JP2002317287A - 過酸化水素製造用電解槽及び過酸化水素製造方法 - Google Patents

過酸化水素製造用電解槽及び過酸化水素製造方法

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JP2002317287A
JP2002317287A JP2001120063A JP2001120063A JP2002317287A JP 2002317287 A JP2002317287 A JP 2002317287A JP 2001120063 A JP2001120063 A JP 2001120063A JP 2001120063 A JP2001120063 A JP 2001120063A JP 2002317287 A JP2002317287 A JP 2002317287A
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electrolytic cell
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Masaharu Uno
雅晴 宇野
Shuhei Wakita
修平 脇田
Masao Sekimoto
正生 関本
Tsuneto Furuta
常人 古田
Yoshinori Nishiki
善則 錦
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Permelec Electrode Ltd
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    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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    • C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • C25B1/01—Products
    • C25B1/28—Per-compounds
    • C25B1/30—Peroxides

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 陰極表面への金属析出を防止しかつ適度な電
流密度で過酸化水素を製造する電解槽及び電解方法を提
供する。 【解決手段】 多価金属イオン除去及び低濃度塩溶解装
置10により多価金属イオンを除去しかつ硫酸ナトリウム
等の１価の金属塩を所定濃度で溶解した原料水を電解槽
１に供給する。電解を継続しても電解液中に多価金属イ
オンが存在しないため、陰極への水酸化物や炭酸塩の析
出が殆どなく、溶解塩により十分な電流密度が確保され
て、電極等に過度の負担が掛からず、長期間に亘る安定
した過酸化水素製造が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、過酸化水素を高電
流効率で製造するための電解槽及び製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】産業及び生活廃棄物に起因する大気汚染
や、河川及び湖沼の水質悪化などによる環境や人体への
悪影響が憂慮され、その問題解決のための技術対策が急
務となっている。例えば飲料水、下水及び廃水の処理に
おいて、その脱色やＣＯＤ低減及び殺菌のために塩素な
どの薬剤が投入されてきたが、多量の塩素注入により危
険物質つまり環境ホルモン（外因性内分泌攪乱物質）、
発ガン性物質などが生成するため、塩素注入は禁止され
る傾向にある。又廃棄物の焼却処理では、燃焼条件に依
って廃ガス中に発ガン性物質（ダイオキシン類）が発生
し生態系に影響するため、その安全性が問題視されてい
る。この水処理関連の問題点を解決するために過酸化水
素を使用する新規な水処理方法が提案されている。
【０００３】過酸化水素はこのような水処理等の殺菌処
理に適した薬剤であり、過酸化水素は、水処理の他に食
品、医薬品、パルプ、繊維、半導体工業において不可欠
の基礎薬品として有用であり、特に今後の用途として電
子部品の洗浄や、医療機器、設備の殺菌処理などが注目
されている。従来から、海水を使用する発電所や工場で
は、生物付着を防止するために、海水を直接電解して次
亜塩素酸を生成させ、該次亜塩素酸を有効利用すること
が試みられている。しかし次亜塩素酸をそのまま放流す
ることは、次亜塩素酸自体、及び分解により生成する有
機塩素化合物や塩素ガスが有毒で環境保全上問題があ
り、その規制が強化されつつある。
【０００４】一方微量の過酸化水素を前記冷却水中に添
加すると、良好な生物付着防止効果があることが報告さ
れ、しかも過酸化水素は分解しても無害な水と酸素に変
換されるのみで環境衛生上の問題も生じない。しかしな
がら過酸化水素は不安定であり、長期間の保存が不可能
であるため、又輸送に伴う安全性、汚染対策の面から、
オンサイト型装置の需要が高まっている。そしてこのオ
ンサイトで過酸化水素を製造する手法として電解法が提
案されている。
【０００５】電解法はクリーンな電気エネルギーを利用
して所望の電気化学反応を起こすことができ、陰極表面
で化学反応を制御することにより、前述の過酸化水素を
