JP2003037036A - マスクとウエハの位置合わせ方法及び装置 - Google Patents

マスクとウエハの位置合わせ方法及び装置

Info

Publication number
JP2003037036A
JP2003037036A JP2001221270A JP2001221270A JP2003037036A JP 2003037036 A JP2003037036 A JP 2003037036A JP 2001221270 A JP2001221270 A JP 2001221270A JP 2001221270 A JP2001221270 A JP 2001221270A JP 2003037036 A JP2003037036 A JP 2003037036A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
mask
mark
measured
moving position
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001221270A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Higuchi
朗 樋口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RIIPURU KK
Reaple Inc
Original Assignee
RIIPURU KK
Reaple Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RIIPURU KK, Reaple Inc filed Critical RIIPURU KK
Priority to JP2001221270A priority Critical patent/JP2003037036A/ja
Publication of JP2003037036A publication Critical patent/JP2003037036A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】1つの顕微鏡撮像装置によってマスクとウエハ
との高精度の位置合わせを実現できるようにする。 【解決手段】ウエハにマスクを近接配置し、該マスクに
形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層
に転写する露光装置におけるマスクとウエハの位置合わ
せ方法。マスク及びウエハの面と直交する方向からマス
ク上のマスクマークM(MX 、MY )とウエハパレット
上のパレットマークMP(MPX 、MPY)とを2組の
結像光学系を有する顕微鏡撮像装置によって同時に撮像
し、これらのマーク間の二次元の位置ずれ量を測定す
る。そして、この測定した位置ずれ量に基づいてマスク
とウエハとを相対的に位置合わせする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はマスクとウエハの位
置合わせ方法及び装置に係り、特に半導体ウエハに近接
配置されたマスクのマスクパターンをウエハ上のレジス
ト層に等倍転写する露光装置におけるマスクとウエハの
位置合わせ方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の露光装置として、電子ビ
ーム近接露光装置が提案されている(米国特許第5,831,
272 号(日本特許第2951947 号に対応))。
【0003】図16は上記電子ビーム近接露光装置の基
本構成を示す図である。この電子ビーム近接露光装置1
0は、主として電子ビーム15を発生する電子ビーム源
14、電子ビーム15を平行ビームにするレンズ16及
び整形アパーチャ18を含む電子銃12と、主偏向器2
2、24及び副偏向器26、28を含み、電子ビームを
光軸に平行に走査する走査手段20と、マスク30とか
ら構成されている。
【0004】前記マスク30は、表面にレジスト層42
が形成されたウエハ40に近接するように(マスク30
とウエハ40との隙間が、例えば50μmとなるよう
に)配置される。この状態で、マスク30に垂直に電子
ビームを照射すると、マスク30のマスクパターンを通
過した電子ビームがウエハ40上のレジスト層42に照
射される。
【0005】また、走査手段20は、図17に示すよう
に電子ビーム15がマスク30の全面を走査するように
電子ビームを偏向制御する。これにより、マスク30の
マスクパターンがウエハ40上のレジスト層42に等倍
転写される。
【0006】この電子ビーム近接露光装置10は、図1
8に示すように真空チャンバ50内に設けられている。
また、真空チャンバ50内には、ウエハ40を吸着する
ために静電チャック60と、この静電チャック60に吸
着されたウエハ40を水平の直交2軸方向(X方向及び
Y方向)に移動させるとともに、水平面内で回転させる
ためのウエハステージ70が設けられている。ウエハス
テージ70は、マスクパターンの等倍転写が終了するご
とにウエハ40を所定量移動させ、これにより1枚のウ
エハ40に複数のマスクパターンが転写できるようにし
ている。尚、80は、マスク30をX方向及びY方向に
移動させることができるマスクステージである。
【0007】ところで、ウエハはそれぞれマスクパター
ンの異なる複数のマスクを用いて複数露光され、これに
より集積回路が形成される。そして、各マスクパターン
の露光時には、露光するマスクパターンが、既に露光済
みのマスクパターンと所定の位置関係になるようにマス
クとウエハとを相対的に位置合わせを行う必要がある。
【0008】一方、従来のマスクとウエハの位置合わせ
方法として、斜方検出法が知られている(特開平11−
243048号公報参照)。
【0009】斜方検出法は、撮影光軸がウエハに近接配
置されたマスク面に対して斜めになるように光学系を配
置し、ウエハに設けられた位置合わせ用のウエハマーク
と、マスクに設けられた位置合わせ用のマスクマークと
を同時に撮像し、その撮像した画像から各マーク間の位
置ずれを検出し、この位置ずれがゼロになるようにマス
クとウエハとを位置合わせするようにしている。
【0010】この斜方検出法は、露光を遮らないように
顕微鏡撮像装置を配置することができ、露光中に光学系
を退避させる必要がなく、露光中でも各マークを撮像す
ることができるという利点がある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の斜方検出法による位置合わせ方法は、1つの顕微鏡
撮像装置によってウエハマークとマスクマークとの一方
向(即ち、x方向及びy方向のうちの一方の方向)の位
置ずれ量しか測定することができず、その結果、複数の
顕微鏡撮像装置を配設しなけらばならないという問題が
ある。即ち、マスクとウエハとのX方向及びY方向の位
置合わせを行う場合には2つの顕微鏡撮像装置を配設し
なけらばならなず、またマスクとウエハとの回転方向の
位置決めも行う場合には3つの顕微鏡撮像装置を配設し
なければならないという問題がある。
【0012】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、1つの顕微鏡撮像装置によってマスクとウエハ
との高精度の位置合わせを実現することができるマスク
とウエハの位置合わせ方法及び装置を提供することを目
的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本願請求項1に係る発明は、ウエハにマスクを近接配
置し、該マスクに形成されたマスクパターンを前記ウエ
ハ上のレジスト層に転写する露光装置におけるマスクと
ウエハの位置合わせ方法において、前記マスクに設けら
れた位置合わせ用の第1のマークと、前記ウエハが搭載
されるパレット又は前記ウエハに設けられた位置合わせ
用の第2のマークとを各マークが設けられた面と直交す
る方向から同時に撮像するステップであって、前記第1
のマーク及び第2のマークにそれぞれピントを合わせる
ことが可能な2組の結像光学系を有する顕微鏡撮像装置
によって同時に撮像するステップと、前記顕微鏡撮像装
置から得られる前記第1のマーク及び第2のマークの画
像信号に基づいて前記第1のマークと第2のマークとの
相対的な位置ずれ量を測定するステップと、前記測定し
た位置ずれ量に基づいて前記マスクとウエハとを相対的
に位置合わせするステップと、を含むことを特徴として
いる。
【0014】即ち、前記顕微鏡撮像装置は、前記第1の
マーク及び第2のマークが設けられている面と直交する
方向から各マークを同時に撮像することができるととも
に、各マークにそれぞれピントが合った画像信号を得る
ことができる。そして、前記顕微鏡撮像装置から同時に
得られる第1のマーク及び第2のマークの画像信号に基
づいて前記第1のマークと第2のマークとの相対的な位
置ずれ量を測定するようにしている。即ち、各マークが
設けられている面と直交する方向から各マークを撮像す
ることにより、1つの顕微鏡撮像装置によって第1のマ
ークと第2のマークとの二次元の位置ずれ量を測定する
ことができる。また、顕微鏡撮像装置の基準位置(例え
ば、顕微鏡の十字マーク)を基準にして第1のマーク及
び第2のマークの位置を測定しておらず、前記顕微鏡撮
像装置から同時に得られる第1のマークと第2のマーク
との画像信号に基づいて各マーク間の相対的な位置ずれ
量を測定するようにしたため、顕微鏡撮像装置の基準位
置の変動に影響を受けない位置ずれ量の測定ができる。
【0015】本願請求項2に示すように前記顕微鏡撮像
装置は、前記露光装置におる露光領域外に固定され、前
記撮像するステップ時に前記顕微鏡撮像装置の視野内に
前記第1のマーク及び第2のマークを入れるべく前記マ
スク及びウエハを移動させることを特徴としている。
【0016】本願請求項3に示すように前記位置合わせ
ステップは、前記測定した位置ずれ量がゼロになるよう
に前記マスク及びウエハのうちの一方を移動させるステ
ップと、前記測定した位置ずれ量がゼロのときの前記マ
スク及びウエハの移動位置をそれぞれ測定するステップ
と、前記マスクを転写位置に移動させるステップと、前
記転写位置に移動した前記マスクの移動位置と、前記測
定したマスク及びウエハの移動位置とに基づいて転写時
における前記ウエハの各ダイの移動位置を求めるステッ
プと、前記求めた前記ウエハの各ダイの移動位置に基づ
いて前記ウエハを移動させるステップと、を有すること
を特徴としている。
【0017】即ち、露光領域外の位置でマスクとウエハ
との位置関係を予め測定しておき、その後、マスクを転
写位置に移動させると、その移動量に対応してウエハを
移動させることによりウエハを位置合わせするようにし
ている。
【0018】本願請求項4に示すように、前記第1のマ
ーク及び第2のマークはそれぞれ2以上設けられ、前記
第2のマークのうちの1つのマークを基準にして前記第
1のマークの各マークの位置ずれ量がゼロのときの前記
マスクの移動位置をそれぞれ測定し、これらのマスクの
移動位置に基づいて前記マスクの回転量を計算し、一
方、前記第1のマークのうちの1つのマークを基準にし
て前記第2のマークの各マークの位置ずれ量がゼロのと
きの前記ウエハの移動位置をそれぞれ測定し、これらの
ウエハの移動位置に基づいて前記ウエハの回転量を計算
し、前記ウエハの各ダイの移動位置を求めるステップ
は、前記転写位置に移動した前記マスクの移動位置と、
前記測定したマスク及びウエハの移動位置と、前記計算
したマスク及びウエハの回転量とに基づいて転写時にお
ける前記ウエハの各ダイを位置決めするためのウエハの
移動位置及び回転量を求めることを特徴としている。
【0019】即ち、第1のマークのうちの1つのマーク
を基準にして第2のマークの複数のマークの位置を測定
し、これらの測定した位置に基づいてウエハの回転量を
計算し、同様にして第2のマークのうちの1つのマーク
を基準にして第1のマークの複数のマークの位置を測定
し、これらの測定した位置に基づいてマスクの回転量を
計算する。このようにして求めたウエハの回転量及びマ
スクの回転量を考慮して、ウエハの各ダイを転写位置に
位置合わせする際に必要な各ダイの移動位置及びウエハ
の回転量を求めるようにしている。
【0020】本願請求項5に示すように前記位置合わせ
ステップは、前記位置ずれ量を測定したときの前記マス
ク及びウエハの移動位置をそれぞれ測定するステップ
と、前記マスクを転写位置に移動させるステップと、前
記転写位置に移動した前記マスクの移動位置と、前記測
定した位置ずれ量と、前記測定したマスク及びウエハの
移動位置とに基づいて転写時における前記ウエハの各ダ
イの移動位置を求めるステップと、前記求めた前記ウエ
ハの各ダイの移動位置に基づいて前記ウエハを移動させ
るステップと、を有することを特徴としている。
【0021】本願請求項6に示すように、前記第1のマ
ーク及び第2のマークはそれぞれ2以上設けられ、前記
第2のマークのうちの1つのマークを基準にして前記第
1のマークの各マークの位置ずれ量を測定するととも
に、該位置ずれ量の測定時の前記マスクの移動位置をそ
れぞれ測定し、これらの位置ずれ量及びマスクの移動位
置に基づいて前記マスクの回転量を計算し、一方、前記
第1のマークのうちの1つのマークを基準にして前記第
2のマークの各マークの位置ずれ量を測定するととも
に、該位置ずれ量の測定時の前記ウエハの移動位置をそ
れぞれ測定し、これらの位置ずれ量及びウエハの移動位
置に基づいて前記ウエハの回転量を計算し、前記ウエハ
の各ダイの移動位置を求めるステップは、前記転写位置
に移動した前記マスクの移動位置と、前記測定した位置
ずれ量と、前記測定したマスク及びウエハの移動位置
と、前記計算したマスク及びウエハの回転量に基づいて
転写時における前記ウエハの各ダイを位置決めするため
のウエハの移動位置及び回転量を求めることを特徴とし
ている。
【0022】上記請求項5及び6は、それぞれ請求項3
及び4に対応しているが、請求項3及び4では、第1の
マークと第2のマークとの位置ずれ量がゼロになるよう
にマスク又はウエハを移動させ、そのときのマスク及び
ウエハの移動位置を測定するようにしているのに対し、
請求項5乃至6では、第1のマークと第2のマークとの
位置ずれ量を測定するとともに、その位置ずれ量の測定
時のマスク及びウエハの移動位置を測定している点で異
なる。尚、このようにして測定した位置ずれ量と、マス
ク及びウエハの移動位置に基づいて第1のマークと第2
のマークとの位置ずれ量がゼロになるときのマスク及び
ウエハの移動位置を計算で求めることができる。
【0023】本願請求項7に示すように前記マスクは転
写位置に固定され、前記顕微鏡撮像装置は、転写時に前
記露光装置におる露光領域外に退避し、前記位置ずれ量
の測定時に前記マスクの第1のマークを視野内に入れる
べく移動することを特徴としている。
【0024】本願請求項8に示すように前記位置合わせ
ステップは、前記測定した位置ずれ量がゼロになるよう
に前記ウエハを移動させるステップと、前記測定した位
置ずれ量がゼロのときの前記ウエハの移動位置を測定す
るステップと、転写時に前記測定したウエハの移動位置
に基づいて前記ウエハの各ダイの移動位置を求めるステ
ップと、前記求めた前記ウエハの各ダイの移動位置に基
づいて前記ウエハを移動させるステップと、を有するこ
とを特徴としている。
【0025】即ち、顕微鏡撮像装置を移動させて前記マ
スクの第1のマークとウエハの第2のマークとを視野内
に入れ、ここでマスクとウエハとの位置関係を予め測定
しておき、その後、転写時には顕微鏡撮像装置を退避さ
せるとともに、前記測定したマスクとウエハとの位置関
係に基づいてウエハの各ダイの位置合わせを行うように
している。
【0026】本願請求項9に示すように、前記第1のマ
ーク及び第2のマークはそれぞれ2以上設けられ、前記
第2のマークのうちの1つのマークを基準にして前記第
1のマークの各マークの位置ずれ量がゼロのときの前記
ウエハの移動位置をそれぞれ測定し、これらのウエハの
移動位置に基づいて前記マスクの回転量を計算し、一
方、前記第1のマークのうちの1つのマークを基準にし
て前記第2のマークの各マークの位置ずれ量がゼロのと
きの前記ウエハの移動位置をそれぞれ測定し、これらの
ウエハの移動位置に基づいて前記ウエハの回転量を計算
し、前記ウエハの各ダイの移動位置を求めるステップ
は、前記測定したウエハの移動位置と、前記計算したマ
スク及びウエハの回転量とに基づいて転写時における前
記ウエハの各ダイを位置決めするためのウエハの移動位
置及び回転量を求めることを特徴としている。
【0027】即ち、第2のマークのうちの1つのマーク
を基準にして第1のマークの複数のマークの位置を測定
し、これらの測定した位置に基づいてマスクの回転量を
計算し、同様にして第1のマークのうちの1つのマーク
を基準にして第2のマークの複数のマークの位置を測定
し、これらの測定した位置に基づいてウエハの回転量を
計算する。このようにして求めたマスクの回転量及びウ
エハの回転量を考慮して、ウエハの各ダイを転写位置に
位置合わせする際に必要な各ダイの移動位置及びウエハ
の回転量を求めるようにしている。
【0028】本願請求項10に示すように前記位置合わ
せステップは、前記測定した位置ずれ量を測定したとき
の前記ウエハの移動位置を測定するステップと、転写時
に前記測定した位置ずれ量とウエハの移動位置とに基づ
いて前記ウエハの各ダイの移動位置を求めるステップ
と、前記求めた前記ウエハの各ダイの移動位置に基づい
て前記ウエハを移動させるステップと、を有することを
特徴としている。
【0029】本願請求項11に示すように、前記第1の
マーク及び第2のマークはそれぞれ2以上設けられ、前
記第2のマークのうちの1つのマークを基準にして前記
第1のマークの各マークの位置ずれ量を測定するととも
に、該位置ずれ量の測定時の前記ウエハの移動位置をそ
れぞれ測定し、これらの位置ずれ量及びウエハの移動位
置に基づいて前記マスクの回転量を計算し、一方、前記
第1のマークのうちの1つのマークを基準にして前記第
2のマークの各マークの位置ずれ量を測定するととも
に、該位置ずれ量の測定時の前記ウエハの移動位置をそ
れぞれ測定し、これらの位置ずれ量及びウエハの移動位
置に基づいて前記ウエハの回転量を計算し、前記ウエハ
の各ダイの移動位置を求めるステップは、前記測定した
位置ずれ量と、前記測定したウエハの移動位置と、前記
計算したマスク及びウエハの回転量とに基づいて転写時
における前記ウエハの各ダイを位置決めするためのウエ
ハの移動位置及び回転量を求めることを特徴としてい
る。
【0030】上記請求項10及び11は、それぞれ請求
項8及び9に対応しているが、請求項8及び9では、第
