JP2003068976A - 樹脂封止型電力用半導体デバイス - Google Patents
樹脂封止型電力用半導体デバイスInfo
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- H01L2224/48091—Arched
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂パッケージの反りを抑制し、実装基板に
対する接合箇所の破壊を防止し得る信頼性の高いパッケ
ージ構造を備えた電力用半導体デバイスを提供する。 【解決手段】 電力用半導体チップと該電力用半導体チ
ップを制御する制御用半導体チップとをリードフレーム
上に載置し、各半導体チップとその周辺端子とをアルミ
ワイヤを介して電気的に接続した上で、各半導体チップ
を樹脂パッケージ内に封止するに際し、電力用半導体チ
ップと制御用半導体チップとを互いに別体の樹脂パッケ
ージ内に封止する。
対する接合箇所の破壊を防止し得る信頼性の高いパッケ
ージ構造を備えた電力用半導体デバイスを提供する。 【解決手段】 電力用半導体チップと該電力用半導体チ
ップを制御する制御用半導体チップとをリードフレーム
上に載置し、各半導体チップとその周辺端子とをアルミ
ワイヤを介して電気的に接続した上で、各半導体チップ
を樹脂パッケージ内に封止するに際し、電力用半導体チ
ップと制御用半導体チップとを互いに別体の樹脂パッケ
ージ内に封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力用半導体チッ
プと該電力用半導体チップを制御する制御用半導体チッ
プとが樹脂パッケージ内に封止されてなるパッケージ構
造を備えた樹脂封止型電力用半導体デバイスに関する。
プと該電力用半導体チップを制御する制御用半導体チッ
プとが樹脂パッケージ内に封止されてなるパッケージ構
造を備えた樹脂封止型電力用半導体デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイスの製造技術におい
ては、外部環境からの内部構成の保護，デバイス自体の
取扱いの容易化を目的として、内部構成を樹脂ケース内
に封止してパッケージングすることが知られている。制
御用半導体チップに対する電力供給を制御し得る電力用
半導体チップが組み込まれた電力用半導体デバイスで
は、制御用半導体チップおよび電力用半導体チップが、
同一の樹脂パッケージ内に封止される。
ては、外部環境からの内部構成の保護，デバイス自体の
取扱いの容易化を目的として、内部構成を樹脂ケース内
に封止してパッケージングすることが知られている。制
御用半導体チップに対する電力供給を制御し得る電力用
半導体チップが組み込まれた電力用半導体デバイスで
は、制御用半導体チップおよび電力用半導体チップが、
同一の樹脂パッケージ内に封止される。
【０００３】図６は、従来のパッケージ構造を備えた電
力用半導体デバイスを概略的に示す縦断面説明図であ
る。この電力用半導体デバイス７０では、リードフレー
ム７２におけるダイパッド７２ｂ，７２ｄ上にハンダ等
の接合材（不図示）を介して固着された電力用半導体チ
ップ７３および制御用半導体チップ７４が、各チップ上
の電極（不図示）と周辺端子（外部リード７２ａ，７２
ｅおよびチップ間のフレーム領域７２ｃ）とを電気的に
接続するアルミワイヤ７７，７８とともに、同一の樹脂
パッケージ７５内に封止されている。かかる電力用半導
体デバイス７０の実装基板７１に対する実装は、デバイ
ス７０の外部リード７２ａ，７２ｅを実装基板７１に形
成された貫通孔７１ａに挿入した上で、デバイス７０の
実装側とは反対の側に突出した部分をハンダ７９を用い
て実装基板７１に接合することにより行なわれる。
力用半導体デバイスを概略的に示す縦断面説明図であ
る。この電力用半導体デバイス７０では、リードフレー
ム７２におけるダイパッド７２ｂ，７２ｄ上にハンダ等
の接合材（不図示）を介して固着された電力用半導体チ
ップ７３および制御用半導体チップ７４が、各チップ上
の電極（不図示）と周辺端子（外部リード７２ａ，７２
ｅおよびチップ間のフレーム領域７２ｃ）とを電気的に
接続するアルミワイヤ７７，７８とともに、同一の樹脂
パッケージ７５内に封止されている。かかる電力用半導
体デバイス７０の実装基板７１に対する実装は、デバイ
ス７０の外部リード７２ａ，７２ｅを実装基板７１に形
成された貫通孔７１ａに挿入した上で、デバイス７０の
実装側とは反対の側に突出した部分をハンダ７９を用い
て実装基板７１に接合することにより行なわれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなパッケージ構造を備えた半導体デバイス７０で
は、樹脂硬化時の収縮によって、あるいは、熱や湿気等
の外的要因の影響によって、実装基板７１に対する実装
後に、樹脂パッケージ７５内にて応力が発生し、それ自
体に反りが生じることがある。反りが大きくなり、半導
体デバイス７０と実装基板７１との間の接合箇所に所定
以上の応力が作用した場合には、半導体デバイス７０の
実装基板７１に対する接合箇所が破壊し、電気的な接続
が不良になる惧れがある。
ようなパッケージ構造を備えた半導体デバイス７０で
は、樹脂硬化時の収縮によって、あるいは、熱や湿気等
の外的要因の影響によって、実装基板７１に対する実装
後に、樹脂パッケージ７５内にて応力が発生し、それ自
体に反りが生じることがある。反りが大きくなり、半導
体デバイス７０と実装基板７１との間の接合箇所に所定
以上の応力が作用した場合には、半導体デバイス７０の
実装基板７１に対する接合箇所が破壊し、電気的な接続
が不良になる惧れがある。
【０００５】本発明は、上記技術的課題に鑑みてなされ
たもので、樹脂パッケージの反りを抑制し、実装基板に
対する接合箇所の破壊を防止し得る信頼性の高いパッケ
ージ構造を備えた樹脂封止型電力用半導体デバイスを提
供することを目的とする。また、本発明は、上記の目的
を達成しつつ、更に、実装基板上での実装面積の縮小を
実現し得る樹脂封止型電力用半導体デバイスを提供する
ことを目的とする。
たもので、樹脂パッケージの反りを抑制し、実装基板に
対する接合箇所の破壊を防止し得る信頼性の高いパッケ
ージ構造を備えた樹脂封止型電力用半導体デバイスを提
供することを目的とする。また、本発明は、上記の目的
を達成しつつ、更に、実装基板上での実装面積の縮小を
実現し得る樹脂封止型電力用半導体デバイスを提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、電
