a step of further separating the element held by the first temporary holding member and solidified by the resin Having a second transfer step of transferring onto the substrate,
The second transfer step includes a take-out step of transferring the element to a take-out head and a mounting step of mounting the element taken out by the take-out head on the second substrate, and the take-out step has a light source inside and A step of irradiating an element with irradiation light through a suction hole to form an optical pattern by using a take-out head having a suction hole penetrating inside, a step of capturing an image of the optical pattern by an image capturing means, and an image capturing result in the image capturing means And a step of positioning the element based on a processing result in the image processing means, and a step of adsorbing and holding the element after positioning the element. is there.

【００２５】以上のような本発明に係る素子の配列方法
においては、上記転写方法を用いることにより素子の転
写が効率的且つ確実に行われるので、素子間の距離を大
きくする拡大転写を円滑に実施することができる。In the device arranging method according to the present invention as described above, the transfer of the devices is performed efficiently and surely by using the above-mentioned transfer method, so that the enlarged transfer for increasing the distance between the devices can be performed smoothly. It can be carried out.

【００２６】また、以上の目的を達成する本発明に係る
画像表示装置の製造方法は、発光素子をマトリクス状に
配置した画像表示装置の製造方法において、第一の基板
上で発光素子が配列された状態よりは離間した状態とな
るように発光素子を転写して第一の一時保持用部材に該
発光素子を保持させる第一転写工程と、第一の一時保持
用部材に保持された発光素子を樹脂で固める工程と、樹
脂をダイシングして発光素子毎に分離する工程と、第一
の一時保持用部材に保持され樹脂で固められた発光素子
をさらに離間して第二の基板上に転写する第二転写工程
とを有し、第二転写工程は、発光素子を取り出しヘッド
に移す取り出し工程と、取り出しヘッドに取り出された
発光素子を第二の基板上に実装する実装工程とを有し、
取り出し工程が、内部に光源を有するとともに当該内部
に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、光源
により吸引孔を通して発光素子に照射光を照射して光学
パターンを形成する工程と、光学パターンを撮像手段に
より撮像する工程と、撮像手段における撮像結果を画像
処理手段により処理する工程と、画像処理手段における
処理結果に基づいて発光素子の位置決めを行う工程と、
発光素子の位置決めを行った後に発光素子を吸着保持す
る工程とを備えることを特徴とするものである。Further, in the method of manufacturing an image display device according to the present invention for achieving the above object, in the method of manufacturing an image display device in which the light emitting elements are arranged in a matrix, the light emitting elements are arranged on the first substrate. First transfer step of transferring the light emitting element so that the light emitting element is held in the first temporary holding member such that the light emitting element is separated from the first holding member, and the light emitting element held in the first temporary holding member Resin with resin, dicing the resin to separate each light emitting element, and further separating the light emitting element held by the first temporary holding member and hardened with the resin onto the second substrate. The second transfer step includes a take-out step of transferring the light-emitting element to a take-out head, and a mounting step of mounting the light-emitting element taken out by the take-out head on the second substrate. ,
The extraction step uses an extraction head having a light source inside and a suction hole penetrating therethrough, and the light source irradiates the light emitting element with irradiation light through the suction hole to form an optical pattern, and an image of the optical pattern is taken. A step of capturing an image by the means, a step of processing an image capturing result by the image capturing means by the image processing means, and a step of positioning the light emitting element based on the processing result by the image processing means,
A step of adsorbing and holding the light emitting element after positioning the light emitting element.

【００２７】以上のような本発明に係る画像表示装置の
製造方法によれば、上記転写方法、配列方法によって発
光素子がマトリクス状に配置され、画像表示部分が構成
される。したがって、密な状態すなわち集積度を高くし
て微細加工を施して作製された発光素子を、効率よく離
間して再配置することができ、生産性が大幅に改善され
る。According to the method for manufacturing the image display device of the present invention as described above, the light emitting elements are arranged in a matrix by the transfer method and the arrangement method to form the image display portion. Therefore, the light-emitting elements manufactured in a dense state, that is, by increasing the degree of integration and performing microfabrication, can be efficiently separated and rearranged, and productivity is significantly improved.

【００２８】[0028]

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した素子の位
置決め方法、素子の取り出し方法、素子の転写方法、素
子の配列方法、及び画像表示装置の製造方法について、
図面を参照しながら詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an element positioning method, an element extraction method, an element transfer method, an element arranging method, and an image display device manufacturing method to which the present invention is applied,
A detailed description will be given with reference to the drawings.

【００２９】先ず、基本となる素子の位置決め方法及び
素子の取り出し方法について説明する。ここでは、図１
に示すような、供給源となるベース基板１上に接着層２
を形成し、この上に配列形成した樹脂形成チップ３を取
り出す場合について説明する。本発明を適用してベース
基板１上に配列形成された樹脂形成チップ３を取り出す
には、まず、図１に示すように、樹脂形成チップ３を挟
んで一方に真空吸着ヘッド４を配し、反対側に撮像装置
であるカメラ、例えばＣＣＤカメラ５を配置する。First, a basic element positioning method and element extraction method will be described. Here, FIG.
The adhesive layer 2 is formed on the base substrate 1 serving as a supply source as shown in FIG.
A case will be described in which the resin-formed chips 3 are formed and the resin-formed chips 3 arranged thereon are taken out. In order to take out the resin-formed chips 3 arranged and formed on the base substrate 1 by applying the present invention, first, as shown in FIG. 1, a vacuum suction head 4 is arranged on one side with the resin-formed chips 3 sandwiched therebetween, A camera that is an image pickup device, for example, a CCD camera 5 is arranged on the opposite side.

【００３０】ここで、ＣＣＤカメラ５は、真空吸着ヘッ
ド４の吸引孔の中心とＣＣＤカメラ５のレンズの中心と
が一直線上に並ぶように配される。また、樹脂形成チッ
プ３が配列形成されたベース基板１は、ＸＹステージ６
上に保持されている。ベース基板１は、ＸＹステージ６
をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させることにより、所望
の位置に移動させることができ、これにより、樹脂形成
チップ３の位置を所望の位置に制御することが可能とさ
れている。Here, the CCD camera 5 is arranged so that the center of the suction hole of the vacuum suction head 4 and the center of the lens of the CCD camera 5 are aligned. In addition, the base substrate 1 on which the resin-formed chips 3 are formed and arranged is the XY stage 6
Is held on. The base substrate 1 is an XY stage 6
Can be moved to a desired position by moving in the X-axis direction and the Y-axis direction, whereby the position of the resin-formed chip 3 can be controlled to a desired position.

【００３１】ベース基板１は、特に限定されるものでは
なく、樹脂形成チップ３との組み合わせ等を考慮して任
意の材料のものを用いることができるが、本発明の趣旨
より光透過性を有する材料を用いる。また、Ｎａイオン
の影響を考慮する場合には、無アルカリガラス、サファ
イヤ、石英等を用いることが好ましい。The base substrate 1 is not particularly limited, and any material can be used in consideration of the combination with the resin-formed chip 3 and the like, but it has light transmissivity from the point of the present invention. Use material. When considering the influence of Na ions, it is preferable to use non-alkali glass, sapphire, quartz or the like.

【００３２】接着層２は、樹脂形成チップ３を配列形成
する際に樹脂形成チップ３を接着固定することができ、
また、後に樹脂形成チップ３をベース基板１から取り出
す際には、再度樹脂形成チップ３を剥離することが可能
とされる層である。ベース基板１上に接着層２を形成
し、当該接着層２上に樹脂形成チップ３を配列形成する
ことにより、樹脂形成チップ３を簡単に取り出すことが
できる。このような接着層２は、例えば、熱可塑性樹脂
や熱剥離材料からなるシート等が好適である。ここで、
熱可塑性樹脂を用いた場合には、接着層２を加熱するこ
とにより、熱可塑性樹脂が可塑化し、これにより接着層
２と樹脂形成チップ３との接着力が低減し、樹脂形成チ
ップ３を容易に剥離することができる。また、熱剥離材
料とは、加熱することによる発泡ないし膨張処理でその
粘着力を低減でき、被着体を簡単に剥離することが可能
なものを意味する。すなわち、これらの熱剥離材料は、
加熱することにより当該材料中に含有された発泡剤や膨
張剤が発泡、若しくは膨張し、粘着面積を減少させて接
着力を失わせるものである。具体的には、例えば、特公
昭５０−１３８７８号公報、特公昭５１−２４５３４号
公昭、特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭５６−６
１４６９号公報、特開昭６０−２５２６８１号公報等に
記載されるような、基材上に発泡を含有した粘着層を設
けた加熱剥離型粘着シートや、特開２０００−２４８２
４０号公報に記載されるような、熱膨張性微小球を含有
して、加熱により膨張する熱膨張性層の少なくとも片面
に非熱膨張性の粘着層を有する加熱剥離型粘着シート
や、特開２０００−１６９８０８号公報に記載されるよ
うな、基材の少なくとも一方の面に 熱膨張性微小球を
含む熱膨張性層と粘着物質を含む粘着層が設けられた熱
剥離型粘着シートであり、基材が耐熱性及び伸縮性を有
する熱剥離型粘着シート等を好適に用いることができ
る。The adhesive layer 2 can adhere and fix the resin-formed chips 3 when forming the resin-formed chips 3 in an array,
Further, when the resin-formed chip 3 is taken out from the base substrate 1 later, the resin-formed chip 3 can be peeled off again. By forming the adhesive layer 2 on the base substrate 1 and arranging the resin-formed chips 3 on the adhesive layer 2, the resin-formed chips 3 can be easily taken out. As such an adhesive layer 2, for example, a sheet made of a thermoplastic resin or a heat release material is suitable. here,
When the thermoplastic resin is used, the thermoplastic resin is plasticized by heating the adhesive layer 2, whereby the adhesive force between the adhesive layer 2 and the resin-formed chip 3 is reduced, and the resin-formed chip 3 is easily formed. Can be peeled off. Further, the thermal release material means a material whose adhesive force can be reduced by foaming or expansion treatment by heating and the adherend can be easily peeled off. That is, these thermal release materials are
When heated, the foaming agent or expanding agent contained in the material foams or expands to reduce the adhesive area and lose the adhesive force. Specifically, for example, JP-B-50-13878, JP-B-51-24534, JP-A-56-61468, and JP-A-56-6.
A heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer containing foam on a substrate, as described in JP 1469, JP-A 60-252681, and JP-A 2000-2482.
No. 40, a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet containing heat-expandable microspheres and having a non-heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer on at least one surface of a heat-expandable layer that expands by heating, A heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet in which a heat-expandable layer containing heat-expandable microspheres and a pressure-sensitive adhesive layer containing a pressure-sensitive adhesive substance are provided on at least one surface of a base material, as described in 2000-169808. A heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet or the like whose substrate has heat resistance and elasticity can be preferably used.

【００３３】さらに、接着層２は、ベース基板１上に剥
離層を形成し、さらに当該剥離層上に粘着層を形成した
構成としても良い。この剥離層は例えばフッ素コート、
シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリ
イミドなどを用いて作製することができる。そして、粘
着層には、例えばＵＶが照射されると粘着力が低下する
ＵＶ粘着材を使用することができる。接着層２をこのよ
うな構成とした場合には、ベース基板１の裏面から例え
ばエキシマレーザを照射する。これにより、例えばベー
ス基板１として石英基板を用い、ポリイミドを用いて接
着層２を形成した場合では、ポリイミドと石英基板の界
面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して
樹脂形成チップ３を剥離することが可能となる。Further, the adhesive layer 2 may have a structure in which a release layer is formed on the base substrate 1 and an adhesive layer is further formed on the release layer. This release layer is, for example, a fluorine coat,
It can be manufactured using a silicone resin, a water-soluble adhesive (for example, PVA), polyimide, or the like. Then, for the adhesive layer, for example, a UV adhesive material whose adhesive strength is reduced when UV is irradiated can be used. When the adhesive layer 2 has such a configuration, the back surface of the base substrate 1 is irradiated with, for example, an excimer laser. Thus, for example, when a quartz substrate is used as the base substrate 1 and the adhesive layer 2 is formed using polyimide, peeling occurs due to ablation of the polyimide at the interface between the polyimide and the quartz substrate, and the resin-formed chip 3 is peeled off. Is possible.

【００３４】なお、接着層２は、上記のものに限定され
るものではなく、上述したように樹脂形成チップ３を配
列形成する際には、樹脂形成チップ３を接着固定するこ
とができ、また、後に樹脂形成チップ３をベース基板１
から取り出す際には、再度樹脂形成チップ３を剥離する
ことが可能であれば良い。The adhesive layer 2 is not limited to the above-mentioned ones, and when the resin-formed chips 3 are formed in an array as described above, the resin-formed chips 3 can be adhered and fixed, and , The resin-formed chip 3 later on the base substrate 1
When the resin-formed chip 3 is taken out from the mold, it is sufficient that the resin-formed chip 3 can be peeled off again.

【００３５】樹脂形成チップ３は、例えば発光素子等の
素子をプラスチック等の光透過性の絶縁体樹脂に埋め込
んでチップ化したものである。この樹脂形成チップ３に
ついて図２及び図３を参照して説明する。樹脂形成チッ
プ３は、離間して配置されている素子１０１の周りを樹
脂で固めたものであり、このような樹脂形成チップ３
は、後述するように、素子の転写を行う際に一時保持用
部材から第二基板に素子を転写する場合に使用できるも
のである。The resin-formed chip 3 is a chip formed by embedding an element such as a light emitting element in a light-transmitting insulating resin such as plastic. The resin-formed chip 3 will be described with reference to FIGS. 2 and 3. The resin-formed chip 3 is a resin-formed chip around the elements 101 that are arranged apart from each other.
As will be described later, can be used when transferring the element from the temporary holding member to the second substrate when transferring the element.

【００３６】樹脂形成チップ３は略平板上でその主たる
面が略正方形状とされる。この樹脂形成チップ３の形状
は樹脂１０２を固めて形成された形状であり、具体的に
は未硬化の樹脂１０２を各素子１０１を含むように全面
に塗布し、これを硬化した後で縁の部分をダイシング等
で切断することで得られる形状である。The resin-formed chip 3 has a substantially flat plate shape and its main surface has a substantially square shape. The shape of the resin-formed chip 3 is a shape formed by solidifying the resin 102. Specifically, the uncured resin 102 is applied to the entire surface so as to include the respective elements 101, and the edge of the resin-formed chip 3 is cured. It is a shape obtained by cutting the portion by dicing or the like.

【００３７】ここで、素子１０１は、特に限定されるも
のではなく、任意の素子を用いることができ、例示する
ならば、発光素子、液晶制御素子、光電変換素子、圧電
素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵
抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素
子などを挙げることができる。Here, the element 101 is not particularly limited, and any element can be used. For example, a light emitting element, a liquid crystal control element, a photoelectric conversion element, a piezoelectric element, a thin film transistor element, a thin film. Examples thereof include a diode element, a resistance element, a switching element, a micro magnetic element, and a micro optical element.

【００３８】また、略平板状の樹脂の表面側と裏面側に
はそれぞれ電極パッド１０３と電極１０４とが形成され
る。これら電極パッド１０３，１０４の形成は全面に電
極パッド１０３，１０４の材料となる金属層や多結晶シ
リコン層などの導電層を形成し、フォトリソグラフィー
技術により所要の電極形状に光学パターンニングするこ
とで形成される。これら電極パッド１０３，１０４は発
光素子である素子１０１のｐ電極とｎ電極にそれぞれ接
続するように形成されており、必要な場合には樹脂１０
２にビアホールなどが形成される。Further, an electrode pad 103 and an electrode 104 are formed on the front surface side and the back surface side of the substantially flat plate-shaped resin, respectively. The electrode pads 103 and 104 are formed by forming a conductive layer such as a metal layer or a polycrystalline silicon layer, which is a material of the electrode pads 103 and 104, on the entire surface and optically patterning into a desired electrode shape by a photolithography technique. It is formed. These electrode pads 103 and 104 are formed so as to be connected to the p electrode and the n electrode of the element 101, which is a light emitting element, respectively.
A via hole or the like is formed in 2.

【００３９】ここで電極パッド１０３，１０４は樹脂形
成チップ３の表面側と裏面側にそれぞれ形成されている
が、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能
であり、例えば薄膜トランジスタの場合ではソース、ゲ
ート、ドレインの３つの電極があるため、電極パッドを
３つ或いはそれ以上形成しても良い。電極パッド１０
３，１０４の位置が平板上ずれているのは、最終的な配
線形成時に上側からコンタクトをとっても重ならないよ
うにするためである。電極パッド１０３，１０４の形状
も正方形に限定されず他の形状としても良い。Here, the electrode pads 103 and 104 are formed on the front surface side and the back surface side of the resin-formed chip 3, respectively, but it is also possible to form both electrode pads on one surface, for example, in the case of a thin film transistor. Since there are three electrodes of a source, a gate, and a drain, three or more electrode pads may be formed. Electrode pad 10
The positions of 3, 104 are deviated on the flat plate so that the contacts do not overlap even if the contacts are taken from above when the final wiring is formed. The shape of the electrode pads 103 and 104 is not limited to the square shape, and may be another shape.

【００４０】このような樹脂形成チップ３を構成するこ
とで、素子１０１の周りが樹脂１０２で被覆され平坦化
によって精度良く電極パッド１０３，１０４を形成でき
るとともに素子１０１に比べて広い領域に電極パッド１
０３，１０４を延在でき、次の第二転写工程での転写を
吸着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。後述
するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行
われるため、比較的大き目のサイズの電極パッド１０
３，１０４を利用した配線を行うことで、配線不良が未
然に防止される。By constructing the resin-formed chip 3 as described above, the periphery of the element 101 is covered with the resin 102, and the electrode pads 103 and 104 can be accurately formed by flattening, and the electrode pad is formed in a wider area than the element 101. 1
03 and 104 can be extended, and handling is facilitated when the transfer in the next second transfer step is advanced by the suction jig. As will be described later, since the final wiring is performed after the subsequent second transfer process, the electrode pad 10 having a relatively large size is used.
By using the wirings 3, 104, wiring defects can be prevented.

【００４１】以上のような樹脂形成チップ３としては、
例えばＬＩＰ１０５（LED in Plastic）を用いることが
できる。以下においては、樹脂形成チップ３として、光
透過性を有する樹脂で素子を固め、その表面側と裏面側
に電極パッドを形成したＬＩＰ１０５を用いた場合につ
いて説明する。As the resin-formed chip 3 as described above,
For example, LIP105 (LED in Plastic) can be used. In the following, a case will be described in which the resin-formed chip 3 uses the LIP 105 in which an element is hardened with a resin having a light-transmitting property and electrode pads are formed on the front surface side and the back surface side thereof.

【００４２】ここで、ＬＩＰ１０５における絶縁体の部
分は光透過性を有するため、外部から光が照射された場
合には、光を透過させる。一方、樹脂形成チップ３にお
いて、素子及び電極パッドは、光透過性を有さないた
め、素子及び電極パッドの部分に照射された光は、反射
されることとなる。すなわち、このＬＩＰ１０５におい
ては、樹脂の部分に照射された光は、透過するが、素子
及び電極パッドの部分に照射された光は、透過すること
がない。Here, since the insulator portion of the LIP 105 has a light-transmitting property, it transmits light when it is irradiated with light from the outside. On the other hand, in the resin-formed chip 3, the element and the electrode pad do not have a light-transmitting property, so that the light applied to the element and the electrode pad is reflected. That is, in this LIP 105, the light applied to the resin portion is transmitted, but the light applied to the element and the electrode pad portion is not transmitted.

【００４３】真空吸着ヘッド４は、その底面において樹
脂形成チップ３、すなわちＬＩＰ１０５を吸着保持する
ものであり、底部の略中心部に吸引孔７を備える。ま
た、内部には、吸引孔７の近傍に光源８が配されてお
り、吸引孔７を通して光源８から発せられた照射光１０
６が外部に照射されるようになっている。ここで、吸引
孔７の形状は特に限定されるものではなく、例えば円状
とすることができる。また、光源８は、十分な光量でＬ
ＩＰ１０５を照射することができるものであれば特に限
定されるものではなく、種々のものを用いることができ
る。また、光源８は、十分な光量でＬＩＰ１０５を照射
することができるものであれば良く、消費電力も例えば
数Ｗ程度のもので十分である。このような光源８として
は、例えば発光素子やハロゲンランプ等が好適である。The vacuum suction head 4 sucks and holds the resin-formed chip 3, that is, the LIP 105 on the bottom surface thereof, and has a suction hole 7 in the substantially central portion of the bottom portion. A light source 8 is arranged inside the suction hole 7, and the irradiation light 10 emitted from the light source 8 passes through the suction hole 7.
6 is irradiated to the outside. Here, the shape of the suction hole 7 is not particularly limited, and may be circular, for example. In addition, the light source 8 has a sufficient light amount L
There is no particular limitation as long as it can irradiate the IP 105, and various types can be used. Further, the light source 8 may be any one that can irradiate the LIP 105 with a sufficient amount of light, and power consumption of about several W is sufficient. As such a light source 8, for example, a light emitting element or a halogen lamp is suitable.

【００４４】次に、取り出しヘッドである真空吸着ヘッ
ド４をＬＩＰ１０５から所定の間隔だけ離間した位置に
移動させて固定する。このとき、真空吸着ヘッド４にお
いては、吸引は開始せず、したがって、この状態では、
ＬＩＰ１０５が真空吸着ヘッド４に吸着されることはな
い。Next, the vacuum suction head 4, which is the take-out head, is moved and fixed at a position separated from the LIP 105 by a predetermined distance. At this time, the vacuum suction head 4 does not start suction, and therefore, in this state,
The LIP 105 is never sucked by the vacuum suction head 4.

【００４５】次に、真空吸着ヘッド４を固定した状態で
当該真空吸着ヘッド４内の光源８を点灯させる。これに
より、光源８から発せられた照射光１０６は、吸引孔７
を通して外部に照射され、吸引孔７に対向して配されて
いるＬＩＰ１０５を照射する。Next, the light source 8 in the vacuum suction head 4 is turned on with the vacuum suction head 4 fixed. Thereby, the irradiation light 106 emitted from the light source 8 is absorbed by the suction hole 7
Is irradiated to the outside through the LIP 105 arranged facing the suction hole 7.

【００４６】ここで、このＬＩＰ１０５においては、樹
脂１０２が光透過性を有するため、ＬＩＰ１０５に照射
された照射光１０６は基本的にＬＩＰ１０５を透過し、
さらにベース基板１を透過することとなる。そして、Ｌ
ＩＰ１０５及びベース基板１を透過した透過光１０７
は、ＣＣＤカメラ５に到達し、データとして取り込まれ
る。しかしながら、ＬＩＰ１０５に照射された照射光１
０６のうち、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４
の部分に照射された光は、電極パッド１０３，１０４が
光透過性を有さないため、素子１０１及び電極パッド１
０３，１０４より反射される。すなわち、光源８から吸
引孔７を通してＬＩＰ１０５に照射された照射光１０６
のうち、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４の部
分に照射された光はＣＣＤカメラ５に到達することがな
い。したがって、ＬＩＰ１０５において、電極パッド１
０３，１０４が存在しない位置に照射された照射光１０
６は、透過光１０７としてＣＣＤカメラ５に到達する
が、素子及び電極パッド１０３，１０４が存在する位置
に照射された照射光１０６は、透過光１０７としてＣＣ
Ｄカメラ５に到達することがない。これにより、ＣＣＤ
カメラ５には、透過光１０７が認識される部分と認識さ
れない部分が存在することとなり、この透過光１０７の
有無により光学パターン、すなわち素子１０１及び電極
パッド１０３，１０４により形成された陰影が撮像され
る。そして、この光学パターンが認識される位置が、現
在の素子１０１及び電極パッド１０３，１０４の位置で
ある。In this LIP 105, since the resin 102 has a light-transmitting property, the irradiation light 106 applied to the LIP 105 basically passes through the LIP 105,
Further, it will pass through the base substrate 1. And L
Transmitted light 107 transmitted through the IP 105 and the base substrate 1
Reaches the CCD camera 5 and is captured as data. However, the irradiation light 1 irradiated on the LIP 105
06, the element 101 and the electrode pads 103 and 104
Since the electrode pads 103 and 104 do not have a light-transmitting property, the light applied to the portion of
It is reflected from 03, 104. That is, the irradiation light 106 emitted from the light source 8 to the LIP 105 through the suction hole 7
Of these, the light applied to the element 101 and the electrode pads 103 and 104 does not reach the CCD camera 5. Therefore, in the LIP 105, the electrode pad 1
Irradiation light 10 applied to a position where 03 and 104 do not exist
6 reaches the CCD camera 5 as the transmitted light 107, but the irradiation light 106 emitted to the position where the element and the electrode pads 103 and 104 are present is CC as the transmitted light 107.
It never reaches the D camera 5. This allows the CCD
The camera 5 has a portion where the transmitted light 107 is recognized and a portion where the transmitted light 107 is not recognized, and an optical pattern, that is, a shadow formed by the element 101 and the electrode pads 103 and 104 is imaged depending on the presence or absence of the transmitted light 107. It The position where the optical pattern is recognized is the current position of the element 101 and the electrode pads 103 and 104.

【００４７】また、ＣＣＤカメラ５では、この光学パタ
ーンの他に、真空吸着ヘッド４が通常の像として撮像さ
れている。これにより、本発明においては、上述した光
学パターンの位置と真空吸着ヘッド４の像とを同時に撮
像することができる。そして、この光学パターンと真空
吸着ヘッド４の像とを図示しない画像処理装置により画
像処理し、お互いの位置関係を比較することにより、素
子１０１及び電極パッド１０３，１０４と真空吸着ヘッ
ド４との位置関係、すなわちＬＩＰ１０５と真空吸着ヘ
ッド４とが所定の位置関係にあるか否かを判断すること
が可能となる。In addition to this optical pattern, the CCD camera 5 takes the vacuum suction head 4 as a normal image. Thereby, in the present invention, the position of the above-mentioned optical pattern and the image of the vacuum suction head 4 can be simultaneously captured. Then, the optical pattern and the image of the vacuum suction head 4 are subjected to image processing by an image processing device (not shown), and their positional relationships are compared with each other, whereby the positions of the element 101 and the electrode pads 103, 104 and the vacuum suction head 4 are compared. It is possible to determine the relationship, that is, whether the LIP 105 and the vacuum suction head 4 are in a predetermined positional relationship.

【００４８】そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パ
ターンと真空吸着ヘッド４の像とから、素子１０１及び
電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド４とが所
定の位置関係にあると判断された場合には、すなわち、
ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係に
あると判断された場合には、次工程として真空吸着ヘッ
ド４において吸引を開始する。When it is determined from the optical pattern taken by the CCD camera 5 and the image of the vacuum suction head 4 that the element 101, the electrode pads 103 and 104, and the vacuum suction head 4 have a predetermined positional relationship. Is, that is,
When it is determined that the LIP 105 and the vacuum suction head 4 have a predetermined positional relationship, suction is started in the vacuum suction head 4 as the next step.

【００４９】そして、吸引を開始するとともに、ＬＩＰ
１０５とベース基板１との接着力を低減させる。ここ
で、ＬＩＰ１０５とベース基板１との接着力を低減させ
るには、例えば、ＬＩＰ１０５をベース基板１に配列す
る接着層２として熱可塑性樹脂を用いた場合には、この
状態でベース基板１の裏面、すなわち、ＬＩＰ１０５を
配列した側と反対側からレーザ光をＬＩＰ１０５に対応
した位置の接着層２に照射することにより、接着層２を
加熱して可塑化させ、ＬＩＰ１０５との接着力を低減さ
せることができる。Then, when suction is started, LIP
The adhesive force between 105 and the base substrate 1 is reduced. Here, in order to reduce the adhesive force between the LIP 105 and the base substrate 1, for example, when a thermoplastic resin is used as the adhesive layer 2 for arranging the LIP 105 on the base substrate 1, the back surface of the base substrate 1 in this state. That is, by irradiating the adhesive layer 2 at a position corresponding to the LIP 105 with laser light from the side opposite to the side where the LIPs 105 are arranged, the adhesive layer 2 is heated and plasticized to reduce the adhesive force with the LIP 105. You can

【００５０】次に、図４に示すようにＬＩＰ１０５を真
空吸着ヘッド４により吸着保持し、図５に示すように真
空吸着ヘッド４を引き上げることによりＬＩＰ１０５を
ベース基板１から取り出す。Next, the LIP 105 is suction-held by the vacuum suction head 4 as shown in FIG. 4, and the LIP 105 is taken out from the base substrate 1 by pulling up the vacuum suction head 4 as shown in FIG.

【００５１】ここで、接着層２のＬＩＰ１０５との接着
力は、完全になくす必要はなく、接着層２のＬＩＰ１０
５との接着力が後述する真空吸着ヘッド４におけるＬＩ
Ｐ１０５を吸引する吸引力よりも小とされれば良い。す
なわち、接着層２のＬＩＰ１０５との接着力を、真空吸
着ヘッド４の吸引力よりも小とすることにより、ＬＩＰ
１０５をベース基板１から真空吸着ヘッド４上に取り出
すことができる。Here, it is not necessary to completely eliminate the adhesive force of the adhesive layer 2 with the LIP 105.
LI in the vacuum suction head 4 which will be described later
It may be smaller than the suction force for sucking P105. That is, by making the adhesive force of the adhesive layer 2 with the LIP 105 smaller than the suction force of the vacuum suction head 4,
105 can be taken out from the base substrate 1 onto the vacuum suction head 4.

【００５２】以上により、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッ
ド４とが所定の位置関係とされた状態でＬＩＰ１０５を
ベース基板１から精度良く取り出すことができる。As described above, the LIP 105 can be accurately taken out from the base substrate 1 in a state where the LIP 105 and the vacuum suction head 4 have a predetermined positional relationship.

【００５３】また、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パタ
ーンと真空吸着ヘッド４の像とから、素子１０１及び電
極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド４とが所定
の位置関係にないと判断された場合には、すなわち、Ｌ
ＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にな
いと判断された場合には、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッ
ド４とが所定の位置関係になるように、すなわち素子１
０１及び電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド
４とが所定の位置関係になるようにＬＩＰ１０５の位置
を調整する。そして、ＬＩＰ１０５はＸＹステージ６に
載置されているため、ＬＩＰ１０５の位置は、ＸＹステ
ージ６をＸ軸方向もしくはＹ軸方向のいずれかの方向に
おいて移動させる、又はＸ軸方向とＹ軸方向との両方向
において移動させることにより、所望の位置に調整する
ことできる。When it is determined from the optical pattern taken by the CCD camera 5 and the image of the vacuum suction head 4 that the element 101, the electrode pads 103 and 104, and the vacuum suction head 4 are not in a predetermined positional relationship. , That is, L
When it is determined that the IP 105 and the vacuum suction head 4 do not have the predetermined positional relationship, the LIP 105 and the vacuum suction head 4 have the predetermined positional relationship, that is, the element 1
01 and the electrode pads 103, 104 and the vacuum suction head 4 are adjusted in position so that the position of the LIP 105 is adjusted. Since the LIP 105 is placed on the XY stage 6, the position of the LIP 105 moves the XY stage 6 in either the X-axis direction or the Y-axis direction, or between the X-axis direction and the Y-axis direction. It can be adjusted to a desired position by moving in both directions.

【００５４】そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パ
ターンと真空吸着ヘッド４の像とから、素子１０１及び
電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘッド４との位
置関係を確認しながらＬＩＰ１０５の位置を調整し、素
子１０１及び電極パッド１０３，１０４と、真空吸着ヘ
ッド４とが、すなわちＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４
とが所定の位置関係になったと判断された状態でＸＹス
テージ６によるＬＩＰ１０５の位置調整を終了し、固定
する。The position of the LIP 105 is adjusted while confirming the positional relationship between the vacuum suction head 4 and the element 101 and the electrode pads 103 and 104 from the optical pattern taken by the CCD camera 5 and the image of the vacuum suction head 4. Then, the element 101, the electrode pads 103 and 104, and the vacuum suction head 4, that is, the LIP 105 and the vacuum suction head 4.
The position adjustment of the LIP 105 by the XY stage 6 is completed and fixed in a state where it is determined that and have a predetermined positional relationship.

【００５５】そして、次工程として真空吸着ヘッド４に
おいて吸引を開始するとともに、ＬＩＰ１０５とベース
基板１との接着力を低減させる。次に、図４に示すよう
にＬＩＰ１０５を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、
図５に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることに
よりＬＩＰ１０５をベース基板１から取り出す。Then, as the next step, suction is started in the vacuum suction head 4 and the adhesive force between the LIP 105 and the base substrate 1 is reduced. Next, as shown in FIG. 4, the LIP 105 is suction-held by the vacuum suction head 4,
As shown in FIG. 5, the LIP 105 is taken out from the base substrate 1 by pulling up the vacuum suction head 4.

【００５６】以上により、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッ
ド４とが所定の位置関係とされた状態でＬＩＰ１０５を
ベース基板１から精度良く取り出すことができる。As described above, the LIP 105 can be accurately taken out from the base substrate 1 in a state where the LIP 105 and the vacuum suction head 4 have a predetermined positional relationship.

【００５７】なお、素子１０１は電極パッド１０３，１
０４よりも小さく、当該素子により形成される光学パタ
ーンは、電極パッド１０３，１０４により形成される光
学パターンよりも小さなものとなる。したがって、光学
パターンと真空吸着ヘッド４の像とを比較する際には、
光学パターンが大きく判断し易い電極パッド１０３，１
０４の光学パターンと真空吸着ヘッド４の像との位置関
係を比較することが好ましい。The element 101 includes the electrode pads 103, 1
The optical pattern formed by the element is smaller than 04, and smaller than the optical pattern formed by the electrode pads 103 and 104. Therefore, when comparing the optical pattern and the image of the vacuum suction head 4,
Electrode pads 103, 1 whose optical pattern is large and easy to judge
It is preferable to compare the positional relationship between the optical pattern 04 and the image of the vacuum suction head 4.

【００５８】また、この光源８から吸引孔７を通してＬ
ＩＰ１０５に照射された照射光１０６のうち、ＬＩＰ１
０５における真空吸着ヘッド４に対向する主面の外周部
１０８に当たった光はＬＩＰ１０５の内部に入射するこ
とはなく散乱し、散乱光１０９となる。そして、この散
乱光１０９は、上述した透過光１０７と同様にベース基
板１を透過する。そして、この散乱光１０９は、透過光
１０７よりも光量が少なく、透過光１０７よりも暗くな
っており、透過光１０７と散乱光１０９との間には明る
さの差が生じている。これにより、ＣＣＤカメラ５に
は、透過光１０７と散乱光１０９との光量の差、すなわ
ち明るさの差により上記と同様に、光学パターン、すな
わちＬＩＰ１０５における真空吸着ヘッド４に対向する
主面の外周部１０８により形成された陰影が撮像され
る。そして、この光学パターンが認識される位置が、現
在のＬＩＰ１０５の外周部１０８の位置である。From the light source 8 through the suction hole 7, L
Of the irradiation light 106 applied to the IP 105, LIP1
The light impinging on the outer peripheral portion 108 of the main surface facing the vacuum suction head 4 in 05 does not enter the inside of the LIP 105 but is scattered and becomes scattered light 109. Then, this scattered light 109 is transmitted through the base substrate 1 similarly to the transmitted light 107 described above. The scattered light 109 has a smaller amount of light than the transmitted light 107 and is darker than the transmitted light 107, and there is a difference in brightness between the transmitted light 107 and the scattered light 109. Thus, in the CCD camera 5, due to the difference in the amount of light between the transmitted light 107 and the scattered light 109, that is, the difference in brightness, similarly to the above, the optical pattern, that is, the outer periphery of the main surface of the LIP 105 facing the vacuum suction head 4. The shadow formed by the unit 108 is captured. The position where this optical pattern is recognized is the current position of the outer peripheral portion 108 of the LIP 105.

【００５９】また、ＣＣＤカメラ５では、この光学パタ
ーンの他に、真空吸着ヘッド４が通常の像として撮像さ
れている。これにより、本発明においては、上述した光
学パターンの位置と真空吸着ヘッド４の像とを同時に撮
像することができる。そして、この光学パターンと真空
吸着ヘッド４の像とを図示しない画像処理装置により画
像処理し、お互いの位置関係を比較することにより、Ｌ
ＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４との位置関係、すなわち
ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係に
あるか否かを判断することが可能となる。Further, in addition to this optical pattern, the vacuum suction head 4 is imaged by the CCD camera 5 as a normal image. Thereby, in the present invention, the position of the above-mentioned optical pattern and the image of the vacuum suction head 4 can be simultaneously captured. Then, the optical pattern and the image of the vacuum suction head 4 are subjected to image processing by an image processing device (not shown), and the positional relationship between them is compared to obtain L.
It is possible to determine the positional relationship between the IP 105 and the vacuum suction head 4, that is, whether the LIP 105 and the vacuum suction head 4 have a predetermined positional relationship.

【００６０】そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パ
ターンと真空吸着ヘッド４の像とから、ＬＩＰ１０５の
外周部１０８と、真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係
にあると判断された場合には、すなわち、ＬＩＰ１０５
と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にあると判断さ
れた場合には、次工程として真空吸着ヘッド４において
吸引を開始する。そして、図４に示すようにＬＩＰ１０
５を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図５に示すよ
うに真空吸着ヘッド４を引き上げることによりＬＩＰ１
０５をベース基板１から取り出す。これにより、ＬＩＰ
１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた
状態でＬＩＰ１０５をベース基板１から精度良く取り出
すことができる。When it is determined from the optical pattern taken by the CCD camera 5 and the image of the vacuum suction head 4 that the outer peripheral portion 108 of the LIP 105 and the vacuum suction head 4 have a predetermined positional relationship, That is, LIP105
When it is determined that the vacuum suction head 4 and the vacuum suction head 4 have a predetermined positional relationship, suction is started in the vacuum suction head 4 as the next step. Then, as shown in FIG.
5 is sucked and held by the vacuum suction head 4, and the vacuum suction head 4 is pulled up as shown in FIG.
05 is taken out from the base substrate 1. This allows the LIP
The LIP 105 can be accurately taken out from the base substrate 1 in a state where the 105 and the vacuum suction head 4 have a predetermined positional relationship.

【００６１】また、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パタ
ーンと真空吸着ヘッド４の像とから、ＬＩＰ１０５の外
周部１０８と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にな
いと判断された場合には、すなわち、ＬＩＰ１０５と真
空吸着ヘッド４とが所定の位置関係にないと判断された
場合には、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の
位置関係になるように、すなわちＬＩＰ１０５の外周部
１０８と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になるよ
うにＬＩＰ１０５の位置を調整する。そして、ＬＩＰ１
０５はＸＹステージ６に載置されているため、ＬＩＰ１
０５の位置は、ＸＹステージ６をＸ軸方向もしくはＹ軸
方向のいずれかの方向において移動させる、又はＸ軸方
向とＹ軸方向との両方向において移動させることによ
り、所望の位置に調整することできる。If it is determined from the optical pattern taken by the CCD camera 5 and the image of the vacuum suction head 4 that the outer peripheral portion 108 of the LIP 105 and the vacuum suction head 4 are not in a predetermined positional relationship, that is, , LIP 105 and the vacuum suction head 4 are determined not to have a predetermined positional relationship, the LIP 105 and the vacuum suction head 4 have a predetermined positional relationship, that is, the outer peripheral portion 108 of the LIP 105 and the vacuum suction head 4. The position of the LIP 105 is adjusted so that 4 and 4 have a predetermined positional relationship. And LIP1
05 is mounted on the XY stage 6, so LIP1
The position 05 can be adjusted to a desired position by moving the XY stage 6 in either the X-axis direction or the Y-axis direction, or in both the X-axis direction and the Y-axis direction. .

【００６２】そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パ
ターンと真空吸着ヘッド４の像とから、ＬＩＰ１０５の
外周部１０８と真空吸着ヘッド４との位置関係を確認し
ながらＬＩＰ１０５の位置を調整し、ＬＩＰ１０５の外
周部１０８真空吸着ヘッド４とが、すなわちＬＩＰ１０
５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になったと判
断された状態でＸＹステージ６によるＬＩＰ１０５の位
置調整を終了し、固定する。The position of the LIP 105 is adjusted while confirming the positional relationship between the outer peripheral portion 108 of the LIP 105 and the vacuum suction head 4 from the optical pattern taken by the CCD camera 5 and the image of the vacuum suction head 4. The outer peripheral portion 108 and the vacuum suction head 4, namely, the LIP 10
The position adjustment of the LIP 105 by the XY stage 6 is completed and fixed in a state where it is determined that the predetermined position relationship between the vacuum suction head 4 and the vacuum suction head 4 has been established.

【００６３】そして、次工程として真空吸着ヘッド４に
おいて吸引を開始する。そして、図４に示すようにＬＩ
Ｐ１０５を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図５に
示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることによりＬ
ＩＰ１０５をベース基板１から取り出す。これにより、
ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係と
された状態でＬＩＰ１０５をベース基板１から精度良く
取り出すことができる。Then, as the next step, suction is started in the vacuum suction head 4. Then, as shown in FIG.
P105 is suction-held by the vacuum suction head 4, and the vacuum suction head 4 is pulled up as shown in FIG.
The IP 105 is taken out from the base substrate 1. This allows
The LIP 105 can be accurately taken out from the base substrate 1 in a state where the LIP 105 and the vacuum suction head 4 have a predetermined positional relationship.

【００６４】以上のような本発明に係る素子の位置決め
方法及び素子の取り出し方法では、真空吸着ヘッド４内
に光源８を配し、この光源８で吸引孔７を通してＬＩＰ
１０５を照射し、その際にＬＩＰ１０５の外周部１０
８、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４により形
成された光学パターンと真空吸着ヘッド４の像とをＣＣ
Ｄカメラ５で撮像し、図示しない画像処理装置により画
像処理し、比較することによりＬＩＰ１０５が適正な位
置にあるか否かを判断する。In the element positioning method and element take-out method according to the present invention as described above, the light source 8 is arranged in the vacuum suction head 4, and the LIP is passed through the suction hole 7 by the light source 8.
105, and at that time, the outer peripheral portion 10 of the LIP 105
8, the optical pattern formed by the element 101 and the electrode pads 103, 104 and the image of the vacuum suction head 4 are CC
It is determined whether or not the LIP 105 is in an appropriate position by taking an image with the D camera 5, performing image processing with an image processing device (not shown), and comparing the images.

【００６５】すなわち、この素子の位置決め方法及び素
子の取り出し方法では、ＬＩＰ１０５に対してＬＩＰ１
０５の正面から光を照射することにより、照射光１０６
をＬＩＰ１０５に対して均一に照射することができ、均
一な光学パターンを形成することができる。これによ
り、部分的に不明瞭な光学パターンが形成されるような
ことがなく、明瞭な状態で素子１０１及び電極パッド１
０３，１０４を画像認識することが可能とされている。That is, in this element positioning method and element extraction method, LIP1
By irradiating light from the front of 05, the irradiation light 106
Can be uniformly irradiated on the LIP 105, and a uniform optical pattern can be formed. As a result, an unclear optical pattern is not partially formed, and the element 101 and the electrode pad 1 are clearly formed.
Images 03 and 104 can be recognized.

【００６６】また、この素子の位置決め方法及び素子の
取り出し方法では、至近距離から照射光を当てるため、
十分な光量の照射光をＬＩＰ１０５に照射することがで
き、明瞭な状態で素子１０１及び電極パッド１０３，１
０４を画像認識することが可能とされている。Further, in this element positioning method and element extraction method, since the irradiation light is applied from a close range,
The LIP 105 can be irradiated with a sufficient amount of irradiation light, and the element 101 and the electrode pads 103, 1 can be clearly illuminated.
Image recognition of 04 is possible.

【００６７】そして、この素子の位置決め方法及び素子
の取り出し方法では、直接光ではないが、比較的直接光
に近い透過光１０７及び散乱光１０９を利用しているた
め、光量の損失が非常に少なく、十分な光量の照射光を
ＬＩＰ１０５に照射することができ、明瞭な状態で素子
１０１及び電極パッド１０３，１０４を画像認識するこ
とが可能とされている。In this element positioning method and element extraction method, the transmitted light 107 and the scattered light 109, which are not direct light but relatively close to direct light, are used, so that the loss of light quantity is very small. The LIP 105 can be irradiated with a sufficient amount of irradiation light, and the element 101 and the electrode pads 103 and 104 can be image-recognized in a clear state.

【００６８】これにより、素子１０１及び電極パッド１
０３，１０４の位置、すなわちＬＩＰ１０５の位置を確
実に把握することが可能とされるため、ＬＩＰ１０５と
真空吸着ヘッド４との位置合わせも精度良く、正確に行
うことが可能となり、簡便且つ精度良くＬＩＰ１０５を
ベース基板１から取り出すことができる。As a result, the element 101 and the electrode pad 1
Since the positions of 03 and 104, that is, the position of the LIP 105 can be surely grasped, the LIP 105 and the vacuum suction head 4 can be accurately and accurately aligned, and the LIP 105 can be simply and accurately arranged. Can be taken out from the base substrate 1.

【００６９】また、ＬＩＰ１０５の樹脂１０２と電極パ
ッド１０３，１０４との正常な位置関係が例えば図６に
示すように対照的なものである場合、ダイシングにより
ＬＩＰ１０５を形成する際に、ＬＩＰ１０５の外形と電
極パッド１０３，１０４との位置がずれてしまい、例え
ば図７に示すようにＬＩＰ１０５の樹脂部分が大きくな
ってしまっている場合には、電極パッドの位置のみでＬ
ＩＰ１０５を取り出し、図８に示すように他の基板１１
０等に実装した場合、大きく切り取られた部分の樹脂２
２が隣接する他の素子１１１等に接触して、うまく実装
できない場合等の不具合が生じる。すなわち、電極パッ
ド１０３，１０４の位置のみを基準としてＬＩＰ１０５
の取り出しを行った場合には、ＬＩＰ１０５の外縁部の
位置を把握することができないため、上述したような不
具合が生じる虞がある。When the normal positional relationship between the resin 102 of the LIP 105 and the electrode pads 103 and 104 is symmetrical as shown in FIG. 6, for example, when the LIP 105 is formed by dicing, the external shape of the LIP 105 If the positions of the electrode pads 103 and 104 are displaced and the resin portion of the LIP 105 is enlarged as shown in FIG.
The IP 105 is taken out, and as shown in FIG.
When mounted on 0 etc., the resin 2 of the large cut-out part
If the element 2 cannot contact the other element 111 or the like adjacent to the element 2 and cannot be mounted well, a problem occurs. That is, the LIP 105 is based only on the positions of the electrode pads 103 and 104.
When taking out, the position of the outer edge portion of the LIP 105 cannot be grasped, so that the above-mentioned problem may occur.

【００７０】しかしながら、この素子の位置決め方法及
び素子の取り出し方法では、電極パッド１０３，１０４
の位置と共に、ＬＩＰ１０５の外縁部の位置も予め確認
してＬＩＰ１０５を取り出すため、上述したような不具
合が生じる虞が無く、効率的な且つ確実なＬＩＰ１０５
の取り出しを行うことが可能である。However, in this element positioning method and element extracting method, the electrode pads 103 and 104 are used.
The position of the outer edge portion of the LIP 105 is also checked in advance together with the position of the LIP 105, and the LIP 105 is taken out.
Can be taken out.

【００７１】また、この素子の位置決め方法及び素子の
取り出し方法は、上述したように樹脂１０２が光透過性
を有する場合に好適であるが、樹脂２２が透明体である
場合により好適である。光透過性を有する樹脂が透明体
の場合には、可視光を９０％以上透過させるため十分な
光量の透過光１０７を得ることができ、上述した光学パ
ターンをより明瞭な状態で得ることが可能となる。これ
により、より確実にＬＩＰ１０５の位置を把握すること
が可能とされるため、ＬＩＰ１０５と真空吸着ヘッド４
との位置合わせも精度良く、正確に行うことが可能とな
り、より精度良くＬＩＰ１０５をベース基板１から取り
出すことができる。Further, this method of positioning the element and the method of taking out the element are suitable when the resin 102 has a light transmitting property as described above, but are more suitable when the resin 22 is a transparent body. When the resin having a light-transmitting property is a transparent body, 90% or more of visible light is transmitted, so that a sufficient amount of transmitted light 107 can be obtained, and the above-mentioned optical pattern can be obtained in a clearer state. Becomes As a result, the position of the LIP 105 can be grasped more reliably, so that the LIP 105 and the vacuum suction head 4
The LIP 105 can be accurately and accurately aligned, and the LIP 105 can be taken out from the base substrate 1 with higher accuracy.

【００７２】そして、上述したように樹脂１０２を用い
たＬＩＰ１０５の取り出しを行う場合には、真空吸着ヘ
ッド４の構成材料としては、ＳＵＳ材、そのなかでもＳ
Ｐ材が好適である。これらの材料は適度な弾性を有する
ため、真空吸着ヘッド４の構成材料としてこれらの材料
を用いた場合には、取り出しの際にＬＩＰ１０５を傷つ
ける虞がないからである。When the LIP 105 using the resin 102 is taken out as described above, the vacuum suction head 4 is made of SUS material, of which S
P material is preferable. This is because these materials have appropriate elasticity, so that when these materials are used as the constituent material of the vacuum suction head 4, there is no risk of damaging the LIP 105 when taking out.

【００７３】また、図９に示す真空吸着ヘッド４の吸引
孔７の長さＬは、例えば真空吸着ヘッド４に吸着される
面の大きさが２００μｍ×２００μｍ程度である場合に
は、４５μｍ程度とすることが好ましい。吸引孔７の長
さＬを長くしすぎた場合には、散乱光１０９が少なくな
り、ＬＩＰ１０５の外周部１０８により形成される光学
パターンを良好な状態で得ることができなくなり、ＬＩ
Ｐ１０５の位置決めの精度に支障を来す虞がある。ま
た、吸引孔７の長さＬを短くしすぎた場合には、散乱光
１０９が多くなりすぎ、逆に透過光１０７が少なくなり
すぎるため、素子１０１及び電極パッド１０３，１０４
形成される光学パターンを良好な状態で得ることができ
なくなり、ＬＩＰ１０５の位置決めに支障を来す虞があ
る。Further, the length L of the suction hole 7 of the vacuum suction head 4 shown in FIG. 9 is about 45 μm when the size of the surface sucked by the vacuum suction head 4 is about 200 μm × 200 μm. Preferably. When the length L of the suction hole 7 is made too long, the scattered light 109 becomes small, and it becomes impossible to obtain an optical pattern formed by the outer peripheral portion 108 of the LIP 105 in a good state.
The accuracy of the positioning of P105 may be impaired. Further, when the length L of the suction hole 7 is too short, the scattered light 109 becomes too much, and conversely the transmitted light 107 becomes too small. Therefore, the element 101 and the electrode pads 103, 104.
The formed optical pattern cannot be obtained in a good state, which may hinder the positioning of the LIP 105.

【００７４】また、図９に示す真空吸着ヘッド４の吸引
孔７の孔径φは、例えば真空吸着ヘッド４に吸着される
面の大きさが２００μｍ×２００μｍ程度であり、吸引
孔７が円状である場合には、７０μｍ程度とすることが
好ましい。吸引孔７の孔径φを小さくしすぎた場合、散
乱光１０９が少なくなり、ＬＩＰ１０５の外周部１０８
により形成される光学パターンを良好な状態で得ること
ができなくなり、ＬＩＰ１０５の位置あわせの精度に支
障を来す虞がある。また、吸引孔７の孔径φを大きくし
すぎた場合、散乱光１０９が多くなりすぎ、逆に透過光
１０７が少なくなりすぎるため、素子及び電極パッドに
より形成される光学パターンを良好な状態で得ることが
できなくなり、ＬＩＰ１０５の位置あわせに支障を来す
虞がある。The hole diameter φ of the suction hole 7 of the vacuum suction head 4 shown in FIG. 9 is, for example, about 200 μm × 200 μm on the surface to be sucked by the vacuum suction head 4, and the suction hole 7 is circular. In some cases, it is preferably about 70 μm. When the hole diameter φ of the suction hole 7 is too small, the scattered light 109 is reduced, and the outer peripheral portion 108 of the LIP 105 is reduced.
The optical pattern formed by the above method cannot be obtained in a good state, which may impair the accuracy of alignment of the LIP 105. Further, when the hole diameter φ of the suction hole 7 is made too large, the scattered light 109 becomes too much, and conversely the transmitted light 107 becomes too small, so that an optical pattern formed by the element and the electrode pad can be obtained in a good state. However, there is a possibility that the LIP 105 may be hindered from being aligned.

【００７５】そして、ＣＣＤカメラ５は、カラーカメラ
である必要はなく、モノクロカメラを用いることができ
る。この素子の位置決め方法及び素子の取り出し方法で
は、上述した光学パターンを撮像する際、光学パターン
のデータは、２値化して処理すれば良く、モノクロカメ
ラで十分対応することができ、簡易且つ安価な方法であ
るといえる。The CCD camera 5 need not be a color camera, but a monochrome camera can be used. In the element positioning method and the element extracting method, when the above-mentioned optical pattern is imaged, the data of the optical pattern may be binarized and processed, and a monochrome camera can sufficiently cope with it, and it is simple and inexpensive. Can be said to be a method.

【００７６】なお、上記において、ＬＩＰ１０５を真空
吸着ヘッド４により吸着保持する際には、光源８は点灯
したままでも良く、また、消灯しても良い。In the above, when the LIP 105 is suction-held by the vacuum suction head 4, the light source 8 may be kept on or may be turned off.

【００７７】また、上記においては、樹脂形成チップ３
として、光透過性を有する樹脂で素子を固め、その表面
側と裏面側に電極パッド１０３，１０４を形成したＬＩ
Ｐ１０５を用いた場合について説明したが、本発明は、
光透過性を有さない素子、もしくはチップに適用するこ
とも可能である。Further, in the above, the resin-formed chip 3
As the LI, the element is hardened with a light-transmissive resin, and the electrode pads 103 and 104 are formed on the front surface side and the back surface side of the element.
Although the case of using P105 has been described, the present invention is
It is also possible to apply to an element or a chip that does not have light transmission.

【００７８】以下では、本発明をシリコンベアーチップ
であるアクティブ素子の取り出しに適用した場合につい
て説明する。なお、上記と同じ部材については、同じ符
号を付すことで詳細な説明は省略する。The case where the present invention is applied to the extraction of an active element which is a silicon bare chip will be described below. The same members as those described above are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【００７９】本発明を適用してシリコンベアーチップを
取り出すには、ＬＩＰ１０５を取り出す場合と同様に、
まず、図１０に示すように、シリコンベアーチップ１２
１を挟んで一方に真空吸着ヘッド４を配し、反対側に撮
像装置であるカメラ、例えばＣＣＤカメラ５を配置す
る。To take out the silicon bare chip by applying the present invention, as in the case of taking out the LIP 105,
First, as shown in FIG. 10, a silicon bare chip 12
A vacuum suction head 4 is arranged on one side of the film 1 and a camera as an imaging device, for example, a CCD camera 5 is arranged on the opposite side.

【００８０】次に、取り出しヘッドである真空吸着ヘッ
ド４をシリコンベアーチップ１２１から所定の間隔だけ
離間した位置に移動させて固定する。このとき、真空吸
着ヘッド４においては、吸引は開始せず、したがって、
この状態では、シリコンベアーチップ１２１が真空吸着
ヘッド４に吸着されることはない。Next, the vacuum suction head 4, which is the take-out head, is moved and fixed to a position separated from the silicon bare chip 121 by a predetermined distance. At this time, the vacuum suction head 4 does not start suction, and therefore,
In this state, the silicon bare chip 121 is not sucked by the vacuum suction head 4.

【００８１】次に、真空吸着ヘッド４を固定した状態で
当該真空吸着ヘッド４内の光源８を点灯させる。これに
より、光源８から発せられた照射光１０６は、吸引孔７
を通して外部に照射され、吸引孔７に対向して配されて
いるシリコンベアーチップ１２１を照射する。Next, with the vacuum suction head 4 fixed, the light source 8 in the vacuum suction head 4 is turned on. Thereby, the irradiation light 106 emitted from the light source 8 is absorbed by the suction hole 7
Is radiated to the outside through the silicon bare chip 121 facing the suction hole 7.

【００８２】ここで、シリコンベアーチップ１２１は、
光透過性を有さないため、シリコンベアーチップ１２１
に照射された照射光１０６はシリコンベアーチップ１２
１により反射される。すなわち、光源８から吸引孔７を
通してシリコンベアーチップ１２１に照射された照射光
１０６のうち、シリコンベアーチップ１２１に照射さ
れ、反射した光はＣＣＤカメラ５に到達することがな
い。Here, the silicon bare chip 121 is
Silicon bare chip 121 because it has no optical transparency
The irradiation light 106 irradiated on the silicon bare chip 12
Reflected by 1. That is, of the irradiation light 106 emitted from the light source 8 to the silicon bare chip 121 through the suction hole 7, the light emitted to the silicon bare chip 121 and reflected therefrom does not reach the CCD camera 5.

【００８３】しかしながら、この光源８から吸引孔７を
通してシリコンベアーチップ１２１に照射された照射光
１０６のうち、シリコンベアーチップ１２１における真
空吸着ヘッド４に対向する主面の外周部１２２に当たっ
た光は散乱し、散乱光１０９となる。そして、この散乱
光１０９は、ベース基板１を透過し、ＣＣＤカメラ５に
到達する。However, of the irradiation light 106 emitted from the light source 8 through the suction hole 7 to the silicon bare chip 121, the light hitting the outer peripheral portion 122 of the main surface of the silicon bare chip 121 facing the vacuum suction head 4 is The light is scattered and becomes scattered light 109. Then, the scattered light 109 passes through the base substrate 1 and reaches the CCD camera 5.

【００８４】そして、この散乱光１０９は、上述したよ
うな透過光１０７よりは光量が少なく、透過光１０７よ
りも暗くなっているが、シリコンベアーチップ１２１が
位置する部分の裏面、すなわちＣＣＤカメラ５側では、
照射光１０６は反射されているため透過光１０７が存在
せず、散乱光１０９の存在する部分よりもさらに暗くな
っている。したがって、シリコンベアーチップ１２１の
裏面、すなわちＣＣＤカメラ５側では、シリコンベアー
チップ１２１の位置する部分と、他の部分では、光量の
差、すなわち、明るさの差が生じている。これにより、
ＣＣＤカメラ５には、シリコンベアーチップ１２１の位
置する部分と、他の部分では、光量の差により上記と同
様に、光学パターン、すなわちシリコンベアーチップ１
２１おける真空吸着ヘッド４に対向する主面の外周部１
２２により形成された陰影が撮像される。そして、この
光学パターンが認識される位置が、現在のシリコンベア
ーチップ１２１の外周部１２２の位置である。The scattered light 109 has a smaller amount of light than the transmitted light 107 as described above and is darker than the transmitted light 107, but the back surface of the portion where the silicon bare chip 121 is located, that is, the CCD camera 5 On the side,
Since the irradiation light 106 is reflected, the transmitted light 107 does not exist and is darker than the portion where the scattered light 109 exists. Therefore, on the back surface of the silicon bare chip 121, that is, on the CCD camera 5 side, there is a difference in the amount of light, that is, a difference in brightness between the portion where the silicon bare chip 121 is located and other portions. This allows
In the CCD camera 5, the optical pattern, that is, the silicon bare chip 1 in the portion where the silicon bare chip 121 is located and other portions are similar to the above due to the difference in light amount.
Outer peripheral portion 1 of the main surface facing the vacuum suction head 4 in 21
The shadow formed by 22 is imaged. The position where the optical pattern is recognized is the current position of the outer peripheral portion 122 of the silicon bare chip 121.

【００８５】また、ＣＣＤカメラ５では、この光学パタ
ーンの他に、真空吸着ヘッド４が通常の像として撮像さ
れている。これにより、本発明においては、上述した光
学パターンの位置と真空吸着ヘッド４の像とを同時に撮
像することができる。そして、この光学パターンと真空
吸着ヘッド４の像とを図示しない画像処理装置により画
像処理し、お互いの位置関係を比較することにより、シ
リコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４との位置
関係、すなわちシリコンベアーチップ１２１と真空吸着
ヘッド４とが所定の位置関係にあるか否かを判断するこ
とが可能となる。Further, in addition to this optical pattern, the vacuum suction head 4 is imaged by the CCD camera 5 as a normal image. Thereby, in the present invention, the position of the above-mentioned optical pattern and the image of the vacuum suction head 4 can be simultaneously captured. Then, the optical pattern and the image of the vacuum suction head 4 are image-processed by an image processing device (not shown), and the positional relationship between them is compared to obtain the positional relationship between the silicon bare chip 121 and the vacuum suction head 4, that is, the silicon. It is possible to determine whether the bear chip 121 and the vacuum suction head 4 are in a predetermined positional relationship.

【００８６】そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パ
ターンと真空吸着ヘッド４の像とから、シリコンベアー
チップ１２１の外周部１２２と、真空吸着ヘッド４とが
所定の位置関係にあると判断された場合には、すなわ
ち、シリコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４と
が所定の位置関係にあると判断された場合には、次工程
として真空吸着ヘッド４において吸引を開始する。そし
て、吸引を開始するとともに、シリコンベアーチップ１
２１とベース基板１との接着力を低減させる。When it is judged from the optical pattern taken by the CCD camera 5 and the image of the vacuum suction head 4 that the outer peripheral portion 122 of the silicon bare chip 121 and the vacuum suction head 4 have a predetermined positional relationship. That is, when it is determined that the silicon bare chip 121 and the vacuum suction head 4 are in a predetermined positional relationship, suction is started in the vacuum suction head 4 as the next step. Then, the suction is started and the silicon bare chip 1
The adhesive force between 21 and the base substrate 1 is reduced.

【００８７】次に、図１１に示すようにシリコンベアー
チップ１２１を真空吸着ヘッド４により吸着保持し、図
１２に示すように真空吸着ヘッド４を引き上げることに
よりシリコンベアーチップ１２１をベース基板１から取
り出す。以上により、シリコンベアーチップ１２１と真
空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされた状態でシリ
コンベアーチップ１２１をベース基板１から精度良く取
り出すことができる。Next, as shown in FIG. 11, the silicon bare chip 121 is suction-held by the vacuum suction head 4, and the vacuum suction head 4 is pulled up as shown in FIG. 12 to take out the silicon bare chip 121 from the base substrate 1. . As described above, the silicon bare chip 121 and the vacuum suction head 4 can be accurately taken out from the base substrate 1 with the predetermined positional relationship between the silicon bare chip 121 and the vacuum suction head 4.

【００８８】また、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パタ
ーンと真空吸着ヘッド４の像とから、シリコンベアーチ
ップ１２１の外周部１２２と真空吸着ヘッド４とが所定
の位置関係にないと判断された場合には、すなわち、シ
リコンベアーチップ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定
の位置関係にないと判断された場合には、シリコンベア
ーチップ１２１とが所定の位置関係になるように、すな
わちシリコンベアーチップ１２１の外周部１２２と真空
吸着ヘッド４とが所定の位置関係になるようにシリコン
ベアーチップ１２１の位置を調整する。そして、シリコ
ンベアーチップ１２１はＸステージに載置されているた
め、シリコンベアーチップ１２１の位置は、ＸＹステー
ジ６をＸ軸方向もしくはＹ軸方向のいずれかの方向にお
いて移動させる、又はＸ軸方向とＹ軸方向との両方向に
おいて移動させることにより、所望の位置に調整するこ
とできる。When it is determined from the optical pattern taken by the CCD camera 5 and the image of the vacuum suction head 4 that the outer peripheral portion 122 of the silicon bare chip 121 and the vacuum suction head 4 are not in a predetermined positional relationship. That is, when it is determined that the silicon bare chip 121 and the vacuum suction head 4 are not in a predetermined positional relationship, the silicon bare chip 121 is brought into a predetermined positional relationship, that is, the silicon bare chip 121 The position of the silicon bare chip 121 is adjusted so that the outer peripheral portion 122 and the vacuum suction head 4 have a predetermined positional relationship. Since the silicon bare chip 121 is mounted on the X stage, the position of the silicon bare chip 121 moves the XY stage 6 in either the X axis direction or the Y axis direction, or the X axis direction. It can be adjusted to a desired position by moving in both the Y-axis direction.

【００８９】そして、ＣＣＤカメラ５で撮像した光学パ
ターンと真空吸着ヘッド４の像とから、シリコンベアー
チップ１２１の外周部１２２と真空吸着ヘッド４との位
置関係を確認しながらシリコンベアーチップ１２１の位
置を調整し、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２
２真空吸着ヘッド４とが、すなわちシリコンベアーチッ
プ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係になっ
たと判断された状態でＸＹステージ６によるシリコンベ
アーチップ１２１の位置調整を終了し、固定する。The position of the silicon bare chip 121 is checked while confirming the positional relationship between the outer peripheral portion 122 of the silicon bare chip 121 and the vacuum suction head 4 from the optical pattern taken by the CCD camera 5 and the image of the vacuum suction head 4. The outer peripheral portion 12 of the silicon bare chip 121.
2 The position adjustment of the silicon bare chip 121 by the XY stage 6 is completed and fixed in the state where the vacuum suction head 4 and the silicon bare chip 121 and the vacuum suction head 4 are determined to have a predetermined positional relationship.

【００９０】そして、次工程として真空吸着ヘッド４に
おいて吸引を開始する。そして、図１１に示すようにシ
リコンベアーチップ１２１を真空吸着ヘッド４により吸
着保持し、図１２に示すように真空吸着ヘッド４を引き
上げることによりシリコンベアーチップ１２１をベース
基板１から取り出す。これにより、シリコンベアーチッ
プ１２１と真空吸着ヘッド４とが所定の位置関係とされ
た状態でシリコンベアーチップ１２１をベース基板１か
ら精度良く取り出すことができる。Then, as the next step, suction is started in the vacuum suction head 4. Then, the silicon bare chip 121 is sucked and held by the vacuum suction head 4 as shown in FIG. 11, and the vacuum bare head 121 is pulled up to take out the silicon bare chip 121 from the base substrate 1 as shown in FIG. As a result, the silicon bare chip 121 and the vacuum suction head 4 can be accurately taken out from the base substrate 1 with the predetermined positional relationship between the silicon bare chip 121 and the vacuum suction head 4.

【００９１】以上のような本発明に係る素子の位置決め
方法及び素子の取り出し方法では、真空吸着ヘッド４内
に光源８を配し、この光源８で吸引孔７を通してシリコ
ンベアーチップ１２１を照射し、その際にシリコンベア
ーチップ１２１の外周部１２２により形成された光学パ
ターンと真空吸着ヘッド４の像とをＣＣＤカメラ５で撮
像し、図示しない画像処理装置により画像処理して比較
することによりシリコンベアーチップ１２１が適正な位
置にあるか否かを判断する。In the element positioning method and the element taking-out method according to the present invention as described above, the light source 8 is arranged in the vacuum suction head 4, and the silicon bare chip 121 is irradiated through the suction hole 7 by the light source 8. At this time, the optical pattern formed by the outer peripheral portion 122 of the silicon bare chip 121 and the image of the vacuum suction head 4 are picked up by the CCD camera 5, image-processed by an image processing device (not shown), and compared to obtain the silicon bare chip. It is determined whether 121 is in the proper position.

【００９２】すなわち、この素子の位置決め方法及び素
子の取り出し方法では、シリコンベアーチップ１２１に
対してシリコンベアーチップ１２１の正面から光を照射
することにより、照射光１０６をシリコンベアーチップ
１２１に対して均一に照射することができ、均一な光学
パターンを形成することができる。これにより、部分的
に不明瞭な光学パターンが形成されるようなことがな
く、明瞭な状態でシリコンベアーチップ１２１の外周部
１２２を画像認識することが可能とされている。That is, in this element positioning method and element taking-out method, by irradiating the silicon bare chip 121 with light from the front of the silicon bare chip 121, the irradiation light 106 is made uniform with respect to the silicon bare chip 121. It is possible to irradiate the surface with the light and form a uniform optical pattern. This makes it possible to image-recognize the outer peripheral portion 122 of the silicon bare chip 121 in a clear state without forming an unclear optical pattern in a part.

【００９３】また、この素子の位置決め方法及び素子の
取り出し方法では、至近距離から照射光を当てるため、
十分な光量の照射光をシリコンベアーチップ１２１に照
射することができ、明瞭な状態でシリコンベアーチップ
１２１の外周部１２２を画像認識することが可能とされ
ている。Further, in this element positioning method and element extracting method, since the irradiation light is applied from a close range,
It is possible to irradiate the silicon bare chip 121 with a sufficient amount of irradiation light, and to image-recognize the outer peripheral portion 122 of the silicon bare chip 121 in a clear state.

【００９４】そして、この素子の位置決め方法及び素子
の取り出し方法では、直接光ではないが、比較的直接光
に近い散乱光１０９を利用しているため、光量の損失が
非常に少なく、十分な光量の照射光をシリコンベアーチ
ップ１２１に照射することができ、明瞭な状態でシリコ
ンベアーチップ１２１の外周部１２２を画像認識するこ
とが可能とされている。In this element positioning method and element extraction method, scattered light 109, which is not direct light but is relatively close to direct light, is used, so the loss of light quantity is very small and a sufficient light quantity is obtained. It is possible to irradiate the silicon bare chip 121 with the above irradiation light and image-recognize the outer peripheral portion 122 of the silicon bare chip 121 in a clear state.

【００９５】これにより、シリコンベアーチップ１２１
の外周部１２２の位置、すなわちＬＩＰ１０５の位置を
確実に把握することが可能とされるため、シリコンベア
ーチップ１２１と真空吸着ヘッド４との位置合わせも精
度良く、正確に行うことが可能となり、簡便且つ精度良
くシリコンベアーチップ１２１をベース基板１から取り
出すことができる。As a result, the silicon bare chip 121
Since it is possible to reliably grasp the position of the outer peripheral portion 122, that is, the position of the LIP 105, the silicon bare chip 121 and the vacuum suction head 4 can be accurately and accurately aligned. In addition, the silicon bare chip 121 can be accurately taken out from the base substrate 1.

【００９６】そして、上述したような樹脂を用いたシリ
コンベアーチップ１２１の取り出しを行う場合には、真
空吸着ヘッド４の構成材料としては、例えばＰＥＥＫ
（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂が好適である。こ
れらの材料は適度な弾性を有するため、真空吸着ヘッド
４の構成材料としてこれらの材料を用いた場合には、取
り出しの際にシリコンベアーチップ１２１を傷つける虞
がないからである。When taking out the silicon bare chip 121 using the resin as described above, the constituent material of the vacuum suction head 4 is, for example, PEEK.
(Polyether ether ketone) resins are preferred. This is because these materials have appropriate elasticity, and when these materials are used as the constituent material of the vacuum suction head 4, there is no risk of damaging the silicon bare chip 121 when taking out.

【００９７】また、図９に示す真空吸着ヘッド４の吸引
孔７の長さＬは、例えば真空吸着ヘッド４に吸着される
面の大きさが５００μｍ×３００μｍ程度である場合に
は、１５０μｍ程度以上とすることが好ましい。吸引孔
７の長さＬを長くしすぎた場合、散乱光１０９が少なく
なり、シリコンベアーチップ１２１の外周部１２２によ
り形成される光学パターンを良好な状態で得ることがで
きなくなり、シリコンベアーチップ１２１の位置あわせ
の精度に支障を来す虞がある。The length L of the suction hole 7 of the vacuum suction head 4 shown in FIG. 9 is about 150 μm or more when the size of the surface sucked by the vacuum suction head 4 is about 500 μm × 300 μm. It is preferable that If the length L of the suction hole 7 is made too long, the scattered light 109 becomes small, and the optical pattern formed by the outer peripheral portion 122 of the silicon bare chip 121 cannot be obtained in a good state, and the silicon bare chip 121 is not obtained. There is a possibility that the accuracy of the alignment of the may be affected.

【００９８】また、図９に示す真空吸着ヘッド４の吸引
孔７の孔径φは、例えば真空吸着ヘッド４に吸着される
面の大きさが５００μｍ×３００μｍ程度であり、吸引
孔７が円状である場合には、７０μｍ程度以上とするこ
とが好ましい。吸引孔７の孔径φを小さくしすぎた場
合、散乱光１０９が少なくなり、シリコンベアーチップ
１２１ の外周部１２２により形成される光学パター
ンを良好な状態で得ることができなくなり、シリコンベ
アーチップ１２１の位置あわせの精度に支障を来す虞が
ある。The hole diameter φ of the suction hole 7 of the vacuum suction head 4 shown in FIG. 9 is, for example, about 500 μm × 300 μm on the surface to be sucked by the vacuum suction head 4, and the suction hole 7 is circular. In some cases, it is preferably about 70 μm or more. When the hole diameter φ of the suction hole 7 is made too small, the scattered light 109 becomes small, and the optical pattern formed by the outer peripheral portion 122 of the silicon bare chip 121 cannot be obtained in a good state, and the silicon bare chip 121 has There is a possibility that the accuracy of alignment may be affected.

【００９９】なお、ＣＣＤカメラ５は、上記と同様にモ
ノクロカメラを用いることができ、また、シリコンベア
ーチップ１２１ を真空吸着ヘッド４により吸着保持
する際には、光源８は点灯したままでも良く、また、消
灯しても良い。As the CCD camera 5, a monochrome camera can be used as described above, and when the silicon bare chip 121 is sucked and held by the vacuum suction head 4, the light source 8 may be kept on. Also, it may be turned off.

【０１００】また、上記の例においては、撮像装置、す
なわちＣＣＤカメラ５を素子に対して真空吸着ヘッド４
と反対側に配した場合について説明したが、本発明にお
いては、撮像装置、すなわち、ＣＣＤカメラ５を素子に
対して真空吸着ヘッド４側に配しても良い。この場合、
上述した透過光１０７や散乱光１０９を用いることはで
きないが、素子の主面で反射した反射光を用いて上記と
同様に素子の位置を認識し、素子の位置決めを行うこと
が可能である。従来の方法の場合は、素子に対して、十
分な光量の照射光を照射することができなかったため、
反射光の光量が非常に少なく、素子の位置を明確に認識
することができなかったが、本発明に係る素子の位置決
め方法及び素子の取り出し方法では、上述したように十
分な光量の照射光を均一に素子に照射することが可能と
されているため、上述した透過光１０７や散乱光１０９
よりも多少は光量が減少するものの、素子の位置を認識
するに十分な光量の反射光を得ることができる。したが
って、上述した例と同様に、反射光により形成される光
学パターンを撮像装置により撮像し、画像処理すること
により、上記と同様にして簡便且つ精度良く素子の位置
決めを行い、基板から取り出すことができる。Further, in the above example, the image pickup device, that is, the CCD camera 5 is attached to the vacuum suction head 4 with respect to the element.
However, in the present invention, the image pickup device, that is, the CCD camera 5 may be arranged on the side of the vacuum suction head 4 with respect to the element. in this case,
Although the transmitted light 107 and the scattered light 109 described above cannot be used, the position of the element can be recognized and the element can be positioned in the same manner as described above by using the reflected light reflected by the main surface of the element. In the case of the conventional method, since it was not possible to irradiate the device with a sufficient amount of irradiation light,
The amount of reflected light was very small, and the position of the element could not be clearly recognized.However, in the element positioning method and the element extracting method according to the present invention, a sufficient amount of irradiation light was used as described above. Since it is possible to irradiate the element uniformly, the transmitted light 107 and the scattered light 109 described above are used.
Although the amount of light is reduced to some extent, it is possible to obtain the reflected light of a sufficient amount for recognizing the position of the element. Therefore, similarly to the above-described example, the optical pattern formed by the reflected light is imaged by the image pickup device and image-processed, so that the element can be positioned easily and accurately and taken out from the substrate in the same manner as described above. it can.

【０１０１】また、本発明は、上述したシリコンベアー
チップ１２１以外にも、種々のチップのそり出しに適用
することが可能であり、例えば携帯電子機器等に広く用
いられている０６０３チップ等の取り出しにも適用する
ことができる。また、上記においては、チップ形状のも
のについて説明したが、本発明は、素子単体についても
広く適用できる。Further, the present invention can be applied to the warping of various chips other than the above-mentioned silicon bare chip 121. For example, the taking out of 0603 chip which is widely used in portable electronic devices and the like can be taken out. Can also be applied to. Further, in the above description, the chip-shaped one has been described, but the present invention can be widely applied to a single element.

【０１０２】そして、上記においては、真空吸着ヘッド
４が単体の場合について説明したが、真空吸着ヘッド４
は、複数が一体とされて一度に複数の素子を一括して取
り出すようにされても良い。すなわち、真空吸着ヘッド
は、例えば、図１３に示すように６個の吸引孔７が備
え、その内部に単体の真空吸着ヘッド４に用いるものよ
りも大きく、光量の多い光源８を備えて構成されたもの
としても良い。この真空吸着ヘッドの場合は、上述した
方法で一度に６個の素子を一括して取り出すことができ
るものである。また、この場合、図示しないＣＣＤカメ
ラは、図示しない素子を挟んで真空吸着ヘッドの反対側
に１個だけ配置し、各吸引孔７に対応した位置に移動さ
せて用いても良く、また、６個のＣＣＤカメラをそれぞ
れ各吸引孔７に対応した位置に配し、移動させずに用い
ても良い。In the above description, the case where the vacuum suction head 4 is a single unit has been described.
May be integrated so that a plurality of elements can be collectively taken out at one time. That is, the vacuum suction head is provided with, for example, six suction holes 7 as shown in FIG. 13, and a light source 8 having a larger amount of light than that used for the single vacuum suction head 4 is provided therein. It may be good. In the case of this vacuum suction head, six elements can be collectively taken out at once by the method described above. Further, in this case, only one CCD camera (not shown) may be arranged on the opposite side of the vacuum suction head with the element (not shown) interposed therebetween, and the CCD camera may be moved to a position corresponding to each suction hole 7 for use. Individual CCD cameras may be arranged at positions corresponding to the respective suction holes 7 and used without moving.

【０１０３】次に、上記素子の位置決め方法及び素子の
取り出し方法の応用例として、二段階拡大転写法による
素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製
造方法について説明する。Next, as an application example of the above-described element positioning method and element extraction method, a method of transferring elements by a two-step expansion transfer method, a method of arranging elements, and a method of manufacturing an image display device will be described.

【０１０４】本例の素子の転写方法、素子の配列方法お
よび画像表示装置の製造方法は、高集積度をもって第一
基板上に作製された素子を第一基板上で素子が配列され
た状態よりは離間した状態となるように一時保持用部材
に転写し、次いで一時保持用部材に保持された前記素子
をさらに離間して第二基板上に転写する二段階の拡大転
写を行う。なお、本例では転写を２段階としているが、
素子を離間して配置する拡大度に応じて転写を三段階や
それ以上の多段階とすることもできる。In the device transfer method, device array method and image display device manufacturing method of this example, the device fabricated on the first substrate with high integration is compared with the device arrayed state on the first substrate. Is transferred to the temporary holding member so as to be in a separated state, and then the two-step enlargement transfer is performed in which the element held by the temporary holding member is further separated and transferred to the second substrate. In this example, the transfer has two stages,
The transfer can be performed in three stages or in multiple stages depending on the degree of enlargement in which the elements are arranged apart from each other.

【０１０５】図１４はそれぞれ二段階拡大転写法の基本
的な工程を示す図である。まず、図１４の(a)に示す第
一基板１０上に、例えば発光素子のような素子１２を密
に形成する。素子を密に形成することで、各基板当たり
に生成される素子の数を多くすることができ、製品コス
トを下げることができる。第一基板１０は例えば半導体
ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイヤ基
板、プラスチック基板などの種々素子形成可能な基板で
あるが、各素子１２は第一基板１０上に直接形成したも
のであっても良く、他の基板上で形成されたものを配列
したものであっても良い。FIG. 14 is a diagram showing the basic steps of the two-step expansion transfer method. First, elements 12 such as light emitting elements are densely formed on the first substrate 10 shown in FIG. By forming the elements densely, the number of elements generated on each substrate can be increased, and the product cost can be reduced. The first substrate 10 is a substrate on which various elements can be formed, such as a semiconductor wafer, a glass substrate, a quartz glass substrate, a sapphire substrate, and a plastic substrate. Each element 12 is formed directly on the first substrate 10. Alternatively, it may be an array of those formed on another substrate.

【０１０６】次に図１４の(b)に示すように、第一基板
１０から各素子１２が図中破線で示す第一の一時保持用
部材１１に転写され、この第一の一時保持用部材１１の
上に各素子１２が保持される。ここで隣接する素子１２
は離間され、図示のようにマトリクス状に配される。す
なわち素子１２はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げる
ように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞ
れ素子の間を広げるように転写される。このとき離間さ
れる距離は、特に限定されず、一例として後続の工程で
の樹脂部形成や電極パッドの形成を考慮した距離とする
ことができる。第一の一時保持用部材１１上に第一基板
１０から転写した際に第一基板１０上の全部の素子が離
間されて転写されるようにすることができる。この場合
には、第一の一時保持用部材１１のサイズはマトリクス
状に配された素子１２の数（ｘ方向、ｙ方向にそれぞ
れ）に離間した距離を乗じたサイズ以上であれば良い。
また、第一の一時保持用部材１１上に第一基板１０上の
一部の素子が離間されて転写されるようにすることも可
能である。Next, as shown in FIG. 14 (b), each element 12 is transferred from the first substrate 10 to the first temporary holding member 11 shown by the broken line in the figure, and the first temporary holding member 11 is transferred. Each element 12 is held on 11. Element 12 adjacent here
Are spaced apart and arranged in a matrix as shown. That is, the elements 12 are transferred so as to widen the spaces between the elements in the x direction, but are also transferred so as to widen the spaces between the elements also in the y direction perpendicular to the x direction. The distance separated at this time is not particularly limited, and as an example, the distance can be set in consideration of the resin portion formation and the electrode pad formation in the subsequent process. All the elements on the first substrate 10 can be spaced apart and transferred when transferred from the first substrate 10 onto the first temporary holding member 11. In this case, the size of the first temporary holding member 11 may be equal to or larger than the size obtained by multiplying the number of the elements 12 arranged in a matrix (in the x direction and the y direction) by the distance.
It is also possible to transfer a part of the elements on the first substrate 10 to the first temporary holding member 11 with a space therebetween.

【０１０７】このような第一転写工程の後、図１４の
(c)に示すように、第一の一時保持用部材１１上に存在
する素子１２は離間されていることから、素子１２毎に
素子周りの樹脂の被覆と電極パッドの形成が行われる。
素子周りの樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、次
の第二転写工程での取り扱いを容易にするなどのために
形成される。電極パッドの形成は、後述するように、最
終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、そ
の際に配線不良が生じないように比較的大き目のサイズ
に形成されるものである。なお、図１４の(c)には電極
パッドは図示していない。各素子１２の周りを樹脂１３
が覆うことで樹脂形成チップ１４が形成される。素子１
２は平面上、樹脂形成チップ１４の略中央に位置する
が、一方の辺や角側に偏った位置に存在するものであっ
ても良い。After such a first transfer step, as shown in FIG.
As shown in (c), since the elements 12 existing on the first temporary holding member 11 are separated from each other, the resin around the elements and the electrode pads are formed for each element 12.
The resin coating around the element is formed for facilitating the formation of the electrode pad and facilitating the handling in the next second transfer step. As will be described later, the electrode pad is formed after the second transfer step in which the final wiring is continued, so that the electrode pad is formed in a relatively large size so that wiring failure does not occur at that time. The electrode pads are not shown in FIG. 14 (c). Resin 13 around each element 12
The resin-formed chip 14 is formed by covering. Element 1
Although 2 is located substantially in the center of the resin-formed chip 14 on a plane, it may be located at a position deviated to one side or a corner side.

【０１０８】次に、図１４の(d)に示すように、第二転
写工程が行われる。この第二転写工程では第一の一時保
持用部材１１上でマトリクス状に配される素子１２が樹
脂形成チップ１４ごとに更に離間するように第二基板１
５上に転写される。Next, as shown in FIG. 14D, the second transfer step is performed. In the second transfer step, the second substrate 1 is arranged so that the elements 12 arranged in a matrix on the first temporary holding member 11 are further separated for each resin forming chip 14.
5 is transferred onto.

【０１０９】この第二転写工程に上述した素子の位置決
め方法及び素子の取り出し方法を応用するが、これにつ
いては後ほど詳述する。The above-mentioned element positioning method and element extraction method are applied to this second transfer step, which will be described later in detail.

【０１１０】第二転写工程においても、隣接する素子１
２は樹脂形成チップ１４ごと離間され、図示のようにマ
トリクス状に配される。すなわち素子１２はｘ方向にも
それぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向
に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転
写される。第二転写工程によって配置された素子の位置
が画像表示装置などの最終製品の画素に対応する位置で
あるとすると、当初の素子１２間のピッチの略整数倍が
第二転写工程によって配置された素子１２のピッチとな
る。ここで第一基板１０から第一の一時保持用部材１１
での離間したピッチの拡大率をｎとし、第一の一時保持
用部材１１から第二基板１５での離間したピッチの拡大
率をｍとすると、略整数倍の値ＥはＥ＝ｎｘｍであらわ
される。Also in the second transfer step, the adjacent element 1
2 are separated from each other with the resin forming chip 14 and are arranged in a matrix as shown. That is, the elements 12 are transferred so as to widen the spaces between the elements in the x direction, but are also transferred so as to widen the spaces between the elements also in the y direction perpendicular to the x direction. Assuming that the positions of the elements arranged by the second transfer step correspond to the pixels of the final product such as an image display device, approximately an integer multiple of the pitch between the initial elements 12 is arranged by the second transfer step. It is the pitch of the elements 12. Here, from the first substrate 10 to the first temporary holding member 11
, And the expansion ratio of the separated pitch on the second substrate 15 from the first temporary holding member 11 is m, the value E of a substantially integer multiple is expressed as E = nxm. Be done.

【０１１１】第二基板１５上に樹脂形成チップ１４ごと
離間された各素子１２には、配線が施される。この時、
先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑
えながらの配線がなされる。この配線は例えば素子１２
が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、ｐ電極、
ｎ電極への配線を含み、液晶制御素子の場合は、選択信
号線、電圧線や、配向電極膜などの配線等を含む。Wiring is provided to each of the elements 12 separated from each other by the resin-formed chip 14 on the second substrate 15. This time,
Wiring is performed by using the electrode pad or the like previously formed while suppressing connection failure as much as possible. This wiring is, for example, the element 12
Is a light emitting element such as a light emitting diode, a p electrode,
Including a wiring to the n-electrode, in the case of a liquid crystal control element, a selection signal line, a voltage line, a wiring such as an alignment electrode film and the like are included.

【０１１２】図１４に示した二段階拡大転写法において
は、第一転写後の離間したスペースを利用して電極パッ
ドや樹脂固めなどを行うことができ、そして第二転写後
に配線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用
して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。した
がって、画像表示装置の歩留まりを向上させることがで
きる。また、本例の二段階拡大転写法においては、素子
間の距離を離間する工程が２工程であり、このような素
子間の距離を離間する複数工程の拡大転写を行うこと
で、実際は転写回数が減ることになる。すなわち、例え
ば、ここで第一基板１０から第一の一時保持用部材１１
での離間したピッチの拡大率を２（ｎ＝２）とし、第一
の一時保持用部材１１から第二基板１５での離間したピ
ッチの拡大率を２（ｍ＝２）とすると、仮に一度の転写
で拡大した範囲に転写しようとしたときでは、最終拡大
率が２×２の４倍で、その二乗の１６回の転写すなわち
第一基板のアライメントを１６回行う必要が生ずるが、
本例の二段階拡大転写法では、アライメントの回数は第
一転写工程での拡大率２の二乗の４回と第二転写工程で
の拡大率２の二乗の４回を単純に加えただけの計８回で
済むことになる。即ち、同じ転写倍率を意図する場合に
おいては、（ｎ＋ｍ）２＝ｎ２＋２ｎｍ＋ｍ２であるこ
とから、必ず２ｎｍ回だけ転写回数を減らすことができ
ることになる。したがって、製造工程も回数分だけ時間
や経費の節約となり、特に拡大率の大きい場合に有益と
なる。In the two-step magnifying transfer method shown in FIG. 14, electrode pads, resin hardening, etc. can be performed by utilizing the separated space after the first transfer, and wiring is provided after the second transfer. However, wiring is performed while suppressing the connection failure as much as possible by using the electrode pad or the like previously formed. Therefore, the yield of the image display device can be improved. In addition, in the two-step magnifying transfer method of this example, the step of separating the distance between the elements is two steps. Will be reduced. That is, for example, here, from the first substrate 10 to the first temporary holding member 11
If the enlargement ratio of the separated pitch in 2 is set to 2 (n = 2) and the enlargement ratio of the separated pitch in the second substrate 15 from the first temporary holding member 11 is set to 2 (m = 2), once When it is attempted to transfer to an area enlarged by the transfer of, the final expansion rate is 4 times 2 × 2, and it is necessary to transfer the squared 16 times, that is, perform the alignment of the first substrate 16 times.
In the two-step expansion transfer method of this example, the number of times of alignment is simply 4 times the expansion rate 2 squared in the first transfer step and 4 times the expansion rate 2 squared in the second transfer step. It will be 8 times in total. That is, when the same transfer magnification is intended, since (n + m) 2 = n2 + 2 nm + m2, the transfer count can be reduced by 2 nm. Therefore, the manufacturing process also saves time and cost by the number of times, which is useful especially when the expansion rate is large.

【０１１３】なお、図１４に示した二段階拡大転写法に
おいては、素子１２を例えば発光素子としているが、こ
れに限定されず、他の素子例えば液晶制御素子、光電変
換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオ
ード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素
子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分、
これらの組み合わせなどであっても良い。In the two-step enlargement transfer method shown in FIG. 14, the element 12 is, for example, a light emitting element, but is not limited to this, and other elements such as a liquid crystal control element, a photoelectric conversion element, a piezoelectric element, and a thin film transistor. Element, thin film diode element, resistance element, switching element, micro magnetic element, micro optical element, or part thereof,
It may be a combination of these.

【０１１４】上記第二転写工程においては、樹脂形成チ
ップとして取り扱われ、一時保持用部材上から第二基板
に転写されるが、この樹脂形成チップは上記において図
２及び図３を用いて説明した樹脂形成チップ３と同様な
ため、樹脂形成チップ２０として図１５及び図１６に示
すのみにとどめ、詳細な説明は省略する。In the second transfer step, the resin-formed chip is handled and transferred from the temporary holding member to the second substrate. This resin-formed chip has been described above with reference to FIGS. 2 and 3. Since it is similar to the resin-formed chip 3, only the resin-formed chip 20 is shown in FIGS. 15 and 16, and detailed description thereof is omitted.

【０１１５】次に、図１７に本例の二段階拡大転写法で
使用される素子の一例としての発光素子の構造を示す。
図１７の（ａ）が素子断面図であり、図１７の（ｂ）が
平面図である。この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオー
ドであり、たとえばサファイヤ基板上に結晶成長される
素子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオードで
は、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレー
ションが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなっ
てサファイヤ基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥
がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有し
ている。Next, FIG. 17 shows the structure of a light emitting element as an example of an element used in the two-step expansion transfer method of this example.
17A is a sectional view of the element, and FIG. 17B is a plan view. This light emitting element is a GaN-based light emitting diode, for example, an element that is crystal-grown on a sapphire substrate. In such a GaN-based light emitting diode, laser ablation occurs due to laser irradiation through the substrate, and film peeling occurs at the interface between the sapphire substrate and the GaN-based growth layer due to the phenomenon that nitrogen in GaN is vaporized. It has a feature that element isolation can be facilitated.

【０１１６】まず、その構造については、ＧａＮ系半導
体層からなる下地成長層３１上に選択成長された六角錐
形状のＧａＮ層３２が形成されている。なお、下地成長
層３１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状の
ＧａＮ層３２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ
法などによって形成される。このＧａＮ層３２は、成長
時に使用されるサファイヤ基板の主面をＣ面とした場合
にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長
層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧ
ａＮ層３２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造の
クラッドとして機能する。ＧａＮ層３２の傾斜したＳ面
を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層３３が形成され
ており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層３４
が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層３４
もクラッドとして機能する。First, regarding the structure, the hexagonal pyramidal GaN layer 32 selectively grown is formed on the underlying growth layer 31 made of a GaN-based semiconductor layer. An insulating film (not shown) is present on the underlying growth layer 31, and the hexagonal pyramidal GaN layer 32 is MOCVD-formed in the opening of the insulating film.
It is formed by the method. The GaN layer 32 is a pyramid-shaped growth layer covered with an S plane (1-101 plane) when the main surface of the sapphire substrate used during growth is the C plane, and is a region doped with silicon. is there. This G
The inclined S-plane portion of the aN layer 32 functions as a clad having a double hetero structure. An InGaN layer 33, which is an active layer, is formed so as to cover the inclined S-plane of the GaN layer 32, and a magnesium-doped GaN layer 34 is provided outside thereof.
Is formed. This magnesium-doped GaN layer 34
Also functions as a clad.

【０１１７】このような発光ダイオードには、ｐ電極３
５とｎ電極３６が形成されている。ｐ電極３５はマグネ
シウムドープのＧａＮ層３４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ
／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料
を蒸着して形成される。ｎ電極３６は前述の図示しない
絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの
金属材料を蒸着して形成される。なお、図１９に示すよ
うに下地成長層３１の裏面側からｎ電極取り出しを行う
場合は、ｎ電極３６の形成は下地成長層３１の表面側に
は不要となる。In such a light emitting diode, the p electrode 3
5 and the n-electrode 36 are formed. The p-electrode 35 is Ni / Pt formed on the magnesium-doped GaN layer 34.
/ Au or Ni (Pd) / Pt / Au. The n-electrode 36 is formed by vapor-depositing a metal material such as Ti / Al / Pt / Au at the opening of the insulating film (not shown). When the n electrode is taken out from the back surface side of the underlayer growth layer 31 as shown in FIG. 19, the formation of the n electrode 36 is not necessary on the front surface side of the underlayer growth layer 31.

【０１１８】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ドは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブ
レーションよって比較的簡単にサファイヤ基板から剥離
することができ、レーザビームを選択的に照射すること
で選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダ
イオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される
構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構
造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子
や化合物半導体素子などであっても良い。The GaN-based light emitting diode having such a structure is an element capable of emitting blue light, and can be peeled off from the sapphire substrate relatively easily by laser ablation, and a laser beam is selectively irradiated. As a result, selective peeling is realized. The GaN-based light emitting diode may have a structure in which an active layer is formed on a flat plate or in a strip shape, or may have a pyramidal structure in which a C plane is formed at an upper end portion. Further, it may be another nitride-based light emitting device, a compound semiconductor device, or the like.

【０１１９】次に、図１８から図２６までを参照しなが
ら、本発明を適用した発光素子の転写方法、発光素子の
配列方法の具体的手法について説明する。発光素子は図
１７に示したＧａＮ系の発光ダイオードを用いている。Next, with reference to FIG. 18 to FIG. 26, a concrete method of a light emitting element transfer method and a light emitting element arranging method to which the present invention is applied will be described. The light emitting element uses the GaN-based light emitting diode shown in FIG.

【０１２０】先ず、図１８に示すように、第一基板４１
の主面上には複数の発光ダイオード４２がマトリクス状
に形成されている。発光ダイオード４２の大きさは約２
０μｍ程度とすることができる。第一基板４１の構成材
料としてはサファイヤ基板などのように光ダイオード４
２に照射するレーザの波長の透過率の高い材料が用いら
れる。発光ダイオード４２にはｐ電極などまでは形成さ
れているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間
分離の溝４２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオー
ド４２は分離できる状態にある。この溝４２ｇの形成は
例えば反応性イオンエッチングで行う。このような第一
基板４１を第一の一時保持用部材４３に対峙させて図１
９に示すように選択的な転写を行う。First, as shown in FIG. 18, the first substrate 41
A plurality of light emitting diodes 42 are formed in a matrix on the main surface of. The size of the light emitting diode 42 is about 2
It can be about 0 μm. The constituent material of the first substrate 41 is the photodiode 4 such as a sapphire substrate.
A material having a high transmittance with respect to the wavelength of the laser beam used to irradiate 2 is used. Although the p-electrode and the like are formed in the light-emitting diode 42, the final wiring is not yet formed, and the groove 42g for element isolation is formed, and the individual light-emitting diodes 42 are in a state where they can be separated. The groove 42g is formed by, for example, reactive ion etching. When the first substrate 41 as described above is opposed to the first temporary holding member 43, as shown in FIG.
Selective transfer is performed as shown in FIG.

【０１２１】第一の一時保持用部材４３の第一基板４１
に対峙する面には剥離層４４と接着剤層４５が２層にな
って形成されている。ここで第一の一時保持用部材４３
の例としては、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチ
ック基板などを用いることができ、第一の一時保持用部
材４３上の剥離層４４の例としては、フッ素コート、シ
リコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばポリビニルアルコ
ール：ＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いることができ
る。また第一の一時保持用部材４３の接着剤層４５とし
ては紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱
可塑性接着剤のいずれかからなる層を用いることができ
る。一例としては、第一の一時保持用部材４３として石
英ガラス基板を用い、剥離層４４としてポリイミド膜４
μｍを形成後、接着剤層４５としてのＵＶ硬化型接着剤
を約２０μｍ厚で塗布する。First substrate 41 of first temporary holding member 43
A peeling layer 44 and an adhesive layer 45 are formed in two layers on the surface facing each other. Here, the first temporary holding member 43
For example, a glass substrate, a quartz glass substrate, a plastic substrate, or the like can be used. Examples of the release layer 44 on the first temporary holding member 43 include a fluorine coat, a silicone resin, and a water-soluble adhesive ( For example, polyvinyl alcohol: PVA), polyimide or the like can be used. As the adhesive layer 45 of the first temporary holding member 43, a layer made of any one of an ultraviolet (UV) curable adhesive, a thermosetting adhesive, and a thermoplastic adhesive can be used. As an example, a quartz glass substrate is used as the first temporary holding member 43, and the polyimide film 4 is used as the release layer 44.
After forming μm, a UV curable adhesive as the adhesive layer 45 is applied in a thickness of about 20 μm.

【０１２２】第一の一時保持用部材４３の接着剤層４５
は、硬化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在する
ように調整され、未硬化領域４５ｙに選択転写にかかる
発光ダイオード４２が位置するように位置合わせされ
る。硬化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在する
ような調整は、例えばＵＶ硬化型接着剤を露光機にて選
択的に２００μｍピッチでＵＶ露光し、発光ダイオード
４２を転写するところは未硬化でそれ以外は硬化させて
ある状態にすれば良い。このようなアライメントの後、
転写対象位置の発光ダイオード４２に対しレーザを第一
基板４１の裏面から照射し、当該発光ダイオード４２を
第一基板４１からレーザアブレーションを利用して剥離
する。ＧａＮ系の発光ダイオード４２はサファイヤとの
界面で金属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡
単に剥離できる。照射するレーザとしてはエキシマレー
ザ、高調波ＹＡＧレーザなどが用いられる。Adhesive layer 45 of first temporary holding member 43
Is adjusted so that the cured region 45s and the uncured region 45y are mixed, and the light emitting diode 42 for selective transfer is positioned in the uncured region 45y. The adjustment such that the cured region 45s and the uncured region 45y are mixed is performed by, for example, selectively exposing the UV curing adhesive to UV with an exposure machine at a pitch of 200 μm, and transferring the light emitting diode 42 to the uncured region. Other than the above, it may be cured. After such alignment,
The light emitting diode 42 at the transfer target position is irradiated with laser from the back surface of the first substrate 41, and the light emitting diode 42 is separated from the first substrate 41 using laser ablation. Since the GaN-based light emitting diode 42 decomposes into metallic Ga and nitrogen at the interface with sapphire, it can be peeled off relatively easily. An excimer laser, a harmonic YAG laser, or the like is used as a laser for irradiation.

【０１２３】このレーザアブレーションを利用した剥離
によって、選択照射にかかる発光ダイオード４２はＧａ
Ｎ層と第一基板４１の界面で分離し、反対側の接着剤層
４５にｐ電極部分を突き刺すようにして転写される。他
のレーザが照射されない領域の発光ダイオード４２につ
いては、対応する接着剤層４５の部分が硬化した領域ｓ
であり、レーザも照射されていないために第一の一時保
持用部材４３側に転写されることはない。なお、図１８
では１つの発光ダイオード４２だけが選択的にレーザ照
射されているが、ｎピッチ分だけ離間した領域において
も同様に発光ダイオード４２はレーザ照射されているも
のとする。このような選択的な転写によっては発光ダイ
オード４２第一基板４１上に配列されている時よりも離
間して第一の一時保持用部材４３上に配列される。By the peeling using the laser ablation, the light emitting diode 42 for selective irradiation is Ga
It is separated at the interface between the N layer and the first substrate 41, and is transferred to the adhesive layer 45 on the opposite side by piercing the p electrode portion. As for the light emitting diode 42 in a region which is not irradiated with another laser, a region s where the corresponding adhesive layer 45 is hardened.
However, since the laser is not irradiated, it is not transferred to the first temporary holding member 43 side. Note that FIG.
Although only one light emitting diode 42 is selectively irradiated with laser light, it is assumed that the light emitting diode 42 is similarly irradiated with laser light in regions separated by n pitches. By such selective transfer, the light emitting diodes 42 are arranged on the first temporary holding member 43 at a distance more than when they are arranged on the first substrate 41.

【０１２４】発光ダイオード４２は第一の一時保持用部
材４３の接着剤層４５に保持された状態で、発光ダイオ
ード４２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になって
いて、発光ダイオード４２の裏面には樹脂（接着剤）が
ないように除去、洗浄されているため、図１９に示すよ
うに電極パッド４６を形成すれば、電極パッド４６は発
光ダイオード４２の裏面と電気的に接続される。The light emitting diode 42 is held by the adhesive layer 45 of the first temporary holding member 43, and the back surface of the light emitting diode 42 is on the n electrode side (cathode electrode side). Since the back surface is removed and washed without resin (adhesive), the electrode pad 46 is electrically connected to the back surface of the light emitting diode 42 by forming the electrode pad 46 as shown in FIG. .

【０１２５】接着剤層４５の洗浄の例としては酸素プラ
ズマで接着剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて
洗浄する。かつ、レーザにてＧａＮ系発光ダイオードを
サファイヤ基板からなる第一基板４１から剥離したとき
には、その剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａ
をエッチングすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液も
しくは希硝酸で行うことになる。その後、電極パッド４
６をパターニングする。このときのカソード側の電極パ
ッドは約６０μｍ角とすることができる。電極パッド４
６としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）もしくは
Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極
の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光を
さえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大
きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易にな
る。As an example of the cleaning of the adhesive layer 45, the adhesive resin is etched by oxygen plasma and cleaned by UV ozone irradiation. Moreover, when the GaN-based light emitting diode is peeled off from the first substrate 41 made of a sapphire substrate by a laser, Ga is deposited on the peeled surface.
Are required to be etched, which is performed with an aqueous solution of NaOH or dilute nitric acid. After that, the electrode pad 4
6 is patterned. At this time, the electrode pad on the cathode side can be about 60 μm square. Electrode pad 4
As 6, a transparent electrode (ITO, ZnO type, etc.) or a material such as Ti / Al / Pt / Au is used. In the case of a transparent electrode, even if the back surface of the light emitting diode is largely covered, the light emission is not interrupted, so the patterning accuracy is rough, a large electrode can be formed, and the patterning process is facilitated.

【０１２６】図２０は第一の一時保持用部材４３から発
光ダイオード４２を第二の一時保持用部材４７に転写し
て、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール５０を形成
した後、アノード側電極パッド４９を形成し、樹脂から
なる接着剤層４５をダイシングした状態を示している。
このダイシングの結果、素子分離溝５１が形成され、発
光ダイオード４２は素子ごとに区分けされたものにな
る。素子分離溝５１はマトリクス状の各発光ダイオード
４２を分離するため、平面光学パターンとしては縦横に
延長された複数の平行線からなる。素子分離溝５１の底
部では第二の一時保持用部材４７の表面が臨む。In FIG. 20, the light emitting diode 42 is transferred from the first temporary holding member 43 to the second temporary holding member 47 to form the via hole 50 on the anode electrode (p electrode) side, and then the anode side electrode. The state where the pad 49 is formed and the adhesive layer 45 made of resin is diced is shown.
As a result of this dicing, the element isolation groove 51 is formed, and the light emitting diode 42 is divided into elements. The element isolation groove 51 is formed by a plurality of parallel lines extending vertically and horizontally as a plane optical pattern for separating the respective light emitting diodes 42 in a matrix form. The bottom surface of the element isolation groove 51 faces the surface of the second temporary holding member 47.

【０１２７】また、第二の一時保持用部材４７上には剥
離層４８が形成される。この剥離層４８は例えばフッ素
コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶ
Ａ）、ポリイミドなどを用いて作製することができる。
第二の一時保持用部材４７は、一例としてプラスチック
基板にＵＶ粘着材が塗布してある、いわゆるダイシング
シートであり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するも
のを利用できる。A peeling layer 48 is formed on the second temporary holding member 47. The release layer 48 may be, for example, a fluorine coat, a silicone resin, a water-soluble adhesive (for example, PV
A), polyimide, or the like can be used.
The second temporary holding member 47 is, for example, a so-called dicing sheet in which a UV adhesive material is applied to a plastic substrate, and it is possible to use a member whose adhesive force decreases when UV is irradiated.

【０１２８】第一の一時保持用部材４３から第二の一時
保持用部材４７への転写に際しては、このような剥離層
４４を形成した一時保持部材４３の裏面からエキシマレ
ーザを照射する。これにより、例えば剥離層４４として
ポリイミドを形成した場合では、ポリイミドと石英基板
の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生
して、各発光ダイオード４２は第二の一時保持部材４７
側に転写される。When transferring from the first temporary holding member 43 to the second temporary holding member 47, excimer laser is irradiated from the back surface of the temporary holding member 43 having the peeling layer 44 formed thereon. Thereby, for example, when polyimide is formed as the peeling layer 44, peeling occurs due to ablation of the polyimide at the interface between the polyimide and the quartz substrate, and each light emitting diode 42 has the second temporary holding member 47.
Transferred to the side.

【０１２９】また、アノード側電極パッド４９を形成す
るに際しては、接着剤層４５の表面を酸素プラズマで発
光ダイオード４２の表面が露出してくるまでエッチング
する。まずビアホール５０の形成はエキシマレーザ、高
調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザを用いることができ
る。このとき、ビアホールは約３〜７μｍの径を開ける
ことになる。アノード側電極パッドはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ
などで形成する。ダイシングプロセスは通常のブレード
を用いたダイシング、２０μｍ以下の幅の狭い切り込み
が必要なときには上記レーザを用いたレーザによる加工
を行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内の樹脂
からなる接着剤層４５で覆われた発光ダイオード４２の
大きさに依存する。When forming the anode electrode pad 49, the surface of the adhesive layer 45 is etched with oxygen plasma until the surface of the light emitting diode 42 is exposed. First, the via hole 50 can be formed by using an excimer laser, a harmonic YAG laser, or a carbon dioxide gas laser. At this time, the via hole has a diameter of about 3 to 7 μm. The anode side electrode pad is Ni / Pt / Au
And so on. As the dicing process, dicing using a normal blade and laser processing using the above laser are performed when a narrow cut of 20 μm or less is required. The cut width depends on the size of the light emitting diode 42 covered with the adhesive layer 45 made of resin in the pixel of the image display device.

【０１３０】次に、発光ダイオード４２を第二の一時保
持用部材４７から第二基板６０に転写する。発光ダイオ
ード４２転写に際しては、まず、機械的手段を用いて発
光ダイオード４２が第二の一時保持用部材４７から取り
出される。図２１は、第二の一時保持用部材４７上に配
列している発光ダイオード４２を真空吸着ヘッド８１で
ピックアップするところを示した図である。そして、こ
の発光ダイオード４２の取り出しに、上述した素子の位
置決め方法及び素子の取り出し方法を応用する。Next, the light emitting diode 42 is transferred from the second temporary holding member 47 to the second substrate 60. In transferring the light emitting diode 42, first, the light emitting diode 42 is taken out from the second temporary holding member 47 by using a mechanical means. FIG. 21 is a diagram showing that the light emitting diodes 42 arranged on the second temporary holding member 47 are picked up by the vacuum suction head 81. Then, the above-described element positioning method and element extraction method are applied to the extraction of the light emitting diode 42.

【０１３１】ここで、発光ダイオード４２を第二の一時
保持用部材４７から取り出すには、図２１に示すような
真空吸着ヘッド８１を用いる。真空吸着ヘッド８１は、
金属板５２と吸引装置５３とを備えて構成されており、
金属板５２の表面には、複数の吸着孔５５が形成されて
いる。このときの吸着孔５５は画像表示装置の画素ピッ
チにマトリクス状に開口していて、発光ダイオード４２
を多数個、一括で吸着できるようになっている。このと
きの開口径は、例えば約φ４５μｍで６００μｍピッチ
のマトリクス状に開口されて、一括で約３００個を吸着
できる。このときの吸着孔５５の部材は例えば、ＳＵＳ
材などの金属板５２をエッチングで穴加工したものが使
用され、金属板５２の吸着孔５５の奥には、吸着チャン
バ５４が形成されており、この吸着チャンバ５４を負圧
に制御することで発光ダイオード４２の吸着が可能にな
る。また、吸着チャンバの奥には、光源８２が配置され
ており、吸着孔５５を通して樹脂形成チップ（発光ダイ
オード４２及び接着剤層４５）に光を照射できるように
されている。発光ダイオード４２はこの段階で樹脂から
なる接着剤層４５で覆われており、その上面は略平坦化
されており、このために吸着装置５３による選択的な吸
着を容易に進めることができる。Here, in order to take out the light emitting diode 42 from the second temporary holding member 47, a vacuum suction head 81 as shown in FIG. 21 is used. The vacuum suction head 81 is
It is configured to include a metal plate 52 and a suction device 53,
A plurality of adsorption holes 55 are formed on the surface of the metal plate 52. At this time, the suction holes 55 are opened in a matrix at the pixel pitch of the image display device, and the light emitting diodes 42
It is possible to adsorb a large number of pieces at once. The opening diameter at this time is, for example, about φ45 μm, and the openings are formed in a matrix with a pitch of 600 μm, and about 300 pieces can be adsorbed at one time. The member of the suction hole 55 at this time is, for example, SUS.
A metal plate 52 made of a material or the like is used, and a hole is formed by etching. A suction chamber 54 is formed inside the suction hole 55 of the metal plate 52. By controlling the suction chamber 54 to a negative pressure. Adsorption of the light emitting diode 42 becomes possible. Further, a light source 82 is arranged in the back of the suction chamber so that the resin-formed chip (the light emitting diode 42 and the adhesive layer 45) can be irradiated with light through the suction hole 55. At this stage, the light emitting diode 42 is covered with the adhesive layer 45 made of resin, and the upper surface thereof is substantially flattened, so that the selective adsorption by the adsorption device 53 can be easily promoted.

【０１３２】このような真空吸着ヘッド８１を用いて発
光ダイオード４２を第二の一時保持用部材４７から取り
出すには、まず、図２１に示すように、発光ダイオード
４２を挟んで一方に真空吸着ヘッド８１を配し、反対側
に撮像装置であるＣＣＤカメラ８３を配置する。In order to take out the light emitting diode 42 from the second temporary holding member 47 by using the vacuum suction head 81 as described above, first, as shown in FIG. 81 is arranged, and a CCD camera 83 which is an image pickup device is arranged on the opposite side.

【０１３３】ここで、ＣＣＤカメラ８３は、真空吸着ヘ
ッド８１の吸引孔５５の中心とＣＣＤカメラ８３のレン
ズの中心とが一直線上に並ぶように配置する。また、樹
脂形成チップが配列形成された第二の一時保持用部材４
７は、ＸＹステージ８４上に保持する。第二の一時保持
用部材４７は、ＸＹステージ８４をＸ軸方向及びＹ軸方
向に移動させることにより、所望の位置に移動させるこ
とができ、これにより、樹脂形成チップの位置を所望の
位置に制御することが可能とされている。Here, the CCD camera 83 is arranged so that the center of the suction hole 55 of the vacuum suction head 81 and the center of the lens of the CCD camera 83 are aligned on a straight line. In addition, the second temporary holding member 4 on which the resin-formed chips are arranged and formed.
7 is held on the XY stage 84. The second temporary holding member 47 can be moved to a desired position by moving the XY stage 84 in the X-axis direction and the Y-axis direction, whereby the position of the resin-formed chip is set to the desired position. It is possible to control.

【０１３４】次に、真空吸着ヘッド８１を樹脂形成チッ
プから所定の間隔だけ離間した位置に移動させて固定す
る。このとき、真空吸着ヘッド８１においては、吸引は
まだ開始しない。Next, the vacuum suction head 81 is moved and fixed at a position separated from the resin-formed chip by a predetermined distance. At this time, suction is not yet started in the vacuum suction head 81.

【０１３５】そして、真空吸着ヘッド８１を固定した状
態で当該真空吸着ヘッド８１内の光源８２を点灯させ
る。これにより、光源８から発せられた照射光は、吸引
孔５５を通して外部に照射され、吸引孔５５に対向して
配されている樹脂形成チップを照射する。Then, with the vacuum suction head 81 fixed, the light source 82 in the vacuum suction head 81 is turned on. As a result, the irradiation light emitted from the light source 8 is irradiated to the outside through the suction hole 55, and irradiates the resin-formed chip arranged facing the suction hole 55.

【０１３６】次に、光源８２から光を照射することによ
り形成された光学パターンと真空吸着ヘッド８１の像と
をＣＣＤカメラ８３で撮像し、画像処理装置により画像
処理し、お互いの位置関係を比較することにより、樹脂
形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係に
あるか否かを判断する。Next, the optical pattern formed by irradiating light from the light source 82 and the image of the vacuum suction head 81 are picked up by the CCD camera 83, image-processed by the image processing device, and the positional relationship between them is compared. By doing so, it is determined whether or not the resin-formed chip and the vacuum suction head 81 have a predetermined positional relationship.

【０１３７】そして、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド
８１とが所定の位置関係にあると判断された場合には、
次工程として真空吸着ヘッド８１において吸引を開始す
る。また、吸引を開始するとともに、樹脂形成チップと
第二の一時保持用部材４７との接着力を低減させる。If it is determined that the resin-formed chip and the vacuum suction head 81 are in a predetermined positional relationship,
As a next step, suction is started in the vacuum suction head 81. Further, the suction is started, and the adhesive force between the resin-formed chip and the second temporary holding member 47 is reduced.

【０１３８】次に、図２２に示すように樹脂形成チップ
真空吸着ヘッド８１により吸着保持し、図２３に示すよ
うに真空吸着ヘッド８１を引き上げることにより樹脂形
成チップを第二の一時保持用部材４７から取り出す。Next, as shown in FIG. 22, the resin-formed chip vacuum suction head 81 is suction-held, and as shown in FIG. 23, the vacuum suction head 81 is pulled up to hold the resin-formed chip as the second temporary holding member 47. Take out from.

【０１３９】また、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８
１とが所定の位置関係にないと判断された場合には、樹
脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係
になるようにＸＹステージ８４を移動させることにより
樹脂形成チップの位置を調整する。そして、樹脂形成チ
ップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係になった
と判断された状態でＸＹステージ８４による樹脂形成チ
ップの位置調整を終了し、固定する。以上により、樹脂
形成チップの位置決めが完了する。Also, the resin-formed chip and the vacuum suction head 8
When it is determined that the resin-formed chip and the vacuum suction head 81 are not in the predetermined positional relationship, the position of the resin-formed chip is adjusted by moving the XY stage 84 so that the resin-formed chip and the vacuum suction head 81 have the predetermined positional relationship. To do. Then, in a state where it is determined that the resin-formed chip and the vacuum suction head 81 have a predetermined positional relationship, the position adjustment of the resin-formed chip by the XY stage 84 is completed and fixed. With the above, positioning of the resin-formed chip is completed.

【０１４０】次に、次工程として真空吸着ヘッド８１に
おいて吸引を開始するとともに、樹脂形成チップと第二
の一時保持用部材４７との接着力を低減させる。そし
て、図２２に示すように樹脂形成チップ真空吸着ヘッド
８１により吸着保持し、図２３に示すように真空吸着ヘ
ッド８１を引き上げることにより樹脂形成チップを第二
の一時保持用部材４７から取り出す。以上により、発光
ダイオード４２を真空吸着ヘッド８１と所定の位置関係
とされた状態で第二の一時保持用部材４７から精度良く
取り出すことができる。Next, in the next step, suction is started in the vacuum suction head 81, and the adhesive force between the resin-formed chip and the second temporary holding member 47 is reduced. Then, the resin-formed chip vacuum suction head 81 is suction-held as shown in FIG. 22, and the vacuum suction head 81 is pulled up as shown in FIG. 23 to take out the resin-formed chip from the second temporary holding member 47. As described above, the light emitting diode 42 can be accurately taken out from the second temporary holding member 47 in a state where the light emitting diode 42 and the vacuum suction head 81 have a predetermined positional relationship.

【０１４１】そして、真空吸着ヘッド８１に取り出した
発光ダイオード４２を第二基板６０に実装する。すなわ
ち、図２４に示すように第二基板６０にあらかじめ接着
剤層５６を塗布しておき、その発光ダイオード４２下面
の接着剤層５６を硬化させ、発光ダイオード４２を第二
基板６０に固着して配列させる。この装着時には、真空
吸着ヘッド８１の吸着チャンバ５４が圧力の高い状態と
なり、真空吸着ヘッド８１と発光ダイオード４２との吸
着による結合状態は解放される。ここで、接着剤層５６
は熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤などによって構成さ
れている。Then, the light emitting diode 42 taken out to the vacuum suction head 81 is mounted on the second substrate 60. That is, as shown in FIG. 24, the adhesive layer 56 is applied to the second substrate 60 in advance, the adhesive layer 56 on the lower surface of the light emitting diode 42 is cured, and the light emitting diode 42 is fixed to the second substrate 60. Arrange. At the time of this mounting, the suction chamber 54 of the vacuum suction head 81 is in a high pressure state, and the coupled state of the vacuum suction head 81 and the light emitting diode 42 by suction is released. Here, the adhesive layer 56
Is composed of a thermosetting adhesive, a thermoplastic adhesive, or the like.

【０１４２】発光ダイオード４２が配置される位置は、
一時保持用部材４３、４７上での配列よりも離間したも
のとなる。そのとき接着剤層５６の樹脂を硬化させるエ
ネルギー（レーザ光７３）は、図２４に示すように第二
基板６０の裏面から供給される。このとき、第二基板６
０の裏面からレーザ光７３を照射し、転写する樹脂形成
チップ（発光ダイオード４２及び接着剤層４５）に対応
する部分の接着剤層５６のみを加熱する。これにより、
接着剤層５６が熱可塑性接着剤の場合には、その部分の
接着剤層５６が軟化し、その後、冷却硬化することによ
り樹脂形成チップが第二基板６０上に固着される。同様
に、接着剤層５６が熱硬化性接着剤の場合にも、レーザ
光７３が照射された部分の接着剤層５６のみが硬化し
て、樹脂形成チップが第二基板６０上に固着される。The position where the light emitting diode 42 is arranged is
It is separated from the arrangement on the temporary holding members 43 and 47. At that time, energy (laser light 73) for curing the resin of the adhesive layer 56 is supplied from the back surface of the second substrate 60 as shown in FIG. At this time, the second substrate 6
Laser light 73 is irradiated from the back surface of 0 to heat only the adhesive layer 56 in a portion corresponding to the resin-formed chip (the light emitting diode 42 and the adhesive layer 45) to be transferred. This allows
When the adhesive layer 56 is a thermoplastic adhesive, the adhesive layer 56 at that portion is softened and then cooled and cured to fix the resin-formed chip on the second substrate 60. Similarly, even when the adhesive layer 56 is a thermosetting adhesive, only the adhesive layer 56 in the portion irradiated with the laser beam 73 is cured and the resin-formed chip is fixed onto the second substrate 60. .

【０１４３】また、第二基板６０上にシャドウマスクと
しても機能する電極層５７を配設し、この電極層５７を
レーザ光７３を照射することにより加熱し、間接的に接
着剤層５６を加熱するようにしてもよい。特に、電極層
５７の画面側の表面すなわち当該画像表示装置を見る人
がいる側の面に黒クロム層５８を形成すれば、画像のコ
ントラストを向上させることができると共に、黒クロム
層５８でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射
されるレーザ光７３によって接着剤層５６を効率的に加
熱するようにすることができる。Further, the electrode layer 57 which also functions as a shadow mask is provided on the second substrate 60, and the electrode layer 57 is heated by irradiating it with the laser beam 73 to indirectly heat the adhesive layer 56. You may do it. In particular, if the black chrome layer 58 is formed on the screen side surface of the electrode layer 57, that is, the side on which the viewer of the image display device is present, the contrast of the image can be improved and the black chrome layer 58 can be formed. The energy absorption rate can be increased so that the adhesive layer 56 can be efficiently heated by the selectively irradiated laser light 73.

【０１４４】図２５はＲＧＢの３色の発光ダイオード４
２、６１、６２を第二基板６０に配列させ絶縁層５９を
塗布した状態を示す図である。上述した方法により、第
二基板６０にマウントする位置をその色の位置にずらし
てマウントすると、画素としてのピッチは一定のまま３
色からなる画素を形成できる。絶縁層５９としては透明
エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを
用いることができる。３色の発光ダイオード４２、６
１、６２は必ずしも同じ形状でなくとも良い。図２５で
は赤色の発光ダイオード６１が六角錐のＧａＮ層を有し
ない構造とされ、他の発光ダイオード４２、６２とその
形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオード
４２、６１、６２は既に樹脂形成チップとして樹脂から
なる接着剤層４５で覆われており、素子構造の違いにも
かかわらず同一の取り扱いが実現される。FIG. 25 shows a light emitting diode 4 of three colors of RGB.
It is a figure which shows the state which arranged 2, 61, 62 on the 2nd board | substrate 60, and applied the insulating layer 59. When the mounting position on the second substrate 60 is shifted to the position of the color by the above-described method, the pixel pitch remains constant at 3 pixels.
Pixels composed of colors can be formed. As the insulating layer 59, a transparent epoxy adhesive, a UV curable adhesive, polyimide or the like can be used. Light emitting diodes 42, 6 of three colors
The numbers 1 and 62 do not necessarily have to be the same. In FIG. 25, the red light emitting diode 61 has a structure that does not have a hexagonal pyramidal GaN layer, and its shape is different from that of the other light emitting diodes 42, 62. Since the resin forming chip is covered with the adhesive layer 45 made of resin, the same handling can be realized despite the difference in the element structure.

【０１４５】図２６は配線形成工程を示す図である。絶
縁層５９に開口部６５、６６、６７、６８、６９、７０
を形成し、発光ダイオード４２、６１、６２のアノー
ド、カソードの電極パッドと第二基板６０の配線用の電
極層５７を接続する配線６３、６４、７１を形成した図
である。このときに形成する開口部すなわちビアホール
は発光ダイオード４２、６１、６２の電極パッド４６、
４９の面積を大きくしているのでビアホール形状は大き
く、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形
成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。この
ときのビアホールは約６０μｍ角の電極パッド４６、４
９に対し、約φ２０μｍのものを形成できる。また、ビ
アホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電
極と接続するもの、カソード電極と接続するものの３種
類の深さがあるのでレーザのパルス数で制御し、最適な
深さを開口する。その後、保護層を配線上に形成し、画
像表示装置のパネルは完成する。このときの保護層は図
２２の絶縁層５９と同様、透明エポキシ接着剤などの材
料が使用できる。この保護層は加熱硬化し配線を完全に
覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを
接続して駆動パネルを製作することになる。FIG. 26 is a diagram showing a wiring forming process. Openings 65, 66, 67, 68, 69, 70 in the insulating layer 59
Is a diagram in which the wirings 63, 64 and 71 for connecting the anode and cathode electrode pads of the light emitting diodes 42, 61 and 62 and the wiring electrode layer 57 of the second substrate 60 are formed. The openings, that is, the via holes, formed at this time are the electrode pads 46 of the light emitting diodes 42, 61 and 62,
Since the area of 49 is large, the shape of the via hole is large, and the positional accuracy of the via hole can be formed with a coarser accuracy than the via hole formed directly in each light emitting diode. The via holes at this time are about 60 μm square electrode pads 46, 4
With respect to 9, it is possible to form a film having a diameter of about 20 μm. Further, the depth of the via hole has three kinds of depth, one for connecting to the wiring substrate, one for connecting to the anode electrode, and one for connecting to the cathode electrode. Therefore, it is controlled by the number of laser pulses to open the optimum depth. . After that, a protective layer is formed on the wiring to complete the panel of the image display device. A material such as a transparent epoxy adhesive can be used for the protective layer at this time, as in the insulating layer 59 of FIG. This protective layer is heat-cured to completely cover the wiring. After that, the driver IC is connected from the wiring at the end of the panel to manufacture the drive panel.

【０１４６】上述のような発光素子の配列方法において
は、第一の一時保持用部材４３に発光ダイオード４２を
保持させた時点で既に、素子間の距離が大きくされ、そ
の広がった間隔を利用して比較的サイズの電極パッド４
６、４９などを設けることが可能となる。それら比較的
サイズの大きな電極パッド４６、４９を利用した配線が
行われるために、素子サイズに比較して最終的な装置の
サイズが著しく大きな場合であっても容易に配線を形成
できる。In the method for arranging the light emitting elements as described above, the distance between the elements is already increased when the light emitting diodes 42 are held by the first temporary holding member 43, and the widened distance is used. And relatively large electrode pad 4
6, 49, etc. can be provided. Wiring is performed using the electrode pads 46 and 49 having a relatively large size, so that the wiring can be easily formed even when the size of the final device is significantly larger than the element size.

【０１４７】また、本例の発光素子の配列方法では、発
光素子の周囲が硬化した接着剤層４５で被覆され平坦化
によって精度良く電極パッド４６，４９を形成できる。
また、発光ダイオード４２の第一の一時保持用部材４３
への転写には、ＧａＮ系材料がサファイヤとの界面で金
属のＧａと窒素に分解することを利用して、比較的簡単
に剥離でき、確実に転写される。Further, according to the method of arranging the light emitting elements of this example, the electrode pads 46 and 49 can be accurately formed by covering the periphery of the light emitting elements with the hardened adhesive layer 45 and planarizing.
In addition, the first temporary holding member 43 of the light emitting diode 42
For transfer to, the fact that the GaN-based material decomposes into Ga and nitrogen of the metal at the interface with sapphire can be peeled off relatively easily, and transferred reliably.

【０１４８】さらに、発光ダイオード４２の第二基板へ
の転写（第二転写工程）では、発光ダイオード４２を真
空吸着ヘッド８１に取り出す際に、真空吸着ヘッド８１
内に内蔵した光源８２より樹脂形成チップに光を照射す
ることにより形成された、光学パターンと真空吸着ヘッ
ド８１の像とをＣＣＤカメラ８３で撮像し、画像処理装
置により画像処理し、お互いの位置関係を比較すること
により、樹脂形成チップと真空吸着ヘッド８１とが所定
の位置関係にあるか否かを判断する。そして、樹脂形成
チップと真空吸着ヘッド８１とが所定の位置関係にない
場合は、樹脂形成チップの位置を所定の位置に調整した
後、発光ダイオード４２を吸引、保持する。これによ
り、発光ダイオード４２を所定の位置に精度良く位置決
めをすることができ、正常な状態で発光ダイオード４２
を真空吸着ヘッド８１に取り出すことが可能である。Further, in the transfer of the light emitting diode 42 to the second substrate (second transfer step), when the light emitting diode 42 is taken out to the vacuum suction head 81, the vacuum suction head 81 is used.
A CCD camera 83 captures an optical pattern and an image of the vacuum suction head 81, which are formed by irradiating the resin-formed chip with light from a light source 82 incorporated therein, and performs image processing by an image processing device to position each other. By comparing the relationships, it is determined whether or not the resin-formed chip and the vacuum suction head 81 have a predetermined positional relationship. If the resin-formed chip and the vacuum suction head 81 are not in a predetermined positional relationship, the position of the resin-formed chip is adjusted to a predetermined position, and then the light emitting diode 42 is sucked and held. As a result, the light emitting diode 42 can be accurately positioned at a predetermined position, and the light emitting diode 42 can be normally positioned.
Can be taken out to the vacuum suction head 81.

【０１４９】[0149]

【発明の効果】本発明に係る素子の位置決め方法は、取
り出しヘッドを用いて素子を取り出す際の上記素子の位
置決め方法であって、内部に光源を有するとともに当該
内部に貫通する孔を有する取り出しヘッドを用い、上記
光源により上記孔を通して上記素子に照射光を照射して
光学パターンを形成する工程と、上記光学パターンを撮
像手段により撮像する工程と、上記撮像手段における撮
像結果を画像処理手段により処理する工程と、上記画像
処理手段における処理結果に基づいて上記素子の位置決
めを行う工程とを備えるものである。The element positioning method according to the present invention is a method for positioning the element when the element is taken out by using the take-out head, which has a light source inside and a hole penetrating therethrough. The step of irradiating the element with irradiation light from the light source through the hole to form an optical pattern, the step of capturing an image of the optical pattern by an image capturing unit, and the image processing unit processing an image capturing result of the image capturing unit. And a step of positioning the element based on the processing result of the image processing means.

【０１５０】以上のような本発明に係る素子の位置決め
方法では、素子の位置を確実に把握することが可能とさ
れるため、取り出しヘッドに対して精度良く、正確に素
子の位置決めを行うことが可能となる。In the element positioning method according to the present invention as described above, the position of the element can be surely grasped, so that the element can be positioned accurately and accurately with respect to the take-out head. It will be possible.

【０１５１】また、本発明に係る素子の取り出し方法
は、取り出しヘッドを用いて素子を取り出す素子の取り
出し方法であって、内部に光源を有するとともに当該内
部に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上
記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を照
射して光学パターンを形成する工程と、上記光学パター
ンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段にお
ける撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、上
記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子の
位置決めを行う工程と、上記素子の位置決めを行った後
に上記素子を吸着保持する工程とを備えるものである。The method of taking out an element according to the present invention is a method of taking out an element by using a take-out head, which uses a take-out head having a light source inside and a suction hole penetrating therethrough. A step of irradiating the element with irradiation light through the suction hole by the light source to form an optical pattern; a step of capturing an image of the optical pattern by an image capturing means; and an image processing means processing an image capturing result of the image capturing means. The method further comprises a step, a step of positioning the element based on a processing result in the image processing means, and a step of sucking and holding the element after positioning the element.

【０１５２】以上のような本発明に係る素子の取り出し
方法では、上述した素子の位置決め方法により素子を位
置決めした後に素子を吸着するため、素子を正しい位置
に吸着保持することができ、精度良く素子を取り出すこ
とができる。In the above-described element take-out method according to the present invention, since the element is adsorbed after the element is positioned by the above-described element positioning method, the element can be adsorbed and held in a correct position, and the element can be accurately held. Can be taken out.

【０１５３】また、本発明に係る素子の転写方法は、第
一の基板上に配列された素子を第二の基板上に転写する
素子の転写方法であって、上記素子を取り出しヘッドに
移す取り出し工程と、上記取り出しヘッドに取り出され
た上記素子を上記第二の基板上に実装する実装工程とを
有し、上記取り出し工程は、内部に光源を有するととも
に当該内部に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを
用い、上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照
射光を照射して光学パターンを形成する工程と、上記光
学パターンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像
手段における撮像結果を画像処理手段により処理する工
程と、上記画像処理手段における処理結果に基づいて上
記素子の位置決めを行う工程と、上記素子の位置決めを
行った後に上記素子を吸着保持する工程とを備えるもの
である。Further, the element transfer method according to the present invention is an element transfer method for transferring the elements arranged on the first substrate onto the second substrate. And a mounting step of mounting the element taken out by the take-out head on the second substrate. The taking-out step has a light source inside and a suction hole penetrating therethrough. Using a head, irradiating the element with irradiation light from the light source through the suction hole to form an optical pattern, a step of capturing an image of the optical pattern by an image capturing unit, and an image processing unit configured to capture an image captured by the image capturing unit. And the step of positioning the element based on the processing result in the image processing means, and the step of positioning the element after positioning the element. The in which and a step of holding suction.

【０１５４】以上のような本発明に係る素子の転写方法
は、上述した素子の位置決め方法及び素子の取り出し方
法を用いて素子の転写を行うため、素子の位置ずれを防
止することが可能とされ、素子の転写を正確に行うこと
ができる。In the device transfer method according to the present invention as described above, since the device transfer is performed by using the above-mentioned device positioning method and device take-out method, it is possible to prevent the device from being displaced. The element can be transferred accurately.

【０１５５】また、本発明に係る素子の配列方法は、第
一の基板上に配列された複数の素子を第二の基板上に再
配列する素子の配列方法において、上記第一の基板上で
上記素子が配列された状態よりは離間した状態となるよ
うに上記素子を転写して第一の一時保持用部材に該素子
を保持させる第一転写工程と、上記第一の一時保持用部
材に保持された上記素子を樹脂で固める工程と、上記樹
脂をダイシングして素子毎に分離する工程と、上記第一
の一時保持用部材に保持され樹脂で固められた上記素子
をさらに離間して上記第二の基板上に転写する第二転写
工程とを有し、上記第二転写工程は、上記素子を取り出
しヘッドに移す取り出し工程と、上記取り出しヘッドに
取り出された上記素子を上記第二の基板上に実装する実
装工程とを有し、上記取り出し工程が、内部に光源を有
するとともに当該内部に貫通する吸引孔を有する取り出
しヘッドを用い、上記光源により上記吸引孔を通して上
記素子に照射光を照射して光学パターンを形成する工程
と、上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程
と、上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段によ
り処理する工程と、上記画像処理手段における処理結果
に基づいて上記素子の位置決めを行う工程と、上記素子
の位置決めを行った後に上記素子を吸着保持する工程と
を備えるものである。Further, the element arranging method according to the present invention is the element arranging method of rearranging a plurality of elements arranged on the first substrate on the second substrate. A first transfer step of transferring the elements so that the elements are separated from the arrayed state and holding the elements in the first temporary holding member, and in the first temporary holding member A step of hardening the held element with a resin, a step of dicing the resin to separate the elements, and further separating the element held by the first temporary holding member and hardened with the resin A second transfer step of transferring onto the second substrate, wherein the second transfer step transfers the element to a take-out head, and the element taken out by the take-out head to the second substrate. Has a mounting process to be mounted on the The step of forming the optical pattern by irradiating the element with irradiation light through the suction hole by the light source, wherein the extraction step includes the extraction head having a light source inside and a suction hole penetrating therethrough, and A step of capturing an optical pattern by an image capturing means, a step of processing an image capturing result by the image capturing means by an image processing means, a step of positioning the element based on a processing result by the image processing means, and a step of positioning the element And a step of adsorbing and holding the above element after performing.

【０１５６】以上のような本発明に係る素子の配列方法
では、上記転写方法を用いることにより素子の転写が効
率的且つ確実に行うことができるので、素子間の距離を
大きくする拡大転写を円滑に実施することができる。In the element arranging method according to the present invention as described above, the transfer of the elements can be performed efficiently and reliably by using the above-mentioned transfer method, so that the enlarged transfer for increasing the distance between the elements can be performed smoothly. Can be carried out.

【０１５７】そして、本発明に係る画像表示装置の製造
方法は、発光素子をマトリクス状に配置した画像表示装
置の製造方法において、上記第一の基板上で上記発光素
子が配列された状態よりは離間した状態となるように上
記発光素子を転写して第一の一時保持用部材に該発光素
子を保持させる第一転写工程と、上記第一の一時保持用
部材に保持された上記発光素子を樹脂で固める工程と、
上記樹脂をダイシングして発光素子毎に分離する工程
と、上記第一の一時保持用部材に保持され樹脂で固めら
れた上記発光素子をさらに離間して上記第二の基板上に
転写する第二転写工程とを有し、上記第二転写工程は、
上記発光素子を取り出しヘッドに移す取り出し工程と、
上記取り出しヘッドに取り出された上記発光素子を上記
第二の基板上に実装する実装工程とを有し、上記取り出
し工程が、内部に光源を有するとともに当該内部に貫通
する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、上記光源に
より上記吸引孔を通して上記発光素子に照射光を照射し
て光学パターンを形成する工程と、上記光学パターンを
撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段における
撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、上記画
像処理手段における処理結果に基づいて上記発光素子の
位置決めを行う工程と、上記発光素子の位置決めを行っ
た後に上記発光素子を吸着保持する工程とを備えるもの
である。According to the method of manufacturing an image display device of the present invention, in the method of manufacturing an image display device in which the light emitting elements are arranged in a matrix, it is preferable that the light emitting elements are arranged on the first substrate. A first transfer step of transferring the light emitting element so as to be in a separated state and holding the light emitting element on the first temporary holding member; and the light emitting element held on the first temporary holding member. A step of hardening with resin,
A step of dicing the resin into individual light emitting elements, and a step of further separating the light emitting elements held by the first temporary holding member and solidified with the resin and transferring them onto the second substrate And a transfer step, the second transfer step,
A take-out step of moving the light emitting element to a take-out head,
A mounting step of mounting the light emitting element taken out to the take-out head on the second substrate, wherein the take-out step has a take-out head having a light source inside and a suction hole penetrating therethrough. Using the light source to irradiate the light emitting element with irradiation light through the suction hole to form an optical pattern; the step of capturing an image of the optical pattern by image capturing means; and the image processing result of the image capturing means in the image capturing means. The method includes a processing step, a step of positioning the light emitting element based on a processing result in the image processing means, and a step of sucking and holding the light emitting element after positioning the light emitting element.

【０１５８】以上のような本発明に係る画像表示装置の
製造方法によれば、密な状態すなわち集積度を高くして
微細加工を施して作成された発光素子を、上記素子の位
置決め方法、素子の取り出し方法、素子の転写方法及び
素子の配列方法を応用して正確に離間して再配置するこ
とができ、したがって精度の高い画像表示装置を生産性
良く製造することが可能である。According to the method of manufacturing an image display device of the present invention as described above, a light emitting element formed in a dense state, that is, by performing fine processing with a high degree of integration, is used as a method for positioning the element, an element. It is possible to accurately relocate and rearrange them by applying the method of taking out, the method of transferring the elements, and the method of arranging the elements, and thus it is possible to manufacture an image display device with high accuracy with high productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取
り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図で
ある。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process in a device positioning method and a device extracting method according to the present invention.

【図２】樹脂形成チップの概略斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view of a resin-formed chip.

【図３】樹脂形成チップの概略平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view of a resin-formed chip.

【図４】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取
り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図で
ある。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process in a device positioning method and a device extracting method according to the present invention.

【図５】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取
り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図で
ある。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process in a device positioning method and a device extracting method according to the present invention.

【図６】正常な樹脂形成チップの概略平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view of a normal resin-formed chip.

【図７】ダイシング不良が生じた正常な樹脂形成チップ
の概略平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view of a normal resin-formed chip having a dicing defect.

【図８】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取
り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図で
ある。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process in a device positioning method and a device extracting method according to the present invention.

【図９】真空吸着ヘッドの概略断面図である。FIG. 9 is a schematic sectional view of a vacuum suction head.

【図１０】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の
取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図
である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process in a device positioning method and a device extracting method according to the present invention.

【図１１】発明に係る素子の位置決め方法及び素子の取
り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図で
ある。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process in a device positioning method and a device extracting method according to the invention.

【図１２】本発明に係る素子の位置決め方法及び素子の
取り出し方法におけるプロセスの一例を示す概略断面図
である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing an example of a process in a device positioning method and a device extracting method according to the present invention.

【図１３】本発明を適用し、複数の吸引孔を備えて構成
された真空吸着ヘッドの一例を示す概略斜視図である。FIG. 13 is a schematic perspective view showing an example of a vacuum suction head to which the present invention is applied and which is provided with a plurality of suction holes.

【図１４】素子の配列方法を示す模式図である。FIG. 14 is a schematic view showing a method of arranging elements.

【図１５】樹脂形成チップの概略斜視図である。FIG. 15 is a schematic perspective view of a resin-formed chip.

【図１６】樹脂形成チップの概略平面図である。FIG. 16 is a schematic plan view of a resin-formed chip.

【図１７】発光素子の一例を示す図であって、（ａ）は
断面図、（ｂ）は平面図である。FIG. 17 is a diagram showing an example of a light emitting element, in which (a) is a sectional view and (b) is a plan view.

【図１８】第１転写工程を示す概略断面図である。FIG. 18 is a schematic sectional view showing a first transfer step.

【図１９】電極パッド形成工程を示す概略断面図であ
る。FIG. 19 is a schematic cross-sectional view showing an electrode pad forming step.

【図２０】第２の一時保持用部材への転写後の電極パッ
ド形成工程を示す概略断面図である。FIG. 20 is a schematic cross-sectional view showing the electrode pad forming step after the transfer to the second temporary holding member.

【図２１】第２転写工程を示す概略断面図である。FIG. 21 is a schematic sectional view showing a second transfer step.

【図２２】第２転写工程を示す概略断面図である。FIG. 22 is a schematic sectional view showing a second transfer step.

【図２３】第２転写工程を示す概略断面図である。FIG. 23 is a schematic cross-sectional view showing a second transfer step.

【図２４】第２転写工程を示す概略断面図である。FIG. 24 is a schematic sectional view showing a second transfer step.

【図２５】絶縁層の形成工程を示す概略断面図である。FIG. 25 is a schematic cross-sectional view showing the step of forming an insulating layer.

【図２６】配線形成工程を示す概略断面図である。FIG. 26 is a schematic sectional view showing a wiring forming step.

【図２７】従来の素子の転写方法を示す概略断面図であ
る。FIG. 27 is a schematic cross-sectional view showing a conventional device transfer method.

【図２８】従来の素子の位置決め方法を示す概略構成図
である。FIG. 28 is a schematic configuration diagram showing a conventional element positioning method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ベース基板 ２ 接着層 ３ 樹脂形成チップ ４ 真空吸着ヘッド ５ ＣＣＤカメラ ６ ＸＹステージ ７ 吸引孔 ８ 光源 1 base board 2 Adhesive layer 3 resin-formed chips 4 Vacuum suction head 5 CCD camera 6 XY stage 7 suction holes 8 light sources

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA13 CA17 FA02 FA07 GA22 GA23 GA25 JA04 JA05 JA06 JA37 KA06 MA34 MA35 MA38 5F041 AA37 CA40 DA13 DA82 DB08 FF06 5F046 DB11 FC03 FC04    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 5F031 CA02 CA13 CA17 FA02 FA07                       GA22 GA23 GA25 JA04 JA05                       JA06 JA37 KA06 MA34 MA35                       MA38                 5F041 AA37 CA40 DA13 DA82 DB08                       FF06                 5F046 DB11 FC03 FC04

Claims (26)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 取り出しヘッドを用いて素子を取り出す
際の上記素子の位置決め方法であって、 内部に光源を有するとともに当該内部に貫通する孔を有
する取り出しヘッドを用い、 上記光源により上記孔を通して上記素子に照射光を照射
して光学パターンを形成する工程と、 上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、 上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処
理する工程と、 上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子
の位置決めを行う工程とを備えることを特徴とする素子
の位置決め方法。1. A method of positioning an element when an element is taken out using a take-out head, wherein a take-out head having a light source inside and a hole penetrating therethrough is used, and the light source passes through the hole. A step of irradiating an element with irradiation light to form an optical pattern; a step of imaging the optical pattern with an image capturing means; a step of processing an image capturing result of the image capturing means with an image processing means; and a process of the image processing means And a step of positioning the element based on the result, the element positioning method. 【請求項２】 上記撮像手段を上記素子に対して上記取
り出しヘッドと反対側に配することを特徴とする請求項
１記載の素子の位置決め方法。2. The element positioning method according to claim 1, wherein said image pickup means is arranged on the side opposite to said take-out head with respect to said element. 【請求項３】 上記光学パターンは、上記素子の上記取
り出しヘッドに対向する主面の外周部に上記照射光が照
射されて生じた散乱光により形成されることを特徴とす
る請求項１記載の素子の位置決め方法。3. The optical pattern according to claim 1, wherein the optical pattern is formed by scattered light generated by irradiating the outer peripheral portion of a main surface of the element facing the extraction head with the irradiation light. Element positioning method. 【請求項４】 上記光学パターンは、上記照射光が上記
素子を透過した透過光により形成されることを特徴とす
る請求項１記載の素子の位置決め方法。4. The element positioning method according to claim 1, wherein the optical pattern is formed by transmitted light that is the irradiation light transmitted through the element. 【請求項５】 上記光学パターンは、上記素子の上記取
り出しヘッドに対向する主面の外周部に上記照射光が照
射されて生じた散乱光と、上記照射光が上記素子を透過
した透過光とにより形成されることを特徴とする請求項
１記載の素子の位置決め方法。5. The optical pattern includes scattered light generated by irradiating the outer peripheral portion of a main surface of the element facing the extraction head with the irradiation light, and transmitted light obtained by the irradiation light passing through the element. The element positioning method according to claim 1, which is formed by: 【請求項６】 撮像手段を上記素子に対して上記取り出
しヘッドと同じ側に配することを特徴とする請求項１記
載の素子の位置決め方法。6. The element positioning method according to claim 1, wherein the image pickup means is arranged on the same side as the take-out head with respect to the element. 【請求項７】 上記光学パターンは、上記照射光が上記
素子で反射した反射光により形成されることを特徴とす
る請求項１記載の素子の位置決め方法。7. The element positioning method according to claim 1, wherein the optical pattern is formed by reflected light obtained by reflecting the irradiation light on the element. 【請求項８】 上記素子は、絶縁性物質に埋め込まれて
いることを特徴とする請求項１記載の素子の位置決め方
法。8. The element positioning method according to claim 1, wherein the element is embedded in an insulating material. 【請求項９】 上記絶縁性物質は、光透過性を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の素子の位置決め方法。9. The element positioning method according to claim 1, wherein the insulating material has a light-transmitting property. 【請求項１０】 上記素子は、アクティブ素子であるこ
とを特徴とする請求項１記載の素子の位置決め方法。10. The element positioning method according to claim 1, wherein the element is an active element. 【請求項１１】 取り出しヘッドを用いて素子を取り出
す素子の取り出し方法であって、 内部に光源を有するとともに当該内部に貫通する吸引孔
を有する取り出しヘッドを用い、 上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を
照射して光学パターンを形成する工程と、 上記光学パターンを撮像手段により撮像する工程と、 上記撮像手段における撮像結果を画像処理手段により処
理する工程と、 上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子
の位置決めを行う工程と、 上記素子の位置決めを行った後に上記素子を吸着保持す
る工程とを備えることを特徴とする素子の取り出し方
法。11. A method of taking out an element by using a take-out head, wherein a take-out head having a light source inside and a suction hole penetrating therethrough is used, and the element is passed through the suction hole by the light source. Forming an optical pattern by irradiating the optical pattern with an irradiating light, a step of imaging the optical pattern with an image capturing means, a step of processing an image capturing result of the image capturing means with an image processing means, and a processing result of the image processing means A method for taking out an element, comprising: a step of positioning the element based on the above; and a step of adsorbing and holding the element after positioning the element. 【請求項１２】 上記撮像手段を上記素子に対して上記
取り出しヘッドと反対側に配することを特徴とする請求
項１１記載の素子の取り出し方法。12. The method of extracting an element according to claim 11, wherein the imaging means is arranged on the side opposite to the extraction head with respect to the element. 【請求項１３】 上記光学パターンは、上記素子の上記
取り出しヘッドに対向する主面の外周部に上記照射光が
照射されて生じた散乱光により形成されることを特徴と
する請求項１１記載の素子の取り出し方法。13. The optical pattern according to claim 11, wherein the optical pattern is formed by scattered light generated by the irradiation of the irradiation light on the outer peripheral portion of the main surface of the element facing the extraction head. How to take out the device. 【請求項１４】 上記光学パターンは、上記照射光が上
記素子を透過した透過光により形成されることを特徴と
する請求項１１記載の素子の取り出し方法。14. The method of extracting an element according to claim 11, wherein the optical pattern is formed by transmitted light in which the irradiation light is transmitted through the element. 【請求項１５】 上記光学パターンは、上記素子の上記
取り出しヘッドに対向する主面の外周部に上記照射光が
照射されて生じた散乱光と、上記照射光が上記素子を透
過した透過光とにより形成されることを特徴とする請求
項１１記載の素子の取り出し方法。15. The optical pattern includes scattered light generated by irradiating the outer peripheral portion of a main surface of the element facing the extraction head with the irradiation light, and transmitted light obtained by transmitting the irradiation light through the element. The method for extracting an element according to claim 11, wherein the element is formed by: 【請求項１６】 撮像手段を上記素子に対して上記取り
出しヘッドと同じ側に配することを特徴とする請求項１
１記載の素子の取り出し方法。16. The image pickup means is arranged on the same side as the pickup head with respect to the device.
1. The method for taking out the device according to 1. 【請求項１７】 上記光学パターンは、上記照射光が上
記素子で反射した反射光により形成されることを特徴と
する請求項１１記載の素子の取り出し方法。17. The method of extracting an element according to claim 11, wherein the optical pattern is formed by reflected light obtained by reflecting the irradiation light on the element. 【請求項１８】 上記素子は、絶縁性物質に埋め込まれ
ていることを特徴とする請求項１１記載の素子の取り出
し方法。18. The method of extracting an element according to claim 11, wherein the element is embedded in an insulating material. 【請求項１９】 上記絶縁性物質は、光透過性を有する
ことを特徴とする請求項１１記載の素子の取り出し方
法。19. The method for extracting an element according to claim 11, wherein the insulating material has a light-transmitting property. 【請求項２０】 上記素子は、アクティブ素子であるこ
とを特徴とする請求項１１記載の素子の取り出し方法。20. The element extracting method according to claim 11, wherein the element is an active element. 【請求項２１】 第一の基板上に配列された素子を第二
の基板上に転写する素子の転写方法であって、 上記素子を取り出しヘッドに移す取り出し工程と、上記
取り出しヘッドに取り出された上記素子を上記第二の基
板上に実装する実装工程とを有し、 上記取り出し工程は、内部に光源を有するとともに当該
内部に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、
上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を
照射して光学パターンを形成する工程と、上記光学パタ
ーンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段に
おける撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、
上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子
の位置決めを行う工程と、上記素子の位置決めを行った
後に上記素子を吸着保持する工程とを備えることを特徴
とする素子の転写方法。21. A device transfer method for transferring devices arranged on a first substrate onto a second substrate, the process comprising: transferring the devices to a removal head; and removing the devices to the removal head. And a mounting step of mounting the element on the second substrate, wherein the taking-out step uses a taking-out head having a light source inside and a suction hole penetrating therethrough,
A step of irradiating the element with irradiation light through the suction hole by the light source to form an optical pattern, a step of capturing an image of the optical pattern by an image capturing means, and a step of processing an image capturing result of the image capturing means by an image processing means. When,
A method of transferring an element, comprising: a step of positioning the element based on a processing result in the image processing means; and a step of holding the element by suction after the positioning of the element. 【請求項２２】 第一の基板上に配列された複数の素子
を第二の基板上に再配列する素子の配列方法において、 上記第一の基板上で上記素子が配列された状態よりは離
間した状態となるように上記素子を転写して第一の一時
保持用部材に該素子を保持させる第一転写工程と、上記
第一の一時保持用部材に保持された上記素子を樹脂で固
める工程と、上記樹脂をダイシングして素子毎に分離す
る工程と、上記第一の一時保持用部材に保持され樹脂で
固められた上記素子をさらに離間して上記第二の基板上
に転写する第二転写工程とを有し、 上記第二転写工程は、上記素子を取り出しヘッドに移す
取り出し工程と、上記取り出しヘッドに取り出された上
記素子を上記第二の基板上に実装する実装工程とを有
し、 上記取り出し工程が、内部に光源を有するとともに当該
内部に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、
上記光源により上記吸引孔を通して上記素子に照射光を
照射して光学パターンを形成する工程と、上記光学パタ
ーンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手段に
おける撮像結果を画像処理手段により処理する工程と、
上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記素子
の位置決めを行う工程と、上記素子の位置決めを行った
後に上記素子を吸着保持する工程とを備えることを特徴
とする素子の配列方法。22. An element arranging method for rearranging a plurality of elements arranged on a first substrate on a second substrate, wherein the elements are spaced apart from the state in which the elements are arranged on the first substrate. Transferring the element so as to be in the state described above and holding the element on the first temporary holding member, and a step of hardening the element held on the first temporary holding member with resin. And a step of dicing the resin to separate each element, and a step of further separating the element held by the first temporary holding member and hardened with the resin and transferring the element onto the second substrate. A transfer step, and the second transfer step includes a take-out step of transferring the element to a take-out head, and a mounting step of mounting the element taken out by the take-out head on the second substrate. , The above-mentioned take-out step is performed with the light source inside. Using a take-out head having a suction hole that penetrates the inside,
A step of irradiating the element with irradiation light through the suction hole by the light source to form an optical pattern, a step of capturing an image of the optical pattern by an image capturing means, and a step of processing an image capturing result of the image capturing means by an image processing means. When,
An element arranging method comprising: a step of positioning the elements based on a processing result in the image processing means; and a step of holding the elements by suction after positioning the elements. 【請求項２３】 上記第一転写工程で離間させる距離が
上記第一の基板上に配列された素子のピッチの略整数倍
になっており且つ上記第二転写工程で離間させる距離が
上記第一転写工程で上記一時保持用部材に配列させた素
子のピッチの略整数倍になっていることを特徴とする請
求項２２記載の素子の配列方法。23. The distance separated in the first transfer step is approximately an integer multiple of the pitch of the elements arranged on the first substrate, and the distance separated in the second transfer step is the first distance. 23. The element arranging method according to claim 22, wherein the pitch is substantially an integral multiple of the pitch of the elements arranged on the temporary holding member in the transfer step. 【請求項２４】 上記素子は窒化物半導体を用いた半導
体素子であることを特徴とする請求項２２記載の素子の
配列方法。24. The device arranging method according to claim 22, wherein the device is a semiconductor device using a nitride semiconductor. 【請求項２５】 上記素子は発光素子、液晶制御素子、
光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜
ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁
気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部
分であることを特徴とする請求項２２記載の素子の配列
方法。25. The element is a light emitting element, a liquid crystal control element,
23. An array of elements according to claim 22, which is an element selected from a photoelectric conversion element, a piezoelectric element, a thin film transistor element, a thin film diode element, a resistance element, a switching element, a micro magnetic element, and a micro optical element, or a portion thereof. Method. 【請求項２６】 発光素子をマトリクス状に配置した画
像表示装置の製造方法において、 上記第一の基板上で上記発光素子が配列された状態より
は離間した状態となるように上記発光素子を転写して第
一の一時保持用部材に該発光素子を保持させる第一転写
工程と、上記第一の一時保持用部材に保持された上記発
光素子を樹脂で固める工程と、上記樹脂をダイシングし
て発光素子毎に分離する工程と、上記第一の一時保持用
部材に保持され樹脂で固められた上記発光素子をさらに
離間して上記第二の基板上に転写する第二転写工程とを
有し、 上記第二転写工程は、上記発光素子を取り出しヘッドに
移す取り出し工程と、上記取り出しヘッドに取り出され
た上記発光素子を上記第二の基板上に実装する実装工程
とを有し、 上記取り出し工程が、内部に光源を有するとともに当該
内部に貫通する吸引孔を有する取り出しヘッドを用い、
上記光源により上記吸引孔を通して上記発光素子に照射
光を照射して光学パターンを形成する工程と、上記光学
パターンを撮像手段により撮像する工程と、上記撮像手
段における撮像結果を画像処理手段により処理する工程
と、上記画像処理手段における処理結果に基づいて上記
発光素子の位置決めを行う工程と、上記発光素子の位置
決めを行った後に上記発光素子を吸着保持する工程とを
備えることを特徴とする画像表示装置の製造方法。26. A method of manufacturing an image display device in which light emitting elements are arranged in a matrix, wherein the light emitting elements are transferred so that the light emitting elements are spaced apart from the arrayed state of the light emitting elements on the first substrate. Then, a first transfer step of holding the light emitting element on the first temporary holding member, a step of hardening the light emitting element held on the first temporary holding member with a resin, and dicing the resin. And a second transfer step of separating the light-emitting elements for each light-emitting element and transferring the light-emitting element held by the first temporary holding member and fixed by the resin to the second substrate while further separating the light-emitting elements. The second transfer step includes a take-out step of transferring the light-emitting element to a take-out head and a mounting step of mounting the light-emitting element taken out by the take-out head on the second substrate. But, Using a take-out head having a light source inside and a suction hole penetrating therethrough,
A step of irradiating the light emitting element with irradiation light through the suction hole by the light source to form an optical pattern, a step of capturing an image of the optical pattern by an image capturing unit, and an image processing unit processing an image capturing result of the image capturing unit. An image display comprising: a step, a step of positioning the light emitting element based on a processing result in the image processing means, and a step of sucking and holding the light emitting element after the positioning of the light emitting element. Device manufacturing method.
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