1のマークと第2のマークとの位置ずれ量がゼロになる
ようにウエハを移動させ、そのときのウエハの移動位置
を測定するようにしているのに対し、請求項10乃至1
1では、第1のマークと第2のマークとの位置ずれ量を
測定するとともに、その位置ずれ量の測定時のウエハの
移動位置を測定している点で異なる。尚、このようにし
て測定した位置ずれ量及びウエハの移動位置に基づいて
第1のマークと第2のマークとの位置ずれ量がゼロにな
るときのウエハの移動位置を計算で求めることができ
る。
【0031】本願請求項12に示すように、前記マスク
に設けられた第1のマークは、前記マスクのX方向の位
置を検出するための第1のマスクマークと、前記マスク
のY方向の位置を検出するための第2のマスクマークと
からなり、これらの第1のマスクマーク及び第2のマス
クマークは、それぞれ四角形の隣接する二辺の位置に配
置され、前記ウエハが搭載されるパレット又は前記ウエ
ハに設けられた第2のマークは、前記パレット又はウエ
ハのX方向の位置を検出するための第1のウエハマーク
と、前記パレット又はウエハのY方向の位置を検出する
ための第2のウエハマークとからなり、これらの第1の
ウエハマーク及び第2のウエハマークは、それぞれ四角
形の隣接する二辺の位置の配置され、かつ前記顕微鏡撮
像装置の視野内に前記第1のマーク及び第2のマークが
入っているときに、前記第1のマスクマーク及び第2の
マスクマークと対向する位置に配置されることを特徴と
している。
【0032】上記の形状の第1のマークと第2のマーク
は、顕微鏡撮像装置の撮影倍率が変動しても各マークが
示す二次元上の位置の変化量が極めて少ない。また、顕
微鏡撮像装置の視野内で第1のマークと第2のマークと
が重なることがなく、各マークをそれぞれ分離してマー
ク位置を測定するための画像処理が可能である。
【0033】本願請求項13に係る発明は、ウエハにマ
スクを近接配置し、該マスクに形成されたマスクパター
ンを前記ウエハ上のレジスト層に転写する露光装置にお
けるマスクとウエハの位置合わせ装置において、前記マ
スクに設けられた位置合わせ用の第1のマークと、前記
ウエハが搭載されるパレット又は前記ウエハに設けられ
た位置合わせ用の第2のマークとを各マークが設けられ
た面と直交する方向から同時に撮像する顕微鏡撮像装置
であって、前記第1のマーク及び第2のマークにそれぞ
れピントを合わせることが可能な2組の結像光学系を有
する顕微鏡撮像装置と、前記顕微鏡撮像装置から得られ
る前記第1のマーク及び第2のマークの画像信号に基づ
いて前記第1のマークと第2のマークとの相対的な位置
ずれ量を測定する位置ずれ量測定手段と、前記測定した
位置ずれ量に基づいて前記位置ずれ量がゼロになるよう
に前記マスクとウエハとを相対的に位置合わせする手段
と、を備えたことを特徴としている。
【0034】本願請求項14に示すように前記顕微鏡撮
像装置は、第1の撮像素子と、第2の撮像素子と、第1
対物レンズと、前記第1のマークを前記第1対物レンズ
を介して前記第1の撮像素子に結像させるための第2対
物レンズと、前記第2のマークを前記第1対物レンズを
介して前記第2の撮像素子に結像させるための第3対物
レンズと、前記第1対物レンズ、第2対物レンズ及び第
3対物レンズのうちの少なくとも2つを独立に移動させ
るピント調整手段と、前記第1対物レンズを介して照明
光を出射する照明手段とを有することを特徴としてい
る。
【0035】前記顕微鏡撮像装置は、近接配置されるマ
スクとウエハとの間隔等を変更しても前記ピント調整手
段によって前記第1のマーク及び第2のマークにそれぞ
れピントを合わせることができ、前記第1のマークと第
2のマークとの相対的な位置ずれ量を精度よく測定する
ことができる。
【0036】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るマスクとウエハの位置合わせ方法及び装置の好ましい
実施の形態について説明する。
【0037】図1は本発明に係るマスクとウエハの位置
合わせ装置の第1の実施の形態のアライメント機構系を
含む電子ビーム近接露光装置の要部縦断面図であり、図
2は図1に示した電子ビーム近接露光装置の要部上面図
である。尚、電子ビーム近接露光装置としての主要な構
成は、図16乃至図18に示したものと同様のため、そ
の詳細な説明は省略する。
【0038】図1及び図2に示すように、この電子ビー
ム近接露光装置には、1つのアライメントユニット(顕
微鏡撮像装置)100が、真空チャンバ50内のフレー
ム52に固定されている。この顕微鏡撮像装置100
は、電子ビーム近接露光装置による転写時に邪魔になら
ない露光領域外に固定されている。尚、図2上で102
は電子光学鏡筒である。
【0039】また、顕微鏡撮像装置100の照明手段を
構成するランプハウス110は、真空チャンバ50の外
側に配設され、このランプハウス110から出射される
照明光は、光ファイバ111、照明用の光学系112、
及び真空チャンバ50の天板に設けられた窓54を介し
て顕微鏡撮像装置100内に導かれるようになってい
る。
【0040】マスク32が取り付けられているマスクス
テージ80は、X方向及びY方向に移動できるようにな
っている。
【0041】図3はマスク32の平面図である。このマ
スク32は、8インチマスクであり、4種類のマスクパ
ターンP1〜P4が形成されている。また、各マスクパ
ターンの左右の位置には、位置合わせ用のマスクマーク
が形成されており、各マスクパターンとマスクマークと
は一定の関係をもって形成されている。尚、図3上で、
M1、M2は、マスクパターンP1の左右の位置に形成
されたマスクマークを示している。
【0042】顕微鏡撮像装置100によってマスクマー
クM1を観察する場合には、このマスクマークM1が顕
微鏡撮像装置100の視野Vに入るようにマスクステー
ジ80を移動させる。尚、このマスクステージ80の位
置(x,y)は、レーザ干渉計LXM, YM(図7参照)
によって測定できるようになっている。
【0043】一方、ウエハ40は、図4に示すようにウ
エハパレット44上に図示しない電磁チャックによって
吸着固定される。このウエハパレット44は、図18に
示したウエハステージ70の電磁チャック60上に搭載
され固定される。尚、図18は、ウエハパレット44を
使用せずに、ウエハ40が直接電磁チャック60上に搭
載されている場合に関して示している。
【0044】ウエハパレット44は、図4に示すように
パレットマークWP1,WP2が設けられている。これ
らのパレットマークWP1,WP2は、ウエハ40の上
面と面一の位置にマークが形成されている。
【0045】また、ウエハ40には、各種のマスクパタ
ーンの転写等によって複数のダイDが形成されるが、こ
れらのダイDの位置合わせ用のダイマークDMがウエハ
40上に形成されている。尚、パレットマークWP1,
WP2と、各ダイマークDMとの位置関係は、ウエハ4
0をウエハパレット44に搭載した後、別途測定されデ
ータとして保存されている。従って、ウエハステージ7
0上でのパレットマークWP1,WP2の位置が検知で
きれば、各ダイマークDMの位置は前記パレットマーク
WP1,WP2と各ダイマークDMとの位置関係から計
算で求めることができる。尚、ウエハステージ70の位
置(X,Y)は、レーザ干渉計LXW, YW(図7参照)
によって測定できるようになっている。
【0046】図1及び図2に示した顕微鏡撮像装置10
0は、マスク32のマスクマークM1又はM2と、パレ
ットマークWP1又はWP2とを同時に観察し、各マー
ク間の位置ずれ量を測定するもので、マスク面及びウエ
ハパレット面(ウエハ面)と直交する方向から同時に撮
像するとともに、高さ(Z方向の位置)が異なる各マー
クに同時にピントを合わせることが可能な2組の結像光
学系を有している。
【0047】図5は上記顕微鏡撮像装置100の詳細を
示す光学部品配置図である。
【0048】同図に示すように顕微鏡撮像装置100の
結像光学系は、対物レンズ120を共通にして3つの光
路に分岐している。即ち、顕微鏡撮像装置100は、マ
スクマークを固体撮像素子(CCD)130に結像させ
るマスクマーク撮像用光学系と、パレットマークをCC
D131に結像させるパレットマーク撮像用光学系と、
マスクマークをCCD132に結像させるオートフォー
カス用光学系とを有している。
【0049】前記マスクマーク撮像用光学系は、対物レ
ンズ120、ハーフミラー121、122、及びマスク
マーク結像用対物レンズ123から構成され、パレット
マーク撮像用光学系は、対物レンズ120、ハーフミラ
ー121、122、124及びパレットマーク結像用対
物レンズ125から構成され、オートフォーカス用光学
系は、対物レンズ120、ハーフミラー121、12
2、124及びフォーカス用レンズ126から構成され
ている。
【0050】また、顕微鏡撮像装置100は、対物レン
ズ120、ハーフミラー121、全反射ミラー127、
レンズ128、及び光学系112、光ファイバ111か
らなる照明用光学系と、この明用光学系を介して照明光
を出射するランプハウス110とからなる照明手段を有
している。尚、照明光学系内の光学系112は、NA可
変絞り112A、レンズ112B、及び視野可変絞り1
12Cから構成されている。
【0051】また、対物レンズ120及びパレットマー
ク結像用対物レンズ125は、それぞれ光軸方向に微小
量移動できるようになっており、対物レンズ120を例
えばピエゾ素子によって移動させることによってマスク
マークがCCD130に結像するようにピント調整が行
われ、パレットマーク結像用対物レンズ125を移動さ
せることによってパレットマークがCCD131に結像
するようにピント調整が行われる。
【0052】即ち、対物レンズ120は、オートフォー
カス用光学系を介してマスクマークを撮像するCCD1
32の出力信号のコントラストが最大になるように自動
的にレンズ位置が制御される。ここで、オートフォーカ
ス用光学系及びマスクマーク撮像用光学系は、マスクマ
ークがCCD132に結像されるときにCCD130に
も結像されるように予め調整されている。従って、CC
D132にマスクマークが結像するように対物レンズ1
20を移動させることにより、CCD130にマスクマ
ークを結像させることができる。尚、オートフォーカス
用光学系は、ピント調整が容易にできるようにマスクマ
ーク撮像用光学系よりも撮影倍率が低くなっている。
【0053】また、CCD131は、マスク40から例
えば50μm下側に配置されるウエハ(パレットマー
ク)が結像するようにパレットマーク結像用対物レンズ
125の位置が調整されているが、マスクとウエハとの
隙間が変更される場合にもパレットマークが結像できる
ように、パレットマーク結像用対物レンズ125は、例
えば超音波モータなどによって光軸方向に微小量移動で
きるようになっている。
【0054】尚、この実施の形態では、対物レンズ12
0とパレットマーク結像用対物レンズ125とがそれぞ
れピント調整用に光軸方向に移動できるようになってい
るが、これに限らず、対物レンズ120、マスクマーク
結像用対物レンズ123及びパレットマーク結像用対物
レンズ125のうちの少なくとも2つが光軸方向に移動
できるように構成すれば、マスクマーク及びパレットマ
ークにそれぞれピントを合わせることができる。また、
この顕微鏡撮像装置100は、瞳位置に図示しない位相
差板が着脱できるようになっており、位相差顕微鏡とし
ての機能を備えている。更に、この顕微鏡撮像装置10
0に適用される照明手段は、落射照明又は臨界照明に手
動で切り替えられるように構成されている。
【0055】また、この実施の形態では、マスクマーク
とパレットマークとがそれぞれ結像される2つのCCD
(CCD130、131)を設けるようにしているが、
2組の結像光学系の光路をミラーやハーフミラーを介し
て合流させ、マスクマークとパレットマークとを1つの
CCDに結像させるようにしてもよい。
【0056】図6はマスクマークとパレットマークとを
1つのCCDに結像させる顕微鏡撮像装置100’の光
学部品配置図である。尚、図5と共通する部分には同一
の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【0057】図6に示すように、この顕微鏡撮像装置1
00’のマスクマーク撮像用光学系は、対物レンズ12
0、ハーフミラー140、141、反射ミラー143、
マスクマーク結像用対物レンズ123、及びハーフミラ
ー144から構成され、パレットマーク撮像用光学系
は、対物レンズ120、ハーフミラー140、141、
パレットマーク結像用対物レンズ125、ハーフミラー
142、及び144から構成されている。また、オート
フォーカス用光学系は、対物レンズ120、ハーフミラ
ー140、141、パレットマーク結像用対物レンズ1
25、ハーフミラー142、及びフォーカス用レンズ1
26から構成されている。
【0058】上記構成のマスクマーク撮像用光学系及び
パレットマーク撮像用光学系は、同一のアライメント用
CCD145にマスクマークとパレットマークとを同時
に結像させることができる。
【0059】次に、マスクマークとパレットマークとの
位置ずれ量の検出方法について説明する。
【0060】図7は顕微鏡撮像装置100の視野V内に
マスクマークMと、パレットマークWPとを入れた場合
に関して示している。マスクマークMは、マスクのX方
向の位置を検出するための5×2個の開口からなるマス
クマークMX と、マスクのY方向の位置を検出するため
の5×2個の開口からなるマスクマークMY とから構成
されており、パレットマークWPは、ウエハパレットの
X方向の位置を検出するための5本の凸部(又は凹部)
からなるパレットマークWPX と、ウエハパレットのY
方向の位置を検出するための5本の凸部(又は凹部)か
らなるパレットマークWPY とから構成されている。
【0061】また、マスク32には、マスク32の下方
に位置するパレットマークWPを観察するためのL字状
の開口33が形成されている。この開口33により、パ
レットマークWPでの散乱光による像は、マスク32に
よって減衰することなく撮像されるため、パレットマー
クWPの像と背景とのコントラストが低下することがな
い。
【0062】マスクマークMとパレットマークWPとの
位置ずれ量を求める場合には、マスクマークMが結像さ
れるCCD130から得られる画像信号を信号処理し、
マスクマークMX の中心位置とマスクマークMY の中心
位置をそれぞれ求める。同様にしてパレットマークWP
が結像されるCCD131から得られる画像信号を信号
処理し、パレットマークWPX の中心位置とパレットマ
ークWPY の中心位置をそれぞれ求める。
【0063】上記のようにして求めたマスクマークMの
中心位置を示すCCD130上の画素位置と、パレット
マークWPの中心位置を示すCCD131上の画素位置
との画素位置の差分に基づいてマスクマークMとパレッ
トマークWPとの位置ずれ量を測定する。そして、測定
した位置ずれ量がゼロになるように、ウエハステージ7
0又はマスクステージ80を移動させ、マスクマークM
が示す位置とパレットマークWPが示す位置とを一致さ
せる。尚、図7は、マスクマークMが示す位置とパレッ
トマークWPが示す位置とが一致している場合に関して
示している。また、顕微鏡撮像装置100の対物レンズ
120が微小量移動すると、撮影倍率が変動するが、図
7に示す形状のマスクマークMが示す位置及びパレット
マークWPが示す位置は、顕微鏡撮像装置100の撮影
倍率が変動しても変化量が極めて少ない。
【0064】図8は電子ビーム近接露光装置の制御部の
実施の形態を示すブロック図である。
【0065】同図において、中央処理装置(CPU)2
00は、装置全体を統括制御するもので、マスクとウエ
ハとの位置合わせ時の処理、露光時の電子ビームの偏向
制御等を行う。顕微鏡撮像装置100での撮像によって
得られたマスクマークM及びパレットマークWPを示す
各画像信号は、信号処理回路202に加えられる。信号
処理回路202は、入力した各画像信号に基づいてマス
クマークMとパレットマークWPとの位置ずれ量を算出
する。
【0066】CPU200は、信号処理回路202から
入力する位置ずれ量がゼロになるようにステージ駆動回
路204を介してウエハステージ70を移動させ、又は
ステージ駆動回路206を介してマスクステージ80を
移動させる。
【0067】また、CPU200は、マスクマークMと
パレットマークWPとが一致したときのウエハステージ
70のX方向及びY方向の位置(X,Y)をレーザ干渉
計L XW、LYWから取り込み、同様にマスクステージ80
のX方向及びY方向の位置(x,y)をレーザ干渉計L
XM、LYMから取り込み、メモリ203に記憶させる。ま
た、メモリ203には、図4で説明したようにパレット
マークWP1,WP2と、各ダイマークDMとの位置関
係を示すデータが保存されている。尚、メモリ203に
記憶したウエハステージ70やマスクステージ80の位
置等に基づくマスクとウエハとの位置合わせ制御の詳細
については後述する。
【0068】更に、CPU200は、マスクを走査する
際の偏向量データとともにマスクの歪みに応じた補正デ
ータをデジタル演算回路205に供給し、デジタル演算
回路205は偏向量データに基づいてマスクを走査する
ためのデジタル信号を主DAC/AMP208に出力
し、補正データに基づいてマスクの歪みを補正するため
のデジタル信号を副DAC/AMP210に出力する。
【0069】主DAC/AMP208は、入力したデジ
タル信号をアナログ信号に変換したのち増幅し、これを
図16に示す主偏向器22、24に出力する。これによ
り、電子ビーム15は、光軸と平行な状態を維持したま
ま、図17に示すようにマスクの全面を走査するように
偏向される。また、副DAC/AMP210は、入力し
たデジタル信号をアナログ信号に変換したのち増幅し、
これを図16に示す副偏向器26、28に出力する。こ
れにより、電子ビーム15のマスクへの入射角度が制御
され、マスクが歪んでいてもマスクパターンを正規の位
置に転写できるようにしている。
【0070】図9は本発明に係るマスクとウエハの位置
合わせ方法を含む電子ビーム近接露光方法の動作手順を
示すフローチャートである。
【0071】まず、マスク32をマスクステージ80に
ロードし、マスクマークM1が顕微鏡撮像装置100の
視野に入るようにマスクステージ80を移動させる(ス
テップS10)。同様にしてウエハパレット44をウエ
ハステージ70にロードし、パレットマークWP1が顕
微鏡撮像装置100の視野に入るようにウエハステージ
70を移動させる(ステップS12)。
【0072】顕微鏡撮像装置100は、視野内のマスク
マークM1及びパレットマークWP1にそれぞれピント
が合うように図5で説明したように対物レンズ120や
パレットマーク結像用対物レンズ125を移動させる
(ステップS14)。
【0073】続いて、パレットマークWP1を基準にし
てマスクマークM1、M2を測定し、その測定結果に基
づいてマスク32の回転量θM を計算する(ステップS
16)。
【0074】図10は上記ステップS16の詳細を示す
フローチャートである。
【0075】同図に示すように顕微鏡撮像装置100の
視野内のパレットマークWP1とマスクマークM1との
位置ずれ量を顕微鏡撮像装置100から得られる画像信
号を処理することによって測定する(ステップS16
A)。この測定した位置ずれ量がゼロか否かを判別し
(ステップS16B)、位置ずれ量≠0の場合には、位
置ずれ量がゼロに近づく方向にマスクステージ80を移
動させ(ステップS16C)、ステップS16Aで再び
パレットマークWP1とマスクマークM1との位置ずれ
量を測定する。そして、位置ずれ量=0になるまでステ
ップS16A、S16B、S16Cの処理を繰り返す。
【0076】ステップS16Cで位置ずれ量=0と判別
されると、そのときのマスクステージ80の移動位置
(x1,1 )をレーザ干渉計LXM、LYMから読み取って
メモリ203に記憶させるとともに、ウエハステージ7
0の移動位置(X1,1 )をレーザ干渉計LXW、LYW
ら読み取ってメモリ203に記憶させる(ステップS1
6D)。
【0077】次に、マスク32のマスクマークM2が顕
微鏡撮像装置100の視野に入るようにマスクステージ
80を移動させ、上記と同様にしてパレットマークWP
1とマスクマークM2との位置ずれ量がゼロになるよう
にマスクステージ80を移動させる(ステップS16
E、S16F、S16G)。そして、ステップS16F
で位置ずれ量=0と判別されたときのマスクステージ8
0の移動位置(x2,2)をレーザ干渉計LXM、LYM
ら読み取ってメモリ203に記憶させる(ステップS1
6H)。
【0078】上記のようにして測定されたマスクマーク
M1、M2がそれぞれパレットマークWP1と一致した
ときのマスクステージ80の位置(x1,1 )、(x2,
2)からマスク32の回転量θM を計算する(ステッ
プS16I)。
【0079】図9に戻って、ステップS18では、マス
クマークM2を基準にしてパレットマークWP1、WP
2を測定し、その測定結果に基づいてウエハパレット4
4の回転量θP を計算する。
【0080】図11は上記ステップS18の詳細を示す
フローチャートである。
【0081】前記ステップS16の処理が終了した時点
では、パレットマークWP1とマスクマークM2とが一
致している状態にあり、また、このときのウエハステー
ジ70の位置(X1,1 )及びマスクステージ80の位
置(x2,2 )は測定済みである。
【0082】図11のステップS18Aでは、ウエハパ
レット44のパレットマークWP2が顕微鏡撮像装置1
00の視野に入るようにウエハステージ70を移動さ
せ、顕微鏡撮像装置100の視野内のマスクマークM2
とパレットマークWP2との位置ずれ量を顕微鏡撮像装
置100から得られる画像信号を処理することによって
測定する。この測定した位置ずれ量がゼロか否かを判別
し(ステップS18B)、位置ずれ量≠0の場合には、
位置ずれ量がゼロに近づく方向にウエハステージ70を
移動させ(ステップS18C)、ステップS18Aで再
びマスクマークM2とパレットマークWP2との位置ず
れ量を測定する。そして、位置ずれ量=0になるまでス
テップS18A、S18B、S18Cの処理を繰り返
す。
【0083】ステップS18Bで位置ずれ量=0と判別
されると、そのときのウエハステージ70の移動位置
(X2,2 )をレーザ干渉計LXM、LYMから読み取って
メモリ203に記憶させる(ステップS18D)。
【0084】上記のようにして測定されたパレットマー
クWP1、WP2がそれぞれマスクマークM2と一致し
たときのウエハステージ70の位置(X1,1 )、(X
2, 2 )からウエハパレット44の回転量θP を計算す
る(ステップS18E)。尚、ウエハステージ70の位
置(X1,1 )は、図10のステップS16Dで既に測
定されている。
【0085】図9に戻って、ステップS20では、マス
クステージ80を駆動してマスク32を転写位置に移動
させ、そのときのマスクステージ80の位置(x
0,0 )をレーザ干渉計LXM、LYMから読み取る(ステ
ップS20)。
【0086】次に、転写位置に移動したマスク32に対
してウエハ40の各ダイDを位置合わせするための各ダ
イDの位置(ウエハステージ70の位置(X,Y)とウ
エハステージ70の回転量θ)を計算する(ステップS
22)。
【0087】例えば、転写位置のマスク32のマスクマ
ークM1に、パレットマークWP1を一致させるための
ウエハステージ70の移動位置(X,Y)は、次式、
【0088】
【数1】X=X1 +(x0 −x1 ) Y=Y1 +(y0 −y1 ) …(1) で表すことができる。
【0089】但し、転写位置のマスク32に対してウエ
ハ40の各ダイDを位置合わせする必要があるため、図
4で説明したように予め測定されているパレットマーク
WP1と各ダイマークDMとの位置関係を示すデータと
前記式(1)で得られる位置データとに基づいて、転写
位置のマスク32に対してウエハ40の各ダイDを位置
合わせするためのウエハステージ70の位置(X,Y)
を求める。
【0090】また、マスク32の回転量θM 及びウエハ
パレット44の回転量θP がともにゼロの場合には、上
記のようにして求めたウエハステージ70の位置(X,
Y)を使用してウエハ40の各ダイDを位置合わせをす
ることができるが、マスク32やウエハパレット44が
回転して各ステージに取り付けられている場合には、ス
テップS16で求めたマスク32の回転量θM 、及びス
テップS18で求めたウエハパレット44の回転量θP
に基づいてウエハステージ70を回転させる。
【0091】このときのウエハステージ70の回転量を
θとすると、回転量θは、次式、
【0092】
【数2】θ=θM −θP …(2) で表すことができる。
【0093】また、ウエハパレット44の回転量θP
上記ウエハステージ70の回転量θによってウエハパレ
ット44のXY平面上での回転量を求めることができ
る。このウエハパレット44のXY平面上の回転量と、
ウエハステージ70の回転中心とに基づいてウエハ32
の各ダイDのダイマークDMの変位量(ウエハパレット
44がXY平面上で回転していない場合を基準にした変
位量)を求め、この変位量によって前記ウエハ40の各
ダイDを位置合わせするためのウエハステージ70の位
置(X,Y)を修正する。
【0094】上記のようにして計算した転写位置に移動
したマスク32に対してウエハ40の各ダイDを位置合
わせするための各ダイDの位置(ウエハステージ70の
位置(X,Y)とウエハステージ70の回転量θ)に基
づいてウエハステージ70を移動させるとともに、ウエ
ハステージ70を回転させる(ステップS24)。
【0095】次に、電子ビームによってマスク32に形
成されたマスクパターンをウエハに転写する(ステップ
S26)。続いて、全てのダイの転写が終了したか否か
を判別し(ステップS28)、終了していない場合には
ステップS24に戻って他のダイの位置合わせを行い、
再びマスクパターンの転写を行う。このようにして全て
のダイの転写が終了すると、ウエハをアンロードして終
了する。
【0096】図12は本発明に係るマスクとウエハの位
置合わせ装置の第2の実施の形態のアライメント機構系
を含む電子ビーム近接露光装置の要部縦断面図であり、
図13は図12に示した電子ビーム近接露光装置の要部
上面図である。尚、図1及び図2に示した第1の実施の
形態と共通する部分には同一の符号を付し、その詳細な
説明は省略する。
【0097】第1の実施の形態では、露光領域外に固定
されている顕微鏡撮像装置100の視野にマスクマーク
Mが入るようにマスク32が移動できるようになってい
るのに対し、第2の実施の形態では、マスクステージ8
2に取り付けられたマスク32は移動せず、顕微鏡撮像
装置150が顕微鏡ステージ84によってX方向及びY
方向に移動できるようになっている。
【0098】尚、顕微鏡撮像装置150には、ランプハ
ウス110から光ファイバ111、光学系112、及び
真空チャンバ50の天板に設けられた窓54、及び光フ
ァイバ113を介して照明光が導かれるようになってい
る。また、この顕微鏡撮像装置150は、電子光学鏡筒
102とマスク32との間に顕微鏡先端の対物レンズ等
が挿入できるように構成されているが、他の内部構成
は、図5に示した顕微鏡撮像装置100と同様なため、
その詳細な説明は省略する。
【0099】図14は第2の実施の形態のアライメント
機構系を使用したマスクとウエハの位置合わせ方法を含
む電子ビーム近接露光方法の動作手順を示すフローチャ
ートである。
【0100】まず、マスク32をマスクステージ82に
ロードし(ステップS100)、続いて、マスクマーク
M1が顕微鏡撮像装置150の視野に入るように顕微鏡
ステージ84を移動させる(ステップS102)。ま
た、ウエハパレット44をウエハステージ70にロード
し、パレットマークWP1が顕微鏡撮像装置150の視
野に入るようにウエハステージ70を移動させる(ステ
ップS104)。
【0101】顕微鏡撮像装置150は、視野内のマスク
マークM1及びパレットマークWP1にそれぞれピント
が合うように対物レンズ120やパレットマーク結像用
対物レンズ125を移動させる(ステップS106)。
【0102】次に、パレットマークWP1を基準にして
マスクマークM1、M2を測定し、その測定結果に基づ
いてマスク32の回転量θM を計算する(ステップS1
08)。
【0103】図15は上記ステップS108の詳細を示
すフローチャートである。
【0104】同図に示すように顕微鏡撮像装置150の
視野内のマスクマークM1とパレットマークWP1との
位置ずれ量を顕微鏡撮像装置150から得られる画像信
号を処理することによって測定する(ステップS108
A)。この測定した位置ずれ量がゼロか否かを判別し
(ステップS108B)、位置ずれ量≠0の場合には、
位置ずれ量がゼロに近づく方向にウエハステージ70を
移動させ(ステップS108C)、ステップS108A
で再びマスクマークM1とパレットマークWP1との位
置ずれ量を測定する。そして、位置ずれ量=0になるま
でステップS108A、S108B、S108Cの処理
を繰り返す。
【0105】ステップS108Cで位置ずれ量=0と判
別されると、そのときのウエハステージ70の移動位置
(X1,1 )をレーザ干渉計LXW, YWから読み取って
メモリ203に記憶させる(ステップS108D)。
【0106】次に、マスク32のマスクマークM2が顕
微鏡撮像装置150の視野に入るように顕微鏡ステージ
84を移動させる(ステップS108E)。尚、電子光
学鏡筒102とマスク32との隙間は狭いため、マスク
マークM2を視野に入れるように顕微鏡撮像装置150
を移動させることができない場合が考えられるが、この
場合にはマスクマークM2を観察するための他の顕微鏡
撮像装置を設ける必要がある。
【0107】その後、上記と同様にしてマスクマークM
2とパレットマークWP1との位置ずれ量がゼロになる
ようにウエハステージ70を移動させる(ステップS1
08F、S108G、S108H)。そして、ステップ
S10Gで位置ずれ量=0と判別されたときのウエハス
テージ70の移動位置(X2,2 )をレーザ干渉計L
XW, YWから読み取ってメモリ203に記憶させる(ス
テップS108I)。
【0108】上記のようにして測定されたマスクマーク
M1、M2がそれぞれパレットマークWP1と一致した
ときのウエハステージ70の位置(X1,1 )、(X2,
2)からマスク32の回転量θM を計算する(ステッ
プS108J)。
【0109】図14に戻って、ステップS110では、
マスクマークM2を基準にしてパレットマークWP1、
WP2を測定し、その測定結果に基づいてウエハパレッ
ト44の回転量θP を計算する(図11のフローチャー
ト参照)。
【0110】次に、顕微鏡ステージ84を駆動して顕微
鏡撮像装置150を転写領域から退避させる(ステップ
S112)。
【0111】続いて、マスク32に対してウエハ40の
各ダイDを位置合わせするための各ダイDの位置(ウエ
ハステージ70の位置(X,Y)とウエハステージ70
の回転量θ)を計算する(ステップS114)。尚、図
9のステップS22と同様に計算することができるが、
第2の実施の形態のアライメント機構系では、マスク3
2を移動させないため、式(1)に示した計算は不要で
ある。
【0112】上記のようにして計算した各ダイDの位置
(ウエハステージ70の位置(X,Y)とウエハステー
ジ70の回転量θ)に基づいてウエハステージ70を移
動させるとともに、ウエハステージ70を回転させる
(ステップS116)。
【0113】次に、電子ビームによってマスク32に形
成されたマスクパターンをウエハに転写する(ステップ
S118)。続いて、全てのダイの転写が終了したか否
かを判別し(ステップS120)、終了していない場合
にはステップS116に戻って他のダイの位置合わせを
行い、再びマスクパターンの転写を行う。このようにし
て全てのダイの転写が終了すると、ウエハをアンロード
して終了する。
【0114】尚、この実施の形態では、マスクマークと
パレットマークとの位置ずれ量がゼロになるようにマス
クステージ又はウエハステージを移動させ、そのときの
マクスステージ及びウエハステージの移動位置を測定す
るようにしたが、これに限らず、マスクマークとパレッ
トマークとの位置ずれ量を顕微鏡撮像装置の画面上の位
置ずれ量から測定するとともに、この測定時におけるマ
クスステージ及びウエハステージの移動位置を測定し、
これらの測定結果に基づいてマスクマークとパレットマ
ークとの位置ずれ量がゼロになるときのマスクステージ
及びウエハステージの移動位置を算出するようにしても
よい。
【0115】また、この実施の形態では、ウエハ32が
ウエハパレット44に搭載され、更にウエハパレット4
4がウエハステージ70(ウエハステージ70の電磁チ
ャック60)に搭載される例について説明したが、これ
に限らず、本発明はウエハ32を直接ウエハステージ7
0上の電磁チャック60に吸着させる場合にも適用でき
る。この場合には、ウエハパレット44のパレットマー
クWP1、WP2の位置を測定する代わりに、ウエハ3
2上の少なくとも2つのダイマークDMの位置を測定す
る。
【0116】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
スクに形成されたマスクマーク(第1のマーク)と、ウ
エハが搭載されるウエハパレット上のパレットマーク又
はウエハ上のダイマーク(第2のマーク)との位置ずれ
量を精度よく測定することができ、マスクとウエハとの
高精度の位置合わせを実現することができる。特に、マ
スクがウエハに近接配置されている状態で第1のマーク
と第2のマークとを各マークが設けられた面と直交する
方向から撮像するようにしたため、1つの顕微鏡撮像装
置によって第1のマークと第2のマークとの二次元の位
置ずれ量を測定することができる。また、この顕微鏡撮
像装置は、前記第1のマーク及び第2のマークにそれぞ
れピントを合わせることができる2組の結像光学系を有
しており、顕微鏡撮像装置から同時に得られる第1のマ
ーク及び第2のマークの画像信号に基づいて各マーク間
の相対的な位置ずれ量を測定するようにしたため、第1
のマークと第2のマークとの位置ずれ量を精度よく測定
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るマスクとウエハの位置合わせ装置
の第1の実施の形態のアライメント機構系を含む電子ビ
ーム近接露光装置の要部縦断面図
【図2】図1に示した電子ビーム近接露光装置の要部上
面図
【図3】図1に示した電子ビーム近接露光装置に使用さ
れるマスクの平面図
【図4】ウエハが搭載されたウエハパレットの平面図
【図5】本発明に適用される顕微鏡撮像装置の詳細を示
す光学部品配置図
【図6】本発明に適用される顕微鏡撮像装置の他の実施
の形態を示す光学部品配置図
【図7】顕微鏡撮像装置によってマスクマークとパレッ
トマークとの位置ずれ量を検出する方法を説明するため
に用いた図
【図8】電子ビーム近接露光装置の制御部の実施の形態
を示すブロック図
【図9】本発明に係るマスクとウエハの位置合わせ方法
を含む電子ビーム近接露光方法の動作手順を示すフロー
チャート
【図10】図9に示したフローチャート中の一部の詳細
な処理手順を示すフローチャート
【図11】図9に示したフローチャート中の他の一部の
詳細な処理手順を示すフローチャート
【図12】本発明に係るマスクとウエハの位置合わせ装
置の第2の実施の形態のアライメント機構系を含む電子
ビーム近接露光装置の要部縦断面図
【図13】図12に示した電子ビーム近接露光装置の要
部上面図
【図14】本発明に係るマスクとウエハの位置合わせ方
法を含む電子ビーム近接露光方法の他の実施の形態の動
作手順を示すフローチャート
【図15】図14に示したフローチャート中の一部の詳
細な処理手順を示すフローチャート
【図16】電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す図
【図17】電子ビームによるマスクの走査を説明するた
めに用いた図
【図18】電子ビーム近接露光装置の全体構成図
【符号の説明】
15…電子ビーム、22、24…主偏向器、26、28
…副偏向器、32…マスク、40…ウエハ、44…ウエ
ハパレット、70…ウエハステージ、80…マスクステ
ージ、84…顕微鏡ステージ、100、100’、15
0…顕微鏡撮像装置、110…ランプハウス、120…
対物レンズ、123…マスクマーク結像用対物レンズ、
125…パレットマーク結像用対物レンズ、130、1
31、145…CCD、200…CPU、203…メモ
リ、204、206…ステージ駆動回路、LXM、LYM
XW、LYW…レーザ干渉計、M、M1、M2…マスクマ
ーク、WP、WP1、WP2…パレットマーク、D…ダ
イ、DM…ダイマーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 525W

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハにマスクを近接配置し、該マスク
    に形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジスト
    層に転写する露光装置におけるマスクとウエハの位置合
    わせ方法において、 前記マスクに設けられた位置合わせ用の第1のマーク
    と、前記ウエハが搭載されるパレット又は前記ウエハに
    設けられた位置合わせ用の第2のマークとを各マークが
    設けられた面と直交する方向から同時に撮像するステッ
    プであって、前記第1のマーク及び第2のマークにそれ
    ぞれピントを合わせることが可能な2組の結像光学系を
    有する顕微鏡撮像装置によって同時に撮像するステップ
    と、 前記顕微鏡撮像装置から得られる前記第1のマーク及び
    第2のマークの画像信号に基づいて前記第1のマークと
    第2のマークとの相対的な位置ずれ量を測定するステッ
    プと、 前記測定した位置ずれ量に基づいて前記マスクとウエハ
    とを相対的に位置合わせするステップと、 を含むことを特徴とするマスクとウエハの位置合わせ方
    法。
  2. 【請求項2】 前記顕微鏡撮像装置は、前記露光装置に
    おる露光領域外に固定され、 前記撮像するステップ時に前記顕微鏡撮像装置の視野内
    に前記第1のマーク及び第2のマークを入れるべく前記
    マスク及びウエハを移動させることを特徴とする請求項
    1のマスクとウエハの位置合わせ方法。
  3. 【請求項3】 前記位置合わせステップは、 前記測定した位置ずれ量がゼロになるように前記マスク
    及びウエハのうちの一方を移動させるステップと、 前記測定した位置ずれ量がゼロのときの前記マスク及び
    ウエハの移動位置をそれぞれ測定するステップと、 前記マスクを転写位置に移動させるステップと、 前記転写位置に移動した前記マスクの移動位置と、前記
    測定したマスク及びウエハの移動位置とに基づいて転写
    時における前記ウエハの各ダイの移動位置を求めるステ
    ップと、 前記求めた前記ウエハの各ダイの移動位置に基づいて前
    記ウエハを移動させるステップと、 を有することを特徴とする請求項2のマスクとウエハの
    位置合わせ方法。
  4. 【請求項4】 前記第1のマーク及び第2のマークはそ
    れぞれ2以上設けられ、 前記第2のマークのうちの1つのマークを基準にして前
    記第1のマークの各マークの位置ずれ量がゼロのときの
    前記マスクの移動位置をそれぞれ測定し、これらのマス
    クの移動位置に基づいて前記マスクの回転量を計算し、
    一方、前記第1のマークのうちの1つのマークを基準に
    して前記第2のマークの各マークの位置ずれ量がゼロの
    ときの前記ウエハの移動位置をそれぞれ測定し、これら
    のウエハの移動位置に基づいて前記ウエハの回転量を計
    算し、 前記ウエハの各ダイの移動位置を求めるステップは、前
    記転写位置に移動した前記マスクの移動位置と、前記測
    定したマスク及びウエハの移動位置と、前記計算したマ
    スク及びウエハの回転量とに基づいて転写時における前
    記ウエハの各ダイを位置決めするためのウエハの移動位
    置及び回転量を求めることを特徴とする請求項3のマス
    クとウエハの位置合わせ方法。
  5. 【請求項5】 前記位置合わせステップは、 前記位置ずれ量を測定したときの前記マスク及びウエハ
    の移動位置をそれぞれ測定するステップと、 前記マスクを転写位置に移動させるステップと、 前記転写位置に移動した前記マスクの移動位置と、前記
    測定した位置ずれ量と、前記測定したマスク及びウエハ
    の移動位置とに基づいて転写時における前記ウエハの各
    ダイの移動位置を求めるステップと、 前記求めた前記ウエハの各ダイの移動位置に基づいて前
    記ウエハを移動させるステップと、 を有することを特徴とする請求項2のマスクとウエハの
    位置合わせ方法。
  6. 【請求項6】 前記第1のマーク及び第2のマークはそ
    れぞれ2以上設けられ、 前記第2のマークのうちの1つのマークを基準にして前
    記第1のマークの各マークの位置ずれ量を測定するとと
    もに、該位置ずれ量の測定時の前記マスクの移動位置を
    それぞれ測定し、これらの位置ずれ量及びマスクの移動
    位置に基づいて前記マスクの回転量を計算し、一方、前
    記第1のマークのうちの1つのマークを基準にして前記
    第2のマークの各マークの位置ずれ量を測定するととも
    に、該位置ずれ量の測定時の前記ウエハの移動位置をそ
    れぞれ測定し、これらの位置ずれ量及びウエハの移動位
    置に基づいて前記ウエハの回転量を計算し、 前記ウエハの各ダイの移動位置を求めるステップは、前
    記転写位置に移動した前記マスクの移動位置と、前記測
    定した位置ずれ量と、前記測定したマスク及びウエハの
    移動位置と、前記計算したマスク及びウエハの回転量に
    基づいて転写時における前記ウエハの各ダイを位置決め
    するためのウエハの移動位置及び回転量を求めることを
    特徴とする請求項5のマスクとウエハの位置合わせ方
    法。
  7. 【請求項7】 前記マスクは転写位置に固定され、前記
    顕微鏡撮像装置は、転写時に前記露光装置におる露光領
    域外に退避し、前記位置ずれ量の測定時に前記マスクの
    第1のマークを視野内に入れるべく移動することを特徴
    とする請求項1のマスクとウエハの位置合わせ方法。
  8. 【請求項8】 前記位置合わせステップは、 前記測定した位置ずれ量がゼロになるように前記ウエハ
    を移動させるステップと、 前記測定した位置ずれ量がゼロのときの前記ウエハの移
    動位置を測定するステップと、 転写時に前記測定したウエハの移動位置に基づいて前記
    ウエハの各ダイの移動位置を求めるステップと、 前記求めた前記ウエハの各ダイの移動位置に基づいて前
    記ウエハを移動させるステップと、 を有することを特徴とする請求項7のマスクとウエハの
    位置合わせ方法。
  9. 【請求項9】 前記第1のマーク及び第2のマークはそ
    れぞれ2以上設けられ、 前記第2のマークのうちの1つのマークを基準にして前
    記第1のマークの各マークの位置ずれ量がゼロのときの
    前記ウエハの移動位置をそれぞれ測定し、これらのウエ
    ハの移動位置に基づいて前記マスクの回転量を計算し、
    一方、前記第1のマークのうちの1つのマークを基準に
    して前記第2のマークの各マークの位置ずれ量がゼロの
    ときの前記ウエハの移動位置をそれぞれ測定し、これら
    のウエハの移動位置に基づいて前記ウエハの回転量を計
    算し、 前記ウエハの各ダイの移動位置を求めるステップは、前
    記測定したウエハの移動位置と、前記計算したマスク及
    びウエハの回転量とに基づいて転写時における前記ウエ
    ハの各ダイを位置決めするためのウエハの移動位置及び
    回転量を求めることを特徴とする請求項8のマスクとウ
    エハの位置合わせ方法。
  10. 【請求項10】 前記位置合わせステップは、 前記測定した位置ずれ量を測定したときの前記ウエハの
    移動位置を測定するステップと、 転写時に前記測定した位置ずれ量とウエハの移動位置と
    に基づいて前記ウエハの各ダイの移動位置を求めるステ
    ップと、 前記求めた前記ウエハの各ダイの移動位置に基づいて前
    記ウエハを移動させるステップと、 を有することを特徴とする請求項7のマスクとウエハの
    位置合わせ方法。
  11. 【請求項11】 前記第1のマーク及び第2のマークは
    それぞれ2以上設けられ、 前記第2のマークのうちの1つのマークを基準にして前
    記第1のマークの各マークの位置ずれ量を測定するとと
    もに、該位置ずれ量の測定時の前記ウエハの移動位置を
    それぞれ測定し、これらの位置ずれ量及びウエハの移動
    位置に基づいて前記マスクの回転量を計算し、一方、前
    記第1のマークのうちの1つのマークを基準にして前記
    第2のマークの各マークの位置ずれ量を測定するととも
    に、該位置ずれ量の測定時の前記ウエハの移動位置をそ
    れぞれ測定し、これらの位置ずれ量及びウエハの移動位
    置に基づいて前記ウエハの回転量を計算し、 前記ウエハの各ダイの移動位置を求めるステップは、前
    記測定した位置ずれ量と、前記測定したウエハの移動位
    置と、前記計算したマスク及びウエハの回転量とに基づ
    いて転写時における前記ウエハの各ダイを位置決めする
    ためのウエハの移動位置及び回転量を求めることを特徴
    とする請求項10のマスクとウエハの位置合わせ方法。
  12. 【請求項12】 前記マスクに設けられた第1のマーク
    は、前記マスクのX方向の位置を検出するための第1の
    マスクマークと、前記マスクのY方向の位置を検出する
    ための第2のマスクマークとからなり、これらの第1の
    マスクマーク及び第2のマスクマークは、それぞれ四角
    形の隣接する二辺の位置に配置され、 前記ウエハが搭載されるパレット又は前記ウエハに設け
    られた第2のマークは、前記パレット又はウエハのX方
    向の位置を検出するための第1のウエハマークと、前記
    パレット又はウエハのY方向の位置を検出するための第
    2のウエハマークとからなり、これらの第1のウエハマ
    ーク及び第2のウエハマークは、それぞれ四角形の隣接
    する二辺の位置の配置され、かつ前記顕微鏡撮像装置の
    視野内に前記第1のマーク及び第2のマークが入ってい
    るときに、前記第1のマスクマーク及び第2のマスクマ
    ークと対向する位置に配置されることを特徴とする請求
    項1乃至11のいずれかに記載のマスクとウエハの位置
    合わせ方法。
  13. 【請求項13】 ウエハにマスクを近接配置し、該マス
    クに形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジス
    ト層に転写する露光装置におけるマスクとウエハの位置
    合わせ装置において、 前記マスクに設けられた位置合わせ用の第1のマーク
    と、前記ウエハが搭載されるパレット又は前記ウエハに
    設けられた位置合わせ用の第2のマークとを各マークが
    設けられた面と直交する方向から同時に撮像する顕微鏡
    撮像装置であって、前記第1のマーク及び第2のマーク
    にそれぞれピントを合わせることが可能な2組の結像光
    学系を有する顕微鏡撮像装置と、 前記顕微鏡撮像装置から得られる前記第1のマーク及び
    第2のマークの画像信号に基づいて前記第1のマークと
    第2のマークとの相対的な位置ずれ量を測定する位置ず
    れ量測定手段と、 前記測定した位置ずれ量に基づいて前記位置ずれ量がゼ
    ロになるように前記マスクとウエハとを相対的に位置合
    わせする手段と、 を備えたことを特徴とするマスクとウエハの位置合わせ
    装置。
  14. 【請求項14】 前記顕微鏡撮像装置は、第1の撮像素
    子と、第2の撮像素子と、第1対物レンズと、前記第1
    のマークを前記第1対物レンズを介して前記第1の撮像
    素子に結像させるための第2対物レンズと、前記第2の
    マークを前記第1対物レンズを介して前記第2の撮像素
    子に結像させるための第3対物レンズと、前記第1対物
    レンズ、第2対物レンズ及び第3対物レンズのうちの少
    なくとも2つを独立に移動させるピント調整手段と、前
    記第1対物レンズを介して照明光を出射する照明手段と
    を有することを特徴とする請求項13のマスクとウエハ
    の位置合わせ装置。
JP2001221270A 2001-07-23 2001-07-23 マスクとウエハの位置合わせ方法及び装置 Pending JP2003037036A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001221270A JP2003037036A (ja) 2001-07-23 2001-07-23 マスクとウエハの位置合わせ方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001221270A JP2003037036A (ja) 2001-07-23 2001-07-23 マスクとウエハの位置合わせ方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003037036A true JP2003037036A (ja) 2003-02-07

Family

ID=19054959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001221270A Pending JP2003037036A (ja) 2001-07-23 2001-07-23 マスクとウエハの位置合わせ方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003037036A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014514779A (ja) * 2011-05-13 2014-06-19 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. ターゲットの少なくとも一部を処理するためのリソグラフィシステム
US9395635B2 (en) 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark
US9395636B2 (en) 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer
CN113495433A (zh) * 2020-03-19 2021-10-12 铠侠股份有限公司 曝光方法、曝光装置及半导体装置的制造方法
CN117116914A (zh) * 2023-10-24 2023-11-24 苏州芯慧联半导体科技有限公司 一种用于晶圆对位的测量标记及测量方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9395635B2 (en) 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark
US9395636B2 (en) 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer
JP2014514779A (ja) * 2011-05-13 2014-06-19 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. ターゲットの少なくとも一部を処理するためのリソグラフィシステム
US9383662B2 (en) 2011-05-13 2016-07-05 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing at least a part of a target
CN113495433A (zh) * 2020-03-19 2021-10-12 铠侠股份有限公司 曝光方法、曝光装置及半导体装置的制造方法
CN113495433B (zh) * 2020-03-19 2023-08-18 铠侠股份有限公司 曝光方法、曝光装置及半导体装置的制造方法
CN117116914A (zh) * 2023-10-24 2023-11-24 苏州芯慧联半导体科技有限公司 一种用于晶圆对位的测量标记及测量方法
CN117116914B (zh) * 2023-10-24 2023-12-22 苏州芯慧联半导体科技有限公司 一种用于晶圆对位的测量标记及测量方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7385671B2 (en) High speed lithography machine and method
JP3224041B2 (ja) 露光方法及び装置
JP2002202220A (ja) 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JPH09186061A (ja) 位置決め方法
JP2003151884A (ja) 合焦方法、位置計測方法および露光方法並びにデバイス製造方法
JPH07297119A (ja) 位置検出方法
JP3298212B2 (ja) 位置検出方法及び装置、露光方法、投影露光装置、並びに素子製造方法
JP2003037036A (ja) マスクとウエハの位置合わせ方法及び装置
JP2002198279A (ja) 位置検出方法、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US6965114B2 (en) Apparatus and methods for mask/substrate alignment in charged-particle-beam pattern-transfer
JP3451607B2 (ja) 位置合わせ方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JP2009010139A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2004356276A (ja) 荷電粒子ビーム近接露光方法及び装置
JPH11288867A (ja) 位置合わせ方法、アライメントマークの形成方法、露光装置及び露光方法
JP2004146670A (ja) マスクのパターン位置の誤差測定方法及びこれに使用される露光装置
JP2004356155A (ja) マスクとウエハとの位置合わせ方法
JP2003338444A (ja) マスクとウエハの位置合わせ方法及び装置
JP3710052B2 (ja) 電子ビーム近接露光方法
JP2004193210A (ja) 電子ビーム近接露光方法及び露光装置
JP3919689B2 (ja) 露光方法、素子の製造方法および露光装置
JP2001250768A (ja) 露光装置
JPH09139337A (ja) 荷電ビーム描画装置
JPS63224327A (ja) 投影露光装置
JP2004006550A (ja) マスクとウエハとの位置合わせ方法及び装置
JP2004095908A (ja) アライメント調整装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20060124