JP2003073810A - 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット - Google Patents

薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット

Info

Publication number
JP2003073810A
JP2003073810A JP2001263085A JP2001263085A JP2003073810A JP 2003073810 A JP2003073810 A JP 2003073810A JP 2001263085 A JP2001263085 A JP 2001263085A JP 2001263085 A JP2001263085 A JP 2001263085A JP 2003073810 A JP2003073810 A JP 2003073810A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum alloy
thin film
film aluminum
hardness
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001263085A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4783525B2 (ja
JP2003073810A5 (ja
Inventor
Junichiro Hagiwara
淳一郎 萩原
Ichiro Tokuda
一朗 徳田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vacuum Metallurgical Co Ltd
Original Assignee
Vacuum Metallurgical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vacuum Metallurgical Co Ltd filed Critical Vacuum Metallurgical Co Ltd
Priority to JP2001263085A priority Critical patent/JP4783525B2/ja
Priority to US10/228,064 priority patent/US6791188B2/en
Priority to TW091119708A priority patent/TWI245805B/zh
Priority to TW093132008A priority patent/TWI245806B/zh
Publication of JP2003073810A publication Critical patent/JP2003073810A/ja
Publication of JP2003073810A5 publication Critical patent/JP2003073810A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4783525B2 publication Critical patent/JP4783525B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by physical means, e.g. sputtering, evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/04—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of aluminium or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53214—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
    • H01L23/53219—Aluminium alloys
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】アニール処理温度にかかわらず、低い値の比抵
抗と硬度とを維持しながらヒロックの発生が抑制される
薄膜アルミニウム合金を提供する。 【解決手段】２５℃〜５００℃の温度範囲でアニール処
理を行ったときのビッカース硬度が３０Ｈｖ以下である
と共に絶対値表示の膜応力が３０ｋｇ／ｍｍ2以下であ
り、前記硬度と前記膜応力とが、前記アニール処理温度
範囲に亘って所定の硬度範囲と膜応力範囲とに分布し
て、アニール処理温度に対してそれぞれ略一定であるよ
うな薄膜アルミニウム合金を得るため、０．５〜１５ａ
ｔｍ％のＡｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎのうちの１種または２
種以上と０．０１〜５ａｔｍ％のＣｏ、Ｃｒ、Ｇｄ、Ｈ
ｆ、Ｌｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｒｕ、Ｓｃ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｙ、Ｚｒのう
ちの１種または２種以上と、残部としてＡｌ及び不可避
的不純物とから成る組成を有するスパッタリングターゲ
ットを用いたスパッタリング法により基板上に薄膜アル
ミニウム合金を成膜する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
等の平面型ディスプレイ回路や半導体集積回路の導電性
薄膜材料として用いられる薄膜アルミニウム合金及び該
薄膜アルミニウム合金の形成用スパッタリングターゲッ
トに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子用や液晶ディスプレイ用の薄
膜状の電極や配線材等として、従来、アルミニウム系合
金や銅系合金が用いられている。このうち銅系合金は、
酸化膜との密着性や耐食性が不充分であることや、プラ
ズマエッチングが難しいことから、専ら特定用途のデバ
イスに用いられ、通常はアルミニウム系合金が用いられ
る。このようなアルミニウム材には、低比抵抗化及び耐
ヒロック性が要求されている。このうち低比抵抗化の要
求は、半導体素子はもちろんのこと近年の液晶ディスプ
レイ分野における大型化や配線幅の高精細化の傾向が加
速されることに伴い、信号遅延を防止することを目的と
するものである。また、他方の耐ヒロック性は、低比抵
抗値を有する電極・配線材料としてアルミニウム合金を
用いる場合に、電極・配線材膜の形成後の加熱処理（ア
ニール処理）において、Ａｌが元来耐熱性が低いことに
起因して、このアルミニウム合金内の内部応力により生
じる膜表面上の微小突起（ヒロック）の形成を防止する
目的で要求されるものである。
【０００３】この種の耐ヒロック性を有するアルミニウ
ム系合金として、例えば、特許２７３３００６号によ
り、Ａｌに対して合金成分としてＮｄ、Ｇｄ及びＤｙか
ら選ばれた少なくとも１種を１．０ａｔｍ％超〜１５ａ
ｔｍ％含有させたアルミニウム合金が知られている。す
なわち、液晶ディスプレイ用基板上に形成されるアルミ
