CN1231179C - 磁共振成像装置 - Google Patents

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CN1231179C CNB021406316A CN02140631A CN1231179C CN 1231179 C CN1231179 C CN 1231179C CN B021406316 A CNB021406316 A CN B021406316A CN 02140631 A CN02140631 A CN 02140631A CN 1231179 C CN1231179 C CN 1231179C
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Abstract

一种静态磁场控制方法和磁共振成像装置，通过温度调节器装置来调整嵌入永磁体和基座磁轭的若干位置中的永磁体块的温度，从而改善静态磁场的均匀性。

Description

磁共振成像装置
技术领域
本发明涉及控制静态磁场的方法和MRI(磁共振成像)装置。更具体地说，本发明涉及用于控制静态磁场均匀性的静态磁场调整方法和适当地完成所述静态磁场调整方法的MRI装置。
技术背景
图12表示常规MRI装置的典型实例的局部剖视图。
MRI装置500是在垂直方向上产生静态磁场Bo的开放型MRI装置。
静态磁场生成器磁体由相对设置在顶部和底部的永磁体1M1和1M2、基座磁轭YB、柱状磁轭Yp和致偏器Sp1构成。
永磁体1M1和1M2和基座磁轭YB中可以***用于静态磁场调整的磁性材料的螺杆51。螺杆51的螺纹数可以实现成像区KK中静态磁场Bo的均匀性的调整。
在如上所述的MRI装置500中，存在的首要问题是：在调整螺杆51的螺纹数之后，永磁体1M1和1M2和基座磁轭YB和致偏器Sp1可能易受温度变化的影响。例如，当采用Nd-Fe-B材料作为永磁体1M1和1M2时，该材料具有约为-0.1％/℃的温度特性，如果在调整螺杆51的螺纹数之后，永磁体1M1和1M2中任何一个的温度上升得高于另一磁体，则会在静态磁场方向(Z轴方向)上出现相当规模的某种静态磁场不一致性，这是不容忽视的，但是***无法解决它。
在诸如可以调整螺杆51的螺纹数的MRI装置500的这类***中，还可能存在第二个大问题，即需要权衡静态磁场Bo的均匀性的可调整范围或调整精度。例如，如果螺杆51的磁导率足够大，则可调整范围就较宽，而另一方面，调整精度将下降。相反，如果磁导率足够小，则调整精度会较高，而另一方面调整范围会变窄。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种用于控制静态磁场的均匀性的静态磁场调整方法和适当地实现所述静态磁场调整方法的MRI装置。更具体地说，本发明的一个目的是提供一种容许永磁体、磁轭和致偏器的温度变化的静态磁场调整方法和MRI装置。本发明的另一个目的是提供一种可以不牺牲有关调整静态磁场均匀性的可调整范围或精度的静态磁场调整方法和MRI装置。
在第一方面中，本发明提供一种静态磁场调整方法，它通过调整静态磁场生成器磁体中使用的永磁体、磁轭和致偏器中至少一个的局部温度来控制静态磁场的均匀性。
在根据本发明的第一方面的静态磁场调整方法中，主动地调整静态磁场生成器磁体中所用的永磁体、磁轭和致偏器中至少一个的局部温度。因此，利用永磁体的较大的温度特性，可以控制静态磁场均匀性。而且，局部温度的调整还可以防止所不期望的温度变化，从而提高对温度变化的耐受度。
在第二方面中，本发明提供一种磁共振成像装置，其特征在于包括：温度调节器装置，用于调节静态磁场生成器磁体的永磁体、磁轭和致偏器中至少一个的局部温度，其中所述静态磁场生成器磁体产生静态磁场，而所述温度调节器装置调节所述局部温度来控制所述静态磁场的均匀性；以及磁性材料块，包括一个温度传感器以及用于提升所述局部温度的加热器和用于降低所述局部温度的冷却器中至少一种，其中所述材料块安装在所述永磁体、磁轭和致偏器中至少一个上。
