JP2002333720A - プリント回路パネルの表面露光装置 - Google Patents
プリント回路パネルの表面露光装置Info
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】パネルに対して良好な均一性および良好な入射
角の双方を提示する光のストリップを提供することによ
って、特にプリント回路製造での走査による表面の露光
を改善することを可能にする露光装置を提供する。 【解決手段】プリント回路パネル20の少なくとも1つの
面118を露光する装置であって、前記装置は光学システ
ムであって、少なくとも一つの光源と、光ビームを処理
して表面18に均一かつ平行な光ストリップ26を生成する
手段とを有し、前記光ストリップ26の長さL26は前記表
面18の幅L18以上である、光学システムと前記光ストリ
ップ26の縦方向XIXI'と実質的に交差する前記表面18の
長さ方向YIYI'での前記光ストリップ26と前記面I18間で
の相対変位を生成する変位手段121と前記光ストリップ2
6と前記被露光表面18間での相対変位の速度を、光スト
リップ26の照度および被露光表面18の感度に適合させる
マッチング手段と、を備える装置を提供する。
角の双方を提示する光のストリップを提供することによ
って、特にプリント回路製造での走査による表面の露光
を改善することを可能にする露光装置を提供する。 【解決手段】プリント回路パネル20の少なくとも1つの
面118を露光する装置であって、前記装置は光学システ
ムであって、少なくとも一つの光源と、光ビームを処理
して表面18に均一かつ平行な光ストリップ26を生成する
手段とを有し、前記光ストリップ26の長さL26は前記表
面18の幅L18以上である、光学システムと前記光ストリ
ップ26の縦方向XIXI'と実質的に交差する前記表面18の
長さ方向YIYI'での前記光ストリップ26と前記面I18間で
の相対変位を生成する変位手段121と前記光ストリップ2
6と前記被露光表面18間での相対変位の速度を、光スト
リップ26の照度および被露光表面18の感度に適合させる
マッチング手段と、を備える装置を提供する。
Description
【0001】本発明は、パネル、特に、プリント回路パ
ネルの少なくとも1つの表面を露光する装置に関する。
ネルの少なくとも1つの表面を露光する装置に関する。
【0002】このような装置は、前にアートワークが配
置されプリント回路上に生成されるトラックパターンを
有する感光性材被覆パネルから、プリント回路を製造す
るのに用いられる。光ビームはアートワークを通り抜け
て、したがってパネルを露光する役割を果たす。
置されプリント回路上に生成されるトラックパターンを
有する感光性材被覆パネルから、プリント回路を製造す
るのに用いられる。光ビームはアートワークを通り抜け
て、したがってパネルを露光する役割を果たす。
【0003】このような露光装置は、例えばヨーロッパ
特許EP 618 505、EP 807 505およびEP 807 856から周知
であり、光源および被露光パネルの双方が固定され、露
光は、被露光表面全体にわたって走査なしで実行され
る。
特許EP 618 505、EP 807 505およびEP 807 856から周知
であり、光源および被露光パネルの双方が固定され、露
光は、被露光表面全体にわたって走査なしで実行され
る。
【0004】しかしながら、表面全体が同時に露光され
るタイプの装置では、感光性材料の化学反応度は最適化
されていない。露光が強く瞬間露光時間が短い場合、反
応効率は改善される。
るタイプの装置では、感光性材料の化学反応度は最適化
されていない。露光が強く瞬間露光時間が短い場合、反
応効率は改善される。
【0005】このような装置もまた周知であり、ここで
パネル表面は、回転ミラー上で反射される光源からの光
ビームを用いて走査することによって露光される。
パネル表面は、回転ミラー上で反射される光源からの光
ビームを用いて走査することによって露光される。
【0006】残念なことに、トラックを描く鮮明度およ
びトラックの精細度はアートワークへの光ビームの入射
角に直接関連がある。各光ビームは、軸を中心として円
錐形状をなしており、つまり被露光表面に対してより大
きいか又は小さい角度で傾斜していて、これは偏角と呼
ばれている。円錐の頂点での半角は、コリメーション、
すなわち光線間の平行度を表す。しかるに、光ビームの
入射角はそのコリメーションおよび偏角に依存している
ことが理解されよう。従って、光が平行でない場合およ
び/または光ビームの一部があまりに大きい入射角で露
光表面に達した場合には、光ビームがたどるトラックお
よび経路のサイズが、通常、アートワークに対して修正
される。
びトラックの精細度はアートワークへの光ビームの入射
角に直接関連がある。各光ビームは、軸を中心として円
錐形状をなしており、つまり被露光表面に対してより大
きいか又は小さい角度で傾斜していて、これは偏角と呼
ばれている。円錐の頂点での半角は、コリメーション、
すなわち光線間の平行度を表す。しかるに、光ビームの
入射角はそのコリメーションおよび偏角に依存している
ことが理解されよう。従って、光が平行でない場合およ
び/または光ビームの一部があまりに大きい入射角で露
光表面に達した場合には、光ビームがたどるトラックお
よび経路のサイズが、通常、アートワークに対して修正
される。
【0007】同様に、露光が均一に実行されない場合、
トラックは不均等に形成され、結果として生じるプリン
ト回路の品質は劣悪である。
トラックは不均等に形成され、結果として生じるプリン
ト回路の品質は劣悪である。
【0008】本発明の目的は、パネルに対して良好な均
一性および良好な入射角の双方を提示する光のストリッ
プを提供することによって、特にプリント回路製造での
走査による表面の露光を改善することを可能にする露光
装置を提供することである。
一性および良好な入射角の双方を提示する光のストリッ
プを提供することによって、特にプリント回路製造での
走査による表面の露光を改善することを可能にする露光
装置を提供することである。
【0009】このような装置は、非常に高い導体トラッ
ク密度を有するプリント回路を作成可能にし、トラック
が非常に微細であり非常に正確な経路をたどること、即
ち露光表面が完全に露光されることを確実にする。この
ような装置を用いて作成されるプリント回路の導体トラ
ックのサイズは、25マイクロメーター(μm)から50μm
の範囲にあり、導体トラックはおよそ同じ量だけ離して
間隔をあけられる。
ク密度を有するプリント回路を作成可能にし、トラック
が非常に微細であり非常に正確な経路をたどること、即
ち露光表面が完全に露光されることを確実にする。この
ような装置を用いて作成されるプリント回路の導体トラ
ックのサイズは、25マイクロメーター(μm)から50μm
の範囲にあり、導体トラックはおよそ同じ量だけ離して
間隔をあけられる。
【0010】このように、劣悪な偏角で被露光表面に達
した光ビームが、被露光表面で相殺される光の原因とな
る視差誤差を生じ、それによって、導体トラックが設計
位置から離れてシフトされることが理解されよう。同じ
ことが、被露光表面に対してビームのコリメーションを
より悪化させることで、不正確度を増加させ、より不正
確になるトラックのサイズにも作用する。極端な状況下
では、トラックが互いに接触するという理由で、共に起
こる2つの現象がショートにつながる可能性がある。
した光ビームが、被露光表面で相殺される光の原因とな
る視差誤差を生じ、それによって、導体トラックが設計
位置から離れてシフトされることが理解されよう。同じ
ことが、被露光表面に対してビームのコリメーションを
より悪化させることで、不正確度を増加させ、より不正
確になるトラックのサイズにも作用する。極端な状況下
では、トラックが互いに接触するという理由で、共に起
こる2つの現象がショートにつながる可能性がある。
【0011】加えて、改善の質、すなわちエッチング中
に後ろのトラックの上に横たわらない感光性材料の一部
を除去することに対する質、つまりはエッチングの質
は、感光性材料の以前の変換に依存しており、変換はそ
れ自体受け取られた光エネルギーの量と関連がある。こ
のように、光ビームが均一でない場合、感光性材料の不
均一な変換が生じ、したがって不正確な経路をたどるト
ラックを生じさせ、極端な場合、トラックの中断の原因
となることが理解されよう。
に後ろのトラックの上に横たわらない感光性材料の一部
を除去することに対する質、つまりはエッチングの質
は、感光性材料の以前の変換に依存しており、変換はそ
れ自体受け取られた光エネルギーの量と関連がある。こ
のように、光ビームが均一でない場合、感光性材料の不
均一な変換が生じ、したがって不正確な経路をたどるト
ラックを生じさせ、極端な場合、トラックの中断の原因
となることが理解されよう。
【0012】以下の記載を通して、用語「光ストリッ
プ」は、被露光表面に達する光ビームの集合を示してお
り、用語「平均入射角」は、被露光表面の平面を実質的
に横断している任意の平面で測定された角に相当し、光
束の半分はその角で表面に達し、別の半分は任意の角度
で表面に達する。
プ」は、被露光表面に達する光ビームの集合を示してお
り、用語「平均入射角」は、被露光表面の平面を実質的
に横断している任意の平面で測定された角に相当し、光
束の半分はその角で表面に達し、別の半分は任意の角度
で表面に達する。
【0013】各々の光ビームは、被露光表面の平面に対
して実質的に垂直な軸の円錐に位置する。このような状
況の下では、コリメーションを表す頂点での半角は平均
入射角以下である。
して実質的に垂直な軸の円錐に位置する。このような状
況の下では、コリメーションを表す頂点での半角は平均
入射角以下である。
【0014】光ストリップの長さは、被露光パネルの側
部のうちの1つの長さ以上なので、パネルの全表面が露
光されるよう一方向で走査するのに十分である。光スト
リップは、全表面が露光されるよう、光ストリップの長
さに交差して延びる方向で、被露光表面に対して(また
はその逆)動かされる。パネルが走査される方向は、パ
ネルの側部のうちの1つの方向に対応する。このよう
に、パネルの側部のうちの1つに平行な第1の方向で光
ストリップを生成することによって、走査は前記第1の
方向に実質的に交差する第2の方向で実行される。
部のうちの1つの長さ以上なので、パネルの全表面が露
光されるよう一方向で走査するのに十分である。光スト
リップは、全表面が露光されるよう、光ストリップの長
さに交差して延びる方向で、被露光表面に対して(また
はその逆)動かされる。パネルが走査される方向は、パ
ネルの側部のうちの1つの方向に対応する。このよう
に、パネルの側部のうちの1つに平行な第1の方向で光
ストリップを生成することによって、走査は前記第1の
方向に実質的に交差する第2の方向で実行される。
【0015】加えて、露光中に照らされるゾーンはスト
リップを形成するので、全表面を露光しているときより
大きなフラックス密度の狭い光束を用いることによっ
て、走査時間が低減される。等しいフラックス密度に対
して、光ストリップによって構成される四辺形の高さが
大きくなるにつれて、走査時間は短くなる。しかしなが
ら、四辺形の高さがより大きくなるにつれて、小さい入
射角で四辺形全体において平行かつ均一な光を得ること
はより難しくなり、フラックス密度はより低くなる。し
たがって、妥協点を見出すことが必要である。
リップを形成するので、全表面を露光しているときより
大きなフラックス密度の狭い光束を用いることによっ
て、走査時間が低減される。等しいフラックス密度に対
して、光ストリップによって構成される四辺形の高さが
大きくなるにつれて、走査時間は短くなる。しかしなが
ら、四辺形の高さがより大きくなるにつれて、小さい入
