JP2003024296A - 静磁界調整方法およびｍｒｉ装置 - Google Patents
静磁界調整方法およびｍｒｉ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 静磁界の均一性を調整する。
【解決手段】 永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２およびベースヨ
ークＹＢの各部に埋設された永久磁石ブロック１１の温
度をヒータ２で調整し、静磁界Ｂｏの均一性を改善す
る。 【効果】 永久磁石の温度特性が大きいことを逆に利用
して、静磁界均一性を調整することが出来る。局所的温
度を調節するため、意図しない温度変化を防止でき、温
度変化に強くなる。
ークＹＢの各部に埋設された永久磁石ブロック１１の温
度をヒータ２で調整し、静磁界Ｂｏの均一性を改善す
る。 【効果】 永久磁石の温度特性が大きいことを逆に利用
して、静磁界均一性を調整することが出来る。局所的温
度を調節するため、意図しない温度変化を防止でき、温
度変化に強くなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静磁界調整方法お
よびＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging）装置に関
し、さらに詳しくは、静磁界の均一性を調整するための
静磁界調整方法およびその静磁界調整方法を好適に実施
しうるＭＲＩ装置に関する。
よびＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging）装置に関
し、さらに詳しくは、静磁界の均一性を調整するための
静磁界調整方法およびその静磁界調整方法を好適に実施
しうるＭＲＩ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２は、従来のＭＲＩ装置の一例を示
す要部断面図である。このＭＲＩ装置５００は、垂直方
向に静磁界Ｂｏを発生させるオープン型ＭＲＩ装置であ
る。静磁界発生用マグネットは、上下に対向して設置さ
れた永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２と、ベースヨークＹＢと、
支柱ヨークＹｐと、整磁板Ｓｐ１とにより構成されてい
る。
す要部断面図である。このＭＲＩ装置５００は、垂直方
向に静磁界Ｂｏを発生させるオープン型ＭＲＩ装置であ
る。静磁界発生用マグネットは、上下に対向して設置さ
れた永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２と、ベースヨークＹＢと、
支柱ヨークＹｐと、整磁板Ｓｐ１とにより構成されてい
る。
【０００３】永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２およびベースヨー
クＹＢには、静磁界調整用の磁性体ネジ５１が設置され
ている。磁性体ネジ５１のねじ込み量を調節することに
より、撮像領域ＫＫにおける静磁界Ｂｏの均一性を調整
することが出来る。
クＹＢには、静磁界調整用の磁性体ネジ５１が設置され
ている。磁性体ネジ５１のねじ込み量を調節することに
より、撮像領域ＫＫにおける静磁界Ｂｏの均一性を調整
することが出来る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のＭＲＩ装置
５００では、磁性体ネジ５１のねじ込み量を調節した後
の永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２、ベースヨークＹＢおよび整
磁板Ｓｐ１の温度変化に弱いという第１の問題点があ
る。例えば、ＮdＦeＢ製の永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２は−
０．１％／℃程度の大きな温度特性を持っているため、
磁性体ネジ５１のねじ込み量を調節した後で永久磁石１
Ｍ１，１Ｍ２の一方の温度が他方の温度より上がると、
静磁界方向（Ｚ方向）に無視できない大きさの静磁場不
均一を生じてしまうが、これに対処することが出来な
い。
５００では、磁性体ネジ５１のねじ込み量を調節した後
の永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２、ベースヨークＹＢおよび整
磁板Ｓｐ１の温度変化に弱いという第１の問題点があ
る。例えば、ＮdＦeＢ製の永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２は−
０．１％／℃程度の大きな温度特性を持っているため、
磁性体ネジ５１のねじ込み量を調節した後で永久磁石１
Ｍ１，１Ｍ２の一方の温度が他方の温度より上がると、
静磁界方向（Ｚ方向）に無視できない大きさの静磁場不
均一を生じてしまうが、これに対処することが出来な
い。
【０００５】また、上記従来のＭＲＩ装置５００のよう
な磁性体ネジ５１のねじ込み量を調節する方式では、静
磁界Ｂｏの均一性を調整可能な範囲または調整の精度の
一方が犠牲になるという第２の問題点がある。例えば、
磁性体ネジ５１の透磁率が大きければ調整可能な範囲は
広いが調整の精度が粗くなり、逆に透磁率が小さければ
調整の精度は細かくなるが調整可能な範囲は狭くなる。
な磁性体ネジ５１のねじ込み量を調節する方式では、静
磁界Ｂｏの均一性を調整可能な範囲または調整の精度の
一方が犠牲になるという第２の問題点がある。例えば、
磁性体ネジ５１の透磁率が大きければ調整可能な範囲は
広いが調整の精度が粗くなり、逆に透磁率が小さければ
調整の精度は細かくなるが調整可能な範囲は狭くなる。
【０００６】そこで、本発明の目的は、静磁界の均一性
を調整するための静磁界調整方法およびその静磁界調整
方法を好適に実施しうるＭＲＩ装置を提供することにあ
る。そして、さらに詳細には、永久磁石、ヨークおよび
整磁板の温度変化に強い静磁界調整方法およびＭＲＩ装
置を提供することにある。また、静磁界の均一性を調整
可能な範囲および調整の精度の一方が犠牲にならない静
磁界調整方法およびＭＲＩ装置を提供することにある。
を調整するための静磁界調整方法およびその静磁界調整
方法を好適に実施しうるＭＲＩ装置を提供することにあ
る。そして、さらに詳細には、永久磁石、ヨークおよび
整磁板の温度変化に強い静磁界調整方法およびＭＲＩ装
置を提供することにある。また、静磁界の均一性を調整
可能な範囲および調整の精度の一方が犠牲にならない静
磁界調整方法およびＭＲＩ装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、静磁界発生用マグネットの永久磁石、ヨークおよび
整磁板の少なくとも一つの局所的温度を調節することに
よって静磁界均一性を調整することを特徴とする静磁界
