JPS6079543A - プラスチツク基盤上に希土類−遷移金属アモルフアスの光磁気記録媒体層を形成した記録担体 - Google Patents
プラスチツク基盤上に希土類−遷移金属アモルフアスの光磁気記録媒体層を形成した記録担体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザーを用いて情報の記録・再生を行う光磁
気記録媒体に関するものであや、特に、消去−再記録す
なわち追記可能なＥ−ＤＲＡＷ用記録材料として希土類
−辺移金属の非晶質層をプラスチック基盤上に形成した
光磁気記録媒体に関するものである。
気記録媒体に関するものであや、特に、消去−再記録す
なわち追記可能なＥ−ＤＲＡＷ用記録材料として希土類
−辺移金属の非晶質層をプラスチック基盤上に形成した
光磁気記録媒体に関するものである。
希土類−遷移金属アモルファス層を真空蒸着。
スパッタリングあるいはイオンブレーティング等の手段
で基盤上に形成し、このアモルファス層にし・−ザービ
ームを当てて熱磁気効果により情報の書込みおよび消去
を行い、磁気光学効果により情報の読み取りを行う光磁
気記録方法は公知であり、上記アモルファス層を形成す
る基盤としてはガラス板、アルミのような金属板あるい
はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂のようなプラス
チック板が提案されている。しかし、従来は主としてガ
ラス板上にアモルファス層を形成することを中心に研究
が進められてきており、含金＃申≠噸このガラス基盤の
場合には垂直磁化可能なアモルファス層を形成すること
が可能であるが、プラスチック基盤に垂直磁化アモルフ
ァス層を安定な状態で形成する技術は今日でもまだ確立
していない。すなわち、ガラス基盤の場合にはカー回転
角が０．３度以上のものが得られるが、プラスチック基
盤の゛場合のカー回転角は０．１度程度しか得られず、
まれに０．２度以上のものが得られても長期安定性が悪
く、再現性も悪い。従って、従来の方ラス、アルミニウ
ムの基盤に代って、取り扱いの容易なプラスチック基盤
に安定な垂直磁化アモルファスを形成する技術の確立が
強く要求されている。
で基盤上に形成し、このアモルファス層にし・−ザービ
ームを当てて熱磁気効果により情報の書込みおよび消去
を行い、磁気光学効果により情報の読み取りを行う光磁
気記録方法は公知であり、上記アモルファス層を形成す
る基盤としてはガラス板、アルミのような金属板あるい
はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂のようなプラス
チック板が提案されている。しかし、従来は主としてガ
ラス板上にアモルファス層を形成することを中心に研究
が進められてきており、含金＃申≠噸このガラス基盤の
場合には垂直磁化可能なアモルファス層を形成すること
が可能であるが、プラスチック基盤に垂直磁化アモルフ
ァス層を安定な状態で形成する技術は今日でもまだ確立
していない。すなわち、ガラス基盤の場合にはカー回転
角が０．３度以上のものが得られるが、プラスチック基
盤の゛場合のカー回転角は０．１度程度しか得られず、
まれに０．２度以上のものが得られても長期安定性が悪
く、再現性も悪い。従って、従来の方ラス、アルミニウ
ムの基盤に代って、取り扱いの容易なプラスチック基盤
に安定な垂直磁化アモルファスを形成する技術の確立が
強く要求されている。
希土類−遷移金属アモルファスの垂直磁化特性はアモル
ファス中の歪みに依存するとされており（Ｉ（Ｔａｋａ
ｇｉｅｔａｌ 、Ｊ、Ａｐｐｌ 、ｐｈｙｓｉｃｓ５０
（３）ｐ１６４２−．１６４４参照）、従っ□て、アモ
ルファス層を形成□ する基盤の表面特性が重要なファ
クターになっている。ガラス板上では垂直磁化可能な希
土類−遷移金属アモルファス層ができるがガラス板上で
は安定にできないという理由は不明であるが、本発明者
はその原因は基本的に次の２つであると考えた。すなわ
ち、 （１） 一般にプラスチック基盤として用いられている
アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂はガラスに比べて
表面エネルギーが小さく、希土類−遷移金属７％′フ・
８との密着性が低く・↑の結果アモルファス層内に蚕み
が発生しにくい。：（２） プラスチック板中には酸素
、水分Ｊモノマー等が残留しており、これらが希土類−
一移金属アモルフ・スな劣化させ、垂直磁化可能編失わ
せ□ この中、（２）の問題点を解決するｈめに活０□。
ファス中の歪みに依存するとされており（Ｉ（Ｔａｋａ
ｇｉｅｔａｌ 、Ｊ、Ａｐｐｌ 、ｐｈｙｓｉｃｓ５０
（３）ｐ１６４２−．１６４４参照）、従っ□て、アモ
ルファス層を形成□ する基盤の表面特性が重要なファ
クターになっている。ガラス板上では垂直磁化可能な希
土類−遷移金属アモルファス層ができるがガラス板上で
は安定にできないという理由は不明であるが、本発明者
はその原因は基本的に次の２つであると考えた。すなわ
ち、 （１） 一般にプラスチック基盤として用いられている
アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂はガラスに比べて
表面エネルギーが小さく、希土類−遷移金属７％′フ・
８との密着性が低く・↑の結果アモルファス層内に蚕み
が発生しにくい。：（２） プラスチック板中には酸素
、水分Ｊモノマー等が残留しており、これらが希土類−
一移金属アモルフ・スな劣化させ、垂直磁化可能編失わ
せ□ この中、（２）の問題点を解決するｈめに活０□。
質保護層を形成して防湿ザる方法
が提案（例えば特開昭５７−２７４５１号、特開昭５８
−３２２３８号）されているが、この保護層別けでは１
−６゜ｈ ＃（−ｅ ！ ｒｊ。：、。オケわち安定し
た垂直磁化特性を有する希土ｍ−＝移金属アモルファス
層を形成することかで門ない。
−３２２３８号）されているが、この保護層別けでは１
−６゜ｈ ＃（−ｅ ！ ｒｊ。：、。オケわち安定し
た垂直磁化特性を有する希土ｍ−＝移金属アモルファス
層を形成することかで門ない。
従って、本発明の目的は長期間安定な一直磁比可能な希
土類−遷移金属アモルファス層番プラスチック基盤上に
形成する方法を提供するととにある。 、１ 上 スチック基盤との密着性の良いポリマー賜を形成し、こ
のポリマー層の上に希土類−遷移＝属アモルファス膜を
形成する点にある。
土類−遷移金属アモルファス層番プラスチック基盤上に
形成する方法を提供するととにある。 、１ 上 スチック基盤との密着性の良いポリマー賜を形成し、こ
のポリマー層の上に希土類−遷移＝属アモルファス膜を
形成する点にある。
本発明で用いられるプラスチ、り基盤と密着性の良いポ
リマーとしては無機、無機の任意のポリマが使用可能で
あるが、特に架橋性ポリマーが好ましく、この架橋性ポ
リマーは常温硬化型のものでも熱硬化型のものでもよい
。架橋性ポリマーの材料としてはポリアリル化合物、多
官能性アクリル化合物１適常の熱硬化性樹脂、アルキル
シリケート加水分解物、オルガノボリシ四キサン等があ
るが、要はプラスチック基盤との密着性が強いポリマー
であればよい。
リマーとしては無機、無機の任意のポリマが使用可能で
あるが、特に架橋性ポリマーが好ましく、この架橋性ポ
リマーは常温硬化型のものでも熱硬化型のものでもよい
。架橋性ポリマーの材料としてはポリアリル化合物、多
官能性アクリル化合物１適常の熱硬化性樹脂、アルキル
シリケート加水分解物、オルガノボリシ四キサン等があ
るが、要はプラスチック基盤との密着性が強いポリマー
であればよい。
これらのポリマーはプレポリマーを後硬化させる方法、
溶媒に溶かして塗布する方法等のウェット法が一般的で
あるがイオンブレーティングによるデポジション法等の
ドライ法でプラスチック基盤上に形成することもできる
。要はプラスチ、り基盤上に均工なポリマー層が形成で
きる方法であればよい。ウェット法の場合にはスピンコ
ード。
溶媒に溶かして塗布する方法等のウェット法が一般的で
あるがイオンブレーティングによるデポジション法等の
ドライ法でプラスチック基盤上に形成することもできる
。要はプラスチ、り基盤上に均工なポリマー層が形成で
きる方法であればよい。ウェット法の場合にはスピンコ
ード。
ロールコート、バーコード、ディッピング等の任意の手
段を用いることができる。このポリマー層の厚さはプラ
スチック基盤と密着した均一なガスバリヤ一層が形成で
きるような厚さでよく、一般には０．０１〜ｌＯμ、好
ましくは０１〜５μが好ましい。
段を用いることができる。このポリマー層の厚さはプラ
スチック基盤と密着した均一なガスバリヤ一層が形成で
きるような厚さでよく、一般には０．０１〜ｌＯμ、好
ましくは０１〜５μが好ましい。
本発明が適用可能な光磁気記録担体は公知の任意の希土
類−遷移金属アモルファス合金でよく、例えばＴｂ−Ｆ
ｅ系合金（特公昭５７−２０６９１号）、Ｄｙ−Ｆｅ系
合金（特公昭５７−２０６９２号〕、Ｃｄ−Ｔｂ−Ｆｅ
系合金（特開昭５６−１２６９０７号）、Ｃｄ−’Ｉ’
ｂ−Ｄｙ−Ｆｅ系合金（特開昭５７−９４９４８号）、
Ｑｄ−Ｃｏ （特開昭５４−１２１７１９号）Ｔｂ−Ｆ
ｅ−Ｃ。
類−遷移金属アモルファス合金でよく、例えばＴｂ−Ｆ
ｅ系合金（特公昭５７−２０６９１号）、Ｄｙ−Ｆｅ系
合金（特公昭５７−２０６９２号〕、Ｃｄ−Ｔｂ−Ｆｅ
系合金（特開昭５６−１２６９０７号）、Ｃｄ−’Ｉ’
ｂ−Ｄｙ−Ｆｅ系合金（特開昭５７−９４９４８号）、
Ｑｄ−Ｃｏ （特開昭５４−１２１７１９号）Ｔｂ−Ｆ
ｅ−Ｃ。
系等があげられる。これらの希土類−遷移金属アモルフ
ァス層はｔｔＪｔスパッタリング、イオンプレーティン
等の方法で本発明のポリマー層上に形成するのが好まし
い。このアモルファス層の厚さは一般に５００〜１．５
０ＯＡである。
ァス層はｔｔＪｔスパッタリング、イオンプレーティン
等の方法で本発明のポリマー層上に形成するのが好まし
い。このアモルファス層の厚さは一般に５００〜１．５
０ＯＡである。
本発明によるポリマー中間層の他に、公知の他の中間層
および／または保護層をさらに追加することも可能であ
る。すなわち、希土類−遷移金属アモルファス層の上方
Ｋ Ｓ ｓ Ｏ、＋ ８１０２等の誘電物質の層を形成
してＳ／Ｎ比を高め且つ保護層の役目を兼ねさせたり（
例・特開昭５６−７４８４３ 、特開昭５６−’１５６
９４３ ）、Ａｕ 、Ａｇ等の反射膜をさらに追加して
Ｓ／Ｎ比を向上させる０例、特開昭５６−７４８４４号
、特開昭（７−１２４２８号）ことも可能である。
および／または保護層をさらに追加することも可能であ
る。すなわち、希土類−遷移金属アモルファス層の上方
Ｋ Ｓ ｓ Ｏ、＋ ８１０２等の誘電物質の層を形成
してＳ／Ｎ比を高め且つ保護層の役目を兼ねさせたり（
例・特開昭５６−７４８４３ 、特開昭５６−’１５６
９４３ ）、Ａｕ 、Ａｇ等の反射膜をさらに追加して
Ｓ／Ｎ比を向上させる０例、特開昭５６−７４８４４号
、特開昭（７−１２４２８号）ことも可能である。
本発明により製造される光磁気記録媒体担体ディスクは
カー効果を利用する反射型記録・再生方式にも、ファラ
デー効果を利用する透過型記録・再生方式にも適用する
ことができる。これら各方式に関しては岩付総−編「ビ
デオディスクとＤＡＤ入門」株式会社コロナ社（昭５７
−１ｌ−１）発行、第１０８〜１５０頁を参照されたい
。
カー効果を利用する反射型記録・再生方式にも、ファラ
デー効果を利用する透過型記録・再生方式にも適用する
ことができる。これら各方式に関しては岩付総−編「ビ
デオディスクとＤＡＤ入門」株式会社コロナ社（昭５７
−１ｌ−１）発行、第１０８〜１５０頁を参照されたい
。
また本発明で用いられるプラスチック基盤は円盤（ディ
スク）状でもカード状でもよく、さらにはフィルム状、
テープ状あるいはべ＞ｂ ）状でもよい。
スク）状でもカード状でもよく、さらにはフィルム状、
テープ状あるいはべ＞ｂ ）状でもよい。
プラスチック基盤の材料としては透明な合成樹脂であれ
ば任意のものでよく、例えばアクリル系樹脂、ポリカー
ボネート系樹脂、 ＰＥＴのようなポリエステル樹脂等
が上げられる。これら樹脂をマ任意の成形方法、例えば
射出成形、圧縮成形、２ｐ法（ｐｈｏｔｏ −ｐｏｌｙ
ｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ ）等で成形することカミできる
。プラスチック基盤上にはトラック用ガイド溝、その他
の信号用凹凸溝が形成されていても、形成されていなく
てもよい。
ば任意のものでよく、例えばアクリル系樹脂、ポリカー
ボネート系樹脂、 ＰＥＴのようなポリエステル樹脂等
が上げられる。これら樹脂をマ任意の成形方法、例えば
射出成形、圧縮成形、２ｐ法（ｐｈｏｔｏ −ｐｏｌｙ
ｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ ）等で成形することカミできる
。プラスチック基盤上にはトラック用ガイド溝、その他
の信号用凹凸溝が形成されていても、形成されていなく
てもよい。
第１図）ま本発明による光磁気記録担体の基本構成を示
す概念図で、１はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂
等の透明プラスチック基盤、２しまＴｂＦｅ 、 Ｃｄ
ＴｂＦｅ 、 ＣｄＴｂＤｙＦｅのような希土類−遷移
金属のアモルファス記録媒体層、３は本発明によるポリ
マー層、４は誘電物質および／また（′！反射性物質等
によって構成される保護層および／または増感層である
。
す概念図で、１はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂
等の透明プラスチック基盤、２しまＴｂＦｅ 、 Ｃｄ
ＴｂＦｅ 、 ＣｄＴｂＤｙＦｅのような希土類−遷移
金属のアモルファス記録媒体層、３は本発明によるポリ
マー層、４は誘電物質および／また（′！反射性物質等
によって構成される保護層および／または増感層である
。
本発明によるポリマー層３の材料レマ上記プラスチック
基盤と密着する性質を有するものであれ（ずよいが、例
としては以下のものがあげられる。
基盤と密着する性質を有するものであれ（ずよいが、例
としては以下のものがあげられる。
１）ポリアリルモノマｍ：例えばジエチレンク。
リコールビスアリルカーボネート、トリア１ノルシアヌ
レート、ジアリルオキシアルキルマレート。
レート、ジアリルオキシアルキルマレート。
２）多官能性アクリルモノマー：例えばエチレングリコ
ールジ（メタ）アクリレート；ジャトリ、 ｉｖ ：ｒ
−−ｙ−レングリコールジ（メタ）アクリレート；アル
カンディオールジ（メタ）アクリレート１オソゴエステ
ルジ（メタ）アクリレート；アリル ビニルメタクリレ
ート；（メタ）アクリル酸ニゲリシジルメタクリレート
；（メタ）アクリルアミド。
ールジ（メタ）アクリレート；ジャトリ、 ｉｖ ：ｒ
−−ｙ−レングリコールジ（メタ）アクリレート；アル
カンディオールジ（メタ）アクリレート１オソゴエステ
ルジ（メタ）アクリレート；アリル ビニルメタクリレ
ート；（メタ）アクリル酸ニゲリシジルメタクリレート
；（メタ）アクリルアミド。
３）熱硬化性樹脂：例えば不飽和ポリエステル、メラミ
ン、ポリウレタン。
ン、ポリウレタン。
４）アルキルシリケート加水分解物：例えばエチルシリ
ケートの加水分解物。
ケートの加水分解物。
５）オルガノポリシロキサン：例えばシリコーンオキサ
イド；テトラクロロシラン；メチル、フェニールトリア
ルフキジシラン。
イド；テトラクロロシラン；メチル、フェニールトリア
ルフキジシラン。
本発明によるポリマー層３は希土類−遷移金属アモルフ
ァス記録媒体層２の垂直磁化特性を保証すると同時にプ
ラスチック基盤ｌ側からの酸素。
ァス記録媒体層２の垂直磁化特性を保証すると同時にプ
ラスチック基盤ｌ側からの酸素。
水分および／またはモノマーから記録媒体２を保護する
役目をも兼ねている。
役目をも兼ねている。
アモルファス記録媒体層２を外気からの酸素および／ま
たは水分から保護するために記録媒体層２の外側には保
護層４を形成する。この保護層は上記ポリマー層３と同
一材料にすることができるが、その他のポリマー、例え
ばエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ジアリルフタレー
ト樹脂、ビニリデン樹脂１金成ゴム等のポリマー層の他
に、ＳｉＯ、ＣａＦ２等の無機防湿膜を使用することも
できる。
たは水分から保護するために記録媒体層２の外側には保
護層４を形成する。この保護層は上記ポリマー層３と同
一材料にすることができるが、その他のポリマー、例え
ばエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ジアリルフタレー
ト樹脂、ビニリデン樹脂１金成ゴム等のポリマー層の他
に、ＳｉＯ、ＣａＦ２等の無機防湿膜を使用することも
できる。
この保護層４の他に８７Ｎ比を大きくするための反射膜
（図示せず）を設けることもできる。この反射膜はＡＩ
、 Ａｇ 、 Ａｕ 、 Ｃｕ 、 Ｚｎ 、 ａｎ
等の金属で構成され、上記保護層４の内側あるいは外側
に設けることができる。この反射層を形成するとカー回
転角、 Ｓ／Ｎ比誘電体保護′層゛の膜厚とも関連する
が、数倍程度大きくなる。
（図示せず）を設けることもできる。この反射膜はＡＩ
、 Ａｇ 、 Ａｕ 、 Ｃｕ 、 Ｚｎ 、 ａｎ
等の金属で構成され、上記保護層４の内側あるいは外側
に設けることができる。この反射層を形成するとカー回
転角、 Ｓ／Ｎ比誘電体保護′層゛の膜厚とも関連する
が、数倍程度大きくなる。
以下、本発明によるポリマーの実施例を説明する。各実
施例において使用したプラスチック基盤はアクリル樹脂
（ＭＦＲ２）を射出成形（名機製作所の商標「ダイナメ
ルター」使用）したものであり、アモルファス記録媒体
はスバ、タリング（日本真空（株）社製）によって形成
した。
施例において使用したプラスチック基盤はアクリル樹脂
（ＭＦＲ２）を射出成形（名機製作所の商標「ダイナメ
ルター」使用）したものであり、アモルファス記録媒体
はスバ、タリング（日本真空（株）社製）によって形成
した。
実施例１．（熱硬化性樹脂−ポリウレタン樹脂）２モル
のεカプロラクトンと１モルのヒドロキシエチルメタク
リレートとを反応させ、プレポリマー（ＦＭ−２）を作
る。このＦＭ−２３１，９重量％とメチルメタクリレー
ト、ブチルアクリレート及びメタアクリルアミドの混合
アクリルモノマー６８．１ｗｔ％とを混合したものに硬
化剤として下記構造のもの（商品名ジュラネート２４Ａ
−１００旭化成工業（株）製） をＮＣＯ基とＦＭ−２のＯＨ基とがモル比で１／１ニな
るよう添加し、アクリル樹脂製基板上にスピンコーター
を用いて３μの膜を形成し、オーブン中で７０℃に保持
し、硬化皮膜を形成した。
のεカプロラクトンと１モルのヒドロキシエチルメタク
リレートとを反応させ、プレポリマー（ＦＭ−２）を作
る。このＦＭ−２３１，９重量％とメチルメタクリレー
ト、ブチルアクリレート及びメタアクリルアミドの混合
アクリルモノマー６８．１ｗｔ％とを混合したものに硬
化剤として下記構造のもの（商品名ジュラネート２４Ａ
−１００旭化成工業（株）製） をＮＣＯ基とＦＭ−２のＯＨ基とがモル比で１／１ニな
るよう添加し、アクリル樹脂製基板上にスピンコーター
を用いて３μの膜を形成し、オーブン中で７０℃に保持
し、硬化皮膜を形成した。
この硬化皮膜上に１０−”Ｔｏｒｒの真空下で日本真空
Ｃ株）製マ″グネトロンスパッタリング装置によりＴｂ
、／ｌ；’ｅ組成比（原子比）２３／７７を１０００λ
の厚さで付着させ、更に保護層としてＳｉＯ□を１００
ＯＡ形成させて光磁気記録ディスクを製作した。ボー″
′−”−“−７−′・′測定装置トヂー回転角θｋを測
定したところ、カー回転角（θ−）は０．２６゜であり
、この値はガラス基板上にＴｂ４０層を形成した場合と
同じである。
Ｃ株）製マ″グネトロンスパッタリング装置によりＴｂ
、／ｌ；’ｅ組成比（原子比）２３／７７を１０００λ
の厚さで付着させ、更に保護層としてＳｉＯ□を１００
ＯＡ形成させて光磁気記録ディスクを製作した。ボー″
′−”−“−７−′・′測定装置トヂー回転角θｋを測
定したところ、カー回転角（θ−）は０．２６゜であり
、この値はガラス基板上にＴｂ４０層を形成した場合と
同じである。
得られた記録担体は６ケ月後でも同じθｋを維持した。
Ｔｂ／Ｆｅ層が酸化劣化していない左とはオージェ電子
分光分析装置により確認され永。
分光分析装置により確認され永。
□□２．（オヤヵ、ッ。やケア、１
ダイヤル化学工業Ｃ株）製ＧＲコート液１（ポリオル２
９．あ□１ｌｌｉ３５７−３８品。ヵ。
９．あ□１ｌｌｉ３５７−３８品。ヵ。
例１．ｌＣ記載されている処方に従って３薬１級エタノ
ール２７部と脱イオン水３部を混介し、これにメチルト
リエトキシシラン加水分解線金物の固体フレーク３０部
を加え、激しく攪拌しながら約４０分で完溶し、５０％
溶液を調製した。
ール２７部と脱イオン水３部を混介し、これにメチルト
リエトキシシラン加水分解線金物の固体フレーク３０部
を加え、激しく攪拌しながら約４０分で完溶し、５０％
溶液を調製した。
別に試薬１級エタノール２３部１．８ ’）アザビシ：
・ 々口（５，４，ｏ）ウンデセン−７のフェノール塩より
成る硬化触媒０．４５部、炭化フッ索鎖な有するアニオ
ン系界面活性剤０．１部、試薬１級５水酢酸１７部をこ
の順序で加え良く混合して触媒溶液を調製した。、先の
５０％溶液と触媒溶液を混合しメチルトリ千トキシシラ
ン加水分解縮合物のフレーク３０部、水３６部を含有す
るコーテイング液を調製した。
・ 々口（５，４，ｏ）ウンデセン−７のフェノール塩より
成る硬化触媒０．４５部、炭化フッ索鎖な有するアニオ
ン系界面活性剤０．１部、試薬１級５水酢酸１７部をこ
の順序で加え良く混合して触媒溶液を調製した。、先の
５０％溶液と触媒溶液を混合しメチルトリ千トキシシラ
ン加水分解縮合物のフレーク３０部、水３６部を含有す
るコーテイング液を調製した。
次ｉ、メチルメタクリル樹脂製３００１ｓＩＲφ、厚さ
１．２畔の基板を良く洗浄し上記のＯＲコート液に浸漬
己てから１０瀦／分〜５００ｍ１１＋／分の引上げ速度
で引；上げ、直ちに７０℃に調節した熱風乾燥機に４ｔ
Ｊｓ時間乾燥とキユアリングをした。コーティング、さ
−た塗膜の厚さは０．０６〜４μであった。他の皮膜修
成方法として同じＯＲコート液をスピンコーター上に載
せたメチルメタクリル樹脂基板に滴下Ｌ／、’２００〜
６０００ｒｐｍの回転速度でスピンコー、５え１゜。。
１．２畔の基板を良く洗浄し上記のＯＲコート液に浸漬
己てから１０瀦／分〜５００ｍ１１＋／分の引上げ速度
で引；上げ、直ちに７０℃に調節した熱風乾燥機に４ｔ
Ｊｓ時間乾燥とキユアリングをした。コーティング、さ
−た塗膜の厚さは０．０６〜４μであった。他の皮膜修
成方法として同じＯＲコート液をスピンコーター上に載
せたメチルメタクリル樹脂基板に滴下Ｌ／、’２００〜
６０００ｒｐｍの回転速度でスピンコー、５え１゜。。
赫直、ｇ７０つ。熱風乾燥機、ゆ入れ５時間１乾燥とキ
ユアリングを行った。得られた塗、ｊ□１．８□、。４
〜３Ｑ−Ｃ，あつぇ。
ユアリングを行った。得られた塗、ｊ□１．８□、。４
〜３Ｑ−Ｃ，あつぇ。
よよ？Ｉ’＋ｔＬ７’ＣＮイＥ、□よに５８．。−”Ｔ
ｏｒｒ （７） Ｊｉｇ ’ＩＴ”Ｑａ’２Ｅｊ！！！
技Ｎ （株）製ｗ ！＋ ） ｕ ＞５！；、ｘ ／１
，２リング装置により’ｒｂ −Ｆｅ （原子組成比Ｔ
ｂ ： Ｆｅ＝２２ニア８）を約１００ＯＡの厚さに形
成し更に保護層としてＳ ｉｏ２を同一装置で約ｔｏｏ
ｏＫの厚さに形成した。得られた光磁気記録ディスク表
面にセロハンテープ（日東電気工業（株）製産２９．巾
２４−）を貼りつけ約４５°の角度で密着性をテストし
たところ全く剥離しなかった。次ぎにｐｏＪａｒ ｋｅ
ｒｒＲｏｔａｔｉｏｎ Ａｎｇｌｅ測定装置で、カー即
転角θｋを測定したところ０．２５〜０．２７°であり
、ガラス上にＴｂＦｅ層、を形成した場合と同じであっ
た。
ｏｒｒ （７） Ｊｉｇ ’ＩＴ”Ｑａ’２Ｅｊ！！！
技Ｎ （株）製ｗ ！＋ ） ｕ ＞５！；、ｘ ／１
，２リング装置により’ｒｂ −Ｆｅ （原子組成比Ｔ
ｂ ： Ｆｅ＝２２ニア８）を約１００ＯＡの厚さに形
成し更に保護層としてＳ ｉｏ２を同一装置で約ｔｏｏ
ｏＫの厚さに形成した。得られた光磁気記録ディスク表
面にセロハンテープ（日東電気工業（株）製産２９．巾
２４−）を貼りつけ約４５°の角度で密着性をテストし
たところ全く剥離しなかった。次ぎにｐｏＪａｒ ｋｅ
ｒｒＲｏｔａｔｉｏｎ Ａｎｇｌｅ測定装置で、カー即
転角θｋを測定したところ０．２５〜０．２７°であり
、ガラス上にＴｂＦｅ層、を形成した場合と同じであっ
た。
得られた記録担体は６ケ月後でも同、じθｋを維持し、
Ｔ ｂ、／Ｐｅ層が酸化劣化していないことはオージェ
電子分光分析装置により確認された。
Ｔ ｂ、／Ｐｅ層が酸化劣化していないことはオージェ
電子分光分析装置により確認された。
実施例３（ポリアリル化合物）
米国特許第３４６５０７６（三菱レイヨン）記載の方法
によりガラス板上にジエテレングリコールビスアリルカ
ーボネートプレポノマーを塗布し熱硬化させ注形板を作
製した。この注形板を用いて表面がジエチレングリコー
ルビスアリルカーボネート（商品名ＣＲ−３９）で覆わ
れたＰＭＭＡ板、を製造した。この表面被覆された基板
を７０℃で約４０時間真空乾燥し、これを実施例１．と
同じ装置を用い同じ方法でＴｂβＣ膜を１ｏｏｏＸの厚
さにスパッタし、保護膜としてＳ ｉＯａ膜を１０００
え形成した。
によりガラス板上にジエテレングリコールビスアリルカ
ーボネートプレポノマーを塗布し熱硬化させ注形板を作
製した。この注形板を用いて表面がジエチレングリコー
ルビスアリルカーボネート（商品名ＣＲ−３９）で覆わ
れたＰＭＭＡ板、を製造した。この表面被覆された基板
を７０℃で約４０時間真空乾燥し、これを実施例１．と
同じ装置を用い同じ方法でＴｂβＣ膜を１ｏｏｏＸの厚
さにスパッタし、保護膜としてＳ ｉＯａ膜を１０００
え形成した。
得られた光磁気記録媒体のカー回転角θには０．２３゜
であった。また、６ケ月後に於てもＴｂＰｅ層の酸化劣
化は認められなかった。
であった。また、６ケ月後に於てもＴｂＰｅ層の酸化劣
化は認められなかった。
実施例４（多官能性アクリル化合物）
日本化薬（株）製ＤＰＨＡ （ジペンタエリスリトール
・ヘナサアクリレート）２５部、日本化薬（株）製Ｐ２
１００（ポリエステルアクリレート）１０部、及び日本
化薬（株）製ＨＸ２’２０（ポリエステルアクリレート
）５部と、トルエン１５部ｎ−ブクノール５５部、を混
合した。これに、紫外憩硬化触媒として、Ｃ，ＩＢＡ社
製社製元側始剤イルガキュア６５１５部添加し混合して
、コーティング溶液を作成した。（部とあるのは全て重
量部） φ３００闘、厚さ１．２ＭのＰＭＭＡ基板を十分に洗浄
し乾燥してからスピンコーターにセットした。上記コー
テイング液を基板に滴下し、５００ｒｐｍ〜１１０００
ｒｐで回転させて、均一にコーチイン、グした後、該基
板を超高圧水銀灯（ランプ強度８０Ｗ／ｃｒｎ）から１
０ｏ＋＋の距離に置き、約２０秒紫外線を照射して硬化
させた。皮膜の厚さは０２μ〜１μであった。
・ヘナサアクリレート）２５部、日本化薬（株）製Ｐ２
１００（ポリエステルアクリレート）１０部、及び日本
化薬（株）製ＨＸ２’２０（ポリエステルアクリレート
）５部と、トルエン１５部ｎ−ブクノール５５部、を混
合した。これに、紫外憩硬化触媒として、Ｃ，ＩＢＡ社
製社製元側始剤イルガキュア６５１５部添加し混合して
、コーティング溶液を作成した。（部とあるのは全て重
量部） φ３００闘、厚さ１．２ＭのＰＭＭＡ基板を十分に洗浄
し乾燥してからスピンコーターにセットした。上記コー
テイング液を基板に滴下し、５００ｒｐｍ〜１１０００
ｒｐで回転させて、均一にコーチイン、グした後、該基
板を超高圧水銀灯（ランプ強度８０Ｗ／ｃｒｎ）から１
０ｏ＋＋の距離に置き、約２０秒紫外線を照射して硬化
させた。皮膜の厚さは０２μ〜１μであった。
以上の様にして得られた硬化皮膜上に５ Ｘ １０””
Ｔｏｒｒの真空下で日本真空Ｃ株）製マグネトロン式ス
パッタリング装置を用いてＴｂ、Ｆｅ （原子組成比Ｔ
ｂ： Ｆｅ ＝ ２２ ： ７８）を約１０００λ形成
し、保睦膜としてＳ ｉｏ２を約、１００ＯＡ同一装置
で形成した。
Ｔｏｒｒの真空下で日本真空Ｃ株）製マグネトロン式ス
パッタリング装置を用いてＴｂ、Ｆｅ （原子組成比Ｔ
ｂ： Ｆｅ ＝ ２２ ： ７８）を約１０００λ形成
し、保睦膜としてＳ ｉｏ２を約、１００ＯＡ同一装置
で形成した。
得られた光磁気記録ディスクの密着性を実施例２と同じ
セロハンテープ方法で試してみたが、実施例４及び実施
例５のいずれも剥離しなかった。
セロハンテープ方法で試してみたが、実施例４及び実施
例５のいずれも剥離しなかった。
カー回転角θにも０．２６〜０．２７°でありガラス基
板上にＴｂＦｅ層を形成した場合と同じであった。
板上にＴｂＦｅ層を形成した場合と同じであった。
実施例４及び５のディスクは、６ケ月経過しても同じθ
ｋを維持したＴｂＦｅ層が酸化していない事はオージェ
電子分光分析装置で確認され−る。
ｋを維持したＴｂＦｅ層が酸化していない事はオージェ
電子分光分析装置で確認され−る。
実施例５．（保護膜）
実施例４．で得られた光磁気記録ディスクの８ｉ０□保
獲膜上に更に同じコーテイング液を用い、実施例４と同
一の方法で、硬化膜を０．２μ（２０００Ａ）形成した
得られたディスクの特性は実施例４とほぼ同じであった
。
獲膜上に更に同じコーテイング液を用い、実施例４と同
一の方法で、硬化膜を０．２μ（２０００Ａ）形成した
得られたディスクの特性は実施例４とほぼ同じであった
。
以上、本発明を特殊な実施例によって説明したが、本発
明はこれにのみ限定されるものではない。
明はこれにのみ限定されるものではない。
例えば、本発明によるポリマー層をプラスチック基盤に
直接形成するのではなく適当なプライマー層を介して形
成したり、エツチング等の表面処理を施した後に形成す
ることもできる。
直接形成するのではなく適当なプライマー層を介して形
成したり、エツチング等の表面処理を施した後に形成す
ることもできる。
以上の説明から明らかなように、本発明によるポリマー
層をプラスチック基盤と希土類−アモルファス基盤との
間に介在させることによって垂直磁化特性を安定に形成
することができ、従来安定性および信頼性の点で使用が
疑問視されていたプラスチック基盤を光磁気記録担体と
して使用できるようになった。
層をプラスチック基盤と希土類−アモルファス基盤との
間に介在させることによって垂直磁化特性を安定に形成
することができ、従来安定性および信頼性の点で使用が
疑問視されていたプラスチック基盤を光磁気記録担体と
して使用できるようになった。
添付図面は本発明によるポリマー層を有する光磁気記録
担体の層構成を示す概念的断面図。 （図中符号） １ニブラスチツク基盤、２：希土類−遷移金属アモルフ
ァス記録媒体層、３：ポリマー層、４：保護／増感層。 出 願 人 ダイセル化学工業株式会社１図 手続補正書 昭和ψ年１７−月１ｒ：２日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 。 昭和５８年特許願第１８５０９４号 ２、発明の名称 プラスチック基盤上に希土類−遷移金属アモルファスの
光磁気記録媒体層を形成した記録担体３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 大阪府堺市鉄砲町１番地 ４、補正の対象 ５、 補正の内容 （１）％許請求の範囲を別紙の通りに補正する。 （２）発明の詳細な説明の郷を下記の通シに補正する。 １）明細書第６頁第３行目の「無機、無機の」を「無機
、有機の」に補正する。 ２）同第７頁第８行目および第１０行目のｒｃｄ Ｊを
ｒ Ｇｄ Ｊに補正する。 ３）同第８頁第１１行目の「岩付総−」を「岩村総−」
に補正する。 ４）同第９頁第１０行目のｒ ＣｄＴｂＦｅ、 ＣｄＴ
ｂＤｙＦｅ Ｊをｒ ＧｄＴｂＦｅ、 ＧｄＴｂＤｙＦ
ｅ ｊに枦正する。 ５）同第１０−頁第５行目の「オリゴ」を「オリゴ」に
補正する。 ）同第１３頁第３行目の「光磁気」を「光磁気」に補正
する。 １）同第１３′頁第１２行目の「ダイヤル」を「ダイセ
ル」に補正する。 （別゛紙） （特許請求の範囲） １）透明プラスチック基盤上に希土類−遷移金属のアモ
ルファス層を支持した光磁気記録用担体において、前記
透明プラスチック基盤と希土類−遷移金属アモルファス
層との間にプラスチック基盤との密着性が強いポリマー
層を介在させたことを特徴とする光磁気記録担体。 ２）上記ポリマー層が架橋性ポリマーであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の光磁気記録担体。 ３）上記透明プラスチック基盤がアクリル系樹脂ポリカ
ーボネート系樹脂スチレン樹脂またはポリエステル樹脂
で作らねておシ、上記希土類−遷移金属アモルファス層
がＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｄｙ−Ｆｅ系、
旦計Ｔｂ＝ｌｌｅ系、ニー’ｒｂ−Ｄｙ−Ｆｅ系および
ＩＡ−−Ｃｏ系合金で構成される群より選択された材料
で構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項または第２項記載の光磁気記録担体。 ４）前記ポリマー層がポリアリル化合物、多官能性アク
リル化合物、熱硬化性樹脂、アルキルシリケート加水分
解物、およびオルガノポリシロキサンより成る群よシ選
択された少なくとも一つのポリマーによって構成されて
いることを特徴とする特許請求の範１囲第２項記載の光
磁気記録担体。 ５）前記ポリマー層とは反対側の希土類−遷移金属アモ
ルファス層の表面上に反射層および／または誘電層を形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１〜４項いず
れか一項に記載の光磁気記録担体。 ６）前記ポリマー層の厚さが０．０１〜１０μであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１〜５項いずれか一項
に記載の光磁気記録担体。
担体の層構成を示す概念的断面図。 （図中符号） １ニブラスチツク基盤、２：希土類−遷移金属アモルフ
ァス記録媒体層、３：ポリマー層、４：保護／増感層。 出 願 人 ダイセル化学工業株式会社１図 手続補正書 昭和ψ年１７−月１ｒ：２日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 。 昭和５８年特許願第１８５０９４号 ２、発明の名称 プラスチック基盤上に希土類−遷移金属アモルファスの
光磁気記録媒体層を形成した記録担体３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 大阪府堺市鉄砲町１番地 ４、補正の対象 ５、 補正の内容 （１）％許請求の範囲を別紙の通りに補正する。 （２）発明の詳細な説明の郷を下記の通シに補正する。 １）明細書第６頁第３行目の「無機、無機の」を「無機
、有機の」に補正する。 ２）同第７頁第８行目および第１０行目のｒｃｄ Ｊを
ｒ Ｇｄ Ｊに補正する。 ３）同第８頁第１１行目の「岩付総−」を「岩村総−」
に補正する。 ４）同第９頁第１０行目のｒ ＣｄＴｂＦｅ、 ＣｄＴ
ｂＤｙＦｅ Ｊをｒ ＧｄＴｂＦｅ、 ＧｄＴｂＤｙＦ
ｅ ｊに枦正する。 ５）同第１０−頁第５行目の「オリゴ」を「オリゴ」に
補正する。 ）同第１３頁第３行目の「光磁気」を「光磁気」に補正
する。 １）同第１３′頁第１２行目の「ダイヤル」を「ダイセ
ル」に補正する。 （別゛紙） （特許請求の範囲） １）透明プラスチック基盤上に希土類−遷移金属のアモ
ルファス層を支持した光磁気記録用担体において、前記
透明プラスチック基盤と希土類−遷移金属アモルファス
層との間にプラスチック基盤との密着性が強いポリマー
層を介在させたことを特徴とする光磁気記録担体。 ２）上記ポリマー層が架橋性ポリマーであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の光磁気記録担体。 ３）上記透明プラスチック基盤がアクリル系樹脂ポリカ
ーボネート系樹脂スチレン樹脂またはポリエステル樹脂
で作らねておシ、上記希土類−遷移金属アモルファス層
がＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｄｙ−Ｆｅ系、
旦計Ｔｂ＝ｌｌｅ系、ニー’ｒｂ−Ｄｙ−Ｆｅ系および
ＩＡ−−Ｃｏ系合金で構成される群より選択された材料
で構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項または第２項記載の光磁気記録担体。 ４）前記ポリマー層がポリアリル化合物、多官能性アク
リル化合物、熱硬化性樹脂、アルキルシリケート加水分
解物、およびオルガノポリシロキサンより成る群よシ選
択された少なくとも一つのポリマーによって構成されて
いることを特徴とする特許請求の範１囲第２項記載の光
磁気記録担体。 ５）前記ポリマー層とは反対側の希土類−遷移金属アモ
ルファス層の表面上に反射層および／または誘電層を形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１〜４項いず
れか一項に記載の光磁気記録担体。 ６）前記ポリマー層の厚さが０．０１〜１０μであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１〜５項いずれか一項
に記載の光磁気記録担体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）透明プラスチック基盤上に希土類−遷移金属のアモ
ルファス層を支持した光磁気記録用担体において、前記
透明プラスチック基盤と希土類−遷移金属アモルファス
層との間にプラスチック基盤との密着性が強いポリマー
層を介在させたことを特徴とする光磁気記録担体。 ２）上記ポリマー層が架橋性ポリマーであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の光磁気記録担体。 ３）上記透明プラスチック基盤がアクリル系樹脂。 ポリカーボネート系樹脂スチレン樹脂またはポリエステ
ル樹脂で作られておシ、上記希土類−遷移金属アモルフ
ァス層がＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｄ’ｌ
Ｆｅ系、Ｃｄ −Ｔｂ−１；’ｅ系、ｃａ−’ｒｂ−Ｄ
ｙ−Ｆｅ系およびＧｄ−Ｃｏ系合金で構成される群より
選択された材料で構成されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項または第２項記載の光磁気記録担体。 ４）前記ポリマー層がポリアリル化合物、多官能性アク
リル化合物、熱硬化性樹脂、アルキルシリケート伽水分
解物、およびオルガノポリシロキサンより成る群よシ選
択された少なくとも一つのポリマーによって構成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光磁
気記録担体。 ５）前記ポリマー層とは反対側の希土類−遷移金属アモ
ルファス層の表面上に反射層および／または誘電層を形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１〜４項いず
れか一項に記載の光磁気記録担体。 ６）前記ポリマー層の厚さが０．０１〜１０μであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１〜５項いずれか一項
に記載の光磁気記録担体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58185094A JPS6079543A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | プラスチツク基盤上に希土類−遷移金属アモルフアスの光磁気記録媒体層を形成した記録担体 |
| DE8484111950T DE3479358D1 (en) | 1983-10-05 | 1984-10-05 | Recording carrier comprising an amorphous magnetooptic recording medium layer consisting of rare earth-transition armorphous metal formed on a plastic substrate |
| EP84111950A EP0136723B1 (en) | 1983-10-05 | 1984-10-05 | Recording carrier comprising an amorphous magnetooptic recording medium layer consisting of rare earth-transition armorphous metal formed on a plastic substrate |
| US06/657,864 US4596740A (en) | 1983-10-05 | 1984-10-05 | Recording carrier comprising a magnetooptic recording medium layer consisting of rare earth-transition metal amorphous layer formed on a plastic substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58185094A JPS6079543A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | プラスチツク基盤上に希土類−遷移金属アモルフアスの光磁気記録媒体層を形成した記録担体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079543A true JPS6079543A (ja) | 1985-05-07 |
| JPH0561688B2 JPH0561688B2 (ja) | 1993-09-06 |
Family
ID=16164734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58185094A Granted JPS6079543A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | プラスチツク基盤上に希土類−遷移金属アモルフアスの光磁気記録媒体層を形成した記録担体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4596740A (ja) |
| EP (1) | EP0136723B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6079543A (ja) |
| DE (1) | DE3479358D1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6247847A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-03-02 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS63222352A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-09-16 | エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン | 磁気光学メモリおよびその製造方法 |
| US4782477A (en) * | 1985-09-30 | 1988-11-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium with fluorine resin adhesive |
| JP2010270339A (ja) * | 2005-04-05 | 2010-12-02 | Chugoku Marine Paints Ltd | オルガノポリシロキサン系防汚性複合塗膜、および該塗膜で被覆された船舶、水中構造物 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3788505T2 (de) * | 1986-10-25 | 1994-04-07 | Toshiba Kawasaki Kk | Optisches Aufzeichnungsmedium und sein Herstellungsverfahren. |
| JP2525822B2 (ja) * | 1986-10-25 | 1996-08-21 | 株式会社東芝 | 光記録媒体及びその製造方法 |
| KR890012281A (ko) * | 1987-01-14 | 1989-08-25 | 도날드 밀러 셀 | 안정한 자기 광학기록매체 |
| EP0323167A3 (en) * | 1987-12-29 | 1990-12-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Helical scan tape record apparatus and method |
| US5573847A (en) * | 1990-09-14 | 1996-11-12 | Komag, Inc. | Magneto-optic disk exhibiting a phase shift between plus and minus twelve degrees and a reflectivity between fifteen and twenty-five percent |
| DE69326525T2 (de) * | 1992-11-17 | 2000-01-27 | Mitsubishi Chem Corp | Magnetooptischer Aufzeichnungträger und Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe von optischer Information |
| US5585201A (en) * | 1995-06-05 | 1996-12-17 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Radiation-curable composition comprising a polydimethylsiloxane |
| BR0008208A (pt) | 1999-02-12 | 2002-02-19 | Gen Electric | Meios de armazenamento de dados |
| US7179551B2 (en) | 1999-02-12 | 2007-02-20 | General Electric Company | Poly(arylene ether) data storage media |
| JP5408848B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2014-02-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置の製造方法 |
| WO2011140581A1 (en) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | Panorama Synergy Ltd | A multi-layer magneto-optic structure |
Citations (2)
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| JPS57113432A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-14 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Base plate for video or audio disk |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613534A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-09 | Toshiba Corp | Optical recording body and its manufacture |
| US4467383A (en) * | 1980-02-23 | 1984-08-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetooptic memory medium |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP58185094A patent/JPS6079543A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-05 US US06/657,864 patent/US4596740A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-05 EP EP84111950A patent/EP0136723B1/en not_active Expired
- 1984-10-05 DE DE8484111950T patent/DE3479358D1/de not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5654711A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-14 | Tenroku Shokai Kk | Device for washing insulator |
| JPS57113432A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-14 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Base plate for video or audio disk |
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| JP2010270339A (ja) * | 2005-04-05 | 2010-12-02 | Chugoku Marine Paints Ltd | オルガノポリシロキサン系防汚性複合塗膜、および該塗膜で被覆された船舶、水中構造物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0136723A3 (en) | 1987-10-07 |
| EP0136723A2 (en) | 1985-04-10 |
| DE3479358D1 (en) | 1989-09-14 |
| JPH0561688B2 (ja) | 1993-09-06 |
| US4596740A (en) | 1986-06-24 |
| EP0136723B1 (en) | 1989-08-09 |
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