力用半導体チップと該電力用半導体チップを制御する制
御用半導体チップとがリードフレーム上に載置され、各
半導体チップとその周辺端子とがアルミワイヤを介して
電気的に接続された上で、各半導体チップが樹脂パッケ
ージ内に封止されてなるパッケージ構造を備えた樹脂封
止型電力用半導体デバイスにおいて、上記電力用半導体
チップと制御用半導体チップとが互いに別体の樹脂パッ
ケージ内に封止されていることを特徴としたものであ
る。
力用半導体チップと該電力用半導体チップを制御する制
御用半導体チップとがリードフレーム上に載置され、各
半導体チップとその周辺端子とがアルミワイヤを介して
電気的に接続された上で、各半導体チップが樹脂パッケ
ージ内に封止されてなるパッケージ構造を備えた樹脂封
止型電力用半導体デバイスにおいて、上記電力用半導体
チップと制御用半導体チップとが互いに別体の樹脂パッ
ケージ内に封止されていることを特徴としたものであ
る。
【０００７】また、本願の第２の発明は、第１の発明に
おいて、上記電力用半導体チップ及び制御用半導体チッ
プが、上記リードフレームの表面側又は裏面側の同一側
に載置されていることを特徴としたものである。
おいて、上記電力用半導体チップ及び制御用半導体チッ
プが、上記リードフレームの表面側又は裏面側の同一側
に載置されていることを特徴としたものである。
【０００８】更に、本願の第３の発明は、第１又は第２
の発明において、上記リードフレームにおいて、電力用
半導体チップが載置される面と制御用半導体チップが載
置される面とが同一平面をなすように設定されるととも
に、上記半導体チップの周辺端子の１つであり各樹脂パ
ッケージから外方へ延びる外部リードが折曲げ加工さ
れ、その先端側で両半導体チップが載置される面に対し
て垂直をなしていることを特徴としたものである。
の発明において、上記リードフレームにおいて、電力用
半導体チップが載置される面と制御用半導体チップが載
置される面とが同一平面をなすように設定されるととも
に、上記半導体チップの周辺端子の１つであり各樹脂パ
ッケージから外方へ延びる外部リードが折曲げ加工さ
れ、その先端側で両半導体チップが載置される面に対し
て垂直をなしていることを特徴としたものである。
【０００９】また、更に、本願の第４の発明は、第１〜
３の発明のいずれか一において、上記電力用半導体チッ
プを封止する樹脂パッケージと制御用半導体チップを封
止する樹脂パッケージとが互いに所定の間隔をおいて配
設され、両パッケージ間に延びるリードフレームの一部
が、両パッケージ間に作用する応力を吸収すべく湾曲し
ていることを特徴としたものである。
３の発明のいずれか一において、上記電力用半導体チッ
プを封止する樹脂パッケージと制御用半導体チップを封
止する樹脂パッケージとが互いに所定の間隔をおいて配
設され、両パッケージ間に延びるリードフレームの一部
が、両パッケージ間に作用する応力を吸収すべく湾曲し
ていることを特徴としたものである。
【００１０】また、更に、本願の第５の発明は、第１〜
３の発明のいずれか一において、上記電力用半導体チッ
プを封止する樹脂パッケージと制御用半導体チップを封
止する樹脂パッケージとが互いに所定の間隔をおいて配
設され、両パッケージ間に延びるリードフレームの一部
が、両パッケージ間に作用する応力を吸収すべく折曲げ
加工されていることを特徴としたものである。
３の発明のいずれか一において、上記電力用半導体チッ
プを封止する樹脂パッケージと制御用半導体チップを封
止する樹脂パッケージとが互いに所定の間隔をおいて配
設され、両パッケージ間に延びるリードフレームの一部
が、両パッケージ間に作用する応力を吸収すべく折曲げ
加工されていることを特徴としたものである。
【００１１】また、更に、本願の第６の発明は、第１〜
５の発明のいずれか一において、上記電力用半導体チッ
プを封止する樹脂パッケージと制御用半導体チップを封
止する樹脂パッケージとが互いに所定の間隔をおいて配
設され、両パッケージ間に延びるリードフレームの一部
が、上記制御用半導体チップおよび電力用半導体チップ
を封止する樹脂パッケージを構成する樹脂よりも軟質の
樹脂で構成される樹脂パッケージ内に封止されているこ
とを特徴としたものである。
５の発明のいずれか一において、上記電力用半導体チッ
プを封止する樹脂パッケージと制御用半導体チップを封
止する樹脂パッケージとが互いに所定の間隔をおいて配
設され、両パッケージ間に延びるリードフレームの一部
が、上記制御用半導体チップおよび電力用半導体チップ
を封止する樹脂パッケージを構成する樹脂よりも軟質の
樹脂で構成される樹脂パッケージ内に封止されているこ
とを特徴としたものである。
【００１２】また、更に、本願の第７の発明は、第１又
は第２の発明において、上記電力用半導体チップを封止
する樹脂パッケージと制御用半導体チップを封止する樹
脂パッケージとの間におけるリードフレームの一部が断
面略コ字状に形成され、その両端部の延長線上に、該リ
ードフレームにおける電力用半導体チップが載置される
面と制御用半導体チップが載置される面とが互いに平行
に延びていることを特徴としたものである。
は第２の発明において、上記電力用半導体チップを封止
する樹脂パッケージと制御用半導体チップを封止する樹
脂パッケージとの間におけるリードフレームの一部が断
面略コ字状に形成され、その両端部の延長線上に、該リ
ードフレームにおける電力用半導体チップが載置される
面と制御用半導体チップが載置される面とが互いに平行
に延びていることを特徴としたものである。
【００１３】また、更に、本願の第８の発明は、第７の
発明において、上記電力用半導体チップと制御用半導体
チップとが、リードフレーム全体により規定されるコ字
状の内側に配設されていることを特徴としたものであ
る。
発明において、上記電力用半導体チップと制御用半導体
チップとが、リードフレーム全体により規定されるコ字
状の内側に配設されていることを特徴としたものであ
る。
【００１４】また、更に、本願の第９の発明は、第８の
発明において、上記電力用半導体チップを封止する樹脂
パッケージと制御用半導体チップを封止する樹脂パッケ
ージとが、互いに対向する側で所定の間隔をおいて隔て
られていることを特徴としたものである。
発明において、上記電力用半導体チップを封止する樹脂
パッケージと制御用半導体チップを封止する樹脂パッケ
ージとが、互いに対向する側で所定の間隔をおいて隔て
られていることを特徴としたものである。
【００１５】また、更に、本願の第１０の発明は、第８
