JP2003008065A - Smd型光素子モジュールの製造方法 - Google Patents
Smd型光素子モジュールの製造方法Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光素子とレンズセンターとの位置精度、光学
的特性の向上。 【解決手段】 LED3を集合ベース基板2A上にダイ
ボンド実装し、金属細線4でワイヤボンィングした後、
集合ベース基板2A上に成形型7Aを位置決めし、透光
性の封止樹脂5Aを充填してフラットな樹脂面5Bを形
成する。LED3を実装した位置データにもとづき、予
め別体で成形したレンズ6Aをフラットな樹脂面5Bに
封止樹脂5Aと同じ屈折率を有する接着剤樹脂8を使用
し接合する。カットラインXに沿って切断し単個の発光
モジュール1Aを製造する。光素子は発光素子又は受光
素子である。LEDとレンズセンターとの位置精度の非
常に良い光伝達効率が改善されたSMD型光素子モジュ
ールが提供できる。
的特性の向上。 【解決手段】 LED3を集合ベース基板2A上にダイ
ボンド実装し、金属細線4でワイヤボンィングした後、
集合ベース基板2A上に成形型7Aを位置決めし、透光
性の封止樹脂5Aを充填してフラットな樹脂面5Bを形
成する。LED3を実装した位置データにもとづき、予
め別体で成形したレンズ6Aをフラットな樹脂面5Bに
封止樹脂5Aと同じ屈折率を有する接着剤樹脂8を使用
し接合する。カットラインXに沿って切断し単個の発光
モジュール1Aを製造する。光素子は発光素子又は受光
素子である。LEDとレンズセンターとの位置精度の非
常に良い光伝達効率が改善されたSMD型光素子モジュ
ールが提供できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光素子をベース基
板に実装し樹脂封止したレンズ付きのSMD型光素子モ
ジュールの製造方法に関する。
板に実装し樹脂封止したレンズ付きのSMD型光素子モ
ジュールの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、双方向の光素子モジュール構造
は、光ファイバをハウジングした光ファイバプラグと、
その先端に着脱可能に取り付けられ、光素子である発光
素子として発光ダイオード(LED)又はレーザー(L
D)と、その素子を制御するためのドライブICが回路
基板上に実装され、また、光素子である受光素子として
フォトダイオード(PDi)とICが一体化になってい
て光信号を電気信号に変換する機能を有するOEICが
基板上に実装され、それらの各素子は透光性の樹脂で封
止され、外部との電気的接続のために回路基板に電極端
子を有する発光モジュールと受光モジュールを独立にケ
ース内に収納した光ミニジャックモジュールとよりな
り、光ミニジャックモジュール内の発光モジュール及び
受光モジュールに2本の光ファイバがそれぞれ接続さ
れ、これにより光信号の授受を行い光通信が可能にす
る。また、発光モジュールと受光モジュールを単一のモ
ールド樹脂によりパッケージして一体化し、1本の光フ
ァイバで往復通信を可能にする。なお、前記封止樹脂の
表面に半球状のレンズが形成され、発光モジュール側で
は、発光素子から出射された光をレンズで集光させる。
また受光モジュール側では、光ファイバプラグより伝送
された光をレンズで集光させ受光素子に入射させる。
は、光ファイバをハウジングした光ファイバプラグと、
その先端に着脱可能に取り付けられ、光素子である発光
素子として発光ダイオード(LED)又はレーザー(L
D)と、その素子を制御するためのドライブICが回路
基板上に実装され、また、光素子である受光素子として
フォトダイオード(PDi)とICが一体化になってい
て光信号を電気信号に変換する機能を有するOEICが
基板上に実装され、それらの各素子は透光性の樹脂で封
止され、外部との電気的接続のために回路基板に電極端
子を有する発光モジュールと受光モジュールを独立にケ
ース内に収納した光ミニジャックモジュールとよりな
り、光ミニジャックモジュール内の発光モジュール及び
受光モジュールに2本の光ファイバがそれぞれ接続さ
れ、これにより光信号の授受を行い光通信が可能にす
