JP2003052719A - 照明装置 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 102220565735 Acid-sensing ion channel 4_F21S_mutation Human genes 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 102220042337 rs199607550 Human genes 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61C—DENTISTRY; APPARATUS OR METHODS FOR ORAL OR DENTAL HYGIENE
- A61C19/00—Dental auxiliary appliances
- A61C19/003—Apparatus for curing resins by radiation
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61C—DENTISTRY; APPARATUS OR METHODS FOR ORAL OR DENTAL HYGIENE
- A61C19/00—Dental auxiliary appliances
- A61C19/003—Apparatus for curing resins by radiation
- A61C19/004—Hand-held apparatus, e.g. guns
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光硬化性材料の縁割れ形成傾向を低減するに
もかかわらず低コストに製造して柔軟に適用することが
できる歯科用の照明装置を提供する。 【解決手段】 １つの基板上に装着された、半導体をベ
ースにした複数の光源を有する歯科用照明装置である。
光源（１４，１６）は可視光線を反射する反射性表面
（２９）によって包囲されている。
もかかわらず低コストに製造して柔軟に適用することが
できる歯科用の照明装置を提供する。 【解決手段】 １つの基板上に装着された、半導体をベ
ースにした複数の光源を有する歯科用照明装置である。
光源（１４，１６）は可視光線を反射する反射性表面
（２９）によって包囲されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、請求項１前段に記載
の照明装置に関する。
の照明装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】照明装置は特に光硬化性樹脂材料の光重
合を行うために歯科分野において使用される。高い照明
密度を達成するために通常ハロゲンランプ、キセノンフ
ラッシュライト、または高圧放電ランプ等の高出力の光
源が使用される。最後に挙げられたランプは極めて高い
光強度ならびに高い光密度を達成するものである。しか
しながら、動作電圧は少なくとも３．５ｋＶでありこれ
に従って予備作動装置が必要となり、そのためこの種の
ランプは手持ち装置として歯科診療所内で使用するため
には適していない。
合を行うために歯科分野において使用される。高い照明
密度を達成するために通常ハロゲンランプ、キセノンフ
ラッシュライト、または高圧放電ランプ等の高出力の光
源が使用される。最後に挙げられたランプは極めて高い
光強度ならびに高い光密度を達成するものである。しか
しながら、動作電圧は少なくとも３．５ｋＶでありこれ
に従って予備作動装置が必要となり、そのためこの種の
ランプは手持ち装置として歯科診療所内で使用するため
には適していない。
【０００３】既知の照明装置の光密度を改善して奥深く
に位置する層の完全な硬化を迅速に達成するために多数
の試みがなされている。例えば５０ｍＷ／ｃｍ２の照明
強度を有する既知の一般的な照明装置は重合する樹脂材
料に対して充分長い光照射時間を実施することによって
良好な表面硬化をもたらす。しかしながら、奥深くに位
置する層は硬化されないかあるいは不完全にしか硬化さ
れない。奥深くに位置する領域は柔らかいままかあるい
は表面領域に比べて遅く硬化する硬化特性が生じる。
に位置する層の完全な硬化を迅速に達成するために多数
の試みがなされている。例えば５０ｍＷ／ｃｍ２の照明
強度を有する既知の一般的な照明装置は重合する樹脂材
料に対して充分長い光照射時間を実施することによって
良好な表面硬化をもたらす。しかしながら、奥深くに位
置する層は硬化されないかあるいは不完全にしか硬化さ
れない。奥深くに位置する領域は柔らかいままかあるい
は表面領域に比べて遅く硬化する硬化特性が生じる。
【０００４】既知の照明装置は部分的に縁割れ問題が生
じる補綴結果をもたらすことがある。既知の光硬化性樹
脂材料は硬化中に収縮しやすい。既知の照明装置によれ
ばまず補綴材の表面／外側領域が完全硬化する。奥深く
に位置する中央領域が後から硬化することによって収縮
が生じその結果縁割れの形成につながる。
じる補綴結果をもたらすことがある。既知の光硬化性樹
脂材料は硬化中に収縮しやすい。既知の照明装置によれ
ばまず補綴材の表面／外側領域が完全硬化する。奥深く
に位置する中央領域が後から硬化することによって収縮
が生じその結果縁割れの形成につながる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、光硬化性材料の縁割れ形成傾向を低減するにもかか
わらず低コストに製造して柔軟に適用することができ
る、請求項１前段に記載の歯科用の照明装置を提供する
ことである。
は、光硬化性材料の縁割れ形成傾向を低減するにもかか
わらず低コストに製造して柔軟に適用することができ
る、請求項１前段に記載の歯科用の照明装置を提供する
ことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の課題は本発明に従
って請求項１によって解決される。下位請求項には好適
な追加構成が示されている。
って請求項１によって解決される。下位請求項には好適
な追加構成が示されている。
【０００７】本発明に係る照明装置はまず極めて高い光
密度を供給する。レーザダイオードまたはＬＥＤチップ
等の半導体をベースにした多数の光源を小型に配列する
ことによって極めて高い発光強度が得られる。本発明に
よれば高出力によって光硬化性の材料を略瞬間的に一気
に硬化することができる。これによって硬化の遅効性が
少なくとも明らかに減少し、光硬化性材料の表面／縁部
領域の硬化と奥深くに位置する中央領域の硬化との間に
大幅な遅延時間は生じない。従って中央領域が硬化する
前に縁部領域が先に硬化されることはなく、その結果収
縮圧力が縁部領域に集中することはなくむしろ均等に分
散する。従って本発明によれば縁割れ形成傾向が大幅に
低減される。
密度を供給する。レーザダイオードまたはＬＥＤチップ
等の半導体をベースにした多数の光源を小型に配列する
ことによって極めて高い発光強度が得られる。本発明に
よれば高出力によって光硬化性の材料を略瞬間的に一気
に硬化することができる。これによって硬化の遅効性が
少なくとも明らかに減少し、光硬化性材料の表面／縁部
領域の硬化と奥深くに位置する中央領域の硬化との間に
大幅な遅延時間は生じない。従って中央領域が硬化する
前に縁部領域が先に硬化されることはなく、その結果収
縮圧力が縁部領域に集中することはなくむしろ均等に分
散する。従って本発明によれば縁割れ形成傾向が大幅に
低減される。
【０００８】本発明に係る解決方式によれば、高い光放
射強度を有する照明装置を低コストに製造することがで
きる。光源の周りの反射層によって光放出を意外なほど
大幅に改善することができる。
射強度を有する照明装置を低コストに製造することがで
きる。光源の周りの反射層によって光放出を意外なほど
大幅に改善することができる。
【０００９】反射器によって光源の放射特性を改善し得
ることは以前から知られており；例えば多くのハロゲン
ランプが内蔵された反射器を備えている。しかしなが
ら、本発明に係る反射層によれば、この反射層がＬＥＤ
チップの光放射面より引っ込んでいても光放射を改善す
ることができる。ここでは、高い光強度によって常に処
理表面において光線が反射され、これが再び照明装置に
到達してそこで例えば金属製の反射層によって反射され
るという事実が利用される。この解決方式は、通常ハロ
ゲンランプの錐形反射器に対応して設けられているいわ
ゆる逆錐形部を有する手持ち式装置にも適している。そ
こに入射した光は反射されて実質的に光源の方向に戻さ
れ、そこで金属製の反射層によって反射されて光源の効
率性を高めることができる。
ることは以前から知られており；例えば多くのハロゲン
ランプが内蔵された反射器を備えている。しかしなが
ら、本発明に係る反射層によれば、この反射層がＬＥＤ
チップの光放射面より引っ込んでいても光放射を改善す
ることができる。ここでは、高い光強度によって常に処
理表面において光線が反射され、これが再び照明装置に
到達してそこで例えば金属製の反射層によって反射され
るという事実が利用される。この解決方式は、通常ハロ
ゲンランプの錐形反射器に対応して設けられているいわ
ゆる逆錐形部を有する手持ち式装置にも適している。そ
こに入射した光は反射されて実質的に光源の方向に戻さ
れ、そこで金属製の反射層によって反射されて光源の効
率性を高めることができる。
【００１０】本発明に係る解決方式は金属層上にＬＥＤ
チップを直接装着するものであり、金属は優れた熱伝導
体であるため極めて良好な熱伝導も可能にする。従って
発生した熱損失を良好に排出することができる。
チップを直接装着するものであり、金属は優れた熱伝導
体であるため極めて良好な熱伝導も可能にする。従って
発生した熱損失を良好に排出することができる。
【００１１】任意の好適な金属を使用することができ
る。これには、銀、チタン、プラチナ、およびアルミニ
ウムが含まれる。
る。これには、銀、チタン、プラチナ、およびアルミニ
ウムが含まれる。
【００１２】本発明の特に好適な構成形態において、反
射層部材を接続ラインとして使用することもできる。こ
のため、反射層は例えば二酸化ケイ素等の電気的に絶縁
性の層上に装着され、各領域は既知の方式で金属層を有
していない帯状部を設けることによって互いに電気的に
絶縁される。金属製の反射層はさらにボンディング線を
介してＬＥＤチップを接続線と結合するための接着にも
良好に適合する。
射層部材を接続ラインとして使用することもできる。こ
のため、反射層は例えば二酸化ケイ素等の電気的に絶縁
性の層上に装着され、各領域は既知の方式で金属層を有
していない帯状部を設けることによって互いに電気的に
絶縁される。金属製の反射層はさらにボンディング線を
介してＬＥＤチップを接続線と結合するための接着にも
良好に適合する。
【００１３】特に好適な実施形態において、反射層はＬ
ＥＤチップから見て斜め前方に延在しており、各チップ
の周囲にそれぞれマイクロ反射器を形成する。このマイ
クロ反射器は光源から放射された光線の焦点化を改善
し、ここで隣り合った反射器の側壁が実質的に直接接続
することができ、その結果ＬＥＤチップ間の隔壁を形成
する。
ＥＤチップから見て斜め前方に延在しており、各チップ
の周囲にそれぞれマイクロ反射器を形成する。このマイ
クロ反射器は光源から放射された光線の焦点化を改善
し、ここで隣り合った反射器の側壁が実質的に直接接続
することができ、その結果ＬＥＤチップ間の隔壁を形成
する。
【００１４】複数のＬＥＤチップを列状に接続すること
が好適である。この種の解決方式において、ボンディン
グ線は隔壁から離れて延在することができる。この解決
方式によれば、単位面積あたりに多数のＬＥＤチップを
高密度で配置し接続することができる。
が好適である。この種の解決方式において、ボンディン
グ線は隔壁から離れて延在することができる。この解決
方式によれば、単位面積あたりに多数のＬＥＤチップを
高密度で配置し接続することができる。
【００１５】別の変更された構成形態において、ＬＥＤ
チップ間に位置する金属製反射領域はＬＥＤチップ自体
に比べて大幅に小さく形成される。この場合、反射領域
としてまず同様に金属製の表面を有するＬＥＤチップ自
体とさらに複数のチップの配列を包囲していて任意に大
きな面積を有することができる領域が作用する。しかし
ながら、この低没したＬＥＤチップを有する構成形態に
おいては、四角形のチップを使用する場合隔壁が四角形
状に配置される装着密度が極めて大きくなる。表面上に
おける多数配列されたＬＥＤチップの面積率は、例えば
６０％、または平らな反射層を使用すれば９０％にする
ことができ、この際多数配列の周囲の面は計算に入って
いない。
チップ間に位置する金属製反射領域はＬＥＤチップ自体
に比べて大幅に小さく形成される。この場合、反射領域
としてまず同様に金属製の表面を有するＬＥＤチップ自
体とさらに複数のチップの配列を包囲していて任意に大
きな面積を有することができる領域が作用する。しかし
ながら、この低没したＬＥＤチップを有する構成形態に
おいては、四角形のチップを使用する場合隔壁が四角形
状に配置される装着密度が極めて大きくなる。表面上に
おける多数配列されたＬＥＤチップの面積率は、例えば
６０％、または平らな反射層を使用すれば９０％にする
ことができ、この際多数配列の周囲の面は計算に入って
いない。
【００１６】硬化を行うために複数の配列からなるＬＥ
Ｄチップを硬化する材料に直接隣接させて配置すれば特
に好適である。この解決方式において、特定のＬＥＤ光
源によって補綴材の特定領域を目標を定めて照射するこ
とが初めて可能になる。この解決方式によれば、例えば
通常深さのある補綴材の中央領域にまず光を集中的に照
射することが可能になる。従ってまず中央領域が先に完
全硬化される。しかしながら、この時点においては縁部
領域が硬化されていないため、この部分の収縮は縁割れ
に関して問題にはならない。このことは従来一般的であ
った均等な硬化に比べて大きな利点をもたらし、縁割れ
を大幅に低減するかまたは完全に防止することができ
る。
Ｄチップを硬化する材料に直接隣接させて配置すれば特
に好適である。この解決方式において、特定のＬＥＤ光
源によって補綴材の特定領域を目標を定めて照射するこ
とが初めて可能になる。この解決方式によれば、例えば
通常深さのある補綴材の中央領域にまず光を集中的に照
射することが可能になる。従ってまず中央領域が先に完
全硬化される。しかしながら、この時点においては縁部
領域が硬化されていないため、この部分の収縮は縁割れ
に関して問題にはならない。このことは従来一般的であ
った均等な硬化に比べて大きな利点をもたらし、縁割れ
を大幅に低減するかまたは完全に防止することができ
る。
【００１７】別の好適な構成形態によれば、複数のＬＥ
Ｄチップは少なくとも大型で特に問題になりやすい補綴
材に対して光放射が中央領域に照準を合わせられるよう
に小型で小さな寸法に集積される。重合させる材料は光
を分散させる特性を備えているため、中央領域を照射す
ることによって縁部領域も低減された強度で同時に照射
される。本発明に係る照明装置をこの方式で使用するこ
とによっても、少なくとも縁割れの低減が可能となる。
Ｄチップは少なくとも大型で特に問題になりやすい補綴
材に対して光放射が中央領域に照準を合わせられるよう
に小型で小さな寸法に集積される。重合させる材料は光
を分散させる特性を備えているため、中央領域を照射す
ることによって縁部領域も低減された強度で同時に照射
される。本発明に係る照明装置をこの方式で使用するこ
とによっても、少なくとも縁割れの低減が可能となる。
【００１８】本発明のその他の詳細、特徴、ならびに種
々の利点は、添付図面を参照しながら以下に記す実施例
の説明によって理解される。
々の利点は、添付図面を参照しながら以下に記す実施例
の説明によって理解される。
【００１９】
【実施例】図１には、本発明に係る照明装置１０の一実
施例の主要な部分が示されている。この概略図において
照明装置は２つの光源１４および１６を備えている。光
源１４および１６はＬＥＤチップ群として形成されると
ともに１ｍｍ×１ｍｍの面積および１００μｍの厚みを
有しているが、図１においては明確化のために拡大して
示されている。
施例の主要な部分が示されている。この概略図において
照明装置は２つの光源１４および１６を備えている。光
源１４および１６はＬＥＤチップ群として形成されると
ともに１ｍｍ×１ｍｍの面積および１００μｍの厚みを
有しているが、図１においては明確化のために拡大して
示されている。
【００２０】光源１４および１６は基板１８上に装着さ
れており、これは図示された実施例においてシリコンウ
ェファから形成されている。このウェファの層厚は５０
０μｍであり、図１においてはこれも拡大して示されて
いる。この種のウェファは既知の方式によって例えば１
０ｃｍの直径を有する円盤として形成することができ、
統合された製造工程において複数の照明装置を相互に並
べて低コストに大量生産することができる。例えば６個
の光源１４，１６によって１つの照明装置１０を構成す
ることができ、ここで２つの光源を１つの方向の列に並
べ３つの光源を別の方向の列に並べて配置することがで
きる。従って各照明装置はわずか４．３ｍｍ×６ｍｍの
面積からなり、１枚のウェファ上において２５０個の照
明装置を一度に製造することができる。
れており、これは図示された実施例においてシリコンウ
ェファから形成されている。このウェファの層厚は５０
０μｍであり、図１においてはこれも拡大して示されて
いる。この種のウェファは既知の方式によって例えば１
０ｃｍの直径を有する円盤として形成することができ、
統合された製造工程において複数の照明装置を相互に並
べて低コストに大量生産することができる。例えば６個
の光源１４，１６によって１つの照明装置１０を構成す
ることができ、ここで２つの光源を１つの方向の列に並
べ３つの光源を別の方向の列に並べて配置することがで
きる。従って各照明装置はわずか４．３ｍｍ×６ｍｍの
面積からなり、１枚のウェファ上において２５０個の照
明装置を一度に製造することができる。
【００２１】本発明に係る照明装置を製造するための好
適な層構造について以下に記述する。シリコンからなる
導電性のウェファ上の両側にそれぞれ二酸化ケイ素から
なる絶縁層２０および２２が形成される。その厚さはそ
れぞれ約１μｍである。この層上に拡散防止層２４，２
６が装着され、これはそれぞれ２μｍの厚さを有すると
ともにタングステンチタン合金から形成することができ
る。
適な層構造について以下に記述する。シリコンからなる
導電性のウェファ上の両側にそれぞれ二酸化ケイ素から
なる絶縁層２０および２２が形成される。その厚さはそ
れぞれ約１μｍである。この層上に拡散防止層２４，２
６が装着され、これはそれぞれ２μｍの厚さを有すると
ともにタングステンチタン合金から形成することができ
る。
【００２２】拡散防止層２６上には２μｍの厚さを有す
る銅層がスパッタリングによって形成される。これに対
して、拡散防止層２４上には同様に２μｍの厚さを有す
る銀層２９がスパッタリングによって形成される。これ
らの拡散防止層によって、銀または銅成分が金属性のシ
リコン基板を不純化し該当する層に断線効果をもたらす
ことが防止される。
る銅層がスパッタリングによって形成される。これに対
して、拡散防止層２４上には同様に２μｍの厚さを有す
る銀層２９がスパッタリングによって形成される。これ
らの拡散防止層によって、銀または銅成分が金属性のシ
リコン基板を不純化し該当する層に断線効果をもたらす
ことが防止される。
【００２３】銀層２９上のＬＥＤチップ１４または１６
が装着される部分には１０μｍの厚さを有する銀ハンダ
２８がそれぞれ設けられ、これによってチップがハンダ
付けされる。
が装着される部分には１０μｍの厚さを有する銀ハンダ
２８がそれぞれ設けられ、これによってチップがハンダ
付けされる。
【００２４】図１に示された樹脂マスク３０はＬＥＤチ
ップ１４と１６の間においてこれらに接続しながら延在
しこの配置を固定している。固定的な結合が確立した後
このマスクを除去し得ることが理解される。
ップ１４と１６の間においてこれらに接続しながら延在
しこの配置を固定している。固定的な結合が確立した後
このマスクを除去し得ることが理解される。
【００２５】電気的接続を形成するために、チップなら
びに層２９の領域３８および４０上の接続フィールド間
に延在するボンディング線３２，３４および３６が設け
られている。従って層２９は銀が使用されることによっ
て極めて良好な反射性能を有する金属製反射層と、光源
１４および１６のための電気接続導線の両方を形成して
いる。
びに層２９の領域３８および４０上の接続フィールド間
に延在するボンディング線３２，３４および３６が設け
られている。従って層２９は銀が使用されることによっ
て極めて良好な反射性能を有する金属製反射層と、光源
１４および１６のための電気接続導線の両方を形成して
いる。
【００２６】反射層２９の異なった各領域を電気的に絶
縁するために切断部が設けられる。図示された実施例に
おいては２つの切断部４４，４６が設けられており、こ
の際所要の電気的絶縁を得るために任意の適宜な位置、
例えば光源１４と１６の間に適宜な切断部を設け得るこ
とが理解される。この切断部は少なくとも導電性の反射
層２９が明確に切断される深さまで形成される。これは
既知の方式によりシリコンウェファ１８の上方まで達し
ている。同じく既知の方式により、切断部によって形成
された各隙間には適宜な絶縁性材料を充填することがで
きる。
縁するために切断部が設けられる。図示された実施例に
おいては２つの切断部４４，４６が設けられており、こ
の際所要の電気的絶縁を得るために任意の適宜な位置、
例えば光源１４と１６の間に適宜な切断部を設け得るこ
とが理解される。この切断部は少なくとも導電性の反射
層２９が明確に切断される深さまで形成される。これは
既知の方式によりシリコンウェファ１８の上方まで達し
ている。同じく既知の方式により、切断部によって形成
された各隙間には適宜な絶縁性材料を充填することがで
きる。
【００２７】図１に示されているように、反射層２９の
反対側に銅層３１が設けられている。
反対側に銅層３１が設けられている。
【００２８】図２には本発明に係る照明装置１０の変更
された実施例が示されている。これにおいては光源１４
および１６が低没して取り付けられている。ここで同一
の構成要素は同一の参照符号で示されている。基板１８
は斜めの壁で仕切られた窪みを有している。この種の窪
みは例えばエッチングによって形成することができる。
この窪みまたはマイクロ反射器４８，５０上には図１と
同様な層、すなわち二酸化ケイ素層２０、拡散防止層２
４、ならびに反射層２９が延在している。反射層２９
上、あるいは部分的にこれから低没して、ＬＥＤ１４お
よび１６がそれぞれ銀ハンダ層２８上に装着されてい
る。側方にはそれぞれ壁部５２，５４が延在しそれぞれ
各ＬＥＤチップ１４および１６のマイクロ反射器の一部
を形成している。
された実施例が示されている。これにおいては光源１４
および１６が低没して取り付けられている。ここで同一
の構成要素は同一の参照符号で示されている。基板１８
は斜めの壁で仕切られた窪みを有している。この種の窪
みは例えばエッチングによって形成することができる。
この窪みまたはマイクロ反射器４８，５０上には図１と
同様な層、すなわち二酸化ケイ素層２０、拡散防止層２
４、ならびに反射層２９が延在している。反射層２９
上、あるいは部分的にこれから低没して、ＬＥＤ１４お
よび１６がそれぞれ銀ハンダ層２８上に装着されてい
る。側方にはそれぞれ壁部５２，５４が延在しそれぞれ
各ＬＥＤチップ１４および１６のマイクロ反射器の一部
を形成している。
【００２９】ＬＥＤチップ１４と１６の間には隔壁５６
が延在しており、これも同様に斜めに延在するとともに
前方に向かって先細となっている。この方式は図５およ
び図６に示されている格子構造につながるものである。
が延在しており、これも同様に斜めに延在するとともに
前方に向かって先細となっている。この方式は図５およ
び図６に示されている格子構造につながるものである。
【００３０】図３にはどのようにしてＬＥＤチップ１４
を極めてコンパクトに互いに隣接して配置するかが示さ
れている。この本発明に係る照明装置の構成形態におい
て、合計１２個のＬＥＤ光源１４，１６がラスタ状に配
置されている。それぞれ３つの光源がボンディング線
（そのうちボンディング線３２と３６が概略的に示され
ている）を介して直列に接続されており、それぞれ４つ
のこの直列接続体が並列に接続されている。これによっ
て両方の接続導線６０，６２を介して極めて単純な給電
が達成される。
を極めてコンパクトに互いに隣接して配置するかが示さ
れている。この本発明に係る照明装置の構成形態におい
て、合計１２個のＬＥＤ光源１４，１６がラスタ状に配
置されている。それぞれ３つの光源がボンディング線
（そのうちボンディング線３２と３６が概略的に示され
ている）を介して直列に接続されており、それぞれ４つ
のこの直列接続体が並列に接続されている。これによっ
て両方の接続導線６０，６２を介して極めて単純な給電
が達成される。
【００３１】図３の実施例において、反射層２９は光源
１４，１６の複数配列６４の外側まで極めて広範囲に延
在している。しかしながら、光源の間には極めて少ない
空間しか残されていない。この領域も鏡面加工され銀層
によって被覆されており、従って同様に光効率を高める
よう作用している。
１４，１６の複数配列６４の外側まで極めて広範囲に延
在している。しかしながら、光源の間には極めて少ない
空間しか残されていない。この領域も鏡面加工され銀層
によって被覆されており、従って同様に光効率を高める
よう作用している。
【００３２】図４にはどのようにして複数配列６４が装
着されているかが示されている。ここで、光源の複数配
列６４を支持する基礎部材６６が設けられている。銅層
３１（図１参照）によって熱伝導抵抗は極めて小さいも
のとなり、熱放散が大面積で実施される。
着されているかが示されている。ここで、光源の複数配
列６４を支持する基礎部材６６が設けられている。銅層
３１（図１参照）によって熱伝導抵抗は極めて小さいも
のとなり、熱放散が大面積で実施される。
【００３３】図５には、隔壁５６がＶ字状に先端向かっ
て延在するように形成されるとともにこの実施例におい
てはＬＥＤチップ１４，１６を収容するためのラスタを
形成していることが示されている。この解決方式におい
ては接続導線６０および６２に加えて別の水平方向に延
在する２本の別の接続導線６８，７０が設けられてい
る。中央の光源７２に対するボンディング線は接続導線
６８および７０に通じており、従ってこの実施例におい
ては中央光源７２とその他の光源１４，１６の別々の制
御が可能である。このことによって請求項１５に従った
制御が可能となる。
て延在するように形成されるとともにこの実施例におい
てはＬＥＤチップ１４，１６を収容するためのラスタを
形成していることが示されている。この解決方式におい
ては接続導線６０および６２に加えて別の水平方向に延
在する２本の別の接続導線６８，７０が設けられてい
る。中央の光源７２に対するボンディング線は接続導線
６８および７０に通じており、従ってこの実施例におい
ては中央光源７２とその他の光源１４，１６の別々の制
御が可能である。このことによって請求項１５に従った
制御が可能となる。
【００３４】図６には、ＬＥＤチップがマイクロ反射器
４０および５０内に低没して収容されるだけでなくそこ
から突出して取り付けられることも可能であることが示
されている。しかしながら、マイクロ反射器の基底部に
対する突出度はマイクロ反射器の高さよりも小さいこと
が好適である。
４０および５０内に低没して収容されるだけでなくそこ
から突出して取り付けられることも可能であることが示
されている。しかしながら、マイクロ反射器の基底部に
対する突出度はマイクロ反射器の高さよりも小さいこと
が好適である。
【００３５】図７には、本発明に係る照明装置の別の実
施例が示されている。この実施例は実質的に図５の実施
例に相当するものであるが、中央光源７２の分離制御は
備えていない。それどころか、この解決方式において
は、接続導線６２と７０、ならびに接続導線６０と６８
の双方を、それぞれ多重に形成することができるボンデ
ィング線７４，７６を介して互いに結合することができ
る。接続導線６８上には接続線７８がハンダ付けされて
おり、接続導線７０上には接続線８０がハンダ付けされ
ている。ここで設けられている各銅線の直系は電気的損
失が小さくなるように選択される。
施例が示されている。この実施例は実質的に図５の実施
例に相当するものであるが、中央光源７２の分離制御は
備えていない。それどころか、この解決方式において
は、接続導線６２と７０、ならびに接続導線６０と６８
の双方を、それぞれ多重に形成することができるボンデ
ィング線７４，７６を介して互いに結合することができ
る。接続導線６８上には接続線７８がハンダ付けされて
おり、接続導線７０上には接続線８０がハンダ付けされ
ている。ここで設けられている各銅線の直系は電気的損
失が小さくなるように選択される。
【００３６】最後の図８には本発明に係る照明装置のさ
らに別の実施例が示されている。ここでは複数配列６
４，８２が互いに角度を付けて配設されている。照明装
置１０は全体として逆Ｕ字型の形状を有しており、その
中央脚部８４と両方の側脚部８６および８８上にそれぞ
れ光源の複数配列６４，８２を備えている。
らに別の実施例が示されている。ここでは複数配列６
４，８２が互いに角度を付けて配設されている。照明装
置１０は全体として逆Ｕ字型の形状を有しており、その
中央脚部８４と両方の側脚部８６および８８上にそれぞ
れ光源の複数配列６４，８２を備えている。
【００３７】側脚部８６および８８の間の内幅は、その
間に臼歯が進入し得るような寸法に設定される。この解
決方式によって、本発明に係る照明装置１０を一種の発
光ブラケットとして硬化する歯の上に設置することが可
能となる。３方向からの光照射することによって光硬化
する場所の精密な検索は不要となり、従ってこの解決方
式は極めて確実に操作し得るものである。
間に臼歯が進入し得るような寸法に設定される。この解
決方式によって、本発明に係る照明装置１０を一種の発
光ブラケットとして硬化する歯の上に設置することが可
能となる。３方向からの光照射することによって光硬化
する場所の精密な検索は不要となり、従ってこの解決方
式は極めて確実に操作し得るものである。
【００３８】この実施例は歯科矯正治療に特に適してい
る。
る。
【図１】本発明に係る照明装置のＬＥＤチップの複数構
成を示す概略部分断面図であり、層厚は部分的に拡大さ
れている。
成を示す概略部分断面図であり、層厚は部分的に拡大さ
れている。
【図２】本発明に係る照明装置の別の実施例を示す構成
図であり、層厚は部分的に拡大されている。
図であり、層厚は部分的に拡大されている。
【図３】本発明に係る照明装置の別の実施例を示す構成
図であり、ＬＥＤチップの複数構成が概略立体図によっ
て示されている。
図であり、ＬＥＤチップの複数構成が概略立体図によっ
て示されている。
【図４】図３の実施例の装置を基礎部材上に取り付けた
状態を示す説明図である
状態を示す説明図である
【図５】本発明に係る照明装置の別の実施例を示す立体
図であり、ＬＥＤチップはマイクロ反射器内に低没して
いる。
図であり、ＬＥＤチップはマイクロ反射器内に低没して
いる。
【図６】本発明に係る照明装置の別の実施例を示す立体
図であり、ＬＥＤチップはマイクロ反射器上に装着され
ている。
図であり、ＬＥＤチップはマイクロ反射器上に装着され
ている。
【図７】手持ち式光硬化装置内に内蔵するように設計さ
れた本発明に係る照明装置の別の実施例を示す構成図で
ある。
れた本発明に係る照明装置の別の実施例を示す構成図で
ある。
【図８】歯科矯正用の部材を硬化するように構成された
本発明に係る照明装置の別の実施例を示す立体図であ
る。
本発明に係る照明装置の別の実施例を示す立体図であ
る。
１０ 照明装置
１４，１６ 光源
１８ 基板
２０，２２ 絶縁層
２４，２６ 拡散防止層
２８ 銀ハンダ
２９ 銀層
３０ 樹脂マスク
３１ 銅層
３２，３４，３６，７４，７６ ボンディング線
３８，４０ 領域
４４，４６ 切断部
４８，５０ マイクロ反射器
５２，５４ 壁部
５６ 隔壁
６０，６２，６８，７０ 接続導線
６４，８２ 複数配列
７２ 中央光源
７８，８０ 接続線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｆ２１Ｖ 7/22 Ｆ２１Ｗ 131:202
29/00 Ｆ２１Ｙ 101:02
Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｆ２１Ｍ 1/00 Ｄ
// Ｆ２１Ｗ 131:202 Ｆ２１Ｓ 1/02 Ｇ
Ｆ２１Ｙ 101:02 Ａ６１Ｃ 19/00 Ｚ
(72)発明者 ゴットフリート ローナー
スイス国、ツェーハー−9450 アルトシュ
テッテン、フォルストシュトラーセ ６
Claims (19)
- 【請求項１】 １つの基板上に装着された、半導体をベ
ースにした複数の光源を有する歯科用照明装置であり、
光源（１４，１６）が可視光線を反射する反射性表面
（２９）によって包囲されていることを特徴とする照明
装置。 - 【請求項２】 反射性表面は基板上に被覆された反射層
によって形成されることを特徴とする請求項１記載の照
明装置。 - 【請求項３】 金属性の反射層（２９）が基板上（１
８）に被覆されることを特徴とする請求項２記載の照明
装置。 - 【請求項４】 反射性表面（２９）は５０％を超える反
射率、特に６０％を超える反射率を有することを特徴と
する請求項１ないし３のいずれかに記載の照明装置。 - 【請求項５】 反射性表面（２９）はアルミニウム、
銀、パラジウム、プラチナ、シリコン、および／または
セラミックから形成されることを特徴とする請求項１な
いし４のいずれかに記載の照明装置。 - 【請求項６】 基板（１８）が反射性表面（２９）を備
えていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか
に記載の照明装置。 - 【請求項７】 光源（１４，１６，７２）はそれぞれ反
射層（２９）によって形成された反射領域（３８，４
０）によって包囲されているとともに、反射領域（３
８，４０）が互いに接合していることを特徴とする請求
項１ないし６のいずれかに記載の照明装置。 - 【請求項８】 ＬＥＤチップ（１４，１６）は加工順に
従って金属性反射層（２９）の後に基板（１８）上に装
着されるかあるいはこの金属性反射層の上に装着される
ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の
照明装置。 - 【請求項９】 ＬＥＤチップ（１４，１６）と反射層
（２９）の各領域との間にボンディング線（３２，３
４，３６，７４，７６）が設けられ、反射層（２９）の
各領域がＬＥＤチップ（１４，１６）の給電用の接続導
線（６０，６２，６８，７０）として結線されることを
特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の照明装
置。 - 【請求項１０】 ＬＥＤチップ（１４，１６）は左右お
よび前後にラスタ状配置され、光源（１４，１６）とし
てのＬＥＤチップ（１４，１６）に対する導線（３２，
３４，３６，７４，７６）が少なくとも部分的にチップ
間に延在し、この導線は特にボンディングされているこ
とを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の照
明装置。 - 【請求項１１】 金属製の反射層（２９）は金属層とし
て形成され、基板（１８）はシリコンウェファからな
り、拡散防止層（２４，２６）がシリコンウェファと金
属層とを分離することを特徴とする請求項１ないし１０
のいずれかに記載の照明装置。 - 【請求項１２】 シリコンウェファ上に二酸化ケイ素層
が装着され、この上に拡散防止層（２４，２６）が延在
していることを特徴とする請求項７記載の照明装置。 - 【請求項１３】 光源（１４，１６）はＬＥＤチップ
（１４，１６）から形成されるとともに基板（１８）上
に低没して取り付けられ、反射領域はＬＥＤチップ（１
４，１６）から見て斜め前方に向かって延在しているこ
とを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の
照明装置。 - 【請求項１４】 反射領域はＬＥＤチップ（１４，１
６）に接していてそこから特に約５６°の角度をもって
斜め前方に向かって延在し、ＬＥＤチップ（１４，１
６）はこれを包囲する反射領域とともに極めて密集した
構成で配置されていることを特徴とする請求項１ないし
１３のいずれかに記載の照明装置。 - 【請求項１５】 照明装置（１０）は光硬化装置内に光
源ユニットとして設置され、放射された光線は特にプリ
ズム体を介して光導管に付加し得ることを特徴とする請
求項１ないし１４のいずれかに記載の照明装置。 - 【請求項１６】 照明装置（１０）は歯科医師用器具の
先端に取り付けられ、光重合性歯科補綴材を光重合する
ように設定されることを特徴とする請求項１ないし１５
のいずれかに記載の照明装置。 - 【請求項１７】 光源（１４，１６）はｍｍ単位の寸法
からなり、特に約１×１ｍｍの寸法からなるＬＥＤチッ
プ（１４，１６）として形成されるとともに光硬化のた
めに歯科補綴材に近接して設置されることを特徴とする
請求項１ないし１６のいずれかに記載の照明装置。 - 【請求項１８】 硬化する歯科補綴材を２つの異なった
角度から照射するように少なくとも２つの光源群（１
４，１６）が互いに対して角度を付けて配置されている
ことを特徴とする請求項１ないし１７のいずれかに記載
の照明装置。 - 【請求項１９】 請求項１ないし１８のいずれかに記載
の照明装置を使用することを特徴とする光硬化装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10125341A DE10125341B4 (de) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | Bestrahlungsvorrichtung und Lichthärtgerät |
| DE10125341.9 | 2001-05-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003052719A true JP2003052719A (ja) | 2003-02-25 |
Family
ID=7685993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002149883A Pending JP2003052719A (ja) | 2001-05-23 | 2002-05-23 | 照明装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1260196B1 (ja) |
| JP (1) | JP2003052719A (ja) |
| CA (1) | CA2381792A1 (ja) |
| DE (1) | DE10125341B4 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303430A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Samsung Electro Mech Co Ltd | フリップチップ型の窒化物半導体発光素子 |
| JP2007123609A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Stanley Electric Co Ltd | Ｌｅｄ照明装置 |
| JP2007324275A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP2008226889A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2010205775A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュール |
| JP2011060960A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュール |
| JP2012130710A (ja) * | 2010-12-23 | 2012-07-12 | Kaltenbach & Voigt Gmbh | 歯科医療用処置照明器具 |
| JP2015002317A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | ローム株式会社 | Ｌｅｄ光源モジュール |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI249148B (en) | 2004-04-13 | 2006-02-11 | Epistar Corp | Light-emitting device array having binding layer |
| WO2004051705A2 (en) | 2002-12-02 | 2004-06-17 | 3M Innovative Properties Company | Illumination system using a plurality of light sources |
| US7250611B2 (en) | 2003-12-02 | 2007-07-31 | 3M Innovative Properties Company | LED curing apparatus and method |
| WO2005091392A1 (en) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Phoseon Technology, Inc. | Micro-reflectors on a substrate for high-density led array |
| US8459852B2 (en) | 2007-10-05 | 2013-06-11 | Dental Equipment, Llc | LED-based dental exam lamp |
| US8016470B2 (en) | 2007-10-05 | 2011-09-13 | Dental Equipment, Llc | LED-based dental exam lamp with variable chromaticity |
| DE102009037415A1 (de) * | 2009-08-13 | 2011-02-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlichtquelle |
| DE102009045175B4 (de) * | 2009-09-30 | 2018-07-12 | Sirona Dental Systems Gmbh | Beleuchtungsvorrichtung für ein dentales Handstück und ein Verfahren zur Herstellung und Montage einer Beleuchtungsvorrichtung |
| ES2648041T3 (es) | 2009-12-10 | 2017-12-28 | Ivoclar Vivadent Ag | Dispositivo de fotopolimerización para finalidades dentales |
| EP3123976B1 (de) * | 2015-07-31 | 2020-01-08 | Ivoclar Vivadent AG | Lichthärtgerät |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0910238A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-14 | Osada Res Inst Ltd | 歯科用光照射器 |
| JPH1187778A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2000070292A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 歯科用光照射装置 |
| JP2000261040A (ja) * | 1999-01-05 | 2000-09-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにそれを用いた表示装置 |
| JP2000271155A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-03 | Ushio Inc | 歯科用光重合照射器 |
| JP2000353406A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-19 | Shinichi Kobayashi | 多数発光ダイオードチップで構成するランプ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3729012A1 (de) * | 1987-08-31 | 1989-03-09 | Siemens Ag | Anordnung zur nutzung des rueckseitenlichtes von laserdioden bzw. laserdiodenarrays |
| JPH05304318A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-11-16 | Rohm Co Ltd | 発光素子アレイ基板 |
| US5420768A (en) * | 1993-09-13 | 1995-05-30 | Kennedy; John | Portable led photocuring device |
| WO2000013608A1 (en) * | 1998-09-08 | 2000-03-16 | Akeda Dental A/S | Irradiation apparatus for light curing of composites, in particular for dental use |
| DE19850834B4 (de) * | 1998-11-04 | 2004-01-29 | Sirona Dental Systems Gmbh | Zahnärztliches Präparationsinstrument |
| EP1090607A1 (en) * | 1999-10-08 | 2001-04-11 | Mectron S.R.L. | A dental handpiece for the polymerization of photosetting compounds or resins |
-
2001
- 2001-05-23 DE DE10125341A patent/DE10125341B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-04-10 EP EP02008014.9A patent/EP1260196B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-16 CA CA002381792A patent/CA2381792A1/en not_active Abandoned
- 2002-05-23 JP JP2002149883A patent/JP2003052719A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0910238A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-14 | Osada Res Inst Ltd | 歯科用光照射器 |
| JPH1187778A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2000070292A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 歯科用光照射装置 |
| JP2000261040A (ja) * | 1999-01-05 | 2000-09-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにそれを用いた表示装置 |
| JP2000271155A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-03 | Ushio Inc | 歯科用光重合照射器 |
| JP2000353406A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-19 | Shinichi Kobayashi | 多数発光ダイオードチップで構成するランプ |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303430A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Samsung Electro Mech Co Ltd | フリップチップ型の窒化物半導体発光素子 |
| JP2007123609A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Stanley Electric Co Ltd | Ｌｅｄ照明装置 |
| JP2007324275A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP2008226889A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2010205775A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュール |
| JP2011060960A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュール |
| JP2012130710A (ja) * | 2010-12-23 | 2012-07-12 | Kaltenbach & Voigt Gmbh | 歯科医療用処置照明器具 |
| JP2015002317A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | ローム株式会社 | Ｌｅｄ光源モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10125341B4 (de) | 2006-11-23 |
| DE10125341A1 (de) | 2002-12-05 |
| EP1260196A3 (de) | 2003-05-21 |
| EP1260196B1 (de) | 2013-06-12 |
| CA2381792A1 (en) | 2002-11-23 |
| EP1260196A2 (de) | 2002-11-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040806 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20041104 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20041109 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050203 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050225 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050526 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050608 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20050701 |