JP2002536380A - 拘束幾何学形状メタロセン触媒錯体 - Google Patents
拘束幾何学形状メタロセン触媒錯体Info
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Abstract
(57)【要約】
拘束幾何学形状メタロセン触媒の実際的で測定可能な合成法を記載する。
Description
【0001】 発明の分野 本発明はテトラアルキルシクロペンタジエン類から誘導することができる拘束
幾何学形状オレフィン重合触媒の合成に関する。より詳細には、本発明はテトラ
メチルシクロペンタジエン類(TMCp)からの該触媒の合成に関する。
幾何学形状オレフィン重合触媒の合成に関する。より詳細には、本発明はテトラ
メチルシクロペンタジエン類(TMCp)からの該触媒の合成に関する。
【0002】 発明の背景 TMCpから誘導される拘束幾何学形状オレフィン重合触媒は公知である。一
般に、DeVoreらの(1995年)Organometallics 14 :3132−3124;米国特許第5,470,993号;欧州特許出願第0
416 815 A2号;出願公告 WO98/27103;Shapiro,
P.J.らの(1990年)Organometallics 9:867−8
69;P.J.らの(1994年)J.Am.Chem.Soc.,116:4
623−4640を参照されたい。該触媒の合成は式I:
般に、DeVoreらの(1995年)Organometallics 14 :3132−3124;米国特許第5,470,993号;欧州特許出願第0
416 815 A2号;出願公告 WO98/27103;Shapiro,
P.J.らの(1990年)Organometallics 9:867−8
69;P.J.らの(1994年)J.Am.Chem.Soc.,116:4
623−4640を参照されたい。該触媒の合成は式I:
【0003】
【化6】
【0004】 の置換シクロペンタジエニルシリルアミン類(CpSA配位子)の転化を含むこ
とができる。 式中Rは、好ましくは炭素原子が1ないし5個のアルキル基であることができ、
R1及びR2はアルキル基で、R1はメチルが好ましく、R2は第三級ブチルが好ま
しい。各R1及びR2は相互及び任意のRと同一でも異なっていてもよい。この配
位子は式II:
とができる。 式中Rは、好ましくは炭素原子が1ないし5個のアルキル基であることができ、
R1及びR2はアルキル基で、R1はメチルが好ましく、R2は第三級ブチルが好ま
しい。各R1及びR2は相互及び任意のRと同一でも異なっていてもよい。この配
位子は式II:
【0005】
【化7】
【0006】 (式中Mは第IV族金属、好ましくはジルコニウム、ハフニウムまたはチタンで
あり、R、R1およびR2はさきに定義した通り)の第IV族金属ジクロリド化合
物に転化させることができる。
あり、R、R1およびR2はさきに定義した通り)の第IV族金属ジクロリド化合
物に転化させることができる。
【0007】 引用文献に示されるように、式IIのジクロリドはジエン、典型的には1,3
−ペンタジエンと反応してオレフィン重合触媒として有用な拘束幾何学形状メタ
ロセン錯体を生成させることができる。
−ペンタジエンと反応してオレフィン重合触媒として有用な拘束幾何学形状メタ
ロセン錯体を生成させることができる。
【0008】 発明の要約 本発明は拘束幾何学形状メタロセン触媒のすぐれた実際的で測定可能な合成法
を提供する。本発明によれば、アルキルシクロペンタジエン、典型的にはTMC
pを1つのポットで、まずn−ブチルリチウムと、ついでジメチルシリルジクロ
リド及びアルキルアミン、好ましくはtert−ブチルアミンと反応させて、式
Iの粗CpSA配位子を生成させることができる。このCpSA配位子をブチル
リチウムおよび第IV族金属テトラクロリドと処理して、式IIのジクロリドを
生成させる。単離した式IIの化合物をジエンおよびブチルリチウムと反応させ
て、式IIIの拘束メタロセン化合物:
を提供する。本発明によれば、アルキルシクロペンタジエン、典型的にはTMC
pを1つのポットで、まずn−ブチルリチウムと、ついでジメチルシリルジクロ
リド及びアルキルアミン、好ましくはtert−ブチルアミンと反応させて、式
Iの粗CpSA配位子を生成させることができる。このCpSA配位子をブチル
リチウムおよび第IV族金属テトラクロリドと処理して、式IIのジクロリドを
生成させる。単離した式IIの化合物をジエンおよびブチルリチウムと反応させ
て、式IIIの拘束メタロセン化合物:
【0009】
【化8】
【0010】 (式中M、R、R1及びR2はさきに定義した通りである) を生成させる。 発明の詳細な説明 本発明の1つの態様に従えば、テトラメチルシクロペンタジエン(TMCp)
から3工程で拘束幾何学形状触媒を製造することができる。TMCpを参照して
本発明を具体的に説明する。
から3工程で拘束幾何学形状触媒を製造することができる。TMCpを参照して
本発明を具体的に説明する。
【0011】 (1) CpSA配位子の調製 TMCpを容器に充填してTHFを加える。低温、好ましくは−20℃ないし
−10℃の温度でn−ブチルリチウムを送入する。撹拌及び室温まで加温した後
、容器を約−10℃を下回る温度まで再冷却して、約−10℃ないし0℃の低温
でジメチルジクロロシランを送入する。撹拌および室温まで加温した後、容器を
再び冷却して、−10℃の低温においてt−ブチルアミンを送入する。撹拌およ
び室温まで加温した後、容器を加熱し、おおまかなポンプの真空で容器からTH
F/ヘキサン/t−ブチルアミンを蒸留する。ヘプタンを再び加えて、スラリー
をブフナー濾過器で濾過する。濾過器に残った固体をヘプタンで洗う。容器の圧
力を下げて、100−115℃のポット温度まで僅かな「前端(front e
nds)」を集める。115−125℃のポット温度及び95−105℃の頭部
温度で蒸留されるCpSA配位子を除く(ポット温度及び頭部温度は実際の圧力
によって変わる)。この方法は必然的に反応1および2を伴う:反応1 :
−10℃の温度でn−ブチルリチウムを送入する。撹拌及び室温まで加温した後
、容器を約−10℃を下回る温度まで再冷却して、約−10℃ないし0℃の低温
でジメチルジクロロシランを送入する。撹拌および室温まで加温した後、容器を
再び冷却して、−10℃の低温においてt−ブチルアミンを送入する。撹拌およ
び室温まで加温した後、容器を加熱し、おおまかなポンプの真空で容器からTH
F/ヘキサン/t−ブチルアミンを蒸留する。ヘプタンを再び加えて、スラリー
をブフナー濾過器で濾過する。濾過器に残った固体をヘプタンで洗う。容器の圧
力を下げて、100−115℃のポット温度まで僅かな「前端(front e
nds)」を集める。115−125℃のポット温度及び95−105℃の頭部
温度で蒸留されるCpSA配位子を除く(ポット温度及び頭部温度は実際の圧力
によって変わる)。この方法は必然的に反応1および2を伴う:反応1 :
【0012】
【化9】
【0013】 この反応1において、アルカリ金属アルキルをn−メチルリチウムの代わりに
用いることができる。炭素原子が1ないし5個のアルカリ金属アルキルが好まし
い。さらに、任意のアルキルアミン、好ましくは炭素原子が3ないし6個の第三
級アミルをt−ブチルアミンの代わりに用いることができる。反応2 :
用いることができる。炭素原子が1ないし5個のアルカリ金属アルキルが好まし
い。さらに、任意のアルキルアミン、好ましくは炭素原子が3ないし6個の第三
級アミルをt−ブチルアミンの代わりに用いることができる。反応2 :
【0014】
【化10】
【0015】 (2) ジクロリドの調製 第2工程は、反応3−5に示すように、炭化水素溶剤中で、配位子と、ブチル
リチウム及び第IV族金属テトラクロリド、好ましくはチタンまたはジルコニウ
ムテトラクロリドのDME錯体との処理によって、工程IのCpSA配位子生成
物から式IIのジクロリドへの転化を必然的に含むことができる:反応3 :
リチウム及び第IV族金属テトラクロリド、好ましくはチタンまたはジルコニウ
ムテトラクロリドのDME錯体との処理によって、工程IのCpSA配位子生成
物から式IIのジクロリドへの転化を必然的に含むことができる:反応3 :
【0016】
【化11】
【0017】反応4 :
【0018】
【化12】
【0019】反応5 :
【0020】
【化13】
【0021】 反応3および5は好ましくは−20℃ないし+10℃の温度で行われる。好ま
しい炭化水素溶剤にはヘキサン類、ヘプタン類及びisoparがある。反応3
はIsopar Eとジエチルエーテルとの混合物、好ましくはジエチルエーテ
ル単独中で行うことができる。反応5は好ましくは炭化水素とジエチルエーテル
との混合物中で行われる。
しい炭化水素溶剤にはヘキサン類、ヘプタン類及びisoparがある。反応3
はIsopar Eとジエチルエーテルとの混合物、好ましくはジエチルエーテ
ル単独中で行うことができる。反応5は好ましくは炭化水素とジエチルエーテル
との混合物中で行われる。
【0022】 DME第IV族金属錯体は、公知の方法で、0℃ないし−10℃の温度におい
て炭化水素媒質中、好ましくはヘキサン中のスラリーとして別に調製する。炭化
水素溶剤に1.1当量のDMEを加えた後、1.0当量のTiCl4を添加する
。このスラリーを室温で1時間撹拌してから、このスラリーにジリチオ塩を加え
る。 (3) 拘束幾何学形状触媒の調製 第3工程において、例えば反応6に示すように、炭化水素溶剤中でブチルリチ
ウム、ジエン及び塩化トリメチルケイ素との反応によって、工程2のジクロリド
生成物(すなわちCpSAジクロリド)を式IIIの拘束幾何学形状触媒に転化
させる。反応6 :
て炭化水素媒質中、好ましくはヘキサン中のスラリーとして別に調製する。炭化
水素溶剤に1.1当量のDMEを加えた後、1.0当量のTiCl4を添加する
。このスラリーを室温で1時間撹拌してから、このスラリーにジリチオ塩を加え
る。 (3) 拘束幾何学形状触媒の調製 第3工程において、例えば反応6に示すように、炭化水素溶剤中でブチルリチ
ウム、ジエン及び塩化トリメチルケイ素との反応によって、工程2のジクロリド
生成物(すなわちCpSAジクロリド)を式IIIの拘束幾何学形状触媒に転化
させる。反応6 :
【0023】
【化14】
【0024】 反応6は、反応5に示すように炭化水素溶剤中で−10℃ないし0℃の温度に
おいて行うことができる。 実施例 1 本実施例は反応3ないし5を行うための実験室的方法を示す:
おいて行うことができる。 実施例 1 本実施例は反応3ないし5を行うための実験室的方法を示す:
【0025】
【表1】
【0026】方法 : 反応3(工程1ないし6): 1.第1の清浄で乾燥し、窒素シールした1リットルの丸底フラスコに下記を
充填する: 25.1グラム(0.10モル)のCpSA配位子、 275グラム(400ml)のIsopar E、および 14.8グラム(0.2モル)のジエチルエーテル。
充填する: 25.1グラム(0.10モル)のCpSA配位子、 275グラム(400ml)のIsopar E、および 14.8グラム(0.2モル)のジエチルエーテル。
【0027】 2.ドライアイス/アセトンで−10℃に冷却する。 3.ポット温度を0℃未満に保ったフラスコに86.3グラム(127ml,
0.203モル)のn−ブチルリチウム、1.6Mのヘキサン類を送入する。
0.203モル)のn−ブチルリチウム、1.6Mのヘキサン類を送入する。
【0028】 4.送入完了後、2時間にわたりフラスコを徐々に25℃に温める。 5.フラスコを25℃において12時間撹拌する。 6.反応の完了を確認する。
【0029】 反応4(工程7ないし11): 7.清浄で乾燥し、窒素でシールした2リットルの丸底フラスコに下記を充填
する: 136グラム(200ml)のIsopar E,および 18.9グラム(0.1モル)の四塩化チタン。
する: 136グラム(200ml)のIsopar E,および 18.9グラム(0.1モル)の四塩化チタン。
【0030】 8.第2の2リットル丸底フラスコをドライアイス/アセトンで0℃に冷却す
る。 9.ポット温度を0℃に保った第2の2リットル丸底フラスコに9.45グラ
ム(0.105モル)のジメトキシエタン(DME)を送入する。
る。 9.ポット温度を0℃に保った第2の2リットル丸底フラスコに9.45グラ
ム(0.105モル)のジメトキシエタン(DME)を送入する。
【0031】 10.送入完了後、1時間にわたり第2の2リットル丸底フラスコを徐々に2
5℃に温める。 11.2リットルの丸底フラスコを25℃において2時間撹拌する。
5℃に温める。 11.2リットルの丸底フラスコを25℃において2時間撹拌する。
【0032】 反応5(工程12ないし14): 12.第1および第2フラスコをいずれも25℃にして、第1の1リットル丸
底フラスコの内容物を迅速に第2の2リットル丸底フラスコに加える。
底フラスコの内容物を迅速に第2の2リットル丸底フラスコに加える。
【0033】 13.工程12後、第2の2リットル丸底フラスコを20−25℃において1
2時間撹拌する。 14.第2の2リットル丸底フラスコを110℃のポット温度に加熱して、溶
剤を蒸留する。110℃に30分間保つ。
2時間撹拌する。 14.第2の2リットル丸底フラスコを110℃のポット温度に加熱して、溶
剤を蒸留する。110℃に30分間保つ。
【0034】 実施例 2 拘束幾何学形状触媒の調製 反応6(工程15ないし25): 15.工程14の2リットル丸底フラスコをドライアイス/アセトンで−10
℃に冷却する。
℃に冷却する。
【0035】 16.2リットル丸底フラスコに下記を充填する:20グラム(7グラムはト
ランス異性体として含まれる,0.103モル)の1,3−ペンタジエン。 17.131.3ml(0.21モル,89.235グラム)のn−ブチルリ
チウム(1.6Mヘキサン類溶液)を、−10℃のポット温度に保った2リット
ル丸底フラスコ中に送入する。
ランス異性体として含まれる,0.103モル)の1,3−ペンタジエン。 17.131.3ml(0.21モル,89.235グラム)のn−ブチルリ
チウム(1.6Mヘキサン類溶液)を、−10℃のポット温度に保った2リット
ル丸底フラスコ中に送入する。
【0036】 18.送入完了後、1時間にわたり2リットル丸底フラスコを徐々に25℃に
温める。 19.2リットル丸底フラスコを25℃において4時間撹拌する。
温める。 19.2リットル丸底フラスコを25℃において4時間撹拌する。
【0037】 20.この2リットル丸底フラスコに下記を加える:未反応または過剰のn−
ブチル(工程17から)の反応を抑止させるための2.2グラム(0.02モル
)のクロロトリメチルシラン。
ブチル(工程17から)の反応を抑止させるための2.2グラム(0.02モル
)のクロロトリメチルシラン。
【0038】 21.2リットル丸底フラスコを110℃のポット温度まで加熱して溶剤を蒸
留する。110℃に30分間保持する。 22.2リットル丸底フラスコを25℃に冷却する。
留する。110℃に30分間保持する。 22.2リットル丸底フラスコを25℃に冷却する。
【0039】 23.セライト層で濾過して清浄なフラスコに移す。 24.濾液の純度、エーテル含量、塩化リチウム含量を分析する。 25.十分な量のIsopar Eを加えて、拘束幾何学形状メタロセン生成
物の濃度を10重量%に調節する。収量:32.9−33.6グラム、90−9
2%、0.9−0.92モル。理論収量:36.55グラム。
物の濃度を10重量%に調節する。収量:32.9−33.6グラム、90−9
2%、0.9−0.92モル。理論収量:36.55グラム。
【0040】 実施例 3 TMCpから拘束幾何学形状メタロセンへのパイロットプラントによる転化 本実施例は典型的なパイロットプラントによる転化である。条件はパイロット
プラントのバッチ毎に変わることがある。
プラントのバッチ毎に変わることがある。
【0041】 第1反応器内の20kgのTHF(6ガロン、20重量%溶液)中に5kgの
TMCp(40.91モル)を充填する。N2雰囲気中で−20℃に冷却する。 −20℃ないし−10℃において、17.0kg(40.31モル、6.6ガ
ロン)の1.6M BuLi(BuLiの15.16%ヘキサン溶液として計算
する)を加える。一夜間室温に温める;そして試料のD2O抑止によって完了の
有無を確認する。
TMCp(40.91モル)を充填する。N2雰囲気中で−20℃に冷却する。 −20℃ないし−10℃において、17.0kg(40.31モル、6.6ガ
ロン)の1.6M BuLi(BuLiの15.16%ヘキサン溶液として計算
する)を加える。一夜間室温に温める;そして試料のD2O抑止によって完了の
有無を確認する。
【0042】 BuLiの添加が完了すると、−10℃において第1反応器に5.2kgのジ
メチルジクロロシラン(40.31モル)を加える。窒素気泡管で徐々にウォー
ムアップしながら一夜間(少なくとも8時間)撹拌して、反応の終了を確認する
。
メチルジクロロシラン(40.31モル)を加える。窒素気泡管で徐々にウォー
ムアップしながら一夜間(少なくとも8時間)撹拌して、反応の終了を確認する
。
【0043】 反応が完了すると、−10℃において8.84kgのt−ブチルアミン(12
0.9モル)を加える。室温で少なくとも12時間撹拌する。 20kgのヘプタンを加える。予想される生成物はCpSAの20重量%ヘプ
タン溶液で、ヘプタンが40.5kgでCpSAが10.13kgである。受器
に冷却器、ポットに温浴を用い、40℃のポット温度までのおおまかなポンプの
ストリップによって、THFおよび過剰のt−ブチルアミンを抜き取る。再び3
0.5kgのヘプタンを加え、おおまかなポンプ操作で10kgの補足的ヘプタ
ンを除去する。留出物について「現在」の範囲がTHF5%未満であるかどうか
検査する(ポットはTHFが1%未満でなければならない)。必要に応じてさら
にヘプタンを加えてTHFを除く。
0.9モル)を加える。室温で少なくとも12時間撹拌する。 20kgのヘプタンを加える。予想される生成物はCpSAの20重量%ヘプ
タン溶液で、ヘプタンが40.5kgでCpSAが10.13kgである。受器
に冷却器、ポットに温浴を用い、40℃のポット温度までのおおまかなポンプの
ストリップによって、THFおよび過剰のt−ブチルアミンを抜き取る。再び3
0.5kgのヘプタンを加え、おおまかなポンプ操作で10kgの補足的ヘプタ
ンを除去する。留出物について「現在」の範囲がTHF5%未満であるかどうか
検査する(ポットはTHFが1%未満でなければならない)。必要に応じてさら
にヘプタンを加えてTHFを除く。
【0044】 セライトを用いブフナーで濾過してドラムに詰める。3ガロンのヘプタン洗液
(10kg)を加えてポット及びブフナーを洗う。ドラムの最終濃度を分析する
。ドラム中のCpSAは高純度の蒸留生成物を得るために好ましくは減圧蒸留す
る。
(10kg)を加えてポット及びブフナーを洗う。ドラムの最終濃度を分析する
。ドラム中のCpSAは高純度の蒸留生成物を得るために好ましくは減圧蒸留す
る。
【0045】 第2の乾燥した反応器にジエチルエーテルを18.1kg(6.8ガロン,1
5重量%)および蒸留CpSAを3.2kg(11.95モル、0.9ガロン、
ただしCpSAを純度94%と仮定する)充填する。
5重量%)および蒸留CpSAを3.2kg(11.95モル、0.9ガロン、
ただしCpSAを純度94%と仮定する)充填する。
【0046】 −20℃に冷却する。温度を−20℃未満に保ちながら10.3kgの1.6
M BuLi(4ガロン、24.2モル)を加える。送入完了後、2時間にわた
り室温まで徐々に温め、気泡管を用いて12時間撹拌する。
M BuLi(4ガロン、24.2モル)を加える。送入完了後、2時間にわた
り室温まで徐々に温め、気泡管を用いて12時間撹拌する。
【0047】 第2反応器にIsopar Eを16.3kg(6.3ガロン)およびTiC
l4を2.2kg(11.6モル=理論量でなければならない)充填する。0な
いし−10℃に冷却して、ジメトキシエタン(DME、1.1kg、12.2モ
ル)を加える。1時間にわたり徐々に25℃に温めて、20−25℃で2時間撹
拌する。
l4を2.2kg(11.6モル=理論量でなければならない)充填する。0な
いし−10℃に冷却して、ジメトキシエタン(DME、1.1kg、12.2モ
ル)を加える。1時間にわたり徐々に25℃に温めて、20−25℃で2時間撹
拌する。
【0048】 両反応器を−10℃にして、温度を0℃未満に保ちながら、第1反応器中のジ
リチオ塩を第2反応器中のTiCl4−DMEスラリー中に迅速に30分で加え
る。塔の水温において12時間撹拌する。120℃のポット温度まで大気圧で蒸
留し、120℃に30分間保持する。加工前にすべてのジエチルエーテルを除く
(溶剤としてIsoparを残して)のが好ましい。ジクロリドはIsopar
溶液を−20℃に冷却し、窒素雰囲気中で濾過して固体を集めることによって固
体として単離させることができる。
リチオ塩を第2反応器中のTiCl4−DMEスラリー中に迅速に30分で加え
る。塔の水温において12時間撹拌する。120℃のポット温度まで大気圧で蒸
留し、120℃に30分間保持する。加工前にすべてのジエチルエーテルを除く
(溶剤としてIsoparを残して)のが好ましい。ジクロリドはIsopar
溶液を−20℃に冷却し、窒素雰囲気中で濾過して固体を集めることによって固
体として単離させることができる。
【0049】 ジクロリドを単離させる場合には、固体を16.3kg(6.3ガロン)のI
sopar E中に溶解する。CGC−7 ジクロリドのIsopar E溶液
を−10℃に冷却する。第2反応器の内容物に1,3−ペンタジエンを2.4k
g(837g含有、12.3モル)装入する。−10℃に保ちながら1.6m
BuLiを10.7kg(25.1モル)添加する。25℃に温めて、25℃で
4時間撹拌する。TMSCl 263gを加える。ポットを120℃に加熱して
ストリップするる。120℃に90分間保持する。25℃に冷却する。オーブン
乾燥セライト層で濾過する。触媒生成物の濃度をIsopar Eの10%溶液
に調節する。
sopar E中に溶解する。CGC−7 ジクロリドのIsopar E溶液
を−10℃に冷却する。第2反応器の内容物に1,3−ペンタジエンを2.4k
g(837g含有、12.3モル)装入する。−10℃に保ちながら1.6m
BuLiを10.7kg(25.1モル)添加する。25℃に温めて、25℃で
4時間撹拌する。TMSCl 263gを加える。ポットを120℃に加熱して
ストリップするる。120℃に90分間保持する。25℃に冷却する。オーブン
乾燥セライト層で濾過する。触媒生成物の濃度をIsopar Eの10%溶液
に調節する。
【手続補正書】特許協力条約第19条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成12年6月20日(2000.6.20)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【化1】 (式中RおよびR2は同一か又は異なるアルキル基でR1はメチルである)を含有
する第1反応混合物を生成させ; (ii)工程(i)で生成させた前記テトラアルキルシクロペンタジエンシリル
アミンをアルカリ金属アルキル及びMCl4・DME錯体(式中Mは第IV族金
属でDMEはジメトキシエタンである)と反応させ、 ここにおいて前記MCl4・DME錯体を非妨害媒質中にスラリー化し;そし
て 式IIの化合物:
する第1反応混合物を生成させ; (ii)工程(i)で生成させた前記テトラアルキルシクロペンタジエンシリル
アミンをアルカリ金属アルキル及びMCl4・DME錯体(式中Mは第IV族金
属でDMEはジメトキシエタンである)と反応させ、 ここにおいて前記MCl4・DME錯体を非妨害媒質中にスラリー化し;そし
て 式IIの化合物:
【化2】 (式中R、R1、R2およびMはさきに定義した通りである)を含有する第2反応
混合物を生成させ;そして (iii)前記式IIの化合物を式IIIの化合物:
混合物を生成させ;そして (iii)前記式IIの化合物を式IIIの化合物:
【化3】 に転化させる ことを含むテトラアルキルシクロペンタジエンジメチルシリルアミン配位子を含
有する第IV族金属錯体の合成法。
有する第IV族金属錯体の合成法。
【化4】 のアルカリ金属塩をTiCl4・DME付加物の非妨害媒質中スラリーと反応さ
せ、ここにおいて式IIの化合物:
せ、ここにおいて式IIの化合物:
【化5】 を含有する反応混合物を生成させる ことを含む方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4H049 VN01 VP01 VQ39 VR23 VR61 VU14 4H050 AA01 AA02 AB40 AC90 BA03 BA44 BB11 BB15 4J028 AA01 AB00 AB01 AC01A AC02A AC08A AC10A AC22A AC26A AC28A
Claims (18)
- 【請求項1】 (i)非妨害媒質の存在下で、テトラアルキルシクロペンダ
ジエンをアルカリ金属アルキル及びジメチルシリルクロリド及びアルキルアミン
と反応させ、ここにおいて式Iのテトラアルキルシクロペンタジエンシリルアミ
ン: 【化1】 (式中RおよびR2は同一か又は異なるアルキル基でR1はメチルである)を含有
する第1反応混合物を生成させ; (ii)工程(i)で生成させた前記テトラアルキルシクロペンタジエンシリル
アミンをアルカリ金属アルキル及びMCl4・DME錯体(式中Mは第IV族金
属でDMEはジメトキシエタンである)と反応させ、 ここにおいて前記MCl4・DME錯体を非妨害媒質中にスラリー化し;そし
て 式IIの化合物: 【化2】 (式中R、R1、R2およびMはさきに定義した通りである)を含有する第2反応
混合物を生成させ;そして (iii)前記式IIの化合物を式IIIの化合物: 【化3】 に転化させる ことを含むテトラアルキルシクロペンタジエンジメチルシリルアミン配位子を含
有する第IV族金属錯体の合成法。 - 【請求項2】 前記工程(i)のテトラアルキルシクロペンタジエンがテト
ラメチルシクロペンタジエンである請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 該工程(i)または工程(ii)のアルカリ金属アルキルがn
−ブチルリチウムである請求項1または請求項2記載の方法。 - 【請求項4】 RおよびR1がメチルでR2が第三級ブチルである請求項1ま
たは請求項2記載の方法。 - 【請求項5】 前記工程(i)のアルキルアミンがt−ブチルアミンである
請求項1または請求項2記載の方法。 - 【請求項6】 前記工程(i)の非妨害媒質が炭化水素である請求項1また
は請求項2記載の方法。 - 【請求項7】 前記MCl4・DME錯体をスラリー化する非妨害媒質が炭
化水素または、ジエチルエーテルと好ましくはIsoparである炭化水素との
混合物である請求項1または請求項2記載の方法。 - 【請求項8】 ジエチルエーテルの無い状態で、前記式IIの化合物をアル
カリ金属アルキル及びジエンと処理することによって前記転化工程(iii)を達
成 させる請求項1記載の方法。 - 【請求項9】 前記アルカリ金属アルキルがn−ブチルリチウムで前記ジエ
ンが1,3−ペンタジエンである請求項8記載の方法。 - 【請求項10】 (i)式Iの化合物: 【化4】 のアルカリ塩をTiCl4・DME付加物の非妨害媒質中スラリーと反応させ、
ここにおいて式IIの化合物: 【化5】 を含有する反応混合物を生成させる ことを含む方法。 - 【請求項11】 前記アルカリ金属塩がリチウム塩である請求項10記載の
方法。 - 【請求項12】 前記非妨害媒質が炭化水素媒質である請求項10または請
求項11記載の方法。 - 【請求項13】 前記非妨害媒質が、Isopar E、またはヘキサン類
、またはIsopar Eとジエチルエーテルとの混合物、またはヘキサン類と
ジエチルエーテルとの混合物である請求項10または請求項11記載の方法。 - 【請求項14】 −20℃ないし0℃の温度で行われる請求項10または請
求項11記載の方法。 - 【請求項15】 前記工程(i)の反応混合物をアルキルリチウムおよびジ
エンと処理し、ここにおいて式IIIの化合物を含有する反応混合物を生成させ
る工程(ii)をさらに含む請求項14記載の方法。 - 【請求項16】 前記反応混合物中の未反応アルキルリチウムをトリメチル
シリルクロリドで反応抑止させる請求項15記載の方法。 - 【請求項17】 転化工程(iii)において前記工程(ii)の式IIの化合
物 を前記第2反応混合物から単離させない請求項1または請求項2記載の方法。 - 【請求項18】 前記工程(ii)の第2反応混合物中で、前記式IIの化合
物をその場で転化させることによって前記転化工程(iii)を達成させる請求項
1 または請求項2記載の方法。
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