ニウム系の電極材は、デバイス製造工程上不可避である
加熱処理（アニール処理）を経ることによりヒロックが
発生するので、このものでは、固溶効果による耐熱性の
向上を目的として、ＡｌにＮｄ等を添加したアルミニウ
ム合金を形成している。
【０００４】また、例えば、特開２０００−２３５９６
１号公報では、Ａｌを主成分とし、副成分たる金属元素
としてＺｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ中から選ばれた少なくとも１種の元素の含有量
を０．５〜１．５ａｔｍ％とし、Ａｌと合金を形成する
半導体系元素としてＳｉ、Ｇｅ中から選ばれた少なくと
も１種の元素の含有量を０．５〜１．５ａｔｍ％として
成るアルミニウム合金を用いて導電性薄膜を形成してい
る。このものでは、結晶粒界に偏析させてヒロックの発
生を防止する目的で金属元素を含有させ、Ａｌと合金を
形成させてヒロックの発生を防止する目的で半導体系元
素を含有させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来のものはい
ずれも、Ａｌに他の元素を添加する際に得られる固溶効
果や偏析効果で強化することによりアルミニウム合金の
耐熱性を向上させている。この場合、上記の固溶効果や
偏析効果は同時に比抵抗値の増大も招くため、アルミニ
ウム合金に対する材料にアニール処理を行っている。こ
のようにすることにより、Ａｌに固溶していた元素が析
出し、比抵抗値増大の要因たる固溶状態の元素の総固溶
量が減少するので比抵抗値が低下するのである。ところ
が、上記のようなアニール処理による比抵抗値の低下
は、アニール処理時の温度に依存するため、特に比較的
低温度（略３５０℃以下）のアニール処理条件では、所
望の低抵抗値を有するアルミニウム合金を得られないこ
とがある。さらに、加熱処理時の温度に依存して比抵抗
値が変動するため、温度環境にかかわらず比抵抗値を所
定範囲に収束させることが困難である。
【０００６】また、固溶効果や偏析効果を得るために添
加する元素の含有量が多いと、このようなアルミニウム
合金から成る電極膜形成用スパッタリングターゲットを
用いて成膜された膜の硬度が高くなる傾向にある。この
ような硬度の増大もアニール処理による添加元素の析出
により抑制し得るものであるが、上記の比抵抗値の場合
と同様にアニール処理時の温度に依存して硬度が変動す
るため、硬度を所定範囲に収束させることが困難であ
る。
【０００７】本発明は、上記問題点に鑑み、アニール処
理温度にかかわらず、常に安定した低い値の比抵抗を維
持しながらヒロックの発生が抑制される薄膜アルミニウ
ム合金及びこの薄膜アルミニウム合金を形成するために
用いるスパッタリングターゲットを提供することを課題
としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の薄膜アルミニウム合金は、２５℃〜５００
℃の温度範囲でアニール処理を行ったときのビッカース
硬度が３０Ｈｖ以下であると共に絶対値表示の膜応力が
３０ｋｇ／ｍｍ2以下であり、前記硬度と前記膜応力と
が、前記アニール処理温度範囲に亘って所定の硬度範囲
と膜応力範囲とに分布する物性を有するものとした。こ
のものでは、本来アニール処理温度に依存して変動する
前記硬度値と前記応力値とが、前記アニール処理温度範
囲に亘って僅少な変動幅で分布してアニール処理温度へ
の依存性が近似的に無視できるようになり、両者ともア
ニール処理温度に対しておおむね一定であると見なすこ
とができる。そして、残留応力（膜応力）が小さく低い
硬度の薄膜を形成するのでヒロックの発生を抑制でき、
Ａｌが元来有する低い値の比抵抗も維持できる。
【０００９】なお、膜応力値が正数のときは圧縮応力と
して、負数のときは引張応力として膜応力を表すものと
する。
【００１０】この場合、本発明の薄膜アルミニウム合金
は、合金成分として、０．５〜１５ａｔｍ％のＡｇ、Ｃ
ｕ、Ｍｇ、Ｚｎのうちの１種または２種以上と０．０１
〜５ａｔｍ％のＣｏ、Ｃｒ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｎ、
Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｃ、Ｓ
ｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｙ、Ｚｒのうちの１種または２種
以上と、残部としてＡｌ及び不可避的不純物とから成る
ものとすることが望ましい。Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎの
元素群は、アルミニウム合金中の結晶核として添加され
核発生密度を増大させるものであり、一方のＣｏ、Ｃ
ｒ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎ
ｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｃ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、
Ｙ、Ｚｒの元素群は、上記合金中の結晶粒界に偏析して
結晶粒の粗大化を防止するものである。このように、上
記元素をそれぞれ添加することにより、アニール処理の
際にアルミニウム合金内の微細組織が維持されて、上記
のように残留応力が僅少に留まり、低い硬度と低い値の
比抵抗とを維持しながらヒロックの発生が抑制されるの
である。
【００１１】なお、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎの元素群の
うち１種または２種以上の元素の含有量（組成比）が、
０．５ａｔｍ％未満であるとき、または、Ｃｏ、Ｃｒ、
Ｇｄ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｃ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｙ、Ｚ
ｒの元素群のうち１種または２種以上の元素の含有量
（組成比）が、０．０１ａｔｍ％未満であるときは、ヒ
ロック発生数が多すぎて実用的でない。また、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｍｇ、Ｚｎのうちの１種または２種以上の元素の含
有量（組成比）が、１５ａｔｍ％を超えるとき、また
は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎ
ｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｃ、Ｓｒ、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｙ、Ｚｒのうちの１種または２種以上の
元素の含有量（組成比）が、５ａｔｍ％を超えるとき
は、硬度や比抵抗値が高くなるなどの問題がある。
【００１２】さらに、これらの薄膜アルミニウム合金
は、その合金成分を含むＡｌ及び不可避的不純物をスパ
ッタリング法により基板上に成膜することが可能であ
る。なお、通常、スパッタリング成膜後の薄膜はアニー
ル処理して使用されるが、本発明の薄膜アルミニウム合
金はアニール処理温度に対する依存性がほとんどないた
め、上記のようなスパッタリング後のアニール処理は必
ずしも必要でなく、薄膜の形成工程の簡素化を実現でき
る。（アニール効果が得られる温度範囲が低温方向にシ
フトしており、低温、例えば２５℃程度の室温でも、高
温でも同様なアニール効果が期待できる。） ところで、上記のような耐ヒロック性を有する薄膜アル
ミニウム合金は、超塑性変形、即ち、合金中の各微細結
晶が互いに隣接して形成する結晶粒界が、合金内部の応
力集中を緩和する変形過程で無数の粒界すべりを発生す
る現象を発現していると考えられるので、これに伴い超
塑性変形特性を備えている。本発明の薄膜アルミニウム
合金はその膜厚が数ミクロン以下であるうえに、場合に
よっては基板上に形成されるため、通常は物質の巨大伸
びとして示される超塑性変形を直接測定できない。この
ため、超塑性変形特性として硬度特性や膜応力（内部残
留応力）特性を測定し、薄膜アルミニウム合金が超塑性
変形特性を備えることを間接的に把握した。なお、上記
した室温で得られるアニール効果も超塑性変形特性が要
因となる。
【００１３】また、これらのようにして得られる薄膜ア
ルミニウム合金は、低比抵抗値を有しながらヒロック数
の発生を抑制し得るので、半導体素子用または液晶ディ
スプレイ用の電極若しくは配線材として用いるのに好適
である。
【００１４】さらに、このような薄膜アルミニウム合金
をスパッタリング法で形成するためのスパッタリングタ
ーゲットを、アルミニウム合金の結晶核発生密度を増大
させるための元素群（Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎ）から選
ばれた少なくとも１種の元素として０．５〜１５ａｔｍ
％、及び、該合金の結晶粒の粗大化を防止するための元
素群（Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎ
ｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｃ、Ｓｒ、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｙ、Ｚｒ）から選ばれた少なくとも１種
の元素として０．０１〜５ａｔｍ％含有すると共に、残
部をＡｌ及び不可避的不純物としたアルミニウム合金で
構成することが可能である。そして、このターゲットを
使用し、スパッタリングにより成膜された薄膜は、アニ
ール処理を行った場合、低い値の比抵抗が維持されると
共に、低い硬度を有し、ヒロックの発生が抑制される。
【００１５】なお、ターゲットの組成とこのターゲット
をスパッタリングして得られる薄膜の組成は必ずしも一
致せず、スパッタリング条件に左右されるものである。
【００１６】また、このようなスパッタリング法におい
ては、ターゲットから飛来して基板上に固着した、結晶
核発生を促進する元素（Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎのうち
の１種以上）による結晶粒の成長と、同じくターゲット
から基板上に飛着した、結晶粒の粗大化を防止する元素
（Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、
Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｃ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ｙ、Ｚｒのうちの１種以上）による粒径成長の
抑制とが並行して進行する結果、得られる結晶は微細構
造を維持し、無数の結晶粒界により互いに隣接する構造
となっている。即ち、スパッタリング法で薄膜が形成さ
れる際の環境は、無数の粒界すべりを発生メカニズムと
する超塑性変形が発現される環境と同一のものであり、
スパッタリング法を採用することは、本発明のアルミニ
ウム合金が超塑性変形特性を備える大きな要因になると
言える。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の、薄膜アルミニウム合金
を形成するスパッタリングターゲットを以下の方法にて
作成する。即ち、初めにＡｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎの元素
群から選ばれた１種または２種以上の金属を０．５〜１
５ａｔｍ％含有し、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍ
ｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓ
ｃ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｙ、Ｚｒの元素群から選ば
れた１種または２種以上の金属を０．０１〜５ａｔｍ％
含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物となるような組
成割合の合金材料を真空誘導溶解炉を用い、アルゴン雰
囲気中で溶解した後に造塊する。次に、このようにして
得られた金属塊（インゴット）を通常の熱間加工変形し
た後に、切削加工によりスパッタリングターゲット形状
に成形する。
【００１８】さらに、上記のスパッタリングターゲット
を、通常のＤＣマグネトロンスパッタ装置に装着し、通
常のスパッタリング条件にてシリコンウェハ上に薄膜ア
ルミニウム合金として成膜した。
【００１９】その後、上記工程により得られた、成膜基
板を真空中で２５℃〜５００℃の温度範囲内の所定温度
にて３０分間保持した後に徐冷して、薄膜アルミニウム
合金を得た。
【００２０】このようにして得られる薄膜アルミニウム
合金は、下記[実施例]にて詳細するように、比抵抗値、
硬度及びヒロック発生数が低い値に留まり、且つ、アニ
ール温度に対してこれら比抵抗値、硬度及びヒロック発
生数の変動が少ない、即ち、アニール処理温度の影響が
軽微である、という物性を有するものである。そして、
このことは、スパッタリング法の際に、基板とターゲッ
トとの間に発生するプラズマによる熱輻射を受けて基板
表面の温度がある程度上昇することも考慮すれば、本発
明の薄膜アルミニウム合金は、アニール処理を必要とせ
ずに常温でのスパッタリング成膜工程により形成して
も、優れた耐ヒロック性等の物性を有し得ることを示
す。
【００２１】したがって、上記薄膜アルミニウム合金
は、半導体素子や液晶ディスプレイに用いる電極・配線
材として好適である。
【００２２】また、上記したようにスパッタリング法に
よる基板上の薄膜形成の環境は、微細構造を維持して成
長した結晶が無数の結晶粒界を構成するという観点で超
塑性変形の発現のための環境とよく一致しており、この
ようにして得られた薄膜アルミニウム合金は低硬度と耐
ヒロック性を有し、さらに残留応力としての膜応力が低
い値に留まっていることと相俟って、超塑性変形を経て
形成されたと考えて良い。
【００２３】
【実施例】[実施例１]３．３ａｔｍ％のＭｇ金属と０．
１２ａｔｍ％のＳｃ金属と残部としてＡｌ金属とから成
る合金材料を用意し、真空誘導溶解炉を用いてアルゴン
雰囲気中で溶解し、その後に得られるインゴットを熱間
加工変形し、切削加工によりスパッタリングターゲット
として成形する。このときのターゲットの寸法は、直径
２５０ｍｍ及び厚さ１５ｍｍである。この寸法は本発明
の実施に際して制限されるものではない。
【００２４】さらに、上記のスパッタリングターゲット
を、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（株式会社アルバッ
ク製「セラウスＺ―１０００」スパッタ装置）に装着
し、シリコンウェハ上に薄膜アルミニウム合金として成
膜した。このときのスパッタリング条件は、スパッタリ
ング電力として約９Ｗ／ｃｍ2、アルゴン濃度として３
×１０―3Ｔｏｒｒ、膜厚として３０００Å（３０００
〜１００００Å）、成膜時の基板温度として室温乃至１
００℃、及び、シリコンウェハ寸法として直径６インチ
とした。このスパッタリング条件は、通常のものであ
り、本発明により限定されるものではない。
【００２５】その後、上記工程により得られた、成膜基
板を真空中で２５℃〜５００℃の温度範囲内の所定温度
にて３０分間保持した後に徐冷して、薄膜アルミニウム
合金を得た。
【００２６】なお、本実施例のスパッタリング条件で
は、得られた薄膜アルミニウム合金の組成は、ターゲッ
トの組成とほぼ等しかった。
【００２７】[比較例１]合金材料をＡｌのみとした以外
は[実施例１]と同様にしてスパッタリングターゲットを
形成して、このターゲットと組成がほぼ等しい薄膜アル
ミニウム合金を得た。
【００２８】[比較例２] 合金材料の組成を、２ａｔｍ
％のＮｄ金属と残部としてのＡｌ金属とから成るように
した以外は[実施例１]と同様にしてスパッタリングター
ゲットを形成して、このターゲットと組成がほぼ等しい
薄膜アルミニウム合金を得た。
【００２９】所定のアニール処理温度を変更した場合の
[実施例１]及び[比較例１]、[比較例２]の各薄膜アルミ
ニウム合金の硬度をマイクロビッカース装置により測定
したところ、下記[表１]及び[図１]に示す測定結果が得
られた。
【００３０】
【表１】
【００３１】[表１]及び[図１]から明らかなように、本
発明の薄膜アルミニウム合金はアニール処理温度に大き
く依存せずに低水準の硬度を維持している。即ち、［実
施例１］において、２５℃〜５００℃における硬度の平
均値（線形近似法による。以下本実施例において同
じ。）が７．１Ｈｖであるのに対し変動幅（最高値と最
大値との差）は２．２Ｈｖであり、特に、２００℃〜５
００℃においては、硬度の平均値が６．８Ｈｖであるの
に対して変動幅が０．９Ｈｖであり、変動幅が著しく低
下して、アニール処理温度に対して硬度が一定であると
見なすことができる。これと比較して、［比較例１］及
び［比較例２］の合金では、２００℃〜４００℃のアニ
ール処理温度範囲の前後で硬度値が大きく変動して、こ
れらの合金の硬度は、アニール処理温度に対する依存性
が大きいことを示している。
【００３２】また、所定のアニール処理温度を変更した
場合の[実施例１]及び[比較例１]、[比較例２]の各薄膜
アルミニウム合金の膜応力を、ψ一定法を用いたＸ線回
折装置による膜歪値として測定したところ、下記[表２]
及び[図２]に示す測定結果が得られた。
【００３３】
【表２】
【００３４】[表２]及び[図２]から明らかなように、本
発明の薄膜アルミニウム合金はアニール処理温度に大き
く依存せずに低水準の膜応力（残留応力）を維持してい
る。即ち、［実施例１］において、２５℃〜５００℃に
おける膜応力の平均値が４．７５６ｋｇ／ｍｍ2である
のに対し変動幅（最高値と最大値との差）は１．２００
ｋｇ／ｍｍ2であり、特に、２５０℃〜５００℃におい
ては、膜応力の平均値が４．４００ｋｇ／ｍｍ2である
のに対して変動幅が０．５００ｋｇ／ｍｍ2であり、変
動幅が著しく低下して、アニール処理温度に対して膜応
力が一定であると見なすことができる。これと比較し
て、［比較例１］及び［比較例２］の合金では、２００
℃〜３００℃のアニール処理温度範囲の前後で膜応力値
が大きく変動して、これらの合金の膜応力は、アニール
処理温度に対する依存性が大きいことを示している。
【００３５】これは、上記の[表１]及び[図１]の結果と
相俟って、内部応力の集中が充分に緩和されたことを示
しており、ヒロックの発生が妨げられていることを示し
ている。
【００３６】また、所定のアニール処理温度を変更した
場合の[実施例１]及び[比較例１]、[比較例２]の各薄膜
アルミニウム合金の膜表面に発生するヒロック数を、Ｓ
ＥＭ（電子顕微鏡）観察により測定したところ、下記
[表３]及び[図３]に示す測定結果が得られた。
【００３７】
【表３】
【００３８】[表３]及び[図３]から明らかなように、本
発明の薄膜アルミニウム合金は耐ヒロック性が充分であ
ることを示している。
【００３９】また、所定のアニール処理温度を変更した
場合の[実施例１]及び[比較例１]、[比較例２]の各薄膜
アルミニウム合金の比抵抗値を、室温において四探針法
によるシート抵抗値を測定し、その値と膜厚とから算出
したところ、下記[表４]及び[図４]に示す測定結果が得
られた。
【００４０】
【表４】
【００４１】[表４]及び[図４]から明らかなように、本
発明の薄膜アルミニウム合金は低い値の比抵抗を維持す
ると共に、アニール処理温度が高いと比抵抗値がさらに
低下し、高純度のＡｌの比抵抗値に近い値を示すように
なる。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の薄膜アルミニウム合金は、アニール処理温度に大きく
依存せずに、低い値の比抵抗と硬度とを維持しながら優
れた耐ヒロック性を有する。そして、残留応力としての
膜応力値から、この特性は超塑性変形の発現により得ら
れるものとするのが妥当である。さらに、このような薄
膜アルミニウム合金を構成する元素を含むスパッタリン
グターゲットを使用することにより、スパッタリング法
により上記薄膜アルミニウム合金を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】アニール処理温度（℃）と薄膜アルミニウム合
金形成用スパッタリングターゲットの種類に対応するビ
ッカース硬度（Ｈｖ）との関係を示すグラフ。
【図２】アニール処理温度（℃）と薄膜アルミニウム合
金形成用スパッタリングターゲットの種類に対応する膜
応力（ｋｇ/ｍｍ2）との関係を示すグラフ。
【図３】アニール処理温度（℃）と薄膜アルミニウム合
金形成用スパッタリングターゲットの種類に対応する膜
表面のヒロック数（ケ/ｍｍ2）との関係を示すグラフ。
【図４】アニール処理温度（℃）と薄膜アルミニウム合
金形成用スパッタリングターゲットの種類に対応する比
抵抗値（μΩ・ｃｍ）との関係を示すグラフ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｓ ３０１ ３０１Ｌ Ｆターム(参考） 2H092 HA01 HA11 KB04 KB13 MA05 MA12 MA35 NA15 NA19 NA25 NA28 NA29 4K029 AA06 AA24 BA23 BC07 BD02 CA05 DC04 DC08 GA01 4M104 AA01 BB02 DD40 DD78 HH03 HH16

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】２５℃〜５００℃の温度範囲でアニール処
    理を行ったときのビッカース硬度が３０Ｈｖ以下である
    と共に絶対値表示の膜応力が３０ｋｇ／ｍｍ2以下であ
    り、前記硬度と前記膜応力とが、前記アニール処理温度
    範囲に亘って所定の硬度範囲と膜応力範囲とに分布し
    て、アニール処理温度に対してそれぞれ略一定であるこ
    とを特徴とする薄膜アルミニウム合金。
  2. 【請求項２】前記合金成分として、０．５〜１５ａｔｍ
    ％のＡｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎのうちの１種または２種以
    上と０．０１〜５ａｔｍ％のＣｏ、Ｃｒ、Ｇｄ、Ｈｆ、
    Ｌｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒ
    ｕ、Ｓｃ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｙ、Ｚｒのうちの１
    種または２種以上と、残部としてＡｌ及び不可避的不純
    物とから成ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜ア
    ルミニウム合金。
  3. 【請求項３】前記合金成分を含むＡｌ及び不可避的不純
    物をスパッタリング法により基板上に成膜して成ること
    を特徴とする請求項１または２に記載の薄膜アルミニウ
    ム合金。
  4. 【請求項４】請求項１乃至３に記載の薄膜アルミニウム
    合金は、超塑性変形特性を備えて成ることを特徴とする
    薄膜アルミニウム合金。
  5. 【請求項５】半導体素子用または液晶ディスプレイ用の
    電極若しくは配線材として用いられることを特徴とする
    請求項１乃至４のいずれか１項に記載の薄膜アルミニウ
    ム合金。
  6. 【請求項６】前記薄膜アルミニウム合金を形成するため
    のスパッタリングターゲット。
JP2001263085A 2001-08-31 2001-08-31 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット Expired - Fee Related JP4783525B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001263085A JP4783525B2 (ja) 2001-08-31 2001-08-31 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット
US10/228,064 US6791188B2 (en) 2001-08-31 2002-08-27 Thin film aluminum alloy and sputtering target to form the same
TW091119708A TWI245805B (en) 2001-08-31 2002-08-29 Thin film aluminum alloy and sputtering target to form the same
TW093132008A TWI245806B (en) 2001-08-31 2002-08-29 Thin film aluminum alloy and sputtering target to form the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001263085A JP4783525B2 (ja) 2001-08-31 2001-08-31 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003073810A true JP2003073810A (ja) 2003-03-12
JP2003073810A5 JP2003073810A5 (ja) 2004-10-28
JP4783525B2 JP4783525B2 (ja) 2011-09-28

Family

ID=19089896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001263085A Expired - Fee Related JP4783525B2 (ja) 2001-08-31 2001-08-31 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6791188B2 (ja)
JP (1) JP4783525B2 (ja)
TW (2) TWI245806B (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005078739A1 (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. 高耐熱性アルミニウム合金配線材料及びターゲット材
JP2006261636A (ja) * 2005-02-17 2006-09-28 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
JP2006339666A (ja) * 2002-12-19 2006-12-14 Kobe Steel Ltd アルミニウム合金膜形成用スパッタリングターゲット
JP2007072427A (ja) * 2005-03-10 2007-03-22 Mitsubishi Materials Corp 耐腐食性に優れた反射板用反射膜およびこの耐腐食性に優れた反射板用反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP2007070721A (ja) * 2005-03-10 2007-03-22 Mitsubishi Materials Corp 耐腐食性に優れた反射板用反射膜およびこの耐腐食性に優れた反射板用反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット
WO2007063991A1 (ja) * 2005-12-02 2007-06-07 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
US7385293B2 (en) 2004-09-27 2008-06-10 Kobe Steel, Ltd. Copper alloy, fabrication method thereof, and sputtering target
US7928575B2 (en) 2002-12-19 2011-04-19 Kobe Steel, Ltd. Electronic device, method of manufacture of the same, and sputtering target
US8053083B2 (en) 2007-06-26 2011-11-08 Kobe Steel, Ltd. Layered structure and its manufacturing method
JP2012243878A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Kobe Steel Ltd 半導体電極構造
JP2012243877A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Kobe Steel Ltd 半導体電極構造
JP2013253278A (ja) * 2012-06-06 2013-12-19 Geomatec Co Ltd アルミニウム合金膜とその製造方法
KR20140102591A (ko) * 2013-02-14 2014-08-22 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 보호막 형성용 스퍼터링 타깃 및 적층 배선막
JP2015165563A (ja) * 2014-02-07 2015-09-17 株式会社神戸製鋼所 フラットパネルディスプレイ用配線膜、およびＡｌ合金スパッタリングターゲット
WO2020003666A1 (ja) * 2018-06-28 2020-01-02 株式会社アルバック アルミニウム合金ターゲット及びその製造方法
KR20210013220A (ko) * 2018-06-28 2021-02-03 가부시키가이샤 아루박 알루미늄 합금 막, 그 제조방법, 및 박막 트랜지스터
CN113388765A (zh) * 2021-06-21 2021-09-14 南通众福新材料科技有限公司 一种高导电新能源车用铝合金材料及方法
CN117467914A (zh) * 2023-12-25 2024-01-30 中铝材料应用研究院有限公司 一种耐应力腐蚀高强Al-Zn-Mg-Cu合金厚板及其制备方法和应用

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005086118A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Renesas Technology Corp 半導体装置
CN1875447B (zh) * 2003-10-31 2013-03-20 爱普科斯公司 射频微机电***及其制造方法
US20060081465A1 (en) * 2004-10-19 2006-04-20 Kobelco Research Institute, Inc. Assembly for sputtering aluminum-neodymium alloys
JP4330517B2 (ja) * 2004-11-02 2009-09-16 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金薄膜およびＣｕ合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ
JP2006240289A (ja) * 2005-02-07 2006-09-14 Kobe Steel Ltd 光情報記録媒体用記録膜および光情報記録媒体ならびにスパッタリングターゲット
JP4542008B2 (ja) * 2005-06-07 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
US7411298B2 (en) * 2005-08-17 2008-08-12 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Source/drain electrodes, thin-film transistor substrates, manufacture methods thereof, and display devices
US7683370B2 (en) 2005-08-17 2010-03-23 Kobe Steel, Ltd. Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices
JP4559490B2 (ja) * 2005-12-22 2010-10-06 パイオニア株式会社 光記録媒体
US20090008786A1 (en) * 2006-03-06 2009-01-08 Tosoh Smd, Inc. Sputtering Target
US20090022982A1 (en) * 2006-03-06 2009-01-22 Tosoh Smd, Inc. Electronic Device, Method of Manufacture of Same and Sputtering Target
US20070251819A1 (en) * 2006-05-01 2007-11-01 Kardokus Janine K Hollow cathode magnetron sputtering targets and methods of forming hollow cathode magnetron sputtering targets
US7781767B2 (en) 2006-05-31 2010-08-24 Kobe Steel, Ltd. Thin film transistor substrate and display device
JP2008098611A (ja) * 2006-09-15 2008-04-24 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP4280277B2 (ja) * 2006-09-28 2009-06-17 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスの製法
WO2008047726A1 (en) 2006-10-13 2008-04-24 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Thin film transistor substrate and display device
JP4377906B2 (ja) * 2006-11-20 2009-12-02 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法
JP2008127623A (ja) * 2006-11-20 2008-06-05 Kobelco Kaken:Kk Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4170367B2 (ja) 2006-11-30 2008-10-22 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス用Ａｌ合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット
JP4355743B2 (ja) * 2006-12-04 2009-11-04 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金配線膜とそのＣｕ合金配線膜を用いたフラットパネルディスプレイ用ＴＦＴ素子、及びそのＣｕ合金配線膜を作製するためのＣｕ合金スパッタリングターゲット
JP4705062B2 (ja) * 2007-03-01 2011-06-22 株式会社神戸製鋼所 配線構造およびその作製方法
JP2009004518A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス
US20090001373A1 (en) * 2007-06-26 2009-01-01 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) Electrode of aluminum-alloy film with low contact resistance, method for production thereof, and display unit
JP2009010052A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
JP5143649B2 (ja) * 2007-07-24 2013-02-13 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
US8702919B2 (en) * 2007-08-13 2014-04-22 Honeywell International Inc. Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof
JP4611417B2 (ja) * 2007-12-26 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
JP4469913B2 (ja) 2008-01-16 2010-06-02 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
KR101163329B1 (ko) * 2008-02-22 2012-07-05 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 터치 패널 센서
JP5139134B2 (ja) * 2008-03-31 2013-02-06 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5432550B2 (ja) * 2008-03-31 2014-03-05 株式会社コベルコ科研 Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
WO2009123217A1 (ja) * 2008-03-31 2009-10-08 株式会社神戸製鋼所 表示装置、その製造方法およびスパッタリングターゲット
JP5475260B2 (ja) * 2008-04-18 2014-04-16 株式会社神戸製鋼所 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
JP5368867B2 (ja) * 2008-04-23 2013-12-18 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
WO2010001998A1 (ja) * 2008-07-03 2010-01-07 株式会社神戸製鋼所 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
JP2010065317A (ja) * 2008-08-14 2010-03-25 Kobe Steel Ltd 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜
JP4567091B1 (ja) 2009-01-16 2010-10-20 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ｃｕ合金膜および表示装置
US20110318607A1 (en) * 2009-03-02 2011-12-29 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Aluminum alloy reflective film, automobile light, illuminator, ornamentation, and aluminum alloy sputtering target
TW201040050A (en) * 2009-05-11 2010-11-16 Univ Nat Central Aluminum scandium alloy film for use in vehicle lamp and production method thereof
KR101361303B1 (ko) 2009-07-27 2014-02-11 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 배선 구조 및 배선 구조를 구비한 표시 장치
JP5179604B2 (ja) * 2010-02-16 2013-04-10 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ａｌ合金膜
JP2012180540A (ja) 2011-02-28 2012-09-20 Kobe Steel Ltd 表示装置および半導体装置用Ａｌ合金膜
WO2012161139A1 (ja) * 2011-05-24 2012-11-29 株式会社神戸製鋼所 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造
JP2013084907A (ja) * 2011-09-28 2013-05-09 Kobe Steel Ltd 表示装置用配線構造
CN107760939A (zh) * 2017-08-31 2018-03-06 天长市良文运动器材有限公司 一种抗冲击防开裂的垒球棒及其制备方法
CN107768348B (zh) * 2017-09-25 2019-07-12 江苏时恒电子科技有限公司 一种用于铜互联的导电阻挡层材料及其制备方法
CN109666829B (zh) * 2019-01-30 2021-04-30 中南大学 一种低锂含量的高强铸造铝锂铜锌合金及其制备方法
WO2021050660A1 (en) 2019-09-10 2021-03-18 Countertrace Llc Hexasubstituted benzenes, surfaces modified therewith, and associated methods
CN110714142A (zh) * 2019-11-06 2020-01-21 长沙迅洋新材料科技有限公司 一种Al-Sc-X多元合金靶材及其制备方法
CN112981353A (zh) * 2019-12-13 2021-06-18 中国科学院大连化学物理研究所 一种薄膜应力的消除方法
EP3842561B1 (en) * 2019-12-23 2022-08-17 Novelis Koblenz GmbH Method of manufacturing an aluminium alloy rolled product

