JP3304857B2 - 放射線撮像装置 - Google Patents
放射線撮像装置Info
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医療用のＸ線画像
撮影装置等において使用される放射線撮像装置に関す
る。
撮影装置等において使用される放射線撮像装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、放射線撮像装置として固体撮像素
子（例えばＣＣＤ）の撮像面に放射線を可視光に変換す
る蛍光体を設けたセンサが開発され実用化されている。
子（例えばＣＣＤ）の撮像面に放射線を可視光に変換す
る蛍光体を設けたセンサが開発され実用化されている。
【０００３】また、ＣＣＤ上に、放射線を直接電気信号
に変換するＣｄＴｅやＧａＡｓの化合物半導体を設けた
放射線撮像素子が考えられている。化合物半導体は蛍光
体よりＸ線変換効率が高く高感度の放射線撮像素子が提
供される。その一例が特表平６−５０５８００号公報に
提案されている。
に変換するＣｄＴｅやＧａＡｓの化合物半導体を設けた
放射線撮像素子が考えられている。化合物半導体は蛍光
体よりＸ線変換効率が高く高感度の放射線撮像素子が提
供される。その一例が特表平６−５０５８００号公報に
提案されている。
【０００４】以下特表平６−５０５８００号公報に示さ
れた例について図４を参照しながら説明する。図４にお
いてＣＣＤ４０の各画素上にＣｄＴｅ４１が幾何的に分
割して設けられている。この例ではγ線４４が入射した
ＣｄＴｅ４１で発生し蓄積された電荷が、対応する位置
のＣＣＤ４０に供給され順次読み出される。そして適当
な周知の線形増幅器４２で増幅され、閾値計測器４３に
て各位置のγ線入射量が係数され画像化される。ＣｄＴ
ｅ４１の分割ピッチは例えば０．５〜１０ｍｍである。
れた例について図４を参照しながら説明する。図４にお
いてＣＣＤ４０の各画素上にＣｄＴｅ４１が幾何的に分
割して設けられている。この例ではγ線４４が入射した
ＣｄＴｅ４１で発生し蓄積された電荷が、対応する位置
のＣＣＤ４０に供給され順次読み出される。そして適当
な周知の線形増幅器４２で増幅され、閾値計測器４３に
て各位置のγ線入射量が係数され画像化される。ＣｄＴ
ｅ４１の分割ピッチは例えば０．５〜１０ｍｍである。
【０００５】しかしながらＣｄＴｅ４１は幾何的に分割
されている為に、製造上各画素のサイズを小さくして解
像度を向上することは困難である。この製造上の課題を
解決するために米国特許第５２４５１９１号公報に記載
されているようにＣｄＴｅを幾何学的に分割せずにＣｄ
Ｔｅの片方の面に１次元もしくは２次元に配列した分割
電極を設ける構成が考えられる。この構成について、図
５にＣＣＤの動作を示す模式図を示す。
されている為に、製造上各画素のサイズを小さくして解
像度を向上することは困難である。この製造上の課題を
解決するために米国特許第５２４５１９１号公報に記載
されているようにＣｄＴｅを幾何学的に分割せずにＣｄ
Ｔｅの片方の面に１次元もしくは２次元に配列した分割
電極を設ける構成が考えられる。この構成について、図
５にＣＣＤの動作を示す模式図を示す。
【０００６】図５において５１ａ、５１ｂ、５１ｃは光
電変換部、５２ａ、５２ｂ、５２ｃは光電変換部５１
ａ、５１ｂ、５１ｃに蓄積された信号電荷を読み出すゲ
ート、５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄは信号電荷を垂
直方向に転送する埋め込み型チャンネル構成の垂直転送
部、Ｖはパルス印加用電極である。また、５４は放射線
を信号電荷に変換するＣｄＴｅ、５５は共通電極、５６
ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄはＣｄＴｅ５４に設けられ
た分割電極、５７ａ、５７ｂ、５７ｃは接続線、５９は
接地線、６０は電荷、６１は電荷の流れを示す矢印であ
る。
電変換部、５２ａ、５２ｂ、５２ｃは光電変換部５１
ａ、５１ｂ、５１ｃに蓄積された信号電荷を読み出すゲ
ート、５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄは信号電荷を垂
直方向に転送する埋め込み型チャンネル構成の垂直転送
部、Ｖはパルス印加用電極である。また、５４は放射線
を信号電荷に変換するＣｄＴｅ、５５は共通電極、５６
ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄはＣｄＴｅ５４に設けられ
た分割電極、５７ａ、５７ｂ、５７ｃは接続線、５９は
接地線、６０は電荷、６１は電荷の流れを示す矢印であ
る。
【０００７】Ｘ線がＣｄＴｅ５４に入射するとＣｄＴｅ
５４に信号電荷が発生する。ＣｄＴｅ５４には接地線５
９と光電変換部５１ａ、５１ｂ、５１ｃの電位差により
電圧が印加されておりＣｄＴｅ５４に発生した電荷が接
続線５７ａ、５７ｂ、５７ｃを通って光電変換部５１
ａ、５１ｂ、５１ｃに蓄積される。
５４に信号電荷が発生する。ＣｄＴｅ５４には接地線５
９と光電変換部５１ａ、５１ｂ、５１ｃの電位差により
電圧が印加されておりＣｄＴｅ５４に発生した電荷が接
続線５７ａ、５７ｂ、５７ｃを通って光電変換部５１
ａ、５１ｂ、５１ｃに蓄積される。
【０００８】図６にパルス印加用電極に印加するパルス