調整方法を提供する。上記第１の観点による静磁界調整
方法では、永久磁石、ヨークおよび整磁板の少なくとも
一つの局所的温度を積極的に調節する。これによって、
永久磁石の温度特性が大きいことを逆に利用して、静磁
界均一性を調整することが出来る。また、局所的温度を
調節するため、意図しない温度変化を防止でき、温度変
化に強くなる。
は、静磁界発生用マグネットの永久磁石、ヨークおよび
整磁板の少なくとも一つの局所的温度を調節することに
よって静磁界均一性を調整することを特徴とする静磁界
調整方法を提供する。上記第１の観点による静磁界調整
方法では、永久磁石、ヨークおよび整磁板の少なくとも
一つの局所的温度を積極的に調節する。これによって、
永久磁石の温度特性が大きいことを逆に利用して、静磁
界均一性を調整することが出来る。また、局所的温度を
調節するため、意図しない温度変化を防止でき、温度変
化に強くなる。
【０００８】第２の観点では、本発明は、静磁界発生用
マグネットの永久磁石、ヨークおよび整磁板の少なくと
も一つの局所的温度を調節するための温度調節手段を具
備し、静磁界均一性を調整するように前記局所的温度を
調節することを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記
第２の観点によるＭＲＩ装置では、永久磁石、ヨークお
よび整磁板の少なくとも一つの局所的温度を積極的に調
節する。これによって、永久磁石の温度特性が大きいこ
とを逆に利用して、静磁界均一性を調整することが出来
る。また、局所的温度を調節するため、意図しない温度
変化を防止でき、温度変化に起因する静磁場均一製の乱
れを防止できる。
マグネットの永久磁石、ヨークおよび整磁板の少なくと
も一つの局所的温度を調節するための温度調節手段を具
備し、静磁界均一性を調整するように前記局所的温度を
調節することを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記
第２の観点によるＭＲＩ装置では、永久磁石、ヨークお
よび整磁板の少なくとも一つの局所的温度を積極的に調
節する。これによって、永久磁石の温度特性が大きいこ
とを逆に利用して、静磁界均一性を調整することが出来
る。また、局所的温度を調節するため、意図しない温度
変化を防止でき、温度変化に起因する静磁場均一製の乱
れを防止できる。
【０００９】第３の観点では、本発明は、上記構成のＭ
ＲＩ装置において、前記温度調節手段は、前記局所的温
度を検出する温度センサと、前記局所的温度を上げるヒ
ータおよび前記局所的温度を下げる冷却器の少なくとも
一方と、前記局所的温度が設定温度となるように前記ヒ
ータおよび前記冷却器の作動を制御する制御手段とを備
えてなることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記
第３の観点によるＭＲＩ装置では、フィードバック制御
によって局所的温度を調節するため、意図しない温度変
化を防止でき、温度変化に起因する静磁場均一製の乱れ
を防止できる。
ＲＩ装置において、前記温度調節手段は、前記局所的温
度を検出する温度センサと、前記局所的温度を上げるヒ
ータおよび前記局所的温度を下げる冷却器の少なくとも
一方と、前記局所的温度が設定温度となるように前記ヒ
ータおよび前記冷却器の作動を制御する制御手段とを備
えてなることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記
第３の観点によるＭＲＩ装置では、フィードバック制御
によって局所的温度を調節するため、意図しない温度変
化を防止でき、温度変化に起因する静磁場均一製の乱れ
を防止できる。
【００１０】第４の観点では、本発明は、上記構成のＭ
ＲＩ装置において、前記温度センサと前記ヒータおよび
前記冷却器の少なくとも一方とを永久磁石部材に設置し
た永久磁石ブロックを、前記永久磁石、ヨークおよび整
磁板の少なくとも一つに取り付けたことを特徴とするＭ
ＲＩ装置を提供する。上記第４の観点によるＭＲＩ装置
では、永久磁石ブロックという単位で管理できるため、
取付けや保守管理が容易になる。また、永久磁石部材を
用いるため、調整可能な範囲が広くなる。
ＲＩ装置において、前記温度センサと前記ヒータおよび
前記冷却器の少なくとも一方とを永久磁石部材に設置し
た永久磁石ブロックを、前記永久磁石、ヨークおよび整
磁板の少なくとも一つに取り付けたことを特徴とするＭ
ＲＩ装置を提供する。上記第４の観点によるＭＲＩ装置
では、永久磁石ブロックという単位で管理できるため、
取付けや保守管理が容易になる。また、永久磁石部材を
用いるため、調整可能な範囲が広くなる。
【００１１】第５の観点では、本発明は、上記構成のＭ
ＲＩ装置において、前記温度センサと前記ヒータおよび
前記冷却器の少なくとも一方とを磁性体部材に設置した
磁性体ブロックを、前記永久磁石、ヨークおよび整磁板
の少なくとも一つに取り付けたことを特徴とするＭＲＩ
装置を提供する。上記第５の観点によるＭＲＩ装置で
は、磁性体ブロックという単位で管理できるため、取付
けや保守管理が容易になる。また、磁性体部材を用いる
ため、それ自身からは磁力を発せず、保守管理が容易に
なる。
ＲＩ装置において、前記温度センサと前記ヒータおよび
前記冷却器の少なくとも一方とを磁性体部材に設置した
磁性体ブロックを、前記永久磁石、ヨークおよび整磁板
の少なくとも一つに取り付けたことを特徴とするＭＲＩ
装置を提供する。上記第５の観点によるＭＲＩ装置で
は、磁性体ブロックという単位で管理できるため、取付
けや保守管理が容易になる。また、磁性体部材を用いる
ため、それ自身からは磁力を発せず、保守管理が容易に
なる。
【００１２】第６の観点では、本発明は、上記構成のＭ
ＲＩ装置において、前記永久磁石ブロックまたは前記磁
性体ブロックとそれに隣接する他の部材との間に断熱材
を介設したことを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上
記第６の観点によるＭＲＩ装置では、永久磁石ブロック
または磁性体ブロックと周囲とを熱的に分離できるた
め、熱的慣性を小さくでき、調節の応答性を速く出来
る。
ＲＩ装置において、前記永久磁石ブロックまたは前記磁
性体ブロックとそれに隣接する他の部材との間に断熱材
を介設したことを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上
記第６の観点によるＭＲＩ装置では、永久磁石ブロック
または磁性体ブロックと周囲とを熱的に分離できるた
め、熱的慣性を小さくでき、調節の応答性を速く出来
る。
【００１３】第７の観点では、本発明は、上記構成のＭ
ＲＩ装置において、前記永久磁石ブロックまたは磁性体
ブロックは、静磁界方向の静磁界均一性を調整可能な位
置に配置されていることを特徴とするＭＲＩ装置を提供
する。上記第７の観点によるＭＲＩ装置では、例えば撮
像領域の中心を通る静磁界方向の軸（Ｚ軸）上で且つ対
向する永久磁石の両方に対で永久磁石ブロックまたは磁
性体ブロックを設置することにより、静磁界方向の静磁
界均一性を調整可能となる。
ＲＩ装置において、前記永久磁石ブロックまたは磁性体
ブロックは、静磁界方向の静磁界均一性を調整可能な位
置に配置されていることを特徴とするＭＲＩ装置を提供
する。上記第７の観点によるＭＲＩ装置では、例えば撮
像領域の中心を通る静磁界方向の軸（Ｚ軸）上で且つ対
向する永久磁石の両方に対で永久磁石ブロックまたは磁
性体ブロックを設置することにより、静磁界方向の静磁
界均一性を調整可能となる。
【００１４】第８の観点では、本発明は、上記構成のＭ
ＲＩ装置において、前記永久磁石ブロックまたは磁性体
ブロックは、静磁界方向に直交する方向の静磁界均一性
を調整可能な位置に配置されていることを特徴とするＭ
ＲＩ装置を提供する。上記第８の観点によるＭＲＩ装置
では、例えば撮像領域の中心を通る静磁界方向の軸（Ｚ
軸）に直交する軸（Ｘ軸，Ｙ軸）上で且つ一つの永久磁
石の面上に対で永久磁石ブロックまたは磁性体ブロック
を設置することにより、静磁界方向に直交する方向の静
磁界均一性を調整可能となる。
ＲＩ装置において、前記永久磁石ブロックまたは磁性体
ブロックは、静磁界方向に直交する方向の静磁界均一性
を調整可能な位置に配置されていることを特徴とするＭ
ＲＩ装置を提供する。上記第８の観点によるＭＲＩ装置
では、例えば撮像領域の中心を通る静磁界方向の軸（Ｚ
軸）に直交する軸（Ｘ軸，Ｙ軸）上で且つ一つの永久磁
石の面上に対で永久磁石ブロックまたは磁性体ブロック
を設置することにより、静磁界方向に直交する方向の静
磁界均一性を調整可能となる。
【００１５】第９の観点では、本発明は、静磁界発生用
マグネットの永久磁石、ヨークおよび整磁板の少なくと
も一つに静磁界調整用ユニット着脱部を設け、前記静磁
界調整用ユニット着脱部に着脱自在で磁気抵抗値の異な
る複数の静磁界調整用ユニットの中から選択した静磁界
調整用ユニットを前記静磁界調整用ユニット着脱部に装
着することによって静磁界均一性を調整することを特徴
とする静磁界調整方法を提供する。上記第９の観点によ
る静磁界調整方法では、永久磁石、ヨークおよび整磁板
の少なくとも一つに装着する静磁界調整用ユニットを、
磁気抵抗値の異なるものに交換する。これによって、静
磁界均一性を調整することが出来る。また、全体を交換
してしまうため、磁気抵抗値の差の大きな物に交換すれ
ば調整可能な範囲を広くでき、磁気抵抗値の差の小さな
物に交換すれば調整の精度を細かく出来る。
マグネットの永久磁石、ヨークおよび整磁板の少なくと
も一つに静磁界調整用ユニット着脱部を設け、前記静磁
界調整用ユニット着脱部に着脱自在で磁気抵抗値の異な
る複数の静磁界調整用ユニットの中から選択した静磁界
調整用ユニットを前記静磁界調整用ユニット着脱部に装
着することによって静磁界均一性を調整することを特徴
とする静磁界調整方法を提供する。上記第９の観点によ
る静磁界調整方法では、永久磁石、ヨークおよび整磁板
の少なくとも一つに装着する静磁界調整用ユニットを、
磁気抵抗値の異なるものに交換する。これによって、静
磁界均一性を調整することが出来る。また、全体を交換
してしまうため、磁気抵抗値の差の大きな物に交換すれ
ば調整可能な範囲を広くでき、磁気抵抗値の差の小さな
物に交換すれば調整の精度を細かく出来る。
【００１６】第１０の観点では、本発明は、静磁界発生
用マグネットの永久磁石、ヨークおよび整磁板の少なく
とも一つに静磁界調整用ユニット着脱部が設けられ、前
記静磁界調整用ユニット着脱部に着脱自在で磁気抵抗値
の異なる複数の静磁界調整用ユニットの中から選択した
静磁界調整用ユニットが前記静磁界調整用ユニット着脱
部に装着されて静磁界均一性が調整されていることを特
徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第１０の観点によ
るＭＲＩ装置では、永久磁石、ヨークおよび整磁板の少
なくとも一つに装着する静磁界調整用ユニットを、磁気
抵抗値の異なるものに交換することによって、静磁界均
一性を調整することが出来る。また、静磁界調整用ユニ
ットを交換してしまうため、磁気抵抗値の差の大きな物
に交換すれば調整可能な範囲を広くでき、磁気抵抗値の
差の小さな物に交換すれば調整の精度を細かく出来る。
用マグネットの永久磁石、ヨークおよび整磁板の少なく
とも一つに静磁界調整用ユニット着脱部が設けられ、前
記静磁界調整用ユニット着脱部に着脱自在で磁気抵抗値
の異なる複数の静磁界調整用ユニットの中から選択した
静磁界調整用ユニットが前記静磁界調整用ユニット着脱
部に装着されて静磁界均一性が調整されていることを特
徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第１０の観点によ
るＭＲＩ装置では、永久磁石、ヨークおよび整磁板の少
なくとも一つに装着する静磁界調整用ユニットを、磁気
抵抗値の異なるものに交換することによって、静磁界均
一性を調整することが出来る。また、静磁界調整用ユニ
ットを交換してしまうため、磁気抵抗値の差の大きな物
に交換すれば調整可能な範囲を広くでき、磁気抵抗値の
差の小さな物に交換すれば調整の精度を細かく出来る。
【００１７】第１１の観点では、本発明は、上記構成の
ＭＲＩ装置において、静磁界調整用ユニット着脱部は、
ネジ穴であり、前記静磁界調整用ユニットの外形は、前
記ネジ穴に螺入されるネジ形状であることを特徴とする
ＭＲＩ装置を提供する。上記第１１の観点によるＭＲＩ
装置では、静磁界調整用ユニットをネジとして着脱でき
るので、作業が容易となる。
ＭＲＩ装置において、静磁界調整用ユニット着脱部は、
ネジ穴であり、前記静磁界調整用ユニットの外形は、前
記ネジ穴に螺入されるネジ形状であることを特徴とする
ＭＲＩ装置を提供する。上記第１１の観点によるＭＲＩ
装置では、静磁界調整用ユニットをネジとして着脱でき
るので、作業が容易となる。
【００１８】第１２の観点では、本発明は、上記構成の
ＭＲＩ装置において、前記複数の静磁界調整用ユニット
は、第１の中実円柱体と該第１の中実円柱体の周面を取
り巻くように保持する第１の中空円筒体とを一体化した
組立体であって前記第１の中実円柱体および前記第１の
中空円筒体の一方が磁性体で他方が非磁性体からなる第
１の静磁界調整用ユニット、および、前記第１の中実円
柱体とは外径が異なる第２の中実円柱体と該第２の中実
円柱体の周面を取り巻くように保持し前記第１の中空円
筒体とは外径が同一の第２の中空円筒体とを一体化した
組立体であって前記第２の中実円柱体および前記第２の
中空円筒体の一方が磁性体で他方が非磁性体からなる第
２の静磁界調整用ユニットを含むことを特徴とするＭＲ
Ｉ装置を提供する。上記第１２の観点によるＭＲＩ装置