射角で四辺形全体において平行かつ均一な光を得ること
はより難しくなり、フラックス密度はより低くなる。し
たがって、妥協点を見出すことが必要である。
【0016】加えて、走査を通して同一の露光を保証す
ることが可能でなければならず、すなわち、光ビームの
均一性および光ビームの入射角が光ストリップの変位を
通して一定のままであることが可能でなければならな
い。
ることが可能でなければならず、すなわち、光ビームの
均一性および光ビームの入射角が光ストリップの変位を
通して一定のままであることが可能でなければならな
い。
【0017】第1の態様で、本発明は、一つの定常光源
から発せられる光ビームを処理することによって、特に
プリント回路製造での表面の露光を改善する装置を提供
する。
から発せられる光ビームを処理することによって、特に
プリント回路製造での表面の露光を改善する装置を提供
する。
【0018】この第1の態様で、本発明は:フレーム上
に少なくとも1つのアートワークと前記パネルを保持す
る手段と; ・光学システムであって、光ビームを発する光源と;前
記光ビームを処理し、被露光表面に対して2°未満の平
均入射角および平均値から±10%未満逸れている照光均
一度とを有する均一かつ平行な光ビームを生成するプロ
セッサ手段と;被露光パネルの表面で、前記均一かつ平
行な光ビームを均一かつ平行な光ストリップに変換可能
にし、かつ前記アートワークを含む、シェーパ手段とを
備え、前記均一かつ平行な光ストリップの長さは、被露
光表面の側部のうちの1つの長さ以上であり、前記光ビ
ームを処理する手段は、反射器と積分器-コリメータ・
アセンブリとを備える、光学システムと; ・前記光ストリップと、前記光ストリップの縦方向と実
質的に交差する方向の前記被露光表面との間での相対変
位を生成する変位手段と; ・前記光ストリップと前記被露光表面間での相対変位の
速度を、光ストリップの照度および被露光表面の感度に
適合させるマッチング手段と、を備える装置を提供す
る。
に少なくとも1つのアートワークと前記パネルを保持す
る手段と; ・光学システムであって、光ビームを発する光源と;前
記光ビームを処理し、被露光表面に対して2°未満の平
均入射角および平均値から±10%未満逸れている照光均
一度とを有する均一かつ平行な光ビームを生成するプロ
セッサ手段と;被露光パネルの表面で、前記均一かつ平
行な光ビームを均一かつ平行な光ストリップに変換可能
にし、かつ前記アートワークを含む、シェーパ手段とを
備え、前記均一かつ平行な光ストリップの長さは、被露
光表面の側部のうちの1つの長さ以上であり、前記光ビ
ームを処理する手段は、反射器と積分器-コリメータ・
アセンブリとを備える、光学システムと; ・前記光ストリップと、前記光ストリップの縦方向と実
質的に交差する方向の前記被露光表面との間での相対変
位を生成する変位手段と; ・前記光ストリップと前記被露光表面間での相対変位の
速度を、光ストリップの照度および被露光表面の感度に
適合させるマッチング手段と、を備える装置を提供す
る。
【0019】実質的に長方形であるパネルの通常のケー
スで、パネルの幅と平行な方向(すなわち光ストリップ
がパネルの長い方向に平行である場合)で行われること
によって、走査が加速されることを理解されたい。この
第1の状況で、光ストリップの長さはパネルの長い辺の
長さ以上であり、走査は短い辺の方向で行われる。
スで、パネルの幅と平行な方向(すなわち光ストリップ
がパネルの長い方向に平行である場合)で行われること
によって、走査が加速されることを理解されたい。この
第1の状況で、光ストリップの長さはパネルの長い辺の
長さ以上であり、走査は短い辺の方向で行われる。
【0020】サイズ上の理由で、第1の設定に対してパ
ネルを変化させ、その長い方向で走査することが必要に
なる可能性がある。この第2の設定で、光ストリップの
長さはパネルの幅以上であり、走査は長い辺の方向で行
われる。
ネルを変化させ、その長い方向で走査することが必要に
なる可能性がある。この第2の設定で、光ストリップの
長さはパネルの幅以上であり、走査は長い辺の方向で行
われる。
【0021】全ての光学システムは定常であり、そのた
め、その中に含まれる光学的手段が前記アセンブリを出
ていく均一かつ平行な光ビームを低下させる可能性のあ
る不必要な調整ロスの対象にならないことは利点であ
る。
め、その中に含まれる光学的手段が前記アセンブリを出
ていく均一かつ平行な光ビームを低下させる可能性のあ
る不必要な調整ロスの対象にならないことは利点であ
る。
【0022】光源の後に配置された積分器-コリメータ
・アセンブリへの入口では、光は平行でもなく均一状に
分布してもおらず、一方、積分器-コリメータ・アセン
ブリからの出口では、光は均一に分布しており、例えば
780ミリメートル(mm)x170mmと測定される光ストリップ
に対して、エラーは±10%未満であり、光はまた2°未
満、好ましくは1°未満の平均入射角で平行にされる。
・アセンブリへの入口では、光は平行でもなく均一状に
分布してもおらず、一方、積分器-コリメータ・アセン
ブリからの出口では、光は均一に分布しており、例えば
780ミリメートル(mm)x170mmと測定される光ストリップ
に対して、エラーは±10%未満であり、光はまた2°未
満、好ましくは1°未満の平均入射角で平行にされる。
【0023】積分器-コリメータ・アセンブリは、実質
的に均一様に光を広げる第1の光プロセッサユニットと
第2の光プロセッサユニットとを備え、前記第2のユニ
ットは前記第1のユニットの後に配置され、光を平行に
する役割を果たす点で有利である。
的に均一様に光を広げる第1の光プロセッサユニットと
第2の光プロセッサユニットとを備え、前記第2のユニ
ットは前記第1のユニットの後に配置され、光を平行に
する役割を果たす点で有利である。
【0024】費用および実行可能性上の理由で、各々の
光プロセッサユニットは、(コリメーションおよび偏角
か均質化のどちらかの)特殊関数を実行する。
光プロセッサユニットは、(コリメーションおよび偏角
か均質化のどちらかの)特殊関数を実行する。
【0025】このように、光プロセッサユニットの特徴
と該特徴のそれぞれの性質が、積分器-コリメータ・ア
センブリからの出口で得られる光ビームの特性を決定す
ることを理解されたい。
と該特徴のそれぞれの性質が、積分器-コリメータ・ア
センブリからの出口で得られる光ビームの特性を決定す
ることを理解されたい。
【0026】したがって、第1の光プロセッサユニット
が、第一に、前記第1の光プロセッサユニットがそこに
入る光ビームを処理し、均一な出口光ビームを供給する
ことができるように、前記反射器の第2の焦点に配置さ
れ、第二に、前記第2のユニットがそこに入る均一な光
ビームを処理し、均一かつ平行な光ビームを発生するこ
とができるように、前記第2の光プロセッサユニットの
対物焦点に配置されることは有利である。
が、第一に、前記第1の光プロセッサユニットがそこに
入る光ビームを処理し、均一な出口光ビームを供給する
ことができるように、前記反射器の第2の焦点に配置さ
れ、第二に、前記第2のユニットがそこに入る均一な光
ビームを処理し、均一かつ平行な光ビームを発生するこ
とができるように、前記第2の光プロセッサユニットの
対物焦点に配置されることは有利である。
【0027】光は均一なので、光ストリップのあらゆる
ポイントでの露光パワーのバリエーションは制御され、
トラックを傷つける危険性を起こす可能性のある極端な
値を超えることはない。同様に、光は平行にされるの
で、光線は相互に平行であり、光線の全ては2°より小
さい入射角に達する。
ポイントでの露光パワーのバリエーションは制御され、
トラックを傷つける危険性を起こす可能性のある極端な
値を超えることはない。同様に、光は平行にされるの
で、光線は相互に平行であり、光線の全ては2°より小
さい入射角に達する。
【0028】積分器-コリメータ・アセンブリが、前記
第1の光ユニットの近くに配置される第1のマスクと前
記第2の光ユニットの近くに配置される第2のマスクと
を備えることも有利である。
第1の光ユニットの近くに配置される第1のマスクと前
記第2の光ユニットの近くに配置される第2のマスクと
を備えることも有利である。
【0029】第1のマスクは、反射器からの出口で平均
伝播方向から取り除くのにはるかに離れた平均入射角を
有する(非均一、非平行の)光放射の一部を排除する役
割を果たし、一方、第2のマスクは、第1の光プロセッ
サユニットを通り抜けた均一な光ビームに対して同じ機
能を有する。これら2つのマスクは、過度に逸脱する光
線を取り除くことによって、また、コリメーションを実
行する役割を果たす第2の光ユニットに光が入る前の2
つの連続した機会にそうすることによって、きめの粗い
コリメーションを実行する。このように、逸脱光線がす
でに排除されたという点で、コリメーションはより有効
になる。
伝播方向から取り除くのにはるかに離れた平均入射角を
有する(非均一、非平行の)光放射の一部を排除する役
割を果たし、一方、第2のマスクは、第1の光プロセッ
サユニットを通り抜けた均一な光ビームに対して同じ機
能を有する。これら2つのマスクは、過度に逸脱する光
線を取り除くことによって、また、コリメーションを実
行する役割を果たす第2の光ユニットに光が入る前の2
つの連続した機会にそうすることによって、きめの粗い
コリメーションを実行する。このように、逸脱光線がす
でに排除されたという点で、コリメーションはより有効
になる。
【0030】いかなる温度勾配もアートワークを変形さ
せ、したがってトラックでたどられる経路の変形の原因
となるので、アートワークの温度は、プリント回路を作
る品質を決定するのに重要な要素である。たとえば、わ
ずか2℃の温度差が像の歪みの原因となる可能性があ
る。
せ、したがってトラックでたどられる経路の変形の原因
となるので、アートワークの温度は、プリント回路を作
る品質を決定するのに重要な要素である。たとえば、わ
ずか2℃の温度差が像の歪みの原因となる可能性があ
る。
【0031】したがって、アートワークでの温度変化を
最小にするために、本装置がダイクロイックミラーを含
む点は有利である。
最小にするために、本装置がダイクロイックミラーを含
む点は有利である。
【0032】赤外線は露光には有効でないが、隣接エレ
メント、特にアートワークを加熱するのには有効であ
り、したがって、反熱フィルターが光ビームを赤外線と
紫外線部分に分け、次いで、パネルが「コールド」光
(すなわち本質的に紫外線の光)で露光されることは有
利である。
メント、特にアートワークを加熱するのには有効であ
り、したがって、反熱フィルターが光ビームを赤外線と
紫外線部分に分け、次いで、パネルが「コールド」光
(すなわち本質的に紫外線の光)で露光されることは有
利である。
【0033】シェーパ手段が、発散性で凸状の第1のミ
ラーと、集束性で凹状の第2のミラーとを備えることは
有利であり、該ミラーは前記積分器-コリメータ・アセ
ンブリからの出口に連続して配置される。
ラーと、集束性で凹状の第2のミラーとを備えることは
有利であり、該ミラーは前記積分器-コリメータ・アセ
ンブリからの出口に連続して配置される。
【0034】シェーパ手段への入口で、光ビームは均一
かつ平行であるが、まだ光ストリップの形状ではなく、
通常、パネルの辺のうちの1つに沿った走査に必要とさ
れるサイズよりかなり小さいサイズの二次元矩形の形状
である。第1のミラーは、初期の長さより大きい長さの
光ストリップに光ビームが広がるように、光ビームをニ
次元のうちの1つで発散させることによって、ミラーの
平面で光ビームを非平行化する役割を果たす。
かつ平行であるが、まだ光ストリップの形状ではなく、
通常、パネルの辺のうちの1つに沿った走査に必要とさ
れるサイズよりかなり小さいサイズの二次元矩形の形状
である。第1のミラーは、初期の長さより大きい長さの
光ストリップに光ビームが広がるように、光ビームをニ
次元のうちの1つで発散させることによって、ミラーの
平面で光ビームを非平行化する役割を果たす。
【0035】第2のミラーは、光ストリップがシェーパ
システムに入る光ビームのコリメーション特性と同一の
コリメーション特性を有するように、同次元で光ビーム
を収束させることによって、同一平面で光ビームを再平
行化する役割を果たす。
システムに入る光ビームのコリメーション特性と同一の
コリメーション特性を有するように、同次元で光ビーム
を収束させることによって、同一平面で光ビームを再平
行化する役割を果たす。
【0036】光ビームの均一性、したがって光ストリッ
プの均一性は、シェーピングを通して変化しないままで
ある。
プの均一性は、シェーピングを通して変化しないままで
ある。
【0037】積分器-コリメータ・アセンブリに対する
ミラーのポジションは、光ストリップの特性になんの影
響も及ぼさないが、互いに対するポジションと、特に、
ミラー間の間隔および前記ミラーの特徴は光ストリップ
の形状を決定する。
ミラーのポジションは、光ストリップの特性になんの影
響も及ぼさないが、互いに対するポジションと、特に、
ミラー間の間隔および前記ミラーの特徴は光ストリップ
の形状を決定する。
【0038】したがって、前記均一かつ平行な光ストリ
ップの長さが、前記集束ミラーと発散ミラー間の間隔
と、前記ミラーの曲率半径、特に発散ミラーの曲率半
径、との関数であることは有利である。光ストリップの
高さは、コリメーティングレンズおよびその支持体の幾
何学的な特徴に依存する。光ストリップの高さは、集束
ミラーおよび発散ミラーからはほとんど影響を受けな
い。
ップの長さが、前記集束ミラーと発散ミラー間の間隔
と、前記ミラーの曲率半径、特に発散ミラーの曲率半
径、との関数であることは有利である。光ストリップの
高さは、コリメーティングレンズおよびその支持体の幾
何学的な特徴に依存する。光ストリップの高さは、集束
ミラーおよび発散ミラーからはほとんど影響を受けな
い。
【0039】変位手段が、被露光パネルの表面の軸によ
って画成される平面において移動可能な平面鏡を備える
ことは有利である。
って画成される平面において移動可能な平面鏡を備える
ことは有利である。
【0040】このミラーは光ストリップの特性にはなん
の影響も及ぼさず、光ビームを処理し形づくる役割を果
たす光学システムの出口に配置される。ミラーは本装置
の唯一の可動部であり、被露光パネルに向かって平行移
動する光ストリップを走査して反射することによって、
全体表面が連続して露光されるのを可能にする。
の影響も及ぼさず、光ビームを処理し形づくる役割を果
たす光学システムの出口に配置される。ミラーは本装置
の唯一の可動部であり、被露光パネルに向かって平行移
動する光ストリップを走査して反射することによって、
全体表面が連続して露光されるのを可能にする。
【0041】本来、ミラーの大きさは、光ストリップの
長さを不必要に短くするのを防ぐために、望ましい光ス
トリップの長さに適合している。
長さを不必要に短くするのを防ぐために、望ましい光ス
トリップの長さに適合している。
【0042】光ストリップの形状は選択されたシェーパ
光学システムによって直接決定されるので、その修正は
容易である。
光学システムによって直接決定されるので、その修正は
容易である。
【0043】より良いパワー均一性を得るためには、光
源が反射器の第1の焦点に配置されるのが有利である。
アーク灯を使う場合、アークは反射器の第1の焦点に配
置されるのが望ましい。
源が反射器の第1の焦点に配置されるのが有利である。
アーク灯を使う場合、アークは反射器の第1の焦点に配
置されるのが望ましい。
【0044】このように、光源によって発せられる光の
うちの非常に大きな割合の光が、プロセッサへの入口
と、処理およびシェーピング用の第1の光プロセッサユ
ニットによって構成されるシェーパシステムに対応す
る、反射器の第2の焦点に向かって反射される。
うちの非常に大きな割合の光が、プロセッサへの入口
と、処理およびシェーピング用の第1の光プロセッサユ
ニットによって構成されるシェーパシステムに対応す
る、反射器の第2の焦点に向かって反射される。
【0045】第2の態様において、本発明は、移動光源
を用いて、特にプリント回路製造での表面の露光を改善
する装置を提供する。
を用いて、特にプリント回路製造での表面の露光を改善
する装置を提供する。
【0046】この第2の態様で、本発明は: ・フレーム上に少なくとも1つのアートワークと前記パ
ネルを保持する手段と; ・光学システムであって、光源と、少なくとも第1の焦
点を有する第1の放物線と第2の焦点を有する第2の放
物線とを備える反射器とを含む少なくとも一つの光ボッ
クスを備え;前記第1及び第2の焦点は前記被露光表面
を走査する方向に対応する軸に位置し;光源は、前記第
1の焦点に配置されて被露光パネルの表面で光ストリッ
プを生成し、また前記アートワークを含み、光ストリッ
プの平均入射角は15°未満であり;その照度の均一性は
平均値に対して±10%未満の逸脱を示し;前記光ストリ
ップは前記被露光表面の幅以上の長さである、光学シス
テムと; ・前記光ストリップと、前記被露光表面の長さ方向で前
記被露光表面間での相対変位を生成する変位手段であっ
て、前記方向が前記光ストリップの縦方向と実質的に交
差する、変位手段と; ・前記光ストリップと前記被露光表面間での相対変位の
速度を、光ストリップの照度および被露光表面の感度に
適合させるマッチング手段と、を備える装置を提供す
る。
ネルを保持する手段と; ・光学システムであって、光源と、少なくとも第1の焦
点を有する第1の放物線と第2の焦点を有する第2の放
物線とを備える反射器とを含む少なくとも一つの光ボッ
クスを備え;前記第1及び第2の焦点は前記被露光表面
を走査する方向に対応する軸に位置し;光源は、前記第
1の焦点に配置されて被露光パネルの表面で光ストリッ
プを生成し、また前記アートワークを含み、光ストリッ
プの平均入射角は15°未満であり;その照度の均一性は
平均値に対して±10%未満の逸脱を示し;前記光ストリ
ップは前記被露光表面の幅以上の長さである、光学シス
テムと; ・前記光ストリップと、前記被露光表面の長さ方向で前
記被露光表面間での相対変位を生成する変位手段であっ
て、前記方向が前記光ストリップの縦方向と実質的に交
差する、変位手段と; ・前記光ストリップと前記被露光表面間での相対変位の
速度を、光ストリップの照度および被露光表面の感度に
適合させるマッチング手段と、を備える装置を提供す
る。
【0047】反射器の特定の形状は、光ビームの特性お
よび形状を左右する。
よび形状を左右する。
【0048】前記第1の放物線が前記走査方向を含む軸
によって画成される第1の平面に位置し、前記第2の放
物線が前記走査方向を含み、前記第1の平面に実質的に
交差する軸によって画成される第2の平面に位置する点
は有利である。
によって画成される第1の平面に位置し、前記第2の放
物線が前記走査方向を含み、前記第1の平面に実質的に
交差する軸によって画成される第2の平面に位置する点
は有利である。
【0049】このような反射器の製造をより容易にし
て、コストを削減するために、反射器が2つの対称部分
から構築されていることは有利である。加えて、ランプ
を取り替えることをより容易にするために、反射器が中
央開口部を含むことは有利である。
て、コストを削減するために、反射器が2つの対称部分
から構築されていることは有利である。加えて、ランプ
を取り替えることをより容易にするために、反射器が中
央開口部を含むことは有利である。
【0050】約635×130mm2と測定される光ストリップ
を得るために、光学システムが、前記走査方向に交差し
て延びている方向に沿って整列させる5つの光ボックス
を備えることは有利であり、該ボックスは走査方向、す
なわち、パネル全体が走査されるように光ストリップの
長さに実質的に交差する方向に平行移動させられる。こ
の光学的構成において、5つのミディアムアーク灯で得
られる平均入射角は約11°である。ミディアムアーク灯
はビームを平行にすることをより難しくするが、光源の
上に置くことをより容易にする。
を得るために、光学システムが、前記走査方向に交差し
て延びている方向に沿って整列させる5つの光ボックス
を備えることは有利であり、該ボックスは走査方向、す
なわち、パネル全体が走査されるように光ストリップの
長さに実質的に交差する方向に平行移動させられる。こ
の光学的構成において、5つのミディアムアーク灯で得
られる平均入射角は約11°である。ミディアムアーク灯
はビームを平行にすることをより難しくするが、光源の
上に置くことをより容易にする。
【0051】必然的に、異なる形状の光ストリップを得
るためには、光ボックスの数、発光パワー、更にはそれ
ぞれのアーク長を調整し、あるいは反射器を修正するこ
とが適当である。
るためには、光ボックスの数、発光パワー、更にはそれ
ぞれのアーク長を調整し、あるいは反射器を修正するこ
とが適当である。
【0052】ボックス間の間隔は145mmであるのが望ま
しく、光ボックスの製造での不正確度を補正するため
に、光ストリップの縦方向での調整を行うことを可能に
する。
しく、光ボックスの製造での不正確度を補正するため
に、光ストリップの縦方向での調整を行うことを可能に
する。
【0053】本発明の上記の態様双方において、また所
定の瞬間において、平行光ストリップが被露光表面上に
四辺形を形成することは有利であり、100mm〜150mm範囲
にある高さおよび被露光表面の辺のうちの1つの長さ以
上の長さを有する。
定の瞬間において、平行光ストリップが被露光表面上に
四辺形を形成することは有利であり、100mm〜150mm範囲
にある高さおよび被露光表面の辺のうちの1つの長さ以
上の長さを有する。
【0054】光ストリップを生成するために、前記光源
がミディアムまたはショートアーク放電ランプを備える
ことは有利である。
がミディアムまたはショートアーク放電ランプを備える
ことは有利である。
【0055】一般に、ショートアークは10mm未満の長さ
を有し、ミディアムアークは10mm〜25mmの範囲にある長
さを有する。25mmを越えると、ランプは「ロング」アー
クを有しているといわれる。ランプのアークが短くなる
ほど、コリメーションは改善されるが、ショートアーク
灯は、より精巧な電源を必要とする。
を有し、ミディアムアークは10mm〜25mmの範囲にある長
さを有する。25mmを越えると、ランプは「ロング」アー
クを有しているといわれる。ランプのアークが短くなる
ほど、コリメーションは改善されるが、ショートアーク
灯は、より精巧な電源を必要とする。
【0056】このように、ランプのタイプ及び選択され
る光学システムのタイプに従って、光ストリップが2°
又は15°以下の平均入射角を示すことは有利である。
る光学システムのタイプに従って、光ストリップが2°
又は15°以下の平均入射角を示すことは有利である。
【0057】本装置が、光源を校正するか、或いはいく
つかの光源がある場合に光源の各々を互いに独立させて
校正する校正手段を更に備えることは有利である。
つかの光源がある場合に光源の各々を互いに独立させて
校正する校正手段を更に備えることは有利である。
【0058】複数の光源が存在する場合、校正手段が、
各々の光源の前で連続して動かされる単一センサを備え
ることは有利である。単一ソースで測定される光の強度
に基づいて、センサーからの信号はサーボコントロール
・ループを介して作動し、対応する光源用の電源調整を
制御し、したがってそれによって発せられる光パワーを
制御する。
各々の光源の前で連続して動かされる単一センサを備え
ることは有利である。単一ソースで測定される光の強度