の発明において、上記電力用半導体チップを封止する樹
脂パッケージと制御用半導体チップを封止する樹脂パッ
ケージとが、互いに対向する側で当接していることを特
徴としたものである。
の発明において、上記電力用半導体チップを封止する樹
脂パッケージと制御用半導体チップを封止する樹脂パッ
ケージとが、互いに対向する側で当接していることを特
徴としたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照しながら説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１に係る電
力用半導体デバイスを概略的に示す縦断面説明図であ
る。この電力用半導体デバイス１０は、樹脂封止による
パッケージ構造を有するもので、基本的には、電力用半
導体チップ３と、該電力用半導体チップ３を制御する制
御用半導体チップ４と、外部リード２ａ，２ｅ，チップ
搭載用のダイパッド２ｂ，２ｄ，ダイパッド間のフレー
ム領域２ｃから構成されるパターンを備えたリードフレ
ーム２と、各チップ３，４とリードフレーム２の各部と
を電気的に接続するアルミワイヤ７，８と、チップ３，
４やアルミワイヤ７，８を外部環境から保護する樹脂パ
ッケージ５，６から組み立てられる。
て、添付図面を参照しながら説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１に係る電
力用半導体デバイスを概略的に示す縦断面説明図であ
る。この電力用半導体デバイス１０は、樹脂封止による
パッケージ構造を有するもので、基本的には、電力用半
導体チップ３と、該電力用半導体チップ３を制御する制
御用半導体チップ４と、外部リード２ａ，２ｅ，チップ
搭載用のダイパッド２ｂ，２ｄ，ダイパッド間のフレー
ム領域２ｃから構成されるパターンを備えたリードフレ
ーム２と、各チップ３，４とリードフレーム２の各部と
を電気的に接続するアルミワイヤ７，８と、チップ３，
４やアルミワイヤ７，８を外部環境から保護する樹脂パ
ッケージ５，６から組み立てられる。
【００１７】電力用半導体デバイス１０の組立工程を簡
単に説明する。まず、リードフレーム２におけるチップ
搭載用のダイパッド２ｂ，２ｄ上に、それぞれ、電力用
半導体チップ３，制御用半導体チップ４を、ハンダ等の
接合材（不図示）を介して固着させる（ダイボンド工
程）。電力用及び制御用半導体チップ３，４は、通常、
生産性の向上や総体的な小型化を図り、このように、ダ
イパッド２ｂ，２ｄの表面側又は裏面側の同一側に取り
付けられる。
単に説明する。まず、リードフレーム２におけるチップ
搭載用のダイパッド２ｂ，２ｄ上に、それぞれ、電力用
半導体チップ３，制御用半導体チップ４を、ハンダ等の
接合材（不図示）を介して固着させる（ダイボンド工
程）。電力用及び制御用半導体チップ３，４は、通常、
生産性の向上や総体的な小型化を図り、このように、ダ
イパッド２ｂ，２ｄの表面側又は裏面側の同一側に取り
付けられる。
【００１８】次に、半導体チップ３，４上の電極（不図
示）と、それら半導体チップ３，４の周辺端子（外部リ
ード２ａ，２ｅやダイパッド２ｂ，２ｄ間のフレーム領
域２ｃ）とが、アルミワイヤ７，８を用いて電気的に接
続される（ワイヤボンド工程）。
示）と、それら半導体チップ３，４の周辺端子（外部リ
ード２ａ，２ｅやダイパッド２ｂ，２ｄ間のフレーム領
域２ｃ）とが、アルミワイヤ７，８を用いて電気的に接
続される（ワイヤボンド工程）。
【００１９】続いて、ワイヤボンドされた半導体チップ
３，４を、それぞれ、樹脂パッケージ５，６で封止する
（モールド工程）。樹脂材料としては、エポキシ樹脂が
用いられる。以上の工程においては、外部リード２ａ，
２ｅ，ダイパッド２ｂ，２ｄ，ダイパッド間のフレーム
領域２ｃが、リードフレーム２におけるパターンの一部
として形成され、一体的に構成されている。
３，４を、それぞれ、樹脂パッケージ５，６で封止する
（モールド工程）。樹脂材料としては、エポキシ樹脂が
用いられる。以上の工程においては、外部リード２ａ，
２ｅ，ダイパッド２ｂ，２ｄ，ダイパッド間のフレーム
領域２ｃが、リードフレーム２におけるパターンの一部
として形成され、一体的に構成されている。
【００２０】その後、外部リード２ａ，２ｅ，ダイパッ
ド間のフレーム領域２ｃ等の表面にしみ出した樹脂バリ
を取り除くバリ取り工程，外部リード２ａ，２ｅ，フレ
ーム領域２ｃの耐食性を向上させるためのメッキ工程、
および、外部リード２ａ，２ｅをデバイス実装作業が行
ない易い形状に成形するリード加工工程を行なう。リー
ド加工工程では、外部リード２ａ，２ｅに、同一平面を
なすように配設されたダイパッド２ｂ，２ｄ及びダイパ
ッド間のフレーム領域２ｃに対して略垂直をなすように
曲げ加工を施す。以上の工程を経て、図１に示すような
パッケージ構造を備えた半導体デバイス１０の組立てが
完了する。
ド間のフレーム領域２ｃ等の表面にしみ出した樹脂バリ
を取り除くバリ取り工程，外部リード２ａ，２ｅ，フレ
ーム領域２ｃの耐食性を向上させるためのメッキ工程、
および、外部リード２ａ，２ｅをデバイス実装作業が行
ない易い形状に成形するリード加工工程を行なう。リー
ド加工工程では、外部リード２ａ，２ｅに、同一平面を
なすように配設されたダイパッド２ｂ，２ｄ及びダイパ
ッド間のフレーム領域２ｃに対して略垂直をなすように
曲げ加工を施す。以上の工程を経て、図１に示すような
パッケージ構造を備えた半導体デバイス１０の組立てが
完了する。
【００２１】この実施の形態１では、ワイヤボンドされ
た半導体チップ３，４が、それぞれ、別体の第１及び第
２の樹脂パッケージ５，６で封止されている。より詳し
くは、第１の樹脂パッケージ５が、電力用半導体チップ
３と、その半導体チップ３が載置されるダイパッド２ｂ
と、半導体チップ３上に形成された電極と半導体チップ
３の周辺端子（外部リード２ａ及びフレーム領域２ｃ）
とを接続するアルミワイヤ７とをまとめて封止してい
る。他方、第２の樹脂パッケージ６は、制御用半導体チ
ップ４と、その半導体チップ４が載置されるダイパッド
２ｄと、半導体チップ４上に形成された電極と半導体チ
ップ４の周辺端子（外部リード２ｅ及びフレーム領域２
ｃ）とを接続するアルミワイヤ８とをまとめて封止して
いる。
た半導体チップ３，４が、それぞれ、別体の第１及び第
２の樹脂パッケージ５，６で封止されている。より詳し
くは、第１の樹脂パッケージ５が、電力用半導体チップ
３と、その半導体チップ３が載置されるダイパッド２ｂ
