JP2002289091A - Manufacturing method of plasma display panel - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a plasma display panel with good combustibility of resist layer and excellent workability, which is capable of forming excellent pattern for size accuracy without generating pattern fracture by blister. SOLUTION: It is the manufacturing method of the plasma display panel using resist layer containing alkali soluble resin having acid value of 50-125 and glass conversion temperature of >=60 deg.C.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルの各表示セルを構成するパネル材料、例え
ば、電極、隔壁、誘電体、抵抗体、蛍光体、カラーフィ
ルターおよびブラックマトリックスの形成において、高
精細パターンの形成が可能となり、また転写フィルムを
使用することにより従来の方法に比べて実質的に作業性
を向上させることができるプラズマディスプレイパネル
の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-definition panel material for forming each display cell of a plasma display panel, for example, an electrode, a partition, a dielectric, a resistor, a phosphor, a color filter and a black matrix. The present invention relates to a method for manufacturing a plasma display panel, in which a pattern can be formed and workability can be substantially improved by using a transfer film as compared with a conventional method.

【０００２】[0002]

【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
は、大型パネルでありながら製造プロセスが容易である
こと、視野角が広いこと、自発光タイプで表示品位が高
いこと等の理由から、フラットパネル表示技術の中で注
目されており、特にカラープラズマディスプレイパネル
は、２０インチ以上の壁掛けＴＶ用の表示デバイスとし
て将来主流になるものと期待されている。カラーＰＤＰ
は、ガス放電により発生する紫外線を蛍光体に照射する
ことによってカラー表示が可能になる。そして、一般
に、カラーＰＤＰにおいては、赤色発光用の蛍光体部
位、緑色発光用の蛍光体部位及び青色発光用の蛍光体部
位が基板上に形成されることにより、各色の発光表示セ
ルが全体に均一に混在した状態に構成されている。具体
的には、ガラス等からなる基板の表面に、バリアリブと
称される絶縁性材料からなる隔壁が設けられており、こ
の隔壁によって多数の表示セルが区画され、当該表示セ
ルの内部がプラズマ作用空間になる。そして、このプラ
ズマ作用空間に蛍光体部位が設けられるとともに、この
蛍光体部位にプラズマを作用させる電極が設けられるこ
とにより、各々の表示セルを表示単位とするプラズマデ
ィスプレイパネルが構成される。2. Description of the Related Art Plasma display panels (PDPs)
Has been attracting attention in flat panel display technology because of its ease of manufacturing process despite its large size, wide viewing angle, and high display quality with its self-luminous type. Display panels are expected to become mainstream in the future as display devices for wall-mounted TVs of 20 inches or more. Color PDP
The color display can be performed by irradiating the phosphor with ultraviolet rays generated by gas discharge. In general, in a color PDP, a phosphor portion for red light emission, a phosphor portion for green light emission, and a phosphor portion for blue light emission are formed on a substrate, so that the light emitting display cells of each color are entirely formed. It is configured in a uniformly mixed state. Specifically, a partition wall made of an insulating material called a barrier rib is provided on the surface of a substrate made of glass or the like, and a large number of display cells are partitioned by the partition walls. Become space. Then, a phosphor portion is provided in the plasma action space, and an electrode for causing plasma to act on the phosphor portion is provided, whereby a plasma display panel having each display cell as a display unit is configured.

【０００３】図１は交流型のＰＤＰの断面形状を示す模
式図である。同図において、１および２は対向配置され
たガラス基板、３は隔壁であり、ガラス基板１、ガラス
基板２および隔壁３によりセルが区画形成される。４は
ガラス基板１に固定された透明電極、５は透明電極の抵
抗を下げる目的で、透明電極上に形成されたバス電極、
６はガラス基板２に固定されたアドレス電極、７はセル
内に保持された蛍光体、８は透明電極４およびバス電極
５を被覆するようにガラス基板１の表面に形成された誘
電体層、９はアドレス電極６を被覆するようにガラス基
板２の表面に形成された誘電体層、１０は例えば酸化マ
グネシウムよりなる保護膜である。なお、直流型のＰＤ
Ｐにおいては、通常、電極端子（陽極端子）と電極リー
ド（陽極リード）との間に抵抗体を設ける。また、ＰＤ
Ｐのコントラストを向上させるために、赤色、緑色、青
色のカラーフィルターやブラックマトリックスを、上記
誘電体層８と保護膜１０の間などに設ける場合もある。FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC type PDP. In FIG. 1, reference numerals 1 and 2 denote glass substrates disposed opposite to each other, and reference numeral 3 denotes a partition. A cell is defined by the glass substrate 1, the glass substrate 2 and the partition 3. 4 is a transparent electrode fixed to the glass substrate 1, 5 is a bus electrode formed on the transparent electrode for the purpose of lowering the resistance of the transparent electrode,
6 is an address electrode fixed to the glass substrate 2, 7 is a phosphor held in the cell, 8 is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 1 so as to cover the transparent electrode 4 and the bus electrode 5, Reference numeral 9 denotes a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 2 so as to cover the address electrode 6, and reference numeral 10 denotes a protective film made of, for example, magnesium oxide. In addition, DC type PD
In P, a resistor is usually provided between an electrode terminal (anode terminal) and an electrode lead (anode lead). Also, PD
In order to improve the contrast of P, a red, green, or blue color filter or a black matrix may be provided between the dielectric layer 8 and the protective film 10 or the like.

【０００４】このようなプラズマディスプレイパネルに
おけるパネル材料、例えば、電極、隔壁、誘電体、抵抗
体、蛍光体、カラーフィルターおよびブラックマトリッ
クスの製造方法としては、（１）非感光性の無機粉体含
有樹脂組成物を基板上にスクリーン印刷してパターンを
得、これを焼成するスクリーン印刷法、（２）感光性の
無機粉体含有樹脂組成物の膜を基板上に形成し、この膜
にフォトマスクを介して紫外線を照射した上で現像する
ことにより基板上にパターンを残存させ、これを焼成す
るフォトリソグラフィー法などが知られている。[0004] Panel materials for such a plasma display panel, for example, electrodes, partition walls, dielectrics, resistors, phosphors, color filters, and black matrices are manufactured by the following methods: (1) Non-photosensitive inorganic powder A screen printing method in which a resin composition is screen-printed on a substrate to obtain a pattern and is baked; (2) a film of a photosensitive inorganic powder-containing resin composition is formed on the substrate, and a photomask is formed on the film; Photolithography and the like are known in which a pattern is left on a substrate by irradiating ultraviolet rays through the substrate and then developed, followed by firing.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ス
クリーン印刷法では、パネルの大型化および高精細化に
伴い、パターンの位置精度の要求が非常に厳しくなり、
通常の印刷では対応できないという問題がある。また、
前記フォトリソグラフィー法では、一回の露光および現
像の工程で１０〜１００μｍの膜厚を有するパターンを
形成する際、無機粉体含有樹脂組成物の膜の深さ方向に
対する感度が不十分であり、必ずしもエッジがシャープ
な高精細パターンが得られるものとはならなかった。発
明者らは、新規な電極、隔壁、抵抗体、誘電体、蛍光
体、カラーフィルターおよびブラックマトリックスを従
来の方法に比べ寸法精度良く形成する方法として、基板
上に無機粉体含有樹脂層およびレジスト層を形成し、当
該レジスト層を露光処理してレジストパターンの潜像を
形成し、当該レジスト層を現像処理してレジストパター
ンを顕在化させ、無機粉体含有樹脂層をエッチング処理
してレジストパターンに対応する無機粉体含有樹脂層の
パターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を
含む方法により、電極、隔壁、誘電体、抵抗体、蛍光
体、カラーフィルターおよびブラックマトリックスの少
なくともひとつを形成する方法を提案している。また、
従来の製造方法に比べて作業性が向上された形成方法と
して、予め支持フィルム上に無機粉体含有樹脂組成物か
らなる無機粉体含有樹脂層を形成し、基板に転写し、基
板上に転写された無機粉体含有樹脂層上にレジスト層を
形成し、当該レジスト層を露光処理してレジストパター
ンの潜像を形成し、当該レジスト層を現像処理してレジ
ストパターンを顕在化させ、無機粉体含有樹脂層をエッ
チング処理してレジストパターンに対応する無機粉体含
有樹脂層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理
する工程を含む方法により、電極、隔壁、誘電体、抵抗
体、蛍光体、カラーフィルターおよびブラックマトリッ
クスの少なくともひとつを形成する方法を提案している
（特開平１１−１６２３３９公報参照）。しかしなが
ら、上記の方法で形成されたパターンにおいては、特に
１５０μｍ幅を超える線幅のパターンにおいて、焼成処
理時のブリスターによりパターンの欠損が発生するとい
う問題があった。また、レジスト層の組成によってはタ
ッキネスが過剰となり、露光時のマスク汚れが発生しや
すく、さらにレジスト層を転写により形成する場合にお
いても、レジスト層からの支持フィルムの剥離が困難で
あるといった作業上の問題点があった。本発明の第１の
目的は、焼成処理工程におけるレジスト層の燃焼性が良
好で、ブリスターによるパターン欠損が生じることな
く、良好なパターンを形成することが可能なプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法を提供することにある。本
発明の第２の目的は、作業性に優れたプラズマディスプ
レイパネルの製造方法を提供することにある。本発明の
第３の目的は、寸法精度に優れたパターンを形成するた
めに好適なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提
供することにある。However, in the screen printing method, the demand for the positional accuracy of the pattern becomes very severe with the increase in the size and definition of the panel.
There is a problem that normal printing cannot cope. Also,
In the photolithography method, when a pattern having a thickness of 10 to 100 μm is formed in a single exposure and development process, the sensitivity of the inorganic powder-containing resin composition in the depth direction of the film is insufficient, High-definition patterns with sharp edges were not always obtained. The present inventors have proposed a method of forming a novel electrode, partition, resistor, dielectric, phosphor, color filter and black matrix with higher dimensional accuracy than the conventional method by using an inorganic powder-containing resin layer and a resist on a substrate. Forming a layer, exposing the resist layer to form a latent image of the resist pattern, developing the resist layer to reveal the resist pattern, and etching the inorganic powder-containing resin layer to form a resist pattern. Forming a pattern of the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the above, forming at least one of electrodes, partition walls, dielectric, resistor, phosphor, color filter and black matrix by a method including a step of baking the pattern Suggest a way to do it. Also,
As a forming method with improved workability compared to the conventional manufacturing method, an inorganic powder-containing resin layer composed of an inorganic powder-containing resin composition is previously formed on a support film, transferred to a substrate, and transferred to a substrate. Forming a resist pattern on the exposed inorganic powder-containing resin layer, exposing the resist layer to an exposure to form a latent image of the resist pattern, developing the resist layer to reveal the resist pattern, Electrodes, partition walls, dielectrics, resistors, and phosphors by a method including a step of forming a pattern of the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern by etching the body-containing resin layer and baking the pattern. A method for forming at least one of a color filter and a black matrix has been proposed (see JP-A-11-162339). However, in the pattern formed by the above-described method, there is a problem that a pattern defect occurs due to blisters at the time of firing treatment, particularly in a pattern having a line width exceeding 150 μm. Also, depending on the composition of the resist layer, tackiness becomes excessive, mask contamination during exposure is likely to occur, and even when the resist layer is formed by transfer, it is difficult to peel off the support film from the resist layer. There was a problem. A first object of the present invention is to provide a method of manufacturing a plasma display panel in which a flammability of a resist layer in a baking treatment step is good, and a good pattern can be formed without causing pattern defects due to blisters. It is in. A second object of the present invention is to provide a method for manufacturing a plasma display panel having excellent workability. A third object of the present invention is to provide a method of manufacturing a plasma display panel suitable for forming a pattern having excellent dimensional accuracy.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明のプラズマディス
プレイパネルの製造方法は、基板上に無機粉体含有樹脂
層を形成し、当該無機粉体含有樹脂層上にレジスト層を
形成し、当該レジスト層を露光処理してレジストパター
ンの潜像を形成し、当該レジスト層を現像処理してレジ
ストパターンを顕在化させ、無機粉体含有樹脂層をエッ
チング処理してレジストパターンに対応する無機粉体含
有樹脂層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理
する工程を含む方法によりパターンを有するパネル材料
を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法にお
いて、レジスト層が、（Ａ）酸価（樹脂１ｇ中における
ＫＯＨのｍｇ当量）が５０〜１２５であり、ガラス転移
温度が６０℃以上であるアルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）反
応性モノマーおよび（Ｃ）放射線重合開始剤を含有する
ことを特徴とする（以下、この方法を「第一の製造方
法」ともいう）。また、本発明のプラズマディスプレイ
パネルの製造方法は、レジスト層と、無機粉体含有樹脂
層との積層膜を支持フィルム上に形成し、当該積層膜を
基板上に転写し、当該積層膜を構成するレジスト層を露
光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該レジ
スト層を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、
無機粉体含有樹脂層をエッチング処理してレジストパタ
ーンに対応する無機粉体含有樹脂層のパターンを形成
し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法によ
り、パターンを有するパネル材料を形成するプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法において、レジスト層が、
（Ａ）酸価が５０〜１２５であり、ガラス転移温度が６
０℃以上であるアルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）反応性モノ
マーおよび（Ｃ）放射線重合開始剤を含有することを特
徴とする（以下、この方法を「第二の製造方法」ともい
う）。According to a method of manufacturing a plasma display panel of the present invention, an inorganic powder-containing resin layer is formed on a substrate, and a resist layer is formed on the inorganic powder-containing resin layer. Exposure of the layer to form a latent image of the resist pattern, development of the resist layer to reveal the resist pattern, and etching of the inorganic powder-containing resin layer to contain the inorganic powder corresponding to the resist pattern In a method for manufacturing a plasma display panel in which a panel material having a pattern is formed by a method including a step of forming a pattern of a resin layer and baking the pattern, the resist layer may comprise (A) an acid value (KOH in 1 g of resin). Alkali equivalent resin having a glass transition temperature of 60 ° C. or higher, (B) a reactive monomer and (C), characterized in that it contains a radiation polymerization initiator (hereinafter, also referred to as "first production method" The method). Further, in the method for manufacturing a plasma display panel of the present invention, a laminated film of a resist layer and an inorganic powder-containing resin layer is formed on a support film, and the laminated film is transferred onto a substrate to form the laminated film. Expose the resist layer to form a latent image of the resist pattern, develop the resist layer to reveal the resist pattern,
Plasma display for forming a panel material having a pattern by a method including a step of forming a pattern of an inorganic powder-containing resin layer corresponding to a resist pattern by etching an inorganic powder-containing resin layer and baking the pattern In the method for manufacturing a panel, the resist layer comprises:
(A) an acid value of 50 to 125 and a glass transition temperature of 6
It is characterized by containing an alkali-soluble resin at 0 ° C. or higher, (B) a reactive monomer, and (C) a radiation polymerization initiator (hereinafter, this method is also referred to as “second production method”).

【０００７】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。 ＜第一の製造方法＞本発明の第一の製造方法において
は、〔１〕無機粉体含有樹脂層の形成工程、〔２〕レジ
スト層の形成工程、〔３〕レジスト層の露光工程、
〔４〕レジスト層の現像工程、〔５〕無機粉体含有樹脂
層のエッチング工程、〔６〕パターンの焼成工程によ
り、パターンを有するパネル材料、例えば、電極、隔
壁、誘電体、抵抗体、蛍光体、カラーフィルターまたは
ブラックマトリックスを形成する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. <First manufacturing method> In the first manufacturing method of the present invention, [1] a step of forming an inorganic powder-containing resin layer, [2] a step of forming a resist layer, [3] an exposing step of a resist layer,
[4] a resist layer developing step, [5] an inorganic powder-containing resin layer etching step, and [6] a pattern baking step, a panel material having a pattern, for example, an electrode, a partition, a dielectric, a resistor, and a fluorescent material. Form body, color filter or black matrix.

【０００８】〔１〕無機粉体含有樹脂層の形成工程 無機粉体樹脂層は、支持フィルム上に無機粉体含有樹脂
層が形成された構成を有する転写フィルムを用い、基板
上に無機粉体含有樹脂層を転写することによって形成す
ることが好ましい。このような形成方法によれば、膜厚
均一性に優れた無機粉体含有樹脂層を容易に形成するこ
とができ、形成されるパターンの膜厚均一化を図ること
ができる。さらに、上記転写フィルムを用いてｎ回転写
を繰り返すことで、ｎ層（ｎは２以上の整数を示す）の
積層体を形成してもよい。また、ｎ層の無機粉体含有樹
脂層からなる積層体を支持フィルム上に形成した転写フ
ィルムを用いて基板上に一括転写することにより、上記
積層体を形成してもよい。転写工程の一例を示せば以下
のとおりである。必要に応じて使用される転写フィルム
の保護フィルム層を剥離した後、基板の表面に、無機粉
体含有樹脂層の表面が当接されるように転写フィルムを
重ね合わせ、この転写フィルムを加熱ローラなどにより
熱圧着した後、無機粉体含有樹脂層から支持フィルムを
剥離除去する。これにより、基板の表面に無機粉体含有
樹脂層が転写されて密着した状態となる。ここで、転写
条件としては、例えば、加熱ローラの表面温度が４０〜
１４０℃、加熱ローラによるロール圧が０．５〜１０ｋ
ｇ／ｃｍ、加熱ローラの移動速度が０．１〜１０ｍ／分
を示すことができる。また、基板は予熱されていてもよ
く、予熱温度としては例えば４０〜１４０℃とすること
ができる。また、基板上に、スクリーン印刷法、ロール
塗布法、回転塗布法、流延塗布法など種々の方法によっ
て無機粉体含有樹脂組成物を塗布した後、塗膜を乾燥す
る方法により、無機粉体含有樹脂層を形成することもで
きる。上記工程をｎ回繰り返すことでｎ層の積層体を形
成してもよい。[1] Step of Forming Inorganic Powder-Containing Resin Layer The inorganic powder-resin layer uses a transfer film having a structure in which an inorganic powder-containing resin layer is formed on a support film, and forms an inorganic powder on a substrate. It is preferable to form it by transferring the containing resin layer. According to such a forming method, an inorganic powder-containing resin layer having excellent thickness uniformity can be easily formed, and the thickness of a formed pattern can be made uniform. Furthermore, by repeating transfer n times using the transfer film, a laminate of n layers (n is an integer of 2 or more) may be formed. Alternatively, the laminate may be formed by batch-transferring a laminate comprising n layers of the inorganic powder-containing resin layer onto a substrate using a transfer film formed on a support film. An example of the transfer step is as follows. After peeling off the protective film layer of the transfer film used as necessary, the transfer film is overlaid so that the surface of the inorganic powder-containing resin layer is in contact with the surface of the substrate, and the transfer film is heated with a heating roller. After thermocompression bonding, the support film is peeled off from the inorganic powder-containing resin layer. As a result, the inorganic powder-containing resin layer is transferred to the surface of the substrate and brought into close contact therewith. Here, as the transfer conditions, for example, the surface temperature of the heating roller is 40 to
140 ° C, roll pressure by heating roller is 0.5-10k
g / cm, and the moving speed of the heating roller can be 0.1 to 10 m / min. The substrate may be preheated, and the preheating temperature may be, for example, 40 to 140 ° C. Further, after applying the inorganic powder-containing resin composition on the substrate by various methods such as a screen printing method, a roll coating method, a spin coating method, a cast coating method, and then drying the coating film, the inorganic powder may be dried. A containing resin layer can also be formed. The above process may be repeated n times to form an n-layer laminate.

【０００９】〔２〕レジスト層の形成工程 この工程においては、形成された無機粉体含有樹脂層の
表面にレジスト層を形成する。レジスト層は、スクリー
ン印刷法、ロール塗布法、回転塗布法、流延塗布法等種
々の方法によってレジストを塗布した後、塗膜を乾燥す
ることにより形成することができる。また、支持フィル
ム上にレジスト層が形成された構成を有する転写フィル
ムを用い、無機粉体含有樹脂層上に転写することによっ
て形成してもよい。このような形成方法によれば、レジ
スト層を容易に形成することができ、形成されるパター
ンの膜厚均一化を図ることができる。レジスト層の膜厚
としては、通常、０．１〜４０μｍ、好ましくは０．５
〜２０μｍである。[2] Step of forming resist layer In this step, a resist layer is formed on the surface of the formed inorganic powder-containing resin layer. The resist layer can be formed by applying a resist by various methods such as a screen printing method, a roll coating method, a spin coating method, a casting coating method, and then drying the coating film. Alternatively, it may be formed by using a transfer film having a configuration in which a resist layer is formed on a support film, and transferring the image onto the inorganic powder-containing resin layer. According to such a formation method, the resist layer can be easily formed, and the thickness of the formed pattern can be made uniform. The thickness of the resist layer is generally 0.1 to 40 μm, preferably 0.5 to 40 μm.
２０20 μm.

【００１０】〔３〕レジスト層の露光工程 この工程においては、無機粉体含有樹脂層上に形成され
たレジスト層の表面に、露光用マスクを介して、紫外線
などの放射線の選択的照射（露光）を行い、レジストパ
ターンの潜像を形成する。ここに、放射線照射装置とし
ては、前記フォトリソグラフィー法で使用されている紫
外線照射装置、半導体および液晶表示装置を製造する際
に使用されている露光装置などが用いられるが、特に限
定されるものではない。[3] Step of exposing the resist layer In this step, the surface of the resist layer formed on the inorganic powder-containing resin layer is selectively irradiated with radiation such as ultraviolet rays (exposure) through an exposure mask. ) To form a latent image of the resist pattern. Here, as the radiation irradiating device, an ultraviolet irradiating device used in the photolithography method, an exposure device used in manufacturing a semiconductor and a liquid crystal display device and the like are used, but it is not particularly limited. Absent.

【００１１】〔４〕レジスト層の現像工程 この工程においては、露光されたレジスト層を現像処理
することにより、レジストパターン（潜像）を顕在化さ
せる。ここに、現像処理条件としては、レジスト層の種
類などに応じて、現像液の種類・組成・濃度、現像時
間、現像温度、現像方法（例えば浸漬法、揺動法、シャ
ワー法、スプレー法、パドル法など）、現像装置などを
適宜選択することができる。この現像工程により、レジ
スト残留部とレジスト除去部とから構成されるレジスト
パターンが形成される。このレジストパターンは、次工
程（エッチング工程）におけるエッチングマスクとして
作用するものであり、レジスト残留部の構成材料（光硬
化されたレジスト）は、無機粉体含有樹脂層の構成材料
よりもエッチング液に対する溶解速度が小さいことが必
要である。[4] Step of Developing Resist Layer In this step, the resist pattern (latent image) is exposed by developing the exposed resist layer. Here, the developing conditions include the type, composition, and concentration of the developing solution, the developing time, the developing temperature, and the developing method (for example, immersion method, rocking method, shower method, spray method, Paddle method), a developing device, and the like can be appropriately selected. By this developing step, a resist pattern composed of a resist remaining portion and a resist removing portion is formed. This resist pattern functions as an etching mask in the next step (etching step), and the constituent material of the remaining resist portion (photocured resist) is more resistant to the etching solution than the constituent material of the inorganic powder-containing resin layer. It is necessary that the dissolution rate be low.

【００１２】〔５〕無機粉体含有樹脂層のエッチング工
程 この工程においては、無機粉体含有樹脂層をエッチング
処理し、レジストパターンに対応するパターンを形成す
る。すなわち、無機粉体含有樹脂層のうち、レジストパ
ターンのレジスト除去部に対応する部分がエッチング液
に溶解されて選択的に除去される。そして、無機粉体含
有樹脂層におけるレジスト除去部に対応する部分で、基
板表面が露出する。これにより、材料層残留部と材料層
除去部とから構成されるパターンが形成される。ここ
に、エッチング処理条件としては、無機粉体含有樹脂層
の種類などに応じて、エッチング液の種類・組成・濃
度、処理時間、処理温度、処理方法（例えば浸漬法、揺
動法、シャワー法、スプレー法、パドル法）、処理装置
などを適宜選択することができる。なお、エッチング液
として、現像工程で使用した現像液と同一の溶液を使用
することができるよう、レジスト層および無機粉体含有
樹脂層の種類を選択することにより、現像工程と、エッ
チング工程とを連続的に実施することが可能となり、工
程の簡略化による製造効率の向上を図ることができる。
なお、エッチング処理後に残留したレジスト残留部は、
次の焼成工程で除去される。[5] Step of Etching Inorganic Powder-Containing Resin Layer In this step, the inorganic powder-containing resin layer is etched to form a pattern corresponding to the resist pattern. That is, a portion of the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist removal portion of the resist pattern is dissolved in the etchant and selectively removed. Then, the substrate surface is exposed at a portion corresponding to the resist removal portion in the inorganic powder-containing resin layer. As a result, a pattern composed of the material layer remaining portion and the material layer removed portion is formed. Here, the etching conditions include the type, composition, and concentration of the etching solution, the processing time, the processing temperature, and the processing method (for example, the immersion method, the oscillating method, and the shower method) in accordance with the type of the inorganic powder-containing resin layer. , A spray method, a paddle method), a processing apparatus and the like can be appropriately selected. The developing step and the etching step are performed by selecting the type of the resist layer and the inorganic powder-containing resin layer so that the same solution as the developing solution used in the developing step can be used as the etching liquid. It is possible to carry out continuously, and it is possible to improve the production efficiency by simplifying the steps.
Note that the remaining resist remaining after the etching process is
It is removed in the next firing step.

【００１３】〔６〕パターンの焼成工程 この工程においては、パターンを焼成処理して、パネル
材料、例えば、電極、隔壁、誘電体、抵抗体、蛍光体、
カラーフィルターまたはブラックマトリックスを形成す
る。これにより、材料層残留部中の有機物質が焼失し
て、金属層、ガラス層、蛍光体層などの無機物層が形成
され、基板の表面に電極、隔壁、誘電体、抵抗体、蛍光
体、カラーフィルターまたはブラックマトリックスのパ
ターンが形成されてなるパネル材料を得ることができ
る。ここに、焼成処理の温度としては、材料層残留部中
の有機物質が焼失される温度であることが必要であり、
通常、４００〜６００℃とされる。また、焼成時間は、
通常１０〜９０分間とされる。[6] Pattern firing step In this step, the pattern is fired to obtain a panel material such as an electrode, a partition, a dielectric, a resistor, a phosphor,
Form a color filter or black matrix. As a result, the organic substance in the remaining portion of the material layer is burned off, and an inorganic layer such as a metal layer, a glass layer, and a phosphor layer is formed, and electrodes, partition walls, a dielectric, a resistor, a phosphor, and the like are formed on the surface of the substrate. A panel material formed with a color filter or a black matrix pattern can be obtained. Here, the temperature of the baking treatment needs to be a temperature at which the organic substance in the remaining portion of the material layer is burned off,
Usually, it is set to 400 to 600 ° C. The firing time is
Usually, it is 10 to 90 minutes.

【００１４】＜第二の製造方法＞本発明の第二の製造方
法においては、支持フィルム上にレジスト層と無機粉体
含有樹脂層との積層膜が形成されてなる転写フィルムを
用いることにより、当該積層膜を基板上に転写して、無
機粉体含有樹脂層とレジスト層が一括で形成される。上
記転写工程は、上記第一の製造方法と同様の方法を挙げ
ることができる。なお、本発明の第二の製造方法におけ
る、レジスト層の露光工程、レジスト層の現像工程、無
機粉体含有樹脂層のエッチング工程およびパターンの焼
成工程は、上記第一の製造方法〔３〕〜〔６〕と同様の
方法を挙げることができる。<Second Production Method> In the second production method of the present invention, by using a transfer film in which a laminated film of a resist layer and an inorganic powder-containing resin layer is formed on a support film, The laminated film is transferred onto a substrate, and an inorganic powder-containing resin layer and a resist layer are collectively formed. The transfer step may include a method similar to the first manufacturing method. Note that, in the second manufacturing method of the present invention, the exposure step of the resist layer, the developing step of the resist layer, the etching step of the inorganic powder-containing resin layer, and the baking step of the pattern are performed in the first manufacturing method [3] to above. The same method as in [6] can be mentioned.

【００１５】以下、上記各工程に用いられる材料、各種
条件などについて説明する。 ＜基板＞基板材料としては、例えばガラス、シリコー
ン、ポリカーボネート、ポリエステル、芳香族アミド、
ポリアミドイミド、ポリイミドなどの絶縁性材料からな
る板状部材が挙げられる。この板状部材の表面に対して
は、必要に応じて、シランカップリング剤などによる薬
品処理；プラズマ処理；イオンプレーティング法、スパ
ッタリング法、気相反応法、真空蒸着法などによる薄膜
形成処理のような適宜の前処理を施されていてもよい。Hereinafter, the materials used in each of the above steps, various conditions, and the like will be described. <Substrate> As the substrate material, for example, glass, silicone, polycarbonate, polyester, aromatic amide,
A plate-like member made of an insulating material such as polyamide imide or polyimide can be used. The surface of the plate-like member may be subjected to a chemical treatment with a silane coupling agent or the like as necessary; a plasma treatment; a thin film forming treatment by an ion plating method, a sputtering method, a gas phase reaction method, a vacuum deposition method, or the like. Such an appropriate pretreatment may be performed.

【００１６】＜無機粉体含有樹脂層＞本発明の製造方法
に用いる無機粉体含有樹脂層は、無機粉体、結着樹脂お
よび溶剤を含有してなるペースト状の無機粉体含有樹脂
組成物を塗布し、塗膜を乾燥して溶剤の一部または全部
を除去することにより形成することができる。本発明の
製造方法に好ましく用いられる転写フィルムは、支持フ
ィルム上に上記無機粉体含有樹脂組成物を塗布、乾燥し
て無機粉体含有樹脂層を形成して得られ、当該無機粉体
含有樹脂層の表面に保護フィルム層が設けられていても
よい。<Inorganic powder-containing resin layer> The inorganic powder-containing resin layer used in the production method of the present invention is a paste-like inorganic powder-containing resin composition containing an inorganic powder, a binder resin and a solvent. And drying the coating to remove part or all of the solvent. The transfer film preferably used in the production method of the present invention is obtained by applying the above-mentioned inorganic powder-containing resin composition on a support film and drying to form an inorganic powder-containing resin layer. A protective film layer may be provided on the surface of the layer.

【００１７】（１）無機粉体含有樹脂組成物 本発明における無機粉体含有樹脂組成物は、無機粉体、
結着樹脂および溶剤を必須成分とする。 （ａ）無機粉体 無機粉体含有樹脂組成物に使用される無機粉体は、形成
するパターン材料の種類によって異なる。電極形成材料
に使用される無機粉体としては、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎ
ｉ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｃｕ、Ｃｒなどの粒子を挙げるこ
とができる。隔壁形成材料や誘電体形成材料に使用され
る無機粉体としては、低融点ガラスなどが挙げられ、具
体的には、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素の混合
物（ZnO-B₂O₃-SiO₂系）、酸化鉛、酸化ホウ素、酸化
ケイ素の混合物（PbO-B₂O₃-SiO₂）、酸化鉛、酸化ホ
ウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムの混合物（PbO-B₂
O₃-SiO₂-Al₂O₃系）、酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ
素、酸化ケイ素の混合物（PbO-ZnO-B₂O₃-SiO₂系）、
酸化ビスマス、酸化珪素、酸化硼素の混合物(Bi₂O₃-SiO
₂-B₂O₃)、酸化ビスマス、酸化珪素、酸化硼素、酸化亜
鉛の混合物(Bi₂O₃-SiO₂-B₂O₃-ZnO)、酸化ビスマス、
酸化珪素、酸化硼素、酸化亜鉛、酸化アルミニウムの混
合物の混合物(Bi₂O₃-SiO₂-B₂O₃-ZnO-Al₂O₃)などを挙げ
ることができる。抵抗体形成材料に使用される無機粉体
としては、RuO₂などを挙げることができる。蛍光体形成
材料に使用される無機粉体としては、赤色用としてはY₂
O₃:Eu³⁺、Y ₂SiO₅:Eu³⁺、Y₃Al₅O₁₂:Eu³⁺、YVO₄:Eu³⁺、
（Y,Gd）BO₃:Eu³⁺、Zn₃（PO₄）₂:Mnなど、緑色用として
はZn₂SiO₄:Mn、BaAl₁₂O₁₉:Mn、BaMgAl₁₄O₂₃:Mn、LaPO₄:
（Ce,Tb）、Y₃（Al,Ga）₅O₁₂:Tbなど、青色用としてはY
₂SiO₅:Ce、BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺、BaMgAl₁₄O₂₃:Eu²⁺、（C
a,Sr,Ba）₁₀（PO₄）₆Cl₂:Eu²⁺、（Zn,Cd）S:Agなどを挙
げることができる。カラーフィルター形成材料に使用さ
れる無機粉体としては、赤色用としてはFe ₂O₃、Pb₃O₄な
ど、緑色用としてはCr₂O₃など、青色用としては2（Al₂N
a₂Si₃O₁₀）・Na₂S₄などを挙げることができる。ブラッ
クマトリックス形成材料に使用される無機粉体として
は、Ni、Ti、Cu、Mn、Fe、Cr、Coなどの金属、金属酸化
物、Co-Cr-Fe、Co-Mn-Fe、Co-Fe-Mn、Co-Ni-Cr-Fe、Co-
Ni-Mn-Cr-Fe、Co-Ni-Al-Cr-Fe、Co-Mn-Al-Cr-Fe-B等の
複合金属酸化物、カーボンブラック、などを挙げること
ができる。これらの無機粉体の平均粒径としては、好ま
しくは０．０１〜１０μｍ、より好ましくは０．０５〜
５μｍである。無機粉体の平均粒径が０．０１μｍ未満
の場合は、無機粉体の比表面積が大きくなることから無
機粉体含有組成物中で粒子の凝集が発生しやすくなり、
安定した分散状態を得るのが難しくなる。一方、無機粉
体の平均粒径が１０μｍ以上の場合は、高精細パターン
を得るのが難しくなる。また、電極、抵抗体、蛍光体、
カラーフィルター、ブラックマトリクスには、上述した
各無機粉体のほかに、隔壁および誘電体層に用いられる
低融点ガラスが含有されてもよい。これらのパネル材料
を得るための無機粉体含有樹脂組成物における低融点ガ
ラスの含有量は、無機粉体全量に対して８０質量％以
下、好ましくは５０質量％以下である。(1) Inorganic powder-containing resin composition The inorganic powder-containing resin composition of the present invention comprises an inorganic powder,
The binder resin and the solvent are essential components. (A) Inorganic powder The inorganic powder used in the inorganic powder-containing resin composition is formed
It depends on the type of pattern material to be used. Electrode forming material
Ag, Au, Al, N
i, Ag-Pd alloy, Cu, Cr, etc.
Can be. Used for partition wall forming material and dielectric forming material
Examples of the inorganic powder include low melting point glass.
Physically, a mixture of zinc oxide, boron oxide and silicon oxide
Object (ZnO-B_TwoO_Three-SiO_TwoSystem), lead oxide, boron oxide, oxidation
Silicon mixture (PbO-B_TwoO_Three-SiO_Two), Lead oxide, oxide
A mixture of iodine, silicon oxide and aluminum oxide (PbO-B_Two
O_Three-SiO_Two-Al_TwoO_ThreeSystem), lead oxide, zinc oxide, borane oxide
Mixture of silicon and silicon oxide (PbO-ZnO-B_TwoO_Three-SiO_Twosystem),
A mixture of bismuth oxide, silicon oxide and boron oxide (Bi_TwoO_Three-SiO
_Two-B_TwoO_Three), Bismuth oxide, silicon oxide, boron oxide, suboxide
Lead mixture (Bi_TwoO_Three-SiO_Two-B_TwoO_Three-ZnO), bismuth oxide,
A mixture of silicon oxide, boron oxide, zinc oxide, and aluminum oxide
Mixture of compounds (Bi_TwoO_Three-SiO_Two-B_TwoO_Three-ZnO-Al_TwoO_Three)
Can be Inorganic powder used for resistor forming material
As RuO_TwoAnd the like. Phosphor formation
The inorganic powder used for the material is Y for red._Two
O_Three:EU³⁺, Y _TwoSiO_Five:EU³⁺, Y_ThreeAl_FiveO₁₂:EU³⁺, YVO_Four:EU³⁺,
(Y, Gd) BO_Three:EU³⁺, Zn_Three(PO_Four)_Two: Mn etc. for green color
Is Zn_TwoSiO_Four: Mn, BaAl₁₂O₁₉: Mn, BaMgAl₁₄O_{twenty three}: Mn, LaPO_Four:
(Ce, Tb), Y_Three(Al, Ga)_FiveO₁₂: Y for blue color such as Tb
_TwoSiO_Five: Ce, BaMgAl_TenO₁₇:EU²⁺, BaMgAl₁₄O_{twenty three}:EU²⁺, (C
a, Sr, Ba)_Ten(PO_Four)₆Cl_Two:EU²⁺, (Zn, Cd) S: Ag
I can do it. Used for color filter forming material
Fe powder for red _TwoO_Three, Pb_ThreeO_FourWhat
For green, use Cr_TwoO_ThreeSuch as 2 (Al_TwoN
a_TwoSi_ThreeO_Ten) ・ Na_TwoS_FourAnd the like. Black
As inorganic powder used in matrix forming materials
Are metals such as Ni, Ti, Cu, Mn, Fe, Cr, Co, and metal oxides
Material, Co-Cr-Fe, Co-Mn-Fe, Co-Fe-Mn, Co-Ni-Cr-Fe, Co-
Ni-Mn-Cr-Fe, Co-Ni-Al-Cr-Fe, Co-Mn-Al-Cr-Fe-B etc.
List composite metal oxides, carbon black, etc.
Can be. The average particle size of these inorganic powders is preferred.
0.01 to 10 μm, more preferably 0.05 to
5 μm. Average particle size of inorganic powder is less than 0.01μm
In the case of, the specific surface area of the inorganic powder increases,
Agglomeration of particles is likely to occur in the machine powder-containing composition,
It becomes difficult to obtain a stable dispersion state. On the other hand, inorganic powder
If the average particle size of the body is 10μm or more, high definition pattern
Is difficult to obtain. Also, electrodes, resistors, phosphors,
For the color filter and black matrix,
Used for partition walls and dielectric layers in addition to each inorganic powder
Low melting point glass may be contained. These panel materials
Low melting point in the inorganic powder-containing resin composition to obtain
The content of lath should be 80% by mass or less based on the total amount of inorganic powder.
Lower, preferably 50% by mass or less.

【００１８】（ｂ）結着樹脂 無機粉体含有樹脂組成物を構成する結着樹脂としては、
種々の樹脂を用いることができるが、アルカリ可溶性樹
脂を３０〜１００重量％の割合で含有する樹脂を用いる
ことが好ましい。ここに、「アルカリ可溶性」とは、ア
ルカリ性のエッチング液によって溶解し、目的とするエ
ッチング処理が遂行される程度に溶解性を有する性質を
いう。かかるアルカリ可溶性樹脂の具体例としては、例
えば（メタ）アクリル系樹脂、ヒドロキシスチレン樹
脂、ノボラック樹脂、ポリエステル樹脂などを挙げるこ
とができる。このようなアルカリ可溶性樹脂のうち、特
に好ましいものとしては、下記のモノマー（イ）とモノ
マー（ハ）との共重合体、モノマー（イ）、モノマー
（ロ）およびモノマー（ハ）の共重合体などのアクリル
樹脂を挙げることができる。(B) Binder Resin The binder resin constituting the inorganic powder-containing resin composition includes:
Although various resins can be used, it is preferable to use a resin containing an alkali-soluble resin in a ratio of 30 to 100% by weight. Here, “alkali-soluble” refers to a property of being dissolved by an alkaline etchant and having such solubility that an intended etching process is performed. Specific examples of such alkali-soluble resins include, for example, (meth) acrylic resins, hydroxystyrene resins, novolak resins, polyester resins, and the like. Among such alkali-soluble resins, particularly preferred are copolymers of the following monomers (a) and (c), copolymers of monomers (a), (b) and (c) And acrylic resins.

【００１９】モノマー（イ）：カルボキシル基含有モノ
マー類 アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、ク
ロトン酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ケ
イ皮酸、コハク酸モノ（２−（メタ）アクリロイロキシ
エチル）、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ
（メタ）アクリレートなど。 モノマー（ロ）：ＯＨ含有モノマー類 （メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）ア
クリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸
３−ヒドロキシプロピルなどの水酸基含有モノマー類；
ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ
−ヒドロキシスチレンなどのフェノール性水酸基含有モ
ノマー類など。 モノマー（ハ）：その他の共重合可能なモノマー類 （メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチ
ル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル
酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ｎ−ラウリ
ル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸
グリシジル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニルな
どのモノマー（イ）以外の（メタ）アクリル酸エステル
類；スチレン、α−メチルスチレンなどの芳香族ビニル
系モノマー類；ブタジエン、イソプレンなどの共役ジエ
ン類；ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリル酸メチル、
ポリ（メタ）アクリル酸エチル、ポリ（メタ）アクリル
酸ベンジル等のポリマー鎖の一方の末端に（メタ）アク
リロイル基などの重合性不飽和基を有するマクロモノマ
ー類など。Monomers (A): Carboxyl group-containing monomers Acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, succinic acid mono (2- (meth) Acryloyloxyethyl), ω-carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate, and the like. Monomer (b): OH-containing monomers Hydroxyl-containing monomers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate;
o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, p
-Phenolic hydroxyl group-containing monomers such as hydroxystyrene. Monomer (c): Other copolymerizable monomers Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid (Meth) acrylates other than monomer (A) such as n-lauryl, benzyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate; styrene, α-methylstyrene, etc. Aromatic vinyl monomers; conjugated dienes such as butadiene and isoprene; polystyrene, polymethyl (meth) acrylate,
Macromonomers having a polymerizable unsaturated group such as a (meth) acryloyl group at one end of a polymer chain, such as ethyl poly (meth) acrylate and polybenzyl methacrylate.

【００２０】上記モノマー（イ）とモノマー（ハ）との
共重合体や、モノマー（イ）、モノマー（ロ）およびモ
ノマー（ハ）の共重合体は、モノマー（イ）に由来する
共重合成分の存在により、アルカリ可溶性を有するもの
となる。中でもモノマー（イ）、モノマー（ロ）および
モノマー（ハ）の共重合体は、（Ａ）無機粒子の分散安
定性や後述するアルカリ現像液への溶解性の観点から特
に好ましい。この共重合体におけるモノマー（イ）に由
来する共重合成分の含有率は、好ましくは５〜６０質量
％、特に好ましくは１０〜４０質量％であり、モノマー
（ロ）に由来する共重合成分の含有率は、好ましくは１
〜５０質量％、特に好ましくは５〜３０質量％である。The copolymer of the monomer (a) and the monomer (c) or the copolymer of the monomer (a), the monomer (b) and the monomer (c) is a copolymer component derived from the monomer (a). Has alkali solubility due to the presence of Above all, a copolymer of the monomer (a), the monomer (b) and the monomer (c) is particularly preferable from the viewpoint of the dispersion stability of the inorganic particles (A) and the solubility in an alkali developer described later. The content of the copolymer component derived from the monomer (A) in this copolymer is preferably 5 to 60% by mass, particularly preferably 10 to 40% by mass, and the content of the copolymer component derived from the monomer (B) is The content is preferably 1
-50 mass%, particularly preferably 5-30 mass%.

【００２１】上記アルカリ可溶性樹脂の分子量として
は、ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量
（以下、単に「Ｍｗ」ともいう）として、５，０００〜
５，０００，０００であることが好ましく、さらに好ま
しくは１０，０００〜３００，０００とされる。また、
無機粉体含有樹脂組成物における結着樹脂の含有割合と
しては、無機粉体１００重量部に対して、通常、１〜２
００重量部とされ、好ましくは、５〜１００重量部、特
に好ましくは、１０〜８０重量部とされる。The molecular weight of the alkali-soluble resin is from 5,000 to 5,000 as a weight average molecular weight in terms of polystyrene by GPC (hereinafter, also simply referred to as “Mw”).
It is preferably 5,000,000, and more preferably 10,000 to 300,000. Also,
The content ratio of the binder resin in the inorganic powder-containing resin composition is usually 1 to 2 with respect to 100 parts by weight of the inorganic powder.
00 parts by weight, preferably 5 to 100 parts by weight, particularly preferably 10 to 80 parts by weight.

【００２２】（ｃ）溶剤 無機粉体含有樹脂組成物を構成する溶剤は、当該無機粉
体含有樹脂組成物に、適当な流動性または可塑性、良好
な膜形成性を付与するために含有される。当該溶剤とし
ては、例えば、エーテル類、エステル類、エーテルエス
テル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミ
ドエステル類、ラクタム類、ラクトン類、スルホキシド
類、スルホン類、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類な
どを挙げることができる。かかる溶剤の具体例として
は、テトラヒドロフラン、アニソール、ジオキサン、エ
チレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレン
グリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコー
ルモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジア
ルキルエーテル類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エ
ステル類、アルコキシ酢酸エステル類、プロピオン酸エ
ステル類、ヒドロキシプロピオン酸エステル類、アルコ
キシプロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、エチレ
ングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロ
ピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、
アルコキシ酢酸エステル類、環式ケトン類、非環式ケト
ン類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル類、
Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド類、Ｎ，Ｎ−ジアルキ
ルアセトアミド類、Ｎ−アルキルピロリドン類、γ−ラ
クトン類、ジアルキルスルホキシド類、ジアルキルスル
ホン類、ターピネオール、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
などを挙げることができ、これらは単独でまたは２種以
上を組み合わせて用いることができる。これらのうち、
エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレ
ングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコ
ールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジ
アルキルエーテル類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸
エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、プロピオン酸
エステル類、ヒドロキシプロピオン酸エステル類、アル
コキシプロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、エチ
レングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プ
ロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
類、アルコキシ酢酸エステル類、環式ケトン類、非環式
ケトン類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル
類などが特に好ましく用いられる。無機粉体含有樹脂組
成物における溶剤の含有割合としては、良好な膜形成性
（流動性または可塑性）が得られる範囲内において適宜
選択することができる。(C) Solvent The solvent constituting the inorganic powder-containing resin composition is contained in order to impart appropriate fluidity or plasticity and good film-forming property to the inorganic powder-containing resin composition. . Examples of the solvent include ethers, esters, ether esters, ketones, ketone esters, amides, amide esters, lactams, lactones, sulfoxides, sulfones, hydrocarbons, and halogenated carbons. Hydrogens and the like can be mentioned. Specific examples of such a solvent include tetrahydrofuran, anisole, dioxane, ethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, acetates, hydroxyacetates, and alkoxyacetic acid. Esters, propionates, hydroxypropionates, alkoxypropionates, lactates, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether acetates,
Alkoxyacetates, cyclic ketones, acyclic ketones, acetoacetates, pyruvates,
N, N-dialkylformamides, N, N-dialkylacetamides, N-alkylpyrrolidones, γ-lactones, dialkylsulfoxides, dialkylsulfones, terpineol, N-methyl-2-pyrrolidone and the like can be mentioned. These can be used alone or in combination of two or more. Of these,
Ethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, acetates, hydroxyacetates, alkoxyacetates, propionates, hydroxypropionates, Alkoxypropionates, lactates, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether acetates, alkoxyacetates, cyclic ketones, acyclic ketones, acetoacetates, pyruvates And the like are particularly preferably used. The content ratio of the solvent in the inorganic powder-containing resin composition can be appropriately selected within a range where good film-forming properties (fluidity or plasticity) can be obtained.

【００２３】また、上記無機粉体含有樹脂組成物には、
任意成分として、可塑剤、分散剤、現像促進剤、接着助
剤、ハレーション防止剤、レベリング剤、保存安定剤、
消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、増感剤、連鎖移動
剤などの各種添加剤が含有されてもよい。また、無機粉
体含有樹脂組成物は、無機粉体、結着樹脂、溶剤のほか
に、反応性モノマーおよび放射線重合開始剤等を含む感
光性無機粉体含有樹脂組成物であってもよい。上記反応
性モノマーおよび放射線重合開始剤は、後述するレジス
ト組成物に含有される反応性モノマーおよび放射線重合
開始剤を用いることができる。無機粉体含有樹脂組成物
は、上記無機粒子、結着樹脂、溶剤および必要に応じて
上記任意成分を、ロール混練機、ミキサー、ホモミキサ
ー、ボールミル、ビーズミルなどの混練機を用いて混練
することにより調製することができる。上記のようにし
て調製される無機粉体含有樹脂組成物は、塗布に適した
流動性を有するペースト状の組成物であり、その粘度
は、通常１００〜１，０００，０００ｃｐ、好ましくは
５００〜３００，０００ｃｐとされる。The above-mentioned resin composition containing an inorganic powder includes:
Optional components include a plasticizer, dispersant, development accelerator, adhesion aid, antihalation agent, leveling agent, storage stabilizer,
Various additives such as an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a sensitizer, and a chain transfer agent may be contained. The inorganic powder-containing resin composition may be a photosensitive inorganic powder-containing resin composition containing a reactive monomer, a radiation polymerization initiator, and the like, in addition to the inorganic powder, the binder resin, and the solvent. As the reactive monomer and the radiation polymerization initiator, a reactive monomer and a radiation polymerization initiator contained in a resist composition described later can be used. The inorganic powder-containing resin composition is obtained by kneading the inorganic particles, the binder resin, the solvent, and the optional components as necessary, using a kneader such as a roll kneader, a mixer, a homomixer, a ball mill, or a bead mill. Can be prepared. The inorganic powder-containing resin composition prepared as described above is a paste-like composition having fluidity suitable for application, and has a viscosity of usually 100 to 1,000,000 cp, preferably 500 to 1,000,000 cp. 300,000 cp.

【００２４】（２）転写フィルム：本発明で好適に用い
られる転写フィルムを構成する支持フィルムは、耐熱性
および耐溶剤性を有すると共に可撓性を有する樹脂フィ
ルムであることが好ましい。支持フィルムが可撓性を有
することにより、ロールコータによってペースト状組成
物を塗布することができ、無機粉体含有樹脂層をロール
状に巻回した状態で保存し、供給することができる。支
持フィルムを形成する樹脂としては、例えばポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルア
ルコール、ポリ塩化ビニル、ポリフロロエチレンなどの
含フッ素樹脂、ナイロン、セルロースなどを挙げること
ができる。支持フィルムの厚さとしては、例えば２０〜
１００μｍとされる。(2) Transfer Film: The support film constituting the transfer film preferably used in the present invention is preferably a resin film having heat resistance and solvent resistance and having flexibility. When the support film has flexibility, the paste composition can be applied by a roll coater, and the inorganic powder-containing resin layer can be stored and supplied in a rolled state. Examples of the resin forming the support film include fluorine-containing resins such as polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, and polyfluoroethylene, nylon, and cellulose. As the thickness of the support film, for example, 20 to
100 μm.

【００２５】無機粉体含有樹脂組成物を支持フィルム上
に塗布する方法としては、膜厚の均一性に優れた膜厚の
大きい（例えば１０μｍ以上）塗膜を効率よく形成する
ことができるものであることが必要とされ、具体的に
は、ロールコータによる塗布方法、ドクターブレードに
よる塗布方法、カーテンコータによる塗布方法、ダイコ
ータによる塗布方法、ワイヤーコータによる塗布方法な
どを好ましいものとして挙げることができる。なお、無
機粉体含有樹脂組成物が塗布される支持フィルムの表面
には離型処理が施されていることが好ましい。これによ
り、後述する転写工程において、支持フィルムの剥離操
作を容易に行うことができる。The method of applying the inorganic powder-containing resin composition onto the support film is such that a coating film having a large thickness (for example, 10 μm or more) excellent in uniformity of the film thickness can be efficiently formed. It is necessary to have a specific method, and specific examples thereof include a coating method using a roll coater, a coating method using a doctor blade, a coating method using a curtain coater, a coating method using a die coater, and a coating method using a wire coater. In addition, it is preferable that the surface of the support film on which the inorganic powder-containing resin composition is applied is subjected to a release treatment. Thereby, in the transfer step described later, the operation of peeling the support film can be easily performed.

【００２６】塗膜の乾燥条件としては、例えば、５０〜
１５０℃で０．５〜３０分間程度とされ、乾燥後におけ
る溶剤の残存割合（無機粉体含有樹脂層中の含有率）
は、通常２質量％以内とされる。上記のようにして支持
フィルム上に形成される無機粉体含有樹脂層の厚さとし
ては、無機粉体の含有率、部材の種類やサイズなどによ
っても異なるが、例えば５〜５００μｍとされる。な
お、無機粉体含有樹脂層の表面に設けられることのある
保護フィルム層としては、ポリエチレンフィルム、ポリ
ビニルアルコール系フィルムなどを挙げることができ
る。さらに、本発明の第二の製造方法に用いられる転写
フィルムは、支持フィルム上に後述するレジスト組成物
を塗布、乾燥してレジスト層を形成し、当該レジスト層
上に無機粉体含有樹脂層を形成し、積層膜を得る。The drying conditions of the coating film are, for example, 50 to
It is set to about 0.5 to 30 minutes at 150 ° C., and the residual ratio of the solvent after drying (content in the inorganic powder-containing resin layer)
Is usually within 2% by mass. The thickness of the inorganic powder-containing resin layer formed on the support film as described above varies depending on the content of the inorganic powder, the type and size of the member, and is, for example, 5 to 500 μm. In addition, as a protective film layer that may be provided on the surface of the inorganic powder-containing resin layer, a polyethylene film, a polyvinyl alcohol-based film, and the like can be given. Further, the transfer film used in the second production method of the present invention, a resist composition described below is coated on a support film, dried to form a resist layer, and an inorganic powder-containing resin layer on the resist layer To form a laminated film.

【００２７】＜レジスト層（レジスト組成物）＞本発明
の製造方法において用いられるレジスト層は、（Ａ）ア
ルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）反応性モノマーおよび（Ｃ）
放射線重合開始剤を含有し、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂
として、酸価が５０〜１２５であり、かつガラス転移温
度が６０℃以上であるアルカリ可溶性樹脂を含有する点
に特徴を有する。なお、本発明でいう「放射線」とは、
可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線などを含む
ものである。<Resist Layer (Resist Composition)> The resist layer used in the production method of the present invention comprises (A) an alkali-soluble resin, (B) a reactive monomer and (C)
It is characterized in that it contains a radiation polymerization initiator and (A) an alkali-soluble resin having an acid value of 50 to 125 and a glass transition temperature of 60 ° C. or higher as an alkali-soluble resin. In the present invention, "radiation"
It includes visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray, and the like.

【００２８】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂 本発明のレジスト層においては、含有されるアルカリ可
溶性樹脂の酸価が５０〜１２５、好ましくは６０〜１０
０である。アルカリ可溶性樹脂の酸価が５０未満では、
レジスト層のアルカリ現像性が低下し、パターンエッジ
の乱れが生じる傾向がある。またアルカリ可溶性樹脂の
酸価が１２５を超えると、レジスト層の燃焼性が悪化
し、焼成処理時のブリスターによりパターンの欠損が発
生しやすくなる。また、本発明のレジスト層において
は、アルカリ可溶性樹脂のガラス転移温度が６０℃以
上、好ましくは８０℃以上である。アルカリ可溶性樹脂
のガラス転移温度が６０℃未満である場合には、レジス
ト層のタッキネスが過剰となり、露光時のマスク汚れが
発生しやすく、さらにレジスト層を転写により形成する
場合においても、レジスト層からの支持フィルムの剥離
が困難であるという問題が生じやすい。本発明において
レジスト層に含有されるアルカリ可溶性樹脂としては、
上述した酸価とガラス転移温度の値を満たす種々の樹脂
を用いることができ、具体的には、上述した無機粉体含
有樹脂組成物の結着樹脂と同様、アクリル樹脂が好まし
い。(A) Alkali-soluble resin In the resist layer of the present invention, the acid value of the contained alkali-soluble resin is 50 to 125, preferably 60 to 10
0. If the acid value of the alkali-soluble resin is less than 50,
The alkali developability of the resist layer is reduced, and the pattern edge tends to be disordered. If the acid value of the alkali-soluble resin exceeds 125, the flammability of the resist layer deteriorates, and pattern defects are likely to occur due to blisters during the baking treatment. Further, in the resist layer of the present invention, the glass transition temperature of the alkali-soluble resin is 60 ° C. or higher, preferably 80 ° C. or higher. When the glass transition temperature of the alkali-soluble resin is less than 60 ° C., the tackiness of the resist layer becomes excessive, and the mask is liable to be stained at the time of exposure. The problem that the support film is difficult to peel off tends to occur. In the present invention, as the alkali-soluble resin contained in the resist layer,
Various resins satisfying the above-mentioned acid value and glass transition temperature can be used, and specifically, an acrylic resin is preferable, similarly to the binder resin of the above-mentioned inorganic powder-containing resin composition.

【００２９】好ましいアクリル樹脂としては、上述した
無機粉体含有樹脂組成物における、モノマー（イ）とモ
ノマー（ハ）との共重合体、モノマー（イ）、モノマー
（ロ）およびモノマー（ハ）の共重合体などを挙げるこ
とができる。モノマー（イ）としては、特に（メタ）ア
クリル酸が好ましい。また、モノマー（ハ）として特に
好ましいものとして、下記式（１）で表されるモノマー
（以下、「モノマー（ハ−１）」ともいう）および下記
式（２）で表されるモノマー（以下、「モノマー（ハ−
２）」ともいう）が挙げられる。Preferred acrylic resins include copolymers of monomer (a) and monomer (c), monomer (a), monomer (b) and monomer (c) in the above-mentioned inorganic powder-containing resin composition. Copolymers and the like can be mentioned. As the monomer (a), (meth) acrylic acid is particularly preferred. Particularly preferred as the monomer (c) are a monomer represented by the following formula (1) (hereinafter, also referred to as “monomer (c-1)”) and a monomer represented by the following formula (2) (hereinafter, referred to as “monomer (c-1)”). "Monomer (ha
2) ").

【００３０】[0030]

【化１】 Embedded image

【００３１】（式中、Ｒ¹ は水素原子またはメチル基で
あり、Ｒ² は炭素数１〜２の置換されていてもよいアル
キル基あるいは炭素数３〜５の置換されていてもよい分
岐状のアルキル基であり、Ｒ³ は炭素数３〜１４の置換
されていてもよい環状有機基であり、Ｘは単結合または
メチレン基である。）(Wherein, R ¹ is a hydrogen atom or a methyl group, and R ² is an alkyl group having 1 to ² carbon atoms which may be substituted or a branched alkyl group having 3 to 5 carbon atoms which may be substituted.) R ³ is an optionally substituted cyclic organic group having ³ to 14 carbon atoms, and X is a single bond or a methylene group.)

【００３２】上記式（１）において、Ｒ² で表されるア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、ｉ−プロピル
基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｉ−ペンチル基、ｓ
ｅｃ−アミル基、ｔ−アミル基およびこれらのアルキル
基をハロゲン原子、水酸基などの置換基で置換した基が
挙げられる。中でも、メチル基、エチル基、ヒドロキシ
エチル基、ｉ−プロピル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル
基などを好ましいものとして挙げられる。また、上記式
（２）において、Ｒ3 で表される炭素数３〜１４の置換
されていてもよい環状有機基としては、シクロプロピル
基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基などのシクロアルキル基；フェニル基、キシリル
基、ナフチル基などの芳香族炭化水素基；イソボルニル
基、ジシクロペンタニル基、トリシクロデカニル基、ア
ダマンチル基などの有橋脂環式炭化水素基；テトラヒド
ロフルフリル基などの複素環含有有機基およびこれらの
環状有機基をハロゲン原子、水酸基、上記Ｒ² で表され
る基などの置換基で置換した基が挙げられる。In the above formula (1), examples of the alkyl group represented by R ² include a methyl group, an ethyl group, an i-propyl group, an i-butyl group, a t-butyl group, an i-pentyl group, and a s.
An ec-amyl group, a t-amyl group, and a group in which these alkyl groups are substituted with a substituent such as a halogen atom or a hydroxyl group are exemplified. Among them, preferred are a methyl group, an ethyl group, a hydroxyethyl group, an i-propyl group, an i-butyl group, a t-butyl group and the like. In the above formula (2), examples of the optionally substituted cyclic organic group having 3 to 14 carbon atoms represented by R3 include cycloalkyl groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclohexyl group; Aromatic hydrocarbon groups such as phenyl group, xylyl group and naphthyl group; bridged alicyclic hydrocarbon groups such as isobornyl group, dicyclopentanyl group, tricyclodecanyl group and adamantyl group; tetrahydrofurfuryl group etc. heterocyclic ring-containing organic group and a halogen atom these cyclic organic group, a hydroxyl group, have been substituted with substituents such as groups represented by R ² are exemplified.

【００３３】モノマー（ハ−１）の好ましい具体例とし
ては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸
エチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メ
タ）アクリル酸ｉ−プロピル、（メタ）アクリル酸ｉ−
ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルなどが挙げら
れ、モノマー（ハ−２）の好ましい具体例としては、
（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸フェ
ニル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）ア
クリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペ
ンタニル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリル
などが挙げられる。本発明に用いるレジスト組成物のア
ルカリ可溶性樹脂としては、モノマー（イ）と、モノマ
ー（ハ−１）およびモノマー（ハ−２）から選ばれる少
なくとも１種との共重合体が好ましく、特に、モノマー
（ハ−１）およびモノマー（ハ−２）から選ばれる少な
くとも一種の共重合比が５０質量％以上である共重合体
が好ましい。Preferred specific examples of the monomer (c-1) include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, i-propyl (meth) acrylate, and (meth) acrylate. Acrylic acid i-
Butyl, t-butyl (meth) acrylate, and the like. Preferred specific examples of the monomer (c-2) include:
Benzyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, and the like. . As the alkali-soluble resin of the resist composition used in the present invention, a copolymer of the monomer (a) and at least one selected from the monomers (c-1) and (c-2) is preferable. A copolymer in which at least one copolymerization ratio selected from (C-1) and the monomer (C-2) is 50% by mass or more is preferable.

【００３４】上記アルカリ可溶性樹脂の分子量として
は、Ｍｗが５，０００〜２００，０００であることが好
ましく、さらに好ましくは８，０００〜１００，００
０、特に好ましくは１０，０００〜７０，０００とされ
る。The molecular weight of the alkali-soluble resin is preferably from 5,000 to 200,000, more preferably from 8,000 to 100,000.
0, particularly preferably 10,000 to 70,000.

【００３５】（Ｂ）反応性モノマー 反応性モノマーとしては、好ましくは（メタ）アクリレ
ート化合物が用いられる。上記（メタ）アクリレート化
合物の具体例としては、エチレングリコール、プロピレ
ングリコールなどのアルキレングリコールのジ（メタ）
アクリレート類；ポリエチレングリコール、ポリプロピ
レングリコールなどのポリアルキレングリコールのジ
（メタ）アクリレート類；両末端ヒドロキシポリブタジ
エン、両末端ヒドロキシポリイソプレン、両末端ヒドロ
キシポリカプロラクトンなどの両末端ヒドロキシル化重
合体のジ（メタ）アクリレート類；グリセリン、１，
２，４−ブタントリオール、トリメチロールアルカン、
テトラメチロールアルカン、ジペンタエリスリトールな
どの３価以上の多価アルコールのポリ（メタ）アクリレ
ート類；３価以上の多価アルコールのポリアルキレング
リコール付加物のポリ（メタ）アクリレート類；１，４
−シクロヘキサンジオール、１，４−ベンゼンジオール
類などの環式ポリオールのポリ（メタ）アクリレート
類；ポリエステル（メタ）アクリレート、エポキシ（メ
タ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ア
ルキド樹脂（メタ）アクリレート、シリコーン樹脂（メ
タ）アクリレート、スピラン樹脂（メタ）アクリレート
等のオリゴ（メタ）アクリレート類などを挙げることが
できる。また、上述した無機粉体含有樹脂組成物の結着
樹脂の合成成分であるモノマー（イ）、モノマー（ロ）
およびモノマー（ハ）として挙げられた（メタ）アクリ
レート化合物を用いることもできる。(B) Reactive monomer As the reactive monomer, a (meth) acrylate compound is preferably used. Specific examples of the (meth) acrylate compound include di (meth) alkylene glycols such as ethylene glycol and propylene glycol.
Acrylates; di (meth) acrylates of polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol; di (meth) of hydroxyl-terminated polymers such as hydroxypolybutadiene, hydroxypolyisoprene and hydroxypolycaprolactone at both ends Acrylates; glycerin, 1,
2,4-butanetriol, trimethylolalkane,
Poly (meth) acrylates of trihydric or higher polyhydric alcohol such as tetramethylolalkane, dipentaerythritol; poly (meth) acrylates of polyalkylene glycol adduct of trihydric or higher polyhydric alcohol; 1,4
-Poly (meth) acrylates of cyclic polyols such as cyclohexanediol and 1,4-benzenediol; polyester (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, alkyd resin (meth) acrylate, silicone Oligo (meth) acrylates such as resin (meth) acrylate and spirane resin (meth) acrylate can be exemplified. Further, monomers (a) and (b), which are synthetic components of the binder resin of the resin composition containing an inorganic powder described above,
And, the (meth) acrylate compound mentioned as the monomer (c) can also be used.

【００３６】これらのうち、レジスト層のアルカリ現像
性を保持する観点から、分子中に分子中に−ＯＲ−結合
（Ｒはメチレン基または炭素数２〜４アルキレン基）を
有する化合物が好ましく、Ｒがエチレン基またはプロピ
レン基である化合物が特に好ましい。Of these, compounds having an -OR- bond (R is a methylene group or a C2-4 alkylene group) in the molecule are preferable from the viewpoint of maintaining the alkali developability of the resist layer. Is particularly preferably a compound wherein is an ethylene group or a propylene group.

【００３７】具体的には、エチレングリコール、プロピ
レングリコール等のアルキレングリコールのモノ（メ
タ）アクリレート類；２−メトキシエチル（メタ）アク
リレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、
２−プロポキシエチル（メタ）アクリレート、２−ブト
キシエチル（メタ）アクリレート、などのアルコキシエ
チル（メタ）アクリレート類；ポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレングリコール等のポリアルキレングリ
コールのモノ（メタ）アクリレート類；フェノール、パ
ラクミルフェノールおよびノニルフェノールの、エチレ
ンオキサイド（ＥＯ）付加（メタ）アクリレートまたは
プロピレンオキサイド（ＰＯ）付加（メタ）アクリレー
トなどのエチレンオキサイドまたはプロピレンオキサイ
ド変性モノマー類；Specifically, mono (meth) acrylates of alkylene glycols such as ethylene glycol and propylene glycol; 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate,
Alkoxyethyl (meth) acrylates such as 2-propoxyethyl (meth) acrylate and 2-butoxyethyl (meth) acrylate; mono (meth) acrylates of polyalkylene glycol such as polyethylene glycol and polypropylene glycol; phenol, paracumyl Ethylene oxide or propylene oxide modified monomers of phenol and nonylphenol, such as ethylene oxide (EO) added (meth) acrylate or propylene oxide (PO) added (meth) acrylate;

【００３８】エチレングリコール、プロピレングリコー
ルなどのアルキレングリコールのジ（メタ）アクリレー
ト類；ポリエチレングリコール(ｎ＝２〜２０)、ポリプ
ロピレングリコール(ｎ＝２〜２０)などのポリアルキレ
ングリコールのジ（メタ）アクリレート類；ビスフェノ
ールＦのＥＯ付加ジ（メタ）アクリレート、ビスフェノ
ールＡのＥＯ付加ジ（メタ）アクリレートなどのエチレ
ンオキサイドまたはプロピレンオキサイド変性ジ（メ
タ）アクリレート類トリメチロールプロパン、ペンタエ
リスリトール、ジペンタエリスリトールのエチレンオキ
サイド（ＥＯ）付加（メタ）アクリレートまたはプロピ
レンオキサイド（ＰＯ）付加（メタ）アクリレートなど
のエチレンオキサイドまたはプロピレンオキサイド変性
多価（メタ）アクリレート類；などを挙げることができ
る。なお、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせ
て使用することができる。Di (meth) acrylates of alkylene glycols such as ethylene glycol and propylene glycol; di (meth) acrylates of polyalkylene glycols such as polyethylene glycol (n = 2 to 20) and polypropylene glycol (n = 2 to 20) Ethylene oxides such as EO-added di (meth) acrylate of bisphenol F and EO-added di (meth) acrylate of bisphenol A, etc. Di (meth) acrylates modified with propylene oxide Trimethylolpropane, pentaerythritol, ethylene oxide of dipentaerythritol Ethylene oxide or propylene oxide modified polyvalent (meth) acrylates such as (EO) added (meth) acrylate or propylene oxide (PO) added (meth) acrylate And the like. These can be used alone or in combination of two or more.

【００３９】本発明における反応性モノマーの使用量と
しては、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂に対する（Ｂ）反応
性モノマーの重量比が、通常、２０〜２００質量％であ
り、好ましくは、２５〜７５質量％である。２０質量％
未満では、レジスト層の強度が不足し、現像工程におい
てレジスト層に欠けが生じたり、レジスト層が剥がれて
しまう傾向がある。一方、２００質量％を超えると、レ
ジスト層のタッキネスが過剰となり、露光時のマスク汚
れが発生しやすく、さらにレジスト層を転写により形成
する場合においても、レジスト層からの支持フィルムの
剥離が困難であるという問題が生じやすい。The amount of the reactive monomer used in the present invention is such that the weight ratio of the reactive monomer (B) to the alkali-soluble resin (A) is usually 20 to 200% by mass, preferably 25 to 75% by mass. %. 20% by mass
If it is less than 10, the strength of the resist layer is insufficient, and the resist layer tends to be chipped or peeled in the developing step. On the other hand, when the content exceeds 200% by mass, the tackiness of the resist layer becomes excessive, and the mask is easily stained during exposure. Further, even when the resist layer is formed by transfer, it is difficult to peel the support film from the resist layer. It is easy to have a problem.

【００４０】（ｃ）放射線重合開始剤 放射線重合開始剤の具体例としては、ベンジル、ベンゾ
イン、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンゾ
フェノン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノベンゾフェノン、カ
ンファーキノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フ
ェニルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキ
シルフェニルケトン、２，２−ジメトキシ−２−フェニ
ルアセトフェノン、２−メチル−〔４’−（メチルチ
オ）フェニル〕−２−モルフォリノ−１−プロパノン、
２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフ
ォリノフェニル）−ブタン−１−オンなどのカルボニル
化合物；アゾイソブチロニトリル、４−アジドベンズア
ルデヒドなどのアゾ化合物あるいはアジド化合物；メル
カプタンジスルフィドなどの有機硫黄化合物；ベンゾイ
ルパーオキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシド、
ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキシド、クメンハイド
ロパーオキシド、パラメタンハイドロパーオキシドなど
の有機パーオキシド；１，３−ビス（トリクロロメチ
ル）−５−（２’−クロロフェニル）−１，３，５−ト
リアジン、２−〔２−（２−フラニル）エチレニル〕−
４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリ
アジンなどのトリハロメタン類；ジエチルチオキサント
ン、イソプロピルチオキサントン等のチオキサントン
類；２，２’−ビス（２−クロロフェニル）４，５，
４’，５’−テトラフェニル１，２’−ビイミダゾール
などのイミダゾール二量体などを挙げることができ、こ
れらは単独でまたは２種以上を組み合わせて使用するこ
とができる。(C) Radiation polymerization initiator Specific examples of the radiation polymerization initiator include benzyl, benzoin, benzophenone, N, N-dimethylaminobenzophenone, N, N-diethylaminobenzophenone, camphorquinone, 2-hydroxy-2- Methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-methyl- [4 ′-(methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone ,
Carbonyl compounds such as 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one; azo compounds or azide compounds such as azoisobutyronitrile and 4-azidobenzaldehyde; mercaptan disulfide and the like Organic sulfur compounds; benzoyl peroxide, di-tert-butyl peroxide,
organic peroxides such as tert-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide and paramethane hydroperoxide; 1,3-bis (trichloromethyl) -5- (2′-chlorophenyl) -1,3,5-triazine; -[2- (2-furanyl) ethylenyl]-
Trihalomethanes such as 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine; thioxanthones such as diethylthioxanthone and isopropylthioxanthone; 2,2′-bis (2-chlorophenyl) 4,5;
Examples thereof include imidazole dimers such as 4 ′, 5′-tetraphenyl 1,2′-biimidazole, and these can be used alone or in combination of two or more.

【００４１】放射線重合開始剤の使用割合は、反応性モ
ノマー１００質量部に対して、通常、０．０１〜２００
質量部、好ましくは、１〜１２０質量部である。放射線
重合開始剤の使用割合が０．０１重量部未満の場合に
は、十分に硬化反応が行われず、現像時にレジストの強
度が足りず、欠落や欠損が生じる場合がある。また、こ
の割合が２００質量部を越える場合には、レジストのパ
ターニング特性が悪く、現像後、所望のレジスト断面形
状や線幅が得られない場合がある。The ratio of the radiation polymerization initiator to be used is usually 0.01 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the reactive monomer.
It is 1 part by mass, preferably 1 to 120 parts by mass. When the use ratio of the radiation polymerization initiator is less than 0.01 part by weight, the curing reaction is not sufficiently performed, the strength of the resist is insufficient at the time of development, and the resist may be missing or missing. If this proportion exceeds 200 parts by mass, the patterning characteristics of the resist are poor, and the desired resist cross-sectional shape and line width may not be obtained after development.

【００４２】（ｄ）溶剤 レジスト組成物を構成する溶剤としては、アルカリ可溶
性樹脂、反応性モノマーおよび放射線重合開始剤の溶解
性が良好で、レジスト組成物に適度な粘性を付与するこ
とができ、乾燥されることによって容易に蒸発除去でき
るものである限り特に制限されるものではなく、上記無
機粉体含有樹脂組成物に用いる溶剤として例示したもの
を用いることができる。当該レジスト組成物における溶
剤の含有割合としては、良好な膜形成性が得られる範囲
内において適宜選択することができる。(D) Solvent The solvent constituting the resist composition has good solubility of an alkali-soluble resin, a reactive monomer and a radiation polymerization initiator, and can impart an appropriate viscosity to the resist composition. The solvent is not particularly limited as long as it can be easily evaporated and removed by being dried, and those exemplified as the solvent used for the above-mentioned inorganic powder-containing resin composition can be used. The content ratio of the solvent in the resist composition can be appropriately selected within a range where good film-forming properties can be obtained.

【００４３】本発明で用いられるレジスト組成物には、
任意成分として、現像促進剤、接着助剤、ハレーション
防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収
剤、増感剤、フィラーなどの各種添加剤が含有されてい
てもよい。レジスト組成物は、上記アルカリ可溶性樹
脂、反応性モノマー、放射線重合開始剤、溶剤および各
種添加剤を、ロール混練機、ミキサー、ホモミキサー、
ボールミル、ビーズミルなどの混練機を用いて混練する
ことにより調製することができる。上記のようにして調
製されるレジスト組成物は、塗布に適した流動性を有す
る組成物であり、その粘度は、通常１０〜５０，０００
ｃｐとされ、好ましくは５０〜１０，０００ｃｐとされ
る。また、転写フィルムとして塗布工程にて使用される
レジスト組成物の粘度としては、１０〜１０，０００ｃ
Ｐであることが好ましく、さらに好ましくは５０〜５，
０００ｃＰである。The resist composition used in the present invention includes:
As an optional component, various additives such as a development accelerator, an adhesion assistant, an antihalation agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a sensitizer, and a filler may be contained. The resist composition contains the above alkali-soluble resin, reactive monomer, radiation polymerization initiator, solvent and various additives, a roll kneader, a mixer, a homomixer,
It can be prepared by kneading using a kneader such as a ball mill or a bead mill. The resist composition prepared as described above is a composition having fluidity suitable for coating, and has a viscosity of usually 10 to 50,000.
cp, and preferably 50 to 10,000 cp. The viscosity of the resist composition used in the coating step as a transfer film is 10 to 10,000 c.
P, more preferably 50 to 5,
000 cP.

【００４４】レジスト組成物を支持フィルム上に塗布し
て転写フィルムを形成する場合、レジスト組成物を支持
フィルム上に塗布・乾燥する方法としては、上述した無
機粉体含有樹脂組成物の支持フィルム上への塗布・乾燥
方法と同様である。また、第二の製造方法において用い
られる転写フィルムは、支持フィルム上にレジスト組成
物によるレジスト層を形成し、その上に無機粉体含有樹
脂組成物による無機粉体含有樹脂層を形成することによ
り得られる。転写フィルムにおけるレジスト層の厚さと
しては、部材の種類やサイズなどによっても異なるが、
例えば１〜２０μｍとされる。When a resist film is applied on a support film to form a transfer film, the method of applying and drying the resist composition on the support film includes the above-mentioned method of coating the inorganic powder-containing resin composition on the support film. It is the same as the method of coating and drying. Further, the transfer film used in the second production method, by forming a resist layer of a resist composition on a support film, and forming an inorganic powder-containing resin layer of an inorganic powder-containing resin composition thereon. can get. The thickness of the resist layer in the transfer film varies depending on the type and size of the member,
For example, it is 1 to 20 μm.

【００４５】＜露光用マスク＞レジスト層の露光工程に
おいて使用される露光用マスクの露光パターンとして
は、材料によって異なるが、一般的に１０〜５００μｍ
幅のストライプである。<Exposure Mask> The exposure pattern of the exposure mask used in the exposure step of the resist layer varies depending on the material, but is generally 10 to 500 μm.
It is a stripe of width.

【００４６】＜現像液＞レジスト層の現像工程で使用さ
れる現像液としては、アルカリ現像液を好ましく使用す
ることができる。アルカリ現像液の有効成分としては、
例えば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウ
ム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、
リン酸二水素アンモニウム、リン酸二水素カリウム、リ
ン酸二水素ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリ
ウム、ケイ酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウ
ム、ホウ酸カリウム、アンモニアなどの無機アルカリ性
化合物；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリ
メチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、モ
ノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、
モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミ
ン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、
エタノールアミンなどの有機アルカリ性化合物などを挙
げることができる。レジスト層の現像工程で使用される
アルカリ現像液は、前記アルカリ性化合物の１種または
２種以上を水などに溶解させることにより調製すること
ができる。ここに、アルカリ性現像液におけるアルカリ
性化合物の濃度は、通常０．００１〜１０重量％とさ
れ、好ましくは０．０１〜５重量％とされる。なお、ア
ルカリ現像液による現像処理がなされた後は、通常、水
洗処理が施される。<Developer> As a developer used in the step of developing the resist layer, an alkali developer can be preferably used. As the active ingredient of the alkali developer,
For example, lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate,
Ammonium dihydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, sodium borate, potassium borate , Inorganic alkaline compounds such as ammonia; tetramethylammonium hydroxide, trimethylhydroxyethylammonium hydroxide, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine,
Monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine,
Organic alkaline compounds such as ethanolamine can be exemplified. The alkaline developer used in the step of developing the resist layer can be prepared by dissolving one or more of the above alkaline compounds in water or the like. Here, the concentration of the alkaline compound in the alkaline developer is usually 0.001 to 10% by weight, preferably 0.01 to 5% by weight. After the development processing with an alkali developing solution, a washing treatment is usually performed.

【００４７】＜エッチング液＞無機粉体含有樹脂層のエ
ッチング工程で使用されるエッチング液としては、アル
カリ性溶液であることが好ましい。これにより、無機粉
体含有樹脂層に含有されるアルカリ可溶性樹脂を容易に
溶解除去することができる。なお、無機粉体含有樹脂層
に含有される無機粒子は、アルカリ可溶性樹脂により均
一に分散されているため、アルカリ性溶液でバインダー
であるアルカリ可溶性樹脂を溶解させ、洗浄することに
より、無機粒子も同時に除去される。ここに、エッチン
グ液として使用されるアルカリ性溶液としては、現像液
と同一組成の溶液であることがさらに好ましい。エッチ
ング液が、現像工程で使用するアルカリ現像液と同一の
溶液であることにより、現像工程と、エッチング工程と
連続的に実施することが可能となり、工程の簡略化を図
ることができる。なお、アルカリ性溶液によるエッチン
グ処理がなされた後は、通常、水洗処理が施される。<Etching solution> The etching solution used in the etching step of the inorganic powder-containing resin layer is preferably an alkaline solution. Thus, the alkali-soluble resin contained in the inorganic powder-containing resin layer can be easily dissolved and removed. Since the inorganic particles contained in the inorganic powder-containing resin layer are uniformly dispersed in the alkali-soluble resin, by dissolving the alkali-soluble resin as a binder in an alkaline solution and washing the inorganic particles, the inorganic particles are simultaneously dispersed. Removed. Here, the alkaline solution used as the etching solution is more preferably a solution having the same composition as the developing solution. Since the etching solution is the same solution as the alkali developing solution used in the developing process, the developing process and the etching process can be performed continuously, and the process can be simplified. After the etching treatment with the alkaline solution is performed, a water washing treatment is usually performed.

【００４８】[0048]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。な
お、以下において「部」は「質量部」を示す。 ＜合成例１＞プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート２００部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチ
ル２０部、メタクリル酸２０部、メタクリル酸２−エチ
ルヘキシル５０部、コハク酸（２−アクリロイロキシエ
チル）１０部およびアゾビスイソブチロニトリル１部か
らなる単量体組成物を、攪拌機付きオートクレーブに仕
込み、窒素雰囲気下において、室温で均一になるまで攪
拌した後、８０℃で３時間重合させ、さらに１００℃で
１時間重合反応を継続させた後室温まで冷却してポリマ
ー溶液を得た。ここに、重合率は９５％であり、このポ
リマー溶液から析出した共重合体（以下、「ポリマー
（Ａ）」という。）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、９
０，０００であった。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
The present invention is not limited by these. In the following, “parts” indicates “parts by mass”. <Synthesis Example 1> 200 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate, 20 parts of 2-hydroxyethyl methacrylate, 20 parts of methacrylic acid, 50 parts of 2-ethylhexyl methacrylate, 10 parts of succinic acid (2-acryloyloxyethyl) and azobis A monomer composition comprising 1 part of isobutyronitrile was charged into an autoclave equipped with a stirrer, stirred under a nitrogen atmosphere at room temperature until uniform, then polymerized at 80 ° C for 3 hours, and further at 100 ° C for 1 hour. After continuing the polymerization reaction, the mixture was cooled to room temperature to obtain a polymer solution. Here, the polymerization rate was 95%, and the weight average molecular weight (Mw) of the copolymer (hereinafter referred to as “polymer (A)”) precipitated from this polymer solution was 9%.
It was 0000.

【００４９】＜合成例２＞シクロヘキサノン２００部、
メタクリル酸シクロヘキシル８５部、メタクリル酸１５
部およびアゾビスイソブチロニトリル１．５部からなる
単量体組成物を用い、（１）で得られたポリマーＡの合
成手順と同様の手順で、ポリマー溶液を得た。ここに、
重合率は９７％であり、このポリマー溶液から析出した
共重合体（以下、「ポリマー（Ｂ）」という。）の重量
平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、酸価は９７、ガラ
ス転移温度は９７℃であった。<Synthesis Example 2> 200 parts of cyclohexanone,
85 parts of cyclohexyl methacrylate, 15 methacrylic acid
Using a monomer composition consisting of 1 part of azobisisobutyronitrile and 1.5 parts of azobisisobutyronitrile, a polymer solution was obtained in the same manner as in the synthesis procedure of the polymer A obtained in (1). here,
The polymerization rate was 97%. The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer (hereinafter referred to as “polymer (B)”) precipitated from this polymer solution was 30,000, the acid value was 97, and the glass transition temperature was 97%. 97 ° C.

【００５０】＜合成例３＞シクロヘキサノン２００部、
メタクリル酸ベンジル８５部、メタクリル酸１５部およ
びアゾビスイソブチロニトリル１．５部からなる単量体
組成物を用い、（１）で得られたポリマーＡの合成手順
と同様の手順で、ポリマー溶液を得た。ここに、重合率
は９７％であり、このポリマー溶液から析出した共重合
体（以下、「ポリマー（Ｃ）」という。）の重量平均分
子量（Ｍｗ）は３０，０００、酸価は９７、ガラス転移
温度は８７℃であった。<Synthesis Example 3> 200 parts of cyclohexanone,
Using a monomer composition comprising 85 parts of benzyl methacrylate, 15 parts of methacrylic acid and 1.5 parts of azobisisobutyronitrile, the polymer was prepared in the same procedure as the synthesis procedure of the polymer A obtained in (1). A solution was obtained. Here, the polymerization rate was 97%, and the weight average molecular weight (Mw) of the copolymer (hereinafter, referred to as “polymer (C)”) precipitated from this polymer solution was 30,000, the acid value was 97, and The transition temperature was 87 ° C.

【００５１】＜合成例４＞シクロヘキサノン２００部、
メタクリル酸ベンジル５０部、メタクリル酸メチル３
７．５部、メタクリル酸１２．５部およびアゾビスイソ
ブチロニトリル１．５部からなる単量体組成物を用い、
（１）で得られたポリマーＡの合成手順と同様の手順
で、ポリマー溶液を得た。ここに、重合率は９７％であ
り、このポリマー溶液から析出した共重合体（以下、
「ポリマー（Ｄ）」という。）の重量平均分子量（Ｍ
ｗ）は３０，０００、酸価は８１、ガラス転移温度は１
０１℃であった。<Synthesis Example 4> 200 parts of cyclohexanone,
50 parts of benzyl methacrylate, methyl methacrylate 3
Using a monomer composition consisting of 7.5 parts, 12.5 parts of methacrylic acid and 1.5 parts of azobisisobutyronitrile,
A polymer solution was obtained by a procedure similar to the procedure for synthesizing the polymer A obtained in (1). Here, the polymerization rate was 97%, and the copolymer precipitated from this polymer solution (hereinafter, referred to as a copolymer)
It is called "polymer (D)". ) Weight average molecular weight (M
w) is 30,000, the acid value is 81, and the glass transition temperature is 1
01 ° C.

【００５２】＜合成例５＞シクロヘキサノン２００部、
メタクリル酸ｎ−ブチル８５部、メタクリル酸１５部お
よびアゾビスイソブチロニトリル１．５部からなる単量
体組成物を用い、（１）で得られたポリマーＡの合成手
順と同様の手順で、ポリマー溶液を得た。ここに、重合
率は９７％であり、このポリマー溶液から析出した共重
合体（以下、「ポリマー（Ｅ）」という。）の重量平均
分子量（Ｍｗ）は３０，０００、酸価は９７、ガラス転
移温度は５０℃であった。 ＜合成例６＞シクロヘキサノン２００部、メタクリル酸
ベンジル８０部、メタクリル酸２０部およびアゾビスイ
ソブチロニトリル１．５部からなる単量体組成物を用
い、（１）で得られたポリマーＡの合成手順と同様の手
順で、ポリマー溶液を得た。ここに、重合率は９７％で
あり、このポリマー溶液から析出した共重合体（以下、
「ポリマー（Ｆ）」という。）の重量平均分子量（Ｍ
ｗ）は３０，０００、酸価は１３０、ガラス転移温度は
９８℃であった。<Synthesis Example 5> 200 parts of cyclohexanone,
Using a monomer composition consisting of 85 parts of n-butyl methacrylate, 15 parts of methacrylic acid and 1.5 parts of azobisisobutyronitrile, a procedure similar to the procedure for synthesizing the polymer A obtained in (1) was used. A polymer solution was obtained. Here, the polymerization rate was 97%, and the copolymer (hereinafter referred to as “polymer (E)”) precipitated from this polymer solution had a weight average molecular weight (Mw) of 30,000, an acid value of 97, and a glass. The transition temperature was 50 ° C. <Synthesis Example 6> Using a monomer composition comprising 200 parts of cyclohexanone, 80 parts of benzyl methacrylate, 20 parts of methacrylic acid and 1.5 parts of azobisisobutyronitrile, the polymer A obtained in (1) was used. A polymer solution was obtained in the same procedure as the synthesis procedure. Here, the polymerization rate was 97%, and the copolymer precipitated from this polymer solution (hereinafter, referred to as a copolymer)
It is called "polymer (F)". ) Weight average molecular weight (M
w) was 30,000, the acid value was 130, and the glass transition temperature was 98 ° C.

【００５３】＜実施例１＞ （１）無機粉体含有樹脂組成物（電極形成用組成物）の
調製：導電性粒子として平均粒径２．０μｍの銀粉末１
００部、結着樹脂としてポリマー（Ａ）３０部および溶
剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート１００部を混練りしたのち２５μｍ径のステンレ
スメッシュでフィルタリングして、電極形成用の無機粉
体含有樹脂組成物（以下、「電極形成用組成物」とい
う）を調製した。Example 1 (1) Preparation of Inorganic Powder-Containing Resin Composition (Electrode-Forming Composition): Silver powder 1 having an average particle size of 2.0 μm as conductive particles
After kneading 00 parts, 30 parts of the polymer (A) as a binder resin and 100 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent, the mixture was filtered with a stainless mesh having a diameter of 25 μm to obtain an inorganic powder-containing resin composition for forming an electrode ( Hereinafter, referred to as “electrode-forming composition”).

【００５４】（２）レジスト組成物の調製：次いで、
（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としてポリマー（Ｂ）６０
部、（Ｂ）反応性モノマーとしてヘプタプロピレングリ
コールジアクリレート４０部、（Ｃ）放射線重合開始剤
として２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−
モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン５部および
溶剤としてシクロヘキサノン２５０部を混練りしたのち
２μｍ径のカートリッジフィルターでフィルタリングし
て、レジスト組成物（以下、「レジスト組成物（１）」
という）を調製した。(2) Preparation of resist composition:
(A) Polymer (B) 60 as alkali-soluble resin
Parts, (B) 40 parts of heptapropylene glycol diacrylate as a reactive monomer, and (C) 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-
After kneading 5 parts of morpholinophenyl) -butan-1-one and 250 parts of cyclohexanone as a solvent, the mixture was filtered through a cartridge filter having a diameter of 2 μm to obtain a resist composition (hereinafter referred to as “resist composition (1)”).
Was prepared.

【００５５】（３）転写フィルムの製造：上記（２）で
調製した電極形成用組成物を予め離型処理したＰＥＴフ
ィルムよりなる支持フィルム（幅２００ｍｍ、長さ３０
ｍ、厚さ３８μｍ）上にロールコータを用いて塗布し
て、塗膜を１００℃で５分間乾燥して溶剤を完全に除去
し、厚さ２０μｍの無機粉体含有樹脂層を支持フィルム
上に形成した（以下、「転写フィルム（１）」とい
う）。次に、レジスト組成物（１）を離型処理されてい
ないＰＥＴフィルムよりなる支持フィルム（幅２００ｍ
ｍ、長さ３０ｍ、厚さ３８μｍ）上にロールコータを用
いて塗布し、塗膜を１００℃で５分間乾燥して溶剤を完
全に除去し、厚さ５μｍのレジスト層を支持フィルム上
に形成した（以下、「転写フィルム（２）」という）。(3) Production of transfer film: A support film (width 200 mm, length 30) consisting of a PET film obtained by subjecting the composition for electrode formation prepared in the above (2) to release treatment in advance.
m, a thickness of 38 μm) using a roll coater, drying the coating film at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent, and forming a 20 μm-thick inorganic powder-containing resin layer on the support film. (Hereinafter referred to as “transfer film (1)”). Next, the resist composition (1) was subjected to a supporting film (200 m in width) made of a PET film which had not been subjected to a release treatment.
m, length 30 m, thickness 38 μm) using a roll coater, drying the coating at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent, and forming a 5 μm thick resist layer on the support film. (Hereinafter, referred to as “transfer film (2)”).

【００５６】（４）フィルムの転写工程：６インチパネ
ル用のガラス基板の表面に、無機粉体含有樹脂層の表面
が当接されるよう転写フィルム（１）を重ね合わせ、こ
の転写フィルム（１）を加熱ローラにて熱圧着した。こ
こで、圧着条件としては、加熱ローラの表面温度を１２
０℃、ロール圧を４ｋｇ／ｃｍ、加熱ローラの移動速度
を０．５ｍ／分とした。熱圧着処理の終了後、支持フィ
ルムを剥離除去した。これにより、ガラス基板の表面に
無機粉体含有樹脂層が転写されて密着した状態となっ
た。次いで、無機粉体含有樹脂層上にレジスト層の表面
が当接されるよう転写フィルム（２）を重ね合わせ、こ
の転写フィルム（２）を加熱ローラにて熱圧着した。こ
こで、圧着条件としては、加熱ローラの表面温度を１２
０℃、ロール圧を４ｋｇ／ｃｍ、加熱ローラの移動速度
を０．５ｍ／分とした。(4) Film transfer step: The transfer film (1) is superimposed on the surface of the glass substrate for a 6-inch panel so that the surface of the resin layer containing the inorganic powder is in contact with the surface of the glass substrate. ) Was thermocompression-bonded with a heating roller. Here, as the pressure bonding condition, the surface temperature of the heating roller is set to 12
At 0 ° C., the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. After the completion of the thermocompression treatment, the support film was peeled off. As a result, the inorganic powder-containing resin layer was transferred to and adhered to the surface of the glass substrate. Next, the transfer film (2) was overlaid on the inorganic powder-containing resin layer so that the surface of the resist layer was in contact with the resin layer, and the transfer film (2) was thermocompressed with a heating roller. Here, as the pressure bonding condition, the surface temperature of the heating roller is set to 12
At 0 ° C., the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min.

【００５７】（５）レジスト層の露光工程：無機粉体含
有樹脂層上に形成されたレジスト層に対して、露光用マ
スク（２００μｍ幅のストライプパターン）を介して、
支持フィルム上より超高圧水銀灯により、ｉ線（波長３
６５ｎｍの紫外線）を照射した。ここに、照射量は４０
０ｍＪ／ｃｍ²とした。(5) Exposure step of resist layer: The resist layer formed on the inorganic powder-containing resin layer is exposed through an exposure mask (a 200 μm width stripe pattern).
I-line (wavelength 3)
(65 nm ultraviolet ray). Here, the irradiation amount is 40
0 mJ / cm ² .

【００５８】（６）レジスト層からの支持フィルム剥離
性評価：露光工程の終了後、レジスト層より支持フィル
ムを剥離除去したところ、レジスト層に剥離すじや欠落
は観察されず、支持フィルムの剥離性は良好であった。(6) Evaluation of peelability of the support film from the resist layer: After the exposure step, the support film was peeled off from the resist layer, and no peeling streak or omission was observed in the resist layer. Was good.

【００５９】（７）レジスト層の現像工程：次いで、露
光処理されたレジスト層に対して、０．５質量％の炭酸
ナトリウム水溶液（３０℃）を現像液とするシャワー法
による現像処理を２０秒間かけて行い、これにより、紫
外線が照射されていない未硬化のレジストを除去し、レ
ジストパターンを形成した。(7) Developing step of resist layer: Next, the exposed resist layer is subjected to a developing process by a shower method using a 0.5% by mass aqueous solution of sodium carbonate (30 ° C.) for 20 seconds. Thus, the uncured resist that was not irradiated with ultraviolet rays was removed, and a resist pattern was formed.

【００６０】（８）無機粉体含有樹脂層のエッチング工
程：上記の工程に連続して、０．５質量％の炭酸ナトリ
ウム水溶液をエッチング液とするシャワー法によるエッ
チング処理を、３０℃で１分間行った。次いで、超純水
による水洗処理および乾燥処理を行った。、これによ
り、材料層残留部と、材料層除去部とから構成される無
機粉体含有樹脂層のパターンを形成した。(8) Etching step of the inorganic powder-containing resin layer: Continuing with the above steps, an etching treatment by a shower method using a 0.5% by mass aqueous solution of sodium carbonate as an etching solution is performed at 30 ° C. for 1 minute. went. Next, a washing treatment and a drying treatment with ultrapure water were performed. Thereby, a pattern of the inorganic powder-containing resin layer composed of the material layer remaining portion and the material layer removing portion was formed.

【００６１】（９）焼成工程：無機粉体含有樹脂層のパ
ターンが形成されたガラス基板を焼成炉内で６００℃の
温度雰囲気下で３０分間にわたり焼成処理を行った。こ
れにより、ガラス基板の表面に電極パターンが形成され
てなるパネル材料が得られた。(9) Firing step: The glass substrate on which the pattern of the inorganic powder-containing resin layer was formed was fired in a firing furnace at a temperature of 600 ° C. for 30 minutes. As a result, a panel material having the electrode pattern formed on the surface of the glass substrate was obtained.

【００６２】（１０）パターンの評価：得られた電極パ
ターンを光学顕微鏡により観察したところ、ブリスター
によるパターンの欠損は認められなかった。(10) Evaluation of pattern: Observation of the obtained electrode pattern with an optical microscope showed no pattern defect due to blisters.

【００６３】＜実施例２＞実施例１中（２）レジスト組
成物の調製における（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としてポ
リマー（Ｃ）を用いた以外は実施例１と同様にして、転
写フィルムを作製し、電極パターンを形成するととも
に、レジスト層からの支持フィルム剥離性評価およびパ
ターンの評価を行った。露光工程の終了後、レジスト層
より支持フィルムを剥離除去したところ、レジスト層に
剥離すじや欠落は観察されず、支持フィルムの剥離性は
良好であった。また、得られた電極パターンを光学顕微
鏡により観察したところ、ブリスターによるパターンの
欠損は認められなかった。Example 2 A transfer film was prepared in the same manner as in Example 1 except that (A) the polymer (C) was used as the alkali-soluble resin in the preparation of the resist composition (2). In addition, an electrode pattern was formed, and at the same time, the support film was peeled off from the resist layer and the pattern was evaluated. After the exposure step, the support film was peeled off from the resist layer. As a result, no peeling streak or missing was observed in the resist layer, and the peelability of the support film was good. In addition, when the obtained electrode pattern was observed with an optical microscope, no pattern defect due to blister was observed.

【００６４】＜実施例３＞実施例１中（２）レジスト組
成物の調製における（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としてポ
リマー（Ｄ）７０部、（Ｂ）反応性モノマーとしてトリ
メチロールプロパンＥＯ変性トリアクリレート３０部を
用いた以外は実施例１と同様にして、転写フィルムを作
製し、電極パターンを形成するとともに、レジスト層か
らの支持フィルム剥離性評価およびパターンの評価を行
った。露光工程の終了後、レジスト層より支持フィルム
を剥離除去したところ、レジスト層に剥離すじや欠落は
観察されず、支持フィルムの剥離性は良好であった。ま
た、得られた電極パターンを光学顕微鏡により観察した
ところ、ブリスターによるパターンの欠損は認められな
かった。Example 3 In Example 1, (2) In the preparation of the resist composition, (A) 70 parts of a polymer (D) as an alkali-soluble resin and (B) trimethylolpropane EO-modified triacrylate 30 as a reactive monomer. A transfer film was prepared and an electrode pattern was formed in the same manner as in Example 1 except for using a part, and the support film peeling property from the resist layer and the pattern were evaluated. After the exposure step, the support film was peeled off from the resist layer. As a result, no peeling streak or missing was observed in the resist layer, and the peelability of the support film was good. In addition, when the obtained electrode pattern was observed with an optical microscope, no pattern defect due to blister was observed.

【００６５】＜比較例１＞実施例１中（２）レジスト組
成物の調製における（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としてポ
リマー（Ｅ）５０部、（Ｂ）反応性モノマーとしてジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレート４０部を用いた
以外は実施例１と同様にして、転写フィルムを作製し
た。また、電極パターンを形成するとともに、レジスト
層からの支持フィルム剥離性評価およびパターンの評価
を行った。露光工程の終了後、レジスト層より支持フィ
ルムを剥離除去したところ、レジスト層に剥離すじが観
察され、さらに無機粉体含有樹脂層からのレジスト層の
欠落が一部認められ、支持フィルムの剥離性に問題が生
じた。また、得られた電極パターンを光学顕微鏡により
観察したところ、ブリスターによるパターンの欠損は認
められなかった。Comparative Example 1 In Example 1, (2) Preparation of a resist composition, (A) 50 parts of a polymer (E) as an alkali-soluble resin, and (B) 40 parts of dipentaerythritol hexaacrylate as a reactive monomer. A transfer film was produced in the same manner as in Example 1 except that the transfer film was used. In addition to forming an electrode pattern, the evaluation of the peelability of the support film from the resist layer and the evaluation of the pattern were performed. After the exposure step, when the support film was peeled off from the resist layer, peeling streaks were observed in the resist layer, and further a part of the resist layer was missing from the inorganic powder-containing resin layer. Had a problem. In addition, when the obtained electrode pattern was observed with an optical microscope, no pattern defect due to blister was observed.

【００６６】＜比較例２＞実施例１中（２）レジスト組
成物の調製における（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としてポ
リマー（Ｆ）を用いた以外は実施例１と同様にして、転
写フィルムを作製し、電極パターンを形成するととも
に、レジスト層からの支持フィルム剥離性評価およびパ
ターンの評価を行った。露光工程の終了後、レジスト層
より支持フィルムを剥離除去したところ、レジスト層に
剥離すじや欠落は観察されず、支持フィルムの剥離性は
良好であった。また、得られた電極パターンを光学顕微
鏡により観察したところ、ブリスターの発生によるパタ
ーンの欠損が認められた。Comparative Example 2 A transfer film was prepared in the same manner as in Example 1 except that in the preparation of the resist composition (2), the polymer (F) was used as the alkali-soluble resin (A) in the preparation of the resist composition. In addition, an electrode pattern was formed, and at the same time, the support film was peeled off from the resist layer and the pattern was evaluated. After the exposure step, the support film was peeled off from the resist layer. As a result, no peeling streak or missing was observed in the resist layer, and the peelability of the support film was good. When the obtained electrode pattern was observed with an optical microscope, it was found that the pattern was lost due to blistering.

【００６７】[0067]

【発明の効果】本発明の製造方法によれば下記のような
効果が奏される。 （１）焼成処理工程におけるレジスト層の燃焼性が良好
で、ブリスターによるパターン欠損が生じることなく、
良好なパターンを形成することが可能なプラズマディス
プレイパネルの製造方法を提供することができる。 （２）作業性に優れたプラズマディスプレイパネルの製
造方法を提供することができる。 （３）寸法精度に優れたパターンを形成するために好適
なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供するこ
とができる。According to the manufacturing method of the present invention, the following effects can be obtained. (1) The flammability of the resist layer in the baking treatment step is good, and pattern defects due to blisters do not occur.
A method for manufacturing a plasma display panel capable of forming a good pattern can be provided. (2) A method of manufacturing a plasma display panel having excellent workability can be provided. (3) A method of manufacturing a plasma display panel suitable for forming a pattern having excellent dimensional accuracy can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 一般的なＰＤＰを示す説明用断面図である。FIG. 1 is an explanatory sectional view showing a general PDP.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ガラス基板 ２ ガラス
基板 ３ 隔壁 ４ 透明電
極 ５ バス電極 ６ アドレ
ス電極 ７ 蛍光体 ８ 誘電体
層 ９ 誘電体層 １０ 保護膜DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Glass substrate 3 Partition wall 4 Transparent electrode 5 Bus electrode 6 Address electrode 7 Phosphor 8 Dielectric layer 9 Dielectric layer 10 Protective film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA28 AA30 BA05 CA05 HA17 HA30 5C027 AA01 AA05 AA09 5C040 FA01 GC19 GD09 GF19 GG09 KA14 MA22 MA23 MA24  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H096 AA28 AA30 BA05 CA05 HA17 HA30 5C027 AA01 AA05 AA09 5C040 FA01 GC19 GD09 GF19 GG09 KA14 MA22 MA23 MA24

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板上に無機粉体含有樹脂層を形成し、
当該無機粉体含有樹脂層上に、（Ａ）酸価が５０〜１２
５であり、ガラス転移温度が６０℃以上であるアルカリ
可溶性樹脂、（Ｂ）反応性モノマーおよび（Ｃ）放射線
重合開始剤を含有することを特徴とするレジスト層を形
成し、当該レジスト層を露光処理してレジストパターン
の潜像を形成し、当該レジスト層を現像処理してレジス
トパターンを顕在化させ、無機粉体含有樹脂層をエッチ
ング処理してレジストパターンに対応する無機粉体含有
樹脂層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理す
る工程を含む方法により、パターンを有するパネル材料
を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法。An inorganic powder-containing resin layer is formed on a substrate,
On the inorganic powder-containing resin layer, (A) an acid value of 50 to 12
5, a resist layer containing an alkali-soluble resin having a glass transition temperature of 60 ° C. or higher, (B) a reactive monomer, and (C) a radiation polymerization initiator is formed, and the resist layer is exposed to light. Process to form a latent image of the resist pattern, develop the resist layer to reveal the resist pattern, etch the inorganic powder-containing resin layer and form an inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern. A method for manufacturing a plasma display panel, wherein a panel material having a pattern is formed by a method including a step of forming a pattern and baking the pattern. 【請求項２】 （Ａ）酸価が５０〜１２５であり、ガラ
ス転移温度が６０℃以上であるアルカリ可溶性樹脂、
（Ｂ）反応性モノマーおよび（Ｃ）放射線重合開始剤を
含有することを特徴とするレジスト層と、無機粉体含有
樹脂層との積層膜を支持フィルム上に形成し、当該積層
膜を基板上に転写し、当該積層膜を構成するレジスト層
を露光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該
レジスト層を現像処理してレジストパターンを顕在化さ
せ、無機粉体含有樹脂層をエッチング処理してレジスト
パターンに対応する無機粉体含有樹脂層のパターンを形
成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法によ
り、パターンを有するパネル材料を形成するプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法。2. (A) an alkali-soluble resin having an acid value of 50 to 125 and a glass transition temperature of 60 ° C. or higher,
A laminated film of a resist layer containing (B) a reactive monomer and (C) a radiation polymerization initiator and an inorganic powder-containing resin layer is formed on a support film, and the laminated film is formed on a substrate. To form a latent image of the resist pattern by exposing the resist layer constituting the laminated film to a latent image of the resist pattern, developing the resist layer to reveal the resist pattern, and etching the resin layer containing the inorganic powder. Forming a pattern of the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern, and baking the pattern to form a panel material having the pattern. 【請求項３】 請求項１または２記載のレジスト層にお
ける（Ｂ）反応性モノマーが、分子中に−ＯＲ−結合
（Ｒはメチレン基または炭素数２〜４アルキレン基）を
有する化合物であることを特徴とする、請求項１または
２記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。3. The resist layer according to claim 1, wherein (B) the reactive monomer is a compound having an —OR— bond (R is a methylene group or a C 2-4 alkylene group) in the molecule. The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein: 【請求項４】 請求項１または２記載のレジスト層にお
いて、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂に対する（Ｂ）反応性
モノマーの重量比が、２５〜７５質量％であることを特
徴とする、請求項１または２記載のプラズマディスプレ
イパネルの製造方法。4. The resist layer according to claim 1, wherein the weight ratio of (B) the reactive monomer to (A) the alkali-soluble resin is 25 to 75% by mass. Or the method of manufacturing a plasma display panel according to 2. 【請求項５】 形成されるパネル材料が電極パターンで
あることを特徴とする、請求項１または２記載のプラズ
マディスプレイパネルの製造方法。5. The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the panel material to be formed is an electrode pattern.