在根据本发明的第二方面的MRI装置中，主动地调整静态磁场生成器磁体中所用的永磁体、磁轭和致偏器中至少一个的局部温度。因此，利用永磁体的较大的温度特性，可以控制静态磁场均匀性。而且，局部温度的调整还可以防止所不期望的温度变化，从而可以防止由温度变化导致的对静态磁场均匀性的干扰。
在第三方面中，本发明提供一种按照前述说明设置的MRI装置，其中所述温度调节器装置包括控制装置，用于控制加热器和冷却器的操作，使得局部温度保持在预置温度。
在根据本发明的第三方面的MRI装置中，通过反馈控制来调整局部温度，以便防止所不期望的温度变化，从而防止由温度变化导致的对静态磁场均匀性的干扰。此外，可根据永磁体块来控制调整，从而便于安装和维护。另外，采用永磁体构件可以扩大可调整范围。
在第四方面中，本发明提供一种按照前述说明设置的MRI装置，其中具有安装在磁构件上的温度传感器以及加热器和冷却器中至少一种的永磁体块安装在永磁体、磁轭和致偏器中至少一个上。
在根据本发明的第四方面的MRI装置中，将根据磁性材料块来控制调整，从而便于安装和维护。另外，采用不产生磁力的永磁体构件还可以便于维护。
在第五方面中，本发明提供一种如以上说明所述的MRI装置，其中在永磁体块或磁性块与相邻的其他构件之间***隔热物。
在根据本发明的第五方面的MRI装置中，永磁体块或磁性材料块可以与环境热隔离，以便具有较小的热惯性，从而获得对调整的更快响应。
在第六方面中，本发明提供一种如以上说明所述的MRI装置，其中将永磁体块或磁块放置在这样的位置，以便可以控制静态磁场取向的静态磁场均匀性。
在根据本发明的第六方面的MRI装置中，一对永磁体块或磁性材料块可设置于例如在穿过成像区中心的静态磁场方向的轴(Z轴)上的相对位置上的两个永磁体上，从而可以调整静态磁场方向的静态磁场均匀性。
在第七方面中，本发明提供一种如前述说明所述的MRI装置，其冲可以将永磁体块或磁性块放置在这样的位置，以便可以控制与静态磁场方向垂直的方向上的静态磁场均匀性。
在根据本发明的第七方面的MRI装置中，一对永磁体块或磁性材料块可以设置在一个永磁体的表面上并且在与穿过成像区中心的静态磁场方向的轴(Z轴)垂直的轴(X轴和Y轴)上，从而可以调整与静态磁场方向垂直的方向上的静态磁场均匀性。
在第八方面中，本发明提供一种控制静态磁场的方法，它包括以下步骤：
设置用于在静态磁场生成器磁体的永磁体、磁轭和致偏器中至少一个上安装静态磁场控制单元的安装装置；以及
把从由多种静态磁场调整单元构成的组中选择的静态磁场调整单元安装到用于安装静态磁场控制单元的安装装置上，其中各个静态磁场调整单元具有不同的磁阻值，并且可从静态磁场调整单元安装装置中拆除、以便控制静态磁场的均匀性。
在根据本发明的第八方面的方法中，要安装到永磁体、磁轭和致偏器中至少一个上的静态磁场调整单元可以与另一个具有不同磁阻值的静态磁场调整单元互换。这使得可以调整静态磁场的均匀性。另外，由于整个***中要更换各单元，所以如果用各个磁阻值相差足够大的单元来更换所述各单元，则会拓宽可调整范围，如果用各个磁阻值相差较小的单元来更换各单元，则调整精度会提高。
在第九方面中，本发明提供一种MRI装置，它包括：
用于安装静态磁场调整单元的安装装置，它设置在静态磁场生成器磁体的永磁体、磁轭和致偏器中至少一个上；以及
从由多种静态磁场调整单元构成的组中选择的静态磁场调整单元，其中所述多种静态磁场调整单元各具有不同的磁阻值，并且可从静态磁场调整单元安装装置中拆除，所述单元被安装到用于安装静态磁场调整单元的安装装置上、以便控制静态磁场均匀性。
在根据本发明的第九方面的MRI装置中，要安装在永磁体、磁轭和致偏器中至少一个上的静态磁场调整单元可以与另一个具有不同磁阻值的静态磁场调整单元互换。这使得可以调整静态磁场的均匀性。另外，由于整个***中要更换静态磁场调整单元，所以如果用各个磁阻值相差足够大的单元来更换各单元，则会拓宽可调整范围，如果用磁阻值彼此相差较小的单元来更换各单元，则调整精度会提高。
在第十方面中，本发明提供一种如前述说明所述的MRI装置，其中所述静态磁场调整单元安装装置是螺纹孔，静态磁场调整单元的外形是要拧入所述螺纹孔的螺杆的形式。
