JP2003075812A - 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶等の電気光学物質における横電界による
動作不良を確実に低減可能であり高コントラストで明る
い高品位の画像表示を行う液晶装置等の電気光学装置を
製造する。 【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１
０）上に画素電極（９ａ）を備え、対向基板（２０）上
に対向電極（２１）を備える。ＴＦＴアレイ板上におけ
る画素電極の下地面は、相隣接する画素電極間の間隙に
対向する領域に凸部（８１、８２）が設けられている。
その製造方法は、ＴＦＴアレイ基板上に、配線やＴＦＴ
等を含むパターンを形成する形成工程と、相隣接する画
素電極の間隙となる領域に、上記パターンの存在によっ
て構築された凸部の上側に、高密度プラズマＣＶＤによ
って層間絶縁膜を形成する工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置等の電気
光学装置の技術分野に属し、特に列方向又は行方向に相
隣接する画素電極に印加される電圧の極性が逆となるよ
うに画素行毎又は画素列毎に駆動電圧極性を周期的に反
転させる反転駆動方式を採用する薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor:以下適宜、ＴＦＴと称す）による
アクティブマトリクス駆動型の液晶装置等の電気光学装
置並びにそのような電気光学装置を具備してなる投射型
表示装置等の電子機器の技術分野に属する。

【０００２】

【背景技術】一般にこの種の電気光学装置では、直流電
圧印加による電気光学物質の劣化防止、表示画像におけ
るクロストークやフリッカの防止などのために、各画素
電極に印加される電圧極性を所定規則で反転させる反転
駆動方式が採用されている。

【０００３】このうち一のフレーム又はフィールドの画
像信号に対応する表示を行う間は、奇数行に配列された
画素電極を対向電極の電位を基準として正極性の電位で
駆動すると共に偶数行に配列された画素電極を対向電極
の電位を基準として負極性の電位で駆動し、これに続く
次のフレーム又はフィールドの画像信号に対応する表示
を行う間は、逆に偶数行に配列された画素電極を正極性
の電位で駆動すると共に奇数行に配列された画素電極を
負極性の電位で駆動する（即ち、同一行の画素電極を同
一極性の電位により駆動しつつ、係る電位極性を行毎に
フレーム又はフィールド周期で反転させる）１Ｈ反転駆
動方式が、制御が比較的容易であり高品位の画像表示を
可能ならしめる反転駆動方式として用いられている。

【０００４】また、同一列の画素電極を同一極性の電位
により駆動しつつ、係る電圧極性を列毎にフレーム又は
フィールド周期で反転させる１Ｓ反転駆動方式も、制御
が比較的容易であり高品位の画像表示を可能ならしめる
反転駆動方式として用いられている。

【０００５】更に、列方向及び行方向の両方向に相隣接
する画素電極間で、各画素電極に印加される電圧極性を
反転させるドット反転駆動方式も開発されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た１Ｈ反転駆動方式、１Ｓ反転駆動方式、ドット反転駆
動方式等のように、ＴＦＴアレイ基板上において相隣接
する画素電極の電圧（即ち、１Ｈ反転駆動方式では列方
向に相隣接する画素電極に印加される電圧、１Ｓ反転駆
動方式では行方向に相隣接する画素電極に印加される電
圧、ドット反転駆動方式では行及び列方向に相隣接する
画素電極に印加される電圧）が逆極性にある場合には、
相隣接する画素電極間に生じる横電界（即ち、基板面に
平行な電界或いは基板面に平行な成分を含む斜めの電
界）が発生するという問題点が生じる。相対向する画素
電極と対向電極との間の縦電界（即ち、基板面に垂直な
方向の電界）の印加が想定されている電気光学物質に対
して、このような横電界が印加されると、液晶の配向不
良の如き電気光学物質の動作不良が生じ、この部分にお
ける光抜け等が発生してコントラスト比が低下してしま
うという問題が生じる。

【０００７】これに対し、横電界が生じる領域を遮光膜
により覆い隠すことは可能であるが、これでは横電界が
生じる領域の広さに応じて画素の開口領域が狭くなって
しまうという問題点が生じる。特に、画素ピッチの微細
化により相隣接する画素電極間の距離が縮まるのに伴っ
て、このような横電界は大きくなるため、これらの問題
は電気光学装置の高精細化が進む程深刻化してしまう。

【０００８】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、液晶等の電気光学物質における横電界による
動作不良を確実に低減可能であり高コントラストで明る
い高品位の画像表示を行う液晶装置等の電気光学装置を
製造できる電気光学装置の製造方法及び該電気光学装置
並びにそのような電気光学装置を具備してなる投射型表
示装置等の電子機器を提供することを課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置の
製造方法は上記課題を解決するために、一対の第１及び
第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、第１の周
期で反転駆動されるための第１の画素電極群及び該第１
の周期と相補の第２の周期で反転駆動されるための第２
の画素電極群を含む複数の画素電極が前記第１基板上に
平面配列され且つ前記第２基板上に前記複数の画素電極
と対向する対向電極が設けられた電気光学装置を製造す
る電気光学装置の製造方法であって、前記第１基板上
に、前記画素電極を駆動する配線及び素子を含むパター
ンを形成する工程と、平面的に見て相隣接する画素電極
の間隙となる領域に前記パターンの存在によって少なく
とも部分的に構築された凸部の上側に、高密度プラズマ
ＣＶＤもしくは高周波バイアススパッタ法によって層間
絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜を形成後に前記
複数の画素電極を形成する工程とを備える。

【００１０】本発明の電気光学装置の製造方法によれ
ば、その製造に係る電気光学装置は、第１の周期で反転
駆動されるための第１の画素電極群と、第１の周期と相
補の第２の周期で反転駆動されるための第２の画素電極
群とを含む複数の画素電極が第１基板上に平面配列され
ており、(i)反転駆動時に各時刻において相互に逆極性
の駆動電圧で駆動される相隣接する画素電極と(ii)反転
駆動時に各時刻において相互に同一極性の駆動電圧で駆
動される相隣接する画素電極との両者が存在している。
このような両者は、例えば前述の１Ｈ反転駆動方式や１
Ｓ反転駆動方式などの反転駆動方式を採るマトリクス駆
動型の液晶装置等の電気光学装置であれば存在する。従
って、異なる画素電極群に属する相隣接する画素電極
（即ち、逆極性の電位が印加される相隣接する画素電
極）の間には、横電界が生じる。

【００１１】ここで本発明では特に、第１基板上に、画
素電極を駆動する配線（例えば、データ線、走査線、容
量線など）及び素子（例えば、画素スイッチング用のＴ
ＦＴなど）を含むパターンを形成する。このパターンの
存在によって、平面的に見て相隣接する画素電極の間隙
となる領域には、少なくとも部分的に凸部が構築され
る。即ち、このパターンの表面に直接又はパターン上に
形成された他の膜の表面に当該凸部の少なくとも一部が
構築される。その後、この凸部の上側に、高密度プラズ
マＣＶＤもしくは高周波バイアススパッタ法によって層
間絶縁膜を形成し、更にこの層間絶縁膜上に直接或いは
他の膜を介して、複数の画素電極を形成する。

【００１２】従って、画素電極の下地面には、層間絶縁
膜を介して凸部が形成されるので、第１に、各画素電極
の縁部がこの凸部上に位置するように形成すれば（言い
換えれば、相隣接する画素電極の間隙となる領域に凸部
が位置するように形成すれば）、各画素電極と対向電極
との間に生じる縦電界を、相隣接する画素電極（特に、
異なる画素電極群に属する画素電極）の間に生じる横電
界と比べて、相対的に強められる。即ち、一般に電界は
電極間の距離が短くなるにつれて強くなるので、凸部の
高さの分だけ、画素電極の縁部が対向電極に近づき、両
者間に生じる縦電界が強められるのである。第２に、各
画素電極の縁部がこの凸部上に位置するか否かに拘わら
ず、相隣接する画素電極（特に、異なる画素電極群に属
する画素電極）の間に生じる横電界が凸部の存在により
凸部の誘電率に応じて弱められると共に横電界が通過す
る電気光学物質の体積を（凸部で部分的に置き換えるこ
とにより）減ずることによっても、当該横電界の電気光
学物質に対する作用を低減できる。従って、反転駆動方
式に伴う横電界による液晶の配向不良等の電気光学物質
の動作不良を低減できる。尚、画素電極の縁部は、凸部
上に位置してもよいし位置していなくてもよく、更に凸
部の傾斜した或いは略垂直な側面の途中に位置していて
もよい。

【００１３】そして本発明では特に、例えばＥＣＲ（電
子サイクロトロン共鳴）方式プラズマＣＶＤ、ＩＣＰ
（誘導結合）方式プラズマＣＶＤ、へリコン波方式プラ
ズマＣＶＤ等に代表される高密度プラズマＣＶＤもしく
はスパッタ法において基板側にもセルフバイアスがかか
るように高周波電力を印加するバイアススパッタ法によ
って、画素電極の下層側に、層間絶縁膜を形成する。従
って、層間絶縁膜下にある凸部の表面における段差より
も緩やかな段差を有する凸部が、層間絶縁膜の表面に現
れる。これは、高密度プラズマＣＶＤであると、プラズ
マ中のイオン密度が通常のプラズマＣＶＤの場合より
も、２桁程度高いため、当該層間絶縁膜を堆積している最
中にも高密度のプラズマによって、堆積されたばかりの
層間絶縁膜が若干削れるので、その鋭角或いは直角の角
がとれて、緩やかな傾斜を持つ凸部が、最終的に層間絶
縁膜の表面に現れるものと考察される。例えば、基板面
に沿って帯状に延びる直方体からなる凸部を層間絶縁膜
下に形成した場合、層間絶縁膜の表面には、凸部の長手
方向に垂直な断面における断面形状が下広がりである台
形の底辺を除く三辺をなす凸部が現れる。また高周波バ
イアススパッタ法を用いても前記高密度プラズマＣＶＤ
と同様の効果が得られる。すなわち基板にセルフバイア
スをかけることにより、プラズマ粒子が基板に堆積した
絶縁膜をエッチングする作用を利用する。セルフバイア
スの条件を適当に選ぶと絶縁膜表面の段差における平坦
面と段差側面のスパッタエッチング速度差を変えること
ができるため、絶縁層表面の段差を緩やかな傾斜を持つ
凸部を残して平坦化し、所望の形状を得ることができ
る。

【００１４】このように液晶等の電気光学物質に面した
画素電極の下地面において、凸部に起因した段差が緩や
かになると、各画素の開口領域の縁付近で電気光学物質
の層厚を規定する表面における段差も緩やかとされる分
だけ、段差に起因した液晶の配向不良の如き、電気光学物
質における動作不良を低減できる。即ち、エッチング等
により形成された凸部のままでは、その側壁における段
差が急峻であるため或いは凸部の側壁の上端や下端が角
ばっているため、凸部表面の角度が急峻に変化する個所
で、液晶等の電気光学物質に不連続な面が発生し、液晶
の配向不良の如き電気光学物質の動作不良が発生してし
まうのである。このように本発明によれば、電気光学物
質における横電界による動作不良を低減できるのみなら
ず、これを低減するための凸部に起因した、段差による
電気光学物質の動作不良をも抑制できる。このため、電
気光学物質の動作不良個所を隠すための遮光膜も小さく
できるので、光抜け等の画像不良を起こさずに各画素の
開口率を高めることも可能となる。

【００１５】更に、本発明は、凸部の少なくとも一部を、
走査線、データ線等の配線やＴＦＴ等の素子を含んでな
るパターンの存在によって構築するので、凸部形成用の
膜や専用のエッチングにより凸部を形成する場合と比較
して、製造プロセスの複雑化を招かないで済み、工程数を
削減できる。更に一般に画素電極とその下方に存在する
配線、電極等とを層間絶縁するためには、これら両者間
に層間絶縁膜を設けることは本来必要なので、本発明の
ように、この層間絶縁機能を有する層間絶縁膜を利用し
て上述の如き凸部に係る独自の作用効果を得ることは、
基板上における積層構造及び製造プロセスの複雑化を招
かない点で大変優れている。

【００１６】加えて、例えば凸部の段差を緩やかにする
ためにウエットエッチングを行う場合と比較すると、本
発明は、高密度プラズマＣＶＤもしくは高周波バイアス
スパッタ法により緩やかな段差を持つ凸部を直接形成す
るので、寸法のばらつきが小さいと共に正確且つ再現性
の高い段差が、画素電極の下地となる層間絶縁膜上に得
られる。

【００１７】以上の結果、液晶等の電気光学物質におけ
る横電界による動作不良を凸部の形成によって確実に低
減可能であり、しかもこの凸部の形成によって液晶等の
電気光学物質で段差による動作不良が発生するのを高密
度プラズマＣＶＤもしくは高周波バイアススパッタ法に
より形成した層間絶縁膜によって抑制でき、最終的には、
高コントラストで明るい高品位の画像表示を行う液晶装
置等の電気光学装置を比較的容易に製造できる。

【００１８】尚、このように高密度プラズマＣＶＤもし
くは高周波バイアススパッタ法により形成する層間絶縁
膜と画素電極とは密着配置してもよいし、両者間に他の
絶縁膜等を介在させることも可能である。更に、配線、
素子等のパターンからなる凸部と高密度プラズマＣＶＤ
により形成する層間絶縁膜との間に、他の絶縁膜、導電
膜等を形成することも可能である。

【００１９】本発明の電気光学装置の製造方法の一態様
では、前記パターンとは別に前記凸部形成用の材料膜を
形成する工程を更に備えており、前記凸部は、前記パター
ンに代えて又は加えて、前記材料膜の存在によって少な
くとも部分的に構築されている。

【００２０】この態様によれば、配線、素子等を含んで
なるパターンのみならず、積極的に凸部形成用の材料膜
を用いて凸部を形成するので、設計上望ましい領域に、
望ましい高さの凸部を任意に構築可能となる。しかもこ
のような凸部を急峻に形成しても、その上には高密度プ
ラズマＣＶＤにより層間絶縁膜が形成されるので、画素
電極の下地面において緩やかな段差が得られる。

【００２１】本発明の電気光学装置の製造方法の他の態
様では、前記第１基板上に所定パターンの溝を掘る工程
を更に備えており、前記凸部は、前記パターンに代えて又
は加えて、前記溝の存在によって少なくとも部分的に構
築されている。

【００２２】この態様によれば、配線、素子等を含んで
なるパターンのみならず、基板に対するエッチング等に
より当該基板に掘った溝を利用して凸部を形成するの
で、特に平坦化したい領域については、凸部を形成しな
いようにすることも可能となる。

【００２３】本発明の電気光学装置の製造方法の他の態
様では、前記第１基板上に他の層間絶縁膜を形成する工
程と、該他の層間絶縁膜上に所定パターンの溝を掘る工
程とを更に備えており、前記凸部は、前記パターンに代え
て又は加えて、前記溝の存在によって少なくとも部分的
に構築されている。

【００２４】この態様によれば、配線、素子等を含んで
なるパターンのみならず、基板上に形成された他の層間
絶縁膜に対するエッチング等により当該他の層間絶縁膜
に掘った溝を利用して凸部を形成するので、特に平坦化
したい領域については、凸部を形成しないようにするこ
とも可能となる。

【００２５】本発明の電気光学装置の製造方法の他の態
様では、前記パターンを形成する工程の完了以前に、前記
基板上における積層体表面に対してＣＭＰ処理を施す工
程を更に備えており、前記凸部は、前記ＣＭＰ処理が施さ
れた表面上に形成された前記パターンによって少なくと
も部分的に構築される。

【００２６】この態様によれば、パターンを形成する工
程の完了以前に、ＣＭＰ処理を施すことにより表面を一
旦平坦化し、更にこの平坦化表面上にパターン等を形成
することにより凸部を形成するので、凸部の高さや形状
を比較的容易に精度良く制御できる。

【００２７】尚、このようなＣＭＰ処理を施す処理に代
えて又は加えて、流動性のある絶縁膜材料を塗布するこ
とにより、平坦化された絶縁膜を形成する工程、或いは
配線又は素子を含むパターンが埋め込まれる溝を予め形
成する工程を備えてもよい。

【００２８】本発明の電気光学装置の製造方法の他の態
様では、前記凸部は、前記画素電極の間隙となる領域のう
ち第１方向に沿った第１領域と前記画素電極の間隙とな
る領域のうち前記第１方向に交わる第２方向に沿った第
２領域とのうち一方の領域のみに構築される。

【００２９】この態様によれば、画像表示領域内に、画
素列或いは画素行に対応してストライプ状に延びる凸部
を形成することとなり、これにより、ストライプ状の凸
部を横切る方向の横電界による悪影響を低減できる。し
かも、ストライプ状の凸部が形成されていない画素電極
の間隙については、段差による電気光学物質の動作不良
が殆ど発生しないですむ。

【００３０】この第１及び第２領域のうち一方の領域の
みに凸部を形成する態様では、前記凸部は、異なる極性
で反転駆動される相隣接した画素電極相互間における間
隙を前記一方の領域として構築される。

【００３１】このように構成すれば、横電界が生じる、
異なる画素電極群に属する相隣接する画素電極（即ち、
逆極性の電位が印加される画素電極）間にのみ凸部を設
けることとなり、横電界が殆ど生じない同一の画素電極
群に属する相隣接する画素電極（即ち、同一極性の電位
が印加される画素電極）間には、凸部を設けないことと
なる。従って、前述の１Ｈ反転駆動或いは１Ｓ反転駆動
において、有効な個所にのみ形成された凸部によって、
極めて効果的に横電界による悪影響を低減できる。そし
て、横電界の悪影響を低減するのに寄与しない凸部に起
因して、段差による電気光学物質の動作不良を招くこと
もないので有利である。

【００３２】尚、このようなストライプ状の凸部を設け
るのに代えて、異なる画素電極群に含まれる相隣接する
画素電極相互間における間隙に相対的に高い凸部を設
け、同一画素電極群に含まれる相隣接する画素電極相互
間における間隙に相対的に低い凸部を設けるようにして
も、類似の効果は得られる。

【００３３】この第１及び第２領域のうち一方の領域の
みに凸部を形成する態様では、前記層間絶縁膜を形成す
る以前に、前記第１領域と前記第２領域とのうち他方の
領域に、前記画素電極を駆動する他の配線又は素子を形
成する工程を更に含んでもよい。

【００３４】このように構成すれば、凸部が形成されな
い方の画素電極の間隙では、他の配線又は素子の存在に
より、それらの厚みに応じて画素電極の下地面は凸状に
盛り上がるが、この盛り上がりについても、凸部と同様
に、高密度プラズマＣＶＤにより形成された層間絶縁膜
により段差が緩やかとなる。従って、その段差による電
気光学物質の配向不良は低減される。

【００３５】本発明の電気光学装置の製造方法の他の態
様では、前記凸部は、前記画素電極の間隙となる領域に沿
った格子状に構築される。

【００３６】この態様によれば、画像表示領域内に、画
素毎にその四辺に位置する凸部を有することになるの
で、特にドット反転駆動の際に、画素間を縦横に横切る
方向の横電界による悪影響を低減できる。

【００３７】本発明の電気光学装置の製造方法の他の態
様では、前記第１基板上に形成される前記画素電極を駆
動する素子は貼り合わせＳＯＩによる単結晶半導体層を
含んでなる。

【００３８】この態様によれば、単結晶半導体を能動層
に用いた素子を形成することのよって、素子の能力を向
上させることができる。このような貼り合わせにおいて
は、一般に支持基板と単結晶層表面を平坦かつ鏡面化し
て両者を接合するため、素子や配線形成後の凹凸形状を
自由に制御することが難しいが、上述のように高密度Ｃ
ＶＤプラズマによって層間絶縁膜を形成するので、画素
電極の下地面における形状制御が容易になり液晶配向不
良などを防ぐことができる。

【００３９】本発明の電気光学装置は上記課題を解決す
るために、一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が
挟持されてなり、前記第１基板上に、第１の周期で反転
駆動されるための第１の画素電極群及び該第１の周期と
相補の第２の周期で反転駆動されるための第２の画素電
極群を含むと共に平面配列された複数の画素電極と、該
画素電極を駆動する配線及び素子を含むパターンと、製
造工程中に平面的に見て相隣接する画素電極の間隙とな
る領域に前記パターンの存在によって少なくとも部分的
に構築された凸部の上側であって且つ前記画素電極の下
側に高密度プラズマＣＶＤによって形成されており前記
凸部の表面における段差よりも緩やかな段差を表面に有
する層間絶縁膜とを備え、前記第２基板上に前記複数の
画素電極に対向する対向電極を備える。

【００４０】本発明の電気光学装置によれば、異なる画
素電極群に属する相隣接する画素電極（即ち、逆極性の
電位が印加される相隣接する画素電極）の間には、横電
界が生じるが、画素電極の下地面には、層間絶縁膜を介
して凸部が形成されている。従って、第１に、各画素電
極の縁部がこの凸部上に位置するように形成すれば、各
画素電極と対向電極との間に生じる縦電界を、相隣接す
る画素電極の間に生じる横電界と比べて、相対的に強め
られる。第２に、各画素電極の縁部がこの凸部上に位置
するか否かに拘わらず、相隣接する画素電極の間に生じ
る横電界が凸部の存在により凸部の誘電率に応じて弱め
られると共に横電界が通過する電気光学物質の体積を減
ずることによっても、当該横電界の電気光学物質に対す
る作用を低減できる。

【００４１】そして本発明では特に、画素電極の下層側
にある層間絶縁膜は、高密度プラズマＣＶＤもしくは高
周波バイアススパッタ法によって形成されているので、
層間絶縁膜下にある凸部の表面における段差よりも緩や
かな段差を有する凸部が、層間絶縁膜の表面に現れてい
る。従って、段差に起因した液晶の配向不良の如き、電気
光学物質における動作不良を低減できる。

【００４２】これらのため、電気光学物質の動作不良個
所を隠すための遮光膜も小さくできるので、光抜け等の
画像不良を起こさずに各画素の開口率を高められる。

【００４３】以上の結果、液晶等の電気光学物質におけ
る横電界による動作不良を凸部の形成によって確実に低
減可能であり、しかもこの凸部の形成によって液晶等の
電気光学物質で段差による動作不良が発生するのを、高
密度プラズマＣＶＤもしくは高周波バイアススパッタ法
により形成した層間絶縁膜によって抑制でき、最終的に
は、高コントラストで明るい高品位の画像表示を行え
る。

【００４４】尚、本発明の電気光学装置は、上述した本発
明の電気光学装置の製造方法における各種態様によって
製造される各種態様を含むものである。

【００４５】また、本発明は、透過型及び反射型等の
他、各種形式の電気光学装置に適用可能である。

【００４６】本発明の電子機器は上記課題を解決するた
めに、上述した本発明の電気光学装置（但し、上述した
本発明の電気光学装置の製造方法における各種態様によ
り製造されるものも含む）を具備してなる。

【００４７】本発明の電子機器は、上述した本発明の電
気光学装置を具備してなるので、明るく高品位の画像表
示が可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、
電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又は
モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーシ
ョン、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各
種電子機器を実現できる。

【００４８】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００４９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。

【００５０】（第１実施形態）本発明の第１実施形態に
ついて、図１から図７を参照して説明する。

【００５１】先ず第１実施形態における電気光学装置の
構成について、図１から図５を参照して説明する。図１
は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス
状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の
等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画
素群の平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ'断面図で
あり、図４は、図２のＢ−Ｂ'断面図であり、図５は、
図２のＣ−Ｃ'断面図である。尚、図３から図５におい
ては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさ
とするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてあ
る。

【００５２】図１において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ
線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数
のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよ
うにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３
ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走
査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ
を、この順に線順次で印加するように構成されている。
画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続
されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定
期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６
ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定
のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光
学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述す
る）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期
間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分
子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調
し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモード
であれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射
光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモード
であれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射
光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置
からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射す
る。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐ
ために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液
晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。

【００５３】図２において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ'により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。更に容量線
３ｂが、走査線３ａに並んでストライプ状に設けられて
いる。より具体的には、容量線３ｂは、走査線３ａに平
行な本線部と、この本線部におけるデータ線６ａに交差
する個所からデータ線６ａに沿って図中上側に突出した
突出部とを有する。

【００５４】また、半導体層１ａのうち図中右下がりの
斜線領域で示したチャネル領域１ａ'に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６
ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ'に走
査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０が設けられている。

【００５５】図２及び図３に示すように、データ線６ａ
は、コンタクトホール５を介して半導体層１ａのうち高
濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。他方、
画素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導体層
１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続され
ている。

【００５６】また、高濃度ドレイン領域１ｅから延設さ
れた画素電位側容量電極１ｆと容量線３ｂの固定電位側
容量電極としての部分とが、誘電体膜としての絶縁膜２
を介して対向配置されることにより、蓄積容量７０が構
築されている。容量線３ｂは、画素電極９ａが配置され
た画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電
気的に接続されて、固定電位とされる。

【００５７】図３から図５において、電気光学装置は、
透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される
透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板
１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板か
らなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板
からなる。

【００５８】ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａ
が設けられており、その上側には、ラビング処理等の所
定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。
画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜
などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１６は例え
ば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。

【００５９】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミ
ド薄膜などの有機薄膜からなる。更に、対向基板２０に
は、図３及び図５に示すように、各画素の非開口領域
に、一般にブラックマスク或いはブラックマトリクス
（BM）と称される遮光膜２３が設けられている。このた
め、対向基板２０の側から入射光が画素スイッチング用
のＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ'や低
濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入
することは殆どない。更に、遮光膜２３は、コントラス
ト比の向上、カラーフィルタを形成した場合における色
材の混色防止などの機能を有する。尚、本実施形態で
は、Ａｌ等からなる遮光性のデータ線６ａで、各画素の
非開口領域のうちデータ線６ａに沿った部分を遮光する
ことにより、各画素の開口領域のうちデータ線６ａに沿
った輪郭部分を規定してもよいし（この場合には、走査
線３ａに沿ったストライプ状の遮光膜２３を設ければよ
いし）、このデータ線６ａに沿った非開口領域について
も冗長的に又は単独で対向基板２０に設けられた遮光膜
２３で遮光する（この場合には、格子状の遮光膜２３を
設ける）ように構成してもよい。このような遮光に代え
て又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層体内に、
高融点金属膜等からなる内蔵遮光膜を設けて各画素の開
口領域の一部或いは全部を規定してもよい。

【００６０】図３から図５に示すように、以上の如く構
成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するよ
うに配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０と
の間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光
学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成
される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加
されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配
向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類の
ネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材
は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの
周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬
化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定
値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等
のギャップ材が混入されている。

【００６１】更に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の
下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜
１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されること
により、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における
荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴ
ＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

【００６２】画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、ＬＤ
Ｄ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線
３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成
される半導体層１ａのチャネル領域１ａ'、走査線３ａ
と半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜
２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ド
レイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ
並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。

【００６３】走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄ
へ通じるコンタクトホール５及び高濃度ドレイン領域１
ｅへ通じるコンタクトホール８が各々開孔された第１層
間絶縁膜４が形成されている。

【００６４】第１層間絶縁膜４上にはデータ線６ａが形
成されており、この上には、コンタクトホール８が開孔
された第２層間絶縁膜８０が形成されている。

【００６５】本実施形態では特に、第２層間絶縁膜８０
は、後に詳述するように、その製造プロセスにおいて、
高密度プラズマＣＶＤにより形成されている。このた
め、図４に示すように、データ線６ａに沿った各画素の
非開口領域（即ち、各画素において実際に表示に寄与す
る光が透過或いは反射する開口領域を除く領域）では、
本発明に係るパターンの一例を構成するデータ線６ａ及
び蓄積容量７０によってデータ線６ａの表面に構築され
た急峻な段差を有する凸部上に、緩やかな段差を有する
と共に断面が台形状である凸部８１が構築されている。
また、図５に示すように、走査線３ａに沿った各画素の
非開口領域では、本発明に係るパターンの一例を構成す
る走査線３ａ及び蓄積容量７０によって第１層間絶縁膜
４の表面に構築された急峻な段差を有する凸部上に、緩
やかな段差を有すると共に断面が台形状である凸部８２
が構築されている。そして、これらの凸部８１及び凸部
８２により、平面的に見て格子状の凸部が各画素の非開
口領域に沿って画像表示領域の全体に渡って構築されて
いる。

【００６６】ここで仮に、通常のＣＶＤ或いは通常のプ
ラズマＣＶＤ等により第２層間絶縁膜を形成したので
は、例えば図３から図５に示した第１層間絶縁膜４のよ
うに、その表面にはその下方に存在する配線、素子等の
パターンに応じて急峻な凸部が形成される。そして、こ
のように急峻な凸部を有する第２層間絶縁膜上に画素電
極９ａを形成したのでは、液晶層５０に不連続な面が発
生し、液晶層５０の配向不良が発生してしまうのであ
る。

【００６７】しかるに本実施形態では、高密度プラズマ
ＣＶＤもしくは高周波バイアススパッタ法により形成さ
れた第２層間絶縁膜８０によって、各画素の開口領域の
縁付近で液晶層５０の層厚を規定する画素電極９ａの下
地面における段差が緩やかとされるので、この緩やかに
された分だけ、段差に起因した液晶層５０の配向不良を
低減できる。

【００６８】本実施形態では、前述した従来の各種の反
転駆動方式のうち、１Ｈ反転駆動方式を用いて駆動が行
われる。これにより、直流電圧印加による液晶の劣化を
避けつつ、フレーム或いはフィールド周期で発生するフ
リッカや特に縦クロストークの低減された画像表示を行
える。

【００６９】ここで図６を参照して、本実施形態で採用
する１Ｈ反転駆動方式における、相隣接する画素電極９
ａの電圧極性と横電界の発生領域との関係について説明
する。

【００７０】即ち、図６（ａ）に示すように、ｎ（但
し、ｎは自然数）番目のフィールド或いはフレームの画
像信号を表示する期間中には、画素電極９ａ毎に＋又は
−で示す液晶駆動電圧の極性は反転されず、行毎に同一
極性で画素電極９ａが駆動される。その後図６（ｂ）に
示すように、ｎ＋１番目のフィールド或いは１フレーム
の画像信号を表示するに際し、各画素電極９ａにおける
液晶駆動電圧の電圧極性は反転され、このｎ＋１番目の
フィールド或いは１フレームの画像信号を表示する期間
中には、画素電極９ａ毎に＋又は−で示す液晶駆動電圧
の極性は反転されず、行毎に同一極性で画素電極９ａが
駆動される。そして、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示し
た状態が、１フィールド又は１フレームの周期で繰り返
されて、本実施形態における１Ｈ反転駆動方式による駆
動が行われる。この結果、本実施形態によれば、直流電
圧印加による液晶の劣化を避けつつ、クロストークやフ
リッカの低減された画像表示を行える。尚、１Ｈ反転駆
動方式によれば、１Ｓ反転駆動方式と比べて、縦方向の
クロストークが殆ど無い点で有利である。

【００７１】図６（ａ）及び図６（ｂ）から分かるよう
に、１Ｈ反転駆動方式では、横電界の発生領域Ｃ１は常
時、縦方向（Ｙ方向）に相隣接する画素電極９ａ間の間
隙付近となる。

【００７２】そこで図３及び図５に示すように本実施形
態では、凸部８２を形成し、この凸部８２上に配置され
た画素電極９ａの縁付近における縦電界を強めると共に
横電界を弱めるようにする。より具体的には、図５に示
すように、凸部８２上に配置された画素電極９ａの縁付
近と対向電極２１との距離を、凸部８２の分だけ狭め
る。従って、図６に示した横電界の発生領域Ｃ１におい
て、画素電極９ａと対向電極２１との間における縦電界
を強めることができるのである。そして、図３及び図５
において、相隣接する画素電極９ａ間の間隙は一定であ
るため、間隙が狭まる程に強まる横電界の大きさも一定
である。このため、図６に示した横電界の発生領域Ｃ１
において横電界に対する縦電界を強めることができる。

【００７３】更に、絶縁膜からなる凸部８２の存在によ
り、横電界の強度も弱められると共に、横電界が存在す
る凸部８２に置き換えられた分だけ横電界を受ける液晶
部分が減るので、当該横電界の液晶層５０に対する作用
を減ずることができる。

【００７４】これらの結果として縦電界をより支配的に
することにより、横電界の発生領域Ｃ１における横電界
による液晶の配向不良を防止できるのである。

【００７５】以上の結果、本実施形態によれば、１Ｈ反
転駆動方式において発生する横電界の特性に着目して、
横電界の発生領域Ｃ１では、凸部８２を設けることで、
相対的に縦電界を強めることにより横電界による悪影響
を低減する。このように横電界による液晶の配向不良を
低減することにより、液晶の配向不良個所を隠すための
遮光膜２３も小さくて済む（但し、凸部８２における段
差に起因した液晶の配向不良個所を覆い隠すためには、
凸部８２の幅よりも遮光膜２３の幅を若干広めに設定す
るのが望ましい）。従って、光抜け（等の画像不良を起
こさずに各画素の開口率を高めることができ、最終的に
コントラスト比が高く且つ明るく高品位の画像表示が可
能となる。

【００７６】そして特に本実施形態によれば、凸部８２
の形成により段差を緩やかにすることによって、液晶層
５０で段差による動作不良が発生するのを抑制できる。
これらの結果、横電界による液晶層５０の動作不良と、段
差による液晶層５０の動作不良との両者をバランス良く
低減することが可能となり、高コントラストで明るい高
品位の画像表示を行う液晶装置を実現できる。

【００７７】更に本実施形態では、凸部８２における長
手状に伸びる上面の幅方向の縁に、画素電極９ａの縁が
位置するように構成してもよい。このように構成すれ
ば、当該縁における画素電極９ａと対向電極２１との間
の距離を凸部８２の高さを最大限に利用して短くするこ
とができる。同時に、凸部８２における上面の幅を最大
限に生かして横電界が生じる相隣接する画素電極９ａ間
の間隔を広げられる。これらにより、凸部８２の形状を
極めて効率的に利用して、横電界の発生領域Ｃ１におい
て横電界に対して縦電界を強めることが可能となる。

【００７８】本実施形態では、図６で説明したように走
査線３ａに沿った横電界の発生領域Ｃ１に対応して、凸
部８２を設けるが、図３及び図４に示すように、データ
線６ａに沿った画素の非開口領域に対応して凸部８１が
設けられている。これは、データ線６ａに沿った画素の
非開口領域にも画像信号によっては若干の横電界が発生
することに鑑みてである。但し、同一の液晶駆動電圧が
同一極性である横に並んだ画素電極間で（図６参照）発
生する横電界は弱いため、図３から分かるように、凸部
８１は、凸部８２に比べて高さが低く形成されている。
例えば、液晶層５０の層厚を３μｍとした場合、凸部８
２の高さを０．５μｍ程度とし、凸部８１の高さを０．
３５μｍ程度とする。

【００７９】尚、本実施形態で、相隣接する画素電極９
ａの電圧極性と横電界の発生領域Ｃ２との関係を図７に
示した１Ｓ反転駆動方式（即ち、各列毎に液晶駆動電圧
の極性が変化して、横電界の発生領域Ｃ２がデータ線６
ａに沿った画素の間隙となる方式）を採用する場合に
は、図３から図５に示した構成において、凸部８１を凸
部８２より高く形成すればよい（例えば、液晶層５０の
層厚を３μｍとした場合、凸部８１の高さを０．５μｍ
程度とし、凸部８２の高さを０．３５μｍ程度とすれば
よい）。

【００８０】或いは、本実施形態で、ドット反転駆動方
式（即ち、各列毎に且つ各行毎に液晶駆動電圧の極性が
変化して横電界の発生領域がデータ線６ａ及び走査線３
ａに沿った画素の間隙となる方式）を採用する場合に
は、図３から図５に示した構成において、凸部８１及び
凸部８２の両者を高く形成すればよい（例えば、液晶層
５０の層厚を３μｍとした場合、凸部８１の高さを０．
５μｍ程度とし、凸部８２の高さを０．５μｍ程度とす
ればよい）。

【００８１】更に本発明における１Ｈ反転駆動方式では
駆動電圧の極性を、一行毎に反転させてもよいし、相隣
接する２行毎に或いは複数行毎に反転させてもよい。同
様に本発明における１Ｓ反転駆動方式では駆動電圧の極
性を、一列毎に反転させてもよいし、相隣接する２列毎
に或いは複数列毎に反転させてもよく、ドット反転駆動
方式の場合にも、複数の画素電極からなるブロック毎に
駆動電圧の極性を反転させてもよい。

【００８２】以上説明した実施形態では、スイッチング
用ＴＦＴ３０は、チャネル部１ａ'、低濃度ソース領域
１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、さらに高濃度ソース
領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅは半導体材料から
なり、多結晶構造もしくは単結晶構造を持つ。さらに画
素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示し
たようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及
び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの打ち込みを
行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの
一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物
イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレ
イン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであって
もよい。また本実施形態では、画素スイッチング用のＴ
ＦＴ３０のゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃
度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲー
ト構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を
配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリ
プルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソー
ス及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止で
き、オフ時の電流を低減することができる。

【００８３】更に、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａ
は、高温ポリシリコン膜、低温ポリシリコン膜、単結晶シ
リコン膜、アモルファスシリコン膜等の各種シリコン膜
から形成可能である。

【００８４】更にまた、投射型或いは透過型の液晶装置
に限らず、反射型の液晶装置に本発明を適用しても、本
実施形態による横電界による液晶の配向不良を低減する
効果は同様に得られる。

【００８５】（製造プロセス）次に、以上のような構成
を持つ実施形態における電気光学装置を構成するＴＦＴ
アレイ基板側の製造プロセスについて、図８及び図９を
参照して説明する。尚、図８は各工程におけるＴＦＴア
レイ基板側の各層を、図４と同様に図２のＢ−Ｂ'断面
に対応させて示す工程図であり、図９は、図５と同様に
図２のＣ−Ｃ'断面に対応させて示す工程図である。

【００８６】先ず図８及び図９の工程（ａ）に示すよう
に、石英基板、ハードガラス基板、シリコン基板等のＴ
ＦＴアレイ基板１０上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ
法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケ
ート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）
ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレー
ト）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳ
Ｇなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シ
リコン膜等からなり、膜厚が約５００〜２０００ｎｍの
下地絶縁膜１２を形成する。次に、下地絶縁膜１２の上
に、半導体層を形成する。半導体層は、多結晶構造ある
いは単結晶構造からなる。多結晶半導体層の場合は、減
圧ＣＶＤ等によりアモルファスシリコン膜を形成し６０
０℃程度の温度でアニール処理を施することにより、ポ
リシリコン膜を固相成長させる。或いは、アモルファス
シリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリ
コン膜を直接形成する方法を用いることができる。

【００８７】また単結晶半導体層を形成する場合は、単
結晶基板を支持基板と貼り合わせた後に単結晶基板側を
薄膜化する貼り合わせ法を用いることが出来る。単結晶
半導体としてはシリコンが好適に用いられるが、半導体
としての特性を示し、スイッチング素子を形成できる材
料であれば同様に用いることができる。このような薄膜
シリコン単結晶層を絶縁層上に形成した構造を特にＳＯ
Ｉ（Silicon on Insulator）と呼び、一般にこのような
手法を貼り合わせ法、またこのような基板を貼り合わせ
ＳＯＩ基板と呼ぶ。この貼り合わせ法においては、膜厚
均一性に優れた単結晶シリコン層を形成する手法の一つ
として公知の、水素イオン注入とアニールを用いる方法
が好ましく用いられる。これは薄膜層を形成しようとす
るシリコンからなる単結晶基板に規定の注入深さを持っ
た水素イオン注入を行い、この単結晶シリコン基板をＴ
ＦＴアレイ形成基板と貼り合わせた後に５００℃乃至６
００℃程度のアニール処理を行うことにより、ＴＦＴア
レイ形成基板上に極薄い単結晶膜を残して単結晶シリコ
ン基板を分離するものである。得られる単結晶シリコン
膜は欠陥が少なく高品質、かつ膜厚均一性の非常に高い
ものとなる。

【００８８】また膜厚均一性に優れた単結晶シリコン層
を形成する別の手法として公知の、多孔質シリコン層状
にエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層をアレイ
基板に転写する手法を用いることもできる。これは表面
を電解研磨によって多孔質化したシリコン基板表面に単
結晶シリコン層をエピタキシャル成長させた後、これを
アレイ基板と貼り合わせ、脆弱な多孔質層をウォーター
ジェット等の物理的手段によって破砕し、シリコン基板
と単結晶シリコン層を分断するものである。分断後、エ
ピタキシャル単結晶シリコン層表面に残った多孔質シリ
コンの残渣物はＨＦ／Ｈ₂Ｏ₂を含むエッチャントにより
高い選択比で除去される。これによりアレイ基板上に転
写される単結晶シリコン膜は欠陥が少なく高品質、かつ
膜厚均一性の非常に高いものとなる。

【００８９】次に、このポリシリコンあるいは単結晶シ
リコン膜に対し、フォトリソグラフィ工程、エッチング
工程等を施すことにより、図２に示した如き画素電位側
容量電極１ｆを含む所定パターンを有する半導体層１ａ
を形成する。

【００９０】次に、熱酸化すること等により、図３から
図５に示したＴＦＴ３０のゲート絶縁膜と共に蓄積容量
形成用の誘電体膜を含む絶縁膜２を形成する。この結
果、半導体層１ａの厚さは、約３０〜１５０ｎｍの厚
さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁膜
２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約
３０〜１００ｎｍの厚さとなる。次に、減圧ＣＶＤ法等
によりポリシリコン膜を約１００〜５００ｎｍの厚さに
堆積し、更にＰ（リン）を熱拡散して、このポリシリコ
ン膜を導電化した後、フォトリソグラフィ工程、エッチ
ング工程等により、図２に示した如き所定パターンの走
査線３ａ及び容量線３ｂを形成する。尚、走査線３ａ及
び容量線３ｂは、高融点金属や金属シリサイド等の金属
合金膜で形成しても良いし、ポリシリコン膜等と組み合
わせた多層配線としても良い。次に、低濃度及び高濃度
の２段階で不純物イオンをドープすることにより、低濃
度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度
ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを含む、Ｌ
ＤＤ構造の画素スイッチング用ＴＦＴ３０を形成する。

【００９１】尚、図８及び図９の工程（ａ）と並行し
て、ＴＦＴから構成されるデータ線駆動回路、走査線駆
動回路等の周辺回路をＴＦＴアレイ基板１０上の周辺部
に形成してもよい。

【００９２】次に図８及び図９の工程（ｂ）に示すよう
に、走査線３ａ、容量線３ｂ、絶縁膜２及び下地絶縁膜
１２からなる積層体を覆うように、例えば、常圧又は減
圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳ
Ｇ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化
シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜
４を形成する。第１層間絶縁膜４は、例えば１０００〜
２０００ｎｍ程度の膜厚とされる。尚、この熱焼成と並
行して或いは相前後して、半導体層１ａを活性化するた
めに約１０００℃のアニール処理を行ってもよい。そし
て、図３に示したデータ線６ａと半導体層１ａの高濃度
ソース領域１ｄを電気的に接続するためのコンタクトホ
ール５を第１層間絶縁膜４及び絶縁膜２に開孔し、ま
た、走査線３ａや容量線３ｂを基板周辺領域において図
示しない配線と接続するためのコンタクトホールも、コ
ンタクトホール５と同一の工程により開孔することがで
きる。続いて、第１層間絶縁膜４の上に、スパッタリン
グ処理等により、Ａｌ等の低抵抗金属膜や金属シリサイ
ド膜を約１００〜５００ｎｍの厚さに堆積した後、フォ
トリソグラフィ工程及びエッチング工程等により、デー
タ線６ａを形成する。

【００９３】次に図８及び図９の工程（ｃ）に示すよう
に、データ線６ａ上に、第２層間絶縁膜８０を形成す
る。第２層間絶縁膜８０の材質自体は、下地絶縁膜１２
或いは第１層間絶縁膜４と同様にＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳ
Ｇ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン
膜や酸化シリコン膜等からなるが、本実施形態では特
に、例えばＥＣＲ方式プラズマＣＶＤ、ＩＣＰ方式プラ
ズマＣＶＤ、へリコン波方式プラズマＣＶＤ等に代表さ
れる高密度プラズマＣＶＤもしくは高周波バイアススパ
ッタ法によって、この第２層間絶縁膜８０を形成する。
高密度プラズマＣＶＤであると、プラズマ中のイオン密
度が通常のプラズマＣＶＤの場合よりも、２桁程度高い
ため、層間絶縁膜を堆積している最中にも高密度のプラ
ズマによって、堆積されたばかりの層間絶縁膜が若干削
れながら堆積が続けられる。このため、データ線６ａ等
の表面からなるほぼ直角に切り立った側壁を有する急峻
な段差を有する凸部（図８参照）上や、走査線３ａ及び
容量線３ｂ等の表面からなるほぼ直角に切り立った側壁
を有する急峻な段差を有する凸部（図９参照）上に、最
終的には緩やか傾斜を持つ凸部８１及び凸部８２を第２
層間絶縁膜８０から形成できる。例えば、液晶層５０の
層厚を３μｍとした場合、凸部８２の高さを０．５μｍ
程度とし、凸部８１の高さを０．３５μｍ程度とするよ
うに、当該高密度プラズマＣＶＤが行われる。なお、高
周波バイアススパッタを用いた絶縁膜堆積手段を用いた
場合も、バイアスの印加された基板上の相関絶縁層がプ
ラズマによって若干削られるため、高密度プラズマＣＶ
Ｄとほぼ同様の凸部形状を得ることができる。

【００９４】続いて、図３に示したように、画素電極９
ａと高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的に接続するため
のコンタクトホール８を、反応性イオンエッチング、反
応性イオンビームエッチング等のドライエッチング或い
はウエットエッチングにより第２層間絶縁膜８０及び第
１層間絶縁膜４に開孔する。

【００９５】次に図８及び図９の工程（ｄ）に示すよう
に、コンタクトホール８が開孔された第２層間絶縁膜８
０の上に、スパッタリング処理等により、ＩＴＯ膜等の
透明導電性薄膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積
し、更にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程等
により、画素電極９ａを形成する。

【００９６】尚、当該電気光学装置を反射型として用い
る場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画
素電極９ａを形成してもよい。更にその上に配向膜１６
を形成する。係る配向膜１６に対して、好ましくは、よ
り大きい凸部８２による段差に対して平行にラビング処
理を行う。

【００９７】以上のように本実施形態の製造方法によれ
ば、第２層間絶縁膜８０を高密度プラズマＣＶＤもしく
は高周波バイアススパッタ法により形成するので、緩や
かな段差を有する凸部８１及び凸部８２を形成でき、し
かも、データ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ、ＴＦＴ
３０、蓄積容量７０等からなる凸部の形状を制御すると
共に高密度プラズマＣＶＤもしくは高周波バイアススパ
ッタ法における成膜条件を制御することによって、凸部
８１及び凸部８２の高さや形状或いは寸法の精度を格段
に高めることができる。例えば、凸部の段差を緩やかに
するためにウエットエッチングを行う場合と比較する
と、凸部８１及び凸部８２における寸法のばらつきを、
数分の一から十数分の一或いはそれ以下程度にまで小さ
くでき、寸法精度或いは形状精度を顕著に高められる。

【００９８】特に、本実施形態では、凸部８１及び凸部８
２を、走査線３ａ、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０
等の素子を含んでなるパターンの存在によって構築する
ので、凸部形成用の膜や専用のエッチングにより凸部を
形成する場合と比較して、製造プロセスの複雑化を招か
ないで済み、工程数を削減できる。更に一般に画素電極
９ａとその下方に存在するデータ線６ａとを層間絶縁す
るためには、これら両者間に第２層間絶縁膜８０を設け
ることは必要である。従って、第２層間絶縁膜８０によ
って、層間絶縁すると共に凸部８１及び凸部８２を形成
することは、基板１０上における積層構造及び製造プロ
セスの複雑化を招かない点で大変優れている。

【００９９】これらの結果、横電界の発生する領域では
凸部８１及び８２により、横電界による液晶配向不良を
確実に低減すると共に、第２層間絶縁膜８０を高密度プ
ラズマＣＶＤもしくは高周波バイアススパッタ法で形成
することにより、段差による液晶配向不良を低減するこ
とが可能である、装置信頼性の高い液晶装置を比較的容
易に製造できる。

【０１００】ここで、凸部８１及び凸部８２における側
面の傾斜とラビング方向との関係について図１０を参照
して説明を加える。

【０１０１】図１０（ａ）に示すように、液晶層５０を
構成する液晶分子５０ａは、図中左右方向にラビング処
理が施されており所定のプレティルト角を与えるように
表面処理された配向膜１６上で、所定の配向状態をと
る。そして、画像信号に応じた電界の印加により、図中
破線で示した位置に各液晶分子５０ａは回動する。

【０１０２】この際、図１０（ｂ）に示すように、液晶
層５０を構成する液晶分子５０ａは、配向膜１６の下地
面３０１に、ラビング方向に交わる方向に傾斜を与える
凸部があると、この傾斜部で液晶分子５０ａの配向状態
は若干乱れる。しかしながら、傾斜が緩やかであるの
で、液晶層５０内に不連続面は殆ど発生しない。

【０１０３】これに対し、１０（ｃ）に示すように、配
向膜１６の下地面３０１’に、より急峻な傾斜を与える
凸部があると、この液晶分子５０ａの配向状態の乱れは
顕著となり、液晶層５０内に不連続面が発生してしま
う。

【０１０４】従って、前述した図８及び図９の工程
（ｃ）に示したように、第２層間絶縁膜８０を高密度プ
ラズマＣＶＤもしくは高周波バイアススパッタ法を用い
て形成することで、凸部８１及び凸部８２による段差を
緩やかにすると、当該段差に基づく液晶分子５０ｃの配
向不良を低減することができ有利である。更に、同一の
段差であっても、段差に平行な方向にラビング処理を行
えば、段差による液晶分子５０ｃの配向状態の乱れは低
減する。従って、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１
０側の配向膜１６に対しては格子状の凸部８１及び凸部
８２のうち大きい方の凸部による段差の方向に沿ってラ
ビング処理を施すと有利である。或いは、前述の如く横
電界が発生する領域にのみストライプ状に形成した凸部
による段差の方向に沿ってラビング処理を施すと更に有
利である。

【０１０５】（第２実施形態）次に、第２実施形態につ
いて図３から図６を参照して説明する。

【０１０６】第２実施形態の電気光学装置は、第１実施
形態の場合と同様に１Ｈ反転駆動方式（図６参照）で駆
動されるが、図３及び図４に示した第１実施形態の場合
とは異なり、横電界が殆ど発生しない領域については、
凸部８１の形成を省略する。他方、横電界が発生する領
域については、図５に示した第１実施形態の場合と同様
に、凸部８２が形成されており、その他の構成について
も第１実施形態と同様である。即ち、第２実施形態では、
走査線３ａに沿ったストライプ状の凸部８２が画像表示
領域１０ａに設けられる。

【０１０７】このような構成は例えば、基板１０、下地
絶縁膜１２及び第１層間絶縁膜４のうち少なくとも一つ
に、データ線６ａに沿った溝を掘って、図４に示した蓄積
容量７０及びデータ線６ａを第１層間絶縁膜４に埋め込
むと共に、図５に示した走査線６ａや容量線３ｂ等につ
いては、このような溝に埋め込まないことで得られる。

【０１０８】従って、第２実施形態によれば、横電界の発
生する個所にのみ形成された凸部８２によって、効率的
に横電界による悪影響を低減できる。そして、横電界の
悪影響を低減するのに寄与しない凸部８１に起因して段
差による液晶層５０の配向不良が発生することがないの
で有利である。

【０１０９】（第３実施形態）次に、第３実施形態につ
いて図３から図７を参照して説明する。

【０１１０】第３実施形態の電気光学装置は、第１実施
形態の場合と異なり１Ｓ反転駆動方式（図７参照）で駆
動される。そこで、図３及び図５に示した第１実施形態
の場合とは異なり、横電界が殆ど発生しない領域につい
ては、凸部８２の形成を省略する。他方、横電界が発生
する領域については、図４に示した第１実施形態の場合
と同様に、凸部８１が形成されており、その他の構成に
ついても第１実施形態と同様である。即ち、第３実施形
態では、データ線６ａに沿ったストライプ状の凸部８１
が画像表示領域１０ａに設けられている。

【０１１１】このような構成は例えば、基板１０及び下
地絶縁膜１２のうち少なくとも一つに、走査線３ａや容
量線３ｂ等に沿って溝を掘って、図５に示した走査線３
ａや容量線３ｂ等を下地絶縁膜１２に埋め込むと共に、
図４に示したデータ線６ａや蓄積容量７０については、
このような溝に埋め込まないことで得られる。或いは、
図５に示した走査線３ａや容量線３ｂ等を覆う第１層間
絶縁膜４の上面を、ＣＭＰ処理により平坦化するか又は
流動性のある絶縁膜材料の塗布により平坦化すると共
に、この平坦化された表面上に図４に示したデータ線６
ａを形成することで得られる。

【０１１２】従って、第３実施形態によれば、横電界の発
生する個所にのみ形成された凸部８１によって、効率的
に横電界による悪影響を低減できる。そして、横電界の
悪影響を低減するのに寄与しない凸部８２に起因して段
差による液晶層５０の配向不良が発生することがないの
で有利である。

【０１１３】（変形形態）上述した各実施形態では、デ
ータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等の配線、ＴＦＴ
３０等の素子の存在により構築された急峻な凸部上に、
第２層間絶縁膜８０を形成するようにしているが、一の
変形形態として、このような配線や素子に代えて又は加
えて、凸部を形成すべき領域に、絶縁膜、導電膜、半導
体膜等から凸部形成用の材料膜を別途形成してもよい。
このように凸部形成用の材料膜から凸部を構築すれば、
配線、素子等のパターンによる制約を受けずに、設計上
望ましい領域に、望ましい高さの凸部を構築できる。し
かも、このような凸部を急峻に形成しても、その上には
高密度プラズマＣＶＤもしくは高周波バイアススパッタ
法により第２層間絶縁膜８０が形成されるので、画素電
極９ａの下地面においては、上述の各実施形態の場合と
同様に、緩やかな段差を有する凸部が得られる。

【０１１４】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成
を図１１及び図１２を参照して説明する。尚、図１１
は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成
要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図
１２は、図１１のＨ−Ｈ'断面図である。

【０１１５】図１１において、ＴＦＴアレイ基板１０の
上には、シール材５２がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、例えば前述した遮光膜２３と
同じ或いは異なる材料から成る画像表示領域１０ａの周
辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられてい
る。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画
像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線
６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接
続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設
けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミング
で供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動
回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けら
れている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題
にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけ
でも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回
路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列
してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に
は、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動
回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けら
れている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくと
も１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板
２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が
設けられている。そして、図１２に示すように、図１１
に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２
０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固
着されている。

【０１１６】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に
加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミ
ングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。

【０１１７】以上図１から図１２を参照して説明した各
実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動
回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周
辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及
び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板
２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の
出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted
Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モ
ード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(P
olymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モー
ドや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラック
モードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、
偏光板などが所定の方向で配置される。

【０１１８】以上説明した各実施形態における電気光学
装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光
学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、
各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイッ
クミラーを介して分解された各色の光が投射光として各
々入射されることになる。従って、各実施形態では、対
向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。し
かしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢ
のカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上
に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以
外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各
実施形態における電気光学装置を適用できる。

【０１１９】更に、以上の実施形態において、特開平９
−１２７４９７号公報、特公平３−５２６１１号公報、
特開平３−１２５１２３号公報、特開平８−１７１１０
１号公報等に開示されているように、ＴＦＴアレイ基板
１０上において画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対向す
る位置（即ち、ＴＦＴの下側）にも、例えば高融点金属
からなる遮光膜を設けてもよい。このようにＴＦＴの下
側にも遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレイ基板１０の側か
らの裏面反射（戻り光）や複数の液晶装置をプリズム等
を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合に、
他の液晶装置からプリズム等を突き抜けて来る投射光部
分等が当該液晶装置のＴＦＴに入射するのを未然に防ぐ
ことができる。また、対向基板２０上に１画素１個対応
するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるい
は、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電
極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成
することも可能である。このようにすれば、入射光の集
光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現で
きる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の
相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用し
て、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成
してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板
によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現でき
る。

【０１２０】（電子機器）次に、以上詳細に説明した電
気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例
たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全
体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図
１３は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。

【０１２１】図１３において、本実施形態における投射
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装
置１００を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧ
Ｂ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂと
して用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プ
ロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白
色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられ
ると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイック
ミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光
成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバル
ブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。こ
の際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、
入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レ
ンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して
導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及
び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成
分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成
された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１
２０にカラー画像として投射される。

【０１２２】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴なう電気光学装置及びその製
造方法並びに電子機器もまた本発明の技術的範囲に含ま
れるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態の電気光学装置における画像表示
領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた
各種素子、配線等の等価回路である。

【図２】第１実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ'断面図である。

【図４】図２のＢ−Ｂ'断面図である。

【図５】図２のＣ−Ｃ'断面図である。

【図６】実施形態で用いられる１Ｈ反転駆動方式におけ
る各電極における電圧極性と横電界が生じる領域とを示
す画素電極の図式的平面図である。

【図７】実施形態で採用可能な１Ｓ反転駆動方式におけ
る各電極における電圧極性と横電界が生じる領域とを示
す画素電極の図式的平面図である。

【図８】実施形態の電気光学装置の製造プロセスを、図
２のＢ−Ｂ'断面に対応する個所について順を追って示
す工程図である。

【図９】実施形態の電気光学装置の製造プロセスを、図
２のＣ−Ｃ’断面に対応する個所について順を追って示
す工程図である。

【図１０】実施形態の電気光学装置における凸部による
段差の傾斜と液晶分子の配向状態との関係を示す図式的
な側面図である。

【図１１】各実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴア
レイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基
板の側から見た平面図である。

【図１２】図１１のＨ−Ｈ'断面図である。

【図１３】本発明の電子機器の実施形態である投射型カ
ラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す
図式的断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ'…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 １ｆ…画素電位側容量電極 ２…絶縁膜 ３ａ…走査線 ３ｂ…容量線 ４…第１層間絶縁膜 ５…コンタクトホール ６ａ…データ線 ８…コンタクトホール ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １２…下地絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ２３…遮光膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ５０ａ…液晶分子 ７０…蓄積容量 ８０…第２層間絶縁膜 ８１、８２…凸部 Ｃ１、Ｃ２…横電界の発生領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１９Ａ Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HA07 HB03 HC19 HD01 2H092 GA17 JA24 JB24 JB33 JB57 JB58 KA07 KA12 KB25 MA05 MA07 NA04 PA06 RA05 5C094 AA06 BA03 BA43 CA19 DA14 DA15 DB04 EA04 EA07 HA10 5F058 BA20 BB06 BD02 BD04 BD07 BD10 BF03 BF04 BF09 BF12 BF27 BH12 BJ02 5F110 AA16 AA30 BB01 CC02 DD02 DD03 DD05 DD12 DD13 DD14 EE09 EE45 FF02 FF23 GG02 GG12 GG13 GG24 GG47 HJ23 HL03 HL05 HL23 HM15 NN03 NN22 NN23 NN24 NN25 NN26 NN34 NN35 NN72 NN73 PP10 QQ17

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の第１及び第２基板間に電気光学物
   質が挟持されてなり、第１の周期で反転駆動されるため
   の第１の画素電極群及び該第１の周期と相補の第２の周
   期で反転駆動されるための第２の画素電極群を含む複数
   の画素電極が前記第１基板上に平面配列され且つ前記第
   ２基板上に前記複数の画素電極と対向する対向電極が設
   けられた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方
   法であって、 前記第１基板上に、前記画素電極を駆動する配線及び素
   子を含むパターンを形成する工程と、 平面的に見て相隣接する画素電極の間隙となる領域に前
   記パターンの存在によって少なくとも部分的に構築され
   た凸部の上側に、高密度プラズマＣＶＤ（Chemical Vap
   or Deposition）もしくは高周波バイアススパッタ法に
   よって層間絶縁膜を形成する工程と、 該層間絶縁膜を形成後に前記複数の画素電極を形成する
   工程とを備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記パターンとは別に前記凸部形成用の
   材料膜を形成する工程を更に備えており、前記凸部は、前
   記パターンに代えて又は加えて、前記材料膜の存在によ
   って少なくとも部分的に構築されていることを特徴とす
   る請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記第１基板上に所定パターンの溝を掘
   る工程を更に備えており、前記凸部は、前記パターンに代
   えて又は加えて、前記溝の存在によって少なくとも部分
   的に構築されていることを特徴とする請求項１又は２に
   記載の電気光学装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記第１基板上に他の層間絶縁膜を形成
   する工程と、 該他の層間絶縁膜上に所定パターンの溝を掘る工程とを
   更に備えており、前記凸部は、前記パターンに代えて又は
   加えて、前記溝の存在によって少なくとも部分的に構築
   されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電
   気光学装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記パターンを形成する工程の完了以前
   に、前記基板上における積層体表面に対してＣＭＰ（Che
   mical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）処理を
   施す工程を更に備えており、前記凸部は、前記ＣＭＰ処理
   が施された表面上に形成された前記パターンによって少
   なくとも部分的に構築されることを特徴とする請求項１
   から４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記凸部は、前記画素電極の間隙となる
   領域のうち第１方向に沿った第１領域と前記画素電極の
   間隙となる領域のうち前記第１方向に交わる第２方向に
   沿った第２領域とのうち一方の領域のみに構築されるこ
   とを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の
   電気光学装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記凸部は、異なる極性で反転駆動され
   る相隣接した画素電極相互間における間隙を前記一方の
   領域として構築されることを特徴とする請求項６に記載
   の電気光学装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記層間絶縁膜を形成する工程以前に、
   前記第１領域と前記第２領域とのうち他方の領域に、前
   記画素電極を駆動する他の配線又は素子を形成する工程
   を更に含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の電
   気光学装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記凸部は、前記画素電極の間隙となる
   領域に沿った格子状に構築されることを特徴とする請求
   項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造
   方法。
10. 【請求項１０】 前記第１基板上に形成される前記画素
    電極を駆動する素子は貼り合わせＳＯＩ(Silicon On In
    sulator)による単結晶半導体層を含んでなることを特徴
    とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学
    装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 一対の第１及び第２基板間に電気光学
    物質が挟持されてなり、 前記第１基板上に、第１の周期で反転駆動されるための
    第１の画素電極群及び該第１の周期と相補の第２の周期
    で反転駆動されるための第２の画素電極群を含むと共に
    平面配列された複数の画素電極と、該画素電極を駆動す
    る配線及び素子を含むパターンと、製造工程中に平面的
    に見て相隣接する画素電極の間隙となる領域に前記パタ
    ーンの存在によって少なくとも部分的に構築された凸部
    の上側であって且つ前記画素電極の下側に高密度プラズ
    マＣＶＤもしくは高周波バイアススパッタ法によって形
    成されており前記凸部の表面における段差よりも緩やか
    な段差を表面に有する層間絶縁膜とを備え、 前記第２基板上に前記複数の画素電極に対向する対向電
    極を備えたことを特徴とする電気光学装置。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の電気光学装置を具
    備してなることを特徴とする電子機器。