に基づいて、センサーからの信号はサーボコントロール
・ループを介して作動し、対応する光源用の電源調整を
制御し、したがってそれによって発せられる光パワーを
制御する。
【0059】いったん各々の光源のパワーが調整される
と、均一なパワーが光ストリップにわたって得られる。
このパワーの平均値と被露光表面の性質が与えられた場
合、本装置におけるコンピューターは光ストリップの走
査を調整し、必要とされる露光条件を得るために、光ス
トリップの進行速度を光パワーおよび被露光表面の性質
に適合させる。
と、均一なパワーが光ストリップにわたって得られる。
このパワーの平均値と被露光表面の性質が与えられた場
合、本装置におけるコンピューターは光ストリップの走
査を調整し、必要とされる露光条件を得るために、光ス
トリップの進行速度を光パワーおよび被露光表面の性質
に適合させる。
【0060】限定ではない例として以下に示されている
実施例の詳細な説明を読むことで、本発明はより理解さ
れ、その利点がより明らかになろう。
実施例の詳細な説明を読むことで、本発明はより理解さ
れ、その利点がより明らかになろう。
【0061】本発明の第一の態様で、図1〜6で示される
ようなプリント回路を製造する露光装置は、放電ランプ
および様々な光学エレメントから構成される光学システ
ムを備える。この構成において、ランプ、ランプによっ
て発せられる光ビームに作用するプロセッサおよびシェ
ーパユニット、更には被露光パネルは全て定常であり、
単一光学エレメント(特にミラー)は被露光パネルの表
面を走査する役割を果たす。
ようなプリント回路を製造する露光装置は、放電ランプ
および様々な光学エレメントから構成される光学システ
ムを備える。この構成において、ランプ、ランプによっ
て発せられる光ビームに作用するプロセッサおよびシェ
ーパユニット、更には被露光パネルは全て定常であり、
単一光学エレメント(特にミラー)は被露光パネルの表
面を走査する役割を果たす。
【0062】図1は、そのような被露光パネル120を伴う
装置の全体図であり、該装置は、ストリップが構成され
るように、光源112によって発せられる光ビームを処理
し形づくる光学システムS1を備える。具体的には、装置
は、2つのそれぞれの光源112と112'によって発せられる
2つの光ビームを処理し形づくる2つの光学システムS1と
S2を備え、光源112と112'はパネルの両面が露光される
ように並んで配置される。2つの類似した光学システムS
1とS2を、2つの被露光面の各々の近くでパネル120の両
側に配置することで十分となっている。2つのシステムS
1とS2は、次いで、当該の装置次第で、同時に或いは別
々に制御される。
装置の全体図であり、該装置は、ストリップが構成され
るように、光源112によって発せられる光ビームを処理
し形づくる光学システムS1を備える。具体的には、装置
は、2つのそれぞれの光源112と112'によって発せられる
2つの光ビームを処理し形づくる2つの光学システムS1と
S2を備え、光源112と112'はパネルの両面が露光される
ように並んで配置される。2つの類似した光学システムS
1とS2を、2つの被露光面の各々の近くでパネル120の両
側に配置することで十分となっている。2つのシステムS
1とS2は、次いで、当該の装置次第で、同時に或いは別
々に制御される。
【0063】図1で示すように、光源112および112'が、
例えばキセノン水銀タイプのアーク灯である場合、機能
するためには光源は上を向く必要がある。したがって、
ランプ112および112'は同じ方向を向く。プロセッサ及
びシェーパシステムS1、又は状況に応じてS2、は、ラン
プ112と112'のそれぞれに特定され、システムは対称状
にランプ112と112'の両側に配置される。
例えばキセノン水銀タイプのアーク灯である場合、機能
するためには光源は上を向く必要がある。したがって、
ランプ112および112'は同じ方向を向く。プロセッサ及
びシェーパシステムS1、又は状況に応じてS2、は、ラン
プ112と112'のそれぞれに特定され、システムは対称状
にランプ112と112'の両側に配置される。
【0064】以下の説明は、一つのランプと一つのプロ
セッサ及びシェーパシステム、特にプロセッサ及びシェ
ーパシステムS1に関する。
セッサ及びシェーパシステム、特にプロセッサ及びシェ
ーパシステムS1に関する。
【0065】露光装置をよりコンパクトにするために、
該装置は、光ビームを処理しないが、装置内、特にプロ
セッサ及びシェーパシステムS1内、に曲がりを形成する
役割を果たす複数のミラーを含む。
該装置は、光ビームを処理しないが、装置内、特にプロ
セッサ及びシェーパシステムS1内、に曲がりを形成する
役割を果たす複数のミラーを含む。
【0066】これらのミラーは、単純な平面鏡であるの
が望ましい。該ミラーは、ビームの処理またはシェーピ
ングに影響を及ぼさない。だがそれにもかかわらず、ミ
ラーは二色性となるように処理されるのが望ましく、そ
れによって赤外線と紫外線に光ビームを分離させる抗熱
フィルターの役割を果たす。このような表面処理は、紫
外線放射のおよそ97%を反射可能にし、赤外線のおよそ7
0%を透過可能にする。赤外線は露光には用いられない
が、アートワーク(図示せず)及び隣接エレメント(特
に、光ユニット)を加熱するので、赤外線を光ビームか
らできるだけ早く、特にプロセッサ及びシェーパシステ
ムを透過する前に、分離させることは有利である。
が望ましい。該ミラーは、ビームの処理またはシェーピ
ングに影響を及ぼさない。だがそれにもかかわらず、ミ
ラーは二色性となるように処理されるのが望ましく、そ
れによって赤外線と紫外線に光ビームを分離させる抗熱
フィルターの役割を果たす。このような表面処理は、紫
外線放射のおよそ97%を反射可能にし、赤外線のおよそ7
0%を透過可能にする。赤外線は露光には用いられない
が、アートワーク(図示せず)及び隣接エレメント(特
に、光ユニット)を加熱するので、赤外線を光ビームか
らできるだけ早く、特にプロセッサ及びシェーパシステ
ムを透過する前に、分離させることは有利である。
【0067】図2は、例えば5キロワット(kW)または8k
Wの電源で作動するショートアーク放電ランプ112を備え
ているといった光学システムのダイヤグラムであり、こ
こでランプは楕円形状反射器116の第1の焦点122'に配
置されている。3 x 3 x 7 mm3と測定されるアークを生
成する5kWのランプ112を使うことが望ましい。
Wの電源で作動するショートアーク放電ランプ112を備え
ているといった光学システムのダイヤグラムであり、こ
こでランプは楕円形状反射器116の第1の焦点122'に配
置されている。3 x 3 x 7 mm3と測定されるアークを生
成する5kWのランプ112を使うことが望ましい。
【0068】様々な光学エレメントが配置される軸は、
ZIIZII'と参照符合が付けられていて、楕円体の一部に
よって構成されている反射器116の回転軸に対応し、前
記反射器116の焦点122'と124'双方を通っている。軸ZII
ZII'は、ランプ112と反射器116を出る光ビームの伝播軸
に実質的に垂直であり対応している。2つの軸XIIXII'お
よびYIIYII'は、直交座標系を画成するよう、軸ZIIZII'
に対して実質的に垂直である。
ZIIZII'と参照符合が付けられていて、楕円体の一部に
よって構成されている反射器116の回転軸に対応し、前
記反射器116の焦点122'と124'双方を通っている。軸ZII
ZII'は、ランプ112と反射器116を出る光ビームの伝播軸
に実質的に垂直であり対応している。2つの軸XIIXII'お
よびYIIYII'は、直交座標系を画成するよう、軸ZIIZII'
に対して実質的に垂直である。
【0069】ランプ112と反射器116を出ると、かなりの
割合の赤外線IRが第1のミラー1171を通して放棄され
る。ミラー1171は冷たい空気を送る冷却システム119に
よって冷却されるのが望ましい。この第1のミラー1171
はランプ112の上方45°で配置され、光ビームIを第2の
ミラー117に向かって反射する(図1および2参照)。こ
の第2のミラー1172は、好ましくは45°上方を向いてお
り、そのため、光ビームIは積分器-コリメータ・アセン
ブリ151から始まるプロセッサ及びシェーパシステムの
入口に向かって反射される。
割合の赤外線IRが第1のミラー1171を通して放棄され
る。ミラー1171は冷たい空気を送る冷却システム119に
よって冷却されるのが望ましい。この第1のミラー1171
はランプ112の上方45°で配置され、光ビームIを第2の
ミラー117に向かって反射する(図1および2参照)。こ
の第2のミラー1172は、好ましくは45°上方を向いてお
り、そのため、光ビームIは積分器-コリメータ・アセン
ブリ151から始まるプロセッサ及びシェーパシステムの
入口に向かって反射される。
【0070】図3で詳細に示されるこの積分器-コリメー
タ・アセンブリ151は様々な光学表面のアセンブリを備
え、該光学表面のアセンブリは、第一に、照光を平均さ
せ光の強度を拡散して均一にし、第二に、平行にする。
タ・アセンブリ151は様々な光学表面のアセンブリを備
え、該光学表面のアセンブリは、第一に、照光を平均さ
せ光の強度を拡散して均一にし、第二に、平行にする。
【0071】積分器-コリメータ・アセンブリ151の軸
は、軸ZIIZII'と合致し、その入口151Aで、積分レンズ1
50で構成される第1のプロセッサ光ユニットを有し、そ
の出口151Bで、コリメーティングレンズ156によって構
成される第2の光プロセッサユニットを有する。これら
のレンズ150と156の各々は、それぞれの支持体152また
は154に配置される。図示の光学システムにおいて、2つ
の支持体152および154はマスクで構成されるのが望まし
く、実質的に軸ZIIZII'に垂直に延びて、反射器116から
の出口で平均伝播方向から取り除くのにはるかに離れた
入射角でのあらゆる放射を排除し、積分器-コリメータ
・アセンブリ151の光軸は軸ZIIZII'と合致して、被露光
表面へのビームの良好な偏角を得る。
は、軸ZIIZII'と合致し、その入口151Aで、積分レンズ1
50で構成される第1のプロセッサ光ユニットを有し、そ
の出口151Bで、コリメーティングレンズ156によって構
成される第2の光プロセッサユニットを有する。これら
のレンズ150と156の各々は、それぞれの支持体152また
は154に配置される。図示の光学システムにおいて、2つ
の支持体152および154はマスクで構成されるのが望まし
く、実質的に軸ZIIZII'に垂直に延びて、反射器116から
の出口で平均伝播方向から取り除くのにはるかに離れた
入射角でのあらゆる放射を排除し、積分器-コリメータ
・アセンブリ151の光軸は軸ZIIZII'と合致して、被露光
表面へのビームの良好な偏角を得る。
【0072】積分レンズ150は、曲率がコリメーターレ
ンズ156に向けられ、曲率半径R150が30mm〜40mmの範囲
にあり、好ましくは35mmに実質等しい、凸状円柱レンズ
である。
ンズ156に向けられ、曲率半径R150が30mm〜40mmの範囲
にあり、好ましくは35mmに実質等しい、凸状円柱レンズ
である。
【0073】積分レンズ150は、反射器116の第2の焦点
124'に配置される。積分器-コリメータ・アセンブリ151
の入口で、光線Iは実質的に軸ZIIZII'に沿って延びてい
る高さを有する円錐の形状をしている。円柱レンズ150
への入口では、光ビームIは均一でもなく平行でもな
く、一方、出口では、光ビームIIは±10%未満の強度の
差分を伴って均一である。光ビームIIはまた、支持体15
2によって非常に小さい範囲で平行にされる。
124'に配置される。積分器-コリメータ・アセンブリ151
の入口で、光線Iは実質的に軸ZIIZII'に沿って延びてい
る高さを有する円錐の形状をしている。円柱レンズ150
への入口では、光ビームIは均一でもなく平行でもな
く、一方、出口では、光ビームIIは±10%未満の強度の
差分を伴って均一である。光ビームIIはまた、支持体15
2によって非常に小さい範囲で平行にされる。
【0074】光ビームIIは、コリメーターレンズ156に
向かってその経路に沿って進み、コリメーターレンズ15
6は積分器-コリメータ・アセンブリ151の出口に向けら
れる曲率の球面レンズで構成され、150mm〜200mmの範囲
にあり、好ましくは実質的に170mmに等しい曲率半径R
156を有する。
向かってその経路に沿って進み、コリメーターレンズ15
6は積分器-コリメータ・アセンブリ151の出口に向けら
れる曲率の球面レンズで構成され、150mm〜200mmの範囲
にあり、好ましくは実質的に170mmに等しい曲率半径R
156を有する。
【0075】球面レンズ156は、レンズ150が球面レンズ
156の対物焦点156'に位置するように、円柱レンズ150か
ら離れて間隔をあけられる。球面レンズ156からの出口
で、光ビームIIIは、およそ1°の平均入射角を有して平
行にされる。
156の対物焦点156'に位置するように、円柱レンズ150か
ら離れて間隔をあけられる。球面レンズ156からの出口
で、光ビームIIIは、およそ1°の平均入射角を有して平
行にされる。
【0076】このように、2つの焦点124'と156'が合致
し、球面レンズ156と反射器116は円柱レンズ150の反対
側に配置される。従って、積分器-コリメータ・アセン
ブリ151からの出口では、光ビームIIIは±10%未満のず
れを有して均一であり、並びに平行化される。
し、球面レンズ156と反射器116は円柱レンズ150の反対
側に配置される。従って、積分器-コリメータ・アセン
ブリ151からの出口では、光ビームIIIは±10%未満のず
れを有して均一であり、並びに平行化される。
【0077】積分器-コリメータ・アセンブリ152のレン
ズ150と156の焦点は、光ビームができるだけ小さい偏角
を示すように、ランプ112の第2の焦点124'と同じ軸に
(すなわち軸ZIIZII'に沿って)配置され、光が実質的
に垂直に被露光パネルの表面を露光することを可能にす
る。
ズ150と156の焦点は、光ビームができるだけ小さい偏角
を示すように、ランプ112の第2の焦点124'と同じ軸に
(すなわち軸ZIIZII'に沿って)配置され、光が実質的
に垂直に被露光パネルの表面を露光することを可能にす
る。
【0078】このように、積分器-コリメータ・アセン
ブリ151からの出口で、光ビームIIIは±10%未満のずれ
を有して均一であり、およそ1°の平均入射角を示す。
ブリ151からの出口で、光ビームIIIは±10%未満のずれ
を有して均一であり、およそ1°の平均入射角を示す。
【0079】図1と2に戻って、第3のミラー1173は、積
分器-コリメータ・アセンブリ151からの出口に配置さ
れ、光路IIIにおいて最後の曲がりを形成する。
分器-コリメータ・アセンブリ151からの出口に配置さ
れ、光路IIIにおいて最後の曲がりを形成する。
【0080】シェーパ手段は、第3のミラー1173の直後
に配置されるシェーパ光ユニットを備え、光を発散させ
ることによって光ビームを非平行化し、次いで光ストリ
ップ162を得るために光束IIIを再平行化する役割を連続
して果たす。
に配置されるシェーパ光ユニットを備え、光を発散させ
ることによって光ビームを非平行化し、次いで光ストリ
ップ162を得るために光束IIIを再平行化する役割を連続
して果たす。
【0081】たとえば、第1のシェーパ光ユニット、特
に発散ミラー158は球面レンズ156を支えている第2のマ
スク154の後に配置され、ミラー1173を向いており、第
2のシェーパ光ユニット、特に集束ミラー160は発散ミ
ラー158の後に配置される。2つのミラー158および160は
互いに向い合っており、あらゆる光学収差を防ぐため
に、水平面(XIIXII', YIIYII')の方へできるだけ傾い
ているのが望ましい。具体的には、2つのミラー158およ
び160は、45°未満で軸YIIYII'を離れている。発散ミラ
ー158は、曲率が集束ミラー160に向けられ、曲率半径R
158が150mm〜200mmの範囲にある凸面鏡である。集束ミ
ラー160は、曲率が発散ミラー158と同じ方向に向けら
れ、曲率半径R160が1200mm〜1500mmの範囲にある凹面鏡
である。
に発散ミラー158は球面レンズ156を支えている第2のマ
スク154の後に配置され、ミラー1173を向いており、第
2のシェーパ光ユニット、特に集束ミラー160は発散ミ
ラー158の後に配置される。2つのミラー158および160は
互いに向い合っており、あらゆる光学収差を防ぐため
に、水平面(XIIXII', YIIYII')の方へできるだけ傾い
ているのが望ましい。具体的には、2つのミラー158およ
び160は、45°未満で軸YIIYII'を離れている。発散ミラ
ー158は、曲率が集束ミラー160に向けられ、曲率半径R
158が150mm〜200mmの範囲にある凸面鏡である。集束ミ
ラー160は、曲率が発散ミラー158と同じ方向に向けら
れ、曲率半径R160が1200mm〜1500mmの範囲にある凹面鏡
である。
【0082】この構成において、2つのミラー158および
160は、長さL162(図4参照)の光ストリップ162(図2参
照)を得る役割を果たす。長さL162は、発散ミラー158
の曲率半径R158と、発散および集束ミラー158および160
間の間隔dの関数である。光ストリップ162の幅または高
さH162は、マスク154の幾何学的特徴、特に球面レンズ1
56の特徴に依存する。
160は、長さL162(図4参照)の光ストリップ162(図2参
照)を得る役割を果たす。長さL162は、発散ミラー158
の曲率半径R158と、発散および集束ミラー158および160
間の間隔dの関数である。光ストリップ162の幅または高
さH162は、マスク154の幾何学的特徴、特に球面レンズ1
56の特徴に依存する。
【0083】ミラー160の曲率半径が光ストリップの長
さL162に僅かな影響を及ぼす可能性があることを付け加
えておく必要がある。工業上の理由で、この曲率半径は
一定のままである。
さL162に僅かな影響を及ぼす可能性があることを付け加
えておく必要がある。工業上の理由で、この曲率半径は
一定のままである。
【0084】水平面(XIIXII', YIIYII')にある被露光
パネル120の表面118に向かって光ストリップを反射させ
るために、第4のミラー164は集束ミラー160のほうを向
いて配置される。
パネル120の表面118に向かって光ストリップを反射させ
るために、第4のミラー164は集束ミラー160のほうを向
いて配置される。
【0085】図4で示すように、この第4のミラー164
は、長さL162の全部または一部を反射することを意図し
ている。したがって、長さL126は、ミラー164の幅に基
づいて、フレーム(図示せず)に保持されるプリント回
路パネル120の被露光表面118に達する光ストリップ126
に対して得られる。
は、長さL162の全部または一部を反射することを意図し
ている。したがって、長さL126は、ミラー164の幅に基
づいて、フレーム(図示せず)に保持されるプリント回
路パネル120の被露光表面118に達する光ストリップ126
に対して得られる。
【0086】軸XIIXII'を、軸XIIXII'および YIIYII'に
平行な平面に実質的に水平に配置した被露光パネル120
の表面118の幅方向に対応している水平軸とした場合
(図2、4および5参照)、全表面118が走査されるよう
に、軸YIIYII'すなわち被露光表面118の長さに沿ってミ
ラー164を動かせば十分である。この第4のミラー164
は、装置において唯一の動く光学エレメントである。パ
ネルの表面118が他の方法で配置可能なことを理解され
たい。このように、それが軸XIIXII'に沿って配置され
る被露光表面の長さ方向である場合、走査は、被露光表
面の幅方向、すなわち依然として軸YIIYII'に沿って行
われる。
平行な平面に実質的に水平に配置した被露光パネル120
の表面118の幅方向に対応している水平軸とした場合
(図2、4および5参照)、全表面118が走査されるよう
に、軸YIIYII'すなわち被露光表面118の長さに沿ってミ
ラー164を動かせば十分である。この第4のミラー164
は、装置において唯一の動く光学エレメントである。パ
ネルの表面118が他の方法で配置可能なことを理解され
たい。このように、それが軸XIIXII'に沿って配置され
る被露光表面の長さ方向である場合、走査は、被露光表
面の幅方向、すなわち依然として軸YIIYII'に沿って行
われる。
【0087】走査は常に光ストリップの縦の方向に交差
して実行され、この走査方向は被露光表面の幅か或いは
少なくとも長さに平行であるのが好ましい。
して実行され、この走査方向は被露光表面の幅か或いは
少なくとも長さに平行であるのが好ましい。
【0088】図5で示すように、第4のミラー164は、光
ストリップが軸XIIXII'およびYIIYI I'によって画成され
る平面にある被露光表面118に反射されるように軸YIIY
II'に対して45°である。唯一の走査方向YIIYII'でパネ
ル120が露光されるように、ミラー164の幅は、被露光表
面118の幅l118以上でなくてはならない。異なる表面を
露光するためには、ミラー164を変えるか、シェーパ手
段のパラメータを変化させることで十分である。
ストリップが軸XIIXII'およびYIIYI I'によって画成され
る平面にある被露光表面118に反射されるように軸YIIY
II'に対して45°である。唯一の走査方向YIIYII'でパネ
ル120が露光されるように、ミラー164の幅は、被露光表
面118の幅l118以上でなくてはならない。異なる表面を
露光するためには、ミラー164を変えるか、シェーパ手
段のパラメータを変化させることで十分である。
【0089】従って、様々な光ユニットに用いられる形
状によって、並びに該光ユニットがどのように三次元で
配置されるかによって、被露光表面118に達する光スト
リップ126の高さH126および長さL126を得ることが可能
である。
状によって、並びに該光ユニットがどのように三次元で
配置されるかによって、被露光表面118に達する光スト
リップ126の高さH126および長さL126を得ることが可能
である。
【0090】ミラー164はまた、変位中にパネルに平行
のままであることが確実になるように、手段(図示せ
ず)によって垂直および水平面に対する角度によって調
節される必要がある。
のままであることが確実になるように、手段(図示せ
ず)によって垂直および水平面に対する角度によって調
節される必要がある。
【0091】上述の光学システムの構成において、590m
mから1メートル(m)の範囲にある、好ましくは約780mm
の長さL126と、100mm〜200mmの範囲にある、好ましくは
約170mmの高さH126を有し、2°以下、好ましくは1°の
平均入射角で約80ミリワット/平方センチメートル(mW
・cm-2)の状態にある照光の平均レベルに対して約±10%
ほど均一から逸脱している光ストリップ126を、被露光
表面118で所定の瞬間に得ることが望ましい。
mから1メートル(m)の範囲にある、好ましくは約780mm
の長さL126と、100mm〜200mmの範囲にある、好ましくは
約170mmの高さH126を有し、2°以下、好ましくは1°の
平均入射角で約80ミリワット/平方センチメートル(mW
・cm-2)の状態にある照光の平均レベルに対して約±10%
ほど均一から逸脱している光ストリップ126を、被露光
表面118で所定の瞬間に得ることが望ましい。
【0092】ミラー164の進行速度は、露光の質および
継続時間を決定する。光源112が定常であり、ミラー164
が動く場合、これら2つのエレメント間の距離は走査中
に増大する。したがって、露光を通して被露光表面全体
により高い質の均一性を示す照光が得られるように走査
速度を変えることが望ましい。それでもやはり、走行速
度が一定の場合、上述の均一性条件に応ずることが依然
として可能であることがわかっている。
継続時間を決定する。光源112が定常であり、ミラー164
が動く場合、これら2つのエレメント間の距離は走査中
に増大する。したがって、露光を通して被露光表面全体
により高い質の均一性を示す照光が得られるように走査
速度を変えることが望ましい。それでもやはり、走行速
度が一定の場合、上述の均一性条件に応ずることが依然
として可能であることがわかっている。
【0093】この速度を求めるために、紫外線(UV)に
反応する光度測定センサー138(図6に示す)は、被露
光パネルの位置での光束に配置され、露光装置(図示せ
ず)のコントローラに接続されている。光束パワーの測
定値は、前記測定された光束パワーおよび被露光表面11
8のパラメータ、特に材料の感度、の関数として進行速
度を計算するコントローラに送られ、ここで該パラメー
タはオペレーターによってコントローラに指示される。
反応する光度測定センサー138(図6に示す)は、被露
光パネルの位置での光束に配置され、露光装置(図示せ
ず)のコントローラに接続されている。光束パワーの測
定値は、前記測定された光束パワーおよび被露光表面11
8のパラメータ、特に材料の感度、の関数として進行速
度を計算するコントローラに送られ、ここで該パラメー
タはオペレーターによってコントローラに指示される。
【0094】デバイスを校正するために、レーザーは、
被露光パネルの位置に有利に配置されて、各ランプのポ
ジションが変位手段(図示せず)によって機械的に調整
されることができるように、光源112または112'(図1)
のうちの1つに可視光を発し、然るに、各システムS1お
よびS2の各々の積分器-コリメータ・アセンブリの光軸
が軸ZIIZII'に正確に配置されることが確実になるよう
に、各反射器のポジションを調整する。この校正は、装
置が組立てられる時のみに実行される。
被露光パネルの位置に有利に配置されて、各ランプのポ
ジションが変位手段(図示せず)によって機械的に調整
されることができるように、光源112または112'(図1)
のうちの1つに可視光を発し、然るに、各システムS1お
よびS2の各々の積分器-コリメータ・アセンブリの光軸
が軸ZIIZII'に正確に配置されることが確実になるよう
に、各反射器のポジションを調整する。この校正は、装
置が組立てられる時のみに実行される。
【0095】しかしながら、露光を通じて光ストリップ
126のエネルギーが一定であることを保証するために、
マッチング手段(図示せず)は、第4のミラー164を変
位させる手段121(図6参照)の速度をマッチさせる役割
を果たす。具体的には、装置(図6には図示せず)と共
に作動するこれらの変位手段121は、2つの滑車ベルト12
1Bを駆動する可変速度モータ121Aと、レール121C上で動
き、固定されたミラー164を有する支持体を121Dとを備
える。あらゆるタイプの周知の変位手段がミラー164を
動かすのに使用可能である。
126のエネルギーが一定であることを保証するために、
マッチング手段(図示せず)は、第4のミラー164を変
位させる手段121(図6参照)の速度をマッチさせる役割
を果たす。具体的には、装置(図6には図示せず)と共
に作動するこれらの変位手段121は、2つの滑車ベルト12
1Bを駆動する可変速度モータ121Aと、レール121C上で動
き、固定されたミラー164を有する支持体を121Dとを備
える。あらゆるタイプの周知の変位手段がミラー164を
動かすのに使用可能である。
【0096】ランプは一定の電力で動作するので、ラン
プ112から次第に離れて動くミラー164に起因する光パワ
ーの損失を補正するために、変位手段の速度を変える。
プ112から次第に離れて動くミラー164に起因する光パワ
ーの損失を補正するために、変位手段の速度を変える。
【0097】したがって、たとえば、ミラー164がラン
プ112に最も近い場合(露光開始時)でのスタート速度V
maxは、表面全体118の走査が終了した際での最小値Vmin
になるまで規則的に減少する。マッチング手段は、ミラ
ー164の速度を計算してマッチさせる役割を果たすコン
トローラでプログラムされるサーボコントロール・ルー
プを含む。
プ112に最も近い場合(露光開始時)でのスタート速度V
maxは、表面全体118の走査が終了した際での最小値Vmin
になるまで規則的に減少する。マッチング手段は、ミラ
ー164の速度を計算してマッチさせる役割を果たすコン
トローラでプログラムされるサーボコントロール・ルー
プを含む。
【0098】第一回目の使用後に、再びランプのスイッ
チを入れる前に装置が相当な長さの時間(数十分間)止
められること、特にランプが十分にクールダウンしてい
るのを確認することは不可欠である。このオフタイムは
また、ランプが発する光が均一となるようにランプを安
定させるのに必要な時間も含む。
チを入れる前に装置が相当な長さの時間(数十分間)止
められること、特にランプが十分にクールダウンしてい
るのを確認することは不可欠である。このオフタイムは
また、ランプが発する光が均一となるようにランプを安
定させるのに必要な時間も含む。
【0099】さらに、ランプの寿命は、ランプがオン/
オフに切り換えられる回数に逆比例している。これらの
欠点を軽減するために、装置は、円柱レンズ150の近く
に配置可能であり、ランプ112のスイッチを切る必要な
しに放射を遮蔽するシャッター(図示せず)を含む。
オフに切り換えられる回数に逆比例している。これらの
欠点を軽減するために、装置は、円柱レンズ150の近く
に配置可能であり、ランプ112のスイッチを切る必要な
しに放射を遮蔽するシャッター(図示せず)を含む。
【0100】本発明の第2の態様において、図7〜12で
示すように、プリント回路製造用の露光装置は、一組の
光ボックスからなる光学システムを有し、各光ボックス
は特殊な形状の反射器と平行かつ均一な光ストリップを
得ることを可能にする放電ランプとを有する。
示すように、プリント回路製造用の露光装置は、一組の
光ボックスからなる光学システムを有し、各光ボックス
は特殊な形状の反射器と平行かつ均一な光ストリップを
得ることを可能にする放電ランプとを有する。
【0101】この態様では、光学システム全体、特に光
源、が動き、一方、パネルは動かない。
源、が動き、一方、パネルは動かない。
【0102】図7はミディアムアーク放電ランプ12を含
むような一つの光ボックス10を示し、ここで好ましくは
アークの長さは20mmであり、その電源は500ワット(W)
である。ランプ12は、反射器16も含むボックス14に配置
される。
むような一つの光ボックス10を示し、ここで好ましくは
アークの長さは20mmであり、その電源は500ワット(W)
である。ランプ12は、反射器16も含むボックス14に配置
される。
【0103】できるだけ光束を平行にするニーズのため
に、光源をその焦点に配置すると共に反射器を放物線状
にする必要がある。しかしながら、そのことは、わずか
に発散するビームを必要とするので、光ボックス10の各
々によって供給される光束間の良好なオーバラップを得
ることに反する。したがって、妥協案を見つけ出す必要
がある。反射器16は円形対称ではないが、直交座標系
(XIXI', YIYI', ZIZI')で、次の方程式によって画成
される曲率を有する: z = ax2 + by2
に、光源をその焦点に配置すると共に反射器を放物線状
にする必要がある。しかしながら、そのことは、わずか
に発散するビームを必要とするので、光ボックス10の各
々によって供給される光束間の良好なオーバラップを得
ることに反する。したがって、妥協案を見つけ出す必要
がある。反射器16は円形対称ではないが、直交座標系
(XIXI', YIYI', ZIZI')で、次の方程式によって画成
される曲率を有する: z = ax2 + by2
【0104】軸XIXI'を、実質的に垂直に配置される被
露光パネル20(アートワークまたは支持フレームなしで
図10に図示)の表面18の幅方向に対応する水平軸とみな
した場合、全体表面18を走査するためには、軸XIXI'に
実質的に直交する軸YIYI'に沿って光ボックスを移動さ
せれば十分である。
露光パネル20(アートワークまたは支持フレームなしで
図10に図示)の表面18の幅方向に対応する水平軸とみな
した場合、全体表面18を走査するためには、軸XIXI'に
実質的に直交する軸YIYI'に沿って光ボックスを移動さ
せれば十分である。
【0105】反射器16は、軸YIYI'と軸ZIZI'によって画
成される垂直面にある第1の放物線24(図9に示す)
と、軸XIXI'と軸ZIZI'によって画成される水平面にある
第2の放物線24(図8に示す)とによって形成される表
面を示し、軸ZIZI'上に、それぞれ第1の焦点24'と第2
の焦点(参照符合なし)を有する。ランプ12は、第1の
焦点24'に配置される。その結果、光線は軸ZIZI'に沿っ
て優先的に発せられる。このような反射器16にランプ12
を適切に位置決めすることによって、光ビームの平行化
および偏角が決まる。上記の方程式を満たす形状の反射
器16にミディアムアーク灯12を配置することによって、
15°未満の入射角が得られる。
成される垂直面にある第1の放物線24(図9に示す)
と、軸XIXI'と軸ZIZI'によって画成される水平面にある
第2の放物線24(図8に示す)とによって形成される表
面を示し、軸ZIZI'上に、それぞれ第1の焦点24'と第2
の焦点(参照符合なし)を有する。ランプ12は、第1の
焦点24'に配置される。その結果、光線は軸ZIZI'に沿っ
て優先的に発せられる。このような反射器16にランプ12
を適切に位置決めすることによって、光ビームの平行化
および偏角が決まる。上記の方程式を満たす形状の反射
器16にミディアムアーク灯12を配置することによって、
15°未満の入射角が得られる。
【0106】このようなアウトラインを得ることをより
容易にするために、反射器16は水平面について対称であ
る2つの部分16Aおよび16Bからなる。加えて、ランプ12
の変更をより容易にするために、反射器は反射器16の両
部分16Aおよび16Bに形成される中央開口部16Cを有す
る。2つの部分16Aおよび16Bは結合しておらず、前記開
口部16Cによって互いに間隔をあけている。開口部16C
は、ランプ12の形状によって画成される適当な形状であ
る。
容易にするために、反射器16は水平面について対称であ
る2つの部分16Aおよび16Bからなる。加えて、ランプ12
の変更をより容易にするために、反射器は反射器16の両
部分16Aおよび16Bに形成される中央開口部16Cを有す
る。2つの部分16Aおよび16Bは結合しておらず、前記開
口部16Cによって互いに間隔をあけている。開口部16C
は、ランプ12の形状によって画成される適当な形状であ
る。
【0107】軸XIXI'に沿った縦方向を有する表面18上
で実質的に矩形の形状と、表面18の幅l18に等しい長さL
26(好ましくは635mmに等しい)と、100mm〜150mmの範
囲にある高さH26(好ましくは130mmに等しい)とを有す
る光ストリップ26を得るためには、上述のような5つの
光ボックス10を用いるのが望ましい。
で実質的に矩形の形状と、表面18の幅l18に等しい長さL
26(好ましくは635mmに等しい)と、100mm〜150mmの範
囲にある高さH26(好ましくは130mmに等しい)とを有す
る光ストリップ26を得るためには、上述のような5つの
光ボックス10を用いるのが望ましい。
【0108】パネル20が実質的に垂直に配置されたと仮
定した場合、光ストリップ26を形成するために5つの光
ボックス10を水平軸に沿って一直線に並べることで十分
である。光ボックス10は145mmの好ましい標準間隔で互
いに間隔をあけられており、光ボックス間のこの間隔が
光ビームの均一性を決める。各々の光ボックス10のポジ
ション調整は、光ボックス10の製造におけるエラーの補
正を可能にする。この調整は、標準ポジションのまわり
±5mmの振幅に及ぶことができるのが望ましい。
定した場合、光ストリップ26を形成するために5つの光
ボックス10を水平軸に沿って一直線に並べることで十分
である。光ボックス10は145mmの好ましい標準間隔で互
いに間隔をあけられており、光ボックス間のこの間隔が
光ビームの均一性を決める。各々の光ボックス10のポジ
ション調整は、光ボックス10の製造におけるエラーの補
正を可能にする。この調整は、標準ポジションのまわり
±5mmの振幅に及ぶことができるのが望ましい。
【0109】このような条件下において、光ストリップ
26は、約11°の平均入射角と、約120mW.cm-2に位置する
平均値に対して±10%の照光均一度からの逸脱とを有す
る。その結果、光束の半分は、11°未満の入射角で表面
18に達する。
26は、約11°の平均入射角と、約120mW.cm-2に位置する
平均値に対して±10%の照光均一度からの逸脱とを有す
る。その結果、光束の半分は、11°未満の入射角で表面
18に達する。
【0110】一組の光ボックス10は、一組の光ボックス
10と被露光パネル20間の距離を、結果として支持フレー
ム(図示せず)のポジションに依存する被露光表面のポ
ジションの関数として調整するために、水平面で平行移
動が可能な支持体28に配置される。このランプの中心か
らパネルへの距離は180mmであるのが好ましい。この距
離は、光ストリップの均一性の質を決める。一例とし
て、支持体28は、垂直方向すなわち走査方向に平行移動
可能なドライブ支持体34に固定される雄部32にスライド
する適合型雌部30を有するレールに配置される。変位手
段(図示せず)はドライブ支持体34を駆動する駆動シス
テムを備える。
10と被露光パネル20間の距離を、結果として支持フレー
ム(図示せず)のポジションに依存する被露光表面のポ
ジションの関数として調整するために、水平面で平行移
動が可能な支持体28に配置される。このランプの中心か
らパネルへの距離は180mmであるのが好ましい。この距
離は、光ストリップの均一性の質を決める。一例とし
て、支持体28は、垂直方向すなわち走査方向に平行移動
可能なドライブ支持体34に固定される雄部32にスライド
する適合型雌部30を有するレールに配置される。変位手
段(図示せず)はドライブ支持体34を駆動する駆動シス
テムを備える。
【0111】本発明の第1の態様に記載される装置に関
しては、この装置は、支持体28に固定されランプ12の前
で旋回するのに適しているシャッター36を含む。閉位置
(例えばパネル20を装填中)では、図10で示すように、
ランプ12が放置されることができるよう光ストリップ26
の束が遮られる。パネル20(図示せず)が図11で露光さ
れると、シャッター36が開位置で示される。このような
シャッター36の使用によって、被露光パネル20を変える
たびにランプ12のスイッチを切ることを避けることがで
き、それによってプリント回路製造に必要とされる時間
が短縮される。
しては、この装置は、支持体28に固定されランプ12の前
で旋回するのに適しているシャッター36を含む。閉位置
(例えばパネル20を装填中)では、図10で示すように、
ランプ12が放置されることができるよう光ストリップ26
の束が遮られる。パネル20(図示せず)が図11で露光さ
れると、シャッター36が開位置で示される。このような
シャッター36の使用によって、被露光パネル20を変える
たびにランプ12のスイッチを切ることを避けることがで
き、それによってプリント回路製造に必要とされる時間
が短縮される。
【0112】ドライブ支持体34の進行速度は、露光の質
および継続時間を決定する。この速度を求めるために、
オペレーターは被露光表面の特徴、特に使用される材料
の感度、を露光装置用コントローラのコンピューター
(図示せず)に入力する。被露光パネル20の表面18の種
類が変わるたびに進行速度は求められる。
および継続時間を決定する。この速度を求めるために、
オペレーターは被露光表面の特徴、特に使用される材料
の感度、を露光装置用コントローラのコンピューター
(図示せず)に入力する。被露光パネル20の表面18の種
類が変わるたびに進行速度は求められる。
【0113】この目的のために、コントローラは各々の
ランプ12の光パワーに基づいて、光ストリップ26の光パ
ワーを計算する。校正セル40と二色性部材42とを含む校
正手段38は、移動支持体44に配置される。校正手段は、
露光装置(図示せず)のコントローラに接続され、校正
されるランプ12の光パワーを供給する。サーボコントロ
ール・ループを使って、コントローラは機動送りをラン
プ12に適応させ、校正手段38で測定されるような所望の
パワーを得る。
ランプ12の光パワーに基づいて、光ストリップ26の光パ
ワーを計算する。校正セル40と二色性部材42とを含む校
正手段38は、移動支持体44に配置される。校正手段は、
露光装置(図示せず)のコントローラに接続され、校正
されるランプ12の光パワーを供給する。サーボコントロ
ール・ループを使って、コントローラは機動送りをラン
プ12に適応させ、校正手段38で測定されるような所望の
パワーを得る。
【0114】ランプ12の安定性をモニタするために装置
にスイッチが入れられた場合、並びにランプ12または被
露光表面の種類に変化が生じた場合はいつでも、ランプ
12は校正される。
にスイッチが入れられた場合、並びにランプ12または被
露光表面の種類に変化が生じた場合はいつでも、ランプ
12は校正される。
【0115】校正手段38はまた、ランプの寿命を通して
規則的にランプ12をモニタするのに用いることができ
る。ランプが古くなるにつれて、一定の電力を供給する
ためのランプからの光パワーの供給は徐々に少なくな
る。したがって、ランプに供給される電力を、測定され
た被供給光パワーの損失の関数として一様に適合させる
ことは、光ストリップ26の強度がある期間にわたって実
質的に一定のままであることを確実にする役目を果た
す。
規則的にランプ12をモニタするのに用いることができ
る。ランプが古くなるにつれて、一定の電力を供給する
ためのランプからの光パワーの供給は徐々に少なくな
る。したがって、ランプに供給される電力を、測定され
た被供給光パワーの損失の関数として一様に適合させる
ことは、光ストリップ26の強度がある期間にわたって実
質的に一定のままであることを確実にする役目を果た
す。
【0116】校正手段38は、モーター46によって移動可
能であり、一組の光ボックス10のランプ12のそれぞれの
前に配置させることができる。
能であり、一組の光ボックス10のランプ12のそれぞれの
前に配置させることができる。
【0117】各ランプ12の電源がチェックされ、必要に
応じてオペレーターが被露光表面の新しい特徴を入力す
ると、コントローラのコンピューターは選ばれるべき走
査速度を決める。マッチング手段(図示せず)は、ドラ
イブ支持体34を変位させる手段をサーボ制御する。一例
として、これらのマッチング手段は、装置のコントロー
ラを含むサーボコントロール・ループによってサーボ制
御されるモーターを含んでよい。ループは、所望の光パ
ワーおよび表面の種類の関数としてコントローラによっ
て直接画成される。
応じてオペレーターが被露光表面の新しい特徴を入力す
ると、コントローラのコンピューターは選ばれるべき走
査速度を決める。マッチング手段(図示せず)は、ドラ
イブ支持体34を変位させる手段をサーボ制御する。一例
として、これらのマッチング手段は、装置のコントロー
ラを含むサーボコントロール・ループによってサーボ制
御されるモーターを含んでよい。ループは、所望の光パ
ワーおよび表面の種類の関数としてコントローラによっ
て直接画成される。
【0118】アートワーク(図示せず)を過度に加熱す
ることを避けるために、冷気を送り込むことによってア
ートワークを冷却する。具体的には、図10および11に関
して、装置は、被露光表面18およびアートワークの方
へ、より詳細には光ストリップ26に被露光アートワーク
のゾーンの方へ伝播する薄く広がる空気層を生成する役
目を果たすデフレクター19に向かって冷気を送るため
に、光ボックス10の下に配置される横流ファン19を含
む。
ることを避けるために、冷気を送り込むことによってア
ートワークを冷却する。具体的には、図10および11に関
して、装置は、被露光表面18およびアートワークの方
へ、より詳細には光ストリップ26に被露光アートワーク
のゾーンの方へ伝播する薄く広がる空気層を生成する役
目を果たすデフレクター19に向かって冷気を送るため
に、光ボックス10の下に配置される横流ファン19を含
む。
【図1】本発明の第1の態様での露光装置の透視図であ
る。
る。
【図2】図1の装置の光線がたどる経路を示しているダ
イヤグラムである。
イヤグラムである。
【図3】積分器-コリメータ・アセンブリの透視図であ
る。
る。
【図4】上から見た図1の装置の概略図である。
【図5】図4に対応した概略図であるが、側面から見た
ものである。
ものである。
【図6】変位手段を示している透視図である。
【図7】本発明の第2の態様での光ボックスの図であ
る。
る。
【図8】VIII-VIIIを介した図7の光ボックスの断面図で
ある。
ある。
【図9】IX-IXを介した図7の光ボックスの断面図であ
る。
る。
【図10】後ろから見た一組の5つの光ボックスの透視
図である。
図である。
【図11】前から見た図10の一組の5つの光ボックスの
透視図である。
透視図である。
【図12】校正手段の透視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アラン ソレール フランス, レ ボー サン クロア 27180, ガレール, アンパッス デ ブリュイエール 6 Fターム(参考) 2H097 AA03 CA12 GB04 LA10
Claims (30)
- 【請求項1】 特にプリント回路のパネルにおいて、パ
ネル(120)の少なくとも1つの面(118)を露光する装
置であって、前記装置は:フレーム上に少なくとも1つ
のアートワークと前記パネル(120)を保持する手段と; ・光学システムであって、光ビーム(I)を発する光源(11
2)と;前記光ビーム(I)を処理し、被露光表面(118)に対
して2°未満の平均入射角および平均値から±10%未満逸
れている照光均一度とを有する均一かつ平行な光ビーム
(III)を生成するプロセッサ手段と;被露光パネル(120)
の表面(118)で、前記均一かつ平行な光ビーム(III)を均
一かつ平行な光ストリップ(126)に変換可能にし、かつ
前記アートワークを含む、シェーパ手段(158, 160)とを
備え、前記均一かつ平行な光ストリップ(126)の長さ(L
126)は、被露光表面(118)の側部のうちの1つの長さ(l
118)以上であり、前記光ビーム(I)を処理する手段は、
反射器(116)と積分器-コリメータ・アセンブリ(151)と
を備える、光学システムと; ・前記光ストリップ(126)と、前記光ストリップ(126)の
縦方向(XIIXII')と実質的に交差する方向(YIIYII')で露
光される前記面(118)との間での相対変位を生成する変
位手段(121)と; ・前記光ストリップ(126)と前記被露光表面(118)間での
相対変位の速度を、光ストリップ(126)の照度および被
露光表面(118)の感度に適合させるマッチング手段と、
を備える装置。 - 【請求項2】 前記反射器(116)が第1の焦点(12
2')と第2の焦点(124')を提示する回転楕円体の一部
を備えることを特徴とする、前記請求項に記載の装置。 - 【請求項3】 前記積分器-コリメータ・アセンブリ(1
51)が: ・実質的に均一状に光を分布する第1の光プロセッサユ
ニット(150)と; ・対物焦点(156')を提示する第2の光プロセッサユニ
ット(156)であって、前記第2の光プロセッサユニッ
ト(156)は前記第1の光プロセッサユニット(150)の
後に配置され、光を平行にするよう設計される、第2の
光プロセッサユニット(156)と、を備えることを特徴
とする、前記請求項のどちらか一項に記載の装置。 - 【請求項4】 前記第1の光プロセッサユニット(15
0)が前記反射器(116)の第2の焦点(124')に配置さ
れ、前記第1の光プロセッサユニット(150)が、そこ
に入る前記光ビーム(I)を均一な出口光ビーム(II)に変
化させる役割を果たすことを特徴とする、請求項2およ
び3に記載の装置。 - 【請求項5】 前記第1の光プロセッサユニット(15
0)が前記第2の光プロセッサユニット(156)の対物焦
点(156')に配置され、第2のユニット(156)が、そ
こに入る前記均一な光ビーム(II)を均一かつ平行なビ
ーム(III)に変化させるのを可能にすることを特徴とす
る、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項6】 前記第1の光プロセッサユニット(15
0)は、30mm〜40mmの範囲にある曲率半径(R150)を有
する円筒状積分レンズ(150)であることを特徴とす
る、請求項3〜5のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項7】 前記第2の光プロセッサユニット(15
6)は、150mm〜200mmの範囲にある曲率半径(R156)を
有する球状コリメーターレンズ(156)であることを特
徴とする、請求項3〜6のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項8】 前記積分器-コリメータ・アセンブリ(15
1)は: ・前記第1の光ユニット(150)の近くに配置される第
1のマスク(152)と; ・前記第2の光ユニット(156)の近くに配置される第
2のマスク(154)と、を更に備えることを特徴とす
る、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項9】 前記光源(112)が前記反射器(116)の
第1の焦点(122')に配置されることを特徴とする、請
求項2記載の装置。 - 【請求項10】 少なくとも1つのダイクロイックミラ
ー(1171、1172、117 3)を更に含むことを特徴とする、
前記請求項のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項11】 前記シェーパ手段(158、160)が、前
記積分器-コリメータ・アセンブリ(151)からの出口で
連続して配置される第1のシェーパ光ユニット(158)
と第2のシェーパ光ユニット(160)を備えることを特
徴とする、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項12】 前記第1のシェーパ光ユニットは、凸
状で、第1の曲率半径(R158)を有する発散ミラー(15
8)であり、前記第2のシェーパ光ユニットは、凹状
で、第2の曲率半径(R160)を有する集束ミラー(16
0)であることを特徴とする、前記請求項のいずれか一
項に記載の装置。 - 【請求項13】 前記発散および集束ミラー(158、16
0)が間隔距離(d)で間隔をあけられ、前記均一かつ平
行な光ストリップ(126)の長さ(L126)が前記間隔距
離(d)と、前記発散および集束ミラー(158、160)の
曲率半径(R158, R160)の関数であることを特徴とする、
前記請求項のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項14】 前記変位手段が、被露光パネル(12
0)の面(118)の軸(XIIXII', YIIYII')によって画成
される平面において移動可能な平面鏡(164)を備える
ことを特徴とする、前記請求項のいずれか一項に記載の
装置。 - 【請求項15】 特にプリント回路のパネルにおいて、
パネル(120)の少なくとも1つの面(118)を露光する
装置であって、前記装置は: ・フレーム上に少なくとも1つのアートワークと前記パ
ネル(120)を保持する手段と; ・光学システムであって、光源(12)と、少なくとも第1
の焦点(24')を有する第1の放物線(24)と第2の焦点を
有する第2の放物線(22)とを備える反射器(16)とを含む
少なくとも一つの光ボックス(10)を備え;前記第1及び
第2の焦点は前記被露光表面(18)に向かう光の伝播軸(Z
IZI')に位置し;光源(12)は、前記第1の焦点(24')に配
置されて被露光パネル(20)の表面(18)で均一かつ平行な
光ストリップ(26)を生成し、かつ前記アートワークを含
み、光ストリップの平均入射角は15°未満であり;その
照光均一度は平均値に対して±10%未満のずれを示し;
前記光ストリップ(26)は前記被露光表面(18)の幅(l18)
以上の長さ(L26)である、光学システムと; ・前記光ストリップ(26)と、前記被露光表面(18)の長さ
方向(YIYI')で露光される前記面(18)との間での相対変
位を生成する変位手段であって、前記方向が前記光スト
リップ(26)の縦方向(XIXI')と実質的に交差する、変位
手段と; ・前記光ストリップ(26)と前記被露光面(18)間での相対
変位の速度を、光ストリップ(26)の照度および被露光表
面(18)の感度に適合させるマッチング手段と、を備える
装置。 - 【請求項16】 前記第1の放物線(24)が前記伝播軸
(ZIZI')を含む軸(YIYI', ZIZI')によって画成され
る第1の平面に位置し、前記第2の放物線(22)が前記
伝播軸(ZIZI')を含む軸(XIXI', ZIZI')によって画
成される第2の平面に位置し、前記第1の平面に実質的
に交差することを特徴とする、前記請求項のいずれか一
項に記載の装置。 - 【請求項17】 前記反射器(16)自体が2つの対称部分
(16A, 16B)を備えることを特徴とする、請求項15ま
たは16に記載の装置。 - 【請求項18】 前記反射器(16)がランプ(12)の変更が
容易になるよう中央開口部(16C)を更に含むことを特
徴とする、請求項15〜17のいずれか一項に記載の装
置。 - 【請求項19】 前記光学システムが、前記走査方向
(YIYI')に実質的に交差する方向(XIXI')に沿って一列
に並んでいる5つの光ボックス(10)を備えることを特徴
とする、請求項15〜18のいずれか一項に記載の装
置。 - 【請求項20】 前記光ボックス(10)の各々が光ストリ
ップの縦方向(XIXI')に沿って、他の光ボックスに対し
て移動可能であることを特徴とする、前記請求項のいず
れか一項に記載の装置。 - 【請求項21】 前記均一かつ平行な光ストリップ(2
6; 126)が100mm〜150mmの範囲にある高さ(H26;
H126)と、前記被露光表面(18; 118)の幅(l18,
l118)以上の長さ(L26; L126)の四辺形を形成するこ
とを特徴とする、前記請求項のいづれか一項に記載の装
置。 - 【請求項22】 前記光源(12; 112)が放電ランプ(1
2; 112)を備えることを特徴とする、前記請求項のいず
れか一項に記載の装置。 - 【請求項23】 前記光ストリップ(26; 126)が15°
以下の平均入射角を示すことを特徴とする、請求項1〜
21のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項24】 前記光ストリップ(26; 126)が2°以
下の平均入射角を示すことを特徴とする、請求項1〜2
1のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項25】 前記光源(12; 112)がミディアムア
ーク放電ランプ(12)を備えることを特徴とする、請求項
1〜23のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項26】 前記光源(12; 112)がショートアー
ク放電ランプ(112)を備えることを特徴とする、請求
項1〜23のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項27】 他の光源とは別々に各光源(12)を校正
する校正手段(38、40)を更に含むことを特徴とする、
前記請求項のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項28】 前記校正手段(38)が各光源(12)の前
で移動可能であることを特徴とする、請求項27記載の
装置。 - 【請求項29】 光束パワーを測定する光度測定センサ
ー(138)を更に含むことを特徴とする、前記請求項の
いずれか一項に記載の装置。 - 【請求項30】 マッチング手段はまた、前記光ストリ
ップ(26; 126)と前記被露光面(18; 118)の間の相対
変位の速度を露光中に変更可能であることを特徴とす
る、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
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US4987445A (en) * | 1989-10-13 | 1991-01-22 | Burgess Industries Inc. | Scanning light contact duplicating apparatus |
US4965621A (en) * | 1989-11-17 | 1990-10-23 | Eastman Kodak Company | Compact light collimator for a scanning contact printer |
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US5416683A (en) * | 1994-05-25 | 1995-05-16 | Kenall Manufacturing Co. | Drop dish lighting fixture with rectangular beam pattern |
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US6646279B2 (en) | 2003-11-11 |
CN1266546C (zh) | 2006-07-26 |
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TW594384B (en) | 2004-06-21 |
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EP1245998A3 (fr) | 2007-06-13 |
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EP1245998A2 (fr) | 2002-10-02 |
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