JP2003126059A - 静磁界調整方法およびｍｒｉ装置 - Google Patents
静磁界調整方法およびｍｒｉ装置Info
- Publication number
- JP2003126059A JP2003126059A JP2001322892A JP2001322892A JP2003126059A JP 2003126059 A JP2003126059 A JP 2003126059A JP 2001322892 A JP2001322892 A JP 2001322892A JP 2001322892 A JP2001322892 A JP 2001322892A JP 2003126059 A JP2003126059 A JP 2003126059A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- shim
- static magnetic
- shim coil
- mri apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】静磁界の均一性を調整する。
【解決手段】整磁板のセグメント２−６，２−１６を除
く各セグメントには、シムコイル３が巻回され、それら
シムコイル３は直列に接続され補正電流ｉを供給され
る。これにより、Ｘ方向についての静磁界の均一性を補
正し得る補正磁界ｂｘが発生する。 【効果】シムコイル３に電流を流すことによって、手間
をかけずに静磁界均一性を調整可能となる。微調整も可
能となる。温度変動等に応じた動的な調整も可能とな
る。
く各セグメントには、シムコイル３が巻回され、それら
シムコイル３は直列に接続され補正電流ｉを供給され
る。これにより、Ｘ方向についての静磁界の均一性を補
正し得る補正磁界ｂｘが発生する。 【効果】シムコイル３に電流を流すことによって、手間
をかけずに静磁界均一性を調整可能となる。微調整も可
能となる。温度変動等に応じた動的な調整も可能とな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静磁界調整方法お
よびＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging）装置に関
し、さらに詳しくは、静磁界の均一性を調整するための
静磁界調整方法およびその静磁界調整方法を好適に実施
しうるＭＲＩ装置に関する。
よびＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging）装置に関
し、さらに詳しくは、静磁界の均一性を調整するための
静磁界調整方法およびその静磁界調整方法を好適に実施
しうるＭＲＩ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のＭＲＩ装置の一例を示す
要部断面図である。このＭＲＩ装置５００は、垂直方向
に静磁界Ｂｏを発生させるオープン型ＭＲＩ装置であ
る。静磁界発生用マグネットは、上下に対向して設置さ
れた永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２と、ベースヨークＹＢと、
支柱ヨークＹＰと、整磁板５２，５４とにより構成され
ている。
要部断面図である。このＭＲＩ装置５００は、垂直方向
に静磁界Ｂｏを発生させるオープン型ＭＲＩ装置であ
る。静磁界発生用マグネットは、上下に対向して設置さ
れた永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２と、ベースヨークＹＢと、
支柱ヨークＹＰと、整磁板５２，５４とにより構成され
ている。
【０００３】永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２およびベースヨー
クＹＢには、静磁界調整用の磁性体ネジ５１が設置され
ている。磁性体ネジ５１のねじ込み量を調節することに
より、撮像領域ＫＫにおける静磁界Ｂｏの均一性を調整
することが出来る。
クＹＢには、静磁界調整用の磁性体ネジ５１が設置され
ている。磁性体ネジ５１のねじ込み量を調節することに
より、撮像領域ＫＫにおける静磁界Ｂｏの均一性を調整
することが出来る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のＭＲＩ装置
５００では、磁性体ネジ５１のねじ込み量を調節するの
に手間がかかり、また、微調整するのが難しい問題点が
ある。そこで、本発明の目的は、手間がかからず且つ微
調整も可能な静磁界調整方法およびその静磁界調整方法
を好適に実施しうるＭＲＩ装置を提供することにある。
５００では、磁性体ネジ５１のねじ込み量を調節するの
に手間がかかり、また、微調整するのが難しい問題点が