製造でき、これを利用して被処理物質を分解することに
よる用水処理や廃水処理が従来から広く行われている。
電解法によるとオンサイトでの過酸化水素製造が可能に
なり、安定化剤なしに長期間の保存が不可能であるとい
う過酸化水素の欠点を解消し、かつ輸送に伴う危険性や
汚染対策も不要になる。酸素が存在する場合の水の電解
では酸素の還元反応が優先的に進行して過酸化水素が生
成する。電解液自体が洗浄や殺菌の対象である場合に
は、電解液が直接電極と接触して洗浄効果が上昇し、又
活性の高い１電子還元生成物であるスーパーオキシドア
ニオン（Ｏ2 -）基が生成して洗浄効果が向上することが
ある。
【０００６】電解による過酸化水素の製造に関しては、
Journal of Applied Electro-chemistry Vol.25, 613
〜(1995)に各種電解生成方法が比較して記載され、これ
らの方法ではいずれもアルカリ水溶液の雰囲気で過酸化
水素が効率良く得られるため、原料としてのアルカリ成
分を供給する必要があり、ＫＯＨやＮａＯＨなどのアル
カリ水溶液が必須となる。又過酸化水素による有機化合
物分解の例としてホルムアルデヒド分解がJournal of E
lectrochemical Society, Vol.140, 1632 〜(1993)に記
載されている。更にJournal of Electrochemical Socie
ty, Vol.141, 1174 〜(1994)には、純水を原料としイオ
ン交換膜を用いる電解でオゾンと過酸化水素をそれぞれ
陽極及び陰極で合成する手段が提案されているが、電流
効率が低く実用的でない。類似の方法を高圧下で行わせ
ることにより効率を増加させることも報告されている
が、安定性の面からやはり実用的でない。パラジウム箔
を使用する電解法も提案されているが、得られる過酸化
水素濃度が低くかつ価格も高いため、用途が限定されて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】水道水、井戸水、海水
等の多価金属イオンを多く含む処理対象水では、陰極表
面に水酸化物が沈殿して給電を阻害する等の弊害が生ず
ることがある。これを防ぐためには、電解槽に供給する
前の水道水等を電気透析や逆浸透膜で処理して前記多価
金属イオンを低減するか、電解槽本体を酸等で定期的に
洗浄して沈殿した析出物を除去する必要がある。電解質
濃度が軟水程度の原料水を使用して過酸化水素の電解製
造を行うと、電流密度が小さく大量の過酸化水素製造に
不向きで又電極に与える負荷が大きく電極が短寿命にな
っている。従って長期的に高い効率で過酸化水素を製造
できる実用的な電解槽が要請され、本発明はその要請に
応えようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、陽極と陰極を
収容した電解槽本体に、酸素含有ガス及び低濃度の塩を
溶解した原料水を供給しながら電解を行い、過酸化水素
を製造することを特徴とする過酸化水素製造用電解槽、
及び多価金属イオンを含有する原料水から該多価金属イ
オンを除去し、１価の金属イオンを含む低濃度塩の原料
水に変換し、該原料水及び酸素含有ガスを、隔膜により
陽極室及び陰極室に区画された電解槽本体の該陰極室に
供給しながら電解を行い、過酸化水素を製造することを
特徴とする方法である。
【０００９】以下本発明を詳細に説明する。本発明で
は、低濃度の塩が溶解した原料水を電解液として使用し
て過酸化水素の製造を行う。これにより電解液である原
料水が適度の濃度になり、十分な電流密度で電解により
過酸化水素を製造できるとともに、得られる過酸化水素
水中に残存しても悪影響を生じさせることが殆どなくな
る。酸素の陰極還元による過酸化水素の電解製造の陽極
反応及び陰極反応は次の通りである。 陽極反応：２Ｈ2Ｏ ＝ Ｏ2 ＋ ４Ｈ+ ＋ ４ｅ （1.23Ｖ） ３Ｈ2Ｏ ＝ Ｏ3 ＋ ６Ｈ+ ＋ ６ｅ （1.51Ｖ） ２Ｈ2Ｏ ＝ Ｈ2Ｏ2 ＋ ２Ｈ+ ＋ ２ｅ （1.78Ｖ） 陰極反応： Ｏ2 ＋ ２Ｈ+ ＋ ２ｅ ＝ Ｈ2Ｏ2 （1.23Ｖ）
【００１０】塩化物を添加すると下式の通り塩素ガスや
次亜塩素酸を生成する。 Ｃｌ- ＝Ｃｌ2 ＋ ２ｅ Ｃｌ2 ＋ Ｈ2Ｏ ＝ ＨＣｌ ＋ ＨＣｌＯ このように塩素ガスや次亜塩素酸のようなガス又は酸化
性物質が生成するとガス処理が必要になったり、陰極を
劣化させたりするという問題点が生じる。又塩化物を添
加した水を電解すると塩素ガスや次亜塩素酸以外に、更
に有毒なトリハロメタン（ＴＨＭ）を生成することがあ
る。
【００１１】これらを解消するためには、塩素ガスや次
亜塩素酸又はＴＨＭを生成させ難い電極例えば二酸化マ
ンガン系電極（例えば、ＭｎＯ2、Ｍｎ−Ｖ−Ｏｘ、Ｍ
ｎ−Ｍｏ−Ｏｘ及びＭｎ−Ｖ−Ｏｘ等）を陽極触媒とし
て使用すれば良く、該電極を使用することにより、塩化
物イオンが存在しても水の電解（酸素発生）が優先して
塩素ガスや次亜塩素酸の発生が抑制される。又は陽極室
に存在する陽極液中の塩化物イオンを最小限に抑える、
つまり１ｇ／リットル以下に維持しても良く、この濃度
で十分な導電性が得られない場合には他の金属塩を添加
しても良い。硫酸塩を添加すると条件に依っては過硫酸
が生成するが、過酸化水素生成には悪影響を及ぼさな
い。 ２ＳＯ4 2- ＝Ｓ2Ｏ8 2- 酢酸塩を添加すると電極材料に依っては酸素以外に二酸
化炭素を生成する。 ＣＨ3ＣＯＯＨ ＋ ２Ｈ2Ｏ ＝ ２ＣＯ2＋ ８Ｈ+
＋ ８ｅ
【００１２】一般的にこれらの塩の電解により生成する
酸化体の生成率は塩化物の酸化体の生成率と比較してか
なり小さいことが知られている。炭酸塩は原料水に伝導
度を付与するという点では望ましいが、アルカリ雰囲気
に置かれる陰極上に炭酸ナトリウム又は炭酸カリウム等
として沈殿するため、無隔膜電解や隔膜式電解の陰極液
に溶解させることは回避しなければならず、隔膜式電解
の陽極液中には好ましく溶解させることができる。本発
明で使用する原料水の種類は特に限定されず、水道水、
井戸水及び海水等が使用できる。これらの原料水はその
ままでは槽電圧に占める抵抗損失が無視できない。又伝
導度が小さいと電極反応有効面が限定されるため、前述
の通り塩を溶解して伝導度を上昇させる。溶解させる塩
としては硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、塩化ナトリウ
ム、塩化カリウム、酢酸ナトリウムなどがあり、溶解さ
せる濃度は0.001〜0.1Ｍが望ましい。溶解塩の濃度が0.
001Ｍ未満であると添加の効果があまり現れず電解電圧
が増加したり、電極寿命が長くならないことがある。0.
1Ｍを超えると塩のコストが高くなり過ぎ、処理後の処
理水中に残存する塩濃度が高くなって許容水質に支障が
生じる。
【００１３】水道水や井戸水等を軟水化させると塩化ナ
トリウムや塩化カリウムが微量溶解しているため次亜塩
素酸が生成し、上記問題の発生が懸念されるが、塩を前
記濃度で溶解させると、次亜塩素酸の生成量は著しく減
少する。原料水が多価金属イオンを多く含有すると、電
解を続けると陰極表面に水酸化物や炭酸塩が沈殿し反応
が阻害される恐れがある。これを防止するためには、前
記塩の溶解前に前記多価金属イオンを除去すれば良い。
本発明では、所要生成量に対応する原料水の全てを電解
槽の溶液室に供給する必要はない。つまり大量の過酸化
水素水を製造する際には、原料水の一部を分岐させて、
該分岐水中に塩を溶解し、該分岐水を電解して過酸化水
素を発生させて過酸化水素水とし、この分岐水を非分岐
水と混合して希釈すると所定濃度の過酸化水素水が得ら
れる。
【００１４】本発明で使用する電解槽は過酸化水素製造
用であれば特に限定されず、例えば次のような電解槽を
使用できる。使用する陽極は、不溶性陽極が好ましく、
前述の通り溶解させる塩の種類等に応じて二酸化マンガ
ン系電極を使用しても良い。不溶性陽極の陽極触媒とし
ては、イリジウム、白金、ルテニウムなどの貴金属又は
それらの酸化物と、チタン、タンタルなどの弁金属の酸
化物を含む複合酸化物が安定に使用でき、この他に酸化
鉛や酸化錫、カーボン等も使用できる。塩化物を使用す
る場合の触媒は、水の酸化反応である酸素発生反応が、
塩化物イオンの酸化による塩素ガスや次亜塩素酸の生成
より優先するように選択することが望ましい。二酸化マ
ンガンあるいはマンガン−バナジウム、マンガン−モリ
ブデン、マンガン−タングステン等の複合酸化物では、
塩化物イオンの放電（塩素ガス発生）が抑制されること
が知られており、これらのイオンを溶解した水溶液中に
チタン等の電極基体を浸漬し、該基体表面に前記陽極触
媒を１〜1000ｇ／ｍ2 となるように形成できる。これら
の触媒はそのまま板状で用いるか、チタン、ニオブ、タ
ンタルなどの耐蝕性を有する板、金網、粉末焼結体、金
属繊維焼結体上に、熱分解法、樹脂による固着法、複合
めっきなどにより、１〜500ｇ／ｍ2となるように形成さ
せる。陽極給電体としては、チタンなどの弁金属又はそ
の合金が使用できる。
【００１５】これらの高価な材料を使用しても電流を流
すと電流密度及び時間に応じて電極及び給電体が消耗す
る。黒鉛や非晶質カーボンの場合は特に消耗が激しい。
最近になって、水の分解反応には不活性で、酸化反応で
酸素以外にオゾン及び過酸化水素を生成できる電極とし
て導電性ダイヤモンド電極が提案され（Journal of the
Electrochemical Soc., Vol.１４５、2358-，(199
8)）、この導電性ダイヤモンド電極を本発明でも使用で
きる。過酸化水素やオゾンはより酸化力のあるＯＨラジ
カルの発生原料であり、導電性ダイヤモンド電極を使用
すると過酸化水素やオゾンの生成を経てラジカルが発生
する。使用する陰極は酸素ガス拡散陰極とすることが好
ましく、酸素ガスの還元により効率的に過酸化水素を製
造する。該酸素ガス電極は、触媒として金等の金属ある
いは金属酸化物、又は黒鉛や導電性ダイヤモンド等のカ
ーボンを使用することが好ましく、ポリアニリンやチオ
ール（−ＳＨ含有有機化合物）などの有機材料をその表
面に塗布したものでも良い。これらの触媒はそのまま板
状又は多孔状として用いるか、ステンレス、ジルコニウ
ム、銀、カーボンなどの耐食性を有する板、金網、粉末
焼結体、金属繊維焼結体上に、熱分解法、樹脂による固
着法、複合メッキなどにより１〜1000ｇ／ｍ2 となるよ
うに担持する。更に疎水性のシートを陽極の反対側の陰
極裏面に形成すると反応面へのガス供給が制御できて効
果的である。
【００１６】陰極給電体としては、カーボン、ニッケ
ル、ステンレス、チタンなどの金属、その合金や酸化物
を好ましくは多孔体又はシートとして使用し、反応生成
ガス及び電解水の供給及び取り出しを円滑に行うため
に、疎水性又は親水性の材料を給電体表面に分散担持す
ることが望ましい。塩溶解によっても陰極液の電導度が
低いままであると槽電圧の増加となり又電極寿命を短く
するため、この場合にはガス電極の材料による汚染を防
止する目的も含めて、酸素ガス拡散陰極をイオン交換膜
に可能な限り近接させる（溶液室の幅を狭くする）構造
を採用することが望ましい。陰極への酸素供給量は理論
量の１〜２倍程度が良く、酸素源として空気や市販のボ
ンベを使用しても、別に設置した電解槽での水電解で生
成する酸素を使用しても、又ＰＳＡ（Pressure Swing A
dsorption）装置により空気から濃縮した酸素を使用し
ても良い。一般に酸素濃度が大きいほど、大きい電流密
度で過酸化水素を製造できる。
【００１７】陽極室と陰極室を区画する隔膜の使用によ
り、電極反応で生成する活性物質を対極に接触させるこ
となく安定に保持でき、更に電解水の電導度が低い場合
でも電解を速やかに進行させることができる。隔膜とし
ては中性隔膜やイオン交換膜の使用が可能で、特に塩化
物イオンを使用する場合には陽極における該塩化物イオ
ンの酸化により生じる次亜塩素酸イオン等が陰極に接触
することを防止するために陽イオン交換膜の使用が好ま
しい。隔膜の材質としてはフッ素樹脂系及び炭化水素系
があり、耐食性の面から前者の使用が望ましい。固体の
イオン交換能を有する多孔性材料として、市販のイオン
交換樹脂粒子が利用でき、炭化水素系樹脂としてスチレ
ン系、アクリル系、芳香族系等があるが、耐蝕性の面か
らフッ素樹脂製材料の使用が好ましい。又適当な多孔性
支持部材にイオン交換能を有する成分を形成することも
可能である。材料の空隙率は、液の均一な分散と抵抗率
を考慮して20〜90％とすることが望ましい。孔あるいは
材料粒子のサイズは0.1〜１０mmが好ましい。
【００１８】電解条件は、液温５〜60℃、電流密度0.1
〜100 A/dm2 が好ましく、電極間距離は抵抗損失を低下
させるために小さくすべきであるが、電解液供給のため
のポンプの圧力損失を小さくし圧力分布を均一に保つた
めに１〜50mmとすることが好ましい。電解槽材料は、耐
久性、及び過酸化水素の安定性の観点から、ガラスライ
ニング材料、カーボン、耐食性が優れたチタンやステン
レス、ＰＴＦＥ樹脂等を使用することが好ましい。生成
する過酸化水素の濃度は水量と電流密度を調節すること
により、10〜10000 ppm （１重量％）までの制御が可能
である。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明による過酸化水素水の製造
方法に使用できる好ましい電解槽の実施形態例を図１に
基づいて詳細に説明する。図１は、本発明方法による過
酸化水素水の製造に適した電解槽の一実施態様例を示す
縦断面図である。電解槽１は、陽イオン交換膜２によ
り、該イオン交換膜２に密着した多孔板状の陽極３を有
する陽極室４と、酸素ガス拡散陰極５を有する陰極室に
区画された２室型電解槽であり、酸素ガス拡散陰極５に
より陰極室がイオン交換膜側の溶液室６と反対側のガス
室７に区画されている。
【００２０】酸素ガス拡散陰極５にはその背面に密着し
た多孔性給電体８により給電され、かつ背面側に設置さ
れた酸素含有ガス供給管９から酸素含有ガスが供給され
る。前記溶液室６底面には、上流側に多価金属イオン除
去及び低濃度塩溶解装置10を有する陰極液供給管11が接
続され、該装置10により、水道水中のマグネシウムやカ
ルシウム等の多価金属イオンを除去し、かつ硫酸ナトリ
ウム等の低濃度の１価の金属塩を溶解した水溶液を、前
記陰極液供給管11を通して前記溶液室６に供給する。
【００２１】前記酸素含有ガス供給管９を通して供給さ
れた酸素含有ガスは前記酸素ガス拡散陰極５を透過し、
その間に一部が電極触媒により還元されて過酸化水素に
変換されて溶液室６に達して電解液に溶解して過酸化水
素水として電解槽から取り出される。このような過酸化
水素の電解方法では、陰極室６中の陰極液は低濃度の１
価の金属塩を電解に必要な通電量が確保される程度に有
するため、適切な電流密度で水電解により過酸化水素が
生成し、該過酸化水素が溶解した過酸化水素水が陰極室
から取り出される。しかも金属塩がナトリウムやカリウ
ム等の１価の金属塩であるため、電解運転中に陰極表面
に水酸化物として析出することがなく、通電を停止せず
に過酸化水素を継続して製造できる。
【００２２】
【実施例】次に本発明による過酸化水素水の製造の実施
例を記載するが、該実施例は本発明を限定するものでは
ない。
【００２３】実施例１ チタン多孔板に酸化イリジウム触媒を熱分解法により10
ｇ／ｍ2 となるように担持させ陽極とした。黒鉛粉末
（東海カーボン株式会社製、ＴＧＰ−２）をＰＴＦＥ樹
脂とを混練し、330℃で焼成した0.5mm厚のシートを酸素
ガス拡散陰極とし、この酸素ガス拡散陰極を、厚さ５mm
の多孔性黒鉛板から成る陰極給電体と一体化した。前記
陽極を、イオン交換膜（デュポン社製ナフィオン117 ）
に密着させ、かつ電極間距離を距離を３mmとなるように
前記給電体付き酸素ガス拡散陰極を配置し、高さ25cm、
電解有効面積が125cm2である図1に示す電解槽を組み立
てた。
【００２４】他方水道水をイオン交換膜を使用して軟水
化し、0.003Ｍの硫酸ナトリウムを溶解して伝導度が１
ｍS/cmの極室供給液とした。この供給液を陽極室及び溶
液室に10ml／分で供給し、かつガス室に空気を500ml／
分で供給しながら、温度25℃で6.3Ａの電流を流したと
ころ、槽電圧は14Ｖであり、溶液室出口で約5000ppmの
過酸化水素が溶解した過酸化水素水が約80％の電流効率
で得られた。この電解過酸化水素製造を6000時間継続し
たところ、電流効率は約75％に、過酸化水素濃度は約47
00ppmに減少したが、依然として運転を継続できた。
【００２５】実施例２ イオン交換膜を使用しなかったこと以外は実施例１と同
様の条件で電解槽を組立て、実施例１で調製した硫酸ナ
トリウムを溶解した水溶液を電解槽（実施例１の陽極室
と溶液室に相当する部分）に20ml／分で供給しながら、
温度25℃で6.3Ａの電流を流したところ、槽電圧は12Ｖ
であり、電解槽出口で約2500ppmの過酸化水素が溶解し
た過酸化水素水が約40％の電流効率で得られた。この電
解過酸化水素製造を6000時間継続したところ、電流効率
は約30％に、過酸化水素濃度は約2000ppmに減少した
が、依然として運転を継続できた。
【００２６】実施例３ 陽極として二酸化マンガン電極を使用したこと以外は実
施例１と同様の条件で電解槽を組立てた。水道水をイオ
ン交換膜を使用して軟水化し、0.007Ｍの塩化ナトリウ
ムを溶解して伝導度が約１ｍS/cmの極室供給液とした。
この供給液を陽極室及び溶液室に10ml／分で供給し、か
つガス室に空気を500ml／分で供給しながら、温度25℃
で6.3Ａの電流を流したところ、槽電圧は12Ｖであり、
溶液室出口で約5000ppmの過酸化水素が溶解した過酸化
水素水が約80％の電流効率で得られた。陽極室では次亜
塩素イオンなどの有効塩素化合物が電流効率0.05％で生
成した。この電解過酸化水素製造を3000時間継続したと
ころ、電流効率は約60％に、過酸化水素濃度は約4400pp
mに減少したが、依然として運転を継続できた。
【００２７】実施例４ 実施例１の隔膜であるデュポン社製ナフィオン117 を、
厚さ0.3mmのユミクロン（株式会社ユアサコーポレーシ
ョン製）に代えたこと以外は実施例１と同様の条件で電
解槽を組立て、6.3Ａの電流を流して電解を行ったとこ
ろ、槽電圧は13Ｖであり、溶液室出口で約5000ppmの過
酸化水素が溶解した過酸化水素水が約80％の電流効率で
得られた。この電解過酸化水素製造を6000時間継続した
ところ、電流効率は約70％に、過酸化水素濃度は約4400
ppmに減少したが、依然として運転を継続できた。
【００２８】実施例５ 実施例３で使用した0.007Ｍの塩化ナトリウムを溶解し
た供給液を陽極室及び溶液室に10ml／分で供給したこと
以外は実施例１と同様の条件で電解槽（陽極が酸化イリ
ジウム被覆チタン板）を組立て、6.3Ａの電流を流して
電解を行ったところ、初期の槽電圧は14Ｖであり、溶液
室出口で約5000ppmの過酸化水素が溶解した過酸化水素
水が約80％の電流効率で得られた。陽極室では次亜塩素
イオンなどの有効塩素化合物が電流効率約５％で生成し
た。この電解過酸化水素製造を500時間継続したとこ
ろ、槽電圧は16Ｖに増大し、電流効率は約60％に、過酸
化水素濃度は約3800ppmに減少したが、電解は継続でき
た。
【００２９】比較例１ 水道水をイオン交換膜を使用して軟水化したのみで塩を
加えなかった極室供給液（塩化ナトリウム濃度が0.0007
Ｍ相当、伝導度は約0.1ｍＳ／cm）を使用したこと以外
は実施例１と同様の条件で電解槽を組立て、6.3Ａの電
流を流して電解を行ったところ、初期の槽電圧は50Ｖで
あり、溶液室出口で約1000ppmの過酸化水素が溶解した
過酸化水素水が約20％の電流効率で得られたが、直ちに
電解が継続できなくなった。電解槽を解体したところ、
電極の一部が消耗し劣化していた。
【００３０】
【発明の効果】本発明方法は、陽極と陰極を収容した電
解槽本体に、酸素含有ガス及び低濃度の塩を溶解した原
料水を供給しながら電解を行い、過酸化水素を製造する
ことを特徴とする過酸化水素製造用電解槽である。塩溶
解により電解液である原料水が適度の濃度になり、十分
な電流密度で電解により過酸化水素を製造できるととも
に、得られる過酸化水素水中に残存しても悪影響を生じ
させることが殆どなくなる。好ましい塩濃度は0.001Ｍ
〜0.1Ｍである。塩が、塩化物、硫酸塩、硝酸及び酢酸
塩から選択される少なくとも１種の１価の金属塩である
ことが望ましく、塩化物を使用する場合には、陰極が塩
化物の電解酸化抑制触媒を有するように電解槽の設計を
行うことが望ましい。
【００３１】酸素含有ガスとしては空気を用いることが
安価で好ましいが、空気中の二酸化炭素が陰極表面への
炭酸塩の析出を促進する場合は予め二酸化炭素を除去す
ることが好ましい。電解槽本体が隔膜により、陽極室と
陰極室に区画しておくと、生成する過酸化水素が陽極に
接触して分解することや陽極室側の塩化物イオンによる
陰極の劣化等が防止できる。原料水中に多価金属イオン
を含有する場合は、該多価金属イオンを除去した後に、
１価の金属塩を原料水に溶解すると、電解対象の電解液
に多価金属イオンが混入することがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法で使用できる電解槽を例示する縦断
面図。
【符号の説明】
１ 電解槽 ２ 陽イオン交換膜 ３ 陽極 ４ 陽極室 ５ 酸素ガス電極 ６ 溶液室 ７ ガス室 ８ 陰極給電体 ９ 酸素含有ガス供給管 10 多価金属イオン除去及び低濃度塩溶解装置 11 陰極液供給管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古田 常人 神奈川県県藤沢市遠藤733−２ (72)発明者 錦 善則 神奈川県藤沢市遠藤2023番15 ペルメレッ ク電極株式会社内 Ｆターム(参考） 4K021 AA01 AA09 AB15 BA02 BA17 BB03 BB05 BC01 DB12 DB13 DB16 DB18 DB22 DB31 DB34 DB40

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 陽極と陰極を収容した電解槽本体に、酸
    素含有ガス及び低濃度の塩を溶解した原料水を供給しな
    がら電解を行い、過酸化水素を製造することを特徴とす
    る過酸化水素製造用電解槽。
  2. 【請求項２】 塩が、塩化物、硫酸塩、硝酸及び酢酸塩
    から選択される少なくとも１種の１価の金属塩である請
    求項１に記載の過酸化水素製造用電解槽。
  3. 【請求項３】 塩が塩化物であり、陰極が塩化物の電解
    酸化抑制触媒を有する請求項２に記載の過酸化水素製造
    用電解槽。
  4. 【請求項４】 塩濃度が、0.001Ｍ〜0.1Ｍである請求項
    １に記載の過酸化水素製造用電解槽。
  5. 【請求項５】 酸素含有ガスが空気である請求項１に記
    載の過酸化水素製造用電解槽。
  6. 【請求項６】 電解槽本体が隔膜により、陽極室と陰極
    室に区画されている請求項１に記載の過酸化水素製造用
    電解槽。
  7. 【請求項７】 多価金属イオンを含有する原料水から該
    多価金属イオンを除去し、１価の金属イオンを含む低濃
    度塩の原料水に変換し、該原料水及び酸素含有ガスを、
    隔膜により陽極室及び陰極室に区画された電解槽本体の
    該陰極室に供給しながら電解を行い、過酸化水素を製造
    することを特徴とする方法。
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DE10216860A DE10216860B4 (de) 2001-04-18 2002-04-16 Elektrolysevorrichtung für die Herstellung von Wasserstoffperoxid und Verfahren zur Herstellung von Wasserstoffperoxid
US10/123,114 US6767447B2 (en) 2001-04-18 2002-04-17 Electrolytic cell for hydrogen peroxide production and process for producing hydrogen peroxide

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DE (1) DE10216860B4 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006077319A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Koji Hashimoto 酸素発生型電極及びその製造方法
JP2012505961A (ja) * 2008-10-15 2012-03-08 ザ ユニバーシティー オブ クイーンズランド 過酸化水素の製造
JP2012086167A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Toshiba Corp 過酸化水素水の生成装置および除菌システム
JP2014084497A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Fudauchi Kogyo Co Ltd 電解脱脂方法及び電解脱脂装置
KR20210158059A (ko) * 2020-06-23 2021-12-30 울산과학기술원 2 전자 산소환원반응을 이용한 과산화수소 발생장치

Families Citing this family (276)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004026447B4 (de) * 2004-05-29 2009-09-10 Verein für Kernverfahrenstechnik und Analytik Rossendorf e.V. Verfahren und Vorrichtung zur Abtrennung von Sulfationen aus Wässern und zur Einbringung von Pufferkapazität in Wässer
DE102004047532B3 (de) * 2004-09-30 2006-01-26 Basf Coatings Ag Beschichtungsanlage, umfassend mindestens eine Vorbehandlungsanlage
US7897294B2 (en) * 2004-11-08 2011-03-01 Quantumsphere, Inc. Nano-material catalyst device
GB2437079A (en) * 2006-04-11 2007-10-17 Dyson Technology Ltd Hydrogen peroxide production apparatus
GB2437956A (en) * 2006-04-11 2007-11-14 Dyson Technology Ltd Production of hydrogen peroxide
GB2437957A (en) * 2006-04-11 2007-11-14 Dyson Technology Ltd An electrolytic cell for the production of hydrogen peroxide
ITMI20061800A1 (it) * 2006-09-22 2008-03-23 Industrie De Nora Spa Metodo per la produzione elettrochimica di acqua ossigenata
US7754064B2 (en) * 2006-09-29 2010-07-13 Eltron Research & Development Methods and apparatus for the on-site production of hydrogen peroxide
EP2305610B1 (en) * 2008-07-31 2021-03-24 Mitsubishi Electric Corporation Sterilizing/antibacterializing device
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8459275B2 (en) 2009-09-23 2013-06-11 Ecolab Usa Inc. In-situ cleaning system
KR20110109351A (ko) * 2010-03-31 2011-10-06 엘지전자 주식회사 산소발생기
DE102010042015A1 (de) 2010-06-08 2011-12-08 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Federeinrichtung an einer schwenkbaren Klappe eines Kraftfahrzeugs
US8603392B2 (en) * 2010-12-21 2013-12-10 Ecolab Usa Inc. Electrolyzed water system
US8557178B2 (en) * 2010-12-21 2013-10-15 Ecolab Usa Inc. Corrosion inhibition of hypochlorite solutions in saturated wipes
US8937037B2 (en) 2011-03-02 2015-01-20 Ecolab Usa Inc. Electrochemical enhancement of detergent alkalinity
US9551076B2 (en) * 2011-05-31 2017-01-24 Clean Chemistry, Inc. Electrochemical reactor and process
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
EP2600070B1 (en) * 2011-12-02 2015-05-27 Mitsubishi Electric Corporation Scale inhibiting device, water heater and water consumptive apparatus
CN102603618B (zh) * 2012-01-20 2013-09-25 山东师范大学 一种联苯类化合物及其合成方法和应用
WO2013138845A1 (en) 2012-03-22 2013-09-26 Monash University Process and catalyst-electrolyte combination for electrolysis
AU2012382382A1 (en) 2012-06-12 2015-01-15 Aquahydrex Pty Ltd Breathable electrode and method for use in water splitting
CA2900460C (en) * 2012-09-07 2021-08-31 Clean Chemistry, Llc Systems and methods for generation of reactive oxygen species and applications thereof
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
MX2016001378A (es) 2013-07-31 2016-08-18 Aquahydrex Pty Ltd Celdas electroquimicas modulares.
WO2015095664A2 (en) 2013-12-20 2015-06-25 Greene Lyon Group, Inc. Method and apparatus for recovery of noble metals, including recovery of noble metals from plated and/or filled scrap
GB2523154B (en) 2014-02-14 2016-04-27 Cambridge Entpr Ltd Method of producing graphene
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
WO2016037149A1 (en) 2014-09-04 2016-03-10 Clean Chemistry, Inc. Method of water treatment utilizing a peracetate oxidant solution
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
WO2016154531A1 (en) 2015-03-26 2016-09-29 Clean Chemistry, Inc. Systems and methods of reducing a bacteria population in high hydrogen sulfide water
EP3353332B1 (en) 2015-06-24 2024-05-15 Greene Lyon Group, Inc. Selective removal of noble metals using acidic fluids, including fluids containing nitrate ions
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
EP3431672A1 (en) 2015-08-24 2019-01-23 Kohler Co. Toilet with dispenser
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10883224B2 (en) 2015-12-07 2021-01-05 Clean Chemistry, Inc. Methods of pulp fiber treatment
CA3007778C (en) 2015-12-07 2023-09-26 Clean Chemistry, Inc. Methods of microbial control
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
CN105671597B (zh) * 2016-02-04 2018-06-22 周勇 一种湍流电解槽、由湍流电解槽构成的湍流电解生产***
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US11136714B2 (en) 2016-07-25 2021-10-05 Clean Chemistry, Inc. Methods of optical brightening agent removal
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11001864B1 (en) 2017-09-07 2021-05-11 Clean Chemistry, Inc. Bacterial control in fermentation systems
US11311012B1 (en) 2017-09-07 2022-04-26 Clean Chemistry, Inc. Bacterial control in fermentation systems
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN113677829A (zh) 2019-02-01 2021-11-19 阿酷海德里克斯公司 具有限制电解质的电化学***
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN110306203B (zh) * 2019-07-09 2021-08-06 郑州大学 一种阴极产生过氧化氢同时阳极处理有机废水的电化学装置和方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
WO2021160759A1 (en) * 2020-02-11 2021-08-19 Hpnow Aps Electrochemical cell for the synthesis of hydrogen peroxide
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
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TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
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TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
WO2022152952A1 (es) * 2021-01-18 2022-07-21 Suarez Izquierdo Juan Carmelo Instalación para el tratamiento de líquidos por ósmosis
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
CN113699542A (zh) * 2021-08-05 2021-11-26 苏州清缘环保科技有限公司 H2o2的连续电化学合成***
CN113699541A (zh) * 2021-08-05 2021-11-26 苏州清缘环保科技有限公司 H2o2的连续电化学合成方法
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE179765T1 (de) * 1993-02-26 1999-05-15 Permelec Electrode Ltd Elektrolysezelle und verfahren zur herstellung von alkalimetall-hydroxid und wasserstoff-peroxyd
US5565073A (en) * 1994-07-15 1996-10-15 Fraser; Mark E. Electrochemical peroxide generator
JPH1157720A (ja) * 1996-11-07 1999-03-02 Honda Motor Co Ltd 電解機能水、その製造方法及び製造装置
JP3913923B2 (ja) * 1999-03-15 2007-05-09 ペルメレック電極株式会社 水処理方法及び水処理用装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006077319A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Koji Hashimoto 酸素発生型電極及びその製造方法
JP2012505961A (ja) * 2008-10-15 2012-03-08 ザ ユニバーシティー オブ クイーンズランド 過酸化水素の製造
JP2012086167A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Toshiba Corp 過酸化水素水の生成装置および除菌システム
JP2014084497A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Fudauchi Kogyo Co Ltd 電解脱脂方法及び電解脱脂装置
KR20210158059A (ko) * 2020-06-23 2021-12-30 울산과학기술원 2 전자 산소환원반응을 이용한 과산화수소 발생장치
KR102375655B1 (ko) 2020-06-23 2022-03-18 울산과학기술원 2 전자 산소환원반응을 이용한 과산화수소 발생장치

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