と、半導体チップ３上に形成された電極と半導体チップ
３の周辺端子（外部リード２ａ及びフレーム領域２ｃ）
とを接続するアルミワイヤ７とをまとめて封止してい
る。他方、第２の樹脂パッケージ６は、制御用半導体チ
ップ４と、その半導体チップ４が載置されるダイパッド
２ｄと、半導体チップ４上に形成された電極と半導体チ
ップ４の周辺端子（外部リード２ｅ及びフレーム領域２
ｃ）とを接続するアルミワイヤ８とをまとめて封止して
いる。
【００２２】図１から分かるように、第１及び第２の樹
脂パッケージ５，６は互いに所定の間隔をおいて形成さ
れており、この電力用半導体デバイス１０では、リード
フレーム２におけるダイパッド２ｂ，２ｄ間のフレーム
領域２ｃが、外部に露出する構造となっている。
脂パッケージ５，６は互いに所定の間隔をおいて形成さ
れており、この電力用半導体デバイス１０では、リード
フレーム２におけるダイパッド２ｂ，２ｄ間のフレーム
領域２ｃが、外部に露出する構造となっている。
【００２３】電力用半導体デバイス１０の実装基板１に
対する実装は、従来知られるように、外部リード２ａ，
２ｅを実装基板１に形成された貫通孔１ａに挿入した上
で、半導体デバイス１０の実装側とは反対の側に突出し
た部分を、ハンダ９を用いて実装基板１に接合すること
により行なわれる。貫通孔１ａは、実装基板１の平面方
向に対して略垂直をなすように形成されている。
対する実装は、従来知られるように、外部リード２ａ，
２ｅを実装基板１に形成された貫通孔１ａに挿入した上
で、半導体デバイス１０の実装側とは反対の側に突出し
た部分を、ハンダ９を用いて実装基板１に接合すること
により行なわれる。貫通孔１ａは、実装基板１の平面方
向に対して略垂直をなすように形成されている。
【００２４】前述した電力用半導体デバイス１０のパッ
ケージ構造によれば、半導体チップ３，４が電力用及び
制御用とで別々に封止されるため、樹脂硬化時の収縮に
よって、若しくは、熱や湿気等の外的要因の影響によっ
て樹脂パッケージ５，６内に発生する応力を緩和するこ
とができる。その結果、応力に伴う樹脂パッケージ５，
６の反りを抑制し、電力用半導体デバイス１０の実装基
板１に対するハンダ付け箇所の破壊を防止することがで
きる。
ケージ構造によれば、半導体チップ３，４が電力用及び
制御用とで別々に封止されるため、樹脂硬化時の収縮に
よって、若しくは、熱や湿気等の外的要因の影響によっ
て樹脂パッケージ５，６内に発生する応力を緩和するこ
とができる。その結果、応力に伴う樹脂パッケージ５，
６の反りを抑制し、電力用半導体デバイス１０の実装基
板１に対するハンダ付け箇所の破壊を防止することがで
きる。
【００２５】次に、本発明の他の実施の形態について説
明する。なお、以下では、上記実施の形態１における場
合と同じものについては同一の符号を付し、それ以上の
説明を省略する。 実施の形態２．図２は、本発明の実施の形態２に係る電
力用半導体デバイスを概略的に示す縦断面説明図であ
る。電力用半導体デバイス２０は、実施の形態１におけ
る場合とほぼ同じ構成を有するものであり、この実施の
形態２では、第１の樹脂パッケージ５と第２の樹脂パッ
ケージ６との間で、ダイパッド２ｂ，２ｄ間のフレーム
領域２ｃが、第３の樹脂パッケージ２２で封止されてい
る。そして、この第３の樹脂パッケージ２２は、第１及
び第２の樹脂パッケージ５，６を形成する樹脂材料より
も軟質の樹脂材料により形成されている。
明する。なお、以下では、上記実施の形態１における場
合と同じものについては同一の符号を付し、それ以上の
説明を省略する。 実施の形態２．図２は、本発明の実施の形態２に係る電
力用半導体デバイスを概略的に示す縦断面説明図であ
る。電力用半導体デバイス２０は、実施の形態１におけ
る場合とほぼ同じ構成を有するものであり、この実施の
形態２では、第１の樹脂パッケージ５と第２の樹脂パッ
ケージ６との間で、ダイパッド２ｂ，２ｄ間のフレーム
領域２ｃが、第３の樹脂パッケージ２２で封止されてい
る。そして、この第３の樹脂パッケージ２２は、第１及
び第２の樹脂パッケージ５，６を形成する樹脂材料より
も軟質の樹脂材料により形成されている。
【００２６】このような電力用半導体デバイス２０のパ
ッケージ構造によれば、ダイパッド２ｂ，２ｄ間のフレ
ーム領域２ｃが、第１及び第２の樹脂パッケージ５，６
を形成する樹脂材料よりも軟質の樹脂材料から形成され
る樹脂パッケージ２２により封止されていることから、
実施の形態１と同様の効果を実現しつつ、ダイパッド２
ｂ，２ｄ間のフレーム領域２ｃを保護することができ
る。その結果、デバイス１０の信頼性を向上させること
ができる。
ッケージ構造によれば、ダイパッド２ｂ，２ｄ間のフレ
ーム領域２ｃが、第１及び第２の樹脂パッケージ５，６
を形成する樹脂材料よりも軟質の樹脂材料から形成され
る樹脂パッケージ２２により封止されていることから、
実施の形態１と同様の効果を実現しつつ、ダイパッド２
ｂ，２ｄ間のフレーム領域２ｃを保護することができ
る。その結果、デバイス１０の信頼性を向上させること
ができる。
【００２７】実施の形態３．図３は、本発明の実施の形
態３に係る電力用半導体デバイスを概略的に示す縦断面
説明図である。電力用半導体デバイス３０は、実施の形
態１における場合とほぼ同じ構成を有するものであり、
この実施の形態３では、第１の樹脂パッケージ５と第２
の樹脂パッケージ６との間で、ダイパッド２ｂ，２ｄ間
のフレーム領域２ｃに、上方へ突出するような湾曲部Ｑ
が設けられている。
態３に係る電力用半導体デバイスを概略的に示す縦断面
説明図である。電力用半導体デバイス３０は、実施の形
態１における場合とほぼ同じ構成を有するものであり、
この実施の形態３では、第１の樹脂パッケージ５と第２
の樹脂パッケージ６との間で、ダイパッド２ｂ，２ｄ間
のフレーム領域２ｃに、上方へ突出するような湾曲部Ｑ
が設けられている。
【００２８】かかる電力用半導体デバイス３０によれ
ば、湾曲部Ｑにおいて、樹脂硬化時の収縮若しくは熱や
湿気等の外的要因の影響に伴い樹脂パッケージ５，６内
に発生する応力を吸収することができ、それによって、
実装基板１に対するハンダ付け箇所に作用する応力を緩
和して、その破壊を防止することができる。その結果、
デバイス１０の信頼性を向上させることができる。
ば、湾曲部Ｑにおいて、樹脂硬化時の収縮若しくは熱や
湿気等の外的要因の影響に伴い樹脂パッケージ５，６内
に発生する応力を吸収することができ、それによって、
実装基板１に対するハンダ付け箇所に作用する応力を緩
和して、その破壊を防止することができる。その結果、