では、中実円柱体の外径を変えることによって磁気抵抗
値を自由に変えられる。
ＭＲＩ装置において、前記複数の静磁界調整用ユニット
は、第１の中実円柱体と該第１の中実円柱体の周面を取
り巻くように保持する第１の中空円筒体とを一体化した
組立体であって前記第１の中実円柱体および前記第１の
中空円筒体の一方が磁性体で他方が非磁性体からなる第
１の静磁界調整用ユニット、および、前記第１の中実円
柱体とは外径が異なる第２の中実円柱体と該第２の中実
円柱体の周面を取り巻くように保持し前記第１の中空円
筒体とは外径が同一の第２の中空円筒体とを一体化した
組立体であって前記第２の中実円柱体および前記第２の
中空円筒体の一方が磁性体で他方が非磁性体からなる第
２の静磁界調整用ユニットを含むことを特徴とするＭＲ
Ｉ装置を提供する。上記第１２の観点によるＭＲＩ装置
では、中実円柱体の外径を変えることによって磁気抵抗
値を自由に変えられる。
【００１９】第１３の観点では、本発明は、上記構成の
ＭＲＩ装置において、前記複数の静磁界調整用ユニット
は、前記ネジ穴に螺入される中実円柱体の磁性体からな
る静磁界調整用ユニットを含むことを特徴とするＭＲＩ
装置を提供する。上記第１３の観点によるＭＲＩ装置で
は、磁性体の材料を変えることによって、磁気抵抗値を
変えられる。
ＭＲＩ装置において、前記複数の静磁界調整用ユニット
は、前記ネジ穴に螺入される中実円柱体の磁性体からな
る静磁界調整用ユニットを含むことを特徴とするＭＲＩ
装置を提供する。上記第１３の観点によるＭＲＩ装置で
は、磁性体の材料を変えることによって、磁気抵抗値を
変えられる。
【００２０】第１４の観点では、本発明は、上記構成の
ＭＲＩ装置において、前記複数の静磁界調整用ユニット
は、ネジ形状の中実円柱体と該中実円柱体を螺入するネ
ジ穴を中心穴として有し外形がネジ形状の初段中空円筒
体と該初段中空円筒体を螺入するネジ穴を中心穴として
有し外形が前記静磁界調整用ユニット着脱部のネジ穴に
螺入されるネジ形状の終段中空円筒体とを一体的に螺合
した組立体であり、前記中実円柱体と前記初段中空円筒
体と前記終段中空円筒体のそれぞれを磁性体とするか非
磁性体とするかの組合せにより磁気抵抗値を変更可能な
静磁界調整用ユニットを含むことを特徴とするＭＲＩ装
置を提供する。上記第１４の観点によるＭＲＩ装置で
は、中実円柱体と初段中空円筒体と終段中空円筒体の材
料を変えることによって磁気抵抗値を自由に変えられ
る。
ＭＲＩ装置において、前記複数の静磁界調整用ユニット
は、ネジ形状の中実円柱体と該中実円柱体を螺入するネ
ジ穴を中心穴として有し外形がネジ形状の初段中空円筒
体と該初段中空円筒体を螺入するネジ穴を中心穴として
有し外形が前記静磁界調整用ユニット着脱部のネジ穴に
螺入されるネジ形状の終段中空円筒体とを一体的に螺合
した組立体であり、前記中実円柱体と前記初段中空円筒
体と前記終段中空円筒体のそれぞれを磁性体とするか非
磁性体とするかの組合せにより磁気抵抗値を変更可能な
静磁界調整用ユニットを含むことを特徴とするＭＲＩ装
置を提供する。上記第１４の観点によるＭＲＩ装置で
は、中実円柱体と初段中空円筒体と終段中空円筒体の材
料を変えることによって磁気抵抗値を自由に変えられ
る。
【００２１】第１５の観点では、本発明は、上記構成の
ＭＲＩ装置において、前記静磁界調整用ユニット着脱部
は、静磁界方向の静磁界均一性を調整可能な位置に配置
されていることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上
記第１５の観点によるＭＲＩ装置では、例えば撮像領域
の中心を通る静磁界方向の軸（Ｚ軸）上で且つ対向する
永久磁石の両方に対で静磁界調整用ユニットを設置する
ことにより、静磁界方向の静磁界均一性を調整可能とな
る。
ＭＲＩ装置において、前記静磁界調整用ユニット着脱部
は、静磁界方向の静磁界均一性を調整可能な位置に配置
されていることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上
記第１５の観点によるＭＲＩ装置では、例えば撮像領域
の中心を通る静磁界方向の軸（Ｚ軸）上で且つ対向する
永久磁石の両方に対で静磁界調整用ユニットを設置する
ことにより、静磁界方向の静磁界均一性を調整可能とな
る。
【００２２】第１６の観点では、本発明は、上記構成の
ＭＲＩ装置において、前記静磁界調整用ユニット着脱部
は、静磁界方向に直交する方向の静磁界均一性を調整可
能な位置に配置されていることを特徴とするＭＲＩ装置
を提供する。上記第１６の観点によるＭＲＩ装置では、
例えば撮像領域の中心を通る静磁界方向の軸（Ｚ軸）に
直交する軸（Ｘ軸，Ｙ軸）上で且つ一つの永久磁石の面
上に対で静磁界調整用ユニットを設置することにより、
静磁界方向に直交する方向の静磁界均一性を調整可能と
なる。
ＭＲＩ装置において、前記静磁界調整用ユニット着脱部
は、静磁界方向に直交する方向の静磁界均一性を調整可
能な位置に配置されていることを特徴とするＭＲＩ装置
を提供する。上記第１６の観点によるＭＲＩ装置では、
例えば撮像領域の中心を通る静磁界方向の軸（Ｚ軸）に
直交する軸（Ｘ軸，Ｙ軸）上で且つ一つの永久磁石の面
上に対で静磁界調整用ユニットを設置することにより、
静磁界方向に直交する方向の静磁界均一性を調整可能と
なる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図に示す実施の形態により
本発明を詳細に説明する。なお、これにより本発明が限
定されるものではない。
本発明を詳細に説明する。なお、これにより本発明が限
定されるものではない。
【００２４】−第１の実施形態−
図１は、本発明の第１の実施形態にかかるＭＲＩ装置を
示す要部断面図である。図２は、図１のＫ−Ｋ’断面図
である。このＭＲＩ装置１００は、上下に対向して設置
された永久磁石すなわち永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２により
垂直方向に静磁界Ｂｏを発生させるオープン型ＭＲＩ装
置である。
示す要部断面図である。図２は、図１のＫ−Ｋ’断面図
である。このＭＲＩ装置１００は、上下に対向して設置
された永久磁石すなわち永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２により
垂直方向に静磁界Ｂｏを発生させるオープン型ＭＲＩ装
置である。
【００２５】永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２の表面には、撮像
領域ＫＫにおける静磁界の均一性Ｂｏを高めるための整
磁板Ｓｐ１，Ｓｐ２がそれぞれ設置されている。永久磁
石１Ｍ１，１Ｍ２と、整磁板Ｓｐ１，Ｓｐ２と、ベース
ヨークＹＢおよび支柱ヨークＹＰとにより、磁気回路が
構成される。永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２の材料は、例えば
ネオジウム（Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ）系磁石材料，サマリウム
コバルト（ＳｍＣｏ）系磁石材料，アルニコ（ＭＫ鋼）
系磁石材料，フェライト系磁石材料である。
領域ＫＫにおける静磁界の均一性Ｂｏを高めるための整
磁板Ｓｐ１，Ｓｐ２がそれぞれ設置されている。永久磁
石１Ｍ１，１Ｍ２と、整磁板Ｓｐ１，Ｓｐ２と、ベース
ヨークＹＢおよび支柱ヨークＹＰとにより、磁気回路が
構成される。永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２の材料は、例えば
ネオジウム（Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ）系磁石材料，サマリウム
コバルト（ＳｍＣｏ）系磁石材料，アルニコ（ＭＫ鋼）
系磁石材料，フェライト系磁石材料である。
【００２６】永久磁石１Ｍ１およびベースヨークＹＢの
各部には、局所的に温度を調節するための永久磁石ブロ
ック１１−１〜１１−５が埋設または着設されている。
永久磁石１Ｍ２およびベースヨークＹＢの各部には、局
所的に温度を調整するための永久磁石ブロック１１−６
〜１１−１０が埋設または着設されている。
各部には、局所的に温度を調節するための永久磁石ブロ
ック１１−１〜１１−５が埋設または着設されている。
永久磁石１Ｍ２およびベースヨークＹＢの各部には、局
所的に温度を調整するための永久磁石ブロック１１−６
〜１１−１０が埋設または着設されている。
【００２７】各永久磁石ブロック１１には、その温度を
上げるヒータ２が設置されている。また、永久磁石ブロ
ック１１は、断熱材３により他の部材と熱的に遮断され
ている。ヒータ２を流れる電流ｉは、温度調節器４によ
り、温度センサ５で測定された永久磁石ブロック１１の
温度ｓが、温度設定部１２により設定された温度ｔと等
しくなるように制御される。温度設定部１２は、各永久
磁石ブロック１１が静磁界Ｂｏを均一化する補正磁界を
生成するときの温度ｓ１〜ｓ１０を設定する。なお、ベ
ースヨークＹＢに全体の温度を調節するためのヒータが
設けられることがあるが、これとは別に前記ヒータ２を
設ける。
上げるヒータ２が設置されている。また、永久磁石ブロ
ック１１は、断熱材３により他の部材と熱的に遮断され
ている。ヒータ２を流れる電流ｉは、温度調節器４によ
り、温度センサ５で測定された永久磁石ブロック１１の
温度ｓが、温度設定部１２により設定された温度ｔと等
しくなるように制御される。温度設定部１２は、各永久
磁石ブロック１１が静磁界Ｂｏを均一化する補正磁界を
生成するときの温度ｓ１〜ｓ１０を設定する。なお、ベ
ースヨークＹＢに全体の温度を調節するためのヒータが
設けられることがあるが、これとは別に前記ヒータ２を
設ける。
【００２８】図３に示すように、温度調節器４がヒータ
２に電流ｉを流さず、永久磁石ブロック１１を周囲温度
のままとすると、永久磁石ブロック１１は周囲温度に対
応する強度の磁界を発生させる。一方、図４に示すよう
に、温度調節器４が前記ヒータ２に電流ｉを流し、永久
磁石ブロック１１の温度を上げると、永久磁石ブロック
１１が発生する磁力が弱まる。これは、永久磁石ブロッ
ク１１が負の温度特性を持つからである。
２に電流ｉを流さず、永久磁石ブロック１１を周囲温度
のままとすると、永久磁石ブロック１１は周囲温度に対
応する強度の磁界を発生させる。一方、図４に示すよう
に、温度調節器４が前記ヒータ２に電流ｉを流し、永久
磁石ブロック１１の温度を上げると、永久磁石ブロック
１１が発生する磁力が弱まる。これは、永久磁石ブロッ
ク１１が負の温度特性を持つからである。
【００２９】図５は、ＭＲＩ装置１００における静磁界
均一化処理を示すフロー図である。ステップＳＴ１で
は、被検体を挿入しない状態で、テスラメータ（tesla
meter）などで撮像領域ＫＫにおける静磁界強度を測定
し、温度設定部１２へ送る。
均一化処理を示すフロー図である。ステップＳＴ１で
は、被検体を挿入しない状態で、テスラメータ（tesla
meter）などで撮像領域ＫＫにおける静磁界強度を測定
し、温度設定部１２へ送る。
【００３０】ステップＳＴ２では、温度設定部１２は、
磁界強度測定値および既知の温度特性に基づいて、静磁
界Ｂｏを均一にするための各永久磁石ブロック１１の設
定温度ｔを算出する。例えば、Ｘ方向の正側の磁界をＸ
方向の負側の磁界よりも補強する場合、永久磁石ブロッ
ク１１−２の温度のみを上げ、永久磁石ブロック１１−
３の温度を上げない温度調節を行う（永久磁石１Ｍ２側
も同様に調整する）。また、Ｙ方向の正側の磁界をＹ方
向の負側の磁界よりも補強する場合、永久磁石ブロック
１１−５の温度のみを上げ、永久磁石ブロック１１−４
の温度を上げない温度調節を行う。さらに、Ｚ方向の上
側の磁界を下側の磁界よりも補強する場合、永久磁石ブ
ロック１１−６の温度のみを上げ、永久磁石ブロック１
１−１の温度を上げない温度調節を行う。
磁界強度測定値および既知の温度特性に基づいて、静磁
界Ｂｏを均一にするための各永久磁石ブロック１１の設
定温度ｔを算出する。例えば、Ｘ方向の正側の磁界をＸ
方向の負側の磁界よりも補強する場合、永久磁石ブロッ
ク１１−２の温度のみを上げ、永久磁石ブロック１１−
３の温度を上げない温度調節を行う（永久磁石１Ｍ２側
も同様に調整する）。また、Ｙ方向の正側の磁界をＹ方
向の負側の磁界よりも補強する場合、永久磁石ブロック
１１−５の温度のみを上げ、永久磁石ブロック１１−４
の温度を上げない温度調節を行う。さらに、Ｚ方向の上
側の磁界を下側の磁界よりも補強する場合、永久磁石ブ
ロック１１−６の温度のみを上げ、永久磁石ブロック１
１−１の温度を上げない温度調節を行う。
【００３１】なお、各永久磁石ブロック１１の温度を変
えることにより補正可能なのは、主としてＸ，Ｙ，Ｚの
各方向の磁界勾配の１次項である（例えば１℃の温度差
で、６０〜７０ｐｐｍ程度の補正が可能である）が、例
えば永久磁石ブロック１１−１および１１−６の温度を
同時に上げるか又は下げる調整を行うことで、Ｚ方向の
２次項の磁界勾配に関しても幾分かの補正が可能である
（例えば１℃の温度差で、３〜６ｐｐｍ程度の補正が可
能である）。
えることにより補正可能なのは、主としてＸ，Ｙ，Ｚの
各方向の磁界勾配の１次項である（例えば１℃の温度差
で、６０〜７０ｐｐｍ程度の補正が可能である）が、例
えば永久磁石ブロック１１−１および１１−６の温度を
同時に上げるか又は下げる調整を行うことで、Ｚ方向の
２次項の磁界勾配に関しても幾分かの補正が可能である
（例えば１℃の温度差で、３〜６ｐｐｍ程度の補正が可
能である）。
【００３２】ステップＳＴ３では、温度調節器４は、各
永久磁石ブロック１１の温度ｓが設定温度ｔと等しくな
るように、ヒータ２の電流ｉを制御する。
永久磁石ブロック１１の温度ｓが設定温度ｔと等しくな
るように、ヒータ２の電流ｉを制御する。
【００３３】以上のＭＲＩ装置１００によれば、各永久
磁石ブロック１１の温度を個別に調節することで静磁界
Ｂｏの均一性を調整できる。そして、局所的温度を調節
するため、意図しない温度変化を防止でき、温度変化に
起因する静磁場均一製の乱れを防止できる。
磁石ブロック１１の温度を個別に調節することで静磁界
Ｂｏの均一性を調整できる。そして、局所的温度を調節
するため、意図しない温度変化を防止でき、温度変化に
起因する静磁場均一製の乱れを防止できる。
【００３４】上記第１の実施形態の構成を、次のように
変更してもよい。 （１）永久磁石１Ｍ１やベースヨークＹＢの局所的温度
を調節する代わりに又はそれに加えて、整磁板Ｓｐ１，
Ｓｐ２の局所的温度を調節してもよい。 （２）ヒータ２の代わりに、ペリチエ（peltier）素子
などの加熱器／冷却器を用いて永久磁石ブロック１１の
温度を調節してもよい。また、ヒータ２と冷却器とを併
用してもよい。 （３）永久磁石部材（着磁した磁性体）を用いた永久磁
石ブロック１１の代わりに、非着磁の磁性体を用いた磁
性体ブロックを用いてもよい。
変更してもよい。 （１）永久磁石１Ｍ１やベースヨークＹＢの局所的温度
を調節する代わりに又はそれに加えて、整磁板Ｓｐ１，
Ｓｐ２の局所的温度を調節してもよい。 （２）ヒータ２の代わりに、ペリチエ（peltier）素子
などの加熱器／冷却器を用いて永久磁石ブロック１１の
温度を調節してもよい。また、ヒータ２と冷却器とを併
用してもよい。 （３）永久磁石部材（着磁した磁性体）を用いた永久磁
石ブロック１１の代わりに、非着磁の磁性体を用いた磁
性体ブロックを用いてもよい。
【００３５】−第２の実施形態−
図６は、本発明の第２の実施形態にかかるＭＲＩ装置を
示す要部断面図である。図７は、図７は、図６のＫ−
Ｋ’断面図である。このＭＲＩ装置２００において、永
久磁石１Ｍ１およびベースヨークＹＢの各部には、複数
のタイプ（図８の２１α，２１β，２１γ）のうちから
選択された静磁界調整用ユニット２１−１〜２１−１０
を任意に着脱可能なネジ穴すなわち静磁界調整用ユニッ
ト着脱部２０−１〜２０−１０が穿設されている。
示す要部断面図である。図７は、図７は、図６のＫ−
Ｋ’断面図である。このＭＲＩ装置２００において、永
久磁石１Ｍ１およびベースヨークＹＢの各部には、複数
のタイプ（図８の２１α，２１β，２１γ）のうちから
選択された静磁界調整用ユニット２１−１〜２１−１０
を任意に着脱可能なネジ穴すなわち静磁界調整用ユニッ
ト着脱部２０−１〜２０−１０が穿設されている。
【００３６】図８の（ａ）に示すように、静磁界調整用
ユニット２１αは、中空円筒体であり且つ外形がネジ形
状の非磁性体ソケット２１０αと，その中心部に貫設さ
れた直径ｒ１の中実円柱体の磁性体コア２１１αとから
なる。図８の（ｂ）に示すように、静磁界調整用ユニッ
ト２１βは、非磁性体ソケット２１０βと，その中心部
に貫設された直径ｒ２（ｒ２＞ｒ１）の磁性体コア２１
１βとからなる。図８の（ｃ）に示すように、静磁界調
整用ユニット２１γは、中実円柱体であり、全体が磁性
体である。各静磁界調整用ユニット２１α，２１β，２
１γの外周には、静磁界調整用ユニット着脱部２０に螺
入できるネジ溝Ｍが刻設されている。
ユニット２１αは、中空円筒体であり且つ外形がネジ形
状の非磁性体ソケット２１０αと，その中心部に貫設さ
れた直径ｒ１の中実円柱体の磁性体コア２１１αとから
なる。図８の（ｂ）に示すように、静磁界調整用ユニッ
ト２１βは、非磁性体ソケット２１０βと，その中心部
に貫設された直径ｒ２（ｒ２＞ｒ１）の磁性体コア２１
１βとからなる。図８の（ｃ）に示すように、静磁界調
整用ユニット２１γは、中実円柱体であり、全体が磁性
体である。各静磁界調整用ユニット２１α，２１β，２
１γの外周には、静磁界調整用ユニット着脱部２０に螺
入できるネジ溝Ｍが刻設されている。
【００３７】非磁性体ソケット２１０α，２１０βの非
磁性体材料は、ＰＰ（PolyPropylene），ＰＢＴ（PolyB
utylene Terephthalate），ＡＢＳ（Acrylonitrile But
adiene Styrene），ＰＥ（PolyEthylene），ＰＳ（Poly
Styrene），ＴＰＸ（polymethylpentene），ＰＯＭ（po
lyacetals），ＰＶＣ（PolyVinyl Chloride），ＰＰＥ
（PolyPhenylene Ether）のいずれか又はそれらのうち
の２以上の組み合わせである。
磁性体材料は、ＰＰ（PolyPropylene），ＰＢＴ（PolyB
utylene Terephthalate），ＡＢＳ（Acrylonitrile But
adiene Styrene），ＰＥ（PolyEthylene），ＰＳ（Poly
Styrene），ＴＰＸ（polymethylpentene），ＰＯＭ（po
lyacetals），ＰＶＣ（PolyVinyl Chloride），ＰＰＥ
（PolyPhenylene Ether）のいずれか又はそれらのうち
の２以上の組み合わせである。
【００３８】磁性体コア２１１α，２１１βおよび静磁
界調整用ユニット２１γの磁性体材料は、ネオジウム系
磁石材料，サマリウムコバルト系磁石材料，アルニコ系
磁石材料，フェライト系磁石材料のいずれか又はそれら
のうちの２以上の組み合わせである。
界調整用ユニット２１γの磁性体材料は、ネオジウム系
磁石材料，サマリウムコバルト系磁石材料，アルニコ系
磁石材料，フェライト系磁石材料のいずれか又はそれら
のうちの２以上の組み合わせである。
【００３９】このＭＲＩ装置２００では、撮像領域ＫＫ
における静磁界Ｂｏの均一性が最も改善されるように選
択した静磁界調整用ユニット２１（図８の２１α，２１
β，２１γのいずれか）を、各静磁界調整用ユニット着
脱部２０に装着する。
における静磁界Ｂｏの均一性が最も改善されるように選
択した静磁界調整用ユニット２１（図８の２１α，２１
β，２１γのいずれか）を、各静磁界調整用ユニット着
脱部２０に装着する。
【００４０】以上のＭＲＩ装置２００によれば、静磁界
調整用ユニット着脱部２０に装着する静磁界調整用ユニ
ット２１を交換することで静磁界Ｂｏの均一性を調整で
きる。また、全体を交換してしまうため、磁気抵抗値の
差の大きな物に交換すれば調整可能な範囲を広くでき、
磁気抵抗値の差の小さな物に交換すれば調整の精度を細
かく出来る。
調整用ユニット着脱部２０に装着する静磁界調整用ユニ
ット２１を交換することで静磁界Ｂｏの均一性を調整で
きる。また、全体を交換してしまうため、磁気抵抗値の
差の大きな物に交換すれば調整可能な範囲を広くでき、
磁気抵抗値の差の小さな物に交換すれば調整の精度を細
かく出来る。
【００４１】なお、図８には、３種類の静磁界調整用ユ
ニット２１α，２１β，２１γを示したが、コアの直
径，コアの材料，コアの長さを変えることによって、異
なる磁気抵抗値を持つ多種類の静磁界調整用ユニットを
利用できる。また、非磁性体ソケットを磁性体ソケット
としてもよいし、磁性体コアを非磁性体コアとしてもよ
い。
ニット２１α，２１β，２１γを示したが、コアの直
径，コアの材料，コアの長さを変えることによって、異
なる磁気抵抗値を持つ多種類の静磁界調整用ユニットを
利用できる。また、非磁性体ソケットを磁性体ソケット
としてもよいし、磁性体コアを非磁性体コアとしてもよ
い。
【００４２】−第３の実施形態−
第３の実施形態におけるＭＲＩ装置では、前述の第２の
実施形態における静磁界調整用ユニット２１（図８参
照）に代えて、図９に示す静磁界調整用ユニット３１を
用いる。すなわち、中空円筒体の終段リング３１０の中
心穴に中空円筒体の初段リング３１１を螺入し、初段リ
ング３１１の中心穴に中実円柱体のコア３１２を螺入し
た組立体の静磁界調整用ユニット３１を用いる。
実施形態における静磁界調整用ユニット２１（図８参
照）に代えて、図９に示す静磁界調整用ユニット３１を
用いる。すなわち、中空円筒体の終段リング３１０の中
心穴に中空円筒体の初段リング３１１を螺入し、初段リ
ング３１１の中心穴に中実円柱体のコア３１２を螺入し
た組立体の静磁界調整用ユニット３１を用いる。
【００４３】図１０の（ａ１）（ｂ１）に示すように、
終段リング３１０として、磁性体の終段リング３１０Ａ
と，非磁性体の終段リング３１０Ｂのどちらかが選択さ
れる。また、図１０の（ａ２）（ｂ２）に示すように、
初段リング３１１として、磁性体の初段リング３１１Ａ
と，非磁性体の初段リング３１１Ｂのどちらかが選択さ
れる。また、図１０の（ａ３）（ｂ３）に示すように、
コア３１２として、磁性体のコア３１２Ａと，非磁性体
のコア３１２Ｂのどちらかが選択される。
終段リング３１０として、磁性体の終段リング３１０Ａ
と，非磁性体の終段リング３１０Ｂのどちらかが選択さ
れる。また、図１０の（ａ２）（ｂ２）に示すように、
初段リング３１１として、磁性体の初段リング３１１Ａ
と，非磁性体の初段リング３１１Ｂのどちらかが選択さ
れる。また、図１０の（ａ３）（ｂ３）に示すように、
コア３１２として、磁性体のコア３１２Ａと，非磁性体
のコア３１２Ｂのどちらかが選択される。
【００４４】したがって、図１１に示すように、静磁界
調整用ユニット３１の構造パターンは８通りとなる。な
お、模式断面の磁性体部分をハッチングで表現してい
る。
調整用ユニット３１の構造パターンは８通りとなる。な
お、模式断面の磁性体部分をハッチングで表現してい
る。
【００４５】このＭＲＩ装置では、撮像領域ＫＫ（図６
参照）における静磁界Ｂｏの均一性が最も改善されるよ
うに構造パターン（図１１の８パターンのいずれか）を
選択した静磁界調整用ユニット３１を、各静磁界調整用
ユニット着脱部２０に装着する。
参照）における静磁界Ｂｏの均一性が最も改善されるよ
うに構造パターン（図１１の８パターンのいずれか）を
選択した静磁界調整用ユニット３１を、各静磁界調整用
ユニット着脱部２０に装着する。
【００４６】以上のＭＲＩ装置によれば、静磁界調整用
ユニット着脱部２０に装着する静磁界調整用ユニット３
１を交換することで静磁界Ｂｏの均一性を調整できる。
また、全体を交換してしまうため、磁気抵抗値の差の大
きな物に交換すれば調整可能な範囲を広くでき、磁気抵
抗値の差の小さな物に交換すれば調整の精度を細かく出
来る。
ユニット着脱部２０に装着する静磁界調整用ユニット３
１を交換することで静磁界Ｂｏの均一性を調整できる。
また、全体を交換してしまうため、磁気抵抗値の差の大
きな物に交換すれば調整可能な範囲を広くでき、磁気抵
抗値の差の小さな物に交換すれば調整の精度を細かく出
来る。
【００４７】なお、初段リングとコアの直径，長さ、終
段リングと初段リングとコアの材料を変えることによっ
て、異なる磁気抵抗値を持つ多種類の静磁界調整用ユニ
ットを利用できる。また、初段リングと終段リングの間
に中間リングを挟んで段数を増やせば、構造パターンの
数を更に増やすことが出来る。
段リングと初段リングとコアの材料を変えることによっ
て、異なる磁気抵抗値を持つ多種類の静磁界調整用ユニ
ットを利用できる。また、初段リングと終段リングの間
に中間リングを挟んで段数を増やせば、構造パターンの
数を更に増やすことが出来る。
【００４８】
【発明の効果】本発明の静磁界調整方法およびＭＲＩ装
置によれば、静磁界の均一性を調整することが出来る。
また、温度変化に起因する静磁界の乱れを防止できる。
さらに、調整可能な範囲および調整の精度の一方が犠牲
にならないように静磁界均一度を調整できる。
置によれば、静磁界の均一性を調整することが出来る。
また、温度変化に起因する静磁界の乱れを防止できる。
さらに、調整可能な範囲および調整の精度の一方が犠牲
にならないように静磁界均一度を調整できる。
【図１】第１の実施形態にかかるＭＲＩ装置を示す要部
断面図である。
断面図である。
【図２】図１のＫ−Ｋ’断面図である。
【図３】永久磁石ブロックを周囲温度のままとしたとき
の磁界分布を示す説明図である。
の磁界分布を示す説明図である。
【図４】永久磁石ブロックの温度を上げたときの磁界分
布を示す説明図である。
布を示す説明図である。
【図５】図１のＭＲＩ装置における静磁界均一化処理を
示すフロー図である。
示すフロー図である。
【図６】第２の実施形態にかかるＭＲＩ装置を示す要部
断面図である。
断面図である。
【図７】図６のＫ−Ｋ’断面図である。
【図８】図６のＭＲＩ装置に用いる静磁界調整用ユニッ
トを示す説明図である。
トを示す説明図である。
【図９】第３の実施形態のＭＲＩ装置にかかる静磁界調
整用ユニットを示す説明図である。
整用ユニットを示す説明図である。
【図１０】図９の静磁界調整用ユニットを構成する各パ
ーツを示す説明図である。
ーツを示す説明図である。
【図１１】図９の静磁界調整用ユニットの構造パターン
を示す図表である。
を示す図表である。
【図１２】従来のＭＲＩ装置の一例を示す要部断面図で
ある。
ある。
１００，２００ ＭＲＩ装置
１Ｍ１，１Ｍ２ 永久磁石
２ ヒータ
３ 断熱材
４ 温度調節器
５ 温度センサ
１１ 永久磁石ブロック
１２ 温度設定部
２０ 静磁界調整用ユニット着脱部
２１，３１ 静磁界調整用ユニット
２１０ 非磁性体ソケット
２１１ 磁性体コア
３１０ 終段リング
３１１ 初段リング
３１２ コア
Ｂｏ 静磁界
ＫＫ 撮像領域
Ｓｐ１，Ｓｐ２ 整磁板
ＹＢ ベースヨーク
ＹＰ 支柱ヨーク
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 後藤 隆男
東京都日野市旭ケ丘４丁目７番地の127
ジーイー横河メディカルシステム株式会社