φＶおよびＸ線照射の駆動パルス波形図を示す。まず時
刻ｔ＝ｔ１の時にパルスφＶ１がハイレベルになり光電
変換部５１ａ、５１ｂ、５１ｃに蓄積された信号電荷が
垂直転送部５３に読み出される。次にｔ＝ｔ２の時にパ
ルスφＶがミドルレベルになり、光電変換部５１ａ、５
１ｂ、５１ｃと垂直転送部５３ａ、５３ｂ、５３ｃとの
間のゲート５２ａ、５２ｂ、５２ｃが閉じる。時刻ｔ＝
ｔ３の時に転送期間になり、垂直方向に順次転送され
る。
φＶおよびＸ線照射の駆動パルス波形図を示す。まず時
刻ｔ＝ｔ１の時にパルスφＶ１がハイレベルになり光電
変換部５１ａ、５１ｂ、５１ｃに蓄積された信号電荷が
垂直転送部５３に読み出される。次にｔ＝ｔ２の時にパ
ルスφＶがミドルレベルになり、光電変換部５１ａ、５
１ｂ、５１ｃと垂直転送部５３ａ、５３ｂ、５３ｃとの
間のゲート５２ａ、５２ｂ、５２ｃが閉じる。時刻ｔ＝
ｔ３の時に転送期間になり、垂直方向に順次転送され
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記従来の放射
線撮像装置では、光電変換部５１ａ、５１ｂ、５１ｃに
蓄積された信号電荷の量によりＣｄＴｅ５４の分割電極
５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄの電位が変わるＸ線画
像撮影は被写体を透過したＸ線量の強弱により濃淡画像
を撮影するものであるから、ＣｄＴｅ５４の各ピクセル
にて発生する電荷量は異なりＣＣＤの光電変換部５１
ａ、５１ｂ、５１ｃに蓄積される電荷量が異なってく
る。従って撮影が進むにつれ各ピクセルの分割電極５６
ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄの電位が画素毎に異なって
くる。
線撮像装置では、光電変換部５１ａ、５１ｂ、５１ｃに
蓄積された信号電荷の量によりＣｄＴｅ５４の分割電極
５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄの電位が変わるＸ線画
像撮影は被写体を透過したＸ線量の強弱により濃淡画像
を撮影するものであるから、ＣｄＴｅ５４の各ピクセル
にて発生する電荷量は異なりＣＣＤの光電変換部５１
ａ、５１ｂ、５１ｃに蓄積される電荷量が異なってく
る。従って撮影が進むにつれ各ピクセルの分割電極５６
ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄの電位が画素毎に異なって
くる。
【００１０】例えば図５においては光電変換部５１ａ、
５１ｂにおける蓄積電荷量が多く、光電変換部５１ｃに
おける蓄積電荷量が少ない場合、分割電極５６ｂに相当
するピクセルにＸ線が入射し発生した電荷６０は矢印６
１に示すように、光電変換部５１ｃの蓄積電荷量が少な
く電位が高いことから隣の分割電極５６ｃに収集され
る。このように、信号電荷が位置的に相当する光電変換
部５１に蓄積されなくなり、ピクセル間のクロストーク
が大きくなる。よって正確な画像がとれなくなる。
５１ｂにおける蓄積電荷量が多く、光電変換部５１ｃに
おける蓄積電荷量が少ない場合、分割電極５６ｂに相当
するピクセルにＸ線が入射し発生した電荷６０は矢印６
１に示すように、光電変換部５１ｃの蓄積電荷量が少な
く電位が高いことから隣の分割電極５６ｃに収集され
る。このように、信号電荷が位置的に相当する光電変換
部５１に蓄積されなくなり、ピクセル間のクロストーク
が大きくなる。よって正確な画像がとれなくなる。
【００１１】本発明は上記従来の問題を解決するもの
で、ピクセル間のクロストークを抑制し解像度及び検出
効率の高い放射線撮像装置を提供することを目的とした
ものである。
で、ピクセル間のクロストークを抑制し解像度及び検出
効率の高い放射線撮像装置を提供することを目的とした
ものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の放射線撮像装置は、１次元もしくは２次元
に分割した電極が設けられるとともに、放射線の照射に
より電荷を発生する半導体基板と、前記半導体基板の電
極に対応して１次元もしくは２次元に配列された光電変
換部と光電変換された信号を転送する転送部と前記光電
変換部に蓄積された信号を前記転送部へ読み出すための
読み出しゲートとが備えられた固体撮像素子と、前記半
導体基板の分割された電極と前記固体撮像素子の光電変
換部とを電気的に接続する接続線とを備え、前記固体撮
像素子の前記読み出しゲートを前記放射線の照射中に開
放状態とするものである。
に、本発明の放射線撮像装置は、１次元もしくは２次元
に分割した電極が設けられるとともに、放射線の照射に
より電荷を発生する半導体基板と、前記半導体基板の電
極に対応して１次元もしくは２次元に配列された光電変
換部と光電変換された信号を転送する転送部と前記光電
変換部に蓄積された信号を前記転送部へ読み出すための
読み出しゲートとが備えられた固体撮像素子と、前記半
導体基板の分割された電極と前記固体撮像素子の光電変
換部とを電気的に接続する接続線とを備え、前記固体撮
像素子の前記読み出しゲートを前記放射線の照射中に開
放状態とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】上記の構成により、本発明の放射
線撮像装置では、Ｘ線照射時、つまり半導体基板から信
号電荷が光電変換部に蓄積される期間、読み取りゲート
が開かれているので光電変換部に電荷が蓄積されること
はなく半導体基板が一定の電位に保たれ、クロストーク
を大幅に改善できる。
線撮像装置では、Ｘ線照射時、つまり半導体基板から信
号電荷が光電変換部に蓄積される期間、読み取りゲート
が開かれているので光電変換部に電荷が蓄積されること
はなく半導体基板が一定の電位に保たれ、クロストーク
を大幅に改善できる。
【００１４】（実施の形態１）以下、本発明の第１の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１５】図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態に
おける放射線撮像装置においてゲートが開いた状態にお
ける動作を示す模式図であり、同（ｂ）は同装置のゲー
トが閉じた状態における動作を示す模式図である。図１
（ａ）、（ｂ）は複数ピクセルから構成される放射線撮
像装置の一部のピクセルを拡大したもので、１ａ、１
ｂ、１ｃ、１ｄは光電変換部、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ
は光電変換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄに蓄積された信号
電荷を読み出すゲート、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄは信号
電荷を垂直方向に転送する埋め込み型チャンネル構成の
垂直転送部、Ｖはパルス印加用電極でＳｉ基板４に設け
られている。５は放射線を信号電荷に変換するＣｄＴ
ｅ、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄはＣｄＴｅ５に設けられた
分割電極、７は共通電極、８はＣｄＴｅ５の分割電極６
と光電変換部３を電気的に接続する接続線、９は接地
線、１０は電荷、１１は電荷の流れを示す矢印である。
なお各番号につけられた添え字はピクセル番号を示す。
また、図２にパルス印加用電極に印加するパルスφＶお
よびＸ線照射の駆動パルス波形を示す。以下図１（ａ）
（ｂ）および図２を用いて本実施の形態の動作を説明す
る。
おける放射線撮像装置においてゲートが開いた状態にお
ける動作を示す模式図であり、同（ｂ）は同装置のゲー
トが閉じた状態における動作を示す模式図である。図１
（ａ）、（ｂ）は複数ピクセルから構成される放射線撮
像装置の一部のピクセルを拡大したもので、１ａ、１
ｂ、１ｃ、１ｄは光電変換部、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ
は光電変換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄに蓄積された信号
電荷を読み出すゲート、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄは信号
電荷を垂直方向に転送する埋め込み型チャンネル構成の
垂直転送部、Ｖはパルス印加用電極でＳｉ基板４に設け
られている。５は放射線を信号電荷に変換するＣｄＴ
ｅ、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄはＣｄＴｅ５に設けられた
分割電極、７は共通電極、８はＣｄＴｅ５の分割電極６
と光電変換部３を電気的に接続する接続線、９は接地
線、１０は電荷、１１は電荷の流れを示す矢印である。
なお各番号につけられた添え字はピクセル番号を示す。
また、図２にパルス印加用電極に印加するパルスφＶお
よびＸ線照射の駆動パルス波形を示す。以下図１（ａ）
（ｂ）および図２を用いて本実施の形態の動作を説明す
る。
【００１６】まず、ｔ＝ｔ１のときパルスＶがハイレベ
ルになり、光電変換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄと垂直転
送部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄをへだてるゲート２ａ、２
ｂ、２ｃ、２ｄが開く、次にｔ＝ｔ２の時にＸ線が照射
され、ＣｄＴｅ５に電荷１０が発生する。ＣｄＴｅ５に
は接地線９と光電変換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの電位
差により電界が加わっている。電荷１０が例えば分割電
極６ｂのピクセルにて発生すると矢印１１に示すように
電荷１０は接続線８ｂ、光電変換部１ｂを経て垂直転送
部３ｂに蓄積される。
ルになり、光電変換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄと垂直転
送部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄをへだてるゲート２ａ、２
ｂ、２ｃ、２ｄが開く、次にｔ＝ｔ２の時にＸ線が照射
され、ＣｄＴｅ５に電荷１０が発生する。ＣｄＴｅ５に
は接地線９と光電変換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの電位
差により電界が加わっている。電荷１０が例えば分割電
極６ｂのピクセルにて発生すると矢印１１に示すように