ある。そこで、本発明の目的は、手間がかからず且つ微
調整も可能な静磁界調整方法およびその静磁界調整方法
を好適に実施しうるＭＲＩ装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、複数のセグメントに分割された整磁板にシムコイル
を巻回し、前記シムコイルに電流を流すことによって静
磁界均一性を調整することを特徴とする静磁界調整方法
を提供する。上記第１の観点による静磁界調整方法で
は、整磁板のセグメント（segment）に巻回されたシム
コイルに電流を流すことによって静磁界均一性を調整す
る。これによって、手間をかけずに調整可能となり、且
つ、微調整も可能となる。また、温度変動等に応じた動
的な調整も可能となる。
は、複数のセグメントに分割された整磁板にシムコイル
を巻回し、前記シムコイルに電流を流すことによって静
磁界均一性を調整することを特徴とする静磁界調整方法
を提供する。上記第１の観点による静磁界調整方法で
は、整磁板のセグメント（segment）に巻回されたシム
コイルに電流を流すことによって静磁界均一性を調整す
る。これによって、手間をかけずに調整可能となり、且
つ、微調整も可能となる。また、温度変動等に応じた動
的な調整も可能となる。
【０００６】第２の観点では、本発明は、上記構成の静
磁界調整方法において、静磁界に対するシミングの次数
に合わせてシムコイルの巻き数を変えることを特徴とす
る静磁界調整方法を提供する。上記第２の観点による静
磁界調整方法では、静磁界の不均一の次数（一般に低
次）に適合したシミング（shimming）を行えるようにな
る。
磁界調整方法において、静磁界に対するシミングの次数
に合わせてシムコイルの巻き数を変えることを特徴とす
る静磁界調整方法を提供する。上記第２の観点による静
磁界調整方法では、静磁界の不均一の次数（一般に低
次）に適合したシミング（shimming）を行えるようにな
る。
【０００７】第３の観点では、本発明は、上記構成の静
磁界調整方法において、補正すべき磁界方向またはシミ
ングの次数に合わせて各シムコイルに流す電流量を制御
することを特徴とする静磁界調整方法を提供する。上記
第３の観点による静磁界調整方法では、シムコイルに流
す電流量の制御により、所望の方向や次数のシミングを
行えるようになる。
磁界調整方法において、補正すべき磁界方向またはシミ
ングの次数に合わせて各シムコイルに流す電流量を制御
することを特徴とする静磁界調整方法を提供する。上記
第３の観点による静磁界調整方法では、シムコイルに流
す電流量の制御により、所望の方向や次数のシミングを
行えるようになる。
【０００８】第４の観点では、本発明は、複数のセグメ
ントに分割された整磁板と、前記整磁板に巻回されたシ
ムコイルと、前記シムコイルに電流を流して静磁界均一
性を調整するシム電源とを具備したことを特徴とするＭ
ＲＩ装置を提供する。上記第４の観点によるＭＲＩ装置
では、上記第１の観点による静磁界調整方法を好適に実
施することが出来る。
ントに分割された整磁板と、前記整磁板に巻回されたシ
ムコイルと、前記シムコイルに電流を流して静磁界均一
性を調整するシム電源とを具備したことを特徴とするＭ
ＲＩ装置を提供する。上記第４の観点によるＭＲＩ装置
では、上記第１の観点による静磁界調整方法を好適に実
施することが出来る。
【０００９】第５の観点では、本発明は、上記構成のＭ
ＲＩ装置において、静磁界方向および補正すべき軸方向
に平行で且つ撮像領域の中心を通る平面に最も近い整磁
板に巻回するシムコイルの巻き数を最大とし、他の整磁
板に巻回するシムコイルの巻き数は前記平面から離れる
につれて減らすことを特徴とするＭＲＩ装置を提供す
る。上記第５の観点によるＭＲＩ装置では、補正すべき
軸方向についての磁界均一性の補正が、補正すべき軸に
直交する軸方向についての静磁界の均一性に影響するの
を抑制できる。このため、調整が容易になる。
ＲＩ装置において、静磁界方向および補正すべき軸方向
に平行で且つ撮像領域の中心を通る平面に最も近い整磁
板に巻回するシムコイルの巻き数を最大とし、他の整磁
板に巻回するシムコイルの巻き数は前記平面から離れる
につれて減らすことを特徴とするＭＲＩ装置を提供す
る。上記第５の観点によるＭＲＩ装置では、補正すべき
軸方向についての磁界均一性の補正が、補正すべき軸に
直交する軸方向についての静磁界の均一性に影響するの
を抑制できる。このため、調整が容易になる。
【００１０】第６の観点では、本発明は、上記構成のＭ
ＲＩ装置において、前記シムコイルの一部または全部
は、グループ化した複数のセグメントに跨って巻回され
ていることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第
６の観点によるＭＲＩ装置では、シムコイルを複数のセ
グメントに跨って巻回するので、個々のセグメントに巻
回するよりも、巻回の手間を節減することが出来る。
ＲＩ装置において、前記シムコイルの一部または全部
は、グループ化した複数のセグメントに跨って巻回され
ていることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第
６の観点によるＭＲＩ装置では、シムコイルを複数のセ
グメントに跨って巻回するので、個々のセグメントに巻
回するよりも、巻回の手間を節減することが出来る。
【００１１】第７の観点では、本発明は、上記構成のＭ
ＲＩ装置において、前記シムコイルを直列に接続し、単
一のシム電源から電流を供給することを特徴とするＭＲ
Ｉ装置を提供する。上記第７の観点によるＭＲＩ装置で
は、単一のシム電源からシムコイルに電流を供給するの
で、構成を簡単に出来る。
ＲＩ装置において、前記シムコイルを直列に接続し、単
一のシム電源から電流を供給することを特徴とするＭＲ
Ｉ装置を提供する。上記第７の観点によるＭＲＩ装置で
は、単一のシム電源からシムコイルに電流を供給するの
で、構成を簡単に出来る。
【００１２】第８の観点では、本発明は、上記構成のい
ずれかに記載のＭＲＩ装置において、前記シムコイルご
とに設けられたシム電源から電流を供給することを特徴
とするＭＲＩ装置を提供する。上記第８の観点によるＭ
ＲＩ装置では、各シムコイルに流す電流を個々に調整で
きるので、調整能力を向上することが出来る。
ずれかに記載のＭＲＩ装置において、前記シムコイルご
とに設けられたシム電源から電流を供給することを特徴
とするＭＲＩ装置を提供する。上記第８の観点によるＭ
ＲＩ装置では、各シムコイルに流す電流を個々に調整で
きるので、調整能力を向上することが出来る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図に示す実施の形態により
本発明を詳細に説明する。なお、これにより本発明が限
定されるものではない。
本発明を詳細に説明する。なお、これにより本発明が限
定されるものではない。
【００１４】−第１の実施形態−
図１は、本発明の第１の実施形態にかかるＭＲＩ装置を
示す要部断面図である。図２は、図１のＫ−Ｋ’断面図
である。
示す要部断面図である。図２は、図１のＫ−Ｋ’断面図
である。
【００１５】このＭＲＩ装置１００は、上下に対向して
設置された永久磁石すなわち永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２に
より垂直方向に静磁界Ｂｏを発生させるオープン型ＭＲ
Ｉ装置である。永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２の表面には、撮
像領域ＫＫにおける静磁界Ｂｏの均一性を高めるための
整磁板２および整磁板４がそれぞれ設置されている。整
磁板２は、渦電流を抑制するために、複数のセグメント
２−１，２−２，…，２−２０に分割されている。同様
に、整磁板４も、複数のセグメントに分割されている。
永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２と、整磁板２，４と、ベースヨ
ークＹＢおよび支柱ヨークＹＰとにより、磁気回路が構
成される。
設置された永久磁石すなわち永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２に
より垂直方向に静磁界Ｂｏを発生させるオープン型ＭＲ
Ｉ装置である。永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２の表面には、撮
像領域ＫＫにおける静磁界Ｂｏの均一性を高めるための
整磁板２および整磁板４がそれぞれ設置されている。整
磁板２は、渦電流を抑制するために、複数のセグメント
２−１，２−２，…，２−２０に分割されている。同様
に、整磁板４も、複数のセグメントに分割されている。
永久磁石１Ｍ１，１Ｍ２と、整磁板２，４と、ベースヨ
ークＹＢおよび支柱ヨークＹＰとにより、磁気回路が構
成される。
【００１６】整磁板２のセグメント２−６，２−１６を
除く他のセグメントには、Ｘ方向についての補正磁界を
発生するためのシムコイル３−１〜３−５，３−７〜３
−１５，３−１７〜３−２０が巻回され、それらシムコ
イル３−１〜３−５，３−７〜３−１５，３−１７〜３
−２０は直列に接続されている。
除く他のセグメントには、Ｘ方向についての補正磁界を
発生するためのシムコイル３−１〜３−５，３−７〜３
−１５，３−１７〜３−２０が巻回され、それらシムコ
イル３−１〜３−５，３−７〜３−１５，３−１７〜３
−２０は直列に接続されている。
【００１７】シムコイル３−１の巻き数をＮ１とし、シ
ムコイル３−２の巻き数をＮ２とし、シムコイル３−３
の巻き数をＮ３とし、シムコイル３−４の巻き数をＮ４
とし、シムコイル３−５の巻き数をＮ５とするとき、Ｎ
１＞Ｎ２＞Ｎ３＞Ｎ４＞Ｎ５である。また、シムコイル
３−１１の巻き数はＮ１であり、シムコイル３−１０，
３−１２，３−２０の巻き数はＮ２であり、シムコイル
３−９，３−１３，３−１９の巻き数はＮ３であり、シ
ムコイル３−８，３−１４，３−１８の巻き数はＮ４で
あり、シムコイル３−７，３−１５．３−１７の巻き数
はＮ５である。巻き数Ｎ１〜Ｎ５は、補正する静磁界Ｂ
ｏの不均一の次数（一般に、次数は、０〜２程度の低
次）に合わせて決められる。
ムコイル３−２の巻き数をＮ２とし、シムコイル３−３
の巻き数をＮ３とし、シムコイル３−４の巻き数をＮ４
とし、シムコイル３−５の巻き数をＮ５とするとき、Ｎ
１＞Ｎ２＞Ｎ３＞Ｎ４＞Ｎ５である。また、シムコイル
３−１１の巻き数はＮ１であり、シムコイル３−１０，
３−１２，３−２０の巻き数はＮ２であり、シムコイル
３−９，３−１３，３−１９の巻き数はＮ３であり、シ
ムコイル３−８，３−１４，３−１８の巻き数はＮ４で
あり、シムコイル３−７，３−１５．３−１７の巻き数
はＮ５である。巻き数Ｎ１〜Ｎ５は、補正する静磁界Ｂ
ｏの不均一の次数（一般に、次数は、０〜２程度の低
次）に合わせて決められる。
【００１８】また、図１に示すように、上記と同様に、
整磁板４のセグメントにも、Ｘ方向についての補正磁界
を発生するためのシムコイル５が巻回されている。
整磁板４のセグメントにも、Ｘ方向についての補正磁界
を発生するためのシムコイル５が巻回されている。
【００１９】シムコイル３−１〜３−５，３−７〜３−
１５，３−１７〜３−２０の直列回路およびシムコイル
５の直列回路には、それらに補正電流ｉを供給するシム
電源１０が接続されている。
１５，３−１７〜３−２０の直列回路およびシムコイル
５の直列回路には、それらに補正電流ｉを供給するシム
電源１０が接続されている。
【００２０】図３の（ａ）はシムコイル３−１〜３−
５，３−７〜３−１５，３−１７〜３−２０に流す補正
電流ｉを示し、図３の（ｂ）は発生する補正磁界ｂｘを
示している。この補正磁界ｂｘにより、Ｘ方向について
の静磁界の均一性を補正できる。なお、シムコイル３−
１〜３−５，３−７〜３−１５，３−１７〜３−２０の
巻き数Ｎ１〜Ｎ５がＮ１＞Ｎ２＞Ｎ３＞Ｎ４＞Ｎ５の関
係を有するので、補正磁界ｂｘはＹ方向については略均
一になり、静磁界のＹ方向についての均一性には影響を
与えない。
５，３−７〜３−１５，３−１７〜３−２０に流す補正
電流ｉを示し、図３の（ｂ）は発生する補正磁界ｂｘを
示している。この補正磁界ｂｘにより、Ｘ方向について
の静磁界の均一性を補正できる。なお、シムコイル３−
１〜３−５，３−７〜３−１５，３−１７〜３−２０の
巻き数Ｎ１〜Ｎ５がＮ１＞Ｎ２＞Ｎ３＞Ｎ４＞Ｎ５の関
係を有するので、補正磁界ｂｘはＹ方向については略均
一になり、静磁界のＹ方向についての均一性には影響を
与えない。
【００２１】以上のＭＲＩ装置１００によれば、補正電
流ｉを制御することにより、静磁界のＸ方向について均
一性を簡単に改善することが出来る。また、磁性体ネジ
で調整する場合よりも微調整が可能となる。さらに、永
久磁石１Ｍ１，１Ｍ２等の温度変動等により静磁界Ｂｏ
の均一性が変動した場合でも、簡単に再調整できる。
流ｉを制御することにより、静磁界のＸ方向について均
一性を簡単に改善することが出来る。また、磁性体ネジ
で調整する場合よりも微調整が可能となる。さらに、永
久磁石１Ｍ１，１Ｍ２等の温度変動等により静磁界Ｂｏ
の均一性が変動した場合でも、簡単に再調整できる。
【００２２】なお、Ｘ方向についての補正を行うシムコ
イル３−１〜３−５，３−７〜３−１５，３−１７〜３
−２０およびシムコイル５の代わりに又はそれに加え
て、Ｙ方向についての補正を行うシムコイルを設けても
よい。このＹ方向についての補正を行うシムコイルは、
Ｘ方向についての補正を行うシムコイル３−１〜３−
５，３−７〜３−１５，３−１７〜３−２０およびシム
コイル５をＸＹ面内で９０°回転させた配置としたもの
である。
イル３−１〜３−５，３−７〜３−１５，３−１７〜３
−２０およびシムコイル５の代わりに又はそれに加え
て、Ｙ方向についての補正を行うシムコイルを設けても
よい。このＹ方向についての補正を行うシムコイルは、
Ｘ方向についての補正を行うシムコイル３−１〜３−
５，３−７〜３−１５，３−１７〜３−２０およびシム
コイル５をＸＹ面内で９０°回転させた配置としたもの
である。
【００２３】−第２の実施形態−
図４は、本発明の第２の実施形態にかかるＭＲＩ装置の
要部断面図（図１のＫ−Ｋ’断面相当）である。シムコ
イル３−Ａは、セグメント２−２０，２−１，２−２に
跨って巻回されている。シムコイル３−Ｂは、セグメン
ト２−３，２−４に跨って巻回されている。シムコイル
３−Ｃは、セグメント２−５に巻回されている。シムコ
イル３−Ｄは、セグメント２−７に巻回されている。シ
ムコイル３−Ｅは、セグメント２−８，２−９に跨って
巻回されている。シムコイル３−Ｆは、セグメント２−
１０，２−１１，２−１２に跨って巻回されている。シ
ムコイル３−Ｇは、セグメント２−１３，２−１４に跨
って巻回されている。シムコイル３−Ｈは、セグメント
２−１５に巻回されている。シムコイル３−Ｉは、セグ
メント２−１７に巻回されている。シムコイル３−Ｊ
は、セグメント２−１８，２−１９に跨って巻回されて
いる。
要部断面図（図１のＫ−Ｋ’断面相当）である。シムコ
イル３−Ａは、セグメント２−２０，２−１，２−２に
跨って巻回されている。シムコイル３−Ｂは、セグメン
ト２−３，２−４に跨って巻回されている。シムコイル
３−Ｃは、セグメント２−５に巻回されている。シムコ
イル３−Ｄは、セグメント２−７に巻回されている。シ
ムコイル３−Ｅは、セグメント２−８，２−９に跨って
巻回されている。シムコイル３−Ｆは、セグメント２−
１０，２−１１，２−１２に跨って巻回されている。シ
ムコイル３−Ｇは、セグメント２−１３，２−１４に跨
って巻回されている。シムコイル３−Ｈは、セグメント
２−１５に巻回されている。シムコイル３−Ｉは、セグ
メント２−１７に巻回されている。シムコイル３−Ｊ
は、セグメント２−１８，２−１９に跨って巻回されて
いる。
【００２４】シムコイル３−Ａ，３−Ｆの巻き数をＮａ
とし、シムコイル３−Ｂ，３−Ｅ，３−Ｇ，３−Ｊの巻
き数Ｎｂとし、シムコイル３−Ｃ，３−Ｄ，３−Ｈ，３
−Ｉの巻き数をＮｃとするとき、Ｎａ＞Ｎｂ＞Ｎｃとす
る。
とし、シムコイル３−Ｂ，３−Ｅ，３−Ｇ，３−Ｊの巻
き数Ｎｂとし、シムコイル３−Ｃ，３−Ｄ，３−Ｈ，３
−Ｉの巻き数をＮｃとするとき、Ｎａ＞Ｎｂ＞Ｎｃとす
る。
【００２５】また、上記と同様に、整磁板４のセグメン
トにも、シムコイルが巻回されている。
トにも、シムコイルが巻回されている。
【００２６】シムコイル３−Ａ〜３−Ｊの直列回路およ
び整磁板４のセグメントに巻回されているシムコイルの
直列回路には、電流ｉを供給するシム電源１０が接続さ
れている。
び整磁板４のセグメントに巻回されているシムコイルの
直列回路には、電流ｉを供給するシム電源１０が接続さ
れている。
【００２７】以上のＭＲＩ装置によれば、セグメント２
−２０，２−１，２−２のグループ、２−３，２−４の
グループ、２−８，２−９のグループ、２−１０，２−
１１，２−１２のグループ、２−１３，２−１４のグル
ープ、２−１８，２−１９のグループに跨ってシムコイ
ル３−Ａ，３−Ｂ，３−Ｅ，３−Ｆ，３−Ｇ，３−Ｊを
それぞれ巻回するので、個々のセグメントにシムコイル
を巻回する場合に較べて製造時の組み立て効率を向上で
きる。
−２０，２−１，２−２のグループ、２−３，２−４の
グループ、２−８，２−９のグループ、２−１０，２−
１１，２−１２のグループ、２−１３，２−１４のグル
ープ、２−１８，２−１９のグループに跨ってシムコイ
ル３−Ａ，３−Ｂ，３−Ｅ，３−Ｆ，３−Ｇ，３−Ｊを
それぞれ巻回するので、個々のセグメントにシムコイル
を巻回する場合に較べて製造時の組み立て効率を向上で
きる。
【００２８】なお、Ｘ方向についての補正を行うシムコ
イル３−Ａ，３−Ｂ，３−Ｅ，３−Ｆ，３−Ｇ，３−Ｊ
および整磁板４のセグメントに巻回されているシムコイ
ルの代わりに又はそれに加えて、Ｙ方向についての補正
を行うシムコイルを設けてもよい。このＹ方向について
の補正を行うシムコイルは、Ｘ方向についての補正を行
うシムコイル３−Ａ，３−Ｂ，３−Ｅ，３−Ｆ，３−
Ｇ，３−Ｊおよび整磁板４のセグメントに巻回されてい
るシムコイルをＸＹ面内で９０°回転させた配置とした
ものである。
イル３−Ａ，３−Ｂ，３−Ｅ，３−Ｆ，３−Ｇ，３−Ｊ
および整磁板４のセグメントに巻回されているシムコイ
ルの代わりに又はそれに加えて、Ｙ方向についての補正
を行うシムコイルを設けてもよい。このＹ方向について
の補正を行うシムコイルは、Ｘ方向についての補正を行
うシムコイル３−Ａ，３−Ｂ，３−Ｅ，３−Ｆ，３−
Ｇ，３−Ｊおよび整磁板４のセグメントに巻回されてい
るシムコイルをＸＹ面内で９０°回転させた配置とした
ものである。
【００２９】−第３の実施形態−
図５は、本発明の第３の実施形態にかかるＭＲＩ装置の
要部断面図（図１のＫ−Ｋ’断面相当）である。シムコ
イル３−１〜３−５，３−７〜３−１５，３−１７〜３
−２０には、それぞれ、シム電源１０−１〜１０−１８
が個別に接続されている。シムコイル３−１〜３−５，
３−７〜３−１５，３−１７〜３−２０は、第１の実施