内
(72)発明者 星野 和哉
東京都日野市旭ケ丘４丁目７番地の127
ジーイー横河メディカルシステム株式会社
内
(72)発明者 井上 勇二
東京都日野市旭ケ丘４丁目７番地の127
ジーイー横河メディカルシステム株式会社
内
(72)発明者 佐久間 正章
東京都日野市旭ケ丘４丁目７番地の127
ジーイー横河メディカルシステム株式会社
内
Ｆターム(参考） 4C096 AA20 AB32 AB45 AD08 CA05
CA10 CA25 CA56
Claims (16)
- 【請求項１】 静磁界発生用マグネットの永久磁石、ヨ
ークおよび整磁板の少なくとも一つの局所的温度を調節
することによって静磁界均一性を調整することを特徴と
する静磁界調整方法。 - 【請求項２】 静磁界発生用マグネットの永久磁石、ヨ
ークおよび整磁板の少なくとも一つの局所的温度を調節
するための温度調節手段を具備し、静磁界均一性を調整
するように前記局所的温度を調節することを特徴とする
ＭＲＩ装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載のＭＲＩ装置において、
前記温度調節手段は、前記局所的温度を検出する温度セ
ンサと、前記局所的温度を上げるヒータおよび前記局所
的温度を下げる冷却器の少なくとも一方と、前記局所的
温度が設定温度となるように前記ヒータおよび前記冷却
器の作動を制御する制御手段とを備えてなることを特徴
とするＭＲＩ装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載のＭＲＩ装置において、
前記温度センサと前記ヒータおよび前記冷却器の少なく
とも一方とを永久磁石部材に設置した永久磁石ブロック
を、前記永久磁石、ヨークおよび整磁板の少なくとも一
つに取り付けたことを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項５】 請求項３または請求項４に記載のＭＲＩ
装置において、前記温度センサと前記ヒータおよび前記
冷却器の少なくとも一方とを磁性体部材に設置した磁性
体ブロックを、前記永久磁石、ヨークおよび整磁板の少
なくとも一つに取り付けたことを特徴とするＭＲＩ装
置。 - 【請求項６】 請求項４または請求項５に記載のＭＲＩ
装置において、前記永久磁石ブロックまたは前記磁性体
ブロックとそれに隣接する他の部材との間に断熱材を介
設したことを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項７】 請求項４から請求項６のいずれかに記載
のＭＲＩ装置において、前記永久磁石ブロックまたは磁
性体ブロックは、静磁界方向の静磁界均一性を調整可能
な位置に配置されていることを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項８】 請求項４から請求項７のいずれかに記載
のＭＲＩ装置において、前記永久磁石ブロックまたは磁
性体ブロックは、静磁界方向に直交する方向の静磁界均
一性を調整可能な位置に配置されていることを特徴とす
るＭＲＩ装置。 - 【請求項９】 静磁界発生用マグネットの永久磁石、ヨ
ークおよび整磁板の少なくとも一つに静磁界調整用ユニ
ット着脱部を設け、前記静磁界調整用ユニット着脱部に
着脱自在で磁気抵抗値の異なる複数の静磁界調整用ユニ
ットの中から選択した静磁界調整用ユニットを前記静磁
界調整用ユニット着脱部に装着することによって静磁界
均一性を調整することを特徴とする静磁界調整方法。 - 【請求項１０】 静磁界発生用マグネットの永久磁石、
ヨークおよび整磁板の少なくとも一つに静磁界調整用ユ
ニット着脱部が設けられ、前記静磁界調整用ユニット着
脱部に着脱自在で磁気抵抗値の異なる複数の静磁界調整
用ユニットの中から選択した静磁界調整用ユニットが前
記静磁界調整用ユニット着脱部に装着されて静磁界均一
性が調整されていることを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載のＭＲＩ装置におい
て、静磁界調整用ユニット着脱部は、ネジ穴であり、前
記静磁界調整用ユニットの外形は、前記ネジ穴に螺入さ
れるネジ形状であることを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載のＭＲＩ装置におい
て、前記複数の静磁界調整用ユニットは、第１の中実円
柱体と該第１の中実円柱体の周面を取り巻くように保持
する第１の中空円筒体とを一体化した組立体であって前
記第１の中実円柱体および前記第１の中空円筒体の一方
が磁性体で他方が非磁性体からなる第１の静磁界調整用
ユニット、および、前記第１の中実円柱体とは外径が異
なる第２の中実円柱体と該第２の中実円柱体の周面を取
り巻くように保持し前記第１の中空円筒体とは外径が同
一の第２の中空円筒体とを一体化した組立体であって前
記第２の中実円柱体および前記第２の中空円筒体の一方
が磁性体で他方が非磁性体からなる第２の静磁界調整用
ユニットを含むことを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項１３】 請求項１１に記載のＭＲＩ装置におい
て、前記複数の静磁界調整用ユニットは、前記ネジ穴に
螺入される中実円柱体の磁性体からなる静磁界調整用ユ
ニットを含むことを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項１４】 請求項１１に記載のＭＲＩ装置におい
て、前記複数の静磁界調整用ユニットは、ネジ形状の中
実円柱体と該中実円柱体を螺入するネジ穴を中心穴とし
て有し外形がネジ形状の初段中空円筒体と該初段中空円
筒体を螺入するネジ穴を中心穴として有し外形が前記静
磁界調整用ユニット着脱部のネジ穴に螺入されるネジ形
状の終段中空円筒体とを一体的に螺合した組立体であ
り、前記中実円柱体と前記初段中空円筒体と前記終段中
空円筒体のそれぞれを磁性体とするか非磁性体とするか
の組合せにより磁気抵抗値を変更可能な静磁界調整用ユ
ニットを含むことを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項１５】 請求項１０から請求項１４のいずれか
に記載のＭＲＩ装置において、前記静磁界調整用ユニッ
ト着脱部は、静磁界方向の静磁界均一性を調整可能な位
置に配置されていることを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項１６】 請求項１０から請求項１５のいずれか
に記載のＭＲＩ装置において、前記静磁界調整用ユニッ
ト着脱部は、静磁界方向に直交する方向の静磁界均一性
を調整可能な位置に配置されていることを特徴とするＭ
ＲＩ装置。
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