JP2002368270A - Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 - Google Patents
Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 III族窒化物系化合物半導体からなるｐ型層
と透光性電極とのオーミックコンタクトを維持しつつｐ
台座電極の表面が酸化されてこれと導電性ワイヤとの接
合力が低下することを防止する。 【構成】 透光性電極形成層の上にｐ台座電極形成層を
積層した後、これを合金化する熱処理を第１の熱処理工
程と第２の熱処理工程に分解し、第１の熱処理工程では
酸素を含む雰囲気において比較的低温で熱処理し、第２
の熱処理工程では酸素を含まない雰囲気として比較的高
温で熱処理をする。
と透光性電極とのオーミックコンタクトを維持しつつｐ
台座電極の表面が酸化されてこれと導電性ワイヤとの接
合力が低下することを防止する。 【構成】 透光性電極形成層の上にｐ台座電極形成層を
積層した後、これを合金化する熱処理を第１の熱処理工
程と第２の熱処理工程に分解し、第１の熱処理工程では
酸素を含む雰囲気において比較的低温で熱処理し、第２
の熱処理工程では酸素を含まない雰囲気として比較的高
温で熱処理をする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はIII族窒化物系化合物半
導体素子に関する。例えば、青色系発光ダイオードなど
のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の電極の改良と
して好適な発明である。
導体素子に関する。例えば、青色系発光ダイオードなど
のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の電極の改良と
して好適な発明である。
【０００２】
【従来の技術】青色系発光ダイオードなどのIII族窒化
物系化合物半導体発光素子においては、素子の全面から
均一な発光を得るため種々の提案がなされている。例え
ば、ｐ型層に透光性電極を貼ってｐ型層の広範囲な面に
渡って電流が注入されるようにしている。そのときの透
光性電極は第１の電極層（例えばCo）の上に第２の電極
層（例えばAu）を積層して透光性電極形成層を形成し、
酸素を含むガス中において５００〜６００℃の温度で熱
処理をする。これにより、透光性電極形成層とｐ型層と
が合金化され両者の間にオーミックコンタクトが確保さ
れることとなる。なお、このとき第１の電極層の構成元
素の分布が変化する。
物系化合物半導体発光素子においては、素子の全面から
均一な発光を得るため種々の提案がなされている。例え
ば、ｐ型層に透光性電極を貼ってｐ型層の広範囲な面に
渡って電流が注入されるようにしている。そのときの透
光性電極は第１の電極層（例えばCo）の上に第２の電極
層（例えばAu）を積層して透光性電極形成層を形成し、
酸素を含むガス中において５００〜６００℃の温度で熱
処理をする。これにより、透光性電極形成層とｐ型層と
が合金化され両者の間にオーミックコンタクトが確保さ
れることとなる。なお、このとき第１の電極層の構成元
素の分布が変化する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らの検討によ
れば、酸素を含む雰囲気において５００℃以上の高い温
度で熱処理をすると、ｐ台座電極の表面状態が変化し、
導電性ワイヤーに対する接合力の信頼性が低下する。ま
た、透光性電極と同様に、ｐ台座電極も複数の電極層を
積層して形成されるが（例えば、下側よりCr、Auを順次
積層する）、酸素を含む雰囲気において高温熱処理を実
行すると、下側の金属層が一部表面に移動し、そこで偏
析する場合が見受けられた。この場合、導電性ワイヤー
に対する接合力低下に加えて、ワイヤーボンディング時
の画像処理（ｐ台座電極を認識する）に誤りが生じるお
それがある。
れば、酸素を含む雰囲気において５００℃以上の高い温
度で熱処理をすると、ｐ台座電極の表面状態が変化し、
導電性ワイヤーに対する接合力の信頼性が低下する。ま
た、透光性電極と同様に、ｐ台座電極も複数の電極層を
積層して形成されるが（例えば、下側よりCr、Auを順次
積層する）、酸素を含む雰囲気において高温熱処理を実
行すると、下側の金属層が一部表面に移動し、そこで偏
析する場合が見受けられた。この場合、導電性ワイヤー
に対する接合力低下に加えて、ワイヤーボンディング時
の画像処理（ｐ台座電極を認識する）に誤りが生じるお
それがある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の課題を
解決すべくなされたものであり、その構成は次の通りで
ある。III族窒化物系化合物半導体からなるｐ型層の上
に、第１の金属を積層して第１の電極層を形成し、前記
第１の金属よりも高いイオン化ポテンシャルを有する第
２の金属を前記第１の電極層の上に積層して第２の電極
層を形成する電極形成工程と、実質的に酸素を含む雰囲
気において第１の温度で熱処理をする第１の熱処理工程
と、実質的に酸素を含まない雰囲気において前記第１の
温度より高い第２の温度で熱処理をする第２の熱処理工
程と、を含む、III族窒化物系化合物半導体素子の製造
方法。
解決すべくなされたものであり、その構成は次の通りで
ある。III族窒化物系化合物半導体からなるｐ型層の上
に、第１の金属を積層して第１の電極層を形成し、前記
第１の金属よりも高いイオン化ポテンシャルを有する第
２の金属を前記第１の電極層の上に積層して第２の電極
層を形成する電極形成工程と、実質的に酸素を含む雰囲
気において第１の温度で熱処理をする第１の熱処理工程
と、実質的に酸素を含まない雰囲気において前記第１の
温度より高い第２の温度で熱処理をする第２の熱処理工
程と、を含む、III族窒化物系化合物半導体素子の製造
方法。
【０００５】この発明の製造方法によれば第１の電極層
と第２の電極層とを積層してなる電極とｐ型層との間に
十分なオーミックコンタクトを確保できる。当該電極の
上に例えばｐ台座電極が形成される場合においても、酸
素を含む雰囲気での熱処理条件が低温（穏やかな条件）
で行われるため、ｐ台座電極表面の酸化、およびｐ台座
電極の下地金属層がマイグレーションを起こしてその表
面に偏析することを未然に防止できる。
と第２の電極層とを積層してなる電極とｐ型層との間に
十分なオーミックコンタクトを確保できる。当該電極の
上に例えばｐ台座電極が形成される場合においても、酸
素を含む雰囲気での熱処理条件が低温（穏やかな条件）
で行われるため、ｐ台座電極表面の酸化、およびｐ台座
電極の下地金属層がマイグレーションを起こしてその表
面に偏析することを未然に防止できる。
【０００６】（III族窒化物系化合物半導体の説明）こ
の明細書において、III族窒化物系化合物半導体は一般
式としてＡｌＸＧａ ＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ≦１、
０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表され、ＡｌＮ、Ｇａ
Ｎ及びＩｎＮのいわゆる２元系、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ、
ＡｌｘＩｎ１ −ｘＮ及びＧａｘＩｎ１−ｘＮ（以上にお
いて０＜ｘ＜１）のいわゆる３元系を包含する。III族
元素の少なくとも一部をボロン（Ｂ）、タリウム（Ｔ
ｌ）等で置換しても良く、また、窒素（Ｎ）の少なくと
も一部もリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置換できる。III族窒化物
系化合物半導体層は任意のドーパントを含むものであっ
ても良い。ｎ型不純物として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔ
ｅ、Ｃ等を用いることができる。ｐ型不純物として、Ｍ
ｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等を用いることがで
きる。なお、ｐ型不純物をドープした後にIII族窒化物
系化合物半導体を電子線照射、プラズマ照射若しくは炉
による加熱にさらすことも可能であるが必須ではない。
III族窒化物系化合物半導体層の形成方法は特に限定さ
れないが、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）のほ
か、周知の分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド気
相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーテ
ィング法、電子シャワー法等によっても形成することが
できる。ここにIII族窒化物系化合物半導体素子には、
発光ダイオード、受光ダイオード、レーザダイオード、
太陽電池等の光素子の他、整流器、サイリスタ及びトラ
ンジスタ等のバイポーラ素子、ＦＥＴ等のユニポーラ素
子並びにマイクロウェーブ素子などの電子デバイスを挙
げられる。また、これらの素子の中間体としての積層体
にも本発明は適用されるものである。なお、発光素子の
構成としては、ホモ構造、ヘテロ構造若しくはダブルへ
テロ構造のものを用いることができる。さらに量子井戸
構造（単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造）を
採用することもできる。
の明細書において、III族窒化物系化合物半導体は一般
式としてＡｌＸＧａ ＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ≦１、
０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表され、ＡｌＮ、Ｇａ
Ｎ及びＩｎＮのいわゆる２元系、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ、
ＡｌｘＩｎ１ −ｘＮ及びＧａｘＩｎ１−ｘＮ（以上にお
いて０＜ｘ＜１）のいわゆる３元系を包含する。III族
元素の少なくとも一部をボロン（Ｂ）、タリウム（Ｔ
ｌ）等で置換しても良く、また、窒素（Ｎ）の少なくと
も一部もリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置換できる。III族窒化物
系化合物半導体層は任意のドーパントを含むものであっ
ても良い。ｎ型不純物として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔ
ｅ、Ｃ等を用いることができる。ｐ型不純物として、Ｍ
ｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等を用いることがで
きる。なお、ｐ型不純物をドープした後にIII族窒化物
系化合物半導体を電子線照射、プラズマ照射若しくは炉
による加熱にさらすことも可能であるが必須ではない。
III族窒化物系化合物半導体層の形成方法は特に限定さ
れないが、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）のほ
か、周知の分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド気
相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーテ
ィング法、電子シャワー法等によっても形成することが
できる。ここにIII族窒化物系化合物半導体素子には、
発光ダイオード、受光ダイオード、レーザダイオード、
太陽電池等の光素子の他、整流器、サイリスタ及びトラ
ンジスタ等のバイポーラ素子、ＦＥＴ等のユニポーラ素
子並びにマイクロウェーブ素子などの電子デバイスを挙
げられる。また、これらの素子の中間体としての積層体
にも本発明は適用されるものである。なお、発光素子の
構成としては、ホモ構造、ヘテロ構造若しくはダブルへ
テロ構造のものを用いることができる。さらに量子井戸
構造（単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造）を
採用することもできる。
【０００７】（電極層の説明）ｐ型層の上に形成される
電極層は第２の電極層構成元素のイオン化ポテンシャル
が第１の電極層構成元素のそれより高いものであれば特
に限定されるものではない。電極層に透光性を付与する
ときは、以下に説明する金属元素を採用することが好ま
しい。第１の電極層の構成元素は第２の電極層の構成元
素よりもイオン化ポテンシャルが低い元素であり、第２
の電極層の構成元素は半導体に対するオーミック性が第
１の電極層の構成元素よりも良好な元素とするのが望ま
しい。酸素を含んだ第１の熱処理により、半導体の表面
から深さ方向の元素分布は、第２の電極層の構成元素の
方が第１の電極層の構成元素よりも深く浸透した分布と
なる。即ち、電極層の元素分布が電極層の形成時の分布
に対して反転している。電極層の形成後には、上側に形
成した第２の電極層の構成元素の方が下側になり、下側
に形成した第１ｎ電極層の構成元素の方が上側に存在す
る。望ましくは、第１電極層の構成元素は、ニッケル(N
i)、コバルト(Co)、鉄(Fe)、銅(Cu)、クロム(Cr)、タン
タル(Ta)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、アルミニウ
ム(Al)、銀(Ag)のうち少なくとも一種の元素であり、そ
の膜厚は０．５〜１５ｎｍとする。第２電極層の構成元
素は、パラジウム(Pd)、金(Au)、イリジウム(Ir)、白金
(Pt)のうち少なくとも１種の元素であり、その膜厚は
３．５〜２５ｎｍとする。最も望ましくは、第１電極層
の構成元素はCoであり、第２電極層の構成元素はAuであ
る。この場合には、熱処理により、半導体の表面から深
さ方向の元素分布は、CoよりもAuが深く浸透した分布と
なる。
電極層は第２の電極層構成元素のイオン化ポテンシャル
が第１の電極層構成元素のそれより高いものであれば特
に限定されるものではない。電極層に透光性を付与する
ときは、以下に説明する金属元素を採用することが好ま
しい。第１の電極層の構成元素は第２の電極層の構成元
素よりもイオン化ポテンシャルが低い元素であり、第２
の電極層の構成元素は半導体に対するオーミック性が第
１の電極層の構成元素よりも良好な元素とするのが望ま
しい。酸素を含んだ第１の熱処理により、半導体の表面
から深さ方向の元素分布は、第２の電極層の構成元素の
方が第１の電極層の構成元素よりも深く浸透した分布と
なる。即ち、電極層の元素分布が電極層の形成時の分布
に対して反転している。電極層の形成後には、上側に形
成した第２の電極層の構成元素の方が下側になり、下側
に形成した第１ｎ電極層の構成元素の方が上側に存在す
る。望ましくは、第１電極層の構成元素は、ニッケル(N
i)、コバルト(Co)、鉄(Fe)、銅(Cu)、クロム(Cr)、タン
タル(Ta)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、アルミニウ
ム(Al)、銀(Ag)のうち少なくとも一種の元素であり、そ
の膜厚は０．５〜１５ｎｍとする。第２電極層の構成元
素は、パラジウム(Pd)、金(Au)、イリジウム(Ir)、白金
(Pt)のうち少なくとも１種の元素であり、その膜厚は
３．５〜２５ｎｍとする。最も望ましくは、第１電極層
の構成元素はCoであり、第２電極層の構成元素はAuであ
る。この場合には、熱処理により、半導体の表面から深
さ方向の元素分布は、CoよりもAuが深く浸透した分布と
なる。
【０００８】（ｐ台座電極の説明）ｐ台座電極の形成材
料も特に限定されるものではないが、例えば下側から第
１金属層としてＣｒ層、第２金属層としてＡｕ層及び第
３金属層としてＡｌ層を順次積層する構造とする。第１
金属層はその下の層と強固に結合できるように、第２の
金属層よりもイオン化ポテンシャルが低い元素とする。
第２の金属層はＡｌ又はＡｕとのボンディング性が良好
で、かつ透光性電極と反応しない元素とする。第３金属
層は保護膜と強固に結合できる元素とすることが好まし
い。望ましくは、第１金属層の構成元素は、ニッケル(N
i)、鉄(Fe)、銅(Cu)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、バナ
ジウム(V)、マンガン(Mn)、コバルト（Co）のうち少な
くとも一種の元素であり、その膜厚は１〜３００ｎｍで
ある。望ましくは、第３金属層の構成元素は、アルミニ
ウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)のうち少なくとも
一種の元素であり、その膜厚は１〜３０ｎｍである。望
ましくは、第２金属層の構成元素は金(Au)であり、その
膜厚は０．３〜３μｍである。
料も特に限定されるものではないが、例えば下側から第
１金属層としてＣｒ層、第２金属層としてＡｕ層及び第
３金属層としてＡｌ層を順次積層する構造とする。第１
金属層はその下の層と強固に結合できるように、第２の
金属層よりもイオン化ポテンシャルが低い元素とする。
第２の金属層はＡｌ又はＡｕとのボンディング性が良好
で、かつ透光性電極と反応しない元素とする。第３金属
層は保護膜と強固に結合できる元素とすることが好まし
い。望ましくは、第１金属層の構成元素は、ニッケル(N
i)、鉄(Fe)、銅(Cu)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、バナ
ジウム(V)、マンガン(Mn)、コバルト（Co）のうち少な
くとも一種の元素であり、その膜厚は１〜３００ｎｍで
ある。望ましくは、第３金属層の構成元素は、アルミニ
ウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)のうち少なくとも
一種の元素であり、その膜厚は１〜３０ｎｍである。望
ましくは、第２金属層の構成元素は金(Au)であり、その
膜厚は０．３〜３μｍである。
【０００９】ｐ補助電極をｐ台座電極と同一材料でかつ
同一方法により形成することができる。この場合、ｐ補
助電極とｐ台座電極とは同一厚さとなる。ｐ補助電極と
ｐ台座電極とを別個に形成することもできる。この場
合、ｐ補助電極の材質及び厚さをｐ台座電極のそれと異
ならせることもできる。ｐ台座電極は導電性ワイヤを周
知の方法でボンデングするために十分な面積を有すれば
その形状は特に限定されない。ボンディング時の位置確
認のためには、ｐ台座電極としてｎ台座電極と異なる形
状を採用することが好ましい。ｐ補助電極は光を遮蔽す
るので、その幅を狭くすることが好ましい。ｐ補助電極
の幅は１〜４０μｍとすることがこのましい。更に好ま
しくは２〜３０μｍであり、更に更に好ましくは３〜２
５μｍであり、更に更に更に好ましくは３〜２０μｍで
あり、最も好ましくは５〜１５μｍである。ｐ台座電極
及び／又はｐ補助電極の周囲に凹凸を設けて、透光性電
極との間の接触面積を増大させることが好ましい。ｐ台
座電極の周面は傾斜していることが好ましい。台座電極
の周面をテ−パ状としておくことにより、台座電極及び
透光性電極の表面に形成される保護膜（ＳｉＯ２膜等）
を当該テ−パ状部にもほぼ設計膜厚通りに形成すること
が可能となる。
同一方法により形成することができる。この場合、ｐ補
助電極とｐ台座電極とは同一厚さとなる。ｐ補助電極と
ｐ台座電極とを別個に形成することもできる。この場
合、ｐ補助電極の材質及び厚さをｐ台座電極のそれと異
ならせることもできる。ｐ台座電極は導電性ワイヤを周
知の方法でボンデングするために十分な面積を有すれば
その形状は特に限定されない。ボンディング時の位置確
認のためには、ｐ台座電極としてｎ台座電極と異なる形
状を採用することが好ましい。ｐ補助電極は光を遮蔽す
るので、その幅を狭くすることが好ましい。ｐ補助電極
の幅は１〜４０μｍとすることがこのましい。更に好ま
しくは２〜３０μｍであり、更に更に好ましくは３〜２
５μｍであり、更に更に更に好ましくは３〜２０μｍで
あり、最も好ましくは５〜１５μｍである。ｐ台座電極
及び／又はｐ補助電極の周囲に凹凸を設けて、透光性電
極との間の接触面積を増大させることが好ましい。ｐ台
座電極の周面は傾斜していることが好ましい。台座電極
の周面をテ−パ状としておくことにより、台座電極及び
透光性電極の表面に形成される保護膜（ＳｉＯ２膜等）
を当該テ−パ状部にもほぼ設計膜厚通りに形成すること
が可能となる。
【００１０】（第１の熱処理工程の説明）第１の熱処理
工程は実質的に酸素を含む雰囲気において行われる。酸
素を含む雰囲気を実現するため次のガスを用いることが
好ましい。即ち、酸素を含むガスとしては、O2、O3、C
O、CO2、NO、N2O、NO2、又は、H2Oの少なくとも１種又
はこれらの混合ガスを用いることができる。又は、O2、
O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2、又は、H2Oの少なくとも１
種と不活性ガスとの混合ガス、又は、O2、O3、CO、C
O2、NO、N2O、NO2、又は、H2Oの混合ガスと不活性ガス
との混合ガスを用いることができる。要するに酸素を含
むガスは、酸素原子、酸素原子を有する分子のガスの意
味である。なかでも、酸化性のガス雰囲気が好ましい。
熱処理時の雰囲気の圧力は、熱処理温度において、窒化
ガリウム系化合物半導体が熱分解しない圧力以上であれ
ば良い。酸素を含むガスは、O2ガスだけを用いた場合に
は、窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧以上の圧力で
導入すれば良く、他の不活性ガスと混合した状態で用い
た場合には、全ガスを窒化ガリウム系化合物半導体の分
解圧以上の圧力とし、O2ガスは全ガスに対して１０-6程
度以上の割合を有しておれば十分である。要するに、酸
素を含むガスは極微量存在すれば十分である。尚、酸素
を含むガスの導入量の上限値は電極合金化の特性から
は、特に、制限されるものではない。要は、製造が可能
である範囲まで使用できる。熱処理温度は４４０℃未満
とすることが好ましい。熱処理温度が４４０℃以上とな
ると、既述の課題が生じるおそれがある。更に好ましい
熱処理温度は４２０℃未満であり、更に更に好ましくは
４００℃未満である。熱処理時間は、第１の電極層と第
２の電極層との間にマイグレーションを生じさせること
ができれば特に限定されないが、５分〜１０００分とす
ることが好ましい。更に好ましくは、１０分〜５００分
であり、更に更に好ましくは３０分〜３００分である。
工程は実質的に酸素を含む雰囲気において行われる。酸
素を含む雰囲気を実現するため次のガスを用いることが
好ましい。即ち、酸素を含むガスとしては、O2、O3、C
O、CO2、NO、N2O、NO2、又は、H2Oの少なくとも１種又
はこれらの混合ガスを用いることができる。又は、O2、
O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2、又は、H2Oの少なくとも１
種と不活性ガスとの混合ガス、又は、O2、O3、CO、C
O2、NO、N2O、NO2、又は、H2Oの混合ガスと不活性ガス
との混合ガスを用いることができる。要するに酸素を含
むガスは、酸素原子、酸素原子を有する分子のガスの意
味である。なかでも、酸化性のガス雰囲気が好ましい。
熱処理時の雰囲気の圧力は、熱処理温度において、窒化
ガリウム系化合物半導体が熱分解しない圧力以上であれ
ば良い。酸素を含むガスは、O2ガスだけを用いた場合に
は、窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧以上の圧力で
導入すれば良く、他の不活性ガスと混合した状態で用い
た場合には、全ガスを窒化ガリウム系化合物半導体の分
解圧以上の圧力とし、O2ガスは全ガスに対して１０-6程
度以上の割合を有しておれば十分である。要するに、酸
素を含むガスは極微量存在すれば十分である。尚、酸素
を含むガスの導入量の上限値は電極合金化の特性から
は、特に、制限されるものではない。要は、製造が可能
である範囲まで使用できる。熱処理温度は４４０℃未満
とすることが好ましい。熱処理温度が４４０℃以上とな
ると、既述の課題が生じるおそれがある。更に好ましい
熱処理温度は４２０℃未満であり、更に更に好ましくは
４００℃未満である。熱処理時間は、第１の電極層と第
２の電極層との間にマイグレーションを生じさせること
ができれば特に限定されないが、５分〜１０００分とす
ることが好ましい。更に好ましくは、１０分〜５００分
であり、更に更に好ましくは３０分〜３００分である。
【００１１】（第２の熱処理工程の説明）第２の熱処理
工程は実質的に酸素を含まない雰囲気において行われ
る。即ち、第１の熱処理工程で用いた酸素含有ガスを用
いずに、非酸化性雰囲気もしくは還元性雰囲気で熱処理
を実行することが好ましい。具体的には、N２、He、Ar
等の不活性ガスやH2等の還元性ガス、またはこれらの混
合ガス中で熱処理を行うことが好ましい。熱処理温度は
第１の熱処理工程時の熱処理温度より高くする。これに
より、電極層とｐ型層との間にオーミックコンタクトが
得られることとなる。当該高温での熱処理を省略すると
両者の間にオーミックコンタクトが得られない（表１、
比較例３参照）。従って、第２の熱処理工程で要求され
る熱処理条件は、電極層とｐ型層との間にオーミックコ
ンタクトを確保するのに十分な加熱温度及び加熱時間で
ある。熱処理温度は４４０℃以上とすることが好まし
く、更に好ましくは４８０℃以上であり、更に更に好ま
しくは５２０℃以上である。熱処理時間は０．１分〜１
８０分とすることが好ましい。更に好ましくは、０．３
分〜６０分であり、更に更に好ましくは０．５分〜３０
分である。第２の熱処理工程における雰囲気の圧力は当
該熱処理温度においてIII族窒化物系化合物半導体が熱
分解されない圧力以上であればよい。
工程は実質的に酸素を含まない雰囲気において行われ
る。即ち、第１の熱処理工程で用いた酸素含有ガスを用
いずに、非酸化性雰囲気もしくは還元性雰囲気で熱処理
を実行することが好ましい。具体的には、N２、He、Ar
等の不活性ガスやH2等の還元性ガス、またはこれらの混
合ガス中で熱処理を行うことが好ましい。熱処理温度は
第１の熱処理工程時の熱処理温度より高くする。これに
より、電極層とｐ型層との間にオーミックコンタクトが
得られることとなる。当該高温での熱処理を省略すると
両者の間にオーミックコンタクトが得られない（表１、
比較例３参照）。従って、第２の熱処理工程で要求され
る熱処理条件は、電極層とｐ型層との間にオーミックコ
ンタクトを確保するのに十分な加熱温度及び加熱時間で
ある。熱処理温度は４４０℃以上とすることが好まし
く、更に好ましくは４８０℃以上であり、更に更に好ま
しくは５２０℃以上である。熱処理時間は０．１分〜１
８０分とすることが好ましい。更に好ましくは、０．３
分〜６０分であり、更に更に好ましくは０．５分〜３０
分である。第２の熱処理工程における雰囲気の圧力は当
該熱処理温度においてIII族窒化物系化合物半導体が熱
分解されない圧力以上であればよい。
【００１２】第１の熱処理工程と第２の熱処理工程と実
行する順序は特に限定されない。酸素含有ガスを供給す
る雰囲気において熱処理温度を徐々に上げていって（第
１の熱処理工程に実行）、４４０℃に達した後は酸素含
有ガスの供給を止めそこから第２の熱処理工程を実行す
るようにしてもよい。
行する順序は特に限定されない。酸素含有ガスを供給す
る雰囲気において熱処理温度を徐々に上げていって（第
１の熱処理工程に実行）、４４０℃に達した後は酸素含
有ガスの供給を止めそこから第２の熱処理工程を実行す
るようにしてもよい。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。
まず、図１に示す構成に半導体層を積層した。 層 ： 組成 ｐ型層５ ： ｐ−ＧａＮ:Ｍｇ 発光する層を含む層 ４ ： ＩｎＧａＮ層を含む層 ｎ型層 ３ ： ｎ−ＧａＮ：Ｓｉ バッファ層 ２ ： ＡｌＮ 基板 １ ： サファイア
まず、図１に示す構成に半導体層を積層した。 層 ： 組成 ｐ型層５ ： ｐ−ＧａＮ:Ｍｇ 発光する層を含む層 ４ ： ＩｎＧａＮ層を含む層 ｎ型層 ３ ： ｎ−ＧａＮ：Ｓｉ バッファ層 ２ ： ＡｌＮ 基板 １ ： サファイア
【００１４】基板１の上にはバッファ層２を介してｎ型
不純物してＳｉをドープしたＧａＮからなるｎ型層３を
形成した。ここで、基板１にはサファイアを用いたが、
これに限定されることはなく、サファイア、スピネル、
シリコン、炭化シリコン、酸化亜鉛、リン化ガリウム、
ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化マンガン、III
族窒化物系化合物半導体単結晶等を用いることができ
る。さらにバッファ層はＡｌＮを用いてＭＯＣＶＤ法で
形成されるがこれに限定されることはなく、材料として
はＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＩ
ｎＧａＮ等を用いることができ、製法としては分子線結
晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰ
Ｅ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シ
ャワー法等を用いることができる。ＧａＮを基板として
用いた場合は、当該バッファ層を省略することができ
る。さらに基板とバッファ層は半導体素子形成後に、必
要に応じて、除去することもできる。
不純物してＳｉをドープしたＧａＮからなるｎ型層３を
形成した。ここで、基板１にはサファイアを用いたが、
これに限定されることはなく、サファイア、スピネル、
シリコン、炭化シリコン、酸化亜鉛、リン化ガリウム、
ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化マンガン、III
族窒化物系化合物半導体単結晶等を用いることができ
る。さらにバッファ層はＡｌＮを用いてＭＯＣＶＤ法で
形成されるがこれに限定されることはなく、材料として
はＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＩ
ｎＧａＮ等を用いることができ、製法としては分子線結
晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰ
Ｅ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シ
ャワー法等を用いることができる。ＧａＮを基板として
用いた場合は、当該バッファ層を省略することができ
る。さらに基板とバッファ層は半導体素子形成後に、必
要に応じて、除去することもできる。
【００１５】ここでｎ型層はＧａＮで形成したが、Ａｌ
ＧａＮ、ＩｎＧａＮ若しくはＡｌＩｎＧａＮを用いるこ
とができる。また、ｎ型層はｎ型不純物してＳｉをドー
プしたが、このほかにｎ型不純物として、Ｇｅ、Ｓｅ、
Ｔｅ、Ｃ等を用いることもできる。ｎ型層３は発光する
層を含む層４側の低電子濃度ｎ-層とバッファ層２側の
高電子濃度ｎ＋層とからなる２層構造とすることができ
る。発光する層を含む層４は量子井戸構造の発光層を含
んでいてもよく、また発光素子の構造としてはシングル
へテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどで
もよい。
ＧａＮ、ＩｎＧａＮ若しくはＡｌＩｎＧａＮを用いるこ
とができる。また、ｎ型層はｎ型不純物してＳｉをドー
プしたが、このほかにｎ型不純物として、Ｇｅ、Ｓｅ、
Ｔｅ、Ｃ等を用いることもできる。ｎ型層３は発光する
層を含む層４側の低電子濃度ｎ-層とバッファ層２側の
高電子濃度ｎ＋層とからなる２層構造とすることができ
る。発光する層を含む層４は量子井戸構造の発光層を含
んでいてもよく、また発光素子の構造としてはシングル
へテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどで
もよい。
【００１６】発光する層を含む層４はｐ型層５の側にマ
グネシウム等のアクセプタをドープしたバンドギャップ
の広いIII族窒化物系化合物半導体層を含むこともでき
る。これは発光する層を含む層４中に注入された電子が
ｐ型層５に拡散するのを効果的に防止するためである。
グネシウム等のアクセプタをドープしたバンドギャップ
の広いIII族窒化物系化合物半導体層を含むこともでき
る。これは発光する層を含む層４中に注入された電子が
ｐ型層５に拡散するのを効果的に防止するためである。
【００１７】発光する層を含む層４の上にｐ型不純物と
してＭｇをドープしたＧａＮからなるｐ型層５を形成し
た。このｐ型層はＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ又はＩｎＡｌ
ＧａＮとすることもできる、また、ｐ型不純物としては
Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを用いることもできる。
さらに、ｐ型層５を発光する層を含む層４側の低ホール
濃度ｐ−層と電極側の高ホール濃度ｐ＋層とからなる２
層構造とすることができる。
してＭｇをドープしたＧａＮからなるｐ型層５を形成し
た。このｐ型層はＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ又はＩｎＡｌ
ＧａＮとすることもできる、また、ｐ型不純物としては
Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを用いることもできる。
さらに、ｐ型層５を発光する層を含む層４側の低ホール
濃度ｐ−層と電極側の高ホール濃度ｐ＋層とからなる２
層構造とすることができる。
【００１８】上記構成の発光ダイオードにおいて、各II
I族窒化物系化合物半導体層は一般的な条件でＭＯＣＶ
Ｄを実行して形成するか、分子線結晶成長法（ＭＢＥ
法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ
法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等の方法
で形成することもできる。
I族窒化物系化合物半導体層は一般的な条件でＭＯＣＶ
Ｄを実行して形成するか、分子線結晶成長法（ＭＢＥ
法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ
法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等の方法
で形成することもできる。
【００１９】その後、マスクを形成してｐ型層５、発光
する層を含む層４及びｎ型層３の一部を反応性イオンエ
ッチングにより除去し、ｎ電極９を形成すべきｎ電極形
成面１１を表出させる。
する層を含む層４及びｎ型層３の一部を反応性イオンエ
ッチングにより除去し、ｎ電極９を形成すべきｎ電極形
成面１１を表出させる。
【００２０】次に、図２を参照しながら、透光性電極形
成層６０及びｐ台座電極形成層７０の形成方法について
説明する。まず、ウエハの全面に、蒸着装置にて、第１
の電極層としてのＣｏ層（１．５ｎｍ）６１と第２の電
極層としてのＡｕ層（６０ｎｍ）６２を順次積層する。
次に、フォトレジストを一様に塗布して、フォトリソグ
ラフィにより、ｎ電極形成面１１及びその周囲からほぼ
１０μｍ幅の部分（クリアランス領域）でフォトレジス
トを除去して、エッチングによりその部分の透光性電極
形成材料６１、６２を除去し、半導体層５を露出させ
る。その後、フォトレジストを除去する。次に、リフト
オフ法により、Ｃｒ層（３０ｎｍ）７１、Ａｕ層（１．
５μｍ）７２及びＡｌ層（１０ｎｍ）７３を順次蒸着積
層してｐ台座電極形成層７０を形成する。なお、バナジ
ウムとアルミニウムとを順次積層してｎ電極形成層も同
様にリフトオフ法により形成される。
成層６０及びｐ台座電極形成層７０の形成方法について
説明する。まず、ウエハの全面に、蒸着装置にて、第１
の電極層としてのＣｏ層（１．５ｎｍ）６１と第２の電
極層としてのＡｕ層（６０ｎｍ）６２を順次積層する。
次に、フォトレジストを一様に塗布して、フォトリソグ
ラフィにより、ｎ電極形成面１１及びその周囲からほぼ
１０μｍ幅の部分（クリアランス領域）でフォトレジス
トを除去して、エッチングによりその部分の透光性電極
形成材料６１、６２を除去し、半導体層５を露出させ
る。その後、フォトレジストを除去する。次に、リフト
オフ法により、Ｃｒ層（３０ｎｍ）７１、Ａｕ層（１．
５μｍ）７２及びＡｌ層（１０ｎｍ）７３を順次蒸着積
層してｐ台座電極形成層７０を形成する。なお、バナジ
ウムとアルミニウムとを順次積層してｎ電極形成層も同
様にリフトオフ法により形成される。
【００２１】上記のようにして得られた試料を下記条件
で熱処理をした。
で熱処理をした。
【表１】
【００２２】表１において、第１の熱処理工程（酸素を
含む雰囲気において比較的低温での熱処理）は強調文字
にて表記した。また表１において、コンタクト抵抗の高
低は２０ｍＡ通電時の素子の電圧を基準にした。光出力
は実施例及び比較例において殆ど差が出なかった。Ｗ／
Ｂ性（ワイヤーボンディング性）はボールシェア強度を
基準に評価した。外観はｐ台座電極表面を顕微鏡で観察
し、表面が一様で均質な場合を○、Ｃｒの偏析が観察さ
れた場合を△とした。
含む雰囲気において比較的低温での熱処理）は強調文字
にて表記した。また表１において、コンタクト抵抗の高
低は２０ｍＡ通電時の素子の電圧を基準にした。光出力
は実施例及び比較例において殆ど差が出なかった。Ｗ／
Ｂ性（ワイヤーボンディング性）はボールシェア強度を
基準に評価した。外観はｐ台座電極表面を顕微鏡で観察
し、表面が一様で均質な場合を○、Ｃｒの偏析が観察さ
れた場合を△とした。
【００２３】表１より、実質的に酸素を含む雰囲気にお
いて比較的低温で熱処理をする第１の熱処理工程と実質
的に酸素を含まない雰囲気（好ましくは還元性雰囲気）
において比較的高ｓ温で熱処理をする第２の熱処理工程
とを、その順序を問わず実行することにより、比較例１
（従来の方法）と同様に低いコンタクト抵抗を維持しつ
つ、ワイヤーボンディング特性及び外観性がともに向上
することがわかる。また、第１の熱処理工程を省略する
と、コンタクト抵抗が高くなることがわかる（比較例２
参照）。第１の熱処理工程を実施するものの第２の熱処
理工程（高温での熱処理）を省略するとやはりコンタク
ト抵抗が高くなることがわかる（比較例３参照）。
いて比較的低温で熱処理をする第１の熱処理工程と実質
的に酸素を含まない雰囲気（好ましくは還元性雰囲気）
において比較的高ｓ温で熱処理をする第２の熱処理工程
とを、その順序を問わず実行することにより、比較例１
（従来の方法）と同様に低いコンタクト抵抗を維持しつ
つ、ワイヤーボンディング特性及び外観性がともに向上
することがわかる。また、第１の熱処理工程を省略する
と、コンタクト抵抗が高くなることがわかる（比較例２
参照）。第１の熱処理工程を実施するものの第２の熱処
理工程（高温での熱処理）を省略するとやはりコンタク
ト抵抗が高くなることがわかる（比較例３参照）。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明で提案す
る２段階の熱処理を実行すれば、III族窒化物系化合物
半導体からなるｐ型層と透光性電極とのオーミックコン
タクトを維持しつつｐ台座電極の表面が酸化されてこれ
と導電性ワイヤとの接合力が低下することを未然に防止
できる。
る２段階の熱処理を実行すれば、III族窒化物系化合物
半導体からなるｐ型層と透光性電極とのオーミックコン
タクトを維持しつつｐ台座電極の表面が酸化されてこれ
と導電性ワイヤとの接合力が低下することを未然に防止
できる。
【００２５】この発明は、上記発明の実施の形態及び実
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
【００２６】以下、次の事項を開示する。 １１ III族窒化物系化合物半導体からなるｐ型層
と、該ｐ型層の上に形成されて第１の金属を含む第１の
電極層及び該第１の電極層の上に形成されて前記第１の
金属よりも高いイオン化ポテンシャルを有する第２の金
属を含む第２の電極層を備えてなる透光性電極形成層
と、を熱処理する方法であって、実質的に酸素を含む雰
囲気において第１の温度で熱処理をする第１の熱処理工
程と、実質的に酸素を含まない雰囲気において前記第１
の温度より高い第２の温度で熱処理をする第２の熱処理
工程と、を含む、熱処理方法。 １２ 前記第１の熱処理工程の後に前記第２の熱処理工
程が実行される、１１に記載の熱処理方法。 １３ 前記第２の熱処理工程の後に前記第１の熱処理工
程が実行される、１１に記載の熱処理方法。 １４ 前記第１の温度は４４０℃未満である、１１〜１
３のいずれか記載の熱処理方法。 １５ 前記第２の熱処理工程は非酸化性雰囲気あるいは
還元性雰囲気で行われる、１１〜１４のいずれかに記載
の熱処理方法。 １６ 前記電極形成工程にはｐ台座電極を形成する工程
が更に含まれる、１１〜１５のいずれかに記載の熱処理
方法。 １７ 前記第１の金属はコバルト（Co）であり、前記第
２の金属は金（Au）である、１１〜１６のいずれかに記
載の熱処理方法。 ２１ III族窒化物系化合物半導体からなるｐ型層の上
に、第１の金属を含む第１の電極層を積層し、前記第１
の金属よりも高いイオン化ポテンシャルを有する第２の
金属を含む第２の電極層を前記第１の電極層の上に積層
して透光性電極形成層を形成し、該透光性電極形成層を
下記２つの熱処理工程により熱処理して得られたIII族
窒化物系化合物半導体発光素子、実質的に酸素を含む雰
囲気において第１の温度で熱処理をする第１の熱処理工
程、実質的に酸素を含まない雰囲気において前記第１の
温度より高い第２の温度で熱処理をする第２の熱処理工
程。 ２２ 前記第１の熱処理工程の後に前記第２の熱処理工
程が実行される、２１に記載のIII族窒化物系化合物半
導体素子。 ２３ 前記第２の熱処理工程の後に前記第１の熱処理工
程が実行される、２１に記載のIII族窒化物系化合物半
導体素子。 ２４ 前記第１の温度は４４０℃未満である、２１〜２
３のいずれか記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ２５ 前記第２の熱処理工程は非酸化性雰囲気あるいは
還元性雰囲気で行われる、２１〜２４のいずれかに記載
のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ２６ 前記電極形成工程にはｐ台座電極を形成する工程
が更に含まれる、２１〜２５のいずれかに記載のIII族
窒化物系化合物半導体素子。 ２７ 前記第１の金属はコバルト（Co）であり、前記第
２の金属は金（Au）である、２１〜２６のいずれかに記
載のIII族窒化物系化合物半導体素子。
と、該ｐ型層の上に形成されて第１の金属を含む第１の
電極層及び該第１の電極層の上に形成されて前記第１の
金属よりも高いイオン化ポテンシャルを有する第２の金
属を含む第２の電極層を備えてなる透光性電極形成層
と、を熱処理する方法であって、実質的に酸素を含む雰
囲気において第１の温度で熱処理をする第１の熱処理工
程と、実質的に酸素を含まない雰囲気において前記第１
の温度より高い第２の温度で熱処理をする第２の熱処理
工程と、を含む、熱処理方法。 １２ 前記第１の熱処理工程の後に前記第２の熱処理工
程が実行される、１１に記載の熱処理方法。 １３ 前記第２の熱処理工程の後に前記第１の熱処理工
程が実行される、１１に記載の熱処理方法。 １４ 前記第１の温度は４４０℃未満である、１１〜１
３のいずれか記載の熱処理方法。 １５ 前記第２の熱処理工程は非酸化性雰囲気あるいは
還元性雰囲気で行われる、１１〜１４のいずれかに記載
の熱処理方法。 １６ 前記電極形成工程にはｐ台座電極を形成する工程
が更に含まれる、１１〜１５のいずれかに記載の熱処理
方法。 １７ 前記第１の金属はコバルト（Co）であり、前記第
２の金属は金（Au）である、１１〜１６のいずれかに記
載の熱処理方法。 ２１ III族窒化物系化合物半導体からなるｐ型層の上
に、第１の金属を含む第１の電極層を積層し、前記第１
の金属よりも高いイオン化ポテンシャルを有する第２の
金属を含む第２の電極層を前記第１の電極層の上に積層
して透光性電極形成層を形成し、該透光性電極形成層を
下記２つの熱処理工程により熱処理して得られたIII族
窒化物系化合物半導体発光素子、実質的に酸素を含む雰
囲気において第１の温度で熱処理をする第１の熱処理工
程、実質的に酸素を含まない雰囲気において前記第１の
温度より高い第２の温度で熱処理をする第２の熱処理工
程。 ２２ 前記第１の熱処理工程の後に前記第２の熱処理工
程が実行される、２１に記載のIII族窒化物系化合物半
導体素子。 ２３ 前記第２の熱処理工程の後に前記第１の熱処理工
程が実行される、２１に記載のIII族窒化物系化合物半
導体素子。 ２４ 前記第１の温度は４４０℃未満である、２１〜２
３のいずれか記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ２５ 前記第２の熱処理工程は非酸化性雰囲気あるいは
還元性雰囲気で行われる、２１〜２４のいずれかに記載
のIII族窒化物系化合物半導体素子。 ２６ 前記電極形成工程にはｐ台座電極を形成する工程
が更に含まれる、２１〜２５のいずれかに記載のIII族
窒化物系化合物半導体素子。 ２７ 前記第１の金属はコバルト（Co）であり、前記第
２の金属は金（Au）である、２１〜２６のいずれかに記
載のIII族窒化物系化合物半導体素子。
【図１】図１はこの発明の実施例の発光素子の層構成を
説明する。
説明する。
【図２】図２は実施例の発光素子の電極の層構成を説明
する。
する。
５ ｐ型層 ６ 透光性電極 ７ ｐ台座電極 ９ ｎ電極 １０ 発光素子 ６０ 透光性電極形成層 ７０ ｐ台座電極形成層
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 AA01 AA03 AA04 AA05 AA06 AA10 BB02 BB04 BB05 BB13 BB17 CC01 DD08 DD26 DD34 DD43 DD78 DD79 DD86 FF03 FF13 FF17 GG02 GG04 HH08 HH15 5F041 AA03 AA08 AA24 AA43 AA44 CA02 CA03 CA04 CA05 CA12 CA34 CA40 CA49 CA64 CA65 CA66 CA73 CA74 CA82 CA85 CA88 CA92
Claims (7)
- 【請求項１】 III族窒化物系化合物半導体からなるｐ
型層の上に、第１の金属を積層して第１の電極層を形成
し、前記第１の金属よりも高いイオン化ポテンシャルを
有する第２の金属を前記第１の電極層の上に積層して第
２の電極層を形成する電極形成工程と、 実質的に酸素を含む雰囲気において第１の温度で熱処理
をする第１の熱処理工程と、 実質的に酸素を含まない雰囲気において前記第１の温度
より高い第２の温度で熱処理をする第２の熱処理工程
と、 を含む、III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の熱処理工程の後に前記第２の
熱処理工程が実行される、請求項１に記載のIII族窒化
物系化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記第２の熱処理工程の後に前記第１の
熱処理工程が実行される、請求項１に記載のIII族窒化
物系化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記第１の温度は４４０℃未満である、
請求項１〜３のいずれか記載のIII族窒化物系化合物半
導体素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記第２の熱処理工程は非酸化性雰囲気
あるいは還元性雰囲気で行われる、請求項１〜４のいず
れかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方
法。 - 【請求項６】 前記電極形成工程にはｐ台座電極を形成
する工程が更に含まれる、請求項１〜５のいずれかに記
載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記第１の金属はコバルト（Co）であ
り、前記第２の金属は金（Au）である、請求項１〜６の
いずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製
造方法。
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| CNB028111982A CN1263172C (zh) | 2001-06-04 | 2002-06-03 | 生产第ⅲ族氮化物化合物半导体器件的方法 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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| CN (1) | CN1263172C (ja) |
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| JP2011204959A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2013149676A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| WO2013161247A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | パナソニック株式会社 | 発光素子の製造方法 |
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| US7557380B2 (en) * | 2004-07-27 | 2009-07-07 | Cree, Inc. | Light emitting devices having a reflective bond pad and methods of fabricating light emitting devices having reflective bond pads |
| KR100770491B1 (ko) * | 2005-03-16 | 2007-10-25 | 최운용 | 플라즈마 처리를 통한 광반도체 투명 전극 제조 |
| JP4952534B2 (ja) | 2007-11-20 | 2012-06-13 | 三菱電機株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP5258275B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2013-08-07 | 三菱電機株式会社 | 窒化物半導体装置およびその製造方法 |
| JP5554739B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2014-07-23 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP6206159B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2017-10-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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| US6268618B1 (en) * | 1997-05-08 | 2001-07-31 | Showa Denko K.K. | Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode |
| JP3427732B2 (ja) | 1998-06-17 | 2003-07-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
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