形態にかかるシムコイルと同じである。以上のＭＲＩ装
置によれば、シムコイル３−１〜３−５，３−７〜３−
１５，３−１７〜３−２０に流す電流を個々に調整でき
るため、静磁界Ｂｏの均一性調整能力を向上することが
出来る。
要部断面図（図１のＫ−Ｋ’断面相当）である。シムコ
イル３−１〜３−５，３−７〜３−１５，３−１７〜３
−２０には、それぞれ、シム電源１０−１〜１０−１８
が個別に接続されている。シムコイル３−１〜３−５，
３−７〜３−１５，３−１７〜３−２０は、第１の実施
形態にかかるシムコイルと同じである。以上のＭＲＩ装
置によれば、シムコイル３−１〜３−５，３−７〜３−
１５，３−１７〜３−２０に流す電流を個々に調整でき
るため、静磁界Ｂｏの均一性調整能力を向上することが
出来る。
【００３０】−他の実施形態−
各セグメントまたはセグメントのグループに巻回するシ
ムコイルの巻き数を同一とし、それらシムコイルに流す
補正電流を異ならせるようにしてもよい。例えば、図５
において、シムコイル３−１〜３−５，３−７〜３−１
５，３−１７〜３−２０の巻き数を同一とし、シムコイ
ル３−１，３−１１に流す電流をｉ１とし、シムコイル
３−２，３−１０，３−１２，３−２０に流す電流をｉ
２とし、シムコイル３−３，３−９，３−１３，３−１
９に流す電流をｉ３とし、シムコイル３−４，３−８，
３−１４，３−１８に流す電流をｉ４とし、シムコイル
３−５，３−７，３−１５，３−１７に流す電流をｉ５
とし、且つ、ｉ１＞ｉ２＞ｉ３＞ｉ４＞ｉ５としてもよ
い。
ムコイルの巻き数を同一とし、それらシムコイルに流す
補正電流を異ならせるようにしてもよい。例えば、図５
において、シムコイル３−１〜３−５，３−７〜３−１
５，３−１７〜３−２０の巻き数を同一とし、シムコイ
ル３−１，３−１１に流す電流をｉ１とし、シムコイル
３−２，３−１０，３−１２，３−２０に流す電流をｉ
２とし、シムコイル３−３，３−９，３−１３，３−１
９に流す電流をｉ３とし、シムコイル３−４，３−８，
３−１４，３−１８に流す電流をｉ４とし、シムコイル
３−５，３−７，３−１５，３−１７に流す電流をｉ５
とし、且つ、ｉ１＞ｉ２＞ｉ３＞ｉ４＞ｉ５としてもよ
い。
【００３１】
【発明の効果】本発明の静磁界調整方法およびＭＲＩ装
置によれば、整磁板のセグメントに巻回したシムコイル
に電流を流すことによって、手間をかけずに静磁界均一
性を調整可能となる。また、微調整も可能となる。さら
に、温度変動等に応じた動的な調整も可能となる。
置によれば、整磁板のセグメントに巻回したシムコイル
に電流を流すことによって、手間をかけずに静磁界均一
性を調整可能となる。また、微調整も可能となる。さら
に、温度変動等に応じた動的な調整も可能となる。
【図１】第１の実施形態にかかるＭＲＩ装置を示す要部
断面図である。
断面図である。
【図２】図１のＫ−Ｋ’断面図である。
【図３】図１のシムコイルに電流を流したときの磁界分
布を示す模式図である。
布を示す模式図である。
【図４】第２の実施形態にかかるＭＲＩ装置の要部断面
図である。
図である。
【図５】第３の実施形態にかかるＭＲＩ装置の要部断面
図である。
図である。
【図６】従来のＭＲＩ装置の一例を示す要部断面図であ
る。
る。
１００ ＭＲＩ装置
１Ｍ１，１Ｍ２ 永久磁石
２，４ 静磁板
３，５ シムコイル
１０ シム電源
Ｂｏ 静磁界
ＫＫ 撮像領域
ＹＢ ベースヨーク
ＹＰ 支柱ヨーク
フロントページの続き
(72)発明者 後藤 隆男
東京都日野市旭ケ丘４丁目７番地の127
ジーイー横河メディカルシステム株式会社
内
Ｆターム(参考） 4C096 AA20 AB32 AD02 AD08 AD23
CA05 CA10 CA16 CA23 CA35
CA36
Claims (8)
- 【請求項１】 複数のセグメントに分割された整磁板に
シムコイルを巻回し、前記シムコイルに電流を流すこと
によって静磁界均一性を調整することを特徴とする静磁
界調整方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の静磁界調整方法におい
て、静磁界に対するシミングの次数に合わせてシムコイ
ルの巻き数を変えることを特徴とする静磁界調整方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の静磁界
調整方法において、補正すべき磁界方向またはシミング
の次数に合わせて各シムコイルに流す電流量を制御する
ことを特徴とする静磁界調整方法。 - 【請求項４】 複数のセグメントに分割された整磁板
と、前記整磁板に巻回されたシムコイルと、前記シムコ
イルに電流を流して静磁界均一性を調整するシム電源と
を具備したことを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載のＭＲＩ装置において、