在根据本发明的第十方面的MRI装置中，这些静态磁场调整单元可以通过拧动来拆卸以便于更换。
在第十一方面中，本发明提供一种按照前述说明设置的MRI装置，它还包括多种静态磁场调整单元，所述单元包括：第一种静态磁场调整单元组件，它将第一实心圆柱体与环绕并支撑第一实心圆柱体的第一空心圆筒结合，所述第一实心圆柱体和第一空心圆筒之中，一个是磁性材料的而另一个是非磁性材料的；以及第二静态磁场调整单元组件，它将第二实心圆柱体与环绕并支撑第二实心圆柱体的第二空心圆筒结合，所述第二实心圆柱体和第二空心圆筒之中，一个是磁性材料的而另一个是非磁性材料的。第一实心圆柱体与第二实心圆柱体具有不同的外径，而第一空心圆筒与第二空心圆筒具有相同的外径。
在根据本发明的第十一方面的MRI装置中，可以通过更改所述实心圆柱体构件的外径来按照需要更改磁阻值。
在第十二方面，本发明提供一种如前述说明所述的MRI装置，其中所述多种静态磁场调整单元还包括由磁性材料制成的、要拧入螺纹孔的实心圆柱体形式的静态磁场调整单元。
在根据本发明的第十二方面的MRI装置中，可以通过改变所述磁性材料的材料来按照需要改变磁阻值。
在第十三方面，本发明提供一种按照前述说明设置的MRI装置，其中所述多种静态磁场调整单元还包括由以下各部分组装成整体的静态磁场调整单元组件：带螺纹的螺杆形式的实心圆柱体；外形为带螺纹的螺杆而中心孔是用于将实心圆柱体拧入其中的螺纹孔的初级空心圆筒；以及末级空心圆筒，为了***所述静态磁场调整单元安装装置的螺纹孔中，其外形为带螺纹的螺杆而中心孔是用于将所述初级空心圆筒拧入其中的螺纹孔；以及所述各单元的磁阻值可利用分别为磁性材料或非磁性材料的实心圆柱体与初级空心圆筒和末级空心圆筒的组合来调整。
在根据本发明的第十三方面的MRI装置中，可以通过更改实心圆柱体以及初级空心圆筒和末级空心圆筒的材料来按照需要更改磁阻值。
在第十四方面中，本发明提供一种如以上说明如述的MRI装置，其中：所述静态磁场调整单元安装装置设置在这样的位置，其中可通过调整来控制静态磁场方向上的静态磁场均匀性。
在根据本发明的第十四方面的MRI装置中，静态磁场方向上的静态磁场均匀性可以通过以下方法来调整：例如在沿着穿过成像区中心的静态磁场方向的轴(Z轴)上而且在相对位置的两个永磁体上，安装一对静态磁场调整单元。
在第十五方面，本发明提供一种如以上说明所述的MRI装置，其中所述静态磁场调整单元安装装置被设置在这样的位置，使得在与静态磁场方向垂直的方向上的静态磁场均匀性可通过调整来控制。
在根据本发明的第十五方面的MRI装置中，与静态磁场方向垂直的方向上的静态磁场均匀性可以这样调整：在与穿过成像区中心的静态磁场方向上的轴(Z轴)垂直的轴(X轴和Y轴)上并且在一个永磁体的表面上，安装一对静态磁场调整单元。
根据本发明的静态磁场调整方法和MRI装置，可以调整静态磁场均匀性。本发明可以防止温度波动所导致的对静态磁场的干扰。此外，可以调整静态磁场均匀性而不会牺牲可调整范围或调整精度中任何一个。
如附图所示，通过对本发明最佳实施例的以下描述，本发明的其他目的和优点会显而易见。
附图说明
图1是根据本发明第一最佳实施例的MRI装置的局部剖视图。
图2是沿图1的K-K’线看去的剖视图。
图3是永磁体块在环境温度下的磁场分布的示意图。
图4是当永磁体块温度升高时的磁场分布的示意图。
图5是说明在图1所示的MRI装置中均衡静态磁场的流程图。
图6是根据本发明第二最佳实施例的MRI装置的局部剖视图。
图7是沿图6的K-K’线看过去的剖视图。
图8是说明用在图6的MRI装置中的静态磁场调整单元的示意图。
图9是根据第三最佳实施例的MRI装置的静态磁场调整单元的示意图。
图10是构成图9的静态磁场调整单元的构件的示意图。
图11是说明图9的静态磁场调整单元的结构形式的组合的表。
图12是常规MRI装置的典型实例的局部剖视图。
具体实施方式
现在参考附图，对体现本发明的一个最佳实施例进行详细说明。
[第一实施例]
现在参考图1，其中表示了根据本发明第一最佳实施例的MRI装置的局部剖视图。还参考图2，其中表示沿图1的K-K’线看过去的剖视图。
MRI装置100是开放型MRI装置，它从永磁体、即安装在底部和顶部的相对位置上的永磁体1M1和1M2产生垂直方向上的静态磁场Bo。
在各个永磁体1M1和1M2的表面上，安装了致偏器Sp1和Sp2，它们可以改善成像区KK中静态磁场Bo的均匀性。
永磁体1M1和1M2、致偏器Sp1和Sp2、基座磁轭YB和柱状磁轭Yp可以构成磁路。用于永磁体1M1和1M2的材料可以包括例如钕磁性材料(Nd-Fe-B)、钐-钴磁性材料(Sm-Co)、Al-Ni-Co磁性材料(MK钢)以及铁氧体磁性材料。
永磁体块11-1至11-5被嵌入或装到永磁体1M1和基座磁轭YB的某些部位中，用于局部地调整温度。
永磁体块11-6至11-10(其中11-9和11-10在剖视图中看不到)被嵌入或接到永磁体1M2和基座磁轭YB的某些部位中，用于局部地调整温度。
永磁体块11具有为提升该块的温度而结合的加热器2。另外，永磁体块11可以通过隔离物3与任何其他构件热隔离。
流过加热器2的电流i由温度调节器单元4来控制，使得温度传感器5测得的永磁体块11的温度s变得等于温度配置单元12中预置的温度t。
温度配置单元12设置温度设置值s1至s10，供各永磁体块11为均衡静态磁场Bo而生成补偿场时使用。
应当指出，可能存在这种情况，其中，可能为调整***温度而在基座磁轭YB上设置加热器，则必须分开地设置上述加热器2。
现在参考图3，当温度调节器单元4使电流i不流过加热器2、使得永磁体块11处于环境温度时，永磁体块11会产生对应于环境温度的强度的磁场。
现在参考图4，当温度调节器单元4使电流i流过加热器2、从而提升永磁体块11的温度时，永磁体块11产生的磁力会减弱。这是因为永磁体块11具有负的温度特性。
现在参考图5，图中表示的是说明均衡MRI装置100中的静态磁场的流程图。在步骤ST1，在未***受测者的前提下，通过诸如特斯拉表之类的仪器来测量成像区KK中的静态磁场强度，并把测量结果发送到温度配置单元12。
在步骤ST2，温度配置单元12根据静态磁场强度的测量值和已知的温度特性来计算永磁体块11的预置温度t，以便均衡静态磁场Bo。
例如，为了与X轴方向上负值一侧的磁场相比、增强X轴方向上正值一侧的磁场，仅在永磁体块11-2局部地提升温度，而在永磁体块11-3维持温度(对永磁体1M2一侧应用相同的处理)。
为了与Y轴方向上负值一侧的磁场相比、增强Y轴方向上正值一侧的磁场，仅在永磁体块11-5局部地提升温度，而在永磁体块11-4维持温度。
为了与Z轴方向下侧的磁场相比、增强Z轴方向上侧的磁场，则仅在永磁体块11-6局部地提升温度，而在永磁体块11-1维持温度。
通过改变永磁体块11的温度可获得的补偿是在X轴、Y轴和Z轴之中每个轴上的一阶标称磁场梯度(1℃的温差可得到大约百万分之六十至七十的补偿)。另外，通过调整，以便例如同时增加或降低永磁体块11-1和11-6的温度，可以获得Z轴方向上的二阶标称磁场梯度(1℃的温差可得到大约百万分之三到六的补偿)。
在步骤ST3，温度调节器单元4控制流经加热器2的电流i，使得永磁体块11的温度变得与预置温度t相等。
根据如上所述的MRI装置100，可以通过独立地调整各个永磁体块11的温度来调整静态磁场Bo的均匀性。局部温度的调整可以防止所不期望的温度变化、以及温度波动引起的对静态磁场均匀性的干扰。
可以如下修改上述的第一最佳实施例：
(1)代替调整永磁体1M1或基座磁轭YB的局部温度或者除调整这些局部温度以外，可以局部地调整致偏器Sp1和Sp2的温度。
(2)代替采用加热器2，可以采用任何其他加热/冷却装置、如珀尔帖装置来调整永磁体块11的温度。或者，可以一起使用加热器2和冷却装置。
(3)代替采用由永磁体成分(磁化的磁性材料)制成的永磁体块11，可以采用由任何未磁化的磁性材料制成的磁性材料块。
[第二实施例]
现在参考图6，图中示出根据本发明第二最佳实施例的MRI装置的局部剖视图。同时还参考图7，它表示沿图6的K-K’线看到的剖视图。
在这个MRI装置200中，永磁体1M1和基座磁轭YB可以在许多位置上开出螺纹孔、即静态磁场调整单元安装装置20-1至20-10，它们可随意地连接和拆除从由多种类型的单元(图8中所示的21α、21β、21γ)构成的组中选择的静态磁场调整单元21-1至21-10。
如图8A所示，静态磁场调整单元21α可由非磁性套筒210α和磁芯211α构成，其中，套筒210α是空心圆筒构件，且外形为有螺纹的螺杆，磁芯211α贯穿该套筒的中心，并且是直径为r1的实心圆柱体的形式。
如图8B所示，静态磁场调整单元21β可由非磁性套筒210β和磁芯211β构成，磁芯211β贯穿该套筒的中心，并且直径为r2(其中r2＞r1)。
如图8C所示，静态磁场调整单元21γ可以是整个为磁性材料的实心圆柱体。
各个静态磁场调整单元21α、21β和21γ的***都切削有各自的螺纹槽M，以便***静态磁场调整单元安装装置20之中。
用作非磁性套筒210α和210β的非磁性材料可以是以下材料其中之一、或者其中两种或两种以上材料的组合：PP(聚丙烯)、PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)、PEG(聚乙烯)、PS(聚苯乙烯)、TPX(聚甲基戊烯)、POM(聚缩醛)、PVC(聚氯乙稀)和PPE(聚苯醚)。
用作磁芯211α、211β和静态磁场调整单元21γ的磁性材料可以是以下材料其中之一、或者两种或两种以上材料的组合：钕磁铁矿、钐-钴、Al-Ni-Co以及铁氧体磁性材料。
在此MRI装置200中，为了得到成像区KK中静态磁场Bo的均匀性的最大改善而选择的一种静态磁场调整单元21(图8中所示的21α、21β或21γ中任何一个)会被装到静态磁场调整单元安装装置20上。
根据上述的MRI装置200，通过交换安装在静态磁场调整单元安装装置20上的静态磁场调整单元21，可以调整静态磁场Bo的均匀性。因为要更换所有单元，所以当用磁阻值相差较大的各单元来替换时，则会拓宽可调整范围，当用磁阻值相差较小的单元来替换时，则调整精度会提高。
在图8中，虽然表示了三种静态磁场调整单元21α、21β和21γ，但是可以采用各具有不同磁阻值的范围更广的静态磁场调整单元。而且，非磁性套筒也可以用磁性套筒代替，而磁芯也可以用非磁性芯代替。
[第三实施例]
根据本发明的第三最佳实施例的MRI装置采用图9所示的静态磁场调整单元31来代替上述第二最佳实施例中采用的静态磁场调整单元21(参见图8)。具体地说，采用静态磁场调整单元31组件，它是由空心圆筒形式的末级环310的中心孔中拧入空心圆筒形式的初级环311、而初级环311的中心孔中拧入实心圆柱体形式的芯312而组装成的。
如图10(A1)和(B1)所示，磁性材料的末级环310A或非磁性材料的末级环310B中的任何一个将被选作末级环310。
如图10(A2)和(B2)所示，磁性材料的初级环311A或非磁性材料的初级环311B中的任何一个将被选作初级环311。
如图10(A3)和(B3)所示，磁性材料的芯312A或非磁性材料的芯312B中的任何一个将被选作芯312。
因此，如图11所示，存在静态磁场调整单元31的八种组合结构形式。在剖面图中，磁性材料以阴影线表示。
在此MRI装置中，静态磁场调整单元31具有为了最大程度地改善成像区KK中静态磁场Bo的均匀性而选择的其中一种结构形式(图8所示的8种形式中任何一种)，它安装到静态磁场调整单元安装装置20上。
根据上述的MRI装置，通过交换要安装在静态磁场调整单元安装装置20上的静态磁场调整单元31，可以调整静态磁场Bo的均匀性。而且，由于要更换所有单元，所以当用磁阻值相差较大的单元来更换时，会拓宽可调整范围，当用磁阻值相差较小的单元来更换时，调整精度会提高。
各具有不同磁阻值的各种静态磁场调整单元可以通过改变初级环和芯的直径和长度以及末级环、初级环和芯的材料来获得。
通过在初级环和末级环之间***另一个***环来增加级数，可以进一步增加结构形式的数目。
在不违背本发明的精神和范围的前提下，可以配置本发明的许多种不同的实施例。应当理解，本发明不限于本说明书中所述的特定实施例，而是由所附权利要求书予以限定。
图1
MRI装置100
温度调节器单元4
基座磁轭YB
加热器2
隔离物3
温度传感器5
温度调节器单元4
温度配置单元12
柱状磁轭Yp
致偏器Sp1，Sp2
永磁体块11-1
静态磁场Bo
成像区KK
永磁体1M1，1M2
预置温度t1-t10
静态磁场强度的测量值
图2
基座磁轭YB
永磁体块11-1
永磁体块11-2
永磁体块11-3
永磁体块11-4
永磁体块11-5
永磁体块11-6
柱状磁轭Yp
加热器2
隔离物3
永磁体1M1
图3
温度调节器单元4
永磁体1M1
隔离物3
温度传感器5
加热器2
基座磁轭YB
静态磁场Bo
永磁体块11
图4
温度调节器单元4
永磁体1M1
隔离物3
温度传感器5
加热器2
基座磁轭YB
静态磁场Bo
永磁体块11(增加了温度)
图5
开始均衡静态磁场；
ST1：测量成像区中的静态磁场强度；
ST2：计算各个永磁体块的预置温度以均衡静态磁场；
ST3：使对应于预置温度的电流流经各永磁体块的加热器；
结束
图6
MRI装置200
静态磁场调整单元21-1
静态磁场调整单元安装装置20-1
基座磁轭YB
永磁体1M1
致偏器Sp1
柱状磁轭Yp
致偏器Sp2
永磁体1M2
静态磁场Bo
成像区KK
图7
静态磁场调整单元安装装置20-1
柱状磁轭Yp
永磁体1M1
图8
静态磁场调整单元21α
静态磁场调整单元21β
静态磁场调整单元21γ
非磁性套筒210α
磁芯211α
螺纹M
图9
芯312
初级环311
末级环310
静态磁场调整单元31
初级环311
末级环310
芯312
图10
A1
末级环310A(磁性材料)
B1
末级环310B(非磁性材料)
螺纹M
A2
初级环311A(磁性材料)
B2
初级环311B(非磁性材料)
A3
芯312A(磁性材料)
B3
芯312B(磁性材料)
图11
1；2；3；4；5；6；7；8
末级环；磁性；磁性；磁性；磁性；非磁性；非磁性；非磁性；非磁性；
初级环；磁性；磁性；非磁性；非磁性；磁性；磁性；非磁性；非磁性；
芯；磁性；非磁性；磁性；非磁性；磁性；非磁性；磁性；非磁性；
示意性剖面；
图12
MRI装置500
螺杆51-2
螺杆51-3
螺杆51-1
基座磁轭YB
永磁体1M1
致偏器Sp1
柱状磁轭Yp
致偏器Sp2
永磁体1M2
螺杆51-7
基座磁轭YB
螺杆51-6
静态磁场Bo
柱状磁轭Yp
成像区KK
螺杆51-8
局部文字：YB磁轭Yp Sp KK PBT TPX聚缩醛PPE

Claims (6)

1.一种磁共振成像装置，其特征在于包括：
温度调节器装置，用于调节静态磁场生成器磁体的永磁体、磁轭和致偏器中至少一个的局部温度，其中所述静态磁场生成器磁体产生静态磁场，而所述温度调节器装置调节所述局部温度来控制所述静态磁场的均匀性；以及
磁性材料块，包括一个温度传感器以及用于提升所述局部温度的加热器和用于降低所述局部温度的冷却器中至少一种，其中所述磁性材料块安装在所述永磁体、磁轭和致偏器中至少一个上。
2.如权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，所述温度调节器装置包括控制装置，用于控制所述加热器和所述冷却器的操作，使得所述局部温度保持在预置温度。
3.如权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，在所述磁性材料块和与其相邻的其他构件之间***了隔热物。
4.如权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，所述磁性材料块设置在这样的位置，使得可以控制静态磁场的均匀性。
5.如权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，所述磁性材料块设置在这样的位置，使得可以控制与静态磁场的方向垂直的方向上的静态磁场均匀性。
6.如权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，所述磁性材料块是由磁化的磁性材料或非磁化的磁性材料制成的。
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