JP2003071714A - 研磨装置 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 154
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 4
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 35
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
磨ユニットの送り速度を制御する研磨装置を提供する。 【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブル
と、該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨す
るための研磨工具を備えた研磨ユニットと、該研磨ユニ
ットを進退せしめる研磨ユニット送り機構とを具備する
研磨装置であって、チャックテーブルの温度を検出する
温度検出手段と、該温度検出手段からの検出信号に基づ
いて該研磨ユニット送り機構を制御する制御手段とを具
備している。制御手段は、温度検出手段の検出温度が第
1の設定値より低い場合には研磨ユニット送り機構を所
定量前進せしめ、温度検出手段の検出温度が第1の設定
値より高い第2の設定値より高い場合には研磨ユニット
送り機構を所定量後退せしめる。
Description
に保持された半導体ウエーハ等の被加工物を研磨する研
磨装置に関する。
円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列さ
れたストリートと呼ばれる切断ラインによって多数の矩
形領域を区画し、該矩形領域の各々に半導体回路を形成
する。このように多数の半導体回路が形成された半導体
ウエーハをストリートに沿って分離することにより、個
々の半導体チップを形成する。半導体チップの小型化お
よび軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをスト
リートに沿って切断して個々の矩形領域を分離するのに
先立って、半導体ウエーハの裏面を研磨して所定の厚さ
に形成している。このような半導体ウエーハの裏面を研
磨する研磨装置は、被加工物を載置する載置面を備えた
チャックテーブルと、該チャックテーブルの載置面上に
載置されている被加工物を研磨するための研磨工具を備
えた研磨ユニットと、該研磨ユニットを該チャックテー
ブルの載置面と垂直な方向に移動せしめる研磨ユニット
送り機構とを具備している。このような研磨装置におい
ては、研磨ユニットを所定の送り速度で被加工物である
半導体ウエーハの裏面に押し当てて研磨を遂行するが、
研磨能力と研磨ユニットの送り速度の関係で加工面が面
焼けしたり、損傷することがある。
人は、被加工物を研磨する際に生ずる研磨抵抗値を検出
する研磨抵抗値検出手段を備え、該研磨抵抗値検出手段
によって検出された研磨抵抗値に基づいて研磨ユニット
の送りを制御し、研磨抵抗値を所定範囲に維持するとう
にした研磨装置を特開2001−138219として提
案した。
ち研磨負荷が大きい場合に必ずしも面焼けが発生するも
のではなく、本発明者の研究によると被加工物と研磨工
具との摩擦熱が例えば300°Cに達すると面焼けが発
生することが判った。特に、研磨工具としてフエルトに
砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフエルト砥石
を用い、乾式で研磨を遂行すると、被加工物と研磨工具
との摩擦熱が上昇して面焼けが助長されることが判っ
た。
あり、その主たる技術課題は、被加工物と研磨工具との
摩擦熱に対応して研磨ユニットの送り速度を制御する研
磨装置を提供することにある。
決するため、本発明によれば、被加工物を載置する載置
面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルの
載置面上に載置されている被加工物を研磨するための研
磨工具を備えた研磨ユニットと、該研磨ユニットを該チ
ャックテーブルの該載置面と垂直な方向に進退せしめる
研磨ユニット送り機構と、を具備する研磨装置におい
て、該チャックテーブルの載置面近傍の温度を検出する
温度検出手段と、該温度検出手段からの検出信号に基づ
いて該研磨ユニット送り機構を制御する制御手段と、を
具備し、該制御手段は、該温度検出手段の検出温度が第
1の設定値より低い場合には該研磨ユニット送り機構を
所定量前進せしめ、該温度検出手段の検出温度が該第1
の設定値より高い第2の設定値より高い場合には該研磨
ユニット送り機構を所定量後退せしめる、ことを特徴と
する研磨装置が提供される。
の異なる半径領域に配設された複数個の温度センサーを
備えており、上記制御手段は、該複数個の温度センサー
によって検出された検出温度の最高値が上記第1の設定
値より低い場合には研磨ユニット送り機構を所定量前進
せしめ、該複数個の温度センサーによって検出された検
出温度の最高値が上記第2の設定値より高い場合には研
磨ユニット送り機構を所定量後退せしめる。
温度が上記第2の設定値より高い第3の設定値以上の場
合には該研磨ユニット送り機構を退避せしめることが望
ましい。
エルトに砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフエ
ルト砥石からなっており、乾式で被加工物を研磨する研
磨装置が提供される。
研磨装置の好適な実施形態について、添付図面を参照し
て詳細に説明する。
示されている。研磨装置は、全体を番号2で示す装置ハ
ウジングを具備している。装置ハウジング2は、細長く
延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部
(図1において右上端)に設けられ実質上鉛直に上方に
延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面に
は、上下方向に延びる一対の案内レール221、221
が設けられている。この一対の案内レール221、22
1に研磨ユニット3が上下方向に移動可能に装着されて
いる。
基台31に装着されたスピンドルユニット32を具備し
ている。移動基台31は、後面両側に上下方向に延びる
一対の脚部311、311が設けられており、この一対
の脚部311、311に上記一対の案内レール221、
221と摺動可能に係合する被案内溝312、312が
形成されている。このように直立壁22に設けられた一
対の案内レール221、221に摺動可能に装着された
移動基台31の前面には前方に突出した支持部313が
設けられている。この支持部313にスピンドルユニッ
ト32が取り付けられる。
に装着されたスピンドルハウジング321と、該スピン
ドルハウジング321に回転自在に配設された回転スピ
ンドル322と、該回転スピンドル322を回転駆動す
るための駆動源としてのサーボモータ323(M1)と
を具備しており、サーボモータ323(M1)の出力軸
が図示しない減速機構を介して回転スピンドル322と
伝動連結されている。回転スピンドル322の下端部は
スピンドルハウジング321の下端を越えて下方に突出
せしめられており、回転スピンドル322の下端には研
磨工具325が装着されている。詳述すると、回転スピ
ンドル322の下端には円板形状の装着部材324が固
定されており、この装着部材324には周方向に間隔を
おいて複数個の貫通孔(図示していない)が形成されて
いる。研磨工具325は、図3および図4に図示する如
く、円板形状の支持部材326と円板形状の研磨部材3
27とから構成されている。支持部材326には周方向
に間隔をおいてその上面から下方に延びる複数個の盲ね
じ穴326aが形成されている。支持部材326の下面
は円形支持面を構成しており、研磨部材327はエポキ
シ樹脂系接着剤の如き適宜の接着剤によって支持部材3
26の円形支持面に接合されている。研磨部材327
は、図示の実施形態においてはフエルトに砥粒を分散さ
せ適宜のボンド剤で固定したフエルト砥石が用いられて
いる。このフエルト砥石からなる研磨部材327自体の
構成についての詳細な説明は、本出願人が既に提案した
特願2001−93397の明細書および図面に詳細に
説明されているのでかかる記載に委ね、本明細書におい
ては説明を省略する。上記回転スピンドル322の下端
に固定されている装着部材324の下面に研磨工具32
5を位置付け、装着部材324に形成されている貫通孔
を通して研磨工具325の支持部材326に形成されて
いる盲ねじ孔326aに締結ボルト328を螺着するこ
とによって、装着部材324に研磨工具325が装着さ
れる。
形態における研磨装置は、上記研磨ユニット3を上記一
対の案内レール221、221に沿って上下方向(後述
するチャックテーブルの載置面と垂直な方向)に移動せ
しめる研磨ユニット送り機構4を備えている。この研磨
ユニット送り機構4は、直立壁22の前側に配設され実
質上鉛直に延びる雄ねじロッド41を具備している。こ
の雄ねじロッド41は、その上端部および下端部が直立
壁22に取り付けられた軸受部材42および43によっ
て回転自在に支持されている。上側の軸受部材42には
雄ねじロッド41を回転駆動するための駆動源としての
パルスモータ44(M2)が配設されており、このパル
スモータ44(M2)の出力軸が雄ねじロッド41に伝
動連結されている。移動基台31の後面にはその幅方向
中央部から後方に突出する連結部(図示していない)も
形成されており、この連結部には鉛直方向に延びる貫通
雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじ
ロッド41が螺合せしめられている。従って、パルスモ
ータ44(M2)が正転すると移動基台31即ち研磨ユ
ニット3が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ44
(M2)が逆転すると移動基台31即ち研磨ユニット3
が上昇即ち後退せしめられる。
に示すように上記研磨ユニット3の移動位置を検出する
ための研磨ユニット位置検出手段5を具備している。研
磨ユニット位置検出手段5は、直立壁22内に上記雄ね
じロッド41と平行に配設されたリニヤスケール51
と、上記移動基台31に取り付けられリニヤスケール5
1の被検出線を検出する検出器52(LIS)とからな
っている。検出器52(LIS)は、それ自体周知の光
電式検出器でよく、上記リニヤスケール51の被検出線
(例えば1μm間隔で形成されている)の検出に応じて
パルス信号を生成し、このパルス信号を後述する制御手
段に送る。なお、上記直立壁22には、検出器52(L
IS)の移動を許容する長穴が形成されている。
と、ハウジング2の主部21の後半部上には略矩形状の
没入部211が形成されており、この没入部211には
チャックテーブル機構6が配設されている。チャックテ
ーブル機構6は、支持基台61とこの支持基台61に実
質上鉛直に延びる回転中心軸線を中心として回転自在に
配設された円板形状のチャックテーブル62とを含んで
いる。支持基台61は、上記没入部211上に前後方向
(直立壁22の前面に垂直な方向)である矢印23aお
よび23bで示す方向に延在する一対の案内レール23
(図2においては一方の案内レールのみが示されてい
る)に摺動自在に装着されている。
工物を載置する載置面621を有し、上記支持基台61
上に支持手段63によって回転可能に支持されている。
チャックテーブル62の下面には、その中心部に回転軸
622が装着されている。なお、チャックテーブル62
は、多孔質セラミッックスの如き適宜の多孔性材料から
構成されており、図示しない吸引手段に接続されてい
る。従って、チャックテーブル62を図示しない吸引手
段に選択的に連通することにより、載置面621上に載
置された被加工物Wを吸引保持する。
21の近傍の温度を検出する温度検出手段64(TD
S)が配設されている。この温度検出手段64(TD
S)は、図示の実施形態においてはチャックテーブル6
2の異なる半径領域に配設された3個の温度センサー6
4a、64b、64cからなっている。温度センサー6
4a、64b、64cから出力された電圧信号は、図示
しないA/D変換器によってデジタル信号に変換されて
後述する制御手段に送られる。
段63は、支持基台61上に配設された3本(図2にお
いては2本のみ示されている)の支持柱631と、該支
持柱631上に配設された円板形状の支持板632とか
らなっており、支持板632上にボールベアリング63
3を介して上記チャックテーブル62を回転自在に支持
している。なお、支持板632中心部には、上記回転軸
622が挿通する穴632aが設けられている。支持板
632の下方における支持基台61上にはチャックテー
ブル62を回転駆動するための駆動源としてのサーボモ
ータ65(M3)が配設されている。このサーボモータ
65(M3)の出力軸が上記チャックテーブル62の回
転軸622に伝動連結されている。
に示すように上記チャックテーブル機構6を一対の案内
レール23に沿って矢印23aおよび23bで示す方向
に移動せしめるチャックテーブル移動機構66を具備し
ている。チャックテーブル移動機構66は、一対の案内
レール23間に配設され案内レール23と平行に延びる
雄ねじロッド661を具備している。この雄ねじロッド
661は、その両端部が一対の案内レール23を連結し
て取り付けられた軸受部材662および663によって
回転自在に支持されている。前側の軸受部材662には
雄ねじロッド661を回転駆動するための駆動源として
のサーボモータ664(M4)が配設されており、この
サーボモータ664(M4)の出力軸が雄ねじロッド6
61に伝動連結されている。支持基台61の前端(図2
において左端)には貫通雌ねじ穴を備えた雌ねじブロッ
ク665が取り付けられており、この雌ねじブロック6
65の貫通雌ねじ穴に上記雄ねじロッド661が螺合せ
しめられている。従って、サーボモータ664(M4)
が正転すると支持基台61即ちチャックテーブル機構6
が矢印23aで示す方向に移動し、サーボモータ664
(M4)が逆転すると支持基台61即ちチャックテーブ
ル機構6が矢印23bで示す方向に移動せしめられる。
矢印23aおよび23bで示す方向に移動せしめられる
チャックテーブル機構6は、矢印23aおよび23bで
示す方向に間隔をおいて位置せしめられている被加工物
搬入・搬出域24および研磨域25に選択的に位置付け
られる。また、チャックテーブル機構6は、研磨域25
においては所定範囲に渡って矢印矢印23aおよび23
bで示す方向に往復動せしめられる。
方向両側には、図1に示すように横断面形状が逆チャン
ネル形状であって、上記雄ねじロッド661等を覆って
いる蛇腹手段71および72が付設されている。蛇腹手
段71および72はキャンパス布の如き適宜の材料から
形成することができる。蛇腹手段71の前端は没入部2
11の前面壁に固定され、後端はチャックテーブル機構
6の支持基台61の前端面に固定されている。蛇腹手段
72の前端はチャックテーブル機構6の支持基台61の
後端面に固定され、後端は装置ハウジング2の直立壁2
2の前面に固定されている。チャックテーブル機構6が
矢印23aで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手
段71が伸張されて蛇腹手段72が収縮され、チャック
テーブル機構6が矢印23bで示す方向に移動せしめら
れる際には蛇腹手段71が収縮されて蛇腹手段72が伸
張せしめられる。
ジング2の主部21における前半部上には、第1のカセ
ット11と、第2のカセット12と、被加工物仮載置手
段13と、洗浄手段14と、被加工物搬送手段15と、
被加工物搬入手段16および被加工物搬出手段17が配
設されている。第1のカセット11は研磨加工前の被加
工物を収納し、装置ハウジング2の主部21におけるカ
セット搬入域に載置される。第2のカセット12は装置
ハウジング2の主部21におけるカセット搬出域に載置
され、研磨加工後の被加工物を収納する。被加工物仮載
置手段13は第1のカセット11と被加工物搬入・搬出
域24との間に配設され、研磨加工前の被加工物を仮載
置する。洗浄手段14は被加工物搬入・搬出域24と第
2のカセット12との間に配設され、研磨加工後の被加
工物を洗浄する。被加工物搬送手段15第1のカセット
11と第2のカセット12との間に配設され、第1のカ
セット11内に収納された被加工物を被加工物仮載置手
段13に搬出するとともに洗浄手段14で洗浄された被
加工物を第2のカセット12に搬送する。被加工物搬入
手段16は被加工物仮載置手段13と被加工物搬入・搬
出域24との間に配設され、被加工物仮載置手段13上
に載置された研磨加工前の被加工物を被加工物搬入・搬
出域24に位置付けられたチャックテーブル機構6のチ
ャックテーブル62上に搬送する。被加工物搬出手段1
7は被加工物搬入・搬出域24と洗浄手段14との間に
配設され、被加工物搬入・搬出域24に位置付けられた
チャックテーブル62上に載置されている研磨加工後の
被加工物を洗浄手段14に搬送する。
工物は、環状のフレームに保護テープを介して表面側が
装着された半導体ウエーハ(従って、半導体ウエーハは
裏面が上側に位置する)、或いは支持基板(サブストレ
ート)上に表面側が装着された半導体ウエーハ(従っ
て、半導体ウエーハは裏面が上側に位置する)でよい。
このような被加工物である半導体ウエーハを収容した第
1のカセット11は、装置ハウジング2の主部21にお
ける所定のカセット搬入域に載置される。そして、カセ
ット搬入域に載置された第1のカセット11に収容され
ていた研磨加工前の半導体ウエーハが全て搬出される
と、空のカセット11に代えて複数個の半導体ウエーハ
を収容した新しいカセット11が手動でカセット搬入域
に載置される。一方、装置ハウジング2の主部21にお
ける所定のカセット搬出域に載置された第2のカセット
12に所定数の研磨加工後の半導体ウエーハが搬入され
ると、かかる第2のカセット12が手動で搬出され、新
しい空の第2のカセット12が載置される。
に示すように制御手段10を具備している。制御手段1
0はマイクロコンピュータによって構成されており、制
御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CP
U)101と、制御プログラム等を格納するリードオン
リメモリ(ROM)102と、演算結果等を格納する読
み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)103
と、タイマー(T)104と、入力インターフェース1
05および出力インターフェース106とを備えてい
る。このように構成された制御手段10の入力インター
フェース105には、上記研磨ユニット位置検出手段5
を構成するリニヤスケール51の検出器52(LI
S)、上記温度検出手段64(TDS)を構成する3個
の温度センサー64a、64b、64c等からの信号が
入力される。また、出力インターフェース106から
は、上記サーボモータ323(M1)、パルスモータ4
4(M2)、サーボモータ65(M3)、サーボモータ
664(M4)および洗浄手段14、被加工物搬送手段
15、被加工物搬入手段16、被加工物搬出手段17等
に制御信号を出力する。
ついて図1を参照して簡単に説明する。第1のカセット
11に収容された研磨加工前の被加工物としての半導体
ウエーハは被加工物搬送手段15の上下動作および進退
動作により搬送され、被加工物仮載置手段13に載置さ
れる。被加工物仮載置手段13に載置された半導体ウエ
ーハは、ここで中心合わせが行われた後に被加工物搬入
手段16の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域24
に位置せしめられているチャックテーブル機構6のチャ
ックテーブル62上に載置される。チャックテーブル6
2上に載置された半導体ウエーハは、図示しない吸引手
段によってチャックテーブル62上に吸引保持される。
しかる後に、チャックテーブル機構6が矢印23aで示
す方向に移動され研磨域25に位置付けられる。そし
て、研磨域25においては、半導体ウエーハを保持した
チャックテーブル62が回転せしめらるとともに、回転
駆動せしめられている研磨工具325の研磨部材327
がチャックテーブル62上の半導体ウエーハの裏面に押
圧され、そしてまたチャックテーブル機構6が矢印23
aおよび23bで示す方向に所定範囲に渡って往復動せ
しめられ、かくして研磨部材327の作用によって半導
体ウエーハの裏面が乾式研磨され、残留加工歪が除去さ
れる。
体ウエーハの裏面から上方に離隔され、チャックテーブ
ル機構6が矢印23bで示す方向に被加工物搬入・搬出
域24まで移動せしめられる。しかる後に、チャックテ
ーブル62上の研磨加工された半導体ウエーハの吸引保
持が解除され、吸引保持が解除された半導体ウエーハは
被加工物搬出手段17により搬出されて洗浄手段14に
搬送される。洗浄手段14.搬送された半導体ウエーハ
は、ここで洗浄された後に被加工物搬送手段15よって
第2のカセット12の所定位置に収納される。
半導体ウエーハを面焼けが発生することなく研磨するた
めに、図示の実施形態においては図5のフローチャート
に示す制御が実行される。図5のルーチンは、 制御手段
10のリードオンリメモリ(ROM)102に予め格納
されており、中央処理装置(CPU)101で所定時間
毎に繰り返し実行される。なお、リードオンリメモリ
(ROM)102には、図6で示すような第1の設定値
T1と、該第1の設定値T1より高い第2の設定値T
2、および該第2の設定値T2より高い第3の設定値T
3が比較値として格納されている。なお、第1の設定値
T1は、研磨効率を考慮した許容温度で例えば50°C
に設定されている。第2の設定値T2は、これ以上の温
度が続くと面焼けが発生する虞がある危険温度で例えば
200°Cに設定されている。第3の設定値T3は、面
焼けが発生する面焼温度で例えば250°Cに設定され
ている。
作業時における研磨ユニット送り機構4の制御について
説明する。制御手段10は、先ずステップS1において
上記チャックテーブル62の温度を検出する温度検出手
段64(TDS)を構成する3個の温度センサー64
a、64b、64cからの温度信号Ta、Tb、Tcを
読み込む。ステップS1において温度信号Ta、Tb、
Tcを読み込んだならば、制御手段10はステップS2
に進んでTa、Tb、Tcの中から最大値(Tmax)
を選定する。
ル62の温度の最大値(Tmax)を選定したならば、
制御手段10はステップS3に進んで最大値(Tma
x)が第3の設定値T3以上か否かをチェックする。最
大値(Tmax)が第3の設定値T3以上の場合には、
制御手段10は面焼けが発生すると判断し、ステップS
4に進んで研磨ユニット送り機構4のパルスモータ44
(M2)を逆転駆動する。この結果、研磨ユニット3は
上昇せしめられて退避位置に位置付けられ、研磨作業を
一時中断する。
ル62の温度の最大値(Tmax)が第3の設定値T3
より低い場合には、制御手段10はステップS5に進ん
でチャックテーブル62の温度の最大値(Tmax)が
第2の設定値T2より高いか否かをチェックする。最大
値(Tmax)が第2の設定値T2より高い場合には、
制御手段10はこの状態で研磨を続けると面焼けが発生
すると判断し、ステップS6に進んで研磨ユニット送り
機構4のパルスモータ44(M2)を所定パルス数逆転
駆動する。この結果、研磨ユニット3が所定量上昇即ち
後退せしめられ、研磨工具325の半導体ウエーハへの
押圧力が低減される。
ル62の温度の最大値(Tmax)が第2の設定値T2
以下の場合には、制御手段10はステップS7に進んで
チャックテーブル62の温度の最大値(Tmax)が第
1の設定値T1より低いか否かをチェックする。最大値
(Tmax)が第1の設定値T1より低い場合には、制
御手段10は研磨工具325の半導体ウエーハへの押圧
力が小さく研磨効率が低いと判断し、ステップS8に進
んで研磨ユニット送り機構4のパルスモータ44(M
2)を所定パルス数正転駆動する。この結果、研磨ユニ
ット3が所定量下降即ち前進せしめられ、研磨工具32
5の半導体ウエーハへの押圧力が増加される。
テーブル62の温度の最大値(Tmax)が第1の設定
値T1以上の場合には、制御手段10はチャックテーブ
ル62の温度の最大値(Tmax)が第1の設定値T1
と第2の設定値T2との間の適正範囲にあると判断し、
研磨ユニット3を現在の状態に維持して研磨作業を遂行
する。
は、チャックテーブル62の温度の最大値(Tmax)
が第1の設定値T1と第2の設定値T2との間の適正範
囲になるように研磨ユニット送り機構4が制御されるの
で、被加工物の面焼けを防止しつつ研磨効率を向上する
ことができる。また、図示の実施形態においては、チャ
ックテーブル62の温度の最大値(Tmax)が面焼け
が発生する温度である第3の設定値T3以上の場合に
は、研磨ユニット3を退避位置に位置付けて研磨作業を
一時中断するので、被加工物の面焼けを確実に防止する
ことができる。
説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるもので
はない。例えば、実施形態においてはチャックテーブル
の温度を検出する温度検出手段64(TDS)として3
個の温度センサー64a、64b、64cを用い、該3
個の温度センサーが検出した温度の最大値に基づいて制
御する例を示したが、複数個の温度センサーが検出した
温度の平均値に基づいて制御してもよい。
工物を保持するチャックテーブルの温度を検出し、該温
度が第1の設定値と第2の設定値との間の適正範囲にな
るように研磨ユニット送り機構が制御されるので、被加
工物の面焼けを防止しつつ研磨効率を向上するすること
ができる。
態を示す斜視図。
す斜視図。
示す斜視図。
作手順を示すフローチャート。
納される各設定値とチャックテーブルの温度との関係を
示す説明図。
Claims (4)
- 【請求項1】 被加工物を載置する載置面を備えたチャ
ックテーブルと、該チャックテーブルの載置面上に載置
されている被加工物を研磨するための研磨工具を備えた
研磨ユニットと、該研磨ユニットを該チャックテーブル
の該載置面と垂直な方向に進退せしめる研磨ユニット送
り機構と、を具備する研磨装置において、 該チャックテーブルの載置面近傍の温度を検出する温度
検出手段と、 該温度検出手段からの検出信号に基づいて該研磨ユニッ
ト送り機構を制御する制御手段と、を具備し、 該制御手段は、該温度検出手段の検出温度が第1の設定
値より低い場合には該研磨ユニット送り機構を所定量前
進せしめ、該温度検出手段の検出温度が該第1の設定値
より高い第2の設定値より高い場合には該研磨ユニット
送り機構を所定量後退せしめる、 ことを特徴とする研磨装置。 - 【請求項2】 該温度検出手段は該チャックテーブルの
異なる半径領域に配設された複数個の温度センサーを備
えており、 該制御手段は、該複数個の温度センサーによって検出さ
れた検出温度の最高値が第1の設定値より低い場合には
該研磨ユニット送り機構を所定量前進せしめ、該複数個
の温度センサーによって検出された検出温度の最高値が
該第2の設定値より高い場合には該研磨ユニット送り機
構を所定量後退せしめる、請求項1記載の研磨装置。 - 【請求項3】 該制御手段は、該温度検出手段の検出温
度が該第2の設定値より高い第3の設定値以上の場合に
は該研磨ユニット送り機構を退避せしめる、請求項1記
載の研磨装置。 - 【請求項4】 該研磨工具はフエルトに砥粒を分散させ
適宜のボンド剤で固定したフエルト砥石からなってお
り、乾式で被加工物を研磨する、請求項1から3のいず
れかに記載の研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001269442A JP4890697B2 (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001269442A JP4890697B2 (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | 研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003071714A true JP2003071714A (ja) | 2003-03-12 |
JP4890697B2 JP4890697B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=19095256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001269442A Expired - Lifetime JP4890697B2 (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | 研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4890697B2 (ja) |
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CN110052958A (zh) * | 2018-01-17 | 2019-07-26 | 株式会社迪思科 | 支承基台 |
JP7045861B2 (ja) | 2018-01-17 | 2022-04-01 | 株式会社ディスコ | 支持基台 |
TWI785187B (zh) * | 2018-01-17 | 2022-12-01 | 日商迪思科股份有限公司 | 支持基台 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4890697B2 (ja) | 2012-03-07 |
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