JP2003077755A - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
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- JP2003077755A JP2003077755A JP2001263253A JP2001263253A JP2003077755A JP 2003077755 A JP2003077755 A JP 2003077755A JP 2001263253 A JP2001263253 A JP 2001263253A JP 2001263253 A JP2001263253 A JP 2001263253A JP 2003077755 A JP2003077755 A JP 2003077755A
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- capacitor
- internal electrodes
- dielectric layer
- capacitance
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容量が１０ｐＦ以下の低容量のコンデンサを
生産性良く得ることを目的とする。 【解決手段】 比誘電率が１０未満の誘電体層１１と内
部電極１２とを交互に積層して積層体１３を形成し、焼
成後内部電極１２と電気的に接続するように外部電極１
４を形成し、静電容量が１０ｐＦ以下のコンデンサを得
る。
生産性良く得ることを目的とする。 【解決手段】 比誘電率が１０未満の誘電体層１１と内
部電極１２とを交互に積層して積層体１３を形成し、焼
成後内部電極１２と電気的に接続するように外部電極１
４を形成し、静電容量が１０ｐＦ以下のコンデンサを得
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えばＲＦモジュー
ルのカップリングやマッチング回路などに使用されるコ
ンデンサに関するものである。
ルのカップリングやマッチング回路などに使用されるコ
ンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のコンデンサについて説明する。
【０００３】容量が１０ｐＦ以下というコンデンサは、
比誘電率が３０〜７０の誘電体層と内部電極とを交互に
積層し、内部電極の露出した端面に外部電極を形成した
ものであった。
比誘電率が３０〜７０の誘電体層と内部電極とを交互に
積層し、内部電極の露出した端面に外部電極を形成した
ものであった。
【０００４】この誘電体層はＣａＴｉＯ3系のセラミッ
クからなるものである。また内部電極はパラジウムやニ
ッケルが一般的であった。
クからなるものである。また内部電極はパラジウムやニ
ッケルが一般的であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記構成においては、
誘電体層の比誘電率が３０〜７０とそれほど小さくない
ために、積層体の形成時に内部電極に位置ずれが生じる
と容量が大きく変わるため、所望の容量を有するコンデ
ンサを生産性良く得ることができないという問題点を有
していた。
誘電体層の比誘電率が３０〜７０とそれほど小さくない
ために、積層体の形成時に内部電極に位置ずれが生じる
と容量が大きく変わるため、所望の容量を有するコンデ
ンサを生産性良く得ることができないという問題点を有
していた。
【０００６】そこで本発明は、容量が１０ｐＦ以下のコ
ンデンサを生産性良く得ることを目的とするものであ
る。
ンデンサを生産性良く得ることを目的とするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、以下の構成を有するものである。
に、以下の構成を有するものである。
【０００８】本発明の請求項１に記載の発明は、特に、
誘電体層の比誘電率を１０未満としたものであり、多少
の内部電極の位置ずれが生じたとしても容量が１０ｐＦ
以下のコンデンサを生産性良く得ることができる。
誘電体層の比誘電率を１０未満としたものであり、多少
の内部電極の位置ずれが生じたとしても容量が１０ｐＦ
以下のコンデンサを生産性良く得ることができる。
【０００９】本発明の請求項２に記載の発明は、特に、
誘電体層としてガラスセラミックを用いたものであり、
内部電極に高周波帯域での損失を小さくできる銀や銅を
使用することができる。
誘電体層としてガラスセラミックを用いたものであり、
内部電極に高周波帯域での損失を小さくできる銀や銅を
使用することができる。
【００１０】本発明の請求項３に記載の発明は、特に、
内部電極に銀または銅を用いたものであり、高周波帯域
の損失を小さくできる。
内部電極に銀または銅を用いたものであり、高周波帯域
の損失を小さくできる。
【００１１】本発明の請求項４に記載の発明は、特に、
誘電体層としてＡｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ｇｅ2Ｏ3
系組成物及びホウケイ酸ガラスを含有するものを用いた
ものであり、内部電極に高周波帯域での損失が小さい銀
または銅を使用することができる。
誘電体層としてＡｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ｇｅ2Ｏ3
系組成物及びホウケイ酸ガラスを含有するものを用いた
ものであり、内部電極に高周波帯域での損失が小さい銀
または銅を使用することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、一実施の形態を用いて、本
発明の請求項１〜請求項４に記載の発明について説明す
る。
発明の請求項１〜請求項４に記載の発明について説明す
る。
【００１３】図１は一実施の形態における積層セラミッ
クコンデンサの一部切欠斜視図であり、１１はＡｌ2Ｏ3
−ＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ｇｅ2Ｏ3系組成物及びホウケイ酸
ガラスを含有する比誘電率が約７の誘電体層、１２はＡ
ｇまたはＣｕを主成分とする内部電極、１３は誘電体層
１１と内部電極１２とを交互に積層した積層体、１４は
積層体１３の内部電極１２の露出した両端面に設けた外
部電極である。
クコンデンサの一部切欠斜視図であり、１１はＡｌ2Ｏ3
−ＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ｇｅ2Ｏ3系組成物及びホウケイ酸
ガラスを含有する比誘電率が約７の誘電体層、１２はＡ
ｇまたはＣｕを主成分とする内部電極、１３は誘電体層
１１と内部電極１２とを交互に積層した積層体、１４は
積層体１３の内部電極１２の露出した両端面に設けた外
部電極である。
【００１４】以上のように構成された積層セラミックコ
ンデンサ（１００５サイズ、０．７ｐＦ）の製造方法に
ついて説明する。
ンデンサ（１００５サイズ、０．７ｐＦ）の製造方法に
ついて説明する。
【００１５】まず、Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ｇｅ2
Ｏ3系組成物及びホウケイ酸ガラスを含むセラミック材
料に、酢酸ブチル、有機バインダ、可塑剤を加えて混合
し、スラリーを得る。
Ｏ3系組成物及びホウケイ酸ガラスを含むセラミック材
料に、酢酸ブチル、有機バインダ、可塑剤を加えて混合
し、スラリーを得る。
【００１６】次にこのスラリーをリバースロール法でシ
ート化し、適当な大きさに切断し、誘電体層１１となる
セラミックグリーンシートを得る。
ート化し、適当な大きさに切断し、誘電体層１１となる
セラミックグリーンシートを得る。
【００１７】次いでこのセラミックグリーンシート上に
内部電極１２となるＡｇまたはＣｕを主成分とする電極
ペーストを所望の形状に印刷し、セラミックグリーンシ
ートと内部電極１２が交互になるように積層して積層体
を形成し、所望のサイズの個片に切断し、積層体１３を
得る。
内部電極１２となるＡｇまたはＣｕを主成分とする電極
ペーストを所望の形状に印刷し、セラミックグリーンシ
ートと内部電極１２が交互になるように積層して積層体
を形成し、所望のサイズの個片に切断し、積層体１３を
得る。
【００１８】その後積層体１３を４００〜７００℃で熱
処理して脱脂を行って、有機成分を飛散させた後、８５
０〜９５０℃で焼成する。
処理して脱脂を行って、有機成分を飛散させた後、８５
０〜９５０℃で焼成する。
【００１９】次いで積層体１３の表面を研磨し、内部電
極１２の露出した両端面に外部電極１４となるＡｇペー
ストを塗布し、８００〜９００℃で焼き付けて図１に示
すコンデンサを得る。
極１２の露出した両端面に外部電極１４となるＡｇペー
ストを塗布し、８００〜９００℃で焼き付けて図１に示
すコンデンサを得る。
【００２０】このようにして得たコンデンサの容量及び
Ｑ値を(表１)、(表２)に示す。Ｎｏ．１は従来のコンデ
ンサであり比較例である。またこれらのコンデンサはす
べて０．７ｐＦを有するように各５ロットずつ作製し
た。
Ｑ値を(表１)、(表２)に示す。Ｎｏ．１は従来のコンデ
ンサであり比較例である。またこれらのコンデンサはす
べて０．７ｐＦを有するように各５ロットずつ作製し
た。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】（表２）には、ロット毎の容量の平均値及
びその偏差およびロット１全体の歩留まりを示してい
る。歩留まりは０．７ｐＦ±１０％を良品とした時の値
である。
びその偏差およびロット１全体の歩留まりを示してい
る。歩留まりは０．７ｐＦ±１０％を良品とした時の値
である。
【００２４】比誘電率が６０のＮｏ．１のコンデンサ
は、各ロットの平均容量のバラツキが非常に大きくなっ
ている。これに対し、比誘電率が１０以下のＮｏ．２〜
４は全て平均容量のバラツキが小さい。また、ロット１
の歩留まりもＮｏ．１に比べＮｏ．２〜４では大きく改
善されていることがわかる。
は、各ロットの平均容量のバラツキが非常に大きくなっ
ている。これに対し、比誘電率が１０以下のＮｏ．２〜
４は全て平均容量のバラツキが小さい。また、ロット１
の歩留まりもＮｏ．１に比べＮｏ．２〜４では大きく改
善されていることがわかる。
【００２５】また、内部電極１２としてパラジウムを用
いたＮｏ．２と比較すると、導電率がパラジウムの５倍
以上ある銀や銅を用いたＮｏ．３，４の方が、１ＧＨｚ
といった高周波帯域でのＱ値は非常に大きい。従って損
失の少ないコンデンサとなる。
いたＮｏ．２と比較すると、導電率がパラジウムの５倍
以上ある銀や銅を用いたＮｏ．３，４の方が、１ＧＨｚ
といった高周波帯域でのＱ値は非常に大きい。従って損
失の少ないコンデンサとなる。
【００２６】このように、誘電体層１１を結晶化ガラス
とセラミックを混合したガラスセラミック、例えばホウ
ケイ酸ガラスとＡｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ｇｅ2Ｏ3
系組成物を用いて形成することにより、比誘電率が１０
未満と小さいので、内部電極１２の形成位置に多少のず
れが発生したとしても、容量が１０ｐＦと小さいコンデ
ンサを生産性良く得ることができる。
とセラミックを混合したガラスセラミック、例えばホウ
ケイ酸ガラスとＡｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ｇｅ2Ｏ3
系組成物を用いて形成することにより、比誘電率が１０
未満と小さいので、内部電極１２の形成位置に多少のず
れが発生したとしても、容量が１０ｐＦと小さいコンデ
ンサを生産性良く得ることができる。
【００２７】また従来使用していたパラジウムの５倍以
上の導電率を有する銀や銅を用いて内部電極１２を形成
することにより、高周波帯域における損失の少ないコン
デンサを得ることができる。
上の導電率を有する銀や銅を用いて内部電極１２を形成
することにより、高周波帯域における損失の少ないコン
デンサを得ることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明は、誘電体層の比誘
電率が１０未満と小さくすることにより、容量が１０ｐ
Ｆ以下と低容量のコンデンサを生産性良く得ることがで
きる。
電率が１０未満と小さくすることにより、容量が１０ｐ
Ｆ以下と低容量のコンデンサを生産性良く得ることがで
きる。
【図１】本発明の一実施の形態における積層セラミック
コンデンサの一部切欠斜視図
コンデンサの一部切欠斜視図
１１ 誘電体層
１２ 内部電極
１３ 積層体
１４ 外部電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小西 彰仁
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AE02 AH01 AJ01 AJ02
5E082 AA01 AB03 FF05 FG06 FG25
FG26 FG46
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体層と内部電極とを交互に積層した
積層体と、この積層体の表面に前記内部電極と電気的に
接続するように設けた外部電極とを備え、前記誘電体層
は比誘電率が１０未満であり、容量を１０ｐＦ以下とし
たコンデンサ。 - 【請求項２】 誘電体層は結晶化ガラスとセラミックを
混合したガラスセラミックである請求項１に記載のコン
デンサ。 - 【請求項３】 内部電極は銀または銅である請求項１に
記載のコンデンサ。 - 【請求項４】 誘電体層はＡｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＳｉＯ2
−Ｇｅ2Ｏ3系組成物及びホウケイ酸ガラスを含有する請
求項１に記載のコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001263253A JP2003077755A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001263253A JP2003077755A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077755A true JP2003077755A (ja) | 2003-03-14 |
Family
ID=19090037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001263253A Pending JP2003077755A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003077755A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100706686B1 (ko) | 2004-04-09 | 2007-04-11 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층형 전자 부품 및 그 제조 방법 |
| JP2013115424A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2017216358A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2017216361A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP2017216360A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0748171A (ja) * | 1993-08-04 | 1995-02-21 | Yamamura Glass Co Ltd | 低温焼成基板用組成物およびそれから得られる基板 |
| JPH0786079A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-03-31 | Taiyo Yuden Co Ltd | 高周波用チップコンデンサ |
| JP2000247682A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-12 | Kyocera Corp | ガラスセラミック配線基板 |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001263253A patent/JP2003077755A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786079A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-03-31 | Taiyo Yuden Co Ltd | 高周波用チップコンデンサ |
| JPH0748171A (ja) * | 1993-08-04 | 1995-02-21 | Yamamura Glass Co Ltd | 低温焼成基板用組成物およびそれから得られる基板 |
| JP2000247682A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-12 | Kyocera Corp | ガラスセラミック配線基板 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100706686B1 (ko) | 2004-04-09 | 2007-04-11 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층형 전자 부품 및 그 제조 방법 |
| JP2013115424A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2017216358A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
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| JP2017216360A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| US10522291B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-12-31 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor |
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