JP2002302762A - Ｉｔｏスパッタリングターゲット - Google Patents
ＩｔｏスパッタリングターゲットInfo
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
- C04B35/457—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates based on tin oxides or stannates
-
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- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
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- Structural Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ターゲットの積算使用時間の増加に伴っ
てエロージョン部に発生するノジュール起因のパーティ
クルおよび非エロージョン部に堆積する黄色粉末起因の
パーティクルの発生量を低減したＩＴＯターゲットを提
供する。 【解決手段】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなるＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて、非エ
ロージョン部の厚さをエロージョン部の厚さよりも薄く
してエロージョン部を突出させると共に、エロージョン
部を含む平面と非エロージョン部を含む平面とを鈍角な
斜面で結んだ形状とし、エロージョン部の表面粗さ（Ｒ
ａ）を０．１μｍ以下、非エロージョン部およびエロー
ジョン部と非エロージョン部とを結んだ斜面部のＲａを
１．０μｍ以上とする。
てエロージョン部に発生するノジュール起因のパーティ
クルおよび非エロージョン部に堆積する黄色粉末起因の
パーティクルの発生量を低減したＩＴＯターゲットを提
供する。 【解決手段】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなるＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて、非エ
ロージョン部の厚さをエロージョン部の厚さよりも薄く
してエロージョン部を突出させると共に、エロージョン
部を含む平面と非エロージョン部を含む平面とを鈍角な
斜面で結んだ形状とし、エロージョン部の表面粗さ（Ｒ
ａ）を０．１μｍ以下、非エロージョン部およびエロー
ジョン部と非エロージョン部とを結んだ斜面部のＲａを
１．０μｍ以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電性薄膜製
造の際に使用されるＩＴＯスパッタリングターゲットに
関するものである。
造の際に使用されるＩＴＯスパッタリングターゲットに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）薄膜の製造方法は、スプレー熱
分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム蒸着
法、スパッタリング法等の物理的成膜法に大別すること
ができる。なかでもＩＴＯターゲットを用いたスパッタ
リング法は、大面積化が容易で、得られる膜の抵抗値お
よび透過率の経時変化が少なく、また、成膜条件のコン
トロールが容易であるため、様々な分野で使用されてい
る。
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）薄膜の製造方法は、スプレー熱
分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム蒸着
法、スパッタリング法等の物理的成膜法に大別すること
ができる。なかでもＩＴＯターゲットを用いたスパッタ
リング法は、大面積化が容易で、得られる膜の抵抗値お
よび透過率の経時変化が少なく、また、成膜条件のコン
トロールが容易であるため、様々な分野で使用されてい
る。
【０００３】特に、スパッタリングターゲットの背後に
磁石を配置し、ターゲット表面に磁界を存在させること
によりプラズマを収束させるようにしたＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法は、製膜速度が高いという特徴を有
するため量産装置で多く採用されている。
磁石を配置し、ターゲット表面に磁界を存在させること
によりプラズマを収束させるようにしたＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法は、製膜速度が高いという特徴を有
するため量産装置で多く採用されている。
【０００４】このようなＩＴＯ薄膜は、高導電性、高透
過率といった特徴を有し、更に微細加工も容易に行える
ことから、フラットパネルディスプレイ用表示電極、太
陽電池用窓材、帯電防止膜等の広範囲な分野に渡って用
いられている。特に液晶表示装置を始めとしたフラット
パネルディスプレイ分野では近年大型化および高精細化
が進んでおり、その表示用電極であるＩＴＯ薄膜に対し
て低パーティクル化の要求が高まっている。
過率といった特徴を有し、更に微細加工も容易に行える
ことから、フラットパネルディスプレイ用表示電極、太
陽電池用窓材、帯電防止膜等の広範囲な分野に渡って用
いられている。特に液晶表示装置を始めとしたフラット
パネルディスプレイ分野では近年大型化および高精細化
が進んでおり、その表示用電極であるＩＴＯ薄膜に対し
て低パーティクル化の要求が高まっている。
【０００５】パーティクルの発生原因としては、エロー
ジョン部に形成されるノジュール起因のものと、ターゲ
ットの非エロージョン部分に堆積する黄色粉末とに起因
するものが挙げられる。
ジョン部に形成されるノジュール起因のものと、ターゲ
ットの非エロージョン部分に堆積する黄色粉末とに起因
するものが挙げられる。
【０００６】ノジュールとは、ＩＴＯターゲットをアル
ゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気中で連続してス
パッタリングした場合、積算スパッタリング時間の増加
と共にターゲット表面発生する黒色の付着物である。イ
ンジウムの低級酸化物と考えられているこの黒色の付着
物は、ターゲットのエロージョン部に析出するため、ス
パッタリング時の異常放電の原因となりやすく、またそ
れ自身が異物（パーティクル）の発生源となることが知
られている。
ゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気中で連続してス
パッタリングした場合、積算スパッタリング時間の増加
と共にターゲット表面発生する黒色の付着物である。イ
ンジウムの低級酸化物と考えられているこの黒色の付着
物は、ターゲットのエロージョン部に析出するため、ス
パッタリング時の異常放電の原因となりやすく、またそ
れ自身が異物（パーティクル）の発生源となることが知
られている。
【０００７】一方、ターゲット表面の非エロージョン部
に堆積する黄色の粉末は、スパッタリング時間の増加に
ともなって堆積量が増加し、ある程度以上の厚さに達す
るとターゲット表面より剥がれ、真空中を浮遊し基板表
面に付着するようになる。この黄色粉末は、エロージョ
ン部より叩き出されたターゲット物質が、対向する基板
に到達する前に、真空チャンバー内のガス粒子（アルゴ
ン、酸素等）と衝突することによって向きを変え、ター
ゲット表面の非エロージョン部に堆積すると考えられて
いる。この黄色粉末が基板に付着すると、液晶表示装置
などの表示品位を低下させ、不良の原因となり、製品の
製造歩留まりを著しく低下させる。
に堆積する黄色の粉末は、スパッタリング時間の増加に
ともなって堆積量が増加し、ある程度以上の厚さに達す
るとターゲット表面より剥がれ、真空中を浮遊し基板表
面に付着するようになる。この黄色粉末は、エロージョ
ン部より叩き出されたターゲット物質が、対向する基板
に到達する前に、真空チャンバー内のガス粒子（アルゴ
ン、酸素等）と衝突することによって向きを変え、ター
ゲット表面の非エロージョン部に堆積すると考えられて
いる。この黄色粉末が基板に付着すると、液晶表示装置
などの表示品位を低下させ、不良の原因となり、製品の
製造歩留まりを著しく低下させる。
【０００８】ノジュール起因のパーティクルを低減させ
る手段としては、例えば、特開平０５−１４８６３５号
公報には、ターゲットの密度とバルク抵抗率を一定範囲
内に収めるとともに被スパッタリング面の表面粗さ（Ｒ
ａ）を０．５μｍ以下にする方法が報告されている。し
かしながら、これらの方法は、ノジュール起因のパーテ
ィクル低減の効果はあったものの、黄色粉末起因のパー
ティクル低減に対しては、効果がなかった。
る手段としては、例えば、特開平０５−１４８６３５号
公報には、ターゲットの密度とバルク抵抗率を一定範囲
内に収めるとともに被スパッタリング面の表面粗さ（Ｒ
ａ）を０．５μｍ以下にする方法が報告されている。し
かしながら、これらの方法は、ノジュール起因のパーテ
ィクル低減の効果はあったものの、黄色粉末起因のパー
ティクル低減に対しては、効果がなかった。
【０００９】一方、黄色粉末起因のパーティクルを低減
させる手段としては、例えば、実開昭６０−１９３３６
４号公報のように、ターゲット表面を粗くして黄色粉末
の付着強度を高める方法が報告されている。しかし、こ
の場合、黄色粉末起因のパーティクル低減の効果はあっ
たものの、ノジュール起因のパーティクルに対しては、
効果が無かった。
させる手段としては、例えば、実開昭６０−１９３３６
４号公報のように、ターゲット表面を粗くして黄色粉末
の付着強度を高める方法が報告されている。しかし、こ
の場合、黄色粉末起因のパーティクル低減の効果はあっ
たものの、ノジュール起因のパーティクルに対しては、
効果が無かった。
【００１０】このようなことから、ノジュールと黄色粉
末の双方を起因とするパーティクルを同時に低減できる
ような新規ＩＴＯターゲットの開発が望まれていた。
末の双方を起因とするパーティクルを同時に低減できる
ような新規ＩＴＯターゲットの開発が望まれていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ＩＴ
Ｏターゲットの積算使用時間の増加に伴いエロージョン
部に発生するノジュールに起因するパーティクルおよび
非エロージョン部に堆積する黄色粉末に起因するパーテ
ィクルの発生量を低減することができるＩＴＯスパッタ
リングターゲットを提供することにある。
Ｏターゲットの積算使用時間の増加に伴いエロージョン
部に発生するノジュールに起因するパーティクルおよび
非エロージョン部に堆積する黄色粉末に起因するパーテ
ィクルの発生量を低減することができるＩＴＯスパッタ
リングターゲットを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記公知
技術に基づき、平行平板形状のターゲットに対して非エ
ロージョン部の表面粗さを粗くするとともにエロージョ
ン部の表面粗さを低下させ、ノジュールの発生状況およ
び黄色粉末の付着力を調べる実験を実施した。しかし、
再現性良くノジュール発生量を低減させるとともに黄色
粉末の付着力を増加させることはできなかった。
技術に基づき、平行平板形状のターゲットに対して非エ
ロージョン部の表面粗さを粗くするとともにエロージョ
ン部の表面粗さを低下させ、ノジュールの発生状況およ
び黄色粉末の付着力を調べる実験を実施した。しかし、
再現性良くノジュール発生量を低減させるとともに黄色
粉末の付着力を増加させることはできなかった。
【００１３】その原因は、以下に示す理由によるもので
ある。ターゲット表面のエロージョン領域を特定する
ことは困難である、同じ設計のカソードであっても、
その下に置かれる磁石の微妙な磁力の違いによりエロー
ジョン部が微妙に異なる、エロージョン部にわずかな
幅でも表面粗さの粗い領域を形成してしまうと、その部
分に多くのノジュールが発生する。そのため、同じサイ
ズのターゲットであってもカソード毎に領域を分けて設
計し、表面粗さを制御することが必要となり、とても工
業的に使用できる技術とはならなかった。
ある。ターゲット表面のエロージョン領域を特定する
ことは困難である、同じ設計のカソードであっても、
その下に置かれる磁石の微妙な磁力の違いによりエロー
ジョン部が微妙に異なる、エロージョン部にわずかな
幅でも表面粗さの粗い領域を形成してしまうと、その部
分に多くのノジュールが発生する。そのため、同じサイ
ズのターゲットであってもカソード毎に領域を分けて設
計し、表面粗さを制御することが必要となり、とても工
業的に使用できる技術とはならなかった。
【００１４】そこで、本発明者らはターゲットの形状と
表面粗さについて様々な検討を行い、工業的に生産でき
る手法を用い、再現性良くノジュール発生量を低減でき
るとともに黄色粉末の付着力を増加させる方法に関して
鋭意検討を行った。
表面粗さについて様々な検討を行い、工業的に生産でき
る手法を用い、再現性良くノジュール発生量を低減でき
るとともに黄色粉末の付着力を増加させる方法に関して
鋭意検討を行った。
【００１５】その結果、非エロージョン部の厚さをエロ
ージョン部の厚さよりも薄くしてエロージョン部を突出
させるとともに、前記エロージョン部を含む平面と前記
非エロージョン部を含む平面とを鈍角な斜面で結んだ形
状のＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて、突出さ
せたエロージョン部の表面粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以
下とするとともに、非エロージョン部およびエロージョ
ン部と非エロージョン部を結んだ斜面の表面粗さ（Ｒ
ａ）を１．０μｍ以上とすることにより、ノジュールお
よび黄色粉末起因のパーティクルを低減できることを見
出し本発明を完成した。
ージョン部の厚さよりも薄くしてエロージョン部を突出
させるとともに、前記エロージョン部を含む平面と前記
非エロージョン部を含む平面とを鈍角な斜面で結んだ形
状のＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて、突出さ
せたエロージョン部の表面粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以
下とするとともに、非エロージョン部およびエロージョ
ン部と非エロージョン部を結んだ斜面の表面粗さ（Ｒ
ａ）を１．０μｍ以上とすることにより、ノジュールお
よび黄色粉末起因のパーティクルを低減できることを見
出し本発明を完成した。
【００１６】即ち、本発明は、実質的にインジウム、ス
ズおよび酸素からなる焼結体を用いたＩＴＯスパッタリ
ングターゲットにおいて、非エロージョン部の厚さをエ
ロージョン部の厚さよりも薄くしてエロージョン部を突
出させるとともに、前記エロージョン部を含む平面と前
記非エロージョン部を含む平面とを鈍角な斜面で結んだ
形状とし、前記突出させたエロージョン部の表面粗さ
（Ｒａ）を０．１μｍ以下、非エロージョン部およびエ
ロージョン部と非エロージョン部を結んだ斜面の表面粗
さ（Ｒａ）を１．０μｍ以上としたことを特徴とするＩ
ＴＯスパッタリングターゲットに関する。
ズおよび酸素からなる焼結体を用いたＩＴＯスパッタリ
ングターゲットにおいて、非エロージョン部の厚さをエ
ロージョン部の厚さよりも薄くしてエロージョン部を突
出させるとともに、前記エロージョン部を含む平面と前
記非エロージョン部を含む平面とを鈍角な斜面で結んだ
形状とし、前記突出させたエロージョン部の表面粗さ
（Ｒａ）を０．１μｍ以下、非エロージョン部およびエ
ロージョン部と非エロージョン部を結んだ斜面の表面粗
さ（Ｒａ）を１．０μｍ以上としたことを特徴とするＩ
ＴＯスパッタリングターゲットに関する。
【００１７】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１８】本発明に使用されるＩＴＯ焼結体は、特に
限定されるものではないが、例えば、以下のような方法
で製造することができる。
限定されるものではないが、例えば、以下のような方法
で製造することができる。
【００１９】原料粉末としては、酸化インジウム粉末と
酸化スズ粉末との混合粉末あるいは共沈法などにより得
られたＩＴＯ粉末を使用することができる。使用する粉
末の平均粒径が大きいと焼結後の密度が充分に上昇しな
い場合があるので、より焼結密度の高い焼結体を得るた
めには、使用する粉末の平均粒径は１．５μｍ以下であ
ることが望ましく、更に好ましくは０．１〜１．５μｍ
である。
酸化スズ粉末との混合粉末あるいは共沈法などにより得
られたＩＴＯ粉末を使用することができる。使用する粉
末の平均粒径が大きいと焼結後の密度が充分に上昇しな
い場合があるので、より焼結密度の高い焼結体を得るた
めには、使用する粉末の平均粒径は１．５μｍ以下であ
ることが望ましく、更に好ましくは０．１〜１．５μｍ
である。
【００２０】また、混合粉末あるいはＩＴＯ粉末中の酸
化スズ含有量は、スパッタリング法により薄膜を製造し
た際に比抵抗が低下する５〜２５重量％（酸化物換算）
とすることが望ましい。
化スズ含有量は、スパッタリング法により薄膜を製造し
た際に比抵抗が低下する５〜２５重量％（酸化物換算）
とすることが望ましい。
【００２１】原料粉末として酸化インジウム粉末および
酸化スズ粉末を用いた場合には、最初に粉末の混合を行
う。粉末の混合は、例えばボールミルなどを用いて、湿
式あるいは乾式混合を行えばよい。
酸化スズ粉末を用いた場合には、最初に粉末の混合を行
う。粉末の混合は、例えばボールミルなどを用いて、湿
式あるいは乾式混合を行えばよい。
【００２２】こうして得られた粉末をプレス法あるいは
鋳込法などの成形法により成形してＩＴＯ成形体を製造
する。プレス成形により成形体を製造する場合には所定
の大きさの金型に混合粉末を充填した後、プレス機を用
いて１００〜５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力でプレスを行い
成形体とする。この際、必要に応じてＰＶＡ等のバイン
ダーを添加しても良い。
鋳込法などの成形法により成形してＩＴＯ成形体を製造
する。プレス成形により成形体を製造する場合には所定
の大きさの金型に混合粉末を充填した後、プレス機を用
いて１００〜５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力でプレスを行い
成形体とする。この際、必要に応じてＰＶＡ等のバイン
ダーを添加しても良い。
【００２３】一方、鋳込法により成形体を製造する場合
には、原料粉末を水、バインダーおよび分散剤とともに
混合してスラリー化し、こうして得られた５０〜５００
０センチポイズの粘度を持つスラリーを所望形状の吸水
性のある多孔質成形型へ注入して成形体を作製する。
には、原料粉末を水、バインダーおよび分散剤とともに
混合してスラリー化し、こうして得られた５０〜５００
０センチポイズの粘度を持つスラリーを所望形状の吸水
性のある多孔質成形型へ注入して成形体を作製する。
【００２４】本発明のターゲットの外観を図１に、この
外観をＡ−Ａを含む平面で、図示されたターゲットに対
して垂直に切断した際の断面形状を図２に示す。本発明
のターゲットの断面形状としては、図２に示す他、図３
〜５に示すような中心部の焼結体を除去した環状のター
ゲットとしても本発明は有効である。また、１枚のバッ
キングプレートに接合される焼結体が１枚もので構成さ
れているものおよび複数の焼結体を１枚のバッキングプ
レートに接合した多分割ターゲットの双方に対して有効
である。
外観をＡ−Ａを含む平面で、図示されたターゲットに対
して垂直に切断した際の断面形状を図２に示す。本発明
のターゲットの断面形状としては、図２に示す他、図３
〜５に示すような中心部の焼結体を除去した環状のター
ゲットとしても本発明は有効である。また、１枚のバッ
キングプレートに接合される焼結体が１枚もので構成さ
れているものおよび複数の焼結体を１枚のバッキングプ
レートに接合した多分割ターゲットの双方に対して有効
である。
【００２５】成形方法として鋳込み法を用いると所望の
形状に成形体を作製することができ、後で加工工程を必
要としないため好ましい。
形状に成形体を作製することができ、後で加工工程を必
要としないため好ましい。
【００２６】次に、こうして得られた成形体は、必要に
応じて冷間等方圧プレス（ＣＩＰ）による処理を行う。
この際、ＣＩＰの圧力は十分な圧密効果を得るため１ｔ
ｏｎ／ｃｍ2以上、好ましくは２〜５ｔｏｎ／ｃｍ2であ
ることが望ましい。
応じて冷間等方圧プレス（ＣＩＰ）による処理を行う。
この際、ＣＩＰの圧力は十分な圧密効果を得るため１ｔ
ｏｎ／ｃｍ2以上、好ましくは２〜５ｔｏｎ／ｃｍ2であ
ることが望ましい。
【００２７】成形をプレス法で行った場合には、ここで
所望の形状に加工する。焼結後に加工することも可能で
あるが、成形体の硬度は焼結体に比べて遙かに低く容易
に加工できるため、この段階で加工するのが好ましい
が、焼結後に行っても差し支えない。
所望の形状に加工する。焼結後に加工することも可能で
あるが、成形体の硬度は焼結体に比べて遙かに低く容易
に加工できるため、この段階で加工するのが好ましい
が、焼結後に行っても差し支えない。
【００２８】成形を鋳込法により行った場合には、ＣＩ
Ｐ後の成形体中に残存する水分およびバインダー等の有
機物を除去するため、３００〜５００℃の温度で５〜２
０時間程度の乾燥処理および脱バインダー処理を施すこ
とが好ましい。また、成形をプレス法により行った場合
でも、成型時にバインダーを使用したときには、同様の
脱バインダー処理を行うことが好ましい。
Ｐ後の成形体中に残存する水分およびバインダー等の有
機物を除去するため、３００〜５００℃の温度で５〜２
０時間程度の乾燥処理および脱バインダー処理を施すこ
とが好ましい。また、成形をプレス法により行った場合
でも、成型時にバインダーを使用したときには、同様の
脱バインダー処理を行うことが好ましい。
【００２９】次に、このようにして得られた成形体の焼
成を行う。昇温速度については特に限定されないが、焼
結時間の短縮と割れ防止の観点から、１０〜４００℃／
時間とするのが好ましい。
成を行う。昇温速度については特に限定されないが、焼
結時間の短縮と割れ防止の観点から、１０〜４００℃／
時間とするのが好ましい。
【００３０】焼結温度は、１４５０℃以上１６５０℃未
満、好ましくは、１５００〜１６００℃とする。こうす
ることにより、高密度の焼結体を得ることが可能とな
る。
満、好ましくは、１５００〜１６００℃とする。こうす
ることにより、高密度の焼結体を得ることが可能とな
る。
【００３１】焼結時間についても充分な密度上昇効果を
得るために５時間以上、好ましくは５〜３０時間である
ことが望ましい。
得るために５時間以上、好ましくは５〜３０時間である
ことが望ましい。
【００３２】焼結時の雰囲気は、酸素気流中とし、焼結
時に炉内に酸素を導入する際の酸素流量（Ｌ／ｍｉｎ）
と成形体仕込量（ｋｇ）の比（仕込重量／酸素流量）
を、１．０以下とする。こうすることにより、高密度の
焼結体を得やすくなる。
時に炉内に酸素を導入する際の酸素流量（Ｌ／ｍｉｎ）
と成形体仕込量（ｋｇ）の比（仕込重量／酸素流量）
を、１．０以下とする。こうすることにより、高密度の
焼結体を得やすくなる。
【００３３】焼結密度は高いほどノジュール低減効果が
得られるため、９９．０％以上が好ましい。より好まし
くは９９．５％以上で、特に好ましくは９９．７％以上
である。
得られるため、９９．０％以上が好ましい。より好まし
くは９９．５％以上で、特に好ましくは９９．７％以上
である。
【００３４】なお、本発明でいう相対密度（Ｄ）とは、
Ｉｎ2Ｏ3およびＳｎＯ2の真密度の相加平均から求めら
れる理論密度（ｄ）に対する相対値を示している。相加
平均から求められる理論密度（ｄ）とは、焼結体組成に
おいて、Ｉｎ2Ｏ3およびＳｎＯ2粉末の混合量（ｇ）を
それぞれａ、ｂとしたとき、Ｉｎ2Ｏ3およびＳｎＯ2の
真密度７．１８、６．９５（ｇ／ｃｍ3）を用いて、ｄ
＝（ａ＋ｂ）／（（ａ／７．１８）＋（ｂ／６．９
５））により求められる。そして、焼結体の測定密度を
ｄ１とすると、その相対密度Ｄ（％）は式：Ｄ＝（ｄ１
／ｄ）×１００で求められる。
Ｉｎ2Ｏ3およびＳｎＯ2の真密度の相加平均から求めら
れる理論密度（ｄ）に対する相対値を示している。相加
平均から求められる理論密度（ｄ）とは、焼結体組成に
おいて、Ｉｎ2Ｏ3およびＳｎＯ2粉末の混合量（ｇ）を
それぞれａ、ｂとしたとき、Ｉｎ2Ｏ3およびＳｎＯ2の
真密度７．１８、６．９５（ｇ／ｃｍ3）を用いて、ｄ
＝（ａ＋ｂ）／（（ａ／７．１８）＋（ｂ／６．９
５））により求められる。そして、焼結体の測定密度を
ｄ１とすると、その相対密度Ｄ（％）は式：Ｄ＝（ｄ１
／ｄ）×１００で求められる。
【００３５】次に、ＩＴＯ焼結体のスパッタリング面
（エロージョン部、非エロージョン部共）に対してブラ
スト処理を行う。具体的な方法としては、例えば、ブラ
スト材を含む空気等の気体又は水等の液体を被処理面に
噴射することにより、ブラスト材を被処理面に高速で衝
突させることにより行う。
（エロージョン部、非エロージョン部共）に対してブラ
スト処理を行う。具体的な方法としては、例えば、ブラ
スト材を含む空気等の気体又は水等の液体を被処理面に
噴射することにより、ブラスト材を被処理面に高速で衝
突させることにより行う。
【００３６】ブラスト材（ブラスト処理に用いられる粉
末）には、アルミナ、ガラス、ジルコニア、ＳｉＣ等が
使用できるが、ジルコニアの個々の粒子を球状に形成し
た球状ジルコニア粉末は、ブラスト処理されるターゲッ
ト表面（被処理面）が汚染されにくく特に好ましい。
末）には、アルミナ、ガラス、ジルコニア、ＳｉＣ等が
使用できるが、ジルコニアの個々の粒子を球状に形成し
た球状ジルコニア粉末は、ブラスト処理されるターゲッ
ト表面（被処理面）が汚染されにくく特に好ましい。
【００３７】ブラスト材の形状は、針状、粒状、球状等
が使用でき、その粒径は、１０〜５００μｍが好まし
く、特に１０〜２００μｍが好ましい。
が使用でき、その粒径は、１０〜５００μｍが好まし
く、特に１０〜２００μｍが好ましい。
【００３８】ブラスト材をターゲット表面に衝突させる
ために媒体として使用する空気等の流体に印加する圧力
（ブラスト圧力）は、１〜１０ｋｇ／ｃｍ2程度が好ま
しく、特に２〜７ｋｇ／ｃｍ2が好ましく、更には３〜
５ｋｇ／ｃｍ2が好ましい。この圧力が高すぎると、タ
ーゲット表面への衝撃が強くなり、割れの原因となるば
かりか、大容量のコンプレッサーが必要となりコスト高
となることがある。
ために媒体として使用する空気等の流体に印加する圧力
（ブラスト圧力）は、１〜１０ｋｇ／ｃｍ2程度が好ま
しく、特に２〜７ｋｇ／ｃｍ2が好ましく、更には３〜
５ｋｇ／ｃｍ2が好ましい。この圧力が高すぎると、タ
ーゲット表面への衝撃が強くなり、割れの原因となるば
かりか、大容量のコンプレッサーが必要となりコスト高
となることがある。
【００３９】ブラスト材を噴出するノズルとターゲット
表面の距離は、５０〜３００ｍｍ程度が好ましい。この
距離が近すぎる場合はブラスト処理が施される有効面積
が小さくなり効率的でない。反対に、この距離が大きす
ぎると圧力不足となりブラスト処理に長時間を要する。
表面の距離は、５０〜３００ｍｍ程度が好ましい。この
距離が近すぎる場合はブラスト処理が施される有効面積
が小さくなり効率的でない。反対に、この距離が大きす
ぎると圧力不足となりブラスト処理に長時間を要する。
【００４０】ターゲット表面のブラスト処理時間は、ブ
ラスト圧力、ブラスト材の種類等にもよるが、０．０５
〜１．０秒／ｃｍ2で処理することが好ましい。こうす
ることにより、ＩＴＯ焼結体のスパッタリング面全体の
Ｒａが１．０μｍ以上、Ｒｙが８．０μｍ以上となる。
ラスト圧力、ブラスト材の種類等にもよるが、０．０５
〜１．０秒／ｃｍ2で処理することが好ましい。こうす
ることにより、ＩＴＯ焼結体のスパッタリング面全体の
Ｒａが１．０μｍ以上、Ｒｙが８．０μｍ以上となる。
【００４１】次に、突出させたエロージョン部を平面研
削盤などを用いて加工し、表面粗さを低下させる。最初
に、＃１２０程度の砥石を用いて一次研削した後、＃４
００程度の砥石を用いて二次研削を行い、次いで＃８０
０程度の砥石を用いて研磨する。こうすることにより、
突出させたエロージョン部のＲａを０．１μｍ以下とす
ることが可能となる。このままでも十分に本発明の効果
を得ることができるが、さらに番手の細かい砥石を用い
て加工するか、アルミナ製のスラリーを用いて加工する
等して、Ｒｙを１．０μｍ以下とするとさらに好まし
い。
削盤などを用いて加工し、表面粗さを低下させる。最初
に、＃１２０程度の砥石を用いて一次研削した後、＃４
００程度の砥石を用いて二次研削を行い、次いで＃８０
０程度の砥石を用いて研磨する。こうすることにより、
突出させたエロージョン部のＲａを０．１μｍ以下とす
ることが可能となる。このままでも十分に本発明の効果
を得ることができるが、さらに番手の細かい砥石を用い
て加工するか、アルミナ製のスラリーを用いて加工する
等して、Ｒｙを１．０μｍ以下とするとさらに好まし
い。
【００４２】ターゲット形状をエロージョン部を突出さ
せた形状としたことにより、マグネットの細かな配置の
ずれや強さに影響されず、ノジュールの発生が抑制され
るとともに黄色粉末の付着力が強化されたＩＴＯターゲ
ット、即ちノジュール起因および黄色粉末起因のパーテ
ィクル双方の基板の付着を抑制できるＩＴＯターゲット
を工業的に製造することが可能となる。
せた形状としたことにより、マグネットの細かな配置の
ずれや強さに影響されず、ノジュールの発生が抑制され
るとともに黄色粉末の付着力が強化されたＩＴＯターゲ
ット、即ちノジュール起因および黄色粉末起因のパーテ
ィクル双方の基板の付着を抑制できるＩＴＯターゲット
を工業的に製造することが可能となる。
【００４３】なお、本発明で言うＲａ、およびＲｙの定
義および測定方法は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に
記載に従うものである、このようにして得られた、ＩＴ
Ｏ焼結体を無酸素銅等からなるバッキングプレート上に
インジウム半田等を用いて接合し容易にターゲット化す
ることができる。
義および測定方法は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に
記載に従うものである、このようにして得られた、ＩＴ
Ｏ焼結体を無酸素銅等からなるバッキングプレート上に
インジウム半田等を用いて接合し容易にターゲット化す
ることができる。
【００４４】スパッタリングに際しては、スパッタリン
グガスとして、アルゴンなどの不活性ガスなどに必要に
応じて酸素ガスなどが加えられ、通常２〜１０ｍＴｏｒ
ｒにこれらのガス圧を制御しながら、行われる。スパッ
タリングのための電力印可方式としては、ＤＣ、ＲＦあ
るいはこれらを組み合わせたものが使用可能である。
グガスとして、アルゴンなどの不活性ガスなどに必要に
応じて酸素ガスなどが加えられ、通常２〜１０ｍＴｏｒ
ｒにこれらのガス圧を制御しながら、行われる。スパッ
タリングのための電力印可方式としては、ＤＣ、ＲＦあ
るいはこれらを組み合わせたものが使用可能である。
【００４５】また、本発明によるスパッタリングターゲ
ットは、ＩＴＯに付加機能を持たせることを目的として
第３の元素を添加したターゲットにおいても有効であ
る。第３元素としては、例えば、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔ
ｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ等
を例示することができる。これら元素の添加量は、特に
限定されるものではないが、ＩＴＯの優れた電気光学的
特性を劣化させないため、（第３元素の酸化物の総和）
／（ＩＴＯ＋第３元素の酸化物の総和）／１００で０％
を超え２０％以下（重量比）とすることが好ましい。
ットは、ＩＴＯに付加機能を持たせることを目的として
第３の元素を添加したターゲットにおいても有効であ
る。第３元素としては、例えば、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔ
ｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ等
を例示することができる。これら元素の添加量は、特に
限定されるものではないが、ＩＴＯの優れた電気光学的
特性を劣化させないため、（第３元素の酸化物の総和）
／（ＩＴＯ＋第３元素の酸化物の総和）／１００で０％
を超え２０％以下（重量比）とすることが好ましい。
【００４６】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４７】（実施例１）平均粒径１．３μｍの酸化イ
ンジウム粉末９００ｇと平均粒径０．７μｍの酸化スズ
粉末１００ｇをポリエチレン製のポットに入れ、乾式ボ
ールミルにより７２時間混合し、混合粉末を製造した。
前記混合粉末のタップ密度を測定したところ２．０ｇ／
ｃｍ3であった。
ンジウム粉末９００ｇと平均粒径０．７μｍの酸化スズ
粉末１００ｇをポリエチレン製のポットに入れ、乾式ボ
ールミルにより７２時間混合し、混合粉末を製造した。
前記混合粉末のタップ密度を測定したところ２．０ｇ／
ｃｍ3であった。
【００４８】次に上記混合粉末に分散剤、バインダーお
よびイオン交換水を加えてボールミル混合し、鋳込用ス
ラリーを作製した。続いてこのスラリーに消泡剤を添加
し、真空中で脱法処理を実施した。
よびイオン交換水を加えてボールミル混合し、鋳込用ス
ラリーを作製した。続いてこのスラリーに消泡剤を添加
し、真空中で脱法処理を実施した。
【００４９】これを図４に示す形状を形成することので
きる鋳型に流し込んで鋳込み成形を行い、ＩＴＯ成形体
を得た。この成形体を乾燥後３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力で
ＣＩＰ処理を施した。この後、成形体中に存在する分散
剤およびバインダーを除去するために、前記成形体を大
気焼成炉内に設置し、以下の条件で脱ワックス処理を実
施した。 （脱ワックス条件）脱ワックス温度：４５０℃、昇温速
度：５℃／Ｈｒ、保持時間：無し 次に、脱ワックス後の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に
設置して、以下の条件で焼結した。 （焼結条件）焼結温度：１５００℃、昇温速度：２５℃
／Ｈｒ、焼結時間：１０時間、雰囲気：昇温時８００℃
から降温時４００℃まで純酸素ガスを炉内に、（仕込重
量／酸素流量）＝０．８で導入 得られた焼結体サイズは、１０１．６×１７７．８ｍｍ
でエロージョン部の厚さ８ｍｍ、非エロージョン部の厚
さ６ｍｍであった。この焼結体の密度をＪＩＳＲ１６３
４−１９９８に基づきアルキメデス法により測定した。
結果を表１に示す。
きる鋳型に流し込んで鋳込み成形を行い、ＩＴＯ成形体
を得た。この成形体を乾燥後３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力で
ＣＩＰ処理を施した。この後、成形体中に存在する分散
剤およびバインダーを除去するために、前記成形体を大
気焼成炉内に設置し、以下の条件で脱ワックス処理を実
施した。 （脱ワックス条件）脱ワックス温度：４５０℃、昇温速
度：５℃／Ｈｒ、保持時間：無し 次に、脱ワックス後の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に
設置して、以下の条件で焼結した。 （焼結条件）焼結温度：１５００℃、昇温速度：２５℃
／Ｈｒ、焼結時間：１０時間、雰囲気：昇温時８００℃
から降温時４００℃まで純酸素ガスを炉内に、（仕込重
量／酸素流量）＝０．８で導入 得られた焼結体サイズは、１０１．６×１７７．８ｍｍ
でエロージョン部の厚さ８ｍｍ、非エロージョン部の厚
さ６ｍｍであった。この焼結体の密度をＪＩＳＲ１６３
４−１９９８に基づきアルキメデス法により測定した。
結果を表１に示す。
【００５０】次にこの焼結体のスパッタ面となる面の表
面をブラスト処理した。ブラスト圧力は４ｋｇ／ｃ
ｍ2、ノズルとターゲット表面の距離は１５０ｍｍ、ブ
ラスト材は粒径が２５〜１０６μｍの範囲（平均粒径５
３μｍ）の球状ジルコニアビーズを使用、ブラスト処理
時間は８０秒であった。ブラスト処理後にターゲットの
スパッタリング面（ブラスト処理面）のＲａとＲｙを測
定した。結果を表１に示す。
面をブラスト処理した。ブラスト圧力は４ｋｇ／ｃ
ｍ2、ノズルとターゲット表面の距離は１５０ｍｍ、ブ
ラスト材は粒径が２５〜１０６μｍの範囲（平均粒径５
３μｍ）の球状ジルコニアビーズを使用、ブラスト処理
時間は８０秒であった。ブラスト処理後にターゲットの
スパッタリング面（ブラスト処理面）のＲａとＲｙを測
定した。結果を表１に示す。
【００５１】次に、平面研削盤を用いて突出した部分の
表面加工を行った。最初に＃１２０の砥石を用い、＃４
００、＃８００と順次砥石の番手を増加させた。研削後
の突出部のＲａおよびＲｙを測定した。結果を表１に示
す。
表面加工を行った。最初に＃１２０の砥石を用い、＃４
００、＃８００と順次砥石の番手を増加させた。研削後
の突出部のＲａおよびＲｙを測定した。結果を表１に示
す。
【００５２】次に、この焼結体を無酸素銅からなるバッ
キングプレート上にインジウム半田を用いて接合しＩＴ
Ｏターゲットを得た。
キングプレート上にインジウム半田を用いて接合しＩＴ
Ｏターゲットを得た。
【００５３】このターゲットを以下のスパッタリング条
件で、ターゲットライフエンドに近い６０時間スパッタ
リングした。 （スパッタリング条件）ＤＣ電力：３００ｗ、スパッタ
ガス：Ａｒ＋Ｏ2、ガス圧：５ｍＴｏｒｒ、Ｏ2／Ａｒ：
０．１％ この後、装置内にＳｉウエハーを投入して再度上記条件
でウエハー上に１５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、ウ
エハー上に付着した１μｍ以上のパーティクル数をレー
ザーパーティクルカウンターを用いて測定した。結果を
表１に示す。僅かなパーティクルが付着したにすぎなか
った。
件で、ターゲットライフエンドに近い６０時間スパッタ
リングした。 （スパッタリング条件）ＤＣ電力：３００ｗ、スパッタ
ガス：Ａｒ＋Ｏ2、ガス圧：５ｍＴｏｒｒ、Ｏ2／Ａｒ：
０．１％ この後、装置内にＳｉウエハーを投入して再度上記条件
でウエハー上に１５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、ウ
エハー上に付着した１μｍ以上のパーティクル数をレー
ザーパーティクルカウンターを用いて測定した。結果を
表１に示す。僅かなパーティクルが付着したにすぎなか
った。
【００５４】使用後のターゲット表面を観察したとこ
ろ、ノジュール発生量は少なく、黄色粉末はターゲット
表面に強固に付着していた。
ろ、ノジュール発生量は少なく、黄色粉末はターゲット
表面に強固に付着していた。
【００５５】（実施例２）実施例１と同様の方法でＩＴ
Ｏ焼結体を得た。得られた焼結体の密度を測定した結果
を表１に示す。この焼結体に対して実施例１と同じ方法
でブラスト処理を行った。処理面のＲａおよびＲｙを表
１に示す。次に、突出したエロージョン部に対して実施
例１と同じ方法で表面研削を行った後、さらに＃１２０
０の砥石を用いて研削を行った。研削後のＲａおよびＲ
ｙを表１に示す。
Ｏ焼結体を得た。得られた焼結体の密度を測定した結果
を表１に示す。この焼結体に対して実施例１と同じ方法
でブラスト処理を行った。処理面のＲａおよびＲｙを表
１に示す。次に、突出したエロージョン部に対して実施
例１と同じ方法で表面研削を行った後、さらに＃１２０
０の砥石を用いて研削を行った。研削後のＲａおよびＲ
ｙを表１に示す。
【００５６】次に実施例１と同じ方法でターゲット化し
た後、実施例１と同じスパッタリングを実施した。結果
を表１に示す。僅かなパーティクルが付着したにすぎな
かった。
た後、実施例１と同じスパッタリングを実施した。結果
を表１に示す。僅かなパーティクルが付着したにすぎな
かった。
【００５７】使用後のターゲット表面を観察したとこ
ろ、ノジュール発生量は少なく、黄色粉末はターゲット
表面に強固に付着していた。
ろ、ノジュール発生量は少なく、黄色粉末はターゲット
表面に強固に付着していた。
【００５８】（比較例１）実施例１と同じ方法で鋳込み
用スラリーを作製し、平行平板型の成形体を形成するこ
とができる鋳型に流し込んで鋳込み成形を行いＩＴＯ成
形体を得た。この後、実施例１と同じ方法で乾燥、ＣＩ
Ｐ、脱ワックス、焼結を行い、１０１．６×１７７．８
ｍｍで厚さ８ｍｍ焼結体を得た。得られた焼結体の密度
を測定結果を表１に示す。
用スラリーを作製し、平行平板型の成形体を形成するこ
とができる鋳型に流し込んで鋳込み成形を行いＩＴＯ成
形体を得た。この後、実施例１と同じ方法で乾燥、ＣＩ
Ｐ、脱ワックス、焼結を行い、１０１．６×１７７．８
ｍｍで厚さ８ｍｍ焼結体を得た。得られた焼結体の密度
を測定結果を表１に示す。
【００５９】この焼結体に対して実施例１と同じ方法で
スパッタリング面のブラスト処理を行った。処理面のＲ
ａおよびＲｙを表１に示す。
スパッタリング面のブラスト処理を行った。処理面のＲ
ａおよびＲｙを表１に示す。
【００６０】次に実施例１と同じ方法でターゲット化し
た後、実施例１と同じスパッタリングを実施した。結果
を表１に示す。多くのパーティクルが基板に付着した。
た後、実施例１と同じスパッタリングを実施した。結果
を表１に示す。多くのパーティクルが基板に付着した。
【００６１】使用後のターゲット表面を観察したとこ
ろ、黄色粉末はターゲット表面に強固に付着していたも
のの、多量のノジュールが発生していた。
ろ、黄色粉末はターゲット表面に強固に付着していたも
のの、多量のノジュールが発生していた。
【００６２】（比較例２）実施例１と同じ方法で鋳込み
用スラリーを作製し、平行平板型の成形体を形成するこ
とができる鋳型に流し込んで鋳込み成形を行いＩＴＯ成
形体を得た。この後、実施例１と同じ方法で乾燥、ＣＩ
Ｐ、脱ワックス、焼結を行い、１０１．６×１７７．８
で厚さ８ｍｍ焼結体を得た。得られた焼結体の密度を測
定結果を表１に示す。
用スラリーを作製し、平行平板型の成形体を形成するこ
とができる鋳型に流し込んで鋳込み成形を行いＩＴＯ成
形体を得た。この後、実施例１と同じ方法で乾燥、ＣＩ
Ｐ、脱ワックス、焼結を行い、１０１．６×１７７．８
で厚さ８ｍｍ焼結体を得た。得られた焼結体の密度を測
定結果を表１に示す。
【００６３】この焼結体に対して平面研削盤を用いてス
パッタリング面の表面加工を行った。最初に＃１２０の
砥石を用い、＃４００、＃８００と順次砥石の番手を増
加させた。研削後の突出部のＲａおよびＲｙの測定結果
を表１に示す。
パッタリング面の表面加工を行った。最初に＃１２０の
砥石を用い、＃４００、＃８００と順次砥石の番手を増
加させた。研削後の突出部のＲａおよびＲｙの測定結果
を表１に示す。
【００６４】次に実施例１と同じ方法でターゲット化し
た後、実施例１と同じスパッタリングを実施した。結果
を表１に示す。多くのパーティクルが基板に付着した。
た後、実施例１と同じスパッタリングを実施した。結果
を表１に示す。多くのパーティクルが基板に付着した。
【００６５】使用後のターゲット表面を観察したとこ
ろ、ノジュール発生量は少なかったものの、黄色粉末の
一部がターゲット表面から剥離していた。
ろ、ノジュール発生量は少なかったものの、黄色粉末の
一部がターゲット表面から剥離していた。
【００６６】（比較例３）実施例１と同じ方法で鋳込み
用スラリーを作製し、平行平板型の成形体を形成するこ
とができる鋳型に流し込んで鋳込み成形を行いＩＴＯ成
形体を得た。この後、実施例１と同じ方法で乾燥、ＣＩ
Ｐ、脱ワックス、焼結を行い、１０１．６×１７７．８
で厚さ８ｍｍ焼結体を得た。得られた焼結体の密度を測
定結果を表１に示す。
用スラリーを作製し、平行平板型の成形体を形成するこ
とができる鋳型に流し込んで鋳込み成形を行いＩＴＯ成
形体を得た。この後、実施例１と同じ方法で乾燥、ＣＩ
Ｐ、脱ワックス、焼結を行い、１０１．６×１７７．８
で厚さ８ｍｍ焼結体を得た。得られた焼結体の密度を測
定結果を表１に示す。
【００６７】この焼結体に対して、平面研削盤を用いて
スパッタリング面の表面加工を行った。最初に＃１２０
の砥石を用い、＃４００、＃８００と順次砥石の番手を
増加させた。研削後の突出部のＲａおよびＲｙの測定結
果を表１に示す。
スパッタリング面の表面加工を行った。最初に＃１２０
の砥石を用い、＃４００、＃８００と順次砥石の番手を
増加させた。研削後の突出部のＲａおよびＲｙの測定結
果を表１に示す。
【００６８】次に、比較例２で用いたスパッタリングを
終了したターゲットを元にエロージョン領域を判別し、
該エロージョン領域に相当する部分に対して比較例３で
制作中の焼結体にマスキング処理を施した。このマスキ
ング処理された焼結体に対して実施例１と同じ方法で、
スパッタリング面のブラスト処理を行った。マスキング
処理されていなかった面のＲａおよびＲｙを表１に示
す。
終了したターゲットを元にエロージョン領域を判別し、
該エロージョン領域に相当する部分に対して比較例３で
制作中の焼結体にマスキング処理を施した。このマスキ
ング処理された焼結体に対して実施例１と同じ方法で、
スパッタリング面のブラスト処理を行った。マスキング
処理されていなかった面のＲａおよびＲｙを表１に示
す。
【００６９】次に実施例１と同じ方法でターゲット化し
た後、実施例１と同じスパッタリングを実施した。結果
を表１に示す。多くのパーティクルが基板に付着した。
た後、実施例１と同じスパッタリングを実施した。結果
を表１に示す。多くのパーティクルが基板に付着した。
【００７０】使用後のターゲット表面を観察したとこ
ろ、概ねノジュール発生量は少なく、黄色粉末はターゲ
ット表面に付着していた。しかし一部、エロージョン領
域にブラスト領域が施されてしまい、この部分で大量の
ノジュールが発生していた。また、ブラスト処理されて
いない非エロージョン領域が形成されており、この部分
では黄色粉末の剥離が観察された。
ろ、概ねノジュール発生量は少なく、黄色粉末はターゲ
ット表面に付着していた。しかし一部、エロージョン領
域にブラスト領域が施されてしまい、この部分で大量の
ノジュールが発生していた。また、ブラスト処理されて
いない非エロージョン領域が形成されており、この部分
では黄色粉末の剥離が観察された。
【００７１】（比較例４）実施例１と同様の方法でＩＴ
Ｏ焼結体を得た。得られた焼結体の密度を測定結果を表
１に示す。この焼結体に対して実施例１と同じ方法でブ
ラスト処理を行った。処理後のＲａおよびＲｙを表１に
示す。
Ｏ焼結体を得た。得られた焼結体の密度を測定結果を表
１に示す。この焼結体に対して実施例１と同じ方法でブ
ラスト処理を行った。処理後のＲａおよびＲｙを表１に
示す。
【００７２】次に実施例１と同じ方法でターゲット化し
た後、実施例１と同じスパッタリングを実施した。結果
を表１に示す。多くのパーティクルが基板に付着した。
た後、実施例１と同じスパッタリングを実施した。結果
を表１に示す。多くのパーティクルが基板に付着した。
【００７３】使用後のターゲット表面を観察したとこ
ろ、黄色粉末はターゲット表面に強固に付着していたも
のの、多量のノジュールが発生していた。
ろ、黄色粉末はターゲット表面に強固に付着していたも
のの、多量のノジュールが発生していた。
【００７４】
【表１】
【発明の効果】本発明により、ノジュール起因および黄
色粉末起因双方のパーティクルを抑制できるＩＴＯスパ
ッタリングターゲットを工業的に生産することが可能と
なる。
色粉末起因双方のパーティクルを抑制できるＩＴＯスパ
ッタリングターゲットを工業的に生産することが可能と
なる。
【００７５】
【図１】 本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットの
外観を示す図である。
外観を示す図である。
【図２】 本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットの
断面形状の一例を示す図である。
断面形状の一例を示す図である。
【図３】 本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットの
断面形状の一例を示す図である。
断面形状の一例を示す図である。
【図４】 本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットの
断面形状の一例を示す図である。
断面形状の一例を示す図である。
【図５】 本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットの
断面形状の一例を示す図である。
断面形状の一例を示す図である。
Claims (4)
- 【請求項１】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなるＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて、非エ
ロージョン部の厚さをエロージョン部の厚さよりも薄く
してエロージョン部を突出させるとともに前記エロージ
ョン部を含む平面と前記非エロージョン部を含む平面と
を鈍角な斜面で結んだ形状とし、前記突出させたエロー
ジョン部の表面粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以下、非エロ
ージョン部およびエロージョン部と非エロージョン部を
結んだ斜面の表面粗さ（Ｒａ）を１．０μｍ以上とした
ことを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 ＩＴＯ焼結体の相対密度が、９９％以上
であることを特徴とする請求項１に記載のＩＴＯスパッ
タリングターゲット。 - 【請求項３】 突出させたエロージョン部の最大高さ
（Ｒｙ）が１．０μｍ以下であることを特徴とする請求
項１また請求項２に記載のＩＴＯスパッタリングターゲ
ット。 - 【請求項４】 非エロージョン部とエロージョン部と非
エロージョン部を結ぶ斜面の最大高さ（Ｒｙ）が、８．
０μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいず
れか１項に記載のＩＴＯスパッタリングターゲット。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001105643A JP2002302762A (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
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