JP2002324761A5

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Publication number: JP2002324761A5
Application number: JP2002103772A
Authority: JP
Filing date: 2002-04-05
Publication date: 2005-09-15
Anticipated expiration: 2022-04-05

Claims

物体の面と相互作用する層形成性ないしは反応性粒子を含むガスを面に作用させて行う物体の面の処理ないしは被覆、例えば太陽電池のような半導体部品の基板表面の被覆のための方法において、物体の面を垂直線に対して角度αをなすように設定し、ガスが対流により該物体の面の底部区域から始まって、これに沿って流れるように、ガスを該面に導くことを特徴とする方法。
物体の面は、垂直線に対して角度αをなし、該角度αは０°≦α＜９０°、特に０°≦α≦６０°の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
ガスを物体の面に沿って層流として、又はおおむね層流として導くことを特徴とする請求項１に記載の方法。
物体の面が、物体の面と平行又はおおむね平行に延びる縦境界面、底面、頂面及び側面を有する、特に直方体状の室の境界面であり、ガスがこの室の頂面区域に導入され、縦側面及び底面に沿って導かれ、その際加熱されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
物体の面に直接沿って流れるガスの一部を室から排出し、残りの部分を室内で循環させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
物体の処理又は被覆される面の温度Ｔ₂より低い温度Ｔ₁でガスを室に導入することを特徴とする請求項４に記載の方法。
室から排出されるガスの一部が拡散帯の幅の３倍より小さい層厚を有することを特徴とする請求項４に記載の方法。
室から排出されるガスの一部が、物体の面と相互作用する粒子がある拡散帯の幅にほぼ等しい層厚を有することを特徴とする請求項４に記載の方法。
室の縦境界面を冷却することを特徴とする請求項４に記載の方法。
物体の面又は物体を赤外線放射器、マイクロ波により、又は誘導的に加熱することを特徴とする請求項１に記載の方法。
ガスが室内で、物体の処理又は被覆される面に沿って層状に又はおおむね層状に流れる対流循環の形で流れることを特徴とする請求項４に記載の方法。
ガスが重力に基づき縦境界面に沿って流れような温度で室の頂部区域に導入され、縦境界面区域ないしは室の底部区域で加熱され、次いで対流に基づき物体の面に沿って流れることを特徴とする請求項４に記載の方法。
炭化ケイ素ないしは窒化ケイ素含有層の析出のために、ガスとしてＣＨ₃ＳｉＣｌ₃とＨ₂ないしはＮＨ₃、又はＳｉＨ₂Ｃｌ₂、ＳｉＨＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄とＨ₂ないしはＮＨ₃のガス混合物が物体の面に沿って流れることを特徴とする請求項１に記載の方法。
シリコン層の析出のために、ＳｉＨＣｌ₃とＨ₂のガス混合物が物体の面に沿って層状に流れることを特徴とする請求項１に記載の方法。
好ましくはジボラン又は三塩化ホウ素又は三塩化アルミニウム又は塩化ガリウム又は塩化インジウムからなるドーピングガスを適当な配合率でガス混合物に添加することを特徴とする請求項１３又は１４に記載の方法。
ガラス基板の上にＣｕＩｎＧａＳｅ₂層を形成するために、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ層を析出し、これに沿ってＨ₂Ｓｅ含有ガスを導くことを特徴とする請求項１に記載の方法。
ガラス基板の上にＣｕＩｎＧａＳｅ₂層を形成するために、Ｃｕ、ｉｎ、Ｇａ層を形成し、これに沿ってＨ₂Ｓ含有ガスを導くことを特徴とする請求項１に記載の方法。
酸化スズ層を形成するために、四塩化スズ及びＨ₂Ｏを含むガス混合物をガラス基板の上に導くことを特徴とする請求項１に記載の方法。
酸化ケイ素層を形成するために、四塩化ケイ素及びＨ₂Ｏを含むガス混合物をガラス基板の上に導くことを特徴とする請求項１に記載の方法。
シリコン層に沿ってＰＯＣｌ₃含有ガスを導き、こうして形成された燐ガラス層を燐の拡散のために熱処理することを特徴とする請求項１に記載の方法。
物体の面又はその上に被着された層をこれに沿って流れるＨＣｌ含有ガスにより除去することを特徴とする請求項１に記載の方法。
物体の面又はその上に被着された層をこれに沿って流れるＨＦ又はＨＣｌ含有ガスにより除去することを特徴とする請求項１に記載の方法。
酸化ケイ素層をこれに沿って流れるＨＦ又はＨ₂Ｏ含有ガスにより除去することを特徴とする請求項１に記載の方法。
基板、例えばシリコン、セラミックス又は黒鉛の上にまずＳｉＣないしは窒化ケイ素含有層を基板温度９００℃ないし２０００℃、特に１２００℃ないし１６００℃でＣＶＤ（化学蒸着法）により析出し、こうして形成された層の上に周期律表ＩＩＩ族の元素をドープしたシリコン層（ｐ^＋）を被着し、続いてこれを融解して結晶させ、次に好ましくは０．１ｍｍないし１０ｍｍの範囲の結晶領域を有する層に感光性シリコン層をエピタキシャル成長により被着することを特徴とする、半導体積層システムの製造のための請求項１に記載の方法。
周期律表ＩＩＩ族の元素をドープしたシリコン層の融解の前に、その上に好ましくは厚さ０．１μｍないし５μｍ、特に１μｍないし２μｍの酸化ケイ素層を被着し、特に融解の後に帯域溶融法で再結晶したこのドープ処理シリコン層を、特に０．１−１０ｍｍの大きさの粒を有する多結晶構造の結晶核層の形成のために、ＨＦないしはＨ₂含有ガスでエッチングして除去することを特徴とする請求項２４に記載の方法。
被覆又は処理のために必要な粒子を含むガスを作用させて物体、例えば基板（４４）の面（２８）を被覆ないしは処理するために、頂面（２６）、底面（２４）、側面、被覆又は処理される該面及びこれと平行又はほぼ平行に延びる縦境界面（３０）により画定された室（１２）と、ガス入口及び出口（３２、３４）と、物体の面を加熱する少なくとも１個の熱源（５２、５４）とを具備する装置において、物体の面（２８）が、室（１２）の境界面であるとともに垂直線に対して角度αをなし、該角度αは、０°≦α＜９０°の範囲にあり、ガス入口及び出口（３２、３４）が室（１２）の頂部区域に配設され、ガスが室を貫流するときに対流により該面（２８）に沿って導かれることを特徴とする装置。
ガスが室（１２）の中で重力と対流によって導かれることを特徴とする請求項２６に記載の装置。
面（２８）に対して垂直なガス出口（３４）の寸法が、面と相互作用するガス粒子がある拡散帯の幅の３倍以下、特に拡散帯の幅の１倍以下であることを特徴とする請求項２６に記載の装置。
ガス出口（３４）が面（２８）のほぼ全幅にわたり、これと平行に延びていることを特徴とする請求項２６に記載の装置。
物体（２０）の面（２８）が室（１２）の開口部を密閉することを特徴とする請求項２６に記載の装置。
入口（３２）ないしは出口（３４）が、物体の面（２８）ないしはこの面と平行又はほぼ平行な縦境界壁（３０）に対して間隔をおいて延びる偏向部材（５６）によって、室（１２）から仕切られていることを特徴とする請求項２６に記載の装置。