JP2002544477A - ライン光スポットで二次元イメージングを行う検査システム - Google Patents
ライン光スポットで二次元イメージングを行う検査システムInfo
- Publication number
- JP2002544477A JP2002544477A JP2000616407A JP2000616407A JP2002544477A JP 2002544477 A JP2002544477 A JP 2002544477A JP 2000616407 A JP2000616407 A JP 2000616407A JP 2000616407 A JP2000616407 A JP 2000616407A JP 2002544477 A JP2002544477 A JP 2002544477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- substrate
- spot
- light
- sensor array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
るものである。更に詳しくは、本発明は、基板上の画素のライン及びこのライン
から反射及び/又は散乱された画像を照射する新規なシステムに関するものであ
る。
ている。このようなシステムの2つの例は、図1及び2に表されている。図1に
例示するシステムにおいて、ウェーハ100は、光源から発出し90゜の角度で
ウェーハに到達する光ビームに照射される(一般に通常照射と呼ばれる)。好適
には、光源100はコヒーレント光を提供する、すなわち、光源100はレーザ
光源であってもよい。光ビームは、スキャナ120代表的には音響光学スキャナ
(AOD)又は回転ミラーによって、双頭矢印で示す方向に走査される。ウェー
ハ100は、ウェーハが載置されているステージを動かすことによって、垂直方
向に移動される。従って、ウェーハの二次元領域は、光ビームによって走査する
ことができる。
より180゜鏡面反射する。この鏡面反射された光は、光センサー140によっ
て集光され、その信号は「明視野」画像、すなわち鏡面反射光から生成される画
像を得るために使用される。しかしながら、光ビームがウェーハ上の凹凸部、例
えば粒子又はエッチングされたパターンを照射するときには、光は種々の方向に
散乱する。次いで、回折/散乱された光の一部は、光センサー130によって集
光され、その信号は「暗視野」画像、すなわち回折/散乱された光から生成され
る画像を得るために使用される。このように、ウェーハ上にパターンがない場合
(例えばブランクウェーハ)、凹凸部は暗視野画像に暗い空の星のように現れる
。ウェーハ上にパターンを有する場合、凹凸部は、パターンに起因する通常の回
折から逸脱した散乱光を生ずる。
れる光ビームに照射されるが、一般に斜入射照射と呼ばれる浅い角度で光ビーム
はウェーハに到達する。光ビームは、スキャナ220、代表的には音響光学スキ
ャナ又は回転鏡によってウェーハ上を双頭矢印で示す方向に走査する。ウェーハ
200は、ウェーハが載置されるステージを動かすことによって垂直方向に移動
される。このように、ウェーハの二次元領域は、光ビームによって走査すること
ができる。
により対応する角度θ’である。この光はセンサ240によって集光することが
でき、その信号は明視野画像を生成するために使用される。どのように回析され
/散乱された光でも、センサ230によって集光され、その信号は暗視野画像を
生成するために使用される。
られると認識すべきである。すなわち、明視野又は暗視野の各二次元画像は、走
査した光ビーム毎に次々に得られる画素信号を得ることによって構成される。こ
れは時間を消費する逐次操作であり、このようなシステムのスループットに直接
影響を及ぼす。更に、このようなシステムの走査速度は、スキャナの速度すなわ
ち音響光学スキャナのバンド幅、及び検出器例えばPMT(光電子増倍管)に対
応する電子機器によって制限される。このように、走査光ビームを利用しないシ
ステムを開発する必要性が存在する。
する重要性は最優先になる。0.18及び0.15μmのような設計基準では、
非常に小さい凹凸部例えばサブミクロンサイズの粒子が著しい欠陥になる場合が
あり、デバイスに故障を引き起こすことがある。しかしながら、このような小さ
い凹凸部を検出するために、非常に小さい波長の光源、例えば紫外線(UV)又
は深紫外線(DUV)光源を使用する必要がある。これは少なくとも2つの重大
な問題が提示される:最初に、DUV装置において動作する光学素子は高価であ
り、第2に、小さい短波は光ビームの少ないスポットサイズを意味する。従って
、走査速度及びデータ収集速度は増大される必要がある。
限された性能を有する。更に、たとえこのようなAODが開発できても、DUV
光ビームを使用している高解像度画像を得るのに必要なエネルギーレベルに耐え
得るかは現在不明である。このように、パワーレベルの減少もまた、低速走査A
ODの使用を決定づけるかもしれない。従って、将来のシステムもまた、ビーム
走査に依存しない装置を必要とするであろう。
よって照らされる。「ラインスポット」は、本質的にはウェーハ表面上の細長い
照明であり、ラインを形成するように整列したピクセルをカバーするようになっ
ている。好適な実施例で、リニアスポットのピクセルの数は、何千のオーダーで
ある。リニアスポットは、1つの方向に関して静止した状態に保たれるが、ウェ
ーハはその下で他の方向に走査される。このように、二次元の領域がカバーされ
てイメージングされることができる。イメージングは、センサアレイ(例えばラ
インCCD)を使用して、好ましくは実行される。好適な実施例で、2つのリニ
アスポットが、2つのラインCCDのものと連動して使われる。検出される横方
向のピクセルサイズ(ラインの狭い寸法に沿った)は、照明ライン幅によって決
定される。長手方向に沿った検出ピクセルサイズは、コレクションオプティクス
の解像度およびラインCCDカメラピクセルサイズによって決定される。パター
ニングしたウェーハを調べるとき、リニアスポットは、ウェーハの「縦横(スト
リート及びアベニュー)」軸に45度の角度を補償するように投影されている。
、短波長(例えばUVまたは深い(deep)UV照明)によって操作可能であ
る。特に、発明のシステムは、走査式メカニズムを必要としない。本発明の他の
効果は説明が進むことにより明らかになる。
ないウェーハの検査に適している点に留意する必要があろう。しかしながら、本
発明の顕著ないくつかの利点は、パターニングされたウェーハ検査のより複雑な
作業に特に役立つ。従って、本願明細書において示される解説の多くは、パター
ニングされたウェーハに関する。
よび適切な光学部品320によってつくりだされ、ウェーハに対して垂直方向に
当たっているリニアスポット305によって照らされる。好適な実施例において
、リニアスポットは静止した状態で保持され、一方、ウェーハはステージを移動
することによって、y方向で走査される。従って、二次元のストリップは、x方
向でスポットを走査する必要なしにウェーハを通して走査される。走査されるス
トリップのディメンションは、リニアスポットの有効径によって画成される。
れ、回析された光はセンサアレイ330にイメージングされる。イメージは、一
度に1つの画素ではなく一度に1つの線でサンプリングされるので、明視野像お
よび暗視野像を速いレートで得ることが可能である。すなわち、センサアレイの
各々のサンプリングは、画素データを全ての線、走査されたストリップの幅、に
提供する。1024、2048及び4096画素のセンサアレイは広く入手可能
なので、本発明を用いることで、イメージ収集のスピードを劇的に増加できる。
例えば、16チャネルを伴い2048画素を有するセンサアレイを使用した場合
、400Mb/sの収集スピードを達成することができる。
されたウェーハを調べる際の1つの難点は、金属配線といったウェーハ上に構築
される特徴部もまた光を回析するということである。これによって、少なくとも
2つの問題が生じる。明視野像に関する限り、金属線からの強い反射は光センサ
を飽和させ、その結果、線の近くに横たわる非正則性が検知されなくなるかもし
れない。暗視野像に関する限り、金属配線からの回折は非正則性用のシステムに
よって間違われる可能性がある。従って、これらの問題を避けるために、図3に
おいて表される好適な実施例において、リニアスポットは、パターニングされた
ウェーハの縦と横の線(破線で示す)に対して45度で投射される。結果的に、
明視野像に関して、金属配線からの瞬間的な反射が最小化され、暗視野像に関し
て、金属配線からの回折がセンサの方向に避けられる。
る。具体的には、x−y軸(すなわちウェーハの縦および横方向)に対して45
度角になるように、リニアスポット305は表される。リニアスポットの両側で
、対物レンズ315はラインセンサー330上へスポットをイメージングするの
に用いられる。もちろん、正則性がない限り、即ち光が回析しない限り、対物レ
ンズ315によって投射されたイメージは大部分が暗いであろう。しかしながら
、非正則性がある場合には、それに当たる光は散乱して、センサアレイ330上
へイメージングされる。非正則性の大きさに従い、明るいイメージが、センサア
レイの単一またはいくつかのエレメント上に現れることは可能である。検出画素
サイズは、2つの主な因子、照明線幅および集合オプティック解像度、によって
決定される。照明線幅は、円柱レンズの開口数によって決定される。しかしなが
ら、長手方向の検出画素サイズは、集合オプティックの開口数およびラインCC
Dカメラの画素サイズによって決定される。
ように、暗視野結像に関するエレメントを省略している。具体的には、照明光は
、ビームスプリッタ565および対物レンズ545を通過する。反射された際に
、光は再び対物レンズ545を通過するが、今度は、ミラー565によってレン
ズ575上へ反射される。レンズ575は、センサアレイ540上へリニアスポ
ットをイメージングする。
、その好適な実施例において、4つの暗視野センサアレイ上へイメージングされ
る2つのリニアスポットを含む。これは図6において例証されており、本発明の
装置が含まれるように、図2の従来技術装置をどのように修正することができる
かを表す。しかしながら、本願明細書に記載されている全ての実施例が、図1お
よび2において示されているものを含む、いかなる従来技術装置にも等しく適用
可能であることは理解されるはずである。
によって分けられる。光の一部は第1のリニアスポットを続けて照らすことがで
き、一方、残りの光はミラー625によって反射されて第2のリニアスポットを
照らす。リニアスポットは、ウェーハのx−y軸に対しては45度で、互いには
90度で向けられる。ニ対のセンサアレイは1つのリニアアレイをイメージング
し、一方、他の一対はその他をイメージングする。この構成は、4つの異なる暗
視野観点から各々の画素の結像を提供する。
ージング位置について説明する必要がある。すなわち、検査システムにおいて、
欠陥を検出するためには、各々の画素についてダイからダイ又はセルからセルの
比較を実行することが公知になっている。このように、ウェーハ上に画定された
各々の特定の画素位置で、種々の観点イメージは、先行の又は続行の隣接するダ
イ又はセルに相当する位置についての類似するイメージと比較される。従って、
各々の比較操作について、特定された画素位置のイメージは相関している必要が
ある。この操作については、遅延ライン635に接続された各々のセンサ630
を示すことによって、図6において概略的に例示されている。もちろん、実際の
電気遅延ではなく、その代わりとしてアルゴリズムを使って遅延を実行すること
ができる。すなわち、集合されたデータがメモリ内に格納されるので、アルゴリ
ズムは、各々の画素位置に対しメモリ内の適切な位置から適切なデータをフェッ
チすることができる。
ていてもよいことは認識されなければならない。しかし、このような取り合わせ
はあまり望ましくない。何故なら、それが迷光によって生じる大きなノイズを持
つからである。すなわち、1つのラインスポットがセンサアレイ上に適切にイメ
ージングされる一方、他のラインスポットからの追加の若干の光もまたイメージ
ングシステムに入ってしまい、SN(signal to noise)比を減らしてしまう。従
って、ここに示されたままの構成が好ましい。更に、明瞭さのために図6からは
省略されているものの、明視野センサアレイが加えられてもよい。もちろん、本
発明のシステムは、走査能力及び速度に制限されないので、UV又はDUV干渉
光を使う検査システムに容易に適応可能である。
のようなCCDは、現在、16の並列チャネルが備わったものでは400Mb/
sec(すなわち、25Mb/sec/チャネル)の収集速度になる。このよう
なデータ速度は、現在のデータ収集速度の数倍であるが、ラインCCDは注文設
計が可能であり、1Gb/secオーダーのデータ速度を達成でき、更に収集速
度を上げることができる。更に、ラインCCDからのデータは16の並列チャネ
ルに供給されるので、集合エレクトロニクス上のロードが減る。何故なら、各々
のラインが、それ自身のエレクトロニクスによって供給されるからである。従っ
て、各々のエレクトロニクスパッケージは、全体的データ速度の16分の1だけ
を行使すれば足りる。もちろん、注文設計のCCDは、設計された特定のシステ
ムに適している、かなりの数のチャネルと共に設計され得る。
発明の特徴を含むために図1のシステムを変更した態様を表す。図7のシステム
は、光源710からの垂直照明を含んでいる。光源710からの光は、オプティ
クス720によってリニアビームになる。オプティクス720は、一般に、ビー
ムエキスパンダ等の素子、円柱レンズ及びスリット開口と組合わさった円柱レン
ズを備えている。例示的なオプティクス720が、図8に表されている。具体的
には、コヒーレントな照明ソースからの光は、ビームエキスパンダ815によっ
て拡大されたビーム800になる。拡大されたビーム800は、スリット開口8
10を通ってから円柱レンズ820を通る。従って、空間的にリニアなビームが
得られる。その後、このビームは、2つのビームに分かれ、各々のビームが1つ
のリニアスポットを照射する。もちろん、ビームは最初に分けられてから2つの
オプティクスシステムを通って、各々のビームがリニアビームになってもよい。
得るために利用される。図6と同様に、センサアレイは遅延ライン735に接続
されており、ソフトウエア、ハードウエア又はこれらの組合せにおいて実装され
ている。更に、図7では、2つの明視野イメージを得るために2つの明視野セン
サアレイが表されている。しかし、単一の明視野センサアレイで充分であること
は想像される。
得される。具体的には、ダイからダイの方法を使ってパターン化されたウェーハ
を検査するときには、二次元の「ストリップ」イメージを得ることが好ましい。
これについては、図9において例示されている。パターン化されたウェーハ90
0は、複数のダイ910を含んでいる。二次元のストリップ920をイメージン
グすることによって、各々のダイがイメージングされる。ストリップは、2つの
ラインスポット照明によってイメージングされ、ウェーハの動きは一次元である
。従って、ストリップの幅はセンサアレイのサイズに相当する。つまり、イメー
ジングされた素子の数は、幅に関して、センサアレイのセンサの数に相当する。
ストリップの長さは、アプリケーションに従って設定することができる。ダイか
らダイの比較では、ストリップの長さを、例えば、3つのダイをおおうように設
定することができる。
られる他の構成は、図10及び11において図式的に表されている。この構成に
おいて、照明ライン10は、ダイ側の1つと平行した向きになっている。散乱光
は、ダイの縦横に対して45の角度において収集される。これは、先に議論され
たようにSN問題のためである。これは、シャインフラグ(Scheimpflug)イメー
ジング構成を使うことによって達成できる(参考文献:Rudolf Kingslake、「Opti
cal System Design」、58ページ、270)。すなわち、所望の方向(45度)
に散乱された光に対してメディアン面12が垂直になるように、収集イメージン
グレンズ11を空間の位置に置かれなければならない。ラインCCD13は、ラ
インCCDの継続及び照明ラインがメディアン面上で互いに交差するような向き
になっている。このような構成においては、4つのラインCCDが同時に散乱光
を収集することができ、2つの照明ラインの必要性がない。
離れることなく、数々の改良、変形及び適合と共に本発明が実行に移され得るこ
とは明らかであり、本発明は、添付の請求項によって定義されるものである。
ある。
概略図である。
。
。
る。
Claims (22)
- 【請求項1】 上に形成される、垂直方向を有する基板上の二次元領域の照
明のための方法であって、 基板上のラインスポットを照らすステップと、 単一の方向に基板を走査するステップと、 前記垂直方向に所定の角度で散乱する光を集めるステップと、 を含む方法。 - 【請求項2】 前記走査ステップが、照らされるに従って、垂直方向に基板
を移動することを含む請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 前記走査ステップが、ラインスポットを、基板を垂直方向に
横切らせるように移動させることを含む請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 前記ラインスポットが、垂直方向に対して45度に向けられ
ている請求項1記載の方法。 - 【請求項5】 少なくとも1つのセンサアレイ上にラインスポットから反射
した光をイメージングすることを更に含む請求項1記載の方法。 - 【請求項6】 少なくとも1つのセンサアレイ上に、ラインスポットから散
乱した光をイメージングすることを更に含む請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 ラインスポットに対して90度に向けて、第2のラインスポ
ットで基板を照らすことを更に含む請求項1記載の方法。 - 【請求項8】 ラインスポットのうちの少なくとも1つ及び第2のラインス
ポットから、少なくとも1つのセンサアレイに反射された光をイメージングする
ことを更に含む請求項7記載の方法。 - 【請求項9】 ラインスポットから少なくとも1つのセンサアレイの上に反
射された光をイメージングすることと、 少なくとも1つの他のセンサアレイの上の第2のラインスポットから回折され
た光をイメージングすることを更に含む請求項7記載の方法。 - 【請求項10】 基板の二次元のイメージングのシステムであって、前記基
板は上に形成された長軸を有し、 光線を出力する光源と、 光線をライン光線に変え、ライン光線を基板に投影し、ラインスポットで基板
を照らす光学的システムと、 ライン光線と基板と間の相対的な移動を提供する走査システムと、 長軸に所定角度で散乱した光を受信するための少なくとも1つのセンサアレイ
と、を含むシステム。 - 【請求項11】 前記光学的システムは、円筒レンズを含む請求項10記載
のシステム。 - 【請求項12】 前記光学的システムは、スリットアパーチャを含む請求項
10記載のシステム。 - 【請求項13】 前記センサアレイが、基板から反射される光を集めるため
に配置されている請求項10記載のシステム。 - 【請求項14】 前記センサアレイが、基板から回析した光を集めるために
配置されている請求項10のシステム。 - 【請求項15】 前記走査システムは前記基板を支持するx−yステージを
含む請求項10記載のシステム。 - 【請求項16】 基板の二次元走査システムであって、 ビームを出力する光源と、 ビームをメインラインビームに変える変換システムと、 メインラインビームを第1および第2のラインビームに分けるビームスプリッ
タと、 第1のラインスポットで基板を照らすように基板上へ第1のラインビームを投
影する第1の光学的システムと、 第2のラインスポットで基板を照らすように基板上へ第2のラインビームを投
影する第2の光学的システムと、 第1および第2のラインビームと基板と間の相対的な移動を提供する走査シス
テムと、 第1のラインスポットと関連する第1のセンサアレイ及び第2のラインスポッ
トと関連する第2のセンサアレイを含むシステム。 - 【請求項17】 前記変換システムは、円筒レンズを含む請求項16記載の
システム。 - 【請求項18】 前記変換システムは、スリットの入った開口を含む請求項
16記載のシステム。 - 【請求項19】 前記第2のラインスポットは、第1のラインスポットに対
して90度を向いている請求項16記載のシステム。 - 【請求項20】 前記第1および第2のセンサアレイがラインCCDのもの
を含む請求項16記載のシステム。 - 【請求項21】 上に形成される2本の垂直な軸を有する基板の二次元の走
査システムであって、 光線を出力している光源と、 光線をラインビームに変え、軸に45度で配置されるラインスポットで基板を
照らすために基板上へラインビームを投影する光学的システムと、 ラインビームと基板と間の相対的な移動を提供する走査システムと、 少なくとも1つのセンサアレイと、 を含むシステム。 - 【請求項22】 上に形成される2本の垂直な軸を有する基板の2つの次元
のイメージングのシステムであって、 光線を出力している光源と、 光線をメインラインビームに変えている変換システムと、 メインラインビームを第1および第2のラインビームに分けているビームスプ
リッタと、 軸に45度に置かれた第1のラインスポットで基板を照らすために基板上へ第 1のラインビームを投影する第1の光学的システムと、 第1のラインスポットに90度に置かれた第2のラインスポットで基板を照ら
すために基板上へ第2のラインビームを投影している第2の光学的システムと、 第1および第2のラインビームと基板と間の相対的な移動を提供する走査シス
テムと、 第1のラインスポットと関連した第1のセンサアレイ及び第2のラインスポッ
トと関連した第2のセンサアレイと、 を含むシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/309,358 US6587193B1 (en) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | Inspection systems performing two-dimensional imaging with line light spot |
US09/309,358 | 1999-05-11 | ||
PCT/US2000/013042 WO2000068673A1 (en) | 1999-05-11 | 2000-05-11 | Inspection systems performing two-dimensional imaging with line light spot |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002544477A true JP2002544477A (ja) | 2002-12-24 |
JP5197899B2 JP5197899B2 (ja) | 2013-05-15 |
Family
ID=23197893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000616407A Expired - Lifetime JP5197899B2 (ja) | 1999-05-11 | 2000-05-11 | ライン光スポットで二次元イメージングを行う検査システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6587193B1 (ja) |
EP (1) | EP1177428B1 (ja) |
JP (1) | JP5197899B2 (ja) |
KR (1) | KR100898963B1 (ja) |
DE (1) | DE60018916T2 (ja) |
WO (1) | WO2000068673A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007263569A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Toppan Printing Co Ltd | 周期構造欠陥測定装置 |
JP2008191066A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Topcon Corp | 表面検査方法および表面検査装置 |
JP2008203280A (ja) * | 2001-09-21 | 2008-09-04 | Olympus Corp | 欠陥検査装置 |
JP2015075339A (ja) * | 2013-10-06 | 2015-04-20 | 株式会社山梨技術工房 | 平板基板の表面状態検査方法及びそれを用いた平板基板の表面状態検査装置 |
JP2016133393A (ja) * | 2015-01-19 | 2016-07-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 欠陥検査装置 |
JP2017062252A (ja) * | 2011-07-12 | 2017-03-30 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ウェハ検査システム |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6774991B1 (en) * | 1999-05-27 | 2004-08-10 | Inspex Incorporated | Method and apparatus for inspecting a patterned semiconductor wafer |
US6369888B1 (en) * | 1999-11-17 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for article inspection including speckle reduction |
DE10019486A1 (de) * | 2000-04-19 | 2001-10-31 | Siemens Ag | Anordnung zur Inspektion von Objektoberflächen |
EP1220596A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-03 | Icos Vision Systems N.V. | A method and an apparatus for measuring positions of contact elements of an electronic component |
IL144806A (en) * | 2001-08-08 | 2005-11-20 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and apparatus for process control in semiconductor manufacturing |
US20040032581A1 (en) * | 2002-01-15 | 2004-02-19 | Mehrdad Nikoonahad | Systems and methods for inspection of specimen surfaces |
US7236847B2 (en) | 2002-01-16 | 2007-06-26 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for closed loop defect reduction |
US6809808B2 (en) * | 2002-03-22 | 2004-10-26 | Applied Materials, Inc. | Wafer defect detection system with traveling lens multi-beam scanner |
US20050122509A1 (en) * | 2002-07-18 | 2005-06-09 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Apparatus for wafer inspection |
JP4183492B2 (ja) * | 2002-11-27 | 2008-11-19 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
US6990385B1 (en) | 2003-02-03 | 2006-01-24 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Defect detection using multiple sensors and parallel processing |
US7365834B2 (en) * | 2003-06-24 | 2008-04-29 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Optical system for detecting anomalies and/or features of surfaces |
DE102004015326A1 (de) | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Leica Microsystems | Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion eines Halbleiterbauteils |
DE102004029212B4 (de) * | 2004-06-16 | 2006-07-13 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur optischen Auf- und/oder Durchlichtinspektion von Mikrostrukturen im IR |
DE102005014593A1 (de) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Vorrichtung zur Inspektion eines scheibenförmigen Objekts |
NL1029285C2 (nl) * | 2005-06-17 | 2006-12-19 | Ccm Beheer Bv | Detectiesysteem. |
DE102008028869A1 (de) * | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion eines scheibenförmigen Gegenstandes |
KR101127563B1 (ko) | 2010-08-18 | 2012-06-12 | 주식회사 에프에스티 | 대면적 고속 검출모듈이 구비된 검사장치 |
TWI470210B (zh) * | 2012-12-17 | 2015-01-21 | Taiwan Power Testing Technology Co Ltd | 顯示裝置之光學層件之缺陷檢測方法 |
US9182351B2 (en) | 2013-11-26 | 2015-11-10 | Nanometrics Incorporated | Optical metrology system for spectral imaging of a sample |
US9846122B2 (en) | 2013-11-26 | 2017-12-19 | Nanometrics Incorporated | Optical metrology system for spectral imaging of a sample |
US9395309B2 (en) | 2014-10-15 | 2016-07-19 | Exnodes Inc. | Multiple angle computational wafer inspection |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56115945A (en) * | 1980-02-18 | 1981-09-11 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Detecting device for defect of panel plate |
JPH046448A (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 積層板の検査方法 |
US5274434A (en) * | 1990-04-02 | 1993-12-28 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting foreign particles on real time basis in semiconductor mass production line |
JPH07148245A (ja) * | 1994-07-11 | 1995-06-13 | Terumo Corp | 採血装置 |
JPH10221265A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-21 | Advantest Corp | 異物検出装置および異物観察分析装置 |
WO1999006823A1 (en) * | 1997-08-01 | 1999-02-11 | Kla-Tencor Corporation | System for detecting anomalies and/or features of a surface |
JP2002501194A (ja) * | 1998-01-22 | 2002-01-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 光学検査方法及び装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5798831A (en) * | 1991-12-19 | 1998-08-25 | Nikon Corporation | Defect inspecting apparatus and defect inspecting method |
US5486919A (en) * | 1992-04-27 | 1996-01-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Inspection method and apparatus for inspecting a particle, if any, on a substrate having a pattern |
US5883710A (en) * | 1994-12-08 | 1999-03-16 | Kla-Tencor Corporation | Scanning system for inspecting anomalies on surfaces |
US5864394A (en) * | 1994-06-20 | 1999-01-26 | Kla-Tencor Corporation | Surface inspection system |
US5631733A (en) | 1995-01-20 | 1997-05-20 | Photon Dynamics, Inc. | Large area defect monitor tool for manufacture of clean surfaces |
JP3140664B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2001-03-05 | 松下電器産業株式会社 | 異物検査方法及び装置 |
KR980010412A (ko) | 1996-07-09 | 1998-04-30 | 고노 시게오 | 이물질 검사 장치 |
US5940175A (en) * | 1996-11-01 | 1999-08-17 | Msp Corporation | Method and apparatus for surface inspection in a chamber |
US5917588A (en) | 1996-11-04 | 1999-06-29 | Kla-Tencor Corporation | Automated specimen inspection system for and method of distinguishing features or anomalies under either bright field or dark field illumination |
JPH10197812A (ja) * | 1997-01-06 | 1998-07-31 | Asahi Optical Co Ltd | カスケード走査光学系の書き出し位置調整装置 |
US5889593A (en) | 1997-02-26 | 1999-03-30 | Kla Instruments Corporation | Optical system and method for angle-dependent reflection or transmission measurement |
US6201601B1 (en) | 1997-09-19 | 2001-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Sample inspection system |
US6256093B1 (en) * | 1998-06-25 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | On-the-fly automatic defect classification for substrates using signal attributes |
-
1999
- 1999-05-11 US US09/309,358 patent/US6587193B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-11 WO PCT/US2000/013042 patent/WO2000068673A1/en active IP Right Grant
- 2000-05-11 JP JP2000616407A patent/JP5197899B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-11 EP EP00937539A patent/EP1177428B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-11 KR KR1020017014408A patent/KR100898963B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-05-11 DE DE60018916T patent/DE60018916T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56115945A (en) * | 1980-02-18 | 1981-09-11 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Detecting device for defect of panel plate |
US5274434A (en) * | 1990-04-02 | 1993-12-28 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting foreign particles on real time basis in semiconductor mass production line |
JPH046448A (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 積層板の検査方法 |
JPH07148245A (ja) * | 1994-07-11 | 1995-06-13 | Terumo Corp | 採血装置 |
JPH10221265A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-21 | Advantest Corp | 異物検出装置および異物観察分析装置 |
WO1999006823A1 (en) * | 1997-08-01 | 1999-02-11 | Kla-Tencor Corporation | System for detecting anomalies and/or features of a surface |
JP2002501194A (ja) * | 1998-01-22 | 2002-01-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 光学検査方法及び装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008203280A (ja) * | 2001-09-21 | 2008-09-04 | Olympus Corp | 欠陥検査装置 |
JP2007263569A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Toppan Printing Co Ltd | 周期構造欠陥測定装置 |
JP2008191066A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Topcon Corp | 表面検査方法および表面検査装置 |
JP2017062252A (ja) * | 2011-07-12 | 2017-03-30 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ウェハ検査システム |
US10488348B2 (en) | 2011-07-12 | 2019-11-26 | Kla-Tencor Corp. | Wafer inspection |
JP2015075339A (ja) * | 2013-10-06 | 2015-04-20 | 株式会社山梨技術工房 | 平板基板の表面状態検査方法及びそれを用いた平板基板の表面状態検査装置 |
JP2016133393A (ja) * | 2015-01-19 | 2016-07-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 欠陥検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2000068673A1 (en) | 2000-11-16 |
EP1177428B1 (en) | 2005-03-23 |
EP1177428A1 (en) | 2002-02-06 |
DE60018916T2 (de) | 2006-03-16 |
JP5197899B2 (ja) | 2013-05-15 |
KR100898963B1 (ko) | 2009-05-25 |
DE60018916D1 (de) | 2005-04-28 |
US6587193B1 (en) | 2003-07-01 |
KR20020011411A (ko) | 2002-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5197899B2 (ja) | ライン光スポットで二次元イメージングを行う検査システム | |
US8634069B2 (en) | Defect inspection device and defect inspection method | |
US7817261B2 (en) | Method of apparatus for detecting particles on a specimen | |
JP5132982B2 (ja) | パターン欠陥検査装置および方法 | |
US6888627B2 (en) | Optical scanning system for surface inspection | |
US6608676B1 (en) | System for detecting anomalies and/or features of a surface | |
JP5132866B2 (ja) | 表面検査装置および表面検査方法 | |
US7724362B1 (en) | Oblique incidence macro wafer inspection | |
US6819416B2 (en) | Defect inspection method and apparatus therefor | |
US8885037B2 (en) | Defect inspection method and apparatus therefor | |
US7843558B2 (en) | Optical inspection tools featuring light shaping diffusers | |
US7924517B2 (en) | Spatial filter, a system and method for collecting light from an object | |
US8135207B2 (en) | Optical inspection tools featuring parallel post-inspection analysis | |
JP2003017536A (ja) | パターン検査方法及び検査装置 | |
US20230068133A1 (en) | System and method for high speed inspection of semiconductor substrates | |
JP2001168158A (ja) | 光学的パターン検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070509 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101202 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110812 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120112 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120406 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120413 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130206 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5197899 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |