JP2002350796A - マッハ−ツェンダ電子−光学変調器 - Google Patents

マッハ−ツェンダ電子−光学変調器

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高いビットレートのスループットを提供する
マッハ−ツェンダ電子−光学変調器構成を提供するこ
と。 【解決手段】 本発明のマッハ−ツェンダ電子−光学変
調器は、３つの領域を含む。第１領域は、一対の離間し
た導波路を有し、第２導波路６４上に配置された接地電
極７６と第１導波路６６上に配置された変調信号を搬送
するＲＦ電極（ホット電極とも称する）７２を具備す
る。第２の遷移領域が第１領域の直後に配置される。電
極構造はこの第２領域に移り、ＲＦ電極７２は、第２領
域の出口点で第２導波路６４上に重ねて配置され、接地
電極７８が第１導波路６６上に配置される。第３領域が
第２領域の後に配置される。そしてＲＦ電極７２は第２
導波路６４上に保持され、接地電極７８が第１導波路６
６上に保持される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マッハ−ツェンダ
電子ー光変調器に関し、特に変調器内を通過する別個の
光学信号の位相差により引き起こされるデバイスのチャ
ープを補償するために、適宜の長さを有する領域を交互
に適宜の数だけ配置したリチュウム−ナイオバイト（li
thium niobate）製基板を含むマッハ−ツェンダ電子−
光学変調器に関する。
【０００２】
【従来の技術】高ビットレートの光ファイバ長距離通信
システムにおいては、送信器として機能する適宜の光ソ
ースが必須のものである。半導体レーザは、高速で直接
変調することが可能であり、そのため光学伝送システム
で幅広く用いられている。しかし高速ビットレート(す
なわち１０Gｂ／ｓ以上、時には４０Gｂ／ｓ)の需要が
増加するにつれて、半導体レーザのある固有の特性が重
要な役目をするようになる。これらの固有の特性の一つ
は「チャーピング」であり、これはレーザが高速ビット
レートの入力信号で変調される際に伝送波長の変動とし
て定義される。
【０００３】送信器のチャープをよりよく制御すること
は、半導体レーザのデバイスを「直接」変調する代わり
に、いわゆる「外部」変調を用いることである。外部変
調器では、従来の１．５−１．６μmの半導体レーザ
は、連続波（continuous wave：ＣＷ））モードで動作
し、レーザからの連続出力は、光学変調器を用いて「オ
ン」と「オフ」で外部から切り替えて、所望の高速ビッ
トレート（２進）の光学信号を得る際には、マッハツェ
ンダー干渉器を光学変調器として用いている。
【０００４】マッハツェンダー干渉器は、光学導波路ス
プリッタ（分離器）と光学導波路コンバイナ（結合器）
との間に接続された一対の導波路チャネル（アームとも
称する）を有する。光学ソース（例えばＣＷレーザーダ
イオード）が導波路スプリッタに結合されて、この導波
路スプリッタがＹ型ブランチスプリッタ、あるいは方向
性カプラとして機能する。スプリッタからの２本の光ビ
ームは一対の導波路チャネル内を伝搬し、導波路コンバ
イナにより再結合される。電極が一対の導波路チャネル
の各アーム上に配置され、変調電圧（すなわち入力「デ
ータ」オン/オフ信号）を一方、あるいは両方の電極に
与え、２本の光ビームの相対位相を変更している。従来
の構成においては、一個の電極を接地電位に維持し、他
方の電極を電気ＲＦデータ信号でもって変調している。
【０００５】外部変調器を用いることによりさらに高い
ビットレートが達成可能であることが見いだされている
が、従来の最高速の外部変調器を構成するために用いら
れるリチウムナイオバイト製の基板材料は、変調器の２
本のアーム間に位相差を示す。これは各アームにかかる
電界が異なることにより引き起こされたものである。す
なわち電極に加えられる電圧は、ＲＦ電極と接地面の両
方の真下にあるリチウムナイオバイト製の基板材料内に
（異なった量だけ）電界を変化させる。各導波路チャネ
ル上の電界が異なるために、各アーム内の有効屈折率の
変化量が異なり、これにより位相差（チャープ）が出力
信号に導入されることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、現在
及び将来の通信アプリケーションに必要な高いビットレ
ートのスループットを与えることができ、かつ不要なチ
ャープを光学出力信号に導入することのないマッハ−ツ
ェンダ電子−光学変調器構成を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題は、本発明によ
り解決できる。本発明は、マッハ−ツェンダ電子光学変
調器に関し、特に強誘電性領域を交互に配置してなるリ
チウムナイオバイト製の基板を含むマッハ−ツェンダ電
子−光学変調器に関し、マッハ−ツェンダ変調器の２本
のアームを通過する光学的に分離した信号間の光学位相
差を補償するものである。
【０００８】本発明によれば、シングルエンドのマッハ
−ツェンダ電子−光学変調器は、３つの領域を直列に配
置した構造を含む。第１領域は従来のマッハ−ツェンダ
電子−光学変調器と類似し、一対の離間した導波路を有
し、第２導波路に配置された接地電極と第１導波路上に
配置された変調信号を搬送するＲＦ電極（ホット電極と
も称する）を具備する。第２の比較的短い遷移領域が第
１領域の直後に配置される。電極構造はこの第２領域に
移り、その結果ＲＦ電極は、第２領域の出口点で第２導
波路上に重ねて配置され、接地電極が第１導波路上に配
置される。第３領域（第１領域に対し反転された領域を
有するリチウムナイオバイト製基板材料を含む）が第２
領域の後に配置される。そしてＲＦ電極は第２導波路上
に保持され、接地電極が第１導波路上に保持される。
【０００９】本発明の構成により、第１領域からでた一
対の光学信号間に正の全光学パス長（total optical p
ath length difference (ＴＯＰＤ）、チャープとも
称する）を導入する（信号が再度組み合わされ、デバイ
ス出力がこの点で取り上げられた場合には信号チャープ
となる）。しかし反対の符号のＴＯＰＤが第３領域に現
れる。そのため第１領域と、第２領域と、第３領域の組
み合わせを適宜制御することにより、ＴＯＰＤは０にす
ることができる。第１領域と、第３領域の導波路の光学
パス長さが実質的に等しい限り、ＴＯＰＤの正の値と負
の値が打ち消しあい、光学出力信号内のチャープの大部
分を取り除くことができる。
【００１０】第３領域の反転したリチウムナイオバイト
製基板の領域を用いることにより、光学出力信号上の変
調を保存するが、これは電極の配置が第１領域と、第３
領域で切り替わるからである。そのため変調器のＲＦ電
極を移動させること及びある領域のドメインを反転させ
ることを組み合わせることにより、チャープを大幅に減
らしたマッハ−ツェンダデバイスが得られる。
【００１１】本発明の他の実施例においては、逆に所定
量のチャープ（ある種のアプリケーションズが有用であ
る）を、第１領域又は第３領域のいづれか、あるいはそ
の両方の物理的長さを変更することにより導入すること
ができる。
【００１２】本発明の一態様は、複数の遷移領域とドメ
イン反転領域を光学基板の長さ方向に沿ってカスケード
接続することにより、正のＰＯＴＤと、負のＰＯＴＤの
間で切り替わるデバイスを形成し、これにより光学入力
信号のチャープ量の制御が容易となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、従来技術のマッハ−ツェ
ンダ変調器１０の斜視図である。マッハ−ツェンダ変調
器１０は、例えばリチウムナイオバイト製の光学−電子
基板１２内に形成され、入力導波路部分１４を含む。こ
の入力導波路部分１４は、導波路を一対の平行に配置さ
れた導波路アーム１６，１８に分離する３ｄＢカプラを
含む。導波路アーム１６，１８は、所定の長さＬを有
し、そして個々のアームがその後出力導波路部分２０で
再結合される。変調器の機能を与えるために、入力レー
ザデバイス（図示せず）を用いて連続波（ＣＷ）の入力
光学信号を入力導波路部分１４に与える。ＲＦソース２
３からの変調入力（データ）信号（すなわち電気ＲＦ信
号）がＲＦ入力として与えられ、ＣＷ入力光学信号を変
調し、データ符号化された光学出力信号を生成する。
【００１４】特に従来技術にかかるマッハ−ツェンダ変
調器１０は、光学−電子基板１２の上部表面２４上に配
置された第１電極２２を有し、導波路アーム１６の上に
重ねられている。上部表面２４の残りの領域は絶縁領域
２８，２９を除いて接地電極２６によりカバーされてお
り、これを用いて第１電極２２と接地電極２６の間の電
気的絶縁を保持している。そのため図１に示すように、
接地電極２６は、一対の導波路アーム内の導波路アーム
１８の上に重なって形成されている。第１電極２２は、
ＲＦソース２３に電気的に接続されて、導波路アーム１
６と導波路アーム１８の長さ方向に沿って電界を変更す
る。
【００１５】一方の電極を接地電位に保持し、ＲＦ信号
を残りの電極にかける構成により、変調器の駆動電圧を
低く維持することができる。しかし導波路アーム１６，
１８は、異なる量の位相シフト受けるために、異なる光
学パス長さを含むよう形成される。位相シフト差は、導
波路アーム１６の上に形成されたホット電極である第１
電極２２が原因であり、これにより導波路アーム１６
は、（第２の接地電極接地電極２６の下に配置された）
導波路アーム１８よりもより大きな電界（同様に、光学
屈折率のより大きな変化）を受ける。導波路アーム１６
と導波路アーム１８に沿って伝搬する２つの光学信号
が、出力導波路部分２０で再度結合すると、出力光の位
相は、導波路アーム１６，１８の光学位相の平均とみな
すことができる（導波路アーム１６，１８が同程度の光
学伝搬損失特性を示す場合）。同様の表現方法をとる
と、デバイスの全光学パス長さは、デバイスの２本の光
学パス長さの平均とみなすことができる。特に導波路ア
ーム１６の光学パス長さの変化はΔｎ１ｘＬ１であり、
導波路アーム１８の光学パス長さの変化は、Δｎ２ｘＬ
２である。ここでΔｎ１とΔｎ２は、ＲＦ信号が印加さ
れた結果として導波路アーム１６，１８の有効屈折率の
変化であり、Ｌ１、Ｌ２は導波路アーム１６，１８の実
際の長さである。多くの場合図１に示すようにＬ１＝Ｌ
２＝Ｌである。従来技術にかかるマッハ−ツェンダ変調
器１０のＲＦ信号／光学導波路のオーバーラップから得
られる「全光学パス長さの差 total oputical path
differenceＴＯＰＤ」は次式で提示される。 ＴＯＰＤ＝（（｜Δｎ１｜ｘＬ１）−（｜Δｎ２｜ｘＬ
２））／２＝Ｌ／２ｘ（｜Δｎ１｜−Δｎ２｜）
【００１６】図１に示す従来のシングルエンドのマッハ
−ツェンダ変調器１０においては、｜Δｎ１｜は４ｘ｜
Δｎ２｜にほぼ等しい。Δｎ１とΔｎ２が印加されたＲ
Ｆ電圧の大きさに依存するものとすると、変調器がオン
状態とオフ状態の間で切り替わるにつれてＴＯＰＤも変
化する。そのため変調器の光学信号のスループットが変
化すると、出力光学信号の位相も変化する。これは従来
のシングルエンド光学変調器におけるチャープの物理的
原因である。
【００１７】光学信号の位相の変化、その結果として発
生する出力信号のチャープは、本発明の多段マッハ−ツ
ェンダ変調器を用いることにより大幅に減らすことがで
きる。本発明のマッハ−ツェンダ変調器は、図１で説明
したような構成で導入されたチャープを受ける反転ドメ
イン領域を含む。特に図２は、本発明により形成された
マッハ-ツェンダ変調器３０の上面図であり、同図にお
いてマッハ-ツェンダ変調器３０は、従来の変調器に類
似した第１領域３２と、第２遷移領域３４と、第３領域
３６とを有し、基板材料の強誘電性ドメインが第３領域
３６内で反転され、第１領域３２内の光学信号が受ける
アンバランスな位相変化を補償している。
【００１８】同図に示すように、マッハ-ツェンダ変調
器３０内の光学導波領域は、（入力ＣＷ光学信号に応答
する）入力光学導波路４０から枝分かれした平行な第１
導波路アーム４２，第２導波路アーム４４と、（第１導
波路アーム４２，第２導波路アーム４４に沿って伝搬す
る光学信号を再結合する）出力光学導波路４６とを有す
る。ＲＦ電極４８は、マッハ-ツェンダ変調器３０の第
１領域３２の領域では第１導波路アーム４２の上に重ね
て形成されている。接地電極５０は、第１領域３２の残
りの表面領域の上をカバーするように形成されている。
ただしＲＦ電極４８と接地電極５０との間の電気的分離
を維持するために用いられる絶縁領域５２，５４の対と
なっている部分を除く。そのため第１領域３２において
は、入力ＲＦ電気信号が第１導波路アーム４２の屈折率
（Δｎ１）を、第２導波路アーム４４の屈折率（Δ
ｎ２）よりも大きく変化させる。この構成により第１領
域３２のＴＯＰＤの正（負）の値（｜Δｎ１｜＞｜Δｎ
２｜）を導入させ、Δｎ１＞Δｎ２の場合には「正の変
化」であり、Δｎ１＜Δｎ２の場合には「負の変化」で
ある。そのため第１導波路アーム４２はホット電極であ
るＲＦ電極４８の下にあるため、かくして有効光学パス
長さが減少（または増加）することにより、第１導波路
アーム４２では、第１領域３２の光学位相を前進させる
（または遅らせる）、一方、第２導波路アーム４４は、
接地電極５０の存在により光学位相の遅れ（または前
進）を受ける。すなわち有効光学パス長さの増加（また
は減少）する。
【００１９】マッハ-ツェンダ変調器３０の第２遷移領
域３４は、ＲＦ電極４８の位置を第１導波路アーム４２
の上から第２導波路アーム４４の上にシフトするために
形成されている。すなわちＲＦ電極４８は、第２遷移領
域３４の領域において第１導波路アーム４２から離れる
ように湾曲し、第２遷移領域３４の端部でＲＦ電極４８
は第２導波路アーム４４の上に重なっている。同時に接
地電極５０は、マッハ-ツェンダ変調器３０の第３領域
３６領域で第１導波路アーム４２の上に重なるように構
成される。第２遷移領域３４の沿った両方電極の一致し
た動きにより光学パス長さの遅延を導入しないようにで
きる。
【００２０】上記したように本発明のマッハ-ツェンダ
変調器３０は、第３領域３６の基板材料のドメインが第
１領域３２の基板材料のドメインに対し反転（第３領域
３６の領域に示されるように）するように形成される。
本発明による基板材料のドメインを反転することによ
り、第１領域３２で生成されるのとは反対の光学位相シ
フト、すなわち光学パス長さの変化を生成し、これは各
領域の同一の電界を用いることにより行なわれる。その
ためホット電極であるＲＦ電極４８を第１導波路アーム
４２に移動させることと、反転されたドメインとを組み
合わせることによりデバイスの変調特性を保持しながら
（例えば第１導波路アーム４２に沿った位相は第２導波
路アーム４４に対し進んだ状態にある）、第１領域３２
の出力点における信号に存在するチャープをキャンセル
する。
【００２１】第２導波路アーム４４の上に配置されるべ
きＲＦ電極４８を移動させることにより、この領域の屈
折率の変化を増加させ（｜Δｎ２｜＞｜Δｎ１｜）、こ
れは第１領域３２の正（または負）の値に等しい負（ま
たは正）の値のＴＯＰＤを生成する。電極の移動とドメ
イン反転により、第１導波路アーム４２の沿った位相の
フロントをさらに前進させ（すなわち光学パス長さをさ
らに短くし）、第２導波路アーム４４に沿った位相のフ
ロントをさらに遅らせる（すなわち光学パス長さをさら
に増加させる）。一方の導波路から他方の導波路へ電極
を移動させることにより、光学パス長さの差を維持でき
る機能は、デバイスの変調特性を維持するのに重要であ
る。
【００２２】本発明のマッハ-ツェンダ変調器３０は、
図２に示すように対称のデバイスとして構成される。す
なわち第１領域３２と第３領域３６の導波路アームの光
学パス長さの変化は、この変化が第１導波路アーム４
２，第２導波路アーム４４で受ける変化に等しいか、あ
るいは反対のものとなるようにバランスをとる。ＲＦ電
極４８は、各領域の導波路の適宜の長さにわたって延び
るよう配置されている。この対称性によりデバイス内に
存在する全てのチャープをキャンセルすることができ
る。しかしある種のアプリケーションにおいては所定量
のチャープを維持するのが望ましい場合がある。このよ
うな場合においては、第１領域３２と第３領域３６のＲ
Ｆ電極の長さを制御して、所定量のチャープを有するよ
うな変調器を構成することが可能である。
【００２３】図３は本発明の他の実施例によるシングル
エンドのチャープを補償したマッハ−ツェンダ変調器６
０を示す。上記したように図２に示した構成を変更する
ことにより、図３に示したカスケード接続された複数の
遷移領域とドメイン反転領域とを有する。特にマッハ−
ツェンダ変調器６０は、図２で議論したのと同様な光学
導波路構造を有し、入力結合部分６２と、平行に配置さ
れた導波路アーム６４，６６と、出力結合部分６８とを
有する。
【００２４】次に動作について説明すると、ＣＷ光学入
力信号Ｉは入力結合部分６２に入力され、変調された光
学出力信号Ｏが出力結合部分６８から出る。この導波路
構造は、例えばリチウムナイオバイト製の光学基板材料
７０内に形成される。ＲＦ電極７２は、光学基板材料７
０の上部表面７４の上に形成され、特にこの構成におい
ては導波路アーム６６の一部をまずカバーし、その後所
定の長さＬ２にわたって遷移して、次に導波路アーム６
４の一部を長さＬ３にわたってカバーし、その後所定の
長さＬ４だけその遷移状態を戻して再び導波路アーム６
６の一部をカバーするようにする。そしてこれを繰り返
す。
【００２５】本発明の教示するところによれば、光学基
板材料のドメインは各領域で反転され（＋Ｚで示す）、
ＲＦ電極７２が導波路アーム６４の上に配置される。接
地電極領域７６，７８も示されている。この構成におい
てはチャープは、ドメインが反転されるような、さらに
余分の領域を用いて−Ｚドメイン材料と＋Ｚドメイン材
料の両方に対する領域を短くすることにより、チャープ
をより細かく制御することができる。遷移領域は図では
Ｔで示している。
【００２６】上記は本発明の一実施例で、当業者は様々
な変形例を考えることができるがそれらは本発明の範囲
内に入る。
【００２７】特許請求の範囲の発明の要件の後に括弧で
記載した番号は、本発明の一実施例の対応関係を示すも
ので本発明の範囲を限定するものと解釈すべきではな
い。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術にかかるマッハ−ツェンダ電子−光学
変調器を表す斜視図
【図２】本発明の一実施例によるチャープ量を減らした
シングルエンドマッハ−ツェンダ電子−光学変調器の上
面図
【図３】本発明の他の実施例による光学基板の長さ方向
に沿って複数のカスケード接続された遷移領域と、ドメ
イン反転領域を有するマッハ−ツェンダ電子−光学変調
器を表す上面図
【符号の説明】
１０ マッハ−ツェンダ変調器 １２ 光学−電子基板 １４ 入力導波路部分 １６，１８ 導波路アーム ２０ 出力導波路部分 ２２ 第１電極 ２３ ＲＦソース ２４ 上部表面 ２６ 接地電極 ２８、２９ 絶縁領域 ３０ マッハ−ツェンダ変調器 ３２ 第１領域 ３４ 第２遷移領域 ３６ 第３領域 ４０ 入力光学導波路 ４２ 第１導波路アーム ４４ 第２導波路アーム ４６ 出力光学導波路 ４８ ＲＦ電極 ５０ 接地電極 ５２，５４ 絶縁領域 ６０ マッハ−ツェンダ変調器 ６２ 入力結合部分 ６４，６６ 導波路アーム ６８ 出力結合部分 ７０ 光学基板材料 ７２ ＲＦ電極 ７４ 上部表面 ７６，７８ 接地電極領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ジョン バン・アッタ ゲイツ 二世 アメリカ合衆国、07974 ニュージャージ ー州、ニュー プロヴィンス、デルウィッ ク レーン 73 (72)発明者 ダグラス エム ジル アメリカ合衆国、07030 ニュージャージ ー州、ホーボーケン、ナンバー４、ハドソ ン ストリート 927 (72)発明者 ロバート ダブリュウ スミス アメリカ合衆国、18104 ペンシルベニア 州、アレンタウン、バリー ドライブ 4170 Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA12 BA03 CA05 DA03 EA05 EB12 HA11

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光学入力信号がＲＦ電気信号に応答して
    変調された光学出力信号を生成する光学基板上に形成さ
    れたマッハ−ツェンダ電子−光学変調器において、 （Ａ） 一対の第１と第２の導波路（６６，６４）に分
    離される入力導波路スプリッタ（６２）と、 （Ｂ） 前記一対の第１と第２の導波路（６６，６４）
    に接続された一対の導波路と少なくとも一個の出力光学
    ポートとを有する出力導波路コンバイナ（６８）と、 （Ｃ） 前記第１導波路（６６）の第１所定長さ
    （Ｌ１）をカバーし、その後前記第１導波路（６６）か
    ら第２導波路（６４）へ位置をシフトさせ、さらに第２
    導波路（６４）の第２所定長さ（Ｌ３）をカバーするよ
    う配置されるＲＦ電極（７２）と、 （Ｄ） 第２導波路（６４）の第１所定長さ（Ｌ１）
    と、第１導波路の第２所定長さ（Ｌ３）をカバーするよ
    う配置された接地電極（７８）とを有することを特徴と
    するマッハ−ツェンダ電子−光学変調器。
  2. 【請求項２】 前記光学基板材料は、リチウムナイオバ
    イトを含むことを特徴とする請求項１記載の変調器。
  3. 【請求項３】 前記第１導波路と第２導波路の第１所定
    長さ（Ｌ１）内で電子−光学的に誘起される位相シフト
    の量は、前記第１導波路と第２導波路の第２所定長さ
    （Ｌ３）内で電子−光学的に誘起される位相シフトの量
    に等しく、その結果光学出力信号内のチャープをキャン
    セルすることを特徴とする請求項１記載の変調器。
  4. 【請求項４】 前記第１導波路と第２導波路の第１所定
    長さ（Ｌ１）内で電子−光学的に誘起される位相シフト
    の量は、前記第１導波路と第２導波路の第２所定長さ
    （Ｌ３）内で電子−光学的に誘起される位相シフトの量
    に等しくなく、その結果光学出力信号内に所定量のチャ
    ープを導入することを特徴とする請求項１記載の変調
    器。
  5. 【請求項５】 前記接地電極は、光学基板の表面をカバ
    ーする接地プレーンとして形成され、 （Ｅ） 前記接地プレーンとＲＦ電極間に絶縁を維持す
    るための絶縁領域をさらに有することを特徴とする請求
    項１記載の変調器。
  6. 【請求項６】 光学入力信号がＲＦ電気信号に応答して
    変調された光学出力信号を生成する光学基板上に形成さ
    れたマッハ−ツェンダ電子−光学変調器において、 （Ａ） 一対の第１と第２の導波路（６６，６４）に分
    離される入力導波路スプリッタ（６２）と、 （Ｂ） 前記一対の入力導波路スプリッタ（６６，６
    ４）から伸びた一対の第１と第２の導波路と少なくとも
    一個の出力光学ポートとを有する出力導波路コンバイナ
    （６８）と、 （Ｃ） 前記第１導波路と第２導波路との交互に配置さ
    れた長さ部分をカバーするよう配置されるＲＦ電極と、 前記第１導波路と第２導波路の間には遷移領域があり、 （Ｄ） 前記第１導波路と第２導波路の交互に配置され
    た長さ上に配置されたＲＦ電極とは逆の場所に配置され
    た接地電極とを有することを特徴とするマッハ−ツェン
    ダ電子−光学変調器
  7. 【請求項７】 前記光学基板材料は、リチウムナイオバ
    イトを含むことを特徴とする請求項６記載の変調器。
  8. 【請求項８】 前記ＲＦ電極によりカバーされる第１導
    波路の各セクション内で電子−光学的に誘導される位相
    シフト量は、前記ＲＦ電極によりカバーされる第２導波
    路の各セクション内で電子−光学的に誘導される位相シ
    フト量に等しく、その結果、光学出力信号内にあるチャ
    ープをキャンセルすることを特徴とする請求項６記載の
    変調器。
  9. 【請求項９】 前記ＲＦ電極によりカバーされる第１導
    波路の各セクション内で電子−光学的に誘導される位相
    シフト量は、前記ＲＦ電極によりカバーされる第２導波
    路の各セクション内で電子−光学的に誘導される位相シ
    フト量に等しくなく、その結果、光学出力信号内に所定
    量のチャープを導入することを特徴とする請求項６記載
    の変調器。
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