JP2003077809A - 露光方法及び露光光供給装置 - Google Patents
露光方法及び露光光供給装置Info
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- JP2003077809A JP2003077809A JP2001267132A JP2001267132A JP2003077809A JP 2003077809 A JP2003077809 A JP 2003077809A JP 2001267132 A JP2001267132 A JP 2001267132A JP 2001267132 A JP2001267132 A JP 2001267132A JP 2003077809 A JP2003077809 A JP 2003077809A
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- light beam
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光装置1台当たりに要する費用や露光装置
の性能が1台のレーザユニットの費用や性能に影響され
ずに、費用の低減や性能の向上を可能にする。 【解決手段】 複数のレーザユニットL1,L2をパル
ス信号発生器Pが発する一定周波数のパルス信号に基づ
いて同期させパルス発光させて得られた複数の光束を1
つの光束に合成し、この合成された光束をハーフミラー
H1,H2,H3で複数の光束に分割し、分割された個
々の光束を複数の露光装置E1,E2,E3のそれぞれ
の照明光学系に導入し、露光装置E1,E2,E3のそ
れぞれにおいて前記一定周波数のパルス信号に基づいて
それぞれ個別に露光量制御を行ないながら原版の像を感
光基板上に転写する。
の性能が1台のレーザユニットの費用や性能に影響され
ずに、費用の低減や性能の向上を可能にする。 【解決手段】 複数のレーザユニットL1,L2をパル
ス信号発生器Pが発する一定周波数のパルス信号に基づ
いて同期させパルス発光させて得られた複数の光束を1
つの光束に合成し、この合成された光束をハーフミラー
H1,H2,H3で複数の光束に分割し、分割された個
々の光束を複数の露光装置E1,E2,E3のそれぞれ
の照明光学系に導入し、露光装置E1,E2,E3のそ
れぞれにおいて前記一定周波数のパルス信号に基づいて
それぞれ個別に露光量制御を行ないながら原版の像を感
光基板上に転写する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフ
ィ技術によるLSI、VLSIなどの半導体デバイスを
はじめとする高精密素子の製造に適した露光方法及び露
光光供給装置等に関する。
ィ技術によるLSI、VLSIなどの半導体デバイスを
はじめとする高精密素子の製造に適した露光方法及び露
光光供給装置等に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、高精密フォトリソグラフィ工程に
おいて用いられる露光装置に関しては、1台の露光装置
に対して1つの光源が構成されていた。現在、このよう
な露光装置においては、光源として水銀ランプまたはエ
キシマレーザ・ユニットが用いられている。この光源の
種類は、半導体デバイスの集積度との関わりが大きく、
半導体デバイスの微細化の進行とともに製造プロセス及
び露光装置の解像力の向上が求められ、その要求を実現
する手段として、露光装置においては光源の短波長化と
投影光学系の高性能化が行なわれてきた。このうち光源
の短波長化に関しては、水銀ランプを用いた初期のg線
(波長436nm)からi線(波長365nm)を経
て、現在、KrFガスをレーザ媒質とするエキシマレー
ザ(波長248nm)が主流となっている。今後は、A
rFやF2 を利用したより短い波長のエキシマレーザが
これに代わっていくものと予想されている。また、露光
装置の光源として用いられているエキシマレーザの波長
以外の特徴は、水銀ランプと比較してパルス光として出
力されること(水銀ランプは連続光)、大型で露光装置
本体の側に独立して設置される単一ユニットであること
(水銀ランプは本体搭載)などを挙げることができる。
おいて用いられる露光装置に関しては、1台の露光装置
に対して1つの光源が構成されていた。現在、このよう
な露光装置においては、光源として水銀ランプまたはエ
キシマレーザ・ユニットが用いられている。この光源の
種類は、半導体デバイスの集積度との関わりが大きく、
半導体デバイスの微細化の進行とともに製造プロセス及
び露光装置の解像力の向上が求められ、その要求を実現
する手段として、露光装置においては光源の短波長化と
投影光学系の高性能化が行なわれてきた。このうち光源
の短波長化に関しては、水銀ランプを用いた初期のg線
(波長436nm)からi線(波長365nm)を経
て、現在、KrFガスをレーザ媒質とするエキシマレー
ザ(波長248nm)が主流となっている。今後は、A
rFやF2 を利用したより短い波長のエキシマレーザが
これに代わっていくものと予想されている。また、露光
装置の光源として用いられているエキシマレーザの波長
以外の特徴は、水銀ランプと比較してパルス光として出
力されること(水銀ランプは連続光)、大型で露光装置
本体の側に独立して設置される単一ユニットであること
(水銀ランプは本体搭載)などを挙げることができる。
【0003】一方、投影光学系の高性能化に関しては、
レンズ特性の改良を重ねることによる高NA化が行なわ
れてきたが、同時に静止露光から走査露光への露光方式
の転換がNAと結像特性の改善に大きく寄与している。
静止露光方式においては、原版ステージ及び基板ステー
ジを静止させた状態で原版の像を感光基板上に一括転写
している。これに対して走査露光方式においては、原版
ステージ及び基板ステージの走査方向について投影光学
系の視野を限定したスリットを通して、原版の像を感光
基板上に投影した状態で、原版ステージ及び基板ステー
ジを走査させることによって、原版の全体を感光基板上
に転写する。さらに走査露光方式においては、投影光学
系のフォーカスを基板の表面形状に合わせながら露光す
ることが可能となっている。また静止露光方式における
露光量は、原版を照射する光のエネルギと照射時間によ
って制御される。一方、走査露光方式における露光量は
原版を照射する光のエネルギと感光基板の移動速度によ
って制御される。このような走査露光方式の露光装置に
おいては、露光量の制御に限らず、前記感光基板の状態
に合わせて投影光学系のフォーカスや投影像の倍率・傾
きなどの補正を走査露光している最中にも行なってい
る。このような制御方法は、走査露光中に予め決められ
た周期で所定の制御や補正を繰り返し行なうことによ
り、被露光面の形状に応じたフォーカスの補正を高精度
に行なったり、前工程において被露光面に形成されてい
る回路パターンにより高精度に重ね合わせを行なったり
することを目的としている。
レンズ特性の改良を重ねることによる高NA化が行なわ
れてきたが、同時に静止露光から走査露光への露光方式
の転換がNAと結像特性の改善に大きく寄与している。
静止露光方式においては、原版ステージ及び基板ステー
ジを静止させた状態で原版の像を感光基板上に一括転写
している。これに対して走査露光方式においては、原版
ステージ及び基板ステージの走査方向について投影光学
系の視野を限定したスリットを通して、原版の像を感光
基板上に投影した状態で、原版ステージ及び基板ステー
ジを走査させることによって、原版の全体を感光基板上
に転写する。さらに走査露光方式においては、投影光学
系のフォーカスを基板の表面形状に合わせながら露光す
ることが可能となっている。また静止露光方式における
露光量は、原版を照射する光のエネルギと照射時間によ
って制御される。一方、走査露光方式における露光量は
原版を照射する光のエネルギと感光基板の移動速度によ
って制御される。このような走査露光方式の露光装置に
おいては、露光量の制御に限らず、前記感光基板の状態
に合わせて投影光学系のフォーカスや投影像の倍率・傾
きなどの補正を走査露光している最中にも行なってい
る。このような制御方法は、走査露光中に予め決められ
た周期で所定の制御や補正を繰り返し行なうことによ
り、被露光面の形状に応じたフォーカスの補正を高精度
に行なったり、前工程において被露光面に形成されてい
る回路パターンにより高精度に重ね合わせを行なったり
することを目的としている。
【0004】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら上記
従来例においては、1台の露光装置に1台のレーザユニ
ットを構成しているため、レーザユニットの導入及び維
持に要する費用が露光装置全体の導入及び運用に要する
費用に多大な影響を与え、それと同時にレーザユニット
が大型であることから、レーザユニットを設置するため
の広いスペースを露光装置の近傍に用意しなければなら
なかった。また一方で、半導体デバイスの製造プロセス
が多様化されているために、それぞれの製造工程におい
て必要とされる露光エネルギに大きな差があり、結果と
して、1台の露光装置に1台のレーザユニットを構成す
る従来の露光方法においては、余剰エネルギを発生させ
たり、パルス当たりのエネルギの不足などによって露光
時間が長くなり、露光装置の処理速度を低下させたりす
る。つまり、上記従来例に示す1台の露光装置に1台の
レーザユニットを構成する露光方法においては、露光装
置に要する費用や露光装置の性能が、その露光装置に構
成された1台のレーザユニットに要する費用やそのレー
ザユニットの性能によって大きく影響されるという欠点
がある。
従来例においては、1台の露光装置に1台のレーザユニ
ットを構成しているため、レーザユニットの導入及び維
持に要する費用が露光装置全体の導入及び運用に要する
費用に多大な影響を与え、それと同時にレーザユニット
が大型であることから、レーザユニットを設置するため
の広いスペースを露光装置の近傍に用意しなければなら
なかった。また一方で、半導体デバイスの製造プロセス
が多様化されているために、それぞれの製造工程におい
て必要とされる露光エネルギに大きな差があり、結果と
して、1台の露光装置に1台のレーザユニットを構成す
る従来の露光方法においては、余剰エネルギを発生させ
たり、パルス当たりのエネルギの不足などによって露光
時間が長くなり、露光装置の処理速度を低下させたりす
る。つまり、上記従来例に示す1台の露光装置に1台の
レーザユニットを構成する露光方法においては、露光装
置に要する費用や露光装置の性能が、その露光装置に構
成された1台のレーザユニットに要する費用やそのレー
ザユニットの性能によって大きく影響されるという欠点
がある。
【0005】本発明の目的は、上記従来技術の問題点に
鑑み、レーザユニットを光源とする露光方法において、
露光装置1台当たりに要する費用や露光装置の性能が、
1台のレーザユニットの費用や性能に影響されずに、費
用の低減や性能の向上を可能にすることである。
鑑み、レーザユニットを光源とする露光方法において、
露光装置1台当たりに要する費用や露光装置の性能が、
1台のレーザユニットの費用や性能に影響されずに、費
用の低減や性能の向上を可能にすることである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る第1の露光方法は、複数のレーザユニ
ットを一定周波数のパルス信号に基づいて同期させてパ
ルス発光させて得られた複数の光束を1つの光束に合成
する光束合成工程と、前記光束合成工程において合成さ
れた光束を複数の光束に分割する光束分割工程と、前記
光束分割工程により分割された個々の光束を複数の露光
装置のそれぞれの照明光学系に導入する光束導入工程
と、前記複数の露光装置のそれぞれにおいて前記一定周
波数のパルス信号に基づいてそれぞれ個別に露光量制御
を行ないながら原版の像を感光基板上に転写する個別転
写工程とを、備えたことを特徴とする。
に、本発明に係る第1の露光方法は、複数のレーザユニ
ットを一定周波数のパルス信号に基づいて同期させてパ
ルス発光させて得られた複数の光束を1つの光束に合成
する光束合成工程と、前記光束合成工程において合成さ
れた光束を複数の光束に分割する光束分割工程と、前記
光束分割工程により分割された個々の光束を複数の露光
装置のそれぞれの照明光学系に導入する光束導入工程
と、前記複数の露光装置のそれぞれにおいて前記一定周
波数のパルス信号に基づいてそれぞれ個別に露光量制御
を行ないながら原版の像を感光基板上に転写する個別転
写工程とを、備えたことを特徴とする。
【0007】本発明に係る第2の露光方法は、前記第1
の露光方法において、レーザユニットを1台にすること
により前記光束合成工程を省略したことを特徴とする。
の露光方法において、レーザユニットを1台にすること
により前記光束合成工程を省略したことを特徴とする。
【0008】本発明に係る第3の露光方法は、原版ステ
ージ及び基板ステージを静止させた状態で原版の像を感
光基板上に一括転写する静止露光方法における前記露光
量制御を、前記一定周波数のパルス信号に基づいてシャ
ッタを制御することによって行なうことを特徴とする。
ージ及び基板ステージを静止させた状態で原版の像を感
光基板上に一括転写する静止露光方法における前記露光
量制御を、前記一定周波数のパルス信号に基づいてシャ
ッタを制御することによって行なうことを特徴とする。
【0009】本発明に係る第4の露光方法は、原版の像
の一部を感光基板上に投影した状態で原版ステージ及び
基板ステージを走査させることにより原版の像を感光基
板上に転写させる走査露光方法における前記露光量制御
を、前記一定周波数のパルス信号に基づいて原版ステー
ジと基板ステージの速度または位置を制御することによ
って行なうことを特徴とする。
の一部を感光基板上に投影した状態で原版ステージ及び
基板ステージを走査させることにより原版の像を感光基
板上に転写させる走査露光方法における前記露光量制御
を、前記一定周波数のパルス信号に基づいて原版ステー
ジと基板ステージの速度または位置を制御することによ
って行なうことを特徴とする。
【0010】前記第1の露光方法の構成において、光束
合成工程では複数のレーザユニットを一定周波数のパル
ス信号に基づいて同期してパルス発光させて得られた複
数の光束を一定の周波数でパルス発光する1つの光束と
して合成し、光束分割工程では前記光束合成工程によっ
て合成された1つの光束を複数の露光装置のそれぞれに
おいて必要とされる照度に応じて再分割し、光束導入工
程では前記光束分割工程によって分割された各光束を前
記複数の露光装置のそれぞれの照明系に単一のレーザユ
ニットから出力された光束と同等に入射させ、個別転写
工程は前記複数の露光装置のそれぞれにおいて前記一定
周波数のパルス信号によって個別に露光量制御を行ない
ながら転写を行なうことを可能にする。
合成工程では複数のレーザユニットを一定周波数のパル
ス信号に基づいて同期してパルス発光させて得られた複
数の光束を一定の周波数でパルス発光する1つの光束と
して合成し、光束分割工程では前記光束合成工程によっ
て合成された1つの光束を複数の露光装置のそれぞれに
おいて必要とされる照度に応じて再分割し、光束導入工
程では前記光束分割工程によって分割された各光束を前
記複数の露光装置のそれぞれの照明系に単一のレーザユ
ニットから出力された光束と同等に入射させ、個別転写
工程は前記複数の露光装置のそれぞれにおいて前記一定
周波数のパルス信号によって個別に露光量制御を行ない
ながら転写を行なうことを可能にする。
【0011】上記第2の露光方法において、光束分割工
程は一定周波数のパルス信号に基づいて1台のレーザユ
ニットからパルス発光させて得られた1つの光束を複数
の露光装置のそれぞれにおいて必要とされる照度に応じ
て分割するものである。
程は一定周波数のパルス信号に基づいて1台のレーザユ
ニットからパルス発光させて得られた1つの光束を複数
の露光装置のそれぞれにおいて必要とされる照度に応じ
て分割するものである。
【0012】上記第3の露光方法におけるシャッタの制
御は、前記レーザユニットを一定周波数でパルス発光さ
せるために用いる前記パルス信号によってシャッタの位
置を制御するものである。
御は、前記レーザユニットを一定周波数でパルス発光さ
せるために用いる前記パルス信号によってシャッタの位
置を制御するものである。
【0013】上記第4の露光方法における原版ステージ
及び基板ステージの制御は、露光中、前記レーザユニッ
トを一定周波数でパルス発光させるために用いる前記パ
ルス信号に基づいて確定される周期で、少なくとも前記
原版ステージと前記基板ステージとを繰り返し制御する
ものである。
及び基板ステージの制御は、露光中、前記レーザユニッ
トを一定周波数でパルス発光させるために用いる前記パ
ルス信号に基づいて確定される周期で、少なくとも前記
原版ステージと前記基板ステージとを繰り返し制御する
ものである。
【0014】また、本発明に係る露光光供給装置は、一
定周波数のパルス信号に基づいてパルス発光するレーザ
ユニットと、該レーザユニットが発する光束を複数の光
束に分割する光束分割手段と、前記光束分割手段により
分割された個々の光束を複数の露光装置のそれぞれの照
明光学系に導入する光束導入手段と、前記複数の露光装
置のそれぞれに対応して前記一定周波数のパルス信号に
基づきそれぞれ個別に露光量制御を行なう露光量制御手
段とを有することを特徴とする。
定周波数のパルス信号に基づいてパルス発光するレーザ
ユニットと、該レーザユニットが発する光束を複数の光
束に分割する光束分割手段と、前記光束分割手段により
分割された個々の光束を複数の露光装置のそれぞれの照
明光学系に導入する光束導入手段と、前記複数の露光装
置のそれぞれに対応して前記一定周波数のパルス信号に
基づきそれぞれ個別に露光量制御を行なう露光量制御手
段とを有することを特徴とする。
【0015】また、本発明に係る露光光供給装置では、
複数の前記レーザユニットを一定周波数のパルス信号に
基づいて同期させてパルス発光させて得られた複数の光
束を1つの光束に合成する光束合成手段を有し、前記光
束合成手段において合成された光束を前記光束分割手段
によって複数の光束に分割して用いてもよい。前記露光
量制御手段は、前記一定周波数のパルス信号に基づいて
シャッタを制御すること、または前記一定周波数のパル
ス信号に基づいて原版ステージと基板ステージの速度及
び位置のどちらかを制御することが可能である。
複数の前記レーザユニットを一定周波数のパルス信号に
基づいて同期させてパルス発光させて得られた複数の光
束を1つの光束に合成する光束合成手段を有し、前記光
束合成手段において合成された光束を前記光束分割手段
によって複数の光束に分割して用いてもよい。前記露光
量制御手段は、前記一定周波数のパルス信号に基づいて
シャッタを制御すること、または前記一定周波数のパル
ス信号に基づいて原版ステージと基板ステージの速度及
び位置のどちらかを制御することが可能である。
【0016】また、本発明は、前記露光光供給装置、該
露光光供給装置から露光光の供給を受ける露光装置、ま
たは前記いずれかの露光方法を用いてデバイスを製造す
るデバイス製造方法にも適用される。
露光光供給装置から露光光の供給を受ける露光装置、ま
たは前記いずれかの露光方法を用いてデバイスを製造す
るデバイス製造方法にも適用される。
【0017】また、本発明は、前記露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工
程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半
導体デバイスを製造する工程とを有するデバイス製造方
法にも適用される。前記製造装置群をローカルエリアネ
ットワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネッ
トワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークと
の間で、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報
をデータ通信する工程とをさらに有することが望まし
い。前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供するデ
ータベースに前記外部ネットワークを介してアクセスし
てデータ通信によって前記製造装置の保守情報を得る、
もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体製造工場と
の間で前記外部ネットワークを介してデータ通信して生
産管理を行うことが好ましい。
プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工
程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半
導体デバイスを製造する工程とを有するデバイス製造方
法にも適用される。前記製造装置群をローカルエリアネ
ットワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネッ
トワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークと
の間で、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報
をデータ通信する工程とをさらに有することが望まし
い。前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供するデ
ータベースに前記外部ネットワークを介してアクセスし
てデータ通信によって前記製造装置の保守情報を得る、
もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体製造工場と
の間で前記外部ネットワークを介してデータ通信して生
産管理を行うことが好ましい。
【0018】また、本発明は、前記露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するロ
ーカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネット
ワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能に
するゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも
1台に関する情報をデータ通信することを可能にした半
導体製造工場にも適用される。
プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するロ
ーカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネット
ワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能に
するゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも
1台に関する情報をデータ通信することを可能にした半
導体製造工場にも適用される。
【0019】また、本発明は、半導体製造工場に設置さ
れた前記露光装置の保守方法であって、前記露光装置の
ベンダもしくはユーザが、半導体製造工場の外部ネット
ワークに接続された保守データベースを提供する工程
と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを
介して前記保守データベースへのアクセスを許可する工
程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前
記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信す
る工程とを有することを特徴としてもよい。
れた前記露光装置の保守方法であって、前記露光装置の
ベンダもしくはユーザが、半導体製造工場の外部ネット
ワークに接続された保守データベースを提供する工程
と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを
介して前記保守データベースへのアクセスを許可する工
程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前
記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信す
る工程とを有することを特徴としてもよい。
【0020】また、本発明は、前記露光装置において、
ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、ネッ
トワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさ
らに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワ
ークを介してデータ通信することを可能にしたことを特
徴としてもよい。前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることが好ましい。
ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、ネッ
トワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさ
らに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワ
ークを介してデータ通信することを可能にしたことを特
徴としてもよい。前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることが好ましい。
【0021】
【発明の実施の形態】<露光方法等の実施形態>
(第1の実施形態)図1は本発明の特徴を最も良く表す
図であり、同図を用いて、第1の実施形態に係る露光方
法における各工程について説明する。ここで、L1及び
L2のそれぞれはレーザユニット、Cは前記レーザユニ
ットL1から出力された光束及び前記レーザユニットL
2から出力された光束を合成する光束合成光学系、M1
及びM2はそれぞれ対応するレーザユニットL1,L2
から出力された光束を前記光束合成光学系Cに導くミラ
ー、E1,E2及びE3はそれぞれ露光装置であり、H
1,H2及びH3は光束を分割するハーフミラー、Pは
一定周期のパルス信号Sを発生するパルス信号発生器で
ある。また、B0は光束合成光学系Cにより合成された
光束、B1,B2及びB3はそれぞれハーフミラーH
1,H2及びH3によって分割された光束である。
図であり、同図を用いて、第1の実施形態に係る露光方
法における各工程について説明する。ここで、L1及び
L2のそれぞれはレーザユニット、Cは前記レーザユニ
ットL1から出力された光束及び前記レーザユニットL
2から出力された光束を合成する光束合成光学系、M1
及びM2はそれぞれ対応するレーザユニットL1,L2
から出力された光束を前記光束合成光学系Cに導くミラ
ー、E1,E2及びE3はそれぞれ露光装置であり、H
1,H2及びH3は光束を分割するハーフミラー、Pは
一定周期のパルス信号Sを発生するパルス信号発生器で
ある。また、B0は光束合成光学系Cにより合成された
光束、B1,B2及びB3はそれぞれハーフミラーH
1,H2及びH3によって分割された光束である。
【0022】パルス信号発生器Pは、予め設定されてい
る一定周波数、例えば1kHzでパルス信号Sを発生
し、このパルス信号SによってレーザユニットL1及び
L2は、それぞれ予め設定されている発振条件にしたが
ってパルス光を1kHzの周期で互いに同期しながら発
光し続ける。レーザユニットL1及びL2から出力され
た光束は、それぞれミラーM1及びM2で反射されてフ
ライアイレンズからなる光束合成光学系Cに導かれ合成
されて1つの光束B0になる。合成後の光束B0は、ま
ずハーフミラーH1において一部が光束B1として露光
装置E1に向かって反射され、同様にハーフミラーH2
において光束B2が露光装置E2に向かって、ハーフミ
ラーH3において光束B3が露光装置E3に向かって反
射される。図1においては反射された光束B1,B2及
びB3がそれぞれ直接に露光装置E1,E2及びE3に
入射するように示されているが、反射後の光束を導入す
る導入手段として光ファイバを用いて露光装置の照明系
に導入することにより、露光装置の配置が比較的自由に
なる。
る一定周波数、例えば1kHzでパルス信号Sを発生
し、このパルス信号SによってレーザユニットL1及び
L2は、それぞれ予め設定されている発振条件にしたが
ってパルス光を1kHzの周期で互いに同期しながら発
光し続ける。レーザユニットL1及びL2から出力され
た光束は、それぞれミラーM1及びM2で反射されてフ
ライアイレンズからなる光束合成光学系Cに導かれ合成
されて1つの光束B0になる。合成後の光束B0は、ま
ずハーフミラーH1において一部が光束B1として露光
装置E1に向かって反射され、同様にハーフミラーH2
において光束B2が露光装置E2に向かって、ハーフミ
ラーH3において光束B3が露光装置E3に向かって反
射される。図1においては反射された光束B1,B2及
びB3がそれぞれ直接に露光装置E1,E2及びE3に
入射するように示されているが、反射後の光束を導入す
る導入手段として光ファイバを用いて露光装置の照明系
に導入することにより、露光装置の配置が比較的自由に
なる。
【0023】各露光装置E1,E2及びE3は、パルス
信号発生器Pが発生するパルス信号Sによって、それぞ
れ光束B1,B2及びB3のパルス発光のタイミングを
検知して、独立して露光量制御を行なう。
信号発生器Pが発生するパルス信号Sによって、それぞ
れ光束B1,B2及びB3のパルス発光のタイミングを
検知して、独立して露光量制御を行なう。
【0024】ここで、各露光装置において必要とされる
露光量は常に一定とは限らないので、ハーフミラーH
1,H2及びH3のそれぞれにおいて反射率の切替えが
可能な構成にすることにより、各露光装置における露光
量を変更する際の手間は減少させることができる。ハー
フミラーH3が反射率100%のミラーで構成される場
合には、全てのレーザ光が分割されていずれかの露光装
置に向かうが、ハーフミラーH3が反射率100%未満
として構成されることを考慮して、ハーフミラーH3を
透過したレーザ光を終端させる仕組みを設ける必要があ
る。さらに、ハーフミラーH1,H2及びH3のそれぞ
れの反射率の切替え、レーザユニットL1及びL2のそ
れぞれから出力されるパルス光の発振条件の設定及びパ
ルス信号発生器Pが発生するパルス信号Sの周波数の変
更を不図示の工程制御系によって制御することにより、
各露光装置E1,E2,E3に対する適切な光束の供給
が容易になる。
露光量は常に一定とは限らないので、ハーフミラーH
1,H2及びH3のそれぞれにおいて反射率の切替えが
可能な構成にすることにより、各露光装置における露光
量を変更する際の手間は減少させることができる。ハー
フミラーH3が反射率100%のミラーで構成される場
合には、全てのレーザ光が分割されていずれかの露光装
置に向かうが、ハーフミラーH3が反射率100%未満
として構成されることを考慮して、ハーフミラーH3を
透過したレーザ光を終端させる仕組みを設ける必要があ
る。さらに、ハーフミラーH1,H2及びH3のそれぞ
れの反射率の切替え、レーザユニットL1及びL2のそ
れぞれから出力されるパルス光の発振条件の設定及びパ
ルス信号発生器Pが発生するパルス信号Sの周波数の変
更を不図示の工程制御系によって制御することにより、
各露光装置E1,E2,E3に対する適切な光束の供給
が容易になる。
【0025】本実施形態においては、ミラーあるいは光
ファイバなどを用いて合成後の光束B0を引き回すこと
が可能な構成になっているので、レーザユニットL1,
L2と露光装置E1〜E3とを互いに離して配置するこ
とも可能である。
ファイバなどを用いて合成後の光束B0を引き回すこと
が可能な構成になっているので、レーザユニットL1,
L2と露光装置E1〜E3とを互いに離して配置するこ
とも可能である。
【0026】(第2の実施形態)図2は前記第1の実施
形態に係る露光方法において露光量制御を高精度に行な
う静止露光方式の露光装置の構成の概略を示す図であ
る。同図において、1は入射されるパルス光から原版の
照明光を生成する照明光学系、7は原版、6は感光基
板、2は原版7の像を感光基板6上に投影する投影光学
系、4は原版7を移動させる原版ステージ、5は基板6
を移動させる基板ステージ、Bnは照明光学系1に導入
されるパルス光の光束、8は光束Bnに対して露光時に
透光して非露光時に遮光するシャッタ、3は装置定盤で
ある。また、10は指定された条件とパルス信号Sに基
づいてシャッタ8を駆動するシャッタ制御部、11は原
版ステージ4を指定された位置に移動させる動作を制御
する原版ステージ制御部、12は基板ステージ5を指定
された位置に移動させる動作を制御する基板ステージ制
御部を示す。さらに13は、シャッタ制御部10、原版
ステージ制御部11及び基板ステージ制御部12に対し
て駆動命令を発して、原版7の像を感光基板6へ転写す
るための動作を制御するユニット制御系を示す。
形態に係る露光方法において露光量制御を高精度に行な
う静止露光方式の露光装置の構成の概略を示す図であ
る。同図において、1は入射されるパルス光から原版の
照明光を生成する照明光学系、7は原版、6は感光基
板、2は原版7の像を感光基板6上に投影する投影光学
系、4は原版7を移動させる原版ステージ、5は基板6
を移動させる基板ステージ、Bnは照明光学系1に導入
されるパルス光の光束、8は光束Bnに対して露光時に
透光して非露光時に遮光するシャッタ、3は装置定盤で
ある。また、10は指定された条件とパルス信号Sに基
づいてシャッタ8を駆動するシャッタ制御部、11は原
版ステージ4を指定された位置に移動させる動作を制御
する原版ステージ制御部、12は基板ステージ5を指定
された位置に移動させる動作を制御する基板ステージ制
御部を示す。さらに13は、シャッタ制御部10、原版
ステージ制御部11及び基板ステージ制御部12に対し
て駆動命令を発して、原版7の像を感光基板6へ転写す
るための動作を制御するユニット制御系を示す。
【0027】図3は前記シャッタ8の形状の概略を示す
図であり、同図(a)はシャッタの透光状態、同図
(b)はシャッタの遮光状態を示す。同図において、光
束Bnは断面が円形状であることを示しており、8cは
シャッタ8の回転中心である。
図であり、同図(a)はシャッタの透光状態、同図
(b)はシャッタの遮光状態を示す。同図において、光
束Bnは断面が円形状であることを示しており、8cは
シャッタ8の回転中心である。
【0028】図4は露光時にシャッタ制御部10によっ
て行なわれるシャッタ8の駆動制御をパルス信号の個数
(横軸のパルス数=時間)とシャッタ8の位置(縦軸)
との関係で示した図である。同図において、Tmは、二
つあるその一方がシャッタ8の駆動開始から中間位置
(=透光状態)へ到達するまでに要するパルス数であっ
て、他方が中間位置からシャッタ8の駆動終了までに要
するパルス数である。また、Toはシャッタを透光状態
に保持する間に消費するパルス数、Qoはパルス数To
の間の駆動量を示す。ただし、図4において、想定する
パルス信号は前記パルス信号Sに限定されるものではな
い。ここで想定するパルス信号は、パルス信号Sに同期
したn(自然数)倍の周波数あるいは1/nの周波数で
あっても良い。
て行なわれるシャッタ8の駆動制御をパルス信号の個数
(横軸のパルス数=時間)とシャッタ8の位置(縦軸)
との関係で示した図である。同図において、Tmは、二
つあるその一方がシャッタ8の駆動開始から中間位置
(=透光状態)へ到達するまでに要するパルス数であっ
て、他方が中間位置からシャッタ8の駆動終了までに要
するパルス数である。また、Toはシャッタを透光状態
に保持する間に消費するパルス数、Qoはパルス数To
の間の駆動量を示す。ただし、図4において、想定する
パルス信号は前記パルス信号Sに限定されるものではな
い。ここで想定するパルス信号は、パルス信号Sに同期
したn(自然数)倍の周波数あるいは1/nの周波数で
あっても良い。
【0029】(第3の実施形態)図5は前記第1の実施
形態に係る露光方法において露光量制御を高精度に行な
う走査露光方式の露光装置の構成の概略を示す図であ
る。同図において、51は入射されるパルス光から原版
の照明光を生成すると同時にスリットによって原版を照
明する領域を制限している照明光学系、7は原版、6は
感光基板、2は原版7の像を感光基板6上に投影する投
影光学系、4は原版7を移動させる原版ステージ、5は
基板6を移動させる基板ステージ、Bnは照明光学系5
1に導入されるパルス光の光束、3は装置定盤、21は
照明光学系51の内部に位置して原版7の像の転写する
範囲を制限するマスキングブレードである。また、20
は走査露光中に原版ステージ4、基板ステージ5及びマ
スキングブレード21の速度をパルス信号Sに基づいて
確定される周期で補正するリアルタイム制御系である。
ここで、前記補正を行なう周期は、パルス信号Sの周期
ではなく、パルス信号Sと同期した1/nの周期であ
る。
形態に係る露光方法において露光量制御を高精度に行な
う走査露光方式の露光装置の構成の概略を示す図であ
る。同図において、51は入射されるパルス光から原版
の照明光を生成すると同時にスリットによって原版を照
明する領域を制限している照明光学系、7は原版、6は
感光基板、2は原版7の像を感光基板6上に投影する投
影光学系、4は原版7を移動させる原版ステージ、5は
基板6を移動させる基板ステージ、Bnは照明光学系5
1に導入されるパルス光の光束、3は装置定盤、21は
照明光学系51の内部に位置して原版7の像の転写する
範囲を制限するマスキングブレードである。また、20
は走査露光中に原版ステージ4、基板ステージ5及びマ
スキングブレード21の速度をパルス信号Sに基づいて
確定される周期で補正するリアルタイム制御系である。
ここで、前記補正を行なう周期は、パルス信号Sの周期
ではなく、パルス信号Sと同期した1/nの周期であ
る。
【0030】<半導体生産システムの実施形態>次に、
本発明に係る露光方法や装置を用いた半導体デバイス
(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CC
D、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の生産システ
ムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された
製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいは
ソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワークを利用して行うものである。
本発明に係る露光方法や装置を用いた半導体デバイス
(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CC
D、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の生産システ
ムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された
製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいは
ソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワークを利用して行うものである。
【0031】図6は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、101は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の事
業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置
等)を想定している。事業所101内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム10
8、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク(LAN)109を備える。ホスト管理システム1
08は、LAN109を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット105に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
して表現したものである。図中、101は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の事
業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置
等)を想定している。事業所101内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム10
8、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク(LAN)109を備える。ホスト管理システム1
08は、LAN109を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット105に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
【0032】一方、102〜104は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場(例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であっても良
い。各工場102〜104内には、夫々、複数の製造装
置106と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク(LAN)111と、各
製造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム107とが設けられている。各工場1
02〜104に設けられたホスト管理システム107
は、各工場内のLAN111を工場の外部ネットワーク
であるインターネット105に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のLAN111からイ
ンターネット105を介してベンダの事業所101側の
ホスト管理システム108にアクセスが可能となり、ホ
スト管理システム108のセキュリティ機能によって限
られたユーザだけにアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット105を介して、各製造装置1
06の稼動状況を示すステータス情報(例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状)を工場側からベンダ側に
通知する他、その通知に対応する応答情報(例えば、ト
ラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフ
トウェアやデータ)や、最新のソフトウェア、ヘルプ情
報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができ
る。各工場102〜104とベンダの事業所101との
間のデータ通信および各工場内のLAN111でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル(TCP/IP)が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク(ISDNなど)を利
用することもできる。また、ホスト管理システムはベン
ダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築
して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場か
ら該データベースへのアクセスを許可するようにしても
よい。
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場(例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であっても良
い。各工場102〜104内には、夫々、複数の製造装
置106と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク(LAN)111と、各
製造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム107とが設けられている。各工場1
02〜104に設けられたホスト管理システム107
は、各工場内のLAN111を工場の外部ネットワーク
であるインターネット105に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のLAN111からイ
ンターネット105を介してベンダの事業所101側の
ホスト管理システム108にアクセスが可能となり、ホ
スト管理システム108のセキュリティ機能によって限
られたユーザだけにアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット105を介して、各製造装置1
06の稼動状況を示すステータス情報(例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状)を工場側からベンダ側に
通知する他、その通知に対応する応答情報(例えば、ト
ラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフ
トウェアやデータ)や、最新のソフトウェア、ヘルプ情
報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができ
る。各工場102〜104とベンダの事業所101との
間のデータ通信および各工場内のLAN111でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル(TCP/IP)が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク(ISDNなど)を利
用することもできる。また、ホスト管理システムはベン
ダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築
して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場か
ら該データベースへのアクセスを許可するようにしても
よい。
【0033】さて、図7は本実施形態の全体システムを
図6とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部
ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して
各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報を
データ通信するものであった。これに対し本例は、複数
のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置
のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネ
ットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ
通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ
(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置202、レジスト処理装置203、
成膜処理装置204が導入されている。なお図7では製
造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の工
場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置
はLAN206で接続されてイントラネットを構成し、
ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理がさ
れている。
図6とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部
ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して
各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報を
データ通信するものであった。これに対し本例は、複数
のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置
のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネ
ットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ
通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ
(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置202、レジスト処理装置203、
成膜処理装置204が導入されている。なお図7では製
造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の工
場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置
はLAN206で接続されてイントラネットを構成し、
ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理がさ
れている。
【0034】一方、露光装置メーカ210、レジスト処
理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などベンダ
(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム21
1,221,231を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム205と、各装置のベンダの管理システム2
11,221,231とは、外部ネットワーク200で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット200を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などベンダ
(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム21
1,221,231を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム205と、各装置のベンダの管理システム2
11,221,231とは、外部ネットワーク200で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット200を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
【0035】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図8に一例を示す様な画面のユーザインタフェースを
ディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理す
るオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種
401、シリアルナンバー402、トラブルの件名40
3、発生日404、緊急度405、症状406、対処法
407、経過408等の情報を画面上の入力項目に入力
する。入力された情報はインターネットを介して保守デ
ータベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保
守データベースから返信されディスプレイ上に提示され
る。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェー
スはさらに図示のごとくハイパーリンク機能410〜4
12を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報に
アクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブ
ラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウ
ェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操
作ガイド(ヘルプ情報)を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図8に一例を示す様な画面のユーザインタフェースを
ディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理す
るオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種
401、シリアルナンバー402、トラブルの件名40
3、発生日404、緊急度405、症状406、対処法
407、経過408等の情報を画面上の入力項目に入力
する。入力された情報はインターネットを介して保守デ
ータベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保
守データベースから返信されディスプレイ上に提示され
る。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェー
スはさらに図示のごとくハイパーリンク機能410〜4
12を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報に
アクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブ
ラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウ
ェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操
作ガイド(ヘルプ情報)を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
【0036】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図9は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を
行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パタ
ーンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3
(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ
4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンデ
ィング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立
て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図9は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を
行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パタ
ーンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3
(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ
4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンデ
ィング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立
て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
【0037】図10は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。
【0038】
【発明の効果】本発明に係る第1の露光方法は、複数の
レーザユニットを光源とし、露光装置1台当たりに要す
る費用や露光装置の性能が、1台のレーザユニットの費
用や性能に制限されずに、費用の低減や性能の向上を可
能にすることができる。
レーザユニットを光源とし、露光装置1台当たりに要す
る費用や露光装置の性能が、1台のレーザユニットの費
用や性能に制限されずに、費用の低減や性能の向上を可
能にすることができる。
【0039】本発明に係る第2の露光方法では、本出願
に係る第1の露光方法において、レーザユニットの出力
が露光装置において必要とされる露光量の2倍以上であ
る時に、用いるレーザユニットを1台だけにして、露光
装置1台当たりのレーザユニット導入及び維持に要する
費用を低減させることができる。
に係る第1の露光方法において、レーザユニットの出力
が露光装置において必要とされる露光量の2倍以上であ
る時に、用いるレーザユニットを1台だけにして、露光
装置1台当たりのレーザユニット導入及び維持に要する
費用を低減させることができる。
【0040】本発明に係る第3の露光方法によれば、シ
ャッタの駆動をレーザユニットのパルス発光と同期して
制御できるため、静止露光方式の露光装置の露光量制御
を高精度に行なうことができる。
ャッタの駆動をレーザユニットのパルス発光と同期して
制御できるため、静止露光方式の露光装置の露光量制御
を高精度に行なうことができる。
【0041】本発明に係る第4の露光方法によれば、走
査露光方式の露光装置におけるリアルタイム制御の周期
をレーザユニットのパルス発光に同期させるため、露光
量制御を高精度に行なうことができる。
査露光方式の露光装置におけるリアルタイム制御の周期
をレーザユニットのパルス発光に同期させるため、露光
量制御を高精度に行なうことができる。
【図1】 本発明の第1の実施形態に係る露光方法の説
明用システム構成図である。
明用システム構成図である。
【図2】 本発明の第2の実施形態に係る露光方法に適
した露光装置の概略図である。
した露光装置の概略図である。
【図3】 本発明の第2の実施形態に係るシャッタの概
略図である。
略図である。
【図4】 本発明の第2の実施形態に係るシャッタ制御
を示す図である。
を示す図である。
【図5】 本発明の第3の実施形態に係る露光方法に適
した露光装置の概略図である。
した露光装置の概略図である。
【図6】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの
生産システムをある角度から見た概念図である。
生産システムをある角度から見た概念図である。
【図7】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの
生産システムを別の角度から見た概念図である。
生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図8】 ユーザインタフェースの具体例である。
【図9】 デバイスの製造プロセスのフローを説明する
図である。
図である。
【図10】 ウエハプロセスを説明する図である。
B0:合成後の光束、B1,B2,B3,Bn:分割さ
れた光束、C:光束合成光学系、E1,E2,E3:露
光装置、H1,H2,H3:ハーフミラー、L1,L
2:レーザユニット、M1,M2:ミラー、P:パルス
信号発生器、S:パルス信号、1:照明光学系、2:投
影光学系、3:装置定盤、4:原版ステージ、5:基板
ステージ、6:感光基板、7:原版、8:シャッタ、8
c:シャッタの回転中心、10:シャッタ制御部、1
1:原版ステージ制御部、12:基板ステージ制御部、
13:ユニット制御系、20:リアルタイム制御系、2
1:マスキングブレード、51:照明光学系。
れた光束、C:光束合成光学系、E1,E2,E3:露
光装置、H1,H2,H3:ハーフミラー、L1,L
2:レーザユニット、M1,M2:ミラー、P:パルス
信号発生器、S:パルス信号、1:照明光学系、2:投
影光学系、3:装置定盤、4:原版ステージ、5:基板
ステージ、6:感光基板、7:原版、8:シャッタ、8
c:シャッタの回転中心、10:シャッタ制御部、1
1:原版ステージ制御部、12:基板ステージ制御部、
13:ユニット制御系、20:リアルタイム制御系、2
1:マスキングブレード、51:照明光学系。
Claims (9)
- 【請求項1】 複数のレーザユニットを一定周波数のパ
ルス信号に基づいて同期させてパルス発光させて得られ
た複数の光束を1つの光束に合成する光束合成工程と、
前記光束合成工程において合成された光束を複数の光束
に分割する光束分割工程と、前記光束分割工程により分
割された個々の光束を複数の露光装置のそれぞれの照明
光学系に導入する光束導入工程と、前記複数の露光装置
のそれぞれにおいて前記一定周波数のパルス信号に基づ
いてそれぞれ個別に露光量制御を行ないながら原版の像
を感光基板上に転写する個別転写工程とを、備えたこと
を特徴とする露光方法。 - 【請求項2】 前記請求項1記載の露光方法において、
レーザユニットを1台にすることにより前記光束合成工
程を省略したことを特徴とする露光方法。 - 【請求項3】 原版ステージ及び基板ステージを静止さ
せた状態で原版の像を感光基板上に一括転写する静止露
光方法における前記露光量制御は、前記一定周波数のパ
ルス信号に基づいてシャッタを制御することによって行
なうことを特徴とする前記請求項1または2に記載の露
光方法。 - 【請求項4】 原版の像の一部を感光基板上に投影した
状態で原版ステージ及び基板ステージを走査させること
により原版の像を感光基板上に転写させる走査露光方法
における前記露光量制御は、前記一定周波数のパルス信
号に基づいて原版ステージと基板ステージの速度及び位
置のどちらかを制御することによって行なうことを特徴
とする前記請求項1または2記載の露光方法。 - 【請求項5】 一定周波数のパルス信号に基づいてパル
ス発光するレーザユニットと、該レーザユニットが発す
る光束を複数の光束に分割する光束分割手段と、前記光
束分割手段により分割された個々の光束を複数の露光装
置のそれぞれの照明光学系に導入する光束導入手段と、
前記複数の露光装置のそれぞれに対応して前記一定周波
数のパルス信号に基づきそれぞれ個別に露光量制御を行
なう露光量制御手段とを有することを特徴とする露光光
供給装置。 - 【請求項6】 複数の前記レーザユニットを一定周波数
のパルス信号に基づいて同期させてパルス発光させて得
られた複数の光束を1つの光束に合成する光束合成手段
を有し、前記光束合成手段において合成された光束を前
記光束分割手段によって複数の光束に分割して用いるこ
とを特徴とする請求項5に記載の露光光供給装置。 - 【請求項7】 請求項5または6に記載の露光光供給装
置から露光光の供給を受けることを特徴とする露光装
置。 - 【請求項8】 請求項1〜4のいずれかに記載の露光方
法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイ
ス製造方法。 - 【請求項9】 請求項7に記載の露光装置を用いてデバ
イスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001267132A JP2003077809A (ja) | 2001-09-04 | 2001-09-04 | 露光方法及び露光光供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001267132A JP2003077809A (ja) | 2001-09-04 | 2001-09-04 | 露光方法及び露光光供給装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003077809A true JP2003077809A (ja) | 2003-03-14 |
Family
ID=19093312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001267132A Pending JP2003077809A (ja) | 2001-09-04 | 2001-09-04 | 露光方法及び露光光供給装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003077809A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7615722B2 (en) * | 2006-07-17 | 2009-11-10 | Coherent, Inc. | Amorphous silicon crystallization using combined beams from optically pumped semiconductor lasers |
-
2001
- 2001-09-04 JP JP2001267132A patent/JP2003077809A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7615722B2 (en) * | 2006-07-17 | 2009-11-10 | Coherent, Inc. | Amorphous silicon crystallization using combined beams from optically pumped semiconductor lasers |
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