静磁界方向および補正すべき軸方向に平行で且つ撮像領
域の中心を通る平面に最も近い整磁板に巻回するシムコ
イルの巻き数を最大とし、他の整磁板に巻回するシムコ
イルの巻き数は前記平面から離れるにつれて減らすこと
を特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項６】 請求項４または請求項５に記載のＭＲＩ
装置において、前記シムコイルの一部または全部は、グ
ループ化した複数のセグメントに跨って巻回されている
ことを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項７】 請求項４から請求項６のいずれかに記載
のＭＲＩ装置において、前記シムコイルを直列に接続
し、単一のシム電源から電流を供給することを特徴とす
るＭＲＩ装置。 - 【請求項８】 請求項４から請求項６のいずれかに記載
のＭＲＩ装置において、前記シムコイルごとに設けられ
たシム電源から電流を供給することを特徴とするＭＲＩ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001322892A JP2003126059A (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | 静磁界調整方法およびｍｒｉ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001322892A JP2003126059A (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | 静磁界調整方法およびｍｒｉ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003126059A true JP2003126059A (ja) | 2003-05-07 |
Family
ID=19139862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001322892A Withdrawn JP2003126059A (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | 静磁界調整方法およびｍｒｉ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003126059A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005278805A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 磁気共鳴イメージング装置および静磁場形成装置 |
| CN100397093C (zh) * | 2005-03-31 | 2008-06-25 | 西门子（中国）有限公司 | 磁共振设备的不规则被测体的匀场方法 |
| JP4902787B2 (ja) * | 2008-05-09 | 2012-03-21 | 株式会社日立製作所 | Ｍｒｉ装置用磁場調整 |
| CN105022011A (zh) * | 2015-07-02 | 2015-11-04 | 江苏美时医疗技术有限公司 | 一种磁共振永磁体磁场补偿装置及其使用方法 |
| US9329249B2 (en) * | 2003-04-03 | 2016-05-03 | Tesla Engineering Limited | MRIS shim coil |
-
2001
- 2001-10-19 JP JP2001322892A patent/JP2003126059A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9329249B2 (en) * | 2003-04-03 | 2016-05-03 | Tesla Engineering Limited | MRIS shim coil |
| JP2005278805A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 磁気共鳴イメージング装置および静磁場形成装置 |
| JP4509625B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-07-21 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | 磁気共鳴イメージング装置および静磁場形成装置 |
| CN100397093C (zh) * | 2005-03-31 | 2008-06-25 | 西门子（中国）有限公司 | 磁共振设备的不规则被测体的匀场方法 |
| JP4902787B2 (ja) * | 2008-05-09 | 2012-03-21 | 株式会社日立製作所 | Ｍｒｉ装置用磁場調整 |
| JP2012101105A (ja) * | 2008-05-09 | 2012-05-31 | Hitachi Ltd | Ｍｒｉ装置用磁場調整 |
| CN105022011A (zh) * | 2015-07-02 | 2015-11-04 | 江苏美时医疗技术有限公司 | 一种磁共振永磁体磁场补偿装置及其使用方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6891375B2 (en) | Static field controlling method and MRI apparatus | |
| EP1760481B1 (en) | Matrix shim system with grouped coils | |
| EP1260827B1 (en) | Superconductive MRI magnet | |
| US7071694B1 (en) | Magnet assembly of an MRI system with concentric annular ferromagnetic laminations | |
| US4812797A (en) | Compensation coil for temporal drift of a superconducting magnet | |
| JP5311868B2 (ja) | 磁気共鳴イメージングシステムにおける実質的に環状の撮像領域の作成装置 | |
| JPH0779942A (ja) | 磁気共鳴イメージング装置 | |
| JP2003126059A (ja) | 静磁界調整方法およびｍｒｉ装置 | |
| US7323875B2 (en) | Shimming structure and method for a magnetic resonance imaging apparatus | |
| US4748429A (en) | Solenoidal magnet with homogeneous magnetic field | |
| JPS61225810A (ja) | 電磁コイルの磁場を均質化するための方法および装置 | |
| US6781494B2 (en) | Actively shielded superconducting magnet assembly with a device for additional fringe field optimization | |
| JP2004159984A (ja) | 静磁場形成装置および磁気共鳴撮像装置 | |
| US6617853B2 (en) | Magnet arrangement comprising a superconducting magnet coil system and a magnetic field shaping device for high-resolution magnetic resonance spectroscopy | |
| GB2385949A (en) | Controlling temperature fluctuations in a passive shim of an MRI appliance | |
| US6351125B1 (en) | Method of homogenizing magnetic fields | |
| US5530251A (en) | Inductively coupled dual-stage magnetic deflection yoke | |
| US20080084262A1 (en) | Shimming of magnet systems | |
| US5900792A (en) | Magnetic field homogeneity correction for superconducting magnet | |
| JPH07303620A (ja) | 静磁場ドリフト補正コイル及び静磁場ドリフト補正方法 | |
| JP2005192825A (ja) | 磁気共鳴イメージング装置 | |
| JP2018181960A (ja) | 超電導マグネット装置 | |
| KR100572834B1 (ko) | 초전도 엠알아이 자석의 자장균일도 향상을 위한 능동보정방법 | |
| JP3814184B2 (ja) | Ｍｒｉ装置 | |
| JP3842945B2 (ja) | 核磁気共鳴装置用シム装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050104 |