JP2003008343A - 電力増幅装置 - Google Patents
電力増幅装置Info
- Publication number
- JP2003008343A JP2003008343A JP2001194111A JP2001194111A JP2003008343A JP 2003008343 A JP2003008343 A JP 2003008343A JP 2001194111 A JP2001194111 A JP 2001194111A JP 2001194111 A JP2001194111 A JP 2001194111A JP 2003008343 A JP2003008343 A JP 2003008343A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- patch antenna
- package
- semiconductor chip
- high frequency
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージの占める面積は半導体チップの面
積と同等程度にまで小型化することができる高周波増幅
装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板の第一主面側に、増幅素子を含む電
子回路を形成し、第２主面側にパッチアンテナ２を形成
し、前記電子回路と前記パッチアンテナとを電気的に接
続する。
積と同等程度にまで小型化することができる高周波増幅
装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板の第一主面側に、増幅素子を含む電
子回路を形成し、第２主面側にパッチアンテナ２を形成
し、前記電子回路と前記パッチアンテナとを電気的に接
続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波回路、特にマ
イクロ波、ミリ波信号を増幅し、送信する装置に関する
ものである。本発明は、無線ＬＡＮ、車載レーダや、そ
の他マイクロ波、ミリ波を用いた通信用増幅装置に応用
される。
イクロ波、ミリ波信号を増幅し、送信する装置に関する
ものである。本発明は、無線ＬＡＮ、車載レーダや、そ
の他マイクロ波、ミリ波を用いた通信用増幅装置に応用
される。
【０００２】
【従来の技術】近年、マイクロ波からミリ波帯、すなわ
ち２０ＧＨｚ〜６０ＧＨｚの周波数を用いた通信システ
ムや、レーダシステムが一般的になりつつある。通信シ
ステムには、無線ＬＡＮや、米国の通信方式であるＬＭ
ＤＳなどがある。また、レーダシステムには、車載レー
ダがあり、これは自動車に搭載して、自動車前方にある
物体を検知して、衝突防止を支援するシステムである。
ち２０ＧＨｚ〜６０ＧＨｚの周波数を用いた通信システ
ムや、レーダシステムが一般的になりつつある。通信シ
ステムには、無線ＬＡＮや、米国の通信方式であるＬＭ
ＤＳなどがある。また、レーダシステムには、車載レー
ダがあり、これは自動車に搭載して、自動車前方にある
物体を検知して、衝突防止を支援するシステムである。
【０００３】このようなマイクロ波、ミリ波を用いたシ
ステムは現在まだまだ高価であり、製造コストを下げ安
価に消費者に提供することが普及を促すために重要であ
る。製造コストを安価にするためには、システムに用い
る半導体チップ上に増幅素子、ミリ波伝送線路、キャパ
シタ、インダクタなどを形成して高周波回路を構成して
いるＭＭＩＣ(Monolithic Microwave Integrated Circu
it)を用い、外付けの回路を減少させることが必須とな
る。
ステムは現在まだまだ高価であり、製造コストを下げ安
価に消費者に提供することが普及を促すために重要であ
る。製造コストを安価にするためには、システムに用い
る半導体チップ上に増幅素子、ミリ波伝送線路、キャパ
シタ、インダクタなどを形成して高周波回路を構成して
いるＭＭＩＣ(Monolithic Microwave Integrated Circu
it)を用い、外付けの回路を減少させることが必須とな
る。
【０００４】マイクロ波、ミリ波を用いたシステムは安
価であるとともに、小型であることも求められ、そのた
めにシステム内の電子部品を小型化することが必須とな
る。上に述べた半導体チップは通常、システム組立の際
取り扱いを容易にするため、および外気中の特に水分に
よる半導体チップの劣化を防止するため、パッケージに
入れられる。従って、このパッケージを小型化すること
が重要である。
価であるとともに、小型であることも求められ、そのた
めにシステム内の電子部品を小型化することが必須とな
る。上に述べた半導体チップは通常、システム組立の際
取り扱いを容易にするため、および外気中の特に水分に
よる半導体チップの劣化を防止するため、パッケージに
入れられる。従って、このパッケージを小型化すること
が重要である。
【０００５】マイクロ波、ミリ波システムには、信号を
増幅し、アンテナから信号を出力する部品が必要であ
る。この働きをする部品は１つのパッケージ内に構成
し、モジュール化することができる。以下、このモジュ
ールを高周波増幅装置と呼ぶ。
増幅し、アンテナから信号を出力する部品が必要であ
る。この働きをする部品は１つのパッケージ内に構成
し、モジュール化することができる。以下、このモジュ
ールを高周波増幅装置と呼ぶ。
【０００６】以下、従来の高周波増幅装置を図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【０００７】図３は、２０００年 Microwave Workshops
and ExhibitionのMicrowave Workshop Digest の１２
８頁に記載されている高周波増幅装置の従来例である。
図３の構成及び、動作を説明する。
and ExhibitionのMicrowave Workshop Digest の１２
８頁に記載されている高周波増幅装置の従来例である。
図３の構成及び、動作を説明する。
【０００８】図３において、高周波増幅装置全体はパッ
ケージ６によって気密封止されている。パッケージ６の
内部には、ミリ波信号を増幅する素子である半導体チッ
プ１が実装されている。半導体チップ１からは、第１の
ワイヤ１２によってパッケージ６に接続されており、ミ
リ波信号を第１のワイヤ１２を介してパッケージ６の外
面のいずれかに取り付けられている端子より外部に取り
出す（この端子は図３には記載していない）。また、誘
電体基板９が半導体チップ１と同様にパッケージ６に実
装されており、誘電体基板９の表面には、パッチアンテ
ナ２が形成されている。誘電体基板９上のパッチアンテ
ナ２は、第２のワイヤ１３によって半導体チップ１と接
続されており、半導体チップ１によって生成、増幅され
たミリ波信号が第２のワイヤ１３を介してパッチアンテ
ナ２に供給される。供給されたミリ波信号は、パッチア
ンテナ２から出射され、高周波透過窓７を通過してパッ
ケージ６の外部に取り出される。
ケージ６によって気密封止されている。パッケージ６の
内部には、ミリ波信号を増幅する素子である半導体チッ
プ１が実装されている。半導体チップ１からは、第１の
ワイヤ１２によってパッケージ６に接続されており、ミ
リ波信号を第１のワイヤ１２を介してパッケージ６の外
面のいずれかに取り付けられている端子より外部に取り
出す（この端子は図３には記載していない）。また、誘
電体基板９が半導体チップ１と同様にパッケージ６に実
装されており、誘電体基板９の表面には、パッチアンテ
ナ２が形成されている。誘電体基板９上のパッチアンテ
ナ２は、第２のワイヤ１３によって半導体チップ１と接
続されており、半導体チップ１によって生成、増幅され
たミリ波信号が第２のワイヤ１３を介してパッチアンテ
ナ２に供給される。供給されたミリ波信号は、パッチア
ンテナ２から出射され、高周波透過窓７を通過してパッ
ケージ６の外部に取り出される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図３において、パッケ
ージ６内には、ミリ波信号を処理、増幅する半導体チッ
プ１、および誘電体基板９を実装する必要がある。半導
体チップ１上には増幅素子および、高周波回路を構成し
ているインダクタ、キャパシタなどの素子が搭載されて
いる。これらの素子の面積は半導体チップ１に要求され
る性能によりほぼ決定されてしまうため、小型化は容易
ではない。また、誘電体基板９上に形成されるパッチア
ンテナ２の形状は使用するミリ波信号の周波数によって
決定されてしまうため、小型化は不可能である。すなわ
ち、半導体チップ１と誘電体基板９の小型化は困難ある
いは不可能であり、パッケージ６の面積は、半導体チッ
プ１と誘電体基板９の面積の合計は最低でも必要であ
り、これ以上のパッケージ６の小型化は不可能という課
題を有する。
ージ６内には、ミリ波信号を処理、増幅する半導体チッ
プ１、および誘電体基板９を実装する必要がある。半導
体チップ１上には増幅素子および、高周波回路を構成し
ているインダクタ、キャパシタなどの素子が搭載されて
いる。これらの素子の面積は半導体チップ１に要求され
る性能によりほぼ決定されてしまうため、小型化は容易
ではない。また、誘電体基板９上に形成されるパッチア
ンテナ２の形状は使用するミリ波信号の周波数によって
決定されてしまうため、小型化は不可能である。すなわ
ち、半導体チップ１と誘電体基板９の小型化は困難ある
いは不可能であり、パッケージ６の面積は、半導体チッ
プ１と誘電体基板９の面積の合計は最低でも必要であ
り、これ以上のパッケージ６の小型化は不可能という課
題を有する。
【００１０】本発明は、パッケージの占める面積は半導
体チップの面積と同等程度にまで小型化することができ
る高周波増幅装置を提供することを目的とする。
体チップの面積と同等程度にまで小型化することができ
る高周波増幅装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波増幅装置
は、第一主面側に、増幅素子を含む電子回路が形成さ
れ、前記第一主面の裏側の第２主面側にパッチアンテナ
が形成された基板を有し、前記電子回路と前記パッチア
ンテナとが電気的に接続されているものである。
は、第一主面側に、増幅素子を含む電子回路が形成さ
れ、前記第一主面の裏側の第２主面側にパッチアンテナ
が形成された基板を有し、前記電子回路と前記パッチア
ンテナとが電気的に接続されているものである。
【００１２】このことにより、前記パッケージの面積は
前記半導体チップの面積程度にまで小型化することが出
来、前記課題が解決される。
前記半導体チップの面積程度にまで小型化することが出
来、前記課題が解決される。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態におけ
る高周波増幅装置について図面を参照しながら説明す
る。
る高周波増幅装置について図面を参照しながら説明す
る。
【００１４】（実施の形態１）まず、本発明の実施の形
態１における高周波増幅装置について図面を参照しなが
ら説明する。
態１における高周波増幅装置について図面を参照しなが
ら説明する。
【００１５】図１は、本発明の実施の形態１における高
周波増幅装置の断面を示す図である。図１において、半
導体基板を基体とする半導体チップ１の第１主面上に
は、増幅素子、高周波伝送線路、インダクタ、キャパシ
タ、抵抗などが形成されており、これらの素子によって
高周波電子回路が構成されている。例えば、増幅素子と
してＨＥＭＴ、高周波伝送線路としてマイクロストリッ
プ線路、インダクタとしてスパイラルインダクタ、キャ
パシタとして金属電極間にＳｉＮなどの誘電体膜を挟ん
だ構造であるＭＩＮキャパシタが用いられる。半導体チ
ップ１の第２主面全面には、絶縁膜８が形成されてい
る。半導体チップ１は、貫通したビアホール４を少なく
とも１つ備えている。このビアホール４の内側面は、金
属メッキされている。絶縁膜８上には、パッチアンテナ
２が形成されている。パッチアンテナ２は、絶縁膜８に
より、半導体チップ１の基板とは電気的に絶縁されてい
る。半導体チップ１は、バンプ５により、パッケージ６
の底面にフリップチップ実装されている。パッケージ６
は、半導体チップ１を内部に収めている。また、パッケ
ージ６のパッチアンテナ２の真上に当たる部分には、高
周波透過窓７が形成されている。
周波増幅装置の断面を示す図である。図１において、半
導体基板を基体とする半導体チップ１の第１主面上に
は、増幅素子、高周波伝送線路、インダクタ、キャパシ
タ、抵抗などが形成されており、これらの素子によって
高周波電子回路が構成されている。例えば、増幅素子と
してＨＥＭＴ、高周波伝送線路としてマイクロストリッ
プ線路、インダクタとしてスパイラルインダクタ、キャ
パシタとして金属電極間にＳｉＮなどの誘電体膜を挟ん
だ構造であるＭＩＮキャパシタが用いられる。半導体チ
ップ１の第２主面全面には、絶縁膜８が形成されてい
る。半導体チップ１は、貫通したビアホール４を少なく
とも１つ備えている。このビアホール４の内側面は、金
属メッキされている。絶縁膜８上には、パッチアンテナ
２が形成されている。パッチアンテナ２は、絶縁膜８に
より、半導体チップ１の基板とは電気的に絶縁されてい
る。半導体チップ１は、バンプ５により、パッケージ６
の底面にフリップチップ実装されている。パッケージ６
は、半導体チップ１を内部に収めている。また、パッケ
ージ６のパッチアンテナ２の真上に当たる部分には、高
周波透過窓７が形成されている。
【００１６】次に図１の高周波増幅装置の動作を説明す
る。
る。
【００１７】パッケージ６のいずれかの部分に備えられ
ている端子（図１には記載されていない）から高周波信
号が入力され、および、電源から動作のための電力が供
給される。入力された高周波信号は、バンプ５を介して
半導体チップ１に入力され、半導体チップ１の主面に形
成された高周波回路３により、高周波信号は、変形、増
幅される。半導体チップ１の主面に形成された高周波回
路３と第２主面の絶縁膜８上に形成されたパッチアンテ
ナ２はビアホール４内の導電物であるメッキされた金属
により、電気的に接続されており、増幅された高周波信
号はパッチアンテナ２に入力され、高周波信号が電磁波
として出射される。パッチアンテナ２から出射された電
磁波は高周波透過窓７を通過してパッケージ６外に取り
出される。
ている端子（図１には記載されていない）から高周波信
号が入力され、および、電源から動作のための電力が供
給される。入力された高周波信号は、バンプ５を介して
半導体チップ１に入力され、半導体チップ１の主面に形
成された高周波回路３により、高周波信号は、変形、増
幅される。半導体チップ１の主面に形成された高周波回
路３と第２主面の絶縁膜８上に形成されたパッチアンテ
ナ２はビアホール４内の導電物であるメッキされた金属
により、電気的に接続されており、増幅された高周波信
号はパッチアンテナ２に入力され、高周波信号が電磁波
として出射される。パッチアンテナ２から出射された電
磁波は高周波透過窓７を通過してパッケージ６外に取り
出される。
【００１８】以上、本発明の実施の形態１の高周波電力
増幅装置では、従来例と同様の機能を保ちつつも、パッ
ケージ６が占める面積は、半導体チップ１の主面の面積
程度まで小型化することができる。
増幅装置では、従来例と同様の機能を保ちつつも、パッ
ケージ６が占める面積は、半導体チップ１の主面の面積
程度まで小型化することができる。
【００１９】（実施の形態２）図２は、本発明の実施の
形態２における高周波増幅装置の断面を示す図である。
図２において、半導体チップ１の第１主面には実施の形
態１と同様に高周波回路が形成されている。半導体チッ
プ１の第２主面は全面金属メッキされており、半導体チ
ップ１を貫通し、内側面が金属メッキされているビアホ
ール４を少なくとも１つ備えている。半導体チップ１の
第２主面には、導電性ペースト１１によって接着された
誘電体層である誘電体基板９を備えている。誘電体基板
９の導電性ペースト１１によって接着されている面は、
全面金属メッキされており、この面と誘電体基板９の他
面を貫通し、内側面が金属メッキされているスルーホー
ル１０を少なくとも１つ備えている。誘電体基板９の前
記他面上には、パッチアンテナ２が形成されている。半
導体チップ１の第１主面は、バンプ５によってパッケー
ジ６に接続される。パッケージ６は半導体チップ１およ
び誘電体基板９を内部に収めている。パッケージ６のパ
ッチアンテナ２の真上にあたる部分には、高周波透過窓
７を備えている。
形態２における高周波増幅装置の断面を示す図である。
図２において、半導体チップ１の第１主面には実施の形
態１と同様に高周波回路が形成されている。半導体チッ
プ１の第２主面は全面金属メッキされており、半導体チ
ップ１を貫通し、内側面が金属メッキされているビアホ
ール４を少なくとも１つ備えている。半導体チップ１の
第２主面には、導電性ペースト１１によって接着された
誘電体層である誘電体基板９を備えている。誘電体基板
９の導電性ペースト１１によって接着されている面は、
全面金属メッキされており、この面と誘電体基板９の他
面を貫通し、内側面が金属メッキされているスルーホー
ル１０を少なくとも１つ備えている。誘電体基板９の前
記他面上には、パッチアンテナ２が形成されている。半
導体チップ１の第１主面は、バンプ５によってパッケー
ジ６に接続される。パッケージ６は半導体チップ１およ
び誘電体基板９を内部に収めている。パッケージ６のパ
ッチアンテナ２の真上にあたる部分には、高周波透過窓
７を備えている。
【００２０】以下、図２の本発明の実施の形態２の動作
を説明する。
を説明する。
【００２１】パッケージ６のいずれかの部分に備えられ
ている端子（図２には記載されていない）から高周波信
号が入力され、および、電源から動作のための電力が供
給される。入力された高周波信号は、バンプ５を介して
半導体チップ１に入力され、半導体チップ１の主面に形
成された高周波回路３により、高周波信号は、変形、増
幅される。半導体チップ１の第１主面に形成された高周
波回路３と、誘電体基板９の前記他面上に形成されたパ
ッチアンテナ２は、半導体チップ１に形成されたビアホ
ール４、半導体チップ１の第２主面全面に形成された金
属メッキ、導電性ペースト１１、誘電体基板９の接着面
全面に形成された金属メッキ、誘電体基板９に形成され
他面まで貫通しているスルーホール１０、を介して電気
的に接続されており、前記の増幅された高周波信号はパ
ッチアンテナ２に入力され、高周波信号が電磁波として
出射される。パッチアンテナ２から出射された電磁波は
高周波透過窓７を通過してパッケージ６外に取り出され
る。
ている端子（図２には記載されていない）から高周波信
号が入力され、および、電源から動作のための電力が供
給される。入力された高周波信号は、バンプ５を介して
半導体チップ１に入力され、半導体チップ１の主面に形
成された高周波回路３により、高周波信号は、変形、増
幅される。半導体チップ１の第１主面に形成された高周
波回路３と、誘電体基板９の前記他面上に形成されたパ
ッチアンテナ２は、半導体チップ１に形成されたビアホ
ール４、半導体チップ１の第２主面全面に形成された金
属メッキ、導電性ペースト１１、誘電体基板９の接着面
全面に形成された金属メッキ、誘電体基板９に形成され
他面まで貫通しているスルーホール１０、を介して電気
的に接続されており、前記の増幅された高周波信号はパ
ッチアンテナ２に入力され、高周波信号が電磁波として
出射される。パッチアンテナ２から出射された電磁波は
高周波透過窓７を通過してパッケージ６外に取り出され
る。
【００２２】以上、本発明の実施の形態２の高周波増幅
装置では、従来例と同様の機能を有するにもかかわら
ず、パッケージ６の面積は、半導体チップ１または誘電
体基板９の面積程度まで小型化することができる。
装置では、従来例と同様の機能を有するにもかかわら
ず、パッケージ６の面積は、半導体チップ１または誘電
体基板９の面積程度まで小型化することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、第一主面側に、増幅素子
を含む電子回路が形成され、第２主面側にパッチアンテ
ナが形成された基板を有し、前記電子回路と前記パッチ
アンテナとが電気的に接続された高周波増幅装置を製造
することにより、パッケージの占める面積は半導体チッ
プの面積と同等程度にまで小型化することができる。
を含む電子回路が形成され、第２主面側にパッチアンテ
ナが形成された基板を有し、前記電子回路と前記パッチ
アンテナとが電気的に接続された高周波増幅装置を製造
することにより、パッケージの占める面積は半導体チッ
プの面積と同等程度にまで小型化することができる。
【図１】本発明の実施の形態１における高周波増幅装置
の断面図
の断面図
【図２】本発明の実施の形態２における高周波増幅装置
の断面図
の断面図
【図３】従来の高周波増幅装置の断面図
１ 半導体チップ
２ パッチアンテナ
３ 高周波回路
４ ビアホール
５ バンプ
６ パッケージ
７ 高周波透過窓
８ 絶縁膜
９ 誘電体基板
１０ スルーホール
１１ 導電性ペースト
１２ 第１のワイヤ
１３ 第２のワイヤ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5J021 AA01 CA06 FA17 FA26 HA05
HA07 HA10 JA07 JA08
5J045 AA01 AB05 AB07 DA10 EA07
HA03 KA01 NA01
5J091 AA01 AA41 CA92 FA16 KA00
KA66 QA04
Claims (6)
- 【請求項１】 第一主面側に、増幅素子を含む電子回路
が形成され、前記第一主面の裏側の第２主面側にパッチ
アンテナが形成された基板を有し、前記電子回路と前記
パッチアンテナとが電気的に接続されていることを特徴
とする電力増幅装置。 - 【請求項２】 前記基板にビアホールが形成されてお
り、前記ビアホール内に導電物が形成されており、前記
電子回路と前記パッチアンテナとが、前記導電物を介し
て電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記
載の電力増幅装置。 - 【請求項３】 パッケージの内部に格納された請求項１
または請求項２に記載の電力増幅装置。 - 【請求項４】 前記パッケージの底面と前記基板の第１
主面とが向かい合うようにフリップチップ実装したこと
を特徴とする請求項３記載の電力増幅装置。 - 【請求項５】 前記半導体チップの裏面に絶縁膜が形成
され、前記絶縁膜上に形成された高周波回路はマイクロ
ストリップアンテナを含み、前記基板と前記半導体チッ
プとを囲むパッケージを備え、前記パッケージの前記パ
ッチアンテナの真上の部分は電磁波を通過させる窓を備
えていることを特徴とする請求項１に記載の電力増幅装
置。 - 【請求項６】 前記パッチアンテナと前記基板との間に
誘電体層が形成され、前記誘電体層にはスルーホールが
形成され、前記スルーホール内に導電物が形成されてお
り、前記電子回路と前記パッチアンテナとが、前記スル
ーホール内に形成された導電物を介して電気的に接続さ
れていることを特徴とする請求項１記載の電力増幅装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194111A JP2003008343A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 電力増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194111A JP2003008343A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 電力増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003008343A true JP2003008343A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19032293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001194111A Pending JP2003008343A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 電力増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003008343A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007036571A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2009267572A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Kyocera Corp | 構造体、及びそれを用いた電池、並びに電子装置 |
| CN105826663A (zh) * | 2015-01-04 | 2016-08-03 | 莱尔德无线技术（上海）有限公司 | 车辆用天线及天线*** |
-
2001
- 2001-06-27 JP JP2001194111A patent/JP2003008343A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007036571A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2009267572A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Kyocera Corp | 構造体、及びそれを用いた電池、並びに電子装置 |
| CN105826663A (zh) * | 2015-01-04 | 2016-08-03 | 莱尔德无线技术（上海）有限公司 | 车辆用天线及天线*** |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6794961B2 (en) | High frequency circuit module | |
| US6847275B2 (en) | High-frequency circuit board unit, high frequency module using the same unit, electronic apparatus using the same module, and manufacturing method for the high-frequency circuit board unit | |
| US7911292B2 (en) | Mode transition between a planar line and a waveguide with a low loss RF substrate and a high loss low frequency substrate | |
| US5023703A (en) | Semiconductor device | |
| US10950569B2 (en) | High frequency module and communication device | |
| US7363017B2 (en) | High frequency module and manufacturing method thereof | |
| JPH09134981A (ja) | マイクロ波・ミリ波帯の機能モジュールパッケージ | |
| JPH05167302A (ja) | 高周波電力増幅回路装置およびそれを含む高周波モジュール | |
| JPH05267940A (ja) | マイクロ波帯ダウンコンバータ及び集積回路の実装構造 | |
| JP2000059140A (ja) | 高周波送受信装置 | |
| US6762493B2 (en) | Microwave integrated circuit | |
| JP2003008343A (ja) | 電力増幅装置 | |
| JPH1117063A (ja) | 半導体チップ実装用回路基板、半導体チップ収納用パッケージ、及び半導体デバイス | |
| JP2005183410A (ja) | 無線回路モジュールおよび無線回路基板 | |
| JP2001326319A (ja) | アンテナ素子一体型高周波回路モジュール | |
| JP2001267466A (ja) | 電力増幅モジュール | |
| JP4206185B2 (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JP3439967B2 (ja) | 高周波半導体素子用パッケージ | |
| US20060146135A1 (en) | Semiconductor device having signal line and reference potential plane | |
| JP2003124830A (ja) | 複合アンテナ | |
| JP3540939B2 (ja) | 高周波用配線基板 | |
| JP2001284490A (ja) | 高周波接地構造 | |
| JP2002050733A (ja) | 高周波用パッケージ、配線ボードおよび高周波モジュール | |
| JP2001237263A (ja) | 高周波回路装置及びその製造方法 | |
| JP2001244409A (ja) | 高周波モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060315 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060412 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070822 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070925 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080212 |