JP2003002785A - 表層部にボイド無欠陥層を有する直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 - Google Patents
表層部にボイド無欠陥層を有する直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法Info
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B15/20—Controlling or regulating
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 直径300mm 以上のシリコン単結晶を引上げてウエーハ
に加工し、ウエーハを熱処理して表層の十分な深さにCOP の
ない無欠陥層を有するシリコン単結晶ウエーハを得るためのシリコン
単結晶引上げ条件およびウエーハの熱処理条件を確立する。 【解決手段】 直径300mm 以上のシリコン単結晶ウエーハであっ
て表面から3 μm 以上にわたってCOP のない無欠陥層が
存在することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハおよびCZ法に
より窒素をト゛ーフ゜ して直径300mm 以上のシリコン単結晶を引
上げる際に引上げ速度をV[mm/min] としシリコンの融点から
1400℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を
G[K/mm] で表した時V/G [mm2/K・min] の値を0.17以下と
して結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法並びに直径30
0mm 以上のシリコン単結晶ウエーハに熱処理を施すシリコン単結晶ウエ
ーハの製造方法において不活性カ゛スまたは水素またはこれ
らの混合カ゛スの雰囲気下1230℃以上1 時間以上の熱処理
を施すシリコン単結晶ウエーハの製造方法。
に加工し、ウエーハを熱処理して表層の十分な深さにCOP の
ない無欠陥層を有するシリコン単結晶ウエーハを得るためのシリコン
単結晶引上げ条件およびウエーハの熱処理条件を確立する。 【解決手段】 直径300mm 以上のシリコン単結晶ウエーハであっ
て表面から3 μm 以上にわたってCOP のない無欠陥層が
存在することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハおよびCZ法に
より窒素をト゛ーフ゜ して直径300mm 以上のシリコン単結晶を引
上げる際に引上げ速度をV[mm/min] としシリコンの融点から
1400℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を
G[K/mm] で表した時V/G [mm2/K・min] の値を0.17以下と
して結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法並びに直径30
0mm 以上のシリコン単結晶ウエーハに熱処理を施すシリコン単結晶ウエ
ーハの製造方法において不活性カ゛スまたは水素またはこれ
らの混合カ゛スの雰囲気下1230℃以上1 時間以上の熱処理
を施すシリコン単結晶ウエーハの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、直径３００ｍｍ以
上の高機能、無欠陥層を有するシリコン単結晶ウエーハ
およびその製造方法に関する。
上の高機能、無欠陥層を有するシリコン単結晶ウエーハ
およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】チョクラルスキー法（ＣＺ法）により製
造された窒素ドープしたシリコン単結晶をウエーハに加
工した後、アルゴン等の不活性ガス雰囲気で高温長時間
の熱処理（アニールということがある）を施したシリコ
ンウエーハは、ウエーハ表面のデバイス活性層の完全性
を高め、デバイス作製に必要な少なくとも表面から３μ
ｍ程度の深さまでの領域を無欠陥化し、かつ、バルク中
のＢＭＤ（Bulk Micro Defect ）と呼ばれるゲッタリン
グサイトとなる酸素析出物密度を増加させることによ
り、金属不純物等に対するゲッタリング能力を高めた製
品として、最近注目されている。
造された窒素ドープしたシリコン単結晶をウエーハに加
工した後、アルゴン等の不活性ガス雰囲気で高温長時間
の熱処理（アニールということがある）を施したシリコ
ンウエーハは、ウエーハ表面のデバイス活性層の完全性
を高め、デバイス作製に必要な少なくとも表面から３μ
ｍ程度の深さまでの領域を無欠陥化し、かつ、バルク中
のＢＭＤ（Bulk Micro Defect ）と呼ばれるゲッタリン
グサイトとなる酸素析出物密度を増加させることによ
り、金属不純物等に対するゲッタリング能力を高めた製
品として、最近注目されている。
【０００３】この技術が適用された製品としては、現
在、直径２００ｍｍ以下のウエーハが主流であるが、現
在開発中である直径が３００ｍｍのウエーハに対しても
適応が試みられており、今後益々直径が３００ｍｍ以上
のウエーハへの需要は拡大していくものと推定される。
在、直径２００ｍｍ以下のウエーハが主流であるが、現
在開発中である直径が３００ｍｍのウエーハに対しても
適応が試みられており、今後益々直径が３００ｍｍ以上
のウエーハへの需要は拡大していくものと推定される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、直径３００
ｍｍ以上の結晶は、その製造に用いられる引上げ機の容
積がかなり大きいことにより熱容量が大きいことと、比
熱の影響により、引上げ結晶の冷却がなかなか進まな
い。そのため、シリコン単結晶中のボイド欠陥（ＣＯＰ
とも呼ばれている）のサイズが大きくなり、窒素ドープ
した単結晶ウエーハであっても、その後の標準的なアニ
ール条件（１２００℃、１時間、アルゴン雰囲気）下で
は、ボイド欠陥はウエーハの極く表面しか消滅させられ
ないことが明らかになってきた。
ｍｍ以上の結晶は、その製造に用いられる引上げ機の容
積がかなり大きいことにより熱容量が大きいことと、比
熱の影響により、引上げ結晶の冷却がなかなか進まな
い。そのため、シリコン単結晶中のボイド欠陥（ＣＯＰ
とも呼ばれている）のサイズが大きくなり、窒素ドープ
した単結晶ウエーハであっても、その後の標準的なアニ
ール条件（１２００℃、１時間、アルゴン雰囲気）下で
は、ボイド欠陥はウエーハの極く表面しか消滅させられ
ないことが明らかになってきた。
【０００５】結晶の冷却がなかなか進まないという現象
は、従来のウエーハ直径の世代交代の際（例えば、直径
１５０ｍｍから直径２００ｍｍへの転換期）にも同様の
現象が起こっていたわけであるが、直径を２００ｍｍか
ら３００ｍｍへ拡大する際の引上げ機の容積や結晶体積
の大幅な増加に比べればその影響は少なく、結果的に現
状の標準的なアニール条件（１２００℃、１時間、アル
ゴン雰囲気）でボイド欠陥を十分な深さ（少なくとも３
μｍ）まで消滅させることができていた。
は、従来のウエーハ直径の世代交代の際（例えば、直径
１５０ｍｍから直径２００ｍｍへの転換期）にも同様の
現象が起こっていたわけであるが、直径を２００ｍｍか
ら３００ｍｍへ拡大する際の引上げ機の容積や結晶体積
の大幅な増加に比べればその影響は少なく、結果的に現
状の標準的なアニール条件（１２００℃、１時間、アル
ゴン雰囲気）でボイド欠陥を十分な深さ（少なくとも３
μｍ）まで消滅させることができていた。
【０００６】また、そもそも結晶引上げ時に導入される
いわゆるグローイン欠陥に対する研究が盛んに行われる
ようになったのはここ数年程度前からのことであり、そ
の時にはまだ直径３００ｍｍのウエーハは量産レベルに
は全く達しておらず、ようやく形状サンプルが可能にな
る時期であったので、直径３００ｍｍのウエーハをアニ
ールしてグローイン欠陥を消滅させるという発想はな
く、まして、直径３００ｍｍウエーハのグローイン欠陥
をアニールにより消滅させることが、直径２００ｍｍの
ウエーハに比べて格段に困難になるという現象は、現在
に至るまで全く予測されていなかった。
いわゆるグローイン欠陥に対する研究が盛んに行われる
ようになったのはここ数年程度前からのことであり、そ
の時にはまだ直径３００ｍｍのウエーハは量産レベルに
は全く達しておらず、ようやく形状サンプルが可能にな
る時期であったので、直径３００ｍｍのウエーハをアニ
ールしてグローイン欠陥を消滅させるという発想はな
く、まして、直径３００ｍｍウエーハのグローイン欠陥
をアニールにより消滅させることが、直径２００ｍｍの
ウエーハに比べて格段に困難になるという現象は、現在
に至るまで全く予測されていなかった。
【０００７】そこで本発明は、かかる問題を解決するた
めになされたもので、直径３００ｍｍ以上のシリコン単
結晶を引上げてウエーハに加工し、ウエーハを熱処理し
て表層の十分な深さにＣＯＰのない無欠陥層を有するシ
リコン単結晶ウエーハを得るためのシリコン単結晶引上
げ条件およびウエーハの熱処理条件を確立することを主
たる目的とする。
めになされたもので、直径３００ｍｍ以上のシリコン単
結晶を引上げてウエーハに加工し、ウエーハを熱処理し
て表層の十分な深さにＣＯＰのない無欠陥層を有するシ
リコン単結晶ウエーハを得るためのシリコン単結晶引上
げ条件およびウエーハの熱処理条件を確立することを主
たる目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明に係るシリコン単結晶ウエーハは、直径３００
ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハであって、表面から
３ミクロン以上にわたってＣＯＰのない無欠陥層が存在
することを特徴としている（請求項１）。
に本発明に係るシリコン単結晶ウエーハは、直径３００
ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハであって、表面から
３ミクロン以上にわたってＣＯＰのない無欠陥層が存在
することを特徴としている（請求項１）。
【０００９】このように本発明では、実際に直径３００
ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハであって、表面から
３ミクロン以上にわたってＣＯＰのない無欠陥層が存在
する結晶性に優れた高品質の熱処理シリコン単結晶ウエ
ーハを提供することができる。
ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハであって、表面から
３ミクロン以上にわたってＣＯＰのない無欠陥層が存在
する結晶性に優れた高品質の熱処理シリコン単結晶ウエ
ーハを提供することができる。
【００１０】また、本発明に係るシリコン単結晶の製造
方法は、チョクラルスキー法により窒素をドープして直
径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶を引上げる際に、引
上げ速度をＶ［ｍｍ／ｍｉｎ］とし、シリコンの融点か
ら１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平
均値をＧ［Ｋ／ｍｍ］で表した時、Ｖ／Ｇ［ｍｍ2 ／Ｋ
・ｍｉｎ］の値を０．１７以下として結晶を育成するこ
とを特徴としている（請求項２）。
方法は、チョクラルスキー法により窒素をドープして直
径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶を引上げる際に、引
上げ速度をＶ［ｍｍ／ｍｉｎ］とし、シリコンの融点か
ら１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平
均値をＧ［Ｋ／ｍｍ］で表した時、Ｖ／Ｇ［ｍｍ2 ／Ｋ
・ｍｉｎ］の値を０．１７以下として結晶を育成するこ
とを特徴としている（請求項２）。
【００１１】このように、直径３００ｍｍ以上のシリコ
ン単結晶を引上げる際に、窒素をドープし、パラメータ
Ｖ／Ｇの値を０．１７以下になるようにＶとＧを調整し
て結晶を育成すれば、ＣＯＰサイズの縮小が可能とな
り、その後熱処理を行えば、確実に表層の無欠陥層の深
さを深くすることができるシリコン単結晶を得ることが
できる。尚、引上げ速度の低下により生産性が著しく低
下することを回避するためには、Ｖ／Ｇの値は０．１以
上とする必要があり、０．１３以上であれば、引上げ結
晶中に微小な転位があっても、後のアニールによって除
去することができる。また、０．１４６以上であれば、
引上げ結晶中の転位を完全にフリーにすることができる
ので、より好ましい。
ン単結晶を引上げる際に、窒素をドープし、パラメータ
Ｖ／Ｇの値を０．１７以下になるようにＶとＧを調整し
て結晶を育成すれば、ＣＯＰサイズの縮小が可能とな
り、その後熱処理を行えば、確実に表層の無欠陥層の深
さを深くすることができるシリコン単結晶を得ることが
できる。尚、引上げ速度の低下により生産性が著しく低
下することを回避するためには、Ｖ／Ｇの値は０．１以
上とする必要があり、０．１３以上であれば、引上げ結
晶中に微小な転位があっても、後のアニールによって除
去することができる。また、０．１４６以上であれば、
引上げ結晶中の転位を完全にフリーにすることができる
ので、より好ましい。
【００１２】この場合、窒素をドープする際の窒素濃度
を１×１０13／ｃｍ3 以上として結晶を育成することが
好ましい（請求項３）。このように窒素濃度を高濃度化
すれば、ウエーハ表面のＣＯＰのない無欠陥層の深さを
より一層深くすることができるとともに、バルク中のＢ
ＭＤを増加させて、十分なＩＧ能力を有するウエーハを
製造することができる。
を１×１０13／ｃｍ3 以上として結晶を育成することが
好ましい（請求項３）。このように窒素濃度を高濃度化
すれば、ウエーハ表面のＣＯＰのない無欠陥層の深さを
より一層深くすることができるとともに、バルク中のＢ
ＭＤを増加させて、十分なＩＧ能力を有するウエーハを
製造することができる。
【００１３】さらに、本発明に係るシリコン単結晶ウエ
ーハの製造方法は、直径３００ｍｍ以上の窒素がドープ
されたシリコン単結晶ウエーハに熱処理を施すシリコン
単結晶ウエーハの製造方法において、不活性ガスまたは
水素あるいはこれらの混合ガスの雰囲気下、１２３０℃
以上、1 時間以上の熱処理を施すことを特徴としている
（請求項４）。
ーハの製造方法は、直径３００ｍｍ以上の窒素がドープ
されたシリコン単結晶ウエーハに熱処理を施すシリコン
単結晶ウエーハの製造方法において、不活性ガスまたは
水素あるいはこれらの混合ガスの雰囲気下、１２３０℃
以上、1 時間以上の熱処理を施すことを特徴としている
（請求項４）。
【００１４】このように、直径３００ｍｍ以上のシリコ
ン単結晶ウエーハでは、不活性ガスまたは水素あるいは
これらの混合ガスの雰囲気下の熱処理は、１２３０℃以
上、1 時間以上施せば、ウエーハ表面から３μｍ以上の
深さにわたって、ＣＯＰのない無欠陥層を形成させるこ
とができ、高機能、高品質の熱処理シリコン単結晶ウエ
ーハを製造することができる。
ン単結晶ウエーハでは、不活性ガスまたは水素あるいは
これらの混合ガスの雰囲気下の熱処理は、１２３０℃以
上、1 時間以上施せば、ウエーハ表面から３μｍ以上の
深さにわたって、ＣＯＰのない無欠陥層を形成させるこ
とができ、高機能、高品質の熱処理シリコン単結晶ウエ
ーハを製造することができる。
【００１５】特に、本発明に係るシリコン単結晶ウエー
ハの製造方法は、上記のように窒素をドープし、Ｖ／Ｇ
を所定値以下として育成する方法で製造されたシリコン
単結晶をスライスして得られるシリコン単結晶ウエーハ
に上記で規定する熱処理を施すことを特徴としており
（請求項５）、このような製造方法によれば、直径３０
０ｍｍ以上のウエーハに対して、ウエーハ表面から３μ
ｍ以上の深さにわたって、確実にＣＯＰのない無欠陥層
を形成させることができ、高機能、高品質の熱処理ウエ
ーハを製造することができる。
ハの製造方法は、上記のように窒素をドープし、Ｖ／Ｇ
を所定値以下として育成する方法で製造されたシリコン
単結晶をスライスして得られるシリコン単結晶ウエーハ
に上記で規定する熱処理を施すことを特徴としており
（請求項５）、このような製造方法によれば、直径３０
０ｍｍ以上のウエーハに対して、ウエーハ表面から３μ
ｍ以上の深さにわたって、確実にＣＯＰのない無欠陥層
を形成させることができ、高機能、高品質の熱処理ウエ
ーハを製造することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。本発明者等は、直径３００ｍｍ以上
のシリコン単結晶ウエーハを熱処理して表層に十分な深
さのあるＣＯＰのない無欠陥層を有するシリコン単結晶
ウエーハを製造する方法を確立するため、シリコン単結
晶引上げ条件およびウエーハの熱処理条件について鋭意
調査、実験を行い、諸条件を見極めて本発明を完成させ
た。
て、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。本発明者等は、直径３００ｍｍ以上
のシリコン単結晶ウエーハを熱処理して表層に十分な深
さのあるＣＯＰのない無欠陥層を有するシリコン単結晶
ウエーハを製造する方法を確立するため、シリコン単結
晶引上げ条件およびウエーハの熱処理条件について鋭意
調査、実験を行い、諸条件を見極めて本発明を完成させ
た。
【００１７】ＣＯＰ（Crystal Originated Particle ）
は、点欠陥である空孔が凝集して形成される欠陥（ボイ
ド）であり、ウエーハの酸化膜耐圧を劣化させる原因と
なる。ウエーハをＳＣ−１洗浄（ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ
2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：１０の混合液による洗浄）すると
選択エッチングされ、ピットとして顕在化する。このピ
ットの直径は１μｍ以下であり、光散乱法で調べること
ができる。また、最近の高感度の光散乱法による検査装
置を用いれば、ＳＣ−１洗浄等の顕在化処理せずに検出
することもできる。
は、点欠陥である空孔が凝集して形成される欠陥（ボイ
ド）であり、ウエーハの酸化膜耐圧を劣化させる原因と
なる。ウエーハをＳＣ−１洗浄（ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ
2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：１０の混合液による洗浄）すると
選択エッチングされ、ピットとして顕在化する。このピ
ットの直径は１μｍ以下であり、光散乱法で調べること
ができる。また、最近の高感度の光散乱法による検査装
置を用いれば、ＳＣ−１洗浄等の顕在化処理せずに検出
することもできる。
【００１８】前述のように、直径３００ｍｍ以上のシリ
コン単結晶の育成では、結晶の冷却速度が遅く、空孔の
凝集が進み、ＣＯＰのサイズが大きくなってアニールに
より消滅し難くなる。従って、直径３００ｍｍ以上のシ
リコンウエーハにおいて、アニール後のウエーハ表面に
ＣＯＰのない無欠陥層の十分な深さを得るためには、
（１） ＣＯＰのサイズを小さくする、（２） 熱処理
温度・時間を高温・長時間化する、の二つの手段が考え
られる。
コン単結晶の育成では、結晶の冷却速度が遅く、空孔の
凝集が進み、ＣＯＰのサイズが大きくなってアニールに
より消滅し難くなる。従って、直径３００ｍｍ以上のシ
リコンウエーハにおいて、アニール後のウエーハ表面に
ＣＯＰのない無欠陥層の十分な深さを得るためには、
（１） ＣＯＰのサイズを小さくする、（２） 熱処理
温度・時間を高温・長時間化する、の二つの手段が考え
られる。
【００１９】そこで、まず直径３００ｍｍ（直径１２イ
ンチ）の結晶について、急冷して空孔の凝集を抑止する
ことによるＣＯＰサイズの縮小の可能性を検討すること
にし、単結晶引上げ機のＨＺ（Ｈｏｔ Ｚｏｎｅ：炉内
構造）を改造して、欠陥凝集温度帯である１１００℃近
辺の急冷を試みた。しかしながら、もともと引上げ機の
熱容量が大きいため、１．５〜１．７℃／ｍｉｎの冷却
速度が限度であり、劇的な急冷（満足なＣＯＰサイズが
得られる急冷）は達成できなかった。
ンチ）の結晶について、急冷して空孔の凝集を抑止する
ことによるＣＯＰサイズの縮小の可能性を検討すること
にし、単結晶引上げ機のＨＺ（Ｈｏｔ Ｚｏｎｅ：炉内
構造）を改造して、欠陥凝集温度帯である１１００℃近
辺の急冷を試みた。しかしながら、もともと引上げ機の
熱容量が大きいため、１．５〜１．７℃／ｍｉｎの冷却
速度が限度であり、劇的な急冷（満足なＣＯＰサイズが
得られる急冷）は達成できなかった。
【００２０】次に引上げ速度Ｖ［ｍｍ／ｍｉｎ］を変化
させたり、引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Ｇ
［Ｋ／ｍｍ］の面内分布を改善することにより、パラメ
ーターとしてＶ／Ｇ［ｍｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ］値をコント
ロールして、点欠陥の導入を制御することにより、ＣＯ
Ｐサイズの縮小を試みた。Ｖ／Ｇの算出は、ＦＥＭＡＧ
を用い、ＨＺを考慮して行うことができる。ここでＦＥ
ＭＡＧは、文献（Ｆ．Ｄｕｐｒｅｔ，Ｐ．Ｎｉｃｏｄｅ
ｍｅ，Ｙ．Ｒｙｃｋｍａｎｓ，Ｐ．Ｗｏｕｔｅｒｓ，ａ
ｎｄ Ｍ．Ｊ．Ｃｒｏｃｈｅｔ，Ｉｎｔ．Ｊ．Ｈｅａｔ
Ｍａｓｓ Ｔｒａｎｓｆｅｒ，３３，１８４９（１９
９０））に開示されている総合伝熱解析ソフトである。
させたり、引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Ｇ
［Ｋ／ｍｍ］の面内分布を改善することにより、パラメ
ーターとしてＶ／Ｇ［ｍｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ］値をコント
ロールして、点欠陥の導入を制御することにより、ＣＯ
Ｐサイズの縮小を試みた。Ｖ／Ｇの算出は、ＦＥＭＡＧ
を用い、ＨＺを考慮して行うことができる。ここでＦＥ
ＭＡＧは、文献（Ｆ．Ｄｕｐｒｅｔ，Ｐ．Ｎｉｃｏｄｅ
ｍｅ，Ｙ．Ｒｙｃｋｍａｎｓ，Ｐ．Ｗｏｕｔｅｒｓ，ａ
ｎｄ Ｍ．Ｊ．Ｃｒｏｃｈｅｔ，Ｉｎｔ．Ｊ．Ｈｅａｔ
Ｍａｓｓ Ｔｒａｎｓｆｅｒ，３３，１８４９（１９
９０））に開示されている総合伝熱解析ソフトである。
【００２１】その結果、Ｖ／Ｇ値が０．１７ｍｍ2 ／Ｋ
・ｍｉｎ以下でようやく満足できるＣＯＰサイズである
平均約８０ｎｍとなり、標準アニール条件（１２００
℃、１時間、アルゴン雰囲気）下でＣＯＰのない無欠陥
層の深さ３μｍを達成することが出来た。このときの窒
素濃度は３×１０13／ｃｍ3 〜１０×１０13／ｃｍ3 で
あった。
・ｍｉｎ以下でようやく満足できるＣＯＰサイズである
平均約８０ｎｍとなり、標準アニール条件（１２００
℃、１時間、アルゴン雰囲気）下でＣＯＰのない無欠陥
層の深さ３μｍを達成することが出来た。このときの窒
素濃度は３×１０13／ｃｍ3 〜１０×１０13／ｃｍ3 で
あった。
【００２２】このようにＶ／Ｇ値を低下させることによ
り、ＣＯＰのサイズも密度も小さくすることができるの
は、次のように考えられる。すなわち、低Ｖ／Ｇ値化に
より、点欠陥である空孔と格子間シリコンの濃度差が減
少する。従って、凝集してボイドを形成するのに寄与す
る空孔量が減少し、凝集温度の低温化が起こる。低温化
により、少ない密度の空孔が凝集しにくくなり、ボイド
のサイズが小さくなる。サイズが小さくなればボイドが
小さ過ぎるものは、検出されないので、欠陥密度も減少
することになる。
り、ＣＯＰのサイズも密度も小さくすることができるの
は、次のように考えられる。すなわち、低Ｖ／Ｇ値化に
より、点欠陥である空孔と格子間シリコンの濃度差が減
少する。従って、凝集してボイドを形成するのに寄与す
る空孔量が減少し、凝集温度の低温化が起こる。低温化
により、少ない密度の空孔が凝集しにくくなり、ボイド
のサイズが小さくなる。サイズが小さくなればボイドが
小さ過ぎるものは、検出されないので、欠陥密度も減少
することになる。
【００２３】尚、ＣＯＰのない無欠陥層の深さの測定
は、作製されたこれらのウエーハを表面から所定の深さ
まで研磨加工した後の表面に熱酸化膜を形成し、それぞ
れの深さにおける熱酸化膜の耐圧特性［ＴＺＤＢ（Time
Zero Dielectric Breakdown）］良品率を測定すること
により行った。ＴＺＤＢ良品率は、ボイド欠陥（ＣＯ
Ｐ）とよい相関があり、ボイド欠陥が多いと良品率が低
下することが判っている。
は、作製されたこれらのウエーハを表面から所定の深さ
まで研磨加工した後の表面に熱酸化膜を形成し、それぞ
れの深さにおける熱酸化膜の耐圧特性［ＴＺＤＢ（Time
Zero Dielectric Breakdown）］良品率を測定すること
により行った。ＴＺＤＢ良品率は、ボイド欠陥（ＣＯ
Ｐ）とよい相関があり、ボイド欠陥が多いと良品率が低
下することが判っている。
【００２４】ＴＺＤＢ良品率の測定にあたっては、ウエ
ーハ表面に２５ｎｍの熱酸化膜を形成し、その上にさら
にリン（Ｐ）ドープポリシリコン電極（電極面積 ８ｍ
ｍ2）を作製し、判定電流値を１ｍＡ／ｃｍ2 として絶
縁破壊電界 ８ＭＶ／ｃｍ以上のものを良品として、ウ
エーハ面内１００点を測定することにより、良品率を算
出し、良品率９５％以上をボイドフリーと判断した。
ーハ表面に２５ｎｍの熱酸化膜を形成し、その上にさら
にリン（Ｐ）ドープポリシリコン電極（電極面積 ８ｍ
ｍ2）を作製し、判定電流値を１ｍＡ／ｃｍ2 として絶
縁破壊電界 ８ＭＶ／ｃｍ以上のものを良品として、ウ
エーハ面内１００点を測定することにより、良品率を算
出し、良品率９５％以上をボイドフリーと判断した。
【００２５】また、結晶の引上げ条件は標準（Ｖ＝１．
１ｍｍ／ｍｉｎ、Ｖ／Ｇ＝０．３７ｍｍ2 ／Ｋ・ｍｉ
ｎ）で、窒素濃度を高濃度化してＣＯＰのサイズを小さ
くすることによって、標準アニール条件によりボイド欠
陥のない無欠陥層の深さを３μｍ以上とするためには、
８×１０14／ｃｍ3 以上の濃度が必要であった。しか
し、偏析係数と窒素の固溶限界の関係から、このような
高濃度では引上げ結晶の単結晶化が困難になり、単結晶
製造の歩留まりが著しく低下してしまった。
１ｍｍ／ｍｉｎ、Ｖ／Ｇ＝０．３７ｍｍ2 ／Ｋ・ｍｉ
ｎ）で、窒素濃度を高濃度化してＣＯＰのサイズを小さ
くすることによって、標準アニール条件によりボイド欠
陥のない無欠陥層の深さを３μｍ以上とするためには、
８×１０14／ｃｍ3 以上の濃度が必要であった。しか
し、偏析係数と窒素の固溶限界の関係から、このような
高濃度では引上げ結晶の単結晶化が困難になり、単結晶
製造の歩留まりが著しく低下してしまった。
【００２６】続いて、結晶の引上げ条件は標準のまま
で、ＣＯＰサイズが平均１３０ｎｍ程度になる窒素濃度
（３×１０13／ｃｍ3 ）において、アニール条件による
ボイド欠陥のない無欠陥層の深さの改良を試みた。その
結果、アニール温度１２００℃では４時間のアニールで
ようやく３μｍの深さとなった。しかし、このような長
時間熱処理する方法では、コスト高になるので、アニー
ル温度の高温化を試みたところ、１２３０℃まで高温化
し、１時間のアニールを施すことによって、３μｍのボ
イド欠陥のない無欠陥層の深さを達成することができ
た。
で、ＣＯＰサイズが平均１３０ｎｍ程度になる窒素濃度
（３×１０13／ｃｍ3 ）において、アニール条件による
ボイド欠陥のない無欠陥層の深さの改良を試みた。その
結果、アニール温度１２００℃では４時間のアニールで
ようやく３μｍの深さとなった。しかし、このような長
時間熱処理する方法では、コスト高になるので、アニー
ル温度の高温化を試みたところ、１２３０℃まで高温化
し、１時間のアニールを施すことによって、３μｍのボ
イド欠陥のない無欠陥層の深さを達成することができ
た。
【００２７】さらに、前記Ｖ／Ｇ値の低下（０．１７ｍ
ｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ以下）によるＣＯＰサイズの縮小化と
熱処理の高温化（１２５０℃、１時間）を組み合わせた
ところ、６μｍ以上のＣＯＰのない無欠陥層の深さを達
成することができた。
ｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ以下）によるＣＯＰサイズの縮小化と
熱処理の高温化（１２５０℃、１時間）を組み合わせた
ところ、６μｍ以上のＣＯＰのない無欠陥層の深さを達
成することができた。
【００２８】尚、熱処理条件として、１２３０℃以上の
温度であれば、より高い温度とした方が表層のＣＯＰを
より短時間で除去することができるが、物理的にシリコ
ンの融点未満とする必要があり、ウエーハの汚染、炉の
耐久性を考えると、１３５０℃以下とするのが好まし
い。熱処理時間も１時間以上とすれば、より無欠陥層を
深くすることができるが、余りに長く熱処理すると無駄
であるので３時間以下とするのが好ましい。
温度であれば、より高い温度とした方が表層のＣＯＰを
より短時間で除去することができるが、物理的にシリコ
ンの融点未満とする必要があり、ウエーハの汚染、炉の
耐久性を考えると、１３５０℃以下とするのが好まし
い。熱処理時間も１時間以上とすれば、より無欠陥層を
深くすることができるが、余りに長く熱処理すると無駄
であるので３時間以下とするのが好ましい。
【００２９】本発明の熱処理は、ウエーハの熱処理に通
常使用されている抵抗加熱式の熱処理炉を使用すればよ
い。この抵抗加熱式の熱処理炉は、複数枚のウエーハを
一度に処理可能な、いわゆるバッチ炉であり、一般的に
は、縦型炉と横型炉とがある。横型のバッチ炉として
は、東京エレクトロン社製のＵＬ−２６０−１０Ｈのよ
うな装置を挙げることができる。
常使用されている抵抗加熱式の熱処理炉を使用すればよ
い。この抵抗加熱式の熱処理炉は、複数枚のウエーハを
一度に処理可能な、いわゆるバッチ炉であり、一般的に
は、縦型炉と横型炉とがある。横型のバッチ炉として
は、東京エレクトロン社製のＵＬ−２６０−１０Ｈのよ
うな装置を挙げることができる。
【００３０】この熱処理炉による熱処理は、窒素をドー
プして育成された単結晶をスライスして得たウエーハに
対して、アルゴン等の不活性ガスまたは水素あるいはこ
れらの混合ガスの雰囲気下、温度１２３０℃以上、1 時
間以上の熱処理を施すものである。この熱処理によりウ
エーハの表面から３μｍ以上の深さにわたって、ＣＯＰ
のない無欠陥層を形成することが出来る。
プして育成された単結晶をスライスして得たウエーハに
対して、アルゴン等の不活性ガスまたは水素あるいはこ
れらの混合ガスの雰囲気下、温度１２３０℃以上、1 時
間以上の熱処理を施すものである。この熱処理によりウ
エーハの表面から３μｍ以上の深さにわたって、ＣＯＰ
のない無欠陥層を形成することが出来る。
【００３１】
【実施例】以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例） ［単結晶の引上げ］原料多結晶中に窒化膜付きウエーハ
を所定量投入し、直径３００ｍｍの単結晶を次の条件で
引上げた。 共通条件：固液界面温度勾配Ｇ：２．９４Ｋ／ｍｍ、 試験１：Ｖ＝１．１ｍｍ／ｍｉｎ、Ｖ／Ｇ＝０．３７ｍ
ｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ、 試験２：Ｖ＝０．７ｍｍ／ｍｉｎ、Ｖ／Ｇ＝０．２４ｍ
ｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ、 試験３：Ｖ＝０．５ｍｍ／ｍｉｎ、Ｖ／Ｇ＝０．１７ｍ
ｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ、 試験４：Ｖ＝０．３８ｍｍ／ｍｉｎ、Ｖ／Ｇ＝０．１３
ｍｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ、 試験５：Ｖ＝０．８ｍｍ／ｍｉｎ、Ｖ／Ｇ＝０．２７ｍ
ｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ、
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例） ［単結晶の引上げ］原料多結晶中に窒化膜付きウエーハ
を所定量投入し、直径３００ｍｍの単結晶を次の条件で
引上げた。 共通条件：固液界面温度勾配Ｇ：２．９４Ｋ／ｍｍ、 試験１：Ｖ＝１．１ｍｍ／ｍｉｎ、Ｖ／Ｇ＝０．３７ｍ
ｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ、 試験２：Ｖ＝０．７ｍｍ／ｍｉｎ、Ｖ／Ｇ＝０．２４ｍ
ｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ、 試験３：Ｖ＝０．５ｍｍ／ｍｉｎ、Ｖ／Ｇ＝０．１７ｍ
ｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ、 試験４：Ｖ＝０．３８ｍｍ／ｍｉｎ、Ｖ／Ｇ＝０．１３
ｍｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ、 試験５：Ｖ＝０．８ｍｍ／ｍｉｎ、Ｖ／Ｇ＝０．２７ｍ
ｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ、
【００３２】投入した窒化膜付きウエーハの窒化膜の量
と原料多結晶の量、および窒素偏析係数を考慮した計算
により、試験１〜４は、窒素濃度が３×１０13となる結
晶の位置からウエーハを切り出し、試験５は、１×１０
15となる位置からウエーハを切り出した。そして、これ
らのウエーハに対して次の熱処理条件を組合わせて熱処
理を施した。次いで、ウエーハ表面の無欠陥層の深さ
（ＣＯＰフリー深さ）を前記ＴＺＤＢ良品率から求め
た。 熱処理条件（温度／時間）：１２００℃／１Ｈｒ、１２
００℃／４Ｈｒ、１２３０℃／１Ｈｒ、１２５０℃／１
Ｈｒ、の４水準（いずれもアルゴンガス１００％雰囲
気）。 以上の単結晶引上げ条件、熱処理条件およびウエーハ表
面の無欠陥層の深さの関係を表１にまとめて示した。
と原料多結晶の量、および窒素偏析係数を考慮した計算
により、試験１〜４は、窒素濃度が３×１０13となる結
晶の位置からウエーハを切り出し、試験５は、１×１０
15となる位置からウエーハを切り出した。そして、これ
らのウエーハに対して次の熱処理条件を組合わせて熱処
理を施した。次いで、ウエーハ表面の無欠陥層の深さ
（ＣＯＰフリー深さ）を前記ＴＺＤＢ良品率から求め
た。 熱処理条件（温度／時間）：１２００℃／１Ｈｒ、１２
００℃／４Ｈｒ、１２３０℃／１Ｈｒ、１２５０℃／１
Ｈｒ、の４水準（いずれもアルゴンガス１００％雰囲
気）。 以上の単結晶引上げ条件、熱処理条件およびウエーハ表
面の無欠陥層の深さの関係を表１にまとめて示した。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１から、窒素濃度が３×１０13程度の比
較的低濃度の直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエ
ーハに、１２００℃、１時間の熱処理を行い、表層に十
分な深さ（少なくとも３μｍ）のあるＣＯＰのない無欠
陥層を有するシリコン単結晶ウエーハを製造するには、
先ず、シリコン単結晶の引上げにおいて、Ｖ／Ｇ値を
０．１７ｍｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ以下になるように引上げ速
度Ｖと固液界面温度勾配Ｇを制御して単結晶を育成し、
ＣＯＰサイズを縮小させるのがよいことが判る。また、
熱処理温度としては、１２５０℃以上とすれば、Ｖ／Ｇ
が０．１７より大きく、窒素が比較的低濃度（３×１０
13）でも、１時間で無欠陥層の深さを３μｍを超える深
さとすることができ、１２３０℃で熱処理すれば、１時
間で無欠陥層の深さを約３μｍにすることができること
が判った。そしてこのＶ／Ｇ値を０．１７ｍｍ2 ／Ｋ・
ｍｉｎ以下として育成した単結晶から切り出したウエー
ハに１２３０℃以上、１時間以上、不活性ガス雰囲気下
の熱処理を施せば、ウエーハ表面から６ミクロン以上に
わたってＣＯＰのない無欠陥層が存在する高品質、高機
能を有する熱処理ウエーハをも製造することができるこ
とがわかる。さらに、熱処理雰囲気を水素ガス１００
％、あるいは水素とアルゴンの混合ガス雰囲気として熱
処理しても表１と同様の結果が得られることを確認し
た。
較的低濃度の直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエ
ーハに、１２００℃、１時間の熱処理を行い、表層に十
分な深さ（少なくとも３μｍ）のあるＣＯＰのない無欠
陥層を有するシリコン単結晶ウエーハを製造するには、
先ず、シリコン単結晶の引上げにおいて、Ｖ／Ｇ値を
０．１７ｍｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ以下になるように引上げ速
度Ｖと固液界面温度勾配Ｇを制御して単結晶を育成し、
ＣＯＰサイズを縮小させるのがよいことが判る。また、
熱処理温度としては、１２５０℃以上とすれば、Ｖ／Ｇ
が０．１７より大きく、窒素が比較的低濃度（３×１０
13）でも、１時間で無欠陥層の深さを３μｍを超える深
さとすることができ、１２３０℃で熱処理すれば、１時
間で無欠陥層の深さを約３μｍにすることができること
が判った。そしてこのＶ／Ｇ値を０．１７ｍｍ2 ／Ｋ・
ｍｉｎ以下として育成した単結晶から切り出したウエー
ハに１２３０℃以上、１時間以上、不活性ガス雰囲気下
の熱処理を施せば、ウエーハ表面から６ミクロン以上に
わたってＣＯＰのない無欠陥層が存在する高品質、高機
能を有する熱処理ウエーハをも製造することができるこ
とがわかる。さらに、熱処理雰囲気を水素ガス１００
％、あるいは水素とアルゴンの混合ガス雰囲気として熱
処理しても表１と同様の結果が得られることを確認し
た。
【００３５】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００３６】例えば、本発明方法が適用できるシリコン
ウエーハの直径は、３００ｍｍに限られるものではな
い。なぜならば、本発明方法により、Ｖ／Ｇ値を０．１
７以下とし、ＣＯＰサイズを小さくすることによって、
その後の熱処理で無欠陥層の深さを深くできるのは、ウ
エーハ直径にかかわらず適用できるからである。すなわ
ち、Ｖ／Ｇ値は、シリコン単結晶の直径にかかわらず、
適用できるパラメータであり、本発明方法は今後の更な
る大直径化、例えば４００ｍｍ、５００ｍｍ、あるいは
それ以上についても適用可能であるという利点がある。
ウエーハの直径は、３００ｍｍに限られるものではな
い。なぜならば、本発明方法により、Ｖ／Ｇ値を０．１
７以下とし、ＣＯＰサイズを小さくすることによって、
その後の熱処理で無欠陥層の深さを深くできるのは、ウ
エーハ直径にかかわらず適用できるからである。すなわ
ち、Ｖ／Ｇ値は、シリコン単結晶の直径にかかわらず、
適用できるパラメータであり、本発明方法は今後の更な
る大直径化、例えば４００ｍｍ、５００ｍｍ、あるいは
それ以上についても適用可能であるという利点がある。
【００３７】
【発明の効果】直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウ
エーハを熱処理して表層にＣＯＰのない無欠陥層を有す
るシリコン単結晶ウエーハを得るためのシリコン単結晶
引上げ条件として低Ｖ／Ｇおよびウエーハの熱処理条件
として高温アニールを採用したことにより、低コスト
で、ＣＯＰのない無欠陥層の深さが３μｍ以上である高
機能、高品質熱処理ウエーハを得ることができる。
エーハを熱処理して表層にＣＯＰのない無欠陥層を有す
るシリコン単結晶ウエーハを得るためのシリコン単結晶
引上げ条件として低Ｖ／Ｇおよびウエーハの熱処理条件
として高温アニールを採用したことにより、低コスト
で、ＣＯＰのない無欠陥層の深さが３μｍ以上である高
機能、高品質熱処理ウエーハを得ることができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウ
エーハであって、表面から３ミクロン以上にわたってＣ
ＯＰのない無欠陥層が存在することを特徴とするシリコ
ン単結晶ウエーハ。 - 【請求項２】 チョクラルスキー法により窒素をドープ
して直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶を引上げる際
に、引上げ速度をＶ［ｍｍ／ｍｉｎ］とし、シリコンの
融点から１４００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾
配の平均値をＧ［Ｋ／ｍｍ］で表した時、Ｖ／Ｇ［ｍｍ
2 ／Ｋ・ｍｉｎ］の値を０．１７以下として結晶を育成
することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項３】 前記窒素をドープする際の窒素濃度を１
×１０13／ｃｍ3 以上として結晶を育成することを特徴
とする請求項２に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項４】 直径３００ｍｍ以上の窒素がドープされ
たシリコン単結晶ウエーハに熱処理を施すシリコン単結
晶ウエーハの製造方法において、不活性ガスまたは水素
あるいはこれらの混合ガスの雰囲気下、１２３０℃以
上、1 時間以上の熱処理を施すことを特徴とするシリコ
ン単結晶ウエーハの製造方法。 - 【請求項５】 請求項２または請求項３で製造されたシ
リコン単結晶をスライスして得られるシリコン単結晶ウ
エーハに、請求項４で規定する熱処理を施すことを特徴
とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001181587A JP2003002785A (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 表層部にボイド無欠陥層を有する直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 |
| EP02736029A EP1308544A4 (en) | 2001-06-15 | 2002-06-07 | SILICON MONOCRYSTAL PLATE HAVING AN EMPTY DENUDED AREA ON THE SURFACE AND A DIAMETER OF MORE THAN 300 MM AND METHOD OF PRODUCING THE SAME |
| KR10-2003-7002090A KR20030036694A (ko) | 2001-06-15 | 2002-06-07 | 표층부에 보이드 무결함층을 갖는 직경 300㎜이상의실리콘단결정 웨이퍼 및 그 제조방법 |
| PCT/JP2002/005692 WO2002103091A1 (fr) | 2001-06-15 | 2002-06-07 | Plaquette de monocristal de silicium presentant une zone denudee vide sur la surface et un diametre superieur a 300 mm et son procede de production |
| US10/344,423 US6902618B2 (en) | 2001-06-15 | 2002-06-07 | Silicon single crystal wafer having void denuded zone on the surface and diameter of above 300 mm and its production method |
| CN02802101A CN1463305A (zh) | 2001-06-15 | 2002-06-07 | 直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法 |
| TW091112809A TWI265218B (en) | 2001-06-15 | 2002-06-12 | Silicon single crystal wafer having void denuded zone on the surface and diameter of 300 mm or more and its production method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001181587A JP2003002785A (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 表層部にボイド無欠陥層を有する直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003002785A true JP2003002785A (ja) | 2003-01-08 |
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ID=19021829
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001181587A Pending JP2003002785A (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 表層部にボイド無欠陥層を有する直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6902618B2 (ja) |
| EP (1) | EP1308544A4 (ja) |
| JP (1) | JP2003002785A (ja) |
| KR (1) | KR20030036694A (ja) |
| CN (1) | CN1463305A (ja) |
| TW (1) | TWI265218B (ja) |
| WO (1) | WO2002103091A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100850333B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2008-08-04 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 아닐 웨이퍼의 제조방법 및 아닐 웨이퍼 |
| JP2003059932A (ja) | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶ウエハの製造方法およびシリコン単結晶ウエハ |
| KR100588425B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2006-06-12 | 실트로닉 아게 | 실리콘 단결정, 결정된 결함분포를 가진 실리콘 단결정 및 실리콘 반도체 웨이퍼의 제조방법 |
| JP4151474B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2008-09-17 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法及び単結晶 |
| KR100573473B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-04-24 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
| US20060009011A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Gary Barrett | Method for recycling/reclaiming a monitor wafer |
| JP4710429B2 (ja) * | 2005-06-20 | 2011-06-29 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 半導体単結晶製造装置 |
| JP4806975B2 (ja) * | 2005-06-20 | 2011-11-02 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコン単結晶の育成方法 |
| JP4821179B2 (ja) * | 2005-06-20 | 2011-11-24 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコン単結晶の育成方法 |
| DE102007005346B4 (de) | 2007-02-02 | 2015-09-17 | Siltronic Ag | Halbleiterscheiben aus Silicium und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP4516096B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2010-08-04 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
| JP4359320B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2009-11-04 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | ドーピング装置、及びシリコン単結晶の製造方法 |
| EP2309038B1 (en) * | 2009-10-08 | 2013-01-02 | Siltronic AG | production method of an epitaxial wafer |
| DE102010007460B4 (de) * | 2010-02-10 | 2013-11-28 | Siltronic Ag | Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Silicium aus einer in einem Tiegel enthaltenen Schmelze und dadurch hergestellter Einkristall |
| CN101942701A (zh) * | 2010-09-03 | 2011-01-12 | 浙江碧晶科技有限公司 | 一种太阳能级硅晶体的热处理方法 |
| CN103911654B (zh) * | 2014-04-15 | 2016-08-17 | 宁夏大学 | 制备直径为400mm以上的单晶硅的方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3085146B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2000-09-04 | 住友金属工業株式会社 | シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法 |
| DE19637182A1 (de) * | 1996-09-12 | 1998-03-19 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte |
| US6548886B1 (en) * | 1998-05-01 | 2003-04-15 | Wacker Nsce Corporation | Silicon semiconductor wafer and method for producing the same |
| DE19823962A1 (de) * | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls |
| US6077343A (en) * | 1998-06-04 | 2000-06-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon single crystal wafer having few defects wherein nitrogen is doped and a method for producing it |
| JP3943717B2 (ja) * | 1998-06-11 | 2007-07-11 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 |
| JP4233651B2 (ja) * | 1998-10-29 | 2009-03-04 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウエーハ |
| JP4038910B2 (ja) * | 1999-01-08 | 2008-01-30 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 半導体シリコンウェーハの製造方法 |
| JP3734979B2 (ja) * | 1999-03-23 | 2006-01-11 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコン半導体基板及びその製造方法 |
| JP3870293B2 (ja) | 1999-03-26 | 2007-01-17 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコン半導体基板及びその製造方法 |
| JP3479001B2 (ja) * | 1999-08-27 | 2003-12-15 | コマツ電子金属株式会社 | シリコンウエハの製造方法 |
| JP3565205B2 (ja) | 2000-01-25 | 2004-09-15 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハおよびシリコン単結晶の製造条件を決定する方法ならびにシリコンウエーハの製造方法 |
-
2001
- 2001-06-15 JP JP2001181587A patent/JP2003002785A/ja active Pending
-
2002
- 2002-06-07 KR KR10-2003-7002090A patent/KR20030036694A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-06-07 US US10/344,423 patent/US6902618B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-07 WO PCT/JP2002/005692 patent/WO2002103091A1/ja active Application Filing
- 2002-06-07 EP EP02736029A patent/EP1308544A4/en not_active Withdrawn
- 2002-06-07 CN CN02802101A patent/CN1463305A/zh active Pending
- 2002-06-12 TW TW091112809A patent/TWI265218B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2002103091A1 (fr) | 2002-12-27 |
| CN1463305A (zh) | 2003-12-24 |
| US20030172865A1 (en) | 2003-09-18 |
| EP1308544A4 (en) | 2009-02-11 |
| US6902618B2 (en) | 2005-06-07 |
| EP1308544A1 (en) | 2003-05-07 |
| KR20030036694A (ko) | 2003-05-09 |
| TWI265218B (en) | 2006-11-01 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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