る。また、発光モジュールと受光モジュールを単一のモ
ールド樹脂によりパッケージして一体化し、1本の光フ
ァイバで往復通信を可能にする。なお、前記封止樹脂の
表面に半球状のレンズが形成され、発光モジュール側で
は、発光素子から出射された光をレンズで集光させる。
また受光モジュール側では、光ファイバプラグより伝送
された光をレンズで集光させ受光素子に入射させる。
【0003】図2により従来の発光側のSMD型光素子
モジュールの製造方法について説明する。図2(a)は
発光モジュールの断面図、図2(b)はベース基板に発
光素子であるLEDをDB、WBした状態を示す断面
図、図2(c)は成形型を載置する状態を示す断面図、
図2(d)は成形型内に封止樹脂を充填した状態を示す
断面図である。
モジュールの製造方法について説明する。図2(a)は
発光モジュールの断面図、図2(b)はベース基板に発
光素子であるLEDをDB、WBした状態を示す断面
図、図2(c)は成形型を載置する状態を示す断面図、
図2(d)は成形型内に封止樹脂を充填した状態を示す
断面図である。
【0004】図2(a)において、発光モジュール1
は、ベース基板2上に 発光素子として発光ダイオード
(LED)3又はレーザー(LD)と、LED3を制御
するための図示しないドライブICがDB実装され、ベ
ース基板1上のパターンと金属細線4でWBされてい
る。前記LED3及び金属細線4を保護するために透光
性の封止樹脂5で封止されている。この透光性の封止樹
脂5の表面には、LED3の正面側に位置してLED3
から出射された光を集光する半球状のレンズ6が後述す
る成形型を用いて同時に形成されている。
は、ベース基板2上に 発光素子として発光ダイオード
(LED)3又はレーザー(LD)と、LED3を制御
するための図示しないドライブICがDB実装され、ベ
ース基板1上のパターンと金属細線4でWBされてい
る。前記LED3及び金属細線4を保護するために透光
性の封止樹脂5で封止されている。この透光性の封止樹
脂5の表面には、LED3の正面側に位置してLED3
から出射された光を集光する半球状のレンズ6が後述す
る成形型を用いて同時に形成されている。
【0005】前記発光モジュールの製造方法について説
明する。図2(b)において、集合ベース基板2Aの所
定の位置に、例えばダイボンダーマシンを使用し発光素
子としてLED3を所定のピッチでダイボンドする。次
に、ベース基板2A上のパターンと金属細線4でWBし
て導通を行う。
明する。図2(b)において、集合ベース基板2Aの所
定の位置に、例えばダイボンダーマシンを使用し発光素
子としてLED3を所定のピッチでダイボンドする。次
に、ベース基板2A上のパターンと金属細線4でWBし
て導通を行う。
【0006】図2(c)において、前記LED3と金属
細線4を保護するために、封止樹脂5とレンズ6を一体
化した形状をした成形型7と前記集合ベース基板2Aと
の位置合わせを行う。
細線4を保護するために、封止樹脂5とレンズ6を一体
化した形状をした成形型7と前記集合ベース基板2Aと
の位置合わせを行う。
【0007】図2(d)において、前記集合ベース基板
2Aと成形型7との間に透光性の封止樹脂5を充填す
る。所定の時間加熱し、封止樹脂を固化させる。その
後、図2(e)にて型を脱型した後、カットラインXに
沿って切断して図2(a)に示すようなレンズ付きの単
個の発光モジュール1が完成される。
2Aと成形型7との間に透光性の封止樹脂5を充填す
る。所定の時間加熱し、封止樹脂を固化させる。その
後、図2(e)にて型を脱型した後、カットラインXに
沿って切断して図2(a)に示すようなレンズ付きの単
個の発光モジュール1が完成される。
【0008】以上、発光モジュール側について説明した
が、受光モジュール側についても同様であるので説明は
省略する。
が、受光モジュール側についても同様であるので説明は
省略する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たSMD型光素子モジュールの製造する際、成形型に配
設するレンズのピッチ誤差や集合ベース基板と成形型の
合わせ誤差がある。また、集合ベース基板への光素子の
実装誤差などを加味すると、光素子の発光効率及び受光
効率のポイントとなるレンズセンターと光素子の位置ず
れが大きく、例えば最大100μmレベルになる。この
ことは、光素子の光伝達効率を低下させ、製品の品質を
低下させてしまうと言う問題がある。
たSMD型光素子モジュールの製造する際、成形型に配
設するレンズのピッチ誤差や集合ベース基板と成形型の
合わせ誤差がある。また、集合ベース基板への光素子の
実装誤差などを加味すると、光素子の発光効率及び受光
効率のポイントとなるレンズセンターと光素子の位置ず
れが大きく、例えば最大100μmレベルになる。この
ことは、光素子の光伝達効率を低下させ、製品の品質を
低下させてしまうと言う問題がある。
【0010】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、光素子とレンズセンターとの位
置精度が向上し、光伝達効率が改善されたレンズ付きの
SMD型光素子モジュールの製造方法を提供するもので
ある。
のであり、その目的は、光素子とレンズセンターとの位
置精度が向上し、光伝達効率が改善されたレンズ付きの
SMD型光素子モジュールの製造方法を提供するもので
ある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明におけるSMD型光素子モジュールの製造方
法は、光素子を集合ベース基板上の所定位置に実装し、
その上面を透光性樹脂で封止し、外部との電気的接続の
ための電極端子を備えたレンズ付きのSMD型光素子モ
ジュールの製造方法において、前記光素子を集合ベース
基板上の所定位置にダイボンド実装し、金属細線でワイ
ヤボンィングした後、前記集合ベース基板上に成形型な
どを使用して位置決めし、透光性の封止樹脂を充填して
フラットな樹脂面を成形し、前記光素子の位置データに
もとづき前記フラットな樹脂面に予め別体で成形したレ
ンズを接合した後、所定のカットラインに沿って切断し
単個の光素子モジュールにしたことを特徴とするもので
ある。
に、本発明におけるSMD型光素子モジュールの製造方
法は、光素子を集合ベース基板上の所定位置に実装し、
その上面を透光性樹脂で封止し、外部との電気的接続の
ための電極端子を備えたレンズ付きのSMD型光素子モ
ジュールの製造方法において、前記光素子を集合ベース
基板上の所定位置にダイボンド実装し、金属細線でワイ
ヤボンィングした後、前記集合ベース基板上に成形型な
どを使用して位置決めし、透光性の封止樹脂を充填して
フラットな樹脂面を成形し、前記光素子の位置データに
もとづき前記フラットな樹脂面に予め別体で成形したレ
ンズを接合した後、所定のカットラインに沿って切断し
単個の光素子モジュールにしたことを特徴とするもので
ある。
【0012】また、前記光素子は発光素子であることを
特徴とするものである。
特徴とするものである。
【0013】また、前記光素子は受光素子であることを
特徴とするものである。
特徴とするものである。
【0014】また、前記光素子の位置データは、光素子
の実装に使用するダイボンダー素子実装時と同じ位置デ
ータを用いることを特徴とするものである。。
の実装に使用するダイボンダー素子実装時と同じ位置デ
ータを用いることを特徴とするものである。。
【0015】また、前記レンズとフラットな樹脂面との
接合は、前記透光性の封止樹脂と同じ屈折率を有する接
着剤樹脂を使用したことを特徴とするものである。
接合は、前記透光性の封止樹脂と同じ屈折率を有する接
着剤樹脂を使用したことを特徴とするものである。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明にお
けるSMD型光素子モジュールの製造方法について説明
する。図1は、本発明の実施の形態であるSMD型光素
子モジュールの製造方法に係わり、図1(a)はベース
基板に発光素子であるLEDをDB、WBした状態を示
す断面図、図1(b)はベース基板上に成形型を載置し
成形型内に封止樹脂を充填した状態を示す断面図、図1
(c)は封止樹脂のフラットな樹脂面にレンズを接合し
た状態を示す断面図、図1(d)はカットラインに沿っ
て切断した単個の発光モジュールの断面図である。図に
おいて、従来技術と同一部材は同一符号で示す。
けるSMD型光素子モジュールの製造方法について説明
する。図1は、本発明の実施の形態であるSMD型光素
子モジュールの製造方法に係わり、図1(a)はベース
基板に発光素子であるLEDをDB、WBした状態を示
す断面図、図1(b)はベース基板上に成形型を載置し
成形型内に封止樹脂を充填した状態を示す断面図、図1
(c)は封止樹脂のフラットな樹脂面にレンズを接合し
た状態を示す断面図、図1(d)はカットラインに沿っ
て切断した単個の発光モジュールの断面図である。図に
おいて、従来技術と同一部材は同一符号で示す。
【0017】図1(a)において、従来と同様に、集合
ベース基板2Aの所定の位置に、例えばダイボンダーマ
シンを使用してLED3をダイボンドし、ベース基板2
A上のパターンと金属細線4でWBして導通を行う。
ベース基板2Aの所定の位置に、例えばダイボンダーマ
シンを使用してLED3をダイボンドし、ベース基板2
A上のパターンと金属細線4でWBして導通を行う。
【0018】図1(b)において、前記LED3と金属
細線4を保護するために、上面がフラット形状にした封
止樹脂部を有する成形型7Aと前記集合ベース基板2A
との位置合わせを行う。その後、前記集合ベース基板2
Aと成形型7Aとの間に透光性の封止樹脂5Aを充填
し、加熱・硬化した後脱型する。
細線4を保護するために、上面がフラット形状にした封
止樹脂部を有する成形型7Aと前記集合ベース基板2A
との位置合わせを行う。その後、前記集合ベース基板2
Aと成形型7Aとの間に透光性の封止樹脂5Aを充填
し、加熱・硬化した後脱型する。
【0019】図1(c)において、前記LED3をダイ
ボンダーマシンを使用して実装した時と同じ位置データ
を用いて、予め別体で成形したレンズ6Aを前記封止樹
脂5Aのフラットな樹脂面5Bに前記封止樹脂5Aと同
じ屈折率を有する接着剤樹脂8を使用して接合する。そ
の後、カットラインXに沿って切断して図1(d)に示
すようなレンズ付きの単個の発光モジュール1Aが完成
される。
ボンダーマシンを使用して実装した時と同じ位置データ
を用いて、予め別体で成形したレンズ6Aを前記封止樹
脂5Aのフラットな樹脂面5Bに前記封止樹脂5Aと同
じ屈折率を有する接着剤樹脂8を使用して接合する。そ
の後、カットラインXに沿って切断して図1(d)に示
すようなレンズ付きの単個の発光モジュール1Aが完成
される。
【0020】上記した構成により製造された発光モジュ
ール1Aは、LED3とレンズ6Aのセンターとの位置
精度は、ダイボンダーマシンの精度になり、例えば10
μmレベルが実現できる。また、封止樹脂5Aとレンズ
6Aとの接合に透光性の封止樹脂5Aと同じ屈折率を有
する接着剤樹脂8を使用するので、光学的特性の損失を
防ぐことができる。
ール1Aは、LED3とレンズ6Aのセンターとの位置
精度は、ダイボンダーマシンの精度になり、例えば10
μmレベルが実現できる。また、封止樹脂5Aとレンズ
6Aとの接合に透光性の封止樹脂5Aと同じ屈折率を有
する接着剤樹脂8を使用するので、光学的特性の損失を
防ぐことができる。
【0021】以上、発光モジュール側について説明した
が、受光モジュール側についても同様であるので説明は
省略する。
が、受光モジュール側についても同様であるので説明は
省略する。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、SMD型光素子モ
ジュールの製造方法は、ベース基板上に実装し光素子を
透光性の封止樹脂で成形したフラットな樹脂面に、予め
別体で成形したレンズを光素子の位置データにもとづ
き、封止樹脂と同じ屈折率を有する接着剤樹脂を使用し
接合することにより、光素子とレンズセンターとの位置
精度は著しく向上し、光伝達効率が改善されたSMD型
光素子モジュールの製造方法を提供することが可能であ
る。
ジュールの製造方法は、ベース基板上に実装し光素子を
透光性の封止樹脂で成形したフラットな樹脂面に、予め
別体で成形したレンズを光素子の位置データにもとづ
き、封止樹脂と同じ屈折率を有する接着剤樹脂を使用し
接合することにより、光素子とレンズセンターとの位置
精度は著しく向上し、光伝達効率が改善されたSMD型
光素子モジュールの製造方法を提供することが可能であ
る。
【0023】本発明は、SMD型光素子モジュールのみ
ならず、レンズを有する光関係のSMDモジュール全般
に適用できる。
ならず、レンズを有する光関係のSMDモジュール全般
に適用できる。
【図1】本発明の実施の形態であるSMD型光素子モジ
ュールの製造方法に係わり、図1(a)はベース基板に
LEDをDB、WBした状態を示す断面図、図1(b)
はベース基板上に成形型を載置し成形型内に封止樹脂を
充填した状態を示す断面図、図1(c)は封止樹脂のフ
ラット面にレンズを接合した状態を示す断面図、図1
(d)はカットラインに沿って切断した単個の発光モジ
ュールの断面図である。
ュールの製造方法に係わり、図1(a)はベース基板に
LEDをDB、WBした状態を示す断面図、図1(b)
はベース基板上に成形型を載置し成形型内に封止樹脂を
充填した状態を示す断面図、図1(c)は封止樹脂のフ
ラット面にレンズを接合した状態を示す断面図、図1
(d)はカットラインに沿って切断した単個の発光モジ
ュールの断面図である。
【図2】従来の発光側のSMD型光素子モジュールの製
造方法に係わり、図2(a)は発光モジュールの断面
図、図2(b)はベース基板にLEDをDB、WBした
状態を示す断面図、図2(c)は成形型を載置する状態
を示す断面図、図2(d)は成形型内に封止樹脂を充填
した状態を示す断面図、図2(e)は樹脂をキュアし型
を脱型した後、カットラインに沿って切断した発光モジ
ュールの断面図である。
造方法に係わり、図2(a)は発光モジュールの断面
図、図2(b)はベース基板にLEDをDB、WBした
状態を示す断面図、図2(c)は成形型を載置する状態
を示す断面図、図2(d)は成形型内に封止樹脂を充填
した状態を示す断面図、図2(e)は樹脂をキュアし型
を脱型した後、カットラインに沿って切断した発光モジ
ュールの断面図である。
【符号の説明】
1A 発光モジュール
2 ベース基板
2A 集合ベース基板
3 LED
4 金属細線
5A 封止樹脂
5B フラットな樹脂面
6A レンズ
7A 成形型
8 接着剤樹脂
X カットライン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Fターム(参考) 4M109 AA02 BA04 CA21 EC11 EE11
GA01
5F041 AA39 DA01 DA07 DA31 DA43
EE11 EE15
5F061 AA02 BA04 CA21 CB13 FA01
5F088 EA02 JA01 JA06 JA10 JA12
Claims (5)
- 【請求項1】 光素子を集合ベース基板上の所定位置に
実装し、その上面を透光性樹脂で封止し、外部との電気
的接続のための電極端子を備えたレンズ付きのSMD型
光素子モジュールの製造方法において、前記光素子を集
合ベース基板上の所定位置にダイボンド実装し、金属細
線でワイヤボンィングした後、前記集合ベース基板上に
成形型などを使用して位置決めし、透光性の封止樹脂を
充填してフラットな樹脂面を成形し、前記光素子の位置
データにもとづき前記フラットな樹脂面に予め別体で成
形したレンズを接合した後、所定のカットラインに沿っ
て切断し単個の光素子モジュールにしたことを特徴とす
るSMD型光素子モジュールの製造方法。 - 【請求項2】 前記光素子は発光素子であることを特徴
とするSMD型光素子モジュールの製造方法。 - 【請求項3】 前記光素子は受光素子であることを特徴
とするSMD型光素子モジュールの製造方法。 - 【請求項4】 前記光素子の位置データは、光素子の実
装に使用するダイボンダー素子実装時と同じ位置データ
を用いることを特徴とする請求項1記載のSMD型光素
子モジュールの製造方法。 - 【請求項5】 前記レンズとフラットな樹脂面との接合
は、前記透光性の封止樹脂と同じ屈折率を有する接着剤
樹脂を使用したことを特徴とする請求項1記載のSMD
型光素子モジュールの製造方法。
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