TW560088B - Method of manufacturing III-group nitride compound semiconductor device, thermal processing method and III-group nitride compound semiconductor device - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 10
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 210000000481 breast Anatomy 0.000 claims 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 abstract description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000001804 emulsifying effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- BVSHTEBQPBBCFT-UHFFFAOYSA-N gallium(iii) sulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Ga+3].[Ga+3] BVSHTEBQPBBCFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 1
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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Description
560088
【發明詳細說明】 【技術領域】 Μ族鼠化物系化合物 第冚族氮化物系化合 本發明係關於第 藍色發光二極體等 極改良的較佳發明 【技術領域】 半導體元件。譬如 物半導體元件之電 件Ϊ藍意極體等第瓜族氮化物系化合物半導體天 譬如t型層上整:^
面中注入電产、±σ透光性電極,並橫渡P型層的廣範圍 上層積第2電透光性電極係在第1電極層(如㈤ 後,再於含有φ’而形成透光性電極形成層。然 理。料此中,依5〇0〜6〇0溫度進行熱處 «便可將透光性電極形成層與ρ型層予以合金化, 而一者之間確保歐姆接觸。另外,此時,第i電極層的 構成7L素分布將產生變化。 。、、二本舍明者的探討’在含有氧的氣體環境中,若於$ 〇 〇 C以上局溫下施行熱處理的話,p基座電極(pedestal e 1 e c t r 〇 d e )表面將產生變化,導致對導電性線之接合力可 靠性的降低。
再者’如同透光性電極,ρ基座電極雖亦層積複數電極 層而形成的(譬如:從下端起依序層積Cr、Au),但是若在 含氧氣體環境中施行高溫熱處理的話,下端的金屬層將移 動於部分表面上,在此將發現到偏析的現象。此情況下, 除降低對導電性線的結合力之外,亦有可能在打線接合時
mm I m
C:\2D-CODE\91-08\91111950.ptd 第4頁 560088
560088 五、發明說明(3) 為 AlxGaYIn 卜 χ_γΝ(〇$Χ$1、0$γ‘1、0SX + Y$1)所示,包 括有 AIN、GaN 及 InN 之所謂二元系,AlxGapxN、Α1χΐηΐχΝ 及 G ax I rvx Ν (以上,〇 < X < 1)之所謂三元系。亦可將第瓜族元 素的至少其中一部份,以硼(B)、鉈(T 1)等取代。此外, 亦可將氮(N )之至少其中一部份以鱗(P)、石申(A s)、録 (Sb)、鉍(B i )等取代。第冚族氮化物系化合物半導體層亦
可含任意摻雜者。η型雜質可採用如S i、G e、S e、T e、C 等。P型雜質可採用如Mg、Zn、Be、Ca、Sr、Ba等。另,
在摻雜P型雜質之後,可對第瓜族氮化物系化合物半導體 施行電子束照射、電漿照射、或利用爐加熱曝曬,但是並 未一定必須施行。第瓜族氮化物系化合物半導體層的形成 方法並無特別的限制,除有機金屬氣相成長法(Mocvj)法) 之外,尚可利用週知的分子束結晶成長法(MBE法)、鹵化 物氣相成長法(HVPE法)、濺鍍法、離子鍍法、雷;μ u 等而形成。 又无$子族射法 其中,第m族氮化物系化合物半導體元件除可舉例如· 發光二極體,受光二極體、雷射二極體、太陽電池 ·一 件之外,尚有如整流器、閘流體、及電晶體等 _ 70
件;FET等單載子元件;以及微波元件等電子。此 ^ 等元件之中間體的層積體,亦可適用本發明。 ,遠 另外,發光元件的構造,可採用均質構造、單 造、或雙異質構造。此外,亦可採用量子井 ^貝冓 子井構造或多量子井構造)。 再Μ早1 (電極層之說明、
560088 五、發明說明(4) 離 的限制 P型層上所形成的電椏層,僅要 電勢高於第1電極層構 電極層構成元素的電 限制。當對電極層賦f /、餘並無特別 的金屬元素。 啤予透先性之時,最好採用以下說明 第1電極層構成元素最 本-主 冰 取野尾離電勢低於第2電極®描屮一 素的兀素,且第2電極層構述 二电棧屑構成兀 優於第1雷;1¾厗谣# - 士 素對半導體的歐姆性,較 體表面起朝深度方向的元素分/ ί _ΛΛ 素滲透更深的分布狀態。即,電極声 = 層形成時的分布狀態呈顛倒狀態。在曰電 ^曰/成後,上為所形成的第2電極層構成元素位於下 端,而了端所形成的第ln電極層構成元素則存在於上端。 最好第1電極層構成元素係鎳(Ni)、鈷(c〇)、鐵(Fe)、 銅(Cu)、鉻(Cr)、鈕(Ta)、釩(v)、猛(Mn)、銘(A1)、銀 (Ag)中之至少其中一種元素。第2電極層構成元素係鎘 (Pd)、金(Au)、銥(ir)、白金(pt)中之至少其中一種元 素。其膜厚為3· 5〜25nm。最佳的狀態為第}電極層構成元 素為Co ’第2電極層構成元素為au。此情況下,從半導體 表面起朝深度方向的元素分布將為c〇較^滲透入更深的分 布。 (P基座電極之說明) P基座電極的形成材料並無特別的限制,譬如從下端起 依序層積第1金屬層的Cr、第2金屬層的Au、第3金屬層的 A 1的構造。 C:\2D-OODE\91-O8\91111950.ptd 第7頁 560088 五、發明說明(5) 上气屬層係依可堅固的結合於其下層的方《,設定為 盥Alh低於Ϊ2金屬層的元素。第2金屬層的元素設定為 ;3 :思U間:之焊接性佳,且未與透光性電極反應的元素° 第3金屬層最好為可堅固結合於保護膜的元素。 最好第1金屬層的構成元素為鎳⑻)、鐵(Fe)、銅 |、也士鉻(^)鈕(Ta)、釩(V)、錳(Μη)、鈷(Co)中之至 y ?中一種元素,且其膜厚為1〜3 00nm。 最好第3金屬層為鋁(A1)、鎳(Ni)、鈦(Ti)中之至少其 中了種元素,且其膜厚為1〜3〇nm。 、 最好第2金屬層為金(Au),且其膜厚為〇·3〜。 P輔助電極可由p基座電極之相同材料且相同方法形成。 月况下,p輔助電極與p基座電極形成相同厚度。 P輔助電極與P基座電極可個別形成。此情況下,p輔助 電極的材質與厚度,可不同於P基座電極者。 P基座電極僅要具有供可利用週知方法焊接於導電性線 足夠面積的話便彳’其形狀並無特別的限制。為在 形狀4確5忍位置,P基座電極最好採用不同於n基座電極的 办因為P基座電極將阻斷光’因此最好將其寬度設為較狭 二。P基座電極的寬度最好為1〜40/zm。尤以2〜3〇“m為 〜’更以3〜25 _為佳,更以3〜20心為更佳,特別以5 1 5 // m為特佳。 最好在p基座電極及/或p輔助電極的周圍 增加與透光性電極間的接觸面積。 ’ C:\2D.OODE\9J-O8\93 3jj950 r 第S頁 560088 五、發明說明(6 ) p基座電極的外圍面最好呈傾斜狀態。藉由將基座電極 的外圍面設定為錐狀’便可將形成於基座電極與透光性電 極之表面上的保護膜(Si〇2膜等)’在該推拔狀部處亦大致 如所設計的膜厚。 (第1熱處理步驟之說明) 弟1熱處理步驟传a奋所& 、η 、Ρη η兄敢好铋用下述氣體。即含氧氣體可 :=二?V,、Ν〇、n2Q、nq2、或Μ 中至少其中一 NO 5 /〇⑽扣σ:體。此外,亦可採用〇2、〇3、C0、C02、 NO、N20、N02 、或H 0 中?小 3 2 合氣體,或是〇2、0 、C0 ^ 一種,與非活性氣體的混 人氣舻和不活Η々^ C〇2、NO、N2〇、N〇2還有H2〇的混 5子Γ且氧眉子::的混合氣體。所謂的含氧氣體係指氧 J:,、乳子之分子的氣體。其中,最好為氧化性氣體
熱處理時的氣體Ρ网+ A 鎵係化合物半導體未G解在熱處理溫度中’氮化 體係當僅採用〇2之产7斤,描力以上的話便可。含氧氣 分解壓以上的壓力要依氮化鎵系化合物半導體 性氣體之狀態時,僅將k 而當採用混合其他非活 半導體之分解壓以卜 2 u軋體設定在氮化鎵系化合物 程度以上之比率的話便i夠:C氣體1全部氣體㈣6 極微量的話便足夠。 3 5之,έ氧氣體僅要存在 從電極合金化的特性觀點,1ΐ: :S量^值,就 至可製造的範圍内者均可使用:特別的限制。要吕之,截
C:\2D-00DE\91-08\91111950.ptd $ 9頁 560088 五、發明說明(7) 熱處理溫度最好低於440 t。若熱處理溫度在4 的話,便有可能產生上述課題的虞慮。再者, j上 溫度低於420 t:,尤以低於400 °C為佳。 …、處理 熱處理時間係雖僅要在第〗電極層與第2金屬声 時間不致產生遷移現象的話便可,其餘並並“ ^理 但是最好為5分鐘〜1 0 00分鐘。尤以1〇分鐘〜5〇〇 , 佳,更以30分鐘〜3〇〇分鐘為更佳。 刀,,里為 熱處理步驟之謭日q、 第2熱處理步驟係在實質未含氧的氣體環境中進 :非ί採用?1熱處理步驟中所採用的含氧氣體,且最好 又_乳化性氣體環境或還原性氣體環境施行熱處理。 =言’最好錢、He、Ar等非活性氣體、或&等還原性體 體、或S亥等混合氣體中,施行熱處理。 〃 熱處理溫度係設定為高於第丨熱處理步驟時的熱處理1 度二,此便可在電極層與p型層之間獲得歐姆接觸。若= 略^溫之熱處理的話,在:者間便無法獲得歐姆接觸 Μ^ ,參照比較例3)。所以,在第2熱處理步驟中所要求 的! ί Γ二ΐ ^呆電極層與ρ型層間之歐姆接觸上所需 勺足夠加熱/JDL度與加熱時間。 熱處理溫度最好設定為44〇 t以上,尤以48〇以上 佳,更以5 2 0 °c以上為更佳。 两 ^處理時間係最好為〇.1分鐘〜180分鐘。尤以0.3分鐘 〇分鐘為佳’更以〇.5分鐘〜30分鐘為更佳。 第2熱處理步驟中的氣體環境壓力,係僅要在該熱處理 第10頁 C:\2D-CODE\9l-08\91111950.ptd 560088 五、發明說明(8) 溫度中,第DI族氮化物系化合物半 壓力以上的話便可。 V肢不會產生熱分解之 第1熱處理步驟與第2熱處理步驟 制。 乂驟的執行順序並無特別阳 徐緩上升熱處理、⑻ 之後便停止含氧ΐ
°C 亦可在供應含氧氣體的氣體環境中 度(執行第1熱處理步驟),在到達44〇 體的供應,然後執行第2熱處理步驟 <實施例> 其次,針對本發明之實施例進行說明 首先,層積如圖1所示構造的半導體層 -曰 ρ型層5 含發光之層的層4 η型層3 緩衝層2 基板1 Ρ~~GaΝ : Mg 含InGaN層之層 n-GaN ·· Si AIN :藍寶石 所ΐίΐ i:::層2形成由經摻雜過n型雜扣咖 基板1雖採用藍寶石,但是並不 僅限=此,尚可採用藍寶石、尖晶石、石夕、碳化石夕、氧化 辞、以化鎵、石申化鎵、氧化鎮、氧化猛、第m族氣化物系 化合物半導體單結晶等。此外,緩衝層雖採用ain並依 M0CVD法形成,但是並不僅限於此。材料可採用如:、 11^416』、111〇』、及八111^以等。製法則可採用如:分 子束結晶成長法(Μ B E法)、ii化物氣相成長法(η v ρ E法)、
C:\2D-CODE\91-08\91111950.ptd
560088 五、發明說明(9) 濺鍍法、離子鍍法、電子簇射法等方法。當將GaN採用為 基板的情況時,便可省略該緩衝層。 再者,基板與緩衝層係在半導體元件形成之後,配合需 要可予以去除。 於此,以GaN形成n型層,但亦可使用A1GaN、In(JaN或是 A1InGaN 。 其中,η型層雖摻雜n型雜質的^ ,除此之外,n型雜質 尚可採用Ge、Se、Te、C等。 '型層3係可由含發光之層的層4端之低電子濃度『層, 與緩衝層2端之高電子濃度n+層所構成的二層構造。 含發光之層的層4亦可含有量子井構造的發光層。此 外,發光7C件的構造,可採用單異質型、雙異質型及同質 接面型等。 、 含發光之層的層4係可含有在p型層5端,經摻雜鎂等受 體之能帶隙較寬的第皿族氮化物系化合物半導體層。此乃 可有效的防止經植入於含發光之層的層4中的電子,擴散 於p型層5中的緣故所致。 在含發光之層的層4上形成由經摻雜過p型雜質之社的 GaN所構成的p型層5。型層可為A1(JaN、或 InAlGaN。此外,p型雜質可採用Zn、Be、“、^、“。 再者,P型層5可為含發光之層的層4端之低電洞濃度p_ 層與電極端之高電洞濃度p+層所構成的雙層構造。 在上述構造之發光二極體中,各第瓜族氮化物系化合物 半導體層,雖依照一般條件執rM〇cvd而形成的,但是除
560088 五、發明說明(ίο) 此之外,尚可利用分子束結晶成長法(MBE法)、鹵化物氣 相成長法(HVPE法)、濺鍍法、離子鍍法、電子簇射法等方 法形成。 然後,形成罩幕,並利用反應性離子蝕刻處理,而去除 p型層5、含發光之層的層4 型層3的其中一部份,俾裸 露出應形成η電極9的n電極形成面丨j。 其次,蒼照圖2所示,針對透光性電極形成層60與ρ基座 電極形成層7 0之形成方法進行說明。 首先,晶圓整面上,利用蒸鍍裝置依序層積第i金屬層 的Co層(1 · 5nm)61、第2金屬層的Au層(6〇nm)62。然後,曰 勻的塗布光阻,並利用微影處理,將n電極形成面u與二 其周圍起約1 0 A m寬度的部分(淨空區域)的光阻予以去 除,然後經由蝕刻處理去除此部份的透光性電極形成 61,62’而裸露出p型層5。之後,再去除光阻。 广 其次,利用去除光阻(Li ft-off)法,依序蒸鍍^層 (30nni)71、Au 層(1·5//πι)72、及 A1 層(l〇nm)73,而形成
基座電極形成層70。 P 另外,依序層積鎘與鋁,並同樣的利用去除光阻 (Lift-off)法形成n電極形成層。 將如上述所獲得的試料,依照下述條件施行熱處理 560088 五、發明說明(π) 表1 靡步驟1 M理步雜2 M理步驟3 涵酿 纖出 W/B性 外觀 ΓΟ 時間 (分) 添加 tit 載氣 ΓΟ 時間 (分) 添加 m 載氣 ΓΟ 時間 (分) 添加 lit 載氣 實施例1 380 60 〇m m2 500 10 n2 低 100 〇 〇 _2 m 60 〇m n2 500 10 m%) N2 m 60 〇m n2 低 1⑴ 〇 〇 _3 500 10 380 60 〇i\%) n2 低 100 〇 〇 ttm 500 10 W/〇) n2 m 60 〇m n2 低 100 〇 〇 侧5 500 10 嘱 N2 m 60 _) n2 低 100 〇 〇 fife例6 380 60 〇m n2 440 120 n2 低 100 〇 〇 _7 550 3 n2 380 60 〇m n2 低 100 〇 〇 550 3 m%) n2 380 60 _ n2 低 100 〇 〇 棚1 550 3 _) n2 低 100 Δ Δ 峨例2 550 3 n2 高 100 〇 〇 _列3 m 60 〇m n2 380 120 n2 高 100 〇 〇 第14頁 C:\2D-OODE\91-O8\91111950.ptd %0088 五、發明說明(12) 較低^的孰處"理理步驟(在含氧的氣體環境中,進行 ^處理)係利用斜體字描述。 壓為基準中接觸阻抗的高低係以2〇mA通電時的元件電 光輪出在實施例與比較例中 W / B •W ( i-r k'b T …、戶斤差^ 異 外觀传二ίί性)係以谭點強度為基準進行評估。 均質觀?基座,極表面。當表面㈣^ 記為「△」。 … 」 田觀察到c r偏析的情況時便 由表1中得知,葬由胳a每片斤 比較低溫施行献處0理的第1二二的含氧的氣體環境中,依 氧的氣體處理步驟,與在實質的未含 行埶處理的ίΐ二原性氣體環境)中,依比較高溫施 …涎埋的第2熱處理步驟, 如同比較例1 (習知方法)相員序的施行,除可維持 升打線接合特性與外觀性/ -、接觸阻抗,此外尚可提 高Γ參V二广;)省略第1熱處理步驟的話,接觸阻抗將變 經施行第1熱處理步驟者,共念^ &
的;處理)的"知接觸阻抗仍將5=:=(高 本發明雖參照詳細說明或特 > 问(乡…、比較例3 不脫離本發明之精神與申請專利二=形態進行說明,,f 更種變更與修正…=提下,均可; 本案係根據200 1年6月4曰所申枝AA °〜、。 願平200 1 - 1 6 78 3 5號)者,其内六二A日本專利申請案( ’、 办在參照上亦涵蓋於其t
Claims (1)
- i號 9ΐιη_替換本 六、申請專利範圍 I 一種第HI族氮化物 係包含有·· *、合物半導體元件之製造方法, 在由第ΠΓ族氮化物系八 層積第1金屬而形成第i ^物半導體所構成的P型層上, 上,層積具有電離電勢言極層,然後在上述第1電極層 成第2電極層的電極形° ;上述第1金屬的第2金屬,而形 在實質含右气ΛΛ # ^ .驟; 、3有氣的氣體 第1熱處理步驟;以及 兄中,依第1溫度施行熱處理的 在貝負未含有氧的氣體 第2,度施行熱處理的第2熱=步=於上述第1溫度的 體項之第m族氮化物系化合物半導 施行上述^方處法理λ中在上述第1熱處理步驟之後,再 3 一·如申請專利範圍第1項之第m族氮化物系化合物半導 件之製造方法,其中在上述第2熱處理步驟之後,再 施行上述第1熱處理步驟。 4」如申請專利範圍第1項之第瓜族氮化物系化合物半導 體疋件之製造方法,其中上述第1溫度係低於44〇 〇c。 5.如申請專利範圍第丨項之第皿族氮化物系化合物半導 體元件之製造方法,其中上述第2熱處理步驟係在非氧化 性氣體環境或還原性氣體環境中進行。 6 ·如申請專利範圍第1項之第m族氮化物系化合物半導 體元件之製造方法,其中上述第2溫度係4 4 0 °C以上。 7 ·如申請專利範圍第1項之第皿族氮化物系化合物半導C:\ 總檔\91\91111950\91111950(替換)-1.“ 第18頁 560088 案號91111950_仏年9 六、申請專利範圍 體元件之製造方法,其中上述電極形成步驟係更 成P基座電極的步驟。 3有升y 8如申請專利範圍第丨項之第瓜族氮化物系化合 件之製造方法,其中上述第1金屬係鈷,上述第2金屬 9. 一種熱處理方法,係透光性電極形成層的熱 法,而該透光性電極形成層係具備有: 由第m族氮化物系化合物半導體所構成的p型声. 含有:形成於該p型層上,且含有第i金屬之g 以及形成於該们金屬層上,且具有電離電勢高於金屬層’ 金屬,並含有第2金屬之第2金屬層; 、述第1 其中,包含有: 在實質含有氧的氣體環境中,依第丨 第1熱處理步驟;以及 没她订熱處理的 在實質未含有氧的氣體環境中,依高於 第2溫度施行熱處理的第2熱處理步驟。 第1度的 10. 如申請專利範圍第9項之熱處理方法 1熱處理步驟之後’再施行上述第2熱處理步驟。“第 2:處;rim第9項之熱處理方法,其中在上述第 :〇 : 再施行上述第1熱處理步驟。 1 2 ·如申請專利範圍黛q s 溫度係低於權。C第9項之熱處理方法,其中上述第1 1 3 ·如申請專利範圍第q 熱處理步驟係在非氧化性$ # ^方法’其中上述第2 随乳體% i兄或還原性氣體環境中進 第19頁 (::\總檔\91\91111950\91111950(替換)-1.1)1(: 560088 A號 91111Qqn 六、申請專利範圍 行。 其申上述電極 1 4 ·如申清專利範圍 形成步驟係更包含有其…、終理方法 其中上述第1 15.如申請專利/圍二極的步驟 金屬係⑽。),上述第熱處理方法, 1β 仏咕 上述第2金屬係金(Au)。 m二一二 氮化物系化合物半導體元件,伟在由第 ΠΓ族鼠化物系化合物丰導 什係在由第 第1金屬之第ml v 構成的p型層上,層積含有 :1.金屬之第1電極層,然後在上述第1電極声上,居籍: 有電離電勢尚於上述第1金屬 目 a 形成透光性電極形成Ϊ金:、Λ』;第2電極層,而 種熱處理步驟施行2理電極形成層藉由下述二 物半導體發處理而所獲得的第Ε族氮化物系化合 其中,該二步驟係: …在/南質含有氧的氣體環境中,依第1溫度施行熱處理的 第1熱處理步驟;以及 在貝負未含有氧的氣體環境中,依高於上述第丨溫度的 第2溫度施行熱處理的第2熱處理步驟。 1 7·如申請專利範圍第丨6項之第皿族氮化物系化合物半 導體元件,其中在上述第丨熱處理步驟之後,再施行上述 第2熱處理步驟。 18.如申請專利範圍第16項之第m族氮化物系化合物半 導體元件’其中在上述第2熱處理步驟之後,再施行上述 第1熱處理步驟。 1 9·如申請專利範圍第1 6項之第m族氮化物系化合物半(::\總檔\91\91111950\91111950(替換)-1.1)1(: 第20頁 560088申請專利範圍 導70件’其中上述第1溫度係低於440 °C。 導體元V,請Λ利範圍第16項之第111族氮化物系化合物半 境或還片/1上述第2熱處理步驟係在非氧化性氣體環 兄及逖原性氣體環境中進行。 ^ 導2丄如申請專利範圍第16項之第皿族氮化物系化合物半 電極驟其中上述電極形成步驟係更包含有形成ρ基座 氮化物系化合物半 ’上述第2金屬係金2 2 ·如申請專利範圍第16項之第m族 導體元件,其中上述第1金屬係鈷(c〇) (Au) 〇(::\總檔\91\91111950\91111950(替換)-1.口^ 第21頁
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001167835A JP3812366B2 (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW560088B true TW560088B (en) | 2003-11-01 |
Family
ID=19010163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091111950A TW560088B (en) | 2001-06-04 | 2002-06-04 | Method of manufacturing III-group nitride compound semiconductor device, thermal processing method and III-group nitride compound semiconductor device |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7101780B2 (zh) |
EP (1) | EP1394866A4 (zh) |
JP (1) | JP3812366B2 (zh) |
KR (1) | KR100538199B1 (zh) |
CN (1) | CN1263172C (zh) |
TW (1) | TW560088B (zh) |
WO (1) | WO2002099901A1 (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3812366B2 (ja) | 2001-06-04 | 2006-08-23 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
KR100585919B1 (ko) | 2004-01-15 | 2006-06-01 | 학교법인 포항공과대학교 | 질화갈륨계 ⅲⅴ족 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
US7557380B2 (en) * | 2004-07-27 | 2009-07-07 | Cree, Inc. | Light emitting devices having a reflective bond pad and methods of fabricating light emitting devices having reflective bond pads |
KR100770491B1 (ko) * | 2005-03-16 | 2007-10-25 | 최운용 | 플라즈마 처리를 통한 광반도체 투명 전극 제조 |
JP4952534B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2012-06-13 | 三菱電機株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP5258275B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2013-08-07 | 三菱電機株式会社 | 窒化物半導体装置およびその製造方法 |
JP2011204959A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化物半導体発光素子 |
JP5554739B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2014-07-23 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP5879134B2 (ja) * | 2012-01-17 | 2016-03-08 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
JPWO2013161247A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2015-12-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP6206159B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2017-10-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3620926B2 (ja) * | 1995-06-16 | 2005-02-16 | 豊田合成株式会社 | p伝導形3族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子 |
US6121127A (en) * | 1996-06-14 | 2000-09-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Methods and devices related to electrodes for p-type group III nitride compound semiconductors |
US6291840B1 (en) * | 1996-11-29 | 2001-09-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | GaN related compound semiconductor light-emitting device |
JP3344257B2 (ja) | 1997-01-17 | 2002-11-11 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 |
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JP3567790B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2004-09-22 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
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US6133589A (en) * | 1999-06-08 | 2000-10-17 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction |
JP3705016B2 (ja) | 1999-06-28 | 2005-10-12 | 豊田合成株式会社 | 透光性電極用膜及びiii族窒化物系化合物半導体素子 |
WO2001061804A1 (en) * | 2000-02-16 | 2001-08-23 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device |
JP3812366B2 (ja) | 2001-06-04 | 2006-08-23 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
-
2001
- 2001-06-04 JP JP2001167835A patent/JP3812366B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-03 KR KR10-2003-7015853A patent/KR100538199B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-06-03 EP EP02730877A patent/EP1394866A4/en not_active Withdrawn
- 2002-06-03 CN CNB028111982A patent/CN1263172C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-03 WO PCT/JP2002/005431 patent/WO2002099901A1/ja active Application Filing
- 2002-06-03 US US10/479,485 patent/US7101780B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-04 TW TW091111950A patent/TW560088B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7101780B2 (en) | 2006-09-05 |
WO2002099901A1 (en) | 2002-12-12 |
CN1263172C (zh) | 2006-07-05 |
KR100538199B1 (ko) | 2005-12-22 |
US20040175912A1 (en) | 2004-09-09 |
CN1513211A (zh) | 2004-07-14 |
EP1394866A1 (en) | 2004-03-03 |
KR20040007646A (ko) | 2004-01-24 |
EP1394866A4 (en) | 2007-01-03 |
JP3812366B2 (ja) | 2006-08-23 |
JP2002368270A (ja) | 2002-12-20 |
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