電荷１０は接続線８ｂ、光電変換部１ｂを経て垂直転送
部３ｂに蓄積される。
【００１７】このとき各分割電極６ａ〜６ｄは同一電位
にあるので電荷１０が別のピクセルの分割電極例えば６
ｃに収集されることはない。次にｔ＝ｔ３のときＸ線の
照射がストップされ、ｔ＝ｔ４のときパルスＶがミドル
レベルとなり図１（ｂ）に示すように光電変換部１ａ、
１ｂ、１ｃ、１ｄと垂直転送部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ
の間のゲート２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが閉じられる。次
いでｔ＝ｔ５のとき、パルスＶが転送期間になり、信号
電荷が一段ずつ転送される。さらに周知の手段により水
平転送され周知の出力手段により出力される。
にあるので電荷１０が別のピクセルの分割電極例えば６
ｃに収集されることはない。次にｔ＝ｔ３のときＸ線の
照射がストップされ、ｔ＝ｔ４のときパルスＶがミドル
レベルとなり図１（ｂ）に示すように光電変換部１ａ、
１ｂ、１ｃ、１ｄと垂直転送部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ
の間のゲート２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが閉じられる。次
いでｔ＝ｔ５のとき、パルスＶが転送期間になり、信号
電荷が一段ずつ転送される。さらに周知の手段により水
平転送され周知の出力手段により出力される。
【００１８】以上のように本実施の形態では、Ｘ線が照
射されＣｄＴｅ５に信号電荷１０が発生する期間ゲート
２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを常時開くことにより、光電変
換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの電位をＣｄＴｅ５の各ピ
クセルごとの発生電荷量に関係なく一定に保つことがで
きる。従ってＣｄＴｅ５に加わる電界も常に一定に保た
れ、各ピクセルにて発生した電荷は対応する垂直転送部
３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄに蓄積されるので隣接および周
囲ピクセルへの電荷のクロストークは抑制される。
射されＣｄＴｅ５に信号電荷１０が発生する期間ゲート
２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを常時開くことにより、光電変
換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの電位をＣｄＴｅ５の各ピ
クセルごとの発生電荷量に関係なく一定に保つことがで
きる。従ってＣｄＴｅ５に加わる電界も常に一定に保た
れ、各ピクセルにて発生した電荷は対応する垂直転送部
３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄに蓄積されるので隣接および周
囲ピクセルへの電荷のクロストークは抑制される。
【００１９】なお本実施の形態では、化合物半導体基板
をＣｄＴｅ５を用いて説明しているがＧａＡｓ，ＧａＡ
ｓ，ＨｇＩ2 ，ＰｂＳからなる他の化合物半導体でも良
い。
をＣｄＴｅ５を用いて説明しているがＧａＡｓ，ＧａＡ
ｓ，ＨｇＩ2 ，ＰｂＳからなる他の化合物半導体でも良
い。
【００２０】また本実施の形態ではＣｄＴｅ５の共通電
極７を直接接置したが電源を介して接地してもよい。
極７を直接接置したが電源を介して接地してもよい。
【００２１】この場合ＣｄＴｅ５に更に高い電界が加え
られ、発生電荷の収集効率が更に向上する。
られ、発生電荷の収集効率が更に向上する。
【００２２】また本実施の形態では２次元の放射線撮像
装置について説明したが、１次元の放射線撮像装置につ
いても水平転送が不要なだけで同様である。
装置について説明したが、１次元の放射線撮像装置につ
いても水平転送が不要なだけで同様である。
【００２３】また化合物半導体基板やＣＣＤの形状も図
面にはとらわれない。 （実施の形態２）以下、本発明の第２の実施の形態につ
いて説明する。なお、本実施の形態における構成は第１
の実施の形態と同様である。
面にはとらわれない。 （実施の形態２）以下、本発明の第２の実施の形態につ
いて説明する。なお、本実施の形態における構成は第１
の実施の形態と同様である。
【００２４】図３はこの第２の実施の形態における駆動
パルス波形図である。図３においてＶｏｕｔは放射線撮
像素子の出力信号、ｔｈは一水平期間を示す。以下図３
に従い本実施の形態について説明する。固体撮像素子で
は一水平期間中水平画素数の分だけ信号が転送されるで
出力信号Ｖｏｕｔの出力間隔は一水平期間ｔｈより相当
短い間隔になる。
パルス波形図である。図３においてＶｏｕｔは放射線撮
像素子の出力信号、ｔｈは一水平期間を示す。以下図３
に従い本実施の形態について説明する。固体撮像素子で
は一水平期間中水平画素数の分だけ信号が転送されるで
出力信号Ｖｏｕｔの出力間隔は一水平期間ｔｈより相当
短い間隔になる。
【００２５】ｔ＝ｔ１のときＸ線が放射線撮像素子に照
射される。出力信号Ｖｏｕｔの出力間隔は非常に短いの
で、Ｘ線照射とほぼ同時に信号出力Ｖｏｕｔが上昇す
る。信号出力Ｖｏｕｔが上昇を検知しパルスφＶをハイ
レベルにすると光電変換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄと垂
直転送部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄをへだてるゲート２
ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが開き、垂直転送部３ａ、３ｂ、
３ｃ、３ｄに電荷が蓄積される。
射される。出力信号Ｖｏｕｔの出力間隔は非常に短いの
で、Ｘ線照射とほぼ同時に信号出力Ｖｏｕｔが上昇す
る。信号出力Ｖｏｕｔが上昇を検知しパルスφＶをハイ
レベルにすると光電変換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄと垂
直転送部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄをへだてるゲート２
ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが開き、垂直転送部３ａ、３ｂ、
３ｃ、３ｄに電荷が蓄積される。
【００２６】ｔ＝ｔ２のときにＸ線の照射がストップさ
れ、ｔ＝ｔ３のときパルスＶがミドルレベルとなり、光
電変換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄと垂直転送部３ａ、３
ｂ、３ｃ、３ｄの間のゲート２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが
閉じられる。次いでｔ＝ｔ４のときパルスＶが転送期間
になり、信号電荷が一段ずつ転送される。さらに周知の
手段により水平転送され周知の出力手段により出力され
る。
れ、ｔ＝ｔ３のときパルスＶがミドルレベルとなり、光
電変換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄと垂直転送部３ａ、３
ｂ、３ｃ、３ｄの間のゲート２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが
閉じられる。次いでｔ＝ｔ４のときパルスＶが転送期間
になり、信号電荷が一段ずつ転送される。さらに周知の
手段により水平転送され周知の出力手段により出力され
る。
【００２７】この駆動方法によると実施の形態１と同様
に光電変換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの電位をＣｄＴｅ
５の各ピクセルごとの発生電荷量に関係なく一定に保つ
ことができる。従ってＣｄＴｅ５に加わる電界も常に一
定に保たれ、各ピクセルにて発生した電荷は対応する垂
直転送部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄに蓄積されるので隣接
および周囲ピクセルへの電荷のクロストークは抑制され
る。さらにＸ線の照射が自動的に検知されパルスＶがハ
イレベルになるのでＸ線管の動作と放射線撮像素子の動
作を簡単に同期できる。
に光電変換部１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの電位をＣｄＴｅ
５の各ピクセルごとの発生電荷量に関係なく一定に保つ
ことができる。従ってＣｄＴｅ５に加わる電界も常に一
定に保たれ、各ピクセルにて発生した電荷は対応する垂
直転送部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄに蓄積されるので隣接
および周囲ピクセルへの電荷のクロストークは抑制され
る。さらにＸ線の照射が自動的に検知されパルスＶがハ
イレベルになるのでＸ線管の動作と放射線撮像素子の動
作を簡単に同期できる。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の放射線撮像装置は放射線照射中は常に光電変換部と垂
直転送部を隔てる読み取りゲートを開くことによりクロ
ストークを抑制でき、精度の高い高解像度がおよび高感
度の放射線画像を提供できる。
の放射線撮像装置は放射線照射中は常に光電変換部と垂
直転送部を隔てる読み取りゲートを開くことによりクロ
ストークを抑制でき、精度の高い高解像度がおよび高感
度の放射線画像を提供できる。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態における放
射線撮像装置においてゲートが開いた状態における動作
を示す模式図同（ｂ）は同装置のゲートが閉じた状態に
おける動作を示す模式図
射線撮像装置においてゲートが開いた状態における動作
を示す模式図同（ｂ）は同装置のゲートが閉じた状態に
おける動作を示す模式図
【図２】同装置における駆動パルス波形を示す図
【図３】本発明の第２の実施の形態の放射線撮像装置に
おける駆動パルス波形を示す図
おける駆動パルス波形を示す図
【図４】従来の放射線撮像装置の動作を示す模式図
【図５】従来の放射線撮像装置の駆動パルス波形を示す
図
図
【図６】従来の放射線撮影装置の駆動パルス波形を示す
図
図
