JP2002536778A - データ記憶媒体 - Google Patents

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ダイ，ケビン・シンタオ
サブラマニアン，サレシュ
ハリハラン，ラメシュ
ブシュコ，ウィット・セザリー
クボテラ，カズナオ
ゴルジカ，トーマス・ビー
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Abstract

(57)【要約】 好適な実施形態のデータ記憶媒体は、均質か非均質のプラスチック基板であって、その片側もしくは両側に配置される所望の表面形態を適所に形成できる当該プラスチック基板と、その片側もしくは両側上の磁気光学材料等のデータ記憶層と、オプションとしての保護用誘電層や反射層を有する。基板は、実質的に、均質、テーパー形状、凹状、もしくは、凸状の幾何学的態様を有することができ、また、表面の完成度と平坦度に悪影響を与えることなく硬度を上げるために、様々な種類と幾何学的態様の強化材が使われる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はデータ記憶媒体に関し、特に、データ記憶媒体を製造する方法と一部
が重合体であるデータ記憶媒体と全体が重合体であるデータ記憶媒体に関する。
【０００２】
【発明の背景】
光学的、磁気的、磁気光学的媒体は、メガバイトの記憶単位で妥当な値段とな
る高記憶容量を可能とする高性能記憶テクノロジーのプライマリソースである。
１インチ平方のディスク表面面積当り数十億ビット（ギガビット／平方インチ）
で表現される面積密度は、線密度（トラックのインチ当たりの情報ビット数）に
トラック数／インチであるトラック密度が掛けられた値に等しい。メガバイト単
位で価格を下げるためには、面積密度を改善することは重要な要因のうちの１つ
であり、さらに面積密度を上げる要求が業界から続いている。
【０００３】 光学的記憶領域での進歩は、アクセスタイムとシステム容量と競争的価格に集
中している。（近視野光学を用いて）光学的回折限界に焦点を合わせ、３次元記
憶を研究し、可能性のあるホログラフィック記録方法やその他の技術を研究する
ことによって、面積密度を増加させる取り組みが行われている。
【０００４】 従来の重合体データ記憶媒体は、通常、光学的に高品質で低複屈折の基板を使
う必要があるリードスルー(read-through)デバイスである記録可能な、即ち、再
書き込み可能なコンパクトディスク（例えば、ＣＤ−ＲＷ）や類似の比較的低い
、例えば、約１ギガビット／平方インチより低い面積密度のデバイスやコンパク
トディスク（ＣＤ−ＲＯＭ）等の分野で使われてきた。
【０００５】 図１を参照すると、読み出しデバイス３と、記録可能な、もしくは、再書き込
み可能な記憶媒体５を有する低面積密度システム１が示されている。記憶媒体５
は、データ層７と誘電層９、９’と反射層１１と保護層１３を含む従来の層を有
する。システム１のオペレーション中に、読み出しデバイス３によって生成され
たレーザー１５は、光学的に透明な基板１７に入射される。レーザーは基板１７
を通過して、誘電層９とデータ層７と第２の誘電層９’を通過する。次に、レー
ザー１５は反射層１１で反射して、誘電層９’とデータ層７と誘電層９と基板１
７に戻り、読み出しデバイス３によって読まれる。
【０００６】 ＣＤと異なり、また、ＤＶＤより優れた、通常、５ギガビット／平方インチよ
り大きな高面積密度性能をもつ記憶媒体の面積密度を上げるためには、第１面、
即ち、近視野のリード／ライト技術が用いられる。この記憶媒体にとって基板の
光学的な品質は関係ないが、基板の物理的特性と機械的特性は益々重要になって
いる。第１の面のアプリケーションを含む高面積密度のアプリケーションでは、
記憶媒体表面の品質が、読み出しデバイスの精度とデータ記憶能力と基板の複製
の品質に影響を与えることがある。さらに、使用中の記憶媒体の物理的特性は、
データを記憶し検索する能力にも影響を与えることがある。即ち、媒体の軸方向
の変位があまりにも大きい場合は、それがデータの正確な検索を妨げたり、リー
ド／ライトデバイスにダメージを与えることがある。
【０００７】 従来は、金属、例えば、アルミニウムとガラス基板を用いることによって、近
視野を含む第１面の技術の利用に関連する上述の問題に取り組んできた。これら
の基板によってディスクが構成され、スパッタリング等の様々な技術を用いて、
所望の層が基板上に配置される。層には、反射層と誘電層とデータ記憶層と保護
層を含んでいてもよい。一旦、所望の磁気的層が追加されると、磁気的リード／
ライト技術によって、ディスクを放射状で接線方向のセクターに分割することが
できる。また、物理的技術や化学的技術、例えば、エッチングによってセクター
構造を追加できるが、磁気層の堆積前にこれを行う必要がある。
【０００８】 産業の速いペースから明らかなことであるが、低価格で大記憶容量に対する需
要と再書き込み可能なディスクに対する願望と研究中の多くの技術とテクノロジ
ーのさらなる進歩は常に望まれており、また、求められているものである。本技
術で求められているものは、近視野を含む第１面のアプリケーションで記憶媒体
の利用を可能にするための記憶媒体の基板材料の進歩である。
【０００９】
【発明の概要】
本発明は、データ記憶媒体とその製造方法とそれを用いたプロセスに関する。
好適な実施形態の記憶媒体は、少なくとも１つのプラスチック樹脂部分を有して
なる基板と、その基板上に少なくとも１つのデータ層を有する。尚、少なくとも
１つのエネルギ場によって、データ層の少なくとも一部に対する読み出し、書き
込み、もしくは、それらの組み合わせが可能であり、エネルギ場が記憶媒体に接
触する場合、前記エネルギ場は基板に入射する前にデータ層に入射する。
【００１０】 別の実施形態のデータ記憶媒体は、剛性基板と、表面形態を有するプラスチッ
ク層と、プラスチック層に少なくとも１つのさらに別の層を有する。プラスチッ
ク層は、例えば、反射層、誘電層、データ記憶層、保護層を含む所望のさらに別
の層に対するスパッタリング等の様々な技術に耐えうる樹脂からできていること
が好ましい。プラスチック層の表面形態はエンボス表面形態であることが好まし
く、スピンコーティングやスプレーコーティング技術を用いてプラスチック層を
基板に適用することが好ましい。別の実施形態の方法では、プラスチック基板を
形成し、次に、データ記憶層を基板上に形成する。本方法では、プラスチック基
板を形成するために、溶融重合体をモールドに導入し、前記プラスチック基板を
冷却し、データ記憶層を前記プラスチック基板上に形成することができる。本方
法では、オプションとして、前記プラスチック基板の少なくとも１つの側の適所
に地理的ロケータを形成することができる。また、本方法では、オプションとし
て、地理的ロケータ上にデータ記憶層を形成することができる。
【００１１】 さらに別の実施形態のデータ記憶方法では、少なくともプラスチック部分を有
する基板と、前記基板の少なくとも１面に配置された少なくとも１つのデータ層
を有する記憶媒体を回転させ、前記エネルギ場が基板に入射する前にデータ層に
入射するようにエネルギ場を前記記憶媒体に向け、情報をデータ記憶層から検索
する。磁気的、もしくは、光学的なレーザーを書き込みに用い、反射光学系を利
用した光学ビームを読み出しに用いる、例えば、磁気光学的記憶に様々なエネル
ギ場を用いることができる。
【００１２】 添付の図は、模範的な例を示すものであって、本発明の可能な実施形態の一部
を単に示しているだけで、それに限定されることはない。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明は、プラスチック材料を部分的に、もしくは、全体的に有して成るデー
タ記憶媒体向けのものである。この記憶媒体は、高面積密度のアプリケーション
と第１の表面と、それと同様のアプリケーションで役に立つ。尚、データ記憶層
に入射するエネルギ場は、基板に接触することなく、もしくは、少なくとも基板
に接触する前にデータ記憶層と接触する。言いかえれば、従来のコンパクトディ
スク（ＣＤ）とそれと同様のアプリケーションと対照的に、エネルギ場は基板を
通過せずデータ記憶層に接触するか、もしくは、反射して基板を通って読み出し
デバイスに戻る。高面積密度アプリケーションで機能を果たすためには、記憶媒
体の品質は従来のＣＤとそれに関する媒体品質を上回る必要がある。その他の品
質のうち、環境振動や回転振動と、不規則性や不完全性が少ないことを意味する
よい表面品質と、低い慣性モーメント（好適には、約５．５スラグ−平方インチ
以下で、約４．５スラグ−平方インチ以下がより好ましく、約４．０スラグ−平
方インチ以下が特に好ましい）によって励起すると、記憶媒体は従来のＣＤとそ
れに類似する媒体と比べ、その軸方向の変位が減っているはずである。さらに、
記憶媒体は、約５ギガビット／平方インチを越える面積密度を有することが好ま
しく、約２０ギガビット／平方インチがより好ましく、約５０ギガビット／平方
インチが特に好ましく、約１００ギガビット／平方インチまでか、もしくは、そ
れを越えることが期待される。
【００１４】 一般的に、高面積密度アプリケーション、即ち、約５ギガビット／平方インチ
以上では、リード／ライト(read/write)デバイスは、記憶媒体の表面に比較的近
く（スタンドオフ距離）に置かれる。一般的に、求められる密度が高い程、リー
ド／ライトデバイスは記憶媒体の表面に近くなる。これらの例では通常、スタン
ドオフ距離は、一般的に、約０．３ミリメータ（ｍｍ）より近く、また、約７６
０ナノメータ（ｎｍ）より近いことがしばしばある。極端に高密度である場合は
、リード／ライトデバイスは極端に近い、例えば、表面から約０．０６４ミクロ
ン（μ）以下で、多くの場合、約０．０１３μより近いことが好ましい。従って
、振動状態や衝撃時に、リード／ライトデバイスや記憶媒体表面に損傷を与える
ことを防止するために、基板の軸方向の変位は、許容可能なシステム偏向距離よ
り十分に小さくすべきである。例えば、約１Ｇの正弦波重力負荷がかかり、約１
７０Ｈｚの共鳴周波数と約０．０５１μのスタンドオフ距離を有するディスク（
外径が１３０ｍｍ、内径が４０ｍｍ、厚さが１．２ｍｍ）にとって、ピークツー
ピーク(peak to peak)の軸方向の長さの変位が約２５０μ以下であることが好ま
しく、例えば、基板やリード／ライトデバイスに対する損傷が主な問題である場
合は、特に約１２５μより狭いことが好ましい。好適には、最大衝撃が約２５Ｇ
、適用時間が約２ミリ秒から約１０ミリ秒の場合に、軸方向のピークツーピーク
の長さの変位は約５００μ以下であり、また、約２５０μ以下に維持されること
が望ましく、また、約３５Ｇに対してその変位が維持されることが望ましい。し
かしながら、例えば、より長いスタンドオフ距離（例えば、約０．３０μ以上の
スタンドオフ）を有するその他の例では、ヘッドの損傷は支配的な問題ではなく
、むしろ、光学の焦点が合った状態を維持するために、非常に小さな軸方向の変
位やディスクの傾きがあることが好ましい。何故ならば、それらは、焦点距離の
急速な変化に応答できないためである。最大の放射状の傾きと接線方向の傾きは
、各々独立に約１°以下であることが望ましく、さらに、停止状態で（即ち、非
回転で）測定される場合に各々約０．３°以下であることがより好ましい。
【００１５】 基板の軸方向の変位は、ディスクサイズの必要条件（内側と外側の半径と厚さ
）とその硬度（曲げ係数）と密度とポアソン比と損失係数と記憶係数と、それら
の組み合わせ等を含むがこれらに限定されない幾つかの特徴の関数である。ディ
スクの外側半径が大きくなると、衝撃と振動の条件下でディスクの軸方向の変位
も大きくなる。また、ディスクの厚さが薄くなると、その断面硬度(sectional s
tiffness) が低下し、軸方向の変位は増大する。現在、記憶媒体のリード／ライ
トデバイスを利用可能にする業界によって記憶媒体の寸法は特定される。従って
、通常、記憶媒体の内径は約４０ミリメータ（ｍｍ）であり、その外径は約１３
０ｍｍ以上であるが、一般的には、その内径は約１５ｍｍから約４０ｍｍであり
、その外径は約６５ｍｍから約１３０ｍｍのものが使われる。必要な全体の厚さ
は、通常、約０．８ｍｍから約２．５ｍｍであり、通常は、約１．２ｍｍまでの
厚さが好ましい。所望のアーキテクチャを得るために、その他の直径と厚さを使
ってもよい。
【００１６】 軸方向の変位に加えて、硬さは基板の振動の基本周波数に影響する。基板、も
しくは、設計アーキテクチャ、例えば、内部／外部補強材の材料特性、例えば、
曲げ係数や厚さや比重（Ｓ．Ｇ．）／密度を含む幾つかの要因に基づいて基本モ
ード周波数の発生を調整することが求められてきた。（図４参照）モード周波数
は、基板が自然共振して面の外にディスクを動かしてしまう周波数を定義するも
のであるので、記憶媒体の正常動作周波数の外に基板の第１のモード周波数をも
つことが好ましい。正常動作周波数は、通常、約２０Ｈｚから約５００Ｈｚであ
るが、将来のアプリケーションでは、５００Ｈｚを越えるものが予想される。従
って、記憶媒体の動作周波数の外に第１のモード周波数がある曲げ係数／密度を
基板が有することが好ましい。図４から明らかである（以下のテーブルでその特
性が示される）が、曲げ係数と比重／密度の相互関係は、所望の基板の曲げ係数
と密度に大きな影響を与える。硬度(stiffness) は高く、密度は低いことが好ま
しい。通常、曲げ係数は、約３５０キロポンド／平方インチ（ｋｐｓｉ）以上で
、曲げ係数は約５００ｋｐｓｉ以上が好ましく、特に、曲げ係数は約１０００ｋ
ｐｓｉ以上であることが好ましい。比重は約１．５以下であり、比重は約１．３
以下であることがより好ましく、特に、比重は約１．０以下であることが好まし
い。
【００１７】 軸方向の変位と同じように短いスタンドオフ距離が使われ、キャリヤ−ノイズ
比に対する表面の粗さが有害な効果を有するため、基板は、データが記憶される
記憶媒体領域内で特に高い表面品質を有するべきであり、正確にデータを保存し
検索するできるように、リード／ライトデバイス、もしくは、記憶媒体の表面に
与える損害を避けるようにほぼ平坦であるべきである。基板の表面の少なくとも
一部は、電子顕微鏡を使って測定される表面平均粗度（（Ｒａ））が約１００オ
ングストローム（Å）より小さいことが好ましく、約１０Åより小さい粗度であ
ることが望ましく、さらには、約５Åより小さい粗度であることがより好適であ
る。（粗度の平均値は、通常、基板の１０μｘ１０μの領域についてである）表
面のマイクロオーダのうねりは、通常、１ｍｍｘ１ｍｍの領域での平均値である
が、約１００Åまでの値が可能であり、約１０Åまでであることが好ましく、特
に、約５Åまでであることが望ましい。平坦さ（「振れ（ｒｕｎ−ｏｕｔ）」と
しても周知である）に関して、基本的には***部や谷部のないほぼ平坦な基板が
特に好ましい。約１００μまでの振れであれば使用でき、約１０μまでの振れが
好ましく、約５μまでの振れであることが特に好ましい。（平坦さとは、通常、
ディスクの全体領域の平均である） この短いスタンドオフ距離では、基板端の、もしくは、その近くの***部は、
通常、エッジリフト、もしくは、スキージャンプとして周知であり、リード／ラ
イトデバイスに損傷を与えることがある。基板のエッジリフトの高さは約８μよ
り低いべきであり、約５μより低いことが好ましく、特に、約３μより低いこと
が望ましく、エッジリフト長は約８００μより短いことが好ましく、特に、約５
００μより短いことが望ましい。
【００１８】 記憶媒体は様々なシステムで用いることができるが、それらのシステムの一部
では制限用テ゛ハ゛イスを用いて、基板の硬度低下に関する検討が必要なことがある。 記憶媒体を確保するためにクランプやハブやその他の制限用テ゛ハ゛イスを用いるリー ド／ライトシステムのために、（時間や温度に基づく）機械的劣化を避けるため
に、基板は（少なくともデバイスのコンタクト領域に）十分な降伏応力を有する
べきである。リード／ライトシステムの制限デバイス内に確保される約６５ｍｍ
から約１３０ｍｍまでの外径を有する記憶媒体のために使用されるプラスチック
樹脂の降伏応力は約７０００ｐｓｉ以上であることが好ましく、約９０００ｐｓ
ｉを越える降伏応力が特に好ましい。充填された工学技術用プラスチック樹脂で
は、高い降伏応力を得ることができ、約１００００ポンド／平方インチ（ｐｓｉ
）を越える降伏応力が好ましく、特に、約１５０００ｐｓｉ以上であることが好
ましい。
【００１９】 このようなディスクのうちの幾つかを図２５から図２７に示す。図２５は、重
合体表面２０２と、充填されたかもしくは空洞のコア２０４を有するディスク２
００を示す。尚、金属（例えば、アルミニウム）やガラスやセラミックや金属基
合成物や合金や、それらのうちの少なくとも１つを含む組み合わせ等の材料の中
央部分２０６はプラスチック２０２より大きな降伏応力を有する。図２６は、ク
ランプ２０８に取り付けられた高降伏応力をもつ中央部分２０６を有するディス
クを示す。一方、図２７はさらに別の実施形態を示すが、ここで、重合体は中央
部分２０６と同じ材料を有してなるコア２０４′上の薄膜である。例えば、コア
は金属でもよく、そのコアの全て、もしくは、その一部の上にプラスチック薄膜
２０２が配置される。
【００２０】 従来の基板、例えば、プラスチックオーバレイのないアルミニウムとセラミッ
クの基板は非常に硬く（例えば、ヤング率が約７０ギガパスカル（ＧＰａ）のア
ルミニウムと、ヤング率が約２００ＧＰａのセラミック）、それ以上のレベルは
プラスチック基板を用いて達成される。アルミニウム基板と比べて、プラスチッ
ク基板の硬度の低さを埋め合わせるために、材料の減衰係数が重要であることが
思いがけなく発見された。その結果、ディスクの振動の影響を最小にするために
、減衰性能が発揮するように基板材料の粘弾性特性を調整することが可能である
。一般的に、例えば、振動源と、振動が与えられる対象間に適切なスプリング／
ダッシュポットアセンブリを挿入することによって振動は減衰する。効果的に減
衰させるために、材料を伝搬する振動エネルギを、プレーナ剪断、即ち、材料の
バルク圧縮と膨張の結果変換されたエネルギ（例えば、熱エネルギ）として材料
ガ吸収したり、散逸させるべきである。
【００２１】 プラスチック樹脂等の粘弾性的材料では、記憶係数と損失係数が存在する。記
憶係数は弾性的硬度を表し、損失係数は粘性的硬度を表す。アルミニウムほど硬
くない記憶媒体にとって、基板の機械的減衰係数（損失係数と記憶係数の比とし
て定義される）は、温度が７５°Ｆ（約２４℃）で約０．０５より大きいことが
好ましく、温度が７５°Ｆでは機械的減衰係数が約０．１０より大きいことが好
ましく、特に、温度が７５°Ｆでは機械的減衰係数が約０．１５より大きいこと
が望ましい。
【００２２】 さらに、注目の周波数と温度範囲では、減衰係数値が所望値より下がることが
ないように、材料の減衰特性を最適化することができる。幾つかの実施形態では
、減衰の適用可能な注目の温度範囲と周波数範囲は、約７５°Ｆ（２４℃）で約
２Ｈｚから、約１５０°Ｆ（６５．５℃）で約４００Ｈｚが好ましく、約３２°
Ｆ（０℃）で約２Ｈｚから、約２００°Ｆ（９３．３℃）で約５００Ｈｚがより
好ましい。
【００２３】 図５と図７は、様々な材料特性に対し１Ｇの正弦振動負荷が与えられた場合の
軸方向の変位と一定の幾何学様式間の関係を表す。図６は、減衰係数が第１のモ
ード周波数に影響を与えないことを示し、図７は、軸方向の変位が第１のモード
周波数へ与える影響を示す。 １３０ｍｍＡＢＡ共注入ディスクの機械的入力特性 構造 材料 記憶率（ｐｓｉ） 減衰係数 ポアソン比 Ｓ．Ｇ． 膜 純樹脂 3.15E+05 0.033 0.385 1.200 コア 充填系 1.25E+06 0.040 0.375 1.315 1.25E+06 0.060 0.375 1.320 1.25E+06 0.080 0.375 1.325 1.25E+06 0.100 0.375 1.330 。
【００２４】 ダンピング（減衰）はダンペンニングとも呼ばれるが、エネルギ吸収コンポー
ネントを使うことによって、もしくは、様々な充填剤と補強剤を必要とするスリ
ップメカニズムを用いる等による様々なアプローチで達成することができる。減
衰特性を改善するのに役立つ材料は、加硫ゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム
、ブタジエンゴム、イソブチレンゴム、ポリエーテルゴム、イソブチレン−イソ
プレン共重合体、イソシアナートゴム、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、クロ
ロスルホン化ポリエチレン、ポリスルフィドゴム、フッ素ゴム、（援用文献であ
る）米国特許Ｎｏ．４、９８７、１９４で記述されているようなポリスチレン−
ポリイソプレン共重合体を含むブロック共重合体、熱可塑性、ポリウレタンを含
むエラストマー材料と、とりわけ、それらのうちの少なくとも１つを有する組み
合わせ等の高減衰性能（例えば、約０．０５より大きな減衰係数）の弾性材料を
含む。また、振動−減衰材料は、（フェライト、金属、セラミック等の）多量の
粒子と、（タルクや雲母等の）薄片と、（酸化亜鉛、ケイ灰石、炭素繊維、ガラ
ス繊維等の）様々な繊維と、それらのうちの少なくとも１つを有する混合物が使
用可能な樹脂を含む。また、マイクロ繊維と、小繊維と、ナノチューブと、ウィ
スカーと、気泡構造とハチの巣構造もそれらの様々な組み合わせとして役に立つ
。
【００２５】 減衰材料を基板に用いて軸方向の変位を小さくすることに加えて、もしくはそ
の代りに、制限用テ゛ハ゛イス、即ち、基板を保持するクランピング構造で振動減衰材 料を利用することによって、軸方向の変位を減らすことができる。クランプに、
即ち、クランプと基板間に粘弾性材料を追加することによって、添加剤なしの同
じ構造に比べて、ディスクの軸方向の変位を効果的に減らすことができる。一実
施形態の振動減衰材料は、クリープ特性を減らすために十分大きな弾力係数、例
えば、約２０ｋｐｓｉより大きな弾力係数と、ディスク基板の減衰係数より大き
な減衰係数をもつことが好ましい。クランプの減衰特性を改善するために役立つ
材料は、加硫ゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、イソブチ
レンゴム、ポリエーテルゴム、イソブチレン−イソプレン共重合体と、イソシア
ナートゴム、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン
、ポリスルフィドゴムと、フッ素ゴム、米国特許第４９８７１９４号に開示され
ているようなポリスチレン−ポリイソプレン共重合体を含むブロック共重合体と
、ポリウレタンを含む熱可塑性エラストマー材料と、とりわけ、それらの組み合
わせたものを含む高減衰性能の弾性材料を含む。また、気泡構造、もしくは、蜂
の巣構造も役に立つ。
【００２６】 記憶媒体の寿命と安定性に影響を与えるその他の要因は寸法の安定性と温湿特
性に関連する。記憶媒体の記憶／動作温度範囲内の温度で湿度／熱的寸法安定性
を有する基板を使用するべきであり、通常、約−６℃（２１°Ｆ）から約４０℃
（１０４°Ｆ）までの温度での湿度／熱的安定性が好ましく、約−１２℃（１０
°Ｆ）から約８０℃（１７５°Ｆ）までの温度での安定性が望まれ、特に、約−
１６℃（３°Ｆ）から約１００℃（２１２°Ｆ）までの温度での安定性が好まし
い。記憶媒体を利用できる、即ち、それに記憶できる環境は様々なので、記憶媒
体の（１）加熱ひずみ温度は約６０℃（１４０°Ｆ）より高いことが好ましく、
約８０℃より高いことがより好ましく、（２）そのクリープ特性は、ビスフェノ
ールＡベースのポリカーボネート樹脂のクリープ特性より良いか、それに等しい
ことが好ましく、（３）その温湿特性は良いので、基板の曲がりやゆがみ等の著
しい変形は起こらない。基板の含水率は、平衡状態で約１．０％より小さい範囲
で変化することが好ましく、さらに、平衡状態で、約０．５％より小さいことが
好ましく、特に、４週間後に相対湿度が８５％で８０℃のテスト条件下の平衡状
態では約０．３％より小さいことが望ましい。
【００２７】 上述の設計問題に取り組むために、この基板は均質、あるいは、非均質でよく
、また、たくさんの幾何学様式を有していてもよい。均質の基板はプラスチック
でよく、実質的に中実か、もしくは、様々な程度の多孔、即ち、１つ以上の穴（
図１５、１６、１７、３３、３５参照）を含んでいてもよい。これらの図に描か
れているように、基板内に複数の孔を有することによってか、または、データが
記憶される記憶媒体の領域内の基板上コーティングを利用することによって、十
分に平滑な表面を維持しながら、１つ以上の中空孔（穴、気泡、リブ、通路、く
もの巣状のもの等）を基板内に有することによって、基板の密度を下げることが
できる。
【００２８】 孔の大きさと形状と位置は上述の設計基準に基づくものである。例えば、図１
７を参照すると、基板外側の周囲密度が低下し、慣性の問題があるときに、媒体
リード／ライトシステムのハブ用に確保できる基板の中央領域が最大降伏強度を
もつように、基板の外径近辺に孔を配置することができる。図８−図１４と、図
３３−図３５からわかることであるが、孔は様々な幾何学様式（線形、曲がり、
凸、凹、凸凹、凹凸等）、大きさ（幅、長さ、高さ）をもち、基板全体での位置
（内径から外径へ断続的に、もしくは、それらの間の位置）に配置でき、また、
相互に連結していても、分離していてもよい。
【００２９】 非均質基板は充填材やコアやその他の補強材や挿入材を有するプラスチックで
よく、合成材料やそれらの組み合わせでもよい（図８から図２７を参照）。様々
な図面で示され、以下で詳細に述べられるように、様々な設計基準に焦点を当て
て、材料の幾何学様式と位置と挿入材／コア／補強材の大きさを調整することが
できる。その設計基準としては、相互接続もしくは分離、硬質もしくは非硬質、
プレイト、ウェブデザイン、ハブデザイン、補強構造、内径や外径の挿入材、最
上部や中間部や底部やオフセットのデザイン、フィンガーもしくは方向設計、同
心の補強材、部分的表面、溶接されるか、接合されるか、もしくは、カプセル化
されるか、もしくは、それらのうち少なくとも１つを有する組み合わせ等がある
。
【００３０】 図２２から図２４を参照して、例えば、基板は、基板のほぼ全体積を占める補
強材を有することができ、この場合、プラスチックの大部分が例えば薄膜として
基板表面近くに配置されているにすぎない。本実施形態では、基板の大部分を構
成するコアの厚さは約２．５ｍｍまでであり、その厚さは約０．７５ｍｍから約
２．０ｍｍであることが好ましく、特に、約０．８ｍｍから約１．２ｍｍである
ことが好ましい。描かれているように、コア（例えば、金属やセラミックやガラ
ス等の）コアの側面の両方、もしくは、その一方にプラスチック薄膜を配置する
ことができる。通常、厚さが約５０μ以下のプラスチック薄膜を使うことができ
、厚さが約２０μであることが好ましい。
【００３１】 基板が均質か非均質かに関係なく、中空の孔や充填された孔や補強材を有し、
互いに交換可能な様々な設計要因に焦点を当てることによって、その幾何学様式
とコア／挿入材／補強材の幾何学様式も調整可能である。図８から図３５を参照
すると、様々な基板とコア／挿入材の幾何学様式はそれぞれほぼ均等な厚さであ
って、片面もしくは両面、片面もしくは両面上の凸部もしくは凹部、または、そ
れらのうちの少なくとも１つを組み合わせたものであってテーパ形状である。
【００３２】 基板の幾何学様式を調整することによって、回転中の基板の慣性モーメントの
操作と、モード応答、即ち、その高調波の制御が可能となる。例えば、平面や半
径方向の厚さの区分的な密度変動に基づく（図３６に示される）様々なモード形
状を得たり、避けたりすることができる。上述したように、好ましいデザインは
第１モード共振周波数を有する基板であって、これは記憶媒体を設計するための
周波数範囲外にある。
【００３３】 データを記憶／検索可能な速度に影響を与える動作回転速度等の記憶媒体に対
する様々な設計基準に焦点を当てた別な方法ではその用途に焦点を当てている。
従来は、使用中の記憶媒体は一定速度で回転していた。リードもしくはライト前
に、媒体は動作回転速度になる。しかしながら、記憶媒体は、最剤の使用期間で
は速度が上がり、通常の使用期間では下がるように、可変速度で回転可能である
。さもなくば、ディスクの様々な領域（例えば、内径対外径）で一定の線形速度
を維持するために回転速度を変えることができる。これらの両方の動作基準では
エネルギを大切に扱い、潜在的に設計基準の一部がより重要なものとなる。この
ような基準に含まれるものとしては、例えば、慣性モーメント、係数、密度、粘
弾性度、厚さ、直径が上げられる。一定速度用デバイスに比べて、速度を変える
記憶媒体用デバイスでは、例えば、慣性モーメントや密度等の多くの基準の重要
性が増す。
【００３４】 理論上、基板やコアやコーティングとして適切な特性を示すプラスチックを用
いることができる。しかしながら、プラスチックは、スパッタリング等の処理パ
ラメータ（例えば、次に続く層に適用）に耐える能力をもつべきである（即ち、
磁気的媒体では、約２００℃までの温度とそれを越える温度（通常は、約３００
℃までか、もしくは、それを越える温度）で、磁気光学的媒体では、おおよそ室
温（約２５℃）から約１５０℃までの温度である）。即ち、堆積工程中の変形を
妨げる十分な熱的安定性をプラスチックが有することが望ましい。磁気的媒体用
の適切なプラスチックとしては、ガラス転移温度が約１５０℃より高く、さらに
、約２００℃より高いことが好ましい熱可塑物質（例えば、ポリエーテルイミド
、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエ
ーテルエーテルスルホン、ポリフェニレンエーテル、ポリイミド、高熱ポリカー
ボネート等）が含まれ、約２５０℃より高いガラス転移温度をもち、とりわけ、
ｍ−フェニレンジアミンの代りにスルホンジアニリンやオキシジアニリンを用い
たポリエーテルイミドや、プロビマイド（Ｐｒｏｂｉｍｉｄｅ）（又は、シバゲ
ーギケミカル(Ciba Geigy Chemical) からのドライ粉末等価物であるマトリミド
（Ｍａｔｒｉｍｉｄ）５２１８）等のポリイミド等の材料や、それらのうちの少
なくとも１つを含む組み合わせが好ましい。
【００３５】 さらに、もし所望の表面形態を形成できるスタンピング条件下で熱硬化性物の
流動性が十分であれば、アプリケーションで熱硬化性物を用いることができる。
様々なアプリケーションで異なるガラス転移温度を有する複数の重合体が必要で
あるとき、所望のガラス転移温度をもつ薄膜を得るために、プラスチック（ホモ
重合体、共重合体、もしくは、混合物）のガラス転移温度を調整することができ
ることはメリットがある。最後に、コーティング液を作る際には、米国特許第５
５３４６０２号（発明者ルピンスキー（Ｌｕｐｉｎｓｋｉ）とコール（Ｃｏｌｅ
）、１９９６年）で記述されているもの等の重合体混合物を使うことができる。
本例の重合体混合物は、約１９０℃から約３２０℃までの様々なガラス転移温度
を選択的に提供する。
【００３６】 プラスチックの例には、これらに限定されることはないが、アモルファスと、
結晶と半結晶の熱可塑性材料、即ち、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン（これら
に限定されることはないが、線状と環状のポリオレフィンを含み、また、ポリエ
チレン、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレン等を含む）、ポリエステル（これ
らに限定されることはないが、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレ
フタレート、ポリシクロヘキシルメチレンテレフタレート等を含む）、ポリアミ
ド、ポリスルホン（これらに限定されることはないが、水素化ポリスルホン等を
含む）、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニ
レンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ＡＢＳ樹
脂、ポリスチレン（これらに限定されることはないが、水素化ポリスチレン、シ
ンジオタクティックとアタクティックのポリスチレン、ポリシクロヘキシルエチ
レン、スチレン−コ−アクリロニトリル、スチレン−コ−無水マレイン酸等を含
む）、ポリブタジエン、ポリアクリレート（これらに限定されることはないが、
ポリメタクリル酸メチル、メタクリル酸メチル−ポリイミド共重合体等を含む）
、ポリアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレン
エーテル（これらに限定されることはないが、２、３、６−トリメチルフェノー
ルを含む共重合体と２、６−ジメチルフェノールから派生するもの等を含む）、
エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアセテート、液晶重合体、エチレン
−テトラフルオロエチレン共重合体、芳香族ポリエステル、ポリフッ化ビニル、
ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン、テフロンと、エポキシ、フェノー
ル、アルキド、ポリエステル、ポリイミド、ポリウレタン、ミネラル充填シリコ
ーン、ビスマレイミド、シアン酸エステル、ビニル、ベンゾシクロブテン樹脂と
、それらのなかの少なくとも１つを有する合成物、反応生成物、混合物、共重合
体、ブレンド等の熱硬化性樹脂が含まれる。
【００３７】 充填材／補強材／コア材料は、プラスチックとコンパチブルな材料でよく、ま
た、プラスチック内、もしくは、それに対して確保できる、即ち、プラスチック
を塗布して、所望の品質の表面をデータ記憶領域に作ることができ、また、所望
の追加的な機械的強度を基板に与えることができる、使用される記憶媒体にとっ
て究極の環境に合う材料でよい。可能な材料には、（シリカ、可融合ガラス等の
）ガラス、気泡材料やその他の低密度材料、炭素、（アルミニウム、スズ、鋼鉄
、プラチナ、チタン、金属基、もしくは、それらのうちの少なくとも１つを有す
る合金や合成材料やその他の材料等の）金属、有機材料と無機材料、セラミック
（例えば、ＳｉＣ、Ａｌ2 Ｏ3 等）熱可塑性物質、熱硬化性物質、ゴム、また、
とりわけ、これらの材料のうちの少なくとも１つを有する合成材料、合金、合成
物やその他の材料が含まれる。これらの材料は、様々な大きさと幾何学様式の、
粒子、気泡、ミクロスフェア、もしくは、その他の中空充填剤、（長い、短い、
連続的な、もしくは、切られた等の）繊維、メッシュ、織物、非織物、プリフォ
ーム、挿入材、プレイト、ディスク、もしくは、それらのうちの少なくとも１つ
を有する組み合わせやその他のものの形態でよい。例えば、図３３から図３５は
コア／挿入材の幾何学様式の幾つかを示すものであり、重合体材料は、薄い（例
えば、約５０μより薄い）コーティング、もしくは、厚い（例えば、約５０μよ
り厚い）コーティングをコア／挿入材上に有する。ガラスと金属と金属基複合材
料と炭素コアは、通常、アプリケーションの幾つかでは好ましいものであり、そ
のアプリケーションでは、これらの材料を含む基板の硬度が熱的に低下するため
、温度上昇が一つの因子となる。
【００３８】 使用される充填材の量は所望の基板の機械的特性に依存し、充填剤は基板の高
調波成分と表面品質と慣性的因子に影響を与える。（粒子、穴、気泡、コア、挿
入材等の）充填材は、基板の体積（体積％）の９９．９％以上を占有できる、一
般的には、約５体積％から約５０体積％までが充填材で占有され、別の実施形態
では、約８５体積％から約９９体積％までが充填材によって占有されることが好
ましい。
【００３９】 記憶媒体を製造するために、射出成形、フォーミング（ｆｏａｍｉｎｇ）プロ
セス、スパッタリング、プラズマ蒸着、真空蒸着、電着、押出しコーティング、
スピンコーティング、スプレーコーティング、メニスカスコーティング、データ
スタンピング、エンボス処理、表面ポリシング、フィクスチャリング（ｆｉｘｔ
ｕｒｉｎｇ）、ラミネート処理、ロータリ成形処理、２ショット成形処理、共注
入、薄膜のオーバモールディング、マイクロセルラ成形処理、その他の技術と、
それらのうちの少なくとも１つを有する組み合わせを含む多くの方法を用いるこ
とができる。用いられる技術によって、所望の表面形態の（例えば、（ピットや
溝等の）サーボパタニング、ビットパタニング、エッジ態様、突起部、でこぼこ
部（例えば、レーザーバンプ等）、Ｒａ等）を適所に有する基板を製造できるこ
とが好ましい。
【００４０】 可能なプロセスの１つには、溶融プラスチックを用いてモールドを充填する射
出成形−圧縮技術がある。モールドは、プリフォーム、挿入材、充填剤等を含ん
でいてもよい。プラスチックは冷却されながら、少なくとも部分的に溶融状態で
押し付けられて、同心のらせん状、もしくは、その他の方向に配列された所望の
表面形態（例えば、ピット、溝、エッジ態様、平滑さ等）が、基板の所望の部分
、即ち、所望の領域の一方の側かその両側上に刻印される。次に、基板は室温ま
で冷却される。
【００４１】 光学的な、もしくは、磁気的なデータ記憶を基板上で行うために、記憶情報は
しばしば基板表面に記憶される。（ＣＤの場合）この情報は表面に直接刻印され
るか、もしくは、基板（例えば、「ウィンチェスタ」ハードディスクドライブ）
の表面上に保存される、光学的か磁気的に説明できる媒体に記憶可能である。こ
のようなシステムの表面品質の必要条件を満たすために、ディスク（金属、セラ
ミック、ガラス等）には、例えば、リン化ニッケル（ＮｉＰ）が塗布され、次に
、所望の表面品質を得るためにポリッシュされる。しかしながら、ポリシングは
コストが高く、骨の折れるプロセスである。さらに、態様、例えば、ピットや溝
がセクター区域マップ等の地理的ロケータとしての使用に好ましいものであって
も、これらの基板は態様を表面上に刻印する能力を提供するものではない。通常
、これらの地理的ロケータの深さは約３０ナノメータ（ｎｍ）以上であり、一般
的に約２０ｎｍから約３０ｎｍまでが好ましい。
【００４２】 一実施形態では、金属、ガラス、セラミック、もしくは、プラスチック層が適
用されるその他の基板は所望の機械的特性を有し、表面に表面形態を刻印できる
。スピンコーティング、蒸着（例えば、プラズマＣＶＤ）、電着コーティング、
メニスカスコーティング、スプレーコーティング、押出しコーティング等とそれ
らのうちの少なくとも１つを含む組み合わせを有する様々な技術によってプラス
チック層を堆積させることができる。
【００４３】 スピンコーティングでは、プラスチックの先駆物質溶液（例えば、モノマーや
オリゴマー）、もしくは、（溶媒が使用可能である、即ち、モノマーのうちの１
つが溶媒として機能することができる）プラスチック自体を作る。塗布されるデ
ィスクは回転可能な面に合わせて確保され、プラスチック溶液の一部が基板の中
心付近に与えられる。別の方法では、コーティングされる予定のディスクの内部
境界に沿ってリング状の幾何学様式でプラスチック溶液のしずくが落とされる。
次に、ディスクを十分なレートで回転させ、遠心力によって、プラスチック溶液
をディスク面に渡って散布する。最後に、適用可能であれば、コーティングは乾
かされキュアされる。
【００４４】 基板に対するコーティングの粘着性を改善するために、オプションとして、有
機シラン、もしくは、その他の従来の粘着プロモータ等の粘着プロモータを使う
ことができる。使用可能な有機シランには、デュポン（ＤｕＰｏｎｔ）から商業
的に入手可能なＶＭ−６５１とＶＭ−６５２が含まれる。粘着プロモータを使う
場合は、通常、それは、メタノールや水やそれらのうちの少なくとも１つを有す
る組み合わせ等の溶媒に溶かされて、プラスチックのしずくを適用する前に、デ
ィスクに適用される。一旦粘着プロモータがディスクにスピン塗布されると、上
述したように、プラスチックコーティングが適用される。
【００４５】 例えば、ＧＥ社のプラスチックス部門から商業的に入手可能なＵｌｔｅｍ（登
録商標）樹脂グレード１０００等のポリエーテルイミド樹脂は、アニソール／ガ
ンマブチロラクトン溶媒系（重量（重量％）が１５％のＵｌｔｅｍ樹脂）に溶か
される。剛性基板（金属、重合体、ガラス、もしくは、その他の材料）は、オプ
ションとしてポリッシュされるが、一般的にスピナーと呼ばれる回転可能なデバ
イス上に置かれ、機械的デバイス、即ち、バキューム装置によって適当な位置に
固定される。水／メタノール溶液中の５ｍｌの０．０５％溶液ＶＭ６５１（デュ
ポン（ＤｕＰｏｎｔ）から商業的に入手可能な粘着プロモータ）等の粘着プロモ
ータが適用されるが、これは、回転する基板上、もしくは、静止基板上にそれを
与えることによってなされる。次に、例えば、約３０秒間で約２０００ｒｐｍの
レートで基板を回転させて、粘着プロモータを分配する。粘着プロモータを使う
場合は、オプションとして、例えば、メタノールを使って、基板をすすいで、過
度の粘着プロモータを除去し、プラスチック溶液を適用する前に（例えば、気乾
、真空乾燥、熱乾燥等で）乾かされる。
【００４６】 一旦剛性基板が作られると、オプションとして、塗布されない領域をマスクし
て、プラスチック溶液を基板の塗布領域の内径の回りに適用することができる。
基板を回転させて、プラスチック溶液を基板に渡ってほぼ均一に散布して、薄膜
を形成させる。薄膜の厚さは、様々なパラメータ、例えば、プラスチック溶液量
と所望の厚さとプラスチック溶液の粘性とスピンレートとスピン期間とプラスチ
ック溶液の固形分と、とりわけ、（温度、湿度、ガス体の種類（例えば、不活性
ガス）、大気圧を含む）環境条件に依存する。約０．１ミクロン（μ）を下回る
厚さが得られても、薄膜は十分に厚いことが好ましく、これによって、基板の望
ましくない欠陥面に平らな面を提供し、所望の表面形態（例えば、ピット、溝等
）を薄膜上に配置することができる。通常、厚さが約０．５μ以上であることが
一般的に好ましく、約５０μまでの厚さが可能であり、約２０μまでが望ましく
、特に、記憶媒体へ適用する場合は約０．５μから約１０μまでが好ましい。薄
膜によってマスクする必要のある剛性基板表面の欠陥はもとより、薄膜上に配置
される形態の所望の深さによって、決定された最終の厚さの範囲はある程度変更
可能である。
【００４７】 基板の所望の領域に渡ってプラスチック溶液を分散させるために十分なスピン
期間とスピンレートは、全て相互依存パラメータであり、例えば、プラスチック
溶液の粘性とその固形分と、所望のコーティングの厚さを含む因子に基づいてそ
れらのパラメータが選択される。しかしながら、通常、スピンレートは約５分間
以上の期間では、約１０００回転／分（ｒｐｍ）よりも大きく、約２．５分以下
の期間では約１５００ｒｐｍより大きいことが好ましく、特に、約１．５分以下
の期間では約１８００ｒｐｍより大きいことが望ましい。アニソール／ガンマブ
チロラクトン溶媒中に１５重量％のＵｌｔｅｍ樹脂グレード１０００を含むプラ
スチック溶液を用い、２５秒の期間で２０００ｒｐｍのスピンレートで、例えば
、３μの厚さのコーティングを適用することができる。
【００４８】 一旦基板にコーティングが与えられると、溶媒を除去し重合体の先駆物質を重
合させ（必要ならば）、効果的なレートで所望の表面品質を得るために十分な期
間にわたって、好適には窒素等の不活性ガス内でそれをキュアすることができる
。溶媒を除去することによって有害な影響を面形態に与えないように、塗布され
た基板をあるレートで所望の温度まで上げることができる。例えば、塗布された
基板を約２００℃より高い温度まで加熱することができ、通常は、約１０°／分
のレートで約３００℃以上が好ましく、約５°／分までのレートが望ましく、特
に、約３°／分より低いレートが好ましい。一旦基板が所望の温度に達すると、
溶媒を除去し、必要ならば、重合体の先駆物質を重合させ、冷却するための十分
な時間に渡ってその温度が維持される。通常、数時間の期間が使われ、２時間よ
り少ない期間が好ましく、特に、数分、もしくは、その一部のレートが好ましい
。オプションとして後に続く処理を使って、このように作られた基板を磁気ハー
ドドライブ等のデータ記憶アプリケーション用に使うことができる。
【００４９】 別の方法では、マイクロ波テクノロジーを用いて基板（基板全体、もしくは、
コア上のコーティング）をキュアすることができる。可変周波数／マイクロ波キ
ュアシステムを利用することが好ましい。基板はマイクロ波の領域に入り、必要
ならば、実質的にコアに影響することなく、マイクロ波は重合体を選択的に加熱
するように、特定の基板向けに掃引レート、パワー、バンド幅、中心周波数が調
整される。
【００５０】 その他の利用可能なキュア技術では紫外線光が用いて、クロスリンク反応、放
射加熱（ホット面の極近傍にサンプルを配置する）、接触加熱（サンプルは、ホ
ットフィクスチャと物理的に接触するのでそれと熱的に接触する）、早い熱的ア
ニーリング（例えば、１０°／秒より大きい高速レートで加熱される石英等のラ
ンプやコイル等の熱源を用いて）、電磁加熱（例えば、無線周波数を使って）等
とそれらのうちの少なくとも１つを有する組み合わせを開始する。
【００５１】 上述のキュア技術に関連して、その他の処理方法を用いて、キュアプロセスを
促進し、溶媒を除去し、製品品質を改善することができる。さらに別な処理方法
では、真空を利用して、剥離剤（例えば、不活性ガス、不活性揮発性溶媒、共沸
混合物等）、乾燥剤と、その他の従来の方法と、それらの少なくとも１つを有す
る組み合わせが用いられる。
【００５２】 別の方法でのキュア時間は経済状態に基づくものでよく、キュア処理の次に、
所望の表面形態（ピットや溝やでこぼこ部（例えば、レーザーバンプ）やエッジ
態様や平坦度）を表面に配置することができる。その次に、適用可能ならば、（
熱的や紫外線等によって）プラスチック薄膜をキュアし、また、オプションとし
て、フォトリソグラフィ（ドライエッチを含むが、これに限定されることはない
）や直接書きこみによるレーザーアブレーション、もしくは、フォトマスクを用
いた幅広い露光処理やホットスタンピングやコールドスタンピングやエンボス処
理、もしくは、その他の技術によって、所望の表面形態が形成される。
【００５３】 フォトリソグラフィによって表面形態を基板上に配置することは、従来のフォ
トリソグラフィ技術、例えば、反応性イオンエッチングやプラズマやスパッタリ
ングや、重合体コーティングをエッチするための液体化学薬品や化学的気体を用
いる技術を用いることによって行うことができる。例えば、コンタクトプローブ
／データ記憶デバイスを製造するために使われるナノ刻印フォトリソグラフィ等
の従来のフォトリソグラフィ技術は役に立つが、表面形態内で十分な深さのプラ
スチック薄膜を保持して、所望の平坦度をもつ剛性基板表面を提供するように注
意を払う必要がある。
【００５４】 一般的に、基板はプラスチックか、もしくは、エンボス処理表面に少なくとも
プラスチック薄膜を有するので、エンボス処理が好ましい。プラスチック材料の
レオロジーによる理論に限定されずに、ピット、溝、エッジ態様を基板にエンボ
スすることができるだけでなく、所望の表面品質（例えば、所望の平坦度、粗さ
、マイクロオーダのうねり、平坦度）にもエンボスすることができる。好適な実
施形態では、エンボスされたビットパターンやサーボパターンの深さは約１０ｎ
ｍから約１５０ｎｍであって、約２０ｎｍから約５０ｎｍまでが好ましい。約１
０ｎｍより浅い深さは、ヘッドデバイスによって正確に認識されない形態となる
。逆に、より深い形態、即ち、それらの範囲外で変る形態は、ヘッド−ディスク
間の好ましくない相互作用を生み出す。
【００５５】 従来の技術を利用してエンボス処理を実行することができる。別の方法では、
モールドを余熱することによって、プラスチック面を有するディスク等の基板を
エンボスするユニークなエンボス処理技術を用いることができる。基板の温度に
関し、基板のプラスチック面に所望の表面形態をエンボスできる温度までモール
ドを加熱するべきである。モールド温度は、エンボスされる材料のガラス転移（
Ｔｇ）温度か、それより高いか、もしくは、それより低い温度でよい。温度がそ
のガラス転移温度より高い場合は、モールド温度は、材料のガラス転移温度であ
る約３０℃以内であり、温度が約１５℃以内であることが好ましく、特に、温度
は約１０℃以内であることが好ましく、モールドはエンボスされる材料のガラス
転移温度より低い温度まで余熱されることが好ましい。特に好適な実施形態の結
晶材料では、ガラス転移温度より２，３度低い範囲までモールドが加熱されるこ
とが好ましく、アモルファス材料では、少なくとも約５℃以内の温度であり、ま
た、少なくとも約１０℃以上であることが好ましい。
【００５６】 モールドが加熱されることに加え、エンボスされる材料のガラス転移温度より
高い温度まで基板は加熱される。基板は、基板上に地理的ロケータやその他の表
面形態を複製することを容易にするために必要な材料温度まで加熱される。通常
、結晶材料では、基板はガラス転移温度より高い約５℃以下にまで加熱され、ア
モルファス材料では、一般的に、約５℃より高い温度である。
【００５７】 一旦基板が所望の温度に達すると、それはモールド内に置かれて圧力がかけら
れる。モールドに基板を置いた後で、完全な表面形態を維持しつつ複製を最適化
し、基板をモールドから放すことができるように必要に応じてその温度を維持す
るか、上げるか、もしくは、下げることができる。通常、完全な表面形態を維持
するために、モールドから除去する前に、成形された基板はガラス転移温度より
低い温度に冷却される。
【００５８】 材料のガラス転移温度より低い温度にモールドを余熱して維持することによっ
て、多数の基板の加工に特に関連する従来のエンボスプロセスの加熱と冷却に必
要な時間は著しく少なくなる。例えば、エンボスされる材料のガラス転移温度よ
り高い温度まで多数の基板が加熱される。一方では、モールドは、ガラス転移温
度より低い温度に加熱され維持される。次に、基板はモールド内に置かれ、モー
ルドは（温度差によって）基板を冷却する。次に、基板はモールドから除去され
、次の基板がモールド内に置かれる。基板とモールドをガラス転移温度より高い
温度に加熱し、次に、従来どおり、組み合わせをガラス転移温度より低い温度ま
で冷却する必要はない。従来のエンボス処理技術では、通常、完了するまでに約
６時間から１２時間かかり、上述のエンボス処理技術では、分のオーダで完了す
る。
【００５９】 例えば、ポリエーテルイミド（Ｕｌｔｅｍ樹脂グレード１０１０）が塗布され
たアルミニウムディスクは、スピンドルに取り付けられ、オーブン炉で約７８０
°Ｆ（４１５℃）に加熱される。所望の表面形態にとってマイナスとなるエンボ
ス処理用モールドは約２０５℃に加熱される。一旦ディスクがその温度になると
、それはモールド内に装填されて、（モールドの温度によって）冷却されて、時
間−圧力プロファイルに基づいて圧縮されて、基板表面に表面形態がエンボスさ
れる。次に、エンボス基板はモールドから取り出される。
【００６０】 ガラス転移温度より低いか、もしくは、わずかに高い状態にモールドを維持し
、ガラス転移温度より高い温度に基板を独立に過熱することによって、その分、
エンボス処理のサイクルタイムを短くすることができる。
【００６１】 一旦基板に重合体が塗布され、適切な表面形態が形成されると、必要に応じて
、一つ以上の従来技術、例えば、スパッタリング、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、反
応性スパッタリング、蒸着等によって、様々な層を基板に適用できる。例えば、
幾つかのケースでは、高面積密度の記憶媒体は、単なる地理的ロケータである、
即ち、それらはデータを記憶する必要のないピットと溝を重合体基板に有するこ
とがある。データはデータ記憶層に記憶される。さらに、従来の、即ち、「低」
密度のコンパクトディスクより高密度での入射(impinging) 工程を繰り返すこと
によって、データ記憶層に記憶されるデータを変える（再書き込みする）ことが
できる。
【００６２】 基板に適用される層には、（例えば、磁気的、磁気光学的等の）１つ以上のデ
ータ記憶層と保護層と誘電層と絶縁層と、それらとその他のものの組み合わせを
含むことができる。データ記憶層は、検索可能なデータを記憶できる光学的層や
磁気的層や、より好適には、厚さが約６００Åの磁気光学的層等の材料を有する
ことができるが、その厚さは約３００Åであることが好ましい。可能性のあるデ
ータ記憶層には、酸化物（酸化シリコーン等）や希土類元素−転移金属合金やニ
ッケルやコバルトやクロムやタンタルやプラチナやテルビウムやガドリニウムや
鉄やホウ素やその他の材料や、それらのうちの少なくとも１つを有する合成材料
と合金や、有機染料（例えば、シアニン染料やフタロシアニン染料）や無機相変
化化合物（例えば、ＴｅＳｅＳｎ、もしくは、ＩｎＡｇＳｂ）が含まれるが、こ
れに限定されることはない。データ層の保磁度は少なくとも約１５００エルステ
ッドであることが好ましく、特に、保磁度が約３０００エルステッド以上である
ことが望ましい。
【００６３】 保護層はちりや油やその他の汚染物質から防御するものであるが、その厚さは
１００μより厚いが約１０Åより薄く、幾つかの実施形態では、厚さは約３００
Å以下であることが望ましい。別の実施形態では、厚さは約１００Å以下である
ことが特に好ましい。通常、例えば、磁気的、光学的、もしくは、磁気光学的な
、用いられるリード／ライト機構の種類によって、保護層の厚さが少なくともあ
る程度決定される。
【００６４】 可能性のある保護層には、窒化物（例えば、窒化珪素と、とりわけ、窒化アル
ミニウム）等の錆止め材料や、カーバイド（例えば、シリコンカーバイドやその
他の材料）や、酸化物（例えば、２酸化珪素やその他の材料）や、重合体材料（
例えば、ポリアクリレートやポリカーボネート）や、とりわけ、炭素薄膜（ダイ
ヤモンド、ダイヤモンド似の炭素等）や、それらのうちの少なくとも１つを有す
る合成材料が含まれる。
【００６５】 誘電層はしばしば熱コントローラとして用いられるが、通常、その厚さは約１
ＯＯＯÅ以内か、それを越えるか、または、約２００Åほども薄い。可能性のあ
る誘電層には、窒化物（例えば、窒化珪素や窒化アルミニウムやその他の材料）
や酸化物（例えば、酸化アルミニウム）やカーバイド（例えば、シリコンカーバ
イド）や、それらのうちの少なくとも１つを有する合成材料や、とりわけ、その
環境でコンパチブルであって、好適には回りの層と反応しない材料が含まれる。
【００６６】 反射層（１層又は複数層）はデータ検索を可能にするための十分な量のエネル
ギを反射する十分な厚さを有するべきである。通常、反射層の厚さは約７００μ
以内であり、一般的に、約３００μから約６００μの厚さが好ましい。可能性の
ある反射層には特定のエネルギ場を反射できる材料が含まれ、金属（例えば、ア
ルミニウム、銀、金、チタン、合金、それらの少なくとも１つを有する混合物、
もしくは、その他の材料）が含まれる。データ記憶層と誘電層と保護層と反射層
に加えて、潤滑層等の他の層も用いることができる。役に立つ潤滑剤としては、
フルオロ化合物、特に、フルオロ油やグリース等が含まれる。
【００６７】 剛性基板、例えば、表面形態がエンボスされたプラスチック樹脂を有するアル
ミニウム基板を含む上述の記憶媒体での予期せぬ結果は、従来の記憶媒体と比べ
て、ヘッドスラップ（ｈｅａｄ ｓｌａｐ）性能が維持されることであった。従
来のアルミニウム媒体には、通常、例えば、リン化ニッケルを塗布することによ
って、ポリシングに対する表面の硬度が改善され、ヘッドとの接触によってこす
られる表面の損傷が阻止される。プラスチック樹脂は、一般的に、アルミニウム
表面のコーティングより柔らかく、記憶媒体のヘッドスラップ抵抗を制限すると
期待される。しかしながら、予想と異なり、プラスチック薄膜を含む上述の記憶
媒体のスラップ抵抗の低下は観察されなかった。この予想と異なる結果はプラス
チック薄膜の厚さに幾分依存するもので、より厚いプラスチック薄膜のヘッドス
ラップ抵抗は下がると予想される。従って、特に好ましい実施形態では、表面形
態を含むことが望ましいプラスチック薄膜で覆われたアルミニウム基板のヘッド
スラップ抵抗は、プラスチック薄膜を含まずに覆われたアルミニウム基板のヘッ
ドスラップ抵抗にほぼ等しい。ガラス等のその他の剛性基板でも、同様のヘッド
スラップでの結果を得ることができる。
【００６８】 従来の光学的システムや磁気光学的システムや磁気的システムや、より高品質
で高い面積密度の記憶媒体を必要とする先端システムで、上述の記憶媒体を用い
ることができる。使用中に、記憶媒体に入射するエネルギ場の形態でエネルギ（
磁気、光、その組み合わせ等）がデータ記憶層に接触するように、リード／ライ
トデバイスに関連して記憶媒体が配置される。基板に接触する（もし、そうであ
るとすれば）前に、エネルギ場は記憶媒体上に配置された層に接触する。エネル
ギ場によって、記憶媒体に物理的、もしくは、化学的変化が起こり、層上のその
ポイントへのエネルギ入射が記録される。例えば、入射磁場は、層内の磁区の配
向を変化させる、即ち、入射光ビームが材料を加熱することによって、位相変換
を引き起こすことがある。
【００６９】 例えば、図２を参照すると、磁気光学システム１００でのデータ検索では、そ
の層に入射する偏光１１０（白色光、レーザー光等）をデータ記憶層１０２に接
触させる。データ記憶層１０２と基板１０８間に配置される反射層１０６は、光
を反射してデータ記憶層１０２と保護層１０４を通って、データが検索されるリ
ード／ライトデバイス１１２に戻る。
【００７０】 図３を参照すると、別の実施形態のリード／ライトデバイス１１２は、ディス
ク記憶層１０２’内の磁区の極性を検出する（即ち、データが読み出される）。
データを記憶媒体に書きこむために、リード／ライトデバイス１１２によって、
データ記憶層１０２に磁場をかけられる。磁場は、リード／ライトデバイス１１
２’から、潤滑層１０５と保護層１０４を通って磁気的層１０２’に進み、２方
向の一方に並ぶ磁区を形成するので、デジタルデータビットが定義される。
【００７１】 以下の例は、本発明をさらに示すために提供されたものであり、その範囲を限
定するものではない。
【００７２】
【実施例１】 本技術で周知の標準条件下で射出成形を用いて、ポリエーテルイミド樹脂（Ｇ
Ｅ社プラスチックス部門から入手されたＵｌｔｅｍ樹脂グレード１０１０）から
外径が１３０ｍｍで厚さが１．２ｍｍの基板が形成された。基板表面の平坦度は
１０ÅＲａより低く、第１のモード周波数は約１７５Ｈｚであった。本周波数で
は、軸方向の変位は約０．８８９ｍｍであった。従来技術（比較例１）と比べた
ときのメリットは明らかである。
【００７３】
【実施例２】 ２０重量％の炭素繊維で充填されたポリカーボネートの射出成形によって、１
３０ｍｍの直径と１．２ｍｍの厚さの寸法をもつ基板を製造することができる。
材料の曲げ係数は１．６ミリオンｐｓｉで、機械的減衰係数は０．０１５で、比
重は１．２９ｇ／ｃｃである。振動励起時での記憶媒体の軸方向最大変位は０．
３２ｍｍであり、第１のモード周波数は３０２Ｈｚである。
【００７４】
【実施例３】 ２０重量％のセラミックマイクロ繊維を含むポリフェニレンエーテル／ポリス
チレン（ＰＰＥ／ＰＳ）のコアとＰＰＥ／ＰＳ（４０／６０）膜を使って、共射
出成形によって、外径が９５ｍｍで厚さが２ｍｍの基板が形成された。１０−２
０μの長さｘ０．３−０．６μの直径のオーダの平均寸法をもつマイクロ繊維は
、従来の炭素繊維よりもかなり小さかった。従来の炭素繊維が共注入されたディ
スクと比べて、だいたい２の因子で基板表面の平坦度は改善され、第１のモード
周波数は約４２５Ｈｚだった。この周波数で、軸方向の変位は約０．１５ｍｍだ
った。従来技術（比較例１）と比べたときのメリットは明確である。
【００７５】
【実施例４】 本技術で周知の標準条件下で約１単位のコアと１単位の膜の厚さ比の共射出成
形を用いて、ポリカーボネートで充填された２０重量％の炭素繊維コアと純粋ポ
リカーボネート膜で外径が１３０ｍｍで厚さが１．２ｍｍの基板が形成された。
基板表面の平坦度は約１０ÅＲａで、第１のモード周波数は約２１０Ｈｚであっ
た。この周波数で、軸方向の変位は約１．２７ｍｍだった。しかしながら、コア
対膜比の変化によって変位と周波数を変えることができる。従来技術（比較例１
）に比べたときのメリットは明確である。
【００７６】
【実施例５】 本技術で周知の標準条件で射出成形を用いて、３０重量％の炭素繊維と２１重
量％のポリ（スチレン−イソプレン）と３．５重量％のポリ（スチレン−無水マ
レイン酸）を（完全に構成物の全重量に基づいて）含むポリカーボネートから、
外径が１２０ｍｍで厚さが０．９ｍｍの基板を形成する。第１のモード周波数は
約２９２Ｈｚである。この周波数で、軸方向の変位は約０．０６９ｍｍである。
従来技術（比較例１、２）と比べたときのメリットは明確である。
【００７７】
【実施例６】 ３０重量％の炭素繊維と２１重量％のポリ（スチレン−イソプレン）振動減衰
充填材と３．５重量％のポリ（スチレン−無水マレイン酸）とポリカーボネート
膜を含むポリカーボネートコアを（完全に構成物の全重量に基づいて）用いて、
本技術で周知の標準条件下で共射出成形によって、外径が９５ｍｍで厚さが２ｍ
ｍである基板を形成する。コアはディスクの厚さの約５０％を有する。基板表面
の平坦度は約１．３ｎｍＲａであり、第１のモード周波数は約４５０Ｈｚである
。この周波数で、軸方向の変位は約０．０３３ｍｍである。従来技術（比較例１
、２）と比較したときのメリットは明確である。
【００７８】
【実施例７】 ２０重量％の炭素繊維と１０重量％のポリ（スチレン−イソプレン）を（完全
に構成物の全重量に基づいて）含むポリカーボネートコアとポリカーボネート膜
を用いて、モールドの片側、もしくは、両側にポリカーボネート薄膜を含むモー
ルド内に充填された材料を射出成形することによって、外径が１３０ｍｍで厚さ
が１．２ｍｍの基板を形成する。基板表面の平坦度は約１ｎｍＲａであり、第１
のモード周波数は約２５０Ｈｚである。この周波数で、軸方向の変位は約０．２
０ｍｍである。従来技術（比較例１及び２）と比べたときのメリットは明確であ
る。
【００７９】
【実施例８】 モールドの片側、もしくは、両側にポリカーボネート薄膜を含むモールド内に
３０重量％の炭素繊維を含むポリカーボネートコアを用いて、外径が１３０ｍｍ
で厚さが１．２ｍｍである基板を形成する。基板表面の平坦度は約１ｎｍＲａで
あり、第１のモード周波数は約３００Ｈｚである。この周波数で、軸方向の変位
は約０．４０ｍｍである。従来技術（比較例１）と比べたときのメリットは明確
である。
【００８０】
【実施例９】 ポリエーテルイミドの薄層（５μ）は、アルミニウム基板の片側、もしくは、
両側に電気化学的に堆積される。次に、ホットスタンピング技術を用いて、ポリ
エーテルイミド薄膜表面に地理的ロケータ（ピット）を形成した。この基板は伝
統的なアルミニウム基板（比較例２）より優れていた。これは、それがエンボス
処理によって形成されたその他の表面形態と地理的ロケータの所望のピット構造
を含むからである。
【００８１】
【実施例１０】 アルミニウム基板の片側に溶液を含む重合体をスピンコーティングすることに
よって、ポリエーテルイミド（５μ）薄層を堆積させた。この基板は、伝統的な
アルミニウム基板（比較例２）より優れていた。これは、磁気的データ記憶アプ
リケーションで用いるには、最終的表面が十分に平滑であった（１０ÅＲａより
低く、全表面の平坦度は８μより低い）が、従来の金属、即ち、セラミック基板
の製造で用いられるめっきとポリシング工程を基板に対して施す必要はないから
である。スパッタされた磁気データ層を堆積させると直ぐに、２５００エルステ
ッドより大きな磁気保磁度が得られた。
【００８２】
【実施例１１】 ガラス基板の片側に溶液を含む重合体をスピンコーティングすることによって
、ポリエーテルイミド薄層（５μ）を堆積させた。最終的な表面は１０ÅＲａよ
り低く、全表面の平坦度は８μより低かった。スパッタされた磁気データ層を堆
積させると直ぐに、３０００エルステッドより大きな磁気保磁度が得られた。標
準の８００Ｇヘッドスラップテスト後、コーティングされた基板には損傷はなか
った。
【００８３】
【実施例１２】 アルミニウム−ホウ素カーバイド剛性基板の片側、もしくは、両側に溶液を含
む重合体をスピンコーティングすることによって、ポリエーテルイミド薄層を堆
積することができる。この基板は、材料の特定の係数がかなり高いので伝統的な
アルミニウム基板（比較例２）よりも優れている。それは、コーティングなしの
アルミニウム−ホウ素カーバイド基板よりも優れている。何故ならば、コーティ
ングによって、磁気データ記憶アプリケーションで用いるには十分な表面平坦度
が得られるからである。（不可能でないにしても、ポリシング等の従来の手段を
用いて、適切な表面平坦度を達成することは困難である。）
【００８４】
【実施例１３】 表面上に溶液を含む重合体をスピンコーティングしてキュアすることによって
、ポリエーテルイミド薄層をアルミニウム基板の片側に堆積した。次に、エンボ
ス処理技術、例えば、ホットスタンピングを用いて、表面に表面形態を形成した
。この基板は伝統的なアルミニウム基板（比較例２）より優れていた。何故なら
ば、それが、所望の表面品質と地理的ロケータの所望のピット構造、例えば、１
０ÅＲａより小さい構造を有しているからである。
【００８５】
【実施例１４】 Ｍｕｃｅｌｌマイクロセルラ射出成形プロセスを用いて、ポリカーボネート（
ＧＥ社プラスチックス部門）から入手されるＬｅｘａｎ（登録商標）樹脂グレー
ドＯＱ１０３０Ｌ）から外径が１３０ｍｍで厚さが１．２ｍｍで、マイクロ多孔
性の基板を形成することができる。比較例１と比べて、基板は２０％小さい慣性
モーメントと高いモード周波数を示す。
【００８６】
【実施例１５】 Ｍｕｃｅｌｌマイクロセルラ射出成形プロセスを用いて、モールドの片側、も
しくは、両側にポリカーボネート薄膜を含むモールド内で、ポリカーボネート（
ＧＥ社プラスチックス部門から入手されるＬｅｘａｎ樹脂グレードＯＱ１０３０
Ｌ）から、外径が１３０ｍｍで厚さが１．２ｍｍで、マイクロ多孔性で平坦なポ
リカーボネート膜を含む基板を形成することができる。基板は、表面の粗さが小
さい例１３の高いモード周波数と小さい慣性モーメントのメリットと同じメリッ
トをもつ。
【００８７】
【実施例１６】 本技術で周知の標準条件下で射出成形を用いて、約６０重量％の低溶融（４０
０℃より低い）ガラス充填材（コーニングコーテム（Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｔ
ｅｍ））で充填されたポリエーテルイミド（ＧＥ社プラスチックス部門）から入
手されるＵｌｔｅｍ樹脂グレード１０１０）から、外径が１３０ｍｍで厚さが１
．２ｍｍの基板を形成した。第１のモード周波数は約２１０Ｈｚであった。この
周波数で、軸方向の変位は約０．７２３ｍｍであった。従来技術（比較例１）と
比べたときのメリットは明らかである。
【００８８】
【実施例１７】 本技術で周知の標準条件下で射出成形を用いて、スチレン−アクリロニトリル
共重合体（ＧＥ社プラスチックス部門）から入手されるＳＡＮＣＴＳ１００）か
ら外径が１２０ｍｍで厚さが１．２ｍｍの基板を形成した。比較例１と比べて、
基板は、高いモード周波数が高く、平坦さが改善され、慣性モーメントが小さか
った。
【００８９】
【実施例１８】 射出成形を用いて、ポリ（フェニレンエーテル）樹脂とポリスチレンの６０／
４０重量％混合物から外径が１２０ｍｍで厚さが１．２ｍｍの基板を形成した。
比較例１と比べて、基板は、モード周波数が高く、平坦さが改善され、慣性モー
メントが小さかった。
【００９０】
【実施例１９】 射出成形を用いて、ポリ（フェニレンエーテル）樹脂とポリスチレンとポリス
チレン−コ−（アクリロニトリル）の４５／３０／２５重量％混合物から外径が
１２０ｍｍで厚さが１．２ｍｍの基板を形成できる。比較例１と比べて、基板は
モード周波数が高く、平坦さが改善され、慣性モーメントが小さい。
【００９１】
【実施例２０】 射出成形を用いて、ポリ（フェニレンエーテル）樹脂とポリスチレンの６０／
４０重量％混合物から外径が１２０ｍｍで厚さが１．２ｍｍの基板を形成した。
これには、２０重量％（構成物全体の重量に基づく全重量）の亜鉛スルフィド粒
子状充填材が含まれる。比較例１と比べて、基板はモード周波数が高く、平坦さ
が改善され、慣性モーメントが小さい。
【００９２】
【実施例２１】 射出成形を用いて、ポリ（フェニレンエーテル）樹脂とポリスチレンの６０／
４０重量％混合物から外径が１２０ｍｍで厚さが１．２ｍｍの基板を形成した。
これには、２０重量％の粘土粒子状充填材（構成物全体の重量に基づく全重量）
が含まれる。比較例１と比べて、基板はモード周波数が高く、平坦さが改善され
、慣性モーメントが小さい。
【００９３】
【実施例２２】 射出成形を用いて、ポリ（フェニレンエーテル）樹脂とポリスチレンの６０／
４０重量％混合物から外径が１２０ｍｍで厚さが１．２ｍｍの基板を形成できる
。これには、米国特許第５４５８８１８号で開示されているように、「制御され
る熱伝達」絶縁層を含むモールド内に２０重量％の亜鉛スルフィド粒子状充填材
（構成物全体の重量に基づく全重量）が含まれる。比較例１と比べて、基板はモ
ード周波数が高く、平坦さが改善され、慣性モーメントが小さく、例２０と比べ
て、モールド表面の複製が改善されている。
【００９４】
【実施例２３】 例１５と同様に基板を製造できる。マウントと基板間に粘弾性的ワッシャー（
例えば、エラストマー）を有するクランピングデバイスを用いて基板が固定され
た。この構造では、エラストマーワッシャーを含まないデバイスを用いてクラン
プされたときに、同じ基板と比べて第１のモード周波数で軸方向の変位（０．４
７５ｍｍ対０．７２３ｍｍ）が下がった。
【００９５】
【比較例１】 射出成形を用いて、ポリカーボネート樹脂（ＧＥ社プラスチックス部門から得
られたＬｅｘａｎ樹脂グレードＯＱ１０３０Ｌ）から外径が１３０ｍｍで厚さが
１．２ｍｍの基板を形成した。基板の表面平坦度は、約１０ÅＲａより低く、第
１のモード周波数は約１５０Ｈｚだった。この周波数で、軸方向の変位は約１．
４０ｍｍであった。
【００９６】
【比較例２】 アルミニウムから外径が１３０ｍｍで厚さが１．２ｍｍの基板を形成した。ア
ルミニウム薄板からディスクをパンチし、リン化ニッケルでめっきし、ポリシン
グして、（１０ÅＲａより低い）所望の表面の粗さを達成する。第１のモード周
波数は約５００Ｈｚだった。この周波数で、軸方向の変位は約０．０７５ｍｍで
あった。
【００９７】 ここで示された複数の例と教唆から、新規か改良されたデータ記憶媒体が発明
されたことは明らかである。幾つかの実施形態では、少なくとも一部がプラスチ
ック製で、例えば、面積密度が約５ギガビット／平方インチより大きい高記憶能
力の光学的媒体、磁気的媒体、磁気光学的媒体を設計できる。予期せぬ非常に望
ましい特性を有するその他の実施形態の記憶媒体が提供された。この特性の中に
は、例えば、表面の粗さが約１０ÅＲａより低く、マイクロオーダのうねりが小
さく、エッジリフトが約８μより小さく、温度が２４℃で機械的減衰係数が約０
．０４より大きく、共振周波数が約２５０Ｈｚより大きく、衝撃や振動励起状態
での軸方向の変位ピークは約５００μよりも小さく、データ層の保磁度が少なく
とも約１５００エルステッドであり、ヤング率が少なくとも約７ＧＰであるとい
う特性のうちの少なくとも１つが含まれる。
【００９８】 ここで説明した記憶媒体の一部には剛性コアが含まれ、その片面、もしくは、
両面にスピン塗布されたか、スプレー塗布されたか、電着されたか、もしくは、
それらの組み合わせのプラスチック薄膜や層を有する。プラスチックは、熱可塑
性か、熱硬化性か、もしくは、それらの組み合わせでよい。さらに別の実施形態
の記憶媒体では、好適にはエンボス処理技術（即ち、基板を物理的にパターン化
できる）を使って、プラスチック（薄膜、層、コア、基板）に表面形態（例えば
、ピット、溝、エッジ態様、でこぼこ部（例えば、レーザーバンプ等）、粗さ、
マイクロオーダのうねり等）が配置される。物理的にパターン化された基板の別
なメリットは、データ層のサーボパタニング（ピットや溝等）の必要性がないこ
とである。これによって、データ層をサーボパタニングする、通常、数時間のプ
ロセスである時間消費プロセスを不用にできる。さらに、データ層には、サーボ
パタニングが実質的に、もしくは、全く必要ないので、データ記憶に利用可能な
データ層領域が増える。
【００９９】 また、さらに別の処理と機械的な特性について予期しない結果も得られた。上
述したように、高い温度で、即ち、しばしばプラスチックのガラス転移温度を越
える温度でスパッタリング等の技術を用いて、さらに別の層（例えば、データ層
、反射層、保護層等）を堆積させても、プラスチックは持ちこたえた。また、剛
性ハイブリッド記憶媒体は、プラスチック薄膜や層を有する基板を有するが、従
来の記憶媒体と比較して、ヘッドスラップ性能が保持された。当業者にとって、
ここで提供された記述と複数の例からこれらの例示的実施形態とその結果が得ら
れることは明らかである。
【０１００】 従来技術による記憶媒体と異なり、所望の機械的特性と表面形態を得るために
、この記憶媒体は、少なくとも一部がプラスチック（例えば、少なくとも、プラ
スチック薄膜）である基板を用いる。プラスチックを用いたために、所望の表面
形態を有する基板を適所に形成することが可能である。さらに、粗さ等を有する
表面形態を基板表面に対して直接用いて、本記憶媒体の生産コストを効率的にす
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 光学的に透明基板を用いた従来の低面積密度システムの断面図である。
【図２】 基板を通過することなく、データ記憶層に入射する光を用いた本発明の記憶媒
体の可能な一実施形態を用いたリード／ライトシステムの断面図である。
【図３】 本発明の磁気的データ記憶用基板の一実施形態の断面図である。
【図４】 ９５ｍｍの外径と０．８ｍｍの厚さをもつ一枚ディスクの、基本軸方向での様
々なモード周波数に対する、曲げ係数対比重のグラフである。
【図５】 １Ｇの正弦波負荷によって励起された場合の様々な軸方向のピークツーピーク
変位に対する、比硬度（比重で割られた曲げ係数）対減衰係数のグラフである。
【図６】 純粋強化重合体の均質層を有する多層合成体である、１３０ｍｍの外径と１．
２ｍｍの厚さをもつディスクの基本軸方向のモード周波数を表すグラフである。
【図７】 純粋強化重合体の均質層を有する多層合成物（ＡＢＡ共注入ディスク）である
１３０ｍｍの外径と１．２ｍｍの厚さをもつディスクの第１基本周波数での振動
に対する軸方向のピークツーピーク変位を表すグラフである。
【図８】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの上面図を
示す。
【図９】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの上面図を
示す。
【図１０】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの上面図を
示す。
【図１１】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの上面図を
示す。
【図１２】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの上面図を
示す。
【図１３】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの上面図を
示す。
【図１４】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの上面図を
示す。
【図１５】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの断面図を
示す。
【図１６】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの断面図を
示す。
【図１７】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの断面図を
示す。
【図１８】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの断面図を
示す。
【図１９】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの断面図を
示す。
【図２０】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの断面図を
示す。
【図２１】 コア／挿入材や中空の孔や充填された孔を有し、また、コア／挿入材が様々な
位置に配置されて様々な幾何学様式を有する本発明の実施形態の１つの断面図を
示す。
【図２２】 図１９に類似した実施形態であって、ピットや溝を有する非均質（ＡＢＡ）基
板を示す。
【図２３】 プラスチック薄膜を有する基板を示す本発明の別の実施形態の断面図である。
【図２４】 プラスチック薄膜を有する基板を示す本発明の別の実施形態の断面図である。
【図２５】 本発明の３コンポーネントディスクの一実施形態の断面図である。
【図２６】 クランプで確保された本発明のディスクの別の実施形態の断面図である。
【図２７】 コアの一部の上に配置されたプラスチック薄膜を有する本発明のさらに別の実
施形態の断面図である。
【図２８】 本発明の基板に対して可能な基板幾何学様式の様々な実施形態の１つを示す略
図である。
【図２９】 本発明の基板に対して可能な基板幾何学様式の様々な実施形態の１つを示す略
図である。
【図３０】 本発明の基板に対して可能な基板幾何学様式の様々な実施形態の１つを示す略
図である。
【図３１】 本発明の基板に対して可能な基板幾何学様式の様々な実施形態の１つを示す略
図である。
【図３２】 本発明の基板に対して可能な基板幾何学様式の様々な実施形態の１つを示す略
図である。
【図３３】 本発明の記憶媒体に対して可能なコア幾何学様式の様々な実施形態の１つを示
す略図である。
【図３４】 本発明の記憶媒体に対して可能なコア幾何学様式の様々な実施形態の１つを示
す略図である。
【図３５】 本発明の記憶媒体に対して可能なコア幾何学様式の様々な実施形態の１つを示
す略図である。
【図３６】 チャープ(chirp) 励起によって得られた１３０ｍｍディスクのモード形状を示
す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３１Ｅ 5/65 5/65 5/73 5/73 7/005 7/005 Ｚ 11/105 ５２１ 11/105 ５２１Ａ ５２１Ｂ ５２１Ｃ ５２１Ｄ ５２１Ｅ ５４６ ５４６Ｄ (31)優先権主張番号 ６０／１３７，８８３ (32)優先日 平成11年６月７日(1999．6．7) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ６０／１３７，８８４ (32)優先日 平成11年６月７日(1999．6．7) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ６０／１４６，２４８ (32)優先日 平成11年７月29日(1999．7．29) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ， ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，Ｃ Ｚ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ， ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，Ｌ Ｒ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ， ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，Ｔ Ｒ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ファーラノ，ダニエル アメリカ合衆国、01201、マサチューセッ ツ州、ピッツフィールド、ウィリアムズ・ ストリート、274番 (72)発明者 ランダ，バーナード・ポール アメリカ合衆国、01201、マサチューセッ ツ州、ピッツフィールド、ポンドビュー・ ドライブ、エフ３番 (72)発明者 リキビ，パルフェ・ジャン・マリー アメリカ合衆国、47630、インディアナ州、 ニューバーグ、ウエストハンプトン・ドラ イブ、3322番 (72)発明者 フェイスト，トーマス・ポール アメリカ合衆国、12065、ニューヨーク州、 クリフトン・パーク、ウィンターグリー ン・サークル、11番 (72)発明者 ダイ，ケビン・シンタオ アメリカ合衆国、12065、ニューヨーク州、 クリフトン・パーク、カールトン・オーク ス、３番 (72)発明者 サブラマニアン，サレシュ アメリカ合衆国、12110、ニューヨーク州、 ラザム、デイン・コート、89番 (72)発明者 ハリハラン，ラメシュ アメリカ合衆国、12084、ニューヨーク州、 ギルダーランド、ヨークシャー・ドライ ブ、82シー番 (72)発明者 ブシュコ，ウィット・セザリー アメリカ合衆国、12189、ニューヨーク州、 ウォーターヴリエ、ハズウェル・ロード、 118番 (72)発明者 クボテラ，カズナオ アメリカ合衆国、12054、ニューヨーク州、 デルマー、シェフィールド・ドライブ、31 番 (72)発明者 ゴルジカ，トーマス・ビー アメリカ合衆国、12303、ニューヨーク州、 スケネクタデイ、ニュー・ウィリアムスバ ーグ、ドライブ、3059番 (72)発明者 ウッズ，ジョセフ アメリカ合衆国、12309、ニューヨーク州、 スケネクタデイ、2150・ローザ・ロード、 アパートメント・エー14シー番 Ｆターム(参考） 5D006 BB07 CA01 CA05 CB04 CB07 5D029 KA01 KA17 KA21 KA22 KA23 KA24 KB03 KB08 KB12 KB13 KB15 KC09 KC10 5D075 EE03 FG11 FG12 FG13 FG14 FG15 FG17 FG18 GG07 5D090 AA01 CC04 CC05 DD01 DD02

Claims (202)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 データの記憶媒体であって、 少なくとも１つのプラスチック樹脂部分を有する基板と、 前記基板上の少なくとも１つのデータ層とを有し、 少なくとも１つのエネルギ場によって、前記データ層の少なくとも一部に対す
    るを読み出し、書き込み、もしくは、それらの組み合わせを行うことが可能であ
    り、 また、エネルギ場が当該記憶媒体に接触する場合、前記エネルギ場は前記基板
    に入射する前に前記データ層に入射する、記憶媒体。
  2. 【請求項２】 前記エネルギ場は、電場と磁場と光学場のうちの少なくとも
    １つを有する、請求項１の記憶媒体。
  3. 【請求項３】 前記基板は約６ギガビット／平方インチより大きな面積密度
    を有する、請求項１の記憶媒体。
  4. 【請求項４】 前記基板の面積密度は約１０ギガビット／平方インチよりも
    大きい、請求項３の記憶媒体。
  5. 【請求項５】 前記基板の面積密度は約２５ギガビット／平方インチよりも
    大きい、請求項４の記憶媒体。
  6. 【請求項６】 ピット、溝、エッジ態様、でこぼこ部と、それらの少なくと
    も１つを有する組み合わせからなるグループから選ばれた表面形態をさらに有す
    る、請求項１の記憶媒体。
  7. 【請求項７】 前記表面形態は、元のマスタの複製部分の９０％より多い複
    製部分を有する、請求項６の記憶媒体。
  8. 【請求項８】 前記基板のエッジリフトの高さは約８ミクロンより短い、請
    求項１の記憶媒体。
  9. 【請求項９】 前記基板のエッジリフトの高さは約５ミクロンより短い、請
    求項８の記憶媒体。
  10. 【請求項１０】 前記基板のエッジリフトの高さは約３ミクロンより短い、
    請求項９の記憶媒体。
  11. 【請求項１１】 前記基板の表面の粗さは約１０ÅＲａより小さい、請求項
    ８の記憶媒体。請求項８の記憶媒体。
  12. 【請求項１２】 前記基板は、温度が２４℃で約０．０４よりも大きい機械
    的減衰係数を有する、請求項８の記憶媒体。
  13. 【請求項１３】 前記基板は、温度が２４℃で約０．０６よりも大きい機械
    的減衰係数を有する、請求項１２の記憶媒体。
  14. 【請求項１４】 前記基板の慣性モーメントは約５．５ｘ１０-3スラグ−平
    方インチ以下である、請求項８の記憶媒体。
  15. 【請求項１５】 前記基板は、各々約１°以下の独立した放射状のチルトと
    接線方向のチルトを有する、請求項８の記憶媒体。
  16. 【請求項１６】 ４週間後に８５％の相対湿度で８０℃の試験条件で平衡状
    態で約０．５％より低い範囲で前記基板の含水率は変化する、請求項８の記憶媒
    体。
  17. 【請求項１７】 前記基板の比重は約１．０より小さい、請求項８の記憶媒
    体。
  18. 【請求項１８】 前記基板の軸方向の変位のピークは、衝撃、もしくは、振
    動励起状態で約５００μより低い、請求項１の記憶媒体。
  19. 【請求項１９】 前記基板の軸方向の変位のピークは約１５０μより低い、
    請求項１８の記憶媒体。
  20. 【請求項２０】 前記基板のエッジリフトの高さは約８ミクロンより低い、
    請求項１８の記憶媒体。
  21. 【請求項２１】 前記基板のエッジリフトの高さは約５ミクロンより低い、
    請求項２０の記憶媒体。
  22. 【請求項２２】 前記基板のエッジリフトの高さは約３ミクロンより低い、
    請求項２１の記憶媒体。
  23. 【請求項２３】 前記基板の表面の粗さは約１０ÅＲａより小さい、請求項
    １８の記憶媒体。
  24. 【請求項２４】 前記基板は、温度が２４℃で約０．０４より大きい機械的
    減衰係数を有する、請求項１８の記憶媒体。
  25. 【請求項２５】 前記基板は、温度が２４℃で約０．０６より大きい機械的
    減衰係数を有する、請求項２４の記憶媒体。
  26. 【請求項２６】 前記基板の慣性モーメントは約５．５ｘ１０-3スラグ−平
    方インチ以下である、請求項１８の記憶媒体。
  27. 【請求項２７】 前記基板の慣性モーメントは約５．５ｘ１０-3スラグ−平
    方インチ以下である、請求項１の記憶媒体。
  28. 【請求項２８】 前記基板の慣性モーメントは約４．５ｘ１０-3スラグ−平
    方インチ以下である、請求項２７の記憶媒体。
  29. 【請求項２９】 前記基板の慣性モーメントは約４．０ｘ１０-3スラグ−平
    方インチ以下である、請求項２８の記憶媒体。
  30. 【請求項３０】 前記基板の表面の粗さは約１０ÅＲａより低い、請求項２
    ７の記憶媒体。
  31. 【請求項３１】 前記基板は、温度が２４℃で約０．０４より大きい機械的
    減衰係数を有する、請求項２７の記憶媒体。
  32. 【請求項３２】 前記基板は、約１°以下の放射状のチルトを有する、請求
    項１の記憶媒体。
  33. 【請求項３３】 前記基板は、約０．３°以下の放射状のチルトを有する、
    請求項３２の記憶媒体。
  34. 【請求項３４】 前記基板の慣性モーメントは約５．５ｘ１０-3スラグ−平
    方インチ以下である、請求項３３の記憶媒体。
  35. 【請求項３５】 前記基板は約１°以下の接線方向のチルトを有する、請求
    項１の記憶媒体。
  36. 【請求項３６】 前記基板は約０．３°以下の接線方向のチルトを有する、
    請求項３５の記憶媒体。
  37. 【請求項３７】 ４週間後に８５％の相対湿度で８０℃の試験条件の平衡状
    態で、前記基板の含水率は約０．５％より低い範囲で変化する、請求項１の記憶
    媒体。
  38. 【請求項３８】 ４週間後に８５％の相対湿度で８０℃の試験条件の平衡状
    態で、前記基板の含水率は約０．３％より低い範囲で変化する、請求項３７の記
    憶媒体。
  39. 【請求項３９】 前記基板の表面の粗さは約１０ÅＲａより小さい、請求項
    １の記憶媒体。
  40. 【請求項４０】 前記基板の表面の粗さは約５ÅＲａより小さい、請求項３
    ９の記憶媒体。
  41. 【請求項４１】 前記基板は、温度が２４℃で約０．０４より大きな機械的
    減衰係数を有する、請求項１の記憶媒体。
  42. 【請求項４２】 前記基板は、温度が２４℃で約０．０６より大きな機械的
    減衰係数を有する、請求項４１の記憶媒体。
  43. 【請求項４３】 前記基板の共振周波数は約２５０Ｈｚより大きい、請求項
    １の記憶媒体。
  44. 【請求項４４】 前記基板の表面の粗さは約１０ÅＲａより小さい、請求項
    ４３の記憶媒体。
  45. 【請求項４５】 前記基板の比重は約１．３より小さい、請求項１の記憶媒
    体。
  46. 【請求項４６】 前記基板の比重は約１．２より小さい、請求項４５の記憶
    媒体。
  47. 【請求項４７】 前記基板の比重は約１．０より小さい、請求項４６の記憶
    媒体。
  48. 【請求項４８】 前記基板は、アモルファス、結晶もしくは半結晶材料、合
    成物もしくは混合物、もしくは、それらのうちの少なくとも１つを含む合成材料
    を有する、請求項１の記憶媒体。
  49. 【請求項４９】 前記基板は金属をさらに有する、請求項４８の記憶媒体。
  50. 【請求項５０】 前記基板は、前記コアの少なくとも１つの側の少なくとも
    一部分上に配置されたプラスチック薄膜を有する金属コアを有する、請求項４９
    の記憶媒体。
  51. 【請求項５１】 前記プラスチック樹脂は、熱硬化性物、塩化ポリビニル、
    ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルホン、ポリ
    エーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエー
    テルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン、ポリブ
    タジエン、ポリアクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリカ
    ーボネート、ポリフェニレンエーテル、エチレン酢酸ビニル、ポリビニルアセテ
    ート、液晶重合体、エチレンテトラフルオロエチレン、芳香族ポリエステル、ポ
    リフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン、テフロン（登録 商標）と、それらの樹脂のうちの少なくとも１つを有する合成物、混合物、共重 合体、ブレンドとからなるグループから選択された少なくとも１つの樹脂である 、請求項１の記憶媒体。
  52. 【請求項５２】 前記プラスチック樹脂は、部分水素化ポリスチレン、ポリ
    （シクロヘキシルエチレン）、ポリ（スチレン−コ−アクリロニトリル）、ポリ
    （スチレン−コ−無水マレイン酸）と、混合物とそれらの樹脂のうちの少なくと
    も１つを有する共重合体からなるグループから選択された樹脂を有する、請求項
    １の記憶媒体。
  53. 【請求項５３】 前記プラスチック樹脂は、加硫ゴム、アクリルゴム、シリ
    コーンゴム、ポリブタジエンゴム、ポリイソブチレンゴム、ポリエーテルゴム、
    イソブチレン−イソプレン共重合体、イソシアナートゴム、ニトリルゴム、クロ
    ロプレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、ポリスルフィドゴム、フッ素ゴ
    ム、ブロック共重合体、熱可塑性エラストマー材料、ポリウレタンと、それらの
    うちの少なくとも１つを有する合成材料からなるグループから選択された少なく
    とも１つの材料を有する、請求項１の記憶媒体。
  54. 【請求項５４】 前記基板は、金属、ガラス、セラミックと、それらのうち
    の少なくとも１つを有する合成材料である合金、合成物からなるグループから選
    択された材料をさらに有する、請求項１の記憶媒体。
  55. 【請求項５５】 前記基板はさらに補強材を有する、請求項１の記憶媒体。
  56. 【請求項５６】 前記補強材は、繊維やウィスカーや小繊維や粒子状物質や
    ナノチューブ、もしくは、それらのうちの少なくとも１つを有する組み合わせを
    有する、請求項５５の記憶媒体。
  57. 【請求項５７】 前記補強材は、金属やミネラルやプラスチックやセラミッ
    クやガラス、もしくは、それらのうちの少なくとも１つを有する合成材料である
    、請求項５５の記憶媒体。
  58. 【請求項５８】 前記基板は厚さがあり、前記基板の厚さはほぼ一定である
    、請求項１の記憶媒体。
  59. 【請求項５９】 前記基板は厚さがあり、前記基板の厚さは変化する、請求
    項１の記憶媒体。
  60. 【請求項６０】 前記基板は厚さの幾何学様式をもち、前記基板の厚さの幾
    何学様式は、凹状、凸状、テーパ状、もしくは、それらのうちの少なくとも１つ
    を有する組み合わせである、請求項１の記憶媒体。
  61. 【請求項６１】 前記基板には外径があり、コアをさらに有する、請求項１
    の記憶媒体。
  62. 【請求項６２】 前記コアには厚さがあり、前記コアの厚さはほぼ一定であ
    る、請求項６１の記憶媒体。
  63. 【請求項６３】 前記コアには厚さがあり、前記コアの厚さは変化する、請
    求項６１の記憶媒体。
  64. 【請求項６４】 前記コアは幾何学様式をもち、前記コアの幾何学様式は、
    凹状、凸状、テーパ状、もしくは、それらの幾何学様式のうちの少なくとも１つ
    を有する組み合わせである、請求項６１の記憶媒体。
  65. 【請求項６５】 前記コアには外径があり、前記コアの外径は前記基板の外
    径にほぼ等しい、請求項６１の記憶媒体。
  66. 【請求項６６】 前記コアは幾何学様式をもち、前記幾何学様式は少なくと
    も１つの放射状のアーム、少なくとも１つのリング、スター状のもの、もしくは
    、それらの幾何学様式のうちの少なくとも１つを有する組み合わせである、請求
    項６１の記憶媒体。
  67. 【請求項６７】 前記コアは少なくとも１つの中空の穴を有する、請求項６
    １の記憶媒体。
  68. 【請求項６８】 前記コアは少なくとも１つの充填された穴を有する、請求
    項６１の記憶媒体。
  69. 【請求項６９】 前記コアは複合的な部分を有する、請求項６１の記憶媒体
    。
  70. 【請求項７０】 前記複合的な部分は様々な材料を有する、請求項６９の記
    憶媒体。請求項６９の記憶媒体。
  71. 【請求項７１】 前記コアは前もって形成される、請求項６１の記憶媒体。
  72. 【請求項７２】 前記コアは前記基板の適所に形成される、請求項６１の記
    憶媒体。
  73. 【請求項７３】 前記基板は少なくとも１つの挿入材をさらに有する、請求
    項１の記憶媒体。
  74. 【請求項７４】 前記挿入材は、前記基板に取り付けられる複数の部分を、
    前記データ層に対面する前記基板の表面に有する、請求項７３の記憶媒体。
  75. 【請求項７５】 前記挿入材はほぼ均一な厚さの単一部材を有し、前記挿入
    材は、前記データ層に対面する前記基板の表面に取り付けられる、請求項７３の
    記憶媒体。
  76. 【請求項７６】 前記基板は動作周波数より大きい第１のモード周波数を有
    する、請求項１の記憶媒体。
  77. 【請求項７７】 前記基板は前記動作周波数より小さな唯一のモード周波数
    を有する、請求項１の記憶媒体。
  78. 【請求項７８】 前記基板は第１の動作周波数より大きな第１のモード周波
    数と第２の動作周波数を有する、請求項１の記憶媒体。
  79. 【請求項７９】 前記プラスチック樹脂部分は、コアの少なくとも一部分上
    に配置された薄膜である、請求項１の記憶媒体。
  80. 【請求項８０】 前記コアは、金属、セラミック、ガラスと、それらのうち
    の少なくとも１つを有する合成材料からなるグループから選択される、請求項７
    ９の記憶媒体。
  81. 【請求項８１】 前記金属はアルミニウムである、請求項８０の記憶媒体。
  82. 【請求項８２】 前記薄膜の厚さは約５０μ以下である、請求項７９の記憶
    媒体。
  83. 【請求項８３】 前記厚さは約２０μ以下である、請求項８２の記憶媒体。
  84. 【請求項８４】 前記プラスチック樹脂部分は厚さが約５０μ以下の薄膜で
    ある、請求項１の記憶媒体。
  85. 【請求項８５】前記厚さは約２０μ以下である、請求項８４の記憶媒体。
  86. 【請求項８６】 請求項１の基板を製造するための方法であって、射出成形
    、フォーミング処理、注入−圧縮、スパッタリング、プラズマ蒸着、真空蒸着、
    電着、スピンコーティング、スプレーコーティング、メニスカスコーティング、
    データスタンピング、エンボス処理、表面ポリシング、フィクスチャリング、ラ
    ミネート処理、ロータリ成形処理、２ショット成形処理、マイクロセルラ成形処
    理と、これらの方法のうちの少なくとも１つを有する組み合わせからなるグルー
    プから選択された少なくとも１つの方法を有する、基板製造方法。
  87. 【請求項８７】 前記方法は基本的に射出成形処理からなる、請求項８６の
    方法。
  88. 【請求項８８】 前記方法は基本的に射出成形−圧縮成形処理からなる、請
    求項８６の方法。
  89. 【請求項８９】 前記方法は、所望のピットと溝を有し、元のマスタの複製
    である約９０％以上のピット／溝を適所に有する基板を製造することを有する、
    請求項８６の方法。
  90. 【請求項９０】 基板の少なくとも１つの表面上に配置された少なくとも１
    つのデータ層と少なくとも１つのプラスチック樹脂部分を有する前記基板を持つ
    記憶媒体を回転させ、 前記エネルギ場が前記基板に入射される前に、前記データ層に入射するように
    、エネルギ場を前記記憶媒体に向け、 前記エネルギ場を介して前記データ層から情報を検索する、データ検索方法。
  91. 【請求項９１】 前記エネルギ場の少なくとも一部を前記データ層に通過さ
    せ、前記エネルギ場の前記一部を反射させて前記データ層に戻すことをさらに有
    する請求項９０のデータ検索方法。
  92. 【請求項９２】 前記記憶媒体は可変の速度で回転する、請求項９０のデー
    タ検索方法。
  93. 【請求項９３】 前記エネルギ場は前記基板に入射することなく、前記デー
    タ記憶層に入射する、請求項９０のデータ検索方法。
  94. 【請求項９４】 前記基板の面積密度は約６ギガビット／平方インチよりも
    大きい、請求項９０のデータ検索方法。
  95. 【請求項９５】 前記基板の面積密度は約１０ギガビット／平方インチより
    大きい、請求項９４のデータ検索方法。
  96. 【請求項９６】 前記基板の面積密度は約２５ ギガビット／平方インチ。
    より大きい、請求項９５のデータ検索方法。
  97. 【請求項９７】 前記基板と前記データ層間で前記基板の少なくとも１つの
    表面上に配置された表面形態をさらに有する、請求項９０のデータ検索方法。
  98. 【請求項９８】 前記表面形態は、ピット、溝、エッジ態様、でこぼこ部と
    、それらのうちの少なくとも１つを有する組み合わせからなるグループから選択
    される、請求項９７のデータ検索方法。
  99. 【請求項９９】 前記表面形態は、元のマスタの複製の約９０％以上の複製
    を有する、請求項９７のデータ検索方法。
  100. 【請求項１００】 前記基板のエッジリフトの高さは約８ミクロンより低い
    、請求項９０のデータ検索方法。
  101. 【請求項１０１】 前記基板のエッジリフトの高さは約５ミクロンより低い
    、請求項１００のデータ検索方法。
  102. 【請求項１０２】 前記基板のエッジリフトの高さは約３ミクロンより低い
    、請求項１０１のデータ検索方法。
  103. 【請求項１０３】 前記基板は、温度が２４℃で約０．０４の機械的減衰係
    数を有する、請求項１００のデータ検索方法。
  104. 【請求項１０４】 前記基板は、温度が２４℃で約０．０６の機械的減衰係
    数を有する、請求項１０３のデータ検索方法。
  105. 【請求項１０５】 衝撃や振動励起状態で、前記基板の軸方向の変位は約５
    ００μより小さい、請求項９０のデータ検索方法。
  106. 【請求項１０６】 前記基板の軸方向の変位は約１５０μより小さい、請求
    項１０５のデータ検索方法。
  107. 【請求項１０７】 前記基板のエッジリフトの高さは約８μより低い、請求
    項１０６のデータ検索方法。
  108. 【請求項１０８】 前記基板は、温度が２４℃で約０．０４より大きい機械
    的減衰係数を有する、請求項１０５のデータ検索方法。
  109. 【請求項１０９】 前記基板は、温度が２４℃で約０．０６より大きい機械
    的減衰係数を有する、請求項１０８のデータ検索方法。
  110. 【請求項１１０】 前記基板の慣性モーメントは約５．５ｘ１０-3スラグ−
    平方インチ以下である、請求項９０のデータ検索方法。
  111. 【請求項１１１】 前記基板の慣性モーメントは約４．５ｘ１０-3スラグ−
    平方インチ以下である請求項１１０のデータ検索方法。
  112. 【請求項１１２】 前記基板の慣性モーメントは約４．０ｘ１０-3スラグ−
    平方インチ以下である請求項１１１のデータ検索方法。
  113. 【請求項１１３】 前記基板の表面の粗さは約１０ÅＲａより小さい、請求
    項９０のデータ検索方法。
  114. 【請求項１１４】 前記基板の表面の粗さは約５ÅＲａより小さい、請求項
    １１３のデータ検索方法。
  115. 【請求項１１５】 前記基板は、温度が２４℃で約０．０４より大きい機械
    的減衰係数を有する、請求項９０のデータ検索方法。
  116. 【請求項１１６】 前記基板は、温度が２４℃で約０．０６より大きい機械
    的減衰係数を有する、請求項１１５のデータ検索方法。
  117. 【請求項１１７】 前記基板の慣性モーメントは約５．５ｘ１０-3スラグ−
    平方インチ以下である請求項９０のデータ検索方法。
  118. 【請求項１１８】 ４週間後に８５％の相対湿度で８０°Ｃの試験条件で平
    衡状態で、前記基板の含水率は、約０．５％より小さい範囲で変化する、請求項
    ９０のデータ検索方法。
  119. 【請求項１１９】 前記基板の共振周波数は約２５０Ｈｚより大きい、請求
    項９０のデータ検索方法。
  120. 【請求項１２０】 前記基板の比重は約１．５より小さい、請求項９０のデ
    ータ検索方法。
  121. 【請求項１２１】 前記基板は、アモルファス、結晶や半結晶材料や、それ
    らの組み合わせである合成物や混合物である、請求項９０のデータ検索方法。
  122. 【請求項１２２】 前記基板は金属をさらに有する、請求項１２１のデータ
    検索方法。
  123. 【請求項１２３】 前記基板は、塩化ポリビニル、ポリオレフィン、ポリエ
    ステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエ
    ーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリエーテ
    ルエーテルケトン、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリアクリレ
    ート、ポリアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニ
    レンエーテル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアセテート、液晶重
    合体、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、芳香族ポリエステル、ポリ
    フッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン、テフロンと、それ
    らの樹脂のうちの少なくとも１つを有する合成物と混合物と共重合体とブレンド
    からなるグループのうちの１つの樹脂を有する、請求項９０のデータ検索方法。
  124. 【請求項１２４】 前記基板は、水素化ポリスチレン、ポリ（シクロヘキシ
    ルエチレン）、ポリ（スチレン−コ−アクリロニトリル）、ポリ（スチレン−コ
    −無水マレイン酸）、もしくは、それらの樹脂のうちの少なくとも１つを有する
    混合物や共重合体である、請求項９０のデータ検索方法。
  125. 【請求項１２５】 前記基板は金属をさらに有する、請求項９０のデータ検
    索方法。
  126. 【請求項１２６】 前記プラスチック樹脂部分は厚さが約５０μ以下の薄膜
    である、請求項１２５のデータ検索方法。
  127. 【請求項１２７】 前記厚さは約２０μ以下である、請求項１２６のデータ
    検索方法。
  128. 【請求項１２８】 前記補強材は、繊維、ウィスカー、小繊維、ナノチュー
    ブ、粒子状物質、もしくは、それらの樹脂のうちの少なくとも１つを有する組み
    合わせを有する、請求項１２６のデータ検索方法。
  129. 【請求項１２９】 前記補強材は、金属、プラスチック、ミネラル、セラミ
    ック、ガラスと、それらの樹脂のうちの少なくとも１つを有する合成材料のうち
    の少なくとも１つである、請求項１２６のデータ検索方法。
  130. 【請求項１３０】 前記基板は補強材をさらに有する、請求項９０のデータ
    検索方法。
  131. 【請求項１３１】 前記基板は厚さがあり、前記基板の厚さはほぼ一定であ
    る、請求項９０のデータ検索方法。
  132. 【請求項１３２】 前記基板は厚さがあり、前記基板の厚さは変化する、請
    求項９０のデータ検索方法。
  133. 【請求項１３３】 前記基板は厚さの幾何学様式をもち、前記基板の厚さの
    幾何学様式は凹状、凸状、テーパ状、もしくは、それらの組み合わせである、請
    求項９０のデータ検索方法。
  134. 【請求項１３４】 前記基板は外径をもち、コアをさらに有する、請求項９
    ０のデータ検索方法。
  135. 【請求項１３５】 前記コアは厚さがあり、前記コアの厚さはほぼ一定であ
    る、請求項１３４のデータ検索方法。
  136. 【請求項１３６】 前記コアは厚さがあり、前記コアの厚さは変化する、請
    求項１３４のデータ検索方法。
  137. 【請求項１３７】 前記コアは幾何学様式をもち、前記コアの幾何学様式は
    凹状、凸状、テーパ状、もしくは、それらの幾何学様式のうちの少なくとも１つ
    を有する組み合わせである、請求項１３４のデータ検索方法。
  138. 【請求項１３８】 前記コアは外径があり、前記コアの外径は前記基板の外
    径にほぼ等しい、請求項１３４のデータ検索方法。
  139. 【請求項１３９】 前記コアは幾何学様式をもち、前記幾何学様式は、少な
    くとも１つの放射状のアーム、少なくとも１つのリング、スター状のもの、もし
    くは、それらの幾何学様式のうちの少なくとも１つを有する組み合わせである、
    請求項１３４のデータ検索方法。
  140. 【請求項１４０】 前記コアは少なくとも１つの中空の穴を有する、請求項
    １３４のデータ検索方法。
  141. 【請求項１４１】 前記コアは少なくとも１つの充填された穴を有する、請
    求項１３４のデータ検索方法。
  142. 【請求項１４２】 前記コアは複合的な部分を有する、請求項１３４のデー
    タ検索方法。
  143. 【請求項１４３】 前記複合的な部分は異なる材料を有する、請求項１４２
    のデータ検索方法。
  144. 【請求項１４４】 前記コアは前もって形成される、請求項１３４のデータ
    検索方法。
  145. 【請求項１４５】 前記コアは前記基板の適所に形成される、請求項１３４
    のデータ検索方法。
  146. 【請求項１４６】 前記基板に取り付けられる少なくとも１つの挿入材をさ
    らに有する、請求項９０のデータ検索方法。
  147. 【請求項１４７】 前記挿入材は、前記データ層に対面する基板表面に取り
    付けられた複数の部分を有する、請求項１４６のデータ検索方法。
  148. 【請求項１４８】 前記挿入材は、ほぼ均一な厚さの単一部材を有し、前記
    挿入材は、前記データ層に対面する前記基板表面に取り付けられる、請求項１４
    ６のデータ検索方法。
  149. 【請求項１４９】 前記基板の第１のモード周波数は動作周波数より大きい
    、請求項９０のデータ検索方法。
  150. 【請求項１５０】 前記基板は、前記動作周波数の外に第１のモード周波数
    を配置する比重と曲げ係数をもつ、請求項１４９のデータ検索方法。
  151. 【請求項１５１】 前記基板は、動作周波数より小さい唯一のモード周波数
    を有する、請求項９０のデータ検索方法。
  152. 【請求項１５２】 前記基板は、第１の動作周波数より大きな第１のモード
    周波数と第２の動作周波数を有する、請求項９０のデータ検索方法。
  153. 【請求項１５３】 前記基板は少なくとも約２５０ｋｐｓｉの曲げ係数を有
    する、請求項９０のデータ検索方法。
  154. 【請求項１５４】 ガラス転移温度を有する基板をエンボス処理する方法で
    あって、 ａ．前記第１の基板を前記ガラス転移温度より高い温度まで過熱し、 ｂ．モールドを前記ガラス転移温度より低いモールド温度に余熱して維持し、 ｃ．過熱された前記基板を、余熱された前記モールドに接触させ、 ｄ．前記基板を前記モールドに押し付け、 ｅ．前記基板を冷却し、 ｆ．前記モールドから冷却された前記基板を除去することを有する方法。
  155. 【請求項１５５】 前記基板はその表面上にプラスチック部分をもち、前記
    基板を前記モールドに押し付けることによって、所望の表面形態が前記プラスチ
    ックに刻印される、請求項１５４のエンボス方法。
  156. 【請求項１５６】 前記プラスチックは熱可塑性材料、熱硬化性材料、もし
    くは、それらの合成材料である、請求項１５５のエンボス方法。
  157. 【請求項１５７】 前記プラスチックは、塩化ポリビニル、ポリオレフィン
    、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルホン、ポリエーテルイミド
    、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポ
    リエーテルエーテルケトン、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリ
    アクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポ
    リフェニレンエーテル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアセテート
    、液晶重合体、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、芳香族ポリエステ
    ル、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン、テフロン
    からなるグループから選択された熱可塑性材料であり、また、エポキシ、フェノ
    ール、アルキド、ポリエステル、ポリイミド、ポリウレタン、ミネラル充填シリ
    コーン、ビスマレイミド、シアン酸エステル、ビニル、ベンゾシクロブテン樹脂
    、もしくは、それらの合成樹脂のうちの少なくとも１つを有する合成物、混合物
    、共重合体、もしくは、ブレンドからなるグループから選択された熱硬化性樹脂
    である、請求項１５５のエンボス方法。
  158. 【請求項１５８】 前記第１の基板は粗さがあり、冷却された前記基板の粗
    さは前記第１の基板の粗さより低い、請求項１５４のエンボス方法。
  159. 【請求項１５９】 ガラス転移温度を有する基板をエンボス処理する方法で
    あって、 ａ．前記基板を前記ガラス転移温度より上の温度まで過熱し、 ｂ．前記ガラス転移温度より高い約３０℃までのモールド温度にモールドを余
    熱し、 ｃ．過熱された前記基板を、余熱された前記モールドに接触させ、 ｄ．前記基板を前記モールドに押し付け、 ｅ．前記基板を冷却し、 ｆ．前記モールドから冷却された前記基板を除去すること、を有する方法。
  160. 【請求項１６０】 前記ガラス転移温度より低い温度に前記基板をさらに冷
    却する、請求項１５９の方法。
  161. 【請求項１６１】 前記ガラス転移温度より低い温度に前記モールドをさら
    に冷却する、請求項１５９の方法。
  162. 【請求項１６２】 前記モールド温度は、前記ガラス転移温度より高く、約
    ２０℃以下である、請求項１５９の方法。
  163. 【請求項１６３】 前記モールド温度は前記ガラス転移温度より高く、約５
    ℃以下である、請求項１６２の方法。
  164. 【請求項１６４】 前記基板を冷却するときに、３０℃の前記ガラス転移温
    度以内に前記モールド温度を維持することをさらに有する、請求項１５９の方法
    。
  165. 【請求項１６５】 前記第１の基板は粗さがあり、冷却された前記基板の粗
    さは前記第１の基板の粗さより小さい、請求項１５８の方法。
  166. 【請求項１６６】 データの記憶媒体であって、 ａ）少なくとも１つのプラスチック樹脂部分を有する基板と、 ｂ）前記基板上に配置された少なくとも１つのデータ層とを有し、 衝撃や振動励起状態で、前記基板の軸方向変位のピーク値は約５００μより小
    さい、記憶媒体。
  167. 【請求項１６７】 前記基板は動作周波数をもち、前記基板は前記動作周波
    数より大きい第１のモード周波数をもつ、請求項１６６の記憶媒体。
  168. 【請求項１６８】 前記プラスチック樹脂部分は厚さが約５０μ以下の薄膜
    を有する、請求項１６６の記憶媒体。
  169. 【請求項１６９】 前記厚さは約２０μ以下である、請求項１６８の記憶媒
    体。
  170. 【請求項１７０】 前記基板の表面の粗さは約１０ÅＲａ以下である、請求
    項１６６の記憶媒体。
  171. 【請求項１７１】 前記基板の表面の粗さは約５１０ÅＲａ以下である、請
    求項１７０の記憶媒体。
  172. 【請求項１７２】 前記プラスチック樹脂部分は厚さが約５０μ以下の薄膜
    である、請求項１７０の記憶媒体。
  173. 【請求項１７３】 前記厚さは約２０μ以下である、請求項１７１の記憶媒
    体。
  174. 【請求項１７４】 前記基板は約１°以下の放射状のチルトを有する、請求
    項１６６の記憶媒体。
  175. 【請求項１７５】 前記基板は約０．３°以下の放射状のチルトを有する、
    請求項１７４の記憶媒体。
  176. 【請求項１７６】 前記プラスチック樹脂部分は厚さが約５０μ以下の薄膜
    である、請求項１７４の記憶媒体。
  177. 【請求項１７７】 前記厚さは約２０μ以下である、請求項１７６の記憶媒
    体。
  178. 【請求項１７８】 データの記憶媒体であって、 ａ）少なくとも１つのプラスチック樹脂部分とコアを有する基板であって、前
    記コアは様々な厚さを有する、当該基板と、 ｂ）前記基板上に配置された少なくとも１つのデータ層と、 を有する記憶媒体。
  179. 【請求項１７９】 前記プラスチック樹脂部分は厚さが約５０μ以下の薄膜
    である、請求項１７８の記憶媒体。
  180. 【請求項１８０】 前記厚さは約２０μ以下である、請求項１７９の記憶媒
    体。
  181. 【請求項１８１】 データの記憶媒体であって、 ａ）剛性基板と、 ｂ）少なくとも１つのプラスチック薄膜と、 ｃ）前記プラスチック薄膜上に配置された少なくとも１つのデータ層とを有し
    、 少なくとも１つのエネルギ場によって、前記データ層の少なくとも一部分に対
    するする読み出し、もしくは、書きこみ、もしくは、それらの組み合わせが可能
    であり、前記エネルギ場は電場、磁場、光学場のうちの少なくとも１つを有する
    、記憶媒体。
  182. 【請求項１８２】 前記剛性基板のヤング率は少なくとも約７ＧＰａである
    、請求項１８１の記憶媒体。
  183. 【請求項１８３】 前記ヤング率は少なくとも約７０ＧＰａである、請求項
    １８２の記憶媒体。
  184. 【請求項１８４】 前記ヤング率は少なくとも約２００ＧＰａである、請求
    項１８３の記憶媒体。
  185. 【請求項１８５】 前記剛性基板は金属、ガラス、セラミック、強化プラス
    チックと、それらの合成材料のうちの少なくとも１つを有する、請求項１８１の
    記憶媒体。
  186. 【請求項１８６】 前記プラスチック薄膜はエンボス表面形態を有する、請
    求項１８１の記憶媒体。
  187. 【請求項１８７】 前記プラスチック薄膜は、ピット、溝、エッジ態様、で
    こぼこ部と、それらのうちの少なくとも１つを有する組み合わせからなるグルー
    プから選択されたエンボス表面形態を有する、請求項１８１の記憶媒体。
  188. 【請求項１８８】 前記剛性基板は塗布されたアルミニウム基板を有する、
    請求項１８１の記憶媒体。
  189. 【請求項１８９】 前記剛性基板はガラス−セラミック基板を有する、請求
    項１８１の記憶媒体。
  190. 【請求項１９０】 前記剛性基板はガラス基板を有する、請求項１８１の記
    憶媒体。
  191. 【請求項１９１】 前記少なくとも１つのプラスチック薄膜を含む前記記憶
    媒体のヘッドスラップ特性は、前記少なくとも１つのプラスチック薄膜を含まな
    い前記記憶媒体にほぼ等しい、請求項１８１の記憶媒体。
  192. 【請求項１９２】 前記記憶媒体は、少なくとも約１５００エルステッドの
    保磁度のデータ層を有する、請求項１８１の記憶媒体。
  193. 【請求項１９３】 前記記憶媒体は、少なくとも約３０００エルステッドの
    保磁度のデータ層を有する、請求項１８１の記憶媒体。
  194. 【請求項１９４】 スピン塗布されたか、スプレー塗布されたか、スピンと
    スプレー塗布された少なくとも１つのプラスチック薄膜を有する、請求項１８１
    の記憶媒体。
  195. 【請求項１９５】 前記プラスチック薄膜は、ガラス転移温度が少なくとも
    １４０°Ｃである熱可塑性樹脂を有する、請求項１８１の記憶媒体。
  196. 【請求項１９６】 前記プラスチック薄膜は、ポリエーテルイミドとポリエ
    ーテルエーテルケトンとポリスルホンとポリエーテルスルホンとポリエーテルエ
    ーテルスルホンとポリフェニレンエーテルと熱可塑性ポリイミドとポリカーボネ
    ートからなるグループのうちの少なくとも１つの熱可塑性樹脂を有する、請求項
    １８１の記憶媒体。
  197. 【請求項１９７】 前記プラスチック薄膜は、エンボス表面形態を有する少
    なくとも１つの熱硬化性樹脂を有する、請求項１８１の記憶媒体。
  198. 【請求項１９８】 前記プラスチック薄膜は少なくとも１つの熱硬化性樹脂
    を有し、表面形態を少なくとも１つの熱硬化性樹脂上にエンボスするプロセス中
    に、少なくとも１つの熱硬化性樹脂が少なくとも部分的にキュアする、請求項１
    ８１の記憶媒体。
  199. 【請求項１９９】 前記プラスチック薄膜は、エポキシとフェノールとアル
    キドとポリエステルとポリイミドとポリウレタンとミネラル充填シリコーンとビ
    スマレイミドとシアン酸エステルとビニルとベンゾシクロブテンの樹脂からなる
    グループから選ばれた少なくとも１つの熱硬化性樹脂を有する、請求項１８１の
    記憶媒体。
  200. 【請求項２００】 前記記憶媒体は約６ギガビット／平方インチより大きな
    面積密度を有する、請求項１８１の記憶媒体。
  201. 【請求項２０１】 前記プラスチック薄膜の表面の粗さは約１０ÅＲａより
    低い、請求項１８１の記憶媒体。
  202. 【請求項２０２】 前記媒体は、 ａ）最上側と底側を有する剛性基板と、 ｂ）前記最上側と前記底側の各々上の少なくとも１つのプラスチック薄膜と ｃ）前記最上側と前記底側の各々上の前記プラスチック薄膜のうちの少なくと
    も１つの上に配置された少なくとも１つのデータ層とを有し、 少なくとも１つのエネルギ場によって、前記データ層の少なくとも一部分に対
    するする読み出し、もしくは、書きこみ、もしくは、それらの組み合わせが可能
    であり、 前記エネルギ場は電場、磁場、光学場のうちの少なくとも１つを有する、記憶
    媒体。
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