JP2001274054A - 露光装置、半導体デバイス製造方法および半導体デバイス製造工場 - Google Patents
露光装置、半導体デバイス製造方法および半導体デバイス製造工場Info
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- JP2001274054A JP2001274054A JP2000083942A JP2000083942A JP2001274054A JP 2001274054 A JP2001274054 A JP 2001274054A JP 2000083942 A JP2000083942 A JP 2000083942A JP 2000083942 A JP2000083942 A JP 2000083942A JP 2001274054 A JP2001274054 A JP 2001274054A
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸素の吸収スペクトル領域に重なる発光スペ
クトル線を持つ露光光を用いた露光装置において、大気
中の酸素が露光光の光路内に入り込むことを防ぎ、酸素
の存在しない状態で露光を行なうことを可能にし、最適
な投影像を得ることを可能にする。 【解決手段】 露光光の光路全体をチャンバで密閉し、
チャンバ内の圧力をチャンバ外の圧力よりも高くし、チ
ャンバ内の圧力値に応じて投影光学系の光学特性を補正
する。
クトル線を持つ露光光を用いた露光装置において、大気
中の酸素が露光光の光路内に入り込むことを防ぎ、酸素
の存在しない状態で露光を行なうことを可能にし、最適
な投影像を得ることを可能にする。 【解決手段】 露光光の光路全体をチャンバで密閉し、
チャンバ内の圧力をチャンバ外の圧力よりも高くし、チ
ャンバ内の圧力値に応じて投影光学系の光学特性を補正
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、短波長の紫外線、
特にエキシマレーザ、高調波レーザ、水銀ランプ等の光
源から発せられ、酸素の吸収スペクトル領域と重なる発
光スペクトル線の光を露光光として用いた露光装置、そ
の露光装置を利用した半導体デバイス製造方法、およ
び、その露光装置を設置した半導体デバイス製造工場に
関する。
特にエキシマレーザ、高調波レーザ、水銀ランプ等の光
源から発せられ、酸素の吸収スペクトル領域と重なる発
光スペクトル線の光を露光光として用いた露光装置、そ
の露光装置を利用した半導体デバイス製造方法、およ
び、その露光装置を設置した半導体デバイス製造工場に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス素子を製造するためのリ
ソグラフィ工程において、マスクやフォトレチクル等
（以下、レチクルと総称する）に形成された所定のパタ
ーンの像を投影光学系を介してウエハやガラス基板等の
感光基板（以下、基板と総称する）に投影露光する露光
装置が用いられている。近年、半導体デバイス素子の線
幅の微細化が進む中、それに対応するためにリソグラフ
ィ工程においては、露光光源から発せられる露光光の波
長を短波長化する方法が一般的に行なわれている。
ソグラフィ工程において、マスクやフォトレチクル等
（以下、レチクルと総称する）に形成された所定のパタ
ーンの像を投影光学系を介してウエハやガラス基板等の
感光基板（以下、基板と総称する）に投影露光する露光
装置が用いられている。近年、半導体デバイス素子の線
幅の微細化が進む中、それに対応するためにリソグラフ
ィ工程においては、露光光源から発せられる露光光の波
長を短波長化する方法が一般的に行なわれている。
【０００３】現在では、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシ
マレーザを露光光源とした露光装置がすでに開発されて
おり、さらに短い波長である波長１９３ｎｍのＡｒＦエ
キシマレーザを露光光源とした露光装置の開発も進めら
れている。そして、波長１５７ｎｍのＦ2エキシマレー
ザが次世代の露光光源の候補として注目されてきてい
る。
マレーザを露光光源とした露光装置がすでに開発されて
おり、さらに短い波長である波長１９３ｎｍのＡｒＦエ
キシマレーザを露光光源とした露光装置の開発も進めら
れている。そして、波長１５７ｎｍのＦ2エキシマレー
ザが次世代の露光光源の候補として注目されてきてい
る。
【０００４】従来のｇ線、ｉ線を発する水銀ランプやＫ
ｒＦエキシマレーザを用いた露光装置においては、これ
らの露光光源から発せられる露光光の発光スペクトル線
は酸素の吸収スペクトル領域とは重ならず、酸素による
光の吸収に起因する光利用効率（透過率）の低下やオゾ
ンの発生という不都合は起こらなかった。従って、従来
の露光装置では基本的に大気中での露光が可能であっ
た。
ｒＦエキシマレーザを用いた露光装置においては、これ
らの露光光源から発せられる露光光の発光スペクトル線
は酸素の吸収スペクトル領域とは重ならず、酸素による
光の吸収に起因する光利用効率（透過率）の低下やオゾ
ンの発生という不都合は起こらなかった。従って、従来
の露光装置では基本的に大気中での露光が可能であっ
た。
【０００５】一方、Ｆ2エキシマレーザを用いた露光装
置においては、Ｆ2エキシマレーザ光の発光スペクトル
線が酸素の吸収スペクトル領域と重なってしまうため、
酸素による光の吸収に起因する透過率の低下やオゾンの
発生が深刻な問題となってくる。例えば、大気中におけ
るＦ2エキシマレーザ光の透過率は、実に０．１％／ｍ
ｍ程度になる。透過率の低下は、酸素による光の吸収に
のみ起因するものではなく、オゾンの発生にも影響を受
けるものと考えられる。オゾンの発生は透過率の低下を
引き起こすばかりでなく、他の物質との化学反応により
投影光学系等に用いられている光学部材表面を汚染し、
露光装置の像性能を劣化させてしまう恐れがある。
置においては、Ｆ2エキシマレーザ光の発光スペクトル
線が酸素の吸収スペクトル領域と重なってしまうため、
酸素による光の吸収に起因する透過率の低下やオゾンの
発生が深刻な問題となってくる。例えば、大気中におけ
るＦ2エキシマレーザ光の透過率は、実に０．１％／ｍ
ｍ程度になる。透過率の低下は、酸素による光の吸収に
のみ起因するものではなく、オゾンの発生にも影響を受
けるものと考えられる。オゾンの発生は透過率の低下を
引き起こすばかりでなく、他の物質との化学反応により
投影光学系等に用いられている光学部材表面を汚染し、
露光装置の像性能を劣化させてしまう恐れがある。
【０００６】これに対して、Ｆ2エキシマレーザ光のよ
うに酸素の吸収スペクトル領域に重なる発光スペクトル
線を持つ露光光を用いた露光装置において、透過率の低
下やオゾンの発生という問題を回避するために、露光光
の光路全体を窒素等の不活性ガスで満たすということは
よく知られていることである。また、特開平６−２０９
２７号では、Ｆ2エキシマレーザ光と同様の性質を持つ
Ｘ線を用いた露光装置において、露光装置をチャンバで
密閉し、チャンバ内を真空状態とし、減圧雰囲気下に
し、露光を行なうことが記載されている。
うに酸素の吸収スペクトル領域に重なる発光スペクトル
線を持つ露光光を用いた露光装置において、透過率の低
下やオゾンの発生という問題を回避するために、露光光
の光路全体を窒素等の不活性ガスで満たすということは
よく知られていることである。また、特開平６−２０９
２７号では、Ｆ2エキシマレーザ光と同様の性質を持つ
Ｘ線を用いた露光装置において、露光装置をチャンバで
密閉し、チャンバ内を真空状態とし、減圧雰囲気下に
し、露光を行なうことが記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の技術によれば、次のような問題がある。従来の技
術は、露光光の光路全体をチャンバで密閉し、チャンバ
内を不活性ガスで満たす構成、あるいは、チャンバ内を
真空状態にし、減圧雰囲気にする構成であるので、チャ
ンバ外の大気中の酸素がチャンバの微小な隙間から内部
へ入り込んでしまう恐れがある。
従来の技術によれば、次のような問題がある。従来の技
術は、露光光の光路全体をチャンバで密閉し、チャンバ
内を不活性ガスで満たす構成、あるいは、チャンバ内を
真空状態にし、減圧雰囲気にする構成であるので、チャ
ンバ外の大気中の酸素がチャンバの微小な隙間から内部
へ入り込んでしまう恐れがある。
【０００８】さらに、チャンバ内の圧力が大気圧とは異
なる場合は、投影光学系が収められているチャンバ内の
圧力値に応じて投影光学系の光学特性を補正しないと、
投影像が劣化してしまう恐れがある。
なる場合は、投影光学系が収められているチャンバ内の
圧力値に応じて投影光学系の光学特性を補正しないと、
投影像が劣化してしまう恐れがある。
【０００９】本発明は、上記の従来の技術の問題点に鑑
みてなされたもので、チャンバ内の圧力をチャンバ外の
圧力（大気圧）よりも高くすることで、チャンバ外の大
気中の酸素がチャンバ内に入り込むことを防ぎ、より確
実に酸素の存在しない状態で露光を行なうことを可能に
し、さらに、チャンバ内の圧力値に応じて投影光学系の
光学特性を補正することで、最適な投影像を得ることが
できる露光装置、半導体デバイス製造方法および半導体
デバイス製造工場を提供することにある。
みてなされたもので、チャンバ内の圧力をチャンバ外の
圧力（大気圧）よりも高くすることで、チャンバ外の大
気中の酸素がチャンバ内に入り込むことを防ぎ、より確
実に酸素の存在しない状態で露光を行なうことを可能に
し、さらに、チャンバ内の圧力値に応じて投影光学系の
光学特性を補正することで、最適な投影像を得ることが
できる露光装置、半導体デバイス製造方法および半導体
デバイス製造工場を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を達成するた
めに本発明に係る露光装置は、露光光源から発せられた
露光光を所定のパターンが形成されたレチクルに照射す
る照明光学系と、レチクルを載置するレチクルステージ
と、レチクル上の前記所定のパターンを基板に投影する
投影光学系と、基板を載置する基板ステージを有する露
光装置であって、前記照明光学系、前記レチクルステー
ジ、前記投影光学系および前記基板ステージは少なくと
も１つのチャンバ内に収められており、前記チャンバ内
の圧力を前記チャンバ外の圧力よりも高くする圧力制御
手段と前記チャンバ内の圧力値に応じて前記投影光学系
の光学特性を補正する補正手段が設けられていることを
特徴とするものである。
めに本発明に係る露光装置は、露光光源から発せられた
露光光を所定のパターンが形成されたレチクルに照射す
る照明光学系と、レチクルを載置するレチクルステージ
と、レチクル上の前記所定のパターンを基板に投影する
投影光学系と、基板を載置する基板ステージを有する露
光装置であって、前記照明光学系、前記レチクルステー
ジ、前記投影光学系および前記基板ステージは少なくと
も１つのチャンバ内に収められており、前記チャンバ内
の圧力を前記チャンバ外の圧力よりも高くする圧力制御
手段と前記チャンバ内の圧力値に応じて前記投影光学系
の光学特性を補正する補正手段が設けられていることを
特徴とするものである。
【００１１】また、本発明に係る露光装置は、露光光源
から発せられた露光光を照明光学系を介してレチクルに
照射し、レチクル上に形成された所定のパターンを投影
光学系を介して基板上に投影露光する露光装置であっ
て、前記露光光の全光路は少なくとも１つのチャンバで
密閉されており、前記チャンバ内の圧力を前記チャンバ
外の圧力よりも高くする圧力制御手段と前記チャンバ内
の圧力値に応じて前記投影光学系の光学特性を補正する
補正手段が設けられていることを特徴とするものであ
る。
から発せられた露光光を照明光学系を介してレチクルに
照射し、レチクル上に形成された所定のパターンを投影
光学系を介して基板上に投影露光する露光装置であっ
て、前記露光光の全光路は少なくとも１つのチャンバで
密閉されており、前記チャンバ内の圧力を前記チャンバ
外の圧力よりも高くする圧力制御手段と前記チャンバ内
の圧力値に応じて前記投影光学系の光学特性を補正する
補正手段が設けられていることを特徴とするものであ
る。
【００１２】また、本発明に係る半導体デバイス製造方
法は、上記の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置
群を半導体デバイス製造工場に設置する工程と、該製造
装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイス
を製造する工程とを有することを特徴とするものであ
る。
法は、上記の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置
群を半導体デバイス製造工場に設置する工程と、該製造
装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイス
を製造する工程とを有することを特徴とするものであ
る。
【００１３】また、本発明に係る半導体デバイス製造工
場は、上記の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置
群と、該製造装置群を接続するローカルエリアネットワ
ークと、該ローカルエリアネットワークから工場外の外
部ネットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有
し、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデ
ータ通信することを可能にしたものである。
場は、上記の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置
群と、該製造装置群を接続するローカルエリアネットワ
ークと、該ローカルエリアネットワークから工場外の外
部ネットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有
し、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデ
ータ通信することを可能にしたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を、以下説明す
る。
る。
【００１５】図１は、本発明に係る露光装置の構成を説
明する図である。
明する図である。
【００１６】露光装置は、Ｆ2エキシマレーザのような
短波長の光を発する露光光源６を備えている。露光光源
６から発せられた光はミラー１９で反射され、照明光学
部材１２を介してレチクルステージ１５に載置されたレ
チクル７を均一に照射する。露光光源６からレチクル７
に至るまでの光路間が照明光学系である。レチクル７を
透過した光は、投影光学系１３を構成する種々の光学部
材を介して基板ステージ９に載置された基板８上に到達
し、レチクル７上の所定のパターンを結像する。
短波長の光を発する露光光源６を備えている。露光光源
６から発せられた光はミラー１９で反射され、照明光学
部材１２を介してレチクルステージ１５に載置されたレ
チクル７を均一に照射する。露光光源６からレチクル７
に至るまでの光路間が照明光学系である。レチクル７を
透過した光は、投影光学系１３を構成する種々の光学部
材を介して基板ステージ９に載置された基板８上に到達
し、レチクル７上の所定のパターンを結像する。
【００１７】ここで、照明光学系、レチクルステージ１
５、投影光学系１３および基板ステージ９はまとめてチ
ャンバ１４内に収められている。このとき、チャンバ１
４内は不活性ガスの１つである窒素ガスで満たされ、チ
ャンバ１４外の圧力より高い圧力値に維持されている。
このチャンバ１４内雰囲気は圧力制御装置２、窒素ガス
供給手段３およびポンプ１により制御されている。
５、投影光学系１３および基板ステージ９はまとめてチ
ャンバ１４内に収められている。このとき、チャンバ１
４内は不活性ガスの１つである窒素ガスで満たされ、チ
ャンバ１４外の圧力より高い圧力値に維持されている。
このチャンバ１４内雰囲気は圧力制御装置２、窒素ガス
供給手段３およびポンプ１により制御されている。
【００１８】圧力制御装置２は、圧力センサ２０により
チャンバ１４内の圧力値を検知し、その圧力値に応じて
変動する屈折率から生じる投影光学系１３の光学特性の
変化量を推定する補正制御系４を介し、投影光学系１３
内に設けられた調整手段５を駆動させ、投影光学系１３
の光学特性を補正している。また、圧力制御装置２は、
圧力センサ１０によりチャンバ１４外の圧力値を検知
し、検知された圧力値に基づいてチャンバ内を所定の圧
力値に制御する。
チャンバ１４内の圧力値を検知し、その圧力値に応じて
変動する屈折率から生じる投影光学系１３の光学特性の
変化量を推定する補正制御系４を介し、投影光学系１３
内に設けられた調整手段５を駆動させ、投影光学系１３
の光学特性を補正している。また、圧力制御装置２は、
圧力センサ１０によりチャンバ１４外の圧力値を検知
し、検知された圧力値に基づいてチャンバ内を所定の圧
力値に制御する。
【００１９】露光するための基板８の搬入や露光終了し
た基板８の搬出は、基板ロードロック室１１を介して行
なわれるので、基板８の搬入出の際、露光プロセスを中
断する必要はなく、スループットを低下させることはな
い。また、チャンバ１４内雰囲気を破壊することはな
い。
た基板８の搬出は、基板ロードロック室１１を介して行
なわれるので、基板８の搬入出の際、露光プロセスを中
断する必要はなく、スループットを低下させることはな
い。また、チャンバ１４内雰囲気を破壊することはな
い。
【００２０】また、レチクル７の交換は、レチクルロー
ドロック室１７を介して行われるので、スループットを
低下させることはなく、チャンバ１４内雰囲気を破壊す
ることもない。
ドロック室１７を介して行われるので、スループットを
低下させることはなく、チャンバ１４内雰囲気を破壊す
ることもない。
【００２１】次に、図２を用いて、２つのチャンバ１４
内の圧力を制御する方法について説明する。
内の圧力を制御する方法について説明する。
【００２２】まず第１の方法として、図２のＡで示した
ように、チャンバ１４内の圧力値を変動するチャンバ１
４外の圧力値に対して、ある一定量高くなるように制御
する方法が考えられる。この方法では、チャンバ１４外
の圧力変動に伴い、チャンバ１４内の圧力を刻々と変動
させるため、その圧力変動に対応するように投影光学系
１３の光学特性も頻繁に補正しなければならない。
ように、チャンバ１４内の圧力値を変動するチャンバ１
４外の圧力値に対して、ある一定量高くなるように制御
する方法が考えられる。この方法では、チャンバ１４外
の圧力変動に伴い、チャンバ１４内の圧力を刻々と変動
させるため、その圧力変動に対応するように投影光学系
１３の光学特性も頻繁に補正しなければならない。
【００２３】次に第２の方法として、図２のＢで示した
ように、チャンバ１４内の圧力値を変動するチャンバ１
４外の圧力値の最高値よりも高い一定の値に制御する方
法が考えられる。この方法では、チャンバ１４内の圧力
値は一定値に維持されるので、投影光学系１３の光学特
性も頻繁に補正する必要はない。
ように、チャンバ１４内の圧力値を変動するチャンバ１
４外の圧力値の最高値よりも高い一定の値に制御する方
法が考えられる。この方法では、チャンバ１４内の圧力
値は一定値に維持されるので、投影光学系１３の光学特
性も頻繁に補正する必要はない。
【００２４】なお、上記の実施形態では、照明光学系、
レチクルステージ１５、投影光学系１３および基板ステ
ージ９といったユニットはチャンバ１４内にまとめて収
めるとしたが、図３のようにそれぞれのユニット毎に個
別のチャンバ３０、３１、３２、１３、３３およびポン
プ４０、４１、４２、４３、４４を設け、個別のチャン
バ３０、３１、３２、１３、３３毎に内部雰囲気を制御
する構成にしてもよい。また、図３においては窒素ガス
供給手段３をそれぞれのユニットで共用する構成になっ
ているが、チャンバ同様、個別に設け、制御するように
してもよい。さらに、それぞれのユニット毎に個別のチ
ャンバを設けるのではなく、２つもしくは２つ以上のユ
ニット毎にチャンバを設け、制御するようにしてもよ
い。
レチクルステージ１５、投影光学系１３および基板ステ
ージ９といったユニットはチャンバ１４内にまとめて収
めるとしたが、図３のようにそれぞれのユニット毎に個
別のチャンバ３０、３１、３２、１３、３３およびポン
プ４０、４１、４２、４３、４４を設け、個別のチャン
バ３０、３１、３２、１３、３３毎に内部雰囲気を制御
する構成にしてもよい。また、図３においては窒素ガス
供給手段３をそれぞれのユニットで共用する構成になっ
ているが、チャンバ同様、個別に設け、制御するように
してもよい。さらに、それぞれのユニット毎に個別のチ
ャンバを設けるのではなく、２つもしくは２つ以上のユ
ニット毎にチャンバを設け、制御するようにしてもよ
い。
【００２５】さらになお、上記の実施形態では、不活性
ガスとして窒素ガスを用いているが、露光光の発光スペ
クトル線に吸収スペクトル領域が重ならなければ、他の
不活性ガスを使用できる。例えば、ヘリウムガスを用い
てもよいし、窒素ガスとヘリウムガスの混合ガスを用い
てもよい。
ガスとして窒素ガスを用いているが、露光光の発光スペ
クトル線に吸収スペクトル領域が重ならなければ、他の
不活性ガスを使用できる。例えば、ヘリウムガスを用い
てもよいし、窒素ガスとヘリウムガスの混合ガスを用い
てもよい。
【００２６】さらになお、上記の実施形態では、チャン
バ１４内の圧力値に応じて投影光学系１３の光学特性を
調整手段５を駆動させることで補正するとしたが、露光
光源６側で露光光の波長シフトを行なうことで補正する
ようにしてもよい。
バ１４内の圧力値に応じて投影光学系１３の光学特性を
調整手段５を駆動させることで補正するとしたが、露光
光源６側で露光光の波長シフトを行なうことで補正する
ようにしてもよい。
【００２７】また、本発明は、Ｆ2エキシマレーザのよ
うな短波長の光を発する露光光源を用いた露光装置に関
するものであるが、酸素雰囲気を嫌うタイプのフォトレ
ジストやそのフォトレジストが塗布された基板に対して
も有効に適用することができることは明らかである。さ
らに、投影光学系１３は、反射系、反射屈折系、屈折系
のいずれでも有効に適用できることは言うまでもない。
うな短波長の光を発する露光光源を用いた露光装置に関
するものであるが、酸素雰囲気を嫌うタイプのフォトレ
ジストやそのフォトレジストが塗布された基板に対して
も有効に適用することができることは明らかである。さ
らに、投影光学系１３は、反射系、反射屈折系、屈折系
のいずれでも有効に適用できることは言うまでもない。
【００２８】＜半導体デバイス製造システムの実施例＞
次に、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造システムの例を説明する。これは半導体
製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メ
ンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サー
ビスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用
して行なうものである。
次に、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造システムの例を説明する。これは半導体
製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メ
ンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サー
ビスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用
して行なうものである。
【００２９】図４は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカー）
の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装
置の保守データベースを提供するホスト管理システム１
０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結
んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット１０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカー）
の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装
置の保守データベースを提供するホスト管理システム１
０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結
んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット１０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
【００３０】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザーとしての半導体製造メーカーの製造工場である。製
造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカーに属す
る工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工場
（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっ
ても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の
製造装置１０６と、それらを結んでイントラネットを構
築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１
と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置と
してホスト管理システム１０７とが設けられている。各
工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１
０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワ
ークであるインターネット１０５に接続するためのゲー
トウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１か
らインターネット１０５を介してベンダー１０１側のホ
スト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホス
ト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限ら
れたユーザーだけがアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１
０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側
に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、
トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソ
フトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ
情報などの保守情報をベンダー側から受け取ることがで
きる。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との間の
データ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通
信には、インターネットで一般的に使用されている通信
プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場
外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する
変わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリテ
ィの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用す
ることもできる。また、ホスト管理システムはベンダー
が提供するものに限らずユーザーがデータベースを構築
して外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数の工場
から該データベースへのアクセスを許可するようにして
もよい。
ザーとしての半導体製造メーカーの製造工場である。製
造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカーに属す
る工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工場
（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっ
ても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の
製造装置１０６と、それらを結んでイントラネットを構
築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１
と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置と
してホスト管理システム１０７とが設けられている。各
工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１
０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワ
ークであるインターネット１０５に接続するためのゲー
トウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１か
らインターネット１０５を介してベンダー１０１側のホ
スト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホス
ト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限ら
れたユーザーだけがアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１
０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側
に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、
トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソ
フトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ
情報などの保守情報をベンダー側から受け取ることがで
きる。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との間の
データ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通
信には、インターネットで一般的に使用されている通信
プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場
外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する
変わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリテ
ィの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用す
ることもできる。また、ホスト管理システムはベンダー
が提供するものに限らずユーザーがデータベースを構築
して外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数の工場
から該データベースへのアクセスを許可するようにして
もよい。
【００３１】さて、図５は本実施形態の全体システムを
図４とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを
外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介
して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情
報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、
複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製
造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外
の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報
をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置
ユーザー（半導体デバイス製造メーカー）の製造工場で
あり、工場の製造ラインには各種プロセスを行なう製造
装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理
装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。な
お図７では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実
際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工
場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネッ
トを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの
稼動管理がされている。一方、露光装置メーカー２１
０、レジスト処理装置メーカー２２０、成膜装置メーカ
ー２３０などベンダー（装置供給メーカー）の各事業所
には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうための
ホスト管理システム２１１,２２１,２３１を備え、これ
らは上述したように保守データベースと外部ネットワー
クのゲートウェイを備える。ユーザーの製造工場内の各
装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置の
ベンダーの管理システム２１１,２２１,２３１とは、外
部ネットワーク２００であるインターネットもしくは専
用線ネットワークによって接続されている。このシステ
ムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれか
にトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してし
まうが、トラブルが起きた機器のベンダーからインター
ネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対
応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることが
できる。
図４とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを
外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介
して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情
報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、
複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製
造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外
の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報
をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置
ユーザー（半導体デバイス製造メーカー）の製造工場で
あり、工場の製造ラインには各種プロセスを行なう製造
装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理
装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。な
お図７では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実
際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工
場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネッ
トを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの
稼動管理がされている。一方、露光装置メーカー２１
０、レジスト処理装置メーカー２２０、成膜装置メーカ
ー２３０などベンダー（装置供給メーカー）の各事業所
には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうための
ホスト管理システム２１１,２２１,２３１を備え、これ
らは上述したように保守データベースと外部ネットワー
クのゲートウェイを備える。ユーザーの製造工場内の各
装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置の
ベンダーの管理システム２１１,２２１,２３１とは、外
部ネットワーク２００であるインターネットもしくは専
用線ネットワークによって接続されている。このシステ
ムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれか
にトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してし
まうが、トラブルが起きた機器のベンダーからインター
ネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対
応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることが
できる。
【００３２】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインターフェ
ースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス
用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実
行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メ
モリやハードディスク、あるいはネットワークファイル
サーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフ
トウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例
えば図６に一例を示す様な画面のユーザーインターフェ
ースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を
管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置
の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラ
ブルの件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４
０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４
０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力さ
れた情報はインターネットを介して保守データベースに
送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベー
スから返信されディスプレイ上に提示される。またウェ
ブブラウザが提供するユーザーインターフェースはさら
に図示のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）
を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアク
セスしたり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラ
リから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェ
アを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作
ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインターフェ
ースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス
用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実
行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メ
モリやハードディスク、あるいはネットワークファイル
サーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフ
トウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例
えば図６に一例を示す様な画面のユーザーインターフェ
ースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を
管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置
の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラ
ブルの件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４
０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４
０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力さ
れた情報はインターネットを介して保守データベースに
送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベー
スから返信されディスプレイ上に提示される。またウェ
ブブラウザが提供するユーザーインターフェースはさら
に図示のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）
を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアク
セスしたり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラ
リから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェ
アを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作
ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。
【００３３】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て
工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て
工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
【００３４】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
酸素の吸収スペクトル領域に重なる発光スペクトル線を
持つ露光光を用いた露光装置において、露光光の光路全
体をチャンバで密閉し、チャンバ内の圧力をチャンバ外
の圧力よりも高くすることで、チャンバ外の大気中の酸
素がチャンバ内に入り込むことを防ぎ、より確実に酸素
の存在しない状態で露光を行なうことを可能にし、さら
に、チャンバ内の圧力値に応じて投影光学系の光学特性
を補正することで、最適な投影像を得ることを可能にす
る。
酸素の吸収スペクトル領域に重なる発光スペクトル線を
持つ露光光を用いた露光装置において、露光光の光路全
体をチャンバで密閉し、チャンバ内の圧力をチャンバ外
の圧力よりも高くすることで、チャンバ外の大気中の酸
素がチャンバ内に入り込むことを防ぎ、より確実に酸素
の存在しない状態で露光を行なうことを可能にし、さら
に、チャンバ内の圧力値に応じて投影光学系の光学特性
を補正することで、最適な投影像を得ることを可能にす
る。
【図１】本発明に係る露光装置の構成を説明する図
【図２】チャンバ内の圧力制御を示す図
【図３】本発明に係る露光装置においてユニット毎にチ
ャンバを設けた状態を示す図
ャンバを設けた状態を示す図
【図４】半導体デバイス製造システムを示す図
【図５】別の観点から見た半導体デバイス製造システム
を示す図
を示す図
【図６】製造装置のディスプレイ画面
【図７】半導体デバイスの製造プロセスのフロー
【図８】ウエハプロセスの詳細なフロー
１・４０・４１・４２・４３・４４ ポンプ ２ 圧力制御装置 ３ 窒素ガス供給手段 ４ 補正制御系 ５ 調整手段 ６ 露光光源 ７ レチクル ８ 基板 ９ 基板ステージ １０・２０ 圧力センサ １１ 基板ロードロック室 １２ 照明光学部材 １３ 投影光学系 １４・３０・３１・３２・３３ チャンバ １５ レチクルステージ １７ レチクルロードロック室 １９ ミラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大串 信明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F046 AA22 BA04 CA03 CA04 DA12 DA27
Claims (15)
- 【請求項１】 露光光源から発せられた露光光を所定の
パターンが形成されたレチクルに照射する照明光学系
と、前記レチクルを載置するレチクルステージと、前記
レチクル上の前記所定のパターンを基板に投影する投影
光学系と、前記基板を載置する基板ステージを有する露
光装置であって、前記照明光学系、前記レチクルステー
ジ、前記投影光学系および前記基板ステージは少なくと
も１つのチャンバ内に収められており、前記チャンバ内
の圧力を前記チャンバ外の圧力よりも高くする圧力制御
手段と前記チャンバ内の圧力値に応じて前記投影光学系
の光学特性を補正する補正手段が設けられていることを
特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 露光光源から発せられた露光光を照明光
学系を介してレチクルに照射し、前記レチクル上に形成
された所定のパターンを投影光学系を介して基板上に投
影露光する露光装置であって、前記露光光の全光路は少
なくとも１つのチャンバで密閉されており、前記チャン
バ内の圧力を前記チャンバ外の圧力よりも高くする圧力
制御手段と前記チャンバ内の圧力値に応じて前記投影光
学系の光学特性を補正する補正手段が設けられているこ
とを特徴とする露光装置。 - 【請求項３】 前記チャンバ内は不活性ガスで満たされ
ていることを特徴とする請求項１または２に記載の露光
装置。 - 【請求項４】 前記不活性ガスは窒素ガス、ヘリウムガ
ス、または、窒素ガスとヘリウムガスの混合ガスである
ことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記チャンバ内の圧力は前記チャンバ外
の圧力よりも一定量高くなるように、前記チャンバ外の
圧力値に応じて変動することを特徴とする請求項１〜４
のいずれか１つに記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記チャンバ内の圧力は一定であること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の露光
装置。 - 【請求項７】 前記露光装置は、前記チャンバ内の圧力
値および前記チャンバ外の圧力値を検知する圧力センサ
をそれぞれ有することを特徴とする請求項１〜６のいず
れか１つに記載の露光装置。 - 【請求項８】 前記補正手段は、前記チャンバ内の圧力
値に応じて変動する屈折率から前記投影光学系の光学特
性の変化量を推定し、推定された前記投影光学系の光学
特性の変化量に基づいて前記投影光学系の光学特性を補
正することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに
記載の露光装置。 - 【請求項９】 前記露光装置は、前記基板ステージ近傍
に基板ロードロック室および前記レチクルステージ近傍
にレチクルロードロック室をそれぞれ有することを特徴
とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項１０】 前記照明光学系、前記レチクルステー
ジ、前記投影光学系および前記基板ステージは、それぞ
れ個別のチャンバ内に収められていることを特徴とする
請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項１１】 前記照明光学系、前記レチクルステー
ジ、前記投影光学系および前記基板ステージは、少なく
とも２つのチャンバ内に収められていることを特徴とす
る請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項１２】 請求項１〜１１のいずれか１つに記載
の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体
デバイス製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用
いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する
工程とを有することを特徴とする半導体デバイス製造方
法。 - 【請求項１３】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体デバイス製造工場外の外部ネットワ
ークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関す
る情報をデータ通信する工程とをさらに有する請求項１
２に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１４】 前記データ通信によって、前記露光装
置のベンダーもしくはユーザーが提供するデータベース
に前記外部ネットワークを介してアクセスして前記製造
装置の保守情報を得る、もしくは前記半導体デバイス製
造工場とは別の半導体デバイス製造工場との間で前記外
部ネットワークを介してデータ通信して生産管理を行な
う請求項１３に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１〜１１のいずれか１つに記載
の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製
造装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該
ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワ
ークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製
造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信す
ることを可能にした半導体デバイス製造工場。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000083942A JP2001274054A (ja) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | 露光装置、半導体デバイス製造方法および半導体デバイス製造工場 |
| US09/811,419 US6795161B2 (en) | 2000-03-24 | 2001-03-20 | Exposure apparatus, method of manufacturing semiconductor devices and plant therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000083942A JP2001274054A (ja) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | 露光装置、半導体デバイス製造方法および半導体デバイス製造工場 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001274054A true JP2001274054A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18600497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000083942A Pending JP2001274054A (ja) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | 露光装置、半導体デバイス製造方法および半導体デバイス製造工場 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6795161B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001274054A (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2004281697A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Canon Inc | 露光装置及び収差補正方法 |
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| US20080219317A1 (en) * | 2007-03-06 | 2008-09-11 | Pettit George H | Gas-purged laser system and method thereof |
| US8339573B2 (en) * | 2009-05-27 | 2012-12-25 | 3M Innovative Properties Company | Method and apparatus for photoimaging a substrate |
| NL2008186A (en) * | 2011-03-14 | 2012-09-17 | Asml Netherlands Bv | Projection system, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| JP6495707B2 (ja) * | 2015-03-25 | 2019-04-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 露光装置および基板処理装置 |
| JP7058177B2 (ja) * | 2018-05-22 | 2022-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Family Cites Families (19)
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