デバイス１０の信頼性を向上させることができる。
【００２９】実施の形態４．図４は、本発明の実施の形
態４に係る電力用半導体デバイスを概略的に示す縦断面
説明図である。電力用半導体デバイス４０は、実施の形
態１における場合とほぼ同じ構成を有するものであり、
この実施の形態４では、第１の樹脂パッケージ５と第２
の樹脂パッケージ６との間で、外部に露出するダイパッ
ド２ｂ，２ｄ間のフレーム領域２ｃが、その途中で所定
の角度で折り曲げられてなる曲折部Ｒを有している。
態４に係る電力用半導体デバイスを概略的に示す縦断面
説明図である。電力用半導体デバイス４０は、実施の形
態１における場合とほぼ同じ構成を有するものであり、
この実施の形態４では、第１の樹脂パッケージ５と第２
の樹脂パッケージ６との間で、外部に露出するダイパッ
ド２ｂ，２ｄ間のフレーム領域２ｃが、その途中で所定
の角度で折り曲げられてなる曲折部Ｒを有している。
【００３０】かかる電力用半導体デバイス４０によれ
ば、曲折部Ｒにおいて、樹脂硬化時の収縮若しくは熱や
湿気等の外的要因の影響に伴い樹脂パッケージ５，６内
に発生する応力を吸収することができ、それによって、
実装基板１に対するハンダ付け箇所に作用する応力を緩
和し、ハンダ付け箇所の破壊を防止することができる。
その結果、デバイス１０の信頼性を向上させることがで
きる。
ば、曲折部Ｒにおいて、樹脂硬化時の収縮若しくは熱や
湿気等の外的要因の影響に伴い樹脂パッケージ５，６内
に発生する応力を吸収することができ、それによって、
実装基板１に対するハンダ付け箇所に作用する応力を緩
和し、ハンダ付け箇所の破壊を防止することができる。
その結果、デバイス１０の信頼性を向上させることがで
きる。
【００３１】実施の形態５．図５は、本発明の実施の形
態５に係る電力用半導体デバイスを概略的に示す縦断面
説明図である。電力用半導体デバイス５０は、実施の形
態１における場合とほぼ同じ構成を有するものであり、
この実施の形態５では、リードフレーム２が、全体とし
て、断面コ字状に形成されている。より詳しくは、第１
の樹脂パッケージ５と第２の樹脂パッケージ６との間
で、外部に露出するダイパッド２ｂ，２ｄ間のフレーム
領域２ｃが、その両端部が平行に延びるように、断面コ
字状に形成されている。そして、フレーム領域２ｃの各
端部と同一平面をなすように、ダイパッド２ｂ，２ｄ及
び外部リード２ａ，２ｅが構成されている。すなわち、
ダイパッド２ｂ及びそれに隣接する外部リード２ａと、
ダイパッド２ｄ及びそれに隣接する外部リード２ｅと
が、互いに平行に延びている。
態５に係る電力用半導体デバイスを概略的に示す縦断面
説明図である。電力用半導体デバイス５０は、実施の形
態１における場合とほぼ同じ構成を有するものであり、
この実施の形態５では、リードフレーム２が、全体とし
て、断面コ字状に形成されている。より詳しくは、第１
の樹脂パッケージ５と第２の樹脂パッケージ６との間
で、外部に露出するダイパッド２ｂ，２ｄ間のフレーム
領域２ｃが、その両端部が平行に延びるように、断面コ
字状に形成されている。そして、フレーム領域２ｃの各
端部と同一平面をなすように、ダイパッド２ｂ，２ｄ及
び外部リード２ａ，２ｅが構成されている。すなわち、
ダイパッド２ｂ及びそれに隣接する外部リード２ａと、
ダイパッド２ｄ及びそれに隣接する外部リード２ｅと
が、互いに平行に延びている。
【００３２】電力用半導体チップ３及び制御用半導体チ
ップ４は、リードフレーム全体により規定されるコ字状
の内側に、つまり、ダイパッド２ｂ，２ｄに対して、そ
れらが互いに対向する側に固着されている。そして、半
導体チップ３，４上に設けられた電極（不図示）とその
周辺端子（外部リード２ａ，２ｅ及びフレーム領域２
ｃ）とがアルミワイヤ７，８で接続されている。このよ
うに、半導体チップ３，４及びアルミワイヤ７，８を、
リードフレーム全体により規定されるコ字状の内側に配
設した場合には、電力用半導体デバイスに対する例えば
外付けヒートシンク等の外付け素子の取付けを容易に行
なうことができ、また、総体的なデバイスの小型化を実
現することができる。
ップ４は、リードフレーム全体により規定されるコ字状
の内側に、つまり、ダイパッド２ｂ，２ｄに対して、そ
れらが互いに対向する側に固着されている。そして、半
導体チップ３，４上に設けられた電極（不図示）とその
周辺端子（外部リード２ａ，２ｅ及びフレーム領域２
ｃ）とがアルミワイヤ７，８で接続されている。このよ
うに、半導体チップ３，４及びアルミワイヤ７，８を、
リードフレーム全体により規定されるコ字状の内側に配
設した場合には、電力用半導体デバイスに対する例えば
外付けヒートシンク等の外付け素子の取付けを容易に行
なうことができ、また、総体的なデバイスの小型化を実
現することができる。
【００３３】更に、この半導体デバイス５０では、第１
の樹脂パッケージ５及び第２の樹脂パッケージ６が、そ
れぞれ、電力用半導体チップ３及び制御用半導体チップ
４を封止するため、両パッケージ５，６は互いに平行に
成形される。この実施の形態５では、樹脂パッケージ
５，６が、それらが互いに対向する側で当接し合うよう
に構成され、総体的な小型化が一層図られる。なお、こ
れに限定されることなく、樹脂パッケージ５，６は、互
いに対向する側で、所定の間隔をおいて隔てられてもよ
い。この場合には、樹脂パッケージ５，６における放熱
性を適度に確保することができる。
の樹脂パッケージ５及び第２の樹脂パッケージ６が、そ
れぞれ、電力用半導体チップ３及び制御用半導体チップ
４を封止するため、両パッケージ５，６は互いに平行に
成形される。この実施の形態５では、樹脂パッケージ
５，６が、それらが互いに対向する側で当接し合うよう
に構成され、総体的な小型化が一層図られる。なお、こ
れに限定されることなく、樹脂パッケージ５，６は、互
いに対向する側で、所定の間隔をおいて隔てられてもよ
い。この場合には、樹脂パッケージ５，６における放熱
性を適度に確保することができる。
【００３４】かかる電力用半導体デバイス５０の構造に
よれば、実施の形態１と同様の効果を実現しつつ、基板
１に実装された状態で、電力用半導体デバイス５０は基
板１に対して鉛直方向に延びることから、半導体デバイ
ス５０の実装面積の縮小を実現することができる。
よれば、実施の形態１と同様の効果を実現しつつ、基板
１に実装された状態で、電力用半導体デバイス５０は基
板１に対して鉛直方向に延びることから、半導体デバイ
ス５０の実装面積の縮小を実現することができる。
【００３５】なお、本発明は、例示された実施の形態に
限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
において、種々の改良及び設計上の変更が可能であるこ
とは言うまでもない。
限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
において、種々の改良及び設計上の変更が可能であるこ
とは言うまでもない。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本願の
第１の発明によれば、電力用半導体チップと該電力用半
導体チップを制御する制御用半導体チップとがリードフ
レーム上に載置され、各半導体チップとその周辺端子と
がアルミワイヤを介して電気的に接続された上で、各半
導体チップが樹脂パッケージ内に封止されてなるパッケ
ージ構造を備えた樹脂封止型電力用半導体デバイスにお
いて、上記電力用半導体チップと制御用半導体チップと
が互いに別体の樹脂パッケージ内に封止されているた
め、樹脂パッケージの反りが比較的小さく、これによ
り、実装基板に対する接合箇所の破壊を防止することが
でき、信頼性の高いパッケージ構造を備えた電力用半導
体デバイスを実現することができる。
第１の発明によれば、電力用半導体チップと該電力用半
導体チップを制御する制御用半導体チップとがリードフ
レーム上に載置され、各半導体チップとその周辺端子と
がアルミワイヤを介して電気的に接続された上で、各半
導体チップが樹脂パッケージ内に封止されてなるパッケ
ージ構造を備えた樹脂封止型電力用半導体デバイスにお
いて、上記電力用半導体チップと制御用半導体チップと
が互いに別体の樹脂パッケージ内に封止されているた
め、樹脂パッケージの反りが比較的小さく、これによ
り、実装基板に対する接合箇所の破壊を防止することが
でき、信頼性の高いパッケージ構造を備えた電力用半導
体デバイスを実現することができる。
【００３７】また、本願の第２の発明は、上記電力用半
導体チップ及び制御用半導体チップが、上記リードフレ
ームの表面側又は裏面側のうちの同一側に載置されてい
るため、ダイボンド工程やワイヤボンド工程をリードフ
レームの同一側で行なうことができ、生産性の向上や総
体的なデバイスの小型化を実現することが可能となる。
導体チップ及び制御用半導体チップが、上記リードフレ
ームの表面側又は裏面側のうちの同一側に載置されてい
るため、ダイボンド工程やワイヤボンド工程をリードフ
レームの同一側で行なうことができ、生産性の向上や総
体的なデバイスの小型化を実現することが可能となる。
【００３８】更に、本願の第３の発明によれば、上記リ
ードフレームにおいて、電力用半導体チップが載置され
る面と制御用半導体チップが載置される面とが同一平面
をなすように設定されるとともに、上記半導体チップの
周辺端子の１つであり各樹脂パッケージから外方へ延び
る外部リードが折曲げ加工され、その先端側で両半導体
チップが載置される面に対して垂直をなしているため、
総体的なデバイスの小型化を実現することができる。
ードフレームにおいて、電力用半導体チップが載置され
る面と制御用半導体チップが載置される面とが同一平面
をなすように設定されるとともに、上記半導体チップの
周辺端子の１つであり各樹脂パッケージから外方へ延び
る外部リードが折曲げ加工され、その先端側で両半導体
チップが載置される面に対して垂直をなしているため、
総体的なデバイスの小型化を実現することができる。
【００３９】また、更に、本願の第４の発明によれば、
上記電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージと制
御用半導体チップを封止する樹脂パッケージとが互いに
所定の間隔をおいて配設され、両パッケージ間に延びる
リードフレームの一部が、両パッケージ間に作用する応
力を吸収すべく湾曲しているため、応力を効果的に緩和
することができ、これにより、基板に対する接合箇所に
作用する応力を抑制することができる。その結果、半導
体デバイスの信頼性を向上させることができる。
上記電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージと制
御用半導体チップを封止する樹脂パッケージとが互いに
所定の間隔をおいて配設され、両パッケージ間に延びる
リードフレームの一部が、両パッケージ間に作用する応
力を吸収すべく湾曲しているため、応力を効果的に緩和
することができ、これにより、基板に対する接合箇所に
作用する応力を抑制することができる。その結果、半導
体デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００４０】また、更に、本願の第５の発明によれば、
上記電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージと制
御用半導体チップを封止する樹脂パッケージとが互いに
所定の間隔をおいて配設され、両パッケージ間に延びる
リードフレームの一部が、両パッケージ間に作用する応
力を吸収すべく折曲げ加工されているため、応力を効果
的に緩和することができ、これにより、基板に対する接
合箇所に作用する応力を抑制することができる。その結
果、半導体デバイスの信頼性を向上させることができ
る。
上記電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージと制
御用半導体チップを封止する樹脂パッケージとが互いに
所定の間隔をおいて配設され、両パッケージ間に延びる
リードフレームの一部が、両パッケージ間に作用する応
力を吸収すべく折曲げ加工されているため、応力を効果
的に緩和することができ、これにより、基板に対する接
合箇所に作用する応力を抑制することができる。その結
果、半導体デバイスの信頼性を向上させることができ
る。
【００４１】また、更に、本願の第６の発明によれば、
上記電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージと制
御用半導体チップを封止する樹脂パッケージとが互いに
所定の間隔をおいて配設され、両パッケージ間に延びる
リードフレームの一部が、上記制御用半導体チップおよ
び電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージを構成
する樹脂よりも軟質の樹脂で構成される樹脂パッケージ
内に封止されているため、両パッケージ間に延びるリー
ドフレームの一部を外部環境から保護することができる
とともに、デバイスの取扱いが容易である。
上記電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージと制
御用半導体チップを封止する樹脂パッケージとが互いに
所定の間隔をおいて配設され、両パッケージ間に延びる
リードフレームの一部が、上記制御用半導体チップおよ
び電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージを構成
する樹脂よりも軟質の樹脂で構成される樹脂パッケージ
内に封止されているため、両パッケージ間に延びるリー
ドフレームの一部を外部環境から保護することができる
とともに、デバイスの取扱いが容易である。
【００４２】また、更に、本願の第７の発明によれば、
上記電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージと制
御用半導体チップを封止する樹脂パッケージとの間にお
けるリードフレームの一部が断面略コ字状に形成され、
その両端部の延長線上に、該リードフレームにおける電
力用半導体チップが載置される面と制御用半導体チップ
が載置される面とが互いに平行に延びているため、基板
に対するデバイス実装に必要な面積を縮小化することが
できる。
上記電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージと制
御用半導体チップを封止する樹脂パッケージとの間にお
けるリードフレームの一部が断面略コ字状に形成され、
その両端部の延長線上に、該リードフレームにおける電
力用半導体チップが載置される面と制御用半導体チップ
が載置される面とが互いに平行に延びているため、基板
に対するデバイス実装に必要な面積を縮小化することが
できる。
【００４３】また、更に、本願の第８の発明によれば、
上記電力用半導体チップと制御用半導体チップとが、リ
ードフレーム全体により規定されるコ字状の内側に配設
されているため、デバイスに対する例えば外付けヒート
シンク等の外付け素子の取付けを容易に行なうことがで
き、また、総体的なデバイスの小型化を実現することが
できる。
上記電力用半導体チップと制御用半導体チップとが、リ
ードフレーム全体により規定されるコ字状の内側に配設
されているため、デバイスに対する例えば外付けヒート
シンク等の外付け素子の取付けを容易に行なうことがで
き、また、総体的なデバイスの小型化を実現することが
できる。
【００４４】また、更に、本願の第９の発明によれば、
上記電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージと制
御用半導体チップを封止する樹脂パッケージとが、互い
に対向する側で所定の間隔をおいて隔てられているた
め、デバイスの放熱性の向上を実現することができる。
上記電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージと制
御用半導体チップを封止する樹脂パッケージとが、互い
に対向する側で所定の間隔をおいて隔てられているた
め、デバイスの放熱性の向上を実現することができる。
【００４５】また、更に、本願の第１０の発明によれ
ば、上記電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージ
と制御用半導体チップを封止する樹脂パッケージとが、
互いに対向する側で当接しているため、総体的なデバイ
スの小型化を実現することができる。
ば、上記電力用半導体チップを封止する樹脂パッケージ
と制御用半導体チップを封止する樹脂パッケージとが、
互いに対向する側で当接しているため、総体的なデバイ
スの小型化を実現することができる。
【図１】 本発明の実施の形態１に係る電力用半導体デ
バイスを概略的に示す縦断面説明図である。
バイスを概略的に示す縦断面説明図である。
【図２】 本発明の実施の形態２に係る電力用半導体デ
バイスを概略的に示す縦断面説明図である。
バイスを概略的に示す縦断面説明図である。
【図３】 本発明の実施の形態３に係る電力用半導体デ
バイスを概略的に示す縦断面説明図である。
バイスを概略的に示す縦断面説明図である。
【図４】 本発明の実施の形態４に係る電力用半導体デ
バイスを概略的に示す縦断面説明図である。
バイスを概略的に示す縦断面説明図である。
【図５】 本発明の実施の形態５に係る電力用半導体デ
バイスを概略的に示す縦断面説明図である。
バイスを概略的に示す縦断面説明図である。
【図６】 従来の電力用半導体デバイスを概略的に示す
縦断面説明図である。
縦断面説明図である。
１ 実装基板，２ リードフレーム，２ａ，２ｅ 外部
リード，２ｂ，２ｄダイパッド，２ｃ ダイパッド間の
フレーム領域，３ 電力用半導体チップ，４制御用半導
体チップ，５ 第１の樹脂パッケージ，６ 第２の樹脂
パッケージ，７，８ アルミワイヤ，９ ハンダ，１
０，２０，３０，４０，５０ 電力用半導体デバイス，
２２ 第３の樹脂パッケージ，Ｑ 湾曲部，Ｒ 曲折部
リード，２ｂ，２ｄダイパッド，２ｃ ダイパッド間の
フレーム領域，３ 電力用半導体チップ，４制御用半導
体チップ，５ 第１の樹脂パッケージ，６ 第２の樹脂
パッケージ，７，８ アルミワイヤ，９ ハンダ，１
０，２０，３０，４０，５０ 電力用半導体デバイス，
２２ 第３の樹脂パッケージ，Ｑ 湾曲部，Ｒ 曲折部
Claims (10)
- 【請求項１】 電力用半導体チップと該電力用半導体チ
ップを制御する制御用半導体チップとがリードフレーム
上に載置され、各半導体チップとその周辺端子とがアル
ミワイヤを介して電気的に接続された上で、各半導体チ
ップが樹脂パッケージ内に封止されてなるパッケージ構
造を備えた樹脂封止型電力用半導体デバイスにおいて、 上記電力用半導体チップと制御用半導体チップとが互い
に別体の樹脂パッケージ内に封止されていることを特徴
とする電力用半導体デバイス。 - 【請求項２】 上記電力用半導体チップ及び制御用半導
体チップが、上記リードフレームの表面側又は裏面側の
同一側に載置されていることを特徴とする請求項１記載
の樹脂封止型電力用半導体デバイス。 - 【請求項３】 上記リードフレームにおいて、電力用半
導体チップが載置される面と制御用半導体チップが載置
される面とが同一平面をなすように設定されるととも
に、上記半導体チップの周辺端子の１つであり各樹脂パ
ッケージから外方へ延びる外部リードが折曲げ加工さ
れ、その先端側で両半導体チップが載置される面に対し
て垂直をなしていることを特徴とする請求項１又は２に
記載の樹脂封止型電力用半導体デバイス。 - 【請求項４】 上記電力用半導体チップを封止する樹脂
パッケージと制御用半導体チップを封止する樹脂パッケ
ージとが互いに所定の間隔をおいて配設され、両パッケ
ージ間に延びるリードフレームの一部が、両パッケージ
間に作用する応力を吸収すべく湾曲していることを特徴
とする請求項１〜３のいずれか一に記載の樹脂封止型電
力用半導体デバイス。 - 【請求項５】 上記電力用半導体チップを封止する樹脂
パッケージと制御用半導体チップを封止する樹脂パッケ
ージとが互いに所定の間隔をおいて配設され、両パッケ
ージ間に延びるリードフレームの一部が、両パッケージ
間に作用する応力を吸収すべく折曲げ加工されているこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか一に記載の樹脂
封止型電力用半導体デバイス。 - 【請求項６】 上記電力用半導体チップを封止する樹脂
パッケージと制御用半導体チップを封止する樹脂パッケ
ージとが互いに所定の間隔をおいて配設され、両パッケ
ージ間に延びるリードフレームの一部が、上記制御用半
導体チップおよび電力用半導体チップを封止する樹脂パ
ッケージを構成する樹脂よりも軟質の樹脂で構成される
樹脂パッケージ内に封止されていることを特徴とする請
求項１〜５のいずれか一に記載の樹脂封止型電力用半導
体デバイス。 - 【請求項７】 上記電力用半導体チップを封止する樹脂
パッケージと制御用半導体チップを封止する樹脂パッケ
ージとの間におけるリードフレームの一部が断面略コ字
状に形成され、その両端部の延長線上に、該リードフレ
ームにおける電力用半導体チップが載置される面と制御
用半導体チップが載置される面とが互いに平行に延びて
いることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂封止
型電力用半導体デバイス。 - 【請求項８】 上記電力用半導体チップと制御用半導体
チップとが、リードフレーム全体により規定されるコ字
状の内側に配設されていることを特徴とする請求項７記
載の樹脂封止型電力用半導体デバイス。 - 【請求項９】 上記電力用半導体チップを封止する樹脂
パッケージと制御用半導体チップを封止する樹脂パッケ
ージとが、互いに対向する側で所定の間隔をおいて隔て
られていることを特徴とする請求項８記載の樹脂封止型
電力用半導体デバイス。 - 【請求項１０】 上記電力用半導体チップを封止する樹
脂パッケージと制御用半導体チップを封止する樹脂パッ
ケージとが、互いに対向する側で当接していることを特
徴とする請求項８記載の樹脂封止型電力用半導体デバイ
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001251438A JP2003068976A (ja) | 2001-08-22 | 2001-08-22 | 樹脂封止型電力用半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001251438A JP2003068976A (ja) | 2001-08-22 | 2001-08-22 | 樹脂封止型電力用半導体デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068976A true JP2003068976A (ja) | 2003-03-07 |
Family
ID=19080085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001251438A Pending JP2003068976A (ja) | 2001-08-22 | 2001-08-22 | 樹脂封止型電力用半導体デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003068976A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008288250A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Nec Electronics Corp | マルチチップパッケージ |
| JP2012195502A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Yazaki Corp | モジュールの端子構造 |
| JP2013157398A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2018166083A (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-25 | アイシン精機株式会社 | 電子部品モジュール、及び電子部品モジュールの製造方法 |
-
2001
- 2001-08-22 JP JP2001251438A patent/JP2003068976A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008288250A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Nec Electronics Corp | マルチチップパッケージ |
| JP2012195502A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Yazaki Corp | モジュールの端子構造 |
| JP2013157398A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2018166083A (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-25 | アイシン精機株式会社 | 電子部品モジュール、及び電子部品モジュールの製造方法 |
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Legal Events
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| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20091020 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |