JP2002520596A - 多探針プローブ - Google Patents
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Abstract
Description
技術に関し、特に、例えばLSIおよびVLSI複合体の半導体集積回路をプロ
ービングおよび解析する技術に関する。
には、国際特許出願WO94/11745に記載されているような四探針プロー
ブを利用して被処理半導体ウエーハの表面の抵抗率もしくはキャリヤ濃度プロフ
ィールを発生することが含まれる。さらに、例えば、エス.エム.スツェ,Semi
conductor devices-Physics and Technology, Wiley New York(1985)を参照され
たい。
構成として位置決めされる点を有する。図2に詳細に示すように、2つの周辺点
に電流を加えることにより、四探針プローブの2つの内部点で電圧を測定するこ
とができる。したがってテストサンプルの電気的抵抗率を次式で求めることがで
き、 ρ=c・(V/I) ここに、Vは内部の点間で測定した電圧であり、Iは周辺点に加えられる電流で
あり、cはテストサンプルの表面接触分離dおよびディメンジョンによって決ま
るジオメトリファクタである。修正係数を計算するためのいくつかの方式が開発
されており、エフ.エム.スミツ,Measurement of Sheet Resistivities with
the Four-Point Probe, Bell System Technical L. 37,711(1985),EP0299875B1,
およびジェー.シおよびワイ.サン,New method for calculation of the corr
ection factors for the measurement of sheet resistivity of a square samp
le with a square four-point probe, Rev.Schi.Instrum.681814(1997)を参照さ
れたい。
接触位置決めされる4つのタングステンもしくは固体炭化タングステンからなっ
ている。外部位置決めシステムが四探針プローブをウエーハ表面に対して垂直な
方向に移動させることにより半導体ウエーハと物理的に接触させる。例えばでこ
ぼこのウエーハ表面に四探針が全て物理的に接触することを保証するために、ウ
エーハ表面に対して垂直な圧力を四探針プローブに加えなければならない。した
がって、表面上のチップからの圧力はチップ間で変動する。チップは典型的には
0.5mm程度の図1に示す距離dだけ離されている。
示され本開示の一部としてここに組み入れられているSR(広がり抵抗)プロー
ブである。SRプローブは1本のカンチレバーアーム上に配置された2つのプロ
ーブチップからなっている。SRプローブは、半導体ウエーハのでこぼこな表面
との物理的接触を正確に制御するために加えられる圧力等を監視しながら、外部
位置決めシステムによりウエーハ表面と物理的に接触させられる。しかしながら
、チップは同じカンチレバービーム上に配置されているため、最大圧力を監視し
ながら監視された圧力により1つのチップは物理的接触が悪いままとされること
がある。
ついて説明されている米国特許第5,475,318号、米国特許第5,540
,958号、米国特許第5,557,214号、欧州特許EP0466274お
よび欧州特許出願EP98610023.8、独国特許出願DE1964847
5および日本国特許出願JP07199219、JP01147374およびJ
PH8−15318を参照されたい。米国特許は本開示の一部としてここに組み
入れられている。さらに、IEEE1989,pg.289−292,第7号の
スーニルホン等の design and fabrication of a monolithic high-density pro
be card for high-frequency on-wafer testing に関する論文、IEEE199
6,pg.429−434,第6号のチャンジオールリー等のhigh-density sili
con microprobe arrays for LCD pixel inspection に関する論文、Journal of
Vacuum Science & Technology B (Microelectronics Processing and Phenomena
) 1991 第9号,pg.666のテー.フジイ等の micropattern measuremen
t with an atomic force microscope に関する論文、Journal of Vacuum Scienc
e & Technology B (Microelectronics Processing and Phenomena) 1993 第
11号,pg.2386のエッチ.ダブリュ.ピー.クープ等の Constructive
three-dimensional lithography with electron beam induced deposition for
quantum effect devices に関する論文、Journal of Vacuum Science & Technol
ogy B (Microelectronics Processing and Phenomena) 1996 第14号,pg
.6のエッチ.ダブリュ.クープ等の conductive dots, wires, and supertips
for field electron emitters produced by deposition on samples having in
creased temperature に関する論文、および Physics Rev. B 1995第51号
、pg.5502のキュー.ニウ等の double tip scanning tunneling microsc
ope for surface analysis に関する論文を参照されたい。
とは別に、従来技術のプローブはテスト技術の小型化に関して限界を有し、それ
はこれまで知られているプローブは任意の2つのチップ間の最大間隔を0.5m
m程度の寸法に制限するためであり、それは、特に四探針プローブに関する限り
、製造技術に個別のテストピンを機械的に位置決めおよび拘束することが含まれ
るためであり、またSRプローブに関する限り全体構造に関して極端な複雑さを
示しまたSRプローブの全体構造によりSRプローブの利用に関してある欠点が
あるためである。
求めるのに利用できる技術は現在ないように見える。したがって、半導体ウエー
ハ表面の破壊の可能性を最小限に抑えながら、個別のデバイス上で高分解能電気
的性質測定を実施することができる装置に対する必要性が生じている。
路をテストすることができるテストプローブ、特にテストピン間の間隔を100
nm程度の、例えば、1nm−1μmもしくはそれ以下の0.5mmよりも小さ
い間隔とすることができる新しいテストプローブを提供することである。
たりすることができるプローブアームを含んでいるため、新しい多探針プローブ
を含む新しいテスト技術により任意のテストピンとテストサンプルの特定位置と
の間に信頼できる接触を確立するのにプローブを利用できるという事実に関連し
ている。
ブルな工程で製作することができるため、測定電子装置をテストプローブ上に一
体化することができ、プレーナ技術、CMOS技術、厚膜技術もしくは薄膜技術
およびLSIおよびVLSI製作技術を含む任意適切な回路技術により作られる
任意のデバイス上でテストを実施することができるという事実に関連している。
から自明となる非常にたくさんの他の目的、利点および特徴と共に、本発明の第
1の特徴に従って、テストサンプルの特定位置における電気的性質をテストする
多探針プローブによって得られ、それは、 (a) 支持体と、 (b) 第1の多数の導電性プローブアームであって、前記支持体の表面と共
面に位置決めされ、前記支持体から自由に延び、前記第1の多数の導電性プロー
ブアームの個別に撓むことができる動作を与える第1の多数の導電性プローブア
ームと、を含み、 (c) 前記導電性プローブアームは前記導電性プローブアームを前記支持ウ
エーハ本体上にそれと面接触させて製作し、前記支持体を提供する前記ウエーハ
本体の一部を除去して前記支持体から自由に延びる前記導電性プローブアームを
提供することを含む前記多探針プローブの製作工程から作り出される。
は、特に支持体からプローブが製作されるプレーナ技術を含む、電子回路製作技
術に従って実現され、それは第1の多数の導電性プローブアームがその上に製作
されるウエーハ本体から作り出され、CVD(chemical vapor deposition),P
ECVD(plasma enhanced CVD), ECR(electron cyclotron resonance),
もしくはスパッタリング、エッチングあるいは任意他の製作技術、例えば、電子
ビームリソグラフィ、AFM(atomic force microscopy) リソグラフィもしくは
レーザリソグラフィ、等の高分解能リソグラフィ法、等の任意の既知の技術によ
り達成される堆積を含み、それから元の支持体の一部が機械的研削もしくはエッ
チングにより除去されて自由に延びる導電性プローブアームが作り出され、それ
は本発明の第1の特徴に従って多探針プローブのテストピンを構成する本発明の
特徴を示す。
出す前記部分は元のウエーハ本体の非主要部もしくは主要部を構成することがで
き、支持体は本発明に従った多探針プローブの別の実施例に従って、導電性プロ
ーブアームの自由に延びる部分に比べて寸法的に非主要部もしくは主要部を構成
することができる。
徴を示す導電性プローブアームにより、テストサンプルの表面に関して垂直に移
動される前記した四探針プローブから明確なテストされるテストサンプルの表面
に関して導電性プローブアームの角位置決めにおける多探針プローブの接触が可
能とされる。多探針プローブの導電性プローブアームの角方位により可撓性で弾
性湾曲可能な導電性プローブアームはテストサンプルの任意特定の所期位置に接
触して、問題とする位置と信頼度の高い電気的接触を達成することができる。
導電性プローブアームの角位置決めを利用して多探針プローブとテストサンプル
のテスト位置間の接触を確立する本発明の特徴を示す技術により、プローブアー
ムはテストされるテストサンプルを機械的に破壊したり劣化させることを防止さ
れ、それはLSIおよびVLSI回路等の特定用途においては決定的に重要なこ
とである。
ームを含む本発明に従った多探針プローブは、導電性プローブアームを互いにか
つ支持体に対して任意の相互方位としてテストされる特定のテストサンプル等の
特定の必要条件に適合させることができる生産技術を利用するため、任意適切な
構成とすることができる。この点について、本発明の特定の特徴、すなわち電子
回路を生産するのに使用される技術とコンパチブルな生産技術を利用する可能性
、により多探針プローブはマイクロシステム用の既存のCAD/CAM技術を利
用して特定の必要条件に従って容易に構成することができる。しかしながら、本
発明の第1の特徴に従った多探針プローブの好ましい実施例に従って、第1の多
数の導電性プローブアームは支持体の多数の平行な自由延長部を一方向に構成し
ている。
構成もしくはジオメトリに従って本発明の第1の特徴に従って多探針プローブを
構成する前記した可能性により、導電性プローブアームは支持体の1表面上に位
置決めすることができ、あるいは、別の実施例に従って支持体の2つの対向面上
に、あるいは支持体の非対向面上、例えば、立方支持体の隣接表面上に位置決め
することができる。
プローブアームは2の倍数からなり、少なくとも2本の導電性プローブアームか
ら64本の導電性プローブアームまでの範囲であり、好ましい実施例として1表
面上に位置決めされた4本の導電性プローブアームを有する。2つの周方向に位
置決めされた導電性プローブアーム間でテストサンプルの表面にテスト信号を加
えると、2つの内部導電性プローブアーム間でテストサンプルの電気的性質の情
報を含むテスト信号が得られる。
ームは矩形断面を有し、ディメンジョンは次のように定義される、幅は多探針プ
ローブの支持体の表面に平行であり、奥行きは多探針プローブの支持体の表面に
垂直であり、長さは多探針プローブの支持体から自由に延びる導電性プローブア
ームの長さである。第1の多数の導電性プローブアームのディメンジョン比は長
さ対幅が500:1から5:1の範囲内であって50:1および10:1の比も
含まれ好ましい実施例では10:1の比であり、幅対奥行比は20:1から2:
1の範囲内であり好ましい実施例では10:1の比である。第1の多数のプロー
ブアームの長さは20μmから2mmの範囲内であり好ましい実施例では200
μmの長さである。導電性プローブアームの遠端点の分離は1μmから1mmの
範囲であり、好ましい実施例では20μm、40μmおよび60μmである。し
かしながら、前記したように、本発明の第1の特徴に従った多探針プローブのデ
ィメンジョンは生産技術の現在の技術状況の関数として変動し、したがって本発
明に対する制約とはならない。
ーブの支持体に対向する長さの端部に続く多様な任意の形状を含む。
付き遠端点もしくは拡大円形、楕円形もしくは直交方形遠端もしくはそれらの組
合せとしての形状を含む。第1の多数の導電性プローブアームの精巧な遠端点に
より、LF範囲およびHF範囲の周波数を含むDCからRFまでの周波数範囲に
おけるテストサンプルの抵抗性、容量性もしくは誘導性電気的性質である、テス
トサンプルの電気的性質の測定を最適化することができる。
て、支持体上の第1の多数の導電性プローブアーム間の共面、持上げもしくはア
ンダーカットエリア上に配置された第2の多数の導電性電極を含む。第2の多数
の導電性電極は第1の多数の導電性プローブアームをアクティブガード(active
gurd)して漏洩抵抗を著しく低減するのに適しており、その結果、本発明の測定
精度が高められる。
もしくはGe,Si等の半導体材料もしくはそれらの組合せを含む。半導体材料
Ge,Siもしくはそれらの組合せを使用することにより、多探針プローブの製
作工程における微細製作技術が考慮され、したがって微細製作技術の利点から利
益が得られる。
徴に従った多探針プローブ上の第2の多数の導電性電極の導電層はAu,Ag,
Pt,Ni,Ta,Ti,Cr,Cu,Os,W,Mo,Ir,Pd,Cd,R
e,導電性ダイヤモンド、メタルシリサイドもしくはそれらの任意の組合せ等の
導電性材料で作られる。
の目的、利点および特徴が、本発明の特定の特徴に従って、テストサンプルの特
定位置における電気的性質をテストする多探針プローブによって得られ、それは
、さらに、 (d)前記第1の多数の導電性プローブアームの前記遠端から延びる第3の多
数の導電性チップエレメントを含み、 (e)前記導電性チップエレメントはその前記遠端における前記第1の多数の
導電性プローブアーム上の電子ビーム堆積のメタライゼーション工程から作り出
される。
さい分離が行われ、したがって極端に小さいディメンジョンを有する広範なテス
トサンプルに対する測定ツールを提供することができる。
リセクションを含むことができ、導電性チップエレメントはその各プライマリセ
クションを介して導電性プローブアームに接続され、セカンダリセクションは自
由接触端を規定する。それにより多探針プローブのいくつかの任意の構成および
設計が得られる。
る第1の軸方向を規定し、第1の軸方向は支持体と自由接触端間の合計距離の増
加を構成する。プライマリセクションの軸方向は第3の多数の導電性チップエレ
メントの自由接触端間の分離の減少を構成し、もしくは隣接する第3の多数の導
電性チップエレメントの自由接触端間の分離の減少を構成する。さらに、各セカ
ンダリセクションに対する第2の軸方向が規定され、第2の軸方向は支持体と自
由接触端間の合計距離の増加の増加を構成する。セカンダリセクションの第2の
軸方向は第3の多数の導電性チップエレメントの自由接触端間の分離の減少を構
成する。セカンダリセクションに対する第2の軸方向は隣接する第3の多数の導
電性チップエレメントの自由接触端間の分離の減少を構成する。
定される面に平行な方向、もしくは支持体の第2の表面により規定される面に向
かって収束する方向に延びる。同様に、セカンダリセクションの第2の軸方向は
支持体の第1の表面により規定される面に平行な方向、もしくは支持体の第2の
表面により規定される面に向かって収束する方向に延びる。これらの設計構成に
より多様なテストサンプルを検査する広範な可能性が得られる。
等しいか、第1の多数の導電性プローブアームよりも少ないか、あるいは第1の
多数の導電性プローブアームよりも多くすることができ、好ましい応用は2で割
れる第3の多数の導電性チップエレメントを有する。
ップエレメントの自由接触端の分離を有し、好ましい応用では、2nm,5nm
,10nm,20nm,50nm,100nmの分離を有する。
電性チップエレメントの自由接触端間の距離として全長を規定し、全長は100
nmから100μmの範囲内であり、好ましい応用では全長は500nmから5
0μmおよび1μmから10μmの範囲内であり、直径は10nmから1μmの
範囲内であり、好ましい応用では全長は50nmから500nmの範囲内である
。
ボンからなり、さらのある濃度の混入物を含む。
ーム堆積工程、もしくは傾斜電子ビーム堆積と垂直電子ビーム堆積の組合せ工程
から作り出すことができる。第3の多数の導電性チップエレメントのメタライゼ
ーションはインシチュー(in-situ)金属堆積もしくはエクスシチュー(ex-situ)金
属堆積工程から作り出すことができる。
な説明から明らかな非常に多くの他の目的、利点および特徴と共に、本発明の第
2の特徴に従って、テストサンプルの特定の位置における電気的性質をテストす
る多探針テスト装置によって得られ、それは、 (i) 前記テストサンプルを受け入れ支持する手段と、 (ii) テスト信号を発生する電気発生器手段および測定信号を検出する電気
測定手段を含む電気的性質テスト手段と、 (iii) 多探針プローブであって、 (a) 支持体と、 (b) 前記支持体の表面と共面関係で位置決めされた第1の多数の
導電性プローブアームであって、前記支持体から自由に延び、前記第1の多数の
導電性プローブアームの個別に撓むことができる動作を与える第1の多数の導電
性プローブアームとを含み、 (c) 前記導電性プローブアームはそれを支持するウエーハ本体上
でそれと面接触関係で製作し、前記支持体を提供する前記ウエーハ本体の一部を
除去して前記支持体から自由に延びる前記導電性プローブアームを提供すること
を含む前記多探針プローブの製作工程から作り出され、 (d) 前記電気的性質テスト手段と連絡する前記多探針プローブと
、 (iv) 前記多探針プローブを前記テストサンプルに対して移動させその前記
特定位置と接触させてその電気的性質の前記テストを実施する往復手段を含んで
いる。
に従った多探針プローブを含み、本発明の第2の特徴に従った多探針テスト装置
の構成要素を構成する多探針プローブは本発明の第1の特徴に従った多探針プロ
ーブの前記特徴のいずれかに従って実現することができる。さらに、本発明の第
2の特徴に従った多探針テスト装置はテストサンプルの表面へテスト信号を与え
る電気発生器手段を含むテストサンプルをテストする電気的性質テスト手段を含
み、前記テスト信号は抵抗、インダクタンス、キャパシタンス、スルーレート、
単位利得帯域幅および3dB帯域幅の測定値等の特定の必要条件に従って、LF
からHFを含むRFまでの電流もしくは電圧、パルス信号、DCもしくは正弦波
、方形波、三角波信号内容もしくはそれらの組合せを有するACである。電気的
性質テスト手段はさらに前記したテスト信号タイプおよび周波数範囲の測定信号
を検出するファシリティを提供する電気測定手段を含み、測定テスト信号の高速
フーリエ変換(FFT)、位相同期およびリアルタイム可視化のような機能を含
む広範な電気的性質テスト情報を提供する。電気的性質テスト手段は、特定の必
要条件に従って、テストサンプルのプロービングを行ってテストサンプルの表面
と電気的性質テスト手段間のリンクを実施するプロービング手段を特徴とする。
多探針プローブを保持する往復手段も含み、それは本発明の第1の特徴に従って
多探針プローブをテストサンプルに対して位置決めし導電性プローブアームがテ
ストサンプルの表面上の特定の位置と物理的に接触して電気的性質のテストを実
施し、かつ本発明の第1の特徴に従ってテストサンプルに対する多探針プローブ
の特定位置を記録し、全空間方向において0.1μmもしくはそれよりも小さい
分解能を有する。テストサンプルの表面と共面であるかあるいはそれに垂直であ
る、全空間方向において完全な機動性を有する目的は、本発明の第1の特徴に従
った1つの校正された多探針プローブを利用してテストサンプルの全表面上で多
探針測定を行うことができ、したがって多数の校正の違いによる不正確さを回避
することである。機動性にはテストサンプルの表面に平行な軸に沿った角動作が
含まれ、本発明の第1の特徴に従ってテストサンプルの表面と多探針プローブ上
の導電性プローブアームの長さとの間の角度が与えられ、導電性プローブの柔軟
性を利用してテストサンプルの表面上のデバイスの破壊や劣化に対して保証され
、また本発明の第1の特徴に従ってテストサンプルの表面に垂直な軸に沿って多
探針プローブを360°回転させて任意の相互相対共面角位置を有するテストサ
ンプルの表面上のデバイスの測定を行うことができる。
面と本発明の第1の特徴に従った多探針プローブの多数の導電性プローブアーム
間の物理的接触を感知する手段を含み、テストサンプルの非破壊テストを保証し
てテストサンプル表面上のデバイスの破壊を回避する。
な説明から明らかな非常に多くの他の目的、利点および特徴と共に、本発明の第
3の特徴により、多探針プローブを製作する方法によって得られ、それは、 (i) ウエーハ本体を提供するステップと、 (ii) 前記ウエーハ本体と共面かつ面関係で位置決めされた第1の多数の導
電性プローブを製作するステップと、 (iv) 前記ウエーハ本体の一部を除去して前記導電性プローブアームがそれ
から自由に延びる支持体を構成する前記ウエーハ本体の前記非除去部から自由に
延びる前記導電性プローブアームを提供するステップと、 (v) 前記第1の多数の導電性プローブアームの前記遠端から延びる第3の
多数の導電性チップエレメントを製作するステップと、を含む。
自由に延びる導電性プローブアームを製作することができる任意の関連する製作
技術を含むことができる。関連する関心のある技術は半導体微細製作技術、圧膜
技術、薄膜技術およびそれらの組合せに基づいている。
鏡室内の保持手段上に搭載する、 (b) 前記導電性チップエレメントの前記プライマリセクションおよび前記
セカンダリセクションの傾斜を示す角度αおよびβを選択する、 (c) 1つの位置に電子ビームを5分間集束させて得られる第1の堆積の長
さを測定することにより堆積速度を測定する、 (d) 前記保持手段を傾斜および回転させ前記選択した角度αおよびβに従
った前記電子ビームの角度に等しい視野角から前記第1の堆積の視野を与える、 (e) 前記導電性プローブアームの前記遠端の1つの上にある長さを堆積す
る、 (f) 前記保持手段を傾斜および回転させて第2の堆積位置の視野を与える
、 (g) 前記導電性プローブアームの隣接する前記遠端上に前記長さを堆積す
る、 (h) 導電性プローブアームの分離がそのじぐざくの分割よりもおよそ10
0nm大きくなるまでステップcからgを繰り返す、 (i) 前記セカンダリセクションの傾斜を示す角度α1を選択する、 (j) 前記保持手段を傾斜および回転させてβ=0およびα=α1を選択す
る、 (k) 前記プライマリセクションに連続して前記セカンダリセクションを延
ばす、 (l) 第1および第2の堆積における電子ビームの位置を交番することによ
り堆積が進行することを保証する。
の多数の導電性プローブアームの遠端から延びる第3の導電性チップエレメント
に導電層を施す技術とすることができ、電子ビーム堆積のメタライゼーションを
含むことができる。
れる。
示す。それは酸化シリコン等の、電気的に絶縁する、支持層14により被覆され
た基板12の表面16を示している。支持層14の堆積はCVD(chemical vapo
ur deposition),PECVD(plasma enhanced CVD),ECR(electron cycl
otron resonance) もしくはスパッタリング等の任意の既知の従来技術により遂
行することができる。図3に示すように、支持層14はパターン化されエッチン
グされてテーパー付き端点14a−dを有するビームを形成する。ビームは任意
特定の形もしくは対称性に限定されず、適切な端点を有する任意のジオメトリと
することができる。
ン(図3には図示せず)を形成することにより形成される。ホトレジストパター
ンは従来のホトリソグラフィックホトレジスト形成、露光、現像および除去技術
により形成される。次に、支持層は基板の頂面から支持層14のマスクされない
部分が除去されるまで、ドライエッチングやウエットエッチング等の、任意既知
の従来技術を使用してエッチングされる。
ラフィ、AFM(atomic force microscopy) リソグラフィもしくはレーザリソグ
ラフィ等の高分解能リソグラフィ法を使用して規定することができる。
持層が解放され、図4に示すように、尖った端点14a−dを有する4本のカン
チレバーを形成する。
4には図示せず)を堆積することにより基板が除去される。次に、従来のホトリ
ソグラフィックホトレジスト形成、露光、現像および除去技術により基板の底面
上にホトレジストパターンが形成される。次に、SF6およびO2もしくは類似の
試薬を含むプラズマ内で反応性イオンエッチング(RIE)を使用することによ
り基板の底面上の非マスクエリア内の窒化物層が除去され、自由に延びるプロー
ブアームが露出されるまで水酸化カリウム(KOH)もしくは類似の化学的性質
を含むエッチング化学作用を使用して基板がエッチングされる。次に、RIEも
しくは燐酸(H3PO4)または類似の化学的性質を含む化学作用によるウエット
エッチングを使用して基板の頂面から窒化物の保護層が除去される。
い実施例では、このエッチングステップは等方性RIEエッチ等のドライエッチ
ング法により実施される。
でいる。導電層はAu,Ag,Pt,Ni,Ta,Ti,Cr,Cu,Os,W
,Mo,Ir,Pd,Cd,Re,導電性ダイヤモンド、メタルシリサイドもし
くはそれらの組合せ等の導電性材料から作られる。あるいは、導電層は高濃度ド
ープ半導体材料で作ることができる。導電層は電子ビーム加熱真空蒸着、もしく
は任意他の類似の既知の技術を使用して堆積することができる。支持層14のア
ンダーカットにより、導電層は支持層内に作られた4本のビーム間に導電経路を
生成せず、したがって4つの絶縁された電極が支持ビームの頂面上に形成され、
点18a−dはビームを介して外部位置決めおよび測定装置(図6には図示せず
)に接続することができる。
い実施例では、これらの電極は導電性プローブアームのポジティブガードに使用
されて、漏洩抵抗が著しく低減されしたがって本発明の測定精度が高められる。
。しかしながら、最小プローブ端点分離は微細製作技術における現在の技術状態
によって決まり、本発明が制約を受けることはない。したがって、微細製作技術
がますます小型のデバイスを製作するにつれ、最小プローブ端点分離sも低減す
ることができる。
テストサンプルの表面と物理的に接触させて配置する。テストサンプルの表面と
4本全部の導電性プローブアームとの電気的接触が達成されると、2本の導電性
プローブアームに電流が加えられ他の2本の導電性アーム間の対応する電圧が測
定される。電流を加えて電圧を検出する方法は既知の任意の方法とすることがで
きる。
装置100を示し、XYZ位置決め機構を有するステージ112上にテストサン
プル110が搭載される。この機構は自動的にもしくは手動で制御することがで
きる。本発明に従って作られた多探針プローブ102が、0.1μmもしくはそ
れよりも良好な分解能でZ方向に移動させることができる、プローブホルダー1
04上でテストサンプルの表面上に搭載される。随意、プローブホルダー104
は同様な空間分解能でXおよびY方向に制御することができる。機構100はA
FMやSTM(Scanning Tunneling Microscope) のそれと類似である。プローブ
端点からの接続114はコントローラ106へ入力され、それは多探針プローブ
をテストサンプル110に対して移動させることができる。随意、テストサンプ
ル110からの接続116もコントローラ106に入力することができる。コン
トローラ106はコンピュータもしくはプログラムされたマイクロコントローラ
とすることができる。4本のプローブアームの端点を使用して4点抵抗を監視す
るかあるいは4本のプローブアームの端点とテストサンプル110間の2点抵抗
を監視することにより、コントローラ106は4本のプローブアームの全ての端
点がテストサンプルと物理的に接触するまで多探針プローブをテストサンプルに
向けて移動させることができる。プローブアーム長を有する多探針プローブをテ
ストサンプル110の表面に対して、垂直よりも小さく平行よりも大きい、角度
で保持することにより、完全に個別的なプローブアーム可撓性が達成され、テス
トサンプル頂面上の単独デバイスの破壊を回避することに関して安全な動作モー
ドが得られる。次に、テストサンプル抵抗率の測定を行うことができ、コントロ
ーラ106は測定データを解析し測定情報をディスプレイ108上にディスプレ
イする。コントローラ106は多探針プローブに反応して、テストサンプル11
0をXY面内で移動させこの手順を繰り返す。
2からなる類似の装置200を示す。本発明に従って作られた多探針プローブ2
02が顕微鏡対物レンズ212上に搭載されるプローブホルダー204上に配置
され、オペレータはテストサンプル表面上の特徴を識別しこれらの特徴における
四探針測定を実施することができる。このようにして、単独超小型デバイスもし
くは多結晶粒等のμmサイズテストサンプル特徴を制御された方法でプローブす
ることができる。図7に示す前記した装置100と同様に、テストサンプルに接
続するリード216だけでなくプローブからの4本のリード218がコントロー
ラ206に入力され、コントローラはプローブホルダーの動作を制御する出力信
号220を出力し、コントローラ206は測定データを解析してディスプレイ2
08上に提示する。
いくつかの多探針プローブを有することができ、それらはウエーハから分離する
ことができる。この製作技術により極端に繰返し可能な安全な多探針プローブの
製作方法が提供される。
図を示す。多探針プローブの製作に集積回路技術を応用することにより電位計、
電流源および付加回路をウエーハ上に集積することができる。
積技術を利用する。図11(a)は表面に垂直な関係の電子ビーム1103を有
するプローブアームの表面1105から成長させて、表面に垂直な軸を有するプ
ライマリチップ1101を作り出すこのような電子ビーム堆積を示す。電子ビー
ム1115を表面1113に関して傾けることにより、表面1113に垂直な予
め製作されているチップ1107の頂部に連続して基板の表面1113上にプラ
イマリチップ1111もしくはセカンダリチップ1109として傾斜電子ビーム
堆積が成長する。
混入物1203を加え、900Ωもの低抵抗を有するチップを得ることにより修
正することができる(インシチュー(in-situ)メタライゼーション)。チップの
電気的性質は、また、チップ成長の終了に続いてチップ1201および表面11
05上に金属層1205,1207を作り出す金属霧もしくは蒸発1209を適
用することにより修正することができる(イクスシチュー(ex-situ)メタライゼ
ーション)。2つ以上の適用角度を使用して引き続き蒸発1209を適用するこ
とにより、チップ1101および表面1105の良好な金属カバレッジが達成さ
れ、有用なチップ1101が得られる。図12にチップをメタライゼーションす
るための両方法を示す。
ブは電子ビーム堆積を利用してその上にプライマリチップ1303が成長されて
いるプローブアーム1301を有して示されている。プライマリチップ1303
はプローブアーム1301の軸長方向とプライマリチップ1303の軸長方向と
の間に角度1307(α1)を作り出す。セカンダリチップ1305はプローブ
アーム1301上のプライマリチップ1303から延びている。プライマリチッ
プ1303はさらにプローブアーム1301の軸長方向に関して傾斜1309(
β1)とセカンダリチップ1305と付加傾斜1311(β2)を有する。
ローブアーム、2本のアウタープローブアーム1401および2本のインナープ
ローブアーム1301上に位置決めされた2つのプライマリチップ1303を有
する2本のインナープローブアーム1301、を示している。2つのプライマリ
チップ1303はそれが共通方位を指すようにインナープローブアーム1301
の軸方向に関して角度を作り出す。図14(b)は端点が同じチップ分離を有す
るように位置決めされた4つのプライマリチップ1303,1403を有する4
本の平行なプローブアーム1301,1401を示す。図14(c)は各々が遠
端から延びるプライマリチップ1303,1403を有する4本の平行なプロー
ブアーム1301,1401を示す。プライマリチップ1303を有する2本の
インナープローブアーム1301は共通方位を指し2本のアウタープローブアー
ム1401はその軸方向を指している。図14(d)から(f)はプライマリチ
ップ1303,1403に付加されるセカンダリチップ1305,1403を示
す。
方式を図15に示す。図15(a)は遠端1501および1505を有する2本
のプローブアーム1301を示している。電子ビームは遠端1505の表面のコ
ーナー1503に向けられて、プライマリチップ1303を作り出す。図15(
b)に示すように、電子ビームは続いて遠端1501の表面のコーナー1507
へ向けられて、第2のプライマリチップ1301を作り出す。この手順は2つの
プライマリチップ1301間の分離がその間の所期ギャップG’よりも幾分大き
くなるまで繰り返される。プライマリチップ1303はそれが多探針プローブの
支持体から離れた向きを指すようにプローブアーム1301の軸方向に対する角
度および遠端1501,1505に関する角度を作り出す。セカンダリチップ1
305はさらにプライマリチップ1303の軸方向に関する角度を作り出す。プ
ライマリチップ1301に関するセカンダリチップ1305のこのセカンダリ角
度指定を達成するために、図15(e)に示すように多探針プローブが回転され
る。
て、4つの大きな厚膜電極パッドを有するセラミックダイ(5mm×10mm)
上に搭載される。シリコンチップ上の導電性プローブアームは、Kulicke
−Soffaウェッジボンディング(wedge-bonding)機械を使用して、その間を
25μm厚の金ワイヤでボンディングすることによりセラミックダイ上のパッド
に接続される。
レンズ周りに嵌合するように加工されるアルミニウムマウント上に機械的に固定
されかつ電気的に接続される。このマウントにより多探針プローブの導電性プロ
ーブアームは顕微鏡の視野中央に焦点を合わせることができる。次に、顕微鏡の
通常の垂直ステージを使用してテストサンプルを移動させて焦点を合わせること
ができる。テストサンプルの焦点が合わされると、多探針プローブはテストサン
プルに接触して測定を実施することができる。この機構は図8に一般的に示すも
のに類似している。
ローブと電極間の距離を最小限に抑える。それにより測定におけるノイズが最小
限に抑えられる。主要な回路図は図10に示されている。多探針プローブの2つ
のインナー導電性プローブアームは入力インピーダンスが10GΩよりも高く増
幅率が5000である電位計(計装増幅器)に接続される。プローブの周辺の2
本の導電性プローブアームは10nAから1μAの範囲の調整可能な出力を送出
す電流源(電流コンバータへの差動電圧)に接続される。電流出力は電圧差V1
−V2に比例する。これらの電圧はデジタル/アナログコンバータを有するコン
ピュータにより外部発生される。同じコンピュータが付属アナログ/デジタルコ
ンバータを介して電位計の出力電圧Voを検出する。大地に対して浮動させるた
めにバッテリが回路に給電する。
ことにより測定が実施される。この平均化手順は電子装置内の熱ドリフトを解消
するのに有用である。
機構を示す図である。
構を示す図である。
である。
は基板上もしくは予め作られたチップの頂部の連続部としての傾斜電子ビーム堆
積を示す。
チップのインシチューメタライゼーションを示し、(b)は引続きメタライゼー
ションを適用するエクスシチューメタライゼーションを示す。
。
一チップ間隔を有する4チップを示し、(c)は4チップを示し、(d)−(f
)はセカンダリチップを有する(a)−(c)を示す。
が成長される初期図を示し、(b)はサンプルを回転/傾斜させ鏡映図を得て、
チップ1の指示する線上にチップが成長されることを示し、(c)−(d)はギ
ャップGが所期ギャップG’よりも幾分大きくなるまで手順を繰り返す結果を示
し、(e)はサンプルを回転させて正面図を得、さらに傾斜させてセカンダリチ
ップの選択された角度α’を得ることを示し、(f)−(g)は両方のチップ端
に成長されたセカンダリチップを示し、(h)は(f)−(g)を繰り返して調
整された所期ギャップG’および長さを示す。
はチップ1および2の初期成長を示し、(d)−(f)は第2の反復を示し、(
g)−(l)は300nmのギャップG’となる第3の反復を示し、(j)はセ
カンダリチップの初期成長を示し、(k)はギャップを狭くし長さを10nm内
に微調整した後のセカンダリチップを示し、(l)は完成したプローブの全体図
を示す。
Claims (64)
- 【請求項1】 テストサンプルの特定位置上の電気的性質をテストする多探
針プローブであって、 (a) 第1の表面を規定する支持体と、 (b) 第1の多数の導電性プローブアームであって、各々が前記支持体の前
記第1の表面と共面関係に位置決めされる近端および遠端を規定し、かつその前
記近端において前記支持体に接続され前記支持体から自由に延びる前記遠端を有
し、前記第1の多数の導電性プローブアームに個別の撓み運動を与える第1の多
数の導電性プローブアームと、を含み、 (c) 前記導電性プローブアームは、前記支持するウエーハ本体と面接触関
係でその上に前記導電性プローブアームを製作し、前記支持体を提供する前記ウ
エーハ本体の一部を除去し、前記支持体から自由に延びる前記導電性プローブア
ームを提供することを含む前記多探針プローブの製作工程から作り出される多探
針プローブ。 - 【請求項2】 請求項1記載の多探針プローブであって、前記第1の多数の
導電性プローブアームは単向性であり、前記支持体の第1の多数の平行自由延長
部を構成する多探針プローブ。 - 【請求項3】 請求項1もしくは2記載の多探針プローブであって、前記支
持体はさらに前記第1の表面に平行な第2の表面を含み、前記多探針プローブは
さらに前記支持体の前記第2の表面と共面関係に位置決めされる近端および遠端
を規定するさらに多数の導電性プローブアームを含み、前記さらに多数の導電性
プローブアームはその前記近端において前記支持体に接続されかつそこから自由
に延びる前記遠端を有し、前記さらに多数の導電性プローブアームに個別に撓む
ことができる動作を与える多探針プローブ。 - 【請求項4】 請求項1−3記載の多探針プローブであって、前記第1の多
数の導電性プローブアームは2の倍数であり、少なくとも2本の前記導電性プロ
ーブアームから64本の前記導電性プローブアームの範囲であり、好ましい応用
は4本の前記導電性プローブアームを有する多探針プローブ。 - 【請求項5】 請求項1−4記載の多探針プローブであって、前記第1の多
数の導電性プローブアームは実質的に矩形の断面を有し、幅のディメンジョンを
前記支持体の前記第1の表面に垂直な前記矩形断面のライン間の距離として、奥
行きのディメンジョンを前記支持体の前記第1の表面に平行な前記矩形断面のラ
イン間の距離として、かつ長さのディメンジョンを前記導電性プローブアームの
前記近端からその前記遠端までの距離として規定する多探針プローブ。 - 【請求項6】 請求項1−5記載の多探針プローブであって、前記第1の多
数の導電性プローブアームは前記長さ対幅の比が、50:1および10:1等の
、500:1から5:1の範囲内であり、好ましい応用は10:1の比を有する
多探針プローブ。 - 【請求項7】 請求項1−6記載の多探針プローブであって、前記第1の多
数の導電性プローブアームは前記幅対奥行きの比が20:1から2:1の範囲内
であり、好ましい応用は10:1の比を有する多探針プローブ。 - 【請求項8】 請求項1−7記載の多探針プローブであって、前記第1の多
数の導電性プローブアームはその前記遠端から延びるテーパー付きエレメントを
有する多探針プローブ。 - 【請求項9】 請求項1−7記載の多探針プローブであって、前記第1の多
数の導電性プローブアームはその前記遠端から延びる尖った形状のエレメントを
有する多探針プローブ。 - 【請求項10】 請求項1−7記載の多探針プローブであって、前記第1の
多数の導電性プローブアームはその前記遠端から延びる拡大円形、楕円形もしく
は直交方形エレメントを有する多探針プローブ。 - 【請求項11】 請求項1−10記載の多探針プローブであって、前記第1
の多数の導電性プローブアームはその長さが20μmから2mmの範囲内であり
、好ましくは200μmの長さである多探針プローブ。 - 【請求項12】 請求項1−11記載の多探針プローブであって、前記第1
の多数の導電性プローブアームはその遠端の分離が1μmから1mmの範囲内で
あり、好ましい応用は20μm,40μmおよび60μmの前記分離を有する多
探針プローブ。 - 【請求項13】 請求項1−12記載の多探針プローブであって、さらに前
記第1の多数の導電性プローブアーム間の前記第1の表面上に規定された第2の
多数のエリア上に位置決めされる第2の多数の導電性電極を含み、さらに前記電
極および前記導電性プローブアーム間の絶縁間隔を含み、前記第2の多数の導電
性電極はアクティブガーディング(active guarding) に特に適している多探針プ
ローブ。 - 【請求項14】 請求項13記載の多探針プローブであって、前記第2の多
数のエリアは前記支持体の前記第1の表面に関してスエージされている多探針プ
ローブ。 - 【請求項15】 請求項13記載の多探針プローブであって、前記第2の多
数のエリアは前記支持体の前記第1の表面に関して持上げられている多探針プロ
ーブ。 - 【請求項16】 請求項13記載の多探針プローブであって、前記第2の多
数のエリアは前記第1の多数の導電性プローブアーム間で前記支持体の前記第1
の表面と共面関係である多探針プローブ。 - 【請求項17】 請求項13−16記載の多探針プローブであって、前記第
2の多数のエリアは前記支持体の前記第1の表面に関してスエージ、持上げおよ
び共面の組合せである多探針プローブ。 - 【請求項18】 請求項13および17記載の多探針プローブであって、前
記第2の多数のスエージされたエリアは前記支持体上の前記第1の多数の導電性
プローブアームをアンダーカットして、前記支持体に対向する前記導電性プロー
ブアームの表面よりも小さい前記支持体の支持面を提供する多探針プローブ。 - 【請求項19】 請求項13,17および18記載の多探針プローブであっ
て、前記第1の多数の導電性プローブアームをアンダーカットする前記第2の多
数のスエージされたエリアは、前記支持するウエーハ本体上にそれと面接触する
前記導電性プローブアームを製作し、前記支持体上に前記第2の多数のスエージ
されたエリアを提供する前記ウエーハ本体の一部をCVD(chemical vapour dep
osition),PECVD(plasma enhanced CVD),ECR(electron cycloyton
resonance) もしくはスパッタリング、機械的研削、エッチング、電子ビームリ
ソグラフィ、AFM(atomic force microscopy)リソグラフィもしくはレーザリ
ソグラフィ等の高解像度リソグラフィ方法の工程により除去することを含む前記
多探針プローブの製作工程から作り出される多探針プローブ。 - 【請求項20】 請求項1−19記載の多探針プローブであって、支持体は
セラミック材料で出来ている多探針プローブ。 - 【請求項21】 請求項1−19記載の多探針プローブであって、支持体は
半導体材料で出来ている多探針プローブ。 - 【請求項22】 請求項21記載の多探針プローブであって、前記半導体材
料はGe,Siもしくはその任意の組合せからなる多探針プローブ。 - 【請求項23】 請求項20−22記載の多探針プローブであって、 (a) 前記多数の導電性プローブアーム上に位置決めされた導電層と、 (b) 前記第1の多数の導電性プローブアーム間で前記支持体上の前記電極
として作用する導電層と、 を含む多探針プローブ。 - 【請求項24】 請求項23記載の多探針プローブであって、前記導電層は
Au,Ag,Pt,Ni,Ta,Ti,Cr,Cu,Os,W,Mo,Ir,P
d,Cd,Re,導電性ダイヤモンド、メタルシリサイドもしくはそれらの任意
の組合せからなる多探針プローブ。 - 【請求項25】 請求項1−24記載の多探針プローブであって、さらに、 (d) 前記第1の多数の導電性プローブアームの前記遠端から延びる第3の
多数の導電性チップエレメントを含み、 (e) 前記導電性チップエレメントは前記第1の多数の導電性プローブアー
ムの前記遠端における電子ビーム堆積のメタライゼーション工程から作り出され
る、多探針プローブ。 - 【請求項26】 請求項25記載の多探針プローブであって、前記第3の多
数の導電性チップエレメントの各々がプライマリセクションおよびセカンダリセ
クションを含み、前記導電性チップエレメントはその各プライマリセクションを
介して前記導電性プローブアームに接続されており、前記セカンダリセクション
は自由接触端を規定する多探針プローブ。 - 【請求項27】 請求項25もしくは26記載の多探針プローブであって、
前記プライマリセクションの各々が第1の軸方向を規定し、前記第1の軸方向は
前記支持体と前記自由接触端間の合計距離の増加を構成する多探針プローブ。 - 【請求項28】 請求項27記載の多探針プローブであって、前記プライマ
リセクションの前記第1の軸方向は前記第3の多数の導電性チップエレメントの
前記自由接触端間の分離の減少を構成する多探針プローブ。 - 【請求項29】 請求項27−28記載の多探針プローブであって、前記プ
ライマリセクションの前記第1の軸方向は前記第3の多数の導電性チップエレメ
ントの隣接する前記自由接触端間の分離の減少を構成する多探針プローブ。 - 【請求項30】 請求項25−29記載の多探針プローブであって、前記セ
カンダリセクションの各々が第2の軸方向を規定し、前記第2の軸方向は前記支
持体と前記自由接触端間の合計距離の増加を構成する多探針プローブ。 - 【請求項31】 請求項30記載の多探針プローブであって、前記セカンダ
リセクションの前記第2の軸方向は前記第3の多数の導電性チップエレメントの
前記自由接触端間の分離の減少を構成する多探針プローブ。 - 【請求項32】 請求項30−31記載の多探針プローブであって、前記セ
カンダリセクションの前記第2の軸方向は前記第3の多数の導電性チップエレメ
ントの隣接する前記自由接触端間の分離の減少を構成する多探針プローブ。 - 【請求項33】 請求項27−32記載の多探針プローブであって、前記プ
ライマリセクションの前記第1の軸方向は前記支持体の前記第1の表面により規
定される面に平行に延びる多探針プローブ。 - 【請求項34】 請求項27−32記載の多探針プローブであって、前記プ
ライマリセクションの前記第1の軸方向は前記支持体の前記第2の表面により規
定される面に向かって収束する方向に延びる多探針プローブ。 - 【請求項35】 請求項30−34記載の多探針プローブであって、前記セ
カンダリセクションの前記第2の軸方向は前記支持体の前記第1の表面により規
定される面に平行に延びる多探針プローブ。 - 【請求項36】 請求項30−34記載の多探針プローブであって、前記セ
カンダリセクションの前記第2の軸方向は前記支持体の前記第2の表面により規
定される面に向かって収束する方向に延びる多探針プローブ。 - 【請求項37】 請求項25−36記載の多探針プローブであって、前記第
3の多数の導電性チップエレメントは前記第1の多数の導電性プローブアームに
等しく、好ましい応用は2で割れる第3の多数を有する多探針プローブ。 - 【請求項38】 請求項25−36記載の多探針プローブであって、前記第
3の多数の導電性チップエレメントは前記第1の多数の導電性プローブアームよ
りも少なく、好ましい応用は2で割れる第3の多数を有する多探針プローブ。 - 【請求項39】 請求項25−36記載の多探針プローブであって、前記第
3の多数の導電性チップエレメントは前記第1の多数の導電性プローブアームよ
りも多く、好ましい応用は2で割れる第3の多数を有する多探針プローブ。 - 【請求項40】 請求項25−39記載の多探針プローブであって、前記第
3の多数の導電性チップエレメントは1nm−100nmの範囲の前記導電性チ
ップエレメントの前記自由接触端の分離を有し、好ましい応用は2nm,5nm
,10nm,20nm,50nm,100nmの前記分離を有する多探針プロー
ブ。 - 【請求項41】 請求項25−40記載の多探針プローブであって、前記導
電性チップエレメントの各々が導電性プローブアームの前記遠端と前記導電性チ
ップエレメントの前記自由接触端との間の距離として全長を規定し、前記全長は
100nmから100μmの範囲であり、好ましい応用は500nmから50μ
mおよび1μmから10μmの範囲内の前記全長を有する多探針プローブ。 - 【請求項42】 請求項25−41記載の多探針プローブであって、前記導
電性チップエレメントの各々が直径を規定し、前記直径は10nmから1μmの
範囲であり、好ましい応用は50nmから500nmの範囲内の前記全長を有す
る多探針プローブ。 - 【請求項43】 請求項25−42記載の多探針プローブであって、前記第
3の多数の導電性チップエレメントは主として炭素からなる多探針プローブ。 - 【請求項44】 請求項25−43記載の多探針プローブであって、前記第
3の多数の導電性チップエレメントはさらにある濃度の混入物からなる多探針プ
ローブ。 - 【請求項45】 請求項25−42記載の多探針プローブであって、前記第
3の多数の導電性チップエレメントは傾斜電子ビーム堆積工程から作り出される
多探針プローブ。 - 【請求項46】 請求項25−42記載の多探針プローブであって、前記第
3の多数の導電性チップエレメントは垂直電子ビーム堆積工程から作り出される
多探針プローブ。 - 【請求項47】 請求項25−42記載の多探針プローブであって、前記第
3の多数の導電性チップエレメントは傾斜電子ビーム堆積と垂直電子ビーム堆積
の組合せ工程から作り出される多探針プローブ。 - 【請求項48】 請求項25−47記載の多探針プローブであって、前記第
3の多数の導電性チップエレメントの前記メタライゼーションはインシチュー(i
n-situ)金属堆積工程から作り出される多探針プローブ。 - 【請求項49】 請求項25−47記載の多探針プローブであって、前記第
3の多数の導電性チップエレメントの前記メタライゼーションはエクスシチュー
(ex-situ) 金属堆積工程から作り出される多探針プローブ。 - 【請求項50】 テストサンプルの特定位置上の電気的性質をテストする多
探針テスト装置であって、該装置は、 (i) 前記テストサンプルを受け入れて支持する手段と、 (ii) テスト信号を発生する電気発生器手段および測定信号を検出する電気測
定手段を含む電気的性質テスト手段と、 (iii) 多探針プローブであって、 (a) 支持体と、 (b) 前記支持体の表面と共面関係に位置決めされ、そこから自由に
延びて、第1の多数の導電性プローブアームの個別に撓むことができる動作を与
える前記第1の多数の導電性プローブアームと、を含み、 (c) 前記導電性プローブアームは前記支持するウエーハ本体と面接
触関係でその上に前記導電性プローブアームを製作し、前記支持体を提供する前
記ウエーハ本体の一部を除去して前記支持体から自由に延びる前記導電性プロー
ブアームを提供することを含む前記多探針プローブの製作工程から作り出され、 (d) 前記電気的性質テスト手段と連絡する前記多探針プローブと、 (iv) 前記多探針プローブを前記テストサンプルの前記特定位置と接触するよ
うに前記テストサンプルに対して移動させてその電気的性質のテストを行う往復
手段を含む、多探針テスト装置。 - 【請求項51】 請求項50記載の多探針テスト装置であって、前記電気的
性質テスト手段はさらに前記テストサンプルの電気的性質プロービング手段を含
む多探針テスト装置。 - 【請求項52】 請求項50および51記載の多探針テスト装置であって、
前記往復手段はさらに前記多探針プローブに対する前記手段の保持手段を含む多
探針テスト装置。 - 【請求項53】 請求項50−52記載の多探針テスト装置であって、さら
に前記テストサンプルを横切って前記保持手段を位置決めして、前記テストサン
プルに対する前記保持手段の位置を記録する手段を含む多探針テスト装置。 - 【請求項54】 請求項50−53記載の多探針テスト装置であって、前記
位置決め手段は前記テストサンプルと共面方向および前記テストサンプルに垂直
な方向である全ての空間方向に機動性を有する多探針テスト装置。 - 【請求項55】 請求項50−54記載の多探針テスト装置であって、前記
位置決め手段はさらに、前記多探針プローブに対する前記手段に対して角位置を
与える等の、前記保持手段の角運動手段を含む多探針テスト装置。 - 【請求項56】 請求項50−54記載の多探針テスト装置であって、前記
位置決め手段はさらに、前記多探針プローブに対する前記手段に対して角位置を
与える等の、前記テストサンプルの表面に平行な軸に沿った前記保持手段の角運
動手段を含む多探針テスト装置。 - 【請求項57】 請求項50−54記載の多探針テスト装置であって、前記
位置決め手段はさらに、前記多探針プローブに対する前記手段に対して角位置を
与える等の、前記テストサンプルの表面に垂直な軸に沿った前記保持手段の角運
動手段を含む多探針テスト装置。 - 【請求項58】 請求項50−57記載の多探針テスト装置であって、前記
位置決め手段はさらに前記テストサンプルと前記多探針プローブに対する前記手
段との間の接触を感知する手段を含む多探針テスト装置。 - 【請求項59】 請求項50−58記載の多探針テスト装置であって、前記
多探針プローブはさらに請求項2−49のいずれかの特徴を含む多探針テスト装
置。 - 【請求項60】 多探針プローブの製作方法であって、該方法は、 (i) ウエーハ本体を製作するステップと、 (ii) 前記ウエーハ本体と共面および面接触関係に位置決めされる第1の多
数の導電性プローブアームを製作するステップと、 (iv) 前記ウエーハ本体を除去して、そこから前記導電性プローブアームが
自由に延びる支持体を構成する、前記ウエーハ本体の前記非除去部から自由に延
びる前記導電性プローブアームを提供するステップと、 (v) 前記第1の多数の導電性プローブアームの前記遠端から延びる第3の
多数の導電性チップエレメントを製作するステップと、 を含む多探針プローブの製作方法。 - 【請求項61】 請求項60記載の方法であって、支持するウエーハ本体と
共面および面接触関係の導電性プローブアームを応用する技術は、微細製作技術
、プレーナ技術、CMOS技術、厚膜技術、薄膜技術もしくはそれらの組合せを
含む方法。 - 【請求項62】 請求項60および61記載の方法であって、前記第1の多
数の導電性プローブアームの前記遠端から延びる第3の多数の導電性チップエレ
メントを応用する技術は、電子ビーム堆積のメタライゼーションを含む方法。 - 【請求項63】 請求項60−62記載の方法であって、前記第3の多数の
導電性チップエレメントの製作は、 (m) 水平に平行な支持体の前記第1の表面を有する多探針プローブを顕微
鏡室内の保持手段上に搭載するステップと、 (n) 前記導電性チップエレメントの前記プライマリセクションおよび前記
セカンダリセクションの傾斜を示す角度αおよびβを選択するステップと、 (o) 1つの位置に5分間電子ビームを集束させて得られる第1の堆積の長
さを測定することにより堆積速度を測定するステップと、 (p) 前記保持手段を傾斜および回転させて、前記選択した角度αおよびβ
に従った前記電子ビームの角度と同じ視野角から、前記第1の堆積の視野を与え
るステップと、 (q) 前記導電性プローブアームの前記遠端の1つの上にある長さを堆積さ
せるステップと、 (r) 前記保持手段を傾斜および回転させて第2の堆積位置の視野を与える
ステップと、 (s) 前記導電性プローブアームの前記遠端の近隣に前記長さを堆積させる
ステップと、 (t) 前記導電性プローブアームの分離がその所期の分離よりもおよそ10
0nm大きくなるまでステップcからgを繰り返すステップと、 (u) 前記セカンダリセクションの傾斜を示す角度α1を選択するステップ
と、 (v) 前記保持手段を傾斜および回転させてβ=0およびα=α1を選択す
るステップと、 (w) 前記プライマリセクションに連続して前記セカンダリセクションを延
ばすステップと、 (x) 電子ビームの位置を第1および第2の堆積で交番させて堆積の進行を
保証するステップと、 を含む方法。 - 【請求項64】 請求項60−63記載の方法であって、多探針プローブは
請求項1−49のいずれかの項に記載の多探針プローブの特徴を有する方法。
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---|---|---|---|
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---|---|
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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---|---|
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DE (1) | DE69937147T2 (ja) |
WO (1) | WO2000003252A2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009004722A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Advantest Corporation | プローブおよびプローブカード |
WO2009004721A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Advantest Corporation | プローブ、プローブカード及びプローブの製造方法 |
JP2011526360A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-06 | カプレス・アクティーゼルスカブ | 電気特性を検査するための多点プローブおよび多点プローブの製造方法 |
KR20150023426A (ko) * | 2012-06-20 | 2015-03-05 | 카프레스 에이/에스 | 심도-에칭된 멀티포인트 프로브 |
JP2015515021A (ja) * | 2012-03-27 | 2015-05-21 | ハイジトロン, インク.Hysitron, Inc. | 顕微鏡対物レンズ機械検査機器 |
KR20200068782A (ko) * | 2018-12-05 | 2020-06-16 | 전북대학교산학협력단 | 원자력 현미경용 프로브 및 이의 제조 방법 |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6955078B2 (en) * | 2001-03-30 | 2005-10-18 | Xidex Corporation | Caliper method, system, and apparatus |
WO2003058260A1 (en) | 2002-01-07 | 2003-07-17 | Capres A/S | Electrical feedback detection system for multi-point probes |
DE10201491C1 (de) * | 2002-01-16 | 2003-08-28 | Gfd Ges Fuer Diamantprodukte M | Meßspitzensystem und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN102305896B (zh) | 2004-06-21 | 2015-05-13 | 卡普雷斯股份有限公司 | 一种用于提供探头对准的方法 |
EP2463668A2 (en) | 2004-06-21 | 2012-06-13 | Capres A/S | A method and an apparatus for testing electrical properties |
US9423693B1 (en) | 2005-05-10 | 2016-08-23 | Victor B. Kley | In-plane scanning probe microscopy tips and tools for wafers and substrates with diverse designs on one wafer or substrate |
US7571638B1 (en) * | 2005-05-10 | 2009-08-11 | Kley Victor B | Tool tips with scanning probe microscopy and/or atomic force microscopy applications |
ES2265277B1 (es) * | 2005-06-01 | 2008-01-01 | Consejo Superior Investig. Cientificas | Dispositivo sensor y equipo para la medicion de resistividad con el metodo de las cuatro puntas, asi como un metodo para la fabricacion del dispositivo. |
US7511510B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-03-31 | International Business Machines Corporation | Nanoscale fault isolation and measurement system |
US9075107B2 (en) | 2006-04-24 | 2015-07-07 | Capres | Method for sheet resistance and leakage current density measurements on shallow semiconductor implants |
WO2008013919A2 (en) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | The Regents Of The University Of California | Sidewall tracing nanoprobes, method for making the same, and method for use |
US20100066402A1 (en) * | 2006-11-30 | 2010-03-18 | Japan Science And Technology Agency | Metallic probe, and method and apparatus for fabricating the same |
EP1970714A1 (en) * | 2007-03-12 | 2008-09-17 | Capres Aps | Device including a contact detector |
US20090201038A1 (en) * | 2008-02-11 | 2009-08-13 | Knickerbocker John U | Test head for functional wafer level testing, system and method therefor |
EP2101181A1 (en) | 2008-03-12 | 2009-09-16 | Capres A/S | Device including a contact detector |
US20110285416A1 (en) * | 2008-06-30 | 2011-11-24 | Petersen Dirch H | Multi-point probe for testing electrical properties and a method of producing a multi-point probe |
US7940067B2 (en) * | 2008-09-08 | 2011-05-10 | Tektronix, Inc. | Probe with printed tip |
EP2237052A1 (en) | 2009-03-31 | 2010-10-06 | Capres A/S | Automated multi-point probe manipulation |
EP2498081A1 (en) | 2011-03-08 | 2012-09-12 | Capres A/S | Single-position hall effect measurements |
EP2469271A1 (en) | 2010-12-21 | 2012-06-27 | Capres A/S | Single-position Hall effect measurements |
SG191251A1 (en) | 2010-12-21 | 2013-07-31 | Capres As | Single-position hall effect measurements |
US8633720B2 (en) | 2011-06-21 | 2014-01-21 | Avalanche Technology Inc. | Method and apparatus for measuring magnetic parameters of magnetic thin film structures |
US8806284B2 (en) | 2012-05-02 | 2014-08-12 | Avalanche Technology Inc. | Method for bit-error rate testing of resistance-based RAM cells using a reflected signal |
US9252187B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-02-02 | Avalanche Technology, Inc. | Devices and methods for measurement of magnetic characteristics of MRAM wafers using magnetoresistive test strips |
US9778572B1 (en) | 2013-03-15 | 2017-10-03 | Victor B. Kley | In-plane scanning probe microscopy tips and tools for wafers and substrates with diverse designs on one wafer or substrate |
US9844139B2 (en) | 2013-03-16 | 2017-12-12 | Indiana Integrated Circuits, LLC | Method of interconnecting microchips |
KR102080661B1 (ko) * | 2013-08-06 | 2020-02-24 | 삼성전기주식회사 | 두께 측정 장치 및 두께 측정 방법 |
EP2871487A1 (en) | 2013-11-11 | 2015-05-13 | Capres A/S | Small scale measurements of anisotropic sheet conductances |
US9170273B2 (en) * | 2013-12-09 | 2015-10-27 | Globalfoundries U.S. 2 Llc | High frequency capacitance-voltage nanoprobing characterization |
US9201112B2 (en) | 2013-12-09 | 2015-12-01 | International Business Machines Corporation | Atom probe tomography sample preparation for three-dimensional (3D) semiconductor devices |
US10302677B2 (en) * | 2015-04-29 | 2019-05-28 | Kla-Tencor Corporation | Multiple pin probes with support for performing parallel measurements |
TWI567846B (zh) * | 2015-08-19 | 2017-01-21 | 創意電子股份有限公司 | 測試單元與使用其的測試裝置 |
US10896803B2 (en) * | 2016-08-19 | 2021-01-19 | The Regents Of The University Of California | Ion beam mill etch depth monitoring with nanometer-scale resolution |
US10514391B2 (en) | 2016-08-22 | 2019-12-24 | Kla-Tencor Corporation | Resistivity probe having movable needle bodies |
KR102509765B1 (ko) * | 2017-03-07 | 2023-03-13 | 카프레스 에이/에스 | 테스트 샘플의 전기적 속성을 테스트하기 위한 프로브 |
TWI645194B (zh) * | 2017-07-12 | 2018-12-21 | 萬潤科技股份有限公司 | 探針模組、探針裝置及使用該探針裝置之電子元件檢測方法及設備 |
JP7219276B2 (ja) * | 2017-11-15 | 2023-02-07 | カプレス・アクティーゼルスカブ | 供試標本の電気特性を試験するためのプローブ及び関連する近接度検出器 |
US10411185B1 (en) | 2018-05-30 | 2019-09-10 | Spin Memory, Inc. | Process for creating a high density magnetic tunnel junction array test platform |
US11125779B2 (en) | 2018-11-15 | 2021-09-21 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Probe with radio frequency power detector, test system and test method |
CN110190106B (zh) * | 2019-06-13 | 2022-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、检测方法、显示装置 |
JP2022179066A (ja) * | 2021-05-21 | 2022-12-02 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | シート電気抵抗測定器 |
CN114814314B (zh) * | 2022-04-18 | 2024-02-13 | 苏州伊欧陆***集成有限公司 | 一种多触点高电流高电压测试探针 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04233406A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ナノメートル・スケールのプローブ及びその製造方法 |
JPH07199219A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 液晶表示装置検査用プローブカード |
US5475318A (en) * | 1993-10-29 | 1995-12-12 | Robert B. Marcus | Microprobe |
JPH0815318A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-19 | Yamaichi Electron Co Ltd | プローブユニットとその製法 |
JPH08330369A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Hewlett Packard Japan Ltd | プローバ用インターフェースカード |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3984620A (en) * | 1975-06-04 | 1976-10-05 | Raytheon Company | Integrated circuit chip test and assembly package |
US4329642A (en) * | 1979-03-09 | 1982-05-11 | Siliconix, Incorporated | Carrier and test socket for leadless integrated circuit |
DE3175044D1 (en) * | 1981-10-30 | 1986-09-04 | Ibm Deutschland | Test apparatus for testing runs of a circuit board with at least one test head comprising a plurality of flexible contacts |
US5917707A (en) * | 1993-11-16 | 1999-06-29 | Formfactor, Inc. | Flexible contact structure with an electrically conductive shell |
US4989154A (en) | 1987-07-13 | 1991-01-29 | Mitsubishi Petrochemical Company Ltd. | Method of measuring resistivity, and apparatus therefor |
JPH01147374A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Hitachi Ltd | マイクロプローバ |
EP0466274B1 (en) * | 1990-07-09 | 1996-10-16 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum vzw | Method and apparatus for resistance measurements on a semiconductor element |
US5171992A (en) * | 1990-10-31 | 1992-12-15 | International Business Machines Corporation | Nanometer scale probe for an atomic force microscope, and method for making same |
WO1994011745A1 (en) | 1992-11-10 | 1994-05-26 | David Cheng | Method and apparatus for measuring film thickness |
US5347226A (en) * | 1992-11-16 | 1994-09-13 | National Semiconductor Corporation | Array spreading resistance probe (ASRP) method for profile extraction from semiconductor chips of cellular construction |
DE4301420C2 (de) * | 1993-01-20 | 2002-04-25 | Advantest Corp | Kontaktierungsvorrichtung |
US6482013B2 (en) * | 1993-11-16 | 2002-11-19 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact element and electronic component having a plurality of spring contact elements |
US5383354A (en) * | 1993-12-27 | 1995-01-24 | Motorola, Inc. | Process for measuring surface topography using atomic force microscopy |
US5565788A (en) * | 1994-07-20 | 1996-10-15 | Cascade Microtech, Inc. | Coaxial wafer probe with tip shielding |
US5540958A (en) * | 1994-12-14 | 1996-07-30 | Vlsi Technology, Inc. | Method of making microscope probe tips |
US5557214A (en) * | 1995-02-06 | 1996-09-17 | Barnett; C. Kenneth | Micro beam probe semiconductor test interface |
US5613861A (en) * | 1995-06-07 | 1997-03-25 | Xerox Corporation | Photolithographically patterned spring contact |
JP3838381B2 (ja) * | 1995-11-22 | 2006-10-25 | 株式会社アドバンテスト | プローブカード |
US5734176A (en) * | 1996-02-26 | 1998-03-31 | Wiltron Company | Impedance controlled test fixture for multi-lead surface mounted integrated circuits |
DE69721986T2 (de) * | 1997-08-27 | 2004-02-12 | Imec Vzw | Taststift-Konfiguration sowie Herstellungsverfahren und Verwendung von Taststiften |
DE19945178C2 (de) * | 1999-09-21 | 2003-05-28 | Rosenberger Hochfrequenztech | Meßspitze zur Hochfrequenzmessung und Verfahren zu deren Herstellung |
US6496026B1 (en) * | 2000-02-25 | 2002-12-17 | Microconnect, Inc. | Method of manufacturing and testing an electronic device using a contact device having fingers and a mechanical ground |
-
1999
- 1999-07-08 AT AT99932677T patent/ATE373830T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-07-08 EP EP99932677A patent/EP1095282B1/en not_active Revoked
- 1999-07-08 JP JP2000559436A patent/JP4685240B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-08 DE DE69937147T patent/DE69937147T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-08 AU AU48973/99A patent/AU4897399A/en not_active Abandoned
- 1999-07-08 WO PCT/DK1999/000391 patent/WO2000003252A2/en active IP Right Grant
- 1999-07-08 CA CA002336531A patent/CA2336531A1/en not_active Abandoned
-
2000
- 2000-12-28 US US09/750,645 patent/US20010050565A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-09-30 US US10/675,886 patent/US7323890B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04233406A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ナノメートル・スケールのプローブ及びその製造方法 |
US5475318A (en) * | 1993-10-29 | 1995-12-12 | Robert B. Marcus | Microprobe |
JPH07199219A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 液晶表示装置検査用プローブカード |
JPH0815318A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-19 | Yamaichi Electron Co Ltd | プローブユニットとその製法 |
JPH08330369A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Hewlett Packard Japan Ltd | プローバ用インターフェースカード |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8507908B2 (en) | 2007-07-03 | 2013-08-13 | Advantest Corporation | Probe and probe card |
WO2009004721A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Advantest Corporation | プローブ、プローブカード及びプローブの製造方法 |
KR101106971B1 (ko) | 2007-07-03 | 2012-01-20 | 가부시키가이샤 아드반테스트 | 프로브 및 프로브 카드 |
JP5100751B2 (ja) * | 2007-07-03 | 2012-12-19 | 株式会社アドバンテスト | プローブおよびプローブカード |
JP5100750B2 (ja) * | 2007-07-03 | 2012-12-19 | 株式会社アドバンテスト | プローブ、プローブカード及びプローブの製造方法 |
WO2009004722A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Advantest Corporation | プローブおよびプローブカード |
JP2011526360A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-06 | カプレス・アクティーゼルスカブ | 電気特性を検査するための多点プローブおよび多点プローブの製造方法 |
JP2015515021A (ja) * | 2012-03-27 | 2015-05-21 | ハイジトロン, インク.Hysitron, Inc. | 顕微鏡対物レンズ機械検査機器 |
KR20150023426A (ko) * | 2012-06-20 | 2015-03-05 | 카프레스 에이/에스 | 심도-에칭된 멀티포인트 프로브 |
JP2015522811A (ja) * | 2012-06-20 | 2015-08-06 | カプレス・アクティーゼルスカブCapres A/S | 深くエッチングされた多点プローブ |
KR102091722B1 (ko) * | 2012-06-20 | 2020-03-23 | 카프레스 에이/에스 | 심도-에칭된 멀티포인트 프로브 |
KR20200068782A (ko) * | 2018-12-05 | 2020-06-16 | 전북대학교산학협력단 | 원자력 현미경용 프로브 및 이의 제조 방법 |
KR102137442B1 (ko) * | 2018-12-05 | 2020-07-27 | 전북대학교산학협력단 | 원자력 현미경용 프로브 및 이의 제조 방법 |
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