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ 光電変換部 ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ ゲート ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ 垂直転送部 ４ Ｓｉ基板 ５ ＣｄＴｅ（半導体基板） ６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ 分割電極 ８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ 接続線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 27/148 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｂ (72)発明者 山本 敏義 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 馬場 末喜 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 筒井 博司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 遊津 隆義 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−285128（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−322826（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−56767（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−72252（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−190826（ＪＰ，Ａ) 特表 平６−505800（ＪＰ，Ａ) 米国特許5245191（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01T 1/24 G01T 1/00 A61B 6/00 H01L 27/14 H01L 27/148 H04N 5/32
Claims (3)
- 【請求項１】 １次元もしくは２次元に分割した電極が
設けられるとともに放射線の照射により電荷を発生する
半導体基板と、前記半導体基板の電極に対応して１次元
もしくは２次元に配列された光電変換部と光電変換され
た信号を転送する転送部と前記光電変換部に蓄積された
信号を前記転送部へ読み出すための読み出しゲートとが
備えられた固体撮像素子と、前記半導体基板の分割され
た電極と前記固体撮像素子の光電変換部とを電気的に接
続する接続線とを備え、前記固体撮像素子の前記読み出
しゲートを前記放射線の照射中に開放状態とする放射線
撮像装置。 - 【請求項２】 半導体基板と固体撮像素子とからなる放
射線撮像素子の出力信号をモニタし、前記Ｘ線の照射に
より前記出力信号がＸ線を感知した時点から光電変換部
と転送部の間の読み出しゲートを常に開放状態とする請
求項１記載の放射線撮像装置。 - 【請求項３】 半導体基板がＣｄＴｅ、ＧａＡｓ，Ｈｇ
Ｉ2 ，ＰｂＳからなる化合物半導体群の１つであること
を特徴とする請求項１または２記載の放射線撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32575697A JP3304857B2 (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 放射線撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32575697A JP3304857B2 (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 放射線撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11160445A JPH11160445A (ja) | 1999-06-18 |
| JP3304857B2 true JP3304857B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=18180290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32575697A Expired - Fee Related JP3304857B2 (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 放射線撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3304857B2 (ja) |
-
1997
- 1997-11-27 JP JP32575697A patent/JP3304857B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11160445A (ja) | 1999-06-18 |
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