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02274008A (ja) * 1989-04-17 1990-11-08 Hitachi Ltd 固体電子装置、その製造方法、及びそれを利用した装置
JPH11258625A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びその製造方法
JP3096699B2 (ja) * 1991-01-17 2000-10-10 ハネウェル・エレクトロニクス・ジャパン株式会社 アルミニウム合金配線層およびその製法、ならびにアルミニウム合金スパッタリングターゲット

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2733006B2 (ja) 1993-07-27 1998-03-30 株式会社神戸製鋼所 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
JP3236480B2 (ja) * 1995-08-11 2001-12-10 トヨタ自動車株式会社 ポートホール押出が容易な高強度アルミニウム合金
JP2000235961A (ja) 1999-02-16 2000-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電性薄膜材料及びこれを用いた薄膜トランジスタ用配線

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02274008A (ja) * 1989-04-17 1990-11-08 Hitachi Ltd 固体電子装置、その製造方法、及びそれを利用した装置
JP3096699B2 (ja) * 1991-01-17 2000-10-10 ハネウェル・エレクトロニクス・ジャパン株式会社 アルミニウム合金配線層およびその製法、ならびにアルミニウム合金スパッタリングターゲット
JPH11258625A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びその製造方法

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7928575B2 (en) 2002-12-19 2011-04-19 Kobe Steel, Ltd. Electronic device, method of manufacture of the same, and sputtering target
JP2006339666A (ja) * 2002-12-19 2006-12-14 Kobe Steel Ltd アルミニウム合金膜形成用スパッタリングターゲット
WO2005078739A1 (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. 高耐熱性アルミニウム合金配線材料及びターゲット材
CN100428367C (zh) * 2004-02-16 2008-10-22 三井金属鉱业株式会社 高耐热性铝合金配线材料
US7385293B2 (en) 2004-09-27 2008-06-10 Kobe Steel, Ltd. Copper alloy, fabrication method thereof, and sputtering target
JP2006261636A (ja) * 2005-02-17 2006-09-28 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
JP2007070721A (ja) * 2005-03-10 2007-03-22 Mitsubishi Materials Corp 耐腐食性に優れた反射板用反射膜およびこの耐腐食性に優れた反射板用反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP2007072427A (ja) * 2005-03-10 2007-03-22 Mitsubishi Materials Corp 耐腐食性に優れた反射板用反射膜およびこの耐腐食性に優れた反射板用反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP4621989B2 (ja) * 2005-03-10 2011-02-02 三菱マテリアル株式会社 耐腐食性に優れた反射板用反射膜およびこの耐腐食性に優れた反射板用反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット
WO2007063991A1 (ja) * 2005-12-02 2007-06-07 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
US7952123B2 (en) 2005-12-02 2011-05-31 Kobe Steel, Ltd. Thin film transistor substrate and display device
US8053083B2 (en) 2007-06-26 2011-11-08 Kobe Steel, Ltd. Layered structure and its manufacturing method
JP2012243878A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Kobe Steel Ltd 半導体電極構造
JP2012243877A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Kobe Steel Ltd 半導体電極構造
JP2013253278A (ja) * 2012-06-06 2013-12-19 Geomatec Co Ltd アルミニウム合金膜とその製造方法
KR102189087B1 (ko) 2013-02-14 2020-12-09 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 보호막 형성용 스퍼터링 타깃 및 적층 배선막
KR20140102591A (ko) * 2013-02-14 2014-08-22 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 보호막 형성용 스퍼터링 타깃 및 적층 배선막
JP2015165563A (ja) * 2014-02-07 2015-09-17 株式会社神戸製鋼所 フラットパネルディスプレイ用配線膜、およびＡｌ合金スパッタリングターゲット
KR20210013220A (ko) * 2018-06-28 2021-02-03 가부시키가이샤 아루박 알루미늄 합금 막, 그 제조방법, 및 박막 트랜지스터
JPWO2020003666A1 (ja) * 2018-06-28 2020-07-09 株式会社アルバック アルミニウム合金ターゲット及びその製造方法
KR20210011455A (ko) * 2018-06-28 2021-02-01 가부시키가이샤 아루박 알루미늄 합금 타깃 및 그 제조방법
WO2020003666A1 (ja) * 2018-06-28 2020-01-02 株式会社アルバック アルミニウム合金ターゲット及びその製造方法
KR102549527B1 (ko) * 2018-06-28 2023-06-28 가부시키가이샤 아루박 알루미늄 합금 막, 그 제조방법, 및 박막 트랜지스터
KR102571458B1 (ko) 2018-06-28 2023-08-25 가부시키가이샤 아루박 알루미늄 합금 타깃 및 그 제조방법
US11935936B2 (en) 2018-06-28 2024-03-19 Ulvac, Inc. Aluminum alloy film, method of producing the same, and thin film transistor
CN113388765A (zh) * 2021-06-21 2021-09-14 南通众福新材料科技有限公司 一种高导电新能源车用铝合金材料及方法
CN117467914A (zh) * 2023-12-25 2024-01-30 中铝材料应用研究院有限公司 一种耐应力腐蚀高强Al-Zn-Mg-Cu合金厚板及其制备方法和应用
CN117467914B (zh) * 2023-12-25 2024-05-03 中铝材料应用研究院有限公司 一种耐应力腐蚀高强Al-Zn-Mg-Cu合金厚板及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
TW200504231A (en) 2005-02-01
JP4783525B2 (ja) 2011-09-28
TWI245805B (en) 2005-12-21
TWI245806B (en) 2005-12-21
US20030047812A1 (en) 2003-03-13
US6791188B2 (en) 2004-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4783525B2 (ja) 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット
JP2003073810A5 (ja)
JP6276327B2 (ja) モリブデンを含有した標的
US7101447B2 (en) Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture
US5514909A (en) Aluminum alloy electrode for semiconductor devices
JP3445276B2 (ja) 配線形成用Ｍｏ−ＷターゲットとＭｏ−Ｗ配線薄膜、およびそれを用いた液晶表示装置
KR101376502B1 (ko) 스퍼터링 타겟
US20100000860A1 (en) Copper Sputtering Target With Fine Grain Size And High Electromigration Resistance And Methods Of Making the Same
TWI523087B (zh) Al alloy film for semiconductor devices
EP1232525A2 (en) Conductive interconnection
WO2007020981A1 (ja) パーティクル発生の少ないＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲット
EP4116450A1 (en) Pure copper plate, copper/ceramic bonded body, and insulated circuit board
WO2009134771A1 (en) Molybdenum-niobium alloys, sputtering targets containing such alloys, methods of making such targets, thin films prepared therefrom and uses thereof
JP3634208B2 (ja) 液晶ディスプレイ用の電極・配線材及びスパッタリングターゲット
JP2000034562A (ja) スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品
EP2634287A1 (en) Titanium target for sputtering
JP2004506814A5 (ja)
JP4817536B2 (ja) スパッタターゲット
JP2007226058A (ja) 液晶ディスプレイパネル及びその製造方法並びにＣｕ合金スパッタリングターゲット
JP4264302B2 (ja) 銀合金スパッタリングターゲットとその製造方法
WO2017022320A1 (ja) アルミニウムスパッタリングターゲット
EP1245690A1 (en) Copper, copper alloy, and manufacturing method therefor
WO2001014607A1 (fr) Film mince d'alliage d'aluminium, materiau cible, et procede de formation d'un film mince a l'aide de ce materiau cible
JP4405008B2 (ja) 液晶ディスプレイ用電極・配線材及びその作製方法
US7517417B2 (en) Tantalum PVD component producing methods

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070517

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070517

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080227

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100527

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100601

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100802

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20101104

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110524

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110530

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110621

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110711

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4783525

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees