JP2001072470A - Ｉｔｏ焼結体の製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏ焼結体の製造方法Info
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- JP2001072470A JP2001072470A JP24536899A JP24536899A JP2001072470A JP 2001072470 A JP2001072470 A JP 2001072470A JP 24536899 A JP24536899 A JP 24536899A JP 24536899 A JP24536899 A JP 24536899A JP 2001072470 A JP2001072470 A JP 2001072470A
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- oxide powder
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Abstract
(57)【要約】
太陽電池や液晶表示素子などに用いられる低抵抗透明導
電膜をスパッタリング法で製造する際に利用されるＩＴ
Ｏ焼結体スパッタリングターゲットに有用な、高密度で
均一なＩＴＯ焼結体を提供する。 【解決手段】 粒径をそれぞれ０．８μｍ以下とした酸
化インジウム粉末および酸化スズ粉末を主成分とする原
料粉末を分散媒に混合し、ｐＨを８．０以上にしたスラ
リーを、泥漿鋳込み成形用鋳型に注入し、得られた成形
体を焼結するＩＴＯ焼結体の製造方法。
電膜をスパッタリング法で製造する際に利用されるＩＴ
Ｏ焼結体スパッタリングターゲットに有用な、高密度で
均一なＩＴＯ焼結体を提供する。 【解決手段】 粒径をそれぞれ０．８μｍ以下とした酸
化インジウム粉末および酸化スズ粉末を主成分とする原
料粉末を分散媒に混合し、ｐＨを８．０以上にしたスラ
リーを、泥漿鋳込み成形用鋳型に注入し、得られた成形
体を焼結するＩＴＯ焼結体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池や液晶表
示素子などに用いられる低抵抗透明導電膜をスパッタリ
ング法で製造する際に利用されるＩＴＯ焼結体スパッタ
リングターゲットに有用な、高密度で均一なＩＴＯ焼結
体の製造方法に関する。
示素子などに用いられる低抵抗透明導電膜をスパッタリ
ング法で製造する際に利用されるＩＴＯ焼結体スパッタ
リングターゲットに有用な、高密度で均一なＩＴＯ焼結
体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜は、高い導電性と可視光領域
での高い透過率とを有する。これは、太陽電池や液晶表
示素子、その他各種受光素子の電極などに利用されてい
る他、自動車や建築用の熱線反射膜、帯電防止膜、冷凍
ショーケースなどの各種の防曇用の透明発熱体としても
利用されている。
での高い透過率とを有する。これは、太陽電池や液晶表
示素子、その他各種受光素子の電極などに利用されてい
る他、自動車や建築用の熱線反射膜、帯電防止膜、冷凍
ショーケースなどの各種の防曇用の透明発熱体としても
利用されている。
【０００３】透明導電膜には、ガラス基板上に堆積させ
たアンチモンやフッ素をドーパントして含む酸化錫（Ｓ
ｎＯ2 ）や、アルミニウムやガリウムをドーパントとし
て含む酸化亜鉛（ＺｎＯ）や、錫をドーパントとして含
む酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）などが知られている。特
に錫をドーパントとして含む酸化インジウム膜はＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ・ｔｉｎ・ｏｘｉｄｅ）膜と称され、特
に低抵抗の膜が容易に得られることから良く用いられて
いる。
たアンチモンやフッ素をドーパントして含む酸化錫（Ｓ
ｎＯ2 ）や、アルミニウムやガリウムをドーパントとし
て含む酸化亜鉛（ＺｎＯ）や、錫をドーパントとして含
む酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）などが知られている。特
に錫をドーパントとして含む酸化インジウム膜はＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ・ｔｉｎ・ｏｘｉｄｅ）膜と称され、特
に低抵抗の膜が容易に得られることから良く用いられて
いる。
【０００４】このＩＴＯ透明導電膜の製造方法としては
スパッタリング法が良く用いられている。スパッタリン
グ法は、蒸気圧の低い材料の成膜や精密な膜厚制御を必
要とする際に有効な手法であり、操作が非常に簡便であ
るため、工業的に広範囲に利用されている。
スパッタリング法が良く用いられている。スパッタリン
グ法は、蒸気圧の低い材料の成膜や精密な膜厚制御を必
要とする際に有効な手法であり、操作が非常に簡便であ
るため、工業的に広範囲に利用されている。
【０００５】スパッタリング法は、原料にターゲットが
用いられる。この方法では、一般に、約１０Ｐａ以下の
ガス圧のもとで、基板を陽極とし、ターゲットを陰極と
してこれらの間にグロー放電を起こしてアルゴンプラズ
マを発生させる。プラズマ中のアルゴン陽イオンが陰極
のターゲットに衝突したときにはじきとばされるターゲ
ット成分の粒子が基板上に堆積して膜を形成する。この
方法はアルゴンプラズマの発生方法で分類され、高周波
プラズマを用いるものは高周波スパッタリング法、直流
プラズマを用いるものは直流スパッタリング法という。
用いられる。この方法では、一般に、約１０Ｐａ以下の
ガス圧のもとで、基板を陽極とし、ターゲットを陰極と
してこれらの間にグロー放電を起こしてアルゴンプラズ
マを発生させる。プラズマ中のアルゴン陽イオンが陰極
のターゲットに衝突したときにはじきとばされるターゲ
ット成分の粒子が基板上に堆積して膜を形成する。この
方法はアルゴンプラズマの発生方法で分類され、高周波
プラズマを用いるものは高周波スパッタリング法、直流
プラズマを用いるものは直流スパッタリング法という。
【０００６】スパッタリング法で形成されるＩＴＯ膜
は、スパッタリングターゲットの特性の影響を大きく受
ける。特にターゲットの密度と微細構造による影響は大
きく、ターゲットが高密度でありかつ組成が均一である
ほど良質の膜を製造することができる。低密度や組成が
不均一なターゲットをスパッタリングすると、積算投入
電力の増加に伴ってターゲット表面に「ノジュール」と
呼ばれる黒色の突起物が増加する。ターゲットがこのよ
うな状態になると、スパッタ中にアーキングが発生した
り、成膜速度の低下や比抵抗の増加、光透過特性の悪化
等の問題が生じる。
は、スパッタリングターゲットの特性の影響を大きく受
ける。特にターゲットの密度と微細構造による影響は大
きく、ターゲットが高密度でありかつ組成が均一である
ほど良質の膜を製造することができる。低密度や組成が
不均一なターゲットをスパッタリングすると、積算投入
電力の増加に伴ってターゲット表面に「ノジュール」と
呼ばれる黒色の突起物が増加する。ターゲットがこのよ
うな状態になると、スパッタ中にアーキングが発生した
り、成膜速度の低下や比抵抗の増加、光透過特性の悪化
等の問題が生じる。
【０００７】これらを回避するために、ターゲットが完
全に消費される前に早めに交換したり、ターゲット表面
のノジュールを機械的に削って除去する等の対策をとら
なければならない。これが、大量の透明導電膜を安価に
製造するのに対して大きな障害となっていた。
全に消費される前に早めに交換したり、ターゲット表面
のノジュールを機械的に削って除去する等の対策をとら
なければならない。これが、大量の透明導電膜を安価に
製造するのに対して大きな障害となっていた。
【０００８】従って、製造されるＩＴＯ膜の特性向上や
膜製造コストの面から、より高密度で均一なターゲット
が要求されている。長時間スパッタリングしてもノジュ
ールが発生しにくいターゲットは、一般に、相対密度が
９８％以上、好ましくは９９％以上であると言われてい
る。
膜製造コストの面から、より高密度で均一なターゲット
が要求されている。長時間スパッタリングしてもノジュ
ールが発生しにくいターゲットは、一般に、相対密度が
９８％以上、好ましくは９９％以上であると言われてい
る。
【０００９】また最近では、スパッタリング装置の大型
化に伴い、大型のターゲットが要求されている。従来の
ＩＴＯ焼結体の製造方法として、ＩＴＯ粉末を金型プレ
ス成形して、得られた成形体を焼成する方法がある。こ
の方法では、大型の焼結体を得ることは難しい。大型に
なると均一なプレス成形が困難になるからである。その
ためこの方法で大型のターゲットを得る場合には、小さ
な焼結体を多数張り合わせて作製していた。
化に伴い、大型のターゲットが要求されている。従来の
ＩＴＯ焼結体の製造方法として、ＩＴＯ粉末を金型プレ
ス成形して、得られた成形体を焼成する方法がある。こ
の方法では、大型の焼結体を得ることは難しい。大型に
なると均一なプレス成形が困難になるからである。その
ためこの方法で大型のターゲットを得る場合には、小さ
な焼結体を多数張り合わせて作製していた。
【００１０】しかし、張り合わせて作製したターゲット
を用いてスパッタリングすると、張り合わせ部の微小な
段差部分にノジュールが生じやすく、膜の特性が損なう
という問題があった。
を用いてスパッタリングすると、張り合わせ部の微小な
段差部分にノジュールが生じやすく、膜の特性が損なう
という問題があった。
【００１１】この問題に対して、特公平６−６５９号公
報に、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を含むスラリ
ーを泥漿鋳込み成形し、得られた成形体を焼成すること
により大型の焼結体を製造できることが記載されてい
る。
報に、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を含むスラリ
ーを泥漿鋳込み成形し、得られた成形体を焼成すること
により大型の焼結体を製造できることが記載されてい
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
公平６−６５９号公報記載の方法では、得られるＩＴＯ
焼結体の相対密度は６０〜６３％程度であり、非常に低
い。しかも、得られるＩＴＯ焼結体の密度むらが大きい
という問題もある。このような焼結体から作製したター
ゲットは、ノジュールが発生しやすく良質な透明導電膜
を安定して製造することが困難である。
公平６−６５９号公報記載の方法では、得られるＩＴＯ
焼結体の相対密度は６０〜６３％程度であり、非常に低
い。しかも、得られるＩＴＯ焼結体の密度むらが大きい
という問題もある。このような焼結体から作製したター
ゲットは、ノジュールが発生しやすく良質な透明導電膜
を安定して製造することが困難である。
【００１３】そこで本発明は、上記従来の問題点を解決
し、泥漿鋳込み成形法により、相対密度９８％以上の高
密度を有し、かつ、密度むらのない均一な大型のＩＴＯ
焼結体を製造する方法を提供することを目的とする。
し、泥漿鋳込み成形法により、相対密度９８％以上の高
密度を有し、かつ、密度むらのない均一な大型のＩＴＯ
焼結体を製造する方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のＩＴＯ焼結体の製造方法は、以下のように
したことを特徴とする。
めの本発明のＩＴＯ焼結体の製造方法は、以下のように
したことを特徴とする。
【００１５】即ち、本発明では、酸化インジウム粉末お
よび酸化スズ粉末を主成分とする原料粉末を分散媒に混
合したスラリーにおいて、酸化インジウム粉末及び酸化
スズ粉末の粒径をそれぞれ０．８μｍ以下とし、かつ、
ｐＨが８．０以上（１０．０以下）として成形体を泥漿
鋳込み成型法で作製した後、該成形体を焼成する。分散
媒は、水、または水に分散剤、バインダー、さらに必要
に応じて潤滑剤、増粘剤、ｐＨ調整剤、保湿剤を添加し
たものである。
よび酸化スズ粉末を主成分とする原料粉末を分散媒に混
合したスラリーにおいて、酸化インジウム粉末及び酸化
スズ粉末の粒径をそれぞれ０．８μｍ以下とし、かつ、
ｐＨが８．０以上（１０．０以下）として成形体を泥漿
鋳込み成型法で作製した後、該成形体を焼成する。分散
媒は、水、または水に分散剤、バインダー、さらに必要
に応じて潤滑剤、増粘剤、ｐＨ調整剤、保湿剤を添加し
たものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を説明す
る。
る。
【００１７】本発明において用いるスラリーは、例え
ば、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末とを、分散剤と
バインダーからなり、場合によっては潤滑剤を含む分散
媒に混合し、更に真空脱泡処理あるいは消泡剤の添加に
よって充分に気泡を取り除いたものである。
ば、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末とを、分散剤と
バインダーからなり、場合によっては潤滑剤を含む分散
媒に混合し、更に真空脱泡処理あるいは消泡剤の添加に
よって充分に気泡を取り除いたものである。
【００１８】本発明において、スラリー中の酸化インジ
ウム粉末または酸化スズ粉末の粒子が粒径０．８μｍよ
り大きい場合、発明者らの実験によると、焼成後の焼結
体の密度が低くなってしまう。これは、粒子が０．８μ
ｍより大きくなると、スラリー内で粒子が沈降しやすく
なり、鋳込み成型によって得られた成形体は密度ムラが
生じやすくなるからである。
ウム粉末または酸化スズ粉末の粒子が粒径０．８μｍよ
り大きい場合、発明者らの実験によると、焼成後の焼結
体の密度が低くなってしまう。これは、粒子が０．８μ
ｍより大きくなると、スラリー内で粒子が沈降しやすく
なり、鋳込み成型によって得られた成形体は密度ムラが
生じやすくなるからである。
【００１９】また、スラリー中の粒子の粒径が０．８μ
ｍ以下であっても、発明者らの実験によると、スラリー
のｐＨは８．０未満であると高密度のＩＴＯ焼結体を得
ることができない。これは、スラリーのｐＨが８．０未
満であると、スラリー中で粒子同士の凝集が生じやす
く、鋳込み成型時に凝集した粒子が着肉して成形体を形
成するため、成形体の密度が低くなってしまうからであ
る。
ｍ以下であっても、発明者らの実験によると、スラリー
のｐＨは８．０未満であると高密度のＩＴＯ焼結体を得
ることができない。これは、スラリーのｐＨが８．０未
満であると、スラリー中で粒子同士の凝集が生じやす
く、鋳込み成型時に凝集した粒子が着肉して成形体を形
成するため、成形体の密度が低くなってしまうからであ
る。
【００２０】従って、高密度のＩＴＯ焼結体を製造する
ためのスラリーの条件は、含まれる粒子の粒径が０．８
μｍ以下であり、かつ、スラリーのｐＨが８．０以上、
好ましくは８．７以上である。
ためのスラリーの条件は、含まれる粒子の粒径が０．８
μｍ以下であり、かつ、スラリーのｐＨが８．０以上、
好ましくは８．７以上である。
【００２１】但し、実際的にはｐＨ１０以下とする。こ
れより大きくｐＨを調整することが困難であるからであ
る。分散剤には、ポリカルボン酸系のものなどを用いる
ことができる。また、バインダーには、アクリルエマル
ジョン系のものなどを用いることができる。
れより大きくｐＨを調整することが困難であるからであ
る。分散剤には、ポリカルボン酸系のものなどを用いる
ことができる。また、バインダーには、アクリルエマル
ジョン系のものなどを用いることができる。
【００２２】スラリーのｐＨは、分散剤の添加量で調整
することができる。バインダーの添加量は、固形分換算
で粉末の合計重量に対して０．５〜２．０重量％である
ことが好ましい。
することができる。バインダーの添加量は、固形分換算
で粉末の合計重量に対して０．５〜２．０重量％である
ことが好ましい。
【００２３】鋳込み成形に用いるスラリーに気泡が含ま
れると密度の高い成形体が得られない。従って、スラリ
ーを鋳込み成形する前に真空脱泡処理を十分に行うと、
成形体に気泡を減らすことができ、密度の高い成形体を
得ることができる。分散媒に消泡剤を添加してもよい。
れると密度の高い成形体が得られない。従って、スラリ
ーを鋳込み成形する前に真空脱泡処理を十分に行うと、
成形体に気泡を減らすことができ、密度の高い成形体を
得ることができる。分散媒に消泡剤を添加してもよい。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例を示し、本発明をより
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【００２５】酸化インジウム粉末（２２５００ｇ）、酸
化スズ粉末（２５００ｇ）、固形分４０重量％のポリカ
ルボン酸系分散剤（２０〜２８００ｇ）、固形分４０重
量％のアクリルエマルジョン系バインダー（１２５０
ｇ）、水所定量を調合して高速媒体攪拌ミルで粉砕・混
合して濃度８０重量％のスラリーを作製した。このとき
の酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末はほぼ同等の粒径
分布を有するものを使用した。
化スズ粉末（２５００ｇ）、固形分４０重量％のポリカ
ルボン酸系分散剤（２０〜２８００ｇ）、固形分４０重
量％のアクリルエマルジョン系バインダー（１２５０
ｇ）、水所定量を調合して高速媒体攪拌ミルで粉砕・混
合して濃度８０重量％のスラリーを作製した。このとき
の酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末はほぼ同等の粒径
分布を有するものを使用した。
【００２６】ポリカルボン酸系分散剤は、その添加量に
よってスラリーのｐＨを変化させることができる。従っ
て、当該分散剤の添加量を調整することによって、本発
明に従ったｐＨを含む種々のｐＨのスラリーを作製し
た。また水は、スラリーの濃度が８０重量％となる分量
だけ添加した。
よってスラリーのｐＨを変化させることができる。従っ
て、当該分散剤の添加量を調整することによって、本発
明に従ったｐＨを含む種々のｐＨのスラリーを作製し
た。また水は、スラリーの濃度が８０重量％となる分量
だけ添加した。
【００２７】スラリー中の原料粉末の粒径は、高速媒体
攪拌ミルによる粉砕・混合の時間に依存するため、粉砕
混合の時間を調整することによって、本発明に従った粒
径を含む種々の粒径原料粉末のスラリーを作製した。粒
径の測定にはマイクロトラック（ＵＰＡ１５０）を使用
した。
攪拌ミルによる粉砕・混合の時間に依存するため、粉砕
混合の時間を調整することによって、本発明に従った粒
径を含む種々の粒径原料粉末のスラリーを作製した。粒
径の測定にはマイクロトラック（ＵＰＡ１５０）を使用
した。
【００２８】得られたスラリーは真空脱泡処理した後、
内寸法７５０ｍｍ×９２０ｍｍ×１０ｍｍ厚さのフェノ
ール系樹脂の鋳込み型（ニッコー製セラプラスト）に注
入し、圧力５ｋｇ／ｃｍ2 で鋳込み成形を行った。この
成形体を乾燥した後、寸法と重量を測定して成形体密度
を算出した。
内寸法７５０ｍｍ×９２０ｍｍ×１０ｍｍ厚さのフェノ
ール系樹脂の鋳込み型（ニッコー製セラプラスト）に注
入し、圧力５ｋｇ／ｃｍ2 で鋳込み成形を行った。この
成形体を乾燥した後、寸法と重量を測定して成形体密度
を算出した。
【００２９】乾燥した成形体を６００℃に加熱して脱バ
インダー処理した後、１５００℃で１５時間焼成してＩ
ＴＯ焼結体を得た。この焼結体の表面を研削加工してか
ら、アルキメデス法による密度測定を行い、相対密度を
求めた。また焼結体内部に気孔が存在するか走査型電子
顕微鏡で観察した。
インダー処理した後、１５００℃で１５時間焼成してＩ
ＴＯ焼結体を得た。この焼結体の表面を研削加工してか
ら、アルキメデス法による密度測定を行い、相対密度を
求めた。また焼結体内部に気孔が存在するか走査型電子
顕微鏡で観察した。
【００３０】表１に、マイクロトラックで測定したスラ
リー中の粉末の最大粒径とスラリーのｐＨ、乾燥後の成
形体の密度、研削処理後の焼結体の相対密度を示した。
リー中の粉末の最大粒径とスラリーのｐＨ、乾燥後の成
形体の密度、研削処理後の焼結体の相対密度を示した。
【００３１】 表１ 発明の種類 粉末の最大 スラリー 成形体の 焼結体の 粒径（μｍ） のｐＨ 相対密度（％） 相対密度（％） 実施例１ ０．３ ８．７ ５０ ９９ 実施例２ ０．３ ８．０ ５０ ９８ 比較例１ ０．３ ７．５ ４３ ９４ 実施例３ ０．５ ９．０ ５０ ９９ 比較例２ ０．５ ７．５ ４２ ９０ 比較例３ ０．５ ７．０ ４２ ９０ 実施例４ ０．５ ９．０ ４９ ９９ 実施例５ ０．６ ９．０ ４９ ９９ 実施例６ ０．８ ９．０ ４９ ９９ 実施例７ ０．８ ８．７ ４９ ９９ 実施例８ ０．８ ８．０ ４９ ９８ 比較例４ ０．８ ７．５ ４３ ９２ 比較例５ ０．８ ７．０ ４３ ９０ 比較例６ ０．９ ８．５ ４３ ９３ 比較例７ ０．９ ７．５ ４１ ９０ 比較例８ １．０ ９．０ ３９ ９０ 比較例９ １．６ ８．５ ３７ ８０ 比較例１０ ２．０ ８．０ ３３ ７４ 実施例５で用いたスラリーの粒径分布の測定結果を図１
に示す。また比較例９で用いたスラリーの粒径分布の測
定結果を図２に示す。
に示す。また比較例９で用いたスラリーの粒径分布の測
定結果を図２に示す。
【００３２】表１より、本発明によれば、相対密度９８
％以上の高密度のＩＴＯ焼結体を得ることができる。
％以上の高密度のＩＴＯ焼結体を得ることができる。
【００３３】表１の比較例に従って作製した成形体は、
密度が低いため強度が弱く、取扱中に割れたり、焼成中
に割れやそりが生じやすかった。これに対して、本発明
での成形体は、密度が高いため強度も高く、取扱中に割
れたり焼成時に割れやそりが生じることはなかった。ま
た、焼結体内部の組織を走査型電子顕微鏡で観察したと
ころ、表１の比較例で得られた焼結体には、全体に多数
の気泡が観察されたり、焼結体の一部に集中的に気泡が
観察され、密度ムラが生じていた。これに対し、本発明
例に従った焼結体は気泡がほとんど観察されず、密度ム
ラがなかった。
密度が低いため強度が弱く、取扱中に割れたり、焼成中
に割れやそりが生じやすかった。これに対して、本発明
での成形体は、密度が高いため強度も高く、取扱中に割
れたり焼成時に割れやそりが生じることはなかった。ま
た、焼結体内部の組織を走査型電子顕微鏡で観察したと
ころ、表１の比較例で得られた焼結体には、全体に多数
の気泡が観察されたり、焼結体の一部に集中的に気泡が
観察され、密度ムラが生じていた。これに対し、本発明
例に従った焼結体は気泡がほとんど観察されず、密度ム
ラがなかった。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明に従えば、ス
ラリー中の酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末の粒径
０．８μｍ以下にしてスラリーのｐＨを８．０以上好ま
しくは８．７以上にすることによって、粒子がスラリー
中で沈降しにくく単分散した状態を維持することができ
る。このようなスラリーを用いて泥漿鋳込み成形を行う
と密度の高い成形体を作製でき、これを焼成することに
よって相対密度９８％以上で密度ムラのない高密度のＩ
ＴＯ焼結体が製造できる。
ラリー中の酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末の粒径
０．８μｍ以下にしてスラリーのｐＨを８．０以上好ま
しくは８．７以上にすることによって、粒子がスラリー
中で沈降しにくく単分散した状態を維持することができ
る。このようなスラリーを用いて泥漿鋳込み成形を行う
と密度の高い成形体を作製でき、これを焼成することに
よって相対密度９８％以上で密度ムラのない高密度のＩ
ＴＯ焼結体が製造できる。
【００３５】この焼結体は、太陽電池や液晶表示素子等
の透明電膜作製用の大型ＩＴＯ焼結体スパッタリングタ
ーゲットとして大変有用である。これらのことから、本
発明は工業的に極めて価値の高いものである。
の透明電膜作製用の大型ＩＴＯ焼結体スパッタリングタ
ーゲットとして大変有用である。これらのことから、本
発明は工業的に極めて価値の高いものである。
【図１】本発明の一例である実施例５で用いたスラリー
の粉体の粒径分布をマイクロトラックで測定した結果を
示すグラフ。
の粉体の粒径分布をマイクロトラックで測定した結果を
示すグラフ。
【図２】比較例９で用いたスラリーの粉体の粒径分布を
マイクロトラックで測定した結果を示すグラフ。
マイクロトラックで測定した結果を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１ Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｒ (72)発明者 栗原 好治 千葉県市川市中国分３−18−５ 住友金属 鉱山株式会社中央研究所内 (72)発明者 高塚 裕二 千葉県市川市中国分３−18−５ 住友金属 鉱山株式会社中央研究所内 Ｆターム(参考） 2H092 HA04 MA05 MA35 4G030 AA34 AA39 BA15 GA04 GA11 GA18 GA20 GA23 4K029 BA10 BA15 BA43 BA50 BC09 CA05 DC05 DC09 4M104 BB36 DD40 HH20
Claims (2)
- 【請求項１】 酸化インジウム粉末および酸化スズ粉末
を主成分とする原料粉末を分散媒に混合したスラリー
を、成形用鋳型に注入し、得られた成形体を焼結するＩ
ＴＯ焼結体の製造方法において、上記スラリー中の酸化
インジウム粉末および酸化スズ粉末の粒径をそれぞれ
０．８μｍ以下とし、かつ、上記スラリーのｐＨを８．
０以上とすることを特徴とするＩＴＯ焼結体の製造方
法。 - 【請求項２】 上記スラリーのｐＨを８．７以上とする
ことを特徴とするＩＴＯ焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24536899A JP2001072470A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24536899A JP2001072470A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JP2001303239A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-10-31 | Nikko Materials Co Ltd | Ｉｔｏターゲットの製造方法 |
| WO2002072912A1 (fr) * | 2001-03-12 | 2002-09-19 | Nikko Materials Company, Limited | Poudre d'oxyde d'etain destinee a une cible de pulverisation ito, procede de fabrication de cette poudre, cible de pulverisation de corps fritte destinee a la production d'une couche ito, et procede de fabrication de cette cible |
| JP2003055760A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-26 | Tosoh Corp | Ｉｔｏスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| WO2003050322A1 (fr) * | 2001-12-10 | 2003-06-19 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation ito presentant un nombre reduit de nodules |
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-
1999
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