JP2003218402A - Element arranging method and method of manufacturing image display device - Google Patents

Element arranging method and method of manufacturing image display device

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JP2003218402A
JP2003218402A JP2002009251A JP2002009251A JP2003218402A JP 2003218402 A JP2003218402 A JP 2003218402A JP 2002009251 A JP2002009251 A JP 2002009251A JP 2002009251 A JP2002009251 A JP 2002009251A JP 2003218402 A JP2003218402 A JP 2003218402A
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sheet
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an element arranging method capable of efficiently transferring elements arranged on a first board to a second board through a simpler process and an image display device manufacturing method capable of manufacturing an image display device equipped with superior light emitting regions at a lower cost. <P>SOLUTION: When elements on a first board are transferred onto a second board, the elements are attached to an adhesive sheet composed of a sheet and an adhesive layer formed on it and held, then the elements are selectively separated from the adhesive sheet, transferred onto a second board, and arranged on it, whereby a process can be simplified, the elements can be efficiently arranged on the second board, furthermore the elements can be arranged so as not to interfere with each other, and an image display device equipped with superior light emitting regions can be manufactured at a lower cost. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は素子の配列方法及び
画像表示装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of arranging elements and a method of manufacturing an image display device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、発光素子をマトリクス状に配列し
て画像表示装置に組み上げる場合には、液晶表示装置
（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌ
ａｙ）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａ
ｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）のように基板上に
素子を形成するか、或いは発光素子ディスプレイ（ＬＥ
Ｄディスプレイ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉ
ｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）のように単体のＬＥＤパッケ
ージを配列することが行われている。ＬＣＤ、ＰＤＰの
ような画像表示装置においては、素子や画素のピッチと
その製造プロセスに関し、素子分離ができないために製
造プロセスの当初から各素子はその画像表示装置の画素
ピッチだけ間隔を空けて形成することが通常行われてい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, when light emitting elements are arranged in a matrix and assembled into an image display device, a liquid crystal display device (LCD: Liquid Crystal Display) is used.
ay) and plasma display panel (PDP: Pla)
An element is formed on a substrate like a sma Display Panel, or a light emitting element display (LE) is used.
D display: Light Emitting Di
For example, a single LED package is arranged like an OLED display. In image display devices such as LCDs and PDPs, the elements and pixels are formed with a pitch corresponding to the pixel pitch of the image display device from the beginning of the manufacturing process because it is not possible to separate the elements and the pixel pitch and the manufacturing process thereof. It is usually done.

【０００３】一方、ＬＥＤディスプレイの場合にはＬＥ
Ｄチップをダイシング後に取り出し、個別にワイヤーボ
ンドもしくはフリップチップによるバンプ接続により外
部電極に接続し、パッケージ化されることが行われてい
る。この場合、パッケージ化の前もしくは後に画像表示
装置としての画素ピッチに配列されるが、この画素ピッ
チは素子形成時の素子のピッチとは無関係とされる。On the other hand, in the case of an LED display, LE
D chips are taken out after dicing, individually connected to external electrodes by wire bonding or bump connection by flip chips, and packaged. In this case, the pixels are arranged at a pixel pitch as an image display device before or after packaging, and this pixel pitch is independent of the element pitch at the time of element formation.

【０００４】発光素子であるＬＥＤ（発光素子）は高価
である為、１枚のウエハから数多くのＬＥＤチップを製
造することによりＬＥＤを用いた画像表示装置を低コス
トにできる。すなわち、ＬＥＤチップの大きさを従来約
３００μｍ角のものを数十μｍ角のＬＥＤチップにし
て、それを接続して画像表示装置を製造すれば画像表示
装置の価格を下げることができる。Since an LED (light emitting element) which is a light emitting element is expensive, it is possible to reduce the cost of the image display device using the LED by manufacturing many LED chips from one wafer. That is, the price of the image display device can be reduced by changing the conventional LED chip size of about 300 μm square to an LED chip of several tens μm square and connecting the LED chips to manufacture the image display device.

【０００５】そこで、各素子を集積度高く形成し、各素
子を広い領域に転写などによって離間させながら移動さ
せ、画像表示装置などの比較的大きな表示装置を構成す
る技術がある。このような技術として、例えば、光入出
力素子アレイ装置の製造方法である特開平１１−３０７
８７８がある。Therefore, there is a technique for forming a relatively large display device such as an image display device by forming each device with a high degree of integration and moving each device while separating them over a wide area by transfer or the like. As such a technique, for example, a method of manufacturing an optical input / output element array device is disclosed in JP-A-11-307.
There is 878.

【０００６】特開平１１−３０７８７８においては、光
入出力素子アレイ装置の素子配列の間隔よりも小さな間
隔で光素子を形成した後、光入出力素子アレイ装置の素
子配列の配列間隔に対応した光素子をエポキシ系樹脂な
どの接着剤が塗布された装置基板に選択的に転写配列す
る。このとき、転写基板に転写する際には、転写基板上
に紫外線（ＵＶ）剥離樹脂が光素子を剥離するために形
成されており、ＵＶ剥離樹脂を介して光素子は転写基板
に一時的に転写配列され、この転写基板から装置基板に
光素子は配列される。In Japanese Patent Laid-Open No. 11-307878, after forming optical elements at intervals smaller than the element arrangement of the optical input / output element array device, light corresponding to the arrangement interval of the element arrangement of the optical input / output element array device is formed. The elements are selectively transferred and arrayed on a device substrate coated with an adhesive such as an epoxy resin. At this time, when transferring to the transfer substrate, an ultraviolet (UV) peeling resin is formed on the transfer substrate to peel off the optical element, and the optical element is temporarily transferred to the transfer substrate via the UV peeling resin. Transfer arrangement is performed, and optical elements are arranged from the transfer substrate to the device substrate.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところが、特開平１１
−３０７８７８のように、転写基板に一時的に転写配列
した後に装置基板上に素子を配列させる技術では、転写
基板と装置基板とを張り合わせて素子を転写基板から装
置基板に転写配列する。そのため、各基板から基板へと
素子を転写する際の工程が増加して複雑となり、効率良
く素子を転写することができない。例えば、各基板間を
張り合わせる際の各基板の位置制御が困難であったり、
転写基板や装置基板上に形成された接着剤が基板の周辺
にはみ出して、このはみ出した接着剤を除去するのに生
産工程が増加したりする。However, Japanese Patent Laid-Open No. Hei 11
In a technique such as −307878, in which the elements are arranged on the device substrate after the transfer substrate is temporarily transferred and arranged, the transfer substrate and the device substrate are attached to each other, and the elements are transferred and arranged from the transfer substrate to the device substrate. Therefore, the process of transferring the element from each substrate to the substrate increases and becomes complicated, and the element cannot be transferred efficiently. For example, it is difficult to control the position of each board when bonding each board,
The adhesive formed on the transfer substrate or the device substrate protrudes to the periphery of the substrate, and the production process may be increased to remove the protruding adhesive.

【０００８】また、転写基板としてソーダライムガラス
のような不撓性材料からなる基板を用いるため、転写基
板上の剥離層を介して転写基板上に素子を一時的に転写
配列するといえでも、素子の頂上部が剥離層を越えて転
写基板に至り、素子の結晶にダメージを与えて素子の発
光性を低下させる虞がある。Further, since a substrate made of an inflexible material such as soda lime glass is used as the transfer substrate, even if it can be said that the elements are temporarily transferred and arranged on the transfer substrate via the peeling layer on the transfer substrate, The top may reach the transfer substrate beyond the peeling layer, damage the crystal of the device, and reduce the light emitting property of the device.

【０００９】さらに、半導体層を形成した後に半導体層
を各素子に分離する際にエキシマレーザなどのレーザ光
により素子毎に分離する場合、レーザ光を照射して各素
子に分離した分離箇所にテーパが付くため、素子の形状
が所望の形状より大きくなる。そのため、素子を配列す
る際に隣の素子同士が干渉して設計通りに素子を配列す
るのが困難となり、例えば発光素子を配列する画像表示
装置や表示装置の場合には、素子同士の干渉により発光
領域が設計通りの大きさとならずに画像表示装置や表示
装置の発光効率が低下する。Further, when the semiconductor layer is separated into each element after the semiconductor layer is formed, when each element is separated by a laser beam such as an excimer laser, a laser beam is irradiated to taper the separated portion of each element. Therefore, the shape of the element becomes larger than the desired shape. Therefore, when arranging the elements, it becomes difficult to arrange the elements as designed because adjacent elements interfere with each other.For example, in the case of an image display device or a display device in which light emitting elements are arranged, the elements may interfere with each other. The light emitting region does not have the size as designed, and the light emitting efficiency of the image display device or the display device is reduced.

【００１０】また、装置基板上に素子を配列する際にＹ
ＡＧレーザなどのレーザ光を用いて素子を一つずつ選択
的にピックアップして配列する場合には、ピックアップ
する工程でレーザ光の照射に高い精度が要求され、素子
を装置基板上に簡便に配列することができない。そのた
め、素子を一つずつ選択的にピックアップする工程に要
する時間が増加し、この工程における生産コストが上昇
する。When the elements are arranged on the device substrate, Y
When elements are selectively picked up and arranged one by one using a laser beam such as an AG laser, high precision is required for laser beam irradiation in the pickup step, and the elements can be easily arranged on the device substrate. Can not do it. Therefore, the time required for the step of selectively picking up the elements one by one increases, and the production cost in this step increases.

【００１１】そこで、本発明は、基板上に素子を配列す
る際に、工程を簡便にでき、効率良く素子を配列できる
素子の配列方法、及びそれにともない工程が簡便で、効
率良く、且つ生産コストを低減でき、さらには良好な発
光領域を有する画像表示装置を製造できる画像表示装置
の製造方法を提供することを目的とする。Therefore, according to the present invention, when arranging the elements on the substrate, the steps can be simplified and the elements can be arranged efficiently, and the steps associated therewith are simple, efficient, and costly to produce. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an image display device, which is capable of reducing the light emission, and can manufacture an image display device having a favorable light emitting region.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明における素子の配
列方法は、第一基板上に素子を形成する工程と、シート
上に粘着層が形成された粘着シートに前記素子を接着し
た後、前記第一基板の裏面側からの光の照射により前記
素子を前記第一基板から分離して前記粘着シートに前記
素子を保持する工程と、前記接着シートから選択的に離
脱して前記素子を前記第二基板上に配列する工程とを有
することを特徴とする。A method for arranging elements according to the present invention comprises a step of forming elements on a first substrate, and a step of adhering the elements to an adhesive sheet having an adhesive layer formed on the sheet, A step of separating the element from the first substrate by irradiation of light from the back surface side of the first substrate to hold the element on the adhesive sheet; and a step of selectively separating the element from the adhesive sheet to separate the element from the first substrate. And a step of arranging on two substrates.

【００１３】本発明の素子の配列方法では、シート上に
粘着層が形成された粘着シートに素子を接着して粘着シ
ートに素子を保持させるため、各基板間を張り合わせる
際に各基板の位置制御を考慮することなく素子を粘着シ
ートに保持させることができる。また、シート上に形成
された粘着層を介して素子を粘着シートに保持させるた
め、接着剤が基板の周辺にはみ出すようなことなく、は
み出した接着剤を除去する工程を省くことができる。そ
のため、各基板から基板へと素子を転写する際の工程を
低減して簡便にすることができ、効率良く素子を転写す
ることができる。In the element arranging method of the present invention, the elements are adhered to the adhesive sheet having the adhesive layer formed on the sheet to hold the elements on the adhesive sheet. The element can be held on the adhesive sheet without considering the control. Further, since the element is held on the pressure-sensitive adhesive sheet via the pressure-sensitive adhesive layer formed on the sheet, the step of removing the protruding adhesive can be omitted without the adhesive protruding to the periphery of the substrate. Therefore, the step of transferring the element from each substrate to the substrate can be reduced and simplified, and the element can be efficiently transferred.

【００１４】粘着シートに素子を接着して粘着シートに
素子を保持させる際に可撓性材料であるシートを用いる
ため、素子の頂上部が粘着層を越えてシートに至り、素
子の結晶にダメージを与えるのを回避できる。Since a sheet made of a flexible material is used for adhering the element to the adhesive sheet and holding the element on the adhesive sheet, the top of the element crosses the adhesive layer and reaches the sheet, damaging the crystal of the element. Can be avoided.

【００１５】本発明の素子の配列方法では、半導体層を
形成した後に半導体層を各素子に分離する際にダイシン
グや異方性エッチングにより分離するため、各素子に分
離された素子の分離箇所にテーパが付くのを防ぐことが
でき、素子を所望の形状に形成できる。そのため、素子
を配列する際に隣の素子同士が干渉することなく設計通
りに素子を配列できる。In the method of arranging the elements of the present invention, since the semiconductor layers are separated by dicing or anisotropic etching when the semiconductor layers are separated into individual elements after the semiconductor layers are formed, the elements are separated into individual elements. The taper can be prevented and the element can be formed in a desired shape. Therefore, when the elements are arranged, the elements can be arranged as designed without the adjacent elements interfering with each other.

【００１６】また、第二基板上に素子を配列する際に、
粘着シート上にマスクを形成し、選択的に素子を離脱し
て配列するため、素子を一つずつ選択的にピックアップ
して配列することなく、素子を基板上に簡便に配列で
き、工程時間を低減して生産コストの上昇を回避するこ
とができる。When the elements are arranged on the second substrate,
Since a mask is formed on the adhesive sheet and the elements are selectively separated and arranged, the elements can be easily arranged on the substrate without selectively picking up and arranging the elements one by one, and the process time can be reduced. It is possible to reduce the production cost and avoid an increase in production cost.

【００１７】本発明における画像表示装置の製造方法
は、第一基板上に発光素子を形成し、該発光素子をマト
リクス状に配置する画像表示装置の製造方法において、
シート上に粘着層が形成された粘着シートに前記発光素
子を接着した後、前記第一基板の裏面側からの光の照射
により前記発光素子を前記第一基板から分離して前記粘
着シートに前記発光素子を保持する工程と、前記接着シ
ートから選択的に離脱して前記発光素子を前記第二基板
上に配置する工程と、前記各発光素子に接続させる配線
を形成する配線を形成する工程とを有することを特徴と
する。A method of manufacturing an image display device according to the present invention is a method of manufacturing an image display device, wherein light emitting elements are formed on a first substrate and the light emitting elements are arranged in a matrix.
After adhering the light emitting element to an adhesive sheet having an adhesive layer formed on a sheet, the light emitting element is separated from the first substrate by irradiation of light from the back surface side of the first substrate to the adhesive sheet. A step of holding the light emitting element, a step of selectively separating from the adhesive sheet to dispose the light emitting element on the second substrate, and a step of forming a wiring forming a wiring connected to each of the light emitting elements. It is characterized by having.

【００１８】本発明の画像表示装置の製造方法では、シ
ート上に粘着層が形成された粘着シートに素子を接着し
て粘着シートに素子を保持させるため、各基板間を張り
合わせる際に各基板の位置制御を考慮することなく素子
を粘着シートに保持させることができる。また、シート
上に形成された粘着層を介して素子を粘着シートに保持
させるため、接着剤が基板の周辺にはみ出すようなこと
なく、はみ出した接着剤を除去する工程を省くことがで
きる。そのため、各基板から基板へと素子を転写する際
の工程を低減して簡便にすることができ、効率良く素子
を転写して画像表示装置を製造できる。In the method for manufacturing an image display device of the present invention, since the element is adhered to the adhesive sheet having the adhesive layer formed on the sheet and the element is held by the adhesive sheet, each substrate is bonded when the substrates are bonded together. The element can be held on the pressure-sensitive adhesive sheet without considering the position control of. Further, since the element is held on the pressure-sensitive adhesive sheet via the pressure-sensitive adhesive layer formed on the sheet, the step of removing the protruding adhesive can be omitted without the adhesive protruding to the periphery of the substrate. Therefore, it is possible to reduce the number of steps for transferring the element from each substrate to the substrate and simplify the process, and it is possible to manufacture the image display device by efficiently transferring the element.

【００１９】粘着シートに素子を接着して粘着シートに
素子を保持させる際に可撓性材料であるシートを用いる
ため、素子の頂上部が粘着層を越えてシートに至り、素
子の結晶にダメージを与えることなく素子の発光性を低
下させるのを回避でき、良好な画像表示装置を製造でき
る。Since a sheet made of a flexible material is used when the element is adhered to the adhesive sheet to hold the element on the adhesive sheet, the top of the element crosses the adhesive layer and reaches the sheet, damaging the crystal of the element. It is possible to avoid lowering the light emitting property of the element without giving the above, and it is possible to manufacture a good image display device.

【００２０】本発明の画像表示装置の製造方法では、半
導体層を形成した後に半導体層を各素子に分離する際に
ダイシングや異方性エッチングにより分離するため、各
素子に分離された素子の分離箇所にテーパが付くのを防
ぐことができ、素子を所望の形状に形成できる。そのた
め、素子を配列する際に隣の素子同士が干渉することな
く設計通りに素子を配列でき、設計通りの発光領域を有
して良好な発光効率の画像表示装置を製造できる。In the method of manufacturing an image display device of the present invention, since the semiconductor layer is separated by dicing or anisotropic etching when the semiconductor layer is separated into each element after forming the semiconductor layer, the element separated into each element is separated. It is possible to prevent the location from being tapered and to form the element into a desired shape. Therefore, when arranging the elements, it is possible to arrange the elements as designed without the adjacent elements interfering with each other, and it is possible to manufacture an image display device having a light emitting region as designed and having good light emission efficiency.

【００２１】また、第二基板上に素子を配列する際に、
粘着シート上にマスクを形成し、選択的に素子を離脱し
て配列するため、素子を一つずつ選択的にピックアップ
して配列することなく、素子を基板上に簡便に配列で
き、工程時間を低減して生産コストが低コストな画像表
示装置を製造できる。Further, when arranging the elements on the second substrate,
Since a mask is formed on the adhesive sheet and the elements are selectively separated and arranged, the elements can be easily arranged on the substrate without selectively picking up and arranging the elements one by one, and the process time can be reduced. It is possible to manufacture an image display device with reduced production cost and low production cost.

【００２２】本発明における素子の配列方法は、第一基
板上に配列された複数の素子を第二基板上に配列する素
子の配列方法において、シート上に粘着層が形成された
粘着シートに前記素子を接着して前記粘着シートに前記
素子を保持させる工程と、前記粘着シートに保持された
前記素子を選択的に離脱して、前記粘着シート上で前記
素子が保持された状態よりは離間した状態となるよう
に、前記素子を前記第二基板上に配列する工程とを有す
ることを特徴とする。The element arranging method in the present invention is the element arranging method of arranging a plurality of elements arranged on a first substrate on a second substrate, wherein the adhesive sheet having an adhesive layer formed on the sheet is A step of adhering the element to hold the element on the pressure-sensitive adhesive sheet, and selectively separating the element held on the pressure-sensitive adhesive sheet, and separating the element on the pressure-sensitive adhesive sheet from the state in which the element is held. A step of arranging the elements on the second substrate so as to be in a state.

【００２３】本発明の素子の配列方法では、シート上に
粘着層が形成された粘着シートに素子を接着して粘着シ
ートに素子を保持させるため、各基板間を張り合わせる
際に各基板の位置制御を考慮することなく素子を粘着シ
ートに保持させることができる。また、シート上に形成
された粘着層を介して素子を粘着シートに保持させるた
め、接着剤が基板の周辺にはみ出すようなことなく、は
み出した接着剤を除去する工程を省くことができる。そ
のため、各基板から基板へと素子を転写する際の工程を
低減して簡便にすることができ、効率良く素子を転写す
ることができる。In the element arranging method of the present invention, the elements are adhered to the adhesive sheet having the adhesive layer formed on the sheet to hold the elements on the adhesive sheet. The element can be held on the adhesive sheet without considering the control. Further, since the element is held on the pressure-sensitive adhesive sheet via the pressure-sensitive adhesive layer formed on the sheet, the step of removing the protruding adhesive can be omitted without the adhesive protruding to the periphery of the substrate. Therefore, the step of transferring the element from each substrate to the substrate can be reduced and simplified, and the element can be efficiently transferred.

【００２４】粘着シートに素子を接着して粘着シートに
素子を保持させる際に可撓性材料であるシートを用いる
ため、素子の頂上部が粘着層を越えてシートに至り、素
子の結晶にダメージを与えるのを回避できる。Since a sheet made of a flexible material is used for adhering the element to the adhesive sheet and holding the element on the adhesive sheet, the top of the element crosses the adhesive layer and reaches the sheet, damaging the crystal of the element. Can be avoided.

【００２５】本発明の素子の配列方法では、半導体層を
形成した後に半導体層を各素子に分離する際にダイシン
グや異方性エッチングにより分離するため、各素子に分
離された素子の分離箇所にテーパが付くのを防ぐことが
でき、素子を所望の形状に形成できる。そのため、素子
を配列する際に隣の素子同士が干渉することなく設計通
りに素子を配列できる。In the device arranging method of the present invention, since the semiconductor layer is separated by dicing or anisotropic etching when the semiconductor layer is separated into each device after the semiconductor layer is formed, the device is separated into each device. The taper can be prevented and the element can be formed in a desired shape. Therefore, when the elements are arranged, the elements can be arranged as designed without the adjacent elements interfering with each other.

【００２６】また、第二基板上に素子を配列する際に、
粘着シート上にマスクを形成し、選択的に素子を離脱し
て配列するため、素子を一つずつ選択的にピックアップ
して配列することなく、素子を基板上に簡便に配列で
き、工程時間を低減して生産コストの上昇を回避するこ
とができる。When the elements are arranged on the second substrate,
Since a mask is formed on the adhesive sheet and the elements are selectively separated and arranged, the elements can be easily arranged on the substrate without selectively picking up and arranging the elements one by one, and the process time can be reduced. It is possible to reduce the production cost and avoid an increase in production cost.

【００２７】本発明における画像表示装置の製造方法
は、発光素子をマトリクス状に配置した画像表示装置に
おいて、第一基板上に配列された複数の発光素子をシー
ト上に粘着層が形成された粘着シートに接着して該粘着
シートに前記発光素子を保持させる工程と、前記粘着シ
ートに保持された前記発光素子を選択的に離脱して、前
記粘着シート上で前記発光素子が保持された状態よりは
離間した状態となるように、前記発光素子を前記第二基
板上に配置する工程と、前記各発光素子に接続させる配
線を形成する配線を形成する工程とを有することを特徴
とする。According to the method of manufacturing an image display device of the present invention, in the image display device in which the light emitting elements are arranged in a matrix, a plurality of light emitting elements arranged on the first substrate are formed on a sheet by an adhesive layer. A step of adhering to the sheet to hold the light emitting element on the pressure sensitive adhesive sheet; and selectively releasing the light emitting element held on the pressure sensitive adhesive sheet from a state in which the light emitting element is held on the pressure sensitive adhesive sheet. Has a step of disposing the light emitting elements on the second substrate so as to be separated from each other, and a step of forming wirings for forming wirings connected to the respective light emitting elements.

【００２８】本発明の画像表示装置の製造方法では、シ
ート上に粘着層が形成された粘着シートに素子を接着し
て粘着シートに素子を保持させるため、各基板間を張り
合わせる際に各基板の位置制御を考慮することなく素子
を粘着シートに保持させることができる。また、シート
上に形成された粘着層を介して素子を粘着シートに保持
させるため、接着剤が基板の周辺にはみ出すようなこと
なく、はみ出した接着剤を除去する工程を省くことがで
きる。そのため、各基板から基板へと素子を転写する際
の工程を低減して簡便にすることができ、効率良く素子
を転写して画像表示装置を製造できる。In the method for manufacturing an image display device of the present invention, the element is adhered to the adhesive sheet having the adhesive layer formed on the sheet to hold the element on the adhesive sheet. The element can be held on the pressure-sensitive adhesive sheet without considering the position control of. Further, since the element is held on the pressure-sensitive adhesive sheet via the pressure-sensitive adhesive layer formed on the sheet, the step of removing the protruding adhesive can be omitted without the adhesive protruding to the periphery of the substrate. Therefore, it is possible to reduce the number of steps for transferring the element from each substrate to the substrate and simplify the process, and it is possible to manufacture the image display device by efficiently transferring the element.

【００２９】粘着シートに素子を接着して粘着シートに
素子を保持させる際に可撓性材料であるシートを用いる
ため、素子の頂上部が粘着層を越えてシートに至り、素
子の結晶にダメージを与えることなく素子の発光性を低
下させるのを回避でき、良好な画像表示装置を製造でき
る。Since a sheet made of a flexible material is used for adhering the element to the adhesive sheet and holding the element on the adhesive sheet, the top of the element crosses the adhesive layer and reaches the sheet, damaging the crystal of the element. It is possible to avoid lowering the light emitting property of the element without giving the above, and it is possible to manufacture a good image display device.

【００３０】本発明の画像表示装置の製造方法では、半
導体層を形成した後に半導体層を各素子に分離する際に
ダイシングや異方性エッチングにより分離するため、各
素子に分離された素子の分離箇所にテーパが付くのを防
ぐことができ、素子を所望の形状に形成できる。そのた
め、素子を配列する際に隣の素子同士が干渉することな
く設計通りに素子を配列でき、設計通りの発光領域を有
して良好な発光効率の画像表示装置を製造できる。In the method of manufacturing the image display device of the present invention, since the semiconductor layer is separated by dicing or anisotropic etching when the semiconductor layer is separated into each element after the semiconductor layer is formed, the element separated into each element is separated. It is possible to prevent the location from being tapered and to form the element into a desired shape. Therefore, when arranging the elements, it is possible to arrange the elements as designed without the adjacent elements interfering with each other, and it is possible to manufacture an image display device having a light emitting region as designed and having good light emission efficiency.

【００３１】また、第二基板上に素子を配列する際に、
粘着シート上にマスクを形成し、選択的に素子を離脱し
て配列するため、素子を一つずつ選択的にピックアップ
して配列することなく、素子を基板上に簡便に配列で
き、工程時間を低減して生産コストが低コストな画像表
示装置を製造できる。When the elements are arranged on the second substrate,
Since a mask is formed on the adhesive sheet and the elements are selectively separated and arranged, the elements can be easily arranged on the substrate without selectively picking up and arranging the elements one by one, and the process time can be reduced. It is possible to manufacture an image display device with reduced production cost and low production cost.

【００３２】本発明における素子の配列方法は、第一基
板上に配列された複数の素子を第二基板上に配列する素
子の配列方法において、前記第一基板上で前記素子が配
列された状態よりは離間した状態となるように、シート
上に粘着層が形成された粘着シートに前記素子を接着し
て前記粘着シートに前記素子を保持させる工程と、前記
粘着シートに保持された前記素子をさらに離間して前記
第二基板上に転写する工程とを有することを特徴とす
る。The element arranging method in the present invention is the element arranging method of arranging a plurality of elements arranged on a first substrate on a second substrate, wherein the elements are arranged on the first substrate. A step of holding the element on the pressure-sensitive adhesive sheet by adhering the element to the pressure-sensitive adhesive sheet on which a pressure-sensitive adhesive layer is formed on the sheet, and the element held on the pressure-sensitive adhesive sheet. A step of further separating and transferring to the second substrate.

【００３３】本発明の素子の配列方法では、シート上に
粘着層が形成された粘着シートに素子を接着して粘着シ
ートに素子を保持させるため、各基板間を張り合わせる
際に各基板の位置制御を考慮することなく素子を粘着シ
ートに保持させることができる。また、シート上に形成
された粘着層を介して素子を粘着シートに保持させるた
め、接着剤が基板の周辺にはみ出すようなことなく、は
み出した接着剤を除去する工程を省くことができる。そ
のため、各基板から基板へと素子を転写する際の工程を
低減して簡便にすることができ、効率良く素子を転写す
ることができる。In the element arranging method of the present invention, the elements are adhered to the adhesive sheet having the adhesive layer formed on the sheet to hold the elements on the adhesive sheet. The element can be held on the adhesive sheet without considering the control. Further, since the element is held on the pressure-sensitive adhesive sheet via the pressure-sensitive adhesive layer formed on the sheet, the step of removing the protruding adhesive can be omitted without the adhesive protruding to the periphery of the substrate. Therefore, the step of transferring the element from each substrate to the substrate can be reduced and simplified, and the element can be efficiently transferred.

【００３４】粘着シートに素子を接着して粘着シートに
素子を保持させる際に可撓性材料であるシートを用いる
ため、素子の頂上部が粘着層を越えてシートに至り、素
子の結晶にダメージを与えるのを回避できる。Since a sheet made of a flexible material is used when the element is adhered to the adhesive sheet to hold the element on the adhesive sheet, the top of the element crosses the adhesive layer and reaches the sheet, damaging the crystal of the element. Can be avoided.

【００３５】本発明の素子の配列方法では、半導体層を
形成した後に半導体層を各素子に分離する際にダイシン
グや異方性エッチングにより分離するため、各素子に分
離された素子の分離箇所にテーパが付くのを防ぐことが
でき、素子を所望の形状に形成できる。そのため、素子
を配列する際に隣の素子同士が干渉することなく設計通
りに素子を配列できる。In the device arranging method of the present invention, since the semiconductor layer is separated by dicing or anisotropic etching when the semiconductor layer is separated into each device after the semiconductor layer is formed, the device is separated into each device. The taper can be prevented and the element can be formed in a desired shape. Therefore, when the elements are arranged, the elements can be arranged as designed without the adjacent elements interfering with each other.

【００３６】また、第二基板上に素子を配列する際に、
粘着シート上にマスクを形成し、選択的に素子を離脱し
て配列するため、素子を一つずつ選択的にピックアップ
して配列することなく、素子を基板上に簡便に配列で
き、工程時間を低減して生産コストの上昇を回避するこ
とができる。When the elements are arranged on the second substrate,
Since a mask is formed on the adhesive sheet and the elements are selectively separated and arranged, the elements can be easily arranged on the substrate without selectively picking up and arranging the elements one by one, and the process time can be reduced. It is possible to reduce the production cost and avoid an increase in production cost.

【００３７】本発明における画像表示装置の製造方法
は、第一基板上に配列された複数の発光素子を第二基板
上にマトリクス状に配置する画像表示装置の製造方法に
おいて、前記第一基板上で前記発光素子が配列された状
態よりは離間した状態となるように、シート上に粘着層
が形成された粘着シートに前記発光素子を接着して前記
粘着シートに前記発光素子を保持させる工程と、前記粘
着シートに保持された前記発光素子を選択的に離脱し
て、前記粘着シート上に保持された前記発光素子をさら
に離間して前記発光素子を前記第二基板上に配置する工
程と、前記各発光素子に接続させる配線を形成する配線
を形成する工程とを有することを特徴とする。The method of manufacturing an image display device according to the present invention is the method of manufacturing an image display device in which a plurality of light emitting elements arranged on a first substrate are arranged in a matrix on a second substrate. With the step of adhering the light emitting element to an adhesive sheet on which an adhesive layer is formed on the sheet so that the light emitting element is separated from the arrayed state, and holding the light emitting element on the adhesive sheet. A step of selectively releasing the light emitting element held by the adhesive sheet, further separating the light emitting element held by the adhesive sheet, and disposing the light emitting element on the second substrate, And a step of forming a wiring for connecting to each of the light emitting elements.

【００３８】本発明の画像表示装置の製造方法では、シ
ート上に粘着層が形成された粘着シートに素子を接着し
て粘着シートに素子を保持させるため、各基板間を張り
合わせる際に各基板の位置制御を考慮することなく素子
を粘着シートに保持させることができる。また、シート
上に形成された粘着層を介して素子を粘着シートに保持
させるため、接着剤が基板の周辺にはみ出すようなこと
なく、はみ出した接着剤を除去する工程を省くことがで
きる。そのため、各基板から基板へと素子を転写する際
の工程を低減して簡便にすることができ、効率良く素子
を転写して画像表示装置を製造できる。In the method of manufacturing an image display device of the present invention, since the element is adhered to the adhesive sheet having the adhesive layer formed on the sheet and the element is held by the adhesive sheet, the respective substrates are stuck together when the substrates are laminated. The element can be held on the pressure-sensitive adhesive sheet without considering the position control of. Further, since the element is held on the pressure-sensitive adhesive sheet via the pressure-sensitive adhesive layer formed on the sheet, the step of removing the protruding adhesive can be omitted without the adhesive protruding to the periphery of the substrate. Therefore, it is possible to reduce the number of steps for transferring the element from each substrate to the substrate and simplify the process, and it is possible to manufacture the image display device by efficiently transferring the element.

【００３９】粘着シートに素子を接着して粘着シートに
素子を保持させる際に可撓性材料であるシートを用いる
ため、素子の頂上部が粘着層を越えてシートに至り、素
子の結晶にダメージを与えることなく素子の発光性を低
下させるのを回避でき、良好な画像表示装置を製造でき
る。Since a sheet made of a flexible material is used when the element is adhered to the adhesive sheet to hold the element on the adhesive sheet, the top of the element crosses the adhesive layer and reaches the sheet, damaging the crystal of the element. It is possible to avoid lowering the light emitting property of the element without giving the above, and it is possible to manufacture a good image display device.

【００４０】本発明の画像表示装置の製造方法では、半
導体層を形成した後に半導体層を各素子に分離する際に
ダイシングや異方性エッチングにより分離するため、各
素子に分離された素子の分離箇所にテーパが付くのを防
ぐことができ、素子を所望の形状に形成できる。そのた
め、素子を配列する際に隣の素子同士が干渉することな
く設計通りに素子を配列でき、設計通りの発光領域を有
して良好な発光効率の画像表示装置を製造できる。In the method of manufacturing an image display device of the present invention, since the semiconductor layer is separated by dicing or anisotropic etching when the semiconductor layer is separated into each element after forming the semiconductor layer, the element separated into each element is separated. It is possible to prevent the location from being tapered and to form the element into a desired shape. Therefore, when arranging the elements, it is possible to arrange the elements as designed without the adjacent elements interfering with each other, and it is possible to manufacture an image display device having a light emitting region as designed and having good light emission efficiency.

【００４１】また、第二基板上に素子を配列する際に、
粘着シート上にマスクを形成し、選択的に素子を離脱し
て配列するため、素子を一つずつ選択的にピックアップ
して配列することなく、素子を基板上に簡便に配列で
き、工程時間を低減して生産コストが低コストな画像表
示装置を製造できる。When the elements are arranged on the second substrate,
Since a mask is formed on the adhesive sheet and the elements are selectively separated and arranged, the elements can be easily arranged on the substrate without selectively picking up and arranging the elements one by one, and the process time can be reduced. It is possible to manufacture an image display device with reduced production cost and low production cost.

【００４２】[0042]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【００４３】本発明の実施形態において、まず成長基板
上の素子をシート上に粘着層が形成された粘着シートに
保持した後に基板上に素子を選択的に配列する素子の配
列方法について説明し、次に素子を樹脂に覆われた状態
で間隔を離間して配列する場合、及び成長基板上で一連
となって形成される半導体成長層を素子毎に分離した後
に基板上に素子を選択的に配列する場合について順に説
明する。In the embodiments of the present invention, first, a method of arranging elements, in which elements on a growth substrate are held on an adhesive sheet having an adhesive layer formed on a sheet and then the elements are selectively arranged on the substrate, will be described. Next, when the elements are arranged in a state of being covered with a resin with a space therebetween, and when the semiconductor growth layer formed in a series on the growth substrate is separated for each element, the elements are selectively placed on the substrate. The case of arrangement will be described in order.

【００４４】また、本発明の実施形態では、画像表示装
置の一例である発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤデ
ィスプレイ）において使用される発光ダイオードなどの
発光素子を用いて説明するが、液晶制御素子や薄膜トラ
ンジスタ素子のような素子を配列することができる。In the embodiment of the present invention, a light emitting element such as a light emitting diode used in a light emitting diode display (LED display) which is an example of an image display device will be described. Such elements can be arranged.

【００４５】[第一の実施形態]図１及び図２を参照にし
て、成長基板上の素子をシート上に粘着層が形成された
粘着シートに保持した後に基板上に素子を選択的に配列
する素子の配列方法について説明する。[First Embodiment] Referring to FIGS. 1 and 2, after holding the elements on a growth substrate on an adhesive sheet having an adhesive layer formed on the sheet, the elements are selectively arranged on the substrate. A method of arranging the elements will be described.

【００４６】第一の実施形態で用いられる素子は、窒化
物系化合物半導体を用いて形成されるプレナー型の発光
素子であるが、第三の実施形態のように断面略三角形状
で六角錐形状の発光素子を用いても良い。ＧａＮ系の発
光素子では赤色の発光素子が断面略三角形状の六角錐形
状のＧａＮ層を有しない構造とされ、各素子の形状は個
々に異なっても良い。The element used in the first embodiment is a planar type light emitting element formed by using a nitride compound semiconductor. However, like the third embodiment, the section is a substantially triangular shape and a hexagonal pyramid shape. You may use the light emitting element of. In the GaN-based light emitting element, the red light emitting element does not have a hexagonal pyramidal GaN layer having a substantially triangular cross section, and the shape of each element may be different.

【００４７】なお、第一の実施形態では、成長基板上の
素子を粘着シートに拡大することなく保持した後に素子
を粘着シートから選択的に離脱して素子の間隔を拡大し
て配列する場合について説明するが、シート上に素子を
配列する際に素子の間隔を拡大して保持した後に基板上
に配列しても良い。In the first embodiment, the case where the elements on the growth substrate are held on the adhesive sheet without being expanded and then the elements are selectively separated from the adhesive sheet and the intervals between the elements are expanded and arranged. As will be described, when the elements are arranged on the sheet, the distance between the elements may be expanded and held and then arranged on the substrate.

【００４８】図１(ａ)に示すように、第一基板である成
長基板１１の主面上に複数の発光素子である素子１２が
形成されている。素子１２の大きさは約２０μｍ程度と
することができる。成長基板１１は、サファイア基板な
どのように、素子１２を成長基板１１から分離する際に
裏面側から照射するレーザ光の波長に対して透過率の高
い基板が用いられる。素子１２にはｐ側電極やｎ側電極
などが形成されている。複数の素子１２は反応性イオン
エッチングなどの異方性エッチングにより素子毎に分離
されており、個々の素子１２は分離できる状態にある。
素子と素子との間隔は例えば２００μｍとすることがで
きる。なお、第一の実施形態では成長基板１１の主面上
に複数の素子１２が形成されているのであるが、後述の
実施形態のように、素子が配列する基板は、素子がマト
リクス状に配列されるガラス基板やプラスチック基板な
どのような基板であっても良く、また第一基板から拡大
転写法などによって素子と素子との間隔を拡大して転写
して配列された基板であっても良い。また、素子１２
は、ｐ側電極やｎ側電極に接続される電極パッドなどの
最終的な配線の一部が形成された状態でも良い。As shown in FIG. 1A, a plurality of light emitting elements 12 are formed on the main surface of a growth substrate 11 which is a first substrate. The size of the element 12 can be about 20 μm. As the growth substrate 11, a substrate, such as a sapphire substrate, having a high transmittance with respect to the wavelength of the laser light emitted from the back surface side when the element 12 is separated from the growth substrate 11 is used. The element 12 is formed with a p-side electrode, an n-side electrode, and the like. The plurality of elements 12 are separated for each element by anisotropic etching such as reactive ion etching, and the individual elements 12 are in a separable state.
The distance between the elements can be set to 200 μm, for example. Although the plurality of elements 12 are formed on the main surface of the growth substrate 11 in the first embodiment, the elements are arranged in a matrix on the substrate on which the elements are arranged as in the embodiment described later. It may be a substrate such as a glass substrate or a plastic substrate to be formed, or may be a substrate arranged by transferring by expanding the distance between the elements from the first substrate by an expansion transfer method or the like. . Also, the element 12
May be in a state where a part of the final wiring such as an electrode pad connected to the p-side electrode or the n-side electrode is formed.

【００４９】図１(ａ)に示すように、素子１２が配列さ
れた成長基板１１上に粘着シート１５を重ね、図１(ｂ)
に示すように、成長基板１１の両面から加圧して素子１
２を粘着シート１５に接着する。粘着シート１５は、シ
ート１３とシート１３全面に形成された粘着層１４とか
らなり、例えばシート１３及び粘着層１４の厚みはそれ
ぞれ約１００μｍ、約２５μｍとすることができる。シ
ート１３としてはビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹
脂、ポリエステル系樹脂などを用いることができ、後述
するようにシート１３の裏面側から光を照射して選択的
に素子１２を基板上に配列するため、シート１３はこの
光に対して透過性を有する。シート１３上に形成された
粘着層１４は、紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化性
接着剤、熱可塑性接着剤などの種々の材料を用いること
ができ、一例として紫外線（ＵＶ）硬化型エポキシ系樹
脂や紫外線（ＵＶ）硬化型アクリル樹脂などがある。例
えば、後述の工程に示すように、紫外線（ＵＶ）硬化性
樹脂を用いる場合には、紫外線（ＵＶ）を照射すること
により粘着層１４を硬化させて、粘着層１４と配列する
基板上に形成される接着層との粘着性の差により素子１
２を基板上に配列する。As shown in FIG. 1A, the adhesive sheet 15 is placed on the growth substrate 11 on which the elements 12 are arranged, and the adhesive sheet 15 is formed as shown in FIG.
As shown in FIG.
2 is adhered to the adhesive sheet 15. The adhesive sheet 15 is composed of the sheet 13 and the adhesive layer 14 formed on the entire surface of the sheet 13. For example, the thicknesses of the sheet 13 and the adhesive layer 14 can be about 100 μm and about 25 μm, respectively. As the sheet 13, a vinyl resin, a polyolefin resin, a polyester resin, or the like can be used. Since the elements 12 are selectively arranged by irradiating light from the back surface side of the sheet 13 as described later, The sheet 13 is transparent to this light. For the adhesive layer 14 formed on the sheet 13, various materials such as an ultraviolet (UV) curable adhesive, a thermosetting adhesive, and a thermoplastic adhesive can be used. As an example, an ultraviolet (UV) curable adhesive is used. Examples include epoxy resin and ultraviolet (UV) curable acrylic resin. For example, as shown in the step described below, when an ultraviolet (UV) curable resin is used, the adhesive layer 14 is cured by irradiation with ultraviolet (UV) and is formed on a substrate aligned with the adhesive layer 14. Element 1 due to the difference in adhesiveness with the adhesive layer
2 are arranged on the substrate.

【００５０】このように粘着シート１５上に接着する際
に、成長基板１１の両面から加圧して接着するのである
が、粘着シート１５のシート１３は従来例のような不撓
性材料である転写基板とは異なり可撓性材料からなるた
め、素子１２の頂上部が粘着層１４を越えてシート１３
に至り素子１２の結晶にダメージを与えることがなく、
素子１２の発光性を低下させるのを回避できる。When adhering onto the adhesive sheet 15 as described above, pressure is applied from both sides of the growth substrate 11 so that the sheet 13 of the adhesive sheet 15 is a transfer substrate which is an inflexible material as in the conventional example. In contrast to the flexible material, the top of the element 12 crosses the adhesive layer 14 and the sheet 13
Without damaging the crystal of the element 12,
It is possible to avoid lowering the light emitting property of the element 12.

【００５１】シート１３上に粘着層１４を介して素子１
２を接着した後、成長基板１１の裏面側からレーザ光を
照射し(図１(ｃ))、成長基板１１と素子１２との界面に
おいてアブレーションを生じさせ、素子１２を成長基板
１１から分離する。このとき、素子１２をＧａＮ系の発
光素子とした場合、成長基板１１との界面でガリウムと
窒素に分解して、素子１２は成長基板１１より比較的簡
単に分離することができる（図２（ｄ））。成長基板１
１の裏面側より照射するレーザ光としてはエキシマレー
ザ、高調波ＹＡＧレーザなどが用いられる。レーザ光に
よりＧａＮ系の素子１２を成長基板１１から分離したと
きには、その剥離面に導電性やパターニングの妨げとな
るガリウムが析出しているため、そのガリウムをエッチ
ングするする。エッチング溶液としては、例えば水酸化
ナトリウム水溶液や希硝酸を用いることができる。The element 1 is provided on the sheet 13 with the adhesive layer 14 interposed therebetween.
After bonding 2 to each other, laser light is irradiated from the back surface side of the growth substrate 11 (FIG. 1C) to cause ablation at the interface between the growth substrate 11 and the element 12 to separate the element 12 from the growth substrate 11. . At this time, when the element 12 is a GaN-based light emitting element, the element 12 can be separated from the growth substrate 11 relatively easily by decomposing it into gallium and nitrogen at the interface with the growth substrate 11 (FIG. d)). Growth substrate 1
An excimer laser, a harmonic YAG laser, or the like is used as the laser light irradiated from the back surface side of 1. When the GaN-based element 12 is separated from the growth substrate 11 by the laser light, gallium, which hinders conductivity and patterning, is deposited on the separated surface, and thus the gallium is etched. As the etching solution, for example, a sodium hydroxide aqueous solution or dilute nitric acid can be used.

【００５２】図２（ｅ）は、シート１３上に保持された
素子１２を選択的に離脱して第二基板である基板１６上
に配列する工程を示す。基板１６はガラス基板、石英ガ
ラス基板、プラスチック基板などの基板であり、装置基
板であっても良いし、拡大転写などの転写工程における
転写基板であっても良い。基板１６上には素子１２を接
着する接着層１７が形成されている。基板１６上の接着
層１７としては、紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化
性接着剤、熱可塑性接着剤などを用いることができる。
また、基板１６からさらに他の基板に転写するような場
合には、接着層１７と基板との間や接着層１７上にフッ
素コート、シリコン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶ
Ａ）、ポリイミドなどの剥離層を形成しても良い。基板
１６上に素子１２を選択的に配列に際して、まず基板１
６上に複数の素子１２を保持するシート１３を重ねて接
着層１７に素子１２を接着させる。その後、シート１３
上にはレーザ光を照射して粘着層１４を選択的に加熱す
るために、フォトリソグラフィーによりパターニングし
てマスク１８を形成する。このマスク１８のマスクパタ
ーンにより、基板１６の裏面側から光を照射すると、粘
着層１４を選択的に加熱されて選択的に硬化させること
ができる。基板１６の裏面側から光は、粘着層１４の材
料にもよるが、一例として紫外線（ＵＶ）や赤外線（Ｉ
Ｒ）などを用いることができる。FIG. 2E shows a process of selectively separating the elements 12 held on the sheet 13 and arranging them on the substrate 16 which is the second substrate. The substrate 16 is a substrate such as a glass substrate, a quartz glass substrate, or a plastic substrate, and may be a device substrate or a transfer substrate in a transfer process such as enlargement transfer. An adhesive layer 17 for adhering the element 12 is formed on the substrate 16. As the adhesive layer 17 on the substrate 16, an ultraviolet (UV) curable adhesive, a thermosetting adhesive, a thermoplastic adhesive, or the like can be used.
Further, when transferring from the substrate 16 to another substrate, a fluorine coat, a silicone resin, a water-soluble adhesive (for example, PV
A), a peeling layer of polyimide or the like may be formed. When selectively arranging the elements 12 on the substrate 16, first the substrate 1
A sheet 13 holding a plurality of elements 12 is stacked on 6 to adhere the elements 12 to the adhesive layer 17. Then sheet 13
A mask 18 is formed by patterning by photolithography in order to irradiate a laser beam and selectively heat the adhesive layer 14 on the top. By irradiating light from the back surface side of the substrate 16, the mask pattern of the mask 18 allows the adhesive layer 14 to be selectively heated and cured selectively. Light from the back surface side of the substrate 16 depends on the material of the adhesive layer 14, but is, for example, ultraviolet (UV) or infrared (I).
R) or the like can be used.

【００５３】基板１６の表面側から光を照射して選択的
に基板１６上に素子１２を配列するのであるが、シート
１３上の粘着層１４と基板１６上の接着層１７との粘着
性の差により選択的に配列され、粘着層１４で接着層１
７より粘着性が弱い箇所に位置する素子１２が粘着シー
ト１５より離脱して基板１６上に配列される（図２
（ｆ））。The elements 12 are selectively arranged on the substrate 16 by irradiating light from the surface side of the substrate 16, and the adhesiveness between the adhesive layer 14 on the sheet 13 and the adhesive layer 17 on the substrate 16 is reduced. The adhesive layer 1 is selectively arranged according to the difference, and the adhesive layer 14 forms the adhesive layer 1.
The elements 12, which are located at a location where the adhesiveness is weaker than 7, are separated from the adhesive sheet 15 and arranged on the substrate 16 (FIG. 2).
(F)).

【００５４】例えば、粘着層１４に紫外線（ＵＶ）硬化
接着剤を用いる場合には、紫外線（ＵＶ）硬化型接着材
が紫外線（紫外線）を照射されると硬化して粘着性が劣
化するという特性を有するため、マスク１８で開口され
て紫外線（ＵＶ）が照射された箇所の粘着層１４は硬化
し、マスク１８により紫外線（ＵＶ）が照射されなかっ
た箇所の粘着層１４は未硬化のままとなる。そのため、
紫外線（ＵＶ）が照射された箇所に位置する素子１２は
硬化して粘着性が劣化した粘着層１４より粘着性の強い
接着層１７に接着して基板１６上に配列され、マスク１
８で覆われた箇所には紫外線（ＵＶ）が照射されずに粘
着層１４が劣化せずに素子１２はシート１３上に残留す
る。また例えば、粘着層１４に熱硬化性接着剤を用いる
場合には、熱硬化性接着剤が熱を加えられると硬化して
粘着性が劣化するという特性を有するため、マスク１８
で開口されて赤外線（ＩＲ）が照射された箇所の粘着層
１４は硬化し、マスク１８により赤外線（ＩＲ）が照射
されなかった箇所の粘着層１４は未硬化のままとなる。
そのため、赤外線（ＩＲ）が照射された箇所に位置する
素子１２は粘着性が劣化した粘着層１４より粘着性の強
い接着層１７に接着して基板１６上に配列され、マスク
１８で覆われた箇所には赤外線（ＩＲ）が照射されずに
粘着層１４が劣化せずに素子１２はシート１３上に残留
する。For example, when an ultraviolet (UV) curable adhesive is used for the adhesive layer 14, the ultraviolet (UV) curable adhesive is cured by being irradiated with ultraviolet (ultraviolet) and its adhesiveness is deteriorated. Therefore, the adhesive layer 14 in a portion opened by the mask 18 and irradiated with ultraviolet rays (UV) is cured, and the adhesive layer 14 in a portion not irradiated with ultraviolet rays (UV) by the mask 18 remains uncured. Become. for that reason,
The element 12 located at a location irradiated with ultraviolet rays (UV) is arranged on the substrate 16 by adhering to the adhesive layer 17 having a stronger adhesiveness than the adhesive layer 14 which is cured and the adhesiveness is deteriorated.
The area covered with 8 is not irradiated with ultraviolet rays (UV), the adhesive layer 14 is not deteriorated, and the element 12 remains on the sheet 13. Further, for example, when a thermosetting adhesive is used for the adhesive layer 14, the mask 18 has a characteristic that the thermosetting adhesive cures when heat is applied and the adhesiveness deteriorates.
The pressure-sensitive adhesive layer 14 that is opened by and is irradiated with infrared (IR) is cured, and the pressure-sensitive adhesive layer 14 that is not irradiated with infrared (IR) by the mask 18 remains uncured.
Therefore, the elements 12 located at the positions irradiated with infrared rays (IR) are arranged on the substrate 16 by adhering to the adhesive layer 17 having a stronger adhesiveness than the adhesive layer 14 whose adhesiveness is deteriorated and covered with the mask 18. The element 12 remains on the sheet 13 without being irradiated with infrared rays (IR) and the adhesive layer 14 is not deteriorated.

【００５５】以上のように、成長基板１１上の素子１２
を粘着シート１５の粘着層１４に接着して保持させた後
に、素子１２を粘着シート１５から選択的に離脱して基
板１６上に配列する場合、従来例のように各基板間を張
り合わせることがなく、各基板の位置制御を考慮するこ
となく素子１２を粘着シート１５に保持させることがで
きる。また、シート１３上に形成された粘着層１４を介
して素子１２を粘着シート１５に保持させるため、接着
層が基板１６の周辺にはみ出すようなことなく、はみ出
した接着剤を除去する工程を省くことができる。そのた
め、素子１２を粘着シート１５に保持させて基板１６上
に簡便に転写して配列することができ、効率良く素子を
転写して画像表示装置を製造できる。As described above, the element 12 on the growth substrate 11
After the element 12 is adhered to the adhesive layer 14 of the adhesive sheet 15 and held, and then the elements 12 are selectively separated from the adhesive sheet 15 and arranged on the substrate 16, the substrates are bonded together as in the conventional example. Therefore, the element 12 can be held by the adhesive sheet 15 without considering the position control of each substrate. In addition, since the element 12 is held on the adhesive sheet 15 via the adhesive layer 14 formed on the sheet 13, the step of removing the protruding adhesive is omitted without the adhesive layer protruding to the periphery of the substrate 16. be able to. Therefore, the elements 12 can be held on the adhesive sheet 15 and easily transferred and arranged on the substrate 16, and the elements can be efficiently transferred to manufacture an image display device.

【００５６】また、粘着シート１５に素子１２を接着し
て粘着シート１５に素子１２を保持させる際、従来の不
撓性材料からなる転写基板とは異なり、可撓性材料であ
るシート１３を用いるため、素子１２の頂上部が粘着層
１４を越えてシート１３に至り、素子１２の結晶にダメ
ージを与えることなく素子１２の発光性を低下させるの
を回避でき、良好な画像表示装置を製造できる。Further, when the element 12 is adhered to the adhesive sheet 15 and held by the adhesive sheet 15, the sheet 13 which is a flexible material is used, unlike the conventional transfer substrate made of an inflexible material. It is possible to prevent the top of the element 12 from reaching the sheet 13 beyond the adhesive layer 14 and damaging the crystal of the element 12 and lowering the light emitting property of the element 12, and a good image display device can be manufactured.

【００５７】成長基板１１上の素子１２を粘着シート１
５に保持した後、素子１２を保持した粘着シート１５を
基板１６に重ねて粘着シート１５の裏面側から紫外線
（ＵＶ）や赤外線（ＩＲ）をマスク１８により選択的に
照射して素子１２を基板１６上に配列する。そのため、
粘着シート１５の全面に光を照射することにより基板１
６上に所望の位置の素子１２を容易且つ確実に配列する
ことができる。そして、粘着シート１５上にマスク１８
を形成して所望の位置の素子１２を粘着シート１５から
基板１６上に選択的に離脱して素子１２を基板１６上に
配列することができるため、素子１２が形成された成長
基板１１から各素子１２の間隔を拡大して転写する場合
でも、粘着シート１５の全面に光を照射して効率良く発
光素子を配列することができる。The element 12 on the growth substrate 11 is attached to the adhesive sheet 1
5, the pressure-sensitive adhesive sheet 15 holding the element 12 is superposed on the substrate 16 and ultraviolet rays (UV) or infrared rays (IR) are selectively irradiated from the back surface side of the pressure-sensitive adhesive sheet 15 by the mask 18 to thereby place the element 12 on the substrate. 16 on top. for that reason,
By irradiating the entire surface of the adhesive sheet 15 with light, the substrate 1
The elements 12 at desired positions can be easily and surely arranged on the substrate 6. Then, the mask 18 is placed on the adhesive sheet 15.
Can be formed by selectively separating the elements 12 at desired positions from the adhesive sheet 15 onto the substrate 16 and arranging the elements 12 on the substrate 16. Even when the distance between the elements 12 is enlarged and transferred, the light emitting elements can be efficiently arranged by irradiating the entire surface of the adhesive sheet 15 with light.

【００５８】また、基板１６上に素子１２を配列する際
に、粘着シート１５上にマスク１８を形成し、選択的に
素子１２を離脱して配列するため、素子１２を一つずつ
選択的にピックアップして配列することなく、素子１２
を基板１６上に簡便に配列でき、工程時間を低減して生
産コストが低コストな画像表示装置を製造できる。Further, when the elements 12 are arranged on the substrate 16, a mask 18 is formed on the adhesive sheet 15, and the elements 12 are selectively separated and arranged. Therefore, the elements 12 are selectively selected one by one. Element 12 without picking up and arranging
Can be easily arranged on the substrate 16, the process time can be reduced, and an image display device with low production cost can be manufactured.

【００５９】このように、成長基板１１上に形成された
素子１２を粘着シート１５に保持して基板１６上に配列
する場合、配列の工程を簡略化することができ、また工
程数を削減して生産工程における時間の短縮を実現する
ことができ、さらには生産コストの低減を図ることがで
きる。As described above, when the elements 12 formed on the growth substrate 11 are held on the adhesive sheet 15 and arranged on the substrate 16, the arrangement process can be simplified and the number of steps can be reduced. As a result, it is possible to shorten the time in the production process and further reduce the production cost.

【００６０】[第二の実施形態]第二の実施形態におい
て、素子を樹脂に覆われた状態で間隔を離間して配列す
る場合について説明する。[Second Embodiment] In the second embodiment, a case will be described in which elements are arranged with a space therebetween while being covered with resin.

【００６１】第二の実施形態で用いられる素子は、第一
の実施形態と同様に、窒化物系化合物半導体を用いて形
成されるプレナー型の発光素子であるが、第三の実施形
態のように断面略三角形状で六角錐形状の発光素子を用
いても良い。ＧａＮ系の発光素子では赤色の発光素子が
断面略三角形状の六角錐形状のＧａＮ層を有しない構造
とされ、各素子の形状は個々に異なっても良い。The element used in the second embodiment is a planar light emitting element formed by using a nitride-based compound semiconductor as in the first embodiment. Alternatively, a light emitting element having a substantially triangular cross section and a hexagonal pyramid shape may be used. In the GaN-based light emitting element, the red light emitting element does not have a hexagonal pyramidal GaN layer having a substantially triangular cross section, and the shape of each element may be different.

【００６２】図３（ａ）及び図３（ｂ）を用いて素子が
樹脂に覆われた樹脂形成チップについて説明する。図３
（ａ）及び図３（ｂ）は樹脂形成チップの概略斜視図及
び概略平面図である。樹脂形成チップ３１は、離間して
配置されている素子２２の周りを樹脂２９ａで固めたも
のであり、第二の実施形態においては、粘着シートに保
持された後に第二基板上に配列される際に個々に分離さ
れて形成される。A resin-formed chip whose element is covered with resin will be described with reference to FIGS. 3 (a) and 3 (b). Figure 3
3A and 3B are a schematic perspective view and a schematic plan view of the resin-formed chip. The resin-formed chip 31 is obtained by hardening the elements 22 arranged apart from each other with resin 29a. In the second embodiment, the resin-formed chip 31 is arranged on the second substrate after being held by the adhesive sheet. In this case, they are formed separately.

【００６３】前述のように、素子２２は発光素子などで
あるが、特に発光素子に限らず他の素子であっても良
い。樹脂形成チップ３１は略平板上でその主たる面が略
正方形状とされる。この樹脂形成チップ３１の形状は樹
脂２９ａを固めて形成された形状であり、具体的には未
硬化の樹脂を素子２２の各々を含むように全面に塗布
し、これを硬化した後で縁の部分をダイシングやレーザ
光を用いて切断することで得られる形状である。略平板
状の樹脂２９ａの表面側と裏面側にはそれぞれ電極パッ
ド３０ａ、３０ｂが形成される。これら電極パッド３０
ａ、３０ｂの形成は全面に電極パッド３０ａ、３０ｂの
材料となる金属層や多結晶シリコン層などの導電層を形
成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極形状
にパターンニングすることで形成される。これら電極パ
ッド３０ａ、３０ｂは発光素子である素子２２のｐ側電
極とｎ側電極にそれぞれ接続するように形成されてい
る。As described above, the element 22 is a light emitting element or the like, but it is not limited to the light emitting element and may be another element. The resin-formed chip 31 has a substantially flat plate shape and its main surface has a substantially square shape. The shape of the resin-formed chip 31 is a shape formed by solidifying the resin 29a. Specifically, the uncured resin is applied to the entire surface so as to include each of the elements 22, and the edge is formed after the resin is cured. It is a shape obtained by cutting the portion using dicing or laser light. Electrode pads 30a and 30b are formed on the front surface side and the back surface side of the substantially flat plate-shaped resin 29a, respectively. These electrode pads 30
The a and 30b are formed by forming a conductive layer such as a metal layer or a polycrystalline silicon layer, which is a material of the electrode pads 30a and 30b, on the entire surface and patterning into a desired electrode shape by a photolithography technique. These electrode pads 30a and 30b are formed so as to be respectively connected to the p-side electrode and the n-side electrode of the element 22 which is a light emitting element.

【００６４】ここで電極パッド３０ａ、３０ｂは樹脂形
成チップ３１の表面側と裏面側にそれぞれ形成されてい
るが、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可
能であり、例えば薄膜トランジスタの場合ではソース、
ゲート、ドレインの３つの電極があるため、電極パッド
を３つ或いはそれ以上形成しても良い。電極パッド３０
ａ、３０ｂの位置が平板上ずれているのは、最終的な配
線形成時に上側からコンタクトをとっても重ならないよ
うにするためである。電極パッド３０ａ、３０ｂの形状
も正方形に限定されず他の形状としても良い。Here, the electrode pads 30a and 30b are formed on the front surface side and the back surface side of the resin-formed chip 31, respectively, but it is possible to form both electrode pads on one surface, for example, in the case of a thin film transistor. Then the source,
Since there are three electrodes of the gate and the drain, three or more electrode pads may be formed. Electrode pad 30
The positions of a and 30b are deviated from each other on the flat plate so that the contacts do not overlap even when the contacts are formed from the upper side in the final wiring formation. The shape of the electrode pads 30a and 30b is not limited to the square shape, and may be another shape.

【００６５】樹脂形成チップ３１を構成することによ
り、素子２２の周囲が硬化した樹脂２９ａで被覆され平
坦化によって精度良く電極パッド３０ａ、３０ｂを形成
できるとともに素子に比べて広い領域に電極パッド３０
ａ、３０ｂを延在でき、次の転写工程での転写を吸着治
具で進める場合には取り扱いが容易になる。By forming the resin-formed chip 31, the periphery of the element 22 is covered with the hardened resin 29a so that the electrode pads 30a and 30b can be accurately formed by flattening and the electrode pad 30 can be formed in a wider area than the element.
a and 30b can be extended, and the handling becomes easy when the transfer in the next transfer step is advanced by the suction jig.

【００６６】図４（ａ）乃至図５（ｆ）を用いて、第一
基板上の樹脂で覆われた状態の素子を粘着シートから選
択的に分離して第二基板上に間隔を離間して配列する素
子の配列方法について説明する。4 (a) to 5 (f), the element covered with the resin on the first substrate is selectively separated from the adhesive sheet and separated on the second substrate. A method of arranging the elements to be arranged in the above manner will be described.

【００６７】図４(ａ)に示すように、第一基板２１の主
面上に複数の素子２２が樹脂層２９に覆われた状態でマ
トリクス状に配列されている。第一基板２１は、ガラス
基板、プラスチック基板、サファイア基板などの基板を
用いることができる。第一基板２１上には、フッ素コー
ト、シリコン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポ
リイミドなどの剥離層２１ａが形成されており、この剥
離層２１ａを介して素子２２は第一基板２１から分離さ
れて粘着シート２５に保持させる。素子２２は、樹脂層
２９により覆われており、この樹脂層２９は後述の工程
で分離されて樹脂形成チップの樹脂２９ａとなる。素子
２２の間の間隔は約２００μｍとでき、素子２２の大き
さを約２０μｍ程度とした場合には、樹脂層２９を分離
して形成される樹脂形成チップ３１の大きさを約１６０
μｍ程度とすることができる。素子２２と樹脂形成チッ
プとの間隔を約２００μｍとすることができる。素子２
２には、発光素子のｐ側電極やｎ側電極に接続される配
線の一部である電極パッドが接続されているが、より多
くの配線を形成した状態であっても良い。As shown in FIG. 4A, a plurality of elements 22 are arranged in a matrix on the main surface of the first substrate 21 while being covered with a resin layer 29. The first substrate 21 may be a glass substrate, a plastic substrate, a sapphire substrate, or the like. On the first substrate 21, a release layer 21a made of fluorine coat, silicon resin, water-soluble adhesive (for example, PVA), polyimide or the like is formed, and the element 22 is separated from the first substrate 21 via the release layer 21a. It is separated and held on the adhesive sheet 25. The element 22 is covered with a resin layer 29, and this resin layer 29 is separated into a resin 29a of a resin-formed chip in a step described later. The distance between the elements 22 can be about 200 μm, and when the size of the elements 22 is about 20 μm, the size of the resin-formed chip 31 formed by separating the resin layer 29 is about 160.
It can be about μm. The distance between the element 22 and the resin-formed chip can be about 200 μm. Element 2
An electrode pad, which is a part of the wiring connected to the p-side electrode or the n-side electrode of the light emitting element, is connected to 2, but more wirings may be formed.

【００６８】図４(ａ)に示すように、素子２２が配列さ
れた第一基板２１上に粘着シート２５を重ね、図４(ｂ)
に示すように、第一基板２１の両面から加圧して樹脂２
９に覆われた素子２２を粘着シート２５に接着する。粘
着シート２５は、シート２３とシート２３全面に形成さ
れた粘着層２４とからなり、例えばシート２３及び粘着
層２４の厚みはそれぞれ約１００μｍ、約２５μｍとす
ることができる。シート２３としてはビニル系樹脂、ポ
リオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂などを用いる
ことができ、後述するようにシート２３の表面側から選
択的に光を照射して素子２２を樹脂形成チップ３１の状
態で第二基板上に配列するため、シート２３はこの光に
対して透過性を有する。シート２３上に形成された粘着
層２４は、紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化性接着
剤、熱可塑性接着剤などの種々の材料を用いることがで
き、一例として紫外線（ＵＶ）硬化型エポキシ系樹脂や
紫外線（ＵＶ）硬化型アクリル樹脂などがある。例え
ば、後述の工程に示すように、紫外線（ＵＶ）硬化性樹
脂を用いる場合には、紫外線（ＵＶ）を照射することに
より粘着層２４を硬化させて、粘着層２４と配列する基
板上に形成される接着層との粘着性の差により素子２２
が配列される。As shown in FIG. 4A, the adhesive sheet 25 is laid on the first substrate 21 on which the elements 22 are arranged,
As shown in FIG.
The element 22 covered with 9 is adhered to the adhesive sheet 25. The adhesive sheet 25 includes a sheet 23 and an adhesive layer 24 formed on the entire surface of the sheet 23. For example, the thicknesses of the sheet 23 and the adhesive layer 24 can be about 100 μm and about 25 μm, respectively. As the sheet 23, a vinyl resin, a polyolefin resin, a polyester resin, or the like can be used. As will be described later, light is selectively irradiated from the front surface side of the sheet 23 so that the element 22 is in the state of the resin-formed chip 31. Since it is arranged on the second substrate, the sheet 23 is transparent to this light. For the adhesive layer 24 formed on the sheet 23, various materials such as an ultraviolet (UV) curable adhesive, a thermosetting adhesive, and a thermoplastic adhesive can be used. For example, an ultraviolet (UV) curable adhesive is used. Examples include epoxy resin and ultraviolet (UV) curable acrylic resin. For example, as shown in the process described below, when an ultraviolet (UV) curable resin is used, the adhesive layer 24 is cured by irradiation with ultraviolet (UV) and is formed on a substrate aligned with the adhesive layer 24. Element 22 due to the difference in adhesiveness with the adhesive layer
Are arranged.

【００６９】シート２３上に粘着層２４を介して樹脂層
２９とともに素子２２を接着した後、剥離層２１ａで第
一基板２１から樹脂層２９に覆われた状態で素子２２を
分離する(図４(ｃ))。第一基板２１から樹脂層２９とと
もに素子２２を分離した後、素子２２や樹脂層２９の裏
面に残留する剥離層２１ａの樹脂を洗浄するのである
が、その洗浄の例としては酸素プラズマで接着剤用樹脂
をエッチング、ＵＶオゾン照射により洗浄する。図５
(ｄ)に示すように、粘着シート２５に樹脂層２９に覆わ
れた状態で保持された素子２２を各樹脂形成チップ３１
に分離するのであるが、この際、粘着シート２５の裏面
からダイシングソーを用いてダイシングして分離する。
ダイシングにより複数の樹脂形成チップ３１に分離する
際には、ダイシングソー３２をｘ方向及びｙ方向に移動
してマトリクス状に分離するのであるが、ダイシングの
ダイシングソー３２により形成される分離溝３２ａの深
さは、粘着シート２５の薄いシート２３に至ると複数の
樹脂形成チップ３１が個々にばらばらとなるため、シー
ト２３に至らないように注意して粘着シート２５の粘着
層２４の中途部に至る深さである。また、複数の樹脂形
成チップ３１に異方性エッチングにより分離する際には
素子２２の裏面を保護するためにＮｉなどのパターニン
グされたマスクを形成した後、異方性エッチングにより
素子毎に分離しても良い。After adhering the element 22 together with the resin layer 29 on the sheet 23 via the adhesive layer 24, the element 22 is separated from the first substrate 21 by the release layer 21a while being covered with the resin layer 29 (FIG. 4). (c)). After separating the element 22 together with the resin layer 29 from the first substrate 21, the resin of the peeling layer 21a remaining on the back surfaces of the element 22 and the resin layer 29 is washed. As an example of the washing, an adhesive agent using oxygen plasma is used. The resin for etching is washed by UV ozone irradiation. Figure 5
As shown in (d), the element 22 held in a state of being covered with the resin layer 29 on the adhesive sheet 25 is attached to each resin forming chip 31.
In this case, the back surface of the pressure-sensitive adhesive sheet 25 is separated by dicing with a dicing saw.
When the dicing saw 32 is separated into a plurality of resin-formed chips 31 by dicing, the dicing saw 32 is moved in the x direction and the y direction to be separated in a matrix. Since the plurality of resin-formed chips 31 are individually separated when reaching the thin sheet 23 of the adhesive sheet 25, the depth reaches the middle of the adhesive layer 24 of the adhesive sheet 25, being careful not to reach the sheet 23. Depth. Further, when the plurality of resin-formed chips 31 are separated by anisotropic etching, a patterned mask of Ni or the like is formed to protect the back surface of the element 22, and then the elements are separated by anisotropic etching. May be.

【００７０】図５（ｅ）は、シート２３上に保持された
樹脂形成チップ３１を選択的に離脱して第二基板２６上
に配列する工程を示す。第二基板２６はガラス基板、石
英ガラス基板、プラスチック基板などの基板であり、装
置基板であっても良いし、拡大転写などの転写工程にお
ける転写基板であっても良い。第二基板２６上には樹脂
形成チップ３１を接着する接着層２７が形成されてい
る。第二基板２６上の接着層２７としては、紫外線（Ｕ
Ｖ）硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤な
どを用いることができる。また、第二基板２６からさら
に他の基板に転写するような場合には、接着層２７と基
板との間や接着層２７上にフッ素コート、シリコン樹
脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどの
剥離層を形成しても良い。第二基板２６上に樹脂形成チ
ップ３１を選択的に配列に際して、まず第二基板２６上
に複数の樹脂形成チップ３１を保持するシート２３を重
ねて接着層２７に樹脂形成チップ３１を接着させる。そ
の後、シート２３上にはレーザ光を照射して粘着層２４
を選択的に加熱するために、フォトリソグラフィーによ
りパターニングしてマスク２８を形成する。このマスク
２８のマスクパターンにより、第二基板２６の裏面側か
ら光を照射すると、粘着層２４を選択的に加熱されて選
択的に硬化させることができる。第二基板２６の裏面側
から光は、粘着層２４の材料にもよるが、一例として紫
外線（ＵＶ）や赤外線（ＩＲ）などを用いることができ
る。FIG. 5E shows a step of selectively separating the resin-formed chips 31 held on the sheet 23 and arranging them on the second substrate 26. The second substrate 26 is a substrate such as a glass substrate, a quartz glass substrate, or a plastic substrate, and may be a device substrate or a transfer substrate in a transfer process such as enlargement transfer. An adhesive layer 27 for adhering the resin-formed chip 31 is formed on the second substrate 26. The adhesive layer 27 on the second substrate 26 includes ultraviolet rays (U
V) A curable adhesive, a thermosetting adhesive, a thermoplastic adhesive or the like can be used. Further, when transferring from the second substrate 26 to another substrate, a fluorine coat, a silicone resin, a water-soluble adhesive (for example, PVA), a polyimide is provided between the adhesive layer 27 and the substrate or on the adhesive layer 27. You may form the peeling layer of these. When selectively arranging the resin-formed chips 31 on the second substrate 26, first, the sheet 23 holding the plurality of resin-formed chips 31 is stacked on the second substrate 26 and the resin-formed chips 31 are adhered to the adhesive layer 27. Then, the sheet 23 is irradiated with a laser beam so that the adhesive layer 24
Patterning is performed by photolithography to form a mask 28 in order to selectively heat. The mask pattern of the mask 28 allows the adhesive layer 24 to be selectively heated and cured when light is irradiated from the back surface side of the second substrate 26. Light from the back surface side of the second substrate 26 may be, for example, ultraviolet rays (UV) or infrared rays (IR), depending on the material of the adhesive layer 24.

【００７１】第二基板２６の表面側から光を照射して選
択的に第二基板２６上に素子２２を配列するのである
が、シート２３上の粘着層２４と第二基板２６上の接着
層２７との粘着性の差により選択的に配列され、粘着層
２４で接着層２７より粘着性が弱い箇所に位置する樹脂
形成チップ３１が粘着シート２５より離脱して第二基板
２６上に配列される（図５（ｆ））。The elements 22 are selectively arranged on the second substrate 26 by irradiating light from the surface side of the second substrate 26. The adhesive layer 24 on the sheet 23 and the adhesive layer on the second substrate 26 are arranged. The resin-formed chips 31 which are selectively arranged due to the difference in adhesiveness with the adhesive layer 27 and are located in the adhesive layer 24 where the adhesiveness is weaker than the adhesive layer 27 are separated from the adhesive sheet 25 and arranged on the second substrate 26. (FIG. 5 (f)).

【００７２】例えば、粘着層２４に紫外線（ＵＶ）硬化
接着剤を用いる場合には、紫外線（ＵＶ）硬化型接着材
が紫外線（紫外線）を照射されると硬化して粘着性が劣
化するという特性を有するため、マスク２８で開口され
て紫外線（ＵＶ）が照射された箇所の粘着層２４は硬化
し、マスク２８により紫外線（ＵＶ）が照射されなかっ
た箇所の粘着層２４は未硬化のままとなる。そのため、
紫外線（ＵＶ）が照射された箇所に位置する樹脂形成チ
ップ３１は硬化して粘着性が劣化した粘着層２４より粘
着性の強い接着層２７に接着して第二基板２６上に配列
され、マスク２８で覆われた箇所には紫外線（ＵＶ）が
照射されずに粘着層２４が劣化せずに樹脂形成チップ３
１はシート２３上に残留する。また例えば、粘着層２４
に熱硬化性接着剤を用いる場合には、熱硬化性接着剤が
熱を加えられると硬化して粘着性が劣化するという特性
を有するため、マスク２８で開口されて赤外線（ＩＲ）
が照射された箇所の粘着層２４は硬化し、マスク２８に
より赤外線（ＩＲ）が照射されなかった箇所の粘着層２
４は未硬化のままとなる。そのため、赤外線（ＩＲ）が
照射された箇所に位置する樹脂形成チップ３１は粘着性
が劣化した粘着層２４より粘着性の強い接着層２７に接
着して第二基板２６上に配列され、マスク２８で覆われ
た箇所には赤外線（ＩＲ）が照射されずに粘着層２４が
劣化せずに樹脂形成チップ３１はシート２３上に残留す
る。For example, when an ultraviolet (UV) curable adhesive is used for the adhesive layer 24, the ultraviolet (UV) curable adhesive is cured by being irradiated with ultraviolet (ultraviolet) and its adhesiveness is deteriorated. Therefore, the adhesive layer 24 which is opened by the mask 28 and irradiated with ultraviolet rays (UV) is cured, and the adhesive layer 24 which is not irradiated with the ultraviolet rays (UV) by the mask 28 remains uncured. Become. for that reason,
The resin-formed chip 31 located at a location irradiated with ultraviolet rays (UV) is arranged on the second substrate 26 by adhering to the adhesive layer 27 having stronger adhesiveness than the adhesive layer 24 whose adhesiveness is deteriorated by hardening. The portion covered with 28 is not irradiated with ultraviolet rays (UV), the adhesive layer 24 is not deteriorated, and the resin-formed chip 3
1 remains on the sheet 23. Further, for example, the adhesive layer 24
When a thermosetting adhesive is used for the above, since the thermosetting adhesive has a characteristic that it cures when heat is applied and its adhesiveness deteriorates, it is opened by the mask 28 and infrared (IR)
The adhesive layer 24 in a portion irradiated with is cured, and the adhesive layer 2 in a portion not irradiated with infrared rays (IR) by the mask 28.
4 remains uncured. Therefore, the resin-formed chips 31 located at the positions irradiated with infrared rays (IR) are arranged on the second substrate 26 by adhering to the adhesive layer 27 having stronger adhesiveness than the adhesive layer 24 having deteriorated adhesiveness. The resin-coated chip 31 remains on the sheet 23 without irradiating infrared rays (IR) to the area covered with and the adhesive layer 24 is not deteriorated.

【００７３】以上のように、第一基板２１上の素子２２
を樹脂層２９に埋め込まれた状態で粘着シート２５の粘
着層２４に接着して保持させた後に、樹脂形成チップ３
１として粘着シート２５から選択的に離脱して第二基板
２６上に配列する場合、従来例のように各基板間を張り
合わせることがなく、各基板の位置制御を考慮すること
なく素子２２を樹脂層２９に埋め込まれた状態で粘着シ
ート２５に保持させることができる。また、シート２３
上に形成された粘着層２４を介して素子２２を樹脂層２
９に埋め込まれた状態で粘着シート２５に保持させるた
め、接着層が第二基板２６の周辺にはみ出すようなこと
なく、はみ出した接着剤を除去する工程を省くことがで
きる。そのため、素子２２を粘着シート２５に保持させ
て第二基板２６上に簡便に転写して配列することがで
き、効率良く素子を転写して画像表示装置を製造でき
る。As described above, the element 22 on the first substrate 21
Embedded in the resin layer 29, is adhered to and retained by the adhesive layer 24 of the adhesive sheet 25, and then the resin-formed chip 3
When the adhesive sheet 25 is selectively detached from the adhesive sheet 25 and arranged on the second substrate 26, the elements 22 are arranged without sticking the substrates together as in the conventional example and without considering the position control of the substrates. The adhesive sheet 25 can be held in a state of being embedded in the resin layer 29. Also, the sheet 23
The element 22 is formed on the resin layer 2 via the adhesive layer 24 formed above.
Since the adhesive sheet is held in the state of being embedded in the adhesive sheet 25, the step of removing the protruding adhesive can be omitted without the adhesive layer protruding to the periphery of the second substrate 26. Therefore, the elements 22 can be held on the adhesive sheet 25 and easily transferred and arranged on the second substrate 26, and the elements can be efficiently transferred to manufacture an image display device.

【００７４】また、第一基板２１上に樹脂に埋め込まれ
た素子２２をダイシングや異方性エッチングにより分離
して樹脂形成チップ３１を形成するため、各樹脂形成チ
ップ３１として分離された素子２２の分離箇所にテーパ
が付くのを防ぐことができ、樹脂形成チップ３１を所望
の形状に形成できる。そのため、樹脂形成チップ３１の
状態で素子２２を配列する際に隣の素子同士が干渉する
ことなく設計通りに素子２２を配列でき、設計通りの発
光領域を有して良好な発光効率の画像表示装置を製造で
きる。Further, since the element 22 embedded in the resin on the first substrate 21 is separated by dicing or anisotropic etching to form the resin-formed chip 31, the element 22 separated as each resin-formed chip 31 is formed. It is possible to prevent the separation portion from being tapered, and the resin-formed chip 31 can be formed into a desired shape. Therefore, when arranging the elements 22 in the state of the resin-formed chip 31, the elements 22 can be arranged as designed without the adjacent elements interfering with each other, and an image display with a light emitting region as designed and good light emission efficiency is provided. The device can be manufactured.

【００７５】第一基板２１上の素子２２を樹脂層２９に
覆われた状態で粘着シート２５に保持した後、素子２２
を保持した粘着シート２５を第二基板２６に重ねて粘着
シート２５の裏面側から紫外線（ＵＶ）や赤外線（Ｉ
Ｒ）をマスク２８により選択的に照射して素子２２を第
二基板２６上に配列する。そのため、粘着シート２５の
全面に光を照射することにより第二基板２６上に所望の
位置の素子１２を容易且つ確実に配列することができ
る。そして、粘着シート２５上にマスク２８を形成して
所望の位置の素子２２を粘着シート２５から第二基板２
６上に選択的に離脱して素子２２を第二基板２６上に配
列することができるため、素子２２が形成された第一基
板２１から各素子２２の間隔を拡大して転写する場合で
も、粘着シート２５の全面に光を照射して効率良く発光
素子を配列することができる。After the element 22 on the first substrate 21 is held on the adhesive sheet 25 while being covered with the resin layer 29, the element 22 is removed.
The pressure-sensitive adhesive sheet 25 holding the is stacked on the second substrate 26, and ultraviolet rays (UV) and infrared rays (I
The element 22 is arranged on the second substrate 26 by selectively irradiating R) with the mask 28. Therefore, by irradiating the entire surface of the adhesive sheet 25 with light, the elements 12 at desired positions can be arranged easily and reliably on the second substrate 26. Then, a mask 28 is formed on the adhesive sheet 25 so that the element 22 at a desired position is moved from the adhesive sheet 25 to the second substrate 2.
Since the elements 22 can be selectively separated onto the second substrate 26 and arranged on the second substrate 26, even when the distance between the respective elements 22 is enlarged and transferred from the first substrate 21 on which the elements 22 are formed, The light emitting elements can be arranged efficiently by irradiating the entire surface of the adhesive sheet 25 with light.

【００７６】また、第二基板２６上に素子２２を配列す
る際に、粘着シート２５上にマスク２８を形成し、選択
的に樹脂形成チップ３１を離脱して配列するため、素子
２２を一つずつ選択的にピックアップして配列すること
なく、素子２２を第二基板２６上に簡便に配列でき、工
程時間を低減して生産コストが低コストな画像表示装置
を製造できる。When the elements 22 are arranged on the second substrate 26, a mask 28 is formed on the adhesive sheet 25, and the resin-formed chips 31 are selectively removed and arranged, so that one element 22 is arranged. It is possible to easily arrange the elements 22 on the second substrate 26 without selectively picking up and arranging them one by one, and it is possible to manufacture an image display device with a reduced production time and a low production cost.

【００７７】このように、第一基板２１上に形成された
素子２２を粘着シート２５に保持して第二基板２６上に
配列する場合、配列の工程を簡略化することができ、ま
た工程数を削減して生産工程における時間の短縮を実現
することができ、さらには生産コストの低減を図ること
ができる。As described above, when the elements 22 formed on the first substrate 21 are held on the adhesive sheet 25 and arranged on the second substrate 26, the arrangement process can be simplified and the number of steps can be increased. It is possible to reduce the time required for the production process and to reduce the production cost.

【００７８】[第三の実施形態]第三の実施形態において
は、成長基板上で一連となって形成される断面略三角形
状の六角錐形状の半導体成長層を素子毎に分離した後に
基板上に素子を選択的に配列する場合について説明す
る。[Third Embodiment] In the third embodiment, a hexagonal pyramid-shaped semiconductor growth layer having a substantially triangular cross section formed in a series on a growth substrate is separated on each element and then on the substrate. A case in which the elements are selectively arranged will be described.

【００７９】第三の実施形態では、窒化物系化合物半導
体を用いて形成される断面略三角形状で六角錐形状の発
光素子を用いて説明するが、第一の実施形態及び第二の
実施形態と同様に、窒化物系化合物半導体を用いて形成
されるプレナー型の発光素子でも良い。ＧａＮ系の発光
素子では赤色の発光素子が断面略三角形状の六角錐形状
のＧａＮ層を有しない構造とされ、各素子の形状は個々
に異なっても良い。The third embodiment will be described using a light emitting element having a substantially triangular cross section and a hexagonal pyramid shape, which is formed by using a nitride compound semiconductor. However, the first and second embodiments are described. Similarly, a planar type light emitting device formed using a nitride compound semiconductor may be used. In the GaN-based light emitting element, the red light emitting element does not have a hexagonal pyramidal GaN layer having a substantially triangular cross section, and the shape of each element may be different.

【００８０】なお、第三の実施形態では、成長基板上の
素子を粘着シートに拡大することなく保持した後に素子
を粘着シートから選択的に離脱して素子の間隔を拡大し
て配列する場合について説明するが、シート上に素子を
配列する際に素子の間隔を拡大して保持した後に基板上
に配列しても良い。In the third embodiment, the case where the elements on the growth substrate are held on the adhesive sheet without being expanded and then the elements are selectively separated from the adhesive sheet and the intervals between the elements are expanded and arranged. As will be described, when the elements are arranged on the sheet, the distance between the elements may be expanded and held and then arranged on the substrate.

【００８１】図６に第三の実施形態で使用される素子の
一例としての発光素子の構造を示す。図６の（ａ）が素
子断面図であり、図６の（ｂ）が平面図である。この発
光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであり、例えばサフ
ァイア基板上に結晶成長される素子である。発光素子の
構造については、ＧａＮ系半導体層からなる下地成長層
４１上に選択成長された六角錐形状のＧａＮ層４２が形
成されている。なお、下地成長層４１上には図示しない
絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧａＮ層４２はその絶縁
膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ法などによって形成され
る。このＧａＮ層４２は、成長時に使用されるサファイ
ア基板の主面をＣ面とした場合にＳ面（１−１０１面）
で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをド
ープさせた領域である。このＧａＮ層４２の傾斜したＳ
面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能す
る。ＧａＮ層４２の傾斜したＳ面を覆うように活性層で
あるＩｎＧａＮ層４３が形成されており、その外側にマ
グネシュームドープのＧａＮ層４４が形成される。この
マグネシュームドープのＧａＮ層４４もクラッドとして
機能する。FIG. 6 shows the structure of a light emitting element as an example of the element used in the third embodiment. 6A is a sectional view of the element, and FIG. 6B is a plan view. This light emitting element is a GaN-based light emitting diode, for example, an element that is crystal-grown on a sapphire substrate. Regarding the structure of the light emitting element, a hexagonal pyramidal GaN layer 42 selectively grown on a base growth layer 41 made of a GaN-based semiconductor layer is formed. An insulating film (not shown) is present on the underlying growth layer 41, and the hexagonal pyramidal GaN layer 42 is formed in the opening of the insulating film by MOCVD or the like. This GaN layer 42 is an S plane (1-101 plane) when the main surface of the sapphire substrate used during growth is the C plane.
This is a pyramid-shaped growth layer covered with, and is a region doped with silicon. The inclined S of the GaN layer 42
The surface part functions as a double heterostructure cladding. An InGaN layer 43, which is an active layer, is formed so as to cover the inclined S surface of the GaN layer 42, and a magnesium-doped GaN layer 44 is formed on the outside thereof. The magnesium-doped GaN layer 44 also functions as a clad.

【００８２】また、図６（ａ）に示すような断面略三角
形状で六角錐状の発光素子では、選択成長を用いて傾斜
結晶面に平行な面内に延在して結晶層が形成されるた
め、発光素子の発光出力を向上させるためにＧａＮ層４
２及びＧａＮ層４４にドープする不純物の量を多くする
と、ＧａＮ層４２やＧａＮ層４４の不純物がＩｎＧａＮ
層４３に拡散し易くなる。そのため、ＩｎＧａＮ層４３
の結晶品位が低下してＩｎＧａＮ層４３の劣化を招くの
を回避するために、発光素子のＩｎＧａＮ層４３に近接
して不純物をドープしないＧａＮ層を形成し、ＩｎＧａ
Ｎ層４３への不純物の拡散を防いでも良い。Further, in the light emitting element having a substantially triangular cross section and a hexagonal pyramid shape as shown in FIG. 6A, a crystal layer is formed by using selective growth to extend in a plane parallel to the inclined crystal plane. Therefore, in order to improve the light emission output of the light emitting device, the GaN layer 4 is formed.
2 and the amount of impurities doped into the GaN layer 44 is increased, the impurities in the GaN layer 42 and the GaN layer 44 become InGaN.
It is easy to diffuse into the layer 43. Therefore, the InGaN layer 43
In order to prevent the deterioration of the InGaN layer 43 due to the deterioration of the crystal quality of the InGaN layer 43, a GaN layer that is not doped with impurities is formed in the vicinity of the InGaN layer 43 of the light emitting device.
The diffusion of impurities into the N layer 43 may be prevented.

【００８３】このような発光ダイオードには、ｐ側電極
４５とｎ側電極４６が形成されている。ｐ側電極４５は
マグネシュームドープのＧａＮ層４４上に形成されるＮ
ｉ／Ｐｔ／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの
金属材料を蒸着して形成される。ｎ側電極４６は前述の
図示しない絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／
Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成される。なお、下地
成長層４１の裏面側からｎ側電極取り出しを行う場合
は、ｎ側電極４６の形成は下地成長層４１の表面側には
不要となる。In such a light emitting diode, a p-side electrode 45 and an n-side electrode 46 are formed. The p-side electrode 45 is an N formed on the magnesium-doped GaN layer 44.
It is formed by depositing a metal material such as i / Pt / Au or Ni (Pd) / Pt / Au. The n-side electrode 46 is made of Ti / Al / Pt /
It is formed by depositing a metal material such as Au. When the n-side electrode is taken out from the back surface side of the underlayer growth layer 41, the formation of the n-side electrode 46 is not necessary on the front surface side of the underlayer growth layer 41.

【００８４】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ドは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザーア
ブレーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥
離することができ、レーザービームを選択的に照射する
ことで選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発
光ダイオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成さ
れる構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角
錐構造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光
素子や化合物半導体素子などであっても良い。The GaN-based light emitting diode having such a structure is an element capable of emitting blue light, and can be peeled off from the sapphire substrate relatively easily by laser ablation, and a laser beam is selectively irradiated. As a result, selective peeling is realized. The GaN-based light emitting diode may have a structure in which an active layer is formed on a flat plate or in a strip shape, or may have a pyramidal structure in which a C plane is formed at an upper end portion. Further, it may be another nitride-based light emitting device, a compound semiconductor device, or the like.

【００８５】図７（ａ）乃至図９（ｇ）を用いて、成長
基板上で下地成長層を介して一連となって形成される複
数の素子を粘着シートの保持し、粘着シートの裏面から
素子毎に分離した後に基板上に素子を粘着シートから選
択的に離脱して基板上に配列する素子の配列方法につい
て説明する。With reference to FIGS. 7A to 9G, a plurality of elements formed in a series on the growth substrate with the underlying growth layer interposed therebetween are held by the adhesive sheet, and from the back surface of the adhesive sheet. A method of arranging the elements, which is separated from each element and then selectively separated from the adhesive sheet on the substrate and arranged on the substrate, will be described.

【００８６】図７(ａ)に示すように、第一基板である成
長基板５１の主面上に下地成長層５２ａとともに複数の
素子１２が形成されている。成長基板５１は、サファイ
ア基板などのように、下地成長層５２ａとともに複数の
素子５２を成長基板５１から分離する際に裏面側から照
射するレーザ光の波長に対して透過率の高い基板が用い
られる。図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、複数
の素子５２には発光素子のｐ側電極やｎ側電極などが表
面側に形成されているが、複数の素子５２は未だ分離さ
れておらず、下地成長層５２ａを介して一連の状態であ
る。後述するように、複数の素子５２は、粘着シールに
保持された後、ダイシングや異方性エッチングにより裏
面から素子毎に分離される。六角錐形状の素子５２ごと
の間隔は、素子５２を形成する際の下地成長層上に形成
する開口部の間隔により、例えば２００μｍとすること
ができる。なお、第三の実施形態では成長基板５１の主
面上に下地成長層５２ａを介して一連である六角錐形状
の複数の素子５２が形成されているのであるが、第一の
実施形態のように、複数の素子５２を素子毎に分離した
状態であっても良い。また、素子５２は、ｐ側電極やｎ
側電極に接続される電極パッドなどの最終的な配線の一
部が形成された状態でも良い。As shown in FIG. 7A, a plurality of elements 12 are formed on the main surface of the growth substrate 51 which is the first substrate together with the underlying growth layer 52a. As the growth substrate 51, a substrate, such as a sapphire substrate, having a high transmittance with respect to the wavelength of the laser beam irradiated from the back side when separating the plurality of elements 52 together with the underlying growth layer 52a from the growth substrate 51 is used. . As shown in FIGS. 6A and 6B, p-side electrodes and n-side electrodes of light emitting elements are formed on the surface side of the plurality of elements 52, but the plurality of elements 52 are still separated. It is not formed, and is in a series of states via the underlying growth layer 52a. As will be described later, the plurality of elements 52 are held by an adhesive seal and then separated from the back surface for each element by dicing or anisotropic etching. The spacing between the hexagonal pyramidal elements 52 can be set to, for example, 200 μm depending on the spacing between the openings formed on the underlying growth layer when the elements 52 are formed. In the third embodiment, a plurality of hexagonal pyramid-shaped elements 52 are formed on the main surface of the growth substrate 51 via the underlying growth layer 52a. However, as in the first embodiment. Alternatively, the plurality of elements 52 may be separated for each element. Further, the element 52 includes a p-side electrode and an n-side electrode.
A part of the final wiring such as an electrode pad connected to the side electrode may be formed.

【００８７】図７(ａ)に示すように、複数の素子５２が
形成された成長基板５１上に粘着シート５５を重ね、図
７(ｂ)に示すように、成長基板５１の両面から加圧して
複数の素子５２を粘着シート５５に接着する。粘着シー
ト５５は、シート５３とシート５３全面に形成された粘
着層５４とからなり、例えばシート５３及び粘着層５４
の厚みはそれぞれ約１００μｍ、約２５μｍとすること
ができる。シート５３としてはビニル系樹脂、ポリオレ
フィン系樹脂、ポリエステル系樹脂などを用いることが
でき、後述するようにシート５３の表面側から選択的に
光を照射して発光素子を基板上に配列するため、シート
５３はこの光に対して透過性を有する。シート５３上に
形成された粘着層５４は、紫外線（ＵＶ）硬化型接着
剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤などの種々の材料
を用いることができ、一例として紫外線（ＵＶ）硬化型
エポキシ系樹脂や紫外線（ＵＶ）硬化型アクリル樹脂な
どがある。例えば、後述の工程に示すように、紫外線
（ＵＶ）硬化性樹脂を用いる場合には、紫外線（ＵＶ）
を照射することにより粘着層５４を硬化させて、粘着層
５４と配列する基板上に形成される接着層との粘着性の
差により発光素子が配列される。As shown in FIG. 7A, the adhesive sheet 55 is placed on the growth substrate 51 on which a plurality of elements 52 are formed, and pressure is applied from both sides of the growth substrate 51 as shown in FIG. 7B. And the plurality of elements 52 are adhered to the adhesive sheet 55. The adhesive sheet 55 includes a sheet 53 and an adhesive layer 54 formed on the entire surface of the sheet 53. For example, the sheet 53 and the adhesive layer 54.
Can have a thickness of about 100 μm and about 25 μm, respectively. As the sheet 53, a vinyl-based resin, a polyolefin-based resin, a polyester-based resin, or the like can be used. As will be described later, the light emitting elements are arranged on the substrate by selectively irradiating light from the surface side of the sheet 53. The sheet 53 is transparent to this light. For the adhesive layer 54 formed on the sheet 53, various materials such as an ultraviolet (UV) curable adhesive, a thermosetting adhesive, and a thermoplastic adhesive can be used. As an example, an ultraviolet (UV) curable adhesive is used. Examples include epoxy resin and ultraviolet (UV) curable acrylic resin. For example, as shown in the steps described below, when an ultraviolet (UV) curable resin is used, ultraviolet (UV)
The adhesive layer 54 is cured by irradiating the light emitting element and the light emitting elements are arranged due to the difference in adhesiveness between the adhesive layer 54 and the adhesive layer formed on the substrate.

【００８８】このように粘着シート５５上に接着する際
に、成長基板５１の両面から加圧して接着するのである
が、粘着シート５５のシート５３は従来例のような不撓
性材料である転写基板とは異なり可撓性材料からなるた
め、素子５２の頂上部が粘着層５４を越えてシート５３
に至り素子５２の結晶にダメージを与えることがなく、
素子５２の発光性を低下させるのを回避できる。In this way, when adhering onto the adhesive sheet 55, pressure is applied from both sides of the growth substrate 51, and the sheet 53 of the adhesive sheet 55 is a transfer substrate which is an inflexible material as in the conventional example. Unlike the flexible material, the top of the element 52 crosses the adhesive layer 54 and the sheet 53
Without damaging the crystal of the element 52,
It is possible to avoid lowering the light emitting property of the element 52.

【００８９】シート５３上に粘着層５４を介して複数の
素子５２を接着した後、成長基板５１の裏面側からレー
ザ光を照射し（図７(ｃ)）、成長基板５１と下地成長層
５２ａとの界面においてアブレーションを生じさせ、複
数の素子５２を下地成長層５２ａとともに成長基板５１
から分離する。このとき、素子がＧａＮ系の発光素子の
場合、複数の素子５２は下地成長層５２ａと成長基板５
１との界面でガリウムと窒素に分解して、複数の素子５
２は成長基板５１より比較的簡単に分離することができ
る（図８（ｄ））。成長基板５１の裏面側より照射する
レーザ光としてはエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ
などが用いられる。レーザ光によりＧａＮ系の素子５２
を成長基板５１から分離したときには、その剥離面に導
電性やパターニングの妨げとなるガリウムが析出してい
るため、そのガリウムをエッチングするする。エッチン
グ溶液としては、例えば水酸化ナトリウム水溶液や希硝
酸を用いることができる。After adhering the plurality of elements 52 on the sheet 53 via the adhesive layer 54, laser light is irradiated from the back surface side of the growth substrate 51 (FIG. 7C) to grow the growth substrate 51 and the underlying growth layer 52a. Ablation is caused at the interface with the plurality of elements 52 and the growth substrate 51 together with the underlying growth layer 52a.
Separate from. At this time, when the device is a GaN-based light emitting device, the plurality of devices 52 include the underlying growth layer 52a and the growth substrate 5.
At the interface with 1, decomposed into gallium and nitrogen,
2 can be separated relatively easily from the growth substrate 51 (FIG. 8 (d)). An excimer laser, a harmonic YAG laser, or the like is used as the laser light emitted from the back surface side of the growth substrate 51. GaN-based element 52 by laser light
When is separated from the growth substrate 51, gallium, which hinders conductivity and patterning, is deposited on the peeled surface, and the gallium is etched. As the etching solution, for example, a sodium hydroxide aqueous solution or dilute nitric acid can be used.

【００９０】図８（ｅ）は、粘着シート５５に保持され
る下地成長層５２ａを介して一連となっている複数の素
子５２を素子毎に分離する工程を示す。図８（ｅ）に示
すように、複数の素子５２は下地成長層５２ａを介して
一連であるが、下地成長層５２ａの裏面から分離溝５９
ａを形成することにより素子毎に分離される。ここの素
子に分離された複数の素子５２の大きさは約２０μｍ程
度とすることができる。このとき、下地成長層５２ａの
裏面からダイシングや異方性エッチングにより分離され
る。例えば、ダイシングにより複数の素子５２を素子毎
に分離する際には、ダイシングソー５９をｘ方向及びｙ
方向に移動して分離するのであるが、ダイシングのダイ
シングソー５９により形成される分離溝５９ａの深さ
は、粘着シート５５の薄いシート５３に至ると複数の素
子５２が個々にばらばらとなるため、シート５３に至ら
ないように注意して粘着シート５５の粘着層５４の中途
部に至る深さである。また例えば、下地成長層５２ａか
ら異方性エッチングにより分離する際には下地成長層５
２ａの裏面に素子５２を保護するためにＮｉなどのパタ
ーニングされたマスクを形成した後、異方性エッチング
により素子毎に分離する。FIG. 8E shows a step of separating a series of a plurality of elements 52 for each element via the underlying growth layer 52 a held by the adhesive sheet 55. As shown in FIG. 8E, the plurality of elements 52 are arranged in series with the underlying growth layer 52a interposed therebetween.
By forming a, each element is separated. The size of the plurality of elements 52 separated into these elements can be about 20 μm. At this time, the back surface of the underlying growth layer 52a is separated by dicing or anisotropic etching. For example, when the plurality of elements 52 are separated for each element by dicing, the dicing saw 59 is used in the x direction and the y direction.
However, the depth of the separation groove 59a formed by the dicing saw 59 for dicing is different because the plurality of elements 52 are individually separated when reaching the thin sheet 53 of the adhesive sheet 55. Being careful not to reach the sheet 53, it is the depth to the middle of the adhesive layer 54 of the adhesive sheet 55. Further, for example, when separating the underlying growth layer 52a by anisotropic etching, the underlying growth layer 5
After forming a patterned mask of Ni or the like on the back surface of 2a to protect the elements 52, the elements are separated by anisotropic etching.

【００９１】図８（ｆ）は、シート５３上に保持された
素子５２を選択的に離脱して第二基板である基板５６上
に配列する工程を示す。基板５６はガラス基板、石英ガ
ラス基板、プラスチック基板などの基板であり、装置基
板であっても良いし、拡大転写などの転写工程における
転写基板であっても良い。基板５６上には素子５２を接
着する接着層５７が形成されている。基板５６上の接着
層５７としては、紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化
性接着剤、熱可塑性接着剤などを用いることができる。
また、基板５６からさらに他の基板に転写するような場
合には、接着層５７と基板との間や接着層５７上にフッ
素コート、シリコン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶ
Ａ）、ポリイミドなどの剥離層を形成しても良い。基板
５６上に素子５２を選択的に配列に際して、まず基板５
６上に複数の素子５２を保持するシート５３を重ねて接
着層５７に素子５２を接着させる。その後、シート５３
上にはレーザ光を照射して粘着層５４を選択的に加熱す
るために、フォトリソグラフィーによりパターニングし
てマスク５８を形成する。このマスク５８のマスクパタ
ーンにより、基板５６の裏面側から光を照射すると、粘
着層５４を選択的に加熱されて選択的に硬化させること
ができる。基板５６の裏面側から光は、粘着層５４の材
料にもよるが、一例として紫外線（ＵＶ）や赤外線（Ｉ
Ｒ）などを用いることができる。FIG. 8F shows a process of selectively separating the elements 52 held on the sheet 53 and arranging them on the substrate 56 which is the second substrate. The substrate 56 is a substrate such as a glass substrate, a quartz glass substrate, or a plastic substrate, and may be a device substrate or a transfer substrate in a transfer process such as enlargement transfer. An adhesive layer 57 for adhering the element 52 is formed on the substrate 56. As the adhesive layer 57 on the substrate 56, an ultraviolet (UV) curable adhesive, a thermosetting adhesive, a thermoplastic adhesive, or the like can be used.
Further, when transferring from the substrate 56 to another substrate, a fluorine coating, a silicone resin, a water-soluble adhesive (for example, PV, etc.) may be provided between the adhesive layer 57 and the substrate or on the adhesive layer 57.
A), a peeling layer of polyimide or the like may be formed. When selectively arranging the elements 52 on the substrate 56, first, the substrate 5
A sheet 53 holding a plurality of elements 52 is stacked on 6 to adhere the elements 52 to the adhesive layer 57. Then sheet 53
A mask 58 is formed by patterning by photolithography so that the adhesive layer 54 can be selectively heated by being irradiated with laser light. With the mask pattern of the mask 58, when the back surface of the substrate 56 is irradiated with light, the adhesive layer 54 can be selectively heated and selectively cured. Light from the back surface side of the substrate 56 depends on the material of the adhesive layer 54, but as an example, ultraviolet (UV) or infrared (I
R) or the like can be used.

【００９２】基板５６の表面側から光を照射して選択的
に基板５６上に素子５２を配列するのであるが、シート
５３上の粘着層５４と基板５６上の接着層５７との粘着
性の差により選択的に配列され、粘着層５４で接着層５
７より粘着性が弱い箇所に位置する素子５２が粘着シー
ト５５より離脱して基板５６上に配列される（図９
（ｇ））。The elements 52 are selectively arranged on the substrate 56 by irradiating light from the front surface side of the substrate 56, and the adhesiveness between the adhesive layer 54 on the sheet 53 and the adhesive layer 57 on the substrate 56 is reduced. The adhesive layer 5 is selectively arranged according to the difference, and the adhesive layer 54 forms the adhesive layer 5.
The elements 52, which are located at locations where adhesiveness is weaker than 7, are separated from the adhesive sheet 55 and arranged on the substrate 56 (FIG. 9).
(G)).

【００９３】例えば、粘着層５４に紫外線（ＵＶ）硬化
接着剤を用いる場合には、紫外線（ＵＶ）硬化型接着材
が紫外線（紫外線）を照射されると硬化して粘着性が劣
化するという特性を有するため、マスク５８で開口され
て紫外線（ＵＶ）が照射された箇所の粘着層５４は硬化
し、マスク５８により紫外線（ＵＶ）が照射されなかっ
た箇所の粘着層５４は未硬化のままとなる。そのため、
紫外線（ＵＶ）が照射された箇所に位置する素子５２は
硬化して粘着性が劣化した粘着層５４より粘着性の強い
接着層５７に接着して基板５６上に配列され、マスク５
８で覆われた箇所には紫外線（ＵＶ）が照射されずに粘
着層５４が劣化せずに素子５２はシート５３上に残留す
る。また例えば、粘着層５４に熱硬化性接着剤を用いる
場合には、熱硬化性接着剤が熱を加えられると硬化して
粘着性が劣化するという特性を有するため、マスク５８
で開口されて赤外線（ＩＲ）が照射された箇所の粘着層
５４は硬化し、マスク５８により赤外線（ＩＲ）が照射
されなかった箇所の粘着層５４は未硬化のままとなる。
そのため、赤外線（ＩＲ）が照射された箇所に位置する
素子５２は粘着性が劣化した粘着層５４より粘着性の強
い接着層５７に接着して基板５６上に配列され、マスク
５８で覆われた箇所には赤外線（ＩＲ）が照射されずに
粘着層５４が劣化せずに素子５２はシート５３上に残留
する。For example, when an ultraviolet (UV) curable adhesive is used for the adhesive layer 54, the ultraviolet (UV) curable adhesive is cured by being irradiated with ultraviolet (ultraviolet) and its adhesiveness is deteriorated. Therefore, the adhesive layer 54 at the portion opened by the mask 58 and irradiated with the ultraviolet ray (UV) is cured, and the adhesive layer 54 at the portion not irradiated with the ultraviolet ray (UV) by the mask 58 remains uncured. Become. for that reason,
The element 52 located at the position irradiated with ultraviolet rays (UV) is arranged on the substrate 56 by adhering to the adhesive layer 57 which is stronger in adhesiveness than the adhesive layer 54 whose adhesiveness is deteriorated by hardening.
The area covered with 8 is not irradiated with ultraviolet rays (UV), the adhesive layer 54 is not deteriorated, and the element 52 remains on the sheet 53. In addition, for example, when a thermosetting adhesive is used for the adhesive layer 54, the mask 58 has a characteristic that the thermosetting adhesive cures when heat is applied and the adhesiveness deteriorates.
The pressure-sensitive adhesive layer 54 that has been opened with the infrared rays (IR) is cured, and the pressure-sensitive adhesive layer 54 that has not been irradiated with the infrared rays (IR) by the mask 58 remains uncured.
Therefore, the element 52 located at a location irradiated with infrared (IR) is arranged on the substrate 56 by being adhered to the adhesive layer 57 having stronger adhesiveness than the adhesive layer 54 having deteriorated adhesiveness, and covered with the mask 58. The element 52 remains on the sheet 53 without being irradiated with infrared rays (IR) and the adhesive layer 54 is not deteriorated.

【００９４】以上のように、成長基板５１上の素子５２
を粘着シート５５の粘着層５４に接着して保持させた後
に、素子５２を粘着シート５５から選択的に離脱して基
板５６上に配列する場合、従来例のように各基板間を張
り合わせることがなく、各基板の位置制御を考慮するこ
となく素子５２を粘着シート５５に保持させることがで
きる。また、シート５３上に形成された粘着層５４を介
して素子５２を粘着シート５５に保持させるため、接着
層が基板５６の周辺にはみ出すようなことなく、はみ出
した接着剤を除去する工程を省くことができる。そのた
め、素子５２を粘着シート５５に保持させて基板５６上
に簡便に転写して配列することができ、効率良く素子を
転写して画像表示装置を製造できる。As described above, the element 52 on the growth substrate 51
When the elements 52 are selectively detached from the adhesive sheet 55 and arranged on the substrate 56 after the elements are adhered and held on the adhesive layer 54 of the adhesive sheet 55, the substrates are bonded together as in the conventional example. Therefore, the element 52 can be held by the adhesive sheet 55 without considering the position control of each substrate. In addition, since the element 52 is held on the adhesive sheet 55 via the adhesive layer 54 formed on the sheet 53, the step of removing the adhesive that has protruded without the adhesive layer protruding to the periphery of the substrate 56 is omitted. be able to. Therefore, the elements 52 can be held on the adhesive sheet 55 and easily transferred and arranged on the substrate 56, and the elements can be efficiently transferred to manufacture an image display device.

【００９５】また、粘着シート５５に素子５２を接着し
て粘着シート５５に素子５２を保持させる際、従来の不
撓性材料からなる転写基板とは異なり、可撓性材料であ
るシート５３を用いるため、素子５２の頂上部が粘着層
５４を越えてシート５３に至り、素子５２の結晶にダメ
ージを与えることなく素子５２の発光性を低下させるの
を回避でき、良好な画像表示装置を製造できる。In addition, when the element 52 is adhered to the adhesive sheet 55 and the element 52 is held by the adhesive sheet 55, a sheet 53 which is a flexible material is used unlike the conventional transfer substrate made of an inflexible material. The top of the element 52 can be prevented from reaching the sheet 53 beyond the adhesive layer 54 and damaging the crystal of the element 52 without lowering the light emitting property of the element 52, and a good image display device can be manufactured.

【００９６】成長基板５１上の素子５２を粘着シート５
５に保持した後、素子５２を保持した粘着シート５５を
基板５６に重ねて粘着シート５５の裏面側から紫外線
（ＵＶ）や赤外線（ＩＲ）をマスク５８により選択的に
照射して素子５２を基板５６上に配列する。そのため、
粘着シート５５の全面に光を照射することにより基板５
６上に所望の位置の素子５２を容易且つ確実に配列する
ことができる。そして、粘着シート５５上にマスク５８
を形成して所望の位置の素子５２を粘着シート５５から
基板５６上に選択的に離脱して素子５２を基板５６上に
配列することができるため、素子５２が形成された成長
基板５１から各素子５２の間隔を拡大して転写する場合
でも、粘着シート５５の全面に光を照射して効率良く発
光素子を配列することができる。The element 52 on the growth substrate 51 is attached to the adhesive sheet 5.
5, the adhesive sheet 55 holding the element 52 is overlaid on the substrate 56, and ultraviolet rays (UV) and infrared rays (IR) are selectively irradiated from the back surface side of the adhesive sheet 55 by a mask 58 to place the element 52 on the substrate. Array on 56. for that reason,
By irradiating the entire surface of the adhesive sheet 55 with light, the substrate 5
The elements 52 at desired positions can be easily and surely arranged on the substrate 6. Then, a mask 58 is formed on the adhesive sheet 55.
Can be formed by selectively separating the elements 52 at desired positions from the adhesive sheet 55 onto the substrate 56 and arranging the elements 52 on the substrate 56. Therefore, from the growth substrate 51 on which the elements 52 are formed, Even when the distance between the elements 52 is enlarged and transferred, the light emitting elements can be efficiently arranged by irradiating the entire surface of the adhesive sheet 55 with light.

【００９７】下地成長層５２ａを介して一連である複数
の素子５２を形成した後に各素子５２に分離する際にダ
イシングや異方性エッチングにより分離するため、各素
子５２に分離された素子５２の分離溝５９ａにテーパが
付くのを防ぐことができ、素子５２を所望の形状に形成
できる。そのため、素子５２を配列する際に隣の素子同
士が干渉することなく設計通りに素子５２を配列でき、
設計通りの発光領域を有して良好な発光効率の画像表示
装置を製造できる。When a series of a plurality of elements 52 are formed through the underlying growth layer 52a and then the elements 52 are separated by dicing or anisotropic etching, the elements 52 separated by the elements 52 are separated. The separation groove 59a can be prevented from being tapered, and the element 52 can be formed in a desired shape. Therefore, when the elements 52 are arranged, the elements 52 can be arranged as designed without the adjacent elements interfering with each other,
An image display device having a light emitting region as designed and having good light emitting efficiency can be manufactured.

【００９８】また、基板５６上に素子５２を配列する際
に、粘着シート５５上にマスク５８を形成し、選択的に
素子５２を離脱して配列するため、素子５２を一つずつ
選択的にピックアップして配列することなく、素子５２
を基板５６上に簡便に配列でき、工程時間を低減して生
産コストが低コストな画像表示装置を製造できる。Further, when the elements 52 are arranged on the substrate 56, a mask 58 is formed on the adhesive sheet 55 and the elements 52 are selectively separated and arranged, so that the elements 52 are selectively selected one by one. The element 52 without picking up and arranging
Can be easily arranged on the substrate 56, the process time can be reduced, and an image display device with low production cost can be manufactured.

【００９９】このように、成長基板５１上に形成された
素子５２を粘着シート５５に保持して基板５６上に配列
する場合、配列の工程を簡略化することができ、また工
程数を削減して生産工程における時間の短縮を実現する
ことができ、さらには生産コストの低減を図ることがで
きる。As described above, when the elements 52 formed on the growth substrate 51 are held on the adhesive sheet 55 and arranged on the substrate 56, the arrangement process can be simplified and the number of steps can be reduced. As a result, it is possible to shorten the time in the production process and further reduce the production cost.

【０１００】[0100]

【発明の効果】本発明によれば、第一基板上の素子を粘
着シートの粘着層に接着して保持させた後に、素子を粘
着シートから選択的に離脱して第二基板上に配列するた
め、第二基板上に素子を簡便に転写して配列することが
でき、効率良く画像表示装置を製造できる。また、粘着
シートに素子を接着して保持させる際、可撓性材料であ
るシートを用いるため、素子の頂上部が粘着層を越えて
シートに至り素子の結晶にダメージを与えることなく、
素子の発光性を低下させるのを回避でき、良好な画像表
示装置を製造できる。According to the present invention, after the elements on the first substrate are adhered to and held by the adhesive layer of the adhesive sheet, the elements are selectively separated from the adhesive sheet and arranged on the second substrate. Therefore, the elements can be easily transferred and arranged on the second substrate, and the image display device can be efficiently manufactured. Further, when the element is adhered to and retained on the adhesive sheet, since a sheet that is a flexible material is used, the top of the element does not reach the sheet beyond the adhesive layer and damage the crystal of the element,
It is possible to avoid lowering the light emitting property of the element and manufacture a good image display device.

【０１０１】第一基板上の素子を粘着シートに保持した
後、素子を保持した粘着シートを第二基板に重ねて粘着
シートの裏面側から光を照射してマスクにより選択的に
素子を第二基板上に配列する。そのため、粘着シートの
全面に光を照射することにより基板上に所望の位置の素
子を容易且つ確実に配列でき、容易且つ確実に画像表示
装置を製造できる。また、第二基板上に素子を配列する
際に、粘着シート上にマスクを形成し、選択的に素子を
離脱して配列するため、素子を一つずつ選択的にピック
アップして配列することなく、素子を基板上に簡便に配
列でき、工程時間を低減して生産コストを低減できる。After the element on the first substrate is held by the adhesive sheet, the adhesive sheet holding the element is overlaid on the second substrate, and light is irradiated from the back side of the adhesive sheet to selectively expose the element by the mask. Arrange on the substrate. Therefore, by irradiating the entire surface of the adhesive sheet with light, the elements at desired positions can be easily and surely arranged on the substrate, and the image display device can be easily and surely manufactured. Further, when arranging the elements on the second substrate, a mask is formed on the adhesive sheet and the elements are selectively separated and arranged, so that the elements are not picked up and arranged one by one. The elements can be easily arranged on the substrate, the process time can be reduced, and the production cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
素子の粘着シートへの接着及び成長基板からの分離を示
し、（ａ）は成長基板へシートを重ねる工程断面図であ
り、（ｂ）は素子の粘着シートへの接着の工程断面図で
あり、（ｃ）は成長基板からの素子の分離の工程断面図
である。1A and 1B show adhesion of elements to an adhesive sheet and separation from a growth substrate in a method of arranging elements according to an embodiment of the present invention, FIG. 1A is a sectional view of steps of stacking sheets on a growth substrate, and FIG. FIG. 7A is a process sectional view of adhering the device to the adhesive sheet, and FIG. 8C is a process sectional view of separating the device from the growth substrate.

【図２】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
素子の成長基板からの分離及び基板への配列を示し、
（ｄ）は成長基板からの素子の分離の工程断面図であ
り、（ｅ）は素子の基板への配列の工程断面図であり、
（ｆ）は素子の基板への配列の工程断面図である。FIG. 2 shows separation of a device from a growth substrate and arrangement on a substrate in a device arrangement method according to an embodiment of the present invention,
(D) is a process cross-sectional view of separating the elements from the growth substrate, (e) is a process cross-sectional view of arranging the elements on the substrate,
(F) is a process sectional view of arrangement of elements on a substrate.

【図３】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
樹脂形成チップを示す概略図であり、（ａ）は樹脂形成
チップの概略斜視図であり、（ｂ）は樹脂形成チップの
概略平面図である。3A and 3B are schematic views showing a resin-formed chip in an element arraying method according to an embodiment of the present invention, FIG. 3A is a schematic perspective view of the resin-formed chip, and FIG. It is a figure.

【図４】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
素子の粘着シートへの接着及び第一基板からの分離を示
し、（ａ）は第一基板へシートを重ねる工程断面図であ
り、（ｂ）は素子の粘着シートへの接着の工程断面図で
あり、（ｃ）は第一基板からの素子の分離の工程断面図
である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the steps of adhering elements to an adhesive sheet and separating them from the first substrate in the element arranging method according to the embodiment of the present invention, wherein FIG. (B) is a process sectional view of adhering the device to the adhesive sheet, and (c) is a process sectional view of separating the device from the first substrate.

【図５】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
素子分離及び素子の基板への配列を示し、（ｄ）は素子
分離の工程断面図であり、（ｅ）は素子の基板への配列
の工程断面図であり、（ｆ）は素子の基板への配列の工
程断面図である。5A and 5B show an element isolation and an element arrangement on a substrate in an element arranging method according to an embodiment of the present invention, FIG. 5D is a process sectional view of the element isolation, and FIG. FIG. 4F is a process cross-sectional view of the array, and FIG. 6F is a process cross-sectional view of the array of the devices on the substrate.

【図６】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
基板上に素子を示し、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は
平面図である。6A and 6B show elements on a substrate in an element arranging method according to an embodiment of the present invention, FIG. 6A is a sectional view, and FIG. 6B is a plan view.

【図７】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
素子の粘着シートへの接着及び成長基板からの分離を示
し、（ａ）は成長基板へシートを重ねる工程断面図であ
り、（ｂ）は素子の粘着シートへの接着の工程断面図で
あり、（ｃ）は成長基板からの素子の分離の工程断面図
である。FIG. 7 shows adhesion of elements to an adhesive sheet and separation from a growth substrate in a method of arranging elements according to an embodiment of the present invention, FIG. 7A is a sectional view of a step of stacking sheets on a growth substrate, and FIG. FIG. 7A is a process sectional view of adhering the device to the adhesive sheet, and FIG. 8C is a process sectional view of separating the device from the growth substrate.

【図８】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
素子の成長基板からの分離、素子分離、及び基板への配
列を示し、（ｄ）は成長基板からの素子の分離の工程断
面図であり、（ｅ）は素子分離の工程断面図であり、
（ｆ）は素子の基板への配列の工程断面図である。FIG. 8 shows separation of elements from a growth substrate, element separation, and arrangement on a substrate in an element arrangement method according to an embodiment of the present invention, and (d) is a process cross-sectional view of element separation from a growth substrate. And (e) is a process sectional view of element isolation,
(F) is a process sectional view of arrangement of elements on a substrate.

【図９】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
素子の基板への配列を示し、（ｇ）は素子の基板への配
列の工程断面図である。FIG. 9 shows an arrangement of elements on a substrate in an element arrangement method according to an embodiment of the present invention, and (g) is a process cross-sectional view of the arrangement of elements on the substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１１，５１ 成長基板 ２１ 第一基板 ２１ａ 剥離層 ２６ 第二基板 １２，２２，５２ 素子 ５２ａ 下地成長層 １３，２３，５３ シート １４，２４，５４ 粘着層 １５，２５，５５ 粘着シート １６，５６ 基板 １７，２７，５７ 接着層 １８，２８，５８ マスク ２９ 樹脂層 ２９ａ 樹脂 ３０ａ，３０ｂ 電極パッド ３１ 樹脂形成チップ ３２，５９ ダイシングソー ３２ａ，５９ａ 分離溝 ４１ 下地成長層 ４２ ＧａＮ層 ４３ ＩｎＧａＮ層 ４４ ＧａＮ層 ４５ ｐ側電極 ４６ ｎ側電極 11,51 Growth substrate 21 First substrate 21a Release layer 26 Second substrate 12,22,52 elements 52a Underlying growth layer 13,23,53 sheets 14,24,54 Adhesive layer 15,25,55 Adhesive sheet 16,56 substrates 17,27,57 Adhesive layer 18,28,58 mask 29 Resin layer 29a resin 30a, 30b electrode pad 31 Resin-formed chip 32,59 dicing saw 32a, 59a separation groove 41 Underlayer 42 GaN layer 43 InGaN layer 44 GaN layer 45 p-side electrode 46 n-side electrode

Claims (33)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 第一基板上に素子を形成する工程と、 シート上に粘着層が形成された粘着シートに前記素子を
接着した後、前記第一基板の裏面側からの光の照射によ
り前記素子を前記第一基板から分離して前記粘着シート
に前記素子を保持する工程と、 前記接着シートから選択的に離脱して前記素子を前記第
二基板上に配列する工程とを有することを特徴とする素
子の配列方法。1. A step of forming an element on a first substrate, the method comprising: adhering the element to an adhesive sheet having an adhesive layer formed on a sheet, and then irradiating light from the back surface side of the first substrate. A step of separating the element from the first substrate and holding the element on the adhesive sheet; and a step of selectively separating the element from the adhesive sheet and arranging the elements on the second substrate. Arrangement method of elements. 【請求項２】 前記素子は窒化物半導体を用いた半導体
素子であることを特徴とする請求項１記載の素子の配列
方法。2. The device arranging method according to claim 1, wherein the device is a semiconductor device using a nitride semiconductor. 【請求項３】 前記素子は、 前記第一基板上に前記第一基板の主面に対して傾斜した
傾斜結晶面を有する結晶層を形成し、前記傾斜結晶面に
平行な面内に延在する第一導電層、活性層、及び第二導
電層を前記結晶層に形成してなる、 若しくは前記第一基板上に前記第一基板の主面に積層す
る結晶層を形成し、前記主面に平行な面内に延在する第
一導電層、活性層、及び第二導電層を前記結晶層に形成
してなることを特徴とする請求項１記載の素子の配列方
法。3. The device has a crystal layer having a tilted crystal plane tilted with respect to a main surface of the first substrate on the first substrate and extending in a plane parallel to the tilted crystal plane. A first conductive layer, an active layer, and a second conductive layer are formed on the crystal layer, or a crystal layer is formed on the main surface of the first substrate, and the main surface is formed on the main surface. The method for arranging elements according to claim 1, wherein a first conductive layer, an active layer, and a second conductive layer extending in a plane parallel to are formed in the crystal layer. 【請求項４】 前記素子は発光素子、液晶制御素子、光
電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダ
イオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気
素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分
であることを特徴とする請求項１記載の素子の配列方
法。4. The element or a portion thereof selected from a light emitting element, a liquid crystal control element, a photoelectric conversion element, a piezoelectric element, a thin film transistor element, a thin film diode element, a resistance element, a switching element, a micro magnetic element, and a micro optical element. The method for arranging elements according to claim 1, wherein 【請求項５】 前記光はレーザ光であり、前記第一基板
は前記レーザ光に対して透過性を有し、前記光の照射に
より前記第一基板と前記素子との界面でアブレーション
が生じて前記第一基板から前記素子が分離することを特
徴とする請求項１記載の素子の配列方法。5. The light is laser light, the first substrate is transparent to the laser light, and the irradiation of the light causes ablation at an interface between the first substrate and the element. The method for arranging elements according to claim 1, wherein the elements are separated from the first substrate. 【請求項６】 前記素子は裏面側からダイシング若しく
は異方性エッチングにより素子毎に分離されて形成され
ることを特徴とする請求項１記載の素子の配列方法。6. The method of arranging elements according to claim 1, wherein the elements are separated from each other by dicing or anisotropic etching from the back surface side. 【請求項７】 前記素子は、樹脂により固められ、前記
樹脂をダイシングして前記樹脂で覆われた状態で素子毎
に分離されることを特徴とする請求項１記載の素子の配
列方法。7. The method of arranging elements according to claim 1, wherein the elements are hardened with a resin, and the elements are separated in a state of being covered with the resin by dicing the resin. 【請求項８】 前記素子の裏面に電極の一方が形成され
ることを特徴とする請求項１記載の素子の配列方法。8. The method for arranging elements according to claim 1, wherein one of electrodes is formed on a back surface of the element. 【請求項９】 前記粘着層は、紫外線硬化型樹脂、熱硬
化性樹脂、熱可塑性樹脂、若しくはこれらの組み合わせ
であることを特徴とする請求項１記載の素子の配列方
法。9. The method for arranging elements according to claim 1, wherein the adhesive layer is an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a combination thereof. 【請求項１０】 前記第二基板上に接着層が形成され、
前記第二基板上に前記粘着シートを重ねた後、前記粘着
シート上にマスク層を形成し、前記粘着シートの裏面側
から光を照射して前記素子を選択的に離脱することを特
徴とする請求項１記載の素子の配列方法。10. An adhesive layer is formed on the second substrate,
After the pressure-sensitive adhesive sheet is overlaid on the second substrate, a mask layer is formed on the pressure-sensitive adhesive sheet, and light is irradiated from the back surface side of the pressure-sensitive adhesive sheet to selectively separate the element. The method for arranging the elements according to claim 1. 【請求項１１】 前記光は紫外線、赤外線であることを
特徴とする請求項１０記載の素子の配列方法。11. The method according to claim 10, wherein the light is ultraviolet light or infrared light. 【請求項１２】 前記粘着シートはダイシングテープで
あることを特徴とする請求項１記載の素子の配列方法。12. The method for arranging elements according to claim 1, wherein the adhesive sheet is a dicing tape. 【請求項１３】 前記シートは前記粘着シートの裏面側
から照射する前記光に対して透過性を有することを特徴
とする請求項１記載の素子の配列方法。13. The method for arranging elements according to claim 1, wherein the sheet is transparent to the light emitted from the back surface side of the adhesive sheet. 【請求項１４】 前記シートはビニル系樹脂、ポリオレ
フィン系樹脂、ポリエステル系樹脂から構成されること
を特徴とする請求項１３記載の素子の配列方法。14. The element arranging method according to claim 13, wherein the sheet is made of a vinyl resin, a polyolefin resin, or a polyester resin. 【請求項１５】 第一基板上に発光素子を形成し、該発
光素子をマトリクス状に配置する画像表示装置の製造方
法において、 シート上に粘着層が形成された粘着シートに前記発光素
子を接着した後、前記第一基板の裏面側からの光の照射
により前記発光素子を前記第一基板から分離して前記粘
着シートに前記発光素子を保持する工程と、 前記接着シートから選択的に離脱して前記発光素子を前
記第二基板上に配置する工程と、 前記各発光素子に接続させる配線を形成する配線を形成
する工程とを有することを特徴とする画像表示装置の製
造方法。15. A method for manufacturing an image display device, comprising forming a light emitting element on a first substrate and arranging the light emitting element in a matrix, wherein the light emitting element is bonded to an adhesive sheet having an adhesive layer formed on the sheet. After that, a step of separating the light emitting element from the first substrate by irradiation of light from the back surface side of the first substrate and holding the light emitting element on the adhesive sheet, and selectively separating from the adhesive sheet. A step of disposing the light emitting element on the second substrate and a step of forming a wiring for connecting the light emitting element to each of the light emitting elements. 【請求項１６】 第一基板上に配列された複数の素子を
第二基板上に配列する素子の配列方法において、 シート上に粘着層が形成された粘着シートに前記素子を
接着して前記粘着シートに前記素子を保持させる工程
と、 前記粘着シートに保持された前記素子を選択的に離脱し
て、前記粘着シート上で前記素子が保持された状態より
は離間した状態となるように、前記素子を前記第二基板
上に配列する工程とを有することを特徴とする素子の配
列方法。16. A method of arranging a plurality of elements arranged on a first substrate on a second substrate, comprising: adhering the elements to a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer formed on the sheet; A step of holding the element on a sheet, selectively releasing the element held on the pressure-sensitive adhesive sheet, so that the element on the pressure-sensitive adhesive sheet is separated from the state held, Arranging the elements on the second substrate. 【請求項１７】 前記素子は窒化物半導体を用いた半導
体素子であることを特徴とする請求項１６記載の素子の
配列方法。17. The method according to claim 16, wherein the device is a semiconductor device using a nitride semiconductor. 【請求項１８】 前記素子は、 前記第一基板上に前記第一基板の主面に対して傾斜した
傾斜結晶面を有する結晶層を形成し、前記傾斜結晶面に
平行な面内に延在する第一導電層、活性層、及び第二導
電層を前記結晶層に形成してなる、 若しくは前記第一基板上に前記第一基板の主面に積層す
る結晶層を形成し、前記主面に平行な面内に延在する第
一導電層、活性層、及び第二導電層を前記結晶層に形成
してなることを特徴とする請求項１６記載の素子の配列
方法。18. The device comprises a crystal layer having a tilted crystal plane tilted with respect to a main surface of the first substrate on the first substrate, and extending in a plane parallel to the tilted crystal plane. A first conductive layer, an active layer, and a second conductive layer are formed on the crystal layer, or a crystal layer is formed on the main surface of the first substrate, and the main surface is formed on the main surface. 17. The method of arranging elements according to claim 16, wherein a first conductive layer, an active layer, and a second conductive layer extending in a plane parallel to are formed in the crystal layer. 【請求項１９】 前記素子は発光素子、液晶制御素子、
光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜
ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁
気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくその部分
であることを特徴とする請求項１６記載の素子の配列方
法。19. The element is a light emitting element, a liquid crystal control element,
17. An element or a portion thereof selected from a photoelectric conversion element, a piezoelectric element, a thin film transistor element, a thin film diode element, a resistance element, a switching element, a micro magnetic element, and a micro optical element. Arrangement method. 【請求項２０】 前記素子は、配線の一部が形成された
後に樹脂により固められ、前記樹脂をダイシングして前
記樹脂で覆われた状態で素子毎に分離されることを特徴
とする請求項１６記載の素子の配列方法。20. The element is separated by each element in a state where the element is hardened with a resin after a part of the wiring is formed, and the resin is diced to be covered with the resin. 16. The method for arranging the elements according to 16. 【請求項２１】 前記素子の裏面に電極の一方が形成さ
れることを特徴とする請求項１６記載の素子の配列方
法。21. The element arraying method according to claim 16, wherein one of electrodes is formed on a back surface of the element. 【請求項２２】 前記配線の一部は電極パッドであるこ
とを特徴とする請求項２０記載の素子の配列方法。22. The element arranging method according to claim 20, wherein a part of the wiring is an electrode pad. 【請求項２３】 前記素子を前記第二基板上に配列する
工程で離間させる距離が前記シート上に保持された素子
のピッチの略整数倍になっていることを特徴とする請求
項１６記載の素子の配列方法。23. The distance according to claim 16, wherein a distance for separating the elements in the step of arranging the elements on the second substrate is substantially an integral multiple of a pitch of the elements held on the sheet. How to arrange elements. 【請求項２４】 前記粘着層は、紫外線硬化型樹脂、熱
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、若しくはこれらの組み合わ
せであることを特徴とする請求項１６記載の素子の配列
方法。24. The element arranging method according to claim 16, wherein the adhesive layer is an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a combination thereof. 【請求項２５】 前記第二基板上に接着層が形成され、
前記第二基板上に前記粘着シートを重ねた後、前記粘着
シート上にマスク層を形成し、前記粘着シートの裏面側
から光を照射して前記素子を選択的に離脱することを特
徴とする請求項１６記載の素子の配列方法。25. An adhesive layer is formed on the second substrate,
After the pressure-sensitive adhesive sheet is overlaid on the second substrate, a mask layer is formed on the pressure-sensitive adhesive sheet, and light is irradiated from the back surface side of the pressure-sensitive adhesive sheet to selectively separate the element. The method for arranging the elements according to claim 16. 【請求項２６】 前記光は紫外線、赤外線であることを
特徴とする請求項２５記載の素子の配列方法。26. The method according to claim 25, wherein the light is ultraviolet light or infrared light. 【請求項２７】 前記粘着シートはダイシングテープで
あることを特徴とする請求項１６記載の素子の配列方
法。27. The method of arranging elements according to claim 16, wherein the adhesive sheet is a dicing tape. 【請求項２８】 前記シートは前記粘着シートの裏面側
から照射する前記光に対して透過性を有することを特徴
とする請求項１６記載の素子の配列方法。28. The element arranging method according to claim 16, wherein the sheet is transparent to the light emitted from the back surface side of the adhesive sheet. 【請求項２９】 前記シートはビニル系樹脂、ポリオレ
フィン系樹脂、ポリエステル系樹脂から構成されること
を特徴とする請求項１６記載の素子の配列方法。29. The element arranging method according to claim 16, wherein the sheet is made of a vinyl resin, a polyolefin resin, or a polyester resin. 【請求項３０】 発光素子をマトリクス状に配置する画
像表示装置の製造方法において、 第一基板上に配列された複数の発光素子を、シート上に
粘着層が形成された粘着シートに接着して該粘着シート
に前記発光素子を保持させる工程と、 前記粘着シートに保持された前記発光素子を選択的に離
脱して、前記粘着シート上で前記発光素子が保持された
状態よりは離間した状態となるように、前記発光素子を
前記第二基板上に配置する工程と、 前記各発光素子に接続させる配線を形成する配線を形成
する工程とを有することを特徴とする画像表示装置の製
造方法。30. A method of manufacturing an image display device in which light-emitting elements are arranged in a matrix, wherein a plurality of light-emitting elements arranged on a first substrate are bonded to an adhesive sheet having an adhesive layer formed on the sheet. A step of holding the light emitting element on the pressure-sensitive adhesive sheet; and a state in which the light-emitting element held by the pressure-sensitive adhesive sheet is selectively separated and separated from a state in which the light-emitting element is held on the pressure-sensitive adhesive sheet. As described above, the method of manufacturing an image display device, comprising: the step of disposing the light emitting element on the second substrate; and the step of forming a wiring forming a wiring connected to each of the light emitting elements. 【請求項３１】 第一基板上に配列された複数の素子を
第二基板上に配列する素子の配列方法において、 前記第一基板上で前記素子が配列された状態よりは離間
した状態となるように、シート上に粘着層が形成された
粘着シートに前記素子を接着して前記粘着シートに前記
素子を保持させる工程と、 前記粘着シートに保持された前記素子をさらに離間して
前記第二基板上に転写する工程とを有することを特徴と
する素子の配列方法。31. An element arranging method for arranging a plurality of elements arranged on a first substrate on a second substrate, wherein the element is separated from a state in which the elements are arranged on the first substrate. As such, a step of adhering the element to an adhesive sheet having an adhesive layer formed on a sheet to hold the element on the adhesive sheet, and further separating the element held on the adhesive sheet from the second And a step of transferring onto a substrate. 【請求項３２】 前記素子を前記粘着シートに保持させ
る工程で離間させる距離が前記第一基板上に配列する素
子のピッチの略整数倍になり、前記第二基板上に配列す
る工程で離間させる距離が前記シート上に保持された素
子のピッチの略整数倍になっていることを特徴とする請
求項３１記載の素子の配列方法。32. The distance for separating the elements in the step of holding the adhesive sheet on the adhesive sheet is substantially an integer multiple of the pitch of the elements arranged on the first substrate, and the elements are separated in the step of arranging the elements on the second substrate. 32. The element arranging method according to claim 31, wherein the distance is substantially an integral multiple of the pitch of the elements held on the sheet. 【請求項３３】 第一基板上に配列された複数の発光素
子を第二基板上にマトリクス状に配置する画像表示装置
の製造方法において、 前記第一基板上で前記発光素子が配列された状態よりは
離間した状態となるように、シート上に粘着層が形成さ
れた粘着シートに前記発光素子を接着して前記粘着シー
トに前記発光素子を保持させる工程と、 前記粘着シートに保持された前記発光素子を選択的に離
脱して、前記粘着シート上に保持された前記発光素子を
さらに離間して前記発光素子を前記第二基板上に配置す
る工程と、 前記各発光素子に接続させる配線を形成する配線を形成
する工程とを有することを特徴とする画像表示装置の製
造方法。33. A method of manufacturing an image display device, wherein a plurality of light emitting elements arranged on a first substrate are arranged in a matrix on a second substrate, wherein the light emitting elements are arranged on the first substrate. A state in which the light emitting element is held on the pressure sensitive adhesive sheet by adhering the light emitting element to a pressure sensitive adhesive sheet on which a pressure sensitive adhesive layer is formed, so that the light emitting element is held by the pressure sensitive adhesive sheet. A step of selectively separating the light emitting elements, further separating the light emitting elements held on the pressure-sensitive adhesive sheet and disposing the light emitting elements on the second substrate, and wiring for connecting to each of the light emitting elements. And a step